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WO2019131850A1 - 半導体背面密着フィルム - Google Patents

半導体背面密着フィルム Download PDF

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Publication number
WO2019131850A1
WO2019131850A1 PCT/JP2018/048076 JP2018048076W WO2019131850A1 WO 2019131850 A1 WO2019131850 A1 WO 2019131850A1 JP 2018048076 W JP2018048076 W JP 2018048076W WO 2019131850 A1 WO2019131850 A1 WO 2019131850A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
back contact
semiconductor back
layer
semiconductor
adhesive layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/048076
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佐藤慧
志賀豪士
高本尚英
Original Assignee
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018102373A external-priority patent/JP7169093B2/ja
Priority claimed from JP2018240225A external-priority patent/JP7211804B2/ja
Priority claimed from JP2018240224A external-priority patent/JP7211803B2/ja
Priority claimed from JP2018240226A external-priority patent/JP2020102553A/ja
Priority claimed from JP2018240227A external-priority patent/JP2020101708A/ja
Application filed by 日東電工株式会社 filed Critical 日東電工株式会社
Publication of WO2019131850A1 publication Critical patent/WO2019131850A1/ja

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    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor back contact film. More particularly, the present invention relates to a semiconductor back contact film that can be used in the process of manufacturing a semiconductor device.
  • a flip chip type semiconductor device in which semiconductor elements such as semiconductor chips are mounted on a substrate by flip chip bonding is widely used.
  • a semiconductor back contact film may be used as a film for forming a protective film on the back surface of the semiconductor element in order to prevent damage or the like of the semiconductor element (Patent Documents 1 and 2) reference).
  • the conventional semiconductor back contact film usually contains a coloring agent so as to be able to give imprint information by laser marking, and thereby has a light shielding property.
  • a coloring agent so as to be able to give imprint information by laser marking, and thereby has a light shielding property.
  • thinning of the silicon layer is in progress. Along with this, thinning of the semiconductor back contact film is also required.
  • silicon is thinned, there is a problem that the wavelength of light transmitted from infrared to visible light is expanded.
  • the coloring agent having visible light absorption used for laser marking is in many cases not having absorption in the near infrared, and in addition to transmitting infrared light, Accordingly, there is a problem that the light shielding property is lowered.
  • the circuit surface of the semiconductor adversely affects noise and the like, or the circuit surface can be viewed by using an infrared microscope or the like. In some cases, confidentiality can not be maintained.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor back contact film which is more excellent in infrared shielding properties.
  • the inventors of the present invention conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, it is possible to use a semiconductor back contact film having a semiconductor back contact layer having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1000 to 1800 nm under conditions of 17 ⁇ m thickness. For example, it has been found that the infrared shielding properties are superior.
  • the inventors of the present invention conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, a semiconductor back contact film having a semiconductor back contact layer having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1300 to 1800 nm under conditions of 17 ⁇ m thickness. It has also been found that excellent infrared shielding properties can be obtained in The present invention has been completed based on these findings.
  • the present invention provides, in its first aspect, a semiconductor back contact film having a semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1000 to 1800 nm under conditions of 17 ⁇ m thickness.
  • this invention provides the semiconductor back contact film which has a semiconductor back contact layer (A) whose light absorbency in the wavelength range of 1300-1800 nm is 1.0 or more on the conditions of 17 micrometers in the 2nd side.
  • the semiconductor back contact film having such a configuration can be used in the process of manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor back contact film according to the first aspect of the present invention has the semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more in the wavelength range of 1000 to 1800 nm under the conditions of 17 ⁇ m thickness as described above.
  • the semiconductor back contact film according to the second aspect of the present invention has the semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more in the wavelength range of 1300 to 1800 nm under the condition of 17 ⁇ m thickness.
  • the semiconductor back contact film of the present invention having such a configuration can sufficiently absorb infrared rays, and thus is excellent in infrared ray shielding properties.
  • the semiconductor back contact layer (A) may contain a dye having a maximum absorption wavelength of 850 nm or more in a wavelength range of 500 to 2000 nm. By having such a configuration, it is possible to easily obtain a semiconductor back contact layer having an absorbance of 1.0 or more at a thickness of 17 ⁇ m in a wavelength range of 1000 to 1800 nm and a wavelength range of 1300 to 1800 nm.
  • the semiconductor back contact layer (A) may contain a pigment having a maximum absorption wavelength of 850 nm or more in the wavelength range of 500 to 2000 nm.
  • a semiconductor back contact layer having an absorbance of 1.0 or more at a thickness of 17 ⁇ m in a wavelength range of 1000 to 1800 nm and a wavelength range of 1300 to 1800 nm.
  • the semiconductor back contact layer (A) contains a visible light absorbing dye and / or have a semiconductor back contact layer (B1) containing a visible light absorbing dye.
  • the semiconductor back contact film of the present invention having such a configuration can impart imprint information by laser marking in addition to being excellent in infrared ray shielding properties.
  • the ratio [minimum value / maximum value] of the minimum value to the maximum value in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is 0.4 to 1.0 under the condition of a thickness of 17 ⁇ m Is preferred.
  • the semiconductor back contact film of the present invention can equally shield infrared rays of a wide range of wavelengths.
  • the semiconductor back contact layer (A) contains a filler and / or a pigment and / or has a semiconductor back contact layer (B2) containing a filler and / or a pigment,
  • the average particle size of the filler and / or the pigment is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the semiconductor back contact film of the present invention is excellent in infrared ray shielding properties. Therefore, by using the semiconductor back contact film of the present invention, even when the semiconductor wafer is thinned, the circuit surface of the semiconductor is adversely affected when it is irradiated with infrared rays, or the circuit surface can be seen. Can be suppressed.
  • the semiconductor back contact film of the present invention (sometimes referred to simply as “back contact film”) has an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1000 to 1800 nm under conditions of 17 ⁇ m thickness.
  • the semiconductor back contact layer is The semiconductor back contact film of the present invention, in the second embodiment, has a semiconductor back contact layer having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1300 to 1800 nm under conditions of a thickness of 17 ⁇ m.
  • the "surface” of a semiconductor (work) refers to the surface on which bumps for flip chip mounting of the work are formed, and the "back” is the opposite side of the surface, that is, the bumps are formed.
  • the “back contact film” is a film used in close contact with the back of the semiconductor, and includes a film (semiconductor back protection film) for forming a protective film on the back (so-called back) of the semiconductor chip.
  • the “semiconductor back contact layer” is a layer which is in close contact with the back of the work even after being mounted on the semiconductor device, and in the process of manufacturing semiconductor devices such as dicing tapes and separators described later. The layers to be peeled off are not included.
  • the absorbance in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is 1.0 or more under the conditions of 17 ⁇ m thickness, or the absorbance in the wavelength range of at least 1300 to 1800 nm under the conditions of 17 ⁇ m thickness is 1.
  • the semiconductor back surface adhesion layer which is zero or more may be called “semiconductor back surface adhesion layer (A)."
  • the back contact film of the present invention may have a single layer structure comprising a semiconductor back contact layer (A) or may have a multilayer structure.
  • the back contact film of the present invention may have a semiconductor back contact layer other than the semiconductor back contact layer (A).
  • the semiconductor back contact layer which the back contact film of this invention other than a semiconductor back contact layer (A) may have may be called "semiconductor back contact layer (B)."
  • the back contact film of the present invention in the first embodiment, has a semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1000 to 1800 nm under conditions of a thickness of 17 ⁇ m. That is, in the absorption spectrum under the conditions of 17 ⁇ m in thickness, the minimum value of the absorbance in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is 1.0 or more in the semiconductor back contact layer (A).
  • the back contact film of the present invention in the second embodiment, has a semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more in a wavelength range of 1300 to 1800 nm under conditions of a thickness of 17 ⁇ m.
  • the minimum value of the absorbance in the wavelength region of 1300 to 1800 nm is 1.0 or more in the semiconductor back contact layer (A).
  • the back contact film of the present invention can sufficiently absorb infrared rays, so even if the semiconductor wafer is thinned, the infrared ray shielding properties can be obtained. It is possible to obtain a chip with a back contact layer which is excellent in The absorption spectrum including the wavelength range of 1000 to 1800 nm or the wavelength range of 1300 to 1800 nm can be measured using a known spectrophotometer capable of measuring the absorbance in the infrared wavelength range.
  • the minimum absorbance of the semiconductor back contact layer (A) is ensured to be 1.0 or more by the selection of the colorant to be described later as a component in the semiconductor back contact layer (A) and the adjustment of the compounding amount of the colorant. It is possible to control the wavelength range of relatively narrow 1300 to 1800 nm or relatively wide 1000 to 1800 nm.
  • the ratio [minimum value / maximum value] of the minimum value to the maximum value in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is 0.4 to 1.0 under the condition of 17 ⁇ m thickness Preferably, it is more preferably 0.5 to 1.0, and still more preferably 0.8 to 1.0.
  • the back contact film of the present invention can equally shield infrared rays over a wide range of wavelengths.
  • the composition (resin composition) which forms the semiconductor back adhesion layer namely, semiconductor back adhesion layer (A) and semiconductor back adhesion layer (B)) which the back adhesion film of the present invention has, and the semiconductor back adhesion layer is thermoplastic. It is preferred to contain a resin.
