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WO2020170373A1 - 発光デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2020170373A1
WO2020170373A1 PCT/JP2019/006375 JP2019006375W WO2020170373A1 WO 2020170373 A1 WO2020170373 A1 WO 2020170373A1 JP 2019006375 W JP2019006375 W JP 2019006375W WO 2020170373 A1 WO2020170373 A1 WO 2020170373A1
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WO
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light emitting
light
light irradiation
electrode
ligand
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/006375
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
久保　真澄
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2019/006375 priority Critical patent/WO2020170373A1/ja
Priority to US17/431,666 priority patent/US11957037B2/en
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K2102/351—Thickness
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device including a light emitting element including a quantum dot.
  • Patent Document 1 discloses a method of forming a layer containing semiconductor nanoparticles (quantum dots) from a curable resin (photosensitive resin) in which the semiconductor nanoparticles are dispersed.
  • JP-A-2015-28139 Japanese Patent Laid-Open Publication
  • a quantum dot layer When forming a quantum dot layer from a photosensitive resin in which quantum dots are dispersed, it is difficult to obtain a quantum dot layer in which quantum dots are densely stacked.
  • a quantum dot layer having a low density of quantum dots is adopted as a functional layer of a light emitting device, for example, the luminous efficiency of the light emitting device may be reduced.
  • a method for manufacturing a light emitting device provides a substrate of a light emitting element including a first electrode, a second electrode, and a quantum dot layer between the first electrode and the second electrode.
  • a first solution containing a plurality of first quantum dots having a shell, a first ligand coordinate-bonded to each of the first quantum dots, and a first solvent is applied to a position overlapping with the substrate; 1 coating step, and subsequent to the 1st coating step, the 1st light irradiation using the 1st photomask is performed from above the substrate to the position where the 1st solution is coated, and the 1st light irradiation is performed. Forming a first exposed region where the first ligand is melted and the first solvent is vaporized, and a first non-exposed region different from the position exposed by the first light irradiation.
  • a first removing step of cleaning the upper layer of the substrate with the first solvent to remove the first solution in the first non-exposed region is provided.
  • FIG. 1A and 1B are a schematic top view and a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention, and a schematic enlarged view around a light emitting layer of the light emitting device.
  • 3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment of the invention.
  • 3 is a flowchart illustrating a method of forming a light emitting layer according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining each solution used in a light emitting layer forming step according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view for explaining a process for forming a light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is another process cross-sectional view for explaining the process of forming the light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is another process cross-sectional view for explaining the process of forming the light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is another process cross-sectional view for explaining the process of forming the light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is another process cross-sectional view for explaining the process of forming the light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and a schematic enlarged view around a light emitting layer of the light emitting device.
  • FIG. 6 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention, and a schematic enlarged view of the periphery of a light emitting
  • FIG. 1A is a schematic top view of the light emitting device 1 according to this embodiment.
  • 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1C is an enlarged cross-sectional view in the region B in FIG. 1B, that is, an enlarged cross-sectional view around the second light emitting layer 8G described later.
  • the light emitting device 1 includes a light emitting surface DS from which emitted light is extracted and a frame area NA surrounding the light emitting surface DS.
  • a terminal T to which a signal for driving a light emitting element of the light emitting device 1 described later is input may be formed.
  • the light emitting device 1 includes a light emitting element layer 2 and an array substrate 3 at a position overlapping the light emitting surface DS in a plan view.
  • the light emitting device 1 has a structure in which each layer of the light emitting element layer 2 is laminated on an array substrate 3 on which a TFT (Thin Film Transistor) (not shown) is formed.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the light emitting element layer 2 includes a first electrode 4, a first charge transport layer 6, a light emitting layer 8 which is a quantum dot layer, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12, which are sequentially stacked from the lower layer. And prepare for it.
  • the first electrode 4 of the light emitting element layer 2 formed on the upper layer of the array substrate 3 is electrically connected to the TFT of the array substrate 3.
  • the first electrode 4 is an anode and the second electrode 12 is a cathode.
  • the light emitting element layer 2 includes a first light emitting element 2R, a second light emitting element 2G, and a third light emitting element 2B.
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are QLED elements in which the light emitting layer 8 is provided with a semiconductor nanoparticle material, that is, a quantum dot material.
  • each of the first electrode 4, the first charge transport layer 6, and the light emitting layer 8 is separated by the edge cover 14.
  • the first electrode 4 is formed by the edge cover 14 so that the first electrode 4R for the first light emitting element 2R, the first electrode 4G for the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B.
  • the first charge transport layer 6 includes the edge cover 14 for the first charge transport layer 6R for the first light emitting element 2R, the first charge transport layer 6G for the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B.
  • the light emitting layer 8 is separated by the edge cover 14 into a first light emitting layer 8R, a second light emitting layer 8G, and a third light emitting layer 8B.
  • the edge cover 14 may be formed at a position that covers the side surface of the first electrode 4 and the vicinity of the peripheral edge of the upper surface.
  • the first light emitting element 2R includes the first electrode 4R, the first charge transport layer 6R, the first light emitting layer 8R, the second charge transport layer 10, and the second electrode 12.
  • the second light emitting element 2G includes a first electrode 4G, a first charge transport layer 6G, a second light emitting layer 8G, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the third light emitting element 2B includes a first electrode 4B, a first charge transport layer 6B, a third light emitting layer 8B, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the first light emitting layer 8R, the second light emitting layer 8G, and the third light emitting layer 8B are the red light which is the light of the first color and the light of the second color, respectively. It emits green light and blue light which is the light of the third color. That is, the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are light emitting elements that emit red light, green light, and blue light, which are lights of different colors, respectively. is there.
  • the blue light is, for example, light having an emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the green light is, for example, light having an emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and 600 nm or less.
  • the red light is, for example, light having an emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and 780 nm or less.
  • the first electrode 4 and the second electrode 12 include a conductive material, and are electrically connected to the first charge transport layer 6 and the second charge transport layer 10, respectively.
  • the electrode near the light emitting surface DS is a transparent electrode.
  • the array substrate 3 is a transparent substrate and the first electrode 4 is a transparent electrode.
  • the second electrode 12 may be a reflective electrode. Therefore, the light from the light emitting layer 8 passes through the first charge transport layer 6, the first electrode 4, and the array substrate 3, and is emitted from the light emitting surface DS to the outside of the light emitting device 1. Therefore, the light emitting device 1 is configured as a bottom emission type light emitting device. Since both the light emitted from the light emitting layer 8 in the upward direction and the light emitted in the downward direction can be used as the light emitted from the light emitting device 1, the light emitting device 1 can emit light emitted from the light emitting layer 8. The utilization efficiency of can be improved.
  • the configuration of the first electrode 4 and the second electrode 12 described above is an example, and may be made of another material.
  • the first charge transport layer 6 is a layer that transports charges from the first electrode 4 to the light emitting layer 8.
  • the first charge transport layer 6 may have a function of inhibiting the transport of charges from the second electrode 12.
  • the first charge transport layer 6 may be a hole transport layer that transports holes from the first electrode 4, which is an anode, to the light emitting layer 8.
  • the second charge transport layer 10 is a layer that transports charges from the second electrode 12 to the light emitting layer 8.
  • the second charge transport layer 10 may have a function of inhibiting the transport of charges from the first electrode 4.
  • the second charge transport layer 10 may be an electron transport layer that transports electrons from the second electrode 12 that is the cathode to the light emitting layer 8.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view in the region B of (b) of FIG. 1, that is, the periphery of the light emitting layer 8.
  • the specific configuration of the light emitting layer 8 will be described by taking each member of the first light emitting layer 8R, the second light emitting layer 8G, and the third light emitting layer 8B as an example.
  • FIG. 1C the aspect ratio of the region B is changed for illustration purposes.
  • the first light emitting layer 8R includes a plurality of first quantum dots 20R to which the first ligand 18R is coordinate-bonded.
  • the second light emitting layer 8G and the third light emitting layer 8B also include a plurality of second quantum dots 20G and a plurality of third quantum dots 20B to which the second ligand 18G and the third ligand 18B are coordinate-bonded, respectively.
  • Each of the first quantum dot 20R, the second quantum dot 20G, and the third quantum dot 20B absorbs light having a shorter wavelength than the wavelength of light emitted by itself.
  • each quantum dot described above absorbs ultraviolet light. Further, each quantum dot generates heat when absorbing light.
  • each of the first quantum dots 20R, the second quantum dots 20G, and the third quantum dots 20B has a core/shell structure.
  • the first quantum dot 20R includes a first core 22R and a first shell 24R that coats the periphery of the first core 22R.
  • the second quantum dot 20G includes a second core 22G and a second shell 24G that coats the periphery of the second core 22G
  • the third quantum dot 20B includes the third core 22B and the third core 22B.
  • a third shell 24B that coats the periphery of the.
  • Each of the first quantum dots 20R, the second quantum dots 20G, and the third quantum dots 20B may include a conventionally known quantum dot material.
  • the diameter RR of the first core 22R, the diameter RG of the second core 22G, and the diameter RB of the third core 22B are different from each other.
  • the diameter RG of the second core 22G which is the core at the position overlapping with the second light emitting element 2G that is the green light emitting element, is the core at the position overlapping with the first light emitting element 2R that is the red light emitting element, It is smaller than the diameter RR of the one core 22R.
  • the diameter RG of the second core 22G is larger than the diameter RB of the third core 22B, which is the core at the position overlapping the third light emitting element 2B which is the blue light emitting element.
  • Each of the first quantum dot 20R, the second quantum dot 20G, and the third quantum dot 20B may have a multi-shell structure in which a plurality of shells are provided around each core.
  • each of the first shell 24R, the second shell 24G, and the third shell 24B refers to the outermost shell of the plurality of shells.
  • the first quantum dots 20R, the second quantum dots 20G, and the third quantum dots 20B are adjusted.
  • the diameters may be substantially the same. Accordingly, when the first quantum dots 20R, the second quantum dots 20G, and the third quantum dots 20B are laminated in the same number, the total film thickness of the respective quantum dot layers can be approximately equalized.
  • the first ligand 18R, the second ligand 18G, and the third ligand 18B are coordinate-bonded to the respective quantum dots on the outer surfaces of the first shell 24R, the second shell 24G, and the third shell 24B, and the respective quantum dots. You may fill the space in between.
  • the first ligand 18R, the second ligand 18G, and the third ligand 18B may be the same, and conventionally known ligands can be adopted, for example, TOPO (trioctylphosphine oxide).
  • the quantum dots in each of the light emitting layers 8 may be in contact with each other through the shell and may be aligned and stacked.
  • the present invention is not limited to this, and each of the light emitting layers 8 may have quantum dots that are not in contact with each other.
  • each of the light emitting layers 8 may have a structure in which quantum dots are dispersed in a ligand.
  • FIG. 2 is a flowchart for explaining the method of manufacturing the light emitting device 1 according to this embodiment.
  • an array substrate is formed (step S1).
