Université Mohamed Larbi Ben M’hidi, Oum El Bouaghi.

Algérie
Faculté des sciences et des sciences appliquées, département de génie électrique

On considère le transistor JFETJ108 à jonction et

son réseau de caractéristiques ci-contre :
1. Relever la valeur approximative de IDSS et
déduire VP.
2. Déterminer le mode de fonctionnement du
transistor au point de fonctionnement :
(1 V, 15 mA) à VGS= -0,1 V.
3. Calculer la résistance rds du canal entre le drain
et la source pour VGS = 0 V et -0,3 V.
On monte ce transistor dans un circuit à
polarisation automatique avec une tension d’alimentation VDD = 5 V:
4. Donner le schéma du montage.
5. Donner l’équation de la droite d’attaque, et l’équation de la droite de charge du montage.
6. Donner l’expression de VDS0 et ID0 pour que le point de fonctionnement Q soit au milieu de la
droite de charge.
7. Pour VGS=-0,4 V et RD= 180 Ω, calculer la valeur de la résistance RS pour avoir le point de
fonctionnement à VDS0= 2,5 V et ID0= 5 mA.

On désire alimenter une LED avec un courant constant de 10 mA, on utilisant

une source de tension (VDD) qui peut évoluer entre 6 et 12 V. Pour cela, on
utilise un JFET fonctionnant en résistance. Le Datasheet du transistor indique
que : ID = 10 mA pour une tension constante de VGS= -1,6 V.
1. Sur le data-sheet (ci-dessous) de JFET BF245C, relever les valeurs de
VGSoff et IDSS. Calculer la valeur de la résistance R.
2. Calculer la tension VDD minimale qui permet d’avoir un courant de 10 mA
(on tolère une variation de 10 %, c’est-à-dire  1 mA). On donne la tension
aux bornes de la LED : 2,0 V pour 10 mA.
3. Le data-sheet du transistor indique que : Pmax = 350 mW. Vérifier qu’il n’y
a pas de problème d’échauffement du transistor.

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 TD N° 01 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS (TEC)

On considère les caractéristiques d’un transistor ci-contre :

1. Donner le type du transistor : type P ou N, justifié.
2. Prélever sur le data-sheet les valeurs de : IDSS et VP.
3. Calculer la résistance drain-source rds pour VGS = 0V.
Q
On polarise le JFET à VGS = 0 V au point Q
4. Donner les coordonnées du point Q : ID0, VDS0.
5. Le transistor est-il utilisé comme une résistance
variable ou comme un amplificateur, justifié.
6. Donner l’équation reliant le courant ID en fonction de
IDSS, VGS et VP.
∆I
7. Sachant que la transconductance g m = ∆V d , déduire l’équation de g m .
GS
8. Calculer gm0.

Un JFET est caractérisé dans sa région de saturation par l’expression du courant de drain suivante :
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 (𝑚𝐴) = 30 × (1 + 10
) avec VGS<0.
1. Donner les valeurs numériques de IDSS et VP.
2. On monte ce transistor dans un circuit à polarisation automatique avec une tension d’alimentation
VDD = 30 V. La résistance de source RS est découplée par un condensateur d’impédance nulle en
alternatif :
1) Donner le schéma du montage.
2) On désire que le point de polarisation corresponde à VGS0 = -4V et VDS0 = 15V.
− Calculer les valeurs qu’il convient aux résistances RS et RD.
Pour choisir RS et RD, on utilise deux résistances de la série normalisée E12 suivante :
1 – 1,2 – 1,5 – 1,8 – 2,2 – 2,7 – 3,3 – 3,9 – 4,7 – 5,6 – 6,8 – 8,2
− Déterminer alors les valeurs exactes de I D0, VGS0 et VDS0.
3. Calculer la pente ou la transconductance (gm) du JFET à VGS0.
4. Donner le schéma équivalent du montage en petits signaux (basses fréquences).
5. Calculer l’impédance de sortie du montage sachant que rds = 20 Ω (rds = 1/gds).