  • the semiconductor back contact layer and the resin composition may contain a thermosetting resin and a thermoplastic resin, or may react with a curing agent to form a bond. You may contain the thermoplastic resin which has a thermosetting functional group.
  • the resin composition does not have to contain a thermosetting resin (such as an epoxy resin).
  • the thermoplastic resin in the semiconductor back contact layer has, for example, a binder function.
  • the thermoplastic resin include acrylic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin , Polycarbonate resins, thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polybutylene terephthalate (PBT), polyamideimide resins And fluorine resins.
  • the thermoplastic resin may be used alone or in combination of two or more.
  • an acrylic resin is preferable from the viewpoint of having few ionic impurities and high heat resistance.
  • the said acrylic resin is a polymer containing the structural unit derived from an acryl-type monomer (The monomer component which has a (meth) acryloyl group in a molecule
  • the hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group is mentioned, for example.
  • the hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth) acrylic acid aryl ester.
  • Examples of the above (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl ester of (meth) acrylic acid, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (lauryl ester), tridecyl ester, tetradecyl ester Hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester and the like.
  • Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclopentyl ester and cyclohexyl ester of (meth) acrylic acid.
  • Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl ester of (meth) acrylic acid and benzyl ester.
  • hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester having an alkoxy group examples include those in which one or more hydrogen atoms in the hydrocarbon group in the above-mentioned hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester are substituted with an alkoxy group, For example, 2-methoxymethyl ester of (meth) acrylic acid, 2-methoxyethyl ester, 2-methoxybutyl ester and the like can be mentioned.
  • the hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group may be used alone or in combination of two or more.
  • the said acrylic resin is a structure derived from the other monomer component which can be copolymerized with the hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group for the purpose of modification, such as cohesion force and heat resistance. It may contain units.
  • functional group containing functional groups such as a carboxy group containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxyl group containing monomer, a glycidyl group containing monomer, a sulfonic acid group containing monomer, a phosphoric acid group containing monomer, acrylamide, acrylonitrile etc. are mentioned, for example. Monomers etc. are mentioned.
  • carboxy group-containing monomer examples include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid and the like.
  • acid anhydride monomer examples include maleic anhydride, itaconic anhydride and the like.
  • Examples of the above-mentioned hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Examples thereof include 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate.
  • Examples of the glycidyl group-containing monomers include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate.
  • sulfonic acid group-containing monomer examples include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth Acryloyloxy naphthalene sulfonic acid etc. are mentioned.
  • examples of the above-mentioned phosphoric acid group-containing monomer include 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate and the like. The other monomer components may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic resin that can be contained in the semiconductor back contact layer is made of butyl acrylate, ethyl acrylate, acrylonitrile, and acrylic acid from the viewpoint that the semiconductor back contact layer is compatible with the adhesiveness to the work and good cleavability at the time of dicing. It is preferable that it is a copolymer of monomers selected appropriately.
  • thermosetting resin examples include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting resin. Polyimide resin and the like.
  • the said thermosetting resin may use only 1 type, and may use 2 or more types.
  • An epoxy resin is preferable as the thermosetting resin because the content of ionic impurities and the like which may cause corrosion of the semiconductor chip tends to be small.
  • a hardening agent of an epoxy resin a phenol resin is preferable.
  • the epoxy resin examples include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, hydrogenated bisphenol A epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, biphenyl resin Cresol novolac epoxy resin such as epoxy resin, naphthalene epoxy resin, fluorene epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, ortho cresol novolac epoxy resin, trishydroxyphenylmethane epoxy resin, tetraphenylolethane epoxy resin etc A multifunctional epoxy resin is mentioned.
  • the said epoxy resin may use only 1 type, and may use 2 or more types.
  • a phenol novolac epoxy resin an ortho cresol novolac epoxy resin, a biphenyl epoxy resin, a trishydroxyphenylmethane epoxy resin, tetrapheny, since they are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and excellent in heat resistance.
  • Roll ethane type epoxy resin is preferred.
  • phenol resin which can act as a curing agent for epoxy resin for example, novolac type phenol resins such as phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, nonylphenol novolac resin and the like can be mentioned.
  • phenol resin polyoxystyrenes, such as a resol type phenol resin and polypara oxystyrene, are also mentioned.
  • the said phenol resin may use only 1 type, and may use 2 or more types.
  • the phenol resin preferably has 0 hydroxyl group in the phenol resin per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. It is contained in an amount of 5 to 2.0 equivalents, more preferably 0.8 to 1.2 equivalents.
  • the content of the thermosetting resin is 5 to 60 with respect to the total mass of the semiconductor back contact layer from the viewpoint of appropriately curing the semiconductor back contact layer. % By mass is preferable, and more preferably 10 to 50% by mass.
  • thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used as the thermoplastic resin.
  • the acrylic resin in the thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains a structural unit derived from a hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester as the largest structural unit in mass ratio.
  • hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester it was illustrated as hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which forms the acrylic resin as a thermoplastic resin which may be contained in the above-mentioned semiconductor back contact layer, for example A hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester is mentioned.
  • thermosetting functional group in a thermosetting functional group containing acrylic resin a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, an isocyanate group etc. are mentioned, for example. Among them, glycidyl group and carboxy group are preferable. That is, as a thermosetting functional group containing acrylic resin, a glycidyl group containing acrylic resin and a carboxy group containing acrylic resin are especially preferable.
  • thermosetting functional group-containing acrylic resin it is preferable to include a curing agent together with the thermosetting functional group-containing acrylic resin, and as the curing agent, for example, it is exemplified as a crosslinking agent which can be included in a radiation curable adhesive for forming an adhesive layer described later.
  • the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group
  • thermosetting catalyst thermosetting accelerator
  • the curing reaction of the resin component can be sufficiently advanced in curing the semiconductor back contact layer, and the curing reaction rate can be increased.
  • thermosetting catalyst include imidazole compounds, triphenylphosphine compounds, amine compounds, and trihalogenborane compounds.
  • imidazole compounds include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole and 2-phenyl- 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazo Lilium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ')]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamide -6-
  • triphenyl phosphine compounds include triphenyl phosphine, tributyl phosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyl tolyl phosphine, tetraphenyl phosphonium bromide, methyl triphenyl phosphonium and methyl triphenyl Phosphonium chloride, methoxymethyltriphenylphosphonium, benzyltriphenylphosphonium chloride and the like can be mentioned.
  • the triphenylphosphine-based compounds also include compounds having both a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure.
  • thermosetting catalyst examples include tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate, benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphine triphenylborane and the like.
  • amine compounds include monoethanolamine trifluoroborate, dicyandiamide and the like.
  • trihalogen borane compounds include trichloroborane and the like.
  • the said thermosetting catalyst may contain only 1 type, and may contain 2 or more types.
  • the semiconductor back contact layer may contain a filler.
  • a filler By including the filler, it is easy to adjust physical properties such as the modulus of elasticity, yield point strength, and elongation at break of the semiconductor back contact layer.
  • a filler an inorganic filler and an organic filler are mentioned.
  • aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, nitrided Silicon, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like can be mentioned.
  • the inorganic filler As a constituent material of the inorganic filler, single metals such as aluminum, gold, silver, copper, nickel and the like, alloys, amorphous carbon, graphite and the like can also be mentioned.
  • the constituent material of the organic filler include poly (methyl methacrylate) (PMMA), polyimide, polyamide imide, polyether ether ketone, polyether imide, and polyester imide.
  • PMMA poly (methyl methacrylate)
  • the said filler may contain only 1 type, and may contain 2 or more types.
  • the filler may have various shapes such as sphere, needle, and flake.
  • the average particle diameter of the filler is preferably 30 to 500 nm, more preferably 40 to 400 nm, more preferably 50 to 300 nm. That is, the semiconductor back contact layer preferably contains a nanofiller.
  • the nano filler of such a particle size is contained as a filler, it is excellent by cleavability about the back contact film which will be fragmented.
  • the semiconductor back contact layer contains a filler
  • the content ratio of the filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and still more preferably 20% by mass or more.
  • the content ratio is preferably 50% by mass or less, more preferably 47% by mass or less, and still more preferably 45% by mass or less.
  • the semiconductor back contact layer may contain a colorant.
  • the colorant may be a pigment or a dye. Examples of the colorant include black colorants, cyan colorants, magenta colorants, yellow colorants and the like.
  • a black-based coloring agent is preferable from the viewpoint of securing a high contrast between the marking portion by laser marking on the laser mark layer side of the film and the other portion and realizing good visibility of the marking information.
  • the coloring agent may contain only one kind, or may contain two or more kinds.
  • black colorants include azo pigments such as carbon black, graphite (graphite), copper oxide, manganese dioxide, azomethine azo black, aniline black, perylene black, titanium black, cyanine black, activated carbon, ferrite, magnetite, Examples thereof include chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide, complex oxide black pigment, anthraquinone organic black pigment, azo organic black pigment and the like.
  • carbon black include furnace black, channel black, acetylene black, thermal black, lamp black and the like.
  • As a blackish coloring agent C.I. I. Solvent Black 3, 7, 7, 22, 27, 29, 34, 43, 70; I. Direct Black 17, 19, 22, 22, 32, 38, 51, 71; I. Acid Black 1, 2, 24, 26, 26, 31, 48, 52, 107, 109, 110, 119, 154; I. Disperse Black 1, 3, 10, 24; C.I. I. Pigment black 1, 7 and the like.
