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WO2025013622A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2025013622A1
WO2025013622A1 PCT/JP2024/023090 JP2024023090W WO2025013622A1 WO 2025013622 A1 WO2025013622 A1 WO 2025013622A1 JP 2024023090 W JP2024023090 W JP 2024023090W WO 2025013622 A1 WO2025013622 A1 WO 2025013622A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
emitting element
layer
emitting
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2024/023090
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
朋芳 市川
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Publication of WO2025013622A1 publication Critical patent/WO2025013622A1/ja

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    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene

Definitions

  • This disclosure relates to a display device and a method for manufacturing a display device.
  • Such display devices have multiple light-emitting elements, each composed of, for example, a lower electrode, a light-emitting layer stacked on the lower electrode, and an upper electrode stacked on the light-emitting layer.
  • EL electroluminescence
  • Such display devices have multiple light-emitting elements, each composed of, for example, a lower electrode, a light-emitting layer stacked on the lower electrode, and an upper electrode stacked on the light-emitting layer.
  • the display device described in the following patent document can be cited as an example of such a display device.
  • This disclosure therefore proposes a display device and a method for manufacturing the display device that can improve light extraction efficiency while minimizing an increase in the number of steps.
  • a display device comprising a plurality of light-emitting elements including a first light-emitting element and a second light-emitting element that emit light of different colors, and a plurality of element isolation layers arranged to surround an element region in which each of the plurality of light-emitting elements is located, each of the light-emitting elements having a first reflecting surface, a light-emitting portion stacked above the first reflecting surface, an optical adjustment layer stacked above the light-emitting portion so as to be embedded in the element region surrounded by the element isolation layer, and a second reflecting surface stacked above the optical adjustment layer and made of a semi-transparent reflective material, wherein the area of the element region of the first light-emitting element surrounded by the element isolation layer is different from the area of the element region of the second light-emitting element surrounded by the element isolation layer, and the film thickness of the optical adjustment layer of the first light-emitting element is different from the film thickness of the optical adjustment layer of the
  • a method for manufacturing a display device including a plurality of light-emitting elements including a first light-emitting element and a second light-emitting element that emit light of different colors, and a plurality of element isolation layers provided to surround an element region in which each of the plurality of light-emitting elements is located, the method including stacking a light-emitting section above a first reflecting surface on a substrate, stacking an element isolation layer to surround an element region on the light-emitting section in which each of the light-emitting elements is formed, stacking an optical adjustment layer to be embedded in the element region surrounded by the element isolation layer, and stacking a second reflecting surface made of a semi-transparent reflective material above the optical adjustment layer, and stacking the element isolation layer such that the area of the element region of the first light-emitting element surrounded by the element isolation layer is different from the area of the element region of the second light-emitting element surrounded by the element isolation layer, thereby making the film
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of an overall configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic circuit diagram for explaining a wiring relationship in a sub-pixel in the mth row and the nth column.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram (part 1) for explaining the background that led to the creation of an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram (part 2) for explaining the background that led to the creation of the embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram (part 1) for explaining a manufacturing method of the light-emitting element according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram (part 2) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram (part 3) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram (part 4) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element according to Modification 1 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 3) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 4) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example
  • FIG. 5 is a cross-sectional view (part 5) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view (part 6) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view (part 7) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view (part 8) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view (part 8) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element according to Modification 3 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element according to Modification 3 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 4 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 4 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 4 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 5 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 5 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 6 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 5 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light
  • FIG. 23 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 6 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 7 of the first embodiment of the present disclosure. 13 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element according to Modification 7 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 8 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 8 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 3) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 8 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 9 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to a tenth modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 10 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. FIG. 23 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 10 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to a second embodiment of the present disclosure.
  • 11A to 11C are explanatory views (part 1) for explaining a manufacturing method of a light-emitting element according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram (part 2) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram (part 3) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram (part 4) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram (part 5) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram (part 6) for explaining the manufacturing method of the light-emitting element according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element according to Modification 1 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 3) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 2) for explaining an example of
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 4) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view (part 5) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 6) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 7) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view (part 8) for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to Modification 2 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 3 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 3 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 4 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to Modification 5 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element according to a modified example of the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram (part 1) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of a light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of a lens member, and a normal line LN" passing through the center of a wavelength selection portion.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram (part 2) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 1 for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of a light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of a lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram (part 3) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram (part 4) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram (part 4) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram (part 5) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram (part 6) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram (part 6) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram (part 7) for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light-emitting portion, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN" passing through the center of the wavelength selection portion.
  • 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of a resonator structure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of a resonator structure.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of a resonator structure.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a fourth example of a resonator structure.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a fifth example of a resonator structure.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a sixth example of a resonator structure.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a seventh example of a resonator structure.
  • FIG. 1 is a front view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 2 is a rear view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 1 is an external view of a head mounted display.
  • FIG. 1 is an external view of a see-through head-mounted display.
  • FIG. 1 is an external view of a television device.
  • FIG. 1 is an external view of a smartphone.
  • FIG. 1 is a diagram showing the internal structure of a vehicle.
  • FIG. 2 is a diagram showing the internal structure of a vehicle (part 2).
  • circuits electrical connections
  • electrically connected means connecting multiple elements so that electricity (signals) is conducted between them.
  • electrically connected includes not only cases where multiple elements are directly and electrically connected, but also cases where elements are indirectly and electrically connected via other elements.
  • Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of the display device 10 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 is a device in which light-emitting elements such as OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) or Micro-OLEDs are formed in an array.
  • a display device 10 can be used as a display device, for example, a display device for VR (Virtual Reality), MR (Mixed Reality), or AR (Augmented Reality), an electronic viewfinder (EVF), or a small projector.
  • the display device 10 can also be used in various lighting devices.
  • the display device 10 may be a device that uses light-emitting elements made of inorganic materials instead of light-emitting elements made of organic materials such as OLEDs.
  • the display device 10 has a display area and a peripheral area provided on the periphery of the display area. As shown in FIG. 1, within the display area of the display device 10, for example, a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged in a matrix.
  • the sub-pixel 100R can emit red light
  • the sub-pixel 100G can emit green light
  • the sub-pixel 100B can emit blue light.
  • sub-pixels 100 when there is no particular need to distinguish between the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, they will be referred to as sub-pixels 100.
  • one pixel 20 is configured by combining, for example, three types of sub-pixels 100R, 100G, and 100B that emit different light.
  • the number and arrangement of the three types of sub-pixels 100R, 100G, and 100B included in one pixel 20 are not particularly limited.
  • one pixel 20 is not limited to being configured by multiple sub-pixels 100 that emit different light as described above, but may be configured by multiple sub-pixels 100 that emit the same color light.
  • the pixel 20 means the smallest unit (pixel) controlled during the light emission control of the display device 10, and is configured by multiple sub-pixels 100 that are treated as one unit during control. That is, in this embodiment, the display device 10 has multiple pixels 20 arranged in a matrix on the substrate 40.
  • a horizontal drive circuit 11 and a vertical drive circuit 12 are provided in the peripheral area of the display device 10.
  • the horizontal drive circuit 11 can scan the sub-pixels 100 in row units (in FIG. 1, the direction extending along the X direction is called the row direction) when writing signals to the sub-pixels 100, and sequentially supply scanning signals to each scanning line SCLm.
  • the horizontal drive circuit 11 can be configured, for example, with a shift register that sequentially shifts (transfers) a start pulse in synchronization with an input clock pulse.
  • the vertical drive circuit 12 can also supply a signal voltage of a signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the sub-pixels 100 selected in column units (in FIG. 1, the direction extending along the Y direction is called the column direction) via the signal lines DTLn.
  • the configuration of the display device 10 is not limited to the configuration shown in FIG. 1.
  • the configuration shown in FIG. 1 is merely an example, and the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure can have various configurations.
  • FIG. 2 is a schematic circuit diagram for explaining the wiring relationship in the sub-pixel 100 in the mth row and nth column.
  • the sub-pixels 100 including the light-emitting elements ELP are arranged in a two-dimensional matrix while being connected to the scanning lines SCLm extending in the row direction (X direction in FIG. 1) and the signal lines DTLn extending in the column direction (Y direction in FIG. 1).
  • the display device 10 has a power supply line PS1m that supplies a drive voltage to the sub-pixels 100, and a common power supply line PS2 that is commonly connected to all of the sub-pixels 100.
  • a predetermined drive voltage Vcc or the like is supplied to the power supply line PS1m from a power supply unit (not shown), and a common voltage Vcat (e.g., ground potential) is supplied to the common power supply line PS2.
  • the number of scanning lines SCL and power supply lines PS1 is M each.
  • the number of signal lines DTL is N.
  • the sub-pixel 100 located in the mth row and nth column may be referred to as the (n, m)th sub-pixel 100.
  • the display device 10 is scanned sequentially row by row by the scanning signal from the horizontal drive circuit 11. More specifically, in the display device 10, M sub-pixels 100 arranged in the mth row are driven simultaneously. In other words, the timing of emission/non-emission of M sub-pixels 100 arranged along the row direction is controlled for each row to which they belong. For example, if the display frame rate of the display device 10 is FR (times/second), the scanning period per row (so-called horizontal scanning period) when the display device 10 is scanned sequentially row by row is less than (1/FR) x (1/P) seconds.
  • the subpixel 100 is composed of a light-emitting element ELP and a drive circuit that drives it.
  • the light-emitting element ELP is an organic electroluminescence light-emitting element or an inorganic electroluminescence light-emitting element.
  • the drive circuit is composed of a write transistor TRW, a drive transistor TRD, and a capacitance section C1. When a current flows through the light-emitting element ELP via the drive transistor TRD, the light-emitting element ELP can emit light.
  • Each transistor is composed of, for example, a p-channel type field effect transistor.
  • one source/drain region of the drive transistor TRD is electrically connected to one end of the capacitance unit C1 and the power supply line PS1m, and the other source/drain region is electrically connected to one end (specifically, the anode electrode) of the light-emitting element ELP.
  • the gate electrode of the drive transistor TRD is connected to the other source/drain region of the write transistor TRW and is also electrically connected to the other end of the capacitance unit C1.
  • one of the source/drain regions of the write transistor TRw is electrically connected to the signal line DTLn, and the gate electrode of the write transistor TRw is electrically connected to the scan line SCLm.
  • the other end of the light-emitting element ELP (specifically, the cathode electrode) is electrically connected to a common power supply line PS2. Furthermore, a predetermined cathode voltage Vcat is supplied to the common power supply line PS2. Note that in FIG. 2, the capacitance of the light-emitting element ELP is represented by the symbol CEL.
  • the sub-pixel 100 when a voltage corresponding to the brightness of an image to be displayed is supplied to the signal line DTLn from the vertical drive circuit 12 and the writing transistor TRw is made conductive by a scanning signal from the horizontal drive circuit 11, a voltage corresponding to the brightness is written to the capacitance section C1. After the writing transistor TRw is made non-conductive, a current flows through the driving transistor TRD according to the voltage held in the capacitance section C1, causing the light-emitting element ELP to emit light.
  • the configuration of the drive circuit that controls the light emission of the light-emitting element ELP is not limited to the configuration shown in FIG. 2. Therefore, the configuration shown in FIG. 2 is merely an example, and various configurations can be used in the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • light-emitting elements such as OLEDs (Organic Light-Emitting Diodes) have come to be used not only in direct-view display devices such as monitors, but also in ultra-small display devices (microdisplays) that require a pixel pitch of several microns.
  • OLEDs Organic Light-Emitting Diodes
  • sub-pixels 100R, 100G, and 100B are formed by painting red, green, and blue (RGB painting) using a mask deposition process.
  • RGB painting red, green, and blue
  • the RGB painting technique using a mask deposition process has limitations in terms of the accuracy of mask alignment, and therefore is limited in its ability to accommodate fine pixel pitches. Therefore, it has been proposed to avoid using the RGB painting technique and use a White-type structure in which light-emitting layers of three colors, red, green, and blue, are stacked across all sub-pixels 100 to extract white light.
  • the White method is configured with a common layer structure that is common to all sub-pixels 100R, 100G, and 100B, making it difficult to optimize the structure for each color of emitted light, and there are limitations to improving the light extraction efficiency.
  • the distance between the anode electrode (first electrode) 202 functioning as a reflective film and the semi-transmissive reflective film 210 is optimized for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, and light from the light-emitting portion 204 is resonated between the anode electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210.
  • the optical distance L (film thickness of the stack 270 in Fig. 4) between the anode electrode (first reflective surface) 202 and the semi-transmissive reflective film (second reflective surface) 210 satisfies the resonance condition represented by the following formula (1) for the emission peak wavelength ⁇ of each sub-pixel 100.
  • the resonance order m may be different for each subpixel 100.
  • the thickness of the laminate 270 which defines the optical distance L between the anode electrode (first reflective surface) 202 and the semi-transmissive reflective film (second reflective surface) 210, to the desired thickness for each subpixel 100.
  • the laminate in order to form the laminate with such precision, it is difficult to avoid a significant increase in the number of processes, which causes an increase in the cost of the display device 10.
  • the inventor has been thoroughly studying the structure and manufacturing method of the display device 10 in order to improve the light extraction efficiency while minimizing the increase in the number of processes. Through such studies, the inventor has independently created the embodiment of the present disclosure.
  • an optical adjustment layer 208 (see FIG. 5A) is laminated on the cathode electrode (second electrode) 206, and then a semi-transmissive reflective film 210, which serves as a reflective surface, is laminated on top of that.
  • an anode electrode 202, a light-emitting portion 204, and a cathode electrode 206 are layered, and an element isolation layer 220 (see FIG. 5A) is provided so as to surround the element region in which the light-emitting element 200 is formed.
  • the optical adjustment layer 208 is formed by depositing a material that will become the optical adjustment layer 208 so as to embed it in the opening of the element isolation layer 220 that corresponds to the element region surrounded by the element isolation layer 220.
  • the opening of the element isolation layer 220 is wide, the material that will become the optical adjustment layer 208 can easily enter the opening and can be deposited at a high rate.
  • the opening of the element isolation layer 220 is narrow, the material that will become the optical adjustment layer 208 cannot easily enter the opening and cannot be deposited at a high rate. Therefore, by changing the size of the opening of the element isolation layer 220, the film thickness of the optical adjustment layer 208 embedded in each opening can be changed for the same deposition time.
  • this phenomenon is prominent when the optical adjustment layer 208 of the fine subpixel 100 is formed using a film formation method such as a deposition method, a sputtering method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • a film formation method such as a deposition method, a sputtering method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the above phenomenon is most prominent in the deposition method, then in the sputtering method, and then in the CVD method.
  • the inventors have focused on the above phenomenon and have come up with an embodiment of the present disclosure in which the size of the opening of the element isolation layer 220 is appropriately adjusted according to the color of light assigned to each light emitting element 200, thereby optimizing the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 while simultaneously forming the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 that emits light of different colors. According to such an embodiment of the present disclosure, it is possible to improve the light extraction efficiency while suppressing an increase in the number of processes. The details of the embodiment of the present disclosure created by the inventors will be described below in order.
  • Figure 5A is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of the light-emitting device according to the present embodiment
  • Figure 5B is a plan view for explaining an example of the configuration of the light-emitting device according to the present embodiment.
  • the display device (display device) 10 has a top emission type (top surface emission type), that is, a light emitting element 200 that emits light upward.
  • a top emission type top surface emission type
  • a plurality of light emitting elements 200r, 200g, 200b are arranged in a matrix in a predetermined region on the substrate 300.
  • Each of the light emitting elements 200r, 200g, 200b emits, for example, red (R), green (G), and blue (B) light, respectively, and corresponds to the above-mentioned sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • each of the light emitting elements 200r, 200g, and 200b is the same as the sub-pixels 100R, 100G, and 100B that are treated as one unit during control.
  • the display device 10 has a drive circuit board 300 provided with wiring, vias, and transistors, and a light-emitting element 200 consisting of a first electrode (anode electrode) 202, an organic EL film (light-emitting portion) 204, a second electrode (cathode electrode) 206, an optical adjustment layer 208, and a semi-transmissive reflective film 210.
  • a light-emitting element 200 consisting of a first electrode (anode electrode) 202, an organic EL film (light-emitting portion) 204, a second electrode (cathode electrode) 206, an optical adjustment layer 208, and a semi-transmissive reflective film 210.
  • the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 function as the first and second reflective surfaces.
  • the light-emitting elements 200r, 200g, and 200b according to this embodiment have a microcavity structure in which the distances Lb, Lg, and Lr between the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 satisfy the above-mentioned formula (1) according to the color (wavelength) of the light emitted from the light-emitting element 200, as shown in FIG. 5A.
  • the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 has a different film thickness according to the color (wavelength) of the light emitted from the light-emitting element 200. Therefore, according to this embodiment, the light from the organic EL film 204 can be efficiently extracted above each light-emitting element 200.
  • a voltage is applied to the first electrode 202 through a via 302 provided in the drive circuit board 300.
  • the optical adjustment layer 208 is formed from a transparent conductive material such as IZO (indium zinc oxide), so that the optical adjustment layer 208 is integrated with the second electrode 206 and can function as a single electrode.
  • each light-emitting element 200 The layers that make up each light-emitting element 200 are described in detail below.
  • the drive circuit substrate 300 can be made of a transparent material such as glass, or a semiconductor material such as silicon.
  • the drive circuit for driving the light emitting element 200 is constructed by appropriately forming transistors, wiring, and the like on the above-mentioned various substrates 300.
  • a first electrode 202 and an inter-pixel insulating portion 230, which will be described later, are provided on the drive circuit substrate 300.
  • the first electrode 202 can be formed of a light-reflecting material such as aluminum (Al), an aluminum alloy, silver (Ag), a silver alloy, etc.
  • the film thickness of the first electrode 202 is preferably, for example, 100 to 300 nm.
  • the first electrode 202 may also be a multi-layer film, for example, having a configuration in which a transparent conductive layer and a light-reflecting layer are laminated. More specifically, the first electrode 202 may have a configuration in which an aluminum alloy layer is laminated as a first layer (light-reflecting layer) and a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is laminated as a second layer (transparent conductive layer).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the first electrode 202 may also have a configuration in which an inorganic hole injection layer and a light reflecting layer are laminated together. More specifically, the first electrode 202 may have a configuration in which an aluminum alloy layer is used as the first layer (light reflecting layer) and an inorganic material layer such as titanium (Ti), titanium oxide (TiO), titanium nitride (TiN), molybdenum (Mo), molybdenum oxide ( MoO3 ), etc. is used as the second layer (inorganic hole injection layer).
  • an aluminum alloy layer is used as the first layer (light reflecting layer) and an inorganic material layer such as titanium (Ti), titanium oxide (TiO), titanium nitride (TiN), molybdenum (Mo), molybdenum oxide ( MoO3 ), etc. is used as the second layer (inorganic hole injection layer).
  • an inorganic material layer made of Ti, TiN, or the like may be provided as a base layer under the first electrode 202.
  • the outer periphery of the first electrode 202 is covered with an inter-pixel insulating section 230, and the central region of the first electrode 202 exposed from the opening (pixel opening) of the inter-pixel insulating section 230 functions as an electrode.
  • the inter-pixel insulating section 230 defines the light-emitting region by the pixel opening.
  • the inter-pixel insulating section 230 can be formed, for example, from an inorganic insulating film such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON), or an organic insulating film such as a polyimide resin, an acrylic resin, or a novolac resin.
  • an inorganic insulating film such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON), or an organic insulating film such as a polyimide resin, an acrylic resin, or a novolac resin.
  • the organic EL film 204 is formed as a single, continuous layer across the plurality of light emitting elements 200 above the first electrode 202.
  • the organic EL film 204 is In this embodiment, the organic EL film 204 is formed as a single layer that is shared by the plurality of light emitting elements 200r, 200g, and 200b.
  • the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 is formed in a different layer according to the color (wavelength) of the light emitted from the light emitting element 200.
  • the light emitting element 200 according to this embodiment has an organic EL film 204 made of an organic material as a light emitting portion.
  • the present embodiment is not limited to this, and the light emitting element 200 according to the present embodiment may have an EL film made of an inorganic material as a light emitting portion.
  • the organic EL film 204 has three light-emitting layers of red, green, and blue, for example, laminated across all the light-emitting elements 200, that is, it has a structure of the White method that extracts white light.
  • the organic EL film 204 has a so-called 1-stack structure, in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, a light-emitting separation layer, a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from bottom to top (see FIG. 8A).
  • Each light-emitting layer may have a multi-layer structure in which different light-emitting materials that emit light of the same color are stacked. By stacking light-emitting materials with different properties and separating their functions, local deterioration within the light-emitting layer is suppressed, and a highly efficient, long-life element can be obtained. Details of variations in the configuration of the organic EL film 204 will be described later (FIGS. 8A to 8I). Below, a 1-stack structure will be described as an example of the organic EL film 204 according to this embodiment.
  • the hole injection layer can be made of, for example, hexaazatriphenylene (HAT).
  • the hole transport layer can be composed of, for example, ⁇ -NPD [N,N'-di(1-naphthalyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine].
  • the red light-emitting layer generates red light by applying an electric field, whereby some of the holes injected from the first electrode 202 through the hole injection layer and the hole transport layer and some of the electrons injected from the second electrode 206 through the electron transport layer are recombined.
  • the red light-emitting layer contains, for example, at least one of a red light-emitting material, a hole transport material, an electron transport material, and a positive and negative charge transport material.
  • the red light-emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the red light-emitting layer may be composed of, for example, 4,4-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (DPVBi) mixed with 30% by weight of 2,6-bis[(4'-methoxydiphenylamino)styryl]-1,5-dicyanonaphthalene (BSN).
  • DPVBi 4,4-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl
  • BSN 2,6-bis[(4'-methoxydiphenylamino)styryl]-1,5-dicyanonaphthalene
  • the emission separation layer is a layer for adjusting the injection of carriers into the emission layers, and the light emission balance of each color is adjusted by injecting electrons and holes into each emission layer through the emission separation layer.
  • the emission separation layer can be composed of, for example, a 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl derivative.
  • the blue light-emitting layer generates blue light by applying an electric field, whereby some of the holes injected from the first electrode 202 through the hole injection layer, hole transport layer, and light-emitting separation layer and some of the electrons injected from the second electrode 206 through the electron transport layer are recombined.
  • the blue light-emitting layer contains, for example, at least one of a blue light-emitting material, a hole transport material, an electron transport material, and a bipolar charge transport material.
  • the blue light-emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the blue light-emitting layer may be composed of, for example, DPVBi mixed with 2.5% by weight of 4,4'-bis[2- ⁇ 4-(N,N-diphenylamino)phenyl ⁇ vinyl]biphenyl (DPAVBi).
  • the green light-emitting layer contains, for example, at least one of a green light-emitting material, a hole transport material, an electron transport material, and a bipolar charge transport material.
  • the green light-emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the green light-emitting layer may be composed of, for example, DPVBi mixed with 5% by weight of coumarin 6.
  • the electron transport layer may be made of, for example, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3 (aluminum quinolinol), or Bphen (bathophenanthroline).
  • the electron transport layer is made up of at least one layer, and may include an electron transport layer doped with an alkali metal or alkaline earth metal.
  • the electron transport layer doped with an alkali metal or alkaline earth metal can be composed of a host material such as BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3 (aluminum quinolinol), or Bphen (bathophenanthroline), and a dopant material such as an alkali metal such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), or cesium (Cs), or an alkaline earth metal such as magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), or barium (Ba), doped to, for example, 0.5 to 15% by weight by co-evaporation.
  • a host material such as BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3 (aluminum quinolinol), or Bphen (bathophenanthroline)
  • a dopant material such as an alkali metal such as lithium (
  • an electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the second electrode 206.
  • the electron injection layer is intended to increase electron injection from the cathode, and may be composed of an alkali metal or alkaline earth metal alone, a compound containing them, or a mixture containing them.
  • the electron injection layer may be composed of lithium (Li), lithium fluoride (LiF), etc.
  • a buffer layer may be provided between the electron transport layer and the second electrode 206.
  • the buffer layer is intended to reduce process damage during the formation of the second electrode 206.
  • the buffer layer may be composed of, for example, an alkali metal or alkaline earth metal such as Mg, magnesium silver alloy (MgAg), Ca, Li, LiF, lithium carbonate (Li 2 CO 3 ), Cs, cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), or a compound containing the same or a mixture containing the same.
