WO2022014644A1

WO2022014644A1 - 磁気記録媒体およびカートリッジ

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Publication number: WO2022014644A1
Application number: PCT/JP2021/026485
Authority: WO
Inventors: 洋川井
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2020-07-14
Filing date: 2021-07-14
Publication date: 2022-01-20
Also published as: US20230317109A1; JPWO2022014644A1

Abstract

繰り返し記録または再生を行った後にも、走行安定性の低下を抑制することができる磁気記録媒体を提供する。　磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体と、基体の一方の面上に設けられ、磁性粉および結着剤を含む下地層と、下地層上に設けられ、非磁性粉および結着剤を含む磁性層とを備える。磁気記録媒体の平均厚みが、５．３μｍ以下である。ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を下地層、磁性層それぞれで求め、相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を下地層、磁性層それぞれで算出し、算出の結果を下地層、磁性層それぞれのＭＳＥ抵抗値とした場合、下地層のＭＳＥ抵抗値に対する磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４５以上０．８０以下の範囲内である。

Description

磁気記録媒体およびカートリッジ

　本開示は、磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジに関する。

　磁性粉および結着剤を含む下地層と、非磁性粉および結着剤を含む磁性層とを備える磁気記録媒体は、電子データの保存のために広く利用されている。上記磁気記録媒体では、走行耐久性を向上するために、磁性層の表面の硬さを調整する技術が検討されている。

　例えば、特許文献１には、磁性層の極表面の塑性変形量および押し込み硬さを制御することにより、走行性および電磁変換特性に優れた磁気記録媒体が得られることが開示されている。

　特許文献２には、磁性層の極表層部の塑性変形硬さと、厚み方向のヤング率とを特定範囲とすることによって、ＭＲ（Magneto-Resistive 磁気抵抗）ヘッド記録再生システムにおいても耐久性に優れる磁気記録媒体が得られることが開示されている。

特開２００２－２３７０２４号公報特開２００１－０８４５４７号公報

　しかしながら、磁性層の表面の硬さを調整する従来の技術では、繰り返し記録または再生を行った後に、走行安定性が低下することがある。

　本開示の目的は、繰り返し記録または再生を行った後にも、走行安定性の低下を抑制することができる磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジを提供することにある。

　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　テープ状の磁気記録媒体であって、
　基体と、
　基体の一方の面上に設けられ、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む下地層と、
　下地層上に設けられ、非磁性粉および結着剤を含む磁性層と
　を備え、
　磁気記録媒体の平均厚みが、５．３μｍ以下であり、
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を下地層、磁性層それぞれで求め、相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を下地層、磁性層それぞれで算出し、算出の結果を下地層、磁性層それぞれのＭＳＥ抵抗値とした場合、
　下地層のＭＳＥ抵抗値に対する磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４５以上０．８０以下の範囲内である磁気記録媒体である。

　第２の開示は、第１の開示の磁気記録媒体を備えるカートリッジである。

図１は、本開示の一実施形態に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。図２は、カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。図３は、磁気テープの構成の一例を示す断面図である。図４は、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの一例を示す概略図である。図５は、データバンドの構成の一例を示す拡大図である。図６は、サーボバンドの構成の一例を示す拡大図である。図７Ａ、図７Ｂはそれぞれ、磁性層のＴＥＭ写真の例を示す図である。図８は、Ｎ回分のエロージョン痕のプロファイルの一例を示すグラフである。図９は、投射粒子量とエロージョン深さの相関関係の一例を示すグラフである。図１０Ａ、図１０Ｂはそれぞれ、磁性面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数の測定方法を説明するための概略図である。図１１は、本開示の一実施形態の変形例に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。

　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
　１　カートリッジの構成
　２　カートリッジメモリの構成
　３　磁気テープの構成
　４　磁気テープの製造方法
　５　作用効果
　６　変形例

［１　カートリッジの構成］
　図１は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、１リールタイプのカートリッジであり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、テープ状の磁気記録媒体（以下「磁気テープ」という。）ＭＴが巻かれた1つのリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。磁気テープＭＴを巻くためのリール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの外周側の一端部には、リーダーテープＬＴが接続されている。リーダーテープＬＴの先端には、リーダーピン２０が設けられている。

　カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよい。

　カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置のリーダライタと対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置、具体的にはリーダライタと通信を行う。

［２　カートリッジメモリの構成］
　図２は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタと通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

　メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

　メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３６Ａは、例えば、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）のカートリッジメモリの記憶領域に対応し、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）に準拠した情報を記憶するための領域である。規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）に準拠した情報は、例えば、カートリッジ１０の製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）およびカートリッジ１０の使用履歴（例えば磁気テープＭＴの引出回数（Thread Count）等）等のうちの少なくとも１種を含む。

　第２の記憶領域３６Ｂは、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報は、例えば、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）で規定されていない、カートリッジ１０に関連する情報を意味する。付加情報は、例えば、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報およびサムネイル情報等のうちの少なくとも１種を含む。

　テンション調整情報は、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープＭＴの幅に関連する幅関連情報の一例である。

　管理台帳データは、磁気テープＭＴに記録されているデータファイルの容量、作成日、編集日および保管場所等のうちの少なくとも１種を含むデータである。Index情報は、データファイルの内容を検索するためのメタデータなどである。サムネイル情報は、磁気テープＭＴに記憶された動画または静止画のサムネイルである。以下の説明において、第１の記憶領域３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

　メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

　アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

　コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信した情報をメモリ３６に記憶する。例えば、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信したテンション調整情報をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。例えば、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂからテンション調整情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。

［３　磁気テープの構成］
　図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基体４１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。

