[go: up one dir, main page]

WO2022117501A1 - Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils - Google Patents

Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils Download PDF

Info

Publication number
WO2022117501A1
WO2022117501A1 PCT/EP2021/083351 EP2021083351W WO2022117501A1 WO 2022117501 A1 WO2022117501 A1 WO 2022117501A1 EP 2021083351 W EP2021083351 W EP 2021083351W WO 2022117501 A1 WO2022117501 A1 WO 2022117501A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting laser
substrate
web
radiation
semiconductor body
Prior art date
Application number
PCT/EP2021/083351
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jörg Erich SORG
Original Assignee
Ams-Osram International Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ams-Osram International Gmbh filed Critical Ams-Osram International Gmbh
Priority to US18/255,124 priority Critical patent/US20240006841A1/en
Priority to CN202180081618.3A priority patent/CN116547875A/zh
Priority to DE112021004885.6T priority patent/DE112021004885A5/de
Publication of WO2022117501A1 publication Critical patent/WO2022117501A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material

Definitions

  • a radiation-emitting laser component is specified.
  • a method for producing a radiation-emitting laser component is also specified.
  • One problem to be solved is to specify a radiation-emitting laser component that is particularly reliable.
  • a further problem to be solved is to specify a method for producing such a radiation-emitting laser component.
  • the radiation-emitting laser component comprises an edge-emitting laser diode, which is designed to generate electromagnetic laser radiation.
  • the edge-emitting laser diode is designed to emit electromagnetic laser radiation from one facet.
  • the edge-emitting laser diode has, for example, a main extension plane.
  • a vertical direction runs perpendicular to the main plane of extension and lateral directions run parallel to the main plane of extension.
  • the edge-emitting laser diode extends, for example, along a main extension direction, which is aligned parallel to one of the lateral directions.
  • the facet is arranged in a plane that is essentially perpendicular to the main direction of extent extends .
  • substantially perpendicular means that the side face is inclined by no more than 5°, in particular by no more than 1°, to a normal to the main extension direction.
  • the electromagnetic laser radiation is in particular monochromatic and coherent laser light.
  • the electromagnetic laser radiation is z. B. infrared, IR, radiation, visible radiation, or ultraviolet, UV, radiation.
  • the radiation-emitting laser component comprises a substrate on which the edge-emitting laser diode is arranged.
  • the substrate 10 includes, among other things, a baseplate .
  • the base plate has a main extension plane that extends in lateral directions.
  • the substrate has, for example, a main extension direction that runs parallel to the main extension direction of the edge-emitting laser diode.
  • the substrate is, for example, a connection carrier of the edge-emitting laser diode.
  • the edge-emitting laser diode can be energized, for example, through the substrate. Furthermore, the edge-emitting laser diode can, for example, be cooled by the substrate.
  • the substrate is formed, for example, with a metallic and/or ceramic material or consists of it.
  • the base plate is formed with or consists of a ceramic material.
  • the edge-emitting laser diode comprises a contact layer.
  • the contact layer is a semiconductor body of the edge-emitting laser diode, for example, that can be energized.
  • the semiconductor body of the edge-emitting laser diode can, for example, be cooled by the substrate.
  • the contact layer has, for example, a height in the vertical direction of at least 0.05 micrometers and at most 5 micrometers, for example approximately 1 micrometer.
  • the contact layer includes, for example, one or more of the following metals or consists of: Cu, Ti, Pt, Au, Ni, Rh, Pd, Cr.
  • the substrate has a substrate web.
  • the substrate includes the base plate and the substrate web.
  • the substrate web is arranged, for example, on the base plate.
  • the substrate web is in direct contact with the base plate.
  • the substrate web comprises, for example, a top surface and side surfaces adjoining it.
  • the top surface faces the edge-emitting laser diode.
  • the substrate web extends in lateral directions, for example along the main extension direction of the edge-emitting laser diode.
  • the top surface of the substrate web is connected to recessed outer surfaces of the substrate web, for example via the side surfaces.
  • the recessed outer surfaces of the substrate web cover the base plate only in places. Edge areas of the base plate are for example, free of the recessed outer surfaces of the substrate web.
  • the substrate web includes, for example, a metal or consists of it.
  • the substrate web is formed from a different material than the base plate.
  • the contact layer is mechanically stably connected to the substrate web by means of a solder layer.
  • the edge-emitting laser diode and the substrate are mechanically stably connected by means of the solder layer.
  • the solder layer has, for example, a height in the vertical direction of at least 0.5 micrometers and at most 5 micrometers, for example approximately 2 micrometers.
  • the solder layer includes or consists of a metal, for example.
  • the solder layer is formed with AuSn, for example, with a mass fraction of Au being in particular 70% ⁇ 5%.
  • the radiation-emitting laser component comprises an edge-emitting laser diode, which is designed to generate electromagnetic laser radiation, and a substrate, on which the edge-emitting laser diode is arranged.
  • the edge-emitting laser diode includes a contact layer and the substrate has a substrate web, the contact layer being mechanically stably connected to the substrate web by means of a solder layer.
  • the edge-emitting laser diode from a wafer assembly by laser scribing is isolated .
  • the semiconductor body of the laser diode is based on GaN.
  • the GaN material of the semiconductor body of the laser diode is decomposed into metallic Ga and N2.
  • the nitrogen produced is, in particular, volatile, so that the gallium produced remains as slag on a side surface of the semiconductor body.
  • the edge-emitting laser diode when applied to a substrate on approx. 300 °C heated.
  • pure gallium for example, has a liquidus temperature of 29.76° C.
  • the gallium residues left behind during the separation which are particularly very mobile, can lead to direct contact between the laser diode and a substrate without a substrate ridge. This results in short circuits and shunts, for example.
  • a distance between the edge-emitting laser diode and the base plate is advantageously increased compared to a substrate without a substrate web.
  • Such a spatial separation of the edge-emitting laser diode and the substrate, in particular the base plate means that the gallium residues cannot produce any direct electrically conductive contact between the laser diode and the substrate, in particular the base plate.
  • Such a radiation-emitting laser component is advantageously particularly reliable.
  • the edge-emitting laser diode has a semiconductor body with a web.
  • the semiconductor body comprises a first semiconductor layer sequence of a first conductivity type and a second semiconductor layer sequence of a second conductivity type that is different from the first conductivity type.
  • the semiconductor body comprises, for example, a semiconductor substrate on which the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence are arranged.
  • the first semiconductor layer sequence is p-doped and is therefore p-conductive.
  • the second semiconductor layer sequence is, for example, n-doped and thus n-conductive.
  • the first conductivity type is therefore a p-conducting type, for example, and the second conductivity type is, for example, an n-conducting type.
  • the first conductivity type is, for example, an n-conducting type and the second conductivity type is, for example, a p-conducting type.
  • the semiconductor body is grown epitaxially, for example. That is to say, for example, the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence are grown epitaxially in the vertical direction one above the other and on the semiconductor substrate.
  • An active region for example, which is designed to generate electromagnetic radiation, is arranged between the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence.
  • the electromagnetic radiation generated in the active region is converted into electromagnetic laser radiation in the semiconductor body.
  • the electromagnetic laser radiation typically has a very high coherence length, a very narrow emission spectrum and/or a high degree of polarization.
  • the semiconductor body is preferably formed from a II/V compound semiconductor or has a II/V compound semiconductor.
  • the II/V compound semiconductor can be an arsenide compound semiconductor, a nitride compound semiconductor or a phosphide compound semiconductor.
  • the semiconductor substrate faces away from the substrate. This means that the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence face the substrate, for example.
  • the web of the semiconductor body has a top surface and side surfaces adjoining it.
  • the web of the semiconductor body is formed by a web-shaped raised area of the semiconductor body.
  • the web of the semiconductor body protrudes, for example, as a projection from a recessed outer surface of the semiconductor body.
  • the web of the semiconductor body extends in the lateral direction, for example along the main direction of extent of the edge-emitting laser diode.
  • the recessed outer surface is arranged, for example, at the side of the web of the semiconductor body.