  • the formation of the array substrate may be performed by forming a plurality of TFTs on the substrate in accordance with the positions of the sub pixels.
  • the first electrode 4 is formed (step S2).
  • the first electrode 4 may be formed for each sub-pixel by forming a conductive transparent electrode material such as ITO by sputtering and then patterning it according to the shape of the sub-pixel. Good.
  • the transparent electrode material may be vapor-deposited using a vapor deposition mask to form the first electrode for each sub-pixel.
  • the edge cover 14 is formed (step S3).
  • the edge cover 14 is applied on the array substrate 3 and the first electrode 4 and then patterned between the adjacent first electrodes 4 leaving a position covering the side surface and the peripheral end of the first electrode 4. It may be obtained by The patterning of the edge cover 14 may be performed by photolithography.
  • the first charge transport layer 6 is formed (step S4).
  • the first charge transport layer 6 may be formed for each sub-pixel by separate coating by an inkjet method, vapor deposition using a mask, or patterning using photolithography.
  • step S5 the light emitting layer 8 is formed.
  • the process of forming the light emitting layer 8 will be described in more detail with reference to FIG.
  • FIG. 3 is a flow chart for explaining the light emitting layer forming step, which is the quantum dot layer forming step in the present embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the configurations of the first solution 26R, the second solution 26G, and the third solution 26B.
  • the first solution 26R includes a plurality of first quantum dots 20R each coordinated with a first ligand 18R and a first solvent 28R in which the first quantum dots 20R are dispersed.
  • the second solution 26G includes the second ligand 18G, the second quantum dot 20G, and the second solvent 28G
  • the third solution 26B includes the third ligand 18B, the third quantum dot 20B, and the third solvent 18G. 3 solvent 28B.
  • the first solvent 28R, the second solvent 28G, and the third solvent 28B may be the same, or a conventionally known organic solvent can be adopted, and for example, hexane may be used.
  • step S10 Each step of the light emitting layer forming step following step S10 will be described with reference to process sectional views shown in FIGS. 5 to 9.
  • 5 to 9 show cross-sectional views of the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B at positions corresponding to the respective ones.
  • step S10 Up to the light emitting layer forming step, as shown in FIG. 5A, up to the first charge transport layer 6 is formed on the array substrate 3. Subsequent to step S10, as a first coating step, a first coating step is performed in which the first solution 26R shown in FIG. 5B is coated at a position overlapping the array substrate 3 (step S11).
  • each of the first electrode 4R corresponding to the first light emitting element 2R, the first electrode 4G corresponding to the second light emitting element 2G, and the first electrode 4B corresponding to the third light emitting element 2B is superposed.
  • the first solution 26R is applied to the position to be applied.
  • the first photomask M1 is installed above the array substrate 3.
  • the first photomask M1 includes a shielding portion that shields light and an opening that transmits light.
  • the shielding unit preferably has a function of shielding ultraviolet rays.
  • the openings are formed so that the openings are formed only at the positions overlapping the first electrodes 4R corresponding to the first light emitting elements 2R. Has been done. That is, as shown in FIG. 5C, when the first photomask M1 is installed above the array substrate 3, the first photomask M1 is located above the first electrode 4R and above the first solution 26R. It is shielded by the shield portion of M1.
  • a first light irradiation step of performing first light irradiation is carried out with the first photomask M1 installed above the array substrate 3 (step S12).
  • the first light irradiation can be performed by irradiating the first solution 28 on the array substrate 3 with light such as ultraviolet rays from above the first photomask M1 as shown in FIG. 5D.
  • the first exposure area L1 which is an area irradiated with light is formed at a position overlapping the opening of the first photomask M1. ..
  • a region different from the region irradiated with the light that is, the first non-exposed region N1 that is a region not irradiated with the light is formed at a position overlapping with the shielding portion of the first photomask M1.
  • the first quantum dots 20R contained in the first solution 26R at the position overlapping with the first exposure region L1 absorbs the irradiated light. , Fever.
  • the temperature around the first quantum dots 20R exceeds the melting point of the first ligand 18R and the boiling point of the first solvent 28R.
  • melting of the first ligand 18R and vaporization of the first solvent 28R occur only at a position overlapping the first exposure region L1. Therefore, the first solvent 28R is removed at the position overlapping with the first exposure region L1 in the first light irradiation step, and the first quantum dots 20R are dispersed in the melted first ligand 18R.
  • the melting point of TOPO is 50 to 54 degrees Celsius
  • the boiling point of hexane is 68.5 to 69.1 degrees Celsius. Therefore, when the first ligand 18R is TOPO and the first solvent 28R is hexane, the melting point of the first ligand 18R is equal to or lower than the boiling point of the first solvent 28R. Therefore, in the first light irradiation step, the first solvent 28R is vaporized after the first ligand 18R is melted.
  • the solid first ligand 18R is surrounded by the solid first ligand 18R in the upper layer of the first charge transport layer 6.
  • An aggregate of the first quantum dots 20R attached to is formed. Since the aggregate is unstable as a film, it may be a cause of film peeling of the aggregate. Therefore, in the first light irradiation step, from the viewpoint of forming a stable film including the first quantum dots 20R, it is preferable that the first solvent 28R be vaporized after the melting of the first ligand 18R.
  • the material for each of the first ligand 18R and the first solvent 28R is selected such that the melting point of the first ligand 18R is higher than the boiling point of the first solvent 28R in the present embodiment. Good.
  • the first solvent 28R is vaporized before the first ligand 18R is melted.
  • step S13 the stacking of the first quantum dots 20R in which the first ligands 18R are coordinated is completed, and the first light emitting layer 8R shown in FIG. 6A is obtained.
  • a first removing step is performed to remove the first photomask M1 and remove the first solution 26R at a position overlapping the first non-exposed region N1 (step S14).
  • the first removal step is performed, for example, by washing the upper layer of the array substrate 3 with the first solvent 28R.
  • the first light emitting layer 8R has a structure in which the first quantum dots 20R are included in the solidified first ligand 18R, the first light emitting layer 8R is not removed even by washing with the first solvent 28R.
  • FIG. 6B only the first solution 26R is removed from the upper layer of the array substrate 3. With the above, the process of forming the first light emitting layer 8R is completed.
  • the first solvent 28R used for cleaning is the same as the first solvent 28R contained in the first solution 26R. Therefore, it is possible to use the first solution 26R removed in the first removing step in the first applying step when manufacturing another light emitting device 1. Therefore, when manufacturing the plurality of light emitting devices 1 each including the first light emitting layer 8R, it is possible to reduce the total amount of the first solution 26R that is required, and it is possible to reduce an increase in manufacturing cost.
  • the first solvent 28R is highly compatible with the first ligand 18R. Therefore, by using the first solvent 28R for cleaning the first solution 26R, the first ligand 18R and the first quantum dot 20R are compared with cleaning by a developer for peeling the film containing the photosensitive material. The damage to the can be reduced. Therefore, by cleaning the first solution 26R by the above-described method, it is possible to reduce damage to the first light emitting layer 8R, which in turn can reduce a decrease in light emission efficiency of the first light emitting layer 8R.
  • a second coating step is performed in which the second solution 26G shown in FIG. 6C is coated at a position overlapping the array substrate 3 (step S15).
  • the second applying step is performed by the same method as the first applying step except that the solution to be applied is the second solution 26G instead of the first solution 26R.
  • the second photomask M2 is installed above the array substrate 3 so as to overlap with it.
  • the second photomask M2 is formed so that when the second photomask M2 is installed above the array substrate 3, the second photomask M2 is formed so that the opening is formed only at a position overlapping the second electrode 4G corresponding to the second light emitting element 2G.
  • the second photomask M2 has the same configuration as the first photomask M1. That is, as shown in FIG. 7A, when the second photomask M2 is installed above the array substrate 3, the second photomask M2 is located above the second electrode 4G at a position not overlapping the second electrode 4G. It is shielded by the shield portion of M2.
  • a second light irradiation step is performed in which the second light irradiation is performed with the second photomask M2 installed above the array substrate 3 (step S16).
  • the second light irradiation is the same as the first light irradiation, except that the photomask installed above the array substrate 3 is the second photomask M2 instead of the first photomask M1. To be executed.
  • the second exposure area L2 which is an area irradiated with the light
  • the second exposure area L2 which is an area irradiated with the light
  • a region different from the region irradiated with the light that is, the second non-exposed region N2 that is a region not irradiated with the light is formed at a position overlapping with the shielding portion of the second photomask M2.
  • the second quantum dots 20G contained in the second solution 26G at the position overlapping with the second exposure region L2, that is, the position overlapping with the second electrode 4G absorbs the irradiated light. , Fever.
  • the temperature around the second quantum dots 20G exceeds the melting point of the second ligand 18G and the boiling point of the second solvent 28G.
  • the second ligand 18G is melted and the second solvent 28G is vaporized only at the position overlapping with the second exposure region L2. Therefore, the second solvent 28G is removed at the position overlapping with the second exposure region L2 in the second light irradiation step, and the second quantum dots 20G are dispersed in the melted second ligand 18G.
  • Second melting where second light irradiation is stopped and second ligand 18G is solidified at the time when melting of second ligand 18G and vaporization of second solvent 28G are completed at a position overlapping second exposure region L2 A process is implemented (step S17).
  • step S17 the stacking of the second quantum dots 20G, in which the second ligands 18G are respectively coordinated, is completed, and the second light emitting layer 8G shown in FIG. 7C is obtained.
  • a second removing step of removing the second photomask M2 and removing the second solution 26G at a position overlapping the second non-exposed region N2 is performed (step S18).
  • the second removal step is performed, for example, by washing the upper layer of the array substrate 3 with the second solvent 28G, as in the first removal step.
  • FIG. 8A only the second solution 26G is removed from the upper layer of the array substrate 3.
  • the third coating step shown in FIG. 8B is applied to the position where the third solution 26B overlaps the array substrate 3 (step S19).
  • the third coating step is performed by the same method as that of the first coating step, except that the solution to be coated is the third solution 26B instead of the first solution 26R.
  • a third photomask M3 is installed above the array substrate 3.
  • the third photomask M3 is formed above the array substrate 3 so that the opening is formed only at the position where the third photomask M3 overlaps the third electrode 4B corresponding to the third light emitting element 2B. Has been done. Except for this point, the third photomask M3 has the same configuration as the first photomask M1. That is, as shown in FIG. 8C, when the third photomask M3 is installed above the array substrate 3, the third photomask M3 is located above the third electrode 4B and above the third solution 26B. It is shielded by the shield portion of M3.
  • a third light irradiation step of performing third light irradiation is performed in a state where the third photomask M3 is installed above the array substrate 3 (step S20).
  • the third light irradiation is performed in the same manner as the first light irradiation, except that the photomask installed above the array substrate 3 is the third photomask M3 instead of the first photomask M1. To be executed.
  • the third exposure area L3, which is an area irradiated with the light is formed at a position overlapping the opening of the third photomask M3. .
