UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO
VILLAREAL
INFORMTICA Y
FACULTAD DE
MECATRNICA
INGENIERA ELECTRNICA E
ESCUELA: INGENIERA DE MECATRNICA
DOCENTE: IVAN CISNEROS GONZALEZ
AREA: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
INTEGRANTES DEL GRUPO:
CORONADO BAUTISTA JAVIER
CURO PARI EDY OMAR
CAYOTOPA REGALADO ANDERSON
ERNANDEZ MANCO WILIAN
ROJAS CAMPOS JOSE ENRIQUE
LIMA 08 DE AGOSTO DEL 2015
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CIRCUITOS INTEGRADOS
HISTORIA
Los transistores empacados individualmente eran mucho ms pequeos que sus
predecesores, los tubos al vaco, pero los diseadores todava deseaban dispositivos
electrnicos ms pequeos. Lo que aumento la demanda de miniaturizacin y
motorizo la investigacin, en ese sentido fue el desarrollo del programa Americano de
Investigacin Espacial (American Space Program).
Desde algn tiempo atrs los ingenieros y cientficos haban estado pensando que
sera una buena idea tener disponibilidad para fabricar circuitos enteros en una sola
pieza de semiconductor.
La primera discusin pblica sobre esta idea se debe a un ingls experto en radares
llamado G.W.A. Summer, por un escrito publicado en 1952. De todas formas no fue
hasta el verano de 1958, que el Sr. Jack ClairKilby, justo meses despus de haber sido
contratado por la firma Texas Instruments, se propuso cambiar las cosas. Entonces
concibi el primer circuito electrnico cuyos componentes, tanto los activos como los
pasivos, estuviesen dispuestos en un solo pedazo de material, semiconductor, que
ocupaba la mitad de espacio de un clip para sujetar papeles.
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El 12 de Septiembre de 1958, el invento de Jack Kilby se prob con xito. El circuito
estaba fabricado sobre una pastilla cuadrada de germanio (Ge), un elemento qumico
metlico y cristalino, que meda seis milmetros por lado y contena apenas un transistor,
tres resistencias y un condensador que present a la direccin de la compaa. Tras
mostrrselo, conect al circuito integrado un osciloscopio y en la pantalla de ste
ltimo apareci una onda sinusoidal, demostrando que su invento funcionaba
correctamente.
Slo unos meses despus, consigui la patente nmero 3.138.743 que reconoca su
trabajo. El xito de Kilby supuso la entrada del mundo en la microelectrnica. El aspecto
del circuito integrado era tan nimio, que se gan el apodo ingls que se le da a las astillas,
las briznas, los pedacitos de algo: chip.
El primer prototipo de Kilby fue un oscilador de fase y, a pesar de que las tcnicas de
manufactura subsecuentemente tomaran caminos diferentes a los tomados por Kilby,
el sigue teniendo el crdito de haber creado el primer verdadero circuito integrado.
. Hubo de pasar ms, mucho ms tiempo, para que sus mritos se vieran
recompensados como merecan: en el ao 2000, cuando ya contaba con 77
aos, Jack Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica.
Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que patent unos seis meses
despus. Adems resolvi algunos problemas prcticos que posea el circuito de Kilby,
como el de la interconexin de todos los componentes; al simplificar la estructura del chip
mediante la adicin de metal en una capa final y la eliminacin de algunas de las
conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para su produccin en masa.
Adems de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno
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de los co-fundadores de Intel HYPERLINK "https://es.wikipedia.org/wiki/Intel_Corporation"
HYPERLINK "https://es.wikipedia.org/wiki/Intel_Corporation" HYPERLINK
"https://es.wikipedia.org/wiki/Intel_Corporation"Corporation, uno de los mayores fabricantes
de circuitos integrados del mundo.
En el 1963, FAIRCHILD manufacturo un dispositivo llamado el 907 que contena dos
compuertas lgicas, las cuales consistan en cuatro transistores bipolares y cuatro
resistores. El 907 tambin utilizo capas aislantes y estructuras internas, las cuales son
caractersticas comunes en los circuitos integrados modernos.
