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WO2019150871A1 - 圧力センサ - Google Patents

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Publication number
WO2019150871A1
WO2019150871A1 PCT/JP2018/048173 JP2018048173W WO2019150871A1 WO 2019150871 A1 WO2019150871 A1 WO 2019150871A1 JP 2018048173 W JP2018048173 W JP 2018048173W WO 2019150871 A1 WO2019150871 A1 WO 2019150871A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pressure sensor
sensor chip
semiconductor pressure
protrusion
semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/048173
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和哉 滝本
Original Assignee
株式会社鷺宮製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社鷺宮製作所 filed Critical 株式会社鷺宮製作所
Priority to CN201880088060.XA priority Critical patent/CN111684253B/zh
Publication of WO2019150871A1 publication Critical patent/WO2019150871A1/ja

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means

Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor, and more particularly to a pressure sensor using a semiconductor pressure sensor chip as in the piezoresistive effect method.
  • pressure sensors that use a semiconductor pressure sensor chip such as a piezoresistive effect method, a capacitance detection method, or a silicon resonant method are known as pressure sensors that detect fluid pressure. .
  • the most common piezoresistive effect type semiconductor pressure sensor chip has a diaphragm formed in a material having a piezoresistive effect (for example, single crystal silicon), and a plurality of semiconductor strain gauges are formed on the surface of the diaphragm. These semiconductor strain gauges are bridge-connected to form a bridge circuit. Then, the diaphragm portion is deformed by the fluctuation of the pressure of the fluid to be detected, and the gauge resistance of the semiconductor strain gauge changes accordingly, and this change is taken out as an electric signal via the bridge circuit, and thereby the fluid The pressure of is detected.
  • a material having a piezoresistive effect for example, single crystal silicon
  • thermal stress is generated due to the difference in linear expansion coefficient between the semiconductor pressure sensor chip, the support member supporting the semiconductor pressure sensor chip, and the adhesive. That is, for example, when the ambient temperature decreases, the adhesive having a larger linear expansion coefficient compared to the semiconductor pressure sensor chip contracts, and conversely, when the ambient temperature increases, the adhesive compares with the semiconductor pressure sensor chip. Expands. In this case, since the semiconductor pressure sensor chip is restrained by the adhesive, thermal stress is generated between the semiconductor pressure sensor chip and the adhesive. In addition, thermal stress is generated between the adhesive and the support member for the same reason.
  • connection portion connected at a tensile elongation rate of 400% or more and the position corresponding to the outer peripheral portion of the bottom surface of the pressure detection element on the bottom surface of the element storage portion are provided.
  • An invention of a pressure detecting device is disclosed that includes a protrusion and cushions stress by good elongation characteristics and has extremely good thermal response.
  • the pressure detection element is disposed in the element storage portion that is a rectangular hole provided in the apparatus base portion, the element storage portion may restrain the side wall of the pressure detection element. There was a problem that it was difficult to maintain and manage the dimensional accuracy of the protrusion inside the hole.
  • the adhesive application amount is not stable due to the viscosity of the adhesive, the adhesive overflowing from the rectangular hole restrains the pressure detection element, or the adhesive layer thickness is larger than the height of the protrusion provided at the bottom of the rectangular hole.
  • the adhesion state varies, for example, the pressure detection element is not adhered due to lowering, and the temperature response of the sensor output and the accuracy of the sensor output become unstable.
  • an object of the present invention is to obtain a uniform adhesive layer thickness by controlling the shape and processing accuracy of a part in a pressure sensor using a semiconductor pressure sensor chip such as a piezoresistive effect method.
  • a pressure sensor that can reduce the distortion of the semiconductor pressure sensor chip caused by the difference in the linear expansion coefficient of the semiconductor pressure sensor chip, support member, adhesive, etc. due to the temperature change, and can improve the accuracy of the sensor output Is to provide.
  • a pressure sensor includes a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm portion therein, a support member that supports the semiconductor pressure sensor chip, and the semiconductor pressure sensor chip and the support member that are bonded together.
  • the pressure sensor including an adhesive layer to be fixed, a protrusion that does not contact the semiconductor pressure sensor chip and a sensor chip support that contacts the semiconductor pressure sensor chip are formed on the support member.
  • the adhesive layer is formed on the protrusion, and the thickness of the adhesive layer is determined by a gap between the protrusion and the sensor chip support.
  • the sensor chip support portion may be formed around the protrusion portion through a groove formed between the protrusion portion and the sensor chip support portion.
  • adhesion region of the protrusion formed on the support member may be located inside the projection location on the support member of the diaphragm portion of the semiconductor pressure sensor chip.
  • the support member may be a metal support that is insulated and fixed to the outside.
  • the support member may be a base constituting a housing of the pressure sensor.
  • the base may be formed of a conductive material.
  • the base may be formed of an insulating material.
  • the support member may further include an attachment substrate disposed in the liquid sealing chamber and supporting the semiconductor pressure sensor chip.
  • the mounting substrate may be formed of an insulating material.
  • a conductive material may be bonded to one surface of the mounting substrate on which the semiconductor pressure sensor chip is fixed.
  • the support member may be formed with a protrusion on which the adhesive layer is formed around a sensor chip support that is in contact with the semiconductor pressure sensor chip.
  • a uniform adhesive layer thickness can be obtained by managing the shape and processing accuracy of a part.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an entire liquid ring type pressure sensor as a first embodiment of a pressure sensor according to the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the attachment structure of the semiconductor pressure sensor chip
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an entire liquid ring type pressure sensor 100 which is a first embodiment of a pressure sensor according to the present invention.
  • a liquid ring-type pressure sensor 100 includes a fluid introduction unit 110 that introduces a fluid whose pressure is detected into a pressure chamber 112A described later, a pressure detection unit 120 that detects the pressure of the fluid in the pressure chamber 112A, and a pressure A signal sending unit 130 that sends the pressure signal detected by the detection unit 120 to the outside, a fluid introduction unit 110, a pressure detection unit 120, and a cover member 140 that covers the signal sending unit 130.
  • the fluid introduction part 110 is connected by welding or the like to a metal joint member 111 connected to a pipe through which a fluid whose pressure is detected is guided, and an end part connected to the pipe of the joint member 111. And a metal base plate 112 having a bowl shape.
  • the joint member 111 is formed with a female screw portion 111a that is screwed into a male screw portion of a pipe connection portion, and a port 111b that guides the fluid introduced from the pipe to the pressure chamber 112A.
  • the opening end of the port 111b is connected to an opening provided in the center of the base plate 112 by welding or the like.
  • the joint member 111 is provided with the female thread portion 111a.
  • the joint member 111 may be provided with a male thread, or a copper connection pipe may be connected instead of the joint member 111.
  • the base plate 112 has a bowl shape that widens toward the side facing the joint member 111, and forms a pressure chamber 112A between the base plate 112 and a diaphragm 122 described later.
  • the pressure detection unit 120 includes a housing 121 having a through hole, a diaphragm 122 that isolates the above-described pressure chamber 112A and a liquid sealing chamber 124A, which will be described later, and a diaphragm protective cover 123 disposed on the pressure chamber 112A side of the diaphragm 122.
  • the hermetic glass 124 fitted into the through-hole of the housing 121, and the pressure transmission medium 124PM such as silicone oil or fluorine-based inert liquid is filled between the diaphragm 122 on the pressure chamber 112A side of the hermetic glass 124 and the diaphragm 122.
  • a potential adjusting member 127 disposed around the It includes a plurality of lead pins 128 fixed to Kkugarasu 124, and an oil filling pipe 129 fixed to hermetic glass 124.
  • the housing 121 is made of a metal material such as an Fe / Ni alloy or stainless steel.
  • the diaphragm 122 and the diaphragm protective cover 123 are both formed of a metal material, and are both welded at the outer peripheral edge portion of the through hole on the pressure chamber 112A side of the housing 121.
  • the diaphragm protection cover 123 is provided inside the pressure chamber 112A to protect the diaphragm 122, and a plurality of communication holes 123a through which the fluid introduced from the fluid introduction part 110 passes are provided.
  • the support column 125 is one in which the semiconductor pressure sensor chip 126 is bonded and fixed to the liquid sealing chamber 124A side by an adhesive layer 125A.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 detects the pressure of the fluid introduced from the fluid introduction unit 110 into the pressure chamber 112A as described above as the pressure fluctuation of the pressure transmission medium 124PM in the liquid sealing chamber 124A via the diaphragm 122. It is.
  • the mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 will be described in detail with reference to FIG.
  • the potential adjusting member 127 has the semiconductor pressure sensor chip 126 placed in a no electric field (zero potential), and the inside of the chip is influenced by the potential generated between the frame ground and the secondary power source. This circuit is provided so as not to adversely affect the circuit.
  • the potential adjusting member 127 is disposed between the semiconductor pressure sensor chip 126 and the diaphragm 122 in the liquid sealing chamber 124A, is formed of a conductive material such as metal, and is connected to the zero potential of the semiconductor pressure sensor chip 126. Connected to the terminal.
