t

UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID

ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES
SECCION DE PUBLICACIONES

ELECTPONIGA I

TOMO I

PREPARADA POR LOS PROFESORES:

F. ALDANA MAYOR
E. ANDRES PUENTE
P. MARTINEZ MARTINEZ

Cod,095 Madrid, 1989

 -7 -

siendo á la constante de Planck y f la frecuencia. Si la transición se realiza a una órbita de

nivel energético superior, será como consecuencia de la absorción de una cantidad de energía
igual a la diferencia entre los niveles energéticos de ambas.

Admitidos los postulados expuestos, resultó factible interpretar los espectros de absorción
y radiación de los elementos; caracterizados por líneas altamente estables, que impticaban valores
discretos y estables de las frecuencias de radiación y absorción. A partir de dichos espectros se pu-
dieron obtener los niveles discretos de energía permitidos para cada tipo de átomo.

1.2. Ecuación de onda y estados cuánticos

El modelo de Bohr sirvió eficazmente para lustificar los fenómenos que se producían en lí-
quidos y gases, pero no fue tan útil para explicar el comportamiento electrónico de los cuerpos só-
lidos. Sus deficiencias han sido superadas por la mecánica cuántica, en la que el electrón es conside-
rado como una partícula con una pequeña carga eléctrica, cuyo comportamiento está gobernado
por una ecuación de onda.

En 1926, Schródinger postuló la síguiente ecuación que daba soluciones para los fenómenos
atómicos y moleculares:

*(#.#.#).,*-wp) ü=o (1.71

siendo á la constante de Planck, m la masa del electrón, r/ la función de onda (de coordenadas x,
y , zl, W la energía del electrén y Wp la energía potencial (función de x, y, zl. La ecuación de onda
(1.7) tiene solución solamente para determinados valores discretos de la energía W del electrón. Las
soluciones obtenidas para la función de onda ry', correspondientes a cada uno de los valores discre-
tos de 17, pueden ser bastante complejas y definen en forma rnatemática un compo!.tamiento posi-
ble del electrón. Se dice entonces que dicho electrón ocupa un estado cuántíco. A cada estado cuán-
tico va asociado, pues, un valor discreto de la energía l¡7 del electrón y un comportamiento determi-
nado de éste, que pueden ser obtenidos de la correspondiente función de onda en forma de momen-
to lmvl.
' En consecuencia, la caracterización de los estados cuánticos podrá realizanse rnediante cuatro
números independíentes, tres de ellos correspondientes a cada una de las componentes espaciales del
momento y el cuarto para designar el sentido (t) del spín que hasta ahora no había sido tenido en
cuenta. A estos números se les denomina números cuánticos y se les conoce como n ,l , m v ms .

La solución de la ecuación de Schródinger facilita los valores de los niveles energéticos permi-
tidos para el eonjunto de los electrones correspondientes a un átomo. Sin embargo, para connpletar la
descripción del sistema ha de ser tenido en cuenta también el principio de exclusión de Paulique di-
ce que dos electrones de un mismo sisterna no pueden tener los cuatro números cuánticos iguales. Es-
te principio, que fue fijado empíricamente por Pauli en 1925, pudo demostrarse posteríormente que
en realidad no era más que una consecuencia de la forma matemática de la ecuación de Schródinger.

En la figura 1.1. y en la tabla 1.1 se representan los diversos niveles energéticos con su deno-
minación. Al conjunto de niveles afectados por el mismo valor del número cuántico n se le llama
capa. Los electrones se agrupan, pues, en diferentes capas que contienen como máxirno, estando com-
pletas, un número de aquéllos perfectamente definido; así el número máximo de electrones en la pri-
 -8-

LP,LD,LI,5 5, CtC

LS

Z 3D
o
Í.
F
U M
LJ
J
Lü 3P
J
IJ 3S
A
f(!
2P
x.
uJ
Z 23 ]'
t-tl

15 K

Figura 1.1

mera capa es 2, en la segunda 8, en la tercera 18, en la cuarta 32,etc. Observando la figura 1.1
se ve claramente que la posición de un electrón en el átomo puede expresarse especificando la
capa en que se encuentra, su órbita, o su nível energético.

Los electrones de las capas ¡nteriores están fuertemente ligados al núcleo, por lo que no
intervienen en la cornbinación química de elementos. Los de la última capa, llamados elecffo-
nes de valencia, son, por el contrar¡o, decisivos para la asociación química y para los fenómenos
de conducción e léctrica.

Si un electrón de valencia es sacado de su estado energético normal y llevado a un estado

superior permitido, se dice que elátomo estáexcítado; si se le suministra una cant¡dad de energía
tal que el electrón sea separado completamente del átomo a que pertenece, se dice que está ioni-
zado.

En estado normal todas las capas interiores de un átomo están completas, esto es, poseen
el número de electrones asignado a cada una de ellas en la tabla 1.1;la última capa, sin embargo,
puede estar incompleta.

Lafigura 1.2a) muestra las configuraciones atómicas del silicio y del carbono; ambos ele-
'mentos,
como puede verse, disponen de cuatro electrones de valencia cada uno.

Puede obtenerse también una visión clara del estado energético de un átomo, representan-
do los diversos niveles de energía totalmente ocupados con sus electrones, y la última capa con lQs
energético
electrones de valencia y los estados disponibles. En la figura 1.2b) se muestra el estado
de un átomo de silicio.
 -20-

Entace covatente
o On
Gs ue
Go
o-
@
(:)
Ge
a
@
(t
oo
Ge @
a

Figura 2.1.

.'"@-óog':
\.-E^
(3)et".,,on
':r'#i
o G¿) -.tG1) O@ o
Ge
(:)

1@3@3@
t". oGe oGe
o

Figura2.2.

2.2. Conducción por electrones y huecos

El tipo de semiconductor tratado hasta ahora se llama semiconductor puro o intrinseco, y

su configuración corresponde a la de un sólido cuyos crlstales no presentan imperfecciones en for-
ma de impurezas.
 29-

El nivel Wo está situado en la parte superior de la zona prohibida, a una distancia AW1 :
= O,O1 eV. del nivel inferior Wc de la banda de conducción, como puede verse en la figura 2.7b1,
Se comprende fácilmente que la más pequeña aportación de energía hará que todo electrón cuyo
nivel energético sea elWp pase a la banda de conducción como electrón libre, dejando el átomo -
de antimonio ionizado, La carga positiva, situada en el ion, permanece fija, pues pertenece al nú-
cleo atómico; por el contrario, los electrones en la banda de conducción son fácilmente desplaza-
bles y dan lugar a una corriente eléctrica si se aplica un campo exterior.

tco o Banda de
G^t Go
conducción
o @o@-o@: -,lt- e_.
AWt-
-lL
(, (:)
Ionizad Banda
prohibida

Banda de
@o@^o@
u"a
a
valencia
oue o e

(a) Fisura 2.7.

( b)

Un proceso análogo, pero de signo contrario, puede conseguirse introduciendo impurezas

trivalentes como aluminio, boro, indio, etc. La configuración cristalina es la mostrada en la figura
2.8a1;en ella se ve claramente como para estetipo de impureza resulta un exceso de huecos, pues
al existir una diferencia de un electrón de valencia entre el germanio y el indio, por ejemplo, Do -
pueden completarse más que tresenlaces covalentes, quedando un hueco en el cuarto enlace. Los
cuerpos que al ser introducídos como impureza proporcionan portadores de carga positivos, se lla-

ooa Banda de

36odu@.". wc
conduccion

/o\ Banda
ur".o . /
(.
Ge Ionizado prohibida
o
-r--W^ Nive[ de
(:) (:) Fermi
Banda de
o@ ao oa @. valencia
Geo oGe oGe

(a) (b)

Figura 2.8.
 33-

Si se considera un cristal homogéneo, en el que la repartición de partículas portadorasde

carga es uniforme, no se produce desplazamiento alguno de las mísmas. Sin embargo, si se aumen-
ta en un punto del cristal la concentración de portadores, de modo que exista un gradíente de con-
centración a lo largo de aquel, las partículastenderána moverse desde lazona de mayorconcentra-
ción hacia la de menor, dando lugar a una corriente eléctrica de difusión proporcional, en cada íns-
tante, al gradiente de concentraciones. Pasado un cierto tiempo se habrá llegado a un equilibrío y
la concentración de portadores en todo el cristal volverá a ser uniforme.

La densidad de corriente, cuando los portadores sean exclusivamente huecos, viene dada
por la expresión

(2.17l,

siendo D, ra constante de dírusión ,.r.::;: :,ff^"s,a der erectrón y dp/dxersradien-

te de concentración de huecos a lo largo del eje x del cristal.

Para los electrones se tendría, en forma análoga

ip:Q D, -* (2.18)

La corriente totaldedifusión se obtendrá multiplicando 7, y ip por la sección.

En los semiconductores pueden existir simultáneamente corrientes de difusión y de conduc-

ción; las expresiones de la corriente total de huecos y de electrones puede obtenerse fácilmente
a
partir de las ecuacíones (2.11, Q.171V e.18), resultando

dp
ip:QFpPt-qDp (2.19\
dx

dn
in:e Fn n t-f q Dn (2.20r'
dx

Las constantes de difusión están ligadas con las movilidades por la relación

Dn D, KT
(2'211
É:-*: ,
denominada ecuación de Einstein;en ella K es la constante de Boltzmann yT la temperatura ab
soluta.