  • the top surface of the ridge of the semiconductor body is above that on it adjacent side surfaces of the web of the semiconductor body directly connected to the recessed outer surface.
  • the top surface and the side surfaces as well as the recessed outer surface form a stepped profile.
  • the contact layer covers the top surface and the side surfaces of the ridge of the semiconductor body and the recessed outer surface of the semiconductor body.
  • the web of the semiconductor body is embedded in the contact layer, for example. Embedded here means that the top surface and the side surfaces of the web of the semiconductor body are completely covered with the contact layer. For example, the top surface and the side surfaces of the ridge of the semiconductor body are in direct contact with the contact layer.
  • the recessed outer surface of the semiconductor body is only partially covered with the contact layer, for example.
  • at least one edge area of the recessed outer surface is free of the contact layer.
  • the semiconductor body is freely accessible in the edge region, for example.
  • the web of the semiconductor body and the substrate web face one another.
  • the web of the semiconductor body and the substrate web are positioned opposite one another.
  • the width of the substrate web is smaller than a width of the semiconductor body.
  • the width of the substrate web is at least 20%, in particular at least 50%, smaller than the width of the semiconductor body.
  • the widths each extend perpendicular to the main extension direction of the edge-emitting laser diode and each along the main extension plane of the edge-emitting laser diode.
  • the substrate web and the semiconductor body each extend in particular along the main direction of extension of the laser diode.
  • the substrate web runs, for example in a plan view, within the first side surface of the semiconductor body and the second side surface of the semiconductor body. In this case, the substrate web and the semiconductor body completely overlap with one another in lateral directions in a plan view.
  • the side surfaces of the substrate web are each at a distance from the first side surface of the semiconductor body and the second side surface of the semiconductor body, for example in lateral directions. Such a distance advantageously prevents the laser diode from short-circuiting with the substrate due to the gallium residues.
  • the web of the semiconductor body is arranged asymmetrically in the contact layer in lateral directions.
  • the contact layer and the web of the semiconductor body both extend in lateral directions along the main direction of extent of the edge-emitting laser diode.
  • a cross section perpendicular to the main extension direction through the contact layer and the web of the semiconductor body has, for example, no mirror symmetry along the main extension direction.
  • the web of the semiconductor body is not arranged centered in the contact layer in lateral directions, for example.
  • the web of the semiconductor body is at a greater distance from a first side face of the semiconductor body than from a second side face of the semiconductor body opposite the first side face, or vice versa.
  • the semiconductor body comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type that is different from the first conductivity type
  • the contact layer is arranged on the first semiconductor layer.
  • the first semiconductor layer is only partially covered with the contact layer, for example.
  • at least one edge area of the first semiconductor layer is free of the contact layer. In the edge area, the first semiconductor layer is freely accessible, for example.
  • the first conductivity type is a p-type conductivity type.
  • the Substrate web and the contact layer in plan view in lateral directions with each other.
  • the substrate web and the contact layer have largely the same dimensions in lateral directions.
  • Largely the same dimensions here means that a width of the substrate web and a width of the contact layer differ from one another by at most +/-10%, in particular at most +/-5%.
  • the widths extend perpendicular to the main extension direction of the edge-emitting laser diode.
  • a length of the substrate web is, for example, greater than a length of the contact layer. The lengths extend along the edge emitting laser diode.
  • the substrate web and the contact layer may have the same width.
  • at least one side surface of the substrate web and at least one side surface of the contact layer are arranged in a common plane that runs in the vertical direction.
  • the solder layer does not protrude beyond at least one side surface of the substrate web in lateral directions.
  • the side surface of the substrate web is essentially free of the solder layer.
  • substantially free means that small particles of a soldering material of the soldering layer can be arranged on the side surface due to production.
  • a metallic layer is arranged on the substrate with the substrate web.
  • the metallic layer completely covers the substrate web.
  • the metallic layer completely covers a top surface and side surfaces of the substrate web adjoining it.
  • the metallic layer is in direct contact with the substrate web, in particular with the top surface and the side surfaces.
  • the base plate is at least partially covered with the contact layer.
  • the metallic layer has, for example, a height in the vertical direction of at least 0.1 micrometer and at most 0.5 micrometer.
  • the metallic layer includes, for example, one or more of the following metals or consists of: Au, Pt, Ti.
  • the metallic layer comprises a plurality of layers, one layer each being formed with one of the metals.
  • the metallic layer connects the substrate to the edge-emitting laser diode in a particularly reliable manner.
  • the substrate web has a height of at least 5 micrometers and at most 15 micrometers.
  • the height of the substrate ridge in the vertical direction is approximately 10 micrometers.
  • a method for producing a radiation-emitting laser component is specified.
  • a radiation-emitting laser component described here can be produced with the method. That This means that the radiation-emitting laser component described here can be produced using the method described or is produced using the method described. All features disclosed in connection with the radiation-emitting laser component are therefore also disclosed in connection with the method and vice versa.
  • an edge-emitting laser diode that includes a contact layer is provided.
  • a substrate having a substrate web is provided.
  • the substrate web is applied to a base plate.
  • a soldering material is applied to the substrate web or the contact layer.
  • the solder material includes the same materials as the solder layer.
  • the solder material has, for example, a height in the vertical direction of at least 1 micrometer and at most 5 micrometers, for example 3 micrometers.
  • the height of the solder material is greater than a height of the solder layer.
  • the edge-emitting laser diode is applied to the substrate.
  • the edge-emitting laser diode, in particular the contact layer, and the substrate, in particular the substrate web, are directly connected to one another via the solder material.
  • the solder material is heated to a first temperature.
  • the soldering material is heated, for example, in such a way that the soldering material connects to the edge-emitting laser diode, in particular the contact layer.
  • the soldering material is heated, for example, in such a way that the soldering material is connected to the substrate, in particular the substrate web.
  • the connection is, for example, a soldering process.
  • the first temperature has a temperature of at least 200° C. and at most 400° C.
  • the first temperature is approximately 300°C.
  • the soldering material has a liquid state of aggregation, in particular at the first temperature.
  • a solder layer is produced by cooling the solder material.
  • the solder layer is cooled to a second temperature.
  • the second temperature is 30° C., for example.
  • the soldering material solidifies as it cools. After cooling, the solder material has a solid state of aggregation.
  • the contact layer is mechanically stably connected to the substrate web by means of the solder layer.
  • the solder material is applied asymmetrically in lateral directions to the substrate web or the contact layer.
  • a cross section perpendicular to the main extension direction through the substrate web and/or the contact layer and through the soldering material has no mirror symmetry along the main extension direction, for example.
  • the solder material is not arranged centered on the substrate web or on the contact layer in lateral directions, for example.
  • the solder material is at a greater distance from the first side face of the semiconductor body than from the second side face of the semiconductor body, or vice versa.
  • the substrate and the contact layer can be divided along the main extension direction by a virtual line into two parts of equal size, into a first part and a second part. If the web of the semiconductor body is arranged within the first part, the second part has a larger quantity of solder material than the first part, or vice versa. If the web of the semiconductor body is arranged within the first part, the second part has in particular a larger covering area with the solder material than the first part or vice versa.
  • the solder layer does not protrude beyond at least one side surface of the substrate web, depending on the quantity of the solder material.
  • the solder layer does not protrude beyond the side surface of the substrate web.
  • the side surface of the substrate web is essentially free of the solder material.
  • substantially free means that small particles of the soldering material of the soldering layer can be arranged on the side surface due to the manufacturing process.