En 1967, FAIRCHILD introdujo un dispositivo llamado el micromosaico, el cual
contena algunos cientos de transistores. La principal caracterstica del micromosaico
era que los transistores no estaban conectados entre s. Un diseador usaba un
programa de computadoras para especificar la unin pues se requera que el
dispositivo realice, y el programa determinaba las interconexiones necesarias de los
transistores y construa las fotos mscaras requeridas para completar el dispositivo. El
micromosaico est acreditado como puntero de los circuitos integrados de
aplicaciones especficas, y tambin como el primer dispositivo aadido con aplicacin
real en el diseo de computadoras.
En 1970, FAIRCHILD introdujo la primera memoria RAM (Random Access Memory)
esttica de 256 bits llamada 4100, mientras Intel anunciaba la primera RAM dinmica
de 1024 bits llamada 1103, en el mismo ao.
FAMILIAS LGICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
Una familia lgica es un conjunto de componentes digitales que
comparten una tecnologa comn de fabricacin y tienen
estandarizados sus caractersticas de entrada y salida; es decir son
compatibles unos con los otros.
CARACTERISTICAS GENERALES DE LAS FAMILIAS LGICAS:
Todas las familias o tecnologas de fabricacin de circuitos integrados
digitales se agrupan en dos categoras generales: Bipolares y MOS.
FAMILIAS LGICAS
Familia DTL: son circuitos conformados por diodos.
Familia HTL: son circuitos a diodos, con caractersticas especiales.
Trabajan con voltaje de polarizacin mayor. Son especialmente para
ser usados en zonas de mucho ruido electromagntico.
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Familia TTL: son circuitos que usan transistores de propsito especial.
Son ampliamente usados ya que conmutan muy rpido y consumen
bajas potencias.
Familia CMOS: son circuitos que usan transistores FET. Estos
circuitos requieren baja potencia y se emplea para el diseo de la
calculadora.
Familia ECL: son circuitos que se conmutan muy rpido y se emplean
en circuitos de gran velocidad, tales como contadores de alta
frecuencia.
LA FAMILIA DE LOS TTL
La familia lgica TTL es la ms antigua y comn de todas las familias lgicas
de los circuitos integrados digitales. La mayor parte de los chips SSI y MSI se
fabrican empleando tecnologa TTL.
Los circuitos integrados TTL implementan su lgica interna, exclusivamente
a base de transistores NPN y PNP, diodos y resistencias.
La primera serie de dispositivos digitales TTL fue lanzada por la Texas
Instruments en 1964.Los chips TTL se emplean en toda clase de
aplicaciones digitales, desde el ms sencillo computador personal hasta el
ms sofisticado robot industrial. Los circuitos TTL son rpidos. Verstiles y
muy econmicos.
La familia TTL est disponible en dos gamas: la serie 54 y la serie 74, la
primera se destina a aplicaciones militares y la segunda a aplicaciones
industriales y de propsito general.
TTL ESTANDAR:
La familia TTL estndar comprende principalmente los dispositivos que se
designan como 74xx y 74xxx (7400, 7447, 74193, etc.) que es la ms
empleada en los circuitos modernos, tambin existen otras gamas como
8xxx y 96xx.
Existe una gran cantidad de funciones lgicas que se disean con esta
tecnologa, entre las ms principales tenemos: compuertas,
decodificadores, codificadores, contadores, flip_ flop, sumadores,
multiplexores, etc.
CARACTERISTICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS TTL
La caracterstica ms sobresaliente correspondiente a la familia 74xx y
74Lxx.
La familia TTL emplea dos parmetros para determinar cuntos
dispositivos TTL se pueden conectar entre s. Estos parmetros se
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denominan abanico de entrada y abanico de salida (fan in) y (fan out),
respectivamente.
a. EL fan_ in: Mide el efecto de la carga que presenta una entrada a una
salida. cada entrada de un circuito TTL estndar se comporta como
una fuente de corriente capaz de suministrar 1.8mA, a este valor de
corriente se le asigna un fan _
b. in de 1.
c. El fan_ out: Mide la capacidad de una salida de manejar una o ms
entradas. cada salida de un circuito TTL estndar se comporta como
un disipador de corriente capaz de aceptar 18mA, que se asigna
un fan_out de 10.