En la tabla 2.1 se dan algunas de las constantes f ísicas del germanio y del silicio como semi
conductores típicos.
 _43_

transición (recuérdese que el campo eléctrico está relacionado con el potencial por la expresión
E: - dV/dxl.

En la figura 3.1d) se muestra la variación del campo eléctrico E a lo largo de la zona de

transición, y en la figura 3.1e) la variación del potencial Vo, Este último constituye una barrera
paraladífusióndehuecosdelazona p alazona n,porloquesolamentepasaránaquelloscu-
ya energía cinética exceda a la representada por el potencial o altura de la misma; exactamente
igual sucedería con los electrones de la zona n. Respecto a los electrones minoritarios de la zona
p, y los huecos minoritarios de la zona n, que se hallen cerca de la unión, su paso a través de ésta
será facilitado por efecto del campo eléctrico.

Veamos seguidamente como se cumple la condición de equilibrio del sistema. anteriormen-

te expresada. Las corrientes que circularán a través de la unión PN en tales circunstancias son las
representadas en la figura 3.1e). Los pocos huecos de la zona p, cuya energía es suficiente para so-
brepasar la barrera de potencial, dan lugar a la corriente lfp; igualmente los electrones de la zona
n daránlugarala l¡¡.Ambascorrientessondel mismosigno,pueselectronesyhuecossedespla-
zan en sentidos contrarios, y se suman fqrmando la l¡: l¡p I l¡¡. La componente /¡ es compen-
sada por la suma de otras dos corrientes, una loo de huecos generados por agitación térmica, que
se desplazan de la zona n ala p,y otra lgn de electrones de la misma procedencia que se despla-
zan de la zona p a la n.

En suma, cuando se alcanza el equilibrio, circulan a travésde la unión PIV cuatro corrientes
que, compensándose dos a dos, dan una resultante nula.

3.3. La unión PN polarizada

Sise aplica una tensión externa U¡ entre las zonas p y n de la unión, de modo que el
terminal positivo de la misma corresponda a la zona n,y el negativo con la p (sentido desfavora-
ble para el efecto de difusión) se modifican los potenciales y corrientes a través de la misma, en la
forma representada en la figura 3.2. Veamos como la polarización introducida origina una serie de
fenómenos que llevan a la unión P/t/ a comportarse de modo que bloquea el paso de corriente.

Debido a la polaridad de la tensión aplicada, Ios huecos y electrones existentes en la zona

de transición son forzados a salirde la misma por la acción del campo eléctrico creado por U¡
Los huecos irán hacia la izquierda (polo negativo) y loselectrones hacia la derecha (polo positivo).
En la zona de transición existirán cada vez menos electrones y huecos que puedan actuar como por-
tadores de carga eléctrica, por lo que dicha zona se hará menos conductora y más ancha, presentan-
do una mayor resistencia al paso de corriente eléctrica (efecto Early).

El campo eléctrico creado por la tensión U¡ es del mismo sentido que el que se origina in-
teriormente en la zona de transición; por ello la distribución de carga espacial se modifica en la for-
ma indicada en la figura 3.2b1, de modo que resulta una barrera de potencial VB Vg : * U¡. AI --
ser la mencionada barrera máselevada lascomponentes, l¡, e l¡, disminuyen fuertementedeva-
lor, hasta hacerse casi desprecialbes en comparación con ln, e lgn.

Estas últimas corrientes son prácticamente independientes de la altura de la barrera. Así en

el casode lsn,handepasarloselectronesminoritariosdelaregión p
pordifusión,desdefuerade
lazona de transición hasta el punto en que arranca la barrera de potencial, para que comience a ha-
cerse sentir la acción de ésta. Una vez alcanzado dicho punto, todos los electrones serán absorbidos
 _45_

En resumen, según se ha polarizado la unión PN, ésta nodeja pasar másque una pequeñísi-
ma corriente que presenta un carácter de saturación, por ello se dice que la unión está polarizada en
sentido inverso.

unión, los electrones que provienen de la zona p y los huecos que pro-
Después de pasar la
vienen de la zona rl se van recombinando progresivamente con los electrones y huecos existentes
en exceso en las zonas opuestas, por lo que las correspondientes intensidades lon e /gp disminu-
yen exponencialmente, como puede apreciarse en la figura 3.2d). La corriente total a travésdel ma-
terial, que es la suma de ambas, permanece naturalmente constante en todas las secciones. La distan-
cia que recorren los portadores mencionados, hasta que el número total de los que atravesaron la
uniónsereducea l/e=l/2,71 desuvalororiginal,sedenomina longituddedifusiónL. Laszonas
de semiconductor alejadas de la unión varias veces el valor de la longitud de dlfusión permanecen inal-
teradas y pueden ser tratadas como símples materíales de tipo p o n.

Si se aplica una tensión externa Ug entre las zonas p y n de una unión, de modo que el
positivo de la misma corresponda con la zona p y el negativo con la n (sentido favorable al efec-
to de difusión) se obtienen las corrientes y tensiones indicadas en la figura 3.3.

Debido a la polaridad de la tensión aplicada, los huecos de la zona p y los electrones de la

zona n, que se encuentren en las proximidades de la unión, son arrastrados hacia la zona de transi-
ción. Con la ilegada de portadores, la mencionada zona se hace más conductora y más estrecha, ofre-
ciendo menor resistencia al paso de la corriente.

El campo eléctrico, creado por Up es de sentido contrario al que se origina interiormente.

La carga espacial se modifica según se indica en la figura 3.3b), y la barrera de potencial resulta V6
- Vo - UD, como se muestra en la figura 3.3c). Al ser la barrera más reducida, se produce una gran
af luencia de portadores mayoritarios hacia la unión, penetrando fuertemente los huecos de la zona
p en la zona n, y n en la p; este proceso se conoce como inyección de
los electrones de la zona
portadores. Las corrientes mayoritarias l¡ aumentan de tal manera que las componentes minor¡ta-
rias lo resultanprácticamentedespreciables.Comolaamplituddelascorrientesmayoritariasde-
pende de la altura de la barrera, éstas crecerán fuertemente al aumentar Ug, siendo por otra parte
menos dependientes de la temperatura que la corriente inversa. Los portadores inyectados en cada
zona, desde la contraria modifican las distribuciones de minoritarios en ambas, dando lugar a una
variación exponencial como se demostró en el apartado 2.8,3ercaso.

Parece, pues, demostrado que según se ha polarizado la unión, ésta deja pasar una buena can-
tídad de corriente, por lo que puede considerarse como polarizada en sentido dírecto.

En la figura 3.3d) se ha representado la variación de las corrientes l¡o e l¡g, observándose

el efecto de la caída exponencial de ambas después de atravesar la unión. La corriente total /¡ que
entra por la zona p como corriente de huecos, sale por la zona /? como corriente de electrones.

La corriente de electrones l1n en la zona p se obtiene por derivación de la curva de concen-

traciones de la figura 3.3.a), ya que es corriente de difusión. Esta corriente, dístinta en cada sección,
es complementada hasta el valor /f , por una corriente de huecos lfp que, varíando en forma contra-
ria a l¡r, hace que su suma sea constante en cada sección. Esta corriente l¡p no puede ser debida a
difusión, ya que p es constante. Ello obliga a admitir la existencia de un muy pequeño campo eléc-
trico en la zona p que da lugar a la corriente de huecos y que no afecta fundamentalmente, dado su
reducido valor, a los razonamientos anteriormente expuestos.
 7-

Para tensión cero se tiene el diagrama de la figura 3.11a), en el cualel nivelde Fermi en la
zona n sobrepasa el W, donde comienza Ia banda de conducción, mientras que la zona pque-
da por debajo del nivel lz7, .
Wc u/c

w"
Wv
Wrp Wr¡
- Wrp

Wc

Wep
Wrp

Figura3.11.

En tales condiciones existe la probabilidad de que algunos electrones aislados, situados en la

banda de conducción de la zona n atraviese la barrera de potencial por efecto túnel y se situen al
mismo nivel energético en la zona p donde existen huecos. Circulará, por tanto, una corriente de de-
recha a izquierda. Dicha corriente es compensada por otra igual y de sentido contrario originada por
electronessituadosenlabandadevalenciadelazona p,quesedesplazanporefectotúnelaniveles
energéticos sin ocupar ex¡stentes en la banda de conducción de la zona n. La corriente neta por efec-
to túnel es, pues, en el caso que nos ocupa, nula.

Si se aplica una tensión de polarización en sentido directo se elevan los niveles de la zona
n res-
pectodelazonap(figura3.11b),encontrándoseloselectronesdelazonanfrenteanivelesvacíos
de la zona p, lo que da lugar a una corriente de electrones de la zona n a la p, esto es, una corrien-
te en sentido directo. Al elevar más la tensión de polarización, los electrones de la banda de conduc-
ción de la zona n quedan en parte frente a niveles prohibidos de la zona p , por lo que disminuye
la corriente (figura 3.11c) volvíendo a aumentar cuando la polarización es lo suficientemente fuerte
como para poder considerar que el diodo se comporta como uno normal (figura 3.11 d).
 -65-
- Uo - Ug, permitiendo el paso francd de los huecos desde aquel electrodo hacia la base. Los hue-
cos así inyectados atrav¡esan la base por difusión (recuérdese el fuerte gradiente de concentracio-
nesexistenteenestazona) llegandohastalauníóndel colector,.allíjuntamentecon /rr,encuen-
tran la d iferencia de potencial U'o + U I en sentido favorable que los absorbe hacia el interior del
colector, por donde salen como corriente /¿:.

a)

b)

uo-uo
c)

Figura 4.5.