  • a region different from the region irradiated with the light that is, a third non-exposed region N3 that is a region not irradiated with the light is formed at a position overlapping with the shielding portion of the third photomask M3.
  • the temperature around the third quantum dots 20B exceeds the melting point of the third ligand 18B and the boiling point of the third solvent 28B.
  • melting of the third ligand 18B and vaporization of the third solvent 28B occur only at a position overlapping the third exposure region L3. Therefore, the third solvent 28B is removed at the position overlapping the third exposure region L3 in the third light irradiation step, and the third quantum dots 20B are dispersed in the melted third ligand 18B.
  • step S21 the stacking of the third quantum dots 20B in which the third ligands 18B are coordinated is completed, and the third light emitting layer 8B shown in FIG. 9B is obtained.
  • step S22 a third removal step is performed.
  • the third removing step is performed, for example, by washing the upper layer of the array substrate 3 with the third solvent 28B, similarly to the first removing step.
  • the step of forming the third light emitting layer 8B is completed.
  • the step of forming the light emitting layer 8 shown in FIG. 9C is completed.
  • each solution is separated by the edge cover 14 in each coating process.
  • each light irradiation step it is possible to reduce the flow of the solution in the non-exposed region adjacent to the exposed region onto the already formed light emitting layer.
  • the edge cover 14 does not need to be formed to a height at which each solution can be divided, as long as the edge cover 14 covers the edge of the first electrode 4. Good.
  • the second charge transport layer 10 is formed (step S6).
  • the second charge transport layer 10 may be applied and formed by spin coating or the like in common to all the sub-pixels.
  • the second electrode 12 is formed (step S7).
  • the second electrode 12 may be formed in common by all the sub-pixels by vapor deposition or the like. As described above, the light emitting element layer 2 is formed on the array substrate 3, and the light emitting device 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the quantum dots in the solution are irradiated with light in each light irradiation step to cause melting of the ligand and vaporization of the solvent to stack the quantum dots. Therefore, the volume of the solvent in which the quantum dots are dispersed is smaller than that in the case where the photosensitive material in which the quantum dots are dispersed is irradiated with light to stack the quantum dots.
  • the quantum dot layer forming step in this embodiment it is possible to form a quantum dot layer having a high quantum dot density only at a specific position by partial exposure. Therefore, even when partial exposure is adopted, the density of quantum dots in the quantum dot layer of the light emitting device 1 in the present embodiment can be sufficiently improved. Consequently, in the light emitting device 1 according to the present embodiment, when the quantum dot layer described above is adopted as the functional layer of the light emitting element, the light emitting efficiency of the light emitting element can be improved.
  • the diameter RG of the second core 22G is smaller than the diameter RR of the first core 22R and larger than the diameter RB of the third core 22B.
  • the thickness of the shell is adjusted in all the quantum dots and the sizes of all the quantum dots are approximately the same among the respective emission colors.
  • the light irradiation amount to the second quantum dots 20G is smaller than the light irradiation amount to the first quantum dots 20R, and the light irradiation amount to the first quantum dots 20G is smaller. Greater than.
  • the energy of the light irradiation required to heat the second quantum dots 20G is larger than the energy of the light irradiation necessary to heat the first quantum dots 20R, and the energy of the light irradiation necessary to heat the first quantum dots 20G. Smaller than. As described above, the energy of light irradiation required to heat the quantum dots differs depending on the difference in emission color.
  • the irradiation energy in each of the first light irradiation, the second light irradiation, and the third light irradiation be different from each other.
  • the irradiation energy of light irradiation on the second exposure area L2 which is the exposure area corresponding to the green light emitting element, is higher than the irradiation energy of light irradiation on the first exposure area L1, which is the exposure area corresponding to the red light emitting element. It is preferably large.
  • the irradiation energy of the light irradiation on the second exposure area L2 is smaller than the irradiation energy of the light irradiation on the third exposure area L3, which is the exposure area corresponding to the blue light emitting element.
  • the light emitting layer 8 is formed after the array substrate 3, the first electrode 4, the edge cover 14, and the first charge transport layer 6 are formed.
  • the heating for forming the light emitting layer 8 is realized by the heat generation of the quantum dots by the light irradiation. Therefore, local heating of the light emitting layer 8 is realized. Therefore, the array substrate 3, the first electrode 4, the edge cover 14, and the first charge transport layer 6 do not necessarily have to have high heat resistance against heating in the light irradiation step described above. Therefore, the array substrate 3, the first electrode 4, the edge cover 14, and the first charge transport layer 6 may include conventionally known materials.
  • the array substrate 3 may be, for example, a glass substrate containing alkali glass or the like. Further, the array substrate 3 may be an organic substrate containing an organic material such as polyimide. Further, the array substrate 3 may be provided with a flexible material such as PET, and the flexible light emitting device 1 may be realized.
  • the first electrode 4 is an anode
  • ITO is generally used for the first electrode 4.
  • the first charge transport layer 6 is a hole transport layer, it may contain an inorganic material such as NiO, MgNiO, Cr 2 O 3 , Cu 2 O, or LiNbO 3 .
  • edge cover 14 an organic material is generally used for the edge cover 14 in order to achieve a shape having a certain height and inclination.
  • the edge cover 14 may include polyimide or the like.
  • the second charge transport layer 10 may include a material used for a conventionally known electron transport layer
  • the second electrode 12 may include a material used for a conventionally known cathode. Good.
  • FIG. 10A is a schematic top view of the light emitting device 1 according to this embodiment.
  • 10B is a sectional view taken along the line AA in FIG. 10C is an enlarged cross-sectional view of the region B in FIG. 10B.
  • the light emitting device 1 according to this embodiment has the same configuration as the light emitting device 1 according to the previous embodiment, except that the stacking order of the layers of the light emitting element layer 2 is reversed. Good. That is, in the light emitting element layer 2 according to the present embodiment, the second charge transport layer 10, the light emitting layer 8, the first charge transport layer 6, and the first electrode 4 are formed on the second electrode 12 from the lower layer. Prepared by sequentially stacking.
  • each of the second electrode 12 and the second charge transport layer 10 is separated by the edge cover 14.
  • the second electrode 12 is formed by the edge cover 14 into the second electrode 12R for the first light emitting element 2R, the second electrode 12G for the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B.
  • the second charge transport layer 10 is provided by the edge cover 14 for the second charge transport layer 10R for the first light emitting element 2R, the second charge transport layer 10G for the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B. Of the second charge transport layer 10B.
  • first charge transport layer 6 and the first electrode 4 are not separated by the edge cover 14 but are formed in common as compared with the light emitting element 1 according to the previous embodiment.
  • the first electrode 4 may be a transparent electrode and the second electrode 12 may be a reflective electrode. Therefore, the light from the light emitting layer 8 passes through the first charge transport layer 6 and the first electrode 4, and is emitted from the light emitting surface DS to the outside of the light emitting device 1. Therefore, the light emitting device 1 is configured as a top emission type light emitting device. Therefore, in this embodiment, the array substrate 3 does not necessarily have to be a transparent substrate.
  • the light emitting device 1 performs the steps shown in FIG. 2 in the same order as in the previous embodiment in the order of step S1, step S7, step S3, step S6, step S5, step S4, and step S2. Can be manufactured by. Therefore, in this embodiment, the light emitting layer 8 is formed after the array substrate 3, the second electrode 12, the edge cover 14, and the second charge transport layer 10 are formed.
  • the second electrode 12 has a function of reflecting the light emitted in each light irradiation described above. It is preferable.
  • the light irradiation step in the present embodiment can reduce the intensity of light irradiation necessary for irradiating the quantum dots with sufficient light, as compared with the light irradiation step in the previous embodiment.
  • the second electrode 12 may include at least a reflective metal thin film on its surface.
  • the second electrode 12 may include a metal such as Al or Ag, or an intermetallic compound such as AgMg.
  • the top emission type light emitting device 1 is manufactured by reversing the formation order of the light emitting element layer 2 from the previous embodiment.
  • the present invention is not limited to this, and in the present embodiment, the light emitting element layer 2 may be formed in the same formation order as in the previous embodiment to manufacture the top emission type light emitting device 1.
  • the top emission type light emitting device 1 can be manufactured by forming the first electrode 4 as a reflection electrode including a reflective metal thin film on at least the surface and forming the second electrode 12 as a transparent electrode. ..
  • FIG. 11A is a schematic top view of the light emitting device 1 according to this embodiment.
  • 11B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 11A.
  • 11C is an enlarged cross-sectional view of the region B in FIG. 11B.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 1 according to the first embodiment, except that the first electrode 4 has the oxide semiconductor film 4A on the surface on the light emitting layer 8 side. May be.
  • each first electrode 4 is provided with the oxide semiconductor film 4A on the surface.
  • the oxide semiconductor film 4A may include, for example, a transparent oxide semiconductor such as ITO.
  • the oxide semiconductor film 4A has a function of absorbing light and generating heat.
  • the first electrode 4 has a thin film of the oxide semiconductor film 4A on the surface is illustrated, but the present invention is not limited to this.
  • the entire first electrode 4 may be made of the same material as the oxide semiconductor film 4A.
  • the light emitting device 1 according to this embodiment is manufactured by the same method as the method for manufacturing the light emitting device 1 according to the above-described embodiments.
  • the manufacturing method of the light emitting device 1 according to the present embodiment is different from the manufacturing methods of the light emitting device 1 according to the above-described embodiments only in the mechanism of heating the periphery of the quantum dot.
  • each light irradiation step the oxide semiconductor film 4A is heated by absorbing the light with which the oxide semiconductor film 4A is irradiated. Therefore, in each light irradiation step, heat from the oxide semiconductor film 4A that absorbs light and generates heat is propagated to the applied solution, so that the ligand contained in the solution is melted and the solvent is vaporized. ..
  • the density of the quantum dots in the quantum dot layer can be increased, and the light emission efficiency of the light emitting device 1 can be improved.
  • the light absorption rate of the oxide semiconductor is much higher than that of the quantum dots.
  • the quantum dots convert some of the energy of the absorbed light into light again, while the oxide semiconductor converts most of the energy of the absorbed light into heat. Therefore, as compared with the case where the quantum dots directly absorb light to generate heat, the light irradiation step according to the present embodiment can heat the surroundings of the quantum dots more efficiently.
  • heating around the quantum dots may be performed by using heat generated by the quantum dots absorbing light.
  • the edge cover 14 and the first charge transport layer 6 are formed, and then the light emitting layer 8 is formed. Therefore, in the process of forming the light emitting layer 8, heat from the oxide semiconductor film 4A propagates to the first electrode 4, the edge cover 14, and the first charge transport layer 6. Therefore, it is preferable that the first electrode 4, the edge cover 14, and the first charge transport layer 6 include a material having heat resistance against heating in the light irradiation step described above.
  • the first electrode 4 is an anode
  • ITO is generally used for the first electrode 4. ITO is preferable because it absorbs ultraviolet light and has a high transmittance for visible light. Further, in order to reduce the increase in the specific resistance due to the heating in the above heating step, the first electrode 4 preferably contains a material having high heat resistance such as a composite material of FTO and ITO.