　磁気テープＭＴはＬＴＯ規格に準拠するものであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠するものであってもよい。磁気テープＭＴの幅は、１／２インチであってもよいし、１／２インチよりも広くてもよい。磁気テープＭＴがＬＴＯ規格に準拠するものである場合には、磁気テープＭＴの幅は、１／２インチである。磁気テープＭＴは、走行時に磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを記録再生装置（ドライブ）により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な構成を有していてもよい。

　磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。磁気テープＭＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

　磁気テープＭＴは、ＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドにより再生されることが好ましい。ＴＭＲを用いた再生ヘッドにより再生される信号は、データバンドＤＢ（図４参照）に記録されたデータであってもよいし、サーボバンドＳＢ（図４参照）に記録されたサーボパターン（サーボ信号）であってもよい。

（基体）
　基体４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基体４１は、長尺のフィルム状を有する。基体４１の平均厚みの上限値は、例えば４．４μｍ以下、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下、さらにより好ましくは３．８μｍ以下、特に好ましくは３．６μｍ以下、最も好ましくは３．４μｍ以下である。基体４１の平均厚みの上限値が４．４μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体４１の強度低下を抑制することができる。

　基体４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。本明細書において、“磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向”という場合の“長手方向”とは、リーダーテープＬＴ側の一端からそれとは反対側の他端に向かう方向を意味する。

　続いて、サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体４１）の厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体４１の平均厚みを算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基体４１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体４１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

　基体４１は、上記の高分子樹脂のうち、ポリエステル類を含むことが好ましい。基体４１がポリエステル類を含むことで、基体４１の長手方向のヤング率を特に低減させやすい。したがって、走行時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つ制御を特に行いやすい。

　ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステル類を含む場合、それらの２種以上のポリエステル類は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類の末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

　ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

　その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

　基体４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基体４１に含まれる高分子樹脂は、基体４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
　磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、凹凸形状を有する表面を有していてもよい。

　磁性層４３は、図４に示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していてもよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢは、データの記録または再生時に磁気ヘッド５６（具体的にはサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ）をガイドするためのものである。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボパターン（サーボ信号）が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

　磁性層４３の表面（以下「磁性面」と適宜称する。）の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓ（＝（Ｓ_ＳＢ／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層４３の表面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの下限値は、５以上のサーボバンドＳＢを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

　磁性層４３の表面全体の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの比率Ｒ_Ｓは、以下のようにして求められる。磁気テープＭＴを、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気テープＭＴを光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Ｓを求める。
　割合Ｒ_Ｓ［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_ＳＢ）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００

　サーボバンドＳＢの本数は、例えば、５＋４ｎ（但し、ｎは０以上の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの本数は、好ましくは５以上、より好ましくは９以上である。サーボバンドＳＢの本数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの本数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

　サーボバンドＳＢの本数は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

　サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_ＳＢのサーボ信号を読み取り可能な磁気ヘッドは製造が困難である。

　サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの幅は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

　磁性層４３は、図５に示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１５００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

　磁性層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは４０ｎｍ以下、より好ましくは３６ｎｍ以下、さらにより好ましくは３２ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

　磁性層４３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦３５、より好ましくはＷ／Ｌ≦３０、さらにより好もしくはＷ／Ｌ≦２５となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、電磁変換特性が著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、電磁変換特性の悪化を抑制するためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦３５の範囲にあることが好ましい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。

　データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴが巻き取られたカートリッジ１０を準備し、このカートリッジ１０から磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。続いて、そのサンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。１つのサンプル中にて場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、上記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

　磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴが巻き取られたカートリッジ１０を準備し、このカートリッジ１０から磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。続いて、そのサンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。１つのサンプル中にて場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

　サーボパターンは、磁化領域であって、磁気テープ製造時にサーボライトヘッドにより磁性層４３の特定の領域を特定方向に磁化することによって形成される。サーボバンドＳＢのうち、サーボパターンが形成されていない領域（以下「非パターン領域」という。）は、磁性層４３が磁化された磁化領域であってもよいし、磁性層４３が磁化されていない非磁化領域であってもよい。非パターン領域が磁化領域である場合、サーボパターン形成領域と非パターン領域とは、異なる方向（例えば逆方向）に磁化されている。

　ＬＴＯ規格では、サーボバンドＳＢには、図６に示すように、磁気テープＭＴの幅方向に対して傾斜した複数のサーボストライプ（線状の磁化領域）１１３からなるサーボパターンが形成されている。

　サーボバンドＳＢは、複数のサーボフレーム１１０を含んでいる。各サーボフレーム１１０は、１８本のサーボストライプ１１３から構成されている。具体的には、各サーボフレーム１１０は、サーボサブフレーム１（１１１）およびサーボサブフレーム２（１１２）から構成される。

　サーボサブフレーム１（１１１）は、Ａバースト１１１ＡおよびＢバースト１１１Ｂから構成される。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａに隣接して配置されている。Ａバースト１１１Ａは、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴ（End Of Tape）からＢＯＴ（Beginning Of Tape）に向って符号Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａと同様に、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｂ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、Ｂ_４、Ｂ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

　サーボサブフレーム２（１１２）は、Ｃバースト１１２ＣおよびＤバースト１１２Ｄから構成される。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃに隣接して配置されている。Ｃバースト１１２Ｃは、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、Ｃ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃと同様に、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｄ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

　Ａバースト１１１Ａ、Ｂバースト１１１Ｂ、Ｃバースト１１２Ｃ、Ｄバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度φは、例えば、５°以上２５°以下、１１°以上２５°以下、１４°以上２５°以下または１６°以上２５°以下である。

　サーボバンドＳＢを磁気ヘッドで読み取りことにより、テープ速度および磁気ヘッドの縦方向の位置を取得するための情報が得られる。テープ速度は、４つのタイミング信号（Ａ１－Ｃ１、Ａ２－Ｃ２、Ａ３－Ｃ３、Ａ４－Ｃ４）間の時間から計算される。ヘッド位置は、前述の４つのタイミング信号間の時間および別の４つのタイミング信号（Ａ１－Ｂ１、Ａ２－Ｂ２、Ａ３－Ｂ３、Ａ４－Ｂ４）間の時間から計算される。

