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WO2023243782A1 - 반도체 발광 소자를 이용한 엘이디 패널, 그 제조 방법 및 엘이디 패널을 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 엘이디 패널, 그 제조 방법 및 엘이디 패널을 포함하는 디스플레이 장치 Download PDF

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WO2023243782A1
WO2023243782A1 PCT/KR2022/018261 KR2022018261W WO2023243782A1 WO 2023243782 A1 WO2023243782 A1 WO 2023243782A1 KR 2022018261 W KR2022018261 W KR 2022018261W WO 2023243782 A1 WO2023243782 A1 WO 2023243782A1
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WO
WIPO (PCT)
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light emitting
optical layer
led panel
emitting diode
light
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/KR2022/018261
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
정찬성
박상태
이상열
오정탁
김성균
이종우
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to CN202280097065.5A priority patent/CN119384630A/zh
Priority to EP22946987.9A priority patent/EP4528368A4/en
Priority to US18/869,052 priority patent/US20250176346A1/en
Publication of WO2023243782A1 publication Critical patent/WO2023243782A1/ko
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    • H10H29/962—Stacked configurations of light-emitting semiconductor components or devices, the components or devices emitting at different wavelengths

Definitions

  • the present invention relates to a display device using a semiconductor light emitting device. Specifically, the present invention relates to a display device in which the light distribution of RGB chips is uniformly improved and luminance is improved in the semiconductor light emitting device structure.
  • LCD Liquid Crystal Display
  • FED Field Emission Display
  • PDP plasma display panels
  • electroluminescence devices electroluminescence devices
  • the liquid crystal panel of the liquid crystal display device includes a liquid crystal layer, a TFT substrate and a color filter substrate facing each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, and can display images using light provided from a backlight unit.
  • LED Light Emitting Diode
  • GaAsP compound semiconductor in 1962, it has been used in information communication along with green LED of GaP:N series. It has been used as a light source for display images in electronic devices including devices.
  • the semiconductor light emitting device has various advantages over filament-based light emitting devices, such as long lifespan, low power consumption, excellent initial driving characteristics, and high vibration resistance.
  • the semiconductor light emitting device may include at least one of mini LED and micro LED.
  • mini LED is an LED with a size of several to tens of microns
  • a mini LED can be an LED with a size dozens of times that of a micro LED.
  • Display devices using semiconductor light-emitting devices can be made into thin films, and it can be advantageous to implement various types of display devices. For example, it may be advantageous for implementing a curved display device or a flexible display device.
  • LED has high brightness and is highly visible outdoors, so it can be used for displays installed outdoors.
  • unit panels made of light-emitting devices can be tiled to implement a large screen.
  • the viewing angle of the user is different depending on the position of the screen, and the viewing angle of light is different depending on the color, so there is a problem that the user is provided with an image of a different color from the front when viewed from the side.
  • the purpose of one embodiment is to provide a display device using a semiconductor light emitting device.
  • the purpose of one embodiment is to provide a display device using a semiconductor light-emitting device that can improve the efficiency of the LED chip, increase brightness, and reduce power consumption by reflecting light emitted from the side of the LED chip mounted on the substrate back into the device.
  • the purpose of one embodiment is to provide a display device that minimizes light distribution by reducing color deviation at each viewing angle that occurs due to the structure of a semiconductor light emitting diode.
  • the purpose of one embodiment is to provide a display device that minimizes bright lines due to assembly steps between modules by implementing a uniform light distribution of RGB chips to increase light extraction efficiency in the front direction.
  • a base board containing circuit wiring a plurality of light emitting diodes arranged in an array on the base substrate; a side optical layer located lateral to the plurality of light emitting diodes and including a diffusion agent; and a plurality of upper optical layers each located on the upper surface of the plurality of light emitting diodes and including a diffusion agent.
  • the upper optical layer may have a size corresponding to the size of the top surface of the light emitting diode.
  • the height/diameter ratio of the upper optical layer may be 0.6 or less.
  • the upper optical layer may include a curved surface on its upper surface.
  • the upper optical layer includes silicon, and the diffuser may have a refractive index different from that of the silicon by more than 0.3.
  • the diffusion agent may include a silicon diffusion agent containing at least one of SiO 2 , ZrO 2 , ZnO, and TiO 2 .
  • the side optical layer has a height corresponding to the height of the light emitting diode and may fill the space between the plurality of feet and the diode.
  • the side optical layer includes silicon, and the diffuser may have a refractive index different from that of the silicon by more than 0.3.
  • the side optical layer may reflect or absorb light emitted from a side direction of the light emitting diode.
  • It may include a black layer located on the upper surface of the side optical layer.
  • the black layer may include carbon or an ultraviolet absorbing material.
  • the black layer can be formed by carbonizing the side optical layer with a laser. (May include a silicone or epoxy layer containing carbon.)
  • It may further include a transparent resin layer located on the upper surface and covering the side optical layer and the upper optical layer.
  • the transparent resin layer may include scattering particles.
  • AR anti-reflection
  • LR low reflection
  • AF anti-finger
  • the light emitting diode may include a stacked light emitting diode in which red, blue, and green light emitting chips are sequentially stacked from the base substrate.
  • the light emitting diode may include a parallel type light emitting diode in which red, blue, and green light emitting chips are arranged side by side.
  • a base substrate for circuit wiring Mounting a plurality of light emitting diodes in an array on the base substrate; forming an upper optical layer on the upper surface of each of the plurality of light emitting diodes; forming a side optical layer located in a lateral direction of the plurality of light emitting diodes; and carbonizing the upper surface of the side optical layer by irradiating a laser to form a black layer.
  • a display module in which a plurality of LED panels are arranged in an array; A frame on which the plurality of display modules are mounted; and a control unit connected to the display module to control the display module, wherein the LED panel includes a base board including circuit wiring; a plurality of light emitting diodes arranged in an array on the base substrate; a side optical layer located lateral to the plurality of light emitting diodes and including a diffusion agent; and an upper optical layer located on each upper surface of the plurality of light emitting diodes and including a diffusion agent.
  • a display device using a semiconductor light-emitting device that can improve the efficiency of the LED chip, increase brightness, and reduce power consumption by reflecting light emitted from the side of the LED chip mounted on a substrate back into the device. can be provided.
  • uniform white light can be obtained in all directions through uniform light distribution.
  • FIG. 1 is a block diagram for explaining a display device related to the present invention.
  • Figure 2 is a perspective view showing a display device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is an exploded perspective view of the display panel of the present invention.
  • Figure 4 is a diagram showing an example of an individual light emitting diode.
  • Figure 5 is a schematic diagram showing the direction in which light is emitted from a light emitting diode.
  • Figure 6 is a diagram showing the light distribution of a light emitting diode.
  • Figure 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of an LED panel according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing the beam angle for each color of the light emitting diode of FIG. 7.
  • Figure 9 is a diagram showing another embodiment of an LED panel according to an aspect of the present invention.
  • Figure 10 is a diagram showing another embodiment of an LED panel according to an aspect of the present invention.
  • Figure 11 is a diagram showing the shape of the numerical aperture (NA) output for each color depending on the presence or absence of the upper optical layer.
  • Figure 12 is a diagram showing the beam angle for each color emitted from a light emitting diode including an upper optical layer to which a diffusion agent is added.
  • Figure 13 is a diagram showing the color viewing angle of an LED panel according to an aspect of the present invention and a conventional LED panel.
  • Figure 1 is a block diagram for explaining a display device 100 related to the present invention.
  • the display device 100 includes a wireless communication unit 110, an input unit 120, a sensing unit 140, an output unit 150, a cooling unit 160, a memory 170, a control unit 180, and a power supply unit 190. ), etc. may be included.
  • the components shown in FIG. 1 are not essential for implementing the display device 100, so the display device 100 described herein may have more or fewer components than those listed above. there is.
  • the wireless communication unit 110 is used between the display device 100 and the wireless communication system, between the display device 100 and another display device 100, or between the display device 100 and an external server. It may include one or more modules that enable wireless communication between the devices. Additionally, the wireless communication unit 110 may include one or more modules that connect the display device 100 to one or more networks.
  • This wireless communication unit 110 may include at least one of a mobile communication module, a wireless Internet module, and a short-range communication module.
  • the input unit 120 includes a camera 121 or an image input unit for inputting an image signal, a microphone 122 or an audio input unit for inputting an audio signal, and a user input unit 123 for receiving information from a user, for example. , touch keys, push keys (mechanical keys, etc.). Voice data or image data collected by the input unit 120 may be analyzed and processed as a user's control command.
  • the number of display devices 100 in which the input unit 130 in the form of a physical button exposed to the outside has been minimized has increased. Instead, minimal physical buttons are located on the back or side, and user input can be received by detecting signals from the remote control device through the touchpad or user input interface unit.
  • the sensing unit 140 may include one or more sensors for sensing at least one of information within the display device 100, information on the surrounding environment surrounding the display device 100, and user information.
  • the sensing unit 140 includes a proximity sensor, an illumination sensor, a touch sensor, an RGB sensor, an infrared sensor, and a fingerprint recognition sensor. sensor, ultrasonic sensor, optical sensor (e.g., camera (see 121)), microphone (see 122), battery gauge, environmental sensor (e.g., barometer) , a hygrometer, a thermometer, a radiation detection sensor, a heat detection sensor, a gas detection sensor, etc.), and a chemical sensor (e.g., an electronic nose, a healthcare sensor, a biometric sensor, etc.).
  • the display device 100 disclosed in this specification can utilize information sensed by at least two of these sensors by combining them.
  • the control unit 180 can check the status of the display device 100 based on the information collected by the sensing unit 140 and notify the user when a problem occurs or control it to maintain the best condition by adjusting it on its own.
  • the output unit 150 is intended to generate output related to vision, hearing, or tactile senses, and may include at least one of a display unit 151 and an audio output unit 152.
  • the display unit 151 can implement a touch screen by forming a layered structure or being integrated with the touch sensor. This touch screen functions as a user input unit 123 that provides an input interface between the display device 100 and the user, and can simultaneously provide an output interface between the display device 100 and the user.
  • the display 151 may be a plasma display panel (PDP), liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), or flexible display, and may also be capable of a 3D display. there is.
  • the 3D display 151 can be divided into a glasses-free type and a glasses type.