  • a plurality of lead pins 128 and an oil filling pipe 129 are fixed to the hermetic glass 124 by hermetic treatment in a penetrating state.
  • a total of eight lead pins 128 are provided as the lead pins 128. That is, three lead pins 128 for external input / output (Vout), drive voltage supply (Vcc), and ground (GND), and five lead pins 128 as adjustment terminals for the semiconductor pressure sensor chip 126 are provided. ing. In FIG. 1, four of the eight lead pins 128 are shown.
  • the plurality of lead pins 128 are connected to the semiconductor pressure sensor chip 126 by, for example, gold or aluminum bonding wires 126 ⁇ / b> A, and constitute external input / output terminals of the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the oil filling pipe 129 is provided to fill the pressure transmitting medium 124PM in the liquid sealing chamber 124A. One end of the oil filling pipe 129 is crushed and closed as shown by the dotted line in FIG. 1 after the oil filling.
  • the signal sending unit 130 is provided on the side of the pressure detection unit 120 facing the pressure chamber 112A, and is fixed to the terminal block 131 with the plurality of lead pins 128 arranged thereon and the terminal block 131 with an adhesive 132a.
  • an electrostatic protection layer 134 formed of an adhesive.
  • the electrostatic protection layer 134 may be an adhesive such as an epoxy resin.
  • the terminal block 131 has a substantially cylindrical shape, and is formed in a shape having a guide wall for guiding the plurality of lead pins 128 in the vicinity of the middle stage of the cylinder, and is made of a resin material such as polybutylene terephthalate (PBT). It is formed by.
  • the terminal block 131 is fixed to the upper part of the housing 121 of the pressure detection unit 120 by, for example, an adhesive used for the electrostatic protection layer 134.
  • connection terminal 132 is made of a metal material, and is fixed to the cylindrical side wall above the fixed wall of the terminal block 131 by an adhesive 132a.
  • three connection terminals 132 for external input / output (Vout), drive voltage supply (Vcc), and ground (GND) are provided.
  • the inner end portions of the three connection terminals 132 are electrically connected to the corresponding lead pins 128 by welding or the like, but are not limited to this connection method, and may be connected by other methods.
  • three electric wires 133 are provided to connect to the three connection terminals 132.
  • the electric wire 133 is pre-soldered to the core wire 133a of the electric wire 133 which is made of polyvinyl chloride (PVC) or the like, and a bundle of the stranded wires is soldered to the connection terminal 132 described above.
  • the connection terminal 132 is electrically connected by welding or the like, but is not limited to this connection method, and may be connected by other methods.
  • the three electric wires 133 are drawn out from the cover member 140 that covers the periphery of the pressure sensor 100, and then bundled into three bundles, and a protective tube (not shown) formed of polyvinyl chloride (PVC) or the like. ).
  • the electrostatic protection layer 134 is provided to improve the electrostatic strength of the pressure detection unit 120 without being affected by the presence or absence of the ESD protection circuit.
  • the electrostatic protection layer 134 is mainly applied to the upper end surface of the housing 121 so as to cover the upper end surface of the hermetic glass 124, and an annular adhesive layer 134a having a predetermined thickness formed of a silicone-based adhesive,
  • the lead pin 128 is coated on the entire upper end surface of the hermetic glass 124, and is composed of a coating layer 134b made of a silicone adhesive.
  • An annular protrusion 131 a that protrudes toward the hermetic glass 124 is formed on the inner peripheral surface that forms the cavity of the terminal block 131 and faces the upper end surface of the hermetic glass 124.
  • the protruding length of the annular protrusion 131a is set according to the viscosity of the covering layer 134b.
  • a part of the coated layer 134b is applied to the hermetic glass in the inner peripheral surface forming the annular protrusion 131a and the cavity of the terminal block 131 by surface tension. Since it is pulled and held in a narrow space between the upper end surface of 124 and a portion substantially perpendicular to it, the coating layer 134b is applied without being biased to one side in the cavity of the terminal block 131.
  • the covering layer 134b is formed on the upper end surface of the hermetic glass 124 with a predetermined thickness. As shown in a portion 134c of FIG. 1, a portion of the plurality of lead pins 128 protruding from the upper end surface of the hermetic glass 124 is formed. Further, it may be formed so as to cover it.
  • the cover member 140 has a substantially cylindrical shape that covers the periphery of the pressure detection unit 120 and the signal transmission unit 130, a terminal block cap 142 that covers the top of the terminal block 131, and an inner peripheral surface of the waterproof case 141 And a sealant 143 that fills a space between the outer peripheral surface of the housing 121 and the outer peripheral surface of the terminal block 131.
  • the terminal block cap 142 is made of, for example, a resin material.
  • the terminal block cap 142 is formed so as to close the upper portion of the cylindrical terminal block 131 described above, and is covered on the upper portion of the terminal block 131 before being filled with a sealing agent 143 such as urethane resin. Is done.
  • the terminal block cap 142 is not limited to this shape.
  • the terminal block cap 142 may be formed so as to integrally close the upper portion of the terminal block 131 and the upper portion of the waterproof case 141, and may be covered after the sealing agent 143 is filled.
  • a new lid member may be provided separately from the terminal block cap 142, and after the terminal block cap 142 and the sealant 143 are disposed, the new lid member may be covered on the upper portion of the waterproof case 141. Good.
  • the waterproof case 141 is formed in a substantially cylindrical shape by a resin material such as polybutylene terephthalate (PBT), and a flange portion directed inward is provided at the lower end portion of the cylindrical shape.
  • PBT polybutylene terephthalate
  • the outer peripheral part of the base plate 112 of the fluid introduction part 110 to which the signal transmission part 130 and the pressure detection part 120 inserted from the opening part of the upper part of the waterproof case 141 are connected to this flange part.
  • internal components such as the pressure detection unit 120 are fixed.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the conventional pressure sensor 200.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 of the conventional pressure sensor 200 is fixed by an adhesive layer 225 ⁇ / b> A applied to the entire surface of the support column 225.
  • the lead terminals (not shown) of the semiconductor pressure sensor chip 126 and the plurality of lead pins 128 are made of gold or aluminum by a wire bonding process. Are connected by the bonding wire 126A.
  • the adhesive layer 225 ⁇ / b> A is formed on the entire surface of the support 225, the binding force of the adhesive layer 225 ⁇ / b> A and the support 225 on the semiconductor pressure sensor chip 126 becomes strong. ing. For this reason, the semiconductor pressure sensor chip 126 may be distorted due to the influence of the thermal stress generated by the difference between these linear expansion coefficients. That is, for example, when the ambient temperature decreases, the adhesive layer 225A having a larger linear expansion coefficient compared to the semiconductor pressure sensor chip 126 contracts, and conversely, when the ambient temperature increases, it compares with the semiconductor pressure sensor chip 126. Then, the adhesive layer 225A expands.
  • thermal stress is generated between the semiconductor pressure sensor chip 126 and the adhesive layer 225A, and thermal stress is also generated between the adhesive layer 225A and the support column 225 for the same reason.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 may be distorted due to the thermal stress generated in this way.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the pressure sensor 100 shown in FIG.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 is fixed to a support column 125 as a support member via an adhesive layer 125A.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 As the semiconductor pressure sensor chip 126, a semiconductor pressure sensor chip with a diaphragm portion formed therein as in the piezoresistive effect system is used here.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 using the piezoresistance effect is mainly composed of a semiconductor substrate portion 126a having a diaphragm portion 126a1 made of a material having a piezoresistance effect (for example, single crystal silicon), and a pedestal portion 126b made of glass or the like. Composed.
  • the semiconductor substrate portion 126a and the pedestal portion 126b are bonded by an anodic bonding method or the like, and the space between the diaphragm portion 126a1 and the pedestal portion 126b of the semiconductor substrate portion 126a becomes a reference pressure chamber.
  • a plurality of semiconductor strain gauges are formed in the diaphragm portion 126a1 of the semiconductor substrate portion 126a, and a bridge circuit in which these semiconductor strain gauges are bridge-connected is configured.
  • a bridge circuit in which these semiconductor strain gauges are bridge-connected is configured.
  • a silicone-based, urethane-based, or fluorine-based adhesive, gel, rubber, or elastomer may be used.
  • the support 125 is formed of a metal material such as an Fe / Ni alloy or stainless steel.
  • an in-groove protrusion 125 a which is a flat protrusion formed at the center, and the groove 125 b from the in-groove protrusion 125 a, around the support 125.
  • a sensor chip support portion 125c which is a formed annular projection, is formed.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 is in close contact with the sensor chip support portion 125c of the column 125, but does not contact the in-groove convex portion 125a.
  • the sensor chip support portion 125c has an annular shape, but is not limited to this, and may be a polygonal shape or a plurality of annular protrusions.
  • the adhesive layer 125A is formed on the in-groove convex portion 125a formed on the support column 125, and is not formed on the sensor chip support portion 125c. Therefore, the thickness of the adhesive layer 125 ⁇ / b> A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 125 a and the sensor chip support 125 c that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • FIG. 9 is a diagram showing the correlation between the thickness of the adhesive layer 125A and the temperature responsiveness.
