INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología
Laboratorio de Electrónica I
Grupo 4MM3
Práctica #1
Dispositivos semiconductores
RUBRO PUNTAJE CALIFICACIÓN
Portada, objetivos, introducción y materiales 0.5
Metodología 0.5
Resultados (desarrollo) 3.0
Análisis de resultados (cálculos) 3.0
Conclusiones individuales 2.0
Cuestionario de la práctica 1.0
EQUIPO #4
● Adriana
● Eduardo Ochoa Medina
● Sánchez Avendaño Ixchel Sirenia
PROFESORES
● Carlos Juan de Dios García Padrón
● Juan Salazar Chavez
FECHA DE ENTREGA
07/septiembre/2018
OBJETIVOS
Objetivo general:
● Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva
característica
Objetivos particulares:
● Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multímetro
● Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa
e inversa
● Construir la curva característica (real) de los diodos semiconductores
INTRODUCCIÓN
En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres
grupos: conductores, semiconductores y aislantes. Cuando los átomos se combinan
para formar un material sólido cristalino, se acomodan en una configuración
simétrica. Los átomos dentro de la estructura cristalina se mantienen juntos gracias
a los enlaces covalentes, que son creados por la interacción de los electrones de
valencia de los átomos
Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los
aislantes, en lo que a su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. Un
semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de
un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el
germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que
compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el s ulfuro de cadmio (CdS), el
nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos
o más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura ambiente tiene energía calorífica
(térmica) suficiente para que algunos electrones de valencia salten la banda
prohibida desde la banda de valencia hasta la banda de conducción, convirtiéndose
así en electrones libres, que también se conocen como electrones de conducción.
Los materiales semiconductores en su estado intrínseco no conducen bien la
corriente y su valor es limitado. Esto se debe al número limitado de electrones libres
presentes en la banda de conducción y huecos presentes en la banda de valencia.
El silicio intrínseco (o germanio) se debe modificar incrementando el número de
electrones libres o huecos para aumentar su conductividad y hacerlo útil en
dispositivos electrónicos. Esto se hace añadiendo impurezas al material intrínseco.
Dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo n y el tipo p,
son los bloques de construcción fundamentales en la mayoría de los tipos de
dispositivos electrónicos.
el término polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer ciertas
condiciones de operación para un dispositivo electrónico. En relación con un diodo
existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas condiciones
de polarización se establece conectando un voltaje de cd suficiente y con la
polaridad apropiada a través de la unión pn
MATERIALES
● Diodos de silicio ● Fuente de voltaje variable de 0
● Diodos Zener a 30 V
● Diodos de Germanio ● Generador de señales
● LED ● Osciloscopio
● Resistencias de 1KΩ y 220Ω ● Puntas para osciloscopio
● Resistor variable de 1MΩ ● Juego de alambres para
● Protoboard conexión
● Multímetro
METODOLOGÍA
Experimento 1.
Experimento 2.
Experimento 3.
Experimento 4.
Experimento 5.
RESULTADOS
Experimento 1: Identificación de terminales y prueba de diodos
a) Identificación del ánodo y cátodo de los diferentes tipos de diodos
b) No se pudo realizar puesto que no contábamos con un multímetro analógico
para poder comprobar el inciso anterior
c) Medición del voltaje de conducción en polarización directa e inversa
Diodo Si 1 Diodo Si 2 Diodo Si 3 Diodo Si 4
Vo direct (mV) 558 567 563 569
Vo inv (mV) 0 0 0 0
Diodo Zener 1 Diodo Zener 2 Diodo Zener 3 Diodo Zener 4
Vo direct (mV) 697 699 696 698
Vo inv (mV) 0 0 0 0
Diodo Ge 1 Diodo Ge 2
Vo direct (mV) 256 256
Vo inv (mV) 0 0
Experimento 2: Curva característica de un diodo semiconductor
a) Aumentar gradualmente la tensión de la fuente hasta que el diodo alcance su
voltaje de conducción, registrar los valores
b) Gráficas de la curva característica de los diodos en polarización directa con
los valores obtenidos
GRÁFICA 2.1
DIRECTO INVERSO
Voltaje de I(mA) V(V) I(mA) V(V)
fuente
0.1 0 0.1 0 0.13
0.2 0 0.2 0 0.12
0.3 0 0.3 0 0.12
0.4 0 0.4 0 0.12
0.5 0.19 0.5 0 0.11
0.6 1.22 0.58 0 0.12
0.7 4.3 0.65 0 0.12
0.8 9.29 0.68 0 0.11
0.9 15.23 0.7 0 0.11
1 61.8 0.77 0 0.11
d)Se realizaron las mismas mediciones pero con una de carga RL de 1 KΩ.
