WO2021185769A1

WO2021185769A1 - Suszeptor für einen cvd-reaktor

Info

Publication number: WO2021185769A1
Application number: PCT/EP2021/056546
Authority: WO
Inventors: Wilhelm Josef Thomas KRÜCKEN
Original assignee: Aixtron Se
Priority date: 2020-03-18
Filing date: 2021-03-15
Publication date: 2021-09-23
Also published as: DE102020107517A1; CN115298351A

Abstract

Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Suszeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandelnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2''), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszeptors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüberliegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) mündenden Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Abstandsraum. Um den Wärmetransport zwischen Heizeinrichtung (8) und Suszeptor (2) lokal beeinflussen zu können, ist vorgesehen, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) angeordnet sind und jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist.

Description

Beschreibung

Suszeptor für einen CVD-Reaktor

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft einen Suszeptor für einen CVD-Reaktor mit zwei voneinander wegweisenden Breitseitenflächen. Eine ersten der beiden Breit seitenflächen besitzt eine Vielzahl von Lagerplätzen jeweils zur Aufnahme ein oder mehrerer Substrate. Die Lagerplätze sind kreisförmig um eine Drehachse des Suszeptors angeordnet.

[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor zur thermi schen Behandlung von Substraten mit einem derartigen Suszeptor, wobei die erste Breitseitenfläche des Suszeptors zu einer Prozesskammer weist, in die Prozessgase eingespeist werden. Die zweite Breitseitenfläche weist in Richtung auf eine Heizeinrichtung, mit der der Suszeptor auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird. Die Heizeinrichtung liegt der zweiten Breitseitenfläche gegen über. Zwischen der zweiten Breitseitenfläche und der Heizeinrichtung besteht ein Abstandsraum. In diesen Abstandsraum münden die Gasaustrittsöffnun- gen, mit denen ein Gas in den Abstandsraum eingespeist wird.

[0003] Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zur thermischen Behandlung von Substraten in einem derartigen CVD-Reaktor, bei dem in den Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung und der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors ein Gas eingespeist wird.

Stand der Technik [0004] In der DE 102019104433 Al wird ein CVD-Reaktor mit einem Suszep tor beschrieben. Auf dem Suszeptor liegen Substrathalter, die ein oder mehrere Substrate halten können. Die Substrathalter liegen in jeweils einen Lagerplatz ausbildenden Taschen und werden drehangetrieben. Zwischen Heizeinrichtung und einer zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors befindet sich eine Dicht platte, mit der ein Raum innerhalb des Gehäuses des CVD-Reaktors, in dem sich die Heizeinrichtung befindet, gegenüber dem in die Prozesskammer einge speisten Prozessgas abgeschirmt wird. In einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung und der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors wird ein Temperiergas eingespeist. Mit dem Temperiergasfluss kann der Wärmezufluss beziehungsweise die Wärmeabfuhr zum oder vom Suszeptor an örtlich be schränkten Wärmebeeinflussungszonen verändert werden. Die Einspeisung des Temperiergases erfolgt durch ortsfeste Gasaustrittsöffnungen. Die Gasaustritts öffnungen sind in der Dichtplatte angeordnet. Durch eine periodisch gepulste Zufuhr des Temperiergases kann der Wärmefluss von der Heizeinrichtung zum Substrat individuell variiert werden.

[0005] Die US 6,569,250 B2 beschreibt einen Suszeptor mit einer Gasaustritts öffnung. Zum Stand der Technik gehören ferner die DE 102005056536 Al, DE 102009043960 Al, DE 102011 053498 Al, DE 102013109155 Al, DE 102014 104218 Al, DE 102017105333 Al, US 2018/0182635 Al, US 5,468,299 A und die DE 102011 055061 Al.

[0006] Die DE 102009044276 Al beschreibt eine in einen Abstandsraum zwi schen Suszeptor und Heizeinrichtung mündende Ableitung, mit der ein Gas aus einer unterhalb eines Substrathalters angeordneten Tasche abgeleitet wer den kann.

[0007] Die DE 102018130 138 Al beschreibt einen CVD-Reaktor mit einem Suszeptor, bei dem der Suszeptor in seinem Umgebungsrand Gasaustrittsöff nungen aufweist. [0008] Die DE 102018132673 Al beschreibt einen CVD-Reaktor, bei dem Gasaustrittsöffnungen in die zur Prozesskammer weisenden Breitseitenflächen des Suszeptors münden.

Zusammenfassung der Erfindung

[0009] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein alternatives Verfahren beziehungsweise eine alternative Vorrichtung anzugeben, mit der die Suszep- tortemperatur lokal beeinflusst werden kann, um die Oberflächentemperaturen von auf Lagerplätzen angeordneten Substraten individuell anpassen zu kön nen.