　図６に示すように、サーボパターン（すなわち複数のサーボストライプ１１３）は、磁気テープＭＴの長手方向に向って直線的に配列されていることが好ましい。すなわち、サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向に直線状を有していることが好ましい。

　磁性層４３の平均厚みｔ_１の上限値は、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_１の上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_１の下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_１の下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_１は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの位置、３０ｍから４０ｍの位置、５０ｍから６０ｍの位置のそれぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

　次に、得られたＴＥＭ像を用い、各薄片化サンプルの１０点の位置で磁性層４３の厚みを測定する。なお、各薄片化サンプルの１０点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれる。得られた各薄片化サンプルの測定値（合計で３０点の磁性層４３の厚み）を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_１［ｎｍ］とする。

（磁性粉）
　磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。本明細書において、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とは、平面状態にある磁気テープＭＴの厚み方向を意味する。

（六方晶フェライト粒子）
　六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状または六角柱状等の柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。また、六角柱状とは、ほぼ六角柱状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１３ｎｍ以上２２ｎｍ以下、より好ましくは１３ｎｍ以上１９ｎｍ以下、さらにより好ましくは１３ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１４ｎｍ以上１７ｎｍ以下、最も好ましくは１４ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１３ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．５以上２．８以下、さらにより好ましくは１．８以上２．７以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出す。続いて、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＴＥＭ写真は、下記で示す板径ＤＢおよび板厚ＤＡ（図７Ａ、図７Ｂ参照）を測定できる粒子を５０個抽出できる枚数準備する。

　本明細書では、六方晶フェライトの粒子のサイズ（以下、「粒子サイズ」という。）は、上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の形状が、図７Ａ、図７Ｂに示すように、板状または柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）である場合には、その板面または底面の長径を板径ＤＢの値とする。上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡの値とする。ＴＥＭ写真において観察される粒子の板面または底面が六角形状である場合には、長径は、最長の対角距離を意味する。一粒子内にて粒子の厚さまたは高さが一定でない場合には、最大の粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡとする。

　次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており、且つ、粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。具体的には、下記の基準に基づき選び出す。粒子の一部がＴＥＭ写真の視野の外にはみだしている粒子は測定せず、輪郭がはっきりしており、孤立して存在している粒子を測定する。粒子同士に重なりがある場合は、両者の境界が明瞭で、粒子全体の形状も判断可能な粒子は、それぞれの粒子を単独粒子として測定するが、境界がはっきりせず、粒子の全形も判らない粒子は、粒子の形状が判断できないものとして測定しない。

　例えば、図７Ａ、図７ＢにＴＥＭ写真の一例を示す。図７Ａ、図７Ｂにおいて、例えば矢印ａおよびｄで示される粒子が、その厚み（板厚、すなわち、その粒子の厚さまたは高さ）ＤＡを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図７Ａ、図７Ｂにおいて、例えば矢印ｂおよびｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。そして、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、さらに好ましくは５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が２５００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１３ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

（ε酸化鉄粒子）
　ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

　コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

　第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

　第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

　第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

　ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープＭＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの特性劣化を抑制することができる。

　ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

　ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

　具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

　磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

　ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
　Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（コバルトフェライト粒子）
　コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
　Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは８ｎｍ以上１３ｎｍ以下、最も好ましくは８ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

　磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上６０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

（結着剤）
　結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

　熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

　上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^－１モル／ｇ以上１０^－８モル／ｇ以下であるのが好ましく、１０^－２モル／ｇ以上１０^－６モル／ｇ以下であるのがより好ましい。

（潤滑剤）
　潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープＭＴの走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープＭＴの磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープＭＴの走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

　脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープＭＴを繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ　・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ　・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃　・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂　・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（帯電防止剤）
　帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
　研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００以上３０００以下の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
　防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
　非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
　下地層４２は、基体４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

　下地層４２の平均厚みｔ_２は、例えば０．３μｍ以上１．４μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以上１．２μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上１．０μｍ以下、さらにより好ましくは０．３μｍ以上０．５μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みｔ_２は、磁性層４３の平均厚みｔ_１と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みｔ_２が１．２μｍ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。

　下地層４２は、複数の孔部を有していることが好ましい。これらの複数の孔部に潤滑剤が蓄えられることで、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわち磁気ヘッドを磁気テープＭＴの表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、磁性層４３の表面と磁気ヘッドの間に対する潤滑剤の供給量の低下をさらに抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。すなわち、さらに優れた走行安定性を得ることができる。

（非磁性粉）
　非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤、潤滑剤）
　結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

（添加剤）
　帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
　バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。硬化剤および帯電防止剤は、上述の磁性層４３と同様である。

　非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープＭＴの平均厚みが５．３μｍ以下である場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープＭＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

　バック層４４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。次に、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
　ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気テープの平均厚み）
　磁気テープＭＴの平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔの上限値が、好ましくは５．３μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．８μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、最も好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔが５．３μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

　磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ２）
　磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは３０００Ｏｅ以下、より好ましくは２０００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１９００Ｏｅ以下、特に好ましくは１８００Ｏｅ以下である。磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

　磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

　上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の長手方向（磁気テープＭＴの長手方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
　磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁気テープＭＴの垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基体４１のみが残される。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
　角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

　磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁気テープＭＴの長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（比Ｈｃ２／Ｈｃ１）
　磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１と、磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、最も好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

　比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層４３の平均厚みｔ_１が９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層４３の平均厚みｔ_１が９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層４３の下部領域（下地層４２側の領域）が磁気テープＭＴの長手方向に磁化されてしまい、磁性層４３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、さらに優れた電磁変換特性を得られなくなる虞がある。

　Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。

　磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の算出方法は、上述した通りである。磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２と同様にして求められる。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
　活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、さらに優れた電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

　上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
　Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^－２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

　上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気テープＭＴから切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）
　非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気テープＭＴ全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
　まず、上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層４３の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層４３の体積は測定サンプルの面積に磁性層４３の平均厚みｔ_１を乗ずることにより求められる。磁性層４３の体積の算出に必要な磁性層４３の平均厚みｔ_１の算出方法は、上述した通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
　まず、磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
　Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（バック面の表面粗度Ｒ_ｂ）
　バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_ｂが、Ｒ_ｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_ｂが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　バック面の表面粗度Ｒ_ｂは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ２０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ　２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_ｂを求める。
　装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
　対物レンズ：２０倍
　測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
　測定モード：ｐｈａｓｅ
　波長フィルター：５２０ｎｍ
　ＣＣＤ：１／３インチ
　ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
　面補正：２次多項式近似面にて補正
　測定ソフトウエア：VS-Measure　Version5.5.2
　解析ソフトウエア：VS-viewer　Version5.5.5

　上述のようにして、磁気テープＭＴの長手方向で少なくとも５点の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳ_ａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ｂ（ｎｍ）とする。

（磁気テープの長手方向のヤング率）
　磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、例えば９．０ＧＰａ以下、好ましくは８．０ＧＰａ以下、より好ましくは７．９ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率が８．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは３．０ＧＰａ以上、より好ましくは４．０ＧＰａ以上である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率の下限値が３．０ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮しやすい。

　なお、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、上記のように小さく８．０ＧＰａ以下であることが有利である。

　ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出し測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
　Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
　ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
　Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
　Δｘ：伸び量（ｍｍ）
　Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
　上記測定サンプルの断面積Ｓは、引張動作前の断面積であり、測定サンプルの幅（１／２インチ）と測定サンプルの厚さとの積で求められる。測定を行う際の引張応力の範囲は、磁気テープＭＴの厚み等に応じて線形領域の引張応力の範囲を設定する。ここでは、応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記のヤング率の測定は、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。

（基体の長手方向のヤング率）
　基体４１の長手方向のヤング率は、例えば７．８ＧＰａ以下、好ましくは７．５ＧＰａ以下、より好ましくは７．４ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．０ＧＰａ以下、特に好ましくは６．６ＧＰａ以下である。基体４１の長手方向のヤング率が７．５ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。

　上記の基体４１の長手方向のヤング率は、次のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出す。続いて、切り出した磁気テープＭＴから下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基体４１を得る。この基体４１を用いて、上記の磁気テープＭＴの長手方向のヤング率と同様の手順で基体４１の長手方向のヤング率を求める。基体４１の長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは２．５ＧＰａ以上、より好ましくは３．０ＧＰａ以上である。基体４１の長手方向のヤング率の下限値が２．５ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　基体４１の厚さは、磁気テープＭＴの全体の厚さの半分以上を占めている。したがって、基体４１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。

　なお、基体４１の長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基体４１の長手方向のヤング率は、上記のように小さく、７．５ＧＰａ以下であることが有利である。

（磁性層、下地層のＭＳＥ抵抗値）
　ＭＳＥ（Micro Slurry-jet Erosion）試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を下地層４２、磁性層４３それぞれで求め、上記相関関係からエロージョン深さ範囲ΔＤに対する、当該エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量ΔＭの比（ΔＭ／ΔＤ）を下地層４２、磁性層４３それぞれで算出し、当該算出の結果を下地層４２、磁性層４３それぞれのＭＳＥ抵抗値Ｒ２、Ｒ１と定義する。このように定義した場合、下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２に対する磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の比（Ｒ１／Ｒ２）（以下「ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）」という。）が、０．４５以上０．８０以下、好ましくは０．４９以上０．７７以下の範囲内である。

　ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が０．８０を超えると、磁性層４３に対する下地層４２の相対的な硬さが低下するため、繰り返し記録または再生を行った後に、磁性層４３に含まれる材料（例えば磁性紛、添加剤（例えば帯電防止剤、研磨剤等））の沈み込みにより磁性面が平坦化し、磁性面と磁気ヘッドの真実接触面積が増加する。このため、繰り返し記録または再生を行った後に、磁性面の摩擦が上昇しやすくなり、走行安定性が低下する。走行安定性が低下すると、磁気ヘッドへのテープ貼り付き等が発生する。一方、ＭＳＥ抵抗値比（Ｒ１／Ｒ２）が０．４５未満であると、下地層４２に対する磁性層４３の強度が低下し、摺動時に粉落ちが発生する。

　磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の上限値は、好ましくは５０．０ｇ／μｍ以下、より好ましくは４４．４ｇ／μｍ以下、さらにより好ましくは３１．０ｇ／μｍ以下の範囲内である。磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の上限値が５０．０ｇ／μｍ以下であると、潤滑剤を磁性面に染み出させるための適切な経路が磁性層４３に形成され易くなり、下地層４２から磁性層４３への潤滑剤の供給が十分となる。このため、繰り返し記録または再生を行った後に、磁性面の摩擦の上昇が抑制され、走行安定性が向上する。

　磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の下限値は、好ましくは２７．０ｇ／μｍ以上、より好ましくは３０．１以上である。磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の下限値が２７．０ｇ／μｍ以上であると、磁性層４３が十分な強度となり、摺動時の粉落ち発生が抑制される。

　下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２の上限値は、好ましくは６５．０ｇ／μｍ以下、より好ましくは６１．７ｇ／μｍ以下である。下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２の上限値が６５．０ｇ／μｍ以下であると、磁気テープＭＴの柔軟性が保たれるため、走行時に磁気テープＭＴのヘッドへの当たりを維持することができる。