DIRECTO
Voltaje de fuente I(mA) V(V)
0.1 0 -0.1
0.2 0 -0.10
0.3 0 -0.11
0.4 0 -0.11
0.5 0 -0.11
0.6 0 -0.10
0.7 0 -0.10
0.8 0 -0.11
0.9 0 -0.10
1 0 -0.10
e)Empleando el Diodo Emisor de Luz (LED verde),se realizaron las
mediciones:
DIRECTO
Voltaje de I(mA) V(V) Voltaje de I(mA) V(V)
fuente fuente
0.1 0 0.08 1.6 0 1.58
0.2 0 0.18 1.7 0 1.68
0.3 0 0.28 1.8 0.001 1.78
0.4 0 0.38 1.9 0.001 1.88
0.5 0 0.48 2.0 0.001 1.98
0.6 0 0.58 2.1 0.007 2.08
0.7 0 0.68 2.2 0.031 2.15
0.8 0 0.79 2.3 0.078 2.20
0.9 0 0.89 2.4 0.137 2.24
1.0 0 0.99 2.5 0.203 2.26
1.1 0 1.09
1.2 0 1.18
1.3 0 1.29
1.4 0 1.38
1.5 0 1.48
f) Construya las graficas de la curva caracteristica de los diodos en polarización
directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores
h)Ajuste el valor de la fuente de alimentación a 8 Volts y utilizando la resistencia
variable de 10KΩ, ajuste esta resistencia desde su valor máximo hasta un valor en
el que se puedan obtener valores de corriente ID.
Resistencia(Ω) I(mA) V
6.6k 1 0.27
10k 0.7 0.23
48.2k 0.158 0.14
0.905M 0.009 1.3mv
Experimento 3: Caracterización de un diodo zener en polarización inversa
a) Llenar la siguiente tabla con el circuito variando gradualmente la tensión de
la fuente hasta obtener las mediciones indicadas y registrar los demás
parámetros
Voltaje fuente (V) Vab (V) I diodo (mA) Rz (Ω)
0.0 0 0
2.018 2.0 0 0
6.009 6.0 0.001 6M
6.999 7.0 0.001 6999K
10.0
10.799 8.82 2.0 4410/4432.16
13.849 8.87 5 1774/1770.45
18.850 8.95 10 / 9.98 895/896.79
28.7 9.18 20 / 20.2 459/454.45
30 9.18 21.7
Experimento 4: Caracterización de un diodo zener en polarización directa
a) Realizar incrementos de voltaje en la fuente hasta alcanzar los 15V, obtener
los valores de Vab, valores de la corriente Id a cada valor de voltaje y obtener
el valor de la resistencia del diodo Rz
V fuente I (mA) Vab Rz
V fuente I (mA) Vab Rz
8.0 7.23 0.8 110.7
0.5 0 0.48 0
8.5 7.73 0.8 103.5
1.0 0.28 0.71 2535.7
9.0 8.23 0.8 97.2
1.5 0.75 0.73 973.3
9.5 8.74 0.8 91.5
2.0 1.24 0.75 604.8
10.0 9.24 0.8 86.6
2.5 1.73 0.76 439.3
10.5 9.75 0.8 82.1
3.0 2.23 0.76 340.8
11.0 10.25 0.8 78.0
3.5 2.73 0.77 282.1
11.5 10.77 0.81 75.2
4.0 3.22 0.77 239.1
12.0 11.28 0.81 71.8
4.5 3.72 0.78 209.7
12.5 11.79 0.81 68.7
5.0 4.22 0.78 184.8
13.0 12.30 0.81 65.9
5.5 4.72 0.78 165.3
13.5 12.80 0.81 63.3
6.0 5.22 0.79 151.3
14.0 13.32 0.81 60.8
6.5 5.72 0.79 138.1
14.5 13.84 0.81 58.5
7.0 6.23 0.79 126.8
15.0 14.36 0.81 56.4
7.5 6.73 0.79 117.4
b) Graficar la resistencia del diodo en función del voltaje
Experimento 5: Características del diodo de Germanio en frecuencias altas
a) Observar y registrar el voltaje pico pico de la señal de salida obtenida en la
resistencia, partiendo de 10Hz hasta los 20MHz, realizar 10 lecturas a
diferentes. Repetir con el diodo de Silicio.