  • cyan colorants examples include C.I. I. Solvent Blue 25, 36, 60, 70, 93, 95; C.I. I. Acid Blue 6, 45; C.I. I. Pigment blue 1, 2, 3, 13, 15, 15: 1, 15: 2, 15: 3, 15: 4, 15: 5, 15: 6, 16, 17, 17. 17: 1, 18, 18, 22, 56, 60, 63, 65, 66; I. Bat Blue 4; 60, C.I. I. Pigment green 7 and the like.
  • magenta colorants examples include C.I. I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 23, 24, 25, 30, 30, 49, 52, 58, 63, 81, 82, 83, 84, 81 100, 109, 111, 121, 122; C.I. I. Disperse thread 9; C.I. I. Solvent violet 8, 13; 14, 21 and 27; C.I. I. Disperse Violet 1; C.I. I. Basic Red 1, 2, 9, 12, 13, 14, 15, 17, 18, 18. 22, 23, 24, 27, 29, 32, 32, 34, and so on. 35, 36, 37, 38, 39, 40; I. Basic Violet 1, 3, 7, 10, 14, 15 and 21, 21, 25, 26, 27 and 28 etc. may be mentioned.
  • magenta colorants examples include C.I. I.
  • yellow colorants examples include C.I. I. Solvent Yellow 19, 44, 77, 79, 81, 82, 93, 98, 103, 104, 112, 162; I. Pigment oranges 31, 43; C.I. I. Pigment yellow 1, 2, 3, 4, 5, 5, 6, 7, 7, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 23, 23.
  • visible light absorbing dyes are preferable as the colorant.
  • a visible light absorbing dye is used as the coloring agent, when laser marking is performed in a state accompanied by a dicing tape, air bubbles are less likely to be generated between the back contact film and the dicing tape, and the appearance after laser marking is excellent.
  • the visible light absorbing dye is preferably a dye having a maximum value of absorbance in a wavelength range of 350 to 700 nm.
  • the visible light absorbing dye examples include anthraquinone dyes, perinone dyes, perylene dyes, quinoline dyes, quinacridone dyes, benzimidazolone dyes, azo dyes, isoindolinone dyes, isoindoline dyes And dioxazine dyes and phthalocyanine dyes.
  • the visible light absorbing dye may be used alone or in combination of two or more.
  • the semiconductor back contact layer may contain other components as needed.
  • a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, complexed metal hydroxides, phosphazene compounds, antimony trioxide, Antimony oxide, brominated epoxy resin etc. are mentioned.
  • silane coupling agent examples include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, and ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane.
  • Examples of the ion trap agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, hydrous antimony oxide (eg, “IXE-300” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), and zirconium phosphate having a specific structure (eg, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) “IXE-100”), magnesium silicate (eg “Kyoward 600” manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), aluminum silicate (eg “Kyoward 700 manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.”) and the like.
  • Compounds capable of forming a complex with a metal ion can also be used as an ion trapping agent.
  • triazole compounds examples include triazole compounds, tetrazole compounds and bipyridyl compounds.
  • triazole compounds are preferable from the viewpoint of the stability of the complex formed with the metal ion.
  • a triazole compound for example, 1,2,3-benzotriazole, 1- ⁇ N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl ⁇ benzotriazole, carboxybenzotriazole, 2- (2-hydroxy-) 5-Methylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3-t-butyl-5-methylphenyl) ) 5-Chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-t-octylphenyl) benzotriazole, 6- (2 -Benzotriazoly
  • predetermined hydroxyl group-containing compounds such as quinol compounds, hydroxyanthraquinone compounds and polyphenol compounds can be used as the ion trap agent.
  • a hydroxyl group-containing compound include 1,2-benzenediol, alizarin, anthralpine, tannin, gallic acid, methyl gallate, pyrogallol and the like.
  • the other components may be used alone or in combination of two or more.
  • the semiconductor back contact layer (A) preferably contains an infrared absorber having a maximum absorption wavelength of 850 nm or more in the wavelength range of 500 to 2000 nm.
  • the semiconductor back contact layer (A) having an absorbance of 1.0 or more can be easily obtained.
  • the said infrared absorber may use only 1 type, and may use 2 or more types.
  • the infrared absorber examples include pigments (infrared absorbing pigments) and dyes (infrared absorbing dyes) having a maximum absorption wavelength of 850 nm or more in a wavelength range of 500 to 2000 nm.
  • the infrared absorbing pigment include indium tin oxide, antimony tin oxide, zinc oxide, lead white, lithopone, titanium oxide, chromium oxide, iron oxide, aluminum oxide, precipitated barium sulfate, barite powder, lead red oxide, iron oxide Red, yellow lead, zinc yellow (one zinc yellow, two zinc yellows), ultramarine blue, Prussia blue (potassium ferrocyanide), zircon gray, praseodymium yellow, chromium titanium yellow, chromium green, peacock, Victoria green Bitumen, vanadium zirconium blue, chromium tin pink, porcelain enamel, salmon pink, titanium black, tungsten compound, metal boride and the like.
  • metal oxides containing metal elements such as Co, Cr, Cu, Mn, Ru, Fe, Ni, Sn, Ti, Ag, Al and the like, black pigments such as metal nitrogen compounds and the like can be mentioned.
  • the infrared absorbing pigment may be used alone or in combination of two or more.
  • the infrared absorbing dye examples include cyanine dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, immonium dyes, aminoum dyes, quinolium dyes, pyrilium dyes, Ni complex dyes, pyrrolopyrrole dyes, copper complexes, quaterrylene dyes, azo dyes And anthraquinone dyes, dimonium dyes, squarylium dyes, porphyrin dyes and the like.
  • the infrared absorbing dyes may be used alone or in combination of two or more.
  • the infrared ray absorbent having a maximum absorption wavelength at 850 nm or more in the wavelength range of 500 to 2000 nm from the viewpoint of improving the infrared ray shielding property of the semiconductor back contact layer (A) and lowering the average transmittance, Pigments are preferred.
  • the average particle diameter of the infrared absorbing pigment is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, and still more preferably 40 nm or more.
  • An infrared ray can be absorbed more efficiently as the average particle diameter of the said infrared rays absorption pigment is 10 nm or more, and the infrared rays shielding property of a semiconductor back contact layer (A) improves more.
  • the said average particle diameter is 10 micrometers or less from a viewpoint of suppressing the irregular reflection of the visible light for giving a laser marking.
  • the thickness of the semiconductor back contact layer (A) is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, from the viewpoint of sufficiently shielding infrared rays.
  • the thickness of the semiconductor back contact layer (A) is, for example, 100 ⁇ m or less.
  • the back contact film of the present invention at least includes an adhesive layer having a bonding surface to the back of the work.
  • the adhesive layer may be thermosetting so that it can be adhered and protected to the back of the work by heat curing after being attached to the back of the work.
  • the adhesive layer is adhered to the back surface of the work by adhesion (wettability) at the interface due to pressure etc. It is possible.
  • the adhesive layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the back contact film of the present invention may have a laminated structure including the above-mentioned adhesive layer and a laser mark layer capable of giving imprint information by laser marking.
  • laser marking is performed on the surface of the laser mark layer in the process of manufacturing the semiconductor device.
  • the back contact film having such a laminated structure has a laminated structure in which the adhesive layer is thermally cured by heat treatment at 120 ° C. for 2 hours, while the laser mark layer is not substantially thermally cured. You can take In the back contact film of the present invention, the layer which is not substantially thermally cured by the heat treatment at 120 ° C. for 2 hours includes a thermosetting layer which has already been cured.
  • the adhesive layer and the laser mark layer are the semiconductor back contact layer.
  • the adhesive layer is preferably a semiconductor back contact layer (A) containing a visible light absorbing dye.
  • the laser mark layer is preferably a semiconductor back contact layer containing a visible light absorbing dye
  • the semiconductor back contact layer (A) is the adhesive layer and the laser. It may be included in any of the mark layers.
  • the adhesive layer may be either the semiconductor back contact layer (A) or (B).
  • an adhesive bond layer contains a semiconductor back contact layer (A).
  • the adhesive layer contains the coloring agent
  • the colorant is preferably a black colorant.
  • the content ratio of the coloring agent in the adhesive layer is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and further preferably Is 1.5 mass% or more.
  • the content ratio is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and still more preferably 5% by mass or less.
  • the thickness of the adhesive layer is, for example, 2 to 200 ⁇ m, preferably 4 to 160 ⁇ m, more preferably 6 to 100 ⁇ m, and still more preferably 8 to 80 ⁇ m.
  • the laser mark layer is preferably a thermosetting layer (thermocured layer) in which a thermosetting component is thermally cured.
  • the laser mark layer is formed by curing a thermosetting resin composition layer formed of a resin composition forming the laser mark layer.
  • the content ratio of the coloring agent is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 1% of the total mass of the laser mark layer, from the viewpoint of realizing high visibility of information imprinted on the laser mark layer by laser marking. It is more than mass%, more preferably more than 1.5 mass%. The content ratio is, for example, 10% by mass or less, preferably 8% by mass or less, and more preferably 5% by mass or less.
  • the ratio of the thickness of the laser mark layer to the thickness of the adhesive layer is preferably 1 or more, more preferably 1. It is 5 or more, more preferably 2 or more. The ratio is, for example, 8 or less.