  • the order of forming the light emitting element layers 2 may be reversed. That is, the light emitting element layer 2 may form a top emission type light emitting element, and the second electrode 12 may be a cathode.
  • the light emitting layer 8 is formed after the array substrate 3, the second electrode 12, the edge cover 14, and the second charge transport layer 10 are formed.
  • the second electrode 12, the edge cover 14, and the second charge transport layer 10 include a material having heat resistance against heating in the light irradiation step described above.
  • the quantum dot layer including the quantum dots is the light emitting layer 8
  • the present invention is not limited to this, and for example, the first charge transport layer 6 or the second charge transport layer 10 may be a quantum dot layer including quantum dots.
  • the quantum dot may be provided with a function of transporting carriers.
  • the density of the quantum dots in each charge transporting layer is improved as compared with the conventional charge transporting layer containing quantum dots, so that the efficiency of carrier transport in each charge transporting layer is improved, and as a result, the light emitting device 1 Leads to an improvement in luminous efficiency.
  • Each charge transport layer including the quantum dots described above can also be formed by the same method as the quantum dot layer forming step in each embodiment.
  • the configuration of the light emitting device 1 is described by exemplifying a display device including a plurality of light emitting elements and having the display surface DS.
  • the light emitting device 1 according to each of the above-described embodiments is not limited to this, and may be a light emitting device including a single light emitting element.
  • Light-Emitting Device Light-Emitting Element Layer 2R/G/B First to Third Light-Emitting Element 4 First Electrode 4A Oxide Semiconductor Film 6 First Charge Transport Layer 8 Light-Emitting Layer (Quantum Dot Layer) 8R•G•B 1st to 3rd light emitting layer 10 2nd charge transport layer 12 2nd electrode 18R•G•B 1st to 3ligand 20R•G•B 1st to 3th quantum dot 22R•G•B 1st to 3 cores 24R/G/B 1 to 3 shells 26R/G/B 1 to 3 solutions 28R/G/B 1 to 3 solvents L1 to L3 1 to 3 exposure regions N1 to L3 1 to 3 non-exposure Regions M1 to M3 First to third photomasks

Landscapes

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Abstract

発光デバイス（１）は、第１電極（４）と、第２電極（１２）と、前記第１電極および前記第２電極の間の量子ドット層（８）とを含む発光素子（２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）を基板（３）上に備える。前記量子ドット層は、コア（２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ）および該コアを被膜するシェル（２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ）を備えた量子ドット（２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂ）と、前記量子ドットと配位結合するリガンド（１８Ｒ・１８Ｇ・１８Ｂ）とを備える。前記量子ドット層の形成工程において、フォトマスクを用いた光照射によって、前記リガンドが溶融し、かつ前記リガンドが分散する溶液の溶媒が気化する露光領域と、前記光照射が実施される位置とは異なる非露光領域とを形成する光照射工程を備える。

Description

発光デバイスの製造方法
　本発明は、量子ドットを含む発光素子を備えた発光デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１は、半導体ナノ粒子（量子ドット）を含む層を、当該半導体ナノ粒子が分散する硬化性樹脂（感光性樹脂）から形成する手法を開示している。
日本国公開特許公報「特開２０１５－２８１３９号」
　量子ドットが分散する感光性樹脂から量子ドット層を形成する場合、量子ドットが密に積層した量子ドット層を得ることが困難である。このような、量子ドットの密度が低い量子ドット層を、例えば、発光デバイスの機能層として採用した場合、当該発光デバイスの発光効率が低減する場合がある。
　上記課題を解決するために、本発明の発光デバイスの製造方法は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間の量子ドット層とを含む発光素子を基板上に備えた発光デバイスの製造方法であって、前記量子ドット層を形成する量子ドット層形成工程を備え、前記量子ドット層形成工程は、第１コアと、該第１コアを被膜する第１シェルとを備えた複数の第１量子ドットと、該第１量子ドットのそれぞれと配位結合する第１リガンドと、第１溶媒とを含む第１溶液を前記基板と重畳する位置に塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程に次いで、前記第１溶液が塗布された前記位置に、前記基板の上方から、第１フォトマスクを用いた第１光照射を行い、前記第１光照射によって露光され、前記第１リガンドが溶融し、かつ、前記第１溶媒が気化する第１露光領域と、前記第１光照射によって露光される位置とは異なる第１非露光領域とを形成する第１光照射工程と、前記第１光照射工程に次いで、前記第１量子ドットの温度を前記第１リガンドの融点以下に冷却し、前記第１リガンドを固化させる第１冷却工程と、前記第１冷却工程に次いで、前記基板の上層を前記第１溶媒にて洗浄し、前記第１非露光領域における前記第１溶液を除去する第１除去工程を備える。
　上記構成により、特定の位置のみに、量子ドットの密度がより高い量子ドット層を備えた発光デバイスを製造できる。
本発明の実施形態１に係る発光デバイスの概略上面図および概略断面図、ならびに当該発光デバイスの発光層周辺の概略拡大図である。 本発明の実施形態１に係る発光デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程において使用される各溶液を説明するための概略図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程を説明するための他の工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程を説明するための他の工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程を説明するための他の工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成工程を説明するための他の工程断面図である。 本発明の実施形態２に係る発光デバイスの概略上面図および概略断面図、ならびに当該発光デバイスの発光層周辺の概略拡大図である。 本発明の実施形態３に係る発光デバイスの概略上面図および概略断面図、ならびに当該発光デバイスの発光層周辺の概略拡大図である。
　〔実施形態１〕
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略上面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）における、Ａ－Ａ線矢視断面図である。図１の（ｃ）は、図１の（ｂ）における、領域Ｂにおける拡大断面図、すなわち、後述する第２発光層８Ｇの周辺における拡大断面図である。
　図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光デバイス１は、発光が取り出される発光面ＤＳと、当該発光面ＤＳの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、後に詳述する発光デバイス１の発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されていてもよい。
　平面視において発光面ＤＳと重畳する位置において、図１の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光デバイス１は、発光素子層２とアレイ基板３とを備える。発光デバイス１は、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたアレイ基板３上に、発光素子層２の各層が積層された構造を備える。なお、本明細書においては、発光デバイス１の発光素子層２からアレイ基板３への方向を「下方向」、発光デバイス１の発光素子層２から発光面ＤＳへの方向を「上方向」として記載する。
　発光素子層２は、第１電極４上に、第１電荷輸送層６と、量子ドット層である発光層８と、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とを、下層から順次積層して備える。アレイ基板３の上層に形成された発光素子層２の第１電極４は、アレイ基板３のＴＦＴと電気的に接続されている。本実施形態において、例えば、第１電極４は陽極であり、第２電極１２は陰極である。
　本実施形態において、発光素子層２は、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとを備える。第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、発光層８に、半導体ナノ粒子材料、すなわち、量子ドット材料を備えた、ＱＬＥＤ素子である。
　ここで、第１電極４、第１電荷輸送層６、および発光層８のそれぞれは、エッジカバー１４によって分離されている。特に、本実施形態においては、第１電極４は、エッジカバー１４によって、第１発光素子２Ｒ用の第１電極４Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第１電極４Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第１電極４Ｂに分離されている。また、第１電荷輸送層６は、エッジカバー１４によって、第１発光素子２Ｒ用の第１電荷輸送層６Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第１電荷輸送層６Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第１電荷輸送層６Ｂに分離されている。さらに、発光層８は、エッジカバー１４によって、第１発光層８Ｒ、第２発光層８Ｇ、および第３発光層８Ｂに分離されている。