[0010] Wie bei der eingangs genannten DE 102019104433 werden bei einer Variante der Erfindung Gase, insbesondere Temperiergase, deren Wärmeleit eigenschaft durch Änderung eines Mischungsverhältnis von zwei das Tempe riergas bildenden Spülgasen, von denen eines eine hohe Wärmeleitfähigkeit und das andere eine niedrige Wärmeleitfähigkeit aufweist, veränderbar ist, in einen Raum zwischen Lagerplatz und Heizeinrichtung eingespeist. Die Einspei sung erfolgt vom Suszeptor her nämlich durch eine Gasaustrittsöffnung, die sich mit dem Suszeptor mitdreht und die eine dauerhaft unveränderliche räum liche Lage zu einem Lagerplatz aufweist, auf dem ein Substrat aufliegen kann. Erfindungsgemäß ist jedem Lagerplatz zumindest eine Gasaustrittsöffnung zu geordnet. Jede sich mit dem Suszeptor mitdrehende Gasaustrittsöffnung ist mit einer Zuleitung mit einer Einspeiseöffnung verbunden. Es kann vorgesehen sein, dass ein oder mehrere Gasaustrittsöffnungen, die demselben Lagerplatz zugeordnet sind, einer gemeinsamen Einspeiseöffnung zugeordnet sind. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass jede Einspeiseöffnung mit nur einer Gasaustrittsöffnung verbunden ist. Bevorzugt besitzt die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Gasmischeinrichtung, mit der das Temperiergas bereitgestellt wird. Die Gasmischeinrichtung kann eine Vielzahl von Massenflusskontrollern aufweisen, wobei bevorzugt jeder Massenflusskontroller mit nur einer Ein speiseöffnung strömungsverbunden ist, sodass jeder Austrittsöffnung jeder Mehrzahl demselben Lagerplatz zugeordneten Austritts Öffnungen ein indivi dueller Gasstrom und insbesondere eine individuelle Gasmischung zugeordnet werden kann. Hierdurch kann zwischen jedem Lagerplatz für ein Substrat und der Heizeinrichtung eine individuelle Temperiergas- Atmosphäre eingestellt werden. Hierdurch kann der Wärmezufluss oder die Wärmeabfuhr zum oder vom Substrat örtlich verändert werden. Bezogen auf den Suszeptor, liegen die unterhalb der Lagerplätze angeordneten Wärmebeeinflussungszonen fest. Be züglich eines Reaktorgehäuses, in dem sich der Suszeptor dreht, wandern die Wärmebeeinflussungszonen um die Drehachse des Suszeptors. Bei dem erfin dungsgemäßen Verfahren ist an jedem Lagerplatz zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors angeordneten Gasaustrittsöffnung zu geordnet. Es handelt sich dabei um eine räumliche Zuordnung. Die Zuordnung ist darüber hinaus auch funktionell, da das aus der Gasaustrittsöffnung heraus strömende Temperiergas in die zwischen Lagerplatz und Heizeinrichtung an geordnete Wärmebeeinflussungszone strömt. In jeder Wärmebeeinflussungs zone kann die Temperiergas- Atmosphäre individuell eingestellt werden, entweder durch Verändern des Massenflusses eines Temperiergases, welches sich mit einem Umgebungsgas mischt oder durch eine Veränderung einer Zusammensetzung eines aus mehreren Komponenten bestehenden Temperier gases, wobei die verschiedenen Komponenten verschiedene Wärmeleiteigen schaften aufweisen können, beispielsweise aus Wasserstoff und Stickstoff bestehen können. Eine von der ersten, oberen Breitseitenfläche des Suszeptors nach untenhin begrenzte Prozesskammer ist nach obenhin durch eine Decken platte begrenzt. Die Deckenplatte kann aktiv oder passiv gekühlt werden. Es ist ein Gaseinlassorgan vorgesehen, mit dem Prozessgase in die Prozesskammer eingespeist werden. Das Gaseinlassorgan kann sich im Bereich der Drehachse erstrecken. Das zentrale Gaseinlassorgan besitzt mehrere in einer Umfangs fläche angeordnete Gasaustrittsöffnungen, durch die das Prozessgas in die Prozesskammer einströmen kann. Das Prozessgas wird in dem Gasmisch system bereitgestellt und kann verschiedene reaktive Gase enthalten, die inner halb der Prozesskammer, bevorzugt auf der Oberfläche des Substrates, derart miteinander reagieren, dass auf dem Substrat eine Schicht abgeschieden wird. Die Prozessgase können Hydride der III-Hauptgruppe und metallorganische Verbindungen der V-Hauptgruppe enthalten. Die Prozessgase können aber auch Elemente der IV-Hauptgruppe oder Elemente der II- und VI-Hauptgruppe enthalten. Auf dem Substrat wird bevorzugt eine halbleitende und einkristalli ne Schicht abgeschieden. Das Prozessgas durchströmt die Prozesskammer in einer radialen Richtung und wird mittels eines Gasauslassorgans abgeführt, das den bevorzugt kreisscheibenförmigen Suszeptor ringförmig umgibt. Das Gas auslassorgan kann Öffnungen oder dergleichen aufweisen, um auch das Tem periergas abzuführen. Die Lagerplätze können von in der ersten Breitseiten fläche des Suszeptors angeordneten Taschen ausgebildet sein. In den Böden der Taschen sind Austrittsöffnungen vorgesehen, durch die ein Spülgas in die Taschen eintritt. Das Spülgas bildet ein Gaskissen, welches einen Substrathalter trägt, auf welchem das zu beschichtende Substrat aufliegt. Mit dem Spül gasstrom wird der Substrathalter auch in eine Drehung versetzt. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist jedem Lagerplatz zumindest eine Gasaustritts öffnung vorgesehen, wobei diese Gasaustrittsöffnung zwischen Zentrum des Suszeptors und Lagerplatz angeordnet ist. Das aus der Gasaustrittsöffnung heraustretende Temperiergas strömt unterhalb des Lagerplatzes in Radial auswärtsrichtung. Die Öffnungsweite der Gasaustrittsöffnung kann dem Durchmesser einer Zuleitung entsprechen, beispielsweise kreisförmig sein. Die Austritts Öffnung kann aber auch langgestreckt sein. Sie kann sich geradlinig oder gebogen erstrecken. Bevorzugt erstreckt sich die Gasaustrittsöffnung über einen Sektorbereich, über den sich auch der Lagerplatz erstreckt. Es können mehrere Gasaustrittsöffnungen vorgesehen sein, die in Radialrichtung hinter einander angeordnet sind, also auf voneinander verschiedenen Radialabstän den zum Zentrum liegen. Eine zweite Gasaustrittsöffnung kann beispielsweise vertikal unterhalb des Lagerplatzes angeordnet sein. Eine weitere Gasaustritts öffnung kann radial außerhalb des Lagerplatzes angeordnet sein. Sind für jeden Lagerplatz mehrere Gasaustrittsöffnungen vorgesehen, so sind sie an jedem Lagerplatz identisch angeordnet. Auch wenn nur eine Gasaustrittsöffnung vor gesehen ist, sitzen alle diese Gasaustrittsöffnungen bevorzugt denselben Radial abstand zum Zentrum. Die Versorgung der Gasaustrittsöffnungen mit dem Temperiergas erfolgt bevorzugt durch den Suszeptor hindurch und bevorzugt zusätzlich durch einen den Suszeptor tragenden Schaft. Hierzu verlaufen in nerhalb des Suszeptors beispielsweise in Radialrichtung von Bohrungen gebil dete Zuleitungen. Wobei jeder Gasaustrittsöffnung bevorzugt eine Zuleitung zugeordnet ist. Die Zuleitungen können im Bereich des Schaftes eine nach au ßen weisende Einspeiseöffnung aufweisen. Diese dreht sich im Zuge der Drehung des Suszeptors um die Drehachse. Durch eine geeignete ringförmig den Schaft umgebende Gasverteilkammer kann jede Einspeiseöffnung während der Drehung mit Temperiergas versorgt werden. Die Einspeiseöffnungen, die den verschiedenen Gasaustrittsöffnungen zugeordnet sind, liegen bevorzugt in Achsrichtung, bezogen auf die Drehachse, übereinander. Bei dem erfindungs gemäßen Verfahren kann ein optisches oder anderweitiges Temperaturmessge rät vorgesehen sein, mit dem die Oberflächentemperatur jedes Substrates oder jedes Lagerplatzes gemessen werden kann. Mit einem ortsfesten, insbesondere optischen Temperaturmessgerät, beispielsweise mit einem Pyrometer, kann durch eine Öffnung der Prozesskammerdecke hindurch die Substrattemperatur gemessen werden. Die Substrate bewegen sich im Zuge der Drehung des Sus zeptors unterhalb des Temperaturmessgerätes vorbei, sodass nacheinander die Temperaturen aller Substrate bestimmt werden können. Mit einer Regeleinrich tung können die den einzelnen Substraten zugeordnete Temperiergasflüsse derart verändert werden, dass die Substrate im Wesentlichen dieselbe Ober flächentemperatur besitzen. Indem ein zweites Temperiergas eingespeist wird, kann auch ein laterales Temper aturprofil auf dem Substrat modifiziert werden beziehungsweise eine Oberflächentemperatur des Suszeptors stromabwärts des Substrates. Bei einer Variante eines erfindungsgemäßen CVD-Reaktors erfolgt der Energietransport von der Heizeinrichtung zum Suszeptor über ein elektro magnetisches Wechselfeld, das im Suszeptor Wirbelströme induziert, die den Suszeptor aufheizen. Die Heizeinrichtung kann eine gekühlte Induktionsspule sein. Die Induktionsspule kann sich spiralförmig in einer Ebene verlaufend unterhalb des Suszeptors befinden. Die Spule kann von einem Rohr ausgebildet sein, durch welches ein Kühlmittel fließt. Der Wärmetransport vom Suszeptor zu einer derart gekühlten Spule erfolgt zum Teil durch Wärmeleitung durch das sich im Abstandsraum zwischen Suszeptor und Heizeinrichtung befind liche Gas. Der Wärmeabfluss vom Suszeptor zur Heizeinrichtung kann somit durch die Variation der Zusammensetzung des Temperiergases lokal und für jeden Lagerplatz individuell eingestellt beziehungsweise beeinflusst werden.