  • the vertical axis represents the output accuracy of the semiconductor pressure sensor chip 126 after the temperature change from high temperature to low temperature
  • the horizontal axis represents the thickness of the adhesive layer 125A.
  • the thickness of the adhesive layer 125A is larger than a predetermined thickness, the thermal stress due to the difference in coefficient of linear expansion caused by the elasticity of the adhesive layer 125A is absorbed. It is considered that the distortion of the semiconductor pressure sensor chip 126 is suppressed.
  • the adhesive layer 125A can be easily formed with a stable thickness by determining the thickness of the adhesive layer 125A based on the gap ⁇ g between the in-groove convex portion 125a and the sensor chip support portion 125c. Can do.
  • the surface of the support 125 can be processed by cutting, etching, laser irradiation, pressing, or the like to form the in-groove convex portion 125a and the sensor chip support portion 125c, which facilitates the manufacturing process and manages the height dimensions thereof. It becomes easy to do and can suppress a manufacturing man-hour.
  • the groove 125b is provided between the in-groove convex portion 125a and the sensor chip support portion 125c, the excess adhesive does not flow into the groove 125b, and the adhesive region of the adhesive layer 125A does not increase.
  • the thickness of the adhesive layer 125A can be kept constant.
  • the adhesive region of the adhesive layer 125A formed on the in-groove convex portion 125a that is a flat protrusion is larger than the projected area of the diaphragm portion 126a1 inside the semiconductor pressure sensor chip 126 on the support column 125. It is getting smaller.
  • the adhesive region of the adhesive layer 125A in this way, the binding force on the semiconductor pressure sensor chip 126 is weakened, the thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient between each other can be suppressed, and the distortion of the semiconductor pressure sensor chip 126 can be reduced. Can be prevented.
  • the diaphragm portion 126a1 when only the portion corresponding to the deformed portion such as the diaphragm portion 126a1 in which the fluid to be detected is introduced and repeatedly deformed is set as the adhesion region, the diaphragm portion 126a1 is not deformed but is not deformed.
  • the semiconductor pressure sensor chip 126 In the case where the peripheral portion is used as an adhesion region, the semiconductor pressure sensor chip 126 is more firmly restrained, and distortion due to thermal stress is likely to occur, and the detection accuracy is deteriorated. For this reason, the accuracy of sensor output is improved by making the adhesion region of the adhesive layer 125A smaller than the projected area of the diaphragm portion 126a1 inside the semiconductor pressure sensor chip 126 with respect to the column 125.
  • an in-groove protrusion 125 a is formed at the center of the support 125, and the sensor is an annular protrusion formed around the support 125 with the groove 125 b being separated from the in-groove protrusion 125 a.
  • the chip support part 125c is formed, the present invention is not limited to this. That is, as shown in a modification 1000 of the present embodiment shown in FIG. 10, a sensor chip support portion 1025c that comes into contact with the semiconductor pressure sensor chip 126 is provided at the center of the column 1025, and a groove 1025b is provided around the sensor chip support portion 1025c. A protrusion 1025a on which the adhesive layer 1025A is formed without contacting the semiconductor pressure sensor chip 126 may be provided.
  • the sensor chip support portion 1025c may have a flat surface enough to hold the semiconductor pressure sensor chip 126 with a stable inclination, and the protrusion 1025a is fixed between the semiconductor pressure sensor chip 126 and the semiconductor pressure sensor chip 126. It is good also as what is formed in the height in which the adhesive layer 1025A of thickness is formed.
  • the adhesive layer is formed on the protrusion formed on the support member, and the thickness of the adhesive layer is the protrusion, the sensor chip support, Determined by the gap ⁇ g. Since the gap ⁇ g and the size of the protrusion are formed in the shape of the protrusion processed into the support 125, the thickness of the adhesive layer and the size of the adhesive region can be easily managed. As a result, in a pressure sensor using a semiconductor pressure sensor chip such as the piezoresistive effect method, the distortion of the semiconductor pressure sensor chip caused by the difference in linear expansion coefficient of the semiconductor pressure sensor chip, the support member, the adhesive, etc. due to the conventional temperature change. The accuracy of sensor output can be improved.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the second embodiment of the pressure sensor according to the present invention.
  • the pressure sensor 400 differs from the pressure sensor 100 shown in FIGS. 1 and 3 in that a mounting substrate 425B is disposed between the support column 425 and the semiconductor pressure sensor chip 126. The point is the same as the pressure sensor 100. Similar components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the mounting substrate 425B is formed of an insulating material such as resin, glass, or ceramic, and is fixed to the support column 425 with an adhesive or the like.
  • a conductive layer may be formed on one surface of the mounting substrate 425B on which the semiconductor pressure sensor chip 126 is fixed by sticking, vapor deposition, plating, photolithography, or the like.
  • This conductive layer may be formed of any metal and alloy film of gold, silver, copper, aluminum and the like.
  • the conductive layer is connected to a terminal connected to the zero potential of the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the mounting substrate 425B serving as a support member includes a groove protrusion 425Ba that is a flat protrusion formed in the center on the surface facing the semiconductor pressure sensor chip 126, and a groove protrusion 425Ba.
  • a sensor chip support portion 425Bc which is an annular projection formed around the groove 425Bb, is formed.
  • the adhesive layer 425A is formed on the in-groove protrusion 425Ba formed on the mounting substrate 425B, and is not formed on the sensor chip support 425Bc. Therefore, the thickness of the adhesive layer 425A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 425Ba and the sensor chip support 425Bc that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the present invention is not limited to this, and it is sufficient that a gap ⁇ g can be formed between the protrusion 425Ba in the groove via the groove 425Bb. There is no need.
  • the pressure sensor 400 according to the second embodiment of the present invention can provide the same effects as the pressure sensor 100 according to the first embodiment. Furthermore, since it is only necessary to process the mounting substrate 425B attached to the support column 425, the processing is further facilitated, and the number of manufacturing steps can be suppressed.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing the mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the third embodiment of the pressure sensor according to the present invention.
  • the pressure sensor 500 is provided with a base 525 that constitutes a housing of the pressure sensor 500 as a support member, instead of the support column 125, as compared with the pressure sensor 100 illustrated in FIGS. 1 and 3.
  • the difference is that the pressure sensor chip 126 is fixed to the base 525 via an adhesive layer 525A.
  • the base 525 is formed of a conductive material such as a metal including stainless steel. For this reason, each of the plurality of lead pins 528 connected to the semiconductor pressure sensor chip 126 by the bonding wire 126A is fixed to the base 525 through the insulating hermetic glass 524.
  • the base 525 serving as a support member has a groove in-groove 525a which is a flat protrusion formed in the center on the surface facing the semiconductor pressure sensor chip 126, and a groove from the groove in-groove 525a to the groove.
  • a sensor chip support portion 525c which is a ring-shaped projection formed around the periphery, is formed across 525b.
  • the adhesive layer 525A is formed on the in-groove protrusion 525a formed on the base 525, and is not formed on the sensor chip support 525c.
  • the thickness of the adhesive layer 525A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 525a and the sensor chip support 525c that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the sensor chip support portion 525c is an annular protrusion, the present invention is not limited to this, and it is only necessary that a gap ⁇ g can be formed between the protrusion 525a in the groove via the groove 525b. There is no need.
  • the pressure sensor 500 according to the third embodiment of the present invention can provide the same effects as the pressure sensor 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the fourth embodiment of the pressure sensor according to the present invention.
  • the pressure sensor 600 has a mounting substrate 625B between a base 625 formed of a conductive material such as stainless steel and the semiconductor pressure sensor chip 126, as compared with the pressure sensor 500 shown in FIG. Is the same as the pressure sensor 500 in other points. Similar components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the mounting substrate 625B serving as a support member is provided on the surface facing the semiconductor pressure sensor chip 126 from the in-groove protrusion 625Ba, which is a flat protrusion formed in the center, and the in-groove protrusion 625Ba.
  • a sensor chip support portion 625Bc which is an annular protrusion formed around the groove 625Bb, is formed.
  • the adhesive layer 625A is formed on the in-groove protrusion 625Ba formed on the mounting substrate 625B, and is not formed on the sensor chip support 625Bc. Therefore, the thickness of the adhesive layer 625A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 625Ba and the sensor chip support 625Bc that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the pressure sensor 600 according to the fourth embodiment of the present invention can provide the same effects as the pressure sensor 500 according to the third embodiment. Furthermore, since the attachment substrate 625B attached to the base 625 may be processed, the processing is further facilitated, and the number of manufacturing steps can be suppressed.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the fifth embodiment of the pressure sensor according to the present invention.
  • the pressure sensor 700 has an insulating property such as resin or ceramic instead of a base 525 formed of a conductive material such as metal as a supporting member, as compared with the pressure sensor 500 shown in FIG. A base 725 made of the above material is provided, and the semiconductor pressure sensor chip 126 is fixed to the base 725 via an adhesive layer 725A.