  • the substrate is heated at least in places with a laser process during the heating. Due to the laser process, the substrate can only be heated locally in a region where the substrate web is positioned. For example, the region is irradiated with an infrared laser.
  • the edge-emitting laser diode is heated at least in places with a laser process during the heating. Due to the laser process, the edge-emitting laser diode can only be heated in a region where the contact layer is positioned.
  • the edge-emitting laser diode and the substrate can be heated from both sides by means of a heating stamp.
  • the radiation-emitting laser component and the method for producing the radiation-emitting laser component are explained in more detail below with reference to the figures using exemplary embodiments.
  • FIGS. 1 and 2 show schematic sectional representations of a radiation-emitting laser component according to one embodiment in each case
  • FIG. 3 shows a schematic sectional illustration of a method stage in the production of a radiation-emitting laser component according to one exemplary embodiment.
  • Elements that are the same, of the same type or have the same effect are provided with the same reference symbols in the figures.
  • the figures and the relative sizes of the elements shown in the figures are not to be regarded as being to scale. Rather, individual elements can be shown in an exaggerated size for better representation and/or for better comprehensibility.
  • the radiation-emitting laser component according to the exemplary embodiment in FIG. 1 comprises an edge-emitting laser diode 2 and a substrate 3 on which the edge-emitting laser diode 2 is arranged.
  • the edge-emitting laser diode 2 has a semiconductor body 8 with a web 12 .
  • the web of the semiconductor body 12 protrudes as a projection from a recessed outer surface of the semiconductor body 8 .
  • the web of the semiconductor body 12 extends in the lateral direction, for example along the main direction of extent of the edge-emitting laser diode 2 .
  • the web of the semiconductor body 12 comprises a top surface and side surfaces adjoining it, the top surface and the side surfaces as well as the recessed outer surface of the semiconductor body 8 forming a step profile.
  • a contact layer 6 is arranged on the semiconductor body 8 and the web of the semiconductor body 12 .
  • the contact layer 6 covers the top surface and the side surfaces of the web of the semiconductor body 12 and the recessed outer surface of the semiconductor body 8 .
  • the recessed outer surface of the semiconductor body 8 is, for example, only to the side of the web of the semiconductor body 12 covered with the contact layer 6 .
  • An edge region of the set-back outer surface of the semiconductor body 8 which is arranged in the region of side surfaces of the semiconductor body 8 , is free of the contact layer 6 .
  • the web of the semiconductor body 12 is arranged asymmetrically in the contact layer 6 in lateral directions.
  • the web of the semiconductor body 12 is at a greater distance from a first side face of the semiconductor body 8 than from a second side face of the semiconductor body 8 opposite the first side face.
  • the contact layer 6 can be divided along the main extension direction by a virtual line 16 into two parts of equal size, namely into a first part 17, which adjoins the first side surface of the semiconductor body 8, and a second part 18, which adjoins the second side surface of the semiconductor body 8 adjacent .
  • the web of the semiconductor body 12 is arranged within the second part.
  • the substrate 3 comprises a base plate 4 and a substrate web 5 .
  • the substrate web 5 is arranged on the base plate 4 and faces the web of the semiconductor body 12 .
  • the substrate web 5 extends along the main extension direction of the edge-emitting laser diode 2 .
  • the substrate web 5 comprises a top surface and side surfaces adjoining it.
  • the top surface is connected to a recessed outer surface of the substrate web 5 via the side surfaces.
  • the recessed outer surface of the substrate web 5 covers the base plate 4 only partially. Edge areas of the base plate 4 are free from the recessed outer surface of the substrate web 5 .
  • the contact layer 6 and the substrate web 5 have the same dimensions in lateral directions. This means that a width of the contact layer 6 is equal to a width of the substrate web 5 .
  • a solder layer 7 is arranged between the contact layer 6 and the substrate web 5 .
  • the contact layer 6 is mechanically stably connected to the substrate web 5 by means of the solder layer 7 .
  • the edge-emitting laser diode 2 can be electrically energized via this connection, and heat that is produced can be transported away from the edge-emitting laser diode 2 through the connection.
  • the substrate web 5 can be divided along the main extension direction analogously to the contact layer 6 by a virtual line 16 into two parts of equal size, namely into a first part 17, which adjoins a first side surface of the substrate web 5, and a second part 18 , which is adjacent to the second side surface of the substrate web 5.
  • the solder layer 7 protrudes beyond the side surface of the substrate web 5 in the first part 17 in lateral directions. In the first part 17 , the solder layer 7 covers the side surface and the outer surface of the substrate web 5 adjoining it. In contrast, the solder layer 7 protrudes beyond the side surface of the substrate Web 5 in the second part 18 in lateral directions not. In the second part 18 the side surface and the outer surface of the substrate web 5 adjoining it are free of the solder layer 7 .
  • the substrate web 5 has, for example, a height in the vertical direction of, for example, approximately 10 micrometers.
  • the substrate web 5 thus provides a distance A between the recessed side surface of the substrate web 5 and the recessed outer surface of the semiconductor body 8 .
  • the distance A is, for example, approximately 13 micrometers.
  • the edge-emitting laser diode 2 of the radiation-emitting laser component 1 according to the exemplary embodiment in FIG.
  • the semiconductor body 8 comprises a first semiconductor layer sequence 9 of a first conductivity type and a second semiconductor layer sequence 10 of a second conductivity type that is different from the first conductivity type.
  • the first conductivity type is a p- conductive type and the second conductivity type is an n-conductive type.
  • An active region 11 which is designed to generate electromagnetic radiation, is arranged between the first semiconductor layer sequence 9 and the second semiconductor layer sequence 10 .
  • the first semiconductor layer sequence 9 of the p-conducting type faces the substrate web 5 .
  • a soldering material 15 is applied to the substrate web 5 after a substrate 3 having a substrate web 5 has been provided.
  • the substrate web 5 and an outer surface laterally adjoining it are covered by a metallic layer 13 .
  • the metallic layer 13 comprises three layers, for example.
  • the first layer includes, for example, Ti with a height of at most 100 nanometers
  • the second layer includes, for example, Pt with a height of at least 50 nanometers and at most 100 nanometers
  • the third layer includes, for example, Au with a height of at least 20 nanometers and at most 30 nanometers.
  • the third layer faces away from the substrate web 5 .
  • the third layer for example comprising Au, is advantageously particularly easy to wet.
  • the first layer and the second layer form a barrier layer to the substrate web 5, for example.
  • the solder material 15 is on the metallic layer 13 arranged. This means that the solder material 15 is in direct contact with the metallic layer 13 .
  • the substrate web 5 can be divided along the main extension direction analogously to the contact layer 6 by a virtual line 16 into two parts of equal size, namely into a first part 17 and a second part 18 .
  • the first part has a larger amount of solder material 15 than the second part. This means that the first part has a larger covering area with the solder material 15 than the second part.
  • the soldering material 15 is heated, so that the soldering material 15 is in a free-flowing form.
  • the asymmetrical application of the soldering material 15 makes it possible for the soldering material 15 not to be pressed out over a side surface in the second part 18 in lateral directions when the edge-emitting laser diode 2 is applied to the soldering material 15 .
  • the solder material 15 is pressed out in lateral directions over the side surface of the substrate web 5 by being applied in the first part 17 .
  • a width of the base plate B1 is, for example, approximately 0.5 millimeters and a width of the soldering material B2 is, for example, approximately 0.04 millimeters.
  • a height of the base plate H1 is, for example, approximately 0.2 millimeters and a height of the substrate web H2 is, for example, approximately 0.01 millimeters.
  • An edge-emitting laser diode 2 is provided below, which comprises a contact layer 6 . The edge emitting laser diode 2 is applied to the substrate 3 with the soldering material 15 . The arrangement is subsequently heated to a first temperature. After the soldering material 15 has cooled down, the soldering layer 7 is produced from the soldering material 15 and mechanically stably connects the contact layer 6 to the substrate web 5 .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Es wird ein strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) angegeben mit: - einer kantenemittierenden Laserdiode (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Laserstrahlung ausgebildet ist, und - einem Substrat (3), auf dem die kantenemittierende Laserdiode (2) angeordnet ist, wobei - die kantenemittierende Laserdiode (2) eine Kontaktschicht (6) umfasst, - das Substrat (3) einen Substrat-Steg (5) aufweist, und - die Kontaktschicht (6) mit dem Substrat-Steg (5) mittels einer Lotschicht (7) mechanisch stabil verbunden ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Laserbauteils (1) angegeben.