  • each layer constituting the organic EL film 204 is preferably, for example, 1 to 20 nm for the hole injection layer, 10 to 200 nm for the hole transport layer, 5 to 50 nm for the light emitting layer, and 10 to 200 nm for the electron transport layer. Furthermore, it is preferable that the thickness of the organic EL film 204 and each layer constituting it is set to a value that allows the optical thickness to be such that operation according to the wavelength (color) of the light emitted by each light emitting element 200 is possible.
  • the second electrode 206 can be made of a transparent conductive material having good light transmittance and a small work function.
  • the second electrode 206 can be made of indium zinc oxide (IZO), and the thickness thereof is preferably set to 10 to 500 nm.
  • the second electrode 206 is formed as a single continuous layer across the plurality of light-emitting elements 200.
  • the second electrode 206 is formed as a single layer shared by the plurality of light-emitting elements 200.
  • the number of steps can be reduced by forming the second electrode 206 as a single layer across the plurality of light-emitting elements 200.
  • the optical adjustment layer 208 is disposed above the organic EL film 204 and the second electrode 206 in order to adjust the optical distance L from the first reflection surface (the first electrode 202) to the second reflection surface (the semi-transmissive reflective film 210).
  • the distances Lb, Lg, and Lr between the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 determine the color of the light emitted from the light emitting element 200.
  • the optical adjustment layer 208 of the element 200 has a different film thickness depending on the color (wavelength) of the light emitted from the light emitting element 200 .
  • the resonance order m in formula (1) may be different for each light emitting element 200 that emits light of different colors.
  • the optimal film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 is It can be changed by the wavelength ⁇ (the emission peak wavelength ⁇ of the light emitting element 200) and the resonance order m.
  • the resonance order m is preferably 1 or 2.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 208 is preferably, for example, 1 to 500 nm. Furthermore, in this embodiment, it is preferable that the difference between the film thickness of the optical adjustment layer 208 of one type of light-emitting element 200 among the light-emitting elements 200r, 200g, 200b of the three colors of red, blue, and green and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the other type of light-emitting element 200 is, for example, 30 nm or more.
  • the optical adjustment layer 208 is made of a transparent conductive material, and more specifically, can be made of an oxide such as IZO or ITO. In this embodiment, the optical adjustment layer 208 may be formed as a continuous film spanning multiple light-emitting elements 200.
  • the semi-transmissive reflective film 210 is provided to enhance the effect of the microcavity structure, and is made of a semi-transmissive reflective material made of a metal having good light transmittance and light reflectance.
  • the semi-transmissive reflective film 210 is provided above the optical adjustment layer 208.
  • the semi-transmissive reflective film 210 can be made of Ag, gold (Au), copper (Cu), Al, Mg, or an alloy thereof.
  • the alloy can be, for example, a magnesium silver alloy ( Examples of the alloy include silver alloys such as palladium-copper-silver alloy (AgPdCu(APC)), and Ag alloys such as palladium-copper-silver alloy (AgPdCu(APC)).
  • silver alloys such as palladium-copper-silver alloy (AgPdCu(APC)
  • Ag alloys such as palladium-copper-silver alloy (AgPdCu(APC)).
  • the semi-transmissive reflective film 210 may be a multi-layer film that functions as an electrode together with the second electrode 206 and the optical adjustment layer 208.
  • the semi-transmissive reflective film 210 may be, for example, a first layer made of a metal layer of Ca, Ba, Li, LiF, Cs, indium (In), Mg, Ag, or an alloy thereof, and a second layer made of a metal layer of Mg, Ag, or an alloy thereof.
  • the multi-layer film of the semi-transmissive reflective film 210 may be made of the same material, for example, the first layer and the second layer made of an alloy metal layer of Mg and Ag, and the concentrations of the metals contained in these layers are different. More specifically, in this embodiment, for example, the Ag concentration of the first layer (lower layer) is made low and the Ag concentration of the second layer (upper layer) is made high. In this way, it is possible to increase the electron injection property while increasing the light extraction efficiency.
  • the semi-transmissive reflective film 210 may be made of a dielectric multilayer film.
  • the dielectric multilayer film is made of transparent material layers, and in order to obtain a half-mirror function, it is preferable that the refractive index difference with the second electrode 206 is 0.1 or more.
  • the dielectric can be made of a material containing, for example, an oxide, a nitride, a sulfide, a carbonate, a fluoride, or an organic compound.
  • the thickness of the semi-transmissive reflective film 210 is preferably, for example, 3 to 20 nm. Furthermore, in this embodiment, the semi-transmissive reflective film 210 can be formed as a continuous film on the optical adjustment layer 208 and the element isolation layer 220 described later, across the multiple light-emitting elements 200. In this embodiment, as described later, unevenness is formed on the light-emitting elements 200 and between the light-emitting elements 200 due to the element isolation layer 220. Since the semi-transmissive reflective film 210 is formed on this unevenness, the semi-transmissive reflective film 210 becomes redundant and can function as a lower resistance electrode together with the second electrode 206 and the optical adjustment layer 208. As a result, even if the display device 10 is made larger, the voltage drop caused by the resistance of the electrodes can be suppressed, making it possible to uniform the brightness within the surface of the display device 10.
  • each light emitting element 200 is separated from the others by an element isolation layer 220 provided so as to surround the region (element region) in which the light emitting element 200 is located. Furthermore, in this embodiment, the size (width) of the opening provided in the element isolation layer 220, which is the element region surrounded by the element isolation layer 220, varies depending on the color (wavelength) of light emitted from the light emitting element 200.
  • the above-mentioned optical adjustment layer 208 is provided so as to be embedded in the element region surrounded by the element isolation layer 220.
  • the surface of the element isolation layer 220 is covered with the optical adjustment layer 208 and the semi-transmissive reflective film 210.
  • the thickness of the element isolation layer 220 is preferably, for example, 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the element isolation layer 220 can be formed from an inorganic material, an organic material, a metal material, or the like. More specifically, the element isolation layer 220 can be formed from, for example, nitrides, oxides, oxynitrides, such as SiOx, SiNx, SiON, aluminum oxide (AlOx), titanium oxide (TiOx), and niobium oxide (NbO), and may further be formed from fluorides, organic compounds, or the like.
  • the size (width) of the opening provided in the element isolation layer 220 which is the element region surrounded by the element isolation layer 220, depending on the color (wavelength) of light emitted from the light emitting element 200, it is possible to optimize the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 while simultaneously forming the optical adjustment layer 208 of each light emitting element 200 that emits light of different colors.
  • the area of the element region (opening) surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is made larger than the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Also, in this embodiment, the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g is made larger than the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is made larger than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g.
  • the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (second light emitting element) 200g is made wider than the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (third light emitting element) 200b.
  • the spacing S between the pair of element isolation layers 220 sandwiching each light emitting element 200 is preferably, for example, 5 ⁇ m or less.
  • the difference between the spacing S between the pair of element isolation layers 220 sandwiching one type of light emitting element 200 among the three light emitting elements 200r, 200g, and 200b of red, blue, and green and the spacing S between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the other type of light emitting element 200 is preferably, for example, 0.5 ⁇ m or more.
  • the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 that emits light of different colors is formed collectively, while the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this embodiment, the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 can be easily optimized by changing the area of the opening (the spacing of the element isolation layer 220) provided in the element isolation layer 220, which is the element region surrounded by the element isolation layer 220, and therefore it is possible to form a microcavity structure with high accuracy.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • unevenness is formed on the light-emitting elements 200 and between the light-emitting elements 200 by the element isolation layer 220.
  • the penetration length of the moisture that progresses along the surface of the element isolation layer 220 and the semi-transmissive reflective film 210 becomes longer due to the uneven shape, and the delay in the penetration improves the reliability of the display device 10.
  • the light-emitting element 200 may be covered with a protective film (not shown), and a sealing material layer, an opposing substrate, etc. may be provided on the protective film.
  • the light-emitting regions of the three light-emitting elements 200r, 200g, 200b of red, blue, and green colors exposed from the opening (element region) of the element isolation layer 220 have a rectangular shape and differ in area.
  • the area of the light-emitting region of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is larger than the area of the light-emitting region of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g.
  • the area of the light-emitting region of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g is larger than the area of the light-emitting region of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • Fig. 6A to Fig. 6D are explanatory views for explaining the method for manufacturing the light-emitting device 200 of this embodiment, and correspond to the cross-sectional view of Fig. 5A.
  • transistors and the like are appropriately formed in wells provided in a substrate 300 made of a semiconductor material such as silicon.
  • a wiring layer required for driving the light-emitting element 200 is formed.
  • the wiring (not shown) included in the wiring layer can be formed by lithography using a material such as Al.
  • the vias 302 included in the wiring layer can be formed using a material such as tungsten (W).
  • a first electrode 202 is formed on the substrate 300.
  • the first electrode 202 can be formed by forming an Al alloy by sputtering and patterning it.
  • a SiNx film is formed as an insulating material layer constituting the inter-pixel insulating section 230 on the entire surface including the first electrode 202. Furthermore, the insulating material layer is patterned using a patterning technique such as lithography or etching to expose a part of the upper surface of the first electrode 202. In this way, the configuration shown in FIG. 6A can be obtained.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are laminated in this order on the first electrode (first reflecting surface) 202 as the organic EL film (light emitting portion) 204.
  • the organic EL film 204 can be formed by using a vapor deposition method.
  • IZO is laminated over the entire surface as the second electrode 206 by a sputtering method.
  • a SiN film is formed over the entire surface as the element isolation layer 220 on the second electrode 206 by a CVD method. In this manner, the configuration shown in FIG. 6B can be obtained.
  • the SiN film is processed, for example, by dry etching, to leave the SiN film so as to surround the region (element region) where the light emitting element 200 is formed, thereby forming an opening 222 surrounding the element region.
  • the SiN film is processed so that the area of the element region surrounded by the SiN film varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200. In this way, an element isolation layer 220 as shown in FIG. 6C can be obtained.
  • IZO is formed over the entire surface by sputtering as the optical adjustment layer 208.
  • the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200, and therefore the film thickness of the optical adjustment layer 208 embedded in the element region varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200. In this way, the element isolation layer 220 as shown in FIG. 6D can be obtained.
  • a semi-transmissive reflective film (second reflective surface) 210 for example an Ag alloy film, is formed over the entire surface by sputtering or vapor deposition. In this way, a light-emitting element 200 as shown in FIG. 5A can be obtained.
  • an inorganic protective film (not shown) made of, for example, SiON is formed over the entire surface by CVD. Furthermore, an organic protective film (not shown) made of, for example, acrylic resin is formed over the entire surface by screen printing. Next, an inorganic protective film (not shown) made of, for example, SiON is formed over the entire surface by CVD.
  • the display device 10 can be manufactured.
  • Fig. 7 is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting element 200 according to a first modified example of the present embodiment, and shows a cross section of a first electrode 202 and an inter-pixel insulating portion 230.
  • this modification variations of the first electrode 202 and the inter-pixel insulating portion 230 will be described.
  • FIG. 7(a) shows a cross section of the first electrode 202 and inter-pixel insulating portion 230 of the first embodiment described above.
  • the outer periphery of the first electrode 202 is covered with the inter-pixel insulating portion 230, and the center of the first electrode 202 exposed from the opening (pixel opening) of the inter-pixel insulating portion 230 functions as an electrode.
  • the inter-pixel insulating portion 230 defines the light-emitting region by the pixel opening.
  • the organic EL film 204 in this embodiment is formed over the entire surface across multiple light-emitting elements 200, and the inter-pixel insulating portion 230 can suppress current leakage (lateral leakage) between adjacent light-emitting elements 200.
  • the end of the first electrode 202 may have an inclined surface or a rounded shape. In this way, diffuse reflection of light caused by unintended emission at the end of the first electrode 202 can be suppressed.
  • a recessed portion may be formed in the first electrode 202.
  • the recessed portion By forming the recessed portion in this manner, it is possible to suppress a decrease in luminous efficiency and abnormal luminescence caused by current leakage in the organic EL film 204 located at the edge of the pixel opening.
  • the end of the inter-pixel insulating portion 230 is sloped or the corners are rounded, thereby preventing the organic EL film 204 from becoming locally thin, and thus preventing the above-mentioned current leakage.
  • the inter-pixel insulating section 230 by forming the inter-pixel insulating section 230 into an inverted taper shape or an overhanging shape and depositing the organic EL film 204, the hole injection layer, hole transport layer, and charge generation layer located in the lower layer of the organic EL film 204 are thinned or separated by the inverted taper shape or overhanging shape of the inter-pixel insulating section 230. As a result, current leakage between multiple light-emitting elements 200 can be suppressed.
  • the eaves-shaped portion of the inter-pixel insulating portion 230 may be multi-staged, and as shown in FIG. 7(i), multi-stage eaves portions may be formed on the inclined surface of the inter-pixel insulating portion 230 with their tips positioned at different positions.
  • a groove 234 may be provided between the light-emitting elements 200. This also makes it possible to suppress current leakage between multiple light-emitting elements 200. Also, as shown in FIG. 7(k), the groove 234 may be provided with a canopy.
  • inter-pixel electrodes 232 may be formed between the multiple light-emitting elements 200.
  • the inter-pixel electrodes 232 can draw in leakage current, thereby preventing a decrease in light-emitting efficiency and abnormal light emission.
  • Figures 8A to 8I are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the second modification of the present embodiment, and more specifically, show a cross section of the layer structure of an organic EL film 204. In this modification, variations in the organic EL film 204 will be described.
  • FIG. 8A shows a cross section of the organic EL film 204 of the first embodiment described above.
  • the organic EL film 204 has a so-called one-stack structure, in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, a light-emitting separation layer, a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the bottom up.
  • FIG. 8B there may be two light-emitting separation layers between the light-emitting layers.
  • the light-emitting layer may be composed of two color layers, a blue light-emitting layer and a yellow light-emitting layer.
  • the organic EL film 204 may have a so-called 2-stack structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light-emitting layer, an electron transport layer, a charge generation layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a yellow light-emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the bottom up.
  • the light-emitting layers may be composed of three colors, red, green, and blue.
  • a light-emitting separation layer may be provided between the light-emitting layers.
  • the red, green, and blue light-emitting layers may be partially painted differently.
  • the light-emitting layers may be painted to include either an electron blocking layer or a hole blocking layer, or both.
  • the green light-emitting layer and the red light-emitting layer may be partially painted differently, and then the blue light-emitting layer may be laminated as a common layer.
  • each light-emitting layer may be constructed by laminating layers of different materials of the same color.
  • functions can be separated. This prevents localized deterioration within the light-emitting layer, resulting in a highly efficient, long-life element.
  • FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views for explaining an example of a configuration of a main part of the light-emitting element 200 according to the third modification of this embodiment, and in detail show a cross section of the element isolation layer 220.
  • variations in the element isolation layer 220 will be described.
  • the optical adjustment layer 208 by changing the spacing and shape of the element isolation layer 220, it is possible to collectively form the optical adjustment layer 208 having a film thickness according to the color of light emitted by the light-emitting element 200.
  • FIG. 9A(a) shows a cross section of the element isolation layer 220 of the first embodiment described above.
  • the cross section of the element isolation layer 220 is rectangular.
  • the cross section of the element isolation layer 220 may be tapered, and as shown in FIG. 9A(c), the cross section of the element isolation layer 220 may be curved. Furthermore, as shown in FIG. 9A(d), the cross section of the element isolation layer 220 may be multi-stepped, as shown in FIG. 9A(e), the cross section of the element isolation layer 220 may be eaves-shaped, and as shown in FIG. 9A(f), the cross section of the element isolation layer 220 may be rounded.
  • multiple element isolation layers 220 may be provided between the light-emitting elements 200.
  • the inside of the element isolation layer 220 may be provided with a light guide portion 226 made of a low refractive index material.
  • the low refractive index material may be, for example, a transparent material such as SiNx, SiOx , LiF, magnesium fluoride (MgF), SiON, an organic material used in the organic EL film 204, other organic compounds, a low refractive index resin, or the like.
  • the light guide portion 226 functions as a reflective surface and can guide light from the organic EL film 204 upward.
  • the light guide portion 226 may also be formed from a metal material including Al, Ti, Cu, W, Ag, Mg, or the like. In this way, the light extraction efficiency is further improved and color mixing is further suppressed.
  • an air gap 228 may be provided in the element isolation layer 220.
  • the light guide 226 can function as a reflective surface and guide the light from the organic EL film 204 upward. As a result, the light extraction efficiency is improved and color mixing between adjacent light emitting elements 200 can be suppressed.
  • Fig. 10A is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to the fourth modification of the present embodiment.
  • Fig. 10B is a plan view for explaining an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to the fourth modification of the present embodiment.
  • the light-emitting element 200 further has a reflector 312 provided below the first electrode 202.
  • the light-emitting element 200 has a first electrode (anode) 202, an organic EL film (light-emitting portion) 204, a second electrode (cathode) 206, an optical adjustment layer 208, a semi-transmissive reflective film 210, an insulating film 320, and a reflector 312.
  • the reflector 312 is provided below the first electrode 202 via the insulating film 320.
  • the reflector 312 and the semi-transmissive reflective film 210 function as a first and second reflective surface, and have a microcavity structure in which the distances Lb, Lg, and Lr between the reflector 312 and the semi-transmissive reflective film 210 satisfy the above-mentioned formula (1) for the color (wavelength) of light emitted from the light-emitting element 200. Therefore, according to this modified example, light from the organic EL film 204 can be efficiently extracted above each light-emitting element 200.
  • the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (third light-emitting element) 200b is narrower than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Therefore, although the distance from the reflector 312 to the second electrode 206 is the same in the light-emitting element 200b and the light-emitting element 200g, the film thickness of the optical adjustment layer 208 is different, and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element 200b is thinner than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element 200g.
  • the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is equal to the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Therefore, the light-emitting element 200r and the light-emitting element 200g have the same film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element 200r and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element 200g, but the distance from the reflector 312 to the second electrode 206 is different.
  • the film thickness of the insulating film 320 under the first electrode 202 is made thicker in the light-emitting element 200r, thereby making the distance Lr longer than the distance Lg.
  • the optical path L can be adjusted by the film thickness of the insulating film 320, so that adjustments can be made more precisely according to the wavelength of light. This makes it possible to form a microcavity structure with precision, and the light extraction efficiency can be further improved. That is, in this modified example, by using the reflector 312 and the insulating film 320, it is possible to form a microcavity structure with precision, while increasing the degree of freedom in the shape and size of the light-emitting element 200 in plan view.
  • the optical distance L was adjusted by changing the film thickness of the insulating film 320 under the first electrode 202, but in this modified example, the method is not limited to this, and the optical distance L may be adjusted by changing the film thickness of the first electrode 202, for example.
  • the insulating film 320 may be a multi-layer film composed of insulating films 320a and 320b made of different materials.
  • the reflector 312 may be formed, for example, from a metal such as Al, Ag, or Cu, or an alloy containing these as its main components.
  • the first electrode 202 may also be electrically connected to the reflector 312.
  • the first electrode 202 may be connected to a driving circuit of the substrate 300 via the reflector 312.
  • the first electrode 202 and the reflector 312 may be connected by contact portions 252 arranged around the first electrode 202 (near the light-emitting element 200 in the effective pixel area), and one or more contact portions 252 may be provided for one first electrode 202.
  • the reflector 312 and the first electrode 202 may have different dimensions, and may be arranged so that at least a portion of them overlap each other.
  • the reflector 312 is not limited to being separated for each light-emitting element 200, but may be provided as a single, continuous layer so as to be common to multiple light-emitting elements 200.
  • FIG. 11A and Fig. 11B are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the fifth modified example of the present embodiment.
  • a contact portion connected to the second electrode 206 will be described.
  • the second electrode 206, the optical adjustment layer 208, and the semi-transmissive reflective film 210 on the organic EL film 204 are electrically connected to the potential supply wiring 304 through the contact hole 306 in the cathode contact portion 252 arranged in the outer periphery 250 of the display area in which the multiple light-emitting elements 200 are arranged in a matrix.
  • the optical adjustment layer 208 and the semi-transmissive reflective film 210 may be connected to the second electrode 206a located around the light-emitting element 200 in the effective pixel region.
  • a protective film 240 can be disposed between the second electrode 206 of the light-emitting element 200 in the effective pixel region and the optical adjustment layer 208.
  • the protective film 240 is formed on the second electrode 206, thereby making it possible to suppress damage to the second electrode 206 during processing of the element isolation layer 220. As a result, this modification makes it possible to improve the reliability of the display device 10.
  • Fig. 12A and Fig. 12B are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the sixth modification of the present embodiment.
  • a protective film that covers the entire light-emitting element 200 will be described.
  • the protective film that covers the entire light-emitting element 200 is intended to prevent moisture from entering the organic EL film 204, and is formed using a material with low transparency and water permeability.
  • materials for the protective film include SiNx, SiOx, AlOx, TiOx, or combinations of these.
  • the thickness of the protective film is preferably, for example, 0.5 to 8 ⁇ m.
  • the protective film may be a laminated film. Specifically, as shown in FIG. 12A, the protective film may be composed of three layers: a first inorganic protective film 330, an organic protective film 332, and a second inorganic protective film 334.
  • the first inorganic protective film 330 and the second inorganic protective film 334 may be made of SiON or the like.
  • the organic protective film 332 may be made of acrylic resin or the like.
  • the first inorganic protective film 330 and the second inorganic protective film 334 are connected at the outer periphery of the display area.
  • an opposing substrate may be provided on the protective film. After the protective film is formed, the opposing substrate is sealed by applying a UV-curable resin or a thermosetting resin and bonding it together.
  • the opposing substrate may be provided with a light-shielding film as a color filter or black matrix, which enhances the color purity of the light generated by the light-emitting elements 200 and extracts it, and absorbs external light reflected by the wiring between the light-emitting elements 200, improving contrast.
  • Fig. 13A and Fig. 13B are cross-sectional views for explaining an example of a configuration of a main part of a light-emitting device 200 according to the seventh modification of the present embodiment.
  • OCCF on-chip color filter
  • an on-chip color filter 336 may be provided between the light-emitting element 200 and the opposing substrate (not shown).
  • a blue color filter 336b may be provided on the protective film 342 covering the light-emitting element 200b
  • a blue color filter 336g may be provided on the protective film 342 covering the light-emitting element 200g
  • a red color filter 336r may be provided on the protective film 342 covering the light-emitting element 200r.
  • this modified example is not limited to providing the color filter 336 on all the light-emitting elements 200, and may be provided only on some of the light-emitting elements 200.
  • a partition 338 may be provided between the color filters 336.
  • the partition 338 is made of a light-transmitting material and is disposed between the color filters 336 to suppress color mixing between adjacent light-emitting elements 200.
  • adjacent color filters 336 may be overlapped with each other to function as a light-shielding film. As shown in FIG.
  • the thickness of the color filter 336 of one type of light-emitting element 200 among the light-emitting elements 200r, 200g, and 200b of three colors, red, blue, and green, may be thinner than the partition 338, and the thickness of the color filter 336 of the other type of light-emitting element 200 may be thicker than the partition 338.
  • the light-emitting element 200 has a microcavity structure, so that the color purity is high, and therefore the color filter 336 can be made thin. Therefore, in this modified example, by thinning at least some of the color filters, the light loss in the color filter 336 can be reduced and the light extraction efficiency can be increased.
  • color filters 336b, 336g, and 336r of different colors may be stacked on the periphery of the display area to function as a peripheral light-shielding film 340.
  • the peripheral light-shielding film 340 can be formed simultaneously with the formation of the color filter 336, so that a light-shielding function can be added without increasing the number of processes, and adverse optical effects can be reduced.
  • optical components such as the color filter 336 may be encapsulated in a protective film (not shown).
  • a protective film it is preferable to form an inorganic protective film (not shown) so as to cover the top and bottom of the color filter 336, etc., and to connect these inorganic protective films at the outer periphery of the display area.
  • an inorganic protective film not shown
  • the reliability of the display device 10 can be improved.
  • the color filter 336 may be arranged with an offset within the plane of the display area relative to the center of the pixel aperture. By shifting the relative positional relationship from the center to the periphery of the display area, it is possible to improve the viewing angle characteristics. This will be described in more detail later.
  • FIG. 14A to Fig. 14C are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting device 200 according to the eighth modification of the present embodiment.
  • OCL on-chip lens
  • an on-chip lens 350 may be provided above the light-emitting element 200.
  • the on-chip lens 350 it is possible to increase the light extraction efficiency.