Alta velocidad de operacin
Alta disipacin de potencia
tensin de alimentacin nominal:
niveles de voltaje de 0 a 0.8V para el estado bajo y de 2.4 a 5.0V para
el estado alto.
Los circuitos en general pueden operar con tensiones de corriente continua
de 4.74 y 5.25, pero el valor nominal de la tensin de trabajo es de 5v.
TTL DE BAJA POTENCIA
Los dispositivos de circuitos integrados TTL se caracterizan por su bajo
consumo de potencia en comparacin con los TTL estndar; son de la
gama como 74Lxx y 74Lxxx; por ejemplo: 74L00, 74L04.
OTROS CIRCUITOS INTEGRADOS TTL
TTL Shottky DE BAJA POTENCIA: Comprende los dispositivos
designados como 74LSxx y 74LSxxx (74LS83, 74LS221, etc.)
consumen 5 veces menos potencia que los dispositivos estndares
y son de igual de rpido.
FAMILIA LGICA CMOS
La familia lgica CMOS es, junto con la familia TTL una de las familias
lgicas ms populares. Emplea transistores MOSFET complementarios (canal
N y canal P) como elemento bsico de conmutacin.
FAMILIA CMOS ESTANDAR
La familia CMOS estndar comprende principalmente los dispositivos que
se designan como 40xx (4012, 4029, etc.) y 45xx(4528,4553,etc.), existen
dos gamas generales de dispositivos CMOS designados "A" y "B".
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Los dispositivos correspondientes a la gama "A" se designan con el sufijo A
(por ejemplo 4011A), y las correspondientes a la gama "B" se designan con
el sufijo B (por ejemplo 4029B).
La principal diferencia entre las dos gamas est en que los CMOS "B"
contiene una circuitera interna de proteccin que reduce el riesgo de dao
del dispositivo por el fenmeno de descarga electrosttica
CARACTERISTICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Las caractersticas ms sobresalientes de las familias CMOS estndares
40xx y 45xx .
baja disipacin de potencia
buena velocidad de operacin
amplios margines de tensin de alimentacin
Los dispositivos de la gama 40xxA pueden operar con tensiones de 3 a 15V
y los de la gama 40xxB operan contenciones de 3 a 18V
los niveles de voltaje de 0 a 0.3V para el estado bajo y de 0.7 a 10V
para el estado alto.
alta inmunidad al ruido
OTROS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Adems de las gamas 40xx y 45xx, existen varias subfamilias CMOS.
CMOS EQUIVALENTES A TTL: Comprende los dispositivos designados
como 74Cxx y 74Cxxx(74C14,74C164,etc), son compatibles unos
con TTL 74Lxx
CMOS DE ALTA VELOCIDAD: Comprende los dispositivos designados
como 74HCXX y 74HCXX:X(74HC85,74HC373,etc), tienen las
mismas caractersticas de entrada y de alimentacin de los
dispositivos CMOS estndares y compatibles dispositivos de la
familia TTL(74LS85,74LS373,etc).
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EL PROCESO DE FABRICACIN DE
CIRCUITOS INTEGRADOS
Un circuito integrado est formado por un mono cristal de silicio de
superficie normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que
contiene elementos activos y pasivos. En este captulo se describen
cualitativamente los procesos empleados en la fabricacin de tales circuitos.
Estos procesos son: Preparacin de la oblea, Crecimiento Epitaxial, Difusin
de Impurezas, Implantacin de Iones, Crecimiento del Oxido, Fotolitografa,
Grabado Qumico y Mentalizacin. Se emplea el proceso mltiple que ofrece
una excelente identidad de resultados en la produccin de un elevado
nmero de circuitos integrados a bajo costo. 2.1- TECNOLOGA DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS MICROELECTRNICA El trmino
"monoltico" se deriva de las palabras griegas mono que significa nico, y
litros que significa piedra. As un circuito integrado monoltico se construye
en una nica piedra o cristal de silicio. La palabra integrado se debe a que
todos los componentes del circuito: transistores, diodos, resistencias,
capacidades y sus interconexiones se fabrican como un ente nico.