Description

Beschreibung
STRAHLUNGSEMITTIERENDES LASERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN LASERBAUTEILS
Es wird ein strahlungsemittierendes Laserbauteil angegeben . Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Laserbauteils angegeben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein strahlungsemittierendes Laserbauteil anzugeben, das besonders zuverlässig ist . Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen strahlungsemittierenden Laserbauteils anzugeben .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das strahlungsemittierende Laserbauteil eine kantenemittierende Laserdiode , die zur Erzeugung von elektromagnetischer Laserstrahlung ausgebildet ist . Beispielsweise ist die kantenemittierende Laserdiode dazu ausgebildet elektromagnetische Laserstrahlung von einer Facette aus zusenden .
Die kantenemittierende Laserdiode weist beispielsweise eine Haupterstreckungsebene auf . Eine vertikale Richtung verläuft senkrecht zur Haupterstreckungsebene und laterale Richtungen verlaufen parallel zur Haupterstreckungsebene . Weiterhin erstreckt sich die kantenemittierende Laserdiode beispielsweise entlang einer Haupterstreckungsrichtung, die parallel zu einer der lateralen Richtungen ausgerichtet ist .
Beispielsweise ist die Facette in einer Ebene angeordnet , die sich im Wesentlichen senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung erstreckt . Im Wesentlichen senkrecht bedeutet , dass die Seitenfläche höchstens um 5 ° , insbesondere um höchstens 1 ° , zu einer Normalen der Haupterstreckungsrichtung geneigt ist . Bei der elektromagnetischen Laserstrahlung handelt es sich insbesondere um monochromatisches und kohärentes Laserlicht . Die elektromagnetische Laserstrahlung ist z . B . infrarote , IR, Strahlung, sichtbare Strahlung oder ultraviolette , UV, Strahlung .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das strahlungsemittierende Laserbauteil ein Substrat , auf dem die kantenemittierende Laserdiode angeordnet ist . Beispielsweise umfasst das Substrat , unter anderem, eine Basisplatte . Die Basisplatte weist eine Haupterstreckungsebene auf , die sich in lateralen Richtungen erstreckt . Weiterhin weist das Substrat beispielsweise eine Haupterstreckungsrichtung auf , die parallel zur Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode verläuft .
Bei dem Substrat handelt es sich beispielsweise um einen Anschlussträger der kantenemittierenden Laserdiode . Durch das Substrat ist die kantenemittierende Laserdiode zum Beispiel bestrombar . Weiterhin ist die kantenemittierende Laserdiode durch das Substrat beispielsweise entwärmbar .
Das Substrat ist beispielsweise mit einem metallischen und/oder keramischen Material gebildet oder besteht daraus . Insbesondere ist die Basisplatte mit einem keramischen Material gebildet oder besteht daraus .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils umfasst die kantenemittierende Laserdiode eine Kontaktschicht . Durch die Kontaktschicht ist ein Halbleiterkörper der kantenemittierenden Laserdiode zum Beispiel bestrombar . Weiterhin ist der Halbleiterkörper der kantenemittierenden Laserdiode durch das Substrat beispielsweise entwärmbar .
Die Kontaktschicht weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von mindestens 0 , 05 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer, beispielsweise in etwa 1 Mikrometer auf . Die Kontaktschicht umfasst beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Metalle oder besteht daraus : Cu, Ti , Pt , Au, Ni , Rh, Pd, Cr .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils weist das Substrat einen Substrat-Steg auf . Insbesondere umfasst das Substrat die Basisplatte und den Substrat-Steg . Der Substrat-Steg ist beispielsweise auf der Basisplatte angeordnet . Zum Beispiel steht der Substrat-Steg mit der Basisplatte in direktem Kontakt .
Der Substrat-Steg umfasst zum Beispiel eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen . Die Deckfläche ist insbesondere der kantenemittierenden Laserdiode zugewandt . Der Substrat-Steg erstreckt sich in lateralen Richtungen beispielsweise entlang der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode .
Die Deckfläche des Substrat-Stegs ist beispielsweise über die Seitenflächen mit zurückgesetzten Außenflächen des Substrat- Stegs verbunden . Die zurückgesetzten Außenflächen des Substrat-Stegs bedecken zum Beispiel die Basisplatte nur stellenweise . Randbereiche der Basisplatte sind beispielsweise frei von den zurückgesetzten Außenflächen des Substrat-Stegs .
Der Substrat-Steg umfasst beispielsweise ein Metall oder besteht daraus . Beispielsweise ist der Substrat-Steg aus einem anderen Material gebildet wie die Basisplatte .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils ist die Kontaktschicht mit dem Substrat-Steg mittels einer Lotschicht mechanisch stabil verbunden . Insbesondere sind die kantenemittierende Laserdiode und das Substrat mittels der Lotschicht mechanisch stabil verbunden .
Die Lotschicht weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von mindestens 0 , 5 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer, beispielsweise in etwa 2 Mikrometer auf . Die Lotschicht umfasst beispielsweise ein Metall oder besteht daraus . Die Lotschicht ist beispielsweise mit AuSn gebildet , wobei ein Massenanteil von Au insbesondere 70% ± 5% ist .
In mindestens einer Aus führungs form umfasst das strahlungsemittierende Laserbauteil eine kantenemittierende Laserdiode , die zur Erzeugung von elektromagnetischer Laserstrahlung ausgebildet ist , und ein Substrat , auf dem die kantenemittierende Laserdiode angeordnet ist . Die kantenemittierende Laserdiode umfasst eine Kontaktschicht und das Substrat weist einen Substrat-Steg auf , wobei die Kontaktschicht mit dem Substrat-Steg mittels einer Lotschicht mechanisch stabil verbunden ist .
Beispielsweise ist es möglich, dass die kantenemittierende Laserdiode aus einem Wafer-Verbund durch Laser-Ritzen vereinzelt wird . Insbesondere basiert der Halbleiterkörper der Laserdiode auf GaN . Bei dem Laser-Ritzen wird beispielsweise das GaN-Material des Halbleiterkörpers der Laserdiode in metallisches Ga und N2 zersetzt . Der entstehende Stickstof f ist hierbei insbesondere flüchtig, sodass das entstehende Gallium als Schlacke auf einer Seitenfläche des Halbleiterkörpers verbleibt .
Beispielsweise wird die kantenemittierende Laserdiode beim Aufbringen auf ein Substrat auf ca . 300 ° C gehei zt . Da reines Gallium beispielsweise eine Liquidustemperatur von 29 , 76 ° C aufweist , können die bei der Vereinzelung zurückbleibenden Gallium Reste , die insbesondere sehr beweglich sind, zu einem direkten Kontakt zwischen der Laserdiode und einem Substrat ohne Substrat-Steg führen . Dies hat beispielsweise Kurz- und Nebenschlüsse zur Folge .
Eine Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Laserbauteils ist unter anderem, dass ein Abstand zwischen der kantenemittierenden Laserdiode und der Basisplatte im Vergleich zu einem Substrat ohne Substrat-Steg mit Vorteil erhöht ist . Durch eine derartige räumliche Trennung der kantenemittierenden Laserdiode und des Substrats , insbesondere der Basisplatte , können die Gallium Reste keinen direkten elektrisch leitenden Kontakt zwischen der Laserdiode und dem Substrat , insbesondere der Basisplatte , herstellen . Ein derartiges strahlungsemittierendes Laserbauteil ist mit Vorteil besonders zuverlässig .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils weist die kantenemittierende Laserdiode einen Halbleiterkörper mit einem Steg auf . Beispielsweise umfasst der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschichtenfolge eines ersten Leit f ähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschichtenfolge eines vom ersten Leit f ähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leit f ähigkeitstyps . Der Halbleiterkörper umfasst beispielsweise ein Halbleitersubstrat , auf dem die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind .
Beispielsweise ist die erste Halbleiterschichtenfolge p- dotiert und damit p-leitend ausgebildet . Weiterhin ist die zweite Halbleiterschichtenfolge zum Beispiel n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet . Damit handelt es sich bei dem ersten Leit f ähigkeitstyp beispielsweise um einen p-leitenden Typ und bei dem zweiten Leit f ähigkeitstyp beispielsweise um einen n-leitenden Typ . Alternativ handelt es sich bei dem ersten Leit f ähigkeitstyp beispielsweise um einen n-leitenden Typ und bei dem zweiten Leit f ähigkeitstyp beispielsweise um einen p-leitenden Typ .
Der Halbleiterkörper ist zum Beispiel epitaktisch gewachsen . Das heißt , beispielsweise sind die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge epitaktisch in vertikaler Richtung übereinander und auf dem Halbleitersubstrat gewachsen .
Zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Halbleiterschichtenfolge ist beispielsweise ein aktiver Bereich angeordnet , der dazu ausgebildet ist elektromagnetische Strahlung zu erzeugen . Beispielsweise wird die in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung in dem Halbleiterkörper in elektromagnetische Laserstrahlung umgewandelt . Im Gegensatz zu elektromagnetischer Strahlung, die ausschließlich durch spontane Emission erzeugt wird, weist die elektromagnetische Laserstrahlung typischerweise eine sehr hohe Kohärenzlänge , ein sehr enges Emissionsspektrum und/oder einen hohen Polarisationsgrad auf .
Der Halbleiterkörper ist bevorzugt aus einem I I I /V- Verbindungshalbleiter gebildet oder weist ein I I I /V- Verbindungshalbleiter auf . Bei dem I I I /V- Verbindungshalbleiter kann es sich um ein Arsenid- Verbindungshalbleiter , ein Nitrid-Verbindungshalbleiter oder ein Phosphid-Verbindungshalbleiter handeln .
Beispielsweise ist das Halbleitersubstrat dem Substrat abgewandt . Das heißt , die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge sind dem Substrat beispielsweise zugewandt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils weist der Steg des Halbleiterkörpers eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen auf . Beispielsweise ist der Steg des Halbleiterkörpers durch einen stegförmigen erhöhten Bereich des Halbleiterkörpers gebildet . Der Steg des Halbleiterkörpers ragt zum Beispiel als Vorsprung aus einer zurückgesetzten Außenfläche des Halbleiterkörpers heraus . Der Steg des Halbleiterkörpers erstreckt sich in lateraler Richtung beispielsweise entlang der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode .
Die zurückgesetzte Außenfläche ist beispielsweise seitlich des Stegs des Halbleiterkörpers angeordnet . Zum Beispiel ist die Deckfläche des Stegs des Halbleiterkörpers über die daran angrenzenden Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers mit der zurückgesetzten Außenfläche direkt verbunden . Insbesondere bilden die Deckfläche und die Seitenflächen sowie die zurückgesetzte Außenfläche ein Stufenprofil .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils bedeckt die Kontaktschicht die Deckfläche und die Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers und die zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers . Der Steg des Halbleiterkörpers ist beispielsweise in der Kontaktschicht eingebettet . Eingebettet heißt hier, dass die Deckfläche und die Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers vollständig mit der Kontaktschicht bedeckt sind . Beispielsweise stehen die Deckfläche und die Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers in direktem Kontakt zu der Kontaktschicht .
Die zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers ist beispielsweise nur teilweise mit der Kontaktschicht bedeckt . Beispielsweise ist zumindest ein Randbereich der zurückgesetzten Außenfläche frei von der Kontaktschicht . In dem Randbereich ist der Halbleiterkörper zum Beispiel frei zugänglich .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils sind der Steg des Halbleiterkörpers und der Substrat-Steg einander zugewandt . Insbesondere sind der Steg des Halbleiterkörpers und der Substrat-Steg gegenüber voneinander positioniert .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils ist die Breite des Substrat-Stegs kleiner als eine Breite des Halbleiterkörpers . Beispielsweise ist die Breite des Substrat-Stegs um mindestens 20 % , insbesondere um mindestens 50 % , kleiner als die Breite des Halbleiterkörpers . Die Breiten erstrecken sich j eweils senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode und j eweils entlang der Haupterstreckungsebene der kantenemittierenden Laserdiode .
Der Substrat-Steg und der Halbleiterkörper erstrecken sich insbesondere j eweils entlang der Haupterstreckungsrichtung der Laserdiode . Der Substrat-Steg verläuft beispielsweise in Draufsicht innerhalb der ersten Seitenfläche des Halbleiterkörpers und der zweiten Seitenfläche des Halbleiterkörpers . Der Substrat-Steg und der Halbleiterkörper überlappen in diesem Fall in lateralen Richtungen in Draufsicht vollständig miteinander .
Die Seitenflächen des Substrat-Stegs weisen beispielsweise j eweils in lateralen Richtungen einen Abstand zu der ersten Seitenfläche des Halbleiterkörpers und der zweiten Seitenfläche des Halbleiterkörpers auf . Durch einen derartigen Abstand ist ein Kurzschluss der Laserdiode mit dem Substrat durch die Gallium Reste vorteilhafterweise verhindert .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils ist der Steg des Halbleiterkörpers in lateralen Richtungen asymmetrisch in der Kontaktschicht angeordnet . Beispielsweise erstrecken sich die Kontaktschicht und der Steg des Halbleiterkörpers in lateralen Richtungen beide entlang der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode . Ein Querschnitt senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung durch die Kontaktschicht und den Steg des Halbleiterkörpers weist beispielsweise keine Spiegelsymmetrie entlang der Haupterstreckungsrichtung auf .
Der Steg des Halbleiterkörpers ist beispielsweise in lateralen Richtungen nicht zentriert in der Kontaktschicht angeordnet . Insbesondere weist der Steg des Halbleiterkörpers zu einer ersten Seitenfläche des Halbleiterkörpers einen größeren Abstand auf als zu einer der ersten Seitenfläche gegenüberliegenden zweiten Seitenfläche des Halbleiterkörpers oder umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils umfasst der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leit f ähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines vom ersten Leit f ähigkeitstyp verschiedenen zweiten
Leit f ähigkeitstyps , und die erste Halbleiterschicht ist dem Substrat zugewandt .
Beispielsweise ist die Kontaktschicht auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet . Die erste Halbleiterschicht ist beispielsweise nur teilweise mit der Kontaktschicht bedeckt . Beispielsweise ist zumindest ein Randbereich der ersten Halbleiterschicht frei von der Kontaktschicht . In dem Randbereich ist die erste Halbleiterschicht zum Beispiel frei zugänglich .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils ist der erste Leit f ähigkeitstyp ein p-typ Leit f ähigkeitstyp .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils überlappen der Substrat-Steg und die Kontaktschicht in Draufsicht in lateralen Richtungen miteinander . Beispielsweise weisen der Substrat-Steg und die Kontaktschicht in lateralen Richtungen zu großen Teilen gleiche Dimensionen auf . Zu großen Teilen gleiche Dimensionen heißt hier, dass eine Breite des Substrat-Stegs und eine Breite der Kontaktschicht zu höchstens + /- 10% , insbesondere zu höchstens +/- 5% , verschieden voneinander sind . Die Breiten erstrecken sich senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode .
Eine Länge des Substrat-Stegs ist beispielsweise größer als eine Länge der Kontaktschicht . Die Längen erstrecken entlang der kantenemittierenden Laserdiode .
Beispielsweise ist es möglich, dass der Substrat-Steg und die Kontaktschicht eine gleiche Breite aufweisen . Zum Beispiel sind zumindest eine Seitenfläche des Substrat-Stegs und zumindest eine Seitenfläche der Kontaktschicht in einer gemeinsamen Ebene , die in vertikaler Richtung verläuft , angeordnet .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils überragt die Lotschicht zumindest eine Seitenfläche des Substrat-Stegs in lateralen Richtungen nicht . Beispielsweise ist die Seitenfläche des Substrat-Stegs im Wesentlichen frei von der Lotschicht . Im Wesentlichen frei heißt , dass herstellungsbedingt kleine Partikel eines Lotmaterials der Lotschicht auf der Seitenfläche angeordnet sein können .
Vorteilhafterweise kann damit eine Zuverlässigkeit des strahlungsemittierenden Laserbauteils weiter erhöht werden . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils ist auf dem Substrat mit dem Substrat-Steg eine metallische Schicht angeordnet . Beispielsweise bedeckt die metallische Schicht den Substrat- Steg vollständig . Insbesondere bedeckt die metallische Schichte eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen des Substrat-Stegs vollständig . Zum Beispiel steht die metallische Schicht mit dem Substrat-Steg, insbesondere mit der Deckfläche den Seitenflächen, in direktem Kontakt . Weiterhin ist die Basisplatte zumindest teilweise mit der Kontaktschicht bedeckt .
Die metallische Schicht weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von mindestens 0 , 1 Mikrometer und höchstens 0 , 5 Mikrometer auf . Die metallische Schicht umfasst beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Metalle oder besteht daraus : Au, Pt , Ti . Beispielsweise umfasst die metallische Schicht mehrere Lagen, wobei j eweils eine Lage mit einem der Metalle gebildet ist .