  • the workability of the material can be improved and the number of man-hours can be reduced. Further, in order to fix the plurality of conductive lead pins 728, In addition, it is no longer necessary to use insulating hermetic glass, and the manufacturing cost can be reduced at a low cost.
  • the base 725 serving as a support member has a groove in-groove 725a that is a flat protrusion formed in the center on the surface facing the semiconductor pressure sensor chip 126, and a groove from the groove in-groove 725a to the groove.
  • a sensor chip support portion 725c which is an annular projection formed around the periphery, is formed with a gap 725b.
  • the adhesive layer 725A is formed on the in-groove convex portion 725a formed on the base 725, and is not formed on the sensor chip support portion 725c.
  • the thickness of the adhesive layer 725 ⁇ / b> A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 725 a and the sensor chip support 725 c that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the sensor chip support portion 725c is an annular protrusion, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that a gap ⁇ g can be formed between the protrusion 725a in the groove via the groove 725b. There is no need.
  • the pressure sensor 700 according to the fifth embodiment of the present invention can provide the same operational effects as those of the pressure sensor 500 according to the third embodiment, and can further provide insulating properties such as resin and ceramic. Since the base 725 formed of the material only needs to be processed, the workability of the material is improved and the number of man-hours can be reduced.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the mounting structure of the semiconductor pressure sensor chip 126 of the sixth embodiment of the pressure sensor according to the present invention.
  • the pressure sensor 800 has a mounting substrate 825B between a base 825 formed of an insulating material such as resin or ceramic and the semiconductor pressure sensor chip 126, as compared with the pressure sensor 700 shown in FIG. Is the same as the pressure sensor 700 in other respects. Similar components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the mounting substrate 825B serving as a support member is provided on the surface facing the semiconductor pressure sensor chip 126 from the in-groove protrusion 825Ba, which is a flat protrusion formed in the center, and the in-groove protrusion 825Ba.
  • a sensor chip support portion 825Bc which is an annular projection formed around the groove 825Bb, is formed.
  • the adhesive layer 825A is formed on the in-groove protrusion 825Ba formed on the mounting substrate 825B, and is not formed on the sensor chip support 825Bc. Therefore, the thickness of the adhesive layer 825A is determined by the gap ⁇ g between the in-groove protrusion 825Ba and the sensor chip support 825Bc that contacts the semiconductor pressure sensor chip 126.
  • the pressure sensor 800 according to the sixth embodiment of the present invention can provide the same effects as the pressure sensor 700 according to the fifth embodiment. Furthermore, since it is only necessary to process the mounting substrate 825B attached to the base 825, the processing is further facilitated, and the number of manufacturing steps can be suppressed.
  • the pressure sensor of the present invention has been described by taking the liquid-sealed pressure sensor of the first to sixth embodiments as an example.
  • the present invention is not limited to this, and a semiconductor pressure sensor chip such as a piezoresistive effect system is used. It can also be applied to other pressure sensors that use.
  • the adhesive layer is formed on the protrusion formed on the support member, and the thickness of the adhesive layer is between the protrusion and the sensor chip support. It is determined by the gap ⁇ g. Since the gap ⁇ g and the size of the protrusion are formed in a shape processed into the support member, the thickness of the adhesive layer and the size of the adhesive region can be easily managed. As a result, in a pressure sensor using a semiconductor pressure sensor chip such as the piezoresistive effect method, the distortion of the semiconductor pressure sensor chip caused by the difference in linear expansion coefficient of the semiconductor pressure sensor chip, the support member, the adhesive, etc. due to the conventional temperature change. The accuracy of sensor output can be improved.
  • Pressure sensor 110 Fluid introduction part 111 Joint member 111a Female thread part 111b Port 112 Base plate 112A Pressure chamber 120 Pressure detection part 121 Housing 122 Diaphragm 123 Diaphragm protection cover 123a Communication hole 124, 524 Hermetic glass 124A Liquid sealed chamber 125, 425 Column 125a, 425Ba, 525a, 625Ba, 725a, 825Ba Groove convex part 125b, 425Bb, 525b, 625Bb, 725b, 825Bb, 1025b Groove 125c, 425Bc, 525c, 625c, 725c, 825c, 725c 1025c Sensor chip support 125A, 425A, 525A, 625A, 725A, 825A, 1025A Adhesive layer 1 6 Semiconductor pressure sensor chip 126a Semiconductor substrate part 126a1 Diaphragm part 126b Base part

