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WO2024181323A1 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

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WO2024181323A1
WO2024181323A1 PCT/JP2024/006629 JP2024006629W WO2024181323A1 WO 2024181323 A1 WO2024181323 A1 WO 2024181323A1 JP 2024006629 W JP2024006629 W JP 2024006629W WO 2024181323 A1 WO2024181323 A1 WO 2024181323A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal foil
carrier
ultra
thickness
thin metal
Prior art date
Application number
PCT/JP2024/006629
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
利徳 佐藤
功康 貝森
慎也 喜多村
公幸 野原
英利 河合
Original Assignee
Ｍｇｃエレクトロテクノ株式会社
米沢ダイヤエレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｍｇｃエレクトロテクノ株式会社, 米沢ダイヤエレクトロニクス株式会社 filed Critical Ｍｇｃエレクトロテクノ株式会社
Publication of WO2024181323A1 publication Critical patent/WO2024181323A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board having via holes.
  • One method for manufacturing a printed wiring board with via holes is to use a double-sided metal foil laminate in which an ultra-thin metal foil with a carrier is laminated on both sides of an insulating layer.
  • One method for forming via holes using a metal foil laminate in which an ultra-thin metal foil with a carrier is laminated on both sides of an insulating layer is to peel off the carriers on both sides and then irradiate laser light from the ultra-thin metal foil side on one side.
  • the present invention was developed in response to these problems, and aims to provide a method for manufacturing printed wiring boards that can reduce the thickness of the insulating layer and simplify the process.
  • the present invention is as follows. [1] a preparation step of preparing a metal foil-clad laminate in which a first carrier-attached ultra-thin metal foil, which is obtained by peelably laminating a first ultra-thin metal foil and a first carrier, is laminated on a first surface of an insulating layer obtained by impregnating a base material with a resin composition, with the first ultra-thin metal foil facing the insulating layer, and a second carrier-attached ultra-thin metal foil, which is obtained by peelably laminating a second ultra-thin metal foil and a second carrier, is laminated on a second surface of the insulating layer, with the second ultra-thin metal foil facing the insulating layer; a first carrier peeling step of peeling off the first carrier to expose the first ultrathin metal foil after the preparation step; a via hole forming step of performing laser processing from the side of the first ultrathin metal foil after the first carrier peeling step to form at least one via hole in the insulating layer;
  • a method for manufacturing a printed wiring board comprising the steps of: [2] The thickness of the first ultrathin metal foil in the preparation step is made thicker than the thickness of the second ultrathin metal foil, A first ultra-thin metal foil etching step is included in which a thickness of the first ultra-thin metal foil is reduced by etching after the first carrier peeling step and before the via hole forming step.
  • the thickness of the insulating layer is set to 80 ⁇ m or less, and the thickness of the second carrier is set to 12 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, so that even if the first carrier is peeled off from the metal foil laminate and the second carrier is left without being peeled off, warping can be reduced. Therefore, it can be easily made flat by adsorbing it on a suction table or the like, and via holes can be easily formed.
  • the via holes are formed by laser processing in a state where the first carrier is peeled off and the second carrier is not peeled off, the second carrier can dissipate heat during laser processing and prevent holes from being opened in the second ultra-thin metal foil.
  • the thickness of the insulating layer is set to 80 ⁇ m or less, the thickness of the printed wiring board can be made thin and the size of the via holes can be reduced.
  • 2A to 2C are diagrams illustrating steps of a method for manufacturing a printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.
  • 2A to 2C are diagrams showing steps subsequent to those shown in FIG. 1 .
  • 5A to 5C are diagrams illustrating steps of a method for manufacturing a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.
  • 4A to 4C are diagrams showing steps subsequent to those shown in FIG. 3;
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a conventional technique.
  • FIG. 1(A) shows each step of the method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
  • a first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 in which a first ultra-thin metal foil 12A and a first carrier 12B are peelably laminated on a first surface of an insulating layer 11 made of a base material impregnated with a resin composition, is laminated with the first ultra-thin metal foil 12A on the insulating layer 11 side
  • a second carrier-attached ultra-thin metal foil 13 in which a second ultra-thin metal foil 13A and a second carrier 13B are peelably laminated on a second surface of the insulating layer 11, is laminated with the second ultra-thin metal foil 13A on the insulating layer 11 side to prepare a metal foil-clad laminate 10 (preparation step).
  • the thickness of the insulating layer 11 is 80 ⁇ m or less, preferably 70 ⁇ m or less, and more preferably 60 ⁇ m or less. This is because it is possible to reduce the thickness of the printed wiring board and the size of the via holes. Furthermore, the thickness of the insulating layer 11 is, for example, preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more, and even more preferably 30 ⁇ m or more. This is because it is possible to maintain a predetermined strength.
  • the insulating layer 11 is made of, for example, "prepreg.”
  • the substrate is not particularly limited, and any well-known material can be used as appropriate. Materials constituting the substrate include, for example, inorganic fibers such as E glass, T glass, NE glass, D glass, S glass, or Q glass; organic fibers such as polyimide, polyester, or tetrafluoroethylene; and mixtures thereof.
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and examples include woven fabric, nonwoven fabric, roving, chopped strand mat, and surfacing mat. The material and shape of the substrate are selected according to the application and performance of the desired molded product, and one or more types of materials and shapes can be used as necessary.
  • the resin composition can be based on a thermosetting resin with good heat resistance and chemical resistance.
  • thermosetting resin with good heat resistance and chemical resistance.
  • examples include phenolic resin, epoxy resin, cyanate resin, maleimide resin, modified polyphenylene ether compound, bismaleimide triazine resin, isocyanate resin, benzocyclobutene resin, and vinyl resin.
  • thermosetting resins can be used alone or in combination of two or more types.
  • phenolic resin there are no particular limitations on the phenolic resin, and any generally known compound or resin having one or more (preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, even more preferably 2 to 4, even more preferably 2 or 3, and even more preferably 2) phenolic hydroxy groups in one molecule can be used.
  • phenolic resin examples include bisphenol A type phenolic resin, bisphenol E type phenolic resin, bisphenol F type phenolic resin, bisphenol S type phenolic resin, phenol novolac resin, bisphenol A novolac type phenolic resin, glycidyl ester type phenolic resin, aralkyl novolac type phenolic resin, biphenyl aralkyl type phenolic resin, cresol novolac type phenolic resin, polyfunctional phenolic resin, naphthol resin, naphthol novolac resin, polyfunctional naphthol resin, anthracene type phenolic resin, naphthalene skeleton modified novolac type phenolic resin, phenol aralkyl type phenolic resin, naphthol aralkyl type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, biphenyl type phenolic resin, alicyclic phenolic resin, polyol type phenolic resin, phosphorus-containing phenolic resin
  • epoxy resins have excellent heat resistance, chemical resistance, and electrical properties, and are relatively inexpensive, making them suitable for use as insulating materials.
  • Epoxy resins are not particularly limited as long as they have one or more epoxy groups (preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, even more preferably 2 to 4, even more preferably 2 or 3, and even more preferably 2) in one molecule, and include, for example, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, aliphatic linear epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, bisphenol A novolac type epoxy resins, diglycidyl ethers of biphenols, diglycidyl ethers of naphthalenediols, diglycidyl ethers of phenols, diglycidyl ethers of alcohols, and alkyl-substituted, halogenated, and hydrogenated versions of these epoxy resins.
  • epoxy resins may be used alone or in a mixture of two or more types.
  • the curing agent used with this epoxy resin can be any agent that can cure the epoxy resin, and examples of such agents include polyfunctional phenols, polyfunctional alcohols, amines, imidazole compounds, acid anhydrides, organic phosphorus compounds, and halides thereof. These epoxy resin curing agents may be used alone or in combination of two or more.
  • Cyanate resins are resins that produce a cured product with repeating triazine ring units when heated, and the cured product has excellent dielectric properties. For this reason, they are particularly suitable when high-frequency characteristics are required. Cyanate resins are not particularly limited as long as they have an aromatic moiety in the molecule substituted with one or more cyanato groups (cyanate ester groups) (preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, even more preferably 2 to 4, even more preferably 2 or 3, and even more preferably 2) in one molecule, but examples include 2,2-bis(4-cyanatophenyl)propane, bis(4-cyanatophenyl)ethane, 2,2-bis(3,5-dimethyl-4-cyanatophenyl)methane, 2,2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, ⁇ , ⁇ '-bis(4-cyanatophenyl)-m-diisopropylbenzene, cyanate est
  • cyanate resins such as cyanate ester compounds may be used alone or in combination of two or more types.
  • the cyanate ester compounds may be partially oligomerized in advance to a trimer or pentamer.
  • a curing catalyst or curing accelerator can be used in combination with the cyanate resin.
  • the curing catalyst for example, metals such as manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, etc. can be used. Specific examples include organometallic salts such as 2-ethylhexanoate and octylate, and organometallic complexes such as acetylacetone complexes.
  • the curing catalyst can be used alone or in combination of two or more types.
  • phenols as the curing accelerator, and it is possible to use monofunctional phenols such as nonylphenol and paracumylphenol, bifunctional phenols such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S, and polyfunctional phenols such as phenol novolac and cresol novolac.
  • monofunctional phenols such as nonylphenol and paracumylphenol
  • bifunctional phenols such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S
  • polyfunctional phenols such as phenol novolac and cresol novolac.
  • One type of curing accelerator may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
  • maleimide resin any generally known compound or resin having one or more maleimide groups (preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, even more preferably 2 to 4, even more preferably 2 or 3, and even more preferably 2) in one molecule can be used.
  • the maleimide include, but are not limited to, 4,4-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, 2,2-bis(4-(4-maleimidophenoxy)-phenyl)propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane, 4,4-diphenylether bismaleimide, 4,4-diphenylsulfone bismaleimide, 1,3-bis(3-maleimidophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-bis(
  • the modified polyphenylene ether compound is useful from the viewpoint of improving the dielectric properties of the cured product.
  • the modified polyphenylene ether compound may be any known compound as long as the terminals of the polyphenylene ether compound are partially or entirely modified, and is not particularly limited.
  • the term "modified" in the modified polyphenylene ether compound means that the terminals of the polyphenylene ether compound are partially or entirely replaced with reactive functional groups such as carbon-carbon unsaturated double bonds.
  • modified polyphenylene ether compound for example, a modified polyphenylene ether compound in which the terminals of the polyphenylene ether compound are partially or entirely modified with functional groups such as vinylbenzyl groups, epoxy groups, amino groups, hydroxyl groups, mercapto groups, carboxy groups, methacryl groups, and silyl groups is preferable.
  • the modified polyphenylene ether compound more preferably includes a modified polyphenylene ether compound having an ethylenically unsaturated group at the terminal.
  • Examples of the ethylenically unsaturated group include alkenyl groups such as ethenyl, allyl, acryl, methacryl, propenyl, butenyl, hexenyl, and octenyl; cycloalkenyl groups such as cyclopentenyl and cyclohexenyl; and alkenylaryl groups such as vinylbenzyl and vinylnaphthyl. Of these, vinylbenzyl groups are preferred.
  • the terminal ethylenically unsaturated groups may be single or multiple, and may be the same or different functional groups.
  • the modified polyphenylene ether compound may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin composition of this embodiment may contain an oxetane resin.
  • the oxetane resin is not particularly limited, and generally known resins may be used.
  • the oxetane resin may be used alone or in combination of two or more types.