[0011] Es kann ferner vorgesehen sein, dass in den Spalt zwischen der unteren Breitseitenfläche des Suszeptors und der Dichtplatte ein Spülgasfluss einge speist wird. Die Einspeisung des Spülgasflusses kann an einer radial einwärts des Lagerplatzes angeordneten Position erfolgen und insbesondere in unmittel barer Nachbarschaft zu einem zentralen Träger des Suszeptors. Dort können ein oder mehrere Spülgaszuleitungen in den Spalt münden, sodass sich zwi schen Suszeptor und Dichtplatte ein radialer Gasfluss ausbildet. In diesen Spül gasfluss kann der aus den oben genannten Gasaustrittsöffnungen austretende Gasfluss eintreten. Der Spülgasfluss und der aus den dort mündenden Gasaus tritts Öffnungen austretende Gasfluss mischen sich. Es kann vorgesehen sein, dass die beiden Gase verschiedene Wärmeleiteigenschaften haben, sodass sich durch die Mischung der beiden Gasflüsse ein Temperiergasfluss ausbildet, des sen Wärmeleitfähigkeit durch Veränderung des Massenflusses zumindest eines der beiden Gase einstellbar ist. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die in der unteren Breitseitenfläche des Suszeptors mündende Gasaus trittsöffnung in einer Ausnehmung der Unterseite des Suszeptors mündet. Die Ausnehmung kann sich über den Sektor erstrecken, den der Lagerplatz ein- nimmt. Die Ausnehmung ist insbesondere zum Umfangsrand des Suszeptors offen. Hierdurch bildet sich ein Abschnitt des Spaltes zwischen Suszeptor und Dichtplatte aus, der im Bereich eines Lagerplatzes eine größere Spaltweite auf weist. Die Ausnehmung kann sich in Radialrichtung verbreitern und sich in Radialrichtung erstreckende Wände aufweisen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0012] Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 in der Art eines Schnittes durch eine Drehachse A eines Suszep- tors 2 schematisch den Querschnitt eines CVD-Reaktors eines ersten Ausführungsbeispiels,

