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Conferencia 3 Semiconductores

electrónica básica: semiconductores

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Conferencia 3

SEMICONDUCTORES

Proyecto 2021
Semiconductor
• Es un elemento que se comporta como
un conductor o como un aislante dependiendo de
diversos factores como el campo eléctrico o
magnético, la presión, la radiación que le incide, la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
• Se construyen generalmente de germanio y Silicio,
siendo este último el mas actualizado actualmente.
Algunas características de los semiconductores
• En dispositivos de silicio, la separación de
carga produce un voltaje de 0.7 V a través de
la interacción, mientras que en los
semiconductores de germanio, la separación
de la carga produce un voltaje de unión
pequeño (0.2 V).
Diodo
Definición
Se le llama Diodo, al componente electrónico que permite el paso
de la corriente en un solo sentido.

Los diodos constan de una unión de dos tipos diferentes de material


semiconductor, por lo que constituyen una unión PN. A la zona P se le coloca
un terminal llamado ánodo y a la zona N el terminal llamado cátodo.
Comparación diodo real y su simbología:
Polarización del diodo

Polarización inversa Polarización directa


(no conduce) (conducción)
Tipos de Diodo
Diodos de uso general:
• Estos se utilizan principalmente como
rectificadores, o como protección en aparatos
a baterías, previniendo su deterioro al
conectarlos con polaridad inversa a la
utilizada.
• Diodo Zener: se utilizan como reguladores de tensión
(polarizados inversamente), polarizado directamente se
comporta como cualquier otro diodo semiconductor.
• Diodos emisores de luz (LED, acrónimo inglés de Light-Emitting
Diode): emite luz al ser polarizado directamente.
• Diodos Schottky: Estos diodos están diseñados para cumplir la
misma función que los de uso general, pero a altas frecuencias.
• Diodos de potencia: Son diodos de encapsulado metálico,
generalmente de grandes dimensiones. Se utilizan, por
ejemplo, en cargadores de baterías y alternadores de
automotores.
Comprobación de diodos:
• Los diodos se comprueban con el multímetro digital o
analógicos. En el primer caso se realizara la escala que tiene el
símbolo del diodo.
• En el segundo caso utilizando la escala R x 1, en directa debe
mostrar un valor de resistencia bajo (entre 20 y 500 ohms,
depende del diodo), y en inversa un valor tendiendo a infinito.
• En caso de que la lectura en directa muestre un valor infinito,
el diodo se encuentra dañado. Si la lectura en inversa tiene
poca resistencia, indica que tiene fugas y necesita ser
cambiado por uno bueno.
Conclusión: el diodo solo podrá medir en un sentido (polarización directa).
• Si mide en ambos sentidos se encuentra en corto circuito.
• Si no mide en ninguno de los dos sentidos se encuentra abierto.
TRANSISTORES
Transistor
• El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor utilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a
una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectifi
cador.
Tipos de transistores
• Transistor de unión bipolar (BJT)
• Transistor de efecto de campo (FET)
• Fototransistor
Transistor
(BJT)
Transistor de unión bipolar
Definición
• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además
de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

• Nota: Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS
Transistor de unión bipolar (BJT)

NPN PNP
Configuraciones comunes en los circuitos con transistores

• Emisor común (EC).


• Colector común (CC).
• Base común (BC).
- La más utilizada es la de amplificador en emisor común (EC), así
llamada porque el emisor se encuentra tanto en el lazo de entrada
como en el de salida. También se llama así porque la corriente de base y
de colector se combinan en el emisor.
• El siguiente circuito más utilizado es la configuración en colector común
(CC), también conocida como seguidor emisor.
• La tercera configuración es el circuito en base común (BC).
El transistor de efecto campo
(FET)
El transistor de efecto campo (FET)
• Otro tipo de transistor además del bipolar (BJT) es el
llamado transistor de efecto de campo (FET, acrónimo
inglés de Field-Effect Transistor), que funciona sobre la
base del principio de repulsión o de atracción de cargas
debido a la superposición de un campo eléctrico. Los
transistores de efecto de campo funcionan de forma más
eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una
señal grande con una cantidad de energía muy pequeña.
Definición
• El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un
transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto,
la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de
carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es
un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta
(representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal
equivalente a la base del transistor de unión bipolar (BJT), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la
puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen
en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de
material del cual se compone el canal del dispositivo
Tipos de FET:

Canal N Canal P

Terminales:
Puerta (G) - Drenador (D) - Fuente (S)
Tipo de transistores de efecto campo
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y
la puerta:
• El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente SiO 2).
• El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
• El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.
• El HEMT (transistor de alta movilidad de electrones)
• Los MODFET (FET de modulación dopada)
• Los IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenador-fuente está entre los 200 a 3000V.
Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones
drenador-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
• Los FREDFET
• Los DNAFET
• Los TFT
MOSFET
MOSFET: (Tranasistor de efecto de campo metal- óxido- semiconductor) es utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Actualmente es el más utilizado en la industria microelectrónica,
sobrepasando al transistor de unión bipolar.
Está compuesto por tres terminales externos:
• Fuente (S).
• Drenador (D).
• Puerta (G).

Nota: Presenta un cuarto terminal llamado sustrato (B) pero


generalmente está conectado al terminal de fuente.
TIRISTORES:
• El tiristor es una familia de componentes
electrónicos constituido por
elementos semiconductores que
utiliza realimentación interna para producir una
conmutación. Los materiales de los que se compone son de
tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores. Son dispositivos
unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac o DIAC). Se
emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.
Está constituido por cuatro capas de estructura
pnpn con tres uniones pn. Tiene tres
terminales: ánodo cátodo y compuerta

Fig. Símbolo del tiristor y representación de las tres uniones pn


Circuito Tiristor y característica v-i
TIPOS DE TIRISTORES.
Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y
desactivación, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:
• 1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
CIRCUITOS INTEGRADOS.
• Un circuito integrado, como su nombre lo indica, es un
conjunto de componentes concentrados dentro de una sola
pastilla de material semiconductor y puede verse como un
pequeño circuito electrónico utilizado para realizar una
función electrónica específica, como pudiera ser la
amplificación.
GRACIAS

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