  • Examples of the oxetane resin include alkyl oxetanes such as oxetane, 2-methyloxetane, 2,2-dimethyloxetane, 3-methyloxetane, and 3,3-dimethyloxetane, 3-methyl-3-methoxymethyloxetane, 3,3-di(trifluoromethyl)perfluorooxetane, 2-chloromethyloxetane, 3,3-bis(chloromethyl)oxetane, biphenyl-type oxetane, OXT-101 (product name, Toagosei Co., Ltd.), and OXT-121 (
  • the resin composition of this embodiment may contain a benzoxazine compound.
  • the benzoxazine compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more dihydrobenzoxazine rings in one molecule, and generally known compounds may be used.
  • the benzoxazine compound may be used alone or in combination of two or more. Examples of the benzoxazine compound include bisphenol A-type benzoxazine BA-BXZ, bisphenol F-type benzoxazine BF-BXZ, and bisphenol S-type benzoxazine BS-BXZ (all trade names, Konishi Chemical Industry Co., Ltd.).
  • the resin composition of the present embodiment may contain a compound having a polymerizable unsaturated group.
  • the compound having a polymerizable unsaturated group is not particularly limited, and generally known compounds can be used.
  • the compound having a polymerizable unsaturated group may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the compound having a polymerizable unsaturated group include vinyl compounds such as ethylene, propylene, styrene, divinylbenzene, and divinylbiphenyl; (meth)acrylates of monohydric or polyhydric alcohols such as methyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate; epoxy (meth)acrylates such as bisphenol A type epoxy (meth)acrylate and bisphenol F type epoxy (meth)acrylate; and benzocyclobutene resin.
  • vinyl compounds such as ethylene, propylene, styrene, divinyl
  • the resin composition of this embodiment may contain a thermoplastic elastomer.
  • a thermoplastic elastomer there are no particular limitations on the thermoplastic elastomer, so long as it is a thermoplastic elastomer.
  • the thermoplastic elastomer may be used alone or in combination of two or more types. Examples of the thermoplastic elastomer include styrene-based elastomers and other thermoplastic elastomers other than styrene-based elastomers.
  • styrene-based elastomers examples include styrene-butadiene random copolymers, styrene-butadiene-styrene block copolymers, styrene-isoprene-styrene block copolymers, styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymers, styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymers, styrene-butadiene block copolymers, styrene-isoprene block copolymers, styrene-hydrogenated butadiene block copolymers, styrene-hydrogenated isoprene block copolymers, and styrene-hydrogenated (isoprene/butadiene) block copolymers.
  • the styrene (styrene unit) in the polystyrene block structure may have a substituent.
  • examples of such styrenes include ⁇ -methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene, and 4-cyclohexylstyrene.
  • the styrene content in the styrene-based elastomer is preferably 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more, in 100% by mass of the styrene-based elastomer.
  • the upper limit of the styrene content is, for example, less than 100% by mass, preferably less than 99% by mass, and more preferably 70% by mass or less.
  • the styrene content is a value expressed as (a)/(b) x 100 (unit: mass%), where (a) is the mass of the styrene unit contained in the styrene-based elastomer in g, and (b) is the mass of the entire styrene-based elastomer in g.
  • styrene-based elastomer commercially available products may be used.
  • commercially available products include styrene-butadiene-styrene block copolymers such as TR2630 and TR2003 (both trade names, JSR Corporation); styrene-isoprene-styrene block copolymers such as SIS5250 (JSR Corporation); styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymers such as SEPTON (registered trademark) 2104 (Kuraray Co., Ltd.); and styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymers such as H-1043 (Asahi Kasei Corporation).
  • thermoplastic elastomers besides styrene-based elastomers include, for example, polyisoprene, polybutadiene, butyl rubber, ethylene propylene rubber, fluororubber, silicone rubber, and hydrogenated compounds thereof, as well as alkyl compounds thereof.
  • the resin composition may be mixed with a filler.
  • the filler is not particularly limited, but examples thereof include metal oxides (including hydrates) such as alumina, white carbon, titanium white, titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, and zirconium oxide, metal hydroxides such as aluminum hydroxide, boehmite, and magnesium hydroxide, silicas such as natural silica, fused silica, synthetic silica, amorphous silica, aerosil, and hollow silica, inorganic fillers (inorganic fillers) such as clay, kaolin, talc, mica, glass powder, quartz powder, and shirasu balloons, as well as organic fillers (organic fillers) such as styrene-type, butadiene-type, and acrylic-type rubber powders, core-shell-type rubber powders, silicone resin powders, silicone rubber powders, and silicone composite powders. These fillers may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin composition may contain an organic solvent.
  • the organic solvent is not particularly limited, and may be an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, xylene, or trimethylbenzene; a ketone solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, or methyl isobutyl ketone; an ether solvent such as tetrahydrofuran; an alcohol solvent such as isopropanol or butanol; an ether alcohol solvent such as 2-methoxyethanol or 2-butoxyethanol; or an amide solvent such as N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylformamide, or N,N-dimethylacetamide, if desired.
  • the amount of solvent in the varnish is preferably in the range of 40% to 80% by mass relative to the entire resin composition.
  • the viscosity of the varnish is preferably in the range of 20 cP to 100 cP (20 mPa ⁇ s to 100 mPa ⁇ s).
  • the resin composition may contain a flame retardant.
  • the flame retardant is not particularly limited, but examples of the flame retardant include bromine compounds such as decabromodiphenyl ether, tetrabromobisphenol A, tetrabromophthalic anhydride, and tribromophenol, phosphorus compounds such as triphenyl phosphate, trixylyl phosphate, and cresyl diphenyl phosphate, red phosphorus and its modified products, antimony compounds such as antimony trioxide and antimony pentoxide, and triazine compounds such as melamine, cyanuric acid, and melamine cyanurate.
  • bromine compounds such as decabromodiphenyl ether, tetrabromobisphenol A, tetrabromophthalic anhydride, and tribromophenol
  • phosphorus compounds such as triphenyl phosphate, trixylyl phosphate, and cresyl diphenyl phosphate
  • the resin composition may further contain the above-mentioned curing agent, curing accelerator, and various other additives and fillers such as thermoplastic particles, colorants, UV-opaque agents, antioxidants, and reducing agents.
  • the prepreg can be obtained as a semi-cured (B-stage) prepreg by, for example, impregnating or coating a substrate with a resin composition (including varnish) so that the amount of the resin composition adhering to the substrate is 20% by mass or more and 90% by mass or less in terms of the resin content in the dried prepreg, and then heating and drying the substrate at a temperature of 100°C to 200°C for 1 to 30 minutes.
  • a resin composition including varnish
  • Examples of such prepregs include GHPL-970LF (product name), GHPL-830NS (product name), and GHPL-830NSF (product name) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
  • the first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 is, for example, a first carrier 12B to which a first ultra-thin metal foil 12A is laminated via a peeling layer (not shown) serving as a peeling means.
  • the second carrier-attached ultra-thin metal foil 13 is, for example, a second carrier 13B to which a second ultra-thin metal foil 13A is laminated via a peeling layer (not shown) serving as a peeling means.
  • the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A can be made of, for example, various ultra-thin metal foils, but are preferably made of ultra-thin copper foils in terms of thickness uniformity and corrosion resistance of the foils.
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are not particularly limited, as they are set appropriately as desired.
  • the first ultra-thin metal foil 12A is preferably made to have a thickness of 5 ⁇ m or less in the via hole formation process described below, more preferably less than 3 ⁇ m, and even more preferably 1.5 ⁇ m or less. Also, for example, it is preferably made to be 1 ⁇ m or more.
  • the thickness of the second ultra-thin metal foil 13A can be made the same as that of the first ultra-thin metal foil 12A, for example.
  • the first carrier 12B and the second carrier 13B can be made of, for example, various metal foils, but are preferably made of copper foil in terms of thickness uniformity and corrosion resistance of the foil.
  • the thickness of the second carrier 13B in the via hole formation process described below is preferably 12 ⁇ m to 20 ⁇ m, and more preferably 12 ⁇ m to 18 ⁇ m.
  • the thickness of the first carrier 12B is set appropriately as desired, so is not particularly limited, but can be made the same as the second carrier 13B, for example.
  • the material of the release layer is not particularly limited, and various well-known materials can be used as appropriate.
  • organic materials include nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, carboxylic acids, etc.
  • nitrogen-containing organic compounds include triazole compounds and imidazole compounds, and among them, triazole compounds are preferred because they tend to have stable release properties.
  • triazole compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N',N'-bis(benzotriazolylmethyl)urea, 1H-1,2,4-triazole, and 3-amino-1H-1,2,4-triazole.
  • Examples of sulfur-containing organic compounds include mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid, and 2-benzimidazolethiol.
  • Examples of carboxylic acids include monocarboxylic acids and dicarboxylic acids.
  • Inorganic materials include metals or alloys consisting of at least one of Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn, etc., or oxides thereof.
  • the thickness of the release layer can be, for example, 1 nm or more and 1 ⁇ m or less, and preferably 5 nm or more and 500 nm or less.
  • the metal foil-clad laminate 10 can be laminated by, for example, arranging the first carrier-attached ultrathin metal foil 12 on the first surface of the insulating layer 11 with the first ultrathin metal foil 12A facing the insulating layer 11, and arranging the second carrier-attached ultrathin metal foil 13 on the second surface of the insulating layer 11 with the second ultrathin metal foil 13A facing the insulating layer 11, and applying heat and pressure.
  • Examples of the molding method include methods that are commonly used when molding laminates for printed wiring boards, and more specifically, methods of laminate molding using a multi-stage press machine, a multi-stage vacuum press machine, a continuous molding machine, an autoclave molding machine, or the like, at a temperature of about 180 to 350 ° C., a heating time of about 100 to 300 minutes, and a surface pressure of about 20 to 100 kg / cm 2 .
  • the first carrier 12B is peeled off from the metal foil laminate 10 to expose the first ultra-thin metal foil 12A (first carrier peeling process).
  • the first carrier peeling step for example, as shown in FIG. 1(C)
  • laser processing is performed from the side of the first ultra-thin metal foil 12A to form at least one via hole 11A in the insulating layer 11 (via hole forming step).
  • the first carrier 12B is peeled off, and the second carrier 13B is left unpeeled, and then laser processing using a carbon dioxide laser or the like is performed to drill holes in the first ultra-thin metal foil 12A and the insulating layer 11 to form the via hole 11A reaching the second ultra-thin metal foil 13A.
  • the hole diameter (top diameter) of the via hole 11A is preferably 120 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 60 ⁇ m or less.
  • the thickness of the insulating layer 11 in the via hole formation process is set to 80 ⁇ m or less, and the thickness of the second carrier 13B is set to 12 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. Therefore, even if the first carrier is peeled off and the second carrier is left without being peeled off, warping can be reduced, and the via hole can be easily formed by simply making it flat by adsorbing it on a suction table or the like.
  • the via hole is formed by laser processing in a state in which the first carrier is peeled off and the second carrier is not peeled off, the second carrier can dissipate heat during laser processing and prevent holes from being opened in the second ultra-thin metal foil. Furthermore, as described above, if the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A in the via hole formation process is set to 5 ⁇ m or less, the laser energy can be suppressed during processing, which is preferable because the size of the via hole can be reduced.
  • the second carrier 13B is peeled off to expose the second ultra-thin metal foil 13A (second carrier peeling process).
  • second carrier peeling process for example, a desmear process is performed to remove smears (resin residues) in the via holes 11A (desmear process).
  • via conductors 14 are formed in the via holes 11A, and conductor patterns 15 are formed (via conductor forming process and conductor pattern forming process).
  • a desmear process is performed, followed by electroless plating to form a plating layer 16 on the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A, and on the inner wall of the via hole 11A (electroless plating process).
  • electroless plating process for example, as shown in FIG.