Fig. 2 in der Art eines Schnittes gemäß der Schnittlinien II-II in Figur 1 eine Draufsicht auf einen Suszeptor 2,

Fig. 3 ähnlich wie Figur 1 einen Querschnitt eines CVD Reaktor eines zweiten Ausführungsbeispiels,

Fig. 4 einen Sektor eines Suszeptors 2 in der Unteransicht eines drit ten Ausführungsbeispiels und

Fig. 5 einen Ausschnitt eines Gasmischsystems.

Fig. 6 eine Darstellung gemäß Figur 3 eines dritten Ausführungsbei spiels, Fig. 7 in einer Darstellung gemäß Figur 4 das dritte Ausführungsbei spiel,

Fig. 8 das dritte Ausführungsbeispiel in einer Blickrichtung VIII in Figur 7.

Beschreibung der Ausführungsformen

[0013] Die Figuren 1 und 3 zeigen in der Art eines Querschnittes schematisch einen CVD-Reaktor mit einem nach außen gasdichten Gehäuse 1. In dem Ge häuse 1 befindet sich ein Suszeptor 2, der von einer insbesondere beschichteten Graphit-Platte ausgebildet wird, die von einem Schaft 14 getragen wird, wel cher von einem Drehantrieb 24 um eine Drehachse A drehangetrieben wird. Unterhalb des Suszeptors 2 befindet sich eine Heizeinrichtung 8, bei der es sich um eine IR-Heizung, eine RF-Heizung oder dergleichen handeln kann. Die Heizeinrichtung 8 liefert Wärme, mit der der Suszeptor 2 auf eine Prozess temperatur von 500 bis 1500°C aufgeheizt werden kann. Zwischen der Heiz einrichtung 8 und einer von einer Breitseitenfläche 2" ausgebildeten Unterseite des Suszeptors 2 befindet sich eine kreis scheibenförmige Dichtscheibe 9, die aus einem keramischen Material, aus Quarz, aus Metall oder auch beschichtetem Graphit bestehen kann. Die Dichtscheibe 9 besitzt in ihrer Mitte eine Öffnung, durch die der beim Betrieb der Vorrichtung drehangetriebene Schaft 14 hin durchragt. Die Dichtscheibe 9 ist gegenüber dem Gehäuse 1 und der am Gehäu se befestigten Heizeinrichtung 8 ortsfest. Der Suszeptor 2 dreht sich somit gegenüber der Dichtscheibe 9. Zwischen der Dichtscheibe 9 und dem Suszeptor 2 befindet sich ein Spalt 23. Der Spalt 23 besitzt beim Betrieb der Vorrichtung sich gegeneinander bewegende Spaltwände, nämlich die zweite, nach unten weisende Breitseite 2 des Substrathalters und die nach oben weisende Breit seite der Dichtplatte 9. In diesem Spalt fließt im Allgemeinen in radialer Aus wärtsrichtung ein Spülgas. Hierzu mündet in den Spalt eine Spülgaszuleitung 28 mit einer Spülgasaustrittsöffnung 27. Auf ein durch eine Austrittsöffnung 10 in der Figur 1 oder durch Austrittsöffnungen 10, 15, 18 in der Figur 3 in den Spalt 23 eingespeistes Gas wird mit dem Spülgas nach außen transportiert. Außerdem wird eine Scherkraft ausgeübt, die zur Folge hat, dass ein Gasfluss, der beispielsweise durch die Gasaustrittsöffnung 10 in den Spalt 23 eingespeist wird, auf seinem Weg in Radialauswärtsrichtung in Richtung der Suszeptor- rotation abgelenkt wird.

[0014] Die erste Breitseitenfläche 2' des Suszeptors 2, die zu einer Prozess kammer 4 weist und der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 gegen überliegt, besitzt eine einen Lagerplatz ausbildende Tasche 22, in der sich ein Substrathalter 3 befindet, auf dem ein Substrat 21 aufliegt. Durch eine nicht dargestellte, im Boden der Tasche 22 angeordnete Gasdüse kann ein Spülgas eingespeist werden, mit dem ein Gaspolster erzeugt wird, auf dem der durch das Gaspolster auch drehangetriebene Substrathalter 3 schwebt.

[0015] Im Zentrum der Prozesskammer 4 befindet sich ein Gaseinlassorgan 6, durch welches die oben genannten Prozessgase in die Prozesskammer einge speist werden können. Die Prozessgase überströmen den Suszeptor 2 und die Substrate 21 und gelangen zu einem Gasauslassorgan 7, welches den Suszeptor 2 ringförmig umgibt. Nach obenhin wird die Prozesskammer 4 durch eine aktiv oder passiv gekühlte oder auch beheizte Prozesskammerdecke 5 begrenzt.

[0016] Der äußere Rand der Dichtscheibe liegt auf einem radial inneren Rand des Gasauslassorgans 7 auf. Die Dichtscheibe 9 dichtet somit den Raum des Gehäuses des CVD-Reaktors gegenüber dem Prozessgas ab.

