Fabricación de circuitos integrados
Fabricación de circuitos integrados
• Los circuitos electrónicos dependen del
flujo de electrones.
• Los circuitos electrónicos ofrecen diferentes
funciones.(transistores, reostatos, capacitores,etc.)
• Los circuitos electrónicos constan de
componentes
interconectados.
Circuitos integrados
• Son pequeños trozos o chips de Silicio de
2 x 4 mm2 sobre los cuales se fabrican los
transistores.
• La fotolitografía permite crear centenares
de miles de transistores en un solo chip.
• Se colocan numerosas regiones tipo p y n.
Circuitos integrados monolíticos
• Durante la fabricación, estas regiones son
interconectadas mediante conductores
minúsculos.
• Se fabrican a partir de una oblea
monocristalina de silicio (tipo n o p) de 10
cm. X 12.5 cm. y su espesor de 0.2mm.
Circuitos integrados
Fabricación de circuitos integrados
• El correcto funcionamiento de los circuitos depende del riguroso
control sobre el número de impurezas que se introduzcan en el
silicio.
• Es de suma importancia asegurar que el cristal utilizado sea de
gran pureza y sin defectos en la formación cristalina
Fabricación de circuitos integrados
Posteriormente se corta con una navaja de
diamante y se pulen para formar obleas,
de diferentes tamaños y espesores (275
micras).
Fabricación de circuitos integrados
Cuando se cortan las obleas, la superficie tiene
una orientación definida por los índices de
Miller con tipos (100) or (111).
La orientación es importante pues muchas
de las propiedades estructurales y electró-
nicas son altamente anisotrópicas.(varia-
ciones en diferentes direcciones)
La implantación de iones dopantes puede
Depender de la orientación del cristal.
Se puede tener impurezas de Boro, Fos-
foro, Arsénico o Antimonio en un concen-
tración de ppm.
Fabricación de circuitos integrados
Para obtener la adecuada pureza se somete al Silicio a una serie de
procesos químicos y físicos a elevadas temperaturas, de las cuales,
tras sucesivas mezclas, fusiones, destilaciones y
descomposiciones, se obtiene un silicio de alta pureza.
FOTOLITOGRAFIA
• El diseño de un circuito se traza a gran escala utilizando
algún programa para ahorrar el máximo de espacio.
• Después de transfiere una fotomáscara a la cara de la
oblea de silicio.
Fotoligrafía
DIFUSION
Para formar elementos de circuitos activos tales como transistores es
necesario introducir selectivamente impurezas (dopantes) para
formar regiones tipo p y n.
Existen 2 técnicas: difusión e implantación iónica.
Difusión: Los átomos de impurezas
se difunden en las obleas a altas
temperaturas (1,000ºC).
SiO2
El Boro y el fósforo se mueven más
lentamente en el SiO2 que en una red de Si.
Por lo que plantillas delgadas de SiO2
pueden servir de máscara para prevenir que
las impurezas penetren el Si.
Las impurezas entrarán en la superficie
desprotegida del silicio y se difundirán
lentamente en el interior.
Implantación iónica
• Se ionizan los átomos dopantes (se arrancan electrones
para formas iones) y se aceleran los iones a altas energías
a través de una gran diferencia de potencial (50-100 Kv).
• Cuando los iones impactan sobre la oblea
penetran a diversas profundidades (dependiendo de la masa,
la energía y el tipo de protección superficial).
• Este proceso se realiza a
temperatura ambiente.
Circuito integrado monolítico
Diversos componentes
Circuitos integrados peliculares
• Estos circuitos no se forman dentro de una oblea,
sino sobre la superficie de un sustrato
aislante como el vidrio o cerámica.
• Sólo los elementos pasivos (resistores, capacitores) se
forman a través de técnicas de película gruesa o
delgada sobre la superficie aislante.
• Los elementos activos (transistores, diodos) se añaden como elementos
discretos en la superficie de la estructura después de que se han formado
los elementos pasivos.
• Los dispositivos activos se producen empleando el proceso monolítico.
Circuitos integrados peliculares
• Proceso de película delgada emplea una
técnica de evaporación o dispersión
catódica.
• Proceso de película gruesa emplea
técnicas de malla de seda.
• El costo de los circuitos de película son
más altos que los monolíticos.
Película gruesa
Película Delgada
• Las resistencias se forman colocando
sobre el sustrato una pasta contiene
partículas de paladio y de plata sobre un
vehículo disolvente.
• Los condensadores pueden ser de 2
tipos: unidades independientes que se
montan o de tipo pelicular formados sobre
el sustrato para valores de capacidad
reducidos.