Soit le transistor à effet de champ BFR31 dont les caractéristiques sont les suivantes :

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 TD N° 01 : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS (TEC)

1. Donner les valeurs numériques typiques de IDSS et de VP

2. Ce transistor présente-t-il un canal N ou P. justifier.
3. On polarise ce transistor au point B des caractéristiques. Le transistor est-il utilisé en résistance
variable ou en amplificateur. Justifier.
𝑉𝐺𝑆 2
Dans le modèle théorique, on rappelle que : 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 + ) .
𝑉𝑃
4. Donner la définition de la transconductance gm du transistor, puis déterminer sa
valeur numérique au point de fonctionnement à partir de son expression
analytique.
5. Comparer la valeur calculée à la valeur numérique que l’on déduit des
caractéristiques.
On utilise un schéma de polarisation automatique ci-contre :
On prend VDD = 10 V.
On désire que le point de fonctionnement soit effectivement en B.
6. Déterminer les valeurs des résistances Rd et Rs.
7. Quelle valeur de Rg faut-il choisir.

On se propose d'étudier le fonctionnement d'un amplificateur

à JFET ci-contre :
R1=2×R2= 2 M, RS=2×RD= 2 K, VDD=30V, gm = 5000 µS.
1. De quel montage élémentaire s’agit-il. justifier.
2. Dessiner le schéma équivalent du montage en régime
statique.
3. Dessiner le schéma équivalent du montage en régime
dynamique.
4. Donner (et calculer) les expressions du :
1) Impédance d’entrée (Ze)
2) Gain en tension (AV)
3) Gain en courant (Ai)
4) Impédance de sortie (ZS).

Soit le montage amplificateur dit source

suiveuse à JFET suivant :
5. De quel montage élémentaire s’agit-il.
justifier.
6. Donner le schéma équivalent du montage
en régime statique.
7. Donner le schéma équivalent du montage
en régime dynamique.
8. Donner les expressions du :
1) Impédance d’entrée (Ze)
2) Impédance de sortie (ZS).
3) Amplification en tension (Av).

‫مع تمنياتي لكم بالتوف تق و النجاح‬

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Faculté des sciences et des sciences appliquées, département de génie électrique

1. IDSS = 24 mA et Vp = |VGSoff |=0,7 V

2. VDS> VP : le TEC se comporte comme source de courant (zone de saturation)
0,5
VDS 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 → 𝑟𝑑𝑠 = 20×10−3 = 25Ω
𝟑. rDS = à { 0,5
I D 𝑉𝐺𝑆 = −0,3𝑉 → 𝑟𝑑𝑠 =
10×10−3
= 50Ω

4. Montage de polarisation automatique :

5. L’équation de la droite d’attaque est : VGS = – RS.ID
L’équation de la droite de charge est : VDS = VDD – (RS + RD).ID
𝑉𝐷𝑆 = 0 → 𝐼𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 /(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )
{
𝐼𝐷 = 0 → 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷
Pour que le point de fonctionnement soit au milieu de la droite de charge, il faut que :
𝐼 = 𝑉𝐷𝐷 /2(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )
{ 𝐷0
𝑉𝐷𝑆0 = 𝑉𝐷𝐷 /2
6. VDS0 = VDD – (RS + RD).ID0 = 2,5 V
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆0
𝑅S= 𝐼𝐷0
− 𝑅𝐷 ⟶ 𝑅S= 320 𝛺

1. VGSoff = 6,5 V et IDSS= 17 mA, ce qui est suffisant pour fournir 10 mA

Si ID= 10 mA, la valeur de VGS correspond sur la figure ID(VGS) vaut -1,6 V
Donc R = -VGS/ID = 160 Ω
2. TEC comme résistance : VDS<|VGSOff | donc 0<VDS< 6,5 V
Nous avons : IDmax =11 mA>ID = 10 mA > IDmin= 9 mA
Loi des mailles à la sortie :
VDD = R.ID+VDS+VLED ⟹ VDS= VDD -VLED- R.ID < 6,5 V on prend par exemple VDSmax= 6,4 V
→VDDmin = R.IDmin+VDSmax+VLED = 160×0.009+6,4+2 = 9,84 V on peut choisir VDDmin = 10 V
3. P = VDS.ID et Pmax = VDSmax.IDmax= 6,4×0,011= 0,0704 W= 70,4 mW < Pmax.
Donc pas de problèmes d’échauffement.