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Abstract

本発明は、ピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップ（１２６）を使用した圧力センサ（１００）において、部品の形状、加工精度を管理することにより一様な接着剤層（１２５Ａ）の厚さを得ることができ、従来の温度変化による半導体圧力センサチップ（１２６）、支持部材、接着剤等の線膨張係数の差異により生じる半導体圧力センサチップ（１２６）の歪を低減し、センサ出力の精度の向上を図ることを目的とする。本発明の圧力センサ（１００）は、支柱（１２５）の半導体圧力センサチップ（１２６）に相対する面には、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部（１２５ａ）と、溝内凸部（１２５ａ）から溝（１２５ｂ）を隔てて、支柱（１２５）の周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部（１２５ｃ）とが形成される。接着剤層（１２５Ａ）の厚さは、溝内凸部（１２５ａ）と、半導体圧力センサチップ（１２６）に当接するセンサチップ支持部（１２５ｃ）との間のギャップΔｇにより決定される。

Description

圧力センサ
　本発明は、圧力センサに関し、特にピエゾ抵抗効果方式のように半導体圧力センサチップを使用した圧力センサに関する。
　従来から流体の圧力を検出する圧力センサとして、例えば、ピエゾ抵抗効果方式や、その他、静電容量検出方式、または、シリコンレゾナント方式のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサが知られている。
　このうち最も一般的なピエゾ抵抗効果方式の半導体圧力センサチップでは、ピエゾ抵抗効果を有する材料（例えば、単結晶シリコン）にダイヤフラム部が形成され、このダイヤフラム部の表面に複数の半導体歪みゲージが形成され、これらの半導体歪みゲージがブリッジ接続され、ブリッジ回路が形成される。そして、検出されるべき流体の圧力の変動により、ダイヤフラム部が変形し、これに応じて半導体歪みゲージのゲージ抵抗が変化し、この変化がブリッジ回路を介して電気信号として取り出され、これにより流体の圧力が検出される。
特許第５０４４８９６号公報 特許第３９８７３８６号公報
　上述のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサでは、周囲温度が変化すると、半導体圧力センサチップ、これを支持する支持部材、及び、接着剤の線膨張係数の差異により熱応力が発生する。つまり、例えば周囲温度が低下した場合には半導体圧力センサチップと比較して線膨張係数の大きい接着剤が収縮し、逆に周囲温度が上昇した場合には半導体圧力センサチップと比較して接着剤が膨張する。この場合に半導体圧力センサチップは、接着剤で拘束されているため、半導体圧力センサチップと接着剤の間には熱応力が発生する。また、接着剤と支持部材の間にも同様の理由で熱応力が発生する。
　このような熱応力の発生により半導体圧力センサチップが歪み、半導体圧力センサチップの出力特性が変化し、半導体圧力センサチップのセンサ出力の精度が低下するという問題が従来から知られている。これは、半導体圧力センサチップでは、上述のように内部に形成されたダイヤフラム部に流体を導入して圧力を検出するため、半導体圧力センサチップが歪むと、内部のダイヤフラム部も歪み、正確に圧力を検出することができないことが原因となっている。また、接着剤の粘弾性の性質により、圧力センサの温度応答性の遅れにより精度が悪化するという問題も従来から知られている。
　特許文献１では、このような従来の問題に対して、引張り伸び率４００％以上で接続する接続部と、素子格納部の底面の圧力検出素子の底面の外周部に対応する位置に設けられた突起部とを備えることにより、良好な伸び特性によって応力を緩衝し熱応答性が極めて良い圧力検出装置の発明が開示されている。しかしながら、特許文献１では、圧力検出素子が装置基体部に設けられた矩形穴である素子格納部に配置されるため、素子格納部が圧力検出素子の側壁を拘束するおそれがあり、さらに、矩形穴内部の突起部の寸法精度の維持管理が難しいという問題があった。また、接着剤の粘度により接着剤塗布量が安定せず、矩形穴より溢れた接着剤が圧力検出素子を拘束し、又は、矩形穴底部に設けられた突起高さよりも接着剤層厚さが低くなり圧力検出素子が接着されない等、接着状態にばらつきが生じ、センサ出力の温度応答性、センサ出力の精度が不安定となるといった問題もあった。
　従って、本発明の目的は、ピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサにおいて、部品の形状、加工精度を管理することにより一様な接着剤層の厚さを得ることができ、従来の温度変化による半導体圧力センサチップ、支持部材、接着剤等の線膨張係数の差異により生じる半導体圧力センサチップの歪を低減し、センサ出力の精度の向上を図ることができる圧力センサを提供することである。
　前記課題を解決するために、本発明の圧力センサは、内部にダイヤフラム部を有する半導体圧力センサチップと、前記半導体圧力センサチップを支持する支持部材と、前記半導体圧力センサチップと前記支持部材を接着して固定する接着剤層とを備える圧力センサにおいて、前記支持部材には、前記半導体圧力センサチップに当接しない突起部と、前記半導体圧力センサチップに当接するセンサチップ支持部とが形成され、前記接着剤層は、前記突起部に形成され、前記接着剤層の厚さは、前記突起部と、前記センサチップ支持部との間のギャップにより決定されることを特徴とする。
　また、前記センサチップ支持部は、前記突起部と前記センサチップ支持部との間に形成された溝を介して、前記突起部の周囲に形成されるものとしてもよい。
　また、前記支持部材に形成された前記突起部の接着領域は、前記半導体圧力センサチップの前記ダイヤフラム部の支持部材に対する投影箇所の内側となるものとしてもよい。
　また、前記支持部材は、外部に対して絶縁して固定される金属製の支柱であるものとしてもよい。
　また、前記支持部材は、前記圧力センサの筐体を構成するベースであるものとしてもよい。
　また、前記ベースは、導電性の材質で形成されるものとしてもよい。
　また、前記ベースは、絶縁性の材質で形成されるものとしてもよい。
　また、前記支持部材には、さらに、前記液封室に配置され、前記半導体圧力センサチップが支持される取付基板が含まれるものとしてもよい。
　また、前記取付基板は、絶縁性の材料で形成されるものとしてもよい。
　また、前記取付基板の前記半導体圧力センサチップが固定される一方の面に、導電性の材料が接合されるものとしてもよい。
　また、前記支持部材には、前記接着剤層が形成される突起部が、前記半導体圧力センサチップに当接するセンサチップ支持部の周囲に形成されるものとしてもよい。
　本発明の圧力センサによれば、ピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサにおいて、部品の形状、加工精度を管理することにより一様な接着剤層の厚さを得ることができ、従来の温度変化による半導体圧力センサチップ、支持部材、接着剤等の線膨張係数の差異により生じる半導体圧力センサチップの歪を低減し、センサ出力の精度の向上を図ることができる。
本発明に係る圧力センサの第１の実施形態である液封形の圧力センサの全体を示す縦断面図である。 従来の圧力センサの半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 図１に示す圧力センサの半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力センサの第２の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力センサの第３の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力センサの第４の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力センサの第５の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力センサの第６の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造を示す縦断面図である。 接着剤層の厚さと温度応答性の相関を示す図である。 本発明に係る圧力センサの第１の実施形態の半導体圧力センサチップの取り付け構造の変形例を示す縦断面図である。
　以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
　尚、以下の説明における上下方向、又は、左右方向の概念は、添付の図面における上下左右に対応しており、各部材の相対的な位置関係を示すものであって、絶対的な位置関係を示すものではない。
　まず、本発明の第１の実施形態について説明する。
　図１は、本発明に係る圧力センサの第１の実施形態である液封形の圧力センサ１００の全体を示す縦断面図である。
　図１において、液封型の圧力センサ１００は、圧力検出される流体を後述する圧力室１１２Ａに導入する流体導入部１１０と、圧力室１１２Ａの流体の圧力を検出する圧力検出部１２０と、圧力検出部１２０で検出された圧力信号を外部に送出する信号送出部１３０と、流体導入部１１０、圧力検出部１２０、及び、信号送出部１３０を覆うカバー部材１４０とを備える。
　流体導入部１１０は、圧力検出される流体が導かれる配管に接続される金属製の継手部材１１１と、継手部材１１１の配管に接続される端部と別の端部に溶接等により接続されるお椀形状を有する金属製のベースプレート１１２とを備える。
　継手部材１１１には、配管の接続部の雄ねじ部にねじ込まれる雌ねじ部１１１ａと、配管から導入された流体を圧力室１１２Ａに導くポート１１１ｂとが形成される。ポート１１１ｂの開口端は、ベースプレート１１２の中央に設けられた開口部に溶接等により接続される。なお、ここでは、継手部材１１１に雌ねじ部１１１ａが設けられるものとしたが、雄ねじが設けられるものとしてもよく、または、継手部材１１１の代わりに、銅製の接続パイプが接続されるものとしてもよい。ベースプレート１１２は、継手部材１１１と対向する側に向かい広がるお椀形状を有し、後述するダイヤフラム１２２との間に圧力室１１２Ａを形成する。