Al atravesar la base la corriente de emisor, se produce un pequeño número de recombina-

ciones entre huecos de /r y electrones de la zona n, originándose una corriente de base l6 que
cubre la diferencia entre los huecos inyectados por el emisor y los que realmente llegan al colec-
tor. Este fenómeno se plasma numéricamente en un factor de transporte n ,de valor muy ligera-
mente inferior a la unidad. El efecto de reducción de la barrera en la unión emisor-base, a la par
que facilita la inyección de huecos del emisor en la base, permite también la inyección de electro-
nes de la base en el emisor, lo que origina una disminución de la relación tc/tr, ya que dichos elec-
trones pasan a enErosar la corriente de emisor y no la de colector. La pérdida puede ser tenida en
cuenta introduciendo un facotr 1 de eficiencia del emisor que representa la relación entre los
huecos inyectados por el emisor en la base, y la corriente total de emisor (hueco * electrones); el
valor de 7 es también ligeramente inferior a la unidad. Existe finalmente un tercer factor 6 de
 -83-
El modelo dado para !a distribución de corrientes en el.SCB supone ciertas condiciones,
necesarias para la comprensión del mismo. Así se ha supuesto que las dos zonas que actúan como
emisor están más fuertemente dopadas que las dos bases, con lo cual circulará a través de 51 una
corriente fundamentalmente compuesta de huecos, y a través de .s3 otra de electrones; las co-
rr¡entes secunu{arias (electrones de la base n al emisor p y huecos de la base p al emisor n) han
sido despreciadas.

Veamos seguidamente como se comporta el rectificador controlado cuando se aplica una

tensión anódica positíva (Ul« )C). En tales condiciones las uniones S, y S¡ quedan polari-
zadas en sent¡do directo y la 52 en sentído inverso. Basándose en el modelo dado en la figura 5.1b)
y llamando a, la ganancia de corriente del primer transistor pnp y a, la del segundo, puede decir-
se que de la corriente /a que atraviesa .S, llega una parte a, lu al colector; el resto (l ar)1, se
pierde en la base rl por recombinación con electrones. En forma análoga, de la corriente (l¿ * t6 )
-
que circula a través de 53 llega al colector ar(1, * 16 ), recombinándose el resto (l - az) (1, 16) *
en la base p . Además de las mencionadas corrientes, circula a través de la unión 52 la corriente in-
versa lss, compuesta de electrones y huecos generados térmicamente en la zona de carga espacia! y
cuyo valor aumenta con el de la polarización inversa.
En estado de equilíbrio, tomando por ejemplo el punto 1 de la base n, el número de hue-
cos que se recombinan por unidad de tiempo ha de ser igual al de electronés aportados por a2(t, 16) *
e /rr, resultando la siguiente igualdad

(1 - at)la - Eo
:az(la + 16) + l6s (5.1 )

a2 16 I l¿6
la: (5.21
| - (% * or)
La ecuación (5.2) representa la curva de respuesta del SCB en su paso de la zona de bloqueo
positiva a la de conducción, ya que, a pesar de que no aparece explícitamente la tensión ut« ésta se
hallacontenidadeformaindirectadentrodelroydelasvariacionesdea, y uz. Losvaloresdees-
tos últimos parámetros dependen también de las corrientes de emisor la e (la + lo ), aspecto quese-
rá decisivo para las explicaciones que siguen.

. Partíendo de la ecuación (5.2) pueden considerarse tres casos: el primero es cuando a, (( 7

y cr211. / . Con esta condición, la ecuación se transformaen l, = lco ; la tensión tJ\y es menorque
la de ruptura Uao, cirlulando a través de la unión.S2 una corríente inversa muy pequeña (del orden
dc microamperios). En el modelo de los dos transistores puede decirse que los valores de a son tan pe-
queños que no basta para que exista acoplamiento entre ambos.

El segundo caso corresponde a la condición a, * ar: 7, que anula el denominador haciendo

la =*. Los dos transistores están entonces fuertemente acoplados, resultando con el aumento de /,
que ia unión intermedia 52 pierde su condición de bloqueo. En las curvas corresponde esta condición
a la zona de encendido o ruptura del bloqueo.

Finalmente, cuando (oq * dz)> /, sucede que con valores crecientes de ls la suma de los dos
parámetros resulta superior a la unidad y la expresión (5.2), para el caso /6 =0,se transforma en

lu -- fu, I ur) l, I lro (5.3)

ecuación que exige para cumplirse que lro cambie su signo y, por tanto, su entido de círculacíón, En
la unión 52 se creá, pues, una tensión que la deja polarizada en sent¡do directo, lo que signifíca en el
 -", 85 -"

El hecho de que pueda conducir incJistintarnente en uno u otro sent¡do aconseja prescindir
de la nomenclatura y denominación habitual de ánodo y cátodo para loselectrodos principales, por
lo que se les denomina terminales uno y clcts T1y trr, conservándose la denominación de puerta G
para el electrodo de encendido. El terminal f, se toma normalmente como terminal de referencia ct
terminal con respecto al cual son rnedidas todas las tensiones;el terminal f2 casi siempre queda uni-
do al radiador a través del encapsu!adc,.

Por razones de fabricación y tamaño de las zonasp yn extremas, que actúan como terrnina-
les en las distintas formas de funcionamiento, no es posible disponer de triacs de potencias tan eleva-
das como los SCF. No obstante, se dispone ya de estos dispositivos en márgenes de hasta 40 A efica-
ces y tensiones de hasta 500 V.

Para analizar el funcionamiento del triac conviene distinguir los cuatro posibles casos de su
polarización y disparo; éstos son:

a) Tensión U2,)0,corriente 1670

b) Tensión U, )0, eorriente 16 1A
c) Tensión U, (0, corr"iente 16 l> 0
d) Tensión U21 10 , corriente 16 10

Los analizaremos sucesivamente corr referencia a la figura 5.3.

a) f2 positivo (ánodo), f,
negativo (cátodo), /6 entrante. En esta forma, el triac se com-
porta como un SCR normal con estructura formada por p1
- n1 - Pz - nz.
b) f2 positivo (ánodo), f1 negativo (cátodo), /6 saliente (figura 5.4). la estructura princi-
pal es p, - n1- pz - nz, actuando la puerta desden, en la forma que se verá seguidamente.

ri( +
A

n1 I lno
p1

n1

F iEura 5.4.

lnicialmente la corriente /6 circula desde el cátodo a través de p2 hasta nr, disparándose el

tiristor auxiliar formado porpr - n1 -"pz - nt (zona izquierda de la estructura). Con ello, la zo-
na izquierda dep, queda al poteneiai de ánodo, rnientrasque la zona derecha está al potencial de
 -87 -

del triac; antes al contrario' cada una de

Estas cuatro formas de actuación no son exclusivas
de los que se usan' En el triac se ha conseguido reu-
ellas corresponde a un determinado tipo de SCR
que son tres, ya que la estructura c) y la d) son
nir en un solo bloque todas las estructuras básicas,
iguares. Er conjunto se reariza en una
pastiila de siricio con una distribución espaciarde zonas como
pla-
la representada en la figura 5.7, en la
que los contactos óhmicos de los terminales se indican con
cas punteadas.

Figura 5.7'

5.4. El diac
de tipo pnpn con dos terminales,
El diaces un dispositivo semiconductor de cuatro zonas
o como protector contra sobretensio-
que ha sido pensado como elemento de disparo bidireccional
concretamente como dispositivo para el dispa-
nes. El diac encuentra un gran campo de aplicación,
de información binaria (por sus dos estados esta-
ro de triacs, como elemento de almacenamiento
se muestran en lafigura 5'8'
bles), etc. su estructura, símbolo y características

Figura 5.8.

pueden distinguirse para valores de la tensión aplicada

observando las curvas características
de bloqueo, s Y s" estable hasta que la ten-
urr 4o en cada uno de los cuadrantes I y lll, una zona
sión aplicad a alcanzaun valor igual a
t ubd , respectivamente,'una zona de resistencia negativa z y
z, yunazonadeconducción d Y d',atácuat sellegainmediatamentedespuésdesuperadalaten-
 -66-

de ser UBt = Ug2,tendrá que ser nula la tensión colector-base de la primera etapa, al ser tJ6r=lJEz;
en estas condiciones los transistoresdejarían de trabajaren zona act¡va. Para evitarlo, y no alterarex-
cesivamente los puntos de funcionamiento de las d¡st¡ntas etapas, se emplean transistores de silicio -
que admiten trabajar en zona activa aún con tensíones de colector a base, tan bajas como de 0,3 V.
En todo caso el número de etapas iguales a disponer en cascada queda muy limitado ya que las ten.
siones de colector van aumentando de una a otra etapa. Para conservar sensiblemente los puntos de
funcionamiento, se exige, bien la alimentación de cada etapa con baterías distintas, o bien la inser-
ción de etapas activas de acoplamiento que reduzcan los niveles de tensión de reposo. Esta últ¡ma so-
lución resulta más práctica que la primera, por lo que a ella se tiende normalmente. (Fig.4.6).