　なお、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とは、エッジカバー１４によって分離されず、共通して形成されている。エッジカバー１４は、図１の（ｂ）に示すように、第１電極４の側面と上面の周囲端部付近とを覆う位置に形成されていてもよい。
　本実施形態において、第１発光素子２Ｒは、第１電極４Ｒ、第１電荷輸送層６Ｒと、第１発光層８Ｒと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。また、第２発光素子２Ｇは、第１電極４Ｇと、第１電荷輸送層６Ｇと、第２発光層８Ｇと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。さらに、第３発光素子２Ｂは、第１電極４Ｂと、第１電荷輸送層６Ｂと、第３発光層８Ｂと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。
　本実施形態においては、第１発光層８Ｒと、第２発光層８Ｇと、第３発光層８Ｂとは、それぞれ、第１の色の光である赤色光と、第２の色の光である緑色光と、第３の色の光である青色光とを発する。すなわち、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、それぞれ、互いに異なる色の光である、赤色光と、緑色光と、青色光とを発する発光素子である。
　ここで、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、赤色光とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。
　第１電極４および第２電極１２は導電性材料を含み、それぞれ、第１電荷輸送層６および第２電荷輸送層１０と電気的に接続されている。第１電極４と第２電極１２とのうち、発光面ＤＳに近い電極は透明電極である。
　特に、本実施形態において、アレイ基板３は透明基板であり、第１電極４は透明電極である。また、第２電極１２は反射電極であってもよい。このため、発光層８からの光は、第１電荷輸送層６、第１電極４、およびアレイ基板３を透過して、発光面ＤＳから発光デバイス１の外部に出射される。このため、発光デバイス１は、ボトムエミッション型の発光デバイスとして構成されている。発光層８から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、発光デバイス１からの発光として利用可能であるため、発光デバイス１は、発光層８から発せられた光の利用効率を向上させることができる。
　なお、上述した第１電極４と第２電極１２との構成は一例であり、別の材料によって構成されていてもよい。
　第１電荷輸送層６は、第１電極４からの電荷を発光層８へと輸送する層である。第１電荷輸送層６は、第２電極１２からの電荷の輸送を阻害する機能を有していてもよい。本実施形態においては、第１電荷輸送層６は、陽極である第１電極４からの正孔を発光層８へと輸送する正孔輸送層であってもよい。
　第２電荷輸送層１０は、第２電極１２からの電荷を発光層８へと輸送する層である。第２電荷輸送層１０は、第１電極４からの電荷の輸送を阻害する機能を有していてもよい。本実施形態においては、第２電荷輸送層１０は、陰極である第２電極１２からの電子を発光層８へと輸送する電子輸送層であってもよい。
　次に、発光層８の構成について、図１の（ｂ）の領域Ｂ、すなわち、発光層８の周囲における概略断面図である、図１の（ｃ）を参照して詳細に説明する。本実施形態については、発光層８の具体的構成を、第１発光層８Ｒ、第２発光層８Ｇ、および第３発光層８Ｂの各部材を例に挙げて説明する。なお、図１の（ｃ）については、図示のために、領域Ｂの縦横の比率を変更して図示している。
　本実施形態において、第１発光層８Ｒは、第１リガンド１８Ｒが配位結合した、複数の第１量子ドット２０Ｒを備える。第２発光層８Ｇおよび第３発光層８Ｂにおいても、第２リガンド１８Ｇおよび第３リガンド１８Ｂがそれぞれ配位結合した、複数の第２量子ドット２０Ｇおよび第３量子ドット２０Ｂをそれぞれ備える。
　第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂのそれぞれは、自身が発する光の波長よりも短波長の光を吸収する。特に、上述した各量子ドットは、紫外光を吸収する。さらに、各量子ドットは、光を吸収する際に発熱する。
　本実施形態においては、第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂは、何れもコア／シェル構造を備えている。第１量子ドット２０Ｒは、第１コア２２Ｒと該第１コア２２Ｒの周囲を被膜する第１シェル２４Ｒとを含む。同様に、第２量子ドット２０Ｇは、第２コア２２Ｇと該第２コア２２Ｇの周囲を被膜する第２シェル２４Ｇとを含み、第３量子ドット２０Ｂは、第３コア２２Ｂと該第３コア２２Ｂの周囲を被膜する第３シェル２４Ｂとを含む。第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂは、何れも従来公知の量子ドット材料を含んでいてもよい。
　本実施形態においては、第１コア２２Ｒの直径ＲＲ、第２コア２２Ｇの直径ＲＧ、および第３コア２２Ｂの直径ＲＢは、互いに異なっている。特に、緑色発光素子である第２発光素子２Ｇと重畳する位置におけるコアである、第２コア２２Ｇの直径ＲＧは、赤色発光素子である第１発光素子２Ｒと重畳する位置におけるコアである、第１コア２２Ｒの直径ＲＲよりも小さい。また、第２コア２２Ｇの直径ＲＧは、青色発光素子である第３発光素子２Ｂと重畳する位置におけるコアである、第３コア２２Ｂの直径ＲＢよりも大きい。
　なお、第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂは、何れも各コアの周囲に複数のシェルを備えた、マルチシェル構造を備えていてもよい。この場合、第１シェル２４Ｒ、第２シェル２４Ｇ、および第３シェル２４Ｂのそれぞれは、上記複数のシェルのうち、最外層にあたるシェルを指す。
　本実施形態において、第１シェル２４Ｒ、第２シェル２４Ｇ、および第３シェル２４Ｂのそれぞれの膜厚を調節することにより、第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂの直径を略同一としてもよい。これにより、第１量子ドット２０Ｒ、第２量子ドット２０Ｇ、および第３量子ドット２０Ｂを同数積層した場合、それぞれの量子ドットの層の総膜厚をおおよそ揃えることができる。
　第１リガンド１８Ｒ、第２リガンド１８Ｇ、および第３リガンド１８Ｂは、それぞれ第１シェル２４Ｒ、第２シェル２４Ｇ、および第３シェル２４Ｂの外表面において、各量子ドットと配位結合し、各量子ドット間の空隙を充填していてもよい。第１リガンド１８Ｒ、第２リガンド１８Ｇ、および第３リガンド１８Ｂは、同一であってもよく、従来公知のリガンドを採用でき、例えば、ＴＯＰＯ(trioctylphosphine oxide）であってもよい。
　本実施形態において、発光層８のそれぞれにおける量子ドットは、シェルを介して互いに接触し、整列して積層されていてもよい。しかしながら、これに限られず、発光層８のそれぞれにおいて、互いに接触していない量子ドットが存在していてもよい。また、発光層８のそれぞれにおいて、量子ドットがリガンド中に分散する構造が形成されていてもよい。
　次に、本実施形態に係る発光デバイス１の製造方法について、図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る発光デバイス１の製造方法について説明するためのフローチャートである。
　はじめに、アレイ基板を形成する（ステップＳ１）。アレイ基板の形成は、基板に対し、サブ画素の位置に合せて、複数のＴＦＴを形成することにより実行されてもよい。
　次いで、第１電極４を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、例えば、ＩＴＯ等の導電性を有する透明電極材料を、スパッタにより成膜した後、サブ画素の形状に合わせてパターニングすることにより、第１電極４をサブ画素ごとに形成してもよい。あるいは、透明電極材料を、蒸着マスクを使用し蒸着することにより、第１電極をサブ画素ごとに形成してもよい。
　次いで、エッジカバー１４を形成する（ステップＳ３）。エッジカバー１４は、アレイ基板３および第１電極４上に塗布された後、隣接する第１電極４同士の間において、当該第１電極４の側面および周囲端部を覆う位置を残してパターニングされることにより得られてもよい。エッジカバー１４のパターニングは、フォトリソグラフィによって行われてもよい。
　次いで、第１電荷輸送層６を形成する（ステップＳ４）。第１電荷輸送層６は、インクジェット方式による塗り分け、マスクを使用した蒸着、またはフォトリソグラフィを使用したパターニングによって、サブ画素ごとに形成されてもよい。
　次いで、発光層８を形成する（ステップＳ５）。発光層８の形成工程について、図３を参照して、より詳細に説明する。
　図３は、本実施形態における量子ドット層形成工程にあたる、発光層形成工程について説明するためのフローチャートである。
　はじめに、発光層形成工程において使用する、第１溶液２６Ｒ、第２溶液２６Ｇ、および第３溶液２６Ｂを合成する（ステップＳ１０）。図４は、第１溶液２６Ｒ、第２溶液２６Ｇ、および第３溶液２６Ｂのそれぞれの構成を説明するための概略図である。
　第１溶液２６Ｒは、第１リガンド１８Ｒがそれぞれ配位した複数の第１量子ドット２０Ｒと、当該第１量子ドット２０Ｒが分散する第１溶媒２８Ｒとを含む。同様に、第２溶液２６Ｇは、第２リガンド１８Ｇと、第２量子ドット２０Ｇと、第２溶媒２８Ｇとを含み、第３溶液２６Ｂは、第３リガンド１８Ｂと、第３量子ドット２０Ｂと、第３溶媒２８Ｂとを含む。
　第１溶媒２８Ｒ、第２溶媒２８Ｇ、および第３溶媒２８Ｂは、同一であってもよく、従来公知の有機溶媒を採用でき、例えば、ヘキサンであってもよい。
　ステップＳ１０に次ぐ発光層形成工程の各ステップを、図５から図９にそれぞれ示す、工程断面図を用いて説明する。なお、図５から図９においては、第１発光素子２Ｒ、第２発光素子２Ｇ、および第３発光素子２Ｂの、それぞれ一つずつに対応する位置における断面図を示している。
　発光層形成工程までにおいて、図５の（ａ）に示すように、第１電荷輸送層６までが、アレイ基板３上に形成されている。ステップＳ１０に次いで、第１塗布工程として、図５の（ｂ）に示す第１溶液２６Ｒをアレイ基板３と重畳する位置に塗布する、第１塗布工程を実施する（ステップＳ１１）。
　第１塗布工程により、第１発光素子２Ｒに対応する第１電極４Ｒ、第２発光素子２Ｇに対応する第１電極４Ｇ、および第３発光素子２Ｂに対応する第１電極４Ｂとのそれぞれと重畳する位置に、第１溶液２６Ｒが塗布される。
　次いで、図５の（ｃ）に示すように、アレイ基板３と重畳する上方において、第１フォトマスクＭ１を設置する。第１フォトマスクＭ１は、光を遮蔽する遮蔽部と光を透過する開口とを備える。本実施形態においては、例えば、遮蔽部は、紫外線を遮蔽する機能を備えることが好ましい。第１フォトマスクＭ１は、アレイ基板３の上方に設置された際に、第１発光素子２Ｒと対応する第１電極４Ｒと重畳する位置においてのみ、開口が形成されるように、当該開口が形成されている。すなわち、図５の（ｃ）に示すように、アレイ基板３の上方に第１フォトマスクＭ１を設置した場合、第１電極４Ｒと重畳しない位置における第１溶液２６Ｒの上方が、第１フォトマスクＭ１の遮蔽部によって遮蔽される。
　次いで、アレイ基板３の上方に第１フォトマスクＭ１を設置した状態において、第１光照射を行う、第１光照射工程を実施する（ステップＳ１２）。第１光照射は、図５の（ｄ）に示すように、アレイ基板３上の第１溶液２８に対し、第１フォトマスクＭ１の上方から、紫外線等の光を照射することにより実行できる。
　これにより、図５の（ｄ）に示すように、第１光照射において、光が照射される領域である第１露光領域Ｌ１が、第１フォトマスクＭ１の開口と重畳する位置に形成される。一方、第１光照射において、光が照射される領域とは異なる領域、すなわち、光が照射されない領域である第１非露光領域Ｎ１が、第１フォトマスクＭ１の遮蔽部と重畳する位置に形成される。
　第１光照射による露光により、第１露光領域Ｌ１と重畳する位置、すなわち、第１電極４Ｒと重畳する位置における第１溶液２６Ｒに含まれる第１量子ドット２０Ｒは、照射された光を吸収し、発熱する。第１光照射による露光を継続することにより、第１量子ドット２０Ｒの周囲の温度は、第１リガンド１８Ｒの融点、および第１溶媒２８Ｒの沸点を超える。