1K 1.49 1.55
Hz V Ge VSi
10K 1.49 2.05
10 1.49 1.53
100K 1.49 3.06
Hz V Ge VSi
10M 1.71 3.66
1M 1.49 3.34
15M 1.57 3.67
5M 1.53 3.30
17M 1.09 3.67
100 1.49 1.53
20M 0.78 3.27
500 149 1.53
ANÁLISIS DE RESULTADOS
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS
La polarización de un diodo se puede identificar
físicamente al encontrar una banda pequeña en
uno de los extremos, esta banda representa el
cátodo y el otro extremo el ánodo.
Experimentalmente podemos determinar cuál
extremo es el cátodo y cuál el ánodo, colocando las
puntas del voltímetro en cada extremo, si el voltaje es 0 significa que el sentido de la
corriente es inverso y si es mayor a 0 significa que el sentido de la corriente es
directo por lo que el ánodo y cátodo corresponden a los extremos del voltímetro.
EXPERIMENTO 2. CURVA ARACTERÍSTICA
C DE UN DIODO
SEMICONDUCTOR.
Con la polarización directa del diodo los electrones aumentan su velocidad al
aumento de voltaje , generando choques con otros átomos lo que va generar un
aumento de circulación y temperatura del semiconductor. La corriente más
significativa será a partir de el voltaje de barrera, en el caso del silicio es de 0.7V y
el germanio 0.3V. Observando la curva característica determinada notamos que así
es, a partir de 0.7v la corriente aumenta considerablemente de 15.23 a 61.8v.
Para el diodo tipo led en los valores que tenemos para el voltaje de ruptura son:
Voltaje de fuente: 2.1 I(mA): 0.007 Vdiodo:2.08
Se pudo identificar el momento en que el led sobrepasó su voltaje de ruptura, ya
que fue el momento en que encendió. El voltaje de ruptura de cualquier led no
sobrepasa de 3 volt. Posterior a este valor, la corriente incrementa notablemente,
aumentando la luminosidad del led.
Para el experimento en donde se utilizó el diodo de Germanio (Ge), se cambió la
resistencia hasta un valor en la que está dejaría de pasar corriente para después
bajar a una resistencia en que si habría paso de corriente, sin embargo al momento
de realizar las pruebas, la resistencia máxima de la resistencia variable ya permitía
un paso de corriente,por lo que se procedió a aumentar el valor de la resistencia
hasta los 0.903MΩ, valor en el cual también hubo un paso de corriente, pero este
fue mucho menor de 0.009mA. En estas medidas de resistencia y corriente, el diodo
de germanio tuvo un valor en su voltaje de 1.3 mV
EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIÓN INVERSA.
Se inició aumentando el voltaje de la fuente de voltaje para poder encontrar los
valores de voltaje y resistencia que se solicitaban en la tabla correspondiente a este
experimento, pero no se pudo completar ya que el valor máximo suministrado por la
fuente es de 30 V, donde la corriente es 21.4mA y resistencia es 423.04Ω.
Al observar el comportamiento de los valores notamos que la corriente aumenta
considerablemente de un valor de 0.001mA a 2 mA con un voltaje de entrada de
10.799V, pero a medida que se aumentaba el suministro de la fuente de voltaje, la
resistencia decae desde 6MΩ hasta 423Ω, entonces se determinó que conforme se
aumenta el voltaje de la fuente, el Voltaje AB y corriente aumentan, pero la
resistencia disminuye drásticamente.
EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIÓN DIRECTA
Para este experimento, se realizó un aumento de voltaje en un circuito con un diodo
Zener conectado. En el circuito se utilizó un multímetro para medir la corriente que
llegaba al diodo. En los datos obtenidos, se observó que mientras el Voltaje de la
fuente aumentaba, la corriente también aumentó, sin embargo este aumento de
corriente no afectó el voltaje entre las terminales del diodo, debido a que si la
corriente aumentaba la resistencia del diodo disminuía, esto como resultado dio un
valor casi constante entre las terminales del diodo de un valor de 0.7-0.8 V. Este
valor constante se debe a que teóricamente si el diodo está en funcionamiento, se
comporta como una fuente de voltaje del valor se si voltaje de barrera.