  • the display 151 is configured as a touch screen and can be used as an input device in addition to an output device.
  • the display device 100 of the present invention can implement a large-screen display 151 by arranging a plurality of display modules 200 in a grid.
  • the cooling unit 160 refers to a component that discharges internal heat of the display device 100, and may include heat pipes, cooling fins, circulation fans that promote internal air circulation, vent holes, etc.
  • the display device 100 which is installed for exhibition and advertising purposes, operates for a long time and outputs output in a highly curved manner so that it can be easily seen from the outside. Therefore, the heat generated from the display 151 and the control unit 180 may affect each component of the display device 100 and cause a malfunction, so a heat dissipation structure that discharges internal heat is very important. .
  • heat dissipation is implemented in various ways. Depending on the object performing heat transfer during the heat dissipation process, it can be divided into air-cooled or water-cooled. In the case of air-cooled, heat dissipation efficiency can be increased by maximizing the surface area using heat dissipation fins, etc., and in the case of water-cooled, structures such as heat pipes are used. Thus, heat dissipation efficiency can be increased by guiding the path and sealing of heat transfer materials.
  • These heat dissipation cooling methods may be used alone, or two or more may be used in combination as needed.
  • the memory 170 stores data supporting various functions of the display device 100.
  • the memory 170 may store a plurality of application programs (application programs or applications) running on the display device 100, data for operating the display device 100, and commands. At least some of these applications may be downloaded from an external server via wireless communication. Additionally, at least some of these applications may be present on the display device 100 from the time of shipment for basic functions of the display device 100 (e.g., incoming and outgoing calls, receiving and sending functions). Meanwhile, the application program may be stored in the memory 170, installed on the display device 100, and driven by the control unit 180 to perform the operation (or function) of the display device 100.
  • control unit 180 In addition to operations related to the application program, the control unit 180 typically controls the overall operation of the display device 100.
  • the control unit 180 can provide or process appropriate information or functions to the user by processing signals, data, information, etc. input or output through the components discussed above, or by running an application program stored in the memory 170.
  • control unit 180 may control at least some of the components to run the application program stored in the memory 170. Furthermore, the control unit 180 may operate at least two of the components included in the display device 100 in combination with each other in order to drive the application program.
  • the control unit 180 may include at least one processor, and may control the overall operation of the display device 100 using the processor included therein.
  • the processor may be a general processor such as a central processing unit (CPU).
  • the processor may be a dedicated device such as an ASIC or another hardware-based processor.
  • the video signal processed by the control unit 180 may be input to the display 151 and displayed as an image corresponding to the video signal.
  • the voice signal processed by the control unit 180 may be output as sound to the audio output unit 160. Additionally, the voice signal processed by the control unit 180 may be input to an external output device through the external device interface unit.
  • control unit 180 can control the display device 100 by a user command or internal program input through the user input interface unit. Meanwhile, the control unit 180 can control the display 151 to display an image. At this time, the image displayed on the display 151 may be a still image or a moving image, and may be a 2D image or a 3D image.
  • control unit 180 can cause a certain 2D object to be displayed in the image displayed on the display 151.
  • the object may be at least one of a connected web screen (newspaper, magazine, etc.), EPG (Electronic Program Guide), various menus, widgets, icons, still images, videos, and text.
  • EPG Electronic Program Guide
  • control unit 180 may modulate and/or demodulate the signal using an amplitude shift keying (ASK) method.
  • ASK amplitude shift keying
  • the amplitude shift keying (ASK) method may refer to a method of modulating a signal by varying the amplitude of the carrier wave according to the data value, or restoring an analog signal to a digital data value according to the amplitude of the carrier wave.
  • control unit 180 may modulate an image signal using an amplitude shift keying (ASK) method and transmit it through a wireless communication module.
  • ASK amplitude shift keying
  • control unit 180 may demodulate and process an image signal received through a wireless communication module using an amplitude shift keying (ASK) method.
  • ASK amplitude shift keying
  • the display device 100 can easily transmit and receive signals with other video display devices placed adjacent to it, even without using a unique identifier such as a MAC address (Media Access Control Address) or a complex communication protocol such as TCP/IP. You can.
  • a unique identifier such as a MAC address (Media Access Control Address) or a complex communication protocol such as TCP/IP.
  • the power supply unit 190 may supply corresponding power throughout the display device 100.
  • power can be supplied to the control unit 180, which can be implemented in the form of a system on chip (SOC), the display 151 for displaying images, and the audio output unit 152 for audio output. there is.
  • SOC system on chip
  • the power supply unit 190 may include a converter (not shown) that converts AC power to DC power and a Dc/Dc converter (not shown) that converts the level of DC power.
  • the power supply unit 190 receives power from the outside and serves to distribute power to each component.
  • the power supply unit 190 may use a method of supplying AC power by directly connecting to an external power source, and may include a power supply unit 190 that includes a battery and can be used by charging.
  • At least some of the above components may operate in cooperation with each other to implement the operation, control, or control method of the display device 100 according to various embodiments described below. Additionally, the operation, control, or control method of the display device 100 may be implemented on the display device 100 by driving at least one application program stored in the memory 170.
  • two or more components may be combined into one component, or one component may be subdivided into two or more components.
  • the functions performed by each block are for explaining embodiments of the present invention, and the specific operations or devices do not limit the scope of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a display device 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the display device may have a rectangular body consisting of a pair of long sides and a pair of short sides.
  • the display device 100 of the present invention can implement a display 151 on which images are output with an integrated display module 200 as shown in (a) of FIG. 2, and can be implemented with a plurality of displays as shown in (b) of FIG. 2.
  • the modules 200 can be arranged (tiled) in a grid to form a large screen.
  • the display module 200 uses a thin substrate or sheet material, bending deformation or damage may occur. It may include a cover bottom 102 that supports the rear surface of the display and forms the rear exterior of the display device 100.
  • the display device 100 using one display module 200 may use the cover bottom 102 corresponding to the size of the display module 200.
  • a plurality of display modules 200 may be mounted on one cover bottom 102 in a grid.
  • the cover bottom 102 can use metal materials such as iron, aluminum, and magnesium for rigidity and heat generation.
  • a heat dissipation sheet 102a may be further provided on the front of the cover bottom 102.
  • the heat dissipation sheet 102a contains a material with high thermal conductivity, and can improve the heat dissipation effect by quickly spreading heat in the direction of the city while transferring heat to the cover bottom 102.
  • the gap between each display module 200 must be arranged as narrow as possible. Even if they are placed in close contact, there is a problem that due to optical characteristics, if light emitted from the backlight is emitted from the side of the display module 200, the space between the display modules 200 is visible.
  • the tiled display device 100 needs to block light emitted laterally so that the boundary between the display modules 200 is not visible.
  • the user's viewing angle is different depending on the position of the display module 200.
  • the viewing angle is different depending on the type of light, the user has the problem of seeing different colors depending on the position of the screen.
  • the angle at which the user views the display device 100 may be lateral or upward or downward in addition to the front, so that the display module 200 can view images with uniform colors even at viewing angles other than the front. There is a need for.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of the display module 200 of the present invention.
  • the display module 200 may again be composed of a plurality of unit panels 220.
  • the LED panel may have a plurality of light emitting diodes 222 arranged in an array and a control unit for controlling the light emitting diodes 222 may be placed on the back.
  • the LED panel 220 may be implemented using a semiconductor light emitting device.
  • a light emitting diode 222 Light Emitting Diode: LED
  • LED Light Emitting Diode
  • Each light emitting diode 222 serves as a pixel that implements an image.
  • the size of each light emitting diode 222 can be implemented as less than 1 mm, and the gap between light emitting diodes 222, that is, the gap between pixels, can be reduced to less than 3 mm. It can be implemented.
  • the light emitting diode 222 includes a light emitting chip 2224 that generates light and further includes an encapsulation layer 2224 to protect the light emitting chip, and the encapsulation layer 2224 is a light emitting chip 2223 that emits light. It serves to spread light evenly.
  • the thickness of the LED panel 220 is reduced due to the small size of the light source. It can be made thin and bendable.
  • Figure 4 is a diagram showing an example of an individual light emitting diode 222.
  • the light emitting diode 222 is divided by color, that is, in the form of a single chip including only the light emitting chip 2223 of one color.
  • the light emitting diode (222R, 222G, 222B) chip for each color may be connected to the electrode 2212 of the base substrate 221.
  • the upper side is the front from which light is emitted from the LED panel 220 and is directed toward the front of the display device 100.
  • the LED panel 220 is directed toward the upper side during manufacturing, it will hereinafter be described as the upper side or upper side.
  • the three colors of red (R), green (G), and blue (B) make up one pixel, and the three colors may be arranged alternately on the base substrate 221, and the three colors may be configured in one package. It can also be used as a light emitting diode (222).
  • (b) is a stacked light emitting diode 222, which can implement one pixel by stacking three color light emitting chips (2223R, 2223B, 2223G).
  • the thickness may be thicker than when arranged laterally, but there is an advantage in that the size of one light emitting diode 22 is reduced, so the light emitting diodes 222 can be arranged more densely. Therefore, the LED panel 220 with finer pixels can be implemented, and since the horizontal positions of each color are different, color differences depending on the position can be reduced when combining light.
  • the light emitting diodes 222 may be arranged in an array structure as shown in FIG. 3 on the base substrate 221 including an insulating material. Although the size of the light emitting diode 2222 is shown large in the drawing, the actual size is hundreds of microns, and the spacing between them can be narrower and more dense than that of conventional light sources.
  • the base substrate 221 includes an insulating material, and representative examples include polyimide (PI), and polyethylene naphthalate (PEN) and polyethylene terephthalate (PET) can also be used.
  • the base substrate 221 includes an electrode 2212 connected to each light emitting diode 222, and can turn on/off each light emitting diode 222 and supply power through the electrode.
  • the light emitting diode 222 packaged as a light source protects the R, G, and B color chips and encapsulates them to create white light by synthesizing the R, G, and B color lights to form an encapsulation layer 2224.
  • the light emitting chip of the light emitting diode 222 includes a p-type electrode, a p-type semiconductor layer on which the p-type electrode is formed, an active layer formed on the p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer formed on the active layer, and a p-type semiconductor layer on the n-type semiconductor layer. It may include an n-type electrode disposed horizontally spaced apart from the type electrode.