Obsrvese que no se incluyen inductancias: una de las consecuencias de la
construccin de circuitos integrados semiconductores es precisamente que
no pueden conseguirse valores de inductancia prcticos. La variedad de
procesos con los que se fabrican estos circuitos se desarrollan sobre un
plano nico y por tanto puede hablarse de tecnologa plana.
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Un conjunto de mscaras pticas forman la interfaz fundamentalentre
los detalles del proceso de fabricacin y el diseo que el usuario
desea ver convertido en silicio. Estas mscaras definen lospatrones
de los dispositivos electrnicos y las pistas de interconexin
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Estos patrones deben cumplir con ciertas restricciones en lo que
respecta a sus anchuras y separaciones mnimas para que los
circuitos resultantes sean completamente operativos. A estas
restricciones se las denomina reglas de diseo.
El proceso de fabricacin CMOS requiere que se construyan
transistores tanto de canal n (NMOS) como de canal p (PMOS) sobre
un mismo material de silicio.
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El proceso de fabricacin CMOS requiere un gran nmero de pasos.
Varios de dichos pasos se ejecutan de manera muy repetitiva a lo
largo del proceso de fabricacin.
La oblea de silicio
El material base para el proceso de fabricacin viene en forma de una
oblea monocristalina ligeramente dopada. Estas obleas tienen un
dimetro entre 10 y 30 cm. y un espeso de, como mucho, un 1mm.Se
obtienen cortando un lingote monocristalino en rodajas muy finas.
Una mtrica importante es la densidad de defectos del material de
base. Las densidades de defectos altas hacen que se incremente el
porcentaje de circuitos no operativos y, consecuentemente fuerzan
un incremento en el coste del producto final.
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Fotolitografa
En cada paso de procesamiento, una cierta rea del chip se
enmascara utilizando una mscara ptica apropiada, de modo que el
paso de procesamiento deseado pueda ser aplicado de manera
selectiva a las regiones restantes. El paso de procesamiento puede
ser uno cualquiera de entre una amplia variedad de tareas: oxidacin,
grabacin, deposicin de metal, deposicin de polisilicio, implantacin
de iones.
La tcnica utilizada para realizar este enmascaramiento selectivo se
denomina fotolitografa
Oxidacin superficial:
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Se deposita una fina capa de polisilicio sobre la oblea. El xido
se utiliza como capa de aislamiento y tambin para formar la
puerta de los transistores.
Recubrimiento con fotorresist:
Se aplica uniformemente un polmero fotosensible de un
espesor aproximado de 1m. Este material es de partida soluble
mediante un disolvente orgnico, pero tiene la propiedad de
que los enlaces polimricos se entrecruzan cuando se le
expone a la luz, haciendo que las regiones afectadas se
vuelvan insolubles (tipo negativo).
Exposicin:
Se sita muy prximo a la oblea una mscara con el patrn
que queremos transferir al silicio y se expone a continuacin a
luz ultravioleta. Donde la mscara es transparente, el
fotorresist se vuelve insoluble.
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Revelado de fotorresist y horneado:
Las obleas se revelan mediante una solucin cida o bsica
para eliminar las reas no expuestas de fotorresist.
Posteriormente la oblea se hornea a baja temperatura para
endurecer el fotorresist restante.
Grabado mediante cido:
Se elimina parte del material de forma selectiva de aquellas
reas de la oblea que no estn cubiertas por fotorresist. Esto se
lleva a cabo mediante soluciones cidas, bsicas y custicas,
en funcin del material que haya que eliminar.
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Centrifugado, aclarado y secado:
Una herramienta especial limpia la oblea con agua des ionizada
y la seca con nitrgeno. Para evitas defectos debidos a
suciedad, los pasos de procesamiento se llevan a cabo en
salas blancas en las que el nmero de partculas de polvo por
metro cbico de aire est comprendido entre 10 y 100.
Algunos pasos de procesamiento recurrente
Muchos pasos del proceso de fabricacin de CI requieren que
se efecte un cambio en la concentracin de dopantes en
algunas partes del material (por ejemplo, creacin de fuente y
de drenado).
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Existen dos enfoques para la introduccin de estos dopantes:
Implantacin por difusin
Implantacin inica
En ambas tcnicas, el rea que se quiere dopar se ve expuesta,
mientras que el resto de la oblea se recubre con una capa de
material protector, tpicamente SiO2.