Evaporación al vacío
• Temperaturas de 1,000 – 2,000ºC.
• La presión de vapor de 10-2 torr.
• Existen 2 métodos:
Método resistivo
Bombardeo de electrones
Método resistivo
Bombardeo de electrones
Pulverización catódica
Estructura Química
• Su composición puede contener los siguientes
elementos:
* Silicatos (SiO4)
* Oxidos metálicos (TiO2)
* Carburos (SiC)
* Nitruros (Si3N4)
* Aluminatos (Al2O3)
Los cerámicos normalmente son aislantes pero si contienen elementos de
transición multivalentes pueden convertirse en semiconductores
Electrocerámicas
• Se dividen en 5 grandes grupos:
• Semiconductores
• Superconductores
• Ferroeléctricos (Piezoeléctricos)
• Magnéticos (ferromagnéticos)
• Optica
USOS:
Aislantes, resistencias, sustratos para circuitos
integrados,filtros, condensadores, fibras ópticas, etc.
PIEZOELÉCTRICOS
• Piezoeléctrico proviene del griego
“piezein” que quiere decir apretar.
• Esto quiere decir que es un fenómeno
presentado en ciertos cristales que no
tienen simetría cuando son sometidos a
tensiones mecánicas.
• Los centros de cargas + y – no son idénticos.
Cerámica piezoeléctrica
• Se caracterizan por convertir la energía
mecánica en eléctrica o viceversa.
• Capacidad de algunas materiales de
admitir un cambio en el campo eléctrico
que a su vez modifique las dimensiones
del material, en tanto que un cambio en
las dimensiones produce un campo
eléctrico.
Ejemplo:
Cuarzo
Turmalina
Piezoeléctrico
• Cerámicos PZT son PbTiO3 y PbZrO3
• El titanato de Bario y
otros materiales cerámicos
poseen un momento dipolar
resultante debido a la
alineación de muchos dipolos
pequeños.
• En este material habrá
exceso de carga positiva en
un extremo y de carga negativa
en el otro.
Efecto piezoeléctrico
• Si una muestra se somete a esfuerzos de
compresión reducirá la distancia entre los
dipolos lo que variará la densidad de
carga y cambia la diferencia de potencial
entre los extremos.
FENOMENO DE LA PIEZOELECTRICIDAD
Al aplicar una tensión mecánica Z cambia la
polarización eléctrica del material generándose
un campo eléctrico (aparición de cargas en las
superficies del material). La tensión mecánica
cambia el centro de gravedad de cargas
negativas y positivas produciendo un cambio en
el momento dipolar.
• Los materiales piezoeléctricos son
ampliamente utilizados en la
conversión de señales eléctricas a
ondas mecánicas y viceversa.
• Así se generan ondas ultrasónicas por
medio de transductores o bien realizar
sensores mecánicos.
ECUACION QUE RIGE LA
PIEZOELECTRICIDAD
P = Zd + ˛0cE ; e = Zs + Ed
P : polarización [C/m2]
Z : tensión mecánica [N/m2]
d : coeficiente de deformación
piezoeléctrica [m/V]
g: coeficiente de tensión piezoeléctrica
[m2/C]
E : campo eléctrico [V/m]
c : susceptibilidad eléctrica
e : deformación elástica
s : coeficiente de elasticidad [m2/N]
Propiedad de los piezoeléctricos
• Efectividad en convertir energía
eléctrica en mecánica y viceversa, esto se
representa con el coeficiente de acoplo k
definido como:
k2 = Energía eléctrica convertida en energía
mecánica / Energía eléctrica de entrada
Todos los ferroelectricos son
piezoeléctricos pero no todos los
piezoeléctricos son ferroelectricos, esto
es debido a que muchos piezoeléctricos
presentan una polarización espontánea
pero no es invertible
Estructura tetragonal del PZT por debajo
de la temperatura de Curie
MATERIALES PIEZOELECTRICOS Y SUS
PROPIEDADES
Material Fórmula d(C/N)
Cuarzo SiO2 d11= -2,25x10-11
d14= 0,85x10-12
ADP NH4H2PO4 d36= 5x10-11
KDP KH2PO4 d36= 5x10-11
Niobato de litio LiNbO3 d33= 1,6x10-11
d13= 7,4x10-12
PZT PbTi0.48Zr0.52O3 d33= 2,23x10-10
d13= -9,4x10-11
PVDF (CH2-CF2)n d32= 3x10-12
d13= 1,82x10-11
APLICACION
Osciladores electrónicos de precisión
Utilizan la frecuencia natural de resonancia
mecánica excitada por el voltaje externo
para fabricar relojes internos de
ordenadores, relojes ó en radios. El margen
de frecuencia depende de su tamaño y
modo de vibración y comúnmente pueden
ser construidos para operar entre unas
decenas de KHz y/o MHz y la frecuencia de
resonancia puede ser estable.