  • Figure 5 is a schematic diagram showing the direction in which light is emitted from the light emitting diode 222.
  • Light can be emitted in a vertical direction from the top surface of the LED element, and since the viewing angle of light exceeds 100°, the light emitted from the light emitting diode 222 can be seen even in a lateral direction that is inclined from the vertical direction. In this way, there is a problem in that the intensity of light supplied in the front direction is weakened due to the light emitted in the side direction, resulting in a decrease in luminance.
  • the light emitted from the light emitting diode 222 may have a different light distribution because the viewing angles for each color are different and the positions of the light emitting elements for each color are different.
  • FIG. 6 is a diagram showing the light distribution of the light emitting diode 222.
  • (a) is green,
  • (b) is blue, and
  • (c) is red. Blue and red indicate the strongest intensity of light emitted in the frontal direction, while green indicates a light distribution that spreads widely laterally. .
  • the beam angle refers to the angle at which light spreads from the vertical direction, indicating the range where light is emitted based on the light distribution.
  • the beam angle of green which has a wide light distribution, can be at the 72° level, and the beam angle of red or blue can be at the 66° to 67° level.
  • the LED panel 220 when the LED panel 220 is viewed from the front at an angle, the amount of green light emitted is large, so it may appear light green rather than completely white. Meanwhile, since red is strong in the front direction, red-colored light can be emitted, so it is necessary to configure the LED panel 220 to have uniform distribution of each color.
  • the green color that was emitted widely in the side direction is emitted in the front direction.
  • the beam angle of green has a beam angle similar to that of other colors, so the light distribution and beam angle for each color can be adjusted to be similar.
  • Figure 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of the LED panel 220 according to one aspect of the present invention.
  • a side optical layer 223 surrounding the side of the light emitting diode 222 can be added as shown in FIG. 7 to guide light emitted laterally to the front direction.
  • the side optical layer 223 is located on the side of the light emitting diode 222 and can reflect the light emitted in the side direction of the light emitting diode 222 and guide it in the front direction.
  • the side optical layer 223 is the light emitting diode 222.
  • a method of applying silicon epoxy and curing it on the base substrate 221, in which the light emitting diodes 222 are arranged in an array, in close contact with the lateral direction of 222, may be used.
  • the side optical layer 223 may be formed at a height corresponding to or lower than the height of the light emitting diode 222.
  • the side optical layer 223 can be applied using a jetting or molding method using a printer that outputs epoxy, and can be formed to cover the side direction excluding the top surface of the light emitting diode 222. You can.
  • the side optical layer 223 can be formed by applying a resin (epoxy) containing silicon and a diffusion agent to fill the space between the light emitting diodes 222.
  • the side of the side optical layer 223 is in close contact with the light emitting diode 222.
  • the upper surface may have a flat surface, or as shown in Figure 7 (b), it may have a concave surface.
  • Manufacturing method and silicon epoxy forming the side optical layer 223 The shape of the upper surface may vary depending on the density.
  • (a) in Figure 7 is a molding method and has a relatively flat upper surface
  • (b) is a jetting method and has a lower viscosity than the molding method, so the height of the wall portion in contact with the light emitting diode 222 can be increased due to surface tension.
  • the diffusion agent included in the side optical layer 223 may include a material with a high refractive index, such as TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , or ZnO.
  • a diffuser that has a refractive index difference of more than 0.3 from that of silicon, the main material, can be used, and diffuse scattering may occur due to the difference in refractive index between the diffuser and the main material.
  • the side optical layer 223 contains a brightly colored diffusion agent such as TiO 2
  • the side optical layer 223 has a bright color, so that an additional reflective effect can be obtained.
  • the light emitted in the lateral direction of the light emitting diode 222 is reflected back to the encapsulation layer 2224 to increase the amount of light emitted forward.
  • the amount of light emitted toward the front increases (light efficiency is improved) and luminance can be improved.
  • the luminous efficiency of each color is shown depending on the presence or absence of the side optical layer 223.
  • the luminous efficiency of all colors is improved, resulting in an overall luminous efficiency of more than 10%. can do.
  • a black layer 224 may be further provided on the upper surface of the side optical layer 223.
  • the black layer 224 is a resin layer to which a dark-colored material such as carbon is added and can absorb light.
  • a dark-colored material such as carbon
  • the black layer 224 can absorb external light and prevent visibility from being reduced due to external light, thereby improving the visibility of the display device 100 even outdoors. In addition, there is an effect of increasing the front contrast ratio (black contrast) when the display device 100 is in a deactivated state, that is, turned off.
  • the black layer 224 has the effect of absorbing light, if it overlaps with the light emitting diode 222 or has a large area, it becomes a factor that prevents the light emitted from the light emitting diode 222 from being provided to the front.
  • the black layer 224 may be formed on the upper surface of the side optical layer 223 to be located in the lateral direction of the light emitting diode 222 to minimize the area overlapping with the front surface of the light emitting diode 222.
  • the black layer 224 can be implemented by carbonizing the silicon of the side optical layer 223 when the laser irradiates the side optical layer 223. That is, the side optical layer 223 is activated by a laser.
  • the side optical layer 223 contains carbon or an ultraviolet absorbing material and can change color in response to a specific wavelength of the laser.
  • the separate black layer 224 can be omitted. Since the reflection effect of the dark-colored side optical layer 223 is lower than that of the light-colored side optical layer 223, the effect of recycling light emitted laterally is reduced, but the process of manufacturing the black layer 224 can be omitted. At this time, there is an advantage in that the area where the black layer 224 overlaps with the light emitting diode 222 can be minimized.
  • FIG. 8 is a diagram showing the beam angle of the light emitting diode 222 of FIG. 7 for each color.
  • the beam angle can be narrowed in the front direction to 60.5° for green, 57.5° for red, and 57° for blue.
  • the beam angle may be narrower than the embodiment without the side optical layer 223. It can be seen that the maximum and minimum deviation of the beam angle was about 6° without the side optical layer 223, but it decreased to about 3.5° when the side optical layer 223 was added.
  • the light sources are stacked from the bottom in the order of red, blue, and green, so that the green light emitting chip (2223G) is placed closest to the upper surface of the encapsulation layer (2224) of the light emitting diode (222).
  • the beam angle tends to be inversely proportional to the distance (f) from the emission surface to each light emitting chip 2223, so the green beam angle, which has the shortest distance, appears the largest.
  • An upper optical layer 227 may be added to further reduce the green beam angle.
  • Figure 9 is a diagram showing another embodiment of the LED panel 220 according to one aspect of the present invention.
  • the upper optical layer 227 is located on the upper surface of the light emitting diode 222, and the upper The optical layer 227 refracts the light emitted from the light emitting diode 222 to adjust the beam angle.
  • the beam angle can be reduced by about 3° to about 57.5°.
  • the upper optical layer 227 can be formed on the light emitting diode 222 through a jetting process.
  • the upper optical layer 227 may include transparent silicon and a diffusion agent 2275, and the diffusion agent may include a material with a high refractive index, such as SiO 2 , ZrO 2 , or ZnO.
  • a diffuser that has a refractive index difference of more than 0.3 from that of silicon, the main material, can be used, and diffuse scattering may occur due to the difference in refractive index between the diffuser and the main material.
  • the diffusion agent may be made of a colorless material or added in a smaller amount than the diffusion agent in consideration of light transmission.
  • the side optical layer 223 is injected between the plurality of light emitting diodes 222 and can be provided with a side wall to prevent silicon (epoxy) from overflowing to form the side optical layer 223 around the LED panel, thereby increasing the viscosity. No need to be high.
  • the upper optical layer 227 uses silicon (epoxy) with a higher viscosity than the side optical layer 223 so that it is located on the upper surface of the light emitting diode 222 without spreading too widely, so that a curved surface can be formed on the upper surface.
  • the size of the upper optical layer 227 can be configured so that the ratio of diameter to height is about 0.6 or less. As the viscosity increases, the upper optical layer 227 may have a more convex surface.
  • the upper optical layer 227 may be formed after forming the side optical layer 223 as shown in FIG. 9, but may spread widely laterally, and in this case, the black layer 224 and the light emitting diode 222 ) A gap may be formed between the
  • Figure 10 is a diagram showing another embodiment of the LED panel 220 according to one aspect of the present invention, in which the upper optical layer 227 is located on the light emitting diode 222 and has the size and size of the light emitting diode 222.
  • the upper optical layer 227 is characterized in that the size is the same.
  • the upper optical layer 227 may be formed first, and then the side optical layer 223 and the black layer 224 may be formed to position the upper optical layer 227 on the light emitting diode 222.
  • the side optical layer 223 can be formed, and the black layer 224 can be implemented by irradiating a laser on the upper surface of the side optical layer 223. In this case, the gap between the light emitting diode 222 and the black layer 224 can be eliminated, so the control of light emitted from the light emitting diode 222 becomes more accurate.
  • the black layer 224 only the side optical layer 223 reacts when laser irradiated and the upper optical layer 227 does not change color so that a diffusion agent (for example, TiO 2 ) that reacts to the laser is added to the upper optical layer ( 227).
  • Transparent resin that covers the black layer 224 (side optical layer 223 if the black layer 224 is omitted) and the upper optical layer 227 to protect the black layer 224 and the upper optical layer 227.
  • a layer 225 may be formed, and the transparent resin layer 225 may include silicon or epoxy material. The transparent resin protects the light emitting diodes 222 and 222 and the applied black layers 224 and 224 and can be configured to form a flat front surface of the display device 100.
  • a functional film layer 226 may be additionally disposed on the front of the transparent resin layer 225.
  • the functional film layer 226 may include at least one of an anti-reflection (AR or anti-glare, AG) film, a low reflection (LR) film, and an anti-finger (AF) film. You can.
  • the film layer 226 contains color so that the transmittance is 30% or more, individual pixels (individual light-emitting devices) are not easily visible when the LED panel is turned off, and an effect of appearing as a black screen can be obtained.
  • Figure 11 is a diagram showing the shape of the numerical aperture (NA) output for each color depending on the presence or absence of the upper optical layer 227, (a) showing the example without the upper optical layer 227 (b) ) is a diagram showing an embodiment with an upper optical layer 227.
  • NA numerical aperture
  • the size of the numerical aperture for each layer is similar and the shape may have a uniform rectangular shape.