Implantacin por difusin
Las obleas se colocan en un tubo de cuarzo situado en un
horno caliente. Se introduce en el tubo un gas que contiene el
dopante. Las altas temperaturas del horno hacen que los
dopantes se difundan en la superficie expuesta tanto vertical
como horizontalmente.
Implantacin inica
Los dopantes se introducen en forma de iones dentro del
material.
El sistema de implantacin de iones dirige un haz de iones
purificados sobre la superficie del semiconductor y barre esta
con el haz.
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El encapsulado de un CI juega un papel fundamental en la
operacin y las prestaciones de un componente:
Proporciona un medio para que las seales y las lneas de
alimentacin entren y salgan del dado de silicio
Eliminan el calor generado por el circuito Proporcionan un
soporte mecnico
Protege el chip contra condiciones ambientales como la
humedad
Actualmente, hasta un 50% del retardo de un CI se produce en
el encapsulado
Un buen encapsulado debe cumplir con una gran variedad de
requisitos:
Requisitos elctricos: Los terminales deben mostrar una baja
capacitancia, baja resistencia y baja inductancia
Propiedades mecnicas y trmicas: La velocidad de disipacin
de calor debe ser lo ms alta posible. Para que el circuito sea
fiable, es preciso que haya una conexin resistente entre el
dado y el encapsulado y entre este y la tarjeta.
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Bajo coste: Los encapsulados cermicos tienen unas
prestaciones superiores a los encapsulados de plstico, pero
son bastante ms caros. Incrementar la velocidad de disipacin
de calor del encapsulado tambin incrementa su coste. Los
encapsulados plsticos ms baratos pueden disipar hasta 1W o
2W. Para disipaciones mayores se utilizan encapsulados
cermicos o el empleo de ventiladores, mecanismos de
enfriamiento mediante lquidos o conductos de calefaccin.
Los encapsulados pueden clasificarse de muchas formas
distintas
Materiales de los encapsulados:
Materiales cermicos
Materiales polmeros (materiales plsticos)
Niveles de interconexin:
Nivel de interconexionado 1: dado-substrato
Nivel de interconexionado 2: substrato de encapsulado-tarjeta
Los encapsulados pueden clasificarse de muchas formas
distintas:
Materiales de los encapsulados:
Materiales cermicos
Materiales polmeros (materiales plsticos)
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Niveles de interconexin:
Nivel de interconexionado 1: dado-substrato
Nivel de interconexionado 2: substrato de encapsulado-tarjeta
FAMILIA LOGICA TTL
Sigla en ingls de transistor-transistor logic
LOGICA DE TRANSITOR a TRANSISTOR
Sus elementos de entrada y salida son transistores bipolares
Rangos de voltaje de alimentacin y temperatura
Voltaje nominal de 5V.
La serie 74 de 4.75 a 5.25 V
La serie 54 de 4.5 hasta 5.5 V.
La serie 74 temperaturas de 0C hasta 70 C
La serie 54 temperaturas de -55C a 125 C.
La serie 54 tiene un costo mayor dada su mayor tolerancia.
Esta serie se emplea solo en aplicaciones donde debe
mantenerse la operacin confiable sobre un amplio margen de
condiciones externas.
Disipacin de Potencia
Una compuerta NAND TTL estndar disipa una potencia promedio de
10 mW.
ICC(promedio) = 8 mA y una PD(promedio) = 8mA x 5 V = 40 mW.
Esta es la potencia total requerida por las cuatro compuertas del
encapsulado
De este modo, una compuerta NAND requiere una potencia promedio
de 10 mW
Retrasos de propagacin
La compuerta NAND TTL estndar tiene retrasos de propagacin
caractersticos de
tPLH = 11 ns
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tPHL = 7 ns
Con un promedio es de tpd(prom) = 9 ns.
Factor de carga de salida
Es una medida del nmero de entradas que una compuerta puede
controlar sin exceder las especificaciones de la misma.
El flujo de corriente en una de entrada o salida se considera positivo
si fluye hacia adentro y se considera negativa si fluye hacia afuera de
la terminal.
