AT213962B - - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



   In den Fig. 2 und 3 sind besonders günstige Tiegelvorrichtungen, die zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens verwendet werden können, dargestellt. Bei den beiden, insbesondere konzentrischen Tiegeln 5 und 6, die an ihrem oberen Rand fest miteinander verbunden sind, besitzt der innere Tiegel 6, insbesondere in der Mitte des Bodens 3, eine Öffnung 4, durch die der Halbleiterstab hindurchgeführt wird. 



   Der in Fig. 2 dargestellte Doppeltiegel besteht aus zwei konzentrischen Tiegeln 5 und 6, die durch den Teil 7 fest miteinander verbunden sind. Der innere Tiegel 6 enthält in der Mitte des Bodens 3 eine Öffnung 4, durch die hindurch der Halbleiterstab aus der Schmelze 9 gezogen wird. Benetzt die Schmelze den Tiegel nicht, wie das insbesondere für Germanium in einem Graphittiegel oder für Silizium in einem Quarztiegel zutrifft, so kann der Schmelzspiegel 8 infolge der Kapillardepression beträchtlich höher als der Tiegelboden 3 stehen. Durch die Öffnung 4 kann kontinuierlich ein Stab aus der Schmelze nach oben gezogen werden. Die Schmelzspiegelhöhe in der Öffnung 4 ist dabei unabhängig von der Höhe des Schmelzspiegel 8, so dass während des Verfahrens Halbleitermaterial in den Tiegel 5 gegeben werden kann, ohne dass dabei auf eine genaue Dosierung zu achten ist.

   Ein Messfühler zur Gewinnung einer Regelgrösse für die Durchmesserregelung des gezogenen Stabes ist in der Bohrung 4 angebracht und mit dem inneren Tiegel 6 fest verbunden. Der Verbindungsteil 7 ist entweder leicht abnehmbar oder er besitzt Öffnungen zum Einbringen des Halbleitermateriales auch während des Ziehens. 



   Bei der in Fig. 3 abgebildeten Tiegelanordnung bestehen der Verbindungsteil 7'und der innere Tiegel mit der Öffnung aus einem Stück, das mit dem äusseren Tiegel fest verschraubt ist und nur einen Teil der Öffnung des grossen Tiegels 5 bedeckt. Der Boden 3 des inneren Tiegels enthält wiederum eine Öffnung 4, durch die der Halbleiterstab hindurchgezogen wird. Diese nimmt zugleich einen Messfühler auf. Die Schmelze 9 ragt mehrere Millimeter über den Rand des äusseren Tiegels hinaus. Insbesondere mit der in Fig. 3 dargestellten Tiegelanordnung wurden nach dem erfindungsgemässen Verfahren dünne Germaniumeinkristallstäbe mit einem Durchmesser von 1 bis 2 mm gezogen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zum Ziehen von insbesondere dünnen, einkristallinen Halbleiterstäben aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze, dadurch gekennzeichnet, dass das zur Bildung der Halbleiterstäbe erforderliche Material an einer tiefer als die höchsten Oberfiächenteile (8) der Schmelze (9) liegenden Stelle der Schmelze herausgezogen wird, indem ein mit einer Öffnung (4) versehener Teil (3,6) in die Schmelze (9) eintaucht und das Material für den Halbleiterstab durch diese Öffnung (4) hindurchgezogen wird.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Teil (3,6) mit der Öffnung (4) nur so tief in die Schmelze (9) eingetaucht wird, dass das Halbleitermaterial infolge seiner Oberflächenspannung nicht von selbst durch die kleine Öffnung (4) des Teiles hindurchtritt.

   3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Regelung des Stabdurchmessers, insbesondere zum Ziehen von Stäben mit konstantem Durchmesser, während des Ziehvorganges in der Öffnung (4) ein Messfühler angebracht und fest mit dem mit der Öffnung (4) versehenen Teil verbunden wird.

   4. Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwei, insbesondere konzentrische Tiegel, an ihrem oberen Rand fest miteinander verbunden sind und dass der innere Tiegel (6), insbesondere in der Mitte des Bodens (3), eine Öffnung (4) besitzt, durch die der Halbleiterstab hindurchgezogen wird.

   5. Tiegelvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer aus Germanium bestehenden Schmelze insbesondere beide Tiegel aus Graphit bestehen.

   6. Tiegelvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer aus Silizium bestehenden Schmelze insbesondere beide Tiegel aus Quarz bestehen.