Figura 4.6.

Una de las consideraciones de mayor importancia a tener en cuenta en el diseño y utilización

de amplificadores de continua, es el hecho de la estabilidad de sus condiciones de reposo frente a cau-
sas de inestabilidad aparentemente ajenas al propio circuito, como pueden ser: la temperatura, las ten-
siones de alimentación, la humedad, radiaciones, tolerancias de fabricación, etc., etc. Su importancia
es clara si se tiene en cuenta que las variaciones en las condiciones de reposo constituyen, en sí, seña
les que no es posible distinguir de la verdadera señal que se está amplificando.

Se pueden minimizar estos efectos de deriva disponiendo circuitos simétricos en los que las
variaciones de uno de los transistores queden compensadas por las del otro, que actúa en forma con-
traria. Esta compensación no es total en la práctica debido a las inevitables desigualdades en los tran-
sistores.

En la figura 4.7 se dan dos ejemplos de circuitos simétricos. El dea) está forrnado por dos
amplificadores EC idénticos y con polarización automática, y el de ó) por dos etapas EC con aco-
plamiento cruzado.
 -67 -

*u.
,, ,

ul

o)
Figura 4.7.
4.4. El ampl¡f¡cador diferencial

Uno de los montajes simétricos de acoplamiento directo más comúnmente empleados es el

llamado amplificador diferencial, que se representa en la figura 4.9 y que recibe este nombre por -
presentar una alta ganancia de tensión para la diferencia de las señales aplicadas a sus entradas.

+o
:i 'rl
Figura 4.8.

j En general, un amplificador diferencial ideal (Fig. 4.8) posee dos terminales activos de en-
trada y uno de salida, y la señal en éste depende sólo de la díferencia de las señales en ambas entra- F
das. Oueda pues definido por la relación:

uo: Adfut - uz) (4.71

en que A¿ es la ganancia diferencial y las tensiones son las indicadas en la f igura 4.8.

En un amplificador diferencial real uo depende, además, de los niveles de tensión comunes

en ambas entradas. Es decir, el valor de uo no es el mismo si
 -87 -

en sentidos contrar¡os por el transformador de salida, sus efectos se anulan y aquella componente
no aparece en R¿. Con ello se impide también la posible saturación del núcleo deltransformador
de salida y la distorsión que por este motivo se podría originar. Obsérvese que esto puede ocurrir
en un montaje como el de la figura 5.5, debido a que la componente /¿' circula por el transforma-
dor sin posible compensación.

Para el análisis gráfico de un amplif icador en contrafase, trabajando en claseA, hay que te-
ner en cuenta que la carga Ri que cada transistor ve, desde colector a emisor, viene dada por la re-
lación:
\z
(5.211
) "=a2RL

-J-,--

i.,
I

lrt Figura 5.g.

llamando o a la relación de transformación desde cada mitad del primerio, al secundario, en el

transformador de salida. Con el valor de Rl pueden obtenerse las características dinámicas de tra-
bajo de ambos transistores.
 -88-

Estas características se sitúan, una en relación a la otra, como se ha hecho en la figura 5.9.
En ella, la recta A, Ai
representa la característica dinámica de Tt,Y At
su punto de funciona-
Ir, funcionando alrededor deO2.
miento, mientras que la recta 42 A', representa la del transistor
Deestaformapuedeapreciarselaacuración,simultáneasobreambostransistores,deunaseñal de
entrada en base (identificada en la f igura como 4 ) que, en un instante determinado t, , es positi-
va para T1 y negativa para 72.

Como la corriente en la carga es proporcional a la diferencia iC, - iCr, puede obtenerse lo

que se llamacaracterística dinámica compuesta, efectuando gráficamente la diferencia (o suma al-
gebraica) deordenadasdelascaracterísticasArA', Y AzA'z decadatransistor.Si setrabajaso--
bre esta característica compuesta se obtíene directamente la onda (i en la figura 5.9) proporcional
a la corriente de salida, y cuyo valor medio es evidentemente nulo.

Aunque en la figura (5.9¡, y por mayor simplicidad del dibujo, se han sL¡puesto lineales las
características dinámicas de cada transistor, el lector puede hacer, como ejercicio, una figura simí-
lar pero con características no rectilíneas, y apreciará que la característica compuesta MN, presenta
menor curvatura que cada una de sus curvas generatrices. Por esta raz6n,la corriente i presenta -
menor distorsión que sus dos componentes 4, e icz .

5.6. Amplificadores en contrafase. Clase B

El funcionamiento en clase B es imposible para un amplificador de un solo transistor, si se

ha de conservar la forma de onda con un rnínimo de distorsión. Por el contrario, en un amplifica-
dor en contrafase es posible este funcionamiento en clase B sin que la onda de salida sufra una ex-
cesiva distorsión, como ahora se verá;además, el rendimiento de la conversión meiora sensiblemen-
te, contribuyendo ambaS razones a que Se prefiera su utilización, al de clase A.

El circuito, para clase B, es el rnismo de la figura 5.8, bastando con ajustar la polarización
de las bases, de forma que los puntos de funcionamiento de ambos transistores estén al borde de
la zona de corte.

En estas condiciones, tanto f, como f2 estarán cortados en ausencia de señal ur, pudien-
dosuponernulaslascorrientes 6, e íCzy,portanto, lacorriente i enlacarga.Duranteel semi-
ciclo positivo de u1 , i¡1 @s pos¡tiva, por lo que f1 pasa a trabajar en la zona activa, mientras que
f, se mantiene cortado (y sin conducir), al tener su unión base-emisor polarizada inversamente.En
el secundario el transformador de salida, se inducírá una corriente i, proporcional a i7r, que re-
producirá la semionda positiva de ur.

Durante el semiciclo negativo, el funcionamiento es inverso: f,

se mantiene aleorte, T2
i
entra en zona activa y la corriente reproduce (con polaridad contraria a la de antes) el semiciclo
negativo de u1.

Esta forma de funcionamiento es la que se ha indicado en la figura 5.10, a través de las ca-
racterísticas dinámicas, dispuestas en forma análoga a como se hizo en la 5.9. En un instante f, del
semiciclo positivo de la señal de tensión de entrada, es i62 O : e
i62 = 0 y sélo circu lan las corrien-
tesr¿1 e iCt. Enotroinstante t2,delsemiciclonegativodeul,sólocirculan i¡2 e 42, siendonu-
las i61 e iCt.
 -7 -

Rs
+
ug Amplifícodor
bdsico

Red de
reolimentoción

o)

Rs

ug
+
\
¡ )lG
---------} r _l
Amplificodor

bósico

Itn
Y
Red de

reolimentoción
b)

Figura 1.3.

b) Realimentación de tens¡ón en paralelo; la señal de realimentación actúa en paralelo a

la entrada (Fig. 1.2.a y 1.3.b).

c) Realimentación de corriente en paralelo; la señal gue se realimenta se sitúa en parale-

lo a la entrada y depende de la corriente de salida (Fig. 1.2.b V .l.3.b).

d) Realimentación de corrienteen serie; la señal muestreada eslacorriente de salida, y la

señi:l que se realirnenta se coloca en serie a la entrada.

Gada uno de estos tipos de realimentación está especialmente indicado para un determ¡na-
do tipo de amplificador, y la influencia de la realimentación sobre sus propiedades específicas se
analizará en el capítulo siguiente.
 12-

da a dos causas; de un lado a la distorsión introducida por el amplificador, es decir 82, y de otro a
la misma componente Bi que, a través deAV deA¡ aparece a la salida como -AAB;. Podemos
por tanto escribir que:

Bí:8, - AtsBi (1.e)

de donde

(1 .10)

Si la realimentación es negativa y lt + AAI > 1, resulta lB'rl < lArl y la distorsión de ampli-
tud disminuye.

En la obtención de (1.9) se ha hecho uso, implícitamente, del teorema de superposición, lo

que implica que el resultado obtenido sólo será correcto cuando la distorsión sea pequeña y pueda
admitirse el funcionamiento casi lineal del amplificador.

Por otra parte, para que la tensión de salida del amplíficador realimentado sea la mismaque
antes de realimentar, es necesario que la señalexterior X, aumente en elfactor (1 + A B), según -
se desprende de la expresión 11.2l.Para ello basta con aumentar la ganancia de la etapa prevía o aña-
dir una etapa adicional, lo que no suele aportar ningún problema, en cuanto a distorsión se refiere ,
dados los bajos niveles de señal manejados en estas etapas previas.

1.4. Estabilidad. Criterio de Nlyquist

Aún cuando el amplificador esté previsto para trabajar en un margen de frecuencias limita-
do, puede ocurrir que al realimentarlo resulte inestable para una o varias frecuencias fuera del mar-
gen de trabajo normal. Es por ello necesario efectuar un estudio de su estabilidad en todo el margen
de frecuencias posible, es decir, desde f =0 hasta f : *. Este estudjo conduce al establecimien-
to de varios criterios de estabilidad, uno de los cuales, debido a Nyquist, expondremos sin demos-
tración, ya que el hacerlo se saldría de los límites de esta obra.

Según lo indícado en apaftados anteriores, el límite entre la realimentación negativa y posi-

tiva quedará fijado por la condición

fi+enl:1 (1.11)

Siendo A V ts funciones de la frecuencia, y complejos en general, la expresión (1.11) representa,

en el plano complejo, al círculo de centro (-1, 0j) y radio unidad (Fig. 1.9). Podría demostrarseque
representandq en este mismo plano el producto A %, para todo valor de f, se obtiene una curva -
cerrada.