  • a dry film is thermocompressed onto the plating layer 16 to provide a resist layer, and exposure and development are performed to form a resist pattern 17 as a plating resist (resist pattern forming process).
  • the resist pattern 17 is formed to correspond to the area from which the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are removed in the etching process described later.
  • electrolytic plating is performed using the resist pattern 17 as a plating resist, and via conductors 14 are formed in the via holes 11A by via filling plating, while the thickness of the plating layer 16 is increased (electrolytic plating process).
  • the resist pattern 17 is removed, and parts of the plating layer 16, the first ultra-thin metal foil 12A, and the second ultra-thin metal foil 13A are removed by flash etching or the like to form the conductor pattern 15 (etching process).
  • the plating layer 16 in the area where the resist pattern 17 is not formed, and the plating layer 16, the first ultra-thin metal foil 12A, and the second ultra-thin metal foil 13A in the area where the resist pattern 17 is formed are removed. If the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A is set to 5 ⁇ m or less, the amount of etching in the etching process can be reduced, and therefore a finer pattern can be formed, which is preferable. This results in a printed wiring board.
  • the thickness of the insulating layer 11 is set to 80 ⁇ m or less, and the thickness of the second carrier 13B is set to 12 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, so that even if the first carrier 12B is peeled off from the metal foil laminate 10 and the second carrier 13B is left without being peeled off, warping can be reduced. Therefore, it can be easily made flat by adsorbing it on a suction table or the like, and the via hole 11A can be easily formed.
  • the via hole 11A is formed by laser processing in a state where the first carrier 12B is peeled off and the second carrier 13B is not peeled off, the heat during laser processing can be dissipated by the second carrier 13B, and holes can be prevented from being opened in the second ultra-thin metal foil 13A. Furthermore, since the thickness of the insulating layer 11 is set to 80 ⁇ m or less, the thickness of the printed wiring board can be made thin and the size of the via hole 11A can be made small.
  • the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A in the via hole formation process is set to 5 ⁇ m or less, the laser energy used to form the via hole 11A can be suppressed, making it possible to further reduce the size of the via hole 11A.
  • Second Embodiment 3 and 4 show the steps of a method for manufacturing a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.
  • a blackening treatment (BO treatment) is performed before the via hole formation step in the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, components corresponding to those in the first embodiment are described with the same reference numerals.
  • a metal foil-clad laminate 10 is prepared in the same manner as in the first embodiment (preparation process).
  • the metal foil-clad laminate 10 is similar to the first embodiment, except that the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A in the preparation process is made thicker than the thickness of the second ultra-thin metal foil 13A.
  • the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A in the preparation process is preferably about 1.0 ⁇ m to 2.5 ⁇ m thicker than the thickness of the second ultra-thin metal foil 13A in the preparation process, and more preferably about 1.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m thicker.
  • the thickness of the first ultrathin metal foil 12A in the via hole formation process is the same as in the first embodiment, and the thickness of the first ultrathin metal foil 12A in the preparation process is preferably about 1.0 ⁇ m to 2.5 ⁇ m thicker than the thickness in the via hole formation process, and more preferably about 1.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m thicker.
  • the first carrier 12B is peeled off from the metal foil laminate 10 to expose the first ultra-thin metal foil 12A (first carrier peeling process).
  • soft etching is performed as a blackening pretreatment to roughen the surface of the first ultra-thin metal foil 12A and reduce the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A (first ultra-thin metal foil etching process).
  • first ultra-thin metal foil etching process This reduces the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A to the thickness in the via hole formation process, and makes it approximately the same as the thickness of the second ultra-thin metal foil 13A.
  • racking is performed on a blackening treatment jig, and immersion treatment is performed in the order of degreasing and soft etching. It is preferable that the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A after soft etching in the first ultra-thin metal foil etching process be ⁇ 0.5 ⁇ m with respect to the thickness of the second ultra-thin metal foil 13A.
  • a blackening process is performed as a pretreatment for the via hole formation process (blackening process).
  • blackening process the blackened surface is indicated by a thick dotted line.
  • a pre-dip process and an oxide process are performed in this order by immersion.
  • laser processing is performed from the side of the first ultra-thin metal foil 12A in the same manner as in the first embodiment, to form at least one via hole 11A in the insulating layer 11 (via hole formation process).
  • the size of the via hole can be made smaller than in the first embodiment.
  • the second carrier 13B is peeled off to expose the second ultra-thin metal foil 13A (second carrier peeling process).
  • a desmear process is performed (desmear process), and the surface of the first ultra-thin metal foil 12A that has been blackened by acid cleaning is removed (surface removal process).
  • via conductors 14 are formed in the via holes 11A, and conductor patterns 15 are formed (via conductor formation process and conductor pattern formation process).
  • the size of the via holes can be further reduced by performing a blackening process.
  • Example 1 A printed wiring board was produced as follows.
  • a 40 ⁇ m thick prepreg (GHPL-970LF, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) in which a base material made of glass woven fabric is impregnated with a resin composition containing a bismaleimide-triazine resin is used, and as the first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 and the second carrier-attached ultra-thin metal foil 13, a carrier-attached ultra-thin electrolytic copper foil in which a carrier copper foil having a thickness of 18 ⁇ m and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) are peelably laminated is used, and the carrier-attached ultra-thin electrolytic copper foil is laminated on both sides of the insulating layer 11 so that the ultra-thin electrolytic copper foil is on the insulating layer 11 side, and heated and pressed
  • the thickness of the insulating layer 11 is 40 ⁇ m
  • the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A is 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the first carrier 12B and the second carrier 13B is 18 ⁇ m.
  • the plating jig was racked, and electroless copper plating was performed using a device manufactured by Almex Technologies Co., Ltd. that can be immersed and swung in an electroless copper plating tank.
  • the chemical solution used was a mixture of Thru-Cup PEA (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and formaldehyde.
  • the chemical solution temperature for electroless copper plating was 36°C, and the treatment time was 10 minutes, forming an electroless copper plating with a thickness of 0.4 ⁇ m.
  • a dry film resist (RD-1215, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., 15 ⁇ m thick) was laminated on the electroless copper plating to provide a resist layer.
  • the laminator used was a device manufactured by ONC Co., Ltd., and lamination was performed under conditions of a lamination pressure of 0.4 MPa and a lamination temperature of 110°C. After providing the resist layer, the resist layer was exposed to light.
  • the exposure machine used was INPREX3650 (manufactured by ADTEC Engineering Co., Ltd.), and exposure was performed under conditions of an exposure amount of 45 mJ. After the exposure, the unexposed portion was dissolved in a developer to form a resist pattern 17.
  • a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate was used as the developer, and development was performed under conditions of a temperature of 30° C. and a time of 30 seconds. After the resist pattern 17 was formed, scum was removed by plasma cleaning.
  • a plasma processing device PCB1600E manufactured by Nordson Advanced Technology Co., Ltd. was used as the device, and argon, nitrogen, oxygen, and tetrafluoromethane were used as the gases.
  • via-filling plating an immersion type apparatus (manufactured by Almex Technologies Co., Ltd.) was used, and electrolytic plating was performed to a thickness of 10 ⁇ m with a direct current of 1 A/ dm2 using a phosphorus-containing copper anode of a soluble anode.
  • the copper plating bath temperature was set to 22°C, and additives of leveler, brightener, and polymer of through-hole filling liquid CU-BRITE TF4 (manufactured by JCU Corporation) were used.
  • a mixed solution of copper sulfate, sulfuric acid, and hydrochloric acid was used as the copper plating bath. After electrolytic plating, the resist pattern 17 was removed.
  • the etching solution used was R-100S (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), and the solution temperature was set to 48°C.
  • a spray type apparatus (manufactured by Tokyo Kakoki Co., Ltd.) was used.
  • the electroless copper plating layer 16, the first ultrathin metal foil 11A, and the second ultrathin metal foil 12A were removed with an etching solution, washed with water, and dried to form a conductor pattern 15.
  • the etching solution used was CPE-770D (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), and copper etching was performed under the condition of a solution temperature of 35° C.
  • the equipment used was a horizontal line spray type (manufactured by Tokyo Kakoki Co., Ltd.).
  • Example 2 Except for using a 60 ⁇ m thick prepreg (GHPL-970LF, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) in which a base material made of glass woven fabric was impregnated with a resin composition containing bismaleimide-triazine resin as the insulating layer 11, the preparation step, the first carrier peeling step, the via hole forming step, the second carrier peeling step, the desmear step, the via conductor forming step, and the conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Example 1.
  • GHPL-970LF manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 60 ⁇ m
  • the thicknesses of the first extremely thin metal foil 12A and the second extremely thin metal foil 13A were 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 18 ⁇ m.
  • Example 3 As the first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 and the second carrier-attached ultra-thin metal foil 13, a carrier-attached ultra-thin electrolytic copper foil obtained by peelably laminating a carrier copper foil having a thickness of 12 ⁇ m by half etching and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) was used. Except for this, the preparation process, the first carrier peeling process, the via hole forming process, the second carrier peeling process, the desmear process, the via conductor forming process, and the conductor pattern forming process were performed in the same manner as in Example 1.
  • MT18FL manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
  • the thickness of the insulating layer 11 is 40 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B is 12 ⁇ m.
  • Example 4 As the first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 and the second carrier-attached ultra-thin metal foil 13, a carrier-attached ultra-thin electrolytic copper foil obtained by peelably laminating a carrier copper foil having a thickness of 12 ⁇ m by half etching and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) was used.
  • the preparation process, the first carrier peeling process, the via hole forming process, the second carrier peeling process, the desmear process, the via conductor forming process, and the conductor pattern forming process were performed in the same manner as in Example 2.
  • the thickness of the insulating layer 11 is 60 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B is 12 ⁇ m.
  • Example 5 Except for using an ultra-thin electrolytic copper foil with a carrier in which a carrier copper foil having a thickness of 18 ⁇ m and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 3 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) were peelably laminated as the first ultra-thin metal foil with a carrier 12 and the second ultra-thin metal foil with a carrier 13, the preparation step, the first carrier peeling step, the via hole forming step, the second carrier peeling step, the desmear step, the via conductor forming step, and the conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Example 1.
  • MT18FL manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 40 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A were 3 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 18 ⁇ m.
  • Example 1 Except for using a carrier-attached ultra-thin electrolytic copper foil in which a carrier copper foil having a thickness of 35 ⁇ m obtained by electrolytic plating and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) were peelably laminated as the first carrier-attached ultra-thin metal foil 12 and the second carrier-attached ultra-thin metal foil 13, the preparation step, the first carrier peeling step, the via hole forming step, the second carrier peeling step, the desmear step, the via conductor forming step, and the conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Example 1.
  • MT18FL manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
  • the thickness of the insulating layer 11 is 40 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B is 35 ⁇ m.
  • Comparative Example 2 Except for using a 60 ⁇ m thick prepreg (GHPL-970LF, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) in which a base material made of woven glass fabric was impregnated with a resin composition containing bismaleimide-triazine resin as the insulating layer 11, the preparation step, first carrier peeling step, via hole forming step, second carrier peeling step, desmear step, via conductor forming step, and conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Comparative Example 1.
  • GHPL-970LF manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 60 ⁇ m
  • the thicknesses of the first extremely thin metal foil 12A and the second extremely thin metal foil 13A were 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 35 ⁇ m.
  • Comparative Example 3 Except for using a 100 ⁇ m thick prepreg (GHPL-970LF, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) in which a base material made of glass woven fabric was impregnated with a resin composition containing bismaleimide-triazine resin as the insulating layer 11, the preparation step, first carrier peeling step, via hole forming step, second carrier peeling step, desmear step, via conductor forming step, and conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Comparative Example 1.