1. Le transistor est un JFET type N, parce que ID > 0, VDS > 0 et VGS < 0.
2. IDSS ≈ 10,4 mA et Vp = |VGSoff |=3 V
VDS
3. La résistance drain-source ‘rds’ : rDS = 1
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 → 𝑟𝑑𝑠 = 6×10−3 = 166,66 Ω  167 
I D
4. Q : ID0 = 5 mA ; VDS0 = 1,5 V
5. Le TEC se comporte comme une résistance variable, parce que VDS0 < VP.
VGS 2
6. ID = IDSS × (1 + VP
) .
V 1
7. gm = 2 × IDSS × (1 + VGS ) × (+ V )
P P
2.I DSS 2×10,4×10−3
8. A VGS=0 ⟹gm= g m0 = = 3
𝑚𝐴
≈ 7 𝑉 = 𝟕𝒎𝑺
VP

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 SOLUTION TD N° 01 : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPS (JFET)

1. IDSS=30 mA, VP= |VGSOFF|=10 V

2. 1) Schéma du montage :
2) Calcule de RS et RD pour avoir le point de polarisation Q
à VGS0 = -4V et VDS0 = 15V
Nous avons trois équations :
𝑉𝐺𝑆0 2 4
a. 𝐼𝐷0 (𝑚𝐴) = 30 × (1 + 10
) = 30 × (1 − 10)2 = 10,8 𝑚𝐴
b. A l’entrée : RSID+VGS+RGIG=0 ⟹ RS= -VGS/ID0 = 4/10,8×10-3 ≈ 370 
c. A la sortie : VDD=(RD+RS).ID+VDS ⟹ RD = [(VDD- VDS0)/ ID0]- RS = 1018  ≈ 1,2 k
Vue les valeurs normalisées, on prend RS= 390  et RD = 1 k, donc il faut calculer les nouvelles valeurs de
ID0, VGS0 et VDS0 à partir des trois équations (a, b et c) :
𝑉𝐺𝑆0 2
(b) VGS0 =-RS.ID0 on remplace ID0 par sa relation en (a) VGS0 =-30 × 10−3 . 𝑅S × (1 + )
10
𝑉𝐺𝑆0 2 𝑉𝐺𝑆0
VGS0 =−11,7 × (1 + 100
+ 2. 10
) = −11,7 − 0,117. 𝑉𝐺𝑆0 2 − 2,34. 𝑉𝐺𝑆0
⟹ 0,117. 𝑉𝐺𝑆0 2 + 3,34. 𝑉𝐺𝑆0 + 11,7 = 0 , on calcule discriminant : Δ = b² - 4ac = 5.68 > 0

Il y a deux racines : 𝑉𝐺𝑆01 = -4.08 V et 𝑉𝐺𝑆0 2 = -24.45 V on choisi 𝑉𝐺𝑆0 = - 4.09 V

− 4.09 2
Donc, d’après l’équation (a) : 𝐼𝐷0 (𝑚𝐴) = 30 × (1 + 10 ) = 10,48 mA
D’après l’équation (c) : VDS0=VDD – (RD+RS).ID0 = 15,43 V
2.I DSS 2×30×10−3
3. La transconductance (gm) du JFET à VGS0 : g m0 = = 10
= 6 × 10−3 𝑆 = 6 mS
VP
VGS0 1 −4,09 1 mA
g m = 2 × IDSS × (1 + VP
) × (V )= 2 × 30 × 10−3 × (1 + 10
) × (10) = 3,5 V
= 3,5 × 10−3 𝑆
P
4. Le schéma équivalent du montage en petits signaux (basses fréquences):