  • this modification is not limited to providing the on-chip lens 350 on all the light-emitting elements 200, and the on-chip lens 350 may be provided on only some of the light-emitting elements 200.
  • the width and height of the on-chip lens 350 may differ depending on the size of the light-emitting element 200.
  • optical components such as the on-chip lens 350 may be encapsulated in a protective film (not shown).
  • a protective film (not shown).
  • inorganic protective films (not shown) so as to cover the top and bottom of the on-chip lens 350, etc., and to connect these inorganic protective films at the outer periphery of the display area.
  • the on-chip lens 350 may also be arranged with an offset within the plane of the display area relative to the center of the pixel aperture. By shifting the relative positional relationship from the center to the periphery of the display area, it is possible to improve the viewing angle characteristics. This will be described in more detail later.
  • Fig. 15 is a plan view for explaining an example of a configuration of a light-emitting element 200 according to the ninth modified example of the present embodiment. In this modification, variations in the layout of the light-emitting element 200 in a plan view will be described.
  • the light emitting elements 200 may be arranged in a stripe pattern, as shown in Figs. 15(d) and (e), the light emitting elements 200 may be arranged in a square arrangement (each light emitting element 200 is arranged at the vertices of a rectangle), as shown in Figs. 15(f) and (g), the light emitting elements 200 may be arranged in a delta arrangement (each light emitting element 200 is arranged at the vertices of a triangle). Any color may be assigned to each light emitting element 200. As shown in Fig.
  • the width of the inter-pixel insulating portion 230 may be adjusted so that the area of the pixel opening (light emitting region) of each light emitting element 200 is the same. As shown in Fig. 15(c), multiple light emitting elements 200 may be arranged in a region (element region) surrounded by one element isolation layer 220.
  • Fig. 16A and Fig. 16C are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the modification 10 of this embodiment
  • Fig. 16B is a plan view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the modification 10 of this embodiment.
  • this modification a form in which one sub-pixel 100 is divided into a plurality of light-emitting elements 200 will be described.
  • sub-pixel 100B is divided into nine parts by inter-pixel insulation section 230 and has nine light-emitting elements 200b
  • sub-pixel 100G is divided into four parts by inter-pixel insulation section 230 and has four light-emitting elements 200g
  • sub-pixel 100R is not divided and has one light-emitting element 200r. That is, in this modified example, sub-pixels (first sub-pixel, second sub-pixel) 100G, 100B, which are treated as one unit during control, have multiple light-emitting elements 200g, 200b.
  • an element isolation layer 220 is provided between each light-emitting element 200, and the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is wider than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g.
  • the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g is wider than the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 that emits light of different colors is formed collectively, and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this modified example, the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 can be easily optimized, making it possible to form a microcavity structure with high accuracy.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • the subpixels 100 are divided, it is possible to improve the light extraction efficiency without compromising the definition or light-emitting area.
  • one or more light-emitting elements 200 in each subpixel 100 share one first electrode 202, and multiple subpixels 100 share the organic EL film 204 and the second electrode 206.
  • the on-chip lens 350 may be formed for each light-emitting element 200, not for each sub-pixel 100. In this way, the light extraction efficiency can be further improved. Note that in this modification, the on-chip lens 350 is not limited to being provided for each light-emitting element 200, and may be provided for each sub-pixel 100.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view for describing an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to the present embodiment.
  • the organic EL film 204 and the second electrode 206 are separated as separate layers for each light-emitting element 200. Furthermore, the separated second electrodes 206 are electrically connected to each other by the optical adjustment layer 208 and the semi-transmissive reflective film 210.
  • the hole injection layer and the charge generation layer which are likely to cause leakage between adjacent light-emitting elements 200, are separated between the light-emitting elements 200, so that leakage between the light-emitting elements 200 can be suppressed.
  • the plan view of the light-emitting element 200 according to this embodiment is the same as that of the first embodiment described using FIG. 5B, and therefore the description thereof will be omitted here.
  • the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 also function as the first and second reflective surfaces.
  • the light-emitting elements 200r, 200g, and 200b according to this embodiment have a microcavity structure in which the distances Lb, Lg, and Lr between the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 satisfy the above-mentioned formula (1) according to the color (wavelength) of the light emitted from the light-emitting element 200, as shown in FIG. 17.
  • an element isolation layer 220 is provided between each light emitting element 200.
  • the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (first light emitting element) 200r is made wider than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (second light emitting element) 200g.
  • the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (second light emitting element) 200g is made wider than the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (third light emitting element) 200b.
  • the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 that emits light of different colors is formed collectively, and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this embodiment, the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 can be easily optimized by changing the area of the opening (the spacing of the element isolation layer 220) provided in the element isolation layer 220, which is the element region surrounded by the element isolation layer 220, and therefore it is possible to form a microcavity structure with high accuracy.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • the organic EL film 204 may be formed to be narrower than the width of the first electrode 202, and may also be formed to be narrower than the width of the second electrode 206. Also, in this embodiment, in the cross-sectional view of FIG. 17, the organic EL film 204 and the second electrode 206 may have tapered end faces.
  • a sidewall protective film (not shown) containing the constituent elements of the base may be formed on the end surface of the organic EL film 204, thereby improving reliability.
  • a sidewall protective film (not shown) made of an oxide containing the constituent elements of the first electrode 202, such as AlOx, may be formed on the end surface of the first electrode 202. In this way, the insulating effect between the multiple light-emitting elements 200 can be improved, making it possible to further narrow the pitch and obtain high-definition elements.
  • the sidewall reflection area at the end face of the light emitting element 200 can be increased, and the light extraction efficiency can be further improved.
  • the low refractive index material include transparent materials such as SiNx, SiO2, LiF, MgF, and SiON.
  • the low refractive index material may also be a porous film (a film with low film density). For example, by using SiOx as a porous film, a film with an even lower refractive index, having a refractive index of 1.4 or less, can be obtained.
  • the low refractive index material may also be composed of the organic material used in the organic EL film 204, other organic compounds, or low refractive index resins.
  • the low refractive index film may also be formed as a low refractive index portion within the sidewall protective film. Furthermore, such a low refractive index portion within the sidewall protective film may be an air gap.
  • Fig. 18A to Fig. 18F are explanatory views for explaining the method for manufacturing the light-emitting element 200 of this embodiment, and correspond to the cross-sectional views of Fig. 17.
  • transistors and the like are appropriately formed in wells provided in a substrate 300 made of a semiconductor material such as silicon.
  • a wiring layer required for driving the light-emitting element 200 is formed.
  • a first electrode 202 is formed on the substrate 300. In this manner, a configuration such as that shown in FIG. 18A can be obtained.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are laminated in this order on the first electrode (first reflecting surface) 202 as the organic EL film (light emitting portion) 204.
  • IZO is laminated over the entire surface as the second electrode 206 by a sputtering method.
  • a SiN film is formed over the entire surface as the protective film 224 on the second electrode 206 by a CVD method. In this manner, the configuration shown in FIG. 18B can be obtained.
  • each layer is processed so that the organic EL film 204, the second electrode 206, and the protective film 224 are completely separated. In this way, the shape shown in Figure 18C can be obtained.
  • an element isolation layer 220 is formed over the entire surface by CVD, for example, using SiN, so as to cover the processed end surface of the processed organic EL film 204. In this way, the shape shown in Figure 18D can be obtained.
  • the SiN film is processed, for example, by dry etching, and the SiN film is left so as to surround the region (element region) where the light emitting element 200 is formed, thereby forming an opening 222 surrounding the element region.
  • the SiN film is processed so that the area of the element region surrounded by the SiN film varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200. In this way, an element isolation layer 220 as shown in FIG. 18E can be obtained.
  • the optical adjustment layer 208 is formed over the entire surface.
  • the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200, and therefore the film thickness of the optical adjustment layer 208 embedded in the element region varies depending on the color of light emitted by the light emitting element 200.
  • the element isolation layer 220 as shown in FIG. 18F can be obtained.
  • a semi-transmissive reflective film (second reflective surface) 210 is formed over the entire surface. In this manner, a light-emitting element 200 as shown in FIG. 17 can be obtained.
  • Fig. 19 is a plan view for explaining an example of a configuration of a main part of a light emitting device 200 according to a first modified example of this embodiment, and in detail shows the shape of the light emitting device 200 in a plan view. In this modification, variations in the shape of the light emitting device 200 in a plan view will be described.
  • the shape of the light emitting element 200 in plan view (specifically, the shape of the light emitting region of the light emitting element 200 exposed from the opening (element region) of the element isolation layer 220) may be rectangular, circular, polygonal, or donut-shaped with the center removed. Also, as shown in FIGS. 19(g) to (i), the shape of the light emitting element 200 in plan view may be curved, for example, S-shaped, U-shaped, or L-shaped.
  • the side surface in contact with the surrounding element isolation layer 220 can be widened, and the reflective surface that reflects the light from the organic EL film 204 in the element isolation layer 220 can be widened. Therefore, in this modified example, the light from the organic EL film 204 can be efficiently guided upward, improving the light extraction efficiency.
  • FIGS 20A to 20H are cross-sectional views for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the second modification of the present embodiment.
  • this modification a variation of the organic EL film 204 will be described.
  • the modification is the same as the second modification of the first embodiment described with reference to Figures 8A to 8I, and therefore detailed description thereof will be omitted here.
  • Fig. 21A is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to the third modification of the present embodiment
  • Fig. 21B is a plan view for explaining an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to the third modification of the present embodiment.
  • a contact portion connected to the second electrode 206 will be described.
  • the second electrode 206, the optical adjustment layer 208, and the semi-transmissive reflective film 210 on the organic EL film 204 may be electrically connected to the potential supply wiring 304 through a contact hole 306 in a cathode contact section 252 arranged in the outer periphery 250 of the display area where the multiple light-emitting elements 200 are arranged in a matrix. Furthermore, as shown in FIG. 21A, the second electrode 206, the optical adjustment layer 208, and the semi-transmissive reflective film 210 on the organic EL film 204 may be connected to the cathode contact section 252 located around the light-emitting elements 200 in the effective pixel area.
  • the cathode contact portion 252 may be disposed for each light-emitting element 200 adjacent to the light-emitting element in the effective pixel area. As shown in FIG. 21B(c), the cathode contact portion 252 may be shared between adjacent light-emitting elements 200, or as shown in FIG. 21B(d), the cathode contact portions 252 may be thinned out. In this manner, by disposing the cathode contact portions 252 near the light-emitting elements 200 or in the outer periphery 250 of the display area, it is possible to effectively suppress voltage drops due to resistance. As a result, according to this modified example, it is possible to obtain uniform brightness within the surface even if the display area is enlarged.
  • Fig. 22 is a plan view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the fourth modification of the present embodiment.
  • a configuration in which a part of the organic EL film 204 and the second electrode 206 are connected to the organic EL film 204 and the second electrode 206 of an adjacent light-emitting element 200 will be described.
  • cross section A in FIG. 22(a) has a shape similar to the cross-sectional view of the second embodiment shown in FIG. 17, and cross section B in FIG. 22(a) has a shape similar to the cross-sectional view of the first embodiment shown in FIG. 5A.
  • this modification since parts of the second electrode 206 are connected along the horizontal and vertical directions in the figure, it is easy to ensure electrical connection, and a margin can be secured in the manufacturing process.
  • a portion of the organic EL film 204 and the second electrode 206 are connected to each other via a connection portion (first connection portion, second connection portion) 204a along the vertical direction in the figure.
  • the second electrode 206 is connected, which reduces the resistance compared to the present embodiment, and therefore the voltage drop caused by the resistance can be effectively suppressed, and even if the display area is enlarged, uniform brightness can be obtained within the surface. Furthermore, in this modified example, in the areas where the organic EL film 204 is divided, current leakage between the light-emitting elements 200 can be suppressed, as in the present embodiment.
  • Fig. 23 is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to the fifth modification of this embodiment.
  • a mode in which one sub-pixel 100 is divided into a plurality of light-emitting elements 200 will be described.
  • a plan view of the light-emitting element 200 according to this modification is similar to that of the tenth modification of the first embodiment described with reference to Fig. 16B, and therefore a description thereof will be omitted here.
  • sub-pixel 100B is divided into nine parts by inter-pixel insulation section 230 and has nine light-emitting elements 200b
  • sub-pixel 100G is divided into four parts by inter-pixel insulation section 230 and has four light-emitting elements 200g
  • sub-pixel 100R is not divided and has one light-emitting element 200r. That is, in this modified example, sub-pixels 100G and 100B, which are treated as a single unit during control, have multiple light-emitting elements 200g and 200b.
  • an element isolation layer 220 is provided between each light-emitting element 200, and the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is wider than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g.
  • the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (second light-emitting element) 200g is wider than the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 that sandwich the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 that emits light of different colors is formed collectively, and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this modified example, the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 can be easily optimized, making it possible to form a microcavity structure with high accuracy.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • the sub-pixels 100 are divided, it is possible to improve the light extraction efficiency without compromising the resolution or light-emitting area.
  • one or more light-emitting elements 200 in each sub-pixel 100 share one first electrode 202.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view for describing an example of the configuration of the light-emitting element 200 according to this embodiment.
  • the optical adjustment layer 208 is configured with a protective film 260.
  • the protective film 260 is a transparent insulating material, and is configured from nitrides, oxides, oxynitrides, fluorides, and organic compounds such as SiNx, SiOx, SiON, AlOx, TiOx, NbO, and zinc oxide (ZnO).
  • the protective film 260 may have a laminated structure.
  • the plan view of the light-emitting element 200 according to this embodiment is the same as that of the first embodiment described using FIG. 5B, and therefore the description thereof will be omitted here.
  • the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 also function as the first and second reflective surfaces.
  • the light-emitting elements 200r, 200g, and 200b according to this embodiment have a microcavity structure in which the distances Lb, Lg, and Lr between the first electrode 202 and the semi-transmissive reflective film 210 satisfy the above-mentioned formula (1) according to the color (wavelength) of the light emitted from the light-emitting element 200, as shown in FIG. 24.
  • an element isolation layer 220 is provided between each light emitting element 200.
  • the spacing Sr between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (first light emitting element) 200r is made wider than the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (second light emitting element) 200g.
  • the spacing Sg between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (second light emitting element) 200g is made wider than the spacing Sb between the pair of element isolation layers 220 sandwiching the light emitting element (third light emitting element) 200b.
  • the protective film 260 of each light-emitting element 200 that emits light of different colors is formed collectively, and the thickness of the protective film 260 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the thickness of the protective film 260 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this embodiment, the thickness of the protective film 260 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the thickness of the protective film 260 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the thickness of the protective film 260 of each light-emitting element 200 can be easily optimized by changing the area of the opening (the spacing of the element isolation layer 220) provided in the element isolation layer 220, which is the element region surrounded by the element isolation layer 220, and therefore it is possible to form a microcavity structure with high accuracy.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • the protective film 260 is formed on the second electrode 206, which makes it possible to suppress damage to the second electrode 206 during processing of the element isolation layer 220. As a result, this embodiment makes it possible to improve the reliability of the display device 10.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of a light-emitting element 200 according to a modified example of this embodiment.
  • a protective film 260 is applied to the above-mentioned second embodiment. That is, as shown in FIG. 25, the protective film 260 can be applied to a structure in which the organic EL film 204 and the second electrode 206 are separated as separate layers for each light-emitting element 200.
  • the plan view of the light-emitting element 200 according to this modified example is similar to the modified example 4 of the second embodiment described with reference to FIG. 22, and therefore the description thereof will be omitted here.
  • a sidewall protective film (not shown) containing the constituent elements of the base may be formed on the end face of the organic EL film 204, thereby improving reliability.
  • a sidewall protective film (not shown) made of an oxide containing the constituent elements of the first electrode 202, such as AlOx, may be formed on the end face of the first electrode 202. In this way, the insulating effect between the multiple light-emitting elements 200 can be improved, making it possible to further narrow the pitch and obtain high-definition elements.
  • the area of the element region (opening) surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r is made larger than the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Also, the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g is made larger than the area of the element region surrounded by the element isolation layer 220 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the optical adjustment layers 208 of each light-emitting element 200 that emit light of different colors are formed collectively, and the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (first light-emitting element) 200r can be easily made thicker than the film thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g. Furthermore, according to this embodiment, the thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (second light-emitting element) 200g can be easily made thicker than the thickness of the optical adjustment layer 208 of the light-emitting element (third light-emitting element) 200b.
  • the thickness of the optical adjustment layer 208 of each light-emitting element 200 can be easily optimized, so that it is possible to form a microcavity structure with high precision.
  • the light extraction efficiency can be improved by the resonance of light due to the optimized microcavity structure.
  • unevenness is formed on the light-emitting elements 200 and between the light-emitting elements 200 by the element isolation layer 220.
  • the penetration length of the moisture that progresses along the surface of the element isolation layer 220 and the semi-transmissive reflective film 210 is lengthened by the uneven shape, and the delay in this penetration improves the reliability of the display device 10.
  • the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure can be manufactured using the methods, devices, and conditions used in the manufacture of general semiconductor devices.
  • the display device 10 according to the present embodiment can be manufactured using existing semiconductor device manufacturing methods.
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • PVD methods include vacuum deposition, EB (Electron Beam) deposition, various sputtering methods (magnetron sputtering, RF (Radio Frequency)-DC (Direct Current) combined bias sputtering, ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering, facing target sputtering, high frequency sputtering, etc.), ion plating, laser ablation, molecular beam epitaxy (MBE (Molecular Beam Epitaxy)), and laser transfer.
  • MBE molecular beam epitaxy
  • CVD examples include plasma CVD, thermal CVD, metal organic (MO) CVD, and photo CVD.
  • Other methods include electrolytic plating, electroless plating, spin coating, immersion, casting, microcontact printing, drop casting, various printing methods such as screen printing, inkjet printing, offset printing, gravure printing, and flexographic printing, stamping, spraying, and various coating methods such as air doctor coater, blade coater, rod coater, knife coater, squeeze coater, reverse roll coater, transfer roll coater, gravure coater, kiss coater, cast coater, spray coater, slit orifice coater, and calendar coater.
  • Examples of the patterning method include chemical etching such as shadow mask, laser transfer, and photolithography, and physical etching using ultraviolet light, laser, and the like.
  • planarization techniques include CMP (Chemical Mechanical Polishing), laser planarization, and reflow.
  • 26A to 26G are conceptual diagrams for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light-emitting unit, the normal LN' passing through the center of the lens member, and the normal LN" passing through the center of the wavelength selection unit.
  • the center of the subpixel 100 is referred to as the center of the light-emitting unit.
  • the size of the wavelength selection section may be changed as appropriate in response to the light emitted by the subpixel 100. Furthermore, when a light absorption layer (black matrix layer) is provided between the wavelength selection sections (e.g., color filters 336) of the adjacent subpixels 100, the size of the light absorption layer (black matrix layer) may be changed as appropriate in response to the light emitted by the subpixels 100. Furthermore, the size of the wavelength selection section (e.g., color filter 336) may be changed as appropriate in response to the distance (offset amount) d 0 between the normal line passing through the center of the subpixel 100 and the normal line passing through the center of the color filter 336.
  • the planar shape of the wavelength selection section e.g., color filter 336) may be the same as, similar to, or different from the planar shape of the lens member (e.g., on-chip lens 350).
  • a normal line LN passing through the center of the light-emitting section, a normal line LN′′ passing through the center of the wavelength selection section, and a normal line LN′ passing through the center of the lens member may be made to coincide.
  • the distance (offset amount) D 0 between the normal line passing through the center of the light-emitting section and the normal line passing through the center of the lens member and the distance (offset amount) d 0 between the normal line passing through the center of the light-emitting section and the normal line passing through the center of the wavelength selection section can be made equal to 0 (zero).
  • the normal LN passing through the center of the light-emitting section and the normal LN" passing through the center of the wavelength selection section are coincident, but the normal LN passing through the center of the light-emitting section and the normal LN" passing through the center of the wavelength selection section do not have to be coincident with the normal LN' passing through the center of the lens member.
  • the normal LN passing through the center of the light-emitting portion, the normal LN" passing through the center of the wavelength selection portion, and the normal LN' passing through the center of the lens member may not coincide with each other, and the normal LN" passing through the center of the wavelength selection portion and the normal LN' passing through the center of the lens member may coincide with each other.
  • the normal line LN passing through the center of the light-emitting section, the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section, and the normal line LN' passing through the center of the lens member do not coincide with each other, and the normal line LN' passing through the center of the lens member does not coincide with the normal line LN passing through the center of the light-emitting section and the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section.
  • the center of the wavelength selection section shown by a black square in FIG. 26D
  • the center of the wavelength selection section is located on a straight line LL connecting the center of the light-emitting section and the center of the lens member (shown by a black circle in FIG. 26D).
  • the layering relationship between the wavelength tip portion and the lens member may be reversed.
  • a normal line LN passing through the center of the light emitting portion, a normal line LN" passing through the center of the wavelength selecting portion, and a normal line LN' passing through the center of the lens member may be made to coincide.
  • the normal line LN passing through the center of the light-emitting section, the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section, and the normal line LN' passing through the center of the lens member may not coincide with each other, and the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section and the normal line LN' passing through the center of the lens member may coincide with each other.
  • the normal line LN passing through the center of the light-emitting section, the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section, and the normal line LN' passing through the center of the lens member do not coincide with each other, and the normal line LN' passing through the center of the lens member does not coincide with the normal line LN passing through the center of the light-emitting section and the normal line LN" passing through the center of the wavelength selection section.
  • the center of the wavelength selection section is located on a straight line LL connecting the center of the light-emitting section and the center of the lens member.
  • d 0 >D 0 >0 and D 0 :d 0 LL 2 :(LL 1 +LL 2 ) is satisfied, taking into account manufacturing variations.
  • the sub-pixel 1100 (specifically, the light-emitting element 200) used in the display device according to the embodiment of the present disclosure described above may be configured to include a resonator structure that resonates light generated in the light-emitting portion (the organic EL film 204).
  • the resonator structure will be described with reference to FIG. 27 to FIG. 33.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of the resonator structure
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of the resonator structure
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of the resonator structure.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of the resonator structure
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of the resonator structure
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of the resonator structure.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view for explaining a fourth example of the resonator structure
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view for explaining a fifth example of the resonator structure
  • FIG. 32 is a schematic cross-sectional view for explaining a sixth example of the resonator structure
  • FIG. 33 is a schematic cross-sectional view for explaining a seventh example of the resonator structure.
  • (Resonator structure: 1st example) 27 is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of the resonator structure.
  • the first electrode e.g., anode electrode
  • the second electrode e.g., cathode electrode
  • a reflector 1401 is disposed under the first electrode 1202 of the subpixel 1100 with an optical adjustment layer 1402 sandwiched therebetween.
  • a resonator structure is formed between the reflector 1401 and the second electrode 1206, which resonates the light generated by the organic layer (more specifically, the light-emitting portion) 1204.
  • the reflector 1401 is formed with a common thickness in each subpixel 1100.
  • the thickness of the optical adjustment layer 1402 varies depending on the color to be displayed by the subpixel 1100.
  • the upper surfaces of the reflectors 1401 in the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B are arranged so as to be aligned.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 1402 differs depending on the color that the sub-pixel 1100 is to display, and therefore the position of the upper surface of the second electrode 1206 differs depending on the type of the sub-pixel 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the reflector 1401 can be formed using, for example, a metal such as aluminum (Al), silver (Ag), or copper (Cu), or an alloy containing these as its main components.
  • the optical adjustment layer 1402 can be made of inorganic insulating materials such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiOxNy), or organic resin materials such as acrylic resins and polyimide resins.
  • the optical adjustment layer 1402 may be a single layer, or a laminated film of a plurality of these materials. The number of layers may vary depending on the type of subpixel 1100.
  • the first electrode 1202 can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the second electrode 1206 preferably functions as a semi-transmissive reflective film.
  • the second electrode 1206 can be formed using magnesium (Mg) or silver (Ag), or a magnesium-silver alloy (MgAg) containing these as main components, or an alloy containing an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • (Resonator structure: second example) 28 is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of the resonator structure.
  • the first electrode 1202 and the second electrode 1206 have the same film thickness in each sub-pixel 1100. has been formed.
  • a reflector 1401 is also disposed under the first electrode 1202 of the subpixel 1100, with the optical adjustment layer 1402 sandwiched between them.
  • a resonator structure that resonates the light generated by the organic layer 1204 is formed between the reflector 1401 and the second electrode 1206.