  • GHPL-970LF manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 100 ⁇ m
  • the thicknesses of the first extremely thin metal foil 12A and the second extremely thin metal foil 13A were 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 35 ⁇ m.
  • Comparative Example 4 Except for using an ultra-thin electrolytic copper foil with a carrier in which a carrier copper foil having a thickness of 18 ⁇ m and an ultra-thin electrolytic copper foil having a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) were peelably laminated as the first ultra-thin metal foil with a carrier 12 and the second ultra-thin metal foil with a carrier 13, the preparation step, the first carrier peeling step, the via hole forming step, the second carrier peeling step, the desmear step, the via conductor forming step, and the conductor pattern forming step were performed in the same manner as in Comparative Example 3.
  • MT18FL manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
  • the thickness of the insulating layer 11 is 100 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A are 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B is 18 ⁇ m.
  • the thickness of the insulating layer 11 is 100 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultrathin metal foil 12A and the second ultrathin metal foil 13A are 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B is 12 ⁇ m.
  • the average value of the amount of warping of the metal foil-clad laminate 10 was 0.9 mm in Example 1, -9.3 mm in Example 2, 0 mm in Example 3, -6.3 mm in Example 4, 5.3 mm in Example 5, -7.3 mm in Comparative Example 1, -16 mm in Comparative Example 2, -14 mm in Comparative Example 3, -5.3 mm in Comparative Example 4, and -3.5 mm in Comparative Example 5. Note that when the metal foil-clad laminate 10 warped toward the second surface (when the central portion warped toward the second surface side), the measurement was performed with the second surface side facing up, and the measured value was indicated as "-".
  • the thickness of the insulating layer 11 is set to 80 ⁇ m or less and the thickness of the second carrier 13B is set to 12 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less in the via hole formation process, warping can be reduced even when the first carrier 12B is peeled off from the metal foil-clad laminate 10 and the second carrier 13B is left in place without being peeled off.
  • Example 6 [Preparation process] (see FIG. 3(A))
  • a 40 ⁇ m-thick prepreg (GHPL-970LF, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) in which a base material made of glass woven fabric is impregnated with a resin composition containing a bismaleimide-triazine resin was used.
  • GHPL-970LF manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.
  • MT18FL extremely thin electrolytic copper foil with a carrier in which a carrier copper foil with a thickness of 18 ⁇ m and an extremely thin electrolytic copper foil with a thickness of 3 ⁇ m
  • an extremely thin electrolytic copper foil with a carrier in which a carrier copper foil with a thickness of 18 ⁇ m and an extremely thin electrolytic copper foil with a thickness of 1.5 ⁇ m (MT18FL, manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) were peelably laminated was used.
  • the extremely thin electrolytic copper foils with a carrier were laminated on both sides of the insulating layer 11 so that the extremely thin electrolytic copper foils were on the insulating layer 11 side, and the resulting laminate was heated and pressed to form a metal foil-clad laminate 10.
  • the insulating layer 11 has a thickness of 40 ⁇ m
  • the first extremely thin metal foil 12A has a thickness of 3 ⁇ m
  • the second extremely thin metal foil 13A has a thickness of 1.5 ⁇ m
  • the first carrier 12B and the second carrier 13B have a thickness of 18 ⁇ m.
  • the first ultrathin metal foil 12A and the second carrier 13B were soft-etched by racking on a blackening jig and then immersing in the following order: degreasing, soft etching.
  • a device manufactured by Chemitron Co., Ltd. was used for the immersion treatment.
  • Metex S-1707 manufactured by MacDermid Performance Solutions Japan
  • NPE-300 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
  • the degreasing was performed by immersion at 60°C for 185 seconds
  • the soft etching was performed by immersion at 30°C for 105 seconds.
  • the thickness of the first ultrathin metal foil 12A became 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B became 16.5 ⁇ m.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 40 ⁇ m
  • the thicknesses of the first ultrathin metal foil 12A and the second ultrathin metal foil 13A were 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 16.5 ⁇ m.
  • Example 7 In the preparation step, the thickness of the insulating layer 11 was 40 ⁇ m, the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A was 1.5 ⁇ m, the thickness of the first carrier 12B and the second carrier 13B was 18 ⁇ m, and the first ultra-thin metal foil etching step and the blackening treatment step were not performed after the first carrier peeling step. Except for this, the via holes 11A were formed in the insulating layer 11 in the same manner as in Example 6. In Example 7, via holes 11A with hole diameters (top diameters) of 100 ⁇ m, 60 ⁇ m, and 55 ⁇ m could be formed, but via holes with hole diameters of 50 ⁇ m and 40 ⁇ m could not be formed.
  • the thickness of the insulating layer 11 was 40 ⁇ m
  • the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A and the second ultra-thin metal foil 13A was 1.5 ⁇ m
  • the thickness of the second carrier 13B was 18 ⁇ m.
  • Example 6 (Characteristics evaluation) In Examples 6 and 7, after the via holes 11A were formed, the first ultrathin metal foil 12A was removed by etching, and the via holes 11A of each hole diameter were observed with an optical microscope. For the observation, an MS-200 (manufactured by Asahi Optical Machinery Works, Ltd.) was used, and the magnification was 450 times. As a result, it was confirmed that in Example 6, via holes 11A with a hole diameter of up to 40 ⁇ m could be formed. In Example 7, it was confirmed that via holes 11A with a hole diameter of up to 55 ⁇ m could be formed. The obtained results are shown in Table 2.
  • Example 6 in which the thickness of the insulating layer 11 in the preparation process was 40 ⁇ m, the thickness of the second carrier 13B was 18 ⁇ m, and the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A was 3 ⁇ m, and the first ultra-thin metal foil 12A was etched and blackened, it was found that the hole diameter of the via hole 11A could be reduced by 15 ⁇ m compared to Example 7, in which the thickness of the insulating layer 11 in the preparation process was 40 ⁇ m, the thickness of the second carrier 13B was 18 ⁇ m, and the thickness of the first ultra-thin metal foil 12A was 1.5 ⁇ m, and the first ultra-thin metal foil 12A was not etched or blackened.
  • 10 metal foil laminate, 11...insulating layer, 11A...via hole, 12...ultra-thin metal foil with first carrier, 12A...first ultra-thin metal foil, 12B...first carrier, 13...ultra-thin metal foil with second carrier, 13A...second ultra-thin metal foil, 13B...second carrier, 14...via conductor, 15...conductor pattern, 16...plating layer, 17...resist pattern