　圧力検出部１２０は、貫通孔を有するハウジング１２１と、上述の圧力室１１２Ａと後述する液封室１２４Ａとを隔絶するダイヤフラム１２２と、ダイヤフラム１２２の圧力室１１２Ａ側に配置されるダイヤフラム保護カバー１２３と、ハウジング１２１の貫通孔内部にはめ込まれるハーメチックガラス１２４と、ハーメチックガラス１２４の圧力室１１２Ａ側の凹部とダイヤフラム１２２との間にシリコーンオイル、または、フッ素系不活性液体等の圧力伝達媒体１２４ＰＭが充填される液封室１２４Ａと、ハーメチックガラス１２４の中央の貫通孔に配置される支柱１２５と、支柱１２５に固定され液封室１２４Ａ内部に配置される半導体圧力センサチップ１２６と、液封室１２４Ａの周囲に配置される電位調整部材１２７と、ハーメチックガラス１２４に固定される複数のリードピン１２８と、ハーメチックガラス１２４に固定されるオイル充填用パイプ１２９とを備える。
　ハウジング１２１は、例えばＦｅ・Ｎｉ系合金やステンレス等の金属材料により形成される。ダイヤフラム１２２と、ダイヤフラム保護カバー１２３は、共に金属材料で形成され、共にハウジング１２１の圧力室１１２Ａ側の貫通孔の外周縁部において溶接される。ダイヤフラム保護カバー１２３は、ダイヤフラム１２２を保護するために圧力室１１２Ａ内部に設けられ、流体導入部１１０から導入された流体が通過するための複数の連通孔１２３ａが設けられる。ハウジング１２１は、圧力検出部１２０が組み立てられた後、流体導入部１１０のベースプレート１１２の外周縁部において、溶接等により接続される。
　支柱１２５は、液封室１２４Ａ側に、半導体圧力センサチップ１２６が接着剤層１２５Ａにより接着して固定されるものである。半導体圧力センサチップ１２６は、上述のように流体導入部１１０から圧力室１１２Ａに導入された流体の圧力を、ダイヤフラム１２２を介して液封室１２４Ａ内の圧力伝達媒体１２４ＰＭの圧力変動として検出するものである。半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造については、後述する図３を使用して詳細に説明される。
　電位調整部材１２７は、特許文献２に記載されているように、半導体圧力センサチップ１２６を無電界（ゼロ電位）内に置き、フレームアースと２次電源との間に生じる電位の影響でチップ内の回路などが悪影響を受けないようにするために設けられる。電位調整部材１２７は、液封室１２４Ａ内の半導体圧力センサチップ１２６とダイヤフラム１２２との間に配置され、金属等の導電性の材料で形成され、半導体圧力センサチップ１２６のゼロ電位に接続される端子に接続される。
　ハーメチックガラス１２４には、複数のリードピン１２８と、オイル充填用パイプ１２９が貫通状態でハーメチック処理により固定される。本実施形態では、リードピン１２８として、全部で８本のリードピン１２８が設けられている。すなわち、外部入出力用（Ｖｏｕｔ）、駆動電圧供給用（Ｖｃｃ）、接地用（ＧＮＤ）の３本のリードピン１２８と、半導体圧力センサチップ１２６の調整用の端子として５本のリードピン１２８が設けられている。なお、図１においては、８本のリードピン１２８のうち４本が示されている。複数のリードピン１２８は、例えば、金またはアルミニウム製のボンディングワイヤ１２６Ａにより半導体圧力センサチップ１２６に接続され、半導体圧力センサチップ１２６の外部入出力端子を構成している。
　オイル充填用パイプ１２９は、液封室１２４Ａの内部に圧力伝達媒体１２４ＰＭを充填するために設けられる。なお、オイル充填用パイプ１２９の一方の端部は、オイル充填後、図１の点線で示されるように、押し潰されて閉塞される。
　信号送出部１３０は、圧力検出部１２０の圧力室１１２Ａに対向する側に設けられ、複数のリードピン１２８を配列する端子台１３１と、端子台１３１に接着剤１３２ａにより固定され、複数のリードピン１２８に接続される複数の接続端子１３２と、複数の接続端子１３２の外端部に半田付け等により電気的に接続される複数の電線１３３と、ハウジング１２１の上端部と端子台１３１の間にシリコーン系接着剤で形成される静電気保護層１３４とを備える。なお、静電気保護層１３４は、エポキシ樹脂などの接着剤でも良い。
　端子台１３１は、略円柱形状であって、当該円柱の中段付近に、上述の複数のリードピン１２８をガイドするためのガイド壁を有する形状に形成され、樹脂材料、例えば、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）により形成される。端子台１３１は、例えば、静電気保護層１３４に使用されている接着剤により、圧力検出部１２０のハウジング１２１の上部に固定される。
　接続端子１３２は、金属材料で形成され、端子台１３１の上述の固定壁より上段の円柱側壁に垂直に接着剤１３２ａにより固定される。なお、本実施形態では、外部入出力用（Ｖｏｕｔ）、駆動電圧供給用（Ｖｃｃ）、接地用（ＧＮＤ）の３本の接続端子１３２が設けられる。３本の接続端子１３２の内端部は、それぞれ対応するリードピン１２８に溶接等により電気的に接続されるが、この接続方法には限定されず、その他の方法で接続してもよい。
　また、本実施形態では、３本の接続端子１３２に接続するために３本の電線１３３が設けられる。電線１３３は、電線１３３のポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等で形成された被覆をはがした芯線１３３ａに予め予備半田を行い、その撚り線を束ねたものを、上述の接続端子１３２に半田付けや溶接等により接続端子１３２に電気的に接続されるが、この接続方法には限定されず、その他の方法で接続してもよい。また、３本の電線１３３は、圧力センサ１００の周囲を覆うカバー部材１４０から引き出された後、３本束ねた状態にしてポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等で形成された保護チューブ（図示を省略する）で覆われる。
　静電気保護層１３４は、ＥＳＤ保護回路の有無に影響されることなく、圧力検出部１２０の静電気耐力を向上させるために設けられるものである。静電気保護層１３４は、主に、ハーメチックガラス１２４の上端面を覆うようにハウジング１２１の上端面に塗布され、シリコーン系接着剤により形成される所定の厚さを有する環状の接着層１３４ａと、複数のリードピン１２８が突出するハーメチックガラス１２４の上端面全体に塗布され、シリコーン系接着剤からなる被覆層１３４ｂとから構成される。端子台１３１の空洞部を形成する内周面であって、ハーメチックガラス１２４の上端面に向き合う内周面には、ハーメチックガラス１２４に向けて突出する環状突起部１３１ａが形成されている。環状突起部１３１ａの突出長さは、被覆層１３４ｂの粘性等に応じて設定される。このように環状突起部１３１ａが形成されることにより、塗布された被覆層１３４ｂの一部が、表面張力により環状突起部１３１ａと、端子台１３１の空洞部を形成する内周面のうちハーメチックガラス１２４の上端面に略直交する部分との間の狭い空間内に引っ張られて保持されるので、被覆層１３４ｂが端子台１３１の空洞部内における一方側に偏ることなく塗布されることとなる。また、被覆層１３４ｂは、ハーメチックガラス１２４の上端面に所定の厚さで形成されるが、図１の部分１３４ｃに示すように、ハーメチックガラス１２４の上端面から突出する複数のリードピン１２８の一部分をさらに覆うように形成されてもよい。
　カバー部材１４０は、略円筒形状で圧力検出部１２０及び信号送出部１３０の周囲を覆う防水ケース１４１と、端子台１３１の上部に被される端子台キャップ１４２と、防水ケース１４１の内周面とハウジング１２１の外周面及び端子台１３１の外周面との間を充填する封止剤１４３とを備える。
　端子台キャップ１４２は、例えば樹脂材料により形成される。端子台キャップ１４２は、本実施形態では、上述の円柱形状の端子台１３１の上部を塞ぐ形状に形成され、ウレタン系樹脂等の封止剤１４３が充填される前に端子台１３１の上部に被される。しかしながら、端子台キャップ１４２はこの形状には限定されず、端子台１３１の上部及び防水ケース１４１の上部を一体として塞ぐ形状に形成され、封止剤１４３が充填された後に被されるものとしても、または、端子台キャップ１４２とは別に新たな蓋部材が設けられ、端子台キャップ１４２及び封止剤１４３が配置された後に、防水ケース１４１の上部に新たな蓋部材が被されるものとしてもよい。
　防水ケース１４１は、樹脂材料、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）により略円筒形状に形成され、円筒形状の下端部には、内側に向かうフランジ部が設けられている。このフランジ部には、防水ケース１４１の上部の開口部から挿入された信号送出部１３０及び圧力検出部１２０が接続された流体導入部１１０のベースプレート１１２の外周部が当接する。この状態で封止剤１４３を充填することにより圧力検出部１２０等の内部の部品が固定される。
　次に、半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造の詳細について説明する。まず、従来の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造について、図２を使用して説明する。
　図２は、従来の圧力センサ２００の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図２において、従来の圧力センサ２００の半導体圧力センサチップ１２６は、支柱２２５の全面に塗布された接着剤層２２５Ａにより固定される。このように半導体圧力センサチップ１２６が接着剤層２２５Ａにより固定された後、半導体圧力センサチップ１２６のリード端子（図示を省略する）と、複数のリードピン１２８は、ワイヤボンディング工程により、金またはアルミニウム製のボンディングワイヤ１２６Ａにより接続される。
　図２に示すように、従来の圧力センサ２００では、接着剤層２２５Ａが支柱２２５の全面に形成されているため、半導体圧力センサチップ１２６に対する、接着剤層２２５Ａ及び支柱２２５の拘束力が強くなっている。このため、これらの線膨張係数の差異により発生する熱応力の影響により、半導体圧力センサチップ１２６が歪む場合があった。つまり、例えば周囲温度が低下した場合には半導体圧力センサチップ１２６と比較して線膨張係数の大きい接着剤層２２５Ａが収縮し、逆に周囲温度が上昇した場合には半導体圧力センサチップ１２６と比較して接着剤層２２５Ａが膨張する。この場合に、半導体圧力センサチップ１２６と接着剤層２２５Ａとの間には熱応力が発生し、更に接着剤層２２５Ａと支柱２２５との間にも同様の理由で熱応力が発生する。このように発生した熱応力により、半導体圧力センサチップ１２６が歪む場合があった。
　このように半導体圧力センサチップ１２６が歪んだ場合には、半導体圧力センサチップ１２６の出力特性が変化し、半導体圧力センサチップ１２６のセンサ出力の精度が低下するという問題があった。また、接着剤層２２５Ａの粘弾性の性質により、熱応力が変化した際に応力が平衡状態になるまでに時間がかかるため、圧力センサ２００の温度応答性が悪化することも知られているが、上述のように拘束力が強いため、この影響も考慮すべきという問題もあった。
　このような従来の問題に対して対策を行った本発明に係る圧力センサの半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造の詳細について、図３を使用して説明する。
　図３は、図１に示す圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図１及び図３に示す圧力センサ１００において、半導体圧力センサチップ１２６は、接着剤層１２５Ａを介して、支持部材である支柱１２５に固定される。