  • the reflector 1401 is formed to a common thickness in each subpixel 1100, and the thickness of the optical adjustment layer 1402 differs depending on the color that the subpixel 1100 is to display.
  • the upper surfaces of the reflectors 1401 in the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B are aligned, and the position of the upper surface of the second electrode 1206 differs depending on the type of the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the upper surfaces of the second electrodes 1206 are arranged so as to be aligned in the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the upper surfaces of the reflectors 1401 in the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B are arranged so as to differ depending on the type of the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the lower surface of the reflector 1401 has a stepped shape depending on the type of the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the materials constituting the reflector 1401, the optical adjustment layer 1402, the first electrode 1202, and the second electrode 1206 are the same as those described in the first example, so the description will be omitted.
  • (Resonator structure: 3rd example) 29 is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of the resonator structure.
  • the first electrode 1202 and the second electrode 1206 have a common film thickness in each sub-pixel 1100. has been formed.
  • a reflector 1401 is also disposed under the first electrode 1202 of the subpixel 1100, with the optical adjustment layer 1402 sandwiched between them.
  • a resonator structure that resonates the light generated by the organic layer 1204 is formed between the reflector 1401 and the second electrode 1206.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 1402 varies depending on the color that the subpixel 1100 is to display.
  • the upper surface of the second electrode 1206 is disposed so as to be aligned with the subpixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the lower surface of the reflector 1401 has a stepped shape corresponding to the type of sub-pixel 1100R, 1100G, or 1100B.
  • the film thickness of the reflector 1401 is set to be different depending on the type of sub-pixel 1100R, 1100G, 1100B. More specifically, the film thickness is set so that the bottom surfaces of the reflectors 1401R, 1401G, 1401B are aligned.
  • the materials constituting the reflector 1401, the optical adjustment layer 1402, the first electrode 1202, and the second electrode 1206 are the same as those described in the first example, so a description thereof will be omitted.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view for explaining a fourth example of the resonator structure.
  • the first electrode 1202 and the second electrode 1206 of the subpixel 1100 are formed to a common thickness.
  • a reflector 1401 is disposed under the first electrode 1202 of the subpixel 1100 with an optical adjustment layer 1402 sandwiched therebetween.
  • the optical adjustment layer 1402 is omitted, and the film thickness of the first electrode 1202 is set to be different depending on the type of the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the reflector 1401 is formed with a common thickness in each subpixel 1100.
  • the thickness of the first electrode 1202 varies depending on the color to be displayed by the subpixel 1100.
  • the materials constituting the reflector 1401, the first electrode 1202, and the second electrode 1206 are the same as those described in the first example, so a description thereof will be omitted.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view for explaining a fifth example of the resonator structure.
  • the first electrode 1202 and the second electrode 1206 are formed to a common thickness in each subpixel 1100.
  • a reflector 1401 is disposed under the first electrode 1202 of the subpixel 1100 with an optical adjustment layer 1402 sandwiched therebetween.
  • the optical adjustment layer 1402 is omitted, and instead, an oxide film 1404 is formed on the surface of the reflector 1401.
  • the thickness of the oxide film 1404 is set to be different depending on the type of the sub-pixels 1100R, 1100G, and 1100B.
  • the thickness of the oxide film 1404 varies depending on the color to be displayed by the subpixel 1100.
  • the oxide films 1404R, 1404G, and 1404B have different thicknesses, it is possible to set the optical distance that produces optimal resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the oxide film 1404 is a film formed by oxidizing the surface of the reflector 1401, and is made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, etc.
  • the oxide film 1404 functions as an insulating film for adjusting the optical path length (optical distance) between the reflector 1401 and the second electrode 1206.
  • the oxide film 1404 which has a different thickness depending on the type of sub-pixel 1100R, 1100G, 1100B, can be formed, for example, as follows.
  • a positive voltage is applied to the reflector 1401 with the electrode as the reference, and the reflector 1401 is anodized.
  • the thickness of the oxide film formed by anodization is proportional to the voltage value at the electrode. Therefore, anodization is performed while a voltage corresponding to the type of sub-pixel 1100R, 1100G, 1100B is applied to each of the reflectors 1401R, 1401G, 1401B. This makes it possible to form oxide films 1404 with different thicknesses all at once.
  • the materials constituting the reflector 1401, the first electrode 1202, and the second electrode 1206 are the same as those described in the first example, so a description thereof will be omitted.
  • (Resonator structure: 6th example) 32 is a schematic cross-sectional view for explaining the sixth example of the resonator structure.
  • the sub-pixel 1100 has a first electrode 1202, an organic layer 1204, and a second electrode 1206 stacked thereon.
  • the first electrode 1202 is formed so as to function both as an electrode and a reflector.
  • the first electrode (also serving as a reflector) 1202 is disposed in the sub-pixel 1100R,
  • the first electrode (also serving as a reflector) 1202 is formed of a material having an optical constant selected according to the type of the first electrode 1202.
  • the first electrode ...
  • the optical distance can be set to produce optimal resonance.
  • the first electrode (and reflector) 1202 can be made of a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu), or an alloy containing these as the main component.
  • the first electrode (and reflector) 1202R of the subpixel 1100R can be made of copper (Cu)
  • the first electrode (and reflector) 1202G of the subpixel 1100G and the first electrode (and reflector) 1202B of the subpixel 1100B can be made of aluminum.
  • the materials constituting the second electrode 1206 are the same as those described in the first example, so the description will be omitted.
  • (Resonator structure: 7th example) 33 is a schematic cross-sectional view for explaining a seventh example of the resonator structure.
  • the sixth example is basically applied to the sub-pixels 1100R and 1100G.
  • 1100B is a configuration in which the first example is applied. Even in this configuration, it is possible to set an optical distance that produces optimal resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the first electrodes 1202R and 1202G used in the subpixels 1100R and 1100G can be made of a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu), or an alloy containing these as the main components.
  • the materials constituting the reflector 1401B, the optical adjustment layer 1402B, and the first electrode 1202B used in the subpixel 1100B are the same as those described in the first example, and therefore will not be described here.
  • Fig. 34A is a front view showing an example of the external appearance of digital still camera 500
  • Fig. 34B is a rear view showing an example of the external appearance of digital still camera 500.
  • This digital still camera 500 is a lens-interchangeable single-lens reflex type, and has an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 512 approximately in the center of the front of a camera main body section (camera body) 511, and a grip section 513 for the photographer to hold on the left side of the front.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 514 is provided at a position shifted to the left from the center of the back of the camera body 511.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 515 is provided at the top of the monitor 514. By looking through the electronic viewfinder 515, the photographer can visually confirm the optical image of the subject guided by the photographing lens unit 512 and determine the composition.
  • the display device 10 according to an embodiment of the present disclosure can be used as the monitor 514 or the electronic viewfinder 515.
  • (Specific Example 2) 35 is an external view of a head mounted display 600.
  • the head mounted display 600 has, for example, ear hooks 612 for mounting on the user's head on both sides of a glasses-shaped display unit 611.
  • the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure can be used as the display unit 611.
  • the see-through head mounted display 634 is composed of a main body 632, an arm 633, and a lens barrel 631.
  • the main body 632 is connected to the arm 633 and the glasses 630. Specifically, the end of the long side of the main body 632 is connected to the arm 633, and one side of the main body 632 is connected to the glasses 630 via a connecting member. The main body 632 may also be worn directly on the head of the human body.
  • the main body 632 incorporates a control board for controlling the operation of the see-through head mounted display 634, and a display unit.
  • the arm 633 connects the main body 632 to the telescope tube 631, and supports the telescope tube 631. Specifically, the arm 633 is coupled to an end of the main body 632 and an end of the telescope tube 631, respectively, and fixes the telescope tube 631.
  • the arm 633 also incorporates a signal line for communicating data related to images provided from the main body 632 to the telescope tube 631.
  • the lens barrel 631 projects image light provided from the main body 632 via the arm 633 through an eyepiece lens toward the eye of a user wearing the see-through head mounted display 634.
  • the display unit of the main body 632 can use the display device 10 according to an embodiment of the present disclosure.
  • This television device 710 has, for example, an image display screen unit 711 including a front panel 712 and a filter glass 713, and this image display screen unit 711 is configured by the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • the smartphone 800 has a display unit 802 that displays various information, an operation unit that includes buttons that accept operation inputs by a user, and the like.
  • the display unit 802 can be the display device 10 according to this embodiment.
  • 39A and 39B are diagrams showing the internal configuration of a vehicle having the display device 10 according to an embodiment of the present disclosure as a display device.
  • Fig. 39A is a diagram showing the internal state of the vehicle from the rear to the front
  • Fig. 39B is a diagram showing the internal state of the vehicle from the diagonally rear to the diagonally front.
  • the automobile shown in Figures 39A and 39B has a center display 911, a console display 912, a head-up display 913, a digital rear mirror 914, a steering wheel display 915, and a rear entertainment display 916. Some or all of these displays can be implemented using the display device 10 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the center display 911 is disposed on the center console 907 in a position facing the driver's seat 901 and the passenger seat 902.
  • Fig. 39A and Fig. 39B show an example of a horizontally elongated center display 911 extending from the driver's seat 901 side to the passenger seat 902 side
  • the screen size and the location of the center display 911 are arbitrary.
  • the center display 911 can display information detected by various sensors (not shown).
  • the center display 911 can display an image captured by an image sensor, a distance image to an obstacle in front of or to the side of the vehicle measured by a ToF (Time of Flight) sensor, a passenger's body temperature detected by an infrared sensor, etc.
  • the center display 911 can be used to display, for example, at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information.
  • the safety-related information includes information such as detection of drowsiness, detection of distraction, detection of tampering by children in the car, whether or not a seat belt is fastened, and detection of an occupant being left behind, and is information detected, for example, by a sensor (not shown) arranged on the back side of the center display 1911.
  • the operation-related information is obtained by detecting gestures related to the operation of the occupant using a sensor.
  • the detected gestures may include the operation of various equipment inside the car.
  • the above sensor detects the operation of the air conditioning equipment, navigation device, AV (Audio/Visual) device, lighting device, etc.
  • the life log includes the life log of all occupants.
  • the life log includes a record of the behavior of each occupant while in the car.
  • the health-related information is obtained by detecting the body temperature of the occupant using a temperature sensor, and inferring the health condition of the occupant based on the detected body temperature.
  • the face of the occupant may be captured using an image sensor, and the health condition of the occupant may be inferred from the facial expression captured in the image.
  • the occupant may be spoken to by an automated voice and the occupant's health condition may be inferred based on the occupant's responses.
  • Authentication/identification related information includes a keyless entry function that uses a sensor to perform face authentication, and a function for automatically adjusting seat height and position using face recognition.
  • Entertainment related information includes a function for detecting operation information of an AV device by an occupant using a sensor, and a function for recognizing the occupant's face using a sensor and providing content suitable for the occupant via the AV device.
  • the console display 912 can be used, for example, to display life log information.
  • the console display 912 is disposed near the shift lever 908 on the center console 907 between the driver's seat 901 and the passenger seat 902.
  • the console display 912 can also display information detected by various sensors (not shown).
  • the console display 912 may also display an image of the surroundings of the vehicle captured by an image sensor, or an image showing the distance to obstacles around the vehicle.
  • the head-up display 913 is virtually displayed behind the windshield 904 in front of the driver's seat 901.
  • the head-up display 913 can be used to display, for example, at least one of safety-related information, operation-related information, a life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information. Since the head-up display 913 is often virtually positioned in front of the driver's seat 901, it is suitable for displaying information directly related to the operation of the vehicle, such as the vehicle's speed and remaining fuel (battery) level.
  • the digital rear-view mirror 914 can not only display the rear of the vehicle, but also the state of passengers in the back seats. For example, by placing a sensor (not shown) on the back side of the digital rear-view mirror 914, it can be used to display life log information.
  • the steering wheel display 915 is disposed near the center of the steering wheel 906 of the vehicle.
  • the steering wheel display 915 can be used to display, for example, at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information.
  • the steering wheel display 915 since the steering wheel display 915 is located near the driver's hands, it is suitable for displaying life log information such as the driver's body temperature, and for displaying information related to the operation of AV equipment, air conditioning equipment, etc.
  • the rear entertainment display 916 is attached to the back side of the driver's seat 901 and passenger seat 902, and is intended for viewing by rear seat passengers.
  • the rear entertainment display 916 can be used to display at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information, for example.
  • information related to the rear seat passengers is displayed on the rear entertainment display 916.
  • the rear entertainment display 916 may display information related to the operation of AV equipment or air conditioning equipment, or may display the results of measuring the body temperature of the rear seat passengers using a temperature sensor (not shown).
  • the present technology can also be configured as follows.
  • a plurality of light emitting elements including a first light emitting element and a second light emitting element that emit light of different colors; a plurality of element isolation layers provided to surround element regions in which the plurality of light emitting elements are located; Equipped with Each of the light-emitting elements is A first reflecting surface; A light emitting portion laminated above the first reflecting surface; an optical adjustment layer laminated above the light emitting section so as to be embedded in the element region surrounded by the element isolation layer; a second reflecting surface made of a semi-transmissive reflective material laminated above the optical adjustment layer; having an area of the element region of the first light emitting element surrounded by the element isolation layer is different from an area of the element region of the second light emitting element surrounded by the element isolation layer; The film thickness of the optical adjustment layer of the first light-emitting element is different from the film thickness of the optical adjustment layer of the second light-emitting element.
  • Display device (2) an area of the element region of the first light emitting element surrounded by the element isolation layer is larger than an area of the element region of the second light emitting element surrounded by the element isolation layer; The thickness of the optical adjustment layer of the first light-emitting element is larger than the thickness of the optical adjustment layer of the second light-emitting element.