Los puntos de la curva Ab ext¿riores al círculo verifican la condición:

 -20-

características es lo que llamamos amplificador de tensión, y su modelo ideal sería aquel que tu-
viese resistencia de entrada infinita y resistencia de salida nula.

Rg ,, Rg RL=Ro

Figura 2.1.
2.1.2. Amplificador de corriente

Un amplificador ideal de corriente es aquel que proporciona una corr¡ente de salida propor-
cional a la corriente de entrada, siendo el factor de proporcionalidad independiente de Bg y R¿ .

En la figura 2.2se ha representado este caso y, en ella,A¡ representa la ganancia de corrien-

te en cortocircuito.

Re .. Rg RL << Ro

Figura2.2.
Si se verifican las condiciones:

Re Rs (2.41

Ro R¡ (2.5)
 -24-

dl La realimentación de corriente en serie, aumenta l.r r"rirtrn.ias de entrada y salida, y

hace que el amplíficador se comporte como uno ideal de transconductancia.

U,J

o)

b)
Figura 2.5.

2.3. Realimentación negativa de tensión en serie

En la figura 2.6 se considera el caso de un amplificador real (Re finito y Ba > 0) realimen-
tado negativamente con tensión en serie. Partiendo de las características del amplificador básico en
 _25 _

el queArc representa la ganancia de tensión en vacío, y de la característ¡ca Bde la red de realímen-

tación, se pretenden obtener losvalores de R'r, resistencia de entrada delamplificador realimentado,
A'ys, su ganancía de tensión en vacío, y R'o su resistencia de salída.

i Amplificodor reolimentodo
__-_--_--
.t I

____l
Figura 2.6.

Hemos de suponer, para ello, que la conexión de la red Bsobre la salida del amplificador no
modifica la ganancía de éste o, de otra forma, que la impedancia de entrada de la red es mucho nna-
yor que la de carga.

En estas condiciones, y de acuerdo con el convenio de sígnos y notación de la figura 2.6, se

pueden escribir las siguientes relaciones:

Ur: Ano U, - Rol, 12.15l,

Ur: Un _ U, (2.16l'

Ur: AUz (2.17l,

Si se sustituyela 12.17) en la (2.16) y el resultado en la (2.15), se obtiene:

Uz : Ano Ug - AnoAlJz - Ro t2

que puede ponerse en la forma:

u,=
#*s uo -nfr-oo^r, (i.18)

Comparando esta expresión (2.181con la (2.151se llega a la conclusión de que el coeficien-

tede t-ts, en la (2.181, representa la ganancia de tensión en vacío del amplificador realimentado,Al,,o,
 -27 -

¡':Uz-
:
U2
ñV
us ur+ur
-
=-

y, teniendo en cuenta las expresiones (2.17!.V Q.231,

Av
Aí: (2.25\
1+Av

Si la ganancia del lazo en carga es mucho mayor que la unidad, es decir, si l%Ar l >> 1,
esta expresi6n (2.25l. puede ponerse de la forrna:

4--!r=:A
^,-- +Ava-
AY
1ArD- b e.261

Este resultado permite concluir que la ganancia del amplificador puede llegar a depender s6lo de A.
Sin embargo, aun cuando8 se conserve constante en todas circunstancias, A, no, y su valor dismi-
nuirá para algún valorde la frecuencia (alta o/y baia), de forma que el producto AfJ no resulte ya
mucho mayor que la unidad. Analizaremos este hecho para un amplificador tipo RC, de una etapa,
sometido a realimentación negativa de tensión en serie.

Sea Ar^ la ganancia de tensión del amplificador sin realimentar a frecuencias medias. A fre
cuencias altas será:

Av, = 1 +1'.!,.
¡(f/t2)
,
Q'271

siendo f, la frecuencia de corte superior. En elamplificador realimentado será:

Avm

A' Ara 1+ ¡(f/f2) AW

- 1.hrg-, -
+ bAr*
^va 1+BAvn
+tsAvn -+ ¡(f/f2)
1 -_rlfu-
1
1+ ¡(f/f2)

que, dividíendo numerador y denominador por (1 I Avm D), se convierte en:

A' Ai,
1+ ¡(f/f;)
expresión que

Aí, =#r, n y f'z=fzfi * Ar*bl e.2gl

 -29-

RL
A¡oli

Amplif icodor reol i mentodo

Figura 2.8.

lz=Aiolr-# (2.s0)

lo:lrll, 12.31l.

lr: Bl, (2.32l-

Actuando por sustitución como en el apartado anterior se llega, con facilidad, al siguiente
resultado:

t- A¡o , lJ,
' 1+A¡ob" Roll+A¡obl
(2.331

que identificado con la (2.30) permite obtener la ganancia de corriente en vacío con realimentac¡ón
A'io, y la resistencia de salida l9i . Estas magnitudes son:

Aío = (2.341
1*A¡o$

Rí,: Rol + A¡s%l (2.35)

 -30-

En igual forma, y con la misma facilidad, se obtiene también elvalor de la nueva resisten-
cia de entrada R[, dada por:

(2.36)

expresiónenqueA¡representalagananciadecorrienteencarga,esdecir,el cociente l2/lr.

.ilarealimentaciónesnegativa ll+l¡Í)l> 1 ytambién 11 +A¡obl > l,aumentan-

do la impedancia de salida y disminuyendo la de entrada. De esta forma el amplificador realimen-
tado con corriente en paralelo se aproxima a su modelo ideal, en el que Re : O y Ro : *.

2.5. Otros tipos de realimentación

Siguiendo los mismos pasos de razonamiento y cálculos efectuados en los dos apartados an-
teriores, podrían obtenerse resultados cuantitativos que confirmarían las conclusíones apuntadas en
el apartado 2.2 para los distintos tipos de realimentación. La valoración cuant¡tativa de aquellas con
clusiones presenta un mayor interésgeneral en el caso de la realimentación de tensión en serie y de
corrienteen paralelo, ya estudiadas. En losotrosdostiposde realímentación, un análisis similar al
realizado no permite aportar ninguna nueva conclusión de carácter general, si bien su estudio sobre
circuitos concretos sí es de interés. Sin embargo, y como ya se índicaba en la introducción a esta --
parte, la teoría de realimentación presenta muy arnplias e interesantes aplicaciones que, en un pri--
mer curso, han de quedar necesariamente recortadas por imperativos de espacio y tiernpo.

2.6. Circuitos con realimentación

Como se recordará, al estudiar los circuitos de polarización de transístores, se indicó que la

mejora en el factor de estabilidad S conseguida por la polarización colector-base y la automática,
era debida a la presencia en el circuito de una realimentación negativa. En el caso de la polarización
colector-base, ésta es del tipo de tensión en paralelo y disminuye, por tanto, la ganancia del amplifi-
cador y las resistencias de entrada y salida. Si se desea conservar la realimentación para la señal de
continua (con objeto de que estabilice el punto de funcionamiento) y evitar la de alterna, basta divi-
di R6 en dos resistencias B, y Rz, cuya suma sea 86, y desde el punto intermedio/14, (Fig.2.9),
poner un condensador de gran capacidad a masa. De esta forma, la señal de salida en alterna no re--
torna hacia la entrada, al estar el punto /Ul a potencial cero de alterna.

Enel casodelapolarizaciínautomática, lapresenciade R6,(Fig.2.10),sitúaenel circui-

to de entrada una tensión U¡ = R6i6 que introduce una realimentación negativa de corriente en
serie. Este hecho favorece, en continua, la estabilización de O, pero disminuye la ganancia en alter-
na. Para evitarlo se hace nula la caída de tensión alterna en F¿' pon¡éndole un condensador C¿, en
paralelo. Si no se hace así, disrninuye la ganancia y aumienta la impedancia de entrada en la cantidad
aproximada de R¡8, como sabemos"
 -38-

una ¡mpedancia de entrada infinita, con lo que la corriente a su entrada sería nula, y una ímpedan-
cia de salida nula, lo que le permitiría comportarse como generador ideal de tensión. Debido alo
elevado del valor de su ganancia, la tensión de entrada podría considerarse nula cualquiera que fue-
se el valor de la tensión de salida.

En la figura 3.1 se ha representado este amplificador ideal por el símbolo con que normal-
mente se le identifica en los circuitos de que forma parte: un triángulo isósceles en posición hori-
zontal y cuyo vértice se halla dirigido en el sentido de paso de la señalque transmite. Si la señalde
entrada es aplicada por intermedio de una impedancia Z,
en serie, y el conjunto se realimenta des-
de la salída a la entrada, mediante una impedancra Zr, en la forma indicada en la figura 3.1, la ga-
nancia del circuito resultante puede establecerse inmediatamente, teniendo en cuenta los supuestos
de partida.

+
lro
F I

l _L-

Figura 3.1.