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Abstract

【課題】絶縁層の厚みを薄くし、かつ、工程を簡素化することができるプリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁層１１の第１面に第１キャリア付極薄金属箔１２が第１極薄金属箔１２Ａを絶縁層１１の側として積層され、かつ、絶縁層１１の第２面に第２キャリア付極薄金属箔１３が第２極薄金属箔１３Ａを絶縁層１１の側として積層された金属箔張積層板１０を準備し、第１キャリア１２Ｂを剥離した後、第２キャリア１３Ｂを剥離しない状態で、レーザー加工によりバイアホールを形成する。バイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは８０μｍ以下とし、第２キャリアの厚みは１２μｍ以上２０μｍ以下とする。

Description

プリント配線板の製造方法
　本発明は、バイアホールを有するプリント配線板の製造方法に関する。
　近年、半導体素子の小型化、高性能化に加え、半導体素子を搭載するプリント配線板の高密度化、多層化、バイアホールの小径化、高精度化が不可欠となっている。バイアホールを有するプリント配線板の製造方法としては、例えば、絶縁層の両面にあらかじめキャリア付極薄金属箔が積層された両面金属箔張積層板を使用する方法がある。絶縁層の両面にキャリア付極薄金属箔を積層した金属箔張積層板を用いて、バイアホールを形成する方法としては、例えば、両面のキャリアを剥離した後、一方の面の極薄金属箔側からレーザー光を照射する方法がある。しかしながら、この加工方法の場合は、ビアホール底面で他方の面の極薄金属箔の損傷を受けた部分に孔があいてしまい、次工程でバイアホール内に、精度よくビア導体を形成することができなくなる。この問題を回避する方法としては、キャリア付極薄金属箔張積層板の一方の面のキャリアを剥離した後、一方の面側からレーザー加工を行ってバイアホールを形成し、次いで、他方の面のキャリアを剥離し、続いて、バイアホール内にビア導体を形成するものが知られている（特許文献１参照）。この加工方法では、一方の面の極薄金属箔側からレーザー光を照射することによって、他方の面の極薄金属箔に発生する損傷を抑制することができる。
特開２００４－３１７１０号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の方法では、絶縁層の厚みを薄くすると、一方の面のキャリアを剥離した後に、例えば、図５（Ａ）（Ｂ）に示したように、絶縁層１１１の一方の面に存在する極薄金属箔１１２と他方の面に存在するキャリア付極薄金属箔１１３との厚み差により大きな反りが発生してしまう。そのため、レーザー加工でバイアホールを形成する際に、吸着テーブル１２０で吸着して平面状にすることが難しく、テープで抑える等の工程が必要となり、工程が複雑化してしまうという問題や、吸着テーブルで平面状とならず、しわが発生してしまうという問題があった。
　本発明は、このような問題に基づきなされたものであり、絶縁層の厚みを薄くし、かつ、工程を簡素化することができるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は以下の通りである。
［１］
　基材に樹脂組成物を含浸した絶縁層の第１面に、第１極薄金属箔と第１キャリアとを剥離可能に積層した第１キャリア付極薄金属箔が前記第１極薄金属箔を前記絶縁層の側として積層され、かつ、前記絶縁層の第２面に、第２極薄金属箔と第２キャリアとを剥離可能に積層した第２キャリア付極薄金属箔が前記第２極薄金属箔を前記絶縁層の側として積層された金属箔張積層板を準備する準備工程と、
　前記準備工程の後、前記第１キャリアを剥離して、前記第１極薄金属箔を露出する第１キャリア剥離工程と、
　前記第１キャリア剥離工程の後、前記第１極薄金属箔の側からレーザー加工を行い、前記絶縁層に少なくとも１つのバイアホールを形成するバイアホール形成工程と、
　前記バイアホール形成工程の後、前記第２キャリアを剥離し、第２極薄金属箔を露出する第２キャリア剥離工程と、
　前記第２キャリア剥離工程の後、前記バイアホールにビア導体を形成するビア導体形成工程と、
　を含むプリント配線板の製造方法において、
　前記絶縁層の厚みが８０μｍ以下であり、
　前記バイアホール形成工程における前記第２キャリアの厚みが１２μｍ以上２０μｍ以下である、
　ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
［２］
　前記準備工程における前記第１極薄金属箔の厚みを前記第２極薄金属箔の厚みよりも厚くし、
　前記第１キャリア剥離工程の後、前記バイアホール形成工程の前に、前記第１極薄金属箔の厚みをエッチングにより薄くする第１極薄金属箔エッチング工程を含む、
　［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
［３］
　前記第２キャリア剥離工程の後、前記ビア導体形成工程の前に、前記バイアホールのスミアを除去するデスミア処理を行うデスミア工程を含む、
　［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
［４］
　前記バイアホール形成工程における前記第１極薄金属箔の厚みが５μｍ以下である、［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
［５］
　前記バイアホール形成工程における前記第１極薄金属箔の厚みが３μｍ未満である、［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
［６］
　前記第２キャリアが金属箔である、［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
［７］
　前記バイアホールの少なくとも１つのトップ径が１２０μｍ以下である、［１］に記載のプリント配線板の製造方法。
　本発明によれば、バイアホール形成工程において、絶縁層の厚みを８０μｍ以下、第２キャリアの厚みを１２μｍ以上２０μｍ以下とするようにしたので、金属箔張積層板から第１キャリアを剥離し、第２キャリアを剥離せず残存させた状態としても、反りを小さくすることができる。よって、吸着テーブル等で吸着することにより簡単に平面状とすることができ、容易にバイアホールを形成することができる。また、第１キャリアを剥離し、第２キャリアを剥離しない状態で、レーザー加工によりバイアホールを形成するようにしたので、第２キャリアによりレーザー加工時の熱を放散することができ、第２極薄金属箔に孔が開いてしまうことを抑制することができる。更に、絶縁層の厚みを８０μｍ以下とするようにしたので、プリント配線板の厚みを薄くすることができると共に、バイアホールの大きさを小さくすることができる。
本発明の第１の実施の形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を表す図である。 図１に続く各工程を表す図である。 本発明の第２の実施の形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を表す図である。 図３に続く各工程を表す図である。 従来技術を説明する図である。
　以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
［第１の実施形態］
　図１及び図２は、本発明の第１の実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を表すものである。まず、例えば、図１（Ａ）に示したように、基材に樹脂組成物を含浸した絶縁層１１の第１面に、第１極薄金属箔１２Ａと第１キャリア１２Ｂとを剥離可能に積層した第１キャリア付極薄金属箔１２が第１極薄金属箔１２Ａを絶縁層１１の側として積層され、かつ、絶縁層１１の第２面に、第２極薄金属箔１３Ａと第２キャリア１３Ｂとを剥離可能に積層した第２キャリア付極薄金属箔１３が第２極薄金属箔１３Ａを絶縁層１１の側として積層された金属箔張積層板１０を準備する（準備工程）。
　絶縁層１１の厚みは８０μｍ以下であり、７０μｍ以下とすれば好ましく、６０μｍ以下とすればより好ましい。プリント配線板の厚みを薄くすることができると共に、バイアホールの大きさを小さくすることができるからである。また、絶縁層１１の厚みは、例えば、１０μｍ以上とすることが好ましく、２０μｍ以上とすればより好ましく、３０μｍ以上とすれば更に好ましい。所定の強度を保持することができるからである。
　絶縁層１１は、例えば、“プリプレグ”により構成される。基材は、特に限定されず、周知のものを適宜使用することができる。基材を構成する材料としては、例えば、Ｅガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、Ｄガラス、Ｓガラス又はＱガラス等の無機繊維；ポリイミド、ポリエステル又はテトラフルオロエチレン等の有機繊維；及びそれらの混合物等が挙げられる。基材の形状は、特に限定されるものではないが、例えば、織布、不織布、ロービング、チョップドストランドマット、サーフェシングマット等が挙げられる。基材の材質及び形状は、目的とする成形物の用途や性能により選択され、必要により単独もしくは２種類以上の材質及び形状の使用も可能である。
　樹脂組成物としては、耐熱性、耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂をベースとして用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、変性ポリフェニレンエーテル化合物、ビスマレイミドトリアジン樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂及びビニル樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　フェノール樹脂としては、特に限定されず、１分子中に１個以上（好ましくは２～１２、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、一層好ましくは２または３、より一層好ましくは２）のフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は樹脂であれば、一般に公知のものを使用できる。例えば、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＥ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂、ビスフェノールＳ型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック型フェノール樹脂、グリシジルエステル型フェノール樹脂、アラルキルノボラック型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、多官能フェノール樹脂、ナフトール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、多官能ナフトール樹脂、アントラセン型フェノール樹脂、ナフタレン骨格変性ノボラック型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、ポリオール型フェノール樹脂、リン含有フェノール樹脂及び水酸基含有シリコーン樹脂類が挙げられる。これらのフェノール樹脂は、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　熱硬化性樹脂の中でも、エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性及び電気特性に優れ、比較的安価であることから、絶縁材料として好適に用いることができる。エポキシ樹脂としては、１分子中に１個以上（好ましくは２～１２、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、一層好ましくは２または３、より一層好ましくは２）のエポキシ基を有する化合物または樹脂であれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエテール化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエテール化物、フェノール類のジグリシジルエテール化物、アルコール類のジグリシジルエテール化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。また、このエポキシ樹脂とともに用いる硬化剤はエポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、多官能アルコール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物及びこれらのハロゲン化物が挙げられる。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　シアネート樹脂は、加熱によりトリアジン環を繰り返し単位とする硬化物を生成する樹脂であり、硬化物は誘電特性に優れる。このため、特に高周波特性が要求される場合などに好適である。シアネート樹脂としては、１分子中に１個以上（好ましくは２～１２、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、一層好ましくは２または３、より一層好ましくは２）のシアナト基（シアン酸エステル基）により置換された芳香族部分を分子中に有する化合物または樹脂であれば特に限定されないが、例えば、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ビス（４－シアナトフェニル）エタン、２，２－ビス（３，５ジメチル－４－シアナトフェニル）メタン、２，２－（４－シアナトフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、α，α’－ビス（４－シアナトフェニル）－ｍ－ジイソプロピルベンゼン、フェノールノボラック及びアルキルフェノールノボラックのシアネートエステル化物等が挙げられる。その中でも、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンは、硬化物の誘電特性と硬化性とのバランスが特に良好であり、コスト的にも安価であるため好ましい。これらシアネートエステル化合物等のシアネート樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、前記シアネートエステル化合物は予め一部が三量体や五量体にオリゴマー化されていてもよい。
　さらに、シアネート樹脂に対して硬化触媒や硬化促進剤を併用することもできる。硬化触媒としては、例えば、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛等の金属類を用いることができ、具体的には、２－エチルヘキサン酸塩、オクチル酸塩等の有機金属塩やアセチルアセトン錯体などの有機金属錯体を挙げることができる。硬化触媒は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
　また、硬化促進剤としてはフェノール類を使用することが好ましく、ノニルフェノール、パラクミルフェノールなどの単官能フェノールや、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどの二官能フェノール、又は、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多官能フェノールなどを用いることができる。硬化促進剤は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