  • the thickness of the laser mark layer in the case of having a laser mark layer is, for example, 2 to 180 ⁇ m, preferably 4 to 160 ⁇ m.
  • the thickness of the back contact film of the present invention is, for example, 2 to 200 ⁇ m, preferably 4 to 160 ⁇ m, more preferably 6 to 100 ⁇ m, and still more preferably 10 to 80 ⁇ m.
  • the thickness is 2 ⁇ m or more, the back surface of the workpiece can be protected more firmly. If the thickness is 200 ⁇ m or less, the workpiece after close contact can be made thinner.
  • the back contact film of the present invention preferably has an absorbance at 532 nm of 1.0 or more, more preferably 1.2 or more.
  • absorbance at 532 nm When the back contact film of the present invention has the above-mentioned absorbance at 532 nm, visible light for laser marking can be absorbed, and imprint information can be more clearly given by laser marking.
  • the back contact film of the present invention preferably has a semiconductor back contact layer containing a visible light absorbing dye. That is, in the back contact film of the present invention, the semiconductor back contact layer (A) preferably contains a visible light absorbing dye or has a semiconductor back contact layer (B) containing a visible light absorbing dye.
  • the back contact film of the present invention has a semiconductor back contact layer containing a visible light absorbing dye, it is possible to impart imprint information by laser marking, in addition to excellent infrared absorptivity.
  • semiconductor back contact layer (B) containing the said visible light absorption dye may be called “semiconductor back contact layer (B1)."
  • semiconductor back contact layer (A) may be a semiconductor back contact layer containing a visible light absorbing dye and may have the semiconductor back contact layer (B1).
  • the back contact film of the present invention preferably has a semiconductor back contact layer containing a filler and / or a pigment and having an average particle diameter of 10 ⁇ m or less of the filler and / or the pigment. That is, in the back contact film of the present invention, the semiconductor back contact layer (A) contains a filler and / or a pigment and / or has a semiconductor back contact layer (B) containing a filler and / or a pigment, The average particle size of the filler and / or the pigment is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the back contact film of the present invention has such a configuration, irregular reflection of a light beam irradiated at the time of laser marking can be suppressed, the infrared ray shielding property is excellent, and imprint information can be more clearly given by laser marking. .
  • the semiconductor back adhesion layer (B) which contains the said filler and / or a pigment, and is 10 micrometers or less in average particle diameter of the said filler and / or the pigment may be called “semiconductor back adhesion layer (B2)."
  • the back contact film of the present invention is a semiconductor back contact layer in which the semiconductor back contact layer (A) contains a filler and / or a pigment, and the average particle diameter of the filler and / or the pigment is 10 ⁇ m or less. You may have an adhesion layer (B2).
  • the average particle diameter of the filler and the pigment can be determined, for example, using a luminous particle size distribution analyzer (trade name “LA-910”, manufactured by HORIBA, Ltd.).
  • the semiconductor back contact layer (B) of 1 may correspond to both the semiconductor back contact layer (B1) and the semiconductor back contact layer (B2).
  • the above-mentioned coloring agent, an infrared rays absorption pigment, etc. are mentioned, for example.
  • the average transmittance of the back contact film of the present invention in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is preferably 20% or less, more preferably 10% or less, and still more preferably 5% or less.
  • the average transmittance is 20% or less, the infrared shielding property is high even when infrared rays having a wavelength of 1000 to 1800 nm are irradiated.
  • the average transmittance in the wavelength range of 1000 to 1800 nm is the total light transmittance using an integrating sphere.
  • FIG. 1 An embodiment in which the back contact film of the present invention has a laminated structure including an adhesive layer and a laser marking layer is shown in FIG.
  • the back contact film 10 of the present invention is disposed on the separator 30.
  • the back contact film 10 of the present invention has a multilayer structure including the adhesive layer 11 and the laser mark layer 12, and the laser mark layer 12 is in close contact with the separator 30 in a peelable manner.
  • the adhesive layer 11 shown in FIG. 1 is a semiconductor back contact layer (A), and the laser mark layer 12 is a semiconductor back contact layer (B1).
  • the adhesive layer 11 and the laser mark layer 12 may have the reverse positional relationship (that is, an aspect in which the adhesive layer 11 is in close contact with the separator 30 so as to be peelable).
  • the back contact film 10 of the present invention can be used by being attached to the back of the work and heat cured.
  • the positional relationship between the adhesive layer 11 and the laser mark layer 12 is opposite to that shown in FIG. 1, it can be preferably used to produce a dicing tape-integrated back contact film described later.
  • the back contact film of the present invention comprises a dicing tape having a laminated structure including a substrate and a pressure sensitive adhesive layer, and the back contact film of the present invention which is in close contact with the pressure sensitive adhesive layer of the dicing tape.
  • it may be used as a dicing tape-integrated semiconductor back contact film (sometimes referred to as "dicing tape integrated back contact film").
  • the said dicing tape integrated type back contact film may be called “the dicing tape integrated type back contact film of this invention.”
  • the dicing tape-integrated back contact film 1 shown in FIG. 2 is disposed on the separator 30.
  • the dicing tape-integrated back contact film 1 can be used in the process for obtaining a semiconductor chip with a film of a chip equivalent size for forming a back contact film of a semiconductor chip, and the back contact film 10 of the present invention and It has a laminated structure including the dicing tape 20.
  • the substrate in the dicing tape is an element functioning as a support in the dicing tape and the dicing tape-integrated back contact film.
  • a base material a plastic base material (especially plastic film) is mentioned, for example.
  • the substrate may be a single layer, or a laminate of similar or different substrates.
  • the resin constituting the plastic base examples include low density polyethylene, linear low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene , Polybutene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene- Polyolefin resins such as butene copolymer, ethylene-hexene copolymer; polyurethane; polyester such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate (PBT); polycarbonate; polyimide Riete ether ketone; polyetherimides; aramid, polyamide such as wholly aromatic polyamide; polyphenyl sulfide; fluorine
  • the substrate contains ethylene-vinyl acetate copolymer or polyvinyl chloride as a main component.
  • the main component of a base material it is set as the component which occupies the largest mass ratio in a structural component.
  • the said resin may use only 1 type and may use 2 or more types.
  • the substrate preferably has radiation transparency.
  • the plastic film When the substrate is a plastic film, the plastic film may be non-oriented or may be oriented in at least one direction (uniaxial direction, biaxial direction, etc.). When oriented in at least one direction, the plastic film can be thermally shrunk in the at least one direction.
  • the substrate In order for the substrate and the dicing tape to have isotropic heat shrinkability, the substrate is preferably a biaxially oriented film.
  • the plastic film oriented in at least one direction can be obtained by stretching a non-stretched plastic film in at least one direction (uniaxial stretching, biaxial stretching, etc.).
  • the base material and the dicing tape preferably have a thermal contraction rate of 1 to 30%, more preferably 2 to 25%, and further preferably 1 to 30% in a heat treatment test performed under conditions of a heating temperature of 100 ° C. and a heating time treatment of 60 seconds. It is preferably 3 to 20%, particularly preferably 5 to 20%.
  • the heat shrinkage rate is preferably a heat shrinkage rate in at least one direction of the MD direction and the TD direction.
  • the surface on the pressure-sensitive adhesive layer side of the substrate is, for example, corona discharge treatment, plasma treatment, sand mat processing, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high-piezoelectric shock treatment, for the purpose of enhancing adhesion and retention with the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Physical treatments such as exposure treatment and ionizing radiation treatment; chemical treatments such as chromic acid treatment; and surface treatments such as easy adhesion treatment with a coating agent (primer) may be applied.
  • the thickness of the substrate is preferably 40 ⁇ m or more, more preferably 50 ⁇ m or more, and still more preferably from the viewpoint of securing strength for the substrate to function as a support in the dicing tape and dicing tape-integrated back contact film. Is 55 ⁇ m or more, particularly preferably 60 ⁇ m or more. Further, from the viewpoint of realizing appropriate flexibility in the dicing tape and the dicing tape-integrated back contact film, the thickness of the substrate is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 180 ⁇ m or less, and still more preferably 150 ⁇ m or less. is there.
  • the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape is a pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive type pressure-sensitive adhesive layer) capable of intentionally reducing the adhesive force by the action from the outside in the use process of the dicing tape-integrated back contact film. It may be a pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive non-reducing pressure-sensitive adhesive layer) in which the adhesion is hardly or not reduced depending on the external action in the use process of the dicing tape-integrated back contact film. It can select suitably according to the method, conditions, etc. of singulation of the work separated into pieces using dicing tape integrated back contact film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • the pressure-sensitive adhesive layer When the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive type pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer exhibits relatively high adhesion and relatively low adhesion in the manufacturing process and use process of the dicing tape-integrated back contact film. It becomes possible to use properly the state which shows power. For example, when attaching a back contact film to the adhesive layer of the dicing tape in the manufacturing process of the dicing tape integrated back contact film, or when the dicing tape integrated back contact film is used in the dicing step, the adhesive layer is relative While it becomes possible to suppress and prevent lifting of the back contact film from the pressure-sensitive adhesive layer by using a state that exhibits extremely high adhesive strength, thereafter, the semiconductor chip is obtained from the dicing tape with dicing tape integrated back contact film. In the pickup step for pickup, the pickup can be easily performed by reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive that can form such a pressure-sensitive adhesive type pressure-sensitive adhesive layer include a radiation-curable pressure-sensitive adhesive and a heat-foaming type pressure-sensitive adhesive.