　このため、第１光照射工程において、第１露光領域Ｌ１と重畳する位置のみにおいて、第１リガンド１８Ｒの溶融、および第１溶媒２８Ｒの気化が発生する。ゆえに、第１光照射工程における、第１露光領域Ｌ１と重畳する位置においては、第１溶媒２８Ｒが除去され、溶融した第１リガンド１８Ｒ中に第１量子ドット２０Ｒが分散する。
　ここで、ＴＯＰＯの融点は摂氏５０度から摂氏５４度であり、ヘキサンの沸点は摂氏６８．５度から摂氏６９．１度である。したがって、第１リガンド１８ＲがＴＯＰＯであり、第１溶媒２８Ｒがヘキサンである場合、第１リガンド１８Ｒの融点は、第１溶媒２８Ｒの沸点以下である。このため、第１光照射工程においては、第１リガンド１８Ｒが溶融した後に、第１溶媒２８Ｒが気化する。
　ここで、第１リガンド１８Ｒの溶融が第１溶媒２８Ｒの気化よりも早い場合、第１溶媒２８Ｒの気化の直後において、第１電荷輸送層６の上層においては、固体の第１リガンド１８Ｒが周囲に付着した第１量子ドット２０Ｒの集合体が形成される。当該集合体は膜として不安定であるため、当該集合体の膜剥がれの遠因となる場合がある。したがって、第１光照射工程において、第１量子ドット２０Ｒを含む、安定した膜を形成する観点から、第１リガンド１８Ｒの溶融の後に、第１溶媒２８Ｒが気化することが好ましい。
　なお、本実施形態においては、これに限られず、第１リガンド１８Ｒの融点が、第１溶媒２８Ｒの沸点より高くなるように、第１リガンド１８Ｒおよび第１溶媒２８Ｒのそれぞれの材料を選択してもよい。この場合、第１光照射工程においては、第１リガンド１８Ｒが溶融する前に、第１溶媒２８Ｒが気化する。
　第１露光領域Ｌ１と重畳する位置における、第１リガンド１８Ｒの溶融、および第１溶媒２８Ｒの気化が完了した時点において、第１光照射を停止し、第１リガンド１８Ｒを固化させる、第１冷却工程を実施する（ステップＳ１３）。これにより、第１リガンド１８Ｒがそれぞれ配位する、第１量子ドット２０Ｒの積層が完了し、図６の（ａ）に示す第１発光層８Ｒが得られる。
　次いで、第１フォトマスクＭ１を除去し、第１非露光領域Ｎ１と重畳する位置における第１溶液２６Ｒを除去する、第１除去工程を実施する（ステップＳ１４）。第１除去工程は、例えば、アレイ基板３の上層を、第１溶媒２８Ｒによって洗浄することにより実施する。ここで、第１発光層８Ｒは、第１量子ドット２０Ｒが固化した第１リガンド１８Ｒ中に含まれた構造を有するために、第１溶媒２８Ｒによる洗浄によっても除去されない。これにより、図６の（ｂ）に示すように、アレイ基板３の上層から、第１溶液２６Ｒのみを除去する。以上により、第１発光層８Ｒの形成工程が完了する。
　なお、洗浄に使用する第１溶媒２８Ｒは、第１溶液２６Ｒに含まれる第１溶媒２８Ｒと同一である。このため、第１除去工程によって除去された第１溶液２６Ｒを、他の発光デバイス１を製造する際の第１塗布工程において使用することが可能である。したがって、第１発光層８Ｒをそれぞれ備えた複数の発光デバイス１を製造する場合に、必要な第１溶液２６Ｒの総量を低減することができ、製造コストの上昇を低減できる。
　また、第１溶媒２８Ｒは、第１リガンド１８Ｒと融和性が高い。このため、第１溶液２６Ｒの洗浄に第１溶媒２８Ｒを使用することにより、感光性材料を含む膜を剥離するための現像液による洗浄と比較して、第１リガンド１８Ｒおよび第１量子ドット２０Ｒに対するダメージを低減できる。したがって、上述した手法により第１溶液２６Ｒの洗浄を行うことにより、第１発光層８Ｒへのダメージを低減でき、ひいては、第１発光層８Ｒの発光効率の低下を低減できる。
　次いで、第２塗布工程として、図６の（ｃ）に示す第２溶液２６Ｇをアレイ基板３と重畳する位置に塗布する、第２塗布工程を実施する（ステップＳ１５）。第２塗布工程は、第１塗布工程と比較して、塗布する溶液が、第１溶液２６Ｒの代わりに第２溶液２６Ｇである点を除いて、同一の手法により実行される。
　次いで、図７の（ａ）に示すように、アレイ基板３と重畳する上方において、第２フォトマスクＭ２を設置する。第２フォトマスクＭ２は、アレイ基板３の上方に設置された際に、第２発光素子２Ｇと対応する第２電極４Ｇと重畳する位置においてのみ、開口が形成されるように、当該開口が形成されている。当該点を除いて、第２フォトマスクＭ２は、第１フォトマスクＭ１と同一の構成を備える。すなわち、図７の（ａ）に示すように、アレイ基板３の上方に第２フォトマスクＭ２を設置した場合、第２電極４Ｇと重畳しない位置における第２溶液２６Ｇの上方が、第２フォトマスクＭ２の遮蔽部によって遮蔽される。
　次いで、アレイ基板３の上方に第２フォトマスクＭ２を設置した状態において、第２光照射を行う、第２光照射工程を実施する（ステップＳ１６）。第２光照射は、アレイ基板３の上方に設置されているフォトマスクが、第１フォトマスクＭ１の代わりに、第２フォトマスクＭ２である点を除いて、第１光照射と同一の手法により実行される。
　これにより、図７の（ｂ）に示すように、第２光照射において、光が照射される領域である第２露光領域Ｌ２が、第２フォトマスクＭ２の開口と重畳する位置に形成される。一方、第２光照射において、光が照射される領域とは異なる領域、すなわち、光が照射されない領域である第２非露光領域Ｎ２が、第２フォトマスクＭ２の遮蔽部と重畳する位置に形成される。
　第２光照射による露光により、第２露光領域Ｌ２と重畳する位置、すなわち、第２電極４Ｇと重畳する位置における第２溶液２６Ｇに含まれる第２量子ドット２０Ｇは、照射された光を吸収し、発熱する。第２光照射による露光を継続することにより、第２量子ドット２０Ｇの周囲の温度は、第２リガンド１８Ｇの融点、および第２溶媒２８Ｇの沸点を超える。
　このため、第２光照射工程において、第２露光領域Ｌ２と重畳する位置のみにおいて、第２リガンド１８Ｇの溶融、および第２溶媒２８Ｇの気化が発生する。ゆえに、第２光照射工程における、第２露光領域Ｌ２と重畳する位置においては、第２溶媒２８Ｇが除去され、溶融した第２リガンド１８Ｇ中に第２量子ドット２０Ｇが分散する。
　第２露光領域Ｌ２と重畳する位置における、第２リガンド１８Ｇの溶融、および第２溶媒２８Ｇの気化が完了した時点において、第２光照射を停止し、第２リガンド１８Ｇを固化させる、第２冷却工程を実施する（ステップＳ１７）。これにより、第２リガンド１８Ｇがそれぞれ配位する、第２量子ドット２０Ｇの積層が完了し、図７の（ｃ）に示す第２発光層８Ｇが得られる。
　次いで、第２フォトマスクＭ２を除去し、第２非露光領域Ｎ２と重畳する位置における第２溶液２６Ｇを除去する、第２除去工程を実施する（ステップＳ１８）。第２除去工程は、例えば、第１除去工程と同様に、アレイ基板３の上層を、第２溶媒２８Ｇによって洗浄することにより実施する。これにより、図８の（ａ）に示すように、アレイ基板３の上層から、第２溶液２６Ｇのみを除去する。以上により、第２発光層８Ｇの形成工程が完了する。
　次いで、第３塗布工程として、図８の（ｂ）に示す第３溶液２６Ｂをアレイ基板３と重畳する位置に塗布する、第３塗布工程を実施する（ステップＳ１９）。第３塗布工程は、第１塗布工程と比較して、塗布する溶液が、第１溶液２６Ｒの代わりに第３溶液２６Ｂである点を除いて、同一の手法により実行される。
　次いで、図８の（ｃ）に示すように、アレイ基板３と重畳する上方において、第３フォトマスクＭ３を設置する。第３フォトマスクＭ３は、アレイ基板３の上方に設置された際に、第３発光素子２Ｂと対応する第３電極４Ｂと重畳する位置においてのみ、開口が形成されるように、当該開口が形成されている。当該点を除いて、第３フォトマスクＭ３は、第１フォトマスクＭ１と同一の構成を備える。すなわち、図８の（ｃ）に示すように、アレイ基板３の上方に第３フォトマスクＭ３を設置した場合、第３電極４Ｂと重畳しない位置における第３溶液２６Ｂの上方が、第３フォトマスクＭ３の遮蔽部によって遮蔽される。
　次いで、アレイ基板３の上方に第３フォトマスクＭ３を設置した状態において、第３光照射を行う、第３光照射工程を実施する（ステップＳ２０）。第３光照射は、アレイ基板３の上方に設置されているフォトマスクが、第１フォトマスクＭ１の代わりに、第３フォトマスクＭ３である点を除いて、第１光照射と同一の手法により実行される。
　これにより、図９の（ａ）に示すように、第３光照射において、光が照射される領域である第３露光領域Ｌ３が、第３フォトマスクＭ３の開口と重畳する位置に形成される。一方、第３光照射において、光が照射される領域とは異なる領域、すなわち、光が照射されない領域である第３非露光領域Ｎ３が、第３フォトマスクＭ３の遮蔽部と重畳する位置に形成される。
　第３光照射による露光により、第３露光領域Ｌ３と重畳する位置、すなわち、第３電極４Ｂと重畳する位置における第３溶液２６Ｂに含まれる第３量子ドット２０Ｂは、照射された光を吸収し、発熱する。第３光照射による露光を継続することにより、第３量子ドット２０Ｂの周囲の温度は、第３リガンド１８Ｂの融点、および第３溶媒２８Ｂの沸点を超える。
　このため、第３光照射工程において、第３露光領域Ｌ３と重畳する位置のみにおいて、第３リガンド１８Ｂの溶融、および第３溶媒２８Ｂの気化が発生する。ゆえに、第３光照射工程における、第３露光領域Ｌ３と重畳する位置においては、第３溶媒２８Ｂが除去され、溶融した第３リガンド１８Ｂ中に第３量子ドット２０Ｂが分散する。
　第３露光領域Ｌ３と重畳する位置における、第３リガンド１８Ｂの溶融、および第３溶媒２８Ｂの気化が完了した時点において、第３光照射を停止し、第３リガンド１８Ｂを固化させる、第３冷却工程を実施する（ステップＳ２１）。これにより、第３リガンド１８Ｂがそれぞれ配位する、第３量子ドット２０Ｂの積層が完了し、図９の（ｂ）に示す第３発光層８Ｂが得られる。
　次いで、第３フォトマスクＭ３を除去し、第３非露光領域Ｎ３と重畳する位置における第３溶液２６Ｂを除去する、第３除去工程を実施する（ステップＳ２２）。第３除去工程は、例えば、第１除去工程と同様に、アレイ基板３の上層を、第３溶媒２８Ｂによって洗浄することにより実施する。これにより、図９の（ｃ）に示すように、アレイ基板３の上層から、第３溶液２６Ｂのみを除去する。以上により、第３発光層８Ｂの形成工程が完了する。これにより、図９の（ｃ）に示す、発光層８の形成工程が完了する。
　なお、本実施形態においては、図５から図９の各図に示すように、各塗布工程において、各溶液がエッジカバー１４によって隔てられている。これにより、各光照射工程において、既に形成されている発光層上に、露光領域と隣接する非露光領域における溶液が流れ込むことを低減できる。しかし、各光照射工程が短い等、上述する流れ込みが生じない場合には、エッジカバー１４は、各溶液を分割できる高さまで形成する必要はなく、第１電極４のエッジを覆う高さまであればよい。
　発光層の形成工程に次いで、第２電荷輸送層１０を形成する（ステップＳ６）。第２電荷輸送層１０は、全てのサブ画素に共通して、スピンコート等により塗布形成されてもよい。
　最後に第２電極１２を形成する（ステップＳ７）。第２電極１２は、全てのサブ画素に共通して、蒸着等により成膜されてもよい。以上により、発光素子層２がアレイ基板３上に形成され、図１に示す発光デバイス１が得られる。
　本実施形態における発光デバイス１の製造方法においては、各光照射工程によって、溶液中の量子ドットに光を照射して、リガンドの溶融および溶媒の気化を生じさせて、量子ドットの積層を行う。このため、量子ドットが分散する感光性材料に対し、光を照射して量子ドットの積層を行う場合と比較して、量子ドットが分散する溶媒の体積が小さくなる。
　したがって、本実施形態における量子ドット層形成工程により、量子ドットの密度が高い量子ドット層を、部分露光により、特定の位置のみに形成することが可能である。ゆえに、部分露光を採用した場合であっても、本実施形態における発光デバイス１の量子ドット層における、量子ドットの密度を十分に向上させることができる。ひいては、本実施形態における発光デバイス１において、上述した量子ドット層を発光素子の機能層として採用した場合に、当該発光素子の発光効率を向上させることができる。
　ところで、本実施形態において、第２コア２２Ｇの直径ＲＧは、第１コア２２Ｒの直径ＲＲよりも小さく、第３コア２２Ｂの直径ＲＢよりも大きい。ここで、全ての量子ドットにおいてシェルの膜厚を調節し、全ての量子ドットの大きさを、各発光色間において、おおよそ揃えたとする。この場合、同一の条件において光照射を行った場合、第２量子ドット２０Ｇへの光照射量は、第１量子ドット２０Ｒへの光照射量よりも小さく、第１量子ドット２０Ｇへの光照射量よりも大きい。したがって、第２量子ドット２０Ｇの加熱に必要な光照射のエネルギーは、第１量子ドット２０Ｒの加熱に必要な光照射のエネルギーよりも大きく、第１量子ドット２０Ｇの加熱に必要な光照射のエネルギーよりも小さい。このように、発光色の違いにより、量子ドットの加熱に必要な光照射のエネルギーは異なる。
　したがって、本実施形態において、第１光照射、第２光照射、および第３光照射のそれぞれにおける照射エネルギーは、互いに異なることが好ましい。特に、緑色発光素子に対応する露光領域である、第２露光領域Ｌ２に対する光照射の照射エネルギーは、赤色発光素子に対応する露光領域である、第１露光領域Ｌ１に対する光照射の照射エネルギーよりも大きいことが好ましい。また、第２露光領域Ｌ２に対する光照射の照射エネルギーは、青色発光素子に対応する露光領域である、第３露光領域Ｌ３に対する光照射の照射エネルギーよりも小さいことが好ましい。上記構成により、異なる発光色を有する量子ドット層の形成において、各光照射の照射時間等の条件をより揃えることができ、より効率的に各光照射工程を実施することができる。