　半導体圧力センサチップ１２６としては、ここではピエゾ抵抗効果方式のように内部にダイヤフラム部が形成されるものが使用される。ピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力センサチップ１２６は、ピエゾ抵抗効果を有する材料（例えば、単結晶シリコン）からなるダイヤフラム部１２６ａ１を有する半導体基板部１２６ａと、ガラス等からなる台座部１２６ｂとから主に構成される。半導体基板部１２６ａと、台座部１２６ｂは、陽極接合法などにより接合され、半導体基板部１２６ａのダイヤフラム部１２６ａ１と、台座部１２６ｂとの間の空間は、基準圧力チャンバとなる。半導体基板部１２６ａのダイヤフラム部１２６ａ１には、複数の半導体歪みゲージが形成され、これらの半導体歪みゲージをブリッジ接続したブリッジ回路が構成される。このブリッジ回路により、外気圧と基準圧力チャンバとの圧力差により生じたダイヤフラム部１２６ａ１の変形を、半導体歪みゲージのゲージ抵抗の変化として、電気信号を取り出し、流体の圧力が検出される。
　接着剤層１２５Ａとしては、シリコーン系、ウレタン系、フッ素系の接着剤、ゲル、ゴム、エラストマーが使用されるものとしてもよい。
　支柱１２５は、ここではＦｅ・Ｎｉ系合金やステンレス等の金属材料で形成される。支柱１２５の半導体圧力センサチップ１２６に相対する面には、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部１２５ａと、溝内凸部１２５ａから溝１２５ｂを隔てて、支柱１２５の周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部１２５ｃとが形成される。ここで、半導体圧力センサチップ１２６は、支柱１２５のセンサチップ支持部１２５ｃには密着するが、溝内凸部１２５ａには接触しない。なお、ここではセンサチップ支持部１２５ｃを円環形状としたが、これには限定されず、多角形状としても、複数に途切れた環状突起部としても構わない。
　接着剤層１２５Ａは、支柱１２５に形成された溝内凸部１２５ａに形成され、センサチップ支持部１２５ｃには形成されない。このため、接着剤層１２５Ａの厚さは、溝内凸部１２５ａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部１２５ｃとの間のギャップΔｇにより決定される。
　図９は、接着剤層１２５Ａの厚さと温度応答性の相関を示す図である。
　図９において、縦軸は高温から低温への温度変化後の半導体圧力センサチップ１２６の出力精度を示し、横軸は、接着剤層１２５Ａの厚さを示している。その結果、接着剤層１２５Ａの厚さが５μｍより厚いと温度応答遅れによる半導体圧力センサチップ１２６の出力精度の悪化が解消されることがわかった。これは、接着剤層１２５Ａの厚さが所定の厚さより薄いと、半導体圧力センサチップ１２６、支柱１２５、及び、接着剤層１２５Ａの線膨張係数の差異による熱応力により半導体圧力センサチップ１２６に歪みが発生し、半導体圧力センサチップ１２６の出力精度が悪化するが、接着剤層１２５Ａの厚さが所定の厚さより厚いと、接着剤層１２５Ａの弾性により生じる線膨張係数の差異による熱応力が吸収され、半導体圧力センサチップ１２６の歪が抑制されると考えられる。
　このように、接着剤層１２５Ａの厚さを溝内凸部１２５ａとセンサチップ支持部１２５ｃとの間のギャップΔｇにより決定することにより、接着剤層１２５Ａを安定した厚さで容易に形成することができる。また、切削、エッチング、レーザー照射、プレス等で支柱１２５の表面を加工して、溝内凸部１２５ａとセンサチップ支持部１２５ｃを形成できるため、製造工程が容易となり、これらの高さ寸法を管理するのも容易となり、製造工数を抑制することができる。また、溝内凸部１２５ａとセンサチップ支持部１２５ｃとの間に、溝１２５ｂが設けられているため、余った接着剤が溝１２５ｂに流れ込み、接着剤層１２５Ａの接着領域が大きくなることもなく、接着剤層１２５Ａの厚さを一定に保つことができる。
　また、本実施形態では、平坦な突起部である溝内凸部１２５ａに形成された接着剤層１２５Ａの接着領域が、半導体圧力センサチップ１２６の内部のダイヤフラム部１２６ａ１の支柱１２５に対する投影面積よりも小さくなっている。このように接着剤層１２５Ａの接着領域を小さくすることにより、半導体圧力センサチップ１２６に対する拘束力が弱くなり、互いの線膨張係数の差異による熱応力を抑制でき、半導体圧力センサチップ１２６の歪を防止できる。
　つまり、検出されるべき流体が導入され変形を繰り返しているダイヤフラム部１２６ａ１のような変形部分に対応する部分のみを接着領域とした場合には、歪が生じにくいが、変形していないダイヤフラム部１２６ａ１の周囲の部分を接着領域とした場合には、半導体圧力センサチップ１２６はより強固に拘束され熱応力による歪が生じ易くなり、検出精度が悪化する。このため、接着剤層１２５Ａの接着領域を、半導体圧力センサチップ１２６の内部のダイヤフラム部１２６ａ１の支柱１２５に対する投影面積よりも小さくすることにより、センサ出力の精度が向上する。
　また、本実施形態では、支柱１２５の中央に溝内凸部１２５ａが形成され、溝内凸部１２５ａから溝１２５ｂを隔てて、支柱１２５の周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部１２５ｃが形成されるものとしたが、これには限定されない。つまり、図１０に示す本実施形態の変形例１０００に示すように、支柱１０２５の中央に、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部１０２５ｃが設けられ、その周囲に溝１０２５ｂを介して、半導体圧力センサチップ１２６に接触せず、接着剤層１０２５Ａが形成される突起部１０２５ａが設けられるものとしてもよい。また、センサチップ支持部１０２５ｃは、半導体圧力センサチップ１２６を安定した傾きで保持できる程度の平坦面を有するものとしてもよく、さらに、突起部１０２５ａは、半導体圧力センサチップ１２６との間に、一定の厚さの接着剤層１０２５Ａが形成される高さに形成されるものとしてもよい。
　以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、接着剤層が支持部材に形成された突起部に形成され、この接着剤層の厚さが突起部と、センサチップ支持部との間のギャップΔｇにより決定される。このギャップΔｇと突起部の大きさは支柱１２５に加工された突起形状で形成されるため、接着剤層の厚さ及び接着領域の大きさを容易に管理することができる。これによりピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサにおいて、従来の温度変化による半導体圧力センサチップ、支持部材、接着剤等の線膨張係数の差異により生じる半導体圧力センサチップの歪を低減し、センサ出力の精度の向上を図ることができる。
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
　図４は、本発明に係る圧力センサの第２の実施形態の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図４において、圧力センサ４００は、図１及び図３に示す圧力センサ１００と比較して、支柱４２５と、半導体圧力センサチップ１２６との間に取付基板４２５Ｂが配置されることが異なり、その他の点は圧力センサ１００と同じである。同様の構成要素には、同様の符号を付し、説明を省略する。
　取付基板４２５Ｂは、例えば、樹脂、ガラス、セラミックなどの絶縁材料で形成され、支柱４２５に接着剤等で固定される。
　ここで、取付基板４２５Ｂの半導体圧力センサチップ１２６が固定される一方の面に、貼着、蒸着、めっき、フォトリソグラフィ等により、導電層が形成されるものとしてもよい。この導電層は、金、銀、銅、アルミニウム等のうちのいずれかの金属および合金膜により形成されるものとしてもよい。導電層は半導体圧力センサチップ１２６のゼロ電位に接続される端子に接続されている。このように、取付基板４２５Ｂに導電層を設け、ゼロ電位に接続されることにより、半導体圧力センサチップ１２６は制御回路側のゼロ電位に配置されるため、半導体圧力センサチップ１２６の電位が不安定な状態に配置されることを解消できる。
　本実施形態でも、支持部材となる取付基板４２５Ｂには、半導体圧力センサチップ１２６に相対する面に、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部４２５Ｂａと、溝内凸部４２５Ｂａから溝４２５Ｂｂを隔てて、周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部４２５Ｂｃとが形成される。接着剤層４２５Ａは、取付基板４２５Ｂに形成された溝内凸部４２５Ｂａに形成され、センサチップ支持部４２５Ｂｃには形成されない。このため、接着剤層４２５Ａの厚さは、溝内凸部４２５Ｂａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部４２５Ｂｃとの間のギャップΔｇにより決定される。なお、センサチップ支持部４２５Ｂｃを円環形状の突起部としたが、これには限定されず、溝内凸部４２５Ｂａとの間に、溝４２５Ｂｂを介してギャップΔｇが形成できればよく、突起部である必要はない。
　以上のように、本発明の第２の実施形態の圧力センサ４００によっても、第１の実施形態の圧力センサ１００と同様の作用効果を奏することができる。さらに、支柱４２５に取り付けられる取付基板４２５Ｂを加工すればよいため、加工がさらに容易となり、製造工数を抑制することができる。
　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
　図５は、本発明の係る圧力センサの第３の実施形態の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図５において、圧力センサ５００は、図１及び図３に示す圧力センサ１００と比較して、支持部材として、支柱１２５の代わりに、圧力センサ５００の筐体を構成するベース５２５が設けられ、半導体圧力センサチップ１２６がこのベース５２５に接着剤層５２５Ａを介して固定される点が異なる。
　なお、本実施形態において、ベース５２５は、ステンレスを含む金属のような導電性の材料で形成される。このため、ボンディングワイヤ１２６Ａにより半導体圧力センサチップ１２６に接続された複数のリードピン５２８のそれぞれは、絶縁性のハーメチックガラス５２４を介して、ベース５２５に貫通して固定される。
　本実施形態でも、支持部材となるベース５２５には、半導体圧力センサチップ１２６に相対する面に、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部５２５ａと、溝内凸部５２５ａから溝５２５ｂを隔てて、周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部５２５ｃとが形成される。接着剤層５２５Ａは、ベース５２５に形成された溝内凸部５２５ａに形成され、センサチップ支持部５２５ｃには形成されない。このため、接着剤層５２５Ａの厚さは、溝内凸部５２５ａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部５２５ｃとの間のギャップΔｇにより決定される。なお、センサチップ支持部５２５ｃを円環形状の突起部としたが、これには限定されず、溝内凸部５２５ａとの間に、溝５２５ｂを介してギャップΔｇが形成できればよく、突起部である必要はない。