　マレイミド樹脂としては、１分子中に１個以上（好ましくは２～１２、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、一層好ましくは２または３、より一層好ましくは２）のマレイミド基を有する化合物または樹脂であれば、一般に公知のものを使用できる。例えば、４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、フェニルメタンマレイミド、ｍ－フェニレンビスマレイミド、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）－フェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン、４，４－ジフェニルエーテルビスマレイミド、４，４－ジフェニルスルフォンビスマレイミド、１，３－ビス（３－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミド、ノボラック型マレイミド、ビフェニルアラルキル型マレイミド、及びこれらマレイミド化合物のプレポリマー、もしくはマレイミド化合物とアミン化合物のプレポリマーが挙げられるが、特に制限されるものではない。これらのマレイミド樹脂は、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　変性ポリフェニレンエーテル化合物は、硬化物の誘電特性を向上させることができるという観点から、有用である。変性ポリフェニレンエーテル化合物は、ポリフェニレンエーテル化合物の末端の一部又は全部が変性されていれば、公知のものを適宜用いることができ、特に限定されない。なお、本明細書において、変性ポリフェニレンエーテル化合物の「変性」とは、ポリフェニレンエーテル化合物の末端の一部又は全部が、炭素－炭素不飽和二重結合等の反応性官能基で置換されたことを意味する。変性ポリフェニレンエーテル化合物としては、例えば、ポリフェニレンエーテル化合物の末端の一部又は全部が、ビニルベンジル基等のエチレン性不飽和基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシ基、メタクリル基、及びシリル基等の官能基で変性された変性ポリフェニレンエーテル化合物が好ましい。変性ポリフェニレンエーテル化合物は、末端にエチレン性不飽和基を有する変性ポリフェニレンエーテル化合物を含むことがより好ましい。エチレン性不飽和基としては、エテニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、及びオクテニル基等のアルケニル基；シクロペンテニル基及びシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基；ビニルベンジル基及びビニルナフチル基等のアルケニルアリール基が挙げられる。中でも、ビニルベンジル基が好ましい。末端のエチレン性不飽和基は、単一又は複数でもよく、同一の官能基であってもよいし、異なる官能基であってもよい。変性ポリフェニレンエーテル化合物は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本実施形態の樹脂組成物は、オキセタン樹脂を含んでいてもよい。オキセタン樹脂としては、特に限定されず、一般に公知のものを使用できる。オキセタン樹脂は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。オキセタン樹脂としては、例えば、オキセタン、２－メチルオキセタン、２，２－ジメチルオキセタン、３－メチルオキセタン、３，３－ジメチルオキセタン等のアルキルオキセタン、３－メチル－３－メトキシメチルオキセタン、３，３－ジ（トリフルオロメチル）パーフルオロオキセタン、２－クロロメチルオキセタン、３，３－ビス（クロロメチル）オキセタン、ビフェニル型オキセタン、ＯＸＴ－１０１（商品名、東亞合成株式会社）、及びＯＸＴ－１２１（商品名、東亞合成株式会社）等が挙げられる。
　本実施形態の樹脂組成物は、ベンゾオキサジン化合物を含んでいてもよい。ベンゾオキサジン化合物としては、１分子中に２個以上のジヒドロベンゾオキサジン環を有する化合物であれば特に限定されず、一般に公知のものを用いることができる。ベンゾオキサジン化合物は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。ベンゾオキサジン化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型ベンゾオキサジンＢＡ－ＢＸＺ、ビスフェノールＦ型ベンゾオキサジンＢＦ－ＢＸＺ、及びビスフェノールＳ型ベンゾオキサジンＢＳ－ＢＸＺ（以上、商品名、小西化学工業株式会社）等が挙げられる。
　本実施形態の樹脂組成物は、重合可能な不飽和基を有する化合物を含んでいてもよい。
　重合可能な不飽和基を有する化合物としては、特に限定されず、一般に公知のものを使用できる。重合可能な不飽和基を有する化合物は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。重合可能な不飽和基を有する化合物としては、例えば、エチレン、プロピレン、スチレン、ジビニルベンゼン、及びジビニルビフェニル等のビニル化合物；メチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、及びジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の１価又は多価アルコールの（メタ）アクリレート類；ビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、及びビスフェノールＦ型エポキシ（メタ）アクリレート等のエポキシ（メタ）アクリレート類；ベンゾシクロブテン樹脂が挙げられる。
　本実施形態の樹脂組成物は、熱可塑性エラストマーを含んでいてもよい。熱可塑性エラストマーは、熱可塑性のエラストマーであれば特に限定されない。熱可塑性エラストマーは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。熱可塑性エラストマーとしては、例えば、スチレン系エラストマー、及びスチレン系エラストマー以外のその他の熱可塑性エラストマーが挙げられる。
　スチレン系エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエンランダム共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－水添ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－水添イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエンブロック共重合体、スチレン－イソプレンブロック共重合体、スチレン－水添ブタジエンブロック共重合体、スチレン－水添イソプレンブロック共重合体、及びスチレン－水添（イソプレン／ブタジエン）ブロック共重合体が挙げられる。ポリスチレンブロック構造におけるスチレン（スチレンユニット）としては、置換基を有したものを用いてもよい。このようなスチレンとしては、例えば、α－メチルスチレン、３－メチルスチレン、４－プロピルスチレン、及び４－シクロヘキシルスチレンが挙げられる。
　スチレン系エラストマー中のスチレン含有量は、スチレン系エラストマー１００質量％中に、１０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは２０質量％以上である。スチレン含有量の上限値としては、例えば、１００質量％未満であり、９９質量％未満であることが好ましく、７０質量％以下であることがより好ましい。本明細書において、スチレン含有量とは、スチレン系エラストマー中に含まれるスチレンユニットの質量を（ａ）ｇ、スチレン系エラストマー全体の質量を（ｂ）ｇとしたとき、（ａ）／（ｂ）×１００（単位：質量％）で表される値である。
　スチレン系エラストマーとしては、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体として、ＴＲ２６３０及びＴＲ２００３（以上、商品名、ＪＳＲ株式会社）；スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体として、ＳＩＳ５２５０（商品名、ＪＳＲ株式会社）；スチレン－水添イソプレン－スチレンブロック共重合体として、ＳＥＰＴＯＮ（登録商標）２１０４（株式会社クラレ）；スチレン－水添ブタジエン－スチレンブロック共重合体として、Ｈ－１０４３（商品名、旭化成株式会社）が挙げられる。
　スチレン系エラストマー以外のその他の熱可塑性エラストマーとしては、例えば、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、及びそれらの水添化合物、並びにそれらのアルキル化合物が挙げられる。
　樹脂組成物には、充填材が混合されていてもよい。充填材としては、特に限定されないが、例えば、アルミナ、ホワイトカーボン、チタンホワイト、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物（水和物を含む）、水酸化アルミニウム、ベーマイト、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、天然シリカ、溶融シリカ、合成シリカ、アモルファスシリカ、アエロジル、中空シリカ等のシリカ類、クレー、カオリン、タルク、マイカ、ガラス粉、石英粉、シラスバルーン等の無機系の充填材（無機充填材）の他、スチレン型、ブタジエン型、アクリル型などのゴムパウダー、コアシェル型のゴムパウダー、シリコーンレジンパウダー、シリコーンゴムパウダー、シリコーン複合パウダーなどの有機系の充填材（有機充填材）が挙げられる。これら充填材は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
　樹脂組成物は、有機溶媒を含有していてもよい。有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼンのような芳香族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイノブチルケトンのようなケトン系溶媒；テトラヒドロフランのようなエーテル系溶媒；イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール系溶媒；２－メトキシエタノール、２－ブトキシエタノールのようなエーテルアルコール溶媒；Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ－ジメチルアセトアミドのようなアミド系溶媒などを、所望に応じて併用することができる。尚、プリプレグを作製する場合におけるワニス中の溶媒量は、樹脂組成物全体に対して４０質量％～８０質量％の範囲とすることが好ましい。また、前記ワニスの粘度は２０ｃＰ～１００ｃＰ（２０ｍＰａ・ｓ～１００ｍＰａ・ｓ）の範囲が望ましい。
　樹脂組成物は、難燃剤を含有していてもよい。難燃剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、デカブロモジフェニルエーテル、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラブロモ無水フタル酸、トリブロモフェノールなどの臭素化合物、トリフェニルフォスフェート、トリキシレルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェートなどのリン化合物、赤リン及びその変性物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどのアンチモン化合物、メラミン、シアヌール酸、シアヌール酸メラミンなどのトリアジン化合物など公知慣例の難燃剤を用いることができる。
　樹脂組成物に対して、さらに必要に応じて上述の硬化剤、硬化促進剤や、その他、熱可塑性粒子、着色剤、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填材が加えられていてもよい。
　なお、プリプレグは、例えば、上述した基材に対する樹脂組成物の付着量が、乾燥後のプリプレグにおける樹脂含有率で２０質量％以上９０質量％以下となるように、樹脂組成物（ワニスを含む）を基材に含浸又は塗工した後、１００℃以上２００℃以下の温度で１分から３０分間加熱乾燥することで、半硬化状態（Ｂステージ状態）のプリプレグとして得ることができる。そのようなプリプレグとしては、例えば、三菱ガス化学株式会社製の、ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ（製品名）、ＧＨＰＬ－８３０ＮＳ（製品名）、ＧＨＰＬ－８３０ＮＳＦ（製品名）が挙げられる。
　第１キャリア付極薄金属箔１２は、例えば、第１キャリア１２Ｂに剥離手段である剥離層（図示せず）を介して第１極薄金属箔１２Ａを積層したものである。同様に、第２キャリア付極薄金属箔１３は、例えば、第２キャリア１３Ｂに剥離手段である剥離層（図示せず）を介して第２極薄金属箔１３Ａを積層したものである。
　第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａは、例えば、各種極薄金属箔により構成することができるが、厚さの均一性及び箔の耐食性などの点から極薄銅箔により構成することが好ましい。第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されない。例えば、第１極薄金属箔１２Ａは、後述するバイアホール形成工程における厚みが５μｍ以下となるようにすることが好ましく、３μｍ未満となるようにすればより好ましく、１．５μｍ以下となるようにすれば更に好ましい。また、例えば、１μｍ以上とすることが好ましい。第２極薄金属箔１３Ａの厚みは、例えば、第１極薄金属箔１２Ａと同様に構成することができる。
　第１キャリア１２Ｂ及び第２キャリア１３Ｂは、例えば、各種金属箔により構成することができるが、厚さの均一性及び箔の耐食性などの点から銅箔により構成することが好ましい。第２キャリア１３Ｂの厚みは、後述するバイアホール形成工程における厚みが１２μｍ以上２０μｍ以下となるようにすることが好ましく、１２μｍ以上１８μｍ以下となるようにすればより好ましい。第１キャリア１２Ｂの厚みは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、第２キャリア１３Ｂと同様に構成することができる。
　剥離層の材料は、特に限定されず、各種の周知のものを適宜使用することができる。例えば、有機系の材料であれば、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられ、中でもトリアゾール化合物は剥離性が安定しやすい点で好ましい。トリアゾール化合物の例としては、１，２，３－ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ‘，Ｎ’－ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール及び３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール等が挙げられる。硫黄含有有機化合物の例としては、メルカプトベンゾチアゾール、チオシアヌル酸、２－ベンズイミダゾールチオール等が挙げられる。カルボン酸の例としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸等が挙げられる。また、無機系の材料であれば、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｚｎ等のうち少なくとも１種からなる金属若しくは合金、又はこれらの酸化物が挙げられる。剥離層の厚みは、例えば、１ｎｍ以上１μｍ以下とすることができ、好ましくは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
　なお、金属箔張積層板１０は、例えば、絶縁層１１の第１面に、第１極薄金属箔１２Ａを絶縁層１１の側として第１キャリア付極薄金属箔１２を配置し、かつ、絶縁層１１の第２面に、第２極薄金属箔１３Ａを絶縁層１１の側として第２キャリア付極薄金属箔１３を配置して、加熱及び加圧することにより積層成形することができる。成型方法としては、プリント配線板用積層板を成形する際に通常用いられる方法が挙げられ、より詳細には多段プレス機、多段真空プレス機、連続成形機、オートクレーブ成形機等を使用して、温度１８０～３５０℃程度、加熱時間１００～３００分程度、面圧２０～１００ｋｇ／ｃｍ２程度で積層成形する方法が挙げられる。
　次いで、準備工程の後、例えば、図１（Ｂ）に示したように、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離して、第１極薄金属箔１２Ａを露出する（第１キャリア剥離工程）。