Durch die metallische Schicht ist das Substrat besonders zuverlässig mit der kantenemittierenden Laserdiode verbunden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des strahlungsemittierenden Laserbauteils weist der Substrat-Steg eine Höhe von mindestens 5 Mikrometer und höchstens 15 Mikrometer auf . Beispielsweise beträgt die Höhe des Substrat- Stegs in vertikaler Richtung in etwa 10 Mikrometer .
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Laserbauteils angegeben . Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes strahlungsemittierendes Laserbauteil hergestellt werden . Das heißt , das hier beschriebene strahlungsemittierende Laserbauteil ist mit dem beschriebenen Verfahren herstellbar oder wird mit dem beschriebenen Verfahren hergestellt . Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Laserbauteil of fenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit dem Verfahren of fenbart und umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird eine kantenemittierende Laserdiode , die eine Kontaktschicht umfasst , bereitgestellt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird ein Substrat , das einen Substrat-Steg aufweist , bereitgestellt . Beispielsweise wird der Substrat-Steg auf eine Basisplatte aufgebracht .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird ein Lotmaterial auf den Substrat-Steg oder die Kontaktschicht aufgebracht . Insbesondere umfasst das Lotmaterial die gleichen Materialien wie die Lotschicht .
Das Lotmaterial weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von mindestens 1 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer, beispielsweise 3 Mikrometer auf . Beispielsweise ist die Höhe des Lotmaterials größer als eine Höhe der Lotschicht .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die kantenemittierende Laserdiode auf das Substrat aufgebracht . Die kantenemittierende Laserdiode , insbesondere die Kontaktschicht , und das Substrat , insbesondere der Substrat- Steg, sind über das Lotmaterial direkt miteinander verbunden . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird das Lotmaterial auf eine erste Temperatur gehei zt . Das Lotmaterial wird beispielsweise derart gehei zt , dass sich das Lotmaterial mit der kantenemittierenden Laserdiode , insbesondere der Kontaktschicht , verbindet . Weiterhin wird das Lotmaterial beispielsweise derart gehei zt , dass sich das Lotmaterial mit dem Substrat , insbesondere dem Substrat-Steg, verbindet . Bei dem Verbinden handelt es sich zum Beispiel um einen Lötprozess .
Beispielsweise weist die erste Temperatur eine Temperatur von mindestens 200 ° C und höchstens 400 ° C auf . Beispielsweise ist die erste Temperatur in etwa 300 ° C . Das Lotmaterial weist insbesondere bei der ersten Temperatur einen flüssigen Aggregats zustand auf .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird eine Lotschicht durch ein Abkühlen des Lotmaterials erzeugt . Die Lotschicht wird beispielsweise zu einer zweiten Temperatur abgekühlt . Die zweite Temperatur beträgt beispielsweise 30 ° C . Durch das Abkühlen verfestigt sich das Lotmaterial . Nach dem Abkühlen weist das Lotmaterial einen festen Aggregats zustand auf .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist die Kontaktschicht mit dem Substrat-Steg mittels der Lotschicht mechanisch stabil verbunden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird das Lotmaterial in lateralen Richtungen asymmetrisch auf dem Substrat-Steg oder der Kontaktschicht aufgebracht .
Ein Querschnitt senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung durch den Substrat-Steg und/oder die Kontaktschicht und durch das Lotmaterial weist beispielsweise keine Spiegelsymmetrie entlang der Haupterstreckungsrichtung auf .
Das Lotmaterial ist beispielsweise in lateralen Richtungen nicht zentriert auf dem Substrat-Steg oder auf der Kontaktschicht angeordnet . Insbesondere weist das Lotmaterial der ersten Seitenfläche des Halbleiterkörpers einen größeren Abstand auf als zu der zweiten Seitenfläche des Halbleiterkörpers oder umgekehrt .
Beispielsweise kann das Substrat und die Kontaktschicht entlang der Haupterstreckungsrichtung durch eine virtuelle Linie in zwei gleich große Teile , in einen ersten Teil und einen zweiten Teil , geteilt werden . I st der Steg des Halbleiterkörpers innerhalb des ersten Teils angeordnet , weist der zweite Teil eine größere Menge des Lotmaterials auf als der erste Teil oder umgekehrt . I st der Steg des Halbleiterkörpers innerhalb des ersten Teils angeordnet , weist der zweite Teil insbesondere eine größere Bedeckungs fläche mit dem Lotmaterial auf als der erste Teil oder umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens überragt die Lotschicht in Abhängigkeit einer Menge des Lotmaterials zumindest eine Seitenfläche des Substrat-Stegs nicht . Insbesondere überragt die Lotschicht in Abhängigkeit der Bedeckungs fläche des Lotmaterials des ersten Teils und des zweiten Teils die Seitenfläche des Substrat-Stegs nicht . Beispielsweise ist die Seitenfläche des Substrat-Stegs im Wesentlichen frei von dem Lotmaterial . Im Wesentlichen frei heißt , dass Herstellungsbedingt kleine Partikel des Lotmaterials der Lotschicht auf der Seitenfläche angeordnet sein können . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird bei dem Hei zen das Substrat zumindest stellenweise mit einem Laserprozess gehei zt . Durch den Laserprozess kann das Substrat nur lokal in einer Region gehei zt werden, wo der Substrat-Steg positioniert ist . Beispielsweise wird die Region mit einem Inf rarotlaser bestrahlt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird bei dem Hei zen die kantenemittierende Laserdiode zumindest stellenweise mit einem Laserprozess gehei zt . Durch den Laserprozess kann die kantenemittierende Laserdiode nur in einer Region gehei zt werden, wo die Kontaktschicht positioniert ist .
Alternativ kann die kantenemittierende Laserdiode und das Substrat mittels eines Hei zstempels von beiden Seiten gehei zt werden .
Nachfolgend werden das strahlungsemittierende Laserbauteil und das Verfahren zur Herstellung des strahlungsemittierenden Laserbauteils unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Aus führungsbeispielen näher erläutert .
Es zeigen :
Figuren 1 und 2 schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Laserbauteils gemäß j eweils einem Aus führungsbeispiel , und
Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrensstadiums bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Laserbauteils gemäß einem Aus führungsbeispiel . Gleiche , gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugs zeichen versehen . Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten . Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein .
Das strahlungsemittierende Laserbauteil gemäß dem Aus führungsbeispiel der Figur 1 umfasst eine kantenemittierende Laserdiode 2 und ein Substrat 3 , auf dem die kantenemittierende Laserdiode 2 angeordnet ist .
Die kantenemittierende Laserdiode 2 weist einen Halbleiterkörper 8 mit einem Steg 12 auf . Der Steg des Halbleiterkörpers 12 ragt als Vorsprung aus einer zurückgesetzten Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 heraus .
Der Steg des Halbleiterkörpers 12 erstreckt sich in lateraler Richtung beispielsweise entlang der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode 2 .
Der Steg des Halbleiterkörpers 12 umfasst eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen, wobei die Deckfläche und die Seitenflächen sowie die zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 ein Stufenprofil bilden .
Auf dem Halbleiterkörper 8 und dem Steg des Halbleiterkörpers 12 ist eine Kontaktschicht 6 angeordnet . Die Kontaktschicht 6 bedeckt in diesem Aus führungsbeispiel die Deckfläche und die Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers 12 sowie die zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 . Die zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 ist beispielsweise nur seitlich des Stegs des Halbleiterkörpers 12 mit der Kontaktschicht 6 bedeckt . Ein Randbereich der zurückgesetzten Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 , der im Bereich von Seitenflächen des Halbleiterkörpers 8 angeordnet ist , ist frei von der Kontaktschicht 6 .
Der Steg des Halbleiterkörpers 12 ist in lateralen Richtungen asymmetrisch in der Kontaktschicht 6 angeordnet . Der Steg des Halbleiterkörpers 12 weist zu einer ersten Seitenfläche des Halbleiterkörpers 8 einen größeren Abstand auf als zu einer der ersten Seitenfläche gegenüberliegenden zweiten Seitenfläche des Halbleiterkörpers 8 .
