Czochralského metóda

Czochralského metóda je metóda pestovania syntetického monokryštalického polovodiča. Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennej nádobe s grafitovým ohrievačom, pričom sa pomaly vyťahuje 5-150 mm.h^-1 a rotuje 10-100 ot.min^-1 proti smeru rotácie taveniny 5-25 mm.min^-1. Celý proces prebieha pri inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou, vo vákuovej alebo tlakovej nádobe.

Počas tuhnutia vyťahovanej taveniny majú nečistoty tendenciu ostávať v kvapalnej fáze. Koncentrácia sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa neustále znižuje. Výsledný monokryštál ma tvar valca. Má približne hyperbolický priebeh koncentrácie nečistôt pozdĺž valca.

Podmienky rastu monokryštálu

rozhranie medzi monokryštálom a taveninou musí byť chladnejšie ako ostatná tavenina
možnosť kontroly teploty
čistý povrch taveniny
viskozita taveniny
charakter kryštalografických fázových premien
osová symetria tepelného prúdu

Najviac sa táto metóda používa pri výrobe Si, Ge a GaAs polovodičov. Nevýhoda je možnosť reakcie nádoby s materiálom.