5. L’impédance de sortie du montage : Rout = RD//rds= (RD×rds) / (RD+rds) =19,60 

1. IDSS= 6 mA et Vp = 2,5 V
2. Le transistor est un JFET type N, parce que ID > 0, VDS > 0 et VGS < 0.
3. Au point de polarisation B, le transistor se comporte comme un amplificateur parce que VDS0 = 6V>VP.
4. La transconductance gm aussi appelée pente est le rapport entre la variation du courant de sortie et la
variation de la tension d'entrée. Elle s'exprime en A/V (ou Siemens). Elle représente l’action des variations
de la tension d’entrée VGS sur le courant de sortie ID.
I D (4 − 2)  10−3
gm = = = 2,85mA/V = 2,85 mS (La valeur analytique)
VGS (1,20 − 0,5)
5. Au point B nous avons : ID0=3,4 mA, VDS0= 6 V et VGS0= -0,75 V
V 1 0,75 1
g m = 2 × IDSS × (1 + VGS0 ) × (V )= 2 × 6 × 10−3 × (1 − 2,5 ) × (2,5) = 3,36 𝑚𝑆 (Valeur numérique)
P P
On constate que les valeurs analytique et numérique de la transconductance sont proches.
6. Déterminer les valeurs des résistances Rd et Rs:
Nous avons les équations suivantes :
a. A l’entrée : RSID+VGS+RGIG=0 ⟹ RS= -VGS/ID0 = 0,75/3,4×10-3 ≈ 220 
b. A la sortie : VDD=(RD+RS).ID+VDS ⟹ RD = [(VDD- VDS0)/ ID0]- RS ≈ 956  on prend RD = 1 k
7. On choisir Rg = 1M.

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 SOLUTION TD N° 01 : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPS (JFET)

1. Montage à source commune, parce que l’électrode de la source sera à la masse en régime dynamique.
2. Schéma du montage en régime statique :
3. Schéma équivalent du montage en régime dynamique :

4. Les paramètres du montage :

𝑣𝑒 R .R
1) Impédance d’entrée Ze: 𝑍𝑒 = 𝑖𝑒
= 𝑅𝐵 = R 1+R2
1 2
2) Gain en tension: is=+iD
vs= -RD.iD =-gmRD.vGS
𝑣
ve= vGS en déduit : 𝐴𝑉 = 𝑣𝑆 = −𝑔𝑚 . 𝑅𝐷
𝑒
𝑖 −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆
3) Le gain en courant : 𝐴𝑖 = 𝑖𝑠 = 𝑉𝐺𝑆 = −𝑔𝑚 . 𝑅𝐵
𝑒
𝑅𝐵
𝑣𝑠
4) Impédance de sortie : 𝑍𝑠 = 𝑖𝑠
= 𝑅𝐷
A. N.: R1=2×R2= 2 M, RS=2×RD= 2 K, VDD=30V, gm = 5000 µS= 5 mS.

1. Montage à drain commun, parce que l’électrode de drain sera à la masse en régime dynamique.
2. Schéma équivalent du montage en régime statique :
3. Schéma équivalent du montage en régime dynamique :
iD

𝑣𝑒′ (t) R1 .R2

𝑅𝑔 = 𝑅1 //𝑅2 =
R1 +R2
𝑅𝑔
M 𝑣𝑒′ (t)= . 𝑣𝑒 (t)
𝑅𝑔 +𝑅𝑒

4. Calcule des expressions du montage en régime dynamique : → 𝑣𝑒′ (t)≈ 𝑣𝑒 (t)

𝑣 R .R
1) Impédance d’entrée Ze: 𝑍𝑒 = 𝑖 𝑒 = 𝑅𝑒 + 𝑅𝑔 = 𝑅𝑒 + R 1+R2
𝑒 1 2
2) Impédance de sortie Zs:
Pour calculer l’impédance de sortie, on utilise le théorème de Thevenin :
1) Débrancher la charge
2) Court-circuiter le générateur de tension à l’entrée (ve=0)
Appliquer une tension vs à la sortie qui injecte un courant is :
is

𝑣𝑠
𝑣𝑠 = 𝑟𝐷𝑆 //𝑅𝑠 . (𝑖𝑆 + 𝑔𝑚 . 𝑣𝑔𝑆 ) et 𝑣𝑔𝑆 = 0 donc 𝑍𝑠 = = 𝑟𝐷𝑆 //𝑅𝑠
𝑖𝑠
3) Amplification en tension : Av= 𝑣s/ 𝑣e
a. En entrée : 𝑣 gs = 𝑣 gM – 𝑣 sM = 𝑣’e – 𝑣 s = 𝑣 e – 𝑣 s
b. En sortie : 𝑣 S = +gm. 𝑣 gs. ZS
g m .Z s
𝑣𝑠 = gm. ZS(𝑣 e – 𝑣 s) ⇒ 𝑣 S(1 + gm. ZS) = gm. ZS. 𝑣 e → A→V = 1
(1 + g m .Z s )
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