- "o), la corriente por

En efecto. Siendo nula la corriente de entrada al amplificador, (R,
Zt por Z, ;comoademás la ganancia A: u2/u, es infinita, la tensión u,
ha de ser la misma que
a la entrada delamplificador puede considerarse como cero cualquiera que sa? u2. Por tanto:

;_ug (3.1)
z-1

; _ uo
(3.21
zl
y como
it: ir (3.3)

resu lta

!s_ uo
(3.4)
z1 zr
 -39-

o lo que es lo mismo

uo Z-=L

ug = - Zr
(3.5)

La ganancia, o función de transferencia, del circuito resulta independiente del propio ampli-
ficador y depende sólo de las impedanciasde realimentación y de entrada. La expresión (3.b) de -
muestra también que la tensión de salida del amplificador es el resultado de aplicara la señal de en-
trada el operador -(Zr/Zr). La adecuada elección de Z, y Z, permite obtener operadores y fun-
ciones de transferencia muy variadas como se verá en el apartado siguiente.

La expresión (3.5) sólo es rigurosamente válida en el caso en que la ganancia ,4 del amplifi-
cador básico sea infinita. En otro caso resulta:

uo: -Yr (3.6)

ug

expresión en que las Y¡ = 1/Z¡ representan las admitancias correspondientes a las impedanciasZr,
Zt y Zt (de entrada al amplificador) de la figura 3.1. Se observará que si A+@,la (3.6) conduce
a la (3.5)

En el terminal de entrada del amplificador, la tensión u, es nula, lo que parece indicar la

existencia de un cortocircuito a masa. Este cortocircuito, sin embargo, no es real por cuanto no con-
duce corriente. Por este motivo se conoce a este punto como tierra virtual, destacándose tal situa-
ción mediante una flecha de trazo grueso dirigida desde este punto a masa como se indica en la figu-
ra3.2. Esta forma de representación sólo constituye una especie de regla nemotécnica que permite
obtenerfácilmente la expresión de la tensión de salida en un caso concreto, y nodebe interpretarse
como un circuito.
Z1 ir =ir Z¡

3.3. Aplicaciones básicas del amplificador operacional

Como ya se ha indicado, la elección conveniente de Z, y Z, permite al circuito elemental

de la figura 3.1 realizar muchas operaciones metemát¡cas que constituyen la aplicación básica del --
amplificador operacional y de las que sólo citaremos algunas de ellas.
 -41 -

entre las distintas fuentes.

lntegrador. En la figura 3.4se muestra el casoen que Zt = R y para Z, seha elegido

un condensador C. Cualquiera que sea la forma de onda de la tensión de entrada (que designa-
remos por u1), la tensión de salida uo vendrá dada por:

Uo:-; tl'./l dt:- u, dt (3.1 1)

(- .tI

resultando ser proporcíonal a la integral en el tiempo de u, .

Figura 3.4.

Si u1 es una tensión continua U, la tensión de salida uo es una rampa. De esta forma el

circuito constituye un excelente generador de ondas en diente de sieta, conocido como integrador
Miller o generador de barrido Miller.

Diferenciador. Si, en la figura 3.4, se invierte C por B, el circuito resultante suministra una
tensión de salida de la forma

dl',
-dt RC
Lto=- (3.12\

es decir, proporcional a la derivada en el t¡empo de la señal de entrada, como fácilmente puede de-
mostrarse.

lntegrador-sumador ponderado. La combinación del efecto sumador, representado por el

cirbuito de la f igura 3.3, y del integrador de la 3.4, conduce al circuito de la figura 3.5 en el que la
tensión de salida viene dada por:

uo: - 1 1 lr.dt+
dt+RrC +1 at (3.13)
R,C \", I RnC \u,

u¡

u2

U¡

Figura 3.5.
 -42-

resultando ser la suma ponderada (medianté los pesos 1lR¡Cl de las integrales de las señales de
entrada.

3.4. Cálculo electrón ico analógico

Como ya se ha indicado, el amplificador operacional constituye el componente fundamen-

tal de los calculadores analógicos. En estas máquinas las rnagnitudes f ísicas de un problema se repre-
sentan por tensiones cuya variación en el tiempo equivale a la de aquellas a una escala previamente
elegida. Estas tensiones pueden ser relacionadas entre sí mediante las operaciones matemáticas que
representen la solución del problema concreto en estudio.

Con el exclusivo objeto de mostrar, siquiera en forma elemental, el funcionam¡ento básico

de estos calculadores, obtendremos a continuación el circuito electrónico capaz de resolver la ecua-
ción diferencial,

y"(t) - 2y'( t) + y(t)- 5:0 (3.14)

Si esta ecuación se escribe en la forma

y'(t):2y'(t) -y(t) + 5 (3.15)

muestra que su solución se obtendrá cuando el primertérmino, o sea la tensión y"(t), sea igual al
segundo.

Si se conociese y"(t), su integraeión daría y'(t)que, integrada a su vez, daría y(t). En un

sumador podría obtenerse entonces el segundo nniembro de (3.t5), y la solución se hallaría oblígan-
do a una identidad de las tensiones y"(t) V la de salida del sumador, es decir, uniendo los puntos en
que estarían ambas señales.

Todo esto puede hacerse mediante el circuito representado en la figura 3.6. En el punto A
de la misma se supone aplicada la señal y"(t) que integrada con el operacional 1 y la constante -

Cr Cz R

R1 C1 =Q5 R2 C2=2
-2v' R

D R
*
V

Figura 3.6.
 -43-

RtCt:0,5proporciona,en8, laseñal -2.y'(t)segúnsedesprendedelaecuación (g.11). Estase-

ñal de 8, integrada por el amplificador 2 con la constante RzCz:2, proporciona, en C, la función
y(t) con signo positivo y coeficiente unidad. Las señales de C, B v D (5 voltios negativos de una pi-
la) se suman, con coeficientes unidad, en un amplifícador 3, a cuya salida se obtiene la señal

2y'(t)-y(t) *5,
comopuedecomprobarsedelaecuación (3.10) con 8.=r9. Lasoluciónal problema,si existe, se
encuentra uniendo el punto E con elA por medio del interruptorS. A partir del cierre de éste, las
tensiones en el circuito variarán de acuerdo con la ecuación (3.15) y en el punto C se obtendrá una
tensión que varía en el tiempo como ylt) y que constituye la función buscada.

La introducción de condiciones iniciales, tales como por ejemplo y(t) = 2 para f = 0, no cons
tituye ningún problema, si se aprecia que la tensión y(t) es la que aparece entre las armaduras del
condensador C2. Bastará pues con que este condensador tenga una tensión de 2 voltios en el instan-
te de cerrar el interruptor.S, y ello se consigue mediante el circuito representado en la figura 3.7,que
correspondeal integrador 2 de la3.6másloselementosnecesariosparaaplicaraquellacondición-
inicial' El interruptor S', de la figura 3.7, se abre al mismo tiempo que se cierra elS de la 3.6. De es-
ta forma C2 tiene la carga de 2 voltios en el momento de cerrar S.

2v

Figura 3.7.

3.5. Amplificador operacional diferencial

Hasta ahora nos hemos referido a un amplificador operacional con un terminal activo de en-
trada y otro de salida, en que las señales se aplican y obtienen respecto del terminal común o masa .
Existen sin embargo amplificadores de características operacionales con entrada diferencial y salida
 -54-

La frecuencia a que oscilará un oscilador senoidal, es aquella a la que el desfase total intro-
ducido al progresar la señal a través de todo el lazo de realimentación, sea igual a cero o múltiplo -
de 2r.

En forma más práctica, este princípio establece que la frecuencia dc oscilación estará deter-
minada por la condición de que el desfase del lazo sea cero. No resulta inconcebíble el imaginarque
esta condición pueda ser satisfecha por más de una frecuencia. En este caso el circuito podrá oscilar
a varias de estas frecuencias o a una sola de ellas.

El anterior principio establece la frecuencia de oscilación en el supuesto de que tal oscila--

ción se mantenga. Debe también cumplírse la igualdad de amplitudes de las señales Xi y Xo. Esta
condición permite enunciar otro de los principios de autoexcitación, en la forma siguiente:

automantenidas si, a la frecuencía de oscilación, la ganancia, en mó-

Las oscilaciones no serán
dulo, del lazo de realimentación es menor que la unidad.

Ambas condiciones, desfase nulo y ganancia del bucle unidad, están recogidas en el criterio
de Barkhausen, expresado en la forma,

- A ts= 1

que, evidentemente, implica el que la fase de A

- b sea nula y que lA B l:
1. Todo ello coincide
plenamente con lo expuesto en la teoría de realimentación que, al establecer como condición el
que (1 + A 0)=0, conduce a que,4':a,lo que hay que intérpretar, como ya dijimos, corno que
existe Xo a(tn cuando Xn sea nula o, mejor dicho, no exista señal exterior.

4.3. Consideraciones prácticas

En relación con la figura 4.1,e|principiode Barkhausen estableceque, si lAB l:1 a

la
frecuencia de oscilación, al desconectar el generador externo y unir 1 2
con , el circuito segui-
ráoscilando.si IA tsl<l,alquitarelgeneradorexternolaseñal seamortiguayel circuitodejade
oscilar.

