Le document présente deux exercices sur le transistor bipolaire. Le premier concerne le calcul de la tension aux bornes d'une résistance et de la tension collecteur-émetteur pour un montage donné. Le second porte sur le calcul des résistances nécessaires à la polarisation d'un transistor NPN dans deux montages différents.
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Le document présente deux exercices sur le transistor bipolaire. Le premier concerne le calcul de la tension aux bornes d'une résistance et de la tension collecteur-émetteur pour un montage donné. Le second porte sur le calcul des résistances nécessaires à la polarisation d'un transistor NPN dans deux montages différents.
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Ecole Nationale Polytechnique d’Oran A.
U :2020/2021 Département de FPST Module : Electronique Générale
TD No3 Transistor Bipolaire ‘’étude statique’’ Exercice n° 1 : Soit le schéma à transistor alimenté par une tension de 12 V et R1 = 100 kΩ, R2 = 500 Ω et le gain du transistor β = 120.
Sachant que la chute de tension base-émetteur du transistor NPN
est de 0.7 V, Trouvez la tension aux bornes de la résistance R2 La tension VCE.
Exercice 2 : Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN pour lequel B = 100 dans chacun des montages de la figure 1. On prend VCC = 10 V et on désire que le point de repos soit fixé à VCE0 = 5 V, IC0 = 1 mA et VBE0 = 0.7 V.
1 /1 Corrigé TD 2 Exercice 1 le courant de base est : 12 𝑉 − 0.7 𝑉 𝐼𝐵 = = 113 µ𝐴 100 𝑘Ω Le courant du collecteur IC est : 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = (120)(113µ𝐴) = 13.6 𝑚𝐴 Finalement, la tension aux bornes de R2 est : 𝑉𝑅2 = 𝑅2 𝐼𝐶 = (500Ω)(13.6 𝑚𝐴) = 6.8 𝑉 La tension VCE est donné par :