　続いて、第１キャリア剥離工程の後、例えば、図１（Ｃ）に示したように、第１極薄金属箔１２Ａの側からレーザー加工を行い、絶縁層１１に少なくとも１つのバイアホール１１Ａを形成する（バイアホール形成工程）。具体的には、例えば、第１キャリア１２Ｂを剥離し、第２キャリア１３Ｂを剥離せず残存させた状態で、炭酸ガスレーザー等を用いたレーザー加工により、第１極薄金属箔１２Ａ及び絶縁層１１に穴開けをして第２極薄金属箔１３Ａに達するバイアホール１１Ａを形成する。バイアホール１１Ａの穴径（トップ径）は、１２０μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以下とすればより好ましく、６０μｍ以下とすれば更に好ましい。
　本実施の形態では、上述したように、バイアホール形成工程における絶縁層１１の厚みを８０μｍ以下、第２キャリア１３Ｂの厚みを１２μｍ以上２０μｍ以下とするようにしたので、第１キャリアを剥離し、第２キャリアを剥離せず残存させた状態としても、反りを小さくすることができ、吸着テーブル等で吸着することにより簡単に平面状として、容易にバイアホールを形成することができる。また、第１キャリアを剥離し、第２キャリアを剥離しない状態で、レーザー加工によりバイアホールを形成するようにしたので、第２キャリアによりレーザー加工時の熱を放散することができ、第２極薄金属箔に孔が開いてしまうことを抑制することができる。更に、上述したように、バイアホール形成工程における第１極薄金属箔１２Ａの厚みを５μｍ以下とするようにすれば、レーザーのエネルギーを抑制して加工することができるので、バイアホールの大きさを小さくすることができ好ましい。
　次に、バイアホール形成工程の後、例えば、図１（Ｄ）に示したように、第２キャリア１３Ｂを剥離し、第２極薄金属箔１３Ａを露出する（第２キャリア剥離工程）。次いで、第２キャリア剥離工程の後、例えば、バイアホール１１Ａ内のスミア（樹脂残渣）を除去するデスミア処理をする（デスミア工程）。
　続いて、例えば、デスミア工程の後、バイアホール１１Ａにビア導体１４を形成すると共に、導体パターン１５を形成する（ビア導体形成工程及び導体パターン形成工程）。具体的には、まず、例えば、図２（Ｅ）に示したように、デスミア処理をした後、無電解めっきを行い、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの上、及び、バイアホール１１Ａの内壁にめっき層１６を形成する（無電解めっき工程）。次いで、例えば、図２（Ｆ）に示したように、めっき層１６の上にドライフィルムを熱圧着してレジスト層を設け、露光及び現像を行い、めっきレジストとしてのレジストパターン１７を形成する（レジストパターン形成工程）。レジストパターン１７は、後述するエッチング工程において、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａを除去する領域に対応させて形成する。
　続いて、例えば、図２（Ｇ）に示したように、レジストパターン１７をめっきレジストとして電解めっきを行い、バイアホール１１Ａにビアフィリングめっきによりビア導体１４を形成すると共に、めっき層１６の厚みが厚くなる（電解めっき工程）。次に、例えば、図２（Ｈ）に示したように、レジストパターン１７を除去し、フラッシュエッチング等によりめっき層１６、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの一部を除去し、導体パターン１５を形成する（エッチング工程）。具体的には、例えば、レジストパターン１７が形成されていない領域のめっき層１６、及び、レジストパターン１７を形成した領域のめっき層１６、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａを除去する。第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みを５μｍ以下とするようにすれば、エッチング工程におけるエッチング量を減らすことができるので、よりファインパターンを形成することができ好ましい。これによりプリント配線板が得られる。
　このように本実施の形態によれば、バイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みを８０μｍ以下、第２キャリア１３Ｂの厚みを１２μｍ以上２０μｍ以下とするようにしたので、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離し、第２キャリア１３Ｂを剥離せず残存させた状態としても、反りを小さくすることができる。よって、吸着テーブル等で吸着することにより簡単に平面状とすることができ、容易にバイアホール１１Ａを形成することができる。また、第１キャリア１２Ｂを剥離し、第２キャリア１３Ｂを剥離しない状態で、レーザー加工によりバイアホール１１Ａを形成するようにしたので、第２キャリア１３Ｂによりレーザー加工時の熱を放散することができ、第２極薄金属箔１３Ａに孔が開いてしまうことを抑制することができる。更に、絶縁層１１の厚みを８０μｍ以下とするようにしたので、プリント配線板の厚みを薄くすることができると共に、バイアホール１１Ａの大きさを小さくすることができる。
　また、バイアホール形成工程における第１極薄金属箔１２Ａの厚みを５μｍ以下とすれば、バイアホール１１Ａを形成する際のレーザーのエネルギーを抑制することができるので、バイアホール１１Ａの大きさをより小さくすることができる。
［第２の実施形態］
　図３及び図４は、本発明の第２の実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を表すものである。第２の実施形態は、第１の実施形態におけるバイアホール形成工程の前に、黒化処理（ＢＯ処理）を行うようにしたものである。よって、第２の実施形態では、第１の実施形態と対応する構成要素には、同一の符号を付して説明する。
　まず、例えば、図３（Ａ）に示したように、第１の実施形態と同様に、金属箔張積層板１０を準備する（準備工程）。金属箔張積層板１０は、準備工程における第１極薄金属箔１２Ａの厚みを第２極薄金属箔１３Ａの厚みよりも厚くしたことを除き、他は、第１の実施形態と同様である。具体的には、例えば、準備工程における第１極薄金属箔１２Ａの厚みは、準備工程における第２極薄金属箔１３Ａの厚みよりも１．０μｍから２．５μｍ程度厚くすることが好ましく、１．５μｍから２．０μｍ程度厚くするようにすればより好ましい。なお、第１極薄金属箔１２Ａのバイアホール形成工程における厚みは、第１の実施形態と同様であり、第１極薄金属箔１２Ａの準備工程における厚みは、例えば、バイアホール形成工程における厚みよりも１．０μｍから２．５μｍ程度厚くすることが好ましく、１．５μｍから２．０μｍ程度厚くするようにすればより好ましい。
　次いで、例えば、図３（Ｂ）に示したように、第１の実施形態と同様に、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離して、第１極薄金属箔１２Ａを露出する（第１キャリア剥離工程）。
　続いて、例えば、図３（Ｃ）に示したように、黒化前処理としてソフトエッチングを行い、第１極薄金属箔１２Ａの表面を粗化し、第１極薄金属箔１２Ａの厚みを薄くする（第１極薄金属箔エッチング工程）。これにより、第１極薄金属箔１２Ａの厚みをバイアホール形成工程における厚みまで薄くし、第２極薄金属箔１３Ａの厚みと同程度とする。具体的には、例えば、黒化処理用治具にラッキングを行い、脱脂、ソフトエッチングの順に浸漬処理を行う。第１極薄金属箔エッチング工程においてソフトエッチングを行った後の第１極薄金属箔１２Ａの厚みは、第２極薄金属箔１３Ａの厚みに対して、±０．５μｍとすることが好ましい。
　次いで、例えば、図４（Ｄ）に示したように、バイアホール形成工程の前処理として黒化処理を行う（黒化処理工程）。なお、図４では、黒化された表面を太点線により示している。具体的には、例えば、ソフトエッチング後にプレディップ処理、オキサイド処理の順に浸漬処理を行う。
　次に、例えば、図４（Ｅ）に示したように、第１の実施形態と同様にして、第１極薄金属箔１２Ａの側からレーザー加工を行い、絶縁層１１に少なくとも１つのバイアホール１１Ａを形成する（バイアホール形成工程）。本実施形態では、黒化処理をしているので、第１の実施形態よりもバイアホールの大きさをより小さくすることができる。
　次いで、例えば、図４（Ｆ）に示したように、第１の実施形態と同様にして、第２キャリア１３Ｂを剥離し、第２極薄金属箔１３Ａを露出する（第２キャリア剥離工程）。続いて、例えば、図４（Ｇ）に示したように、デスミア処理をする（デスミア工程）と共に、酸洗浄を行い黒化処理された第１極薄金属箔１２Ａの表面を除去する（表面除去工程）。次に、例えば、図２（Ｅ）から図２（Ｈ）に示したように、第１の実施形態と同様にして、バイアホール１１Ａにビア導体１４を形成すると共に、導体パターン１５を形成する（ビア導体形成工程及び導体パターン形成工程）。
　このように本実施の形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて、黒化処理をするようにしたので、バイアホールの大きさをより小さくすることができる。
（実施例１）
　次のようにしてプリント配線板を作製した。
［準備工程]（図１（Ａ）参照）
　絶縁層１１として、ガラス織布よりなる基材にビスマレイミド・トリアジン樹脂を含む樹脂組成物を含侵させた厚み４０μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ、三菱ガス化学株式会社製）を用い、第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、厚み１８μｍのキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用い、絶縁層１１の両面にキャリア付極薄電解銅箔を極薄電解銅箔が絶縁層１１の側となるように積層し、加熱圧着して金属箔張積層板１０とした。絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第１キャリア１２Ｂ及び第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
［第１キャリア剥離工程]（図１（Ｂ）参照）
　次いで、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離し、第１極薄金属箔１２Ａを露出させた。
［バイアホール形成工程]（図１（Ｃ）参照）
　続いて、第１極薄金属箔１２Ａの側からレーザー加工を行い、絶縁層１１にバイアホール１１Ａを形成した。レーザー加工にはＭＬ６０５ＧＴＷ４（－Ｐ）５３５０Ｕ（三菱電機株式会社製）の装置を使用した。また、バイアホール１１Ａは、穴径（トップ径）が６０μｍのものと、１００μｍのものをそれぞれ形成した。なお、バイアホール形成工程における絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
［第２キャリア剥離工程・デスミア工程]（図１（Ｄ）参照）
　次に、第２キャリア１３Ｂを剥離し、第２極薄金属箔１３Ａを露出させた。次いで、めっき用治具にラッキングを行い、膨潤槽、エッチング槽、中和槽の順に浸漬揺動を行い、スミアを除去した。浸漬揺動には株式会社アルメックステクノロジーズの装置を使用した。薬液はアップデスプロセス（上村工業株式会社製）を使用した。膨潤液はアップデスＭＤＳ-３７、エッチング液はＭＤＥ-４０およびＥＬＣ-ＳＨの混合液、中和液はアップデスＭＤＮ-６２を使用した。膨潤槽は温度７０℃で５分間浸漬、エッチング槽は温度８０℃で１０分間浸漬、中和槽は温度４０℃で５分間の浸漬を行った。
［ビア導体形成工程・導体パターン形成工程］
　続いて、めっき用治具にラッキングを行い、無電解銅めっき槽に浸漬揺動ができる株式会社アルメックステクノロジーズ製の装置を使用し、無電解銅めっきを行った。薬液はスルカップＰＥＡ（上村工業株式会社製）及びホルムアルデヒド混合したものを使用した。無電解銅めっきの薬液温度は３６℃で処理時間は１０分とし、厚み０．４μｍの無電解銅めっきを形成した。次に、無電解銅めっきの上にドライフィルムレジスト（ＲＤ―１２１５、昭和電工マテリアルズ株式会社製、１５μｍ厚）をラミネートしてレジスト層を設けた。ラミネーターは株式会社オー・エヌ・シー社製の装置を使用し、ラミネート圧力０．４ＭＰａ、ラミネート温度１１０℃の条件でラミネートを行った。レジスト層を設けた後、レジスト層への露光を行った。露光機はＩＮＰＲＥＸ３６５０（アドテックエンジニアリング株式会社製）を使用し、露光量４５ｍＪの条件で、露光を行った。露光した後、未露光部を現像液により溶解し、レジストパターン１７を形成した。現像液は１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用い、温度３０℃、時間３０秒の条件で、現像を行った。レジストパターン１７を形成した後、プラズマクリーニングによりスカムを除去した。装置はプラズマ処理装置ＰＣＢ１６００Ｅ（ノードソンアドバンストテクノロジー株式会社製）を使用し、ガスはアルゴン、窒素、酸素、四フッ化メタンを使用した。
　次いで、ビアフィリングめっきとして、浸漬タイプの装置（株式会社アルメックステクノロジーズ株式会社製）を使用し、溶解性アノードの含リン銅陽極を用いて、直流電流で１Ａ/ｄｍ２にて１０μｍの厚みになるように電解めっきを行った。銅めっき浴温度は２２℃とし、スルーホール用フィリング液ＣＵ-ＢＲＩＴＥ　ＴF４（株式会社ＪＣＵ製）のレベラー、ブライトナー、ポリマーの添加剤を使用した。銅めっき浴は硫酸銅及び硫酸、塩酸の混合液を使用した。電解めっきを行った後にレジストパターン１７を除去した。エッチング液はＲ－１００Ｓ（三菱ガス化学株式会社製）を使用し、液温度は４８℃とした。装置はスプレータイプのもの（東京化工機株式会社製）を使用した。続いて、無電解銅めっき層１６及び第１極薄金属箔１１Ａ並びに第２極薄金属箔１２Ａをエッチング液により除去し、水洗乾燥をして、導体パターン１５を形成した。エッチング液はＣＰＥ－７７０Ｄ（三菱ガス化学株式会社製）を使用し、液温度３５℃の条件で銅エッチングを行った。装置は水平ラインのスプレー式のもの（東京化工機株式会社製）を使用した。
（実施例２）
　絶縁層１１として、ガラス織布よりなる基材にビスマレイミド・トリアジン樹脂を含む樹脂組成物を含侵させた厚み６０μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ、三菱ガス化学株式会社製）を用いたことを除き、他は実施例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは６０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
（実施例３）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、ハーフエッチングを行う事で厚み１２μｍとしたキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は実施例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１２μｍである。
（実施例４）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、ハーフエッチングを行う事で厚み１２μｍとしたキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は実施例２と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは６０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１２μｍである。
（実施例５）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、厚み１８μｍのキャリア銅箔と厚み３μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は実施例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは３μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
（比較例１）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、電解めっきを行い厚み３５μｍとしたキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は実施例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは３５μｍである。
（比較例２）