  • (3) a distance between the pair of element isolation layers sandwiching the first light emitting element therebetween is wider than a distance between the pair of element isolation layers sandwiching the second light emitting element therebetween;
  • a third light emitting element that emits light of a different color from the first and second light emitting elements is further provided, an area of the element region of the second light emitting element surrounded by the element isolation layer is larger than an area of the element region of the third light emitting element surrounded by the element isolation layer;
  • the thickness of the optical adjustment layer of the second light-emitting element is larger than the thickness of the optical adjustment layer of the third light-emitting element.
  • Each of the light-emitting elements is A first electrode and a second electrode sandwiching the light emitting portion therebetween, The first reflecting surface is made of the first electrode.
  • the display device according to any one of (1) to (5) above.
  • the light-emitting portion is made of an organic material or an inorganic material.
  • the optical adjustment layer is made of a transparent conductive material.
  • the display device (9) The display device according to (8) above, wherein the optical adjustment layer is made of at least one selected from the group consisting of nitrides, oxides, oxynitrides, fluorides, and organic compounds.
  • the semi-transmissive reflective material is made of an Ag alloy.
  • the light-emitting portion and the second electrode are each formed as a single layer shared by the plurality of light-emitting elements.
  • the light emitting portion and the second electrode are each formed as a separate layer for each light emitting element.
  • the display device according to any one of (6) to (10) above.
  • each of the light-emitting sections is connected to the light-emitting section of an adjacent light-emitting element via a first connection section.
  • each of the second electrodes is connected to the second electrode of the adjacent light-emitting element via a second connection portion.
  • Each of the light-emitting elements is A first electrode and a second electrode sandwiching the light emitting portion therebetween, The first reflection surface is a reflection plate provided below the first electrode.
  • a plurality of light emitting elements including a first light emitting element and a second light emitting element that emit light of different colors; a plurality of element isolation layers provided to surround element regions in which the plurality of light emitting elements are located;
  • a method for manufacturing a display device comprising: A light emitting portion is laminated above a first reflecting surface on a substrate; laminating an element isolation layer so as to surround an element region on the light emitting section in which each of the light emitting elements is formed; an optical adjustment layer is laminated so as to be embedded in the element region surrounded by the element isolation layer; A second reflecting surface made of a semi-transmissive reflective material is laminated on the optical adjustment layer.
  • the element isolation layer is laminated so that an area of the element region of the first light-emitting element surrounded by the element isolation layer is different from an area of the element region of the second light-emitting element surrounded by the element isolation layer, thereby making a film thickness of the optical adjustment layer of the first light-emitting element different from a film thickness of the optical adjustment layer of the second light-emitting element.
  • Display device 11 Horizontal drive circuit 12 Vertical drive circuit 20 Pixel 40, 300 Substrate 100, 100B, 100G, 100R, 1100, 1100B, 1100G, 1100R Sub-pixel 200, 200b, 200g, 200r Light-emitting element 202, 1202, 1202B, 1202G, 1202R First electrode 204 Organic EL film 204a Connection portion 206, 206a, 1206 Second electrode 208, 1402, 1402B, 1402G, 1402R Optical adjustment layer 210 Semi-transmissive reflective film 220 Element isolation layer 222 Opening 224, 240, 260, 342 Protective film 226 Light guide portion 228 Air gap 230 Inter-pixel insulating portion 232 Electrode 234 Groove 250 Outer periphery 252 Cathode contact portion 254 Contact portion 270 Stack 302 Via 304 Potential supply wiring 306 Contact hole 312, 1401, 1401B, 1401G, 1401R Reflector 320, 320a, 320b Insulating film 330 First in

Landscapes

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Abstract

第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層とを備え、前記各発光素子は、第１反射面と、前記第１反射面の上方に積層された発光部と、前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように積層された光学調整層と、前記光学調整層の上方に積層された、半透過反射材料からなる第２反射面とを有し、前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とは異なり、前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とは異なる、表示装置。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法
　本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
　近年、発光素子として電界発光（ＥＬ：ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた表示装置の開発が進んでいる。当該表示装置は、例えば、下部電極と、下部電極上に積層された発光層と、発光層上に積層された上部電極とによって構成された複数の発光素子を有する。そして、下部電極と上部電極とに所定の電圧が供給されることにより、下部電極と上部電極とに挟まれた発光層が発光する。例えば、このような表示装置の一例としては、下記特許文献の表示装置を挙げることができる。
特開２０１４－２３５９５９号公報
　上述の発光素子に対しては、光の取り出し効率をより向上させることが強く求められている。そして、このような光の取り出し効率の高い発光素子の製造するためには、製造工程の大幅な増加を避けることが難しく、その結果、表示装置の製造コストの増加が避けられない。
　そこで、本開示では、光の取り出し効率の向上を図りつつ、工程数の増加を抑えることができる、表示装置及び表示装置の製造方法を提案する。
　本開示によれば、互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層とを備え、前記各発光素子は、第１反射面と、前記第１反射面の上方に積層された発光部と、前記発光部の上方であって、前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように積層された光学調整層と、前記光学調整層の上方に積層された、半透過反射材料からなる第２反射面とを有し、前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とは異なり、前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とは異なる、表示装置が提供される。
　さらに、本開示によれば、互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層とを備える表示装置の製造方法であって、基板上の第１反射面の上方に、発光部を積層し、前記発光部上の、前記各発光素子が形成される素子領域を取り囲むように素子分離層を積層し、前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように光学調整層を積層し、前記光学調整層の上方に、半透過反射材料からなる第２反射面を積層することを含み、前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とが、異なるように、前記素子分離層を積層することにより、前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とを異ならせる、表示装置の製造方法が提供される。
本開示の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 第ｍ行第ｎ列目のサブ画素における結線関係を説明するための模式的な回路図である。 本開示の実施形態を創作に至る背景を説明するための説明図（その１）である。 本開示の実施形態を創作に至る背景を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第１の実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第１の実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第１の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その３）である。 本開示の第１の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その４）である。 本開示の第１の実施形態の変形例１に係る発光素子の要部の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その３）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その４）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その５）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その６）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その７）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その８）である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その９）である。 本開示の第１の実施形態の変形例３に係る発光素子の要部の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例３に係る発光素子の要部の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の変形例４に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例４に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例５に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例５に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の変形例６に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例６に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の変形例７に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例７に係る発光素子の要部の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例８に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例８に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第１の実施形態の変形例８に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その３）である。 本開示の第１の実施形態の変形例９に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例１０に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第１の実施形態の変形例１０に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例１０に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第２の実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その１）である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その３）である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その４）である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その５）である。 本開示の第２の実施形態の発光素子の製造方法を説明するための説明図（その６）である。 本開示の第２の実施形態の変形例１に係る発光素子の要部の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その１）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その２）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その３）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その４）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その５）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その６）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その７）である。 本開示の第２の実施形態の変形例２に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図（その８）である。 本開示の第２の実施形態の変形例３に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例３に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例４に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例５に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 本開示の第３の実施形態の変形例に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その１）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その２）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その３）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その４）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その５）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その６）である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図（その７）である。 共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。 デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。 テレビジョン装置の外観図である。 スマートフォンの外観図である。 自動車の内部の構成を示す図（その１）である。 自動車の内部の構成を示す図（その２）である。
　以下に、添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、本明細書及び図面において、実質的に同一又は類似の機能構成を有する複数の構成要素を、同一の符号の後に異なるアルファベットを付して区別する場合がある。ただし、実質的に同一又は類似の機能構成を有する複数の構成要素の各々を特に区別する必要がない場合、同一符号のみを付する。
　また、以下の説明で参照される図面は、本開示の一実施形態の説明とその理解を促すための図面であり、わかりやすくするために、図中に示される形状や寸法、比などは実際と異なる場合がある。さらに、図中に示される装置は、以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
　以下の説明における具体的な長さや形状についての記載は、数学的に定義される数値と同一の値や幾何学的に定義される形状だけを意味するものではない。詳細には、以下の説明における具体的な長さや形状についての記載は、発光素子、表示装置、及び、これらの製造工程、及び、その使用・動作において許容される程度の違い（誤差・ひずみ）がある場合やその形状に類似する形状をも含むものとする。
　また、以下の回路（電気的な接続）の説明においては、特段の断りがない限りは、「電気的に接続」とは、複数の要素の間を電気（信号）が導通するように接続することを意味する。加えて、以下の説明における「電気的に接続」には、複数の要素を直接的に、且つ、電気的に接続する場合だけでなく、他の要素を介して間接的に、且つ、電気的に接続する場合も含むものとする。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　　１．　本開示の実施形態に係る表示装置の全体構成
　　２．　背景
　　３．　第１の実施形態
　　　　３．１　詳細構成
　　　　３．２　製造方法
　　　　３．３　変形例
　　４．　第２の実施形態
　　　　４．１　詳細構成
　　　　４．２　製造方法
　　　　４．３　変形例
　　５．　第３の実施形態
　　　　５．１　詳細構成
　　　　５．２　変形例
　　６．　まとめ
　　７．　変形例
　　　　７．１　変形例１
　　　　７．２　変形例２
　　８．　応用例
　　９．　補足
　＜＜１．　本開示の実施形態に係る表示装置の全体構成＞＞
　図１を参照して、表示装置や照明装置として使用される本開示の実施形態に係る有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置（表示装置）１０（以下、単に「表示装置１０」と呼ぶ）の全体構成の一例を説明する。図１は、本開示の実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。
　表示装置１０は、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又は、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ等の発光素子をアレイ状に形成した装置である。このような表示装置１０は、表示装置として、例えば、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用、又は、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用の表示装置、電子ビューファインダ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｖｉｅｗ　Ｆｉｎｄｅｒ：ＥＶＦ）、又は、小型プロジェクタ等に適用することができる。また、表示装置１０は、各種の照明装置にも適用することができる。なお、表示装置１０は、ＯＬＥＤ等のような有機材料を用いた発光素子の代わりに、無機材料を用いた発光素子を用いた装置であってもよい。
　表示装置１０は、表示領域と、当該表示領域の周縁に設けられた周辺領域とを有している。図１に示すように、表示装置１０の表示領域内には、例えば、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状に配列する。サブ画素１００Ｒは赤色光を放射し、サブ画素１００Ｇは緑色光を放射し、サブ画素１００Ｂは青色光を放射することができる。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００と呼ぶ。
　さらに、本実施形態においては、１つの画素（ピクセル）２０は、例えば、異なる光を放射する３種類のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが組み合わせられることにより構成されるものとする。なお、本実施形態においては、１つの画素２０に含まれる３種類のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれの数や配置については、特に限定されるものではない。また、本実施形態においては、１つの画素２０は、上述したように、異なる光を放射する複数のサブ画素１００で構成されることに限定されるものではなく、同色光を放射する複数のサブ画素１００で構成されていてもよい。また、画素２０は、表示装置１０の発光制御の際に制御される最小の単位（ピクセル）を意味し、制御の際に１つの単位として扱われる複数のサブ画素１００から構成されることとなる。すなわち、本実施形態においては、表示装置１０は、基板４０上にマトリクス状に配列する複数の画素２０を有することとなる。
　また、図１に示すように、表示装置１０の周辺領域には、水平駆動回路１１及び垂直駆動回路１２が設けられている。
　水平駆動回路１１は、各サブ画素１００への信号の書き込みに際し行単位（図１では、Ｘ方向に沿って延びる方向を行方向と呼ぶ）でそれらを走査し、各走査線ＳＣＬｍに走査信号を順次供給することができる。水平駆動回路１１は、例えば、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成することができる。
　また、垂直駆動回路１２は、信号供給源（図示省略）から供給される輝度情報に応じた信号の信号電圧を、信号線ＤＴＬｎを介して列単位（図１では、Ｙ方向に沿って延びる方向を列方向と呼ぶ）で選択されたサブ画素１００に供給することができる。
　なお、本開示の実施形態においては、表示装置１０の構成は、図１に示す構成に限定されるものではない。すなわち、図１に示す構成は一例に過ぎず、本開示の実施形態に係る表示装置１０においては種々の構成を取り得る。
　次に、図２を参照して、第ｍ行第ｎ列目のサブ画素１００における回路構成を説明する。図２は、第ｍ行第ｎ列目のサブ画素１００における結線関係を説明するための模式的な回路図である。
　表示装置１０においては、先に説明したように、発光素子ＥＬＰを含むサブ画素１００は、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬｍと列方向（図１においてＹ方向）に延びる信号線ＤＴＬｎとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列する。
　さらに、表示装置１０は、図２に示すように、サブ画素１００に駆動電圧を供給する給電線ＰＳ１ｍと、全てのサブ画素１００に共通に接続される共通給電線ＰＳ２とを有している。そして、給電線ＰＳ１ｍには、電源部（図示省略）から所定の駆動電圧Ｖｃｃ等が供給され、共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧Ｖｃａｔ（例えば接地電位）が供給される。
　ここで、走査線ＳＣＬ及び給電線ＰＳ１の本数をそれぞれＭ本でとする。第ｍ行目（ただし、ｍ＝１，２・・・，Ｐ）のサブ画素１００は、第ｍ番目の走査線ＳＣＬｍ、第ｍ番目の給電線ＰＳ１ｍに接続されており、１つの表示素子行を構成する。なお、図２においては、走査線ＳＣＬｍ及び給電線ＰＳ１ｍのみが示されている。また、信号線ＤＴＬの本数をＮ本とする。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）のサブ画素１００は、第ｎ番目の信号線ＤＴＬｎに接続されている。なお、図２では、信号線ＤＴＬｎのみが示されている。以下、第ｍ行第ｎ列目に位置するサブ画素１００を、第（ｎ，ｍ）番目のサブ画素１００と呼ぶ場合がある。
　そして、先に説明したように、水平駆動回路１１からの走査信号によって、表示装置１０は行単位で順次走査される。詳細には、表示装置１０において、第ｍ行目に配列されたＭ個のサブ画素１００が同時に駆動される。言い換えると、行方向に沿って配されたＭ個のサブ画素１００においては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。例えば、表示装置１０の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とした場合、表示装置１０を行単位で順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満となる。
　また、サブ画素１００は、図２に示すように、発光素子ＥＬＰとこれを駆動する駆動回路とから構成される。発光素子ＥＬＰは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子又は無機エレクトロルミネッセンス発光素子からなる。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲＷ、及び、駆動トランジスタＴＲＤ、並びに、容量部Ｃ１から構成される。駆動トランジスタＴＲＤを介して発光素子ＥＬＰに電流が流れると、発光素子ＥＬＰは発光することができる。各トランジスタは、例えばｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。
　図２に示すように、サブ画素１００においては、駆動トランジスタＴＲＤの一方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ１の一端と給電線ＰＳ１ｍとに電気的に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光素子ＥＬＰの一端（具体的には、アノード電極）に電気的に接続されている。駆動トランジスタＴＲＤのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲＷの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ１の他端に電気的に接続されている。
　また、図２に示すように、書込みトランジスタＴＲｗの一方のソース／ドレイン領域は、信号線ＤＴＬｎに電気的に接続されており、書込みトランジスタＴＲｗのゲート電極は、走査線ＳＣＬｍに電気的に接続されている。
　また、図２に示すように、発光素子ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、共通給電線ＰＳ２に電気的に接続されている。さらに、共通給電線ＰＳ２には所定のカソード電圧Ｖｃａｔが供給される。なお、図２においては、発光素子ＥＬＰの容量を符号ＣＥＬで表している。
　サブ画素１００の駆動の概要について説明する。サブ画素１００においては、垂直駆動回路１２から信号線ＤＴＬｎに表示すべき画像の輝度に応じた電圧が供給された状態で、水平駆動回路１１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲｗが導通状態とされると、容量部Ｃ１に、輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲｗが非導通状態とされた後、容量部Ｃ１に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲＤに電流が流れることによって発光素子ＥＬＰが発光する。
　なお、本開示の実施形態において、発光素子ＥＬＰの発光を制御する駆動回路の構成は、図２に示す構成に限定されるものではない。従って、図２に示す構成は一例に過ぎず、本開示の実施形態に係る表示装置１０においては種々の構成を取り得る。
　＜＜２．　背景＞＞
　次に、図３及び図４を参照して、本開示の実施形態の詳細を説明する前に、本発明者が本開示の実施形態を創作するに至る背景について説明する。図３及び図４は、本開示の実施形態を創作に至る背景を説明するための説明図である。
　近年、モニタ等の直視型表示装置だけでなく、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型表示装置（マイクロディスプレイ）にも、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子が用いられるようになってきている。
　従来の、ＯＬＥＤを用いた直視型表示装置においては、マスク蒸着プロセスを用いて、赤色、緑色、青色を塗り分ける（ＲＧＢ塗り分け）ことにより、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを形成する。しかしながら、マスク蒸着プロセスを用いたＲＧＢ塗り分け技術は、マスクの位置合わせの精度等に限界があることから、微細な画素ピッチに対応することには限界がある。そこで、ＲＧＢ塗り分け技術の使用を避け、全てのサブ画素１００に亘って、赤色、緑色及び青色の３色の発光層を積層して白色光を取り出すＷｈｉｔｅ方式の構造を用いることが提案されている。
　しかしながら、Ｗｈｉｔｅ方式では、全てのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通する共通層構造で構成されることから、出射する光の色ごとに構造を最適化することが難しく、光の取り出し効率の向上に限界があった。
　そこで、図３に示すような、色再現性及び光の取り出し効率の向上を実現するマイクロキャビティ技術が提案されている。マイクロキャビティ技術においては、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに、反射膜として機能するアノード電極（第１電極）２０２と、半透過反射膜２１０との間の距離を最適化し、アノード電極２０２と半透過反射膜２１０との間で発光部２０４からの光を共振させる。具体的には、マイクロキャビティ技術においては、図４に示すように、アノード電極（第１反射面）２０２と半透過反射膜（第２反射面）２１０との間の光学距離Ｌ（図４では積層２７０の膜厚）は、各サブ画素１００の発光ピーク波長λに対して、以下の数式（１）で示される共振条件を満たす。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　λ：各サブ画素１００の発光ピーク波長λ
　Φ：第１反射面と第２反射面とにおける位相シフト（ラジアン）
　ｍ：整数
　なお、共振次数ｍは、サブ画素１００ごとに異なっていてもよい。
　このようなマイクロキャビティ構造においては、サブ画素１００ごとに、アノード電極（第１反射面）２０２と半透過反射膜（第２反射面）２１０との間の光学距離Ｌを規定する積層２７０の膜厚を所望の膜厚になるように精度よく形成することが求められることとなる。そして、このように精度よく形成するためには、工程数が大幅に増加することを避けることが難しく、表示装置１０のコストの増加の原因となっていた。
　そこで、本発明者は、このような状況を鑑みて、光の取り出し効率の向上を図りつつ、工程数の増加を抑えるために、表示装置１０の構造や製造方法に対して鋭意検討を重ねていた。そのような検討の中で、本発明者は、本開示の実施形態を独自に創作するに至った。
　従来技術においては、アノード電極（第１反射面）２０２と半透過反射膜（第２反射面）２１０との間の光学距離Ｌを調整するために、カソード電極（第２電極）２０６上に光学調整層２０８（図５Ａ　参照）を積層し、その上に、反射面となる半透過反射膜２１０を積層していた。
　そこで、本発明者は、上記の積層構造を踏まえ、以下のような本開示の実施形態を創作するに至った。まずは、本開示の実施形態においては、サブ画素１００、すなわち発光素子２００（図５Ａ　参照）を形成するために、アノード電極２０２と、発光部２０４と、カソード電極２０６とを積層し、発光素子２００が形成される素子領域を取り囲むように素子分離層２２０（図５Ａ　参照）を設ける。次いで、素子分離層２２０に囲まれた素子領域に対応する、素子分離層２２０の開口部に、光学調整層２０８となる材料を埋め込みように堆積させることにより、光学調整層２０８を形成する。
　この際、素子分離層２２０の開口部の開口が広ければ、光学調整層２０８となる材料は、当該開口部に入り込みやすく、速いレートで堆積することができる。一方、素子分離層２２０の開口部の開口が狭ければ、光学調整層２０８となる材料は、当該開口部に入り込み難く、速いレートで堆積することができない。従って、素子分離層２２０の開口部の開口の大きさを変えることで、同じ時間の堆積時間であれば、各開口部に埋め込まれる光学調整層２０８の膜厚を変えることができる。特に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等のような成膜法を使用して、微細なサブ画素１００の光学調整層２０８を形成した場合に、このような現象が顕著である。詳細には、上記現象は、蒸着法において最も顕著に現れ、次にスパッタ法において、その次にＣＶＤ法において、顕著に現れる。
　そこで、本発明者は、上記現象に着眼し、素子分離層２２０の開口部の開口の大きさを、各発光素子２００に割り当てられた光の色に応じて好適に調節することにより、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を最適化する本開示の実施形態を創作するに至った。このような本開示の実施形態によれば、光の取り出し効率の向上を図りつつ、工程数の増加を抑えることができる。以下、本発明者が創作した本開示の実施形態の詳細を順次説明する。
　＜＜３．　第１の実施形態＞＞
　＜３．１　詳細構成＞
　まずは、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、本開示の第１の実施形態に係る発光素子２００の構成例を説明する。図５Ａは、本実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための断面図であり、図５Ｂは、本実施形態に係る発光素子の構成の一例を説明するための平面図である。
　本実施形態に係る表示装置（表示装置）１０は、トップエミッション方式（上面発光方式）、すなわち、上方に向かって光を出射する発光素子２００を有する。詳細には、例えば、図５Ａに示すように、複数の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂは、基板３００上の所定の領域にマトリクス状に配置される。そして、各発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂのそれぞれは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光をそれぞれ出射し、上述したサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する。言い換えると、本実施形態においては、各発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂは、制御の際に１つの単位として扱われるサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂと同意である。
　本実施形態に係る表示装置１０は、図５Ａに示すように、配線、ビア、トランジスタが設けられた駆動回路基板３００と、第１電極（アノード電極）２０２、有機ＥＬ膜（発光部）２０４、第２電極（カソード電極）２０６、光学調整層２０８、及び、半透過反射膜２１０からなる発光素子２００とを有する。