  • a radiation-curable pressure-sensitive adhesive As an adhesive which forms an adhesive force reduction type adhesive layer, 1 type of adhesive may be used and 2 or more types of adhesive may be used.
  • a pressure-sensitive adhesive for example, a pressure-sensitive adhesive of a type which can be cured by irradiation of electron beam, ultraviolet light, ⁇ -ray, ⁇ -ray, ⁇ -ray or X-ray can be used.
  • a pressure sensitive adhesive ultraviolet curable pressure sensitive adhesive
  • the radiation-curable pressure-sensitive adhesive includes, for example, a base polymer such as an acrylic polymer, and a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond.
  • a base polymer such as an acrylic polymer
  • a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond.
  • the said acryl-type polymer is a polymer containing the structural unit derived from an acryl-type monomer (The monomer component which has a (meth) acryloyl group in a molecule
  • the hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group is mentioned, for example.
  • hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group carbonization which may have an alkoxy group illustrated as a structural unit of an acrylic resin which the above-mentioned semiconductor back contact layer may contain is illustrated.
  • a hydrogen group containing (meth) acrylic acid ester is mentioned.
  • the hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group may be used alone or in combination of two or more.
  • hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group
  • 2-ethylhexyl acrylate and lauryl acrylate are preferable.
  • all monomer components for forming an acrylic polymer 40 mass% or more is preferable, and, as for the ratio of hydrocarbon group containing (meth) acrylic acid ester which may have an alkoxy group in these, 60 mass% or more is more preferable.
  • the above acrylic polymer is derived from another monomer component copolymerizable with the hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid ester which may have the above alkoxy group for the purpose of modifying cohesion and heat resistance etc. May be included.
  • the other monomer component the other monomer illustrated as a structural unit of the acrylic resin which the above-mentioned semiconductor back contact layer may contain is mentioned.
  • the other monomer components may be used alone or in combination of two or more.
  • the above-mentioned acrylic polymer may contain a structural unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer component forming the acrylic polymer in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton.
  • the polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, penta Erythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate (eg, polyglycidyl (meth) acrylate), polyester The monomer etc.
  • the polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more.
  • all monomer components for forming an acrylic polymer 40 mass% or less is preferable, and, as for the ratio of the said polyfunctional monomer in these, 30 mass% or less is more preferable.
  • An acrylic polymer is obtained by subjecting one or more monomer components containing an acrylic monomer to polymerization.
  • a polymerization method solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like can be mentioned.
  • An acrylic polymer can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming it.
  • the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like.
  • the mass average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more preferably 200,000 to 3,000,000. When the mass average molecular weight is 100,000 or more, the amount of low molecular weight substances in the pressure-sensitive adhesive layer tends to be small, and the contamination of the back contact film, the semiconductor wafer and the like can be further suppressed.
  • the pressure-sensitive adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer may contain a crosslinking agent.
  • a crosslinking agent for example, when using an acrylic polymer as the base polymer, the acrylic polymer can be crosslinked to further reduce low molecular weight substances in the pressure-sensitive adhesive layer. In addition, the mass average molecular weight of the acrylic polymer can be increased.
  • a crosslinking agent a polyisocyanate compound, an epoxy compound, a polyol compound (polyphenol type compound etc.), an aziridine compound, a melamine compound etc. are mentioned, for example.
  • the amount thereof used is preferably about 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the base polymer.
  • Examples of the radiation polymerizable monomer component include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta ( Examples include meta) acrylates, dipentaerythritol hexa (meth) acrylates, and 1,4-butanediol di (meth) acrylates.
  • the radiation polymerizable oligomer component examples include various oligomers such as urethane type, polyether type, polyester type, polycarbonate type and polybutadiene type, and those having a molecular weight of about 100 to 30000 are preferable.
  • the content of the radiation polymerizable monomer component and the oligomer component in the radiation curable adhesive forming the adhesive layer is, for example, 5 to 500 parts by mass, preferably 40 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer. It is about a mass part.
  • the addition type radiation-curable pressure-sensitive adhesive for example, those disclosed in JP-A-60-196956 may be used.
  • the radiation-curable pressure-sensitive adhesive may be an internal radiation-curable resin containing a base polymer having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond or the like in the polymer side chain or in the polymer main chain at the polymer main chain terminal.
  • a sex adhesive Use of such an internal-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive tends to be able to suppress unintended changes in adhesion properties caused by the movement of low molecular weight components in the formed pressure-sensitive adhesive layer.
  • An acrylic polymer is preferable as the base polymer contained in the intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive.
  • a method for introducing a radiation polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer for example, an acrylic polymer was obtained by polymerizing (copolymerizing) a raw material monomer containing a monomer component having a first functional group. Thereafter, a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, while maintaining the radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, is an acrylic polymer Methods for condensation reaction or addition reaction.
  • Examples of combinations of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxy group and an isocyanate group, An isocyanate group, a hydroxy group, etc. are mentioned.
  • the combination of a hydroxy group and an isocyanate group and the combination of an isocyanate group and a hydroxy group are preferable from the viewpoint of easiness of reaction tracking.
  • the first functional group is preferably from the viewpoint of the ease of preparation and availability of an acrylic polymer having a hydroxy group.
  • the combination which is a hydroxyl group and whose said 2nd functional group is an isocyanate group is preferable.
  • a compound having an isocyanate group and a radioactively polymerizable carbon-carbon double bond that is, as a radiation polymerizable unsaturated functional group-containing isocyanate compound, for example, methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate and the like can be mentioned.
  • acrylic polymer having a hydroxy group one comprising a constitutional unit derived from the above-mentioned hydroxy group-containing monomer, or an ether compound such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether or diethylene glycol monovinyl ether Can be mentioned.
  • the radiation-curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator include ⁇ -ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, Examples include camphor quinone, halogenated ketones, acyl phosphinoxides, and acyl phosphonates.
  • Examples of the above ⁇ -ketol compounds include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, ⁇ -hydroxy- ⁇ , ⁇ '-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxy Propiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like can be mentioned.
  • Examples of the above acetophenone compounds include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2 And -morpholinopropan-1-one and the like.
  • benzoin ether compound examples include benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether and the like.
  • ketal compounds examples include benzyl dimethyl ketal and the like.
  • aromatic sulfonyl chloride compounds examples include 2-naphthalene sulfonyl chloride and the like.
  • photoactive oxime compounds include 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime and the like.
  • benzophenone series compounds include benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone and the like.
  • thioxanthone compounds include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichloro thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diisopropyl Thioxanthone etc. are mentioned.
  • the content of the photopolymerization initiator in the radiation curable pressure sensitive adhesive is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.
  • the heat-foaming pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive containing a component (foaming agent, heat-expandable microspheres, etc.) that foams or expands by heating.
  • foaming agent include various inorganic foaming agents and organic foaming agents.
  • the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, azides and the like.
  • organic foaming agent examples include salt-fluorinated alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane; azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide and barium azodicarboxylate; Hydrazine compounds such as sulfonylhydrazide, diphenylsulfone-3,3'-disulfonylhydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonylhydrazide), allylbis (sulfonylhydrazide) and the like; p-toluylenesulfonyl semicarbazide, 4,4'- Semicarbazide compounds such as oxybis (benzenesulfonyl semicarbazide); triazole compounds such as 5-morpholine-1,2,3,4-thiatriazole; N, N'-dinitrosopentamethylenetetramine, N, N,
  • thermally expandable microspheres examples include microspheres having a configuration in which a substance that is easily gasified and expanded by heating is enclosed in a shell.
  • the substance which is easily gasified and expanded by the above heating examples include isobutane, propane, pentane and the like.
  • Thermally expandable microspheres can be produced by encapsulating a substance which is easily gasified and expanded by heating into a shell-forming substance by a coacervation method, an interfacial polymerization method or the like.
  • a substance exhibiting heat melting property or a substance which can be ruptured by the action of thermal expansion of the encapsulating substance can be used.
  • Examples of such a substance include vinylidene chloride / acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, polysulfone and the like.
  • non-adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive layer examples include a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer.
  • a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer a pressure-sensitive adhesive layer formed of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above in relation to the pressure-sensitive adhesive type pressure-sensitive adhesive layer is cured in advance by radiation irradiation.
  • An adhesive layer is included.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the non-adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesive layer one kind of pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more kinds of pressure-sensitive adhesives may be used.
  • the whole of the pressure-sensitive adhesive layer may be a non-adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive layer, or a part may be an adhesive force non-reducing type pressure-sensitive adhesive layer.
  • the entire pressure-sensitive adhesive layer may be a non-adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive layer, or a specific portion in the pressure-sensitive adhesive layer
  • the region, which is the region outside the central region) is the non-adhesive force reducing type adhesive layer, and the other part (for example, the central region which is the divided object of the semiconductor wafer or the adhesion target region of the semiconductor wafer)
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be an adhesive force-reducible type adhesive layer.
  • all the pressure-sensitive adhesive layers in the laminated structure may be a non-adhesive force reducing type pressure-sensitive adhesive layer, or some of the pressure-sensitive adhesive layers in the laminated structure have non-adhesiveness. It may be a reduced pressure-sensitive adhesive layer.