  • FIG. 12 is a diagram showing the beam angle for each color emitted from the light emitting diode 222 including the upper optical layer 227 to which a diffusion agent is added. As the beam angle is reduced, it has a uniform shape rather than a large spread laterally. In addition, there is little variation between colors, so uniform white light can be obtained.
  • Figure 13 is a diagram showing the color viewing angle of an LED panel according to an aspect of the present invention and a conventional LED panel.
  • the horizontal axis represents the viewing angle and the vertical axis represents the color deviation. The larger the size, the more visible a specific color is. In conventional LED panels, color deviation increases as the viewing angle increases, but in the present invention, even as the viewing angle increases, the color deviation can be similar to that in the vertical direction.
  • an appropriate amount of diffuser is about 10 to 20%.
  • the light emitted from the side of the LED chip mounted on the substrate is reflected back into the device to improve the efficiency of the LED chip, increase brightness, and reduce power consumption.
  • a display device 100 using a light emitting device can be provided.
  • uniform white light can be obtained in all directions through uniform light distribution.

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Abstract

회로 배선을 포함하는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 복수개의 발광 다이오드; 상기 복수개의 발광 다이오드의 측방향에 위치하며 확산제를 포함하는 사이드 광학층; 및 상기 복수개의 발광 다이오드의 상면에 각각 위치하며 확산제를 포함하는 복수개의 상부 광학층을 포함하는 엘이디 패널은 반도체 발광 다이오드의 구조상 발생되는 시야각별 색편차를 줄여 균일한 배광분포를 통해 모든 방향에서 균일한 광을 얻을 수 있다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 엘이디 패널, 그 제조 방법 및 엘이디 패널을 포함하는 디스플레이 장치
본 발명은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 반도체 발광 소자 구조상 RGB 칩의 배광분포를 균일하게 개선하고 휘도를 향상시킨 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 디바이스에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 디스플레이 디바이스는 액정 디스플레이 디바이스(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 디스플레이 디바이스(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.
액정 디스플레이 디바이스의 액정 패널은 액정층 및 액정층을 사이에 두고 서로 대향하는 TFT기판 및 컬러 필터 기판을 포함하며, 백라이트 유닛으로부터 제공되는 광을 사용하여 화상을 표시할 수 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 것으로 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 상기 반도체 발광 소자는 필라멘트 기반의 발광 소자에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소모, 우수한 초기 구동 특성, 및 높은 진동 저항 등의 다양한 장점을 갖는다.
여기서, 반도체 발광 소자는 미니 LED 및 마이크로 LED 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 크기에 대한 정확한 정의는 없으나, 마이크로 LED는 수~수십 마이크로의 크기를 가지는 LED이고, 미니 LED는 마이크로 LED의 수십 배의 크기를 가지는 LED 일 수 있다.
반도체 발광 소자들을 이용한 디스플레이 장치는 박막화가 가능하고, 다양한 형태의 디스플레이 장치 구현이 유리할 수 있다. 예를 들어, 커브드 디스플레이 장치 또는 플렉서블 디스플레이 장치 구현에 유리할 수 있다.
LED는 휘도가 높아 야외에서도 가시성이 좋아 야외에 설치하는 디스플레이에 이용할 수 있다. 특히 대화면을 구현하기 위해 발광소자로 이루어진 단위패널을 타일링할 수 있다.
다만, 대화면의 경우 화면의 위치에 따라 사용자가 바라보는 각도가 상이한데 빛은 색상에 따라 시야각이 달라 측방향에서는 정면과 다른 색감의 영상이 사용자에게 제공되는 문제가 있다.
일 실시예의 목적은, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 제공하는 것이다.
일 실시예의 목적은, 기판위에 실장된 LED칩 측면에서 발광되는 빛을 소자 내부로 재반사 시켜 LED칩의 효율을 향상시키고 휘도상승 및 소비전력 감소시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예의 목적은, 반도체 발광 다이오드의 구조상 발생되는 시야각별 색편차를 줄여 배광분포를 최소화한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예의 목적은, RGB칩의 배광분포를 균일한 형태로 구현하여 전면방향으로 광추출 효율을 높임으로써, 모듈간 조립 단차에 의한 휘선을 최소화한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
회로 배선을 포함하는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 복수개의 발광 다이오드; 상기 복수개의 발광 다이오드의 측방향에 위치하며 확산제를 포함하는 사이드 광학층; 및 상기 복수개의 발광 다이오드의 상면에 각각 위치하며 확산제를 포함하는 복수개의 상부 광학층을 포함하는 엘이디 패널을 제공한다.
상기 상부 광학층은 상기 발광 다이오드의 상면의 크기에 상응하는 크기를 가질 수 있다.
상기 상부 광학층의 높이/지름 비율은 0.6이하를 가질 수 있다.
상기 상부 광학층은 상면에 곡면을 포함할 수 있다.
상기 상부 광학층은 실리콘을 포함하고, 상기 확산제는 상기 실리콘과 굴절률이 0.3이상 차이가 날 수 있다.
상기 확산제는 SiO2, ZrO2, ZnO, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 실리콘 확산제를 포함할 수 있다.
상기 사이드 광학층은 상기 발광 다이오드의 높이에 상응하는 높이를 가지고, 상기 복수개의 발과 다이오드 사이를 채울 수 있다.
상기 사이드 광학층은 실리콘을 포함하고, 상기 확산제는 상기 실리콘과 굴절률이 0.3이상 차이가 날 수 있다.
상기 사이드 광학층은 상기 발광 다이오드의 측방향에서 사출되는 빛을 반사 또는 흡수할 수 있다.
상기 사이드 광학층의 상면에 위치하는 블랙 레이어를 포함할 수 있다.
상기 블랙 레이어는 카본 또는 자외선 흡수물질을 포함할 수 있다.
상기 블랙 레이어는 상기 사이드 광학층을 레이저로 탄화하여 형성할 수 있다. (카본을 포함한 실리콘 또는 에폭시 층을 포함할 수 있다.)
상기 사이드 광학층과 상기 상부 광학층을 커버하며 상면에 위치하는 투명레진층을 더 포함할 수 있다.
상기 투명레진층은 산란입자를 포함할 수 있다.
상기 투명레진층 위에 적층되는 반사 방지(Anti-Reflection, AR or Anti-Glare, AG) 필름, 저반사(Low Reflection, LR) 필름 및 지문 방지(Anti-Finger, AF) 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드는 적색, 청색, 녹색의 발광칩이 상기 베이스 기판으로부터 순차적으로 적층된 적층형 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드는 적색, 청색, 녹색의 발광칩이 나란히 배치된 병렬형 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 회로배선을 베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 베이스 기판 상에 어레이를 이루며 복수개의 발광 다이오드를 실장하는 단계; 상기 복수개의 발광 다이오드 각각의 상면에 상부 광학층을 형성하는 단계; 상기 복수개의 발광 다이오드 측방향에 위치하는 사이드 광학층을 형성하는 단계; 및 상기 사이드 광학층의 상면에 레이저를 조사하여 탄화시켜 블랙 레이어를 형성하는 단계를 포함하는 엘이디 패널의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 복수개의 엘이디 패널이 어레이를 이루며 배치되는 디스플레이 모듈; 상기 복수개의 디스플레이 모듈이 안착되는 프레임; 및 상기 디스플레이 모듈과 연결되어 상기 디스플레이 모듈을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 엘이디 패널은 회로 배선을 포함하는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 복수개의 발광 다이오드; 상기 복수개의 발광 다이오드의 측방향에 위치하며 확산제를 포함하는 사이드 광학층; 및 상기 복수개의 발광 다이오드의 각각의 상면에 위치하며 확산제를 포함하는 상부 광학층을 포함하는 디스플레이 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판위에 실장된 LED칩 측면에서 발광되는 빛을 소자 내부로 재반사 시켜 LED칩의 효율을 향상시키고 휘도상승 및 소비전력 감소시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
반도체 발광 다이오드의 구조상 발생되는 시야각별 색편차를 줄여 균일한 배광분포를 통해 모든 방향에서 균일한 백색광을 얻을 수 있다.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명과 관련된 디스플레이 디바이스를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 디바이스를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 디스플레이 패널의 분해사시도이다.
도 4는 개별 발광 다이오드의 예를 도시한 도면이다.
도 5는 발광 다이오드에서 빛이 사출되는 방향을 도시한 모식도이다.
도 6은 발광 다이오드의 배광분포를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널의 일 실시예을 도시한 단면도이다.
도 8은 도 7의 발광 다이오드의 색상별 지향각을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 11은 상부 광학층의 유무에 따른 색상별 출력되는 개구수(NA: Numerical aperture)의 형상을 도시한 도면이다.
도 12는 확산제가 첨가된 상부 광학층을 포함한 발광 다이오드에서 사출되는 색상별 지향각을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널과 종래의 엘이디 패널의 색시야각을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명과 관련된 디스플레이 디바이스(100)를 설명하기 위한 블록도이다.
상기 디스플레이 디바이스(100)는 무선 통신부(110), 입력부(120), 센싱부(140), 출력부(150), 냉각부(160), 메모리(170), 제어부(180) 및 전원 공급부(190) 등을 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 구성요소들은 디스플레이 디바이스(100)를 구현하는데 있어서 필수적인 것은 아니어서, 본 명세서 상에서 설명되는 디스플레이 디바이스(100)는 위에서 열거된 구성요소들 보다 많거나, 또는 적은 구성요소들을 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 구성요소들 중 무선 통신부(110)는, 디스플레이 디바이스(100)와 무선 통신 시스템 사이, 디스플레이 디바이스(100)와 다른 디스플레이 디바이스(100) 사이, 또는 디스플레이 디바이스(100)와 외부서버 사이의 무선 통신을 가능하게 하는 하나 이상의 모듈을 포함할 수 있다. 또한, 상기 무선 통신부(110)는, 디스플레이 디바이스(100)를 하나 이상의 네트워크에 연결하는 하나 이상의 모듈을 포함할 수 있다.