EXPERIMENTO 5. CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN
FRECUENCIAS ALTAS.
El comportamiento del voltaje del diodo Ge llega a un valor máximo de 1.71V y el
silicio llega hasta un valor de 3.66v en 10 MHz, antes y después de esta frecuencia
disminuye el voltaje de salida.Pero al observar las ondas de salida a diferentes se
comienza a notar una distorsión en la señal de salida rectificada .A frecuencias
mayores de 100kHz esta distorsión se hace más evidente . Dicho comportamiento a
altas frecuencias se da debido a que hay un efecto inductivo el cual no permite
cambios bruscos en la corriente, haciendo que el diodo alcance a conducir un poco
en polarización inversa.
CONCLUSIONES
● Cruz Cortes Adriana Elizabeth
Se demostró el voltaje de barrera de un diodo de silicio es de 0.7, por el
comportamiento de la corriente en la curva característica, al aumentar
drásticamente. Se determinó las terminales de un diodo, si hay un valor positivo , la
dirección de corriente del diodo estará en directo, en caso de un valor 0 la dirección
de corriente será inversa.
Eduardo Ochoa Medina.
● El valor de voltaje de barrera del diodo emisor de luz (Led) fue de 2.8 V
● La resistencia del Diodo disminuye en función de la corriente que pasa a
través de él.
● Se observó de manera física que las terminales Positivas y negativas de un
diodo se identifican a través de la posición de color y se comprobó con ayuda
del multímetro.
● Sánchez Avendaño Ixchel Sirenia
Con el desarrollo de la práctica se consiguió describir el funcionamiento de los
diodos empleados además de comprender la forma de su curva característica,
aprendimos a identificar correctamente las terminales de los diodos de forma visual
para su correcta conexión en los circuitos, observamos el comportamiento de los
diferentes diodos al momento de su polarización directa e inversa y sus diferencias
entre sí además de construir la curva característica con valores reales para hacer la
comparación con la de teoría y así comprobamos que se asemejan.
CUESTIONARIO
1. ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos?
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina
semiconductor intrínseco, mientras que para mejorar las propiedades de los
semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación (llamado dopaje),
consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de aumentar su
conductividad. El semiconductor obtenido se denominará semiconductor extrínseco.
2. ¿Qué significa polarización directa y polarización inversa de un diodo?
Se refieren a las condiciones de operación del diodo, donde en la polarización
directa éste permite la circulación de la corriente a través de la unión PN, mientras
que en la polarización inversa el diodo evita la circulación de la corriente a través de
él.
3. ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?
En su empleo dentro de la electrónica debido a sus características ya que son
empleados en la fabricación de transistores, circuitos integrados, reguladores de
tensión, entre otros.
4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores
Es un material aislante que permite el paso de corriente cuando se le añaden ciertas
sustancias o se encuentran en un determinado contexto.
Reducir tanto voltaje como intensidad.
Amplificación de señales.
5. Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo
semiconductor y se tiene una sobrecarga
Si el voltaje de polarización en inversa se incrementa drásticamente se llega al
Voltaje de Ruptura Inversa, pese a que pocos diodos trabajan con él, es donde el
diodo deja su configuración como aislante y permite el flujo de la corriente a través
de él como si estuviera conectado en su configuración directa.
6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente
○ Diodo detector o de baja señal
También denominados diodos de señal o de contacto puntual, están hechos de
germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite
operar a muy altas frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea, por ejemplo, en
receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la
componente de baja frecuencia (información audible). Esta operación se denomina
detección.
○ Diodo rectificador
Son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización
directa y en polarización inversa no conducen. Estas características son las que
permite a este tipo de diodo rectificar una señal. Los hay de varias capacidades en
cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar.
○ Diodo varactor
También conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un dispositivo
semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como condensadores
variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como
elementos de sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy
empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y
otros circuitos de alta frecuencia.
○ Diodo emisor de luz
Es un diodo que entrega luz al aplicarle un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si
este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composición.