　下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２の下限値は、好ましくは５１．０ｇ／μｍ以上、より好ましくは５３．１ｇ／μｍ以上である。下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２の下限値が５１．０ｇ／μｍ以上であると、磁性層４３に含まれる材料（例えば磁性紛、添加剤（例えば帯電防止剤、研磨剤等））の沈み込みにより磁性面が平坦化することを抑制することができる。したがって、磁性面と磁気ヘッドの真実接触面積の増加を抑制することができる。よって、摩擦上昇を抑制することができる。

　ＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２およびＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）の算出方法について以下の順序で説明する。
（１）ＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２の算出のためのエロージョン深さ範囲の決定
（２）ＭＳＥ試験
（３）ＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２およびＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）の算出

（１）ＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２の算出のためのエロージョン深さ範囲の決定
　まず、上述の磁性層４３の平均厚みｔ_１の測定方法と同様の手順で、磁性層４３の平均厚みｔ_１を求める。次に、求められた磁性層４３の平均厚みｔ_１を用いて、磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１を算出するためのエロージョン深さの範囲ΔＤ１（以下「第１のエロージョン深さの範囲ΔＤ１」という。）を以下のように決定する。すなわち、図３に示すように、磁性層４３の表面（磁性面）から磁性層４３の深さ方向に向かって、磁性層４３の平均厚みｔ_１の０％以上７０％以下に相当する領域を、第１のエロージョン深さの範囲ΔＤ１とする。

　次に、上述の磁性層４３の平均厚みｔ_１の測定方法と同様の手順で、下地層４２の断面ＴＥＭ像を得る。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。次に、得られた下地層４２のＴＥＭ像を用いて、下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２を算出するためのエロージョン深さの範囲ΔＤ２（以下「第２のエロージョン深さの範囲ΔＤ２」という。）を以下のように決定する。すなわち、図３に示すように、磁性層４３の表面（磁性面）から深さ方向に向かって１５０ｎｍの位置から２５０ｎｍの位置までの領域を、第２のエロージョン深さの範囲ΔＤ２とする。

（２）ＭＳＥ試験
　まず、平均厚みｔ_１、ｔ_２を測定したのと同様の磁気テープＭＴから、１ｃｍ×１ｃｍサイズの正方形状の試験サンプルを切り出す。この試験サンプルの切り出し位置は、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲である。次に、カプトン（登録商標）両面テープにより試験サンプルを２ｃｍ×２ｃｍサイズの正方形状のＳＵＳ板に固定する。

　エロージョン処理および形状測定に用いられるＭＳＥ試験装置の装置名および測定条件（エロ―ジョン測定条件、形状測定装置条件）は、以下の通りである。ＭＳＥ試験装置は、スラリーを試料に吹き付けるエロージョン装置と、そのエロージョン痕の形状を測定する触針式の形状測定装置を備えており、エロージョン処理と形状測定を任意の回数繰返し実施する装置である。

＜使用装置名＞
　　パルメソ社製、ＭＳＥ－Ａ
＜エロージョン装置条件＞
　　ノズル径：１ｍｍ×１ｍｍ
　　投射距離：４ｍｍ
　　使用粒子：０．３μｍ多角アルミナ粒子（パルメソ社製、ＭＳＥ－ＧＡ０３－１）
　　スラリー濃度：１質量％（純水で調整）
　　投射粒子量：０．２ｇ／回
　　投射力：０．０１６μｍ／ｇ　ＰＭＭＡ
＜形状測定装置条件＞
　　触針子先端Ｒ：２μｍ
　　荷重：１００μＮ
　　計測倍率：５００００
　　測長：３ｍｍ
　　計測速度：０．２ｍｍ／ｓｅｃ

　エロ―ジョン装置の投射力の設定には、ＰＭＭＡ基準片（カナセライト社製、厚さ２ｍｍ×縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ）を校正材料として使用する。所定のエロージョン率になるように装置値の投射圧力流量を設定する。

　次に、ＳＵＳ板上に固定された測定サンプルを、ＭＳＥ試験装置にセットし、エロージョン処理と形状測定をエロージョン深さが第２のエロージョン深さの範囲ΔＤ２を超えるまでＮ回繰返し実施し、Ｎ回分の形状計測データ（エロージョン痕のプロファイル）を取得する。図８は、Ｎ回分のエロージョン痕のプロファイルの一例を示すグラフである。

（３）ＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２およびＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）の算出
　まず、以下のようにして、投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を示すグラフ（以下「エロージョン進行グラフ」という。）をマニュアルで作成する。取得した形状計測データからエロージョン深さを取得する。計測長の中で摩耗していない両端基準エリアＡ、Ｂを用いて傾き補正を実施する。補正後、基準となる回帰直線から摩耗痕中心部Ｃ（５０μｍ幅の平均値）までの段差を計測する。計測後、０ｇ投射（未処理面）での段差データと各投射量での段差データの差分を取り、エロージョン深さを取得する。取得した投射量－エロージョン深さデータから、エロージョン進行グラフを作成する。図９は、エロージョン進行グラフの一例を示す。

　次に、作成したエロージョン進行グラフから、上記第１のエロージョン深さの範囲ΔＤ１に対する、上記第１のエロージョン深さの範囲ΔＤ１を摩耗するのに要した粒子量ΔＭ１の比（ΔＭ１／ΔＤ１）を算出し、当該算出の結果を磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１とする。また、作成したエロージョン進行グラフから、上記第２のエロージョン深さの範囲ΔＤ２に対する、上記第２のエロージョン深さの範囲（２）を摩耗するのに要した粒子量ΔＭ２の比（ΔＭ２／ΔＤ２）を算出し、当該算出の結果を下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２とする。