Cuando conectamos una salida con una o ms entradas, la suma
algebraica de las corrientes debe dar cero.
Entradas no conectadas(flotantes): cualquier entrada en un
circuito TTL que se deja desconectada acta como un 1 lgico
aplicado a esa entrada, debido a que en cualquier caso la unin o
diodo base-emisor de la entrada no ser polarizado en sentido
directo.
Transitorios de Corriente
Este efecto global se puede resumir como sigue: Siempre que una
salida TTL tipo ttem pasa de BAJO a ALTO, se consume una espiga de
corriente de la amplitud de la fuente de alimentacin V CC.
En un circuito o sistema digital puede haber muchas salidas TTL
cambiando de estado al mismo tiempo, cada una consumiendo una
espiga angosta de corriente de la fuente de poder.
Serie 74L y 74H
Proporciona TTL de baja potencia y alta velocidad
La serie 74L es una versin de baja potencia que consume
aproximadamente 1mW pero a costa de un retraso de
propagacin mucho mayor.
La serie 74H versin de alta velocidad que tiene un retraso de
propagacin reducido, un mayor consumo de potencia.
Serie 74S TTL Shottky
La serie 74S disminuye el retraso de tiempo por
almacenamiento, se logra conectando entre la base y el
colector del transmisor un diodo de barrera Shottky.
Emplea resistencias de bajo valor
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TTL Shottky de bajo consumo de potencia, Series 74LS(LSTTL)
La serie 74LS es una versin de la serie 74S con un menor
consumo de potencia y velocidad.
Utiliza el transistor Shottky
Resistencia ms grandes
Requerimiento de potencia del circuito reducida
TTL avanzada Shottky , Series 74AS(AS-TTL)
Proporciona una mejora en la velocidad sobre las 74S
Con un requerimiento de consumo de potencia mucho menor.
Incluye bajos requerimientos de corrientes de entrada
TTL avanzada Shottky de bajo consume de potencia, Series
74ALS
Esta serie ofrece mejoras tanto en velocidad como en
disipacin de potencia
Tiene el menor producto velocidad-potencia de todas las series
TTL
Alto costo ha ocasionado que no remplace la 74LS
TTL 74F, FAST
Utiliza una nueva tcnica de fabricacin de circuito integrado,
para reducir las capacitancias inter-dispositivos a fin de lograr
demoras reducidas en la propagacin.
74LS
74ALS
Retraso de
Propagacin
9.5 ns
4 ns
Disipacin de
Potencia
2 mW
1.2 mW
Producto
VelocidadPotencia
19 pJ
4.8 pJ
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74
74S
74LS
74AS
74AL
S
74F
Retraso de Propagacin (ns)
9.5
1.7
Disipacin de Potencia (mW)
10
20
1.2
Producto Velocidad-Potencia(Pj)
90
60
19
13.6
4.8
18
Mxima Frecuencia de Reloj (MHz) 35
125
45
200
70
100
Factor de carga de la salida para
la misma serie
10
20
20
40
20
33
VOH (min)
2.4
2.7
2.7
2.5
2.5
2.5
VOL (max)
0.4
0.5
0.5
0.5
0.4
0.5
VIH (min)
VIL (max)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
PARAMETROS DE
FUNCIONAMIENTO
PARAMETROS DE VOLTAJE
FAMILIA LOGICA CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor, "estructuras
semiconductor-xido-metal complementarias
La utilizacin conjunta de transistores de tipo PMOS y tipo
NMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el
consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes
parsitas.
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild
Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin embargo, su
introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica
CD4000
Voltaje de alimentacin
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de V DD, que van de 3 a
15 V
Las series 74HC y 74RCT funcionan con un menor margen de 2 a 6 V.
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Cuando se emplean dispositivos CMOS y TTL, juntos, es usual que el
voltaje de alimentacin sea de 5
Si los dispositivos CMOS funcionan con un voltaje superior a 5V para
trabajar junto con TTL se deben de tomar medidas especiales.
Niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan slo entradas CMOS, los niveles de
voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado
bajo, y a VDD para el estado alto.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para dos estados lgicos
se expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin
VOL
(MAX)
0V
VOH
(MIN)
VDD
VIL
(MAX)
30% VDD
VIH (MIN)
70% VDD
De esta forma, cuando un CMOS funciona con V DD = 5 V, acepta voltaje de
entrada menor que VIL(mx) = 1.5 V como BAJO, y cualquier voltaje de
entrada mayor que VIH (mn) = 3.5 V como ALTO.
Inmunidad al ruido
Ruido: cualquier perturbacin involuntaria que puede originar un
cambio no deseado en la salida del circuito.
Los circuitos lgicos deben tener cierta inmunidad al ruido la cual es
definida como la capacidad para tolerar fluctuaciones en la tensin
no deseadas en sus entradas sin que cambie el estado de salida.
En la Figura tenemos los valores crticos de las tensiones de entrada
y salida de una puerta lgica y los mrgenes de ruido a nivel alto y
bajo.
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Los mrgenes de ruido son los mismos en ambos estados y dependen de
VDD. En VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V. Observamos una mayor
inmunidad al ruido que las TTL
Disipacin de potencia
Tal y como comentamos, uno de los principales motivos del empleo
de la lgica CMOS es su muy bajo consumo de potencia. Cuando un
circuito lgico CMOS se encuentra en esttico u disipacin de
potencia es extremadamente baja, aumentando conforme aumenta la
velocidad de conmutacin.
se produce una disipacin de potencia dc tpica del CMOS de slo 2.5
nW por compuerta cuando VDD = 5 V
an en VDD = 10 aumentara slo 10 nW.
Con estos valores de PD es fcil observar por qu la familia CMOS se
usa ampliamente en aplicaciones donde el consumo de potencia es
de inters primordial.
Factor de carga
El factor de carga de CMOS depende del mximo retardo permisible
en la propagacin. Comnmente este factor de carga es de 50 para
bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el
factor de carga disminuye.
Velocidad de conmutacin
Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir
capacitancias de carga relativamente grandes, su velocidad de
conmutacin es ms rpida debido a su baja resistencia de salida en
cada estado.
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Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de
alimentacin que se emplee, por ejemplo en una a compuerta NAND
de la serie 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para V DD = 5 V
y 25ns para VDD = 10 V.
ENTRADAS CMOS
Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son
muy sensibles a la electricidad esttica y al ruido
Tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje alto o bajo (0 V
o VDD) o bien a otra entrada. Esta regla se aplica an a las entradas de
otras compuertas lgicas que no se utilizan en el mismo encapsulado.
SUSCEPTIBILIDAD A LA CARGA ESTTICAS
Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por
carga electrosttica.
Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de
estos CI.
Una pequea carga electrosttica que circule por estas altas
impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos.
Los CMOS estn protegidos mediante la inclusin en sus entradas de
diodos zner de proteccin.
Los zner por lo general cumplen con su finalidad, algunas veces no
comienzan a conducir con la rapidez necesaria para evitar que el CI
sufra daos
Caractersticas de las Series
Series 4000/14000
La serie 4000A es la lnea ms usada de CI CMOS. Algunas
caractersticas ms importantes de esta familia lgica son:
La disipacin de potencia de estado esttico de los circuitos
lgicos CMOS es muy baja.
Los niveles lgicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lgico y V DD
para 1 lgico. VDD puede estar entre 3 V a 15 V
Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algn nivel
de voltaje.
Serie 74C
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Es compatible terminal por terminal y funcin por funcin, con
los dispositivos TTL que tienen el mismo nmero
Esto hace posible remplazar algunos circuitos TTL por un
diseo equivalente CMOS. Por ejemplo, 74C74 puede remplazar
al CI TTL 7474
Serie 74HC (CMOS de alta velocidad)
Esta es una versin mejor de la serie 74C.
La principal mejora radica en un aumento de diez veces en la
velocidad de conmutacin.
Otra mejora es una mayor capacidad de corriente en las
salidas.
Tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que
respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.
Serie 74HCT
Esta serie tambin es una serie CMOS de alta velocidad, y est
diseada para ser compatible en lo que respecta a los voltajes
con los dispositivos TTL, es decir, las entradas pueden provenir
de salidas TTL
74AC/ACT CMOS Avanzado
Esta serie, la ms nueva de los CMOS
Funcionalmente equivalente con las diversas series de TTL pero no es
compatible con terminales con el TTL.