USOS
• Se aplica en medidores de ultrasonidos,
en el sonar, las chispas que pueden
inducirse por un alto voltaje producido se
usa para la ignición de calentadores de
gas, etc.
Estos sensores están presentes en:
• Micrófonos
• Generadores de ultrasonidos
• Medidores de presión
• Detección de gases tóxicos
FERROELECTRICIDAD
• La capacidad de ciertos materiales
para retener información en su
estructura cristalina, sin necesidad
de estar conectados a una fuente de
energía, como pilas o corriente
eléctrica, es llamada
“Ferroelectricidad”.
¿Qué es la Ferroelectricidad?
• La información es
almacenada
gracias a la
polarización
eléctrica que
poseen, que puede
ser activada
externamente por
Estructura de dominios antes del un voltaje, y aún
proceso de polarización, 1, durante, cuando éste sea
2, y después del
mismo, 3, con una polarización retirado, la
polarización
uniaxial
persiste.
2 Estados ferroeléctricas
• Los materiales ferro-eléctricos
poseen dos estados bases
termodinámicamente equivalentes,
los cuales poseen polarización iónica
opuesta que puede ser cambiada de
un estado al otro por medio de un
campo eléctrico externo.
– Fase Ferroeléctrica.
– Fase Paraeléctrica.
Fase Ferroeléctrica
• Esta polarización iónica aparece debido a
una distorsión en la red cristalina.
• Se refiere a que los
iones que conforman
una celda unitaria del
material están despla
zados levemente unos
de otros , tales despla
zamientos son menores
a 1 Å (un ángstrom),
es decir, 10 mil veces
menores al micrómetro (ésta fase cristalográfica
conforma la llamada fase ferroeléctrica).
Fase Paraeléctrica
• La fase cristalográfica en que no
existen estos desplazamientos entre
los iones; ausencia de
ferroelectricidad.
• Por lo tanto, la ferroelectricidad de
un material depende de la
estructura cristalina y de la
temperatura.
Ferroeléctrico
• El titanato de Bario (BaTiO3) arriba de 120ºC tiene
estructura cúbica (Fase Paraeléctrica). Por debajo de
120ºC los iones de Ti4+ y O2- desplazan ligeramente en
direcciones opuestas para crear un pequeño momento
dipolar eléctrico (Fase Ferroeléctrica). A esta
temperatura se le llama Temperatura de Curie.
¿Qué es la Histéresis?
• La palabra histéresis viene del griego y
significa retraso, quedar atrás.
• Cuando un material ferroeléctrico es
magnetizado en una dirección, su valor no
se rebaja a cero cuando el campo que lo
indujo deja de actuar.
Cuando se aplica un campo
eléctrico externo (E) al
material de los dipolos se
alinearán en dirección al
campo eléctrico aplicado (P).
Pero cuando se deja de
aplicar no todos los dipolos
vuelven a su estado de
mínima energía, muchos
quedan apuntando en el
dirección en que el campo se
había aplicado.
Por eso estos materiales
pueden retener información
digital sin fuentes externas.
Introducción a la Histéresis
• Se sabe que la ferroelectricidad es
un fenómeno cooperativo de
“dipolos” que interactúan entre sí, la
cual se detecta a través de
mediciones eléctricas.
La medición eléctrica clave a un
material ferroeléctrico es la
obtención de su curva de
“histéresis”.
¿Qué es la Histéresis?
• Si otro campo magnético actua sobre el
mismo material en diferente dirección, su
magnetización mostrará un ciclo conocido
cómo “ciclo de histéresis”.
• La propiedad de incapacidad de retorno
de la curva de magnetización es conocida
cómo histéresis, y está relacionada con la
existencia de dominios magnéticos del
material.
Ciclo de Histéresis
• Se puede graficar la
relación en referencia
de la polarización con
respecto al campo
magnético aplicado.
• Al aplicar valores de
campo máximo
positivo y máximo
negativo se obtiene un
límite en el cual no
hay mas cambios en
el material, a éste
efecto se le llama
“saturación”.