　本実施形態においては、第１電極２０２及び半透過反射膜２１０が、第１反射面及び第２反射面として機能する。詳細には、本実施形態に係る発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂは、図５Ａに示すように、第１電極２０２と半透過反射膜２１０との距離Ｌｂ、Ｌｇ、Ｌｒが、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて上述した式（１）を満たす、マイクロキャビティ構造を持つ。より具体的には、本実施形態においては、各発光素子２００の光学調整層２０８は、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて、異なる膜厚を持つ。従って、本実施形態によれば、有機ＥＬ膜２０４からの光を、各発光素子２００の上方に効率よく取り出すことができる。
　また、本実施形態においては、第１電極２０２には、駆動回路基板３００に設けられたビア３０２を介して電圧が印加される。さらに、本実施形態においては、光学調整層２０８をＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料で形成することにより、光学調整層２０８が第２電極２０６と一体化して、１つの電極としても機能することができる。
　以下、各発光素子２００を構成する各層の詳細について順次説明する。
　（駆動回路基板３００）
　駆動回路基板３００は、ガラス等の透明材料や、シリコン等の半導体材料から形成することができる。また、発光素子２００を駆動する駆動回路は、上述の各種基板３００にトランジスタ、配線等を適宜形成することによって構成される。そして、駆動回路基板３００上には、後述する第１電極２０２及び画素間絶縁部２３０が設けられている。
　（第１電極２０２）
　第１電極２０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金等の光反射材料で形成することができる。当該第１電極２０２の膜厚は、例えば１００～３００ｎｍであることが好ましい。
　また、第１電極２０２は、多層膜であってもよく、例えば、透明導電層と光反射層とが積層された構成とすることができる。より具体的には、第１電極２０２は、第１層（光反射層）としてアルミニウム合金層と、第２層（透明導電層）として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電層とを積層した構成であってもよい。
　また、第１電極２０２は、無機ホール注入層と光反射層とが積層された構成とすることもできる。より具体的には、第１電極２０２は、第１層（光反射層）としてアルミニウム合金層と、第２層（無機ホール注入層）として、チタン（Ｔｉ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の無機材料層とを積層した構成であってもよい。
　また、第１電極２０２の下には、下地層として、Ｔｉ、ＴｉＮ等からなる無機材料層が設けられていてもよい。
　また、第１電極２０２の外周は、画素間絶縁部２３０で覆われており、画素間絶縁部２３０の開口部（画素開口）から露出する第１電極２０２の中心領域が電極として機能する。すなわち、画素間絶縁部２３０は画素開口により発光領域を規定する。このように画素間絶縁部２３０を設けることにより、隣り合う発光素子２００間での電流リークを抑制することができる。画素間絶縁部２３０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、もしくは、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁膜、又は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくは、ノボラック系樹脂等の有機絶縁膜で形成することができる。
　（有機ＥＬ膜２０４）
　本実施形態においては、有機ＥＬ膜２０４は、複数の発光素子２００間に跨って単一の、連続する層として、第１電極２０２の上方に形成されている。言い換えると、有機ＥＬ膜２０４は、複数の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂが共有する単一の層として形成されている。本実施形態においては、有機ＥＬ膜２０４を、複数の発光素子２００間に跨る単一の層とすることにより、工程数や材料コスト等を削減することができる。さらに、本実施形態においては、各発光素子２００の光学調整層２０８を、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて異なる膜厚を持つようにすることで、光取り出し効率を向上させることができる。なお、以下の説明においては、本実施形態に係る発光素子２００は、発光部として有機材料からなる有機ＥＬ膜２０４を持つものとして説明するが、本実施形態においてはこれに限定されるものではなく、本実施形態に係る発光素子２００は、発光部として無機材料からなるＥＬ膜を持っていてもよい。
　本実施形態においては、有機ＥＬ膜２０４は、例えば、赤色、緑色及び青色の３色の発光層が全ての発光素子２００に亘って積層されており、すなわち、白色光を取り出すＷｈｉｔｅ方式の構造を持つ。
　有機ＥＬ膜２０４は、例えば、下方から上方に向かって、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、及び、電子輸送層が順次積層された構造、いわゆる１ｓｔａｃｋ構造を有する（図８Ａ参照）。各発光層は、同色の光を発する異なる発光材料を積層した多層構造であってもよい。性質の異なる発光材料を多層化し機能を分離することで、発光層内での局所的な劣化が抑制され、高効率で長寿命な素子を得ることができる。なお、有機ＥＬ膜２０４の構成のバリエーションの詳細については、後述する（図８Ａから図８Ｉ）。以下、本実施形態に係る有機ＥＬ膜２０４の一例として、１ｓｔａｃｋ構造について、説明する。
　ホール注入層は、例えばヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等で構成することができる。
　ホール輸送層は、例えばα－ＮＰＤ［Ｎ，Ｎ’－ｄｉ（１－ｎａｐｈｔｈｙｌ）－Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ　〕－　４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ〕で構成することができる。
　赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極２０２からホール注入層及びホール輸送層を介して注入されたホールの一部と、第２電極２０６から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生する。赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、ホール輸送材料、電子輸送材料及び両電荷輸送材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、赤色発光層は、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成することができる。
　発光分離層は、発光分離層は、キャリアの発光層への注入を調整するための層であり、発光分離層を介して各発光層に電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。発光分離層は、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル誘導体等で構成することができる。
　青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極２０２からホール注入層及びホール輸送層および発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極２０６から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生する。青色発光層は、例えば、青色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成することができる。
　緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極２０２からホール注入層、ホール輸送層及び発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極２０６から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生する。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成することができる。
　電子輸送層は、例えばＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミキノリノール）、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）等が用いられる。電子輸送層は、少なくとも１層以上からなり、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層を含んでもいてもよい。
　アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層は、ホスト材料として、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミキノリノール）、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）等に、ドーパント材料として、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、もしくは、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属が共蒸着により、例えば０．５～１５重量％ドープされたものにより構成することができる。
　また、電子輸送層と第２電極２０６との間には電子注入層が設けられていてもよい。電子注入層は、カソードからの電子注入を高めるためのものであり、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の単体、又はそれらを含む化合物、それらを含む混合物で構成することはできる。例えば、電子注入層は、リチウム（Ｌｉ）やフッ化リチウム（ＬｉＦ）等で構成することができる。
　また、電子輸送層と第２電極２０６との間にはバッファ層が設けられていてもよい。バッファ層は、第２電極２０６の成膜時のプロセスダメージを緩和するためものである。バッファ層は、例えば、Ｍｇ、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、Ｃａ、Ｌｉ、ＬｉＦ、炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３）、Ｃｓ、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）等のような、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の単体又はそれらを含む化合物、それらを含む混合物で構成することができる。
　有機ＥＬ膜２０４を構成する各層の膜厚は、例えば、ホール注入層が１～２０ｎｍ、ホール輸送層が１０～２００ｎｍ、発光層が５～５０ｎｍ、電子輸送層が１０～２００ｎｍであることが好ましい。さらに、有機ＥＬ膜２０４並びにこれを構成する各層の膜厚は、その光学膜厚を、各発光素子２００が出射する光の波長（色）に応じた動作を可能とするような値にすることが好ましい。
　（第２電極２０６）
　第２電極２０６は、光透過性が良好で仕事関数が小さい透明導電材料により構成することができる。例えば、第２電極２０６は、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で構成することができ、その膜厚を１０～５００ｎｍにすることが好ましい。また、本実施形態においては、第２電極２０６は、複数の発光素子２００間に跨って、単一の連続する層として形成されている。言い換えると、第２電極２０６は、複数の発光素子２００が共有する単一の層として形成されている。本実施形態においては、第２電極２０６を、複数の発光素子２００間に跨る単一の層とすることにより、工程数等を削減することができる。
　（光学調整層２０８）
　光学調整層２０８は、第１反射面（第１電極２０２）から第２反射面（半透過反射膜２１０）までの光学距離Ｌを調整するために、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６の上方に設けられた層である。先に説明したように、本実施形態においては、第１電極２０２と半透過反射膜２１０との距離Ｌｂ、Ｌｇ、Ｌｒが、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて上述した式（１）を満たすことにより、有機ＥＬ膜２０４からの光を、各発光素子２００の上方に効率よく取り出すことができる。従って、本実施形態においては、各発光素子２００の光学調整層２０８は、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて、異なる膜厚を持つ。なお、数式（１）の共振次数ｍは、異なる色の光を出射する発光素子２００毎に異なっていてもよく、すなわち、各発光素子２００の光学調整層２０８の最適な膜厚は、光の波長λ（発光素子２００の発光ピーク波長λ）と共振次数ｍにより変化し得る。なお、共振次数ｍは、１、２であることが好ましい。
　また、本実施形態においては、光学調整層２０８の膜厚は、例えば、１～５００ｎｍであることが好ましい。さらに、本実施形態においては、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂのうちの１種の発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚と、他の１種の発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚との差分を、例えば３０ｎｍ以上とすることが好ましい。
　光学調整層２０８は、透明導電材料からなり、より具体的には、例えばＩＺＯ、ＩＴＯ等の酸化物等から形成することができる。また、本実施形態においては、光学調整層２０８は、複数の発光素子２００間に跨って、一体の連続する膜として形成してもよい。
　（半透過反射膜２１０）
　半透過反射膜２１０は、マイクロキャビティ構造の効果を高めるためのものであり、光透過性及び光反射性が良好な金属からなる半透過反射材料からなり、光学調整層２０８の上方に設けられている。例えば、半透過反射膜２１０は、Ａｇ、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、Ａｌ、Ｍｇ等やそれらの合金で形成することができる。また、合金としては、例えば、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、パラジウム銅銀合金（ＡｇＰｄＣｕ（ＡＰＣ））等のＡｇ合金等を挙げることができる。
　また、半透過反射膜２１０は、第２電極２０６及び光学調整層２０８と一体となって電極として機能する多層膜であってもよい。半透過反射膜２１０は、例えば、第１層を、Ｃａ、Ｂａ、Ｌｉ、ＬｉＦ、Ｃｓ、インジウム（Ｉｎ）、Ｍｇ、Ａｇ、あるいはそれらの合金等の金属層とし、第２層を、Ｍｇ、Ａｇ、あるいはそれらの合金等の金属層で構成してもよい。また、半透過反射膜２１０の多層膜は、同種の材料から構成されてもよく、例えば、第１層、第２層をＭｇ、Ａｇの合金金属層とし、これらの層に含まれる金属の濃度を異なるものとする。より具体的には、本実施形態においては、例えば、第１層（下層）のＡｇ濃度を低くし、第２層（上層）のＡｇ濃度を高くする。このようにすることで電子注入性を高めつつ、光の取り出し効率を高めることができる。
　半透過反射膜２１０は、誘電体多層膜から構成されていてもよい。誘電体多層膜は、透明な材料層から構成され、ハーフミラー機能を得るために、第２電極２０６との屈折率差が０．１以上であることが好ましい。誘電体は、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭酸化物、フッ化物、有機化合物を含む材料から構成することができる。
　また、半透過反射膜２１０の膜厚は、例えば３～２０ｎｍであることが好ましい。さらに、本実施形態においては、半透過反射膜２１０は、複数の発光素子２００間に跨って、光学調整層２０８及び後述する素子分離層２２０上に連続する膜として形成することはできる。本実施形態においては、後述するように、発光素子２００上及び発光素子２００間には、素子分離層２２０による凹凸が形成されている。そして、この凹凸上に、半透過反射膜２１０が形成されることから、半透過反射膜２１０は冗長になり、第２電極２０６及び光学調整層２０８と一体となって、より低抵抗な電極として機能することができる。その結果、表示装置１０がより大型化しても、電極の抵抗に起因した電圧降下を抑制できるため、表示装置１０の面内の輝度均一化が可能となる。
　（素子分離層２２０）
　また、本実施形態においては、先に説明したように、各発光素子２００は、発光素子２００が位置する領域（素子領域）を取り囲むように設けられた素子分離層２２０で互いに隔てられている。さらに、本実施形態においては、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の大きさ（広さ）が異なる。そして、上述した光学調整層２０８は、素子分離層２２０に取り囲まれる素子領域に埋め込まれるように設けられる。
　詳細には、素子分離層２２０の表面は、光学調整層２０８と半透過反射膜２１０とで覆われている。また、素子分離層２２０の膜厚は、例えば０．５～５μｍであることが好ましい。さらに、素子分離層２２０は、無機材料、有機材料、金属材料等により形成することができる。詳細には、素子分離層２２０は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化ニオブ（ＮｂＯ）等の窒化物、酸化物、酸窒化物等から形成することができ、さらに、フッ化物、有機化合物等から形成してもよい。
　また、本実施形態においては、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の大きさ（広さ）を変えることにより、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を最適化することができる。
　詳細には、本実施形態においては、発光素子（第１発光素子）２００ｒの素子分離層２２０が取り囲む素子領域（開口部）の面積を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積に比べて、広くする。また、本実施形態においては、発光素子（第２発光素子）２００ｇの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積に比べて、広くする。より具体的には、本実施形態においては、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒを、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、広くする。また、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇを、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂに比べて、広くする。なお、本実施形態においては、各発光素子２００を挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓは、例えば５μｍ以下であることが好ましい。また、本実施形態においては、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂのうちの１種の発光素子２００を挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓと他の１種の発光素子２００を挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓとの差分は、例えば、０．５μｍ以上であることが好ましい。
　このようにすることで、本実施形態においては、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本実施形態によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本実施形態においては、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の面積（素子分離層２２０の間隔）を変えることにより、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、本実施形態によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに光学調整層２０８を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　加えて、本実施形態においては、発光素子２００上及び発光素子２００間には、素子分離層２２０による凹凸が形成されている。その結果、本実施形態によれば、外部からの水分侵入時には、素子分離層２２０及び半透過反射膜２１０の表面を伝って進行する水分の侵入長が凹凸形状により長くなることから、その遅延により、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　また、図５Ａでは図示を省略しているが、本実施形態においては、発光素子２００は、図示しない保護膜によって覆われてもよく、さらに、保護膜上には封止材料層、対向基板等が設けられていてもよい。
　また、図５Ｂに示すように、平面視においては、素子分離層２２０の開口部（素子領域）から露出する、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂの発光領域は、矩形状の形状を持ち、その面積が異なる。詳細には、例えば、発光素子（第１発光素子）２００ｒの発光領域の面積は、発光素子（第２発光素子）２００ｇの発光領域の面積に比べて、広い。また、発光素子（第２発光素子）２００ｇの発光領域の面積は、発光素子（第３発光素子）２００ｂの発光領域の面積に比べて、広い。
　なお、本実施形態においては、図５Ａ及び図５Ｂに示すような形態であることに限定されるものではなく、後述するように、様々に変形することができる。
　＜３．２　製造方法＞
　次に、図６Ａから図６Ｄを参照して、本実施形態の発光素子２００の製造方法の一例を説明する。図６Ａから図６Ｄは、本実施形態の発光素子２００の製造方法を説明するための説明図であって、図５Ａの断面図に対応する。
　まず、例えば、シリコン等の半導体材料からなる基板３００に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成する。次いで、発光素子２００の駆動に必要な配線層を形成する。配線層に含まれる配線（図示省略）は、例えばＡｌ等の材料を用いて、リソグラフィ技術によって形成することができる。また、配線層に含まれるビア３０２は、タングステン（Ｗ）等の材料を用いて形成することができる。さらに、基板３００上に、第１電極２０２を形成する。詳細には、例えば、Ａｌ合金をスパッタ法によって形成しパターニングすることで、第１電極２０２を形成することができる。
　次いで、第１電極２０２上を含む全面に、画素間絶縁部２３０を構成する絶縁材料層として、例えば、ＳｉＮｘ膜を成膜する。さらに、リソグラフィやエッチングなどのパターニング技術を用いて、上記絶縁材料層をパターニングして、第１電極２０２の上面の一部を露出させる。このようにして、図６Ａに示すような形態を得ることができる。
　次いで、第１電極（第１反射面）２０２上に、有機ＥＬ膜（発光部）２０４として、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を順に積層する。例えば、蒸着法を用いることにより、有機ＥＬ膜２０４を形成することができる。そして、第２電極２０６として、例えば、ＩＺＯをスパッタ法によって全面に亘って積層する。さらに、第２電極２０６上に、素子分離層２２０として、例えば、ＳｉＮ膜をＣＶＤ法によって全面に亘って形成する。このようにして、図６Ｂに示すような形態を得ることができる。
　次いで、上記ＳｉＮ膜を、例えばドライエッチング法によって加工し、発光素子２００が形成される領域（素子領域）を取り囲むようにＳｉＮ膜を残すことにより、素子領域を囲む開口部２２２を形成する。この際、ＳｉＮ膜に取り囲まれた素子領域の面積を、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なるように、ＳｉＮ膜を加工する。このようにして、図６Ｃに示すような素子分離層２２０を得ることができる。
　次いで、光学調整層２０８として、例えば、ＩＺＯをスパッタ法によって、全面に亘って形成する。先に説明したように、素子分離層２２０に取り囲まれた素子領域の面積が、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なることから、素子領域に埋め込まれる光学調整層２０８の膜厚は、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なるようになる。このようにして、図６Ｄに示すような素子分離層２２０を得ることができる。
　次いで、半透過反射膜（第２反射面）２１０として、例えば、Ａｇ合金膜をスパッタ法又は蒸着法によって全面に亘って形成する。このようにして、図５Ａに示すような発光素子２００を得ることができる。
　この後、無機保護膜（図示省略）として、例えば、ＳｉＯＮを、ＣＶＤ法によって全面に亘って形成する。さらに、有機保護膜（図示省略）として、例えばアクリル樹脂をスクリーン印刷法によって全面に亘って形成する。次いで、無機保護膜（図示省略）として、例えば、ＳｉＯＮをＣＶＤ法によって全面に亘って形成する。
　さらに、カラーフィルタ（図示省略）及びオンチップレンズ（図示省略）を形成する。次いで、接着樹脂を用いて駆動基板（図示省略）と対向基板（図示省略）とを貼りあわせる。以上のようにして、表示装置１０を製造することができる。
　＜３．３　変形例＞
　（変形例１）
　次に、図７を参照して、本実施形態の変形例１について説明する。図７は、本実施形態の変形例１に係る発光素子２００の要部の構成の一例を説明するための断面図であって、第１電極２０２及び画素間絶縁部２３０の断面を示している。本変形例においては、第１電極２０２及び画素間絶縁部２３０のバリエーションについて説明する。
　図７（ａ）には、上述した第１の実施形態の第１電極２０２及び画素間絶縁部２３０の断面が示されている。詳細には、第１電極２０２の外周は、画素間絶縁部２３０で覆われており、画素間絶縁部２３０の開口部（画素開口）から露出する第１電極２０２の中心が電極として機能することとなる。言い換えると、画素間絶縁部２３０は、画素開口により発光領域を規定する。さらに、本実施形態における有機ＥＬ膜２０４は、複数の発光素子２００に跨って全面に形成されているが、画素間絶縁部２３０により、隣り合う発光素子２００間の電流リーク（横方向のリーク）を抑制することができる。
　また、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１電極２０２の端部は、傾斜面や丸みを帯びた形状を有していてもよい。このようにすることで、第１電極２０２の端部における意図しない発光に起因した光の乱反射を抑制することができる。
　また、図７（ｄ）に示すように、第１電極２０２には、凹状の掘り込み部が形成されていても良い。このように、掘り込み部が形成されることで、画素開口端に位置する有機ＥＬ膜２０４における電流リークに起因した発光効率低下や異常発光を抑制することができる。
　また、有機ＥＬ膜２０４が薄くなっている箇所では、第１電極２０２と第２電極２０６と間の電流リーク（縦方向のリーク）が発生しやすく、このような電流リークにより、発光素子２００の端部での異常発光が生じることがある。そこで、本変形例においては、図７（ｅ）に示すように、画素間絶縁部２３０の端部に傾斜を設けたり、角を丸めたりすることにより、有機ＥＬ膜２０４の局所的な薄膜化を抑制し、上述の電流リークを抑制する。
　また、複数の発光素子２００間での電流リーク（横方向のリーク）は、有機ＥＬ膜２０４のホール注入層やホール輸送層、電荷発生層を伝って横方向へリークすることで発生する。従って、このようなリークを抑制するためには、ホール注入層やホール輸送層を薄膜化する、又は、分断する手段が有効となる。そこで、例えば、図７（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）に示すように、画素間絶縁部２３０を逆テーパ形状や庇形状にして、有機ＥＬ膜２０４を蒸着することで、有機ＥＬ膜２０４のうち、下層に位置するホール注入層やホール輸送層、電荷発生層が、画素間絶縁部２３０の逆テーパ形状部や庇形状部により、薄膜化又は分断されることとなる。その結果、複数の発光素子２００間での電流リークを抑制することができる。なお、図７（ｈ）に示すように、画素間絶縁部２３０の庇形状部は多段にしてもよく、また、図７（ｉ）に示すように、画素間絶縁部２３０の傾斜面に、多段の庇部を、その先端位置を異ならせて形成してもよい。
　また、図７（ｊ）に示すように、発光素子２００間に溝２３４が設けられていてもよい。このようにすることでも、複数の発光素子２００間での電流リークを抑制することができる。また、図７（ｋ）に示すように、溝２３４には庇が設けられていてもよい。
　なお、有機ＥＬ膜２０４の薄膜化においては、縦方向のリークと横方向のリークとがトレードオフの関係になることもある。そこで、このような場合、上述した形状を組み合わせて対策することが好ましい。
　また、図７（ｌ）に示すように、複数の発光素子２００間に画素間電極２３２を形成してもよい。画素間電極２３２により、リーク電流を引き込むことで、発光効率の低下や異常発光を抑制することができる。
　（変形例２）
　次に、図８Ａから図８Ｉを参照して、本実施形態の変形例２について説明する。図８Ａから図８Ｉは、本実施形態の変形例２に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図であり、詳細には、有機ＥＬ膜２０４の層構造の断面を示す。本変形例においては、有機ＥＬ膜２０４のバリエーションを説明する。
　図８Ａには、上述した第１の実施形態の有機ＥＬ膜２０４の断面が示されている。この例では、有機ＥＬ膜２０４は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層が下層から順次積層された構造、いわゆる１ｓｔａｃｋ構造を有する。また、図８Ｂに示すように、発光層間に２つの発光分離層があってもよい。さらに、図８Ｃに示すように、発光層は、青色発光層、黄色発光層の２色の層で構成されていてもよい。
　また、図８Ｄに示すように、有機ＥＬ膜２０４は、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電荷発生層、ホール注入層、ホール輸送層、黄色発光層、電子輸送層が下層から順次積層された構造、いわゆる２ｓｔａｃｋ構造であってもよい。また、図８Ｅに示すように、発光層は、赤色、緑色、青色の３色から構成されてもよい。さらに、図８Ｆに示すように、発光層の間に発光分離層があってもよい。
　また、図８Ｇに示すように、赤色、緑色、青色の発光層が部分的に塗り分けられた構成であってもよい。また、図８Ｈに示すように、発光層は、電子ブロック層、ホールブロック層のうちのいずれか、もしくは両方を含んで塗り分けられていてもよい。さらに、図８Ｉに示すように、緑色発光層と赤色発光層とを部分的に塗り分けた上で、青色発光層を共通層として積層した構成であってもよい。
　さらに、各発光層は、同色の異なる材料層を積層しても構成してもよい。性質の異なる発光層で多層化することで、機能を分離することができる。そのため、発光層内での局所的な劣化が抑制され、高効率で長寿命な素子を得ることができる。
　（変形例３）
　次に、図９Ａ及び図９Ｂを参照して、本実施形態の変形例３について説明する。図９Ａ及び図９Ｂは、本実施形態の変形例３に係る発光素子２００の要部の構成の一例を説明するための断面図であって、詳細には素子分離層２２０の断面を示す。本変形例においては、素子分離層２２０のバリエーションについて説明する。本変形例においては、素子分離層２２０の間隔やその形状を変えることで、発光素子２００の出射する光の色に応じた膜厚を持つ光学調整層２０８を一括して形成することができる。
　図９Ａ（ａ）には、上述した第１の実施形態の素子分離層２２０の断面が示されている。詳細には、素子分離層２２０の断面は、矩形状になっている。
　また、図９Ａ（ｂ）に示すように、素子分離層２２０の断面は、テーパ形状であってもよく、図９Ａ（ｃ）に示すように、素子分離層２２０の断面は、湾曲形状であってもよい。さらに、図９Ａ（ｄ）に示すように、素子分離層２２０の断面は、多段形状であってもよく、図９Ａ（ｅ）に示すように、素子分離層２２０の断面は、庇形状であってもよく、図９Ａ（ｆ）に示すように、素子分離層２２０の断面は、角丸形状であってもよい。
　また、図９Ｂ（ｇ）に示すように、素子分離層２２０は、発光素子２００の間に複数設けられていてもよい。
　また、図９Ｂ（ｈ）、（ｉ）に示すように、素子分離層２２０の内部には、低屈折率材料から構成された導光部２２６が設けられていてもよい。ここで、低屈折率材料は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＬｉＦ、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）、ＳｉＯＮ等の透明な材料、有機ＥＬ膜２０４で使用される有機材料や他の有機化合物、低屈折率樹脂等であることができる。詳細には、導光部２２６を低屈折率材料で形成し、素子分離層２２０を高屈折率材料で形成することで、導光部２２６は、反射面として機能し、有機ＥＬ膜２０４からの光を上方に導くことができる。その結果、光の取り出し効率が向上するとともに、隣接する発光素子２００間での混色を抑制することができる。また、導光部２２６は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ、Ｍｇ等を含む金属材料で形成してもよい。このようにすることで、光の取り出し効率がより向上し、混色がより抑制される。
　また、図９Ｂ（ｊ）に示すように、素子分離層２２０内には、エアギャップ２２８が設けられていてもよい。このようにすることでも、導光部２２６は、反射面として機能し、有機ＥＬ膜２０４からの光を上方に導くことができる。その結果、光の取り出し効率が向上するとともに、隣接する発光素子２００間での混色を抑制することができる。
　（変形例４）
　次に、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、本実施形態の変形例４について説明する。図１０Ａは、本実施形態の変形例４に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。また、図１０Ｂは、本実施形態の変形例４に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための平面図である。本変形例においては、発光素子２００は、第１電極２０２の下方に設けられた反射板３１２をさらに有する。
　詳細には、図１０Ａに示すように、本変形例に係る発光素子２００は、第１電極（アノード）２０２、有機ＥＬ膜（発光部）２０４、第２電極（カソード）２０６、光学調整層２０８、半透過反射膜２１０、絶縁膜３２０、反射板３１２を有する。反射板３１２は、第１電極２０２の下方に、絶縁膜３２０を介して設けられている。
　本変形例においては、反射板３１２及び半透過反射膜２１０が、第１反射面及び第２反射面として機能し、反射板３１２と半透過反射膜２１０との距離Ｌｂ、Ｌｇ、Ｌｒが、発光素子２００から出射する光の色（波長）に対して上述した式（１）を満たす、マイクロキャビティ構造を持つ。従って、本変形例によれば、有機ＥＬ膜２０４からの光を、各発光素子２００の上方に効率よく取り出すことができる。
　より具体的には、本変形例においては、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂは、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、狭くなっている。従って、発光素子２００ｂと発光素子２００ｇとでは、反射板３１２から第２電極２０６までの距離が同じであるものの、光学調整層２０８の膜厚が異なり、発光素子２００ｂの光学調整層２０８の膜厚は、発光素子２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、薄くなっている。
　また、本変形例においては、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒは、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇと等しい。そこで、発光素子２００ｒと発光素子２００ｇとでは、発光素子２００ｒの光学調整層２０８の膜厚と、発光素子２００ｇの光学調整層２０８の膜厚とが同じであるものの、反射板３１２から第２電極２０６までの距離が異なる。詳細には、第１電極２０２の下の絶縁膜３２０の膜厚を、発光素子２００ｒの方が厚くなるようにすることで、上記距離Ｌｒを上記距離Ｌｇに対して長くしている。このように、一部の発光素子２００において一対の素子分離層２２０の間隔を同じにすることにより、発光素子２００の間隔をより狭くすることができることから、表示装置１０の表示領域の高精細化が可能になる。また、本変形例においては、絶縁膜３２０の膜厚によっても光学距離Ｌを調整することができることから、より光の波長の応じた調整を精度よく行うことができる。そのため、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となり、光の取り出し効率をより向上させることができる。すなわち、本変形例においては、反射板３１２や絶縁膜３２０を用いることで、精度よくマイクロキャビティ構造を形成しつつ、平面視における発光素子２００の形状やサイズの自由度を高めることができる。
　なお、上述の例では、第１電極２０２の下の絶縁膜３２０の膜厚を変えることで、光学距離Ｌを調整していたが、本変形例においては、このような方法に限定されるものではなく、例えば、第１電極２０２の膜厚を変えることで調整してもよい。
　また、本変形例においては、絶縁膜３２０は、材質の異なる絶縁膜３２０ａ、３２０ｂで構成された多層膜であってもよい。また、反射板３１２は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
　また、第１電極２０２は、反射板３１２と電気的に接続されていてもよく、例えば、第１電極２０２は、反射板３１２を介して基板３００の駆動回路と接続されていてもよい。例えば、図１０Ｂに示すように、平面視において、第１電極２０２と反射板３１２とは、例えば、第１電極２０２の周囲（有効画素領域の発光素子２００の近傍）に配置されたコンタクト部２５２により接続されてもよく、１つの第１電極２０２に対して、１つ又は複数のコンタクト部２５２が設けられていてもよい。
　また、平面視において、反射板３１２と第１電極２０２とは、異なる寸法であってもよく、また、その少なくともその一部が互いに重なるように配置されていればよい。さらに、反射板３１２は、発光素子２００ごとに分断されていることに限定されるものではなく、複数の発光素子２００に共通するように、単一の、連続する層として設けられていてもよい。
　（変形例５）
　次に、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、本実施形態の変形例５について説明する。図１１Ａ及び図１１Ｂは、本実施形態の変形例５に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、第２電極２０６と接続されるコンタクト部について説明する。
　図１１Ａに示すように、有機ＥＬ膜２０４上の第２電極２０６、光学調整層２０８、及び半透過反射膜２１０は、複数の発光素子２００がマトリック状に配置された表示領域の外周部２５０に配置されたカソードコンタクト部２５２において、コンタクトホール３０６を通して電位供給配線３０４と電気的に接続される。
　また、図１１Ｂに示すように、光学調整層２０８及び半透過反射膜２１０は、有効画素領域の発光素子２００の周辺に位置する第２電極２０６ａと接続されていてもよい。この際、有効画素領域内の発光素子２００の第２電極２０６と光学調整層２０８との間には、保護膜２４０を配置することができる。本変形例においては、第２電極２０６の上に保護膜２４０が形成されることで、素子分離層２２０の加工時における第２電極２０６へのダメージを抑制することができる。その結果、本変形例によれば、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　（変形例６）
　次に、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して、本実施形態の変形例６について説明する。図１２Ａ及び図１２Ｂは、本実施形態の変形例６に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、発光素子２００の全体を覆う保護膜について説明する。
　発光素子２００の全体を覆う保護膜は、有機ＥＬ膜２０４への水分の侵入を防止するためのものであり、透過性及び透水性の低い材料を用いて形成する。保護膜の材料としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、又は、これらの組み合わせを挙げることができる。また、保護膜の膜厚は、例えば０．５～８μｍであることが好ましい。