　本実施形態においては、アレイ基板３、第１電極４、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６の形成後に、発光層８の形成を行う。しかしながら、発光層８の形成のための加熱は、光照射による量子ドットの発熱により実現する。このため、発光層８の局所的な加熱が実現する。ゆえに、アレイ基板３、第１電極４、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６は、上述した光照射工程における加熱に対し、高い耐熱性を有する必要は必ずしもない。したがって、アレイ基板３、第１電極４、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６は、従来公知の材料を含んでいてもよい。
　アレイ基板３は、例えば、アルカリガラス等を含むガラス基板であってもよい。また、アレイ基板３は、ポリイミド等の有機材料を含む有機基板であってもよい。さらに、アレイ基板３は、ＰＥＴ等の柔軟な材料を備えていてもよく、フレキシブルな発光デバイス１を実現してもよい。
　例えば、発光素子層２がボトムエミッション型の発光素子を形成し、第１電極４が陽極である場合、第１電極４にはＩＴＯが一般的に使用される。また、第１電荷輸送層６が正孔輸送層である場合には、ＮｉＯ、ＭｇＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｕ２Ｏ、またはＬｉＮｂＯ３等の無機材料を含んでいてもよい。
　なお、ある程度の高さおよび傾斜を有する形状を実現するために、エッジカバー１４には、一般的に、有機材料が用いられる。本実施形態においては、エッジカバー１４は、ポリイミド等を含んでいてもよい。
　また、例えば、第２電荷輸送層１０は、従来公知の電子輸送層に使用される材料を含んでいてもよく、第２電極１２は、従来公知の陰極に使用される材料を含んでいてもよい。
　〔実施形態２〕
　図１０の（ａ）は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略上面図である。図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）における、Ａ－Ａ線矢視断面図である。図１０の（ｃ）は、図１０の（ｂ）における、領域Ｂにおける拡大断面図である。
　本実施形態に係る発光デバイス１は、前実施形態に係る発光デバイス１と比較して、発光素子層２の各層の積層順が逆転している点を除いて、同一の構成を備えていてもよい。すなわち、本実施形態に係る発光素子層２は、第２電極１２上に、第２電荷輸送層１０と、発光層８と、第１電荷輸送層６と、第１電極４とを、下層から順次積層して備える。
　ここで、前実施形態に係る発光素子１と比較して、第２電極１２および第２電荷輸送層１０のそれぞれは、エッジカバー１４によって分離されている。特に、本実施形態においては、第２電極１２は、エッジカバー１４によって、第１発光素子２Ｒ用の第２電極１２Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第２電極１２Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第２電極１２Ｂに分離されている。また、第２電荷輸送層１０は、エッジカバー１４によって、第１発光素子２Ｒ用の第２電荷輸送層１０Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第２電荷輸送層１０Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第２電荷輸送層１０Ｂに分離されている。
　なお、前実施形態に係る発光素子１と比較して、第１電荷輸送層６と、第１電極４とは、エッジカバー１４によって分離されず、共通して形成されている。
　本実施形態においては、第１電極４は透明電極であり、第２電極１２は反射電極であってもよい。このため、発光層８からの光は、第１電荷輸送層６および第１電極４を透過して、発光面ＤＳから発光デバイス１の外部に出射される。このため、発光デバイス１は、トップエミッション型の発光デバイスとして構成されている。このため、本実施形態において、アレイ基板３は、必ずしも透明基板である必要はない。
　本実施形態に係る発光デバイス１は、図２に示す各工程を、ステップＳ１、ステップＳ７、ステップＳ３、ステップＳ６、ステップＳ５、ステップＳ４、ステップＳ２の順に、前実施形態と同様に実施することにより製造できる。このため、本実施形態においては、アレイ基板３、第２電極１２、エッジカバー１４、および第２電荷輸送層１０の形成後に、発光層８の形成を行う。
　例えば、発光素子層２がトップエミッション型の発光素子を形成し、第２電極１２が陰極である場合、第２電極１２は、上述した各光照射において照射される光についても反射する機能を有することが好ましい。当該構成により、上述した各光照射において、直接量子ドットに照射された光のみならず、一度第２電極１２まで到達し、第２電極１２において反射された光についても、各光照射における光として有効に使用できる。このため、本実施形態における光照射工程は、前実施形態における光照射工程と比較して、量子ドットに十分な光を照射するために必要な光照射の強度を低減することができる。
　上述した光照射において照射される光の反射性を高める観点から、金属材料を含むことが好ましい。第２電極１２は、少なくとも、表面に反射性の金属薄膜を含んでいればよい。例えば、第２電極１２は、Ａｌ、またはＡｇ等の金属、あるいは、ＡｇＭｇ等の金属間化合物を含んでいてもよい。
　本実施形態においては、発光素子層２の形成順を、前実施形態と逆転させることにより、トップエミッション型の発光デバイス１を製造した。しかしながら、これに限られず、本実施形態においては、前実施形態と同一の形成順序によって発光素子層２を形成し、トップエミッション型の発光デバイス１を製造してもよい。この場合、第１電極４を、少なくとも表面に反射性の金属薄膜を含む反射電極として形成し、かつ、第２電極１２を透明電極として形成することにより、トップエミッション型の発光デバイス１を製造できる。
　〔実施形態３〕
　図１１の（ａ）は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略上面図である。図１１の（ｂ）は、図１１の（ａ）における、Ａ－Ａ線矢視断面図である。図１１の（ｃ）は、図１１の（ｂ）における、領域Ｂにおける拡大断面図である。
　本実施形態に係る発光デバイス１は、第１電極４が発光層８側の表面に酸化物半導体膜４Ａを備える点を除いて、実施形態１に係る発光デバイス１と、同一の構成を備えていてもよい。
　本実施形態においては、各第１電極４は、表面に酸化物半導体膜４Ａを備えている。酸化物半導体膜４Ａは、例えば、ＩＴＯ等の透明酸化物半導体を含んでいてもよい。本実施形態においては、酸化物半導体膜４Ａは、光を吸収し発熱する機能を有する。特に、酸化物半導体膜４Ａに、例えば、紫外光を照射することにより、酸化物半導体膜４Ａが発熱することが好ましい。
　なお、本実施形態においては、第１電極４が、表面に酸化物半導体膜４Ａの薄膜を備える場合を図示しているが、これに限られない。例えば、第１電極４は、全体が酸化物半導体膜４Ａと同一の材料からなっていてもよい。
　本実施形態に係る発光デバイス１は、前述までの実施形態に係る発光デバイス１の製造方法と、同一の方法によって製造される。本実施形態に係る発光デバイス１の製造方法においては、前述までの実施形態に係る発光デバイス１の製造方法と比較して、量子ドットの周囲が加熱される機構のみが異なる。
　各光照射工程においては、酸化物半導体膜４Ａが照射された光を吸収することにより、酸化物半導体膜４Ａが加熱される。このため、各光照射工程において、光を吸収して発熱した酸化物半導体膜４Ａからの熱が、塗布された溶液まで伝搬することにより、当該溶液に含まれるリガンドの溶融および溶媒の気化が生じる。
　本実施形態においても、前述までの実施形態と同様の理由から、量子ドット層の量子ドットの密度を向上させて、発光デバイス１の発光効率を改善できる。さらに、一般的に、酸化物半導体の光の吸収率は、量子ドットの光の吸収率と比較して非常に高い。加えて、量子ドットは、吸収した光のエネルギーの一部を再度光に変換するが、酸化物半導体は、吸収した光のエネルギーのほとんどを熱に変換する。したがって、直接量子ドットに光を吸収させて発熱させる場合と比較して、本実施形態に係る光照射工程は、より効率的に量子ドットの周囲を加熱させることができる。ただし、本実施形態においても、量子ドットが光を吸収することにより生じる発熱を用いて、量子ドットの周囲の加熱を実行してもよい。
　本実施形態においても、酸化物半導体膜４Ａを含む第１電極４の形成後、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６を形成し、次いで、発光層８の形成を行う。このため、発光層８の形成工程において、第１電極４、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６には、酸化物半導体膜４Ａからの熱が伝搬する。ゆえに、第１電極４、エッジカバー１４、および第１電荷輸送層６は、上述した光照射工程における加熱に対する耐熱性を有した材料を含むことが好ましい。
　特に、発光素子層２がボトムエミッション型の発光素子を形成し、第１電極４が陽極である場合、第１電極４にはＩＴＯが一般的に使用される。ＩＴＯは、紫外光を吸収し、さらに可視光に対する透過率が高いために好ましい。さらに、上述した加熱工程における加熱による比抵抗の上昇を低減するために、第１電極４は、ＦＴＯとＩＴＯとの複合材料等、耐熱性の高い材料を含むことが好ましい。
　また、本実施形態においても、発光素子層２の形成順が逆順となっていてもよい。すなわち、発光素子層２がトップエミッション型の発光素子を形成し、第２電極１２が陰極であってもよい。この場合においては、アレイ基板３、第２電極１２、エッジカバー１４、および第２電荷輸送層１０の形成後に、発光層８の形成を行う。この場合、第２電極１２、エッジカバー１４、および第２電荷輸送層１０は、上述した光照射工程における加熱に対する耐熱性を有した材料を含むことが好ましい。
　上述した各実施形態においては、量子ドットを含む量子ドット層が、発光層８である場合について説明を行った。しかしながら、これに限られず、例えば、第１電荷輸送層６または第２電荷輸送層１０が量子ドットを含む量子ドット層であってもよい。このように、各電荷輸送層が量子ドットを含む場合、当該量子ドットは、キャリアを輸送する機能を付与されてもよい。この場合、従来の量子ドットを含む電荷輸送層と比較して、各電荷輸送層における量子ドットの密度が向上するため、当該各電荷輸送層のキャリア輸送の効率が改善し、ひいては、発光デバイス１の発光効率の改善につながる。上述した量子ドットを含む各電荷輸送層についても、各実施形態における量子ドット層形成工程と同一の手法によって形成することができる。
　また、上述した各実施形態においては、複数の発光素子を備え、表示面ＤＳを有する表示デバイスを例示して、発光デバイス１の構成を説明している。しかしながら、これに限られず、上述した各実施形態における発光デバイス１は、単一の発光素子を備えた発光デバイスであってもよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１　　　　　　　発光デバイス
２　　　　　　　発光素子層
２Ｒ・Ｇ・Ｂ　　第１～３発光素子
４　　　　　　　第１電極
４Ａ　　　　　　酸化物半導体膜
６　　　　　　　第１電荷輸送層
８　　　　　　　発光層（量子ドット層）
８Ｒ・Ｇ・Ｂ　　第１～３発光層
１０　　　　　　第２電荷輸送層
１２　　　　　　第２電極
１８Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３リガンド
２０Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３量子ドット
２２Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３コア
２４Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３シェル
２６Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３溶液
２８Ｒ・Ｇ・Ｂ　第１～３溶媒
Ｌ１～Ｌ３　　　第１～３露光領域
Ｎ１～Ｌ３　　　第１～３非露光領域
Ｍ１～Ｍ３　　　第１～３フォトマスク

Claims (15)

  1. 　第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間の量子ドット層とを含む発光素子を基板上に備えた発光デバイスの製造方法であって、
    　前記量子ドット層を形成する量子ドット層形成工程を備え、
    　前記量子ドット層形成工程は、