[0017] Im Schaft 14 befinden sich übereinander und umfangsversetzt eine Vielzahl von Einspeiseöffnungen 13, in die ein Temperiergas eingespeist werden kann. Jede Einspeiseöffnung 13 ist mit einer Zuleitung verbunden, die jede Einspeiseöffnung 13 individuell mit einer in den Spalt 23 mündenden Gasaustrittsöffnung 10, 15 oder 18 verbindet. Hierzu besitzt der Schaft sich in Achsrichtung erstreckende Zuleitungen 12, 17 und 20 und der Suszeptor damit verbundene, sich in Radialrichtung erstreckende Zuleitungen 11, 16, 19.

[0018] Jede der Zuleitungen beziehungsweise Einspeiseöffnungen 13 kann mit zwei Massenflusskontrollern 25, 26 strömungsverbunden sein. Mit den beiden Massenflusskontrollern 24, 26 kann jeweils eine Gasmischung bereitgestellt werden, die aus einem stark wärmeleitfähigen Gas, beispielsweise Wasserstoff, und einem schwächer wärmeleitfähigem Gas, beispielsweise Stickstoff, besteht. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Zuleitungen beziehungsweise Einspeise öffnungen 13 nur mit einer Gasquelle beziehungsweise einem Massenfluss kontroller verbunden sind, die ein Spülgas bereitstellen, das eine andere Wär meleitfähigkeit besitzt, als das Gas, das ansonsten im Innenraum des Gehäuses vorhanden ist.

[0019] Bei dem in den Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist jedem Lagerplatz 12 individuell eine Gasaustrittsöffnung 10 zugeordnet, durch die ein individueller Temperiergasfluss oder eine individuelle Temperiergas mischung in den Raum unterhalb des Suszeptors 2 eingespeist werden kann, der sich unterhalb des Lagerplatzes 22 befindet. Dadurch wird der Wärme transport zwischen der Heizeinrichtung 8 und dem Suszeptor 2 beeinflusst. Die Gasaustrittsöffnung 10 ist derart in Radialeinwärtsrichtung gegenüber dem Lagerplatz 22 versetzt, dass der aus der Gasaustrittsöffnung 10 austretende Temperiergasfluss in Radialauswärtsrichtung unter dem Lagerplatz 22 entlang strömt. In der Figur 2 sind die Gasaustrittsöffnungen 10 auf einer Verbindungs linie zwischen dem Zentrum des Lagerplatzes 22 beziehungsweise des Sub strathalters 3 und der Drehachse A angeordnet. Die Gasaustrittsöffnungen 10 können aber auch in Umfangsrichtung versetzt zu dieser Verbindungslinie an geordnet sein und insbesondere derart versetzt, dass die oben beschriebene Scherkraft das Temperiergas während seines Flusses in Richtung unter den Lagerplatz 22 fördert.

[0020] Bei dem in der Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist zusätzlich zu der ersten Gasaustrittsöffnung 10 eine etwa in der Mitte des Lagerplatzes 22 angeordnete weitere Gasaustrittsöffnung 15 vorgesehen. Zusätzlich ist eine radial außerhalb des Lagerplatzes 2 beziehungsweise am radial äußeren Rand des Lagerplatzes 22 angeordnete weitere Gasaustrittsöffnung 18 vorgesehen, mit denen durch Einspeisen einer geeigneten Gasmischung oder eines geeigne ten Gasflusses das Temperaturprofil weiter beeinflusst werden kann. Auch diese weiteren Gasaustrittsöffnungen 15, 18 können auf einer Verbindungslinie des Zentrums des Lagerplatzes 22 mit der Drehachse A oder versetzt dazu an geordnet sein.

[0021] Die Figur 4 zeigt beispielhaft eine Variante einer Gestaltung der Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18. Sie sind als gekrümmte, geradlinig oder bogenförmig verlaufende Vertiefungen in der Unterseite 2" des Suszeptors 2 angeordnet. Die Vertiefungen erstrecken sich insbesondere in Umfangsrichtung um die Drehachse A. Sie können eine Länge besitzen, die sich etwa über den Kreissektor erstreckt, die der Lagerplatz 22 einnimmt.

[0022] Bei dem in den Figuren 6 bis 8 dargestellten dritten Ausführungs beispiel mündet eine Spülgasaustrittsöffnung 27 einer Spülgaszuleitung 28 in den Spalt 23 zwischen der Breitseitenfläche 22' des Suszeptors 2 und der Dicht platte 9. Durch die Spülgaszuleitung 28 kann ein Spülgas in den Spalt 23 einge speist werden, welches den Spalt in Radialrichtung durchströmt. Die Spülgas austrittsöffnung 27 ist radial einwärts gegenüber dem Lagerplatz 22 versetzt angeordnet, sodass das aus der Spülgasaustrittsöffnung 27 austretende Spülgas unter dem Lagerplatz 22 entlang fließt. Eine Gasaustrittsöffnung 10 zum Ein speisen eines weiteren Gases ist in der zur Dichtplatte 9 weisenden Breitseiten fläche 22' des Suszeptors 2 angeordnet. Durch die Gasaustrittsöffnung 10 kann ein Gas austreten, dessen Wärmeleitfähigkeit sich von der Wärmeleitfähigkeit des Gases unterscheidet, dass durch die Spülgasaustrittsöffnung 27 in den Spalt 23 eintritt. Durch eine Variation des Massenflusses zumindest eines der beiden Gase kann die Wärmeleitfähigkeit des Gases unterhalb des Lagerplatzes 22 ver ändert werden.