　保護膜は積層膜としてもよい。具体的には、図１２Ａに示すように、保護膜は、第１無機保護膜３３０、有機保護膜３３２及び第２無機保護膜３３４の３層から構成されてもよい。例えば、第１無機保護膜３３０と第２無機保護膜３３４としては、ＳｉＯＮ等を用いることができる。また、有機保護膜３３２としては、アクリル樹脂等を用いることができる。
　また、図１２Ｂに示すように、第１無機保護膜３３０と第２無機保護膜３３４とは、表示領域の外周部で接続されることが好ましい。このようにすることで、保護膜の下地になる層に大きな段差があった場合（例えば、素子分離層２２０による凹凸）でも、異物の侵入や、欠陥に対する水分侵入を防ぐことができる。その結果、本変形例においては、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　また、保護膜の上には、対向基板（図示省略）を設けてもよい。対向基板は、保護膜の形成後、ＵＶ硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を塗布して貼り合わせて封止する。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクスとしての遮光膜が設けられていてもよく、これにより、発光素子２００で発生した光の色純度を高めて取り出すとともに、各発光素子２００間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。
　（変形例７）
　次に、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照して、本実施形態の変形例７について説明する。図１３Ａ及び図１３Ｂは、本実施形態の変形例７に係る発光素子２００の要部の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、オンチップカラーフィルタ（ＯＣＣＦ）について説明する。
　図１３Ａに示すように、発光素子２００と上記対向基板（図示省略）との間には、オンチップカラーフィルタ３３６が設けられていてもよい。例えば、発光素子２００ｂを覆う保護膜３４２上には青色のカラーフィルタ３３６ｂが、発光素子２００ｇを覆う保護膜３４２上には青色のカラーフィルタ３３６ｇが、発光素子２００ｒを覆う保護膜３４２上には赤色のカラーフィルタ３３６ｒが設けられていてもよい。カラーフィルタ３３６を設けることにより、色純度を高めることができる。なお、本変形例においては、全ての発光素子２００上にカラーフィルタ３３６が設けられていることに限定されるものではなく、一部の発光素子２００のみに設けられていてもよい。
　また、図１３Ｂ（ｂ）、（ｃ）に示すように、カラーフィルタ３３６の間には、隔壁３３８が設けられていてもよい。隔壁３３８は、透光性材料から構成され、カラーフィルタ３３６間に配置されることで、隣接する発光素子２００間での混色を抑制する。さらに、図１３Ｂ（ｂ）、（ｃ）に示すように、隣接するカラーフィルタ３３６の一部を互いに重ねることで、遮光膜として機能させてもよい。また、図１３Ｂ（ｃ）に示すように、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂのうちの１種の発光素子２００のカラーフィルタ３３６の膜厚を、隔壁３３８よりも薄く、また、他の１種の発光素子２００のカラーフィルタ３３６の膜厚を、隔壁３３８よりも厚くしてもよい。本実施形態においては、発光素子２００はマイクロキャビティ構造であることから色純度を高く、そのため、カラーフィルタ３３６を薄くすることが可能である。そこで、本変形例においては、少なくとも一部のカラーフィルタを薄くすることで、カラーフィルタ３３６における光損失を減らし、光の取り出し効率を高めることができる。
　また、図１３Ｂ（ｄ）に示すように、表示領域の外周部において異なる色のカラーフィルタ３３６ｂ、３３６ｇ、３３６ｒを積層し、周辺遮光膜３４０として機能させてもよい。周辺遮光膜３４０の形成を、カラーフィルタ３３６の形成と同時に行うことができるため、工程数を増加させることなく、遮光機能を追加でき、光学的な悪影響を軽減することができる。
　また、カラーフィルタ３３６等の光学部材は、保護膜（図示省略）に内包されてもよい。さらに、カラーフィルタ３３６等の上下を覆うように無機保護膜（図示省略）を形成し、表示領域の外周部で、これらの無機保護膜を接続することが好ましい。このように、カラーフィルタ３３６等を内包する保護膜を多段化することで、内部からのアウトガスや外部からの水分の侵入を抑制することができる。その結果、本変形例によれば、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　また、カラーフィルタ３３６は、画素開口の中心に対して表示領域の面内でオフセットを持って配置されていてもよい。表示領域の中心部から外周にかけて相対的位置関係をシフトさせることで、視野角特性を向上することができる。なお、この詳細については、後述する。
　（変形例８）
　次に、図１４Ａから図１４Ｃを参照して、本実施形態の変形例８について説明する。図１４Ａから図１４Ｃは、本実施形態の変形例８に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、オンチップレンズ（ＯＣＬ）について説明する。
　図１４Ａに示すように、本変形例においては、発光素子２００の上方にオンチップレンズ３５０が設けられていてもよい。オンチップレンズ３５０を設けることにより、光の取り出し効率を高めることができる。なお、本変形例においては、全ての発光素子２００上にオンチップレンズ３５０が設けられていることに限定されるものではなく、一部の発光素子２００のみに設けられていてもよい。また、図１４Ｂ、図１４Ｃに示すように、発光素子２００のサイズに応じて、オンチップレンズ３５０の幅や高さが異なっていてもよい。
　また、オンチップレンズ３５０等の光学部材は、保護膜（図示省略）に内包されてもよい。さらに、オンチップレンズ３５０等の上下を覆うように無機保護膜（図示省略）を形成し、表示領域の外周部で、これらの無機保護膜が接続することが好ましい。このように、オンチップレンズ３５０等を内包する保護膜を多段化することで、内部からのアウトガスや外部からの水分の侵入を抑制することができる。その結果、本変形例によれば、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　また、オンチップレンズ３５０は、画素開口の中心に対して表示領域の面内でオフセットを持って配置されていてもよい。表示領域の中心部から外周にかけて相対的位置関係をシフトさせることで、視野角特性を向上することができる。なお、この詳細については、後述する。
　（変形例９）
　次に、図１５を参照して、本実施形態の変形例９について説明する。図１５は、本実施形態の変形例９に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための平面図である。本変形例においては、平面視における発光素子２００のレイアウトのバリエーションを説明する。
　図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、発光素子２００はストライプ状に配列してもよく、図１５（ｄ）、（ｅ）に示すように、発光素子２００は正方配列（四角形の頂点に各発光素子２００が配置される）してもよく、図１５（ｆ）、（ｇ）に示すように、発光素子２００はデルタ配列（三角形の頂点に各発光素子２００が配置される）してもよい。なお、各発光素子２００には、任意の色が割り当てられ得る。また、図１５の（ｂ）に示すように、各発光素子２００の画素開口（発光領域）の面積が同じになるように、画素間絶縁部２３０の幅を調整してもよい。また、図１５の（ｃ）に示すように、１つの素子分離層２２０に囲まれた領域（素子領域）内に、複数の発光素子２００を配置してもよい。
　（変形例１０）
　次に、図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃを参照して、本実施形態の変形例１０について説明する。図１６Ａ及び図１６Ｃは、本実施形態の変形例１０に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図であり、図１６Ｂは、本実施形態の変形例１０に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための平面図である。本変形例においては、１つのサブ画素１００内が複数の発光素子２００に分断されているような形態について説明する。
　図１６Ａ及び図１６Ｂに示される例においては、例えば、サブ画素１００Ｂは、画素間絶縁部２３０により９分割されて、９つの発光素子２００ｂを持ち、サブ画素１００Ｇは、画素間絶縁部２３０により４分割されて、４つの発光素子２００ｇを持ち、サブ画素１００Ｒは、分割されず、１つの発光素子２００ｒを持つ。すなわち、本変形例においては、制御の際に１つの単位として扱われるサブ画素（第１サブ画素、第２サブ画素）１００Ｇ、１００Ｂは、複数の発光素子２００ｇ、２００ｂを有する。
　詳細には、本変形例においては、各発光素子２００の間に素子分離層２２０が設けられており、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒは、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、広くなっている。また、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇは、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂに比べて、広くなっている。
　従って、本変形例においては、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本変形例によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本変形例においては、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、変形例によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに光学調整層２０８を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　加えて、本変形例においては、サブ画素１００が分割されていることにより、精細度や発光面積を損なうことなく、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、本変形例においては、各サブ画素１００内の１つ又は複数の発光素子２００が、１つの第１電極２０２を共有し、複数のサブ画素１００が、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６を共有する。
　また、図１６Ｃに示すように、オンチップレンズ３５０は、サブ画素１００ごとではなく、発光素子２００ごとに形成してよい。このようにすることで、光の取り出し効率をさらに高めることができる。なお、本変形例においては、オンチップレンズ３５０は、発光素子２００ごとに設けることに限定されるものではなく、サブ画素１００ごとに設けられていてもよい。
　＜＜４．　第２の実施形態＞＞
　＜４．１　詳細構成＞
　次に、図１７を参照して、本開示の第２の実施形態に係る発光素子２００の構成例を説明する。図１７は、本実施形態に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本実施形態においては、有機ＥＬ膜２０４と第２電極２０６とが、発光素子２００ごとに別個の層として分断されている。さらに、分断された第２電極２０６は、光学調整層２０８及び半透過反射膜２１０により、互いに電気的に接続されている。本実施形態においては、隣り合う発光素子２００間でリークが発生しやすいホール注入層や電荷発生層が発光素子２００間で分断されているため、発光素子２００間でのリークを抑制することができる。なお、本実施形態に係る発光素子２００の平面図は、図５Ｂを用いて説明した第１の実施形態と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
　本実施形態においても、第１電極２０２及び半透過反射膜２１０が、第１反射面及び第２反射面として機能する。詳細には、本実施形態に係る発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂは、図１７に示すように、第１電極２０２と半透過反射膜２１０との距離Ｌｂ、Ｌｇ、Ｌｒが、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて上述した式（１）を満たす、マイクロキャビティ構造を持つ。
　本実施形態においても、各発光素子２００の間には、素子分離層２２０が設けられている。詳細には、本実施形態においては、図１７に示すように、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒを、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、広くする。また、本実施形態においては、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇを、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂに比べて、広くする。
　このようにすることで、本実施形態においても、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本実施形態によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本実施形態においては、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の面積（素子分離層２２０の間隔）を変えることにより、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、本実施形態によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに光学調整層２０８を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　なお、本実施形態においては、図１７の断面視において、有機ＥＬ膜２０４は、第１電極２０２の幅よりも狭く形成されていてもよく、さらには、第２電極２０６の幅よりも狭く形成されていてもよい。また、本実施形態においては、図１７の断面視において、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６は、テーパ形状の端面を持っていてもよい。
　また、図１７において、有機ＥＬ膜２０４の端面には、下地構成元素を含む側壁保護膜（図示省略）が形成されていてもよく、これにより信頼性を高めることができる。さらに、第１電極２０２の端面には、第１電極２０２の構成元素を含む酸化物、例えば、ＡｌＯｘ等による側壁保護膜（図示省略）が形成されていてもよい。このようにすることで、複数の発光素子２００間の絶縁効果を高めることができることから、狭ピッチ化がより可能となり、高精細な素子を得ることができる。
　加えて、低屈折率材料を、複数の発光素子２００間の素子分離層２２０内に埋め込むことで、発光素子２００の端面での側壁反射面積が増やし、光の取り出し効率をさらに高めることができる。低屈折率材料は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＬｉＦ、ＭｇＦ、ＳｉＯＮ等の透明な材料を挙げることができる。また、低屈折率材料は、ポーラスな膜（膜密度が低い膜）としてもよく、例えば、ＳｉＯｘをポーラスな膜とすることで、屈折率１．４以下を持つ、より低屈折率な膜を得ることができる。また、低屈折率材料は、有機ＥＬ膜２０４で使用される有機材料や他の有機化合物、低屈折率樹脂から構成されてもよい。
　また、低屈折率膜は、上記側壁保護膜内に低屈折率部として形成してもよい。さらに、このような上記側壁保護膜内の低屈折率部を、エアギャップとしてもよい。
　なお、本実施形態においては、図１７及び図５Ｂに示すような形態であることに限定されるものではなく、後述するように、様々に変形することができる。
　＜４．２　製造方法＞
　次に、図１８Ａから図１８Ｆを参照して、本実施形態の発光素子２００の製造方法の一例を説明する。図１８Ａから図１８Ｆは、本実施形態の発光素子２００の製造方法を説明するための説明図であって、図１７の断面図に対応する。
　まず、第１の実施形態と同様に、例えば、シリコン等の半導体材料からなる基板３００に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成する。次いで、発光素子２００の駆動に必要な配線層を形成する。さらに、基板３００上に、第１電極２０２を形成する。このようにして、図１８Ａに示すような形態を得ることができる。
　次いで、第１電極（第１反射面）２０２上に、有機ＥＬ膜（発光部）２０４として、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を順に積層する。そして、第２電極２０６として、例えば、ＩＺＯをスパッタ法によって全面に亘って積層する。さらに、第２電極２０６上に、保護膜２２４として、例えば、ＳｉＮ膜をＣＶＤ法によって全面に亘って形成する。このようにして、図１８Ｂに示すような形態を得ることができる。
　次に、各層を、有機ＥＬ膜２０４、第２電極２０６及び保護膜２２４が完全に分断されるように加工する。このようにして、図１８Ｃに示すような形態を得ることができる。
　次いで、加工した有機ＥＬ膜２０４の加工端面を覆うように、素子分離層２２０として、例えば、ＳｉＮをＣＶＤ法によって全面に亘って形成する。このようにして、図１８Ｄに示すような形態を得ることができる。
　次いで、第１の実施形態と同様に、上記ＳｉＮ膜を、例えばドライエッチング法によって加工し、発光素子２００が形成される領域（素子領域）を取り囲むようにＳｉＮ膜を残すことにより、素子領域を囲む開口部２２２を形成する。この際、ＳｉＮ膜に取り囲まれた素子領域の面積を、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なるように、ＳｉＮ膜を加工する。このようにして、図１８Ｅに示すような素子分離層２２０を得ることができる。
　次いで、第１の実施形態と同様に、光学調整層２０８を全面に亘って形成する。先に説明したように、素子分離層２２０に取り囲まれた素子領域の面積が、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なることから、素子領域に埋め込まれる光学調整層２０８の膜厚は、発光素子２００の出射する光の色に応じて異なるようになる。このようにして、図１８Ｆに示すような素子分離層２２０を得ることができる。
　次いで、第１の実施形態と同様に、半透過反射膜（第２反射面）２１０を全面に亘って形成する。このようにして、図１７に示すような発光素子２００を得ることができる。
　その後は、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　＜４．３　変形例＞
　（変形例１）
　次に、図１９を参照して、本実施形態の変形例１について説明する。図１９は、本実施形態の変形例１に係る発光素子２００の要部の構成の一例を説明するための平面図であって、詳細には、発光素子２００の平面視における形状を示す。本変形例においては、平面視における、発光素子２００の形状のバリエーションについて説明する。
　図１９（ａ）～（ｆ）に示すように、平面視における発光素子２００の形状（詳細には、素子分離層２２０の開口部（素子領域）から露出する発光素子２００の発光領域の形状）は、矩形状、円形状、多角形、中心が抜かれたドーナツ状の形状等であってもよい。また、図１９（ｇ）～（ｉ）に示すように、平面視における発光素子２００の形状は、屈曲した形状であってもよく、例えば、Ｓ字形状、Ｕ字形状、Ｌ字形状等であってもよい。このように、平面視における発光素子２００の形状を屈曲させることで、周囲の素子分離層２２０との接する側面を広くすることができることから、素子分離層２２０において有機ＥＬ膜２０４からの光を反射する反射面を広くすることができる。従って、本変形例においては、有機ＥＬ膜２０４からの光を上方に効率的に導くことができ、光の取り出し効率が向上する。
　（変形例２）
　次に、図２０Ａから図２０Ｈを参照して、本実施形態の変形例２について説明する。図２０Ａから図２０Ｈは、本実施形態の変形例２に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、有機ＥＬ膜２０４のバリエーションを説明するが、発光素子２００毎に有機ＥＬ膜２０４が分断されていること以外は、図８Ａから図８Ｉを参照して説明した、第１の実施形態の変形例２と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　（変形例３）
　次に、図２１Ａ及び図２１Ｂを参照して、本実施形態の変形例３について説明する。図２１Ａは、本実施形態の変形例３に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図であり、図２１Ｂは、本実施形態の変形例３に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための平面図である。本変形例においては、第２電極２０６と接続されるコンタクト部について説明する。
　また、有機ＥＬ膜２０４上の第２電極２０６、光学調整層２０８及び半透過反射膜２１０は、複数の発光素子２００がマトリック状に配置された表示領域の外周部２５０に配置されたカソードコンタクト部２５２において、コンタクトホール３０６を通して電位供給配線３０４と電気的に接続されてもよい。また、図２１Ａに示すように、有機ＥＬ膜２０４上の第２電極２０６、光学調整層２０８及び半透過反射膜２１０は、有効画素領域の発光素子２００の周辺に位置するカソードコンタクト部２５２と接続されていてもよい。
　図２１Ｂ（ｂ）に示すように、カソードコンタクト部２５２は、有効画素領域の発光素子に隣接して、発光素子２００毎に配置されていてもよい。また、図２１Ｂ（ｃ）に示すように、カソードコンタクト部２５２は、隣接する発光素子２００間で共有されていてもよく、さらに、図２１Ｂ（ｄ）に示すように、カソードコンタクト部２５２は、間引いて配置されても良い。このように、カソードコンタクト部２５２を、発光素子２００の近傍や表示領域の外周部２５０に配置することで、抵抗に起因した電圧降下を効果的に抑制することができる。その結果、本変形例によれば、表示領域が大型化しても面内で均一な輝度を得ることができる。
　（変形例４）
　次に、図２２を参照して、本実施形態の変形例４について説明する。図２２は、本実施形態の変形例４に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための平面図である。本変形例においては、有機ＥＬ膜２０４、第２電極２０６の一部が、隣接する発光素子２００の有機ＥＬ膜２０４、第２電極２０６と接続されているような形態について説明する。
　詳細には、本変形例においては、図２２（ａ）に示すように、例えば、ストライプ状に配置されている発光素子２００のうち、隣接する発光素子２００間で、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６が完全に分断されているのではなく、その一部が、図中横方向及び縦方向に沿って、接続部（第１接続部、第２接続部）２０４ａを介して互いに接続されている。従って、図２２（ａ）のＡ断面は、図１７に示す第２の実施形態の断面視と同様の形態を持ち、図２２（ａ）のＢ断面は、図５Ａに示す第１の実施形態の断面視と同様の形態を持つ。本変形例においては、第２電極２０６の一部が、図中横方向及び縦方向に沿って接続されていることにより、電気的な接続を確保し易いことから、製造プロセスにおけるマージンを確保することができる。
　また、本変形例においては、図２２（ｂ）に示すように、例えば、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６の一部が、図中縦方向に沿って、接続部（第１接続部、第２接続部）２０４ａを介して互いに接続されている。
　本変形例においては、本実施形態と比べて、第２電極２０６が接続されていることから、低抵抗化されることから、抵抗に起因した電圧降下を効果的に抑制することができ、ひいては、表示領域が大型化しても面内で均一な輝度を得ることができる。さらに、本変形例においては、有機ＥＬ膜２０４が分断された箇所については、本実施形態と同様に発光素子２００間の電流リークを抑制することができる。
　（変形例５）
　次に、図２３を参照して、本実施形態の変形例５について説明する。図２３は、本実施形態の変形例５に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、１つのサブ画素１００内が複数の発光素子２００に分断されているような形態について説明する。なお、本変形例に係る発光素子２００の平面図は、図１６Ｂを用いて説明した第１の実施形態の変形例１０と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
　図２３に示される例においては、例えば、サブ画素１００Ｂは、画素間絶縁部２３０により９分割されて、９つの発光素子２００ｂを持ち、サブ画素１００Ｇは、画素間絶縁部２３０により４分割されて、４つの発光素子２００ｇを持ち、サブ画素１００Ｒは、分割されず、１つの発光素子２００ｒを持つ。すなわち、本変形例においては、制御の際に１つの単位として扱われるサブ画素１００Ｇ、１００Ｂは、複数の発光素子２００ｇ、２００ｂを有する。
　詳細には、本変形例においては、各発光素子２００の間に素子分離層２２０が設けられており、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒは、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、広くなっている。また、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇは、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂに比べて、広くなっている。
　従って、本変形例においては、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本変形例によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本変形例においては、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、変形例によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに光学調整層２０８を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　加えて、本変形例においては、サブ画素１００が分割されていることにより、精細度や発光面積を損なうことなく、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、本変形例においては、各サブ画素１００内の１つ又は複数の発光素子２００が、１つの第１電極２０２を共有する。
　＜＜５．　第３の実施形態＞＞
　＜５．１　詳細構成＞
　次に、図２４を参照して、本開示の第３の実施形態に係る発光素子２００の構成例を説明する。図２４は、本実施形態に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本実施形態においては、第１の実施形態と異なり、光学調整層２０８を保護膜２６０で構成する。保護膜２６０は、透明絶縁材料であり、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＮｂＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等のような、窒化物、酸化物、酸窒化物、フッ化物、有機化合物から構成される。なお、保護膜２６０は、積層構成であってもよい。なお、本実施形態に係る発光素子２００の平面図は、図５Ｂを用いて説明した第１の実施形態と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
　本実施形態においても、第１電極２０２及び半透過反射膜２１０が、第１反射面及び第２反射面として機能する。詳細には、本実施形態に係る発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂは、図２４に示すように、第１電極２０２と半透過反射膜２１０との距離Ｌｂ、Ｌｇ、Ｌｒが、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて上述した式（１）を満たす、マイクロキャビティ構造を持つ。
　本実施形態においても、各発光素子２００の間には、素子分離層２２０が設けられている。詳細には、本実施形態においては、図２４に示すように、発光素子（第１発光素子）２００ｒを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｒを、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇに比べて、広くする。また、本実施形態においては、発光素子（第２発光素子）２００ｇを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｇを、発光素子（第３発光素子）２００ｂを挟み込む一対の素子分離層２２０の間隔Ｓｂに比べて、広くする。
　このようにすることで、本実施形態においても、異なる色の光を出射する各発光素子２００の保護膜２６０を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの保護膜２６０の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの保護膜２６０の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本実施形態によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの保護膜２６０の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの保護膜２６０の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本実施形態においては、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の面積（素子分離層２２０の間隔）を変えることにより、各発光素子２００の保護膜２６０の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、本実施形態によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに保護膜２６０を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　また、本実施形態においては、第２電極２０６の上に保護膜２６０が形成されることにより、素子分離層２２０の加工時における第２電極２０６へのダメージを抑制することができる。その結果、本実施形態によれば、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　なお、本実施形態においては、図２４及び図５Ｂに示すような形態であることに限定されるものではなく、後述するように、様々に変形することができる。
　＜５．２　変形例＞
　次に、図２５を参照して、本実施形態の変形例について説明する。図２５は、本実施形態の変形例に係る発光素子２００の構成の一例を説明するための断面図である。本変形例においては、上述した第２の実施形態に、保護膜２６０を適用する。すなわち、図２５に示すように、有機ＥＬ膜２０４と第２電極２０６とが発光素子２００ごとに別個の層として分断されている構造に対して、保護膜２６０を適用することができる。なお、本変形例に係る発光素子２００の平面図は、図２２を用いて説明した第２の実施形態の変形例４と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
　さらに、本変形例においては、上述した第２の実施形態の変形例４のように、有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６の一部が、隣接する発光素子２００の有機ＥＬ膜２０４及び第２電極２０６と接続されているような形態を適用することもできる。このようにすることで、第２電極２０６の一部が隣接する発光素子２００の第２電極２０６と接続されることから、本実施形態に比べて、第２電極２０６の抵抗を下げることができる。
　さらに、第２の実施形態と同様に、有機ＥＬ膜２０４の端面には、下地構成元素を含む側壁保護膜（図示省略）が形成されていてもよく、これにより信頼性を高めることができる。また、第１電極２０２の端面には、第１電極２０２の構成元素を含む酸化物、例えば、ＡｌＯｘ等による側壁保護膜（図示省略）が形成されていてもよい。このようにすることで、複数の発光素子２００間の絶縁効果を高めることができることから、狭ピッチ化がより可能となり、高精細な素子を得ることができる。
　＜＜６．　まとめ＞＞
　以上のように、本開示の各実施形態においては、発光素子２００から出射する光の色（波長）に応じて、素子分離層２２０の囲まれた素子領域である素子分離層２２０に設けられた開口部の大きさ（広さ）を変えることにより、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８（又は保護膜２６０）を一括して形成しながら、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を最適化することができる。
　詳細には、本開示の各実施形態においては、発光素子（第１発光素子）２００ｒの素子分離層２２０が取り囲む素子領域（開口部）の面積を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積に比べて、広くする。また、発光素子（第２発光素子）２００ｇの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの素子分離層２２０が取り囲む素子領域の面積に比べて、広くする。このようにすることで、本実施形態においては、異なる色の光を出射する各発光素子２００の光学調整層２０８を一括して形成しながら、発光素子（第１発光素子）２００ｒの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。さらに、本実施形態によれば、発光素子（第２発光素子）２００ｇの光学調整層２０８の膜厚を、発光素子（第３発光素子）２００ｂの光学調整層２０８の膜厚に比べて、容易に厚くすることができる。そして、本実施形態によれば、各発光素子２００の光学調整層２０８の膜厚を容易に最適化することができることから、精度よくマイクロキャビティ構造を形成することが可能となる。その結果、本実施形態によれば、最適化されたマイクロキャビティ構造による光の共振によって、光の取り出し効率を向上させることができる。加えて、本実施形態によれば、赤色、青色及び緑色の３色の発光素子２００ｒ、２００ｇ、２００ｂごとに光学調整層２０８を作り分ける必要がないため、大幅に工程を削減することができる。
　加えて、本開示の各実施形態においては、発光素子２００上及び発光素子２００間には、素子分離層２２０による凹凸が形成されている。その結果、本実施形態によれば、外部からの水分侵入時には、素子分離層２２０及び半透過反射膜２１０の表面を伝って進行する水分の侵入長が凹凸形状により長くなることから、その遅延により、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
　なお、本開示の各実施形態は、図に示すような形態であることに限定されるものではなく、様々に変形することができ、さらに、互いに組み合わせることもできる。
　また、本開示の実施形態に係る表示装置１０は、先に説明したように、一般的な半導体装置の製造に用いられる、方法、装置、及び条件を用いることで製造することが可能である。すなわち、本実施形態に係る表示装置１０は、既存の半導体装置の製造方法を用いて製造することが可能である。
　なお、上述の方法としては、例えば、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ法及びＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を挙げることができる。ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、ＥＢ（電子ビーム）蒸着法、各種スパッタリング法（マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）－ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法等）、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法）、レーザ転写法を挙げることができる。また、ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。さらに、他の方法としては、電解メッキ法や無電解メッキ法、スピンコート法；浸漬法；キャスト法；マイクロコンタクトプリント法；ドロップキャスト法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法といった各種印刷法；スタンプ法；スプレー法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を挙げることができる。さらに、パターニング法としては、シャドーマスク、レーザ転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザ等による物理的エッチング等を挙げることができる。加えて、平坦化技術としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法、レーザ平坦化法、リフロー法等を挙げることができる。
　＜＜７．　変形例＞＞
　＜７．１　変形例１＞
　次に、本開示の実施形態の変形例として、図２６Ａから図２６Ｇを参照して、サブ画素１００（詳細には、１つのサブ画素１００に含まれる複数の発光素子２００の中心）の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材（詳細には、オンチップレンズ３５０）の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部（詳細には、カラーフィルタ３３６）の中心を通る法線ＬＮ”との関係についての変形例を説明する。図２６Ａから図２６Ｇは、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。なお、以下の説明においては、サブ画素１００の中心を発光部の中心と呼ぶ。
　本開示の実施形態においては、サブ画素１００が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ３３６）の大きさを、適宜、変えてもよい。さらに、隣接するサブ画素１００の波長選択部（例えば、カラーフィルタ３３６）との間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、サブ画素１００が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部（例えば、カラーフィルタ３３６）の大きさを、サブ画素１００の中心を通る法線とカラーフィルタ３３６の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ０に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部（例えば、カラーフィルタ３３６）の平面形状は、レンズ部材（例えば、オンチップレンズ３５０）の平面形状と同じであってもよいし、相似であってもよいし、異なっていてもよい。
　例えば、図２６Ａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致するようにしてもよい。言い換えると、発光部の中心を通る法線とレンズ部材の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）Ｄ０と、発光部の中心を通る法線と波長選択部の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ０とは、等しく、０（ゼロ）とすることができる。
　また、例えば、図２６Ｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは、一致しているが、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していなくてもよい。言い換えると、Ｄ０≠ｄ０＝０であってもよい。
　また、例えば、図２６Ｃに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していてもよい。言い換えると、Ｄ０＝ｄ０＞０であってもよい。
　また、例えば、図２６Ｄに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない形態とすることもできる。ここで、発光部の中心とレンズ部材の中心（図２６Ｄにおいて黒丸で示す）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心（図２６Ｄにおいて黒四角で示す）が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心までの距離をＬＬ１、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材の中心までの距離をＬＬ２としたとき、Ｄ０＞ｄ０＞０であり、製造上のバラツキを考慮した上で、ｄ０：Ｄ０＝ＬＬ１：（ＬＬ１＋ＬＬ２）を満足することが好ましい。