    　　第１コアと、該第１コアを被膜する第１シェルとを備えた複数の第１量子ドットと、該第１量子ドットのそれぞれと配位結合する第１リガンドと、第１溶媒とを含む第１溶液を前記基板と重畳する位置に塗布する第１塗布工程と、
    　　前記第１塗布工程に次いで、前記第１溶液が塗布された前記位置に、前記基板の上方から、第１フォトマスクを用いた第１光照射を行い、前記第１光照射によって露光され、前記第１リガンドが溶融し、かつ、前記第１溶媒が気化する第１露光領域と、前記第１光照射によって露光される位置とは異なる第１非露光領域とを形成する第１光照射工程と、
    　　前記第１光照射工程に次いで、前記第１量子ドットの温度を前記第１リガンドの融点以下に冷却し、前記第１リガンドを固化させる第１冷却工程と、
    　　前記第１冷却工程に次いで、前記基板の上層を前記第１溶媒にて洗浄し、前記第１非露光領域における前記第１溶液を除去する第１除去工程を備えた発光デバイスの製造方法。
  2. 　前記量子ドット層形成工程は、さらに、
    　　前記第１除去工程に次いで、第２コアと、該第２コアを被膜する第２シェルとを備えた複数の第２量子ドットと、該第２量子ドットのそれぞれと配位結合する第２リガンドと、第２溶媒とを含む第２溶液を前記基板と重畳する位置に塗布する第２塗布工程と、
    　　前記第２塗布工程に次いで、前記第２溶液が塗布された前記位置に、前記基板の上方から、第２フォトマスクを用いた第２光照射を行い、前記第２光照射によって露光され、前記第２リガンドが溶融し、かつ、前記第２溶媒が気化する第２露光領域と、前記第２光照射によって露光される位置とは異なる第２非露光領域とを形成する第２光照射工程と、
    　　前記第２光照射工程に次いで、前記第２量子ドットの温度を前記第２リガンドの融点以下に冷却し、前記第２リガンドを固化させる第２冷却工程と、
    　　前記第２冷却工程に次いで、前記基板の上層を前記第２溶媒にて洗浄し、前記第２非露光領域における前記第２溶液を除去する第２除去工程を備えた請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  3. 　前記量子ドット層形成工程は、さらに、
    　　前記第２除去工程に次いで、第３コアと、該第３コアを被膜する第３シェルとを備えた複数の第３量子ドットと、該第３量子ドットのそれぞれと配位結合する第３リガンドと、第３溶媒とを含む第３溶液を前記基板と重畳する位置に塗布する第３塗布工程と、
    　　前記第３塗布工程に次いで、前記第３溶液が塗布された前記位置に、前記基板の上方から、第３フォトマスクを用いた第３光照射を行い、前記第３光照射によって露光され、前記第３リガンドが溶融し、かつ、前記第３溶媒が気化する第３露光領域と、前記第３光照射によって露光される位置とは異なる第３非露光領域とを形成する第３光照射工程と、
    　　前記第３光照射工程に次いで、前記第３量子ドットの温度を前記第３リガンドの融点以下に冷却し、前記第３リガンドを固化させる第３冷却工程と、
    　　前記第３冷却工程に次いで、前記基板の上層を前記第３溶媒にて洗浄し、前記第３非露光領域における前記第３溶液を除去する第３除去工程を備えた請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
  4. 　前記第１露光領域、前記第２露光領域、および前記第３露光領域は、それぞれ、互いに異なる発光色を有する複数の発光素子に対応する請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
  5. 　前記第１露光領域、前記第２露光領域、および前記第３露光領域は、それぞれ、赤色発光素子、緑色発光素子、および青色発光素子の何れかに対応する請求項３または４に記載の発光デバイスの製造方法。
  6. 　前記第１コア、前記第２コア、および前記第３コアの直径が、互いに異なる請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
  7. 　前記第１コア、前記第２コア、および前記第３コアを含むコアのうち、前記緑色発光素子に対応する露光領域と重畳する位置における前記コアの直径が、前記赤色発光素子に対応する露光領域と重畳する位置における前記コアの直径よりも小さく、前記青色発光素子に対応する露光領域と重畳する位置における前記コアの直径よりも大きい請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
  8. 　前記第１光照射工程、前記第２光照射工程、および前記第３光照射工程のそれぞれにおける光照射の照射エネルギーが、互いに異なる請求項５から７の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  9. 　前記緑色発光素子に対応する露光領域に対する光照射の照射エネルギーが、前記赤色発光素子に対応する露光領域に対する光照射の照射エネルギーよりも大きく、前記緑色発光素子に対応する露光領域に対する光照射の照射エネルギーよりも小さい請求項８に記載の発光デバイスの製造方法。
  10. 　前記第１光照射工程、前記第２光照射工程、および前記第３光照射工程のそれぞれにおいて、前記第１量子ドット、前記第２量子ドット、および前記第３量子ドットが、照射された光を吸収し発熱する請求項３から９の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  11. 　前記量子ドット層形成工程は、さらに
    　　前記第１塗布工程に先立って、表面に反射性の金属薄膜を含む電極を、前記第１露光領域、前記第２露光領域、および前記第３露光領域のそれぞれと重畳する位置に、個別に形成する電極形成工程を備えた請求項３から１０の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  12. 　前記量子ドット層形成工程は、さらに
    　　前記第１塗布工程に先立って、表面に酸化物半導体膜を含む電極を、前記第１露光領域、前記第２露光領域、および前記第３露光領域のそれぞれと重畳する位置に、個別に形成する電極形成工程を備えた請求項３から１０の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  13. 　前記第１光照射工程、前記第２光照射工程、および前記第３光照射工程のそれぞれにおいて、前記酸化物半導体膜が、照射された光を吸収し発熱する請求項１２に記載の発光デバイスの製造方法。
  14. 　前記量子ドット層形成工程における何れかの光照射工程において、リガンドの融点が溶媒の沸点以下であり、リガンドが溶融した後に溶媒が気化する請求項１から１３の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  15. 　前記量子ドット層形成工程における何れかの光照射工程において、リガンドの融点が溶媒の沸点より高く、溶媒が気化した後にリガンドが溶融する請求項１から１３の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024084617A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007142203A1 (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Hoya Corporation 量子ドット発光型無機ｅｌ素子
US20090321692A1 (en) * 2005-01-05 2009-12-31 Locascio Michael Nanostructured material comprising semiconductor nanocrystal complexes
JP2010526420A (ja) * 2007-05-07 2010-07-29 イーストマン コダック カンパニー 電力の分配が改善されたエレクトロルミネッセンス・デバイス
JP2011502333A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 イーストマン コダック カンパニー ブリンキングのない量子ドットを含む装置
US20110175030A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Xiaofan Ren Preparing large-sized emitting colloidal nanocrystals
JP2014077046A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Konica Minolta Inc 発光層形成用インク組成物、発光素子の作製方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス
US20170045651A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 Samsung Display Co., Ltd. Color mirror substrate, method of manufacturing the same and color mirror display device having the same
US20170271605A1 (en) * 2016-03-17 2017-09-21 Apple Inc. Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays
JP2018502950A (ja) * 2014-12-23 2018-02-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア メソゲンリガンドで機能化されたナノ粒子の三次元構造、及びこれを作製して使用する方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6379671B2 (ja) 2013-06-24 2018-08-29 Jsr株式会社 硬化性樹脂組成物、硬化膜、発光素子、波長変換フィルムおよび発光層の形成方法
CN105514302B (zh) * 2016-01-26 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090321692A1 (en) * 2005-01-05 2009-12-31 Locascio Michael Nanostructured material comprising semiconductor nanocrystal complexes
WO2007142203A1 (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Hoya Corporation 量子ドット発光型無機ｅｌ素子
JP2010526420A (ja) * 2007-05-07 2010-07-29 イーストマン コダック カンパニー 電力の分配が改善されたエレクトロルミネッセンス・デバイス
JP2011502333A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 イーストマン コダック カンパニー ブリンキングのない量子ドットを含む装置
US20110175030A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Xiaofan Ren Preparing large-sized emitting colloidal nanocrystals
JP2014077046A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Konica Minolta Inc 発光層形成用インク組成物、発光素子の作製方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス
JP2018502950A (ja) * 2014-12-23 2018-02-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア メソゲンリガンドで機能化されたナノ粒子の三次元構造、及びこれを作製して使用する方法
US20170045651A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 Samsung Display Co., Ltd. Color mirror substrate, method of manufacturing the same and color mirror display device having the same
US20170271605A1 (en) * 2016-03-17 2017-09-21 Apple Inc. Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024084617A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法

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