La razn es que las ubicaciones de las terminales en los
microcircuitos 74AC o 74ACT se han seleccionado para mejorar la
inmunidad al ruido, con lo cual las entradas a dispositivos son
menos sensibles a los cambios de seal que las que ocurren en las
terminales de otros CI
Principales diferencias entre las
familias CMOS y TTL
En la fabricacin de los circuitos integrados se usan
transistores bipolares par el TTL y transistores MOSFET para
la tecnologa CMOS
Los CMOS requieren de mucho menos espacio (rea en el CI)
debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems
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debido a su alta densidad de integracin, los CMOS estn
superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran
escala, en LSI - memorias grandes, CI de calculadora,
microprocesadores-, as como VLSI.
Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de
potencia que los TTL.
TTL
74L
TTL Shottky
de baja
potencia (LS)
Fairchild
4000B CMOS
(con Vcc=5V)
Fairchild
4000B
CMOS (con
Vcc=10V)
10ns
33ns
5ns
40ns
20ns
Frecuencia
mxima de
funcionami
ento
35 MHz
3
MHz
45 MHz
8 MHz
16 MHz
Potencia
disipada
por puerta
10 mW
1
mW
2 mW
10 nW
10 nW
Margen de
ruido
admisible
1V
1V
0.8 V
2V
4V
Fan out
10
10
20
50*
50*
PARAMETR
O
TTL
estnda
r
Tiempo de
propagaci
n de puerta
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INTRODUCCION
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PROGRAMACIN DE UNA MEMORIA EPROM
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y
aplicando en un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios
durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se
direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de
datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad
de memoria.
La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de
Canal N de compuerta aislada.
BORRADO DE LAS MEMORIA EPROM
La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta a
travs de su ventana de cuarzo transparente por aproximadamente de 10 a 20
minutos, esta ventana le permite a los rayos ultravioleta llegar hasta el material
fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta forma lograr que
la carga se disipe a travs de este material apagando el transistor, y hacer que
todas las celdas de memoria quedan en 1 lgico.
Una vez programada, la ventana de cuarzo se debe cubrir con un adhesivo
para evitar la entrada de luz ambiente que pueda borrar la informacin, debido
a su componente de luz ultravioleta y el chip puede ser reprogramado de
nuevo.
DESVENTAJAS DE LA EPROM
Se debe de sacar del circuito para poderlas borrar
Se debe borrar todo el chip
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El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo depende
del tipo de fabricante)
EPROM 27C256
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CARACTERISTICAS TECNICAS
Se pueden conectar fcilmente con microprocesadores o micro
controladores, algunas de estas memorias tienen pines para realizar
esta labor.
Transferencia de datos de manera serial, lo que permite ahorro del micro
para dedicarlo a otras funciones.
El consumo de corriente es mucho menor que en las memorias que
trabajan en paralelo.
Un aspecto que podra significar una limitante para las memorias
seriales es la velocidad de lectura, si se comparan con la EEPROM
paralelas, aunque las velocidades que se logran son aceptables para las
mayoras de las aplicaciones.
Tres hilos maneja datos de 8 a 16 bits, mientras que
Dos hilos maneja 8 bits;
Dos hilos la proteccin contra escritura es por el hardware,
Tres hilos se protege a travs de el software;
la operacin de la de tres hilos es de hasta 6 MHz y la de
Dos hilos es de 100 KHz y 400 KHz con opcin de 1 MHz;
Tres hilos tiene 4 pines de comunicacin,
Dos hilos tiene solamente dos pines.
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Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente del ingls
(ElectricalErasableProgrammableReadOnlyMemory).
Actualmente
estas
memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide
Slice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la
EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una
carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la
informacin.
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El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
VENTAJAS DE LA EEPROM CON RESPECTO A LAS
EPROM
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma
individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se
observen problemas para almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de las
EPROM, es decir aproximadamente 10 aos.
Aplicaciones de las Memorias EEPROM
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el
usuario necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacin.
Por ejemplo en los receptores de TV o magnetoscopios para memorizar los
ajustes o los canales de recepcin.
Ejemplo de memoria:
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