　以上のように、本発明の第３の実施形態の圧力センサ５００によっても、第１の実施形態の圧力センサ１００と同様の作用効果を奏することができる。
　次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
　図６は、本発明に係る圧力センサの第４の実施形態の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図６において、圧力センサ６００は、図５に示す圧力センサ５００と比較して、ステンレス製のような導電性の材料により形成されたベース６２５と、半導体圧力センサチップ１２６との間に取付基板６２５Ｂが配置されることが異なり、その他の点は圧力センサ５００と同じである。同様の構成要素には、同様の符号を付し、説明を省略する。
　本実施形態でも、支持部材となる取付基板６２５Ｂには、半導体圧力センサチップ１２６に相対する面に、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部６２５Ｂａと、溝内凸部６２５Ｂａから溝６２５Ｂｂを隔てて、周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部６２５Ｂｃとが形成される。接着剤層６２５Ａは、取付基板６２５Ｂに形成された溝内凸部６２５Ｂａに形成され、センサチップ支持部６２５Ｂｃには形成されない。このため、接着剤層６２５Ａの厚さは、溝内凸部６２５Ｂａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部６２５Ｂｃとの間のギャップΔｇにより決定される。
　以上のように、本発明の第４の実施形態の圧力センサ６００によっても、第３の実施形態の圧力センサ５００と同様の作用効果を奏することができる。さらに、ベース６２５に取り付けられる取付基板６２５Ｂを加工すればよいため、加工がさらに容易となり、製造工数を抑制することができる。
　次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
　図７は、本発明に係る圧力センサの第５の実施形態の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図７において、圧力センサ７００は、図５に示す圧力センサ５００と比較して、支持部材として、金属のような導電性の材料で形成されたベース５２５の代わりに、樹脂、セラミック等の絶縁性の材料で形成されたベース７２５が設けられ、半導体圧力センサチップ１２６がこのベース７２５に接着剤層７２５Ａを介して固定される点が異なる。
　なお、本実施形態において、ベース７２５として、樹脂、セラミック等の絶縁材を使用することにより、材料の加工性が向上し工数が削減でき、さらに、導電性の複数のリードピン７２８を固定するために、絶縁性のハーメチックガラスを使用する必要もなくなり、製造原価も低廉に抑制できる。
　本実施形態でも、支持部材となるベース７２５には、半導体圧力センサチップ１２６に相対する面に、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部７２５ａと、溝内凸部７２５ａから溝７２５ｂを隔てて、周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部７２５ｃとが形成される。接着剤層７２５Ａは、ベース７２５に形成された溝内凸部７２５ａに形成され、センサチップ支持部７２５ｃには形成されない。このため、接着剤層７２５Ａの厚さは、溝内凸部７２５ａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部７２５ｃとの間のギャップΔｇにより決定される。なお、センサチップ支持部７２５ｃを円環形状の突起部としたが、これには限定されず、溝内凸部７２５ａとの間に、溝７２５ｂを介してギャップΔｇが形成できればよく、突起部である必要はない。
　以上のように、本発明の第５の実施形態の圧力センサ７００によっても、第３の実施形態の圧力センサ５００と同様の作用効果を奏することができ、さらに、樹脂、セラミック等の絶縁性の材料で形成されたベース７２５を加工すればよいため、材料の加工性が向上し工数が削減できる。
　次に、本発明の第６の実施形態について説明する。
　図８は、本発明に係る圧力センサの第６の実施形態の半導体圧力センサチップ１２６の取り付け構造を示す縦断面図である。
　図８において、圧力センサ８００は、図７に示す圧力センサ７００と比較して、樹脂、セラミック等の絶縁性の材料により形成されたベース８２５と、半導体圧力センサチップ１２６との間に取付基板８２５Ｂが配置されることが異なり、その他の点は圧力センサ７００と同じである。同様の構成要素には、同様の符号を付し、説明を省略する。
　本実施形態でも、支持部材となる取付基板８２５Ｂには、半導体圧力センサチップ１２６に相対する面に、中央に形成された平坦な突起部である溝内凸部８２５Ｂａと、溝内凸部８２５Ｂａから溝８２５Ｂｂを隔てて、周囲に形成された円環形状の突起部であるセンサチップ支持部８２５Ｂｃとが形成される。接着剤層８２５Ａは、取付基板８２５Ｂに形成された溝内凸部８２５Ｂａに形成され、センサチップ支持部８２５Ｂｃには形成されない。このため、接着剤層８２５Ａの厚さは、溝内凸部８２５Ｂａと、半導体圧力センサチップ１２６に当接するセンサチップ支持部８２５Ｂｃとの間のギャップΔｇにより決定される。
　以上のように、本発明の第６の実施形態の圧力センサ８００によっても、第５の実施形態の圧力センサ７００と同様の作用効果を奏することができる。さらに、ベース８２５に取り付けられる取付基板８２５Ｂを加工すればよいため、加工がさらに容易となり、製造工数を抑制することができる。
　なお、本発明の圧力センサについて、第１乃至第６の実施形態の液封型の圧力センサを例にとり説明してきたが、これには限定されず、ピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップを使用する他の圧力センサに適用することもできる。
　以上のように、本発明の圧力センサによれば、接着剤層が支持部材に形成された突起部に形成され、この接着剤層の厚さが突起部と、センサチップ支持部との間のギャップΔｇにより決定される。このギャップΔｇと突起部の大きさは支持部材に加工された形状で形成されるため、接着剤層の厚さ及び接着領域の大きさを容易に管理することができる。これによりピエゾ抵抗効果方式のような半導体圧力センサチップを使用した圧力センサにおいて、従来の温度変化による半導体圧力センサチップ、支持部材、接着剤等の線膨張係数の差異により生じる半導体圧力センサチップの歪を低減し、センサ出力の精度の向上を図ることができる。
　１００、４００、５００、６００、７００、８００、１０００　圧力センサ
　１１０　流体導入部
　１１１　継手部材
　１１１ａ　雌ねじ部
　１１１ｂ　ポート
　１１２　ベースプレート
　１１２Ａ　圧力室
　１２０　圧力検出部
　１２１　ハウジング
　１２２　ダイヤフラム
　１２３　ダイヤフラム保護カバー
　１２３ａ　連通孔
　１２４、５２４　ハーメチックガラス
　１２４Ａ　液封室
　１２５、４２５　支柱
　１２５ａ、４２５Ｂａ、５２５ａ、６２５Ｂａ、７２５ａ、８２５Ｂａ　溝内凸部
　１２５ｂ、４２５Ｂｂ、５２５ｂ、６２５Ｂｂ、７２５ｂ、８２５Ｂｂ、１０２５ｂ　溝
　１２５ｃ、４２５Ｂｃ、５２５ｃ、６２５Ｂｃ、７２５ｃ、８２５Ｂｃ、１０２５ｃ　センサチップ支持部
　１２５Ａ、４２５Ａ、５２５Ａ、６２５Ａ、７２５Ａ、８２５Ａ、１０２５Ａ　接着剤層
　１２６　半導体圧力センサチップ
　１２６ａ　半導体基板部
　１２６ａ１　ダイヤフラム部
　１２６ｂ　台座部
　１２６Ａ　ボンディングワイヤ
　１２７　電位調整部材
　１２８、５２８、７２８　リードピン
　１２９　オイル充填用パイプ
　１３０　信号送出部
　１３１　端子台
　１３２　接続端子
　１３２ａ　接着剤
　１３３　電線
　１３３ａ　芯線
　１３４　静電気保護層
　１３４ａ　接着層
　１３４ｂ　被覆層
　１３４ｃ　部分
　１４０　カバー部材
　１４１　防水ケース
　１４２　端子台キャップ
　１４３　封止剤
　５２５、６２５、７２５、８２５　ベース
　４２５Ｂ、６２５Ｂ、８２５Ｂ　取付基板
　１０２５ａ　突起部

Claims (11)

  1. 　内部にダイヤフラム部を有する半導体圧力センサチップと、
    　前記半導体圧力センサチップを支持する支持部材と、
    　前記半導体圧力センサチップと前記支持部材を接着して固定する接着剤層と
    　を備える圧力センサにおいて、
    　前記支持部材には、前記半導体圧力センサチップに当接しない突起部と、前記半導体圧力センサチップに当接するセンサチップ支持部とが形成され、
    　前記接着剤層は、前記突起部に形成され、
    　前記接着剤層の厚さは、前記突起部と、前記センサチップ支持部との間のギャップにより決定されることを特徴とする圧力センサ。
  2. 　前記センサチップ支持部は、前記突起部と前記センサチップ支持部との間に形成された溝を介して、前記突起部の周囲に形成されることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  3. 　前記支持部材に形成された前記突起部の接着領域は、前記半導体圧力センサチップの前記ダイヤフラム部の支持部材に対する投影箇所の内側となることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  4. 　前記支持部材は、外部に対して絶縁して固定される金属製の支柱であることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  5. 　前記支持部材は、前記圧力センサの筐体を構成するベースであることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  6. 　前記ベースは、導電性の材質で形成されることを特徴とする請求項５に記載の圧力センサ。
  7. 　前記ベースは、絶縁性の材質で形成されることを特徴とする請求項５に記載の圧力センサ。
  8. 　前記支持部材には、さらに、前記液封室に配置され、前記半導体圧力センサチップが支持される取付基板が含まれることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  9. 　前記取付基板は、絶縁性の材料で形成されることを特徴とする請求項８に記載の圧力センサ。
  10. 　前記取付基板の前記半導体圧力センサチップが固定される一方の面に、導電性の材料が接合されることを特徴とする請求項９に記載の圧力センサ。
  11. 　前記支持部材には、前記接着剤層が形成される突起部が、前記半導体圧力センサチップに当接するセンサチップ支持部の周囲に形成されることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
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