  • a pressure-sensitive adhesive layer in a form in which a pressure-sensitive adhesive layer (a non-irradiated radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer) formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive is previously cured by radiation Even if the adhesive force is reduced by the irradiation, the adhesive property due to the contained polymer component is exhibited, and it is possible to exhibit the minimum adhesive force necessary for the adhesive layer of the dicing tape in the dicing step or the like.
  • the entire pressure-sensitive adhesive layer may be a radiation-cured radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer in the surface spreading direction of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the radiation-curable radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer may be a radiation-cured pressure-sensitive adhesive layer other than the radiation-exposed radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer.
  • the "radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer” refers to a pressure-sensitive adhesive layer formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, and a radiation-curable non-radiation-curable radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive
  • the agent layer includes both of the radiation-curable radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer after being cured by irradiation.
  • a pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives can be used, and acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber-based pressure-sensitive adhesives containing acrylic polymers as base polymers Can.
  • the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer as a pressure-sensitive adhesive
  • the acrylic polymer is a polymer containing a constituent unit derived from (meth) acrylic acid ester as the largest constituent unit in mass ratio preferable.
  • an acrylic polymer described as an acrylic polymer that can be included in the above-described addition type radiation curable adhesive can be employed.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive layer may be any known or commonly used pressure-sensitive adhesive layer such as a crosslinking accelerator, tackifier, anti-aging agent, coloring agent (pigment, dye, etc.)
  • the additive used for (1) may be mix
  • coloring agent the compound colored by irradiation with radiation is mentioned, for example. When it contains a compound that is colored by irradiation, only the irradiated part can be colored.
  • the compound to be colored by the irradiation with radiation is a compound which is colorless or pale before irradiation with radiation but turns to a color by irradiation with radiation, and examples thereof include leuco dyes and the like.
  • the amount of the compound to be colored by the above radiation irradiation is not particularly limited and can be appropriately selected.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer to the back contact film before and after radiation curing From the viewpoint of balance, the thickness is preferably about 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 30 ⁇ m, and still more preferably 5 to 25 ⁇ m.
  • each back contact film of the present invention or the dicing tape-integrated back contact film of the present invention may have a separator on the back contact film surface.
  • each back contact film of the present invention or each dicing tape-integrated back contact film may be in the form of a sheet having a separator, or the separator may be elongated and a plurality thereof is provided thereon.
  • the back contact film or the plurality of dicing tape-integrated back contact films may be disposed, and the separator may be wound into a roll.
  • the separator is an element for covering and protecting the back contact film of the present invention, and is peeled from the sheet when using the back contact film of the present invention or the dicing tape-integrated back contact film of the present invention.
  • separator examples include plastic films and papers surface-coated with a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, and a release agent such as a fluorine-based release agent or a long chain alkyl acrylate release agent.
  • PET polyethylene terephthalate
  • release agent such as a fluorine-based release agent or a long chain alkyl acrylate release agent.
  • the thickness of the separator is, for example, 10 to 200 ⁇ m, preferably 15 to 150 ⁇ m, and more preferably 20 to 100 ⁇ m.
  • the thickness is 10 ⁇ m or more, it is difficult to be broken due to cutting at the time of processing of the separator.
  • the thickness is 200 ⁇ m or less, the dicing tape-integrated back contact film is more easily peeled off from the separator at the time of bonding to the substrate and the frame.
  • the back contact film 10 which is one embodiment of the back contact film of the present invention is manufactured, for example, as follows.
  • the adhesive layer 11 and the laser mark layer 12 are separately prepared.
  • the adhesive layer 11 applies a resin composition (adhesive composition) for forming the adhesive layer 11 on a separator to form a resin composition layer, and then performs desolvation and curing by heating to form a resin composition. It can be produced by solidifying the product layer.
  • the heating temperature is, for example, 90 to 150 ° C.
  • the heating time is, for example, 1 to 2 minutes.
  • a coating method of a resin composition roll coating, screen coating, gravure coating etc. are mentioned, for example.
  • the laser mark layer 12 applies a resin composition for forming the laser mark layer 12 on the separator to form a resin composition layer, and then performs desolvation and curing by heating to solidify the resin composition layer. It can be produced by In the preparation of the laser mark layer 12, the heating temperature is, for example, 90 to 160 ° C., and the heating time is, for example, 2 to 4 minutes. As described above, the adhesive layer 11 and the laser mark layer 12 can be produced in a form in which each is accompanied by a separator.
  • the dicing tape integrated back contact film 1 which is one embodiment of the dicing tape integrated back adhesion film of the present invention is manufactured, for example, as follows.
  • the dicing tape 20 of the dicing tape-integrated back contact film 1 shown in FIG. 2 can be produced by providing the adhesive layer 22 on the prepared base 21.
  • the base material 21 made of resin can be obtained by forming a film by a known or conventional film forming method.
  • the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, a dry lamination method and the like.
  • the substrate 21 is subjected to surface treatment as required.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 22 When the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed on a separator, the pressure-sensitive adhesive layer 22 with the separator is attached to the substrate 21 and then the target plane projection shape (for example, the back contact film 10 has a similar shape Punching is performed so as to obtain a shape and a planar projected area, and then the separator is peeled off. Thereby, the dicing tape 20 which has a laminated structure of the base material 21 and the adhesive layer 22 is produced.
  • the target plane projection shape for example, the back contact film 10 has a similar shape Punching is performed so as to obtain a shape and a planar projected area, and then the separator is peeled off.
  • the laser mark layer 12 side of the back contact film 10 obtained above is bonded to the adhesive layer 22 side of the dicing tape 20.
  • the bonding temperature is, for example, 30 to 50 ° C.
  • the bonding pressure linear pressure
  • the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet light before the bonding, or after the bonding
  • the adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet light from the side.
  • the adhesive layer 22 is cured in the process of using the dicing tape-integrated back contact film 1 Is possible).
  • the ultraviolet irradiation dose for curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2 .
  • the area (irradiated area R) where the irradiation as the adhesive force reducing measure of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is performed in the dicing tape-integrated back-adhesion film 1 is, for example, as shown in FIG. It is an area
  • the back contact film 10 of the present invention shown in FIG. 1 and the dicing tape integrated back contact film 1 shown in FIG. 2 can be produced.
  • a semiconductor device can be manufactured using the dicing tape-integrated back contact film of the present invention. Specifically, the step of sticking the back surface of the work to the back adhesion film side (especially the adhesive layer side) in the dicing tape-integrated back adhesion film of the present invention (sticking step) and cutting the object including at least the work
  • the semiconductor device can be manufactured by the manufacturing method including the step of obtaining the singulated semiconductor chip (dicing step).
  • 3 to 6 show steps in a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated back contact film 1 shown in FIG.
  • thermosetting adhesive layer When the back contact film of the present invention has a thermosetting adhesive layer, it is preferable to have a step (heat curing step) of heat curing the adhesive layer in the back contact film after the sticking step.
  • heat curing step heat treatment for heat curing the adhesive layer 11 is performed.
  • the heating temperature is preferably 80 to 200 ° C., more preferably 100 to 150 ° C.
  • the heating time is preferably 0.5 to 5 hours, more preferably 1 to 3 hours. Specifically, the heat treatment is performed, for example, at 120 ° C. for 2 hours.
  • the adhesion between the back adhesion film 10 of the present invention and the semiconductor wafer 40 of the dicing tape integrated back adhesion film 1 is enhanced by the heat curing of the adhesive layer 11, and the dicing tape integrated back adhesion film 1 and The semiconductor wafer fixed holding power of the back contact film 10 of the present invention is enhanced.
  • baking may be performed, for example, in the range of 50 to 100 ° C. for several hours, whereby the wettability of the adhesive layer interface is improved. And the semiconductor wafer fixed holding power is increased.
  • the above-mentioned method of manufacturing a semiconductor device comprises the step of irradiating the laser mark layer from the substrate side of the dicing tape with laser to perform laser marking (laser marking step) It is preferable to have When performing the said thermosetting process, it is preferable to perform a laser marking process after the said thermosetting process. Specifically, in the laser marking step, for example, laser marking is performed by irradiating a laser from the side of the base 21 of the dicing tape 20 to the laser mark layer 12. By the laser marking process, various information such as character information and graphic information can be imprinted on each semiconductor chip.
  • the laser marking process it is possible to perform laser marking efficiently on a plurality of semiconductor chips collectively in one laser marking process.
  • a gas laser and a solid state laser are mentioned, for example.
  • the gas laser include a carbon dioxide gas laser (CO 2 laser) and an excimer laser.
  • CO 2 laser carbon dioxide gas laser
  • an excimer laser As a solid state laser, Nd: YAG laser is mentioned, for example.
  • a frame (dicing frame) 51 for pressing and fixing the dicing tape is stuck on the adhesive layer 22 in the dicing tape integrated back contact film 1 and holding of the dicing apparatus After being held by the tool 52, cutting with a dicing blade provided in the dicing apparatus is performed.
  • the cut portion is schematically represented by a thick line.
  • the semiconductor wafer is singulated into semiconductor chips 41, and the back contact film 10 of the present invention of the dicing tape integrated back contact film 1 is cut into small pieces of film 10 '. Thereby, the semiconductor chip 41 with the film 10 ′, ie, the semiconductor chip 41 with the film 10 ′ is obtained.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may have a step of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer from the substrate side with radiation (radiation irradiation step).