Supongamos ahora que JA tsl> 1. Una señal, de p. ej. 1 voltio, inicialmente presente en 1 ,
aparecerá en 2 , después de su recorrido por el bucle completo, con una amplitud mayor y será de
nuevo aplícada a la entrada del amplificador, al estar 1y 2 unidos. Esta señal, mayor de 1 vol-
tio, volverá a ser amplificada a su paso por el lazo, originando sucesivamente señales, en todo el cir-
cuito, cada vez de mayor amplitud. Este aumento en la amplitud de las señales, sólo puede continuar
hasta que quede limitado por la aparicíón de zonas de funcionamiento no lineal en los elementos ac-
tivos del amplíficador. Esta falta de linealidad es más pronunciada conforme aumenta la amplitud de
las oscilaciones y constituye una característica esencial en la forma de operación de todos los oscila-
dores prácticos, según se desprende de las consideraciones que siguen.

condición lA/31= 1 es satisfecha sólo para un valor preciso deA y deÍ3. Podrá quizás,
La
en un princípio, obtenerse estos valores. Pero, debido a que los componentes del circuito alteran sus
 -58-

ts:- a (4.3)
29

El desfase de la red RC a la frecuencia fo es, por tanto, de 180"

lo que exigirá, para poder cons-
truir con ella un oscilador, que el amplificador que se utilice tenga una ganancia de tensión, en car-
ga, de un valor al menos igual a 29 y positiva. A este respecto conviene advertir que, una vez que
el circuito de realimentación mostrado en la figura 4.1 se haya conectado como oscilador, la presen-
cia del mezclador, cuya misión es afectar a la señal X, de la polaridad conveniente, ya no es necesa-
ria, pudiendo quedar absorbido en el propio amplificador que tendrá así una ganancia negativa. Es-
te podrá ser una etapa EC con ganancia (insistimos), en carga, al menos igual a 29.

4.4.2. Red en puente de Wien

El puente de Wien, (Fig. 4.4), está también formado por resistencias y condensadores. En
técnicas de medida este puente se utiliza como indicador de cero, ya que la tensión en sus termina-
les de salida uab, resulta nula cuando el punte está equilibrado, es decir, cuando se verifica la igual-
dad

Zr-R2
zr+22 Rr+R2

En estas condiciones, o sea en equilibrio, el punte no resulta útil para su empleo como red
de realimentación, ya que al ser u, : 0, resultaría b=O.

Figura 4.4.
 -61 -

Si el amplificador está constituido por transistores FET o tubos de vacío, elefecto de so-
brecarga de la red de realimentación por el amplificador no se presenta, normalmente, debido a la
muy alta impedancia de entrada que prescntan estos elementos activos.

Figura 4.7

Teniendo en cuenta las anteriores consideraciones, en la figura 4.7 se ha representado el cir-

cuito completo de un oscilador RC, o por diferencia de fase, en el que el amplificador, constituido
por el transistor fr, va seguido de una etapa CC (transistor T2) para evitar el efecto de sobrecarga
de la red. Esta queda forrnada por los componentes designados por C' y R', pudiéndose apreciar -
queel amplificadorsehadiseñadodetal maneraquelaúltimaresistencia R'delaredsesuprime,
sustituyéndola por la combinación en paralelo de Rr, R, y la resistencia de entrada del amplifica-
dor.

En la utilización de la red en puente de \4/ien, se hace preciso advertir que ambos terminales
de salida (a y b en la figura 4.4) están aislados de masa. Ello obliga a tomar c¡ertas precauciones
en los montajes reales. En la figura 4.8 se representa una posible solución. En ella, el amplificador
está formado por dos etapas EC, la primera utiliza un par Darlington f, y Tz , para aumentar su
impedancia de entrada y no cargar en exceso la red, y la segunda un transistor f. . Además, la sali-
da de la red queda aplicada dírectamente entre base y emisor del par Darlington, para lo cual ia R2
del puente es, al mismo tiempo, resistenc¡a de emisor de la primera etapa amplificadora y la resisten-
cia R, de la combinación RllC Oel puente, forma parte, a sLr vez, del divisor de tensión para polari-
zación de la base. La superposición en los elementos del puente de las tensiones continuas originadas
en R, v Rr no afecta a su funcionamiento en alterna, por tratarse de componentes de circuito per-
fectamente lineales.

4.6. Osciladores de frecuencia variable

En algunas aplicaciones, y particularmente para su utilización en los laboratorios, se hace pre-

 -62-

ciso disponer de osciladores senoidales cuya frecuencia de trabajo sea seleccionable dentro de un
cierto margen. En elde baja frecuencia, a que nos venimos refiriendo, esto es fácil de conseguir --
con los circuitos osciladores ya analizados, y muchos de los osciladores comercialmente disponi-
bles basan su funcionamiento en este principio.

-Uc

F igura 4.8.

Las ,.-xpresiones (4.2) y (4.9) indican que, tanto en el oscilador RC como en el puente de
\Jien, la frecuencia queda determinada por el producto 19C utilizado en la red. Para variar aquella,
basta pues variar el valor de i?, el de C o ambos a la vez. La variación de F o C en la red por dife-
rencia de fase, exige que se varíen simultáneamente tres componentes iguales, lo que en la práctica
constituye un serio inconveniente si la variación ha de ser en forma continua, dado que no existen
potenciómetros o condensadores triples. En el puente de VVien, sin embargo, sólo se precisa variar
dos componentes al misrno tiempo. Esto hace que sea éste el oscilador preferido para los de frecuen-
cia variable en forma continua, dentro del margen eomprendido entre 2 a 10 Hz y unos cientos de
kHz hasta el ft4H2. Para una ejecución práctica, este amplio margen de variación se divide en varios
submárgenes, o escalas, seleccionables mediante un conmutador que sitúa en circuito valores fijos y
distintos de R . Dentro de cada margen un condensador doble y variable, con aire como dieléctri--
co, permite seleccionar la frecuencia deseada.

En realidad, el margen de frecuencia útil de los circuitos que se contemplan, está liritado
sólo por razonesde índole práctica. Frecuencias inferioresa las indicadasexigen la utilización de
muy altos valores de R y C que, o son dif íciles de conseguir o resultan muy poco estables, mien-
tras que, para frecuencias superiores a 1 MHz, los valores necesarios de C son tan reducidos que
ya las capacidades parásitas asociadas al montaje resultan muy inf luyentes y afectan al funcionamien-
to en forma notable.
capitulo 5

OSCILADORES DE CIRCUITO SINJTON IZADO

ín¡o¡ce

5.1. Circuito oscilador de forma general.

5.2. Osciladores con cristal. Píezoelectricidad.

OSCILADORES DE CIRCUITO SINTONIZADO

5.1. Circuito oscilador de forma general

Para frecuencias superiores a 50 kHz resulta útil emplear circuitos sintonizados de O eleva-
do, como elemento determinantesde la frecuencia de oscilación. Tales circuitos presentan una im-
pedancia resistiva pura para la frecuencia de resonancia y reactiva para cualquier otro valorde f .
Por ello, la condición de desfase cero de la red se consigue sólo para la frecuencia de sintonía fr.

La figura 5.1 ilustra córno puede disponerse la realimentación en un oscilador de este tipo,
bastando con disponer una toma intermedia en la bobina del circuito tanque. Naturalmente son po-
s¡bles otras soluciones, a alguna de los cuales haremos referencia en este capítulo.

lc
u" I

Figura 5.1 .

El circuito resonante presenta, además, la ventaja de atenuar los armónicos que pudieran --
producirse por trabalar el amplificador en zonas no lineales, ya que, a estos armónicos aquel presen-
ta una impedancia mucho más reducida que la de resonancia, debido al elevado factor de calidad O
con que puede construirse. De esta forma, aún cuando la corriente suministrada por el amplif icador
y que excita el circuíto resonante, contenga armónicos, la tensíón u6 será prácticamente senoidal y
de frecuencia igual a la de sintonía.
 -66-

Una gran parte de los osciladores con circuito sintonizado responden a un esquema general
como el representado en la figura 5.2, en la que, de forma simbólica, se ha representado el amplif i-
cador por un transistor en EC. En la figura, Z, representa la impedancia de carga del amplificador
y Zt y Zz un divisor de tensión que permite realimentar a la base la tensión 6u2 necesaria para
satisfacer el criterio de Barkhausen. En algunos casos existe un acoplamiento inductivo entre las im-
pedancias que, considerado, permite extender el número de circuitos reales derivados de este eque-
ma general. Aquíse prescindirá de tal acoplamiento con objeto de simplificar los cálculos. También
conesteobjetoadmitiremosquelaadmitanciadesalidadel amplificador,osea hor,espequeña,--
comparada con la de carga, de manera que su efecto puede despreciarse. Si además no se tiene en
cuenta el efecto de ho, es decir, se considera que la realimentación interna en el amplif icador es mu-

--r c

U2

Z2 l.

r
Figura 5.2.