Material magnetizado hasta la
saturación por el alineamiento
Magnetización de los dominios.
del Material
M
Cuando se disminuye el valor del
campo magnético a cero, el material
ferromagnético contiene una
considerable cantidad de El material sigue una curva no lineal
magnetización. Esto es util como cuando es magnetizado desde un
una herramienta de “memoria”. valor de campo igual a cero.
Campo
B0 magnético
El campo magnético usado debe ser aplicado
revertido e incrementado a un alto
valor para que la magnetización
regrese a cero . El ciclo de histiéresis muestra la
naturaleza “histórico-dependiente” de
un material ferroeléctrico. Una vez
que el material ha sido llevado a la
saturación, el campo magnetizado
Saturación de rebote en dirección puede empezar a bajar a cero y el
opuesta a la magentización original. material retendrá la mayoria de su
magnetización (recuerda su historia).
Materiales Ferroeléctricos
• Son muchos los materiales pero
solamente unos pocos poseen una
polarización remanente grande (Pr).
• Una buena curva de histérisis debería ser
cuadrada y el voltaje de operación debería
ser menor a 5 V para poder ser utilizados
en computadoras.
Materiales Ferroeléctricos
• La ferroelectricidad decrece a medida que
las dimensiones del ferroeléctrico van
disminuyendo o el tamaño de grano va
disminuyendo.
• Un valor razonable de ferroelectricidad es
de 50nm.
Ciclo de histérisis
Morfología de los ferroeléctricos
• Si se fabrican tipo alambres o tubos, la
ferroeletricidad podría confinarse en la
dirección axial o perpendicular al alambre.
• Una aplicación importante es en memorias
ferroeléctricas de alta densidad como
disco duro para que al apagarlos no exista
pérdida de información.
¿Qué materiales Ferroeléctricos
existen?
• Estos materiales comúnmente son
cerámicas policristalinas y entre ellos
están:
Fórmula Abreviación Nombre
(Sr,Ba)TiO3 SBT Titanato de Bario Estroncio
Pb(Zr,Ti)O3 PZT Titanato Zirconato de plomo
BaTiO3 BTO Titanato de Bario
Titanato Zirconato de Plomo
Pb1-xLaxZr1-yTiyO3 PLZT
Lantamio
Bi4Ti3O12 BiT Titanato de Bismuto
¿Qué materiales Ferroeléctricos
existen?
• Todos estos materiales son sintéticos
y tienen dos propiedades
importantes: piezoelectricidad y
ferrrolectricidad.
• Muchos de los ferroeléctricos son
también piezoeléctricos.
USOS
• La aplicación mas importante es en
memorias móviles.
Procesos de fabricación de
cerámicos
• Se depositan capas de pasta o pintura con
propiedades eléctricas sobre un sustrato aislante.
• La mayor parte de las
pastas contienen:
a) Vehículo orgánico
b) Ingrediente activo
c) Agente de unión al
sustrato (óxidos)
Fabricación de cerámicos
Proceso de fabricación de
cerámicos
• El control del tamaño de los granos y su
distribución es importante en la
reproducibilidad de las propiedades
eléctricas de las capas depositadas.
Control de calidad de las capas
Fabricación de cerámicos
• Existen varios procesos a altas
temperaturas y otros a temperaturas
ambientes.
• Se estudian nuevas composiciones (MPT,
titanato zirconato de Plomo y lantano
(PZT), metaniobato de plomo y sistemas
complejos)
Nuevas estructuras
Procesos de fabricación
• Una capa aislante (I) se inserta entre la
película ferroeléctrica y el sustrato (Si)
para prevenir que los átomos se difundan.
Cámara de vacío
Este proceso se lleva a cabo en una cámara de vacío.
Fallas mecánicas de los cristales
• Una celda unitaria
de SrTiO3.
La fase de transición
involucra una rotación
cuyos ejes (flechas rojas)
orientan diferente es los
esfuerzos de compresión y
tensión.
Defectos
en la
estructura
cristalina
nos muestran
fallas a la
fatiga (alta
compresión).
Nuevos materiales empleados en
ingeniería
• Las fibras ópticas con un espesor de un cabello
(1.25um de diámetro) fabricadas con SiO2.
• Estos sistemas consisten en un transmisor para
convertir señales eléctricas en luminosas.
COMPOSITOS
• Los cerámicos son difíciles de fabricar sin
defectos y además son quebradizos, por lo
que se han desarrollado nuevos compuestos.
• Los compositos son materiales reforzados,
compuestos de fibras de gran resistencia.
Estan formados por cualquier combinación
de metales, cerámicos y polímeros,
manteniendo sus propiedades individuales.