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape is a layer formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive
  • the above-mentioned radiation irradiation in the production process of the dicing tape-integrated back contact film is replaced.
  • the adhesive layer may be irradiated with radiation such as ultraviolet light from the side of the substrate.
  • the irradiation dose is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2 .
  • the method of manufacturing a semiconductor device includes a step of picking up a semiconductor chip with a film (pickup step).
  • the pick-up step is, for example, a cleaning step of cleaning the semiconductor chip 41 side of the dicing tape 20 with the semiconductor chip 41 with the film 10 ′ using a cleaning liquid such as water, or a separation distance between the semiconductor chips 41 with the film 10 ′.
  • An expanding step for expanding may be performed after passing through if necessary. For example, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 41 with the film 10 ′ is picked up from the dicing tape 20.
  • the push-up speed of the pin member 53 is, for example, 1 to 100 mm / sec, and the push-up amount of the pin member 53 is, for example, 50 to 3000 ⁇ m.
  • a semiconductor device can be manufactured using the dicing tape-integrated back contact film of the present invention.
  • Example 1 90 parts by mass of acrylic resin (trade name "Teisan Resin SG-P3" manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) and 40 parts by mass epoxy resin E 1 (trade name "KI-3000-4" manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 60 parts by mass of epoxy resin E 2 (trade name “JER YL 980”, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 100 parts by mass of phenol resin (trade name “MEH7851-SS”, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), silica filler F 1 (Trade name “SO-25R", average particle diameter: 0.5 ⁇ m, manufactured by Admatex Co., Ltd.) 220 parts by mass, and infrared absorbing pigment P 1 (heavy metal oxide colorant, maximum absorption wavelength: 1600 nm, average particle diameter 50 parts by mass of 20 nm), 5 parts by mass of a visible light absorbing black dye (trade name "OIL BLACK BS”, manufactured by Orient Chemical Industries, Ltd.), and a
  • the resin composition was applied on a silicone release-treated surface of a PET separator (50 ⁇ m in thickness) having a silicone release-treated surface using an applicator to form a resin composition layer.
  • the composition layer is heated at 130 ° C. for 2 minutes to remove the solvent, and a 17 ⁇ m-thick semiconductor back surface adhesion layer (thermosetting semiconductor back surface adhesion layer) is formed on the PET separator. I got a film.
  • Example 2 A back contact film of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that an infrared absorbing dye (phenylenediamine based dye, maximum absorption wavelength: 940 nm) was used instead of the infrared absorbing pigment.
  • an infrared absorbing dye phenylenediamine based dye, maximum absorption wavelength: 940 nm
  • Example 4 A back contact film of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that the visible light absorbing black dye was not used.
  • Example 5 Using 100 parts by mass of infrared absorbing pigment P 2 (trade name “E-ITO”, indium tin oxide, average particle diameter is 30 nm, manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.) instead of 50 parts by mass of infrared absorbing pigment P 1 A back contact film of Example 5 was produced in the same manner as Example 1 except for the above.
  • infrared absorbing pigment P 2 trade name “E-ITO”, indium tin oxide, average particle diameter is 30 nm, manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.
  • Comparative Example 1 A back contact film of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the infrared absorbing pigment was not used.

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Abstract

赤外線遮蔽性により優れる半導体背面密着フィルムを提供する。　本発明の半導体背面密着フィルムは、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。或いは、本発明の背面密着フィルム１０は、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。前記半導体背面密着層（Ａ）は、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する染料を含んでいてもよい。また、前記半導体背面密着層（Ａ）は、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する顔料を含んでいてもよい。

Description

半導体背面密着フィルム
　本発明は、半導体背面密着フィルムに関する。より詳細には、本発明は、半導体装置の製造過程で使用することができる半導体背面密着フィルムに関する。
　近年、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装されたフリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ型の半導体装置では、半導体素子の損傷等を防止するために、半導体素子の裏面に保護膜を形成するためのフィルムとして、半導体背面密着フィルムが用いられることがある（特許文献１、２参照）。
特開２０１１－１５１３６０号公報 国際公開第２０１４／０９２２００号
　従来の半導体背面密着フィルムは、通常、レーザーマーキングにより刻印情報を付与することが可能なように着色剤が配合されており、またこれにより遮光性を有する。ところで、近年、シリコン層の薄層化が進んでいる。これに伴い、半導体背面密着フィルムも薄膜化が求められている。しかしながら、シリコンは薄層化すると赤外線から可視光まで透過する光の波長が広がるという問題があった。また、半導体背面密着フィルムにおいては、レーザーマーキングのために使用する可視光吸収を有する着色剤が多くの場合は近赤外に吸収を有さないものも多く、赤外線を透過する他、薄膜化に伴い遮光性が低下するという問題があった。半導体背面密着フィルムの遮光性が劣ると、光が透過しやすくなるため、光が透過することにより半導体の回路面でノイズ等の悪影響を及ぼしたり、赤外線顕微鏡等を用いることにより回路面が見えてしまい秘密性が維持できなくなることがあった。
　本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線遮蔽性により優れる半導体背面密着フィルムを提供することにある。
　本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を有する半導体背面密着フィルムによれば、赤外線遮蔽性により優れることを見出した。また、本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を有する半導体背面密着フィルムにおいて優れた赤外線遮蔽性を得られることも、見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
　すなわち、本発明は、その第１の側面では、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する、半導体背面密着フィルムを提供する。また、本発明は、その第２の側面では、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する、半導体背面密着フィルムを提供する。このような構成の半導体背面密着フィルムは、半導体装置の製造過程で使用することができる。
　本発明の第１の側面に係る半導体背面密着フィルムは、上述のように、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。本発明の第２の側面に係る半導体背面密着フィルムは、上述のように、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。このような構成を有する本発明の半導体背面密着フィルムは、赤外線を充分に吸収することができるため、赤外線遮蔽性により優れる。
　上記半導体背面密着層（Ａ）は、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する染料を含んでいてもよい。このような構成を有することにより、１０００～１８００ｎｍの波長域や１３００～１８００ｎｍの波長域における厚さ１７μｍの際の吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を容易に得ることができる。
　上記半導体背面密着層（Ａ）は、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する顔料を含んでいてもよい。このような構成を有することにより、１０００～１８００ｎｍの波長域や１３００～１８００ｎｍの波長域における厚さ１７μｍの際の吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を容易に得ることができる。
　本発明の半導体背面密着フィルムは、上記半導体背面密着層（Ａ）が可視光吸収染料を含むか、及び／又は、可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ｂ１）を有することが好ましい。このような構成を有する本発明の半導体背面密着フィルムは、赤外線遮蔽性に優れることに加え、レーザーマーキングにより刻印情報を付与することも可能である。
　上記半導体背面密着層（Ａ）は、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度の最小値と最大値の比［最小値／最大値］が０．４～１．０であることが好ましい。このような構成を有することにより、本発明の半導体背面密着フィルムは、広範囲に渡る波長の赤外線を同等に遮蔽することができる。
　本発明の半導体背面密着フィルムは、上記半導体背面密着層（Ａ）がフィラー及び／又は顔料を含むか、及び／又は、フィラー及び／又は顔料を含む半導体背面密着層（Ｂ２）を有し、上記フィラー及び／又は上記顔料の平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。このような構成を有することにより、本発明の半導体背面密着フィルムは、レーザーマーキング時に照射する光線の乱反射を抑制し、赤外線遮蔽性に優れると共に、レーザーマーキングにより刻印情報をより明確に付与することが可能となる。
　本発明の半導体背面密着フィルムは、赤外線遮蔽性により優れる。このため、本発明の半導体背面密着フィルムを用いることにより、半導体ウエハが薄層化された場合であっても、赤外線を照射された際に半導体の回路面に悪影響を及ぼしたり、回路面が見えてしまうことを抑制することができる。
本発明の半導体背面密着フィルムの一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。 本発明のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムの一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。 貼り付け工程の一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。 ダイシング工程の一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。 ピックアップ工程の一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。 フリップチップ実装工程の一実施形態を示す概略図（正面断面図）である。
［半導体背面密着フィルム］
　本発明の半導体背面密着フィルム（単に「背面密着フィルム」と称する場合がある）は、その第１の実施形態においては、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を有する。本発明の半導体背面密着フィルムは、その第２の実施形態においては、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層を有する。なお、本明細書において、半導体（ワーク）の「表面」とはワークのフリップチップ実装するためのバンプが形成されている面をいい、「背面」とは表面の反対側、すなわちバンプが形成されていない面をいうものとする。そして、「背面密着フィルム」は半導体の背面に密着して用いるフィルムをいい、半導体チップの背面（いわゆる裏面）に保護膜を形成するためのフィルム（半導体裏面保護フィルム）を含む。また、本明細書において、「半導体背面密着層」とは、半導体装置に実装された後もワークの背面に密着している層であり、後述のダイシングテープやセパレータ等の半導体装置の製造過程で剥離される層は含まれない。また、本明細書において、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上であるか、或いは、厚さ１７μｍの条件で少なくとも１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である、半導体背面密着層を、「半導体背面密着層（Ａ）」と称する場合がある。
　本発明の背面密着フィルムは、半導体背面密着層（Ａ）からなる単層構成であってもよいし、多層構造であってもよい。例えば、本発明の背面密着フィルムは、半導体背面密着層（Ａ）以外の半導体背面密着層を有していてもよい。なお、本明細書において、半導体背面密着層（Ａ）以外の本発明の背面密着フィルムが有し得る半導体背面密着層を「半導体背面密着層（Ｂ）」と称する場合がある。