이러한 무선 통신부(110)는, 이동통신 모듈, 무선 인터넷 모듈, 근거리 통신 모듈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
입력부(120)는, 영상 신호 입력을 위한 카메라(121) 또는 영상 입력부, 오디오 신호 입력을 위한 마이크로폰(microphone, 122), 또는 오디오 입력부, 사용자로부터 정보를 입력받기 위한 사용자 입력부(123, 예를 들어, 터치키(touch key), 푸시키(mechanical key) 등)를 포함할 수 있다. 입력부(120)에서 수집한 음성 데이터나 이미지 데이터는 분석되어 사용자의 제어명령으로 처리될 수 있다.
최근에는 디스플레이 디바이스(100)의 베젤의 크기가 작아지면서 자체에 외부로 노출된 물리적 형태의 버튼 형태의 입력부(130)는 최소화한 형태의 디스플레이 디바이스(100)가 많아지고 있다. 대신에 배면이나 측면에 최소의 물리적 버튼이 위치하고 터치패드나 사용자 입력 인터페이스부를 통해 원격 제어장치의 신호를 감지하여 사용자 입력을 수신할 수 있다.
센싱부(140)는 디스플레이 디바이스(100) 내 정보, 디스플레이 디바이스(100)를 둘러싼 주변 환경 정보 및 사용자 정보 중 적어도 하나를 센싱하기 위한 하나 이상의 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(140)는 근접센서(proximity sensor), 조도 센서(illumination sensor), 터치 센서(touch sensor), RGB 센서, 적외선 센서(IR 센서: infrared sensor), 지문인식 센서(finger scan sensor), 초음파 센서(ultrasonic sensor), 광 센서(optical sensor, 예를 들어, 카메라(121 참조)), 마이크로폰(microphone, 122 참조), 배터리 게이지(battery gauge), 환경 센서(예를 들어, 기압계, 습도계, 온도계, 방사능 감지 센서, 열 감지 센서, 가스 감지 센서 등), 화학 센서(예를 들어, 전자 코, 헬스케어 센서, 생체 인식 센서 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 한편, 본 명세서에 개시된 디스플레이 디바이스(100)는, 이러한 센서들 중 적어도 둘 이상의 센서에서 센싱되는 정보들을 조합하여 활용할 수 있다.
제어부(180)는 센싱부(140)에서 수집한 정보를 기초로 디스플레이 디바이스(100)의 상태를 점검하고 문제가 발생시 이를 사용자에게 알려주거나 자체적으로 조정하여 최상의 상태를 유지하도록 제어할 수 있다.
출력부(150)는 시각, 청각 또는 촉각 등과 관련된 출력을 발생시키기 위한 것으로, 디스플레이부(151), 음향 출력부(152)중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 디스플레이부(151)는 터치 센서와 상호 레이어 구조를 이루거나 일체형으로 형성됨으로써, 터치 스크린을 구현할 수 있다. 이러한 터치 스크린은, 디스플레이 디바이스(100)와 사용자 사이의 입력 인터페이스를 제공하는 사용자 입력부(123)로써 기능함과 동시에, 디스플레이 디바이스(100)와 사용자 사이의 출력 인터페이스를 제공할 수 있다.
디스플레이(151)는 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode), 플렉서블 디스플레이(flexible display)등이 가능하며, 또한, 3차원 디스플레이(3D display)가 가능할 수도 있다. 3차원 디스플레이(151)는 무안경 방식과 안경 방식으로 구분될 수 있다.
한편, 디스플레이(151)는 터치 스크린으로 구성되어 출력 장치 이외에 입력 장치로 사용되는 것도 가능하다.
본 발명의 디스플레이 디바이스(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 복수개의 디스플레이 모듈(200)을 격자로 배치하여 대화면의 디스플레이(151)을 구현할 수 있다.
냉각부(160)는 디스플레이 디바이스(100)의 내부의 열을 배출하는 구성을 의미하며, 히트파이프나 냉각핀, 및 내부의 공기순환을 촉진하는 순환팬, 벤트홀등이 모두 포함될 수 있다.
전시 광고를 목적으로 설치되는 디스플레이 디바이스(100)는 장시간 구동하며, 외부에서 잘 보이도록 고휘도록 출력한다. 따라서, 디스플레이(151) 및 제어부(180)에서 발생하는 열이 디스플레이 디바이스(100)의 각 부품에 영향을 주어 고장 등의 원인이 될 수 있는 바, 내부의 열을 배출하는 방열구조가 매우 중요하다.
디스플레이 디바이스(100)에 있어서 방열은 다양한 방식으로 구현된다. 방열 과정에서 열전달을 수행하는 대상에 따라 공랭식 또는 수냉식으로 나누어 질 수 있으며, 공랭식의 경우 방열핀 등을 이용하여 표면적을 최대한으로 하여 방열 효율을 높일 수 있고, 수냉식과 같은 경우 히트 파이프 등의 구조를 이용하여 열전달 수행 물질의 경로 및 밀폐 등을 가이드 하여 방열 효율을 높일 수 있다.
이러한 방열 냉각 방식은 단독으로 사용될 수도 있으며, 필요에 따라 두 개 이상 복합적으로 사용될 수 있다.
또한, 메모리(170)는 디스플레이 디바이스(100)의 다양한 기능을 지원하는 데이터를 저장한다. 메모리(170)는 디스플레이 디바이스(100)에서 구동되는 다수의 응용 프로그램(application program 또는 애플리케이션(application)), 디스플레이 디바이스(100)의 동작을 위한 데이터들, 명령어들을 저장할 수 있다. 이러한 응용 프로그램 중 적어도 일부는, 무선 통신을 통해 외부 서버로부터 다운로드 될 수 있다. 또한 이러한 응용 프로그램 중 적어도 일부는, 디스플레이 디바이스(100)의 기본적인 기능(예를 들어, 전화 착신, 발신 기능, 메시지 수신, 발신 기능)을 위하여 출고 당시부터 디스플레이 디바이스(100)상에 존재할 수 있다. 한편, 응용 프로그램은, 메모리(170)에 저장되고, 디스플레이 디바이스(100) 상에 설치되어, 제어부(180)에 의하여 상기 디스플레이 디바이스(100)의 동작(또는 기능)을 수행하도록 구동될 수 있다.
제어부(180)는 상기 응용 프로그램과 관련된 동작 외에도, 통상적으로 디스플레이 디바이스(100)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어부(180)는 위에서 살펴본 구성요소들을 통해 입력 또는 출력되는 신호, 데이터, 정보 등을 처리하거나 메모리(170)에 저장된 응용 프로그램을 구동함으로써, 사용자에게 적절한 정보 또는 기능을 제공 또는 처리할 수 있다.
또한, 제어부(180)는 메모리(170)에 저장된 응용 프로그램을 구동하기 위하여, 구성요소들 중 적어도 일부를 제어할 수 있다. 나아가, 제어부(180)는 상기 응용 프로그램의 구동을 위하여, 디스플레이 디바이스(100)에 포함된 구성요소들 중 적어도 둘 이상을 서로 조합하여 동작시킬 수 있다.
제어부(180)는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있고, 이에 포함된 프로세서를 이용하여, 디스플레이 디바이스(100)의 동작 전반을 제어할 수 있다. 여기서, 프로세서는 CPU(central processing unit)과 같은 일반적인 프로세서일 수 있다. 물론, 프로세서는 ASIC과 같은 전용 장치(dedicated device)이거나 다른 하드웨어 기반의 프로세서일 수 있다.
제어부(180)에서 영상 처리된 영상신호는 디스플레이(151)로 입력되어, 해당 영상신호에 대응하는 영상으로 표시될 수 있다.
제어부(180)에서 처리된 음성 신호는 오디오 출력부(160)로 음향 출력될 수 있다. 또한, 제어부(180)에서 처리된 음성 신호는 외부장치 인터페이스부를 통하여 외부 출력장치로 입력될 수 있다.
또한, 제어부(180)는 사용자입력 인터페이스부를 통하여 입력된 사용자 명령 또는 내부 프로그램에 의하여 디스플레이 디바이스(100)를 제어할 수 있다. 한편, 제어부(180)는 영상을 표시하도록 디스플레이(151)를 제어할 수 있다. 이때, 디스플레이(151)에 표시되는 영상은, 정지 영상 또는 동영상일 수 있으며, 2D 영상 또는 3D 영상일 수 있다.
한편, 제어부(180)는 디스플레이(151)에 표시되는 영상 내에, 소정 2D 오브젝트가 표시되도록 할 수 있다. 예를 들면, 오브젝트는 접속된 웹 화면(신문, 잡지 등), EPG(Electronic Program Guide), 다양한 메뉴, 위젯, 아이콘, 정지 영상, 동영상, 텍스트 중 적어도 하나일 수 있다.
한편, 제어부(180)는 진폭 편이 변조(Amplitude Shift Keying; ASK) 방식을 이용하여, 신호를 변조(modulation) 및/또는 복조(demodulation)할 수 있다. 여기서, 진폭 편이 변조(ASK) 방식은, 데이터 값에 따라 반송파의 진폭을 다르게 하여 신호를 변조하거나, 반송파의 진폭에 따라 아날로그 신호를 디지털 데이터 값으로 복원하는 방식을 의미할 수 있다.
예를 들면, 제어부(180)는 영상 신호를, 진폭 편이 변조(ASK) 방식을 이용하여 변조하여, 무선통신 모듈을 통해 송신할 수 있다.
예를 들면, 제어부(180)는 무선통신 모듈을 통해 수신된 영상 신호를, 진폭 편이 변조(ASK) 방식을 이용하여 복조하여 처리할 수 있다.
이를 통해, 디스플레이 디바이스(100)는 MAC 주소(Media Access Control Address)와 같은 고유 식별자나, TCP/IP와 같은 복잡한 통신 프로토콜을 사용하지 않더라도, 인접하게 배치된 다른 영상표시장치와 간편하게 신호를 송수신할 수 있다.
전원 공급부(190)는 디스플레이 디바이스(100) 전반에 걸쳐 해당 전원을 공급할 수 있다. 특히, 시스템 온 칩(System On Chip; SOC)의 형태로 구현될 수 있는 제어부(180)와, 영상 표시를 위한 디스플레이(151), 및 오디오 출력을 위한 오디오 출력부(152) 등에 전원을 공급할 수 있다.
구체적으로, 전원 공급부(190)는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 컨버터(미도시)와, 직류 전원의 레벨을 변환하는 Dc/Dc 컨버터(미도시)를 구비할 수 있다.