-- - --l
I

t't
rb i
I

I z3
I
I

U2

ErF
Lll-
_-_) I

Figura 5.3.
 -67 -

cho menor que la exterior a través de 21 y. Zz, el circuito de la figura 5.2 puede sustituirse por su
equivalente, dado en la figura 5.3. En él puede apreciarse que la tensión que se aplica entre base y
emisor es la procedente del divisor Z, y Zz , y equivale a un generador de tensión ur: Bu2 con
innpedancia interna ila vista desde los terminales 1-1' hacia la izquierda, es decir,

zs
22(zt + z3l (5.1 )

22+zr+23
Porotra parte, la impedancia efectiva de carga para el amplificadores (supuestoZ2 1,--h¡rl

Zt' = Z3(Zr+Z2l (5.2)

Zr+Zr+22
y el factor Í3 , de realimentación externa, viene dado por,

o.-ur- - Z, +2,
22
(5.3)

En estas condiciones, y sobre el circuito de la figura 5.3, puede escribirse,

(5.4)

(5.5)

La ganancia del amplificador vendrá dada por A = u2/u, que, ut¡lizando las expresiones --
(5.4) y (5.5) anteriores, conduce a

4 = -hnZL (5'6)
,r*, + Zt
Para estudiar las condiciones de oscilación se establecerá elproducto A'13 que, según (5.6)
y (5.3) ysustituyendo Z¡ y Z, por lasexpresiones (5.2) y (5.1), resulta ser:

h¡sZ3Z2
Ab =
Zrl (5.7)
h¡e(2, + 22 + + Zz(2, * Zrl
El análisis de esta expresión (5.7), en el caso general de que las impedancias contengan par-
te resistiva y reactiva, no conduce a ningún resultado práctico, En el supuesto de que aquellas sean
reactivas puras, o sea, de la forrna Z=¡X, el producto ,4 se convierte en:

h¡sX3X2
AB= (5.8)
ih¡e(Xt + X2 + Xrl - Xz(Xt * Xrl
 -68-

Puesto que para que el circuito oscile ha de ser AB real, deberá ser nulo el término imaginario,
lo cual exige que,

Xr+X2*Xr=O (5.e)

En estas condiciones resulta,

Ab:O*
t (5.10)

La expresión (5.9) no expresa otra cosa sino que el circuito, de oscilar, lo hará a la frecuen-
cia de resonancia de la carga efectiva formada por Xr, X, Y Xt.Esto exige, a su vez, que al me --
nos una de las tres reactancias sea de tipo contrario a las otras dos (dos bobinas y un condensador
o dos condensadores y una bobina). Por otra parte, para que, según la expresión (5.10), el produc-
fo Ab seapositivoymayorquelaunidadhandeser X, y X2 del mismotipoytalesque,

Orr, (5.1 1)
*
Se deducen así, de este esquema básico, dos posibles soluciones para el cscilador: una enque
se util¡zan dos condensadores, C2 y Ct,y una bobina Lt,Y otra, con dos bobinas Lz Y Lt, y un
condensador C1. Al primer circuito se le conoce como oscilador Colpitts y al segundo como oscila-
dor Hartley. En la figura 5.4.a y b, se representan dos esquemas reales que corresponden a estos tipos.

lUc +Uc

o ) Figura 5.4. b)

En la figura 5.4.a, que corresponde a un oscilador Colpitts, la bobina ¿ presenta una impe-
dancia muy elevada para la señal de alterna y asegura, por otra parte, la necesaria polarización con-
tinua al transistor, lo que no podría hacerse a través de Cr. Por el contrario, en la figura 5.4.b, osci-
lador Hartley, la corriente de polarización de colector circula a través de L3, que es parte del circui-
-
to tanque. En ambos casos el condensador C ímpide que el potencial de continua de la base se vea
afectado por el de colector, a travésde L, o L2, respectivamente'
 -69-

5.2. Osciladores con crista!. Piezoelectricidad

Las severas condiciones que la técnica fija, hoy día, a ciertos generadores industriales de al-
ta frecuencia, y especialmente en las técnicas de medida de tiempos, telecomunciación y telemando,
han hecho que pueda constituir un problema la estabilidad de la frecuencia de dichos dispositivos.
Dentro de unos límites no muy estrechos puede resolverse la cuestión con osciladores normales de
diseño muy cuidado eligiendo adecuadamente los componentes del circu¡to. Así, las variaciones ori-
ginadas por cambios de temperatura pueden disminuirse con elementos que posean un coeficiente -
de temperatura despreciable o situando elementos compensadores en serie; los cambios por variación
de las tensiones de alimentación a los transistores pueden reducirse alimentando con tensiones estabi-
lizadas, y los efectos de la variación de la carga en la frecuencia pueden evitarse utilizando amplifica-
dores que aislen la carga del oscilador. Sin embargo, todo ello resulta de dif ícil realización y de man-
tenimiento costoso.

Cuando se exige una gran constancia en la frecuencia de la oscilación generada, ha de r'-currir-

se a elementos especiales de gran estabilidad como son los cristales piezoeléctricos. En este t¡po de
cristales se producen, bajo la inf luencia de un campo eléctrico, ciertas deformaciones mecánicas y, re-
cíprocamente, si son sometidos a tracción o compresión, aparecen en sus caras cargas eléctricas de uno
u otro signo. Parece, pues, lógico que si se aplica una tensión alterna a las caras opuestas de uno de --
estos crístales, éste entre en vibración mecánica. Variando la frecuencia de la tensión puede conseguir-
se que el cristal alcance su frecuencia de resonancia mecánica, obteniéndose oscilaciones de amplitud
máxima, que pueden ser mantenidas a lo largo del tiempo con mínimo consumo de energía.

Los cristales piezoeléctricos más comúnmente utilizados en electrónica son el cuarzo y la tur-
malina, siendo especialmente preferido el primero, por ser sus características prácticamente indepen-
dientes de la temperatura y por sus mejores propiedades f ísicas y químicas.

La frecuencia de resonaneia mecánica de un cristal depende de sus dimensiones, del ángulo de

corte con respecto a los ejes cristalográficos y de la libertad de movimiento en sus soportes. Los cris--
tales están montados, para su uso, entre dos electrodos metál¡cos que pueden, incluso, ser depositados
qulmicamente sobre las caras del mismo; el conjunto suele introducirse en un recipiente en el que se
hace el vacío para disminuir el rozamiento cuando el cristal entre en vibración, y para evitar también
los efectos de la humedad u otros agentes exteriores. Cuando la estabilidad de la frecuencia lo exige,
puede disponerse el conjunto en pequeñas cámaras que mantengan la temperatura constante median-
te un elemento calefactor y un termostato.

Hoy día se fabrican cristales normales para frecuencias comprendidas entre 1 kHz y hasta '!00
MHz, y con altas condiciones de estabilidad en la banda de 50 kHz a 5 MHz.

Un cristal en vibración puede considerarse semejante a un sistema mecánico formado por una
masa rn y un resorte de constante clásica k, tal comose ha representado en la figura 5.5.a. En dicho
sistema se dan las siguiente relaciones,

dv
dt
--kx .&dt2Y- * kv=o (5.121
 -70-

L
E

o) b)
I c)
Figura 5.5.

en que v es la velocidad con que m se desplaza,tras una excitación inicial, y x el desplazamien-

to de /n respecto de su posición de reposo. En el s¡stema eléctrico de la figura 5.5.b, formado por
una bobina L y un condensador C en paralelo, se verifica, asimismo, que,

.di
L-=-- o L# +f, i=o (5.1 3)
dtC
expresiones en las que O es la carga del condensador e i es la corriente circulante en la malla for-
madapor L V C.
Como se obserua, a la vista de (5.12]'V $.13), ambos sistemas vienen regidos por la misrna
ley matemática, lo que constituye un ejemplo de la semejanza electro-mecánica, que permite anali-
zar el comportamiento de sistemas de un tipo, mediante el análisis de su modelo semejante en el *
otro sistema. Basados en esta teoría de la semeianza electro-mecánica resulta que, a efectos eléctri-
cos, puede sustituirse el cristal de cuarzo por el circuito representado en la figura 5.5.b, en que L
equivale a la masa m del cristal, y C a la inversa de su constante elástica.

En la figura 5.5.c se ha situado, además, una resistencia r en serie, que representa la atenua-
ción del sistema mecánico, y un condensador C, equivalente a la capacidad parásita existente entre
los dos eiectrodos del soporte. Valores típicos de los componentes del ciruito eléctrico completo de
uncristal corriente,puedenser: L=O,57H, C:0,16pF,Co=40pF, r=l00O,conunafrecuen-
cia de resonancia de 1.660 kHz.

Respecto de los circuitos resonantes clásicos, el equivalente de un cristal de cuarzo tiene la

gran ventaja del elevado valor de su coeficiente de calidad, llegándose fácilmente a valores de O =
= 30.000 para el circuito serie.

Si en el circuito equivalente de Ia figura 5.5.c se considera r = O, y se representa la reactan-

cia jX
que aparece entre los terminales A y B en función de la frecuencia, se obtiene una curva
como la representada en la figura 5.6. En ella c», y <,-:p son las pulsaciones de resonancia del circui-
 -71 -

to serie y paralelo, respect¡vamente, dadas por las expresiones:

{I
I
I

t
h a?=
L.C
,i:i(i.rr)
Como C<<Cr,lasfrecuencias f, y fp resultan prácticamente iguales. Si a esto se une
que el :ircuito resulta de tipo inductivo solamente para frecuencias comprendidas en f, y fs -
,
quedará justificada la gran estabilidad de la frecuencia de oscilación del cristal, cuando se utiliza
como elemento inductivo en un oscilador.

Figura S.6.

A tÍtulo de ejemplo, en la fígura 5.7 se ha representado el esquema de un oscilador transis-

torizado que ut¡liza un cristal de cuarzo como elemento de fijación de la frecuencia de oscilación .

tuc

Cristol

rtgura b. /.
 -72-

El cristal actúa aquícomo circuito resonante paralelo, con frecuencia fr, rnientras que la realimen-
tación se consigue a través del condensador C desde colecto a base, terminal en el que hay otro cir-
t
cuito, sintonizado a la misma frecuencia fp, Y gue es el formado por L Y Ct.