　次に、算出したＭＳＥ抵抗値Ｒ１、Ｒ２を用いて、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）、すなわち下地層４２のＭＳＥ抵抗値Ｒ２に対する磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１の比（Ｒ１／Ｒ２）を算出する。

（バック層のＭＳＥ抵抗値）
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係をバック層４４で求め、上記相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、当該エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を算出し、当該算出の結果をバック層４４のＭＳＥ抵抗値Ｒ３と定義する。このように定義した場合、バック層４４のＭＳＥ抵抗値Ｒ３が、磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１よりも大きいことが好ましい。バック層４４のＭＳＥ抵抗値Ｒ３が磁性層４３のＭＳＥ抵抗値Ｒ１よりも大きいと、バック層４４を磁性層４３よりも硬くすることができるので、磁気テープＭＴの巻出し／巻き戻しによりバック層４４が摩耗されることを抑制することができる。したがって、磁性層４３に摩耗粉が付着することを抑制することができる。

（動摩擦係数）
　磁気テープＭＴに加わる張力が０．６Ｎであるときの磁性層４３の表面と磁気ヘッド５６の間の動摩擦係数をμとした場合、走行１０回目の動摩擦係数μ（１０）と走行１０００回目の動摩擦係数μ（１０００）との摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））が、好ましくは１．０以上１．４以下、より好ましくは１．０以上１．３以下、さらにより好ましくは１．０以上１．２以下である。摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））が１．０以上で１．４以下であると、１０００回走行後による動摩擦係数の変化を小さくできるため、１０００回走行後においても、走行安定性の低下を抑制することができる。ここで、磁気ヘッド５６としては磁気テープＭＴに対応したドライブのものを用いるものとする。

　摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））を算出するための動摩擦係数μ（１０）および動摩擦係数μ（１０００）は以下の通りにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で１／２インチ幅の磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出す。次いで、図１０Ａに示すように、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂに磁性面が接触するように載せる。２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂは、硬い板状部材７６に固定されており、これにより互いの位置関係が固定されている。

　次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）７４に対し、抱き角θ_１（°）＝２０°となるように、磁気テープＭＴの磁性面を接触させる。ヘッドブロック７４は、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂの略中心に配置される。ヘッドブロック７４は、抱き角θ_１を変更することができるように、板状部材７６に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ_１（°）が２０°となったらその位置が板状部材７６に対して固定され、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂとヘッドブロック７４との位置関係も固定される。

　磁気テープＭＴの一端を、ジグ７２を介して可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。磁気テープＭＴは、図１０Ｂに示される通りにジグ７２に固定される。磁気テープＭＴの他端に錘７５を繋ぐ。錘７５によって、０．６Ｎのテンション（Ｔ_０［Ｎ］）が磁気テープＭＴの長手方向に付与される。可動式ストレインゲージ７１は、台７７上に固定されている。台７７と板状部材７６の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂ、ヘッドブロック７４、および可動式ストレインゲージ７１の位置関係が固定されている。

　可動式ストレインゲージ７１によって、磁気テープＭＴが摺動速度１ｃｍ／ｓにて可動式ストレインゲージ７１へ向かうように、磁気テープＭＴをヘッドブロック７４上を５ｃｍ摺動させる。当該摺動時の可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。上記５ｃｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回のＴ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔ_ave［Ｎ］が得られる。なお、測定環境は、２３℃±２℃、４５％Ｒｈ±５％Ｒｈに保持される。

　その後、以下の式より動摩擦係数μ（１０）を求める。

　上記直線関係は以下の通りに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ７１に０．４Ｎの荷重をかけた場合と１．５Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と上記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記の通り、摺動時の可動式ストレインゲージ７１による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。

　さらに、動摩擦係数μ（１０００）は、１０００回目の往路の測定をすること以外は動摩擦係数μ（１０）と同様にして求める。

　以上の通りにして測定された動摩擦係数μ（１０）および動摩擦係数μ（１０００）から、摩擦係数比μ（１０００）／μ（１０）が算出される。

［４　磁気テープの製造方法］
　次に、上述の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。

（塗料の調製工程）
　まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

　上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

　上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

　上記磁性層形成用塗料の調製工程において、結着剤の配合量に対する磁性粉の配合量の比率（質量比）（以下「Ｐ／Ｂ比」という。）を調整することにより、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が０．４５以上０．８０以下の範囲内に設定することが可能である。磁性層４３のＰ／Ｂ比が大きくなると、磁性層４３の強度が低くなり、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が小さくなる傾向にある。一方、磁性層４３のＰ／Ｂ比が小さくなると、磁性層４３の強度が高くなり、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が大きくなる傾向にある。

（塗布工程）
　次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）をさらに向上することができる。磁性層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

　角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

（硬化工程）
　磁気テープＭＴをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープＭＴに加熱処理を行うことにより、下地層４２および磁性層４３を硬化させる。

（カレンダー工程）
　次に、得られた磁気テープＭＴにカレンダー処理を行い、磁性層４３の表面を平滑化する。

（裁断工程）
　次に、磁気テープＭＴを所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、磁気テープＭＴが得られる。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
　次に、必用に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

［５　作用効果］
　以上説明したように、一実施形態に係る磁気テープＭＴでは、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が０．８０以下であるため、下地層４２から磁性層４３への潤滑剤の供給が十分となり、繰り返し記録または再生を行った後にも、磁性面の摩擦の上昇を抑制することができる。したがって、走行安定性の低下を抑制することができる。また、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が、０．４５以上であるため、磁性層４３の強度低下を抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの摺動時における粉落ち発生を抑制することができる。

［６　変形例］
　上述の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジ１０である場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。