한편, 전원 공급부(190)는 외부로부터 전원을 공급받아 각 부품에 전원을 배분하는 역할을 한다. 전원 공급부(190)는 외부 전원과 직접연결하여 교류전원을 공급하는 방식을 이용할 수 있고, 배터리를 포함하여 충전하여 사용할 수 있는 형태의 전원공급부(190)를 포함할 수 있다.
상기 각 구성요소들 중 적어도 일부는, 이하에서 설명되는 다양한 실시 예들에 따른 디스플레이 디바이스(100)의 동작, 제어, 또는 제어방법을 구현하기 위하여 서로 협력하여 동작할 수 있다. 또한, 상기 디스플레이 디바이스(100)의 동작, 제어, 또는 제어방법은 상기 메모리(170)에 저장된 적어도 하나의 응용 프로그램의 구동에 의하여 디스플레이 디바이스(100) 상에서 구현될 수 있다.
즉, 필요에 따라 2 이상의 구성요소가 하나의 구성요소로 합쳐지거나, 혹은 하나의 구성요소가 2 이상의 구성요소로 세분되어 구성될 수 있다. 또한, 각 블록에서 수행하는 기능은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 것이며, 그 구체적인 동작이나 장치는 본 발명의 권리범위를 제한하지 아니한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 디바이스(100)를 도시한 사시도이다. 디스플레이 디바이스는 한 쌍의 장변과 한 쌍의 단변으로 이루어진 직사각형 형태의 본체를 가질 수 있다.
본 발명의 디스플레이 디바이스(100)는 도 2의 (a)와 같이 일체형으로 이루어진 디스플레이 모듈(200)로 영상이 출력되는 디스플레이(151)를 구현할 수 있고, 도 2의 (b)와 같이 복수개의 디스플레이 모듈(200)이 격자형으로 배치(타일링)되어 대형화면을 구성할 수 있다.
디스플레이 모듈(200)은 얇은 기판 또는 시트 소재를 이용하므로 휨변형이 일어나거나 파손될 수 있다. 디스플레이의 배면을 지지하여 디스플레이 디바이스(100)의 배면 외관을 형성하는 커버버텀(102)을 포함할 수 있다.
도 2의 (a)와 같이 하나의 디스플레이 모듈(200)을 이용하는 디스플레이 디바이스(100)는 디스플레이 모듈(200)의 크기에 상응하는 커버버텀(102)을 이용할 수 있다. 도 2의 (b)와 같이 복수개의 디스플레이 모듈(200)을 이용하는 경우 하나의 커버버텀(102)에 복수개의 디스플레이 모듈(200)이 격자를 이루며 실장될 수 있다.
커버버텀(102)은 강성 및 발열을 위해 철, 알루미늄, 마그네슘과 같은 금속소재를 이용할 수 있다. 디스플레이 모듈(200)에서 발생하는 열을 효과적으로 배출하기 위해 커버버텀(102)의 전면에 방열시트(102a)를 더 구비할 수 있다. 방열시트(102a)는 열전도율이 높은 소재를 포함하며, 커버버텀(102)으로 열을 전달하면서 도시에 면방향으로 빠르게 열을 확산시켜 방열효과를 제고할 수 있다.
도 2의 (b)와 같이 복수개의 디스플레이 모듈(200)을 배치하여 대화면의 디스플레이 장치(100)를 구현하기 위해서는 각 디스플레이 모듈(200) 사이의 간격을 최대한 좁게 배치해야한다. 밀착하여 배치하더라도 광특성상 백라이트에서 사출된 빛이 디스플레이 모듈(200)의 측면에서 사출되면 디스플레이 모듈(200) 사이가 시인되는 문제가 있다.
타일링된 형태의 디스플레이 디바이스(100)는 디스플레이 모듈(200) 사이의 경계가 시인되지 않도록 측방향으로 사출되는 빛을 차단할 필요가 있다.
또한, 타일링으로 대화면의 디스플레이 디바이스(100)를 구현한 경우 디스플레이 모듈(200)의 위치에 따라 사용자가 보는 각도가 상이하다. 이때, 빛의 종류에 따른 시야각이 상이한 경우 사용자는 화면의 위치에 따라 다른 색감으로 보이는 문제가 있다.
또한, 실외에 설치시 사용자가 디스플레이 디바이스(100)를 바라보는 각도가 정면 이외에 측방향 또는 상측이나 하측일 수 있어, 정면 이외의 시야각에서도 균일한 색감의 영상을 감상할 수 있는 디스플레이 모듈(200)에 대한 니즈가 있다.
도 3은 본 발명의 디스플레이 모듈(200)의 분해사시도이다. 도 3을 참조하면 디스플레이 모듈(200)은 다시 복수개의 단위패널(220)로 구성될 수 있다. 엘이디 패널은 복수개의 발광다이오드(222)가 어레이로 배치되고 배면에 발광다이오드(222)를 제어하는 제어부가 배치될 수 있다.
엘이디 패널(220)은 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(222)(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다.
발광 다이오드(222)는 하나하나가 영상을 구현하는 픽셀로서 역할을 하며 각 발광 다이오드(222)의 사이즈는 1mm이하로 구현할 수 있고 발광 다이오드(222) 사이의 간격, 즉 픽셀의 간격을 3mm이하로 구현할 수 있다.
발광 다이오드(222)는 빛을 생성하는 발광칩(2224)을 포함하고 그 위에 발광칩을 보호하기 위한 봉지층(2224)을 더 포함하며, 봉지층(2224)은 발광칩(2223)에서 사출되는 빛을 고르게 확산시키는 역할을 한다.
상기 발광 다이오드(222)는 과거에 광원으로 이용하던 발광 다이오드(222)의 크기보다 더 작은 사이즈의 마이크로 엘이디(Micro LED)를 이용하게 되면서, 광원의 크기가 작으므로 엘이디 패널(220)의 두께가 얇고 휨변형 가능하게 구현할 수 있다.
도 4는 개별 발광 다이오드(222)의 예를 도시한 도면이다. 도 4의 (a)는 발광 다이오드(222)가 색상별로 구분된, 즉 하나의 색상의 발광칩(2223)만 포함한 단일칩 형태이다. 각 색상 별 발광 다이오드(222R, 222G, 222B) 칩은 베이스 기판(221)의 전극(2212)에 연결될 수 있다.
도면상 위쪽은 엘이디 패널(220)의 광이 사출되는 전면으로 디스플레이 장치(100)에서 전면을 향하나, 엘이디 패널(220) 제조시 상측을 향하므로 이하 상면, 상측이라고 설명하도록 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 삼색이 하나의 픽셀을 구성하며, 베이스 기판(221)에 3가지 색상이 교번적으로 배치될 수도 있고, 3가지 색상을 하나의 패키지로 구성한 발광 다이오드(222)로 이용할 수도 있다.
(b)는 적층형 발광 다이오드(222)로 3가지 색상의 발광칩(2223R, 2223B, 2223G)을 적층하여 하나의 픽셀을 구현할 수 있다. 측방향으로 배치하는 것보다 두께는 두꺼워 질 수 있으나 하나의 발광 다이오드(22)의 크기가 작아지는 장점이 있어 더 조밀하게 발광 다이오드(222)를 배치할 수 있다. 따라서 보다 미세한 픽셀의 엘이디 패널(220)을 구현할 수 있으며, 각 색상의 수평방향 위치가 달라서 빛의 합성 시 위치에 따른 색상 차이를 줄일 수 있다.
이하의 본 발명은 설명의 편의를 위해 도 4의(b)와 같이 발광칩(2223)이 수직으로 배치된 적층형의 발광 다이오드(222)를 기초로 설명하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 도 4의 (a)와 같이 발광칩(2223)이 수평방향으로 배치된 형태의 엘이디 모듈도 이용할 수 있다.
발광 다이오드(222)는 절연물질을 포함하는 베이스 기판(221) 상에 도 3에 도시된 바와 같이 어레이 구조를 이루면서 배치될 수 있다. 도면상 발광 다이오드(2222)의 크기가 크게 도시되어 있으나, 실제 크기는 수백 마이크로 크기로 그 간격도 종래의 광원보다 더 좁고 촘촘하게 배치할 수 있다.
베이스 기판(221)은 절연성을 가지는 물질을 포함하며, 대표적인 예로 폴리이미드(PI, Polyimide)를 들 수 있으며, PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate)도 이용 가능하다. 베이스 기판(221)은 각 발광 다이오드(222)와 연결되는 전극(2212)을 포함하며, 전극을 통해 각 발광 다이오드(222)의 ON/OFF 및 전원을 공급할 수 있다.
광원으로서 패키지화 된 발광 다이오드(222)는 R, G, B 색상의 칩을 보호하고 R, G, B 색상의 빛을 합성하여 백색광을 만들기 위해 봉지(encapsule)하여 봉지층(2224)을 형성한다.
발광 다이오드(222)의 발광칩은 각각 p형전극, p형전극이 형성되는 p형 반도체층, p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 n형 반도체층 및 n형 반도체층 상에 p형전극과 수평방향으로 이격되어 배치되는 n형 전극을 포함할 수 있다.
도 5는 발광 다이오드(222)에서 빛이 사출되는 방향을 도시한 모식도이다. 엘이디 소자의 상면부터 수직방향으로 빛이 사출될 수 있으며, 빛의 시야각이 100°를 초과하므로 수직방향에서 비스듬하기 기울어진 측방향에서도 발광 다이오드(222)에서 사출된 빛을 시인할 수 있다. 이와 같이 측방향으로 사출되는 빛으로 인하여 정면 방향으로 공급되는 빛의 세기가 약해져 휘도가 떨어지는 문제가 있다.
또한, 발광 다이오드(222)에서 사출되는 빛은 색상 별은 시야각이 다르고 및 색상별 발광소자의 위치가 상이하므로 배광분포가 상이하게 나타날 수 있다.
도 6은 발광 다이오드(222)의 배광분포를 도시한 도면이다. (a)는 녹색, (b)는 청색 (c)는 적색의 배광분포로 청색과 적색은 정면방향으로 사출되는 빛의 세기가 가장 센 반면, 녹색은 측방향으로 넓게 퍼지는 형태의 배광분포를 나타낸다.
