Diodos

Este documento presenta el informe referente al diodo sus características y algunas aplicaciones. Se reconoce experimentalmente las propiedades del diodo, midiendo tensiones, corrientes, en polarización directa o inversa o que efectos genera la temperatura en cada uno de los diodos trabajados (1N4004 y 1N4148). Con los datos obtenidos se analiza gráficamente los comportamientos de I vs V, comparando con los datos consignados en la bitácora pudimos contrastar y ratificar la precisión del datasheet de cada diodo. Palabras Clave-Diodo, tiempos de recuperación, voltaje térmico, corriente de saturación.

Is achieved in this report, develop a driver circuit to a lamp of 4 LED’s cold white and high brightness, as charge. This uses as current limiter a series combination of a polyester capacitor (1μF to 250V), and a resistance (3.3kΩ to 2watts). Between these, is connect 4 silicon diodes (1N4001) as rectifier bridge, to converter current AC in DC. At the exit, is placed an electrolytic capacitor (68μF to 200V) in parallel, reducing the ripple of rectifier wave on the charge. The software Multisim 12.0 was used to develop of circuit prototype, to confirm its good operation, and construction later. The consume power, was approx. determined as 2,4watts.

O objetivo desta apostila é iniciar o aluno no estudo dos dispositivos semicondutores, desde os diodos, com algumas de suas apresentações (retificador, de sinal, led, Zener) até os transistores bipolares de junção, com a teoria básica de funcionamento de cada um deles e algumas aplicações práticas.
Duas das famílias mais populares de reguladores integrados (78XX e LM317) também são apresentadas, além de um capítulo dedicado a dispositivos ópticos como fotoacopladores.
A interpretação das folhas de informações originais (Datasheets) dos fabricantes e das curvas características dos dispositivos é também comentada e utilizada no dimensionamento desses componentes.
Uma extensa lista de exercícios é apresentada, incluindo diversos de testes de
admissão em grandes empresas, de provas do ENADE e de outras apostilas, todos
devidamente identificados e com respostas.

In this work, solar cells with Mo/CuInSe2/CdS/n+–ZnO structure were deposited and experimentally characterized by the I-V curve. From these results, the electrical parameters were estimated fitting, theoretically, the curve to determine the most important variables. The estimation was carried out using the single and double diode models and comparing the curve that best fits. The estimated variables were photogenerated current (Iph), dark current of the diode (Is), series resistance (Rs), shunt resistance (Rp) and diode ideality factors (a1 and a2) according to each model of circuit taken for optimization. The adjustment of the current-voltage (I-V) and power-voltage (P-V) curves achieved with the double diode
model indicates that in the manufactured solar cells, interfacial states are present in the p-n junction, which decreases the efficiency of the device.