○ Diodo estabilizador
Está formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída de
tensión correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a
lo que hacen los diodos Zener.
7. Describa el comportamiento de un diodo ideal
Un diodo ideal es un diodo que actúa como un conductor perfecto cuando el voltaje
se aplica hacia adelante sesgado y como un aislante perfecto cuando el voltaje se
aplica en polarización inversa.
Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del ánodo al cátodo, el diodo
conduce la corriente delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la
inversa, el diodo no conduce ninguna corriente.
8. Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor
Son elementos que a bajas temperaturas se comportan como aislantes, a medida
que ésta se eleva (o por procesos de dopaje) resulta posible su conducción.
9. Explique qué es la región ZENER
Los diodos zener, son diodos que están diseñados para mantener un voltaje
constante en su terminales, llamado Voltaje o Tensión Zener (Vz) cuando se
polarizan inversamente, es decir cuando está el cátodo con una tensión positiva y el
ánodo negativa.
Al polarizar inversamente y llegar a Vz el diodo conduce y mantiene la tensión Vz
constante aunque nosotros sigamos aumentando la tensión en el circuito. La
corriente que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente
inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz. Mientras la tensión inversa sea inferior
a la tensión zener, el diodo no conduce y cuando está polarizado directamente el
zener se comporta como un diodo normal.
10. ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
produce un punto de operación en la curva de características que no cambia con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación se halla determinando los
niveles correspondientes de VD e ID. Esto es la resistencia en estática y se calcula
con la siguiente fórmula
RD = VIDD
En la resistencia dinámica, si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd,
la situación cambiará por completo. La entrada variable moverá el punto de
operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región de las
características, y por lo tanto define un cambio específico de la corriente y voltaje.
Este cambio específico se refleja en el cambio de resistencia.
11. Describa la electroluminiscencia en un LED
Cuando el dispositivo está polarizado en directa, los electrones atraviesan la unión
pn desde el material tipo n y se recombina con huecos en el material tipo p. Cuando
ocurre la recombinación, los electrones recombinantes liberan energía en la forma
de fotones. Una gran área expuesta en una capa del material semiconductor permite
que los fotones sean emitidos como luz visible. Se agregan varias impurezas
durante el proceso de dopado para establecer la longitud de onda de la luz emitida.
La longitud de onda determina el color la luz visible. Algunos LED emiten fotones
con longitudes onda más largas que no forman parte del espectro visible y que
están localizados en la parte infrarroja del espectro.
12. Cuáles son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio
Una de las más características entre estos dos tipos de diodos es que su Voltaje del
diodo es Si=0.7v y Ge=0.3v
13. Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor sujeto
a frecuencias altas
Los diodos que se operan a altas frecuencia, operan sólo con portadores
mayoritarios. No hay portadores minoritarios y por lo tanto nada de corriente de fuga
en inversa como en otros tipos de diodos. La región metálica está excesivamente
ocupada con electrones de banda de conducción y la región semiconductora de tipo
n está ligeramente dopada. Cuando se polariza en directa, los electrones de alta
energía presentes en la región n son inyectados a la región metálica donde
rápidamente ceden su exceso de energía. Como no hay portadores minoritarios,
como en un diodo rectificador convencional, responde muy rápido a un cambio de
polarización.
REFERENCIAS
Ronquillo J. “Temas de electrónica” Semiconductores, Junio 2017. Consultado el
05/Septiembre/2018, recuperado de
<https://ronquillojonathan1i.blogspot.com/2017/06/importancia-de-los-semiconductor
es.html>
Chiarena A. M. “Electrónica - tipos de diodos”, Google Sites, consultado el
05/Septiembre/2018, recuperado de
<https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos>
“Diodos de ruptura o diodos zener”, Abril 2014, consultado el 06/Septiembre/2018,
recuperado de:
<http://materias.df.uba.ar/labo3aa2014c1/files/2014/04/Apunte-diodo-zener-1344535
622.pdf>
Floyd, T. (1994). Dispositivos electrónicos. México, D.F.: Ciencia y Técnica.
Boylestad, R., Nashelsky, L., Alatorre Miguel, E., & Suárez Fernández, A. (1994).
Electrónica. Teoría de circuitos. Naucalpan de Juárez (México): Prentice Hall
Hispanoamericana.