[0023] In dem in den Figuren 6 bis 8 dargestellten Ausführungsbeispiel ist unter jedem Lagerplatz auf der vom Lagerplatz 22 weg weisenden Breitseite 22' des Suszeptors 2 eine Ausnehmung 29 vorgesehen. Die Ausnehmung 29 besitzt eine Bodenfläche, die parallel zur Breitseitenfläche 22' des Suszeptors 2 ver läuft. Die Ausnehmung 29 ist zum Umfangsrand des Suszeptors 2 hin offen und besitzt zwei Wände, die sich im Wesentlichen in Radialrichtung erstrecken. Die Gasaustrittsöffnung 10 mündet radial innerhalb des Lagerplatzes 22 in die Ausnehmung 29. Das aus der Gasaustrittsöffnung 10 austretende Gas tritt in die Ausnehmung 29 und durchströmt die Ausnehmung 29 in Radialrichtung bis zu ihrer Öffnung, von wo aus das Gas in das Gasauslassorgan 7 strömt. Die beiden sich im Wesentlichen in Radialrichtung erstreckenden Seitenwände 29' der Ausnehmung 29 liegen außerhalb des Umfangs des Lagerplatzes 22. Der Boden 29" der Ausnehmung 29 besitzt einen Abstand von der die Ausnehmung 29 umgebenden Breitseitenfläche 22', der wesentlich kleiner ist, als die Hälfte der Materialstärke des Suszeptors 2 und insbesondere kleiner ist, als ein Viertel der Materialstärke des Suszeptors 2. Mit der Ausnehmung 29 wird der aus der Gas austrittsöffnung 10 austretende Gasstrom in einer Umfangszone gehalten, die sich unterhalb des Lagerplatzes 22 befindet. Die Wände 29' der Ausnehmung haben eine gasleitende Funktion. [0024] Die Heizeinrichtung 8 kann von ein oder mehreren spiralförmig verlau fenden Rohren gebildet sein, durch die eine Kühlflüssigkeit strömt. Es bildet sich ein Wärmefluss zwischen der heißen zweiten Breitseitenfläche 2" des Sus zeptors 2 und der kälteren Heizeinrichtung 8 aus. Die spiralförmig verlaufen- den Rohre bilden eine Spule, die ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt, das in dem elektrisch leitenden Suszeptor 2 Wirbelströme induziert, mit denen der Suszeptor 2 beheizt wird. Es können erste Zuleitungen vorgesehen sein, durch die ein Gasstrom hindurchströmt, der ein Gaspolster erzeugt, auf dem ein Substrathalter 3 schwebt. Die erfindungsgemäßen Zuleitungen sind zweite Zuleitungen, die von den ersten Zuleitungen getrennt und verschieden sind.

[0025] Die in der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 mündenden Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 sind unmittelbar mit den sich in Radialrich tung erstreckenden Zuleitungen 11, 16, 19 verbunden. Letztere sind wieder unmittelbar mit den sich im Schaft in Achsrichtung erstreckenden Zuleitungen 12, 17 und 20 verbunden, so dass der in die Zuleitungen 12, 17, 20 oder die

Zuleitungen 11, 16, 19 eingespeiste Gasstrom ausschließlich durch die Gasaus trittsöffnungen 10, 15 oder 18 in den Raum 23 zwischen Heizeinrichtung 8 und unterer Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 eintritt.

[0026] Während in die ersten Zuleitungen ein Spülgas zur Erzeugung des Gaspolsters einspeisbar ist, sind in die zweiten Zuleitungen Temperiergase ein- speisbar. Das in die ersten Zuleitungen eingespeiste Spülgas kann von einer ersten Gasquelle bereitgestellt werden. Das in die zweiten Zuleitungen ein- speisbare Temperiergas kann von einer von der ersten Gasquelle verschiedenen zweiten Gasquellen bereitgestellt werden. [0027] Die Erfindung betrifft somit auch eine Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse A drehantreibbaren Suszeptors 2 für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche 2", auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen 22 zur Aufnahme zu behandeln der Substrate 21 um die Drehachse A herum angeord net sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche 2 wegweisenden zweiten Breitseitenfläche 2", wobei jedem Lagerplatz 22 zumindest eine in der zweiten Breitseitenfläche 2" mündende Gasaustrittsöffnung 10, 15,18 räumlich zugeord net ist, gekennzeichnet durch eine durch einen Spalt 23 von der zweiten Breit seitenfläche 22' des Suszeptors 2 beabstandete Dichtplatte 9.

[0028] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu- mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombi nationen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0029] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass in der zweiten Breitseitenfläche 2 Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 vorgesehen sind, wobei jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 räum lich zugeordnet ist.

[0030] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 in der zweiten Breitseitenfläche 2 des Suszeptors 2 angeordnet sind und jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der Gasaustrittsöff- nungen 10, 15, 18 räumlich zugeordnet ist.

[0031] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 an geordneten Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 zugeordnet ist, durch welche ein Gasfluss strömt. [0032] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstands raum von einem Spalt 23 zwischen einer Dichtplatte 9 und der zweiten Breitsei tenfläche 2" des Suszeptors 2 gebildet ist und/ oder dass eine Dichtplatte 9 zwi schen Suszeptor 2 und Heizeinrichtung 8 sitzt.