　図１１は、２リールタイプのカートリッジ１２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１２１は、合成樹脂製の上ハーフ１０２と、上ハーフ１０２の上面に開口された窓部１０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材１２３と、上ハーフ１０２の内側に固着されリール１０６、１０７の浮き上がりを防止するリールホルダー１２２と、上ハーフ１０２に対応する下ハーフ１０５と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール１０６、１０７と、リール１０６、１０７に巻かれた磁気テープＭＴ１と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド１０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴ１を保護するバックリッド１０９Ａとを備える。

　リール１０６、１０７は、磁気テープＭＴを巻くためのものである。リール１０６は、磁気テープＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部１０６ａを中央部に有する下フランジ１０６ｂと、下フランジ１０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ１０６ｃと、ハブ部１０６ａと上フランジ１０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート１１１とを備える。リール１０７はリール１０６と同様の構成を有している。

　窓部材１２３には、リール１０６、１０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー１２２を組み付けるための取付孔１２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴ１は、第１の実施形態における磁気テープＭＴと同様である。

　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。

　以下の実施例および比較例において、磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子体積、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、基体（ベースフィルム）の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープの平均厚み、磁気テープの垂直方向における磁性層の角形比Ｓ１、および磁気テープの長手方向における磁性層の角形比Ｓ２は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
　磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。この際、磁性紛と結着剤の配合量を、Ｐ／Ｂ比が５．０となるように設定した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積２５００ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６６．７質量部（溶液含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
中粒径の酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０９μｍ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

　最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
　下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
中粒径の針状酸化鉄粉末（非磁性粉）：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

　最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４．０質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２．０質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
　バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
　上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、基体である、平均厚み３．６μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．８μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．０７μｍとなるように磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁気テープの垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１を６５％に設定し、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２を３８％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。

（硬化工程）
　磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに７０℃、４８時間の加熱処理を行うことにより、下地層および磁性層を硬化させた。

（カレンダー工程）
　カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の温度を１００℃とし、かつ、カレンダー処理の圧力を２００ｋｇ／ｃｍとした。

（裁断工程）
　上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み４．８７μｍの磁気テープが得られた。

［実施例２］
　ＰＥＮフィルムの平均厚みを４．０μｍ、下地層の平均厚みを０．６μｍ、磁気テープの平均厚みを５．０７μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして、磁気テープを得た。

［実施例３］
　塩化ビニル系樹脂の配合量を１０．０質量部から６．７質量部に変更すると共に、ウレタン系樹脂の配合量を１０．０質量部から６．７質量部に変更することにより、Ｐ／Ｂ比を７．５に設定した。また、上記の結着剤量の変更に伴い、硬化剤としてポリイソシアネートの配合量を４．０質量部から２．７質量部に変更した。上記以外のことは実施例２と同様にして磁気テープを得た。

［実施例４］
　塩化ビニル系樹脂の配合量を１０．０質量部から６．３質量部に変更すると共に、ウレタン系樹脂の配合量を１０．０質量部から６．３質量部に変更することにより、Ｐ／Ｂ比を８．０に設定した。また、上記の結着剤量の変更に伴い、硬化剤としてポリイソシアネートの配合量を４．０質量部から２．５質量部に変更した。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例１］
　塩化ビニル系樹脂の配合量を１０．０質量部から１２．５質量部に変更すると共に、ウレタン系樹脂の配合量を１０．０質量部から１２．５質量部に変更することにより、Ｐ／Ｂ比を４．０に設定した。また、上記の結着剤量の変更に伴い、硬化剤としてポリイソシアネートの配合量を４．０質量部から５．０質量部に変更した。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例２］
　塩化ビニル系樹脂の配合量を１０．０質量部から５．９質量部に変更すると共に、ウレタン系樹脂の配合量を１０．０質量部から５．９質量部に変更することにより、Ｐ／Ｂ比を８．５に設定した。また、上記の結着剤量の変更に伴い、硬化剤としてポリイソシアネートの配合量を４．０質量部から２．４質量部に変更した。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［評価］
（ＭＳＥ抵抗値、ＭＳＥ抵抗比）
　磁性層のＭＳＥ抵抗値Ｒ１、下地層のＭＳＥ抵抗値Ｒ２およびＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）を、上述の一実施形態にて説明した測定方法により評価した。

（摩擦係数比）
　磁気テープの摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））を、上述の一実施形態にて説明した測定方法により評価した。

（粉落ちの有無）
　磁気テープを走行させた後、走行後のヘッドブロックを光学顕微鏡で観察し（倍率4倍）、ヘッドブロックに対する付着物（粉落ち）の有無を目視で判断した。

　表１は、実施例１～４、比較例１、２の磁気テープの構成および評価結果を示す。

Ｐ／Ｂ比：結着剤の配合量Ｂに対する磁性粉の配合量Ｐの比率（質量比）

　表１から以下のことがわかる。
　ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が、０．８０を超えると、摩擦係数比が上昇する。したがって、繰り返し記録または再生を行った後に、走行安定性が低下する。一方、ＭＳＥ抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）が、０．４５未満であると、摩擦係数比の上昇は抑制されるが、摺動時に粉落ちが発生する。