Die Kontaktschicht 6 kann entlang der Haupterstreckungsrichtung durch eine virtuelle Linie 16 in zwei gleich große Teile geteilt werden, nämlich in einen ersten Teil 17 , der an die erste Seitenfläche des Halbleiterkörpers 8 angrenzt , und einen zweiten Teil 18 , der an die zweite Seitenfläche des Halbleiterkörpers 8 angrenzt . Der Steg des Halbleiterkörpers 12 ist innerhalb des zweiten Teils angeordnet .
Das Substrat 3 umfasst eine Basisplatte 4 und einen Substrat- Steg 5 . Der Substrat-Steg 5 ist auf der Basisplatte 4 angeordnet und ist dem Steg des Halbleiterkörpers 12 zugewandt . Der Substrat-Steg 5 erstreckt sich wie der Steg des Halbleiterkörpers 12 entlang der Haupterstreckungsrichtung der kantenemittierenden Laserdiode 2 .
Der Substrat-Steg 5 umfasst eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen . Die Deckfläche ist über die Seitenflächen mit einer zurückgesetzten Außenfläche des Substrat-Stegs 5 verbunden . Die zurückgesetzte Außenfläche des Substrat-Stegs 5 bedeckt die Basisplatte 4 nur teilweise . Randbereiche der Basisplatte 4 sind frei von der zurückgesetzten Außenfläche des Substrat-Stegs 5 .
Die Kontaktschicht 6 und der Substrat-Steg 5 weisen in lateralen Richtungen gleiche Dimensionen auf . Das heißt , eine Breite der Kontaktschicht 6 ist gleich einer Breite des Substrat-Stegs 5 .
Weiterhin ist zwischen der Kontaktschicht 6 und dem Substrat- Steg 5 eine Lotschicht 7 angeordnet . Mittels der Lotschicht 7 ist die Kontaktschicht 6 mit dem Substrat-Steg 5 mechanisch stabil verbunden . Das heißt , die kantenemittierende Laserdiode 2 und das Substrat 3 sind mittels der Lotschicht 7 mechanisch stabil miteinander verbunden . Die kantenemittierende Laserdiode 2 kann über diese Verbindung elektrisch bestromt werden und entstehende Wärme kann durch die Verbindung von der kantenemittierenden Laserdiode 2 abtransportiert werden .
Der Substrat-Steg 5 kann entlang der Haupterstreckungsrichtung analog zur Kontaktschicht 6 durch eine virtuelle Linie 16 in zwei gleich große Teile geteilt werden, nämlich in einen ersten Teil 17 , der an eine erste Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 angrenzt , und einen zweiten Teil 18 , der an die zweite Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 angrenzt .
Die Lotschicht 7 überragt die Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 im ersten Teil 17 in lateralen Richtungen . Die Lotschicht 7 bedeckt im ersten Teil 17 die Seitenfläche und die daran angrenzende Außenfläche des Substrat-Stegs 5 . Im Unterschied dazu überragt die Lotschicht 7 die Seitenfläche des Substrat- Stegs 5 im zweiten Teil 18 in lateralen Richtungen nicht . Im zweiten Teil 18 sind die Seitenfläche und die daran angrenzende Außenfläche des Substrat-Stegs 5 frei von der Lotschicht 7 .
Der Substrat-Steg 5 weist beispielsweise eine Höhe in vertikaler Richtung von beispielsweise in etwa 10 Mikrometer auf . Damit vermittelt der Substrat-Steg 5 einen Abstand A zwischen der zurückgesetzten Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 und der zurückgesetzten Außenfläche des Halbleiterkörpers 8 . Der Abstand A beträgt beispielsweise in etwa 13 Mikrometer .
Beispielsweise befinden sich Gallium Reste 14 auf den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 8 , die durch ein Vereinzelungsprozess der kantenemittierenden Laserdiode 2 stammen . Durch den Abstand A, der durch den Substrat-Steg 5 vermittelt wird, können diese Reste 14 nicht zu Kurz- und Nebenschlüssen führen . Insbesondere können die Reste 14 keinen direkten Kontakt zwischen dem Substrat 3 und dem Halbleiterkörper 8 herstellen . Weiterhin kann ein direkter Kontakt der Reste 14 und der Lotschicht 7 verhindert werden, wenn die Lotschicht 7 die Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 nicht überragt .
Die kantenemittierende Laserdiode 2 des strahlungsemittierenden Laserbauteils 1 gemäß dem Aus führungsbeispiel der Figur 2 umfasst keinen Steg des Halbleiterkörpers 12 . Der Halbleiterkörper 8 umfasst eine erste Halbleiterschichtenfolge 9 eines ersten Leit f ähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschichtenfolge 10 eines vom ersten Leit f ähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leit f ähigkeitstyps . Der erste Leit f ähigkeitstyp ist ein p- leitender Typ und der zweite Leit f ähigkeitstyp ist ein n- leitender Typ .
Zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge 9 und der zweiten Halbleiterschichtenfolge 10 ist ein aktiver Bereich 11 angeordnet , der dazu ausgebildet ist elektromagnetische Strahlung zu erzeugen .
Die erste Halbleiterschichtenfolge 9 des p-leitenden Typs ist dem Substrat-Steg 5 zugewandt .
Bei dem Verfahrensstadium gemäß dem Aus führungsbeispiel der Figur 3 wird nach dem Bereitstellen eines Substrats 3 , das einen Substrat-Steg 5 aufweist , ein Lotmaterial 15 auf den Substrat-Steg 5 aufgebracht .
In diesem Aus führungsbeispiel sind der Substrat-Steg 5 und eine seitlich daran angrenzende Außenfläche von einer metallischen Schicht 13 bedeckt . Die metallische Schicht 13 umfasst beispielsweise drei Lagen . Die erste Lage umfasst beispielsweise Ti mit einer Höhe von höchstens 100 Nanometern, die zweite Lage umfasst beispielsweise Pt mit einer Höhe von mindestens 50 Nanometern und höchstens 100 Nanometern und die dritte Lage umfasst beispielsweise Au mit einer Höhe von mindestens 20 Nanometern und höchstens 30 Nanometern . Die dritte Lage ist dem Substrat-Steg 5 abgewandt .
Die dritte Schicht , beispielsweise umfassend Au, ist vorteilhafterweise besonders gut benetzbar . Die erste Schicht und die zweite Schicht bilden zum Beispiel eine Barriereschicht zu dem Substrat-Steg 5 . In diesem Aus führungsbeispiel wird das Lotmaterial 15 auf der metallischen Schicht 13 angeordnet . Das heißt , das Lotmaterial 15 steht mit der metallischen Schicht 13 in direktem Kontakt .
Der Substrat-Steg 5 kann entlang der Haupterstreckungsrichtung analog zur Kontaktschicht 6 durch eine virtuelle Linie 16 in zwei gleich große Teile geteilt werden, nämlich in einen ersten Teil 17 und einen zweiten Teil 18 . In diesem Aus führungsbeispiel weist der erste Teil eine größere Menge des Lotmaterials 15 auf als der zweite Teil . Das heißt , dass der erste Teil eine größere Bedeckungs fläche mit dem Lotmaterial 15 aufweist als der zweite Teil .
Zum Aufbringen einer kantenemittierenden Laserdiode 2 wird das Lotmaterial 15 gehei zt , sodass das Lotmaterial 15 in einer fließ fähigen Form vorliegt . Durch das asymmetrische Aufbringen des Lotmaterials 15 ist es möglich, dass das Lotmaterial 15 beim Aufbringen der kantenemittierenden Laserdiode 2 auf das Lotmaterial 15 in lateralen Richtungen nicht über eine Seitenfläche im zweiten Teil 18 herausgepresst wird . Im Unterschied dazu wird das Lotmaterial 15 durch das Aufbringen im ersten Teil 17 in lateralen Richtungen über die Seitenfläche des Substrat-Stegs 5 herausgepresst .
Eine Breite der Basisplatte Bl ist beispielsweise in etwa 0 , 5 Millimeter groß und eine Breite des Lotmaterials B2 beträgt beispielsweise in etwa 0 , 04 Millimeter . Eine Höhe der Basisplatte Hl ist beispielsweise in etwa 0 , 2 Millimeter groß und eine Höhe des Substrat-Stegs H2 beträgt beispielsweise in etwa 0 , 01 Millimeter . Nachfolgend wird eine kantenemittierende Laserdiode 2 bereitgestellt , die eine Kontaktschicht 6 umfasst . Die kantenemittierende Laserdiode 2 wird auf das Substrat 3 mit dem Lotmaterial 15 aufgebracht . Die Anordnung wird nachfolgend auf eine erste Temperatur gehei zt . Nach einem Abkühlvorgang des Lotmaterials 15 wird die Lotschicht 7 aus dem Lotmaterial 15 erzeugt , die die Kontaktschicht 6 mit dem Substrat-Steg 5 mechanisch stabil verbindet .
Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Aus führungsbeispiele können gemäß weiteren Aus führungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen expli zit beschrieben sind . Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Aus führungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Aus führungsbeispiele auf diese beschränkt . Vielmehr umfasst die Erfindung j edes neue Merkmal sowie j ede Kombination von Merkmalen, was insbesondere j ede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet , auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht expli zit in den Patentansprüchen oder Aus führungsbeispielen angegeben ist .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2020 132 133 . 3 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird Bezugs zeichenliste
1 strahlungsemittierendes Laserbauteil
2 kantenemittierende Laserdiode
3 Substrat
4 Basisplatte
5 Substrat-Steg
6 Kontaktschicht
7 Lotschicht
8 Halbleiterkörper
9 erste Halbleiterschicht
10 zweite Halbleiterschicht
11 aktiver Bereich
12 Steg des Halbleiterkörpers
13 metallische Schicht
14 Rest
15 Lotmaterial
16 virtuelle Linie
17 erster Teil
18 zweiter Teil
A Abstand
Bl Breite Basisplatte
B2 Breite Lotmaterial
Hl Höhe Basisplatte
H2 Höhe Substrat-Steg