[0033] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Suszeptor 2 gegenüber einer zwischen der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 und der Heizeinrichtung 8 sitzenden, gegenüber einem Gehäuse 1 ortsfesten Dichtplatte 9 drehangetrieben wird und das Gas in den von einem Spalt zwi schen der Dichtplatte 9 und der zweiten Breitseitenfläche 2 des Suszeptors 2 gebildeten Abstandsraum eingespeist wird.

[0034] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein in der Drehachse A angeordnetes Gaseinlassorgan 6 und ein ringförmiges, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor 2 angeordnetes Gas auslassorgan 7 vorgesehen sind und/ oder dass zumindest eine Gasaustrittsöff nung 10 zwischen Drehachse A und dem zugeordneten Lagerplatz 22 angeord net ist und/ oder dass jede Gasaustrittsöffnung 10, 15, 18 mit zumindest einer Zuleitung 11, 12, 16, 17, 19, 20 mit einer Einspeiseöffnung 13 strömungsverbun den ist, in die ein von einem Massenflusskontroller 25 individuell einstellbarer Gasfluss eines Temperiergases einspeisbar ist.

[0035] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mit einem in der Drehachse A angeordneten Gaseinlassorgan 6 ein Prozessgase enthaltender Gasstrom in die Prozesskammer 4 eingespeist wird, der in Radialrichtung durch die Prozesskammer 4 hindurchströmt und mittels eines ringförmigen, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor 2 angeordne ten Gasauslassorgan 7 abgeführt wird und/ oder dass das Gas mittels des Gas auslassorganes 7 abgeführt wird und/ oder dass der aus zumindest einer zwischen Drehachse A und zugeordnetem Lagerplatz 2 angeordneten Gasaus- trittsöffnung 10 austretender Gasfluss eines Temperiergases von einem Massen- flusskontr oller 25 individuell eingestellt wird und/ oder dass das Gas unter dem Lagerplatz 22 hindurchströmt.

[0036] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zwischen einer ersten, zwischen Drehachse A und Lagerplatz 22 angeordneten Gasaustrittsöff nung 10 und einem radial äußeren Rand des Suszeptors 2 zumindest eine zwei te Gasaustrittsöffnung 15, 18 angeordnet ist und/ oder dass eine zweite Gasaus trittsöffnung 15, 18 unterhalb des Lagerplatzes 22 oder zwischen Lagerplatz 22 und einem radial äußeren Rand des Suszeptors 2 angeordnet ist und/ oder dass die ersten und/ oder zweiten Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 von länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefungen in der zweiten Breitseitenfläche 2" gebildet sind und/ oder, dass sich eine die Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 ausbildende Vertiefung über einen den Lager platz 22 ausfüllenden Sektor erstreckt und/ oder ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleit fähigkeit unterscheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller 25 verteilt wird und/ oder dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen 22 räumlich zugeordneten Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 eingespeisten, die Gasflüsse bildenden Spülgase indi viduell einstellbar sind und/ oder dass in einen Spalt (23) zwischen Suszeptor (2) und einer Dichtplatte (9) radial einwärts des Lagerplatzes (22) eine Spül gasaustrittsöffnung (27) zum Einspeisen eines Spülgases in den Spalt (23) vor gesehen ist und/ oder dass die zur Heizeinrichtung (8) weisende Breitseiten fläche (2') des Suszeptors (2) eine sich über einen vom Lagerplatz (22) eingenommenen Sektor erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, in welche die Gasaustrittsöffnung (10) mündet. [0037] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein erster Gasfluss zwischen Drehachse A und Lagerplatz 22 und ein zweiter Gasfluss unterhalb eines Lagerplatzes 2 oder zwischen Lagerplatz 2 und einem äußeren Rand des Suszeptors 2 in den Abstandsraum eingespeist wird und/ oder dass der erste Gasfluss und/ oder der zweite Gasfluss mittels einer länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefung in die zweite Breitseitenfläche 2" eingespeist wird, und/ oder, dass sich die Vertiefung über einen den Lagerplatz 22 ausfüllenden Sektor erstreckt und/ oder ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfä higkeit unterscheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Llusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller 25 verteilt wird und/ oder dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen 22 räumlich zugeordneten Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 eingespeisten, die Gasflüsse bildenden Spülgase indi viduell einstellbar sind.

[0038] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, ins besondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck ent behrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt wer den können.

Liste der Bezugszeichen

1 Gehäuse 20 Zuleitung

2 Suszeptor 21 Substrat

2' Breitseitenfläche 22 Tasche, Lagerplatz 2" Breitseitenfläche 23 Spalt

3 Substrathalter 24 Drehantrieb

4 Prozesskammer 25 Massenflusskontroller

5 Prozesskammerdecke 26 Massenflusskontroller

6 Gaseinlassorgan 27 Spülgasaustrittsöffnung

7 Gasauslassorgan 28 Spülgaszuleitung

8 Heizeinrichtung 29 Ausnehmung

9 Dichtplatte 29' Seitenwand

10 Gasaustrittsöffnung A Drehachse

11 Zuleitung

12 Zuleitung

13 Einspeiseöffnung

14 Schaft

15 Gasaustrittsöffnung

16 Zuleitung

17 Zuleitung

18 Gasaustrittsöffnung

19 Zuleitung

Claims

Ansprüche

1. Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Sus zeptors (2) für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandeln der Substrate (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche (2') weg weisenden zweiten Breitseitenflä che (2"), wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine in der zweiten Breit seitenfläche (2") mündende Gasaustrittsöffnung (10, 15,18) räumlich zuge ordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (10,

15, 18) zwischen Drehachse (A) und dem zugeordneten Lagerplatz (22) angeordnet sind.

2. Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten (21) mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Sus- zeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behan delnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche weg weisenden zweiten Breit seitenfläche ( 2 "), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszep- tors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüber liegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) mündenden Gasaustritts öffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Ab standsraum, wobei die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche(2, 2') des Suszeptors (2) angeordnet und jeweils einem Lagerplatz (22) räumlich zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zwischen Drehachse (A) und dem zugeordneten Lagerplatz (22) angeordnet sind.

Verfahren zur thermischen Behandlung von Substraten (21), bei dem ein Suszeptor (2) um eine Drehachse (A) drehangetriebenen wird, auf einer zu einer Prozesskammer

(4) weisenden ersten Breitseitenfläche ( 2' ) eine Viel zahl von um die Drehachse (A) herum auf Lagerplätzen (22) angeordnete Substrate (21) trägt und mit einer Heizeinrichtung (8), die einer von der ersten Breitseitenfläche ( 2' ) wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2") gegenüberliegt, auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird, wobei in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) durch dort mündende Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) ein Gas eingespeist wird, wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) angeordneten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zuge ordnet ist, durch welche ein Gasfluss strömt, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) ein dem Lagerplatz (22) individuell eingestelltes Temperiergas fließt, mit dem ein Wärmefluss zwischen dem Lagerplatz (22) und der Heizeinrichtung (8) beeinflusst wird.

Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse A drehantreibbaren Sus zeptors (2) für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche (2¹), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen 22 zur Aufnahme zu behandeln der Substrate 21 um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche ( 2' ) wegweisenden zweiten Breitseiten fläche (2"), wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine in der zweiten Breitseitenfläche (2") mündende Gasaustrittsöffnung (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist, gekennzeichnet durch eine durch einen Spalt (23) von der zweiten Breitseitenfläche (22") des Suszeptors (2) beabstandete Dichtplatte

(9).

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (2) gegenüber einer zwischen der zweiten Breitseitenfläche (2") des Sus- zeptors (2) und der Heizeinrichtung (8) sitzenden, gegenüber einem

Gehäuse (1) ortsfesten Dichtplatte (9) drehangetrieben wird und das Gas in den von einem Spalt zwischen einer Dichtplatte (9) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) gebildeten Abstandsraum einge speist wird.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass ein in der Drehachse (A) angeordnetes Gaseinlass organ (6) und ein ringförmiges, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (2) angeordnetes Gasauslassorgan

(7) vorgesehen sind 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass jede Gasaustrittsöffnung (10, 15, 18) mit zumindest einer Zuleitung (11, 12, 16, 17, 19, 20) mit einer Einspeiseöffnung (13) strömungsverbunden ist, in die ein von einem Massenflusskontroller (25) individuell einstellbarer Gasfluss eines Temperiergases einspeisbar ist.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass mit einem in der Drehachse (A) angeordneten Gaseinlass organ (6) ein Prozessgase enthaltender Gasstrom in die Prozesskammer (4) eingespeist wird, der in Radialrichtung durch die Prozesskammer (4) hin durchströmt und mittels eines ringförmigen, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (2) angeordneten Gasauslassorgan (7) abgeführt wird.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass der aus zumindest einer zwischen Drehachse (A) und zuge- ordnetem Lagerplatz (2) angeordneten Gasaustrittsöffnung (10) austre tender Gasfluss eines Temperiergases von einem Massenflusskontroller (25) individuell eingestellt wird und/ oder dass das Gas unter dem Lager platz (22) hindurchströmt.

10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass zwischen einer ersten, zwischen Drehachse (A) und

Lagerplatz (22) angeordneten Gasaustrittsöffnung (10) und einem radial äußeren Rand des Suszeptors (2) zumindest eine zweite Gasaustrittsöff nung (15, 18) angeordnet ist und/ oder dass eine zweite Gasaustrittsöff nung (15, 18) unterhalb des Lagerplatzes (22) oder zwischen Lagerplatz (22) und einem radial äußeren Rand des Suszeptors (2) angeordnet ist.

11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die ersten und/ oder zweiten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) von länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefungen in der zweiten Breitseitenfläche (2") gebildet sind.

12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass sich eine die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) aus bildende Vertiefung über einen den Lagerplatz (22) ausfüllenden Sektor erstreckt.

13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfähigkeit unter- scheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller (25) verteilt wird.

14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen (22) räumlich zugeordneten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) eingespeis ten, die Gasflüsse bildenden Spülgase individuell einstellbar sind.

15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass in einen Spalt (23) zwischen Suszeptor (2) und einer Dichtplatte (9) radial einwärts des Lagerplatzes (22) eine Spülgasaustritts- Öffnung (27) zum Einspeisen eines Spülgases in den Spalt (23) vorgesehen ist.

16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die zur Heizeinrichtung (8) weisende Breitseitenfläche ( 2' ) des Suszeptors (2) eine sich über einen vom Lagerplatz (22) einge nommenen Sektor erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, in welche die Gasaustrittsöffnung (10) mündet.

17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass ein erster Gasfluss zwischen Drehachse (A) und Lagerplatz (22) und ein zweiter Gasfluss unterhalb eines Lagerplatzes (2) oder zwischen Lagerplatz (2) und einem äußeren Rand des Suszeptors (2) in den Abstandsraum eingespeist wird.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Gas fluss und/ oder der zweite Gasfluss mittels einer länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefung in die zweite Breitseitenfläche

(2") eingespeist wird.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Ver tiefung über einen den Lagerplatz (22) ausfüllenden Sektor erstreckt.

20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfähigkeit unter scheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller (25) verteilt wird.

21. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.