지향각은 배광분포에 기초하여 빛이 사출되는 범위를 나타내는 각도로 수직방향으로부터 빛이 퍼지는 각도를 의미한다. 넓게 퍼지는 배광분포를 가지는 녹색의 지향각은 72°수준이 되고, 적색이나 청색의 지향각은 66°~ 67°수준을 나타낼 수 있다.
따라서 엘이디 패널(220)을 정면에서 비스듬한 측방향에서 바라보면 녹색의 빛의 사출량이 많아 완전한 백색이 아닌 옅은 녹색으로 보일 수 있다. 한편, 정면방향으로는 적색이 강하므로 붉은색을 띄는 빛이 사출될 수 있는 바, 색상별로 균일한 분포를 가지도록 엘이디 패널(220)을 구성할 필요가 있다.
측방향으로 퍼지는 빛을 정면으로 사출되도록 가이드하면 측방향으로 넓게 사출되던 녹색이 정면방향으로 사출되게 된다. 녹색의 지향각이 줄어들면 다른 색상과 유사한 지향각을 가지게 되어 색상별 배광분포 및 지향각이 유사하도록 조정할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널(220)의 일 실시예을 도시한 단면도이다.
본 발명은 측방향으로 사출되는 빛을 정면 방향으로 가이드 하기 위해 도 7에 도시된 바와 같이 발광 다이오드(222)의 측면을 감싸는 사이드 광학층(223)을 부가할 수 있다. 사이드 광학층(223)은 발광 다이오드(222)의 측방향에 위치하며 발광 다이오드(222)의 측방향으로 사출되는 빛을 반사시켜 정면방향으로 가이드 할 수 있다.사이드 광학층(223)은 발광 다이오드(222)의 측방향에 밀착하며, 발광 다이오드(222)가 어레이를 이루며 배치된 베이스 기판(221) 상에 실리콘 에폭시를 도포하고 경화시키는 방식을 이용할 수 있다. 이때, 사이드 광학층(223)은 발광 다이오드(222)의 높이에 상응하는 높이 또는 그 이하의 높이로 형성할 수 있다.
사이드 광학층(223)의 도포는 에폭시를 출력하는 프린터를 이용하는 제팅(Jetting)방식이나 몰딩(molding)방식 등을 이용할 수 있으며, 발광 다이오드(222)의 상면은 제외하고 측면방향을 커버하도록 형성할 수 있다.
발광 다이오드(222)의 사이 공간을 채우도록 실리콘과 확산제를 포함하는 레진(에폭시)을 도포하여 사이드 광학층(223)을 형성할 수 있다. 사이드 광학층(223)의 측면은 발광 다이오드(222)와 밀착된다.
도 7의(a)에 도시된 바와 같이 상면은 편평한 면을 가질 수도 있고, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 오목한 면을 가질 수 있으며 제조 방식 및 사이드 광학층(223)을 이루는 실리콘 에폭시의 밀도에 따라 상면의 형태가 달라질 수 있다.
도 7의(a)는 몰딩방식으로 비교적 상면이 편평한 면을 가지고 (b)는 제팅방식으로 몰딩방식보다 점도가 낮아 표면장력에 의해 발광 다이오드(222)와 닿는 벽면부분의 높이가 높아질 수 있다.
사이드 광학층(223)에 포함되는 확산제는 TiO2, SiO2, ZrO2, ZnO와 같이 굴절율이 큰 물질을 포함할 수 있다. 확산제는 주 재료인 실리콘과 굴절률차가 0.3이상 차이나는 확산제를 이용할 수 있으며, 확산제와 주재료의 굴절률 차이로 인하여 확산 산란이 일어날 수 있다.
사이드 광학층(223)은 TiO2와 같이 밝은 색상의 확산제를 포함하는 경우 색상이 밝아 반사효과를 추가적으로 얻을 수 있다. 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 발광 다이오드(222)의 측방향으로 사출된 빛을 다시 봉지층(2224)로 반사시켜 전방으로 사출되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다
발광 다이오드(222)의 측방향으로 사출되는 빛을 반사시켜 다시 전면 방향으로 사출시키므로, 정면으로 사출되는 빛의 양이 많아져 (광효율이 개선되어) 휘도가 개선될 수 있다.
색상 사이드 광학층 X 사이드 광학층 O
녹색(G) 0.729 0.835 (15%↑)
적색(R) 0.813 0.88 (8%↑)
청색(B) 0.82 0.87(6%↑)
상기 표 1은 도시된 바와 같이 사이드 광학층(223)의 유무에 따른 색상별 광효율을 도시한 도면으로, 사이드 광학층(223)이 있는 경우 모든 색상의 광효율이 개선되어 전체적으로 10% 이상의 광효율을 개선할 수 있다.
특히 녹색의 경우 측방향으로 넓게 퍼지는 빛을 정면방향으로 반사시키는 비율이 높아 휘도개선이 크게 나타나며, 정면으로 사출되는 빛의 세기, 즉 휘도는 색상별로 유사하게 나타나서 합성된 빛이 균일한 백색을 가질 수 있다.
사이드 광학층(223)의 상면에 블랙 레이어(224)을 더 구비할 수 있다. 블랙 레이어(224)은 카본 등의 어두운 색상을 띄는 물질이 첨가된 레진층으로 빛을 흡수할 수 있다. 사이드 광학층(223)이 정면방향으로 노출되면 외부광이 사이드 광학층(223)에 반사되어 디스플레이 장치(100)에서 출력되는 영상의 시인성이 저하되는 문제가 발생한다.
블랙 레이어(224)은 외부광을 흡수하여 외부광에 의해 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있어, 실외에서도 디스플레이 장치(100)의 시인성이 개선될 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(100)가 비활성화 된 상태, 즉 꺼진 상태에서 전면의 대비비(black contrast)를 높이는 효과가 있다.
다만, 블랙 레이어(224)은 빛을 흡수하는 효과가 있으므로 발광 다이오드(222)와 중첩되거나 그 면적이 넓으면 발광 다이오드(222)에서 사출되는 빛이 정면으로 제공되는 것을 방해하는 요소가 된다.
이에 블랙 레이어(224)은 발광 다이오드(222)의 전면과 중첩되는 영역을 최소화 하도록 발광 다이오드(222)의 측방향에 위치하도록 사이드 광학층(223)의 상면에 형성할 수 있다. 블랙 레이어(224)는 사이드 광학층(223)에 레이저 조사 시 사이드 광학층(223)의 실리콘을 탄화시켜 구현할 수 있다. 즉 사이드 광학층(223)은 레이저에 의해
사이드 광학층(223)은 카본 또는 자외선 흡수물질을 포함하며 레이저의 특정파장에 반응하여 색상이 변화할 수 있다.
한편 사이드 광학층(223)을 어두운 색상의 실리콘을 이용하여 구현하는 경우 별도의 블랙 레이어(224)를 생략할 수 있다. 어두운 색상의 사이드 광학층(223)은 반사효과가 밝은 색상의 사이드 광학층(223)보다 떨어지므로 측방향으로 사출되는 빛을 리사이클링하는 효과는 저하되나 블랙 레이어(224)를 제조하는 공정을 생략할 수 있으며 이때, 블랙 레이어(224)가 발광 다이오드(222)와 중첩되는 영역을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
도 8은 도 7의 발광 다이오드(222)의 색상별 지향각을 도시한 도면이다. 사이드 광학층(223)을 이용하여 정면방향으로 지향각을 좁혀 녹색은 60.5°, 적색은 57.5°, 청색은 57°로 줄일 수 있다.
측면에 위치하는 사이드 광학층(223)이 정면방향으로 빛을 반사하므로 지향각이 사이드 광학층(223)이 없는 실시예보다 더 좁아질 수 있다. 지향각의 최대 최소 편차가 사이드 광학층(223)이 없는 경우 6°정도 였으나, 사이드 광학층(223)을 부가하면 3.5°정도로 줄어드는 것을 확인할 수 있다.
색상 사이드 광학층 X 사이드 광학층 O
녹색(G) 72° 60.5°
적색(R) 66° 57.5°
청색(B) 66.5° 57°
Δ angle 6° 3.5°
다만, 녹색의 지향각이 여전히 적색과 청색 대비 크므로 이를 추가적으로 보정하여 색편차를 줄일필요가 있다.
이는 적층형 광원의 경우 적색 청색 녹색 순으로 바닥에서부터 적층이 되어 녹색의 발광칩(2223G)이 발광 다이오드(222)의 봉지층(2224)의 상면과 가장 인접하게 배치된다.
지향각은 사출면으로부터 각 발광칩(2223)까지의 거리(f)에 반비례하는 경향이 있어, 거리가 가장 짧은 녹색의 지향각이 가장 크게 나타난다. 녹색의 지향각을 더 줄이기 위해 상부 광학층(227)를 부가할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널(220)의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
상부 광학층(227)을 더 구비한 엘이디 패널(220)의 발광 다이오드(222) 부분을 도시한 도면으로 도 9와 같이 발광 다이오드(222)의 상면에 상부 광학층(227)이 위치하며, 상부 광학층(227)이 발광 다이오드(222)에서 사출되는 빛을 굴절시켜 지향각을 조정할 수 있다. 지향각이 큰 녹색의 빛을 꺾어 지향각을 줄여 약 57.5°로 약 3°를 줄일 수 있다.
상부 광학층(227)은 발광 다이오드(222) 위에 제팅공정으로 형성할 수 있다. 상부 광학층(227)은 투명한 실리콘과 확산제 (2275)를 포함할 수 있으며 확산제는 SiO2, ZrO2, ZnO와 같이 굴절율이 큰 물질을 포함할 수 있다.
확산제는 주 재료인 실리콘과 굴절률차가 0.3이상 차이나는 확산제를 이용할 수 있으며, 확산제와 주재료의 굴절률 차이로 인하여 확산 산란이 일어날 수 있다.
전술한 확산제와 달리 확산제는 빛의 투광성을 고려하여 색상이 없는 소재를 이용하거나 첨가량을 확산제보다 소량 첨가할 수 있다.
사이드 광학층(223)은 복수개의 발광 다이오드(222) 사이에 주입하고 엘이디 패널의 둘레에 사이드 광학층(223)을 형성하기 위한 실리콘(에폭시)이 넘치는 것을 방지하는 측벽을 구비할 수 있어 점도가 높을 필요 없다. 반면 상부 광학층(227)은 너무 넓게 퍼지지 않고 발광 다이오드(222)의 상면에 위치하도록 사이드 광학층(223)보다 점도가 높은 실리콘(에폭시)을 이용하는 바, 상면에 곡면을 형성할 수 있다.