Claims

25 Patentansprüche
1. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) mit:
- einer kantenemittierenden Laserdiode (2) , die zur Erzeugung von elektromagnetischer Laserstrahlung ausgebildet ist, und
- einem Substrat (3) , auf dem die kantenemittierende
Laserdiode (2) angeordnet ist, wobei
- die kantenemittierende Laserdiode (2) eine Kontaktschicht
(6) umfasst,
- das Substrat (3) einen Substrat-Steg aufweist,
- die Kontaktschicht (6) mit dem Substrat-Steg (5) mittels einer Lotschicht (7) mechanisch stabil verbunden ist,
- die kantenemittierende Laserdiode (2) einen
Halbleiterkörper (8) mit einem Steg aufweist,
- der Steg des Halbleiterkörpers (12) und der Substrat-Steg
(5) einander zugewandt sind, und
- eine Breite des Substrat-Stegs (5) kleiner als eine Breite des Halbleiterkörpers (8) ist.
2. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- der Steg des Halbleiterkörpers (12) eine Deckfläche und daran angrenzende Seitenflächen aufweist, und
- die Kontaktschicht (6) die Deckfläche und die Seitenflächen des Stegs des Halbleiterkörpers (12) und eine zurückgesetzte Außenfläche des Halbleiterkörpers (8) bedeckt.
3. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem der Steg des Halbleiterkörpers
(12) in lateralen Richtungen asymmetrisch in der Kontaktschicht (6) angeordnet ist.
4. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem
- der Halbleiterkörper (8) eine erste Halbleiterschicht (9) eines ersten Leit f ähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht (10) eines vom ersten Leit f ähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leit f ähigkeitstyps umfasst, und
- die erste Halbleiterschicht (9) dem Substrat (3) zugewandt ist .
5. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der erste Leit f ähigkeitstyp ein p-typ Leit f ähigkeitstyp ist.
6. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Substrat-Steg (5) und die Kontaktschicht (6) in Draufsicht in lateralen Richtungen miteinander überlappen.
7. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Lotschicht (7) zumindest eine Seitenfläche des Substrat-Stegs (5) in lateralen Richtungen nicht überragt.
8. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf dem Substrat (3) mit dem Substrat-Steg (5) eine metallische Schicht (13) angeordnet ist.
9. Strahlungsemittierendes Laserbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Substrat-Steg (5) eine Höhe von mindestens 5 Mikrometer und höchstens 15 Mikrometer aufweist .
10. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Laserbauteils (1) , mit den Schritten:
- Bereitstellen einer kantenemittierenden Laserdiode (2) , die eine Kontaktschicht (6) umfasst,
- Bereitstellen eines Substrats (3) , das einen Substrat-Steg (5) aufweist,
- Aufbringen eines Lotmaterials (15) auf den Substrat-Steg
(5) oder die Kontaktschicht (6) , und
- Aufbringen der kantenemittierenden Laserdiode (2) auf das Substrat ( 3 ) ,
- Heizen des Lotmaterials (15) auf eine erste Temperatur,
- Erzeugen einer Lotschicht (7) durch ein Abkühlen des Lotmaterials (15) , wobei
- die Kontaktschicht (6) mit dem Substrat-Steg (5) mittels der Lotschicht (7) mechanisch stabil verbunden ist,
- die kantenemittierende Laserdiode (2) einen Halbleiterkörper (8) mit einem Steg aufweist,
- der Steg des Halbleiterkörpers (12) und der Substrat-Steg (5) zueinander zugewandt sind, und
- eine Breite des Substrat-Stegs (5) kleiner als eine Breite des Halbleiterkörpers (8) ist.
11. Verfahren nach dem Anspruch 10, wobei das Lotmaterial (15) in lateralen Richtungen asymmetrisch auf dem Substrat- Steg (5) oder der Kontaktschicht (6) aufgebracht wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei die Lotschicht (7) in Abhängigkeit einer Menge des Lotmaterials (15) zumindest eine Seitenfläche des Substrat-Stegs (5) nicht überragt . - 28 -
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei bei dem Heizen das Substrat (3) zumindest stellenweise mit einem Laserprozess geheizt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei bei dem Heizen die kantenemittierende Laserdiode (2) zumindest stellenweise mit einem Laserprozess geheizt wird.
PCT/EP2021/083351 2020-12-03 2021-11-29 Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils WO2022117501A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/255,124 US20240006841A1 (en) 2020-12-03 2021-11-29 Radiation-emitting laser component and method for producing a radiation-emitting laser component
CN202180081618.3A CN116547875A (zh) 2020-12-03 2021-11-29 发射辐射的激光构件和制造发射辐射的激光构件的方法
DE112021004885.6T DE112021004885A5 (de) 2020-12-03 2021-11-29 Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020132133.3 2020-12-03
DE102020132133.3A DE102020132133A1 (de) 2020-12-03 2020-12-03 Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022117501A1 true WO2022117501A1 (de) 2022-06-09

Family

ID=78827879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2021/083351 WO2022117501A1 (de) 2020-12-03 2021-11-29 Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240006841A1 (de)
CN (1) CN116547875A (de)
DE (2) DE102020132133A1 (de)
WO (1) WO2022117501A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020146855A1 (en) * 2001-02-02 2002-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor laser device and method of forming the same
US20100296537A1 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 Teruhisa Kotani Optical component and method of manufacturing thereof
WO2020174949A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
US20200287355A1 (en) * 2016-06-16 2020-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing a laser diode bar and laser diode bar

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19536434C2 (de) 1995-09-29 2001-11-15 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaser-Bauelements
KR100958054B1 (ko) 2003-03-08 2010-05-13 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드의 서브 마운트, 그 제조방법 및이를 채용한 반도체 레이저 다이오드 조립체
JP2005064430A (ja) 2003-08-20 2005-03-10 Toshiba Corp 多波長半導体レーザ
JP5282605B2 (ja) 2009-02-25 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置、及びその製造方法
JP2012049440A (ja) 2010-08-30 2012-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置の製造方法、半導体レーザ装置および光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020146855A1 (en) * 2001-02-02 2002-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor laser device and method of forming the same
US20100296537A1 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 Teruhisa Kotani Optical component and method of manufacturing thereof
US20200287355A1 (en) * 2016-06-16 2020-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing a laser diode bar and laser diode bar
WO2020174949A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子

Also Published As

Publication number Publication date
DE112021004885A5 (de) 2023-07-20
CN116547875A (zh) 2023-08-04
US20240006841A1 (en) 2024-01-04
DE102020132133A1 (de) 2022-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2260516B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines solchen
DE102009023849B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102007022947A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE19517697A1 (de) Strahlungsemittierende Diode
EP1709694B1 (de) Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur
DE112016004575B4 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE102010026518A1 (de) Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
DE102005025416A1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
DE102007032555A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
WO2018122103A1 (de) Halbleiterlaserdiode
EP2980864A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung einer kontaktstruktur für einen derartigen chip
DE102018123932A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit dielektrischer Spiegelschicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements
WO2009121314A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauelements
EP0584599B1 (de) Leuchtdiode
EP2580792B1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterkörper, verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterkörpers und strahlungsemittierendes halbleiterbauelement
DE102016110790B4 (de) Halbleiterlaserdiode
WO2022117501A1 (de) Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils
DE10214210A1 (de) Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1794816B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
DE102016124860A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
WO2021037568A1 (de) Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement
DE112023002581T5 (de) Kantenemittierende halbleiterlaserdiode; verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und halbleiterlaserbauelement
WO2018077954A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers und halbleiterlaser
DE102005003460A1 (de) Dünnfilm-LED mit einer Stromaufweitungsstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21823243

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18255124

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180081618.3

Country of ref document: CN

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112021004885

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21823243

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1