　以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上述の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上述の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　テープ状の磁気記録媒体であって、
　基体と、
　前記基体の一方の面上に設けられ、磁性粉および結着剤を含む下地層と、
　前記下地層上に設けられ、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む磁性層と
　を備え、
　前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．３μｍ以下であり、
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を前記下地層、前記磁性層それぞれで求め、前記相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、前記エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を前記下地層、前記磁性層それぞれで算出し、前記算出の結果を前記下地層、前記磁性層それぞれのＭＳＥ抵抗値とした場合、
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値に対する前記磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４５以上０．８０以下の範囲内である磁気記録媒体。
（２）
　前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの前記磁性層の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μに関して、走行１０回目の動摩擦係数μ（１０）と走行１０００回目の値μ（１０００）との摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））は、１．０以上１．４以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値に対する前記磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４９以上０．７７以下の範囲内である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
　前記磁性層のＭＳＥ抵抗値が、４４．４ｇ／μｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
　前記磁性層のＭＳＥ抵抗値が、３１．０ｇ／μｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値が、６５．０ｇ／μｍ以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値が、５１．０ｇ／μｍ以上６５．０ｇ／μｍ以下である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
　前記基体の他方の面上に設けられたバック層をさらに備え、
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を前記バック層で求め、前記相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、前記エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を算出し、前記算出の結果を前記バック層のＭＳＥ抵抗値とした場合、
　前記バック層のＭＳＥ抵抗値が、前記磁性層のＭＳＥ抵抗値よりも大きい（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
　前記バック層は、炭素粉、結着剤および硬化剤を含む（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０）
　前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
　前記基体の平均厚みは、３．８μｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
　前記基体の平均厚みは、３．４μｍ以下である（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
　前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
　前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
　前記磁性層の平均厚みは、５０ｎｍ以下である（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
　前記下地層の平均厚みは、０．３μｍ以上１．０μｍ以下である（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
　前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．０μｍ以下である（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
　前記磁気記録媒体の平均厚みは、４．４μｍ以下である（１）から（１７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１９）
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上である（１）から（１８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２０）
　前記磁気記録媒体の垂直方向の角形比は、７０％以上である（１）から（１９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２１）
　前記磁気記録媒体の垂直方向の角形比は、７５％以上である（１）から（２０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２２）
　前記磁気記録媒体の垂直方向の角形比は、８０％以上である（１）から（２１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２３）
　前記磁気記録媒体の垂直方向の角形比は、８５％以上である（１）から（２２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２４）
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下である（１）から（２３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２５）
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下である（１）から（２４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２６）
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下である（１）から（２５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２７）
　前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（２６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２８）
　前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する（１）から（２７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２９）
　前記磁性層は、９以上のサーボバンドを有する（１）から（２８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（３０）
　前記磁性層の表面の面積に対する前記５以上のサーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である（２８）に記載の磁気記録媒体。
（３１）
　前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である（２８）から（３０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（３２）
　前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
　前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である（１）から（３１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（３３）
　前記基体は、ポリエステルを含む（１）から（３２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（３４）
　（１）から（３３）のいずれかに記載された磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
（３５）
　前記磁気記録媒体を巻くためのリールを１つまたは２つ備える（３４）に記載のカートリッジ。

　１０　　カートリッジ
　１１　　カートリッジメモリ
　３１　　アンテナコイル
　３２　　整流・電源回路
　３３　　クロック回路
　３４　　検波・変調回路
　３５　　コントローラ
　３６　　メモリ
　３６Ａ　　第１の記憶領域
　３６Ｂ　　第２の記憶領域
　４１　　基体
　４２　　下地層
　４３　　磁性層
　４４　　バック層
　５６　　磁気ヘッド
　５６Ａ、５６Ｂ　　サーボリードヘッド
　１１０　　サーボフレーム
　１１１　　サーボサブフレーム１
　１１１Ａ　　Ａバースト
　１１１Ｂ　　Ｂバースト
　１１２　　サーボサブフレーム２
　１１２Ｃ　　Ｃバースト
　１１２Ｄ　　Ｄバースト
　１１３　　サーボストライプ
　ＭＴ　　磁気テープ
　ＳＢ　　サーボバンド
　ＤＢ　　データバインド

Claims

　テープ状の磁気記録媒体であって、
　基体と、
　前記基体の一方の面上に設けられ、磁性粉および結着剤を含む下地層と、
　前記下地層上に設けられ、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む磁性層と
　を備え、
　前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．３μｍ以下であり、
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を前記下地層、前記磁性層それぞれで求め、前記相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、前記エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を前記下地層、前記磁性層それぞれで算出し、前記算出の結果を前記下地層、前記磁性層それぞれのＭＳＥ抵抗値とした場合、
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値に対する前記磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４５以上０．８０以下の範囲内である磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの前記磁性層の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μに関して、走行１０回目の動摩擦係数μ（１０）と走行１０００回目の値μ（１０００）との摩擦係数比（μ（１０００）／μ（１０））は、１．０以上１．４以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値に対する前記磁性層のＭＳＥ抵抗値の比が、０．４９以上０．７７以下の範囲内である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層のＭＳＥ抵抗値が、４４．４ｇ／μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層のＭＳＥ抵抗値が、３１．０ｇ／μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値が、６５．０ｇ／μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層のＭＳＥ抵抗値が、５１．０ｇ／μｍ以上６５．０ｇ／μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体の他方の面上に設けられたバック層をさらに備え、
　ＭＳＥ試験により投射粒子量とエロージョン深さの相関関係を前記バック層で求め、前記相関関係からエロージョン深さ範囲に対する、前記エロージョン深さ範囲を摩耗するのに要した粒子量の比を算出し、前記算出の結果を前記バック層のＭＳＥ抵抗値とした場合、
　前記バック層のＭＳＥ抵抗値が、前記磁性層のＭＳＥ抵抗値よりも大きい請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記バック層は、炭素粉、結着剤および硬化剤を含む請求項８に記載の磁気記録媒体。
　前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体の平均厚みは、３．８μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体の平均厚みは、３．４μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層の平均厚みは、５０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層の平均厚みは、０．３μｍ以上１．０μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．０μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均厚みは、４．４μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、７０％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、７５％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、８０％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、８５％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉の平均粒子体積が、５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層は、９以上のサーボバンドを有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層の表面の面積に対する前記５以上のサーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である請求項２８に記載の磁気記録媒体。
　前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である請求項２８に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
　前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体は、ポリエステル類を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
　請求項１に記載された磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
　前記磁気記録媒体を巻くためのリールを１つまたは２つ備える請求項３４に記載のカートリッジ。