상부 광학층(227)의 크기는 지름과 높이의 비율이 약 0.6 이하가되도록 구성할 수 있으며 점도가 높을수록 상부 광학층(227)이 더 볼록한 면을 가질 수 있다.
상부 광학층(227)은 도 9에 도시된 바와 같이 사이드 광학층(223)을 형성한 다음에 형성할 수도 있으나, 측방향으로 넓게 퍼질 수 있고, 이 경우 블랙 레이어(224)와 발광 다이오드(222) 사이에 갭이 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널(220)의 또 다른 실시예를 도시한 도면으로서, 상부 광학층(227)이 발광 다이오드(222) 상에 위치하여 발광 다이오드(222)의 크기와 상부 광학층(227)의 크기가 동일한 것을 특징으로 한다.
상부 광학층(227)을 먼저 형성한 후에 사이드 광학층(223)과 블랙 레이어(224)를 형성하여 상부 광학층(227)을 발광 다이오드(222) 상에 위치시킬 수 있다. 상부 광학층(227)을 형성한 후에 사이드 광학층(223)을 형성하고 사이드 광학층(223)의 상면에 레이저를 조사하여 블랙 레이어(224)를 구현할 수 있다. 이 경우 발광 다이오드(222)와 블랙 레이어(224) 사이에 갭을 없앨 수 있어 발광 다이오드(222)에서 사출되는 빛의 컨트롤이 보다 정확해진다.
블랙 레이어(224) 형성을 위해 레이저 조사 시 사이드 광학층(223)만 반응하고 상부 광학층(227)은 색상이 변화하지 않도록 레이저에 반응하는 확산제 (예를 들면 TiO2)는 상부 광학층(227)에 포함시키지 않는다. 블랙 레이어(224)와 상부 광학층(227)을 보호하기 위해 블랙 레이어(224)(블랙 레이어(224)가 생략된 경우 사이드 광학층(223))와 상부 광학층(227)을 커버하는 투명레진층(225)을 형성할 수 있으며, 투명레진층(225)은 실리콘이나 에폭시 소재를 포함할 수 있다. 투명 레진은 발광 다이오드(222)(222) 및 도포된 블랙 레이어(224)(224)을 보호하며 디스플레이 장치(100)의 전면이 편평한 평면을 이룰 수 있도록 구성할 수 있다.
외부광에 의한 빛 반사를 방지하기 위해 투명레진층(225) 전면에 기능성 필름층(226)을 추가적으로 배치할 수 있다. 기능성 필름층(226)은 반사 방지(Anti-Reflection, AR or Anti-Glare, AG) 필름, 저반사(Low Reflection, LR) 필름 및 지문 방지(Anti-Finger, AF) 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 필름층(226)은 투과율30% 이상이 되도록 색상을 포함하면 엘이디 패널이 꺼진 상태에서 개별 픽셀(개별 발광소자)이 잘 보이지 않고 검은 화면으로 보이는 효과를 얻을 수 있다.
도 11은 상부 광학층(227)의 유무에 따른 색상별 출력되는 개구수(NA: Numerical aperture)의 형상을 도시한 도면으로, (a)는 상부 광학층(227)가 없는 실시예를 (b)는 상부 광학층(227)가 있는 실시예를 도시한 도면이다.
(a) 를 참고하면 가운데 광원부분에서 점광원 형태로 빛의 세기가 강하게 나타나고 녹색의 빛의 개구수 형상이 가장 큰 것을 확인할 수 있다.
한편, 상부 광학층(227)를 포함하는 실시예의 개구수를 도시한 (b)를 참조하면 생상별 개구수의 크기가 유사하고 형상도 균일한 사각형 형상을 가질 수 있다.
도 12는 확산제가 첨가된 상부 광학층(227)를 포함한 발광 다이오드(222)에서 사출되는 색상별 지향각을 도시한 도면으로 지향각이 줄어 측방향으로 크게 퍼지는 형태가 아닌 균일한 형태를 가진다. 또한, 색상별로 편차가 거의 없어 균일한 백색광을 얻을 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 패널과 종래의 엘이디 패널의 색시야각을 도시한 도면이다. 수평축은 시야각을 수직축은 색편차를 나타낸다. 크기가 클수록 특정 색상이 더 잘 보이는 효과가 있으며, 종래의 엘이디 패널은 시야각이 넓어질수록 색편차가 크게 나타나나 본 발명은 시야각이 커지더라도 색편차가 수직방향과 유사한 크기를 얻을 수 있다.
상부 광학층의 확산제 함량이 많을수록 시야각에 따른 색편차가 작아지는 효과는 커진다 다만, 확산제가 많아지면 휘도가 저하될 수 있어 확산제 양은 10~20% 정도가 적정량이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판위에 실장된 LED칩 측면에서 발광되는 빛을 소자 내부로 재반사 시켜 LED칩의 효율을 향상시키고 휘도상승 및 소비전력 감소시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 제공할 수 있다.
반도체 발광 다이오드(222)의 구조상 발생되는 시야각별 색편차를 줄여 균일한 배광분포를 통해 모든 방향에서 균일한 백색광을 얻을 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 회로 배선을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 복수개의 발광 다이오드;
    상기 복수개의 발광 다이오드의 측방향에 위치하며 확산제를 포함하는 사이드 광학층; 및
    상기 복수개의 발광 다이오드의 상면에 각각 위치하며 확산제를 포함하는 복수개의 상부 광학층을 포함하는 엘이디 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 광학층은
    상기 발광 다이오드의 상면의 크기에 상응하는 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부 광학층의 높이/지름 비율은 0.6이하인 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 상부 광학층은 상면에 곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상부 광학층은 실리콘을 포함하고,
    상기 확산제는 상기 실리콘과 굴절률이 0.3이상 차이가 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 확산제는 SiO2, ZrO2, ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 실리콘 확산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 사이드 광학층은 상기 발광 다이오드의 높이에 상응하는 높이를 가지고, 상기 복수개의 발과 다이오드 사이를 채우는 것 특징으로 하는 엘이디 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 사이드 광학층은 실리콘을 포함하고,
    상기 확산제는 상기 실리콘과 굴절률이 0.3이상 차이가 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 사이드 광학층은 상기 발광 다이오드의 측방향에서 사출되는 빛을 반사 또는 흡수하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 사이드 광학층의 상면에 위치하는 블랙 레이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 블랙 레이어는 카본 또는 자외선 흡수물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 블랙 레이어는 상기 사이드 광학층을 레이저로 탄화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 사이드 광학층과 상기 상부 광학층을 커버하며 상면에 위치하는 투명레진층을 더 포함하는 엘이디 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투명레진층은 산란입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 투명레진층 위에 적층되는 반사 방지(Anti-Reflection, AR or Anti-Glare, AG) 필름, 저반사(Low Reflection, LR) 필름 및 지문 방지(Anti-Finger, AF) 필름 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 적색, 청색, 녹색의 발광칩이 상기 베이스 기판으로부터 순차적으로 적층된 적층형 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 적색, 청색, 녹색의 발광칩이 나란히 배치된 병렬형 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패널.
  18. 제1항에 있어서,
    회로배선을 베이스 기판을 제공하는 단계;
    상기 베이스 기판 상에 어레이를 이루며 복수개의 발광 다이오드를 실장하는 단계;
    상기 복수개의 발광 다이오드 각각의 상면에 상부 광학층을 형성하는 단계;
    상기 복수개의 발광 다이오드 측방향에 위치하는 사이드 광학층을 형성하는 단계; 및
    상기 사이드 광학층의 상면에 레이저를 조사하여 탄화시켜 블랙 레이어를 형성하는 단계를 포함하는 엘이디 패널 제조방법.
  19. 복수개의 엘이디 패널이 어레이를 이루며 배치되는 디스플레이 모듈;
    상기 복수개의 디스플레이 모듈이 안착되는 프레임; 및
    상기 디스플레이 모듈과 연결되어 상기 디스플레이 모듈을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 엘이디 패널은
    회로 배선을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 어레이를 이루며 배치되는 복수개의 발광 다이오드;
    상기 복수개의 발광 다이오드의 측방향에 위치하며 확산제를 포함하는 사이드 광학층; 및
    상기 복수개의 발광 다이오드의 각각의 상면에 위치하며 확산제를 포함하는 상부 광학층을 포함하는 디스플레이 디바이스.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080076054A (ko) * 2007-02-14 2008-08-20 한국광기술원 확산판을 구비한 멀티칩 ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조방법
KR20120082898A (ko) * 2009-09-17 2012-07-24 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 윈도우 소자를 통합한 몰딩된 렌즈
KR20200090841A (ko) * 2017-12-20 2020-07-29 서울바이오시스 주식회사 디스플레이용 led 유닛 및 이를 갖는 디스플레이 장치
CN212905827U (zh) * 2020-09-11 2021-04-06 江苏毅昌科技有限公司 一种背光照明单元、背光模组及显示装置
KR102272059B1 (ko) * 2015-02-09 2021-07-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL2335937T3 (pl) * 2009-12-18 2013-06-28 Agfa Gevaert Znakowalna laserowo folia zabezpieczająca
US8845119B2 (en) * 2010-03-15 2014-09-30 Panasonic Corporation Light emitting device, surface light source, and liquid crystal display apparatus
KR102694329B1 (ko) * 2018-12-10 2024-08-13 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조 방법
US11489005B2 (en) * 2019-12-13 2022-11-01 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080076054A (ko) * 2007-02-14 2008-08-20 한국광기술원 확산판을 구비한 멀티칩 ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조방법
KR20120082898A (ko) * 2009-09-17 2012-07-24 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 윈도우 소자를 통합한 몰딩된 렌즈
KR102272059B1 (ko) * 2015-02-09 2021-07-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20200090841A (ko) * 2017-12-20 2020-07-29 서울바이오시스 주식회사 디스플레이용 led 유닛 및 이를 갖는 디스플레이 장치
CN212905827U (zh) * 2020-09-11 2021-04-06 江苏毅昌科技有限公司 一种背光照明单元、背光模组及显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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