　絶縁層１１として、ガラス織布よりなる基材にビスマレイミド・トリアジン樹脂を含む樹脂組成物を含侵させた厚み６０μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ、三菱ガス化学株式会社製）を用いたことを除き、他は比較例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは６０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは３５μｍである。
（比較例３）
　絶縁層１１として、ガラス織布よりなる基材にビスマレイミド・トリアジン樹脂を含む樹脂組成物を含侵させた厚み１００μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ、三菱ガス化学株式会社製）を用いたことを除き、他は比較例１と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは１００μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは３５μｍである。
（比較例４）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、厚み１８μｍのキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は比較例３と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは１００μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
（比較例５）
　第１キャリア付極薄金属箔１２及び第２キャリア付極薄金属箔１３として、ハーフエッチングを行い厚み１２μｍとしたキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用いたことを除き、他は比較例３と同様にして、準備工程、第１キャリア剥離工程、バイアホール形成工程、第２キャリア剥離工程、デスミア工程、ビア導体形成工程、導体パターン形成工程を行った。準備工程及びバイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みは１００μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１２μｍである。
（特性評価）
　実施例１～５及び比較例１～５の特性を以下の方法により測定した。
［反り測定］
　実施例１～５及び比較例１～５において、第１キャリア１２Ｂを剥離し、バイアホール１１Ａを形成する前の金属箔張積層板１０を、石定盤の上に配置し、反り量の測定を行った。測定にはグラナイト精密石定盤（Ｅ－２３０、株式会社ナベヤ製）を使用した。得られた結果を表１に示す。金属箔張積層板１０の反り量の平均値は、実施例１は０．９ｍｍ、実施例２は－９．３ｍｍ、実施例３は０ｍｍ、実施例４は－６．３ｍｍ、実施例５は５．３ｍｍ、比較例１は－７．３ｍｍ、比較例２は－１６ｍｍ、比較例３は－１４ｍｍ、比較例４は－５．３ｍｍ、比較例５は－３．５ｍｍであった。なお、金属箔張積層板１０が第２面に反った場合（中央部が第２面側に突出するように反った場合）は、第２面側を上にして測定を行い、測定値を「－」と表記した。
［ビア底貫通］
　実施例１～５及び比較例１～５において、バイアホール１１Ａを形成した後、光学顕微鏡により、ビア底の貫通有無について観察を行った。観察には、ＭＳ－２００（株式会社　朝日光学機製作所製）を使用し、４５０倍に倍率を合わせ観察を行った。得られた結果を表１に示す。実施例１～５及び比較例１～５について、それぞれ１０箇所観察を行い、いずれにおいてもビア底の貫通は、なしであった。
［ビアフィリング可否］
　実施例１～５及び比較例１～５において、ビア導体１４及び導体パターン１５形成した後に断面研磨にてビアフィリングがなされているか観察を行った。断面研磨には、ＲｏｔｏＰｏｌ－２２（株式会社ストルアス製）及び、耐水研磨紙＃１０００、＃２４００（株式会社ストルアス製）と、Ｓ５３１８４（株式会社ストルアス製）及び、スエード・クロス、０．３μｍアルミナ粉末４４－１１２Ｓ（リファインテック株式会社製）を使用した。観察には、ＧＸ５１（オリンパス株式会社製）を使用し、５０倍に倍率を合わせ観察を行った。得られた結果を表１に示す。ビア導体１４の穴径が６０μｍの場合、実施例１，３，５及び、比較例１はめっきボイド、めっき未埋まりがなかったため、ビアフィリング可とした。実施例２，４及び、比較例２～５はめっきボイド、めっき未埋まりの発生があったため、ビアフィリング不可とした。ビア導体１４の穴径が１００μｍの場合、実施例１～５及び、比較例１，２はめっきボイド、めっき未埋まりの発生がなかったため、ビアフィリング可とした。比較例３～５はめっきボイド、めっき未埋まりの発生があったため、ビアフィリング不可とした。それぞれ１０箇所観察を行い、めっきボイド、めっき未埋まりが1箇所以上発生した場合、ビアフィリング不可とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示したように、バイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みを４０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを１８μｍ又は１２μｍとした実施例１，３によれば、絶縁層１１の厚みを４０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを３５μｍとした比較例１に比べて反り量を小さくすることができた。また、バイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みを６０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを１８μｍ又は１２μｍとした実施例２，４によれば、絶縁層１１の厚みを６０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを３５μｍとした比較例２に比べて反り量を小さくすることができた。すなわち、バイアホール形成工程において、絶縁層１１の厚みを８０μｍ以下、第２キャリア１３Ｂの厚みを１２μｍ以上２０μｍ以下とするようにすれば、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離し、第２キャリア１３Ｂを剥離せず残存させた状態としても、反りを小さくすることができることが分かった。
　また、各実施例及び各比較例のいずれにおいても、ビア底の貫通はなかった。すなわち、第１キャリア１２Ｂを剥離し、第２キャリア１３Ｂを剥離しない状態で、レーザー加工によりバイアホール１１Ａを形成するようにすれば、第２極薄金属箔１３Ａに孔が開いてしまうことを抑制することができることが分かった。
　更に、絶縁層１１の厚みを４０μｍ又は６０μｍとした実施例１～５によれば、ビア導体１４の穴径を１００μｍとした場合にビアフィリング可であったのに対して、絶縁層１１の厚みを１００μｍとした比較例３～５によれば、ビア導体１４の穴径を１００μｍとした場合にビアフィリング不可であった。また、絶縁層１１の厚みを４０μｍとした実施例１，３，５によれば、ビア導体１４の穴径を６０μｍとした場合もビアフィリング可であった。すなわち、絶縁層１１の厚みを８０μｍ以下とするようにすれば、バイアホール１１Ａの大きさをより小さくすることができることが分かった。
（実施例６）
［準備工程]（図３（Ａ）参照）
　絶縁層１１として、ガラス織布よりなる基材にビスマレイミド・トリアジン樹脂を含む樹脂組成物を含侵させた厚み４０μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ－９７０ＬＦ、三菱ガス化学株式会社製）を用い、第１キャリア付極薄金属箔１２として、厚み１８μｍのキャリア銅箔と厚み３μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用い、第２キャリア付極薄金属箔１３として、厚み１８μｍのキャリア銅箔と厚み１．５μｍの極薄電解銅箔（ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業株式会社製）とを剥離可能に積層したキャリア付極薄電解銅箔を用い、絶縁層１１の両面にキャリア付極薄電解銅箔を極薄電解銅箔が絶縁層１１の側となるように積層し、加熱圧着して金属箔張積層板１０とした。絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａの厚みは３μｍ、第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第１キャリア１２Ｂ及び第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
［第１キャリア剥離工程]（図３（Ｂ）参照）
　次いで、金属箔張積層板１０から第１キャリア１２Ｂを剥離し、第１極薄金属箔１２Ａを露出させた。
［第１極薄金属箔エッチング工程］（図３（Ｃ）参照）
　黒化処理用治具にラッキングを行い、脱脂、ソフトエッチングの順に浸漬処理を実施し、第１極薄金属箔１２Ａ及び、第２キャリア１３Ｂのソフトエッチングを行った。浸漬処理には株式会社ケミトロン製の装置を使用した。脱脂にはメテックスＳ－１７０７（マクダーミッド・パフォーマンス・ソリューションズ・ジャパン製）を使用、ソフトエッチングにはＮＰＥ－３００（三菱ガス化学株式会社製）を使用した。脱脂は６０℃で１８５秒浸漬処理、ソフトエッチングは３０℃で１０５秒浸漬処理を行った。ソフトエッチングを行ったことにより、第１極薄金属箔１２Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１６．５μｍとなった。
［黒化処理工程］（図４（Ｄ）参照）
　次に、プレディップ処理、オキサイド処理を、この順に浸漬処理を実施し、第１極薄金属箔１２Ａ及び、第２キャリア１３Ｂの表面に黒化処理を行った。浸漬処理には株式会社ケミトロン製の装置を使用した。プレディップ処理及びオキサイド処理の薬液はマクダーミッド・パフォーマンス・ソリューションズ・ジャパン製の薬液を使用した。プレディップ処理にはＢＯ－２００Ｂ及びＢＯ－２００Ｃの混合液、オキサイド処理にはＢＯ－２０１Ａ、ＢＯ－２００Ｂ及びＢＯ－２００Ｃの混合液を使用した。プレディップ処理は５０℃で９０秒浸漬処理、オキサイド処理は７５℃で２２０秒浸漬処理を行った。
［バイアホール形成工程]（図４（Ｅ）参照）
　続いて、第１極薄金属箔１２Ａの側からレーザー加工を行い、絶縁層１１にバイアホール１１Ａを形成した。レーザー加工にはＭＬ６０５ＧＴＷ４（－Ｐ）５３５０Ｕ（三菱電機株式会社製）の装置を使用した。バイアホール１１Ａは、穴径（トップ径）として１００μｍ、６０μｍ、５５μｍ、５０μｍ、４０μｍとなるものをそれぞれ形成した。なお、バイアホール形成工程における絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１６．５μｍである。
（実施例７）
　準備工程における絶縁層１１の厚みを４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みを１．５μｍ、第１キャリア１２Ｂ及び第２キャリア１３Ｂの厚みを１８μｍとし、第１キャリア剥離工程後に第１極薄金属箔エッチング工程および黒化処理工程を行わなかったこと以外は、実施例６と同様にして、絶縁層１１にバイアホール１１Ａを形成した。実施例７においては、バイアホール１１Ａの穴径（トップ径）が１００μｍ、６０μｍ、５５μｍとなるものについては形成できたが、穴径が５０μｍ、４０μｍとなるものについては形成することができなかった。なお、バイアホール形成工程における絶縁層１１の厚みは４０μｍ、第１極薄金属箔１２Ａ及び第２極薄金属箔１３Ａの厚みは１．５μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みは１８μｍである。
（特性評価）
　実施例６、及び、実施例７について、バイアホール１１Ａを形成した後、第１極薄金属箔１２Ａをエッチングで除去し、各穴径のバイアホール１１Ａを光学顕微鏡で観察した。観察には、ＭＳ－２００（株式会社朝日光学機製作所製）を使用し、倍率は４５０倍とした。その結果、実施例６では、穴径４０μｍまでのバイアホール１１Ａが形成可能であることが確認された。実施例７では、穴径５５μｍまでのバイアホール１１Ａが形成可能であることが確認された。得られた結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示したように、準備工程における絶縁層１１の厚みを４０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを１８μｍ、第１極薄金属箔１２Ａの厚みを３μｍとし、第１極薄金属箔１２Ａのエッチングおよび黒化処理を行った実施例６によれば、準備工程における絶縁層１１の厚みを４０μｍ、第２キャリア１３Ｂの厚みを１８μｍ、第１極薄金属箔１２Ａの厚みを１．５μｍとし、第１極薄金属箔１２Ａのエッチングおよび黒化処理を行わなかった実施例７に比べて、バイアホール１１Ａの穴径を１５μｍ小さくできることが分かった。
　プリント配線板の製造に用いることができる。
　１０…金属箔張積層板、１１…絶縁層、１１Ａ…バイアホール、１２…第１キャリア付極薄金属箔、１２Ａ…第１極薄金属箔、１２Ｂ…第１キャリア、１３…第２キャリア付極薄金属箔、１３Ａ…第２極薄金属箔、１３Ｂ…第２キャリア、１４…ビア導体、１５…導体パターン、１６…めっき層、１７…レジストパターン

Claims (7)

  1. 　基材に樹脂組成物を含浸した絶縁層の第１面に、第１極薄金属箔と第１キャリアとを剥離可能に積層した第１キャリア付極薄金属箔が前記第１極薄金属箔を前記絶縁層の側として積層され、かつ、前記絶縁層の第２面に、第２極薄金属箔と第２キャリアとを剥離可能に積層した第２キャリア付極薄金属箔が前記第２極薄金属箔を前記絶縁層の側として積層された金属箔張積層板を準備する準備工程と、
    　前記準備工程の後、前記第１キャリアを剥離して、前記第１極薄金属箔を露出する第１キャリア剥離工程と、
    　前記第１キャリア剥離工程の後、前記第１極薄金属箔の側からレーザー加工を行い、前記絶縁層に少なくとも１つのバイアホールを形成するバイアホール形成工程と、
    　前記バイアホール形成工程の後、前記第２キャリアを剥離し、第２極薄金属箔を露出する第２キャリア剥離工程と、
    　前記第２キャリア剥離工程の後、前記バイアホールにビア導体を形成するビア導体形成工程と、
    　を含むプリント配線板の製造方法において、
    　前記絶縁層の厚みが８０μｍ以下であり、
    　前記バイアホール形成工程における前記第２キャリアの厚みが１２μｍ以上２０μｍ以下である、
    　ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  2. 　前記準備工程における前記第１極薄金属箔の厚みを前記第２極薄金属箔の厚みよりも厚くし、
    　前記第１キャリア剥離工程の後、前記バイアホール形成工程の前に、前記第１極薄金属箔の厚みをエッチングにより薄くする第１極薄金属箔エッチング工程を含む、
    　請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  3. 　前記第２キャリア剥離工程の後、前記ビア導体形成工程の前に、前記バイアホールのスミアを除去するデスミア処理を行うデスミア工程を含む、
    　請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  4. 　前記バイアホール形成工程における前記第１極薄金属箔の厚みが５μｍ以下である、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  5. 　前記バイアホール形成工程における前記第１極薄金属箔の厚みが３μｍ未満である、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  6. 　前記第２キャリアが金属箔である、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  7. 　前記バイアホールの少なくとも１つのトップ径が１２０μｍ以下である、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
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