　また、波長先端部とレンズ部材との積層関係を入れ替えてもよい。このような場合、例えば、図２６Ｅに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致するようにしてもよい。言い換えると、Ｄ０＝ｄ０＝０であってもよい。
　また、例えば、図２６Ｆに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していてもよい。言い換えると、Ｄ０＝ｄ０＞０であってもよい。
　さらに、概念図である図２６Ｇに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない形態とすることもできる。ここで、発光部の中心とレンズ部材の中心とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心（図２６Ｇにおいて黒四角で示す）までの距離をＬＬ１、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材の中心（図２４Ｇにおいて黒丸で示す）までの距離をＬＬ２としたとき、ｄ０＞Ｄ０＞０であり、製造上のバラツキを考慮した上で、Ｄ０：ｄ０＝ＬＬ２：（ＬＬ１＋ＬＬ２）を満足することが好ましい。
　＜７．２　変形例２＞
　上述した本開示の実施形態に係る表示装置に用いられるサブ画素１１００（詳細には、発光素子２００）は、発光部（有機ＥＬ膜２０４）で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図２７から図３３を参照して、共振器構造について説明する。図２７は、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図であり、図２８は、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図であり、図２９は、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。また、図３０は、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図であり、図３１は、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。さらに、図３２は、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図であり、図３３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。
　（共振器構造：第１例）
　図２７は、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。第１例においては、第１電極（例えば、アノード電極）１２０２は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。第２電極（例えば、カソード電極）１２０６においても同様である。
　図２７に示すように、サブ画素１１００の第１電極１２０２の下に、光学調整層１４０２を挟んだ状態で、反射板１４０１が配されている。反射板１４０１と第２電極１２０６との間に有機層（詳細には、発光部）１２０４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。
　反射板１４０１は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。光学調整層１４０２の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層１４０２Ｒ、１４０２Ｇ、１４０２Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　図２７に示す例では、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂにおける反射板１４０１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層１４０２の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっているため、第２電極１２０６の上面の位置は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて相違する。
　反射板１４０１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
　光学調整層１４０２は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂等といった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層１４０２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、サブ画素１１００の種類に応じて積層数が異なっても良い。
　第１電極１２０２は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
　第２電極１２０６は、半透過反射膜として機能することが好ましい。第２電極１２０６は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。
　（共振器構造：第２例）
　図２８は、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。第２例においても、第１電極１２０２や第２電極１２０６は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第２例においても、サブ画素１１００の第１電極１２０２の下に、光学調整層１４０２を挟んだ状態で、反射板１４０１が配される。反射板１４０１と第２電極１２０６との間に有機層１２０４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板１４０１は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されており、光学調整層１４０２の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっている。
　図２７に示す第１例においては、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂにおける反射板１４０１の上面は揃うように配置され、第２電極１２０６の上面の位置は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて相違していた。
　これに対し、図２８に示す第２例において、第２電極１２０６の上面は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂで揃うように配置されている。第２電極１２０６の上面を揃えるために、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂにおいて反射板１４０１の上面は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板１４０１の下面は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じた階段形状となる。
　反射板１４０１、光学調整層１４０２、第１電極１２０２及び第２電極１２０６を構成する材料等については、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　（共振器構造：第３例）
　図２９は、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。第３例においても、第１電極１２０２や第２電極１２０６は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第３例においても、サブ画素１１００の第１電極１２０２の下に、光学調整層１４０２を挟んだ状態で、反射板１４０１が配される。反射板１４０１と第２電極１２０６との間に、有機層１２０４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層１４０２の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極１２０６の上面の位置は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂで揃うように配置されている。
　図２８に示す第２例にあっては、第２電極１２０６の上面を揃えるために、反射板１４０１の下面は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じた階段形状であった。
　これに対し、図２９に示す第３例においては、反射板１４０１の膜厚は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板１４０１Ｒ、１４０１Ｇ、１４０１Ｂの下面が揃うように膜厚が設定されている。
　反射板１４０１、光学調整層１４０２、第１電極１２０２および第２電極１２０６を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　（共振器構造：第４例）
　図３０は、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。
　図２７に示す第１例において、サブ画素１１００の第１電極１２０２や第２電極１２０６は、共通の膜厚で形成されている。そして、サブ画素１１００の第１電極１２０２の下に、光学調整層１４０２を挟んだ状態で、反射板１４０１が配されている。
　これに対し、図３０に示す第４例においては、光学調整層１４０２を省略し、第１電極１２０２の膜厚を、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて異なるように設定した。
　反射板１４０１は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。第１電極１２０２の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極１２０２Ｒ、１２０２Ｇ、１２０２Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　反射板１４０１、第１電極１２０２及び第２電極１２０６を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　（共振器構造：第５例）
　図３１は、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。
　図２７に示す第１例において、第１電極１２０２や第２電極１２０６は各サブ画素１１００において共通の膜厚で形成されている。そして、サブ画素１１００の第１電極１２０２の下に、光学調整層１４０２を挟んだ状態で、反射板１４０１が配されている。
　これに対し、図３１に示す第５例にあっては、光学調整層１４０２を省略し、代わりに、反射板１４０１の表面に酸化膜１４０４を形成した。酸化膜１４０４の膜厚は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて異なるように設定した。
　酸化膜１４０４の膜厚は、サブ画素１１００が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜１４０４Ｒ、１４０４Ｇ、１４０４Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　酸化膜１４０４は、反射板１４０１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。酸化膜１４０４は、反射板１４０１と第２電極１２０６との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。
　サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜１４０４は、例えば、以下のようにして形成することができる。
　まず、容器の中に電解液を充填し、反射板１４０１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板１４０１と対向するように電極を配置する。
　そして、電極を基準として正電圧を反射板１４０１に印加して、反射板１４０１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板１４０１Ｒ、１４０１Ｇ、１４０１Ｂのそれぞれにサブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜１４０４を一括して形成することができる。
　反射板１４０１、第１電極１２０２及び第２電極１２０６を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　（共振器構造：第６例）
　図３２は、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。第６例において、サブ画素１１００は、第１電極１２０２と有機層１２０４と第２電極１２０６とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極１２０２は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１電極（兼反射板）１２０２は、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇ、１１００Ｂの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極（兼反射板）１２０２による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　第１電極（兼反射板）１２０２は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、サブ画素１１００Ｒの第１電極（兼反射板）１２０２Ｒを銅（Ｃｕ）で形成し、サブ画素１１００Ｇの第１電極（兼反射板）１２０２Ｇとサブ画素１１００Ｂの第１電極（兼反射板）１２０２Ｂとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。
　第２電極１２０６を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　（共振器構造：第７例）
　図３３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。第７例は、基本的には、サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇについては第６例を適用し、サブ画素１１００Ｂについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　サブ画素１１００Ｒ、１１００Ｇに用いられる第１電極（兼反射板）１２０２Ｒ、１２０２Ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。
　サブ画素１１００Ｂに用いられる、反射板１４０１Ｂ、光学調整層１４０２Ｂ及び第１電極１２０２Ｂを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　＜＜８．　応用例＞＞
　例えば、本開示に係る技術は、様々な電子機器の表示部等に適用されてもよい。そこで、以下、本技術を適用することができる電子機器の例について説明する。
　（具体例１）
　図３４Ａは、デジタルスチルカメラ５００の外観の一例を示す正面図であり、図３４Ｂは、デジタルスチルカメラ５００の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ５００は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）５１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）５１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部５１３を有している。
　カメラ本体部５１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ５１４が設けられている。モニタ５１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）５１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ５１５を覗くことによって、撮影レンズユニット５１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。モニタ５１４や電子ビューファインダ５１５としては、本開示の実施形態に係る表示装置１０を用いることができる。
　（具体例２）
　図３５は、ヘッドマウントディスプレイ６００の外観図である。ヘッドマウントディスプレイ６００は、例えば、眼鏡形の表示部６１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部６１２を有している。このヘッドマウントディスプレイ６００において、その表示部６１１として本開示の実施形態に係る表示装置１０を用いることができる。
　（具体例３）
　図３６は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６３４の外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６３４は、本体部６３２、アーム６３３および鏡筒６３１で構成される。
　本体部６３２は、アーム６３３および眼鏡６３０と接続される。具体的には、本体部６３２の長辺方向の端部はアーム６３３と結合され、本体部６３２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６３０と連結される。なお、本体部６３２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部６３２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６３４の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６３３は、本体部６３２と鏡筒６３１とを接続させ、鏡筒６３１を支える。具体的には、アーム６３３は、本体部６３２の端部および鏡筒６３１の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６３１を固定する。また、アーム６３３は、本体部６３２から鏡筒６３１に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
　鏡筒６３１は、本体部６３２からアーム６３３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６３４を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６３４において、本体部６３２の表示部に、本開示の実施形態に係る表示装置１０を用いることができる。
　（具体例４）
　図３７は、テレビジョン装置７１０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置７１０は、例えば、フロントパネル７１２およびフィルターガラス７１３を含む映像表示画面部７１１を有し、この映像表示画面部７１１は、本開示の実施形態に係る表示装置１０により構成されている。
　（具体例５）
　図３８は、スマートフォン８００の外観の一例を示す。スマートフォン８００は、各種情報を表示する表示部８０２や、ユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部等を有する。上記表示部８０２は、本実施形態に係る表示装置１０であることができる。
　（具体例６）
　図３９Ａ及び図３９Ｂは本開示の実施形態に係る表示装置１０を表示装置として有する自動車の内部の構成を示す図である。詳細には、図３９Ａは自動車の後方から前方にかけての自動車の内部の様子を示す図であり、図３９Ｂは自動車の斜め後方から斜め前方にかけての自動車の内部の様子を示す図である。
　図３９Ａ及び図３９Ｂに示される自動車は、センターディスプレイ９１１と、コンソールディスプレイ９１２と、ヘッドアップディスプレイ９１３と、デジタルリアミラー９１４と、ステアリングホイールディスプレイ９１５と、リアエンタテイメントディスプレイ９１６とを有する。これらディスプレイの一部または全部は、本開示の実施形態に係る表示装置１０を適用することができる。
　センターディスプレイ９１１は、センターコンソール９０７上の運転席９０１及び助手席９０２に対向する場所に配置されている。図３９Ａ及び図３９Ｂでは、運転席９０１側から助手席９０２側まで延びる横長形状のセンターディスプレイ９１１の例を示すが、センターディスプレイ９１１の画面サイズや配置場所は任意である。センターディスプレイ９１１は、種々のセンサ（図示省略）で検知された情報を表示することができる。具体的な一例としては、センターディスプレイ９１１は、イメージセンサで撮影した撮影画像、ＴｏＦ（Ｔｉｍｅ　ｏｆ　Ｆｌｉｇｈｔ）センサで計測された自動車前方や側方の障害物までの距離画像、赤外線センサで検出された乗客の体温等を表示することができる。センターディスプレイ９１１は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。
　安全関連情報は、居眠り検知、よそ見検知、同乗している子供のいたずら検知、シートベルト装着有無、乗員の置き去り検知などの情報であり、例えばセンターディスプレイ１９１１の裏面側に重ねて配置されたセンサ（図示省略）にて検知される情報である。操作関連情報は、センサを用いて乗員の操作に関するジェスチャを検知する。検知されるジェスチャは、自動車内の種々の設備の操作を含んでいてもよい。例えば、上記センサは、空調設備、ナビゲーション装置、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ/Ｖｉｓｕａｌ）装置、照明装置等の操作を検知する。ライフログは、乗員全員のライフログを含む。例えば、ライフログは、乗車中の各乗員の行動記録を含む。ライフログを取得及び保存することで、事故時に乗員がどのような状態であったかを確認できる。健康関連情報は、温度センサを用いて乗員の体温を検知し、検知した体温に基づいて乗員の健康状態を推測する。あるいは、イメージセンサを用いて乗員の顔を撮像し、撮像した顔の表情から乗員の健康状態を推測してもよい。さらに、乗員に対して自動音声で会話を行って、乗員の回答内容に基づいて乗員の健康状態を推測してもよい。認証／識別関連情報は、センサを用いて顔認証を行うキーレスエントリ機能や、顔識別でシート高さや位置の自動調整機能などを含む。エンタテイメント関連情報は、センサを用いて乗員によるＡＶ装置の操作情報を検出する機能や、センサで乗員の顔を認識して、乗員に適したコンテンツをＡＶ装置にて提供する機能などを含む。
　コンソールディスプレイ９１２は、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。コンソールディスプレイ９１２は、運転席９０１と助手席９０２の間のセンターコンソール９０７のシフトレバー９０８の近くに配置されている。コンソールディスプレイ９１２も、種々のセンサ（図示省略）で検知された情報を表示することができる。また、コンソールディスプレイ９１２には、イメージセンサで撮像された車両周辺の画像を表示してもよいし、車両周辺の障害物までの距離画像を表示してもよい。
　ヘッドアップディスプレイ９１３は、運転席９０１の前方のフロントガラス９０４の奥に仮想的に表示される。ヘッドアップディスプレイ９１３は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。ヘッドアップディスプレイ９１３は、運転席９０１の正面に仮想的に配置されることが多いため、自動車の速度や燃料（バッテリ）残量等の自動車の操作に直接関連する情報を表示するのに適している。
　デジタルリアミラー９１４は、自動車の後方を表示できるだけでなく、後部座席の乗員の様子も表示できるため、デジタルリアミラー９１４の裏面側に重ねてセンサ（図示省略）を配置することで、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。
　ステアリングホイールディスプレイ９１５は、自動車のハンドル９０６の中心付近に配置されている。ステアリングホイールディスプレイ９１５は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、ステアリングホイールディスプレイ９１５は、運転者の手の近くにあるため、運転者の体温等のライフログ情報を表示したり、ＡＶ装置や空調設備等の操作に関する情報などを表示するのに適している。
　リアエンタテイメントディスプレイ９１６は、運転席９０１や助手席９０２の背面側に取り付けられており、後部座席の乗員が視聴するためのものである。リアエンタテイメントディスプレイ９１６は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、リアエンタテイメントディスプレイ９１６は、後部座席の乗員の目の前にあるため、後部座席の乗員に関連する情報が表示される。例えば、ＡＶ装置や空調設備の操作に関する情報を表示したり、後部座席の乗員の体温等を温度センサ（図示省略）で計測した結果を表示してもよい。
　＜＜９．　補足＞＞
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層と、
を備え、
　前記各発光素子は、
　第１反射面と、
　前記第１反射面の上方に積層された発光部と、
　前記発光部の上方であって、前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように積層された光学調整層と、
　前記光学調整層の上方に積層された、半透過反射材料からなる第２反射面と、
　を有し、
　前記素子分離層に取り囲まれた前記第1の発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第2の発光素子の前記素子領域の面積とは、異なり、
　前記第1の発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第2の発光素子の前記光学調整層の膜厚とは、異なる、
　表示装置。
（２）
　前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積は、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積と比べて、広く、
　前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚は、前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚と比べて、厚い、
　上記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記第１発光素子を挟み込む一対の前記素子分離層の間隔は、前記第２発光素子を挟み込む一対の前記素子分離層の間隔に比べて、広い、
　上記（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記第１及び第２発光素子と異なる色の光を出射する第３発光素子をさらに備え、
　前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積は、前記素子分離層に取り囲まれた前記第３発光素子の前記素子領域の面積と比べて、広く、
　前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚は、前記第３発光素子の前記光学調整層の膜厚と比べて、厚い、
　上記（２）に記載の表示装置。
（５）
　前記各発光素子の前記第１反射面と前記第２反射面との間の距離Ｌは、以下の数式（１）を満たす、
　上記（１）～（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　λ：各発光素子の出射する光の発光ピーク波長
　Φ：第１反射面と第２反射面とにおける位相シフト（ラジアン）
　ｍ：整数
（６）
　前記各発光素子は、
　前記発光部を挟み込む第１電極と、第２電極とを有し、
　前記第１反射面は、前記第１電極からなる、
　上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
　前記発光部は、有機材料又は無機材料からなる、上記（６）に記載の表示装置。
（８）
　前記光学調整層は、透明導電材料からなる、上記（６）又は（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記光学調整層は、窒化物、酸化物、酸窒化物、フッ化物及び有機化合物からなる群から選択される少なくとも１つからなる、上記（８）に記載の表示装置。
（１０）
　前記半透過反射材料は、Ａｇ合金からなる、上記（６）～（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
　前記発光部及び前記第２電極のそれぞれは、前記複数の発光素子が共有する単一の層として形成されている、
　上記（６）～（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
　前記発光部及び前記第２電極のそれぞれは、前記発光素子ごとに別個の層として形成されている、
　上記（６）～（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
　前記各発光部は、隣り合う前記発光素子の前記発光部と第１接続部を介して接続されている、上記（１２）に記載の表示装置。
（１４）
　前記各第２電極は、隣り合う前記発光素子の前記第２電極と第２接続部を介して接続されている、上記（１２）又は（１３）に記載の表示装置。
（１５）
　前記各発光素子は、
　前記発光部を挟み込む第１電極と、第２電極とを有し、
　前記第１反射面は、前記第１電極の下方に設けられた反射板である、
　上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）
　前記素子分離層内に、前記発光部からの光を上方に導光する導光部が設けられている、上記（１）～（１５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１７）
　前記素子分離層内に、エアギャップが設けられている、上記（１）～（１５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１８）
　複数の前記第２発光素子は、前記第１電極を共有する１つの第２サブ画素を構成する、上記（６）に記載の表示装置。
（１９）
　複数の前記第１発光素子は、前記第１電極を共有する１つの第１サブ画素をなす、上記（１８）に記載の表示装置。
（２０）
　互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層と、
を備える表示装置の製造方法であって、
　基板上の第１反射面の上方に、発光部を積層し、
　前記発光部上の、前記各発光素子が形成される素子領域を取り囲むように素子分離層を積層し、
　前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように光学調整層を積層し、
　前記光学調整層の上方に、半透過反射材料からなる第２反射面を積層する、
　ことを含み、
　前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とが、異なるように、前記素子分離層を積層することにより、前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とを異ならせる、
　表示装置の製造方法。
　　１０　　表示装置
　　１１　　水平駆動回路
　　１２　　垂直駆動回路
　　２０　　画素
　　４０、３００　　基板
　　１００、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１１００、１１００Ｂ、１１００Ｇ、１１００Ｒ　　サブ画素
　　２００、２００ｂ、２００ｇ、２００ｒ　　発光素子
　　２０２、１２０２、１２０２Ｂ、１２０２Ｇ、１２０２Ｒ　　第１電極
　　２０４　　有機ＥＬ膜
　　２０４ａ　　接続部
　　２０６、２０６ａ、１２０６　　第２電極
　　２０８、１４０２、１４０２Ｂ、１４０２Ｇ、１４０２Ｒ　　光学調整層
　　２１０　　半透過反射膜
　　２２０　　素子分離層
　　２２２　　開口部
　　２２４、２４０、２６０、３４２　　保護膜
　　２２６　　導光部
　　２２８　　エアギャップ
　　２３０　　画素間絶縁部
　　２３２　　電極
　　２３４　　溝
　　２５０　　外周部
　　２５２　　カソードコンタクト部
　　２５４　　コンタクト部
　　２７０　　積層
　　３０２　　ビア
　　３０４　　電位供給配線
　　３０６　　コンタクトホール
　　３１２、１４０１、１４０１Ｂ、１４０１Ｇ、１４０１Ｒ　　反射板
　　３２０、３２０ａ、３２０ｂ　　絶縁膜
　　３３０　　第１無機保護膜
　　３３２　　有機保護膜
　　３３４　　第２無機保護膜
　　３３６、３３６ｂ、３３６ｇ、３３６ｒ　　カラーフィルタ
　　３３８　　隔壁
　　３４０　　周辺遮光膜
　　３５０　　オンチップレンズ
　　５００　　デジタルスチルカメラ
　　５１１　　カメラ本体部
　　５１２　　撮影レンズユニット
　　５１３　　グリップ部
　　５１４　　モニタ
　　５１５　　電子ビューファインダ
　　６００　　ヘッドマウントディスプレイ
　　６１１、８０２　　表示部
　　６１２　　耳掛け部
　　６３０　　眼鏡
　　６３１　　鏡筒
　　６３２　　本体部
　　６３３　　アーム
　　６３４　　シースルーヘッドマウントディスプレイ
　　７１０　　テレビジョン装置
　　７１１　　映像表示画面部
　　７１２　　フロントパネル
　　７１３　　フィルターガラス
　　８００　　スマートフォン
　　９０１　　運転席
　　９０２　　助手席
　　９０４　　フロントガラス
　　９０６　　ハンドル
　　９０７　　センターコンソール
　　９０８　　シフトレバー
　　９１１　　センターディスプレイ
　　９１２　　コンソールディスプレイ
　　９１３　　ヘッドアップディスプレイ
　　９１４　　デジタルリアミラー
　　９１５　　ステアリングホイールディスプレイ
　　９１６　　リアエンタテイメントディスプレイ
　　１２０４　　有機層
　　１４０４、１４０４Ｂ、１４０４Ｇ、１４０４Ｒ　　酸化膜
　　Ｃ１　　容量部
　　ＣＥＬ　　容量
　　ＤＴＬｎ　　信号線
　　ＥＬＰ　　発光素子
　　ＰＳ１ｍ　　給電線
　　ＰＳ２　　共通給電線
　　ＳＣＬｍ　　走査線
　　ＴＲｗ　　書込みトランジスタ
　　ＴＲＤ　　駆動トランジスタ

Claims (20)

  1. 　互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層と、
    を備え、
    　前記各発光素子は、
    　第１反射面と、
    　前記第１反射面の上方に積層された発光部と、
    　前記発光部の上方であって、前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように積層された光学調整層と、
    　前記光学調整層の上方に積層された、半透過反射材料からなる第２反射面と、
    　を有し、
    　前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とは、異なり、
    　前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とは、異なる、
    　表示装置。
  2. 　前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積は、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積と比べて、広く、
    　前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚は、前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚と比べて、厚い、
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第１発光素子を挟み込む一対の前記素子分離層の間隔は、前記第２発光素子を挟み込む一対の前記素子分離層の間隔に比べて、広い、
    　請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記第１及び第２発光素子と異なる色の光を出射する第３発光素子をさらに備え、
    　前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積は、前記素子分離層に取り囲まれた前記第３発光素子の前記素子領域の面積と比べて、広く、
    　前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚は、前記第３発光素子の前記光学調整層の膜厚と比べて、厚い、
    　請求項２に記載の表示装置。
  5. 　前記各発光素子の前記第１反射面と前記第２反射面との間の距離Ｌは、以下の数式（１）を満たす、
    　請求項１に記載の表示装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
     　λ：各発光素子の出射する光の発光ピーク波長
    　Φ：第１反射面と第２反射面とにおける位相シフト（ラジアン）
    　ｍ：整数
  6. 　前記各発光素子は、
    　前記発光部を挟み込む第１電極と、第２電極とを有し、
    　前記第１反射面は、前記第１電極からなる、
    　請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記発光部は、有機材料又は無機材料からなる、請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記光学調整層は、透明導電材料からなる、請求項６に記載の表示装置。
  9. 　前記光学調整層は、窒化物、酸化物、酸窒化物、フッ化物及び有機化合物からなる群から選択される少なくとも１つからなる、請求項８に記載の表示装置。
  10. 　前記半透過反射材料は、Ａｇ合金からなる、請求項６に記載の表示装置。
  11. 　前記発光部及び前記第２電極のそれぞれは、前記複数の発光素子が共有する単一の層として形成されている、
    　請求項６に記載の表示装置。
  12. 　前記発光部及び前記第２電極のそれぞれは、前記発光素子ごとに別個の層として形成されている、
    　請求項６に記載の表示装置。
  13. 　前記各発光部は、隣り合う前記発光素子の前記発光部と第１接続部を介して接続されている、請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　前記各第２電極は、隣り合う前記発光素子の前記第２電極と第２接続部を介して接続されている、請求項１２に記載の表示装置。
  15. 　前記各発光素子は、
    　前記発光部を挟み込む第１電極と、第２電極とを有し、
    　前記第１反射面は、前記第１電極の下方に設けられた反射板である、
    　請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記素子分離層内に、前記発光部からの光を上方に導光する導光部が設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  17. 　前記素子分離層内に、エアギャップが設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  18. 　複数の前記第２発光素子は、前記第１電極を共有する１つの第２サブ画素を構成する、請求項６に記載の表示装置。
  19. 　複数の前記第１発光素子は、前記第１電極を共有する１つの第１サブ画素をなす、請求項１８に記載の表示装置。
  20. 　互いに異なる色の光を出射する第１発光素子及び第２発光素子を含む複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子のそれぞれが位置する素子領域を取り囲むように設けられた複数の素子分離層と、
    を備える表示装置の製造方法であって、
    　基板上の第１反射面の上方に、発光部を積層し、
    　前記発光部上の、前記各発光素子が形成される素子領域を取り囲むように素子分離層を積層し、
    　前記素子分離層に取り囲まれた前記素子領域に埋め込まれるように光学調整層を積層し、
    　前記光学調整層の上方に、半透過反射材料からなる第２反射面を積層する、
    　ことを含み、
    　前記素子分離層に取り囲まれた前記第１発光素子の前記素子領域の面積と、前記素子分離層に取り囲まれた前記第２発光素子の前記素子領域の面積とが、異なるように、前記素子分離層を積層することにより、前記第１発光素子の前記光学調整層の膜厚と前記第２発光素子の前記光学調整層の膜厚とを異ならせる、
    　表示装置の製造方法。
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