　本発明の背面密着フィルムは、その第１の実施形態では、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。すなわち、当該半導体背面密着層（Ａ）は、厚さ１７μｍの条件における吸収スペクトルにおいて、１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度の最小値が１．０以上である。本発明の背面密着フィルムは、その第２の実施形態では、厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する。すなわち、当該半導体背面密着層（Ａ）は、厚さ１７μｍの条件における吸収スペクトルにおいて、１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度の最小値が１．０以上である。このような半導体背面密着層（Ａ）を有することより、本発明の背面密着フィルムは、赤外線を充分に吸収することができるため、半導体ウエハが薄層化された場合であっても赤外線遮蔽性に優れる背面密着層付きチップを得ることができる。上記１０００～１８００ｎｍの波長域や上記１３００～１８００ｎｍを含む吸収スペクトルは、赤外線波長領域の吸光度を測定可能な公知の分光光度計を用いて測定することができる。また、半導体背面密着層（Ａ）内の成分として後述する着色剤の選択や当該着色剤の配合量の調整によって例えば、半導体背面密着層（Ａ）について、最小吸光度が１．０以上に確保される波長域を相対的に狭い１３００～１８００ｎｍとするか或いは相対的に広い１０００～１８００ｎｍとするか、制御することが可能である。
　半導体背面密着層（Ａ）は、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度の最小値と最大値の比［最小値／最大値］が０．４～１．０であることが好ましく、より好ましくは０．５～１．０、さらに好ましくは０．８～１．０である。上記比が０．４以上であると、本発明の背面密着フィルムは広範囲に渡る波長の赤外線を同等に遮蔽することができる。
（半導体背面密着層）
　本発明の背面密着フィルムが有する半導体背面密着層（すなわち、半導体背面密着層（Ａ）及び半導体背面密着層（Ｂ））及び半導体背面密着層を形成する組成物（樹脂組成物）は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。半導体背面密着層が熱硬化性を有する場合、半導体背面密着層及び上記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。半導体背面密着層が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、上記樹脂組成物は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含む必要はない。
　半導体背面密着層中の熱可塑性樹脂は例えばバインダー機能を担うものである。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
　上記アクリル樹脂は、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。
　上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（ラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。アルコキシ基を有する炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルにおける炭化水素基中の１以上の水素原子をアルコキシ基に置換したものが挙げられ、例えば、（メタ）アクリル酸の２－メトキシメチルエステル、２－メトキシエチルエステル、２－メトキシブチルエステル等が挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　上記アクリル樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　半導体背面密着層に含まれ得るアクリル樹脂は、半導体背面密着層がワークに対する接着性とダイシング時における良好な割断性とを両立する観点から、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、アクリロニトリル、及びアクリル酸から適宜に選択されるモノマーの共重合体であることが好ましい。
　半導体背面密着層が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
　上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂が挙げられる。上記エポキシ樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。
　エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂が挙げられる。また、当該フェノール樹脂としては、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンも挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。
　半導体背面密着層において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を充分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０．５～２．０当量、より好ましくは０．８～１．２当量となる量で含まれる。
　半導体背面密着層が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、半導体背面密着層を適切に硬化させるという観点から、半導体背面密着層の総質量に対して、５～６０質量％が好ましく、より好ましくは１０～５０質量％である。
　半導体背面密着層が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含む。当該炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の半導体背面密着層に含まれ得る熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂を形成する炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとして例示された炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、後述の粘着剤層形成用の放射線硬化性粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤として、ポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。
　半導体背面密着層は、熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化触媒（熱硬化促進剤）を含有することが好ましい。熱硬化触媒を含むと、半導体背面密着層の硬化にあたって樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めることができる。上記熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルホスフィン系化合物、アミン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。トリフェニルホスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ－メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、ジフェニルトリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド等が挙げられる。トリフェニルホスフィン系化合物には、トリフェニルホスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。そのような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン等が挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート、ジシアンジアミド等が挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボラン等が挙げられる。上記熱硬化触媒は、一種のみを含有していてもよいし、二種以上を含有していてもよい。
　半導体背面密着層は、フィラーを含んでいてもよい。フィラーを含むことにより、半導体背面密着層の弾性率や、降伏点強度、破断伸度等の物性を調整しやすい。フィラーとしては、無機フィラー、有機フィラーが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。また、無機フィラーの構成材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の単体金属や、合金、アモルファスカーボン、グラファイト等も挙げられる。有機フィラーの構成材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミドが挙げられる。上記フィラーは、一種のみを含有していてもよいし、二種以上を含有していてもよい。
　上記フィラーは、球状、針状、フレーク状等各種形状を有していてもよい。上記フィラーの平均粒径は、３０～５００ｎｍが好ましく、より好ましくは４０～４００ｎｍ、より好ましくは５０～３００ｎｍである。すなわち、半導体背面密着層は、ナノフィラーを含有することが好ましい。フィラーとしてこのような粒径のナノフィラーを含有すると、小片化されることとなる背面密着フィルムについて割断性により優れる。また、半導体背面密着層がフィラーを含有する場合の当該フィラーの含有割合は、１０質量％以上が好ましく、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上である。上記含有割合は、５０質量％以下が好ましく、より好ましくは４７質量％以下、さらに好ましくは４５質量％以下である。
　半導体背面密着層は、着色剤を含有していてもよい。上記着色剤は、顔料であってもよいし、染料であってもよい。着色剤としては、例えば、黒系着色剤、シアン系着色剤、マゼンダ系着色剤、イエロー系着色剤等が挙げられる。後述のレーザーマーキング層として用いる半導体背面密着層の場合は、レーザーマーキングによって情報を刻印し、当該情報について視認性により優れる観点から、また後述の接着剤層として用いる半導体背面密着層の場合は背面密着フィルムにおけるレーザーマーク層側のレーザーマーキングによる刻印箇所とそれ以外の箇所との間で高いコントラストを確保して当該刻印情報について良好な視認性を実現する観点から、黒系着色剤が好ましい。上記着色剤は、一種のみを含有していてもよいし、二種以上を含有していてもよい。
　黒系着色剤としては、例えば、カーボンブラック、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾメチンアゾブラック等のアゾ系顔料、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色染料、アゾ系有機黒色染料等が挙げられる。カーボンブラックとしては、例えば、ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラック等が挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０；Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１；Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４；Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等も挙げられる。
　シアン系着色剤としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等が挙げられる。
　マゼンダ系着色剤としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８等が挙げられる。また、マゼンダ系着色剤としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５等が挙げられる。
　イエロー系着色剤としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等が挙げられる。
　上記着色剤としては、中でも、可視光吸収染料が好ましい。上記着色剤として可視光吸収染料を用いると、ダイシングテープを伴った状態でレーザーマーキングを施した際に背面密着フィルムとダイシングテープの間に気泡が生じにくく、レーザーマーキング後の外観に優れる。上記可視光吸収染料は、３５０～７００ｎｍの波長領域に吸光度の極大値を有する染料であることが好ましい。上記可視光吸収染料としては、例えば、アントラキノン系染料、ペリノン系染料、ペリレン系染料、キノリン系染料、キナクリドン系染料、ベンズイミダゾロン系染料、アゾ系染料、イソインドリノン系染料、イソインドリン系染料、ジオキサジン系染料、フタロシアニン系染料等が挙げられる。上記可視光吸収染料は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　半導体背面密着層は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の金属水酸化物、ホスファゼン系化合物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ－３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ－１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、ケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）等が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－｛Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチル－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔ－オクチル－６’－ｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１－（２’，３’－ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－（１，２－ジカルボキシジエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２－エチルヘキシルアミノメチル）ベンゾトリアゾール、２，４－ジ－ｔ－ペンチル－６－｛（Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル｝フェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－ブチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、３－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－５－（１，１－ジメチルエチル）－４－ヒドロキシ、オクチル－３－［３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）フェニル］プロピオネート、２－エチルヘキシル－３－［３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）フェニル］プロピオネート、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－（１－メチル－１－フェニルエチル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔ－ブチルフェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロ－ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ジ（１，１－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール］、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、メチル－３－［３－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－５－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル］プロピオネート等が挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１，２－ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。上記他の成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　また、半導体背面密着層（Ａ）は、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する赤外線吸収剤を含むことが好ましい。上記赤外線吸収剤を含むと、１０００～１８００ｎｍの波長域における厚さ１７μｍの際の吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）や、１３００～１８００ｎｍの波長域における厚さ１７μｍの際の吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を、容易に得ることができる。上記赤外線吸収剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　上記赤外線吸収剤としては、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する顔料（赤外線吸収顔料）や染料（赤外線吸収染料）が挙げられる。上記赤外線吸収顔料としては、例えば、酸化インジウム錫、酸化アンチモン錫、酸化亜鉛、鉛白、リトポン、酸化チタン、酸化クロム、酸化鉄、酸化アルミニウム、沈降性硫酸バリウム、バライト粉、鉛丹、酸化鉄赤、黄鉛、亜鉛黄（亜鉛黄１種、亜鉛黄２種）、ウルトラマリン青、プロシア青（フェロシアン化鉄カリ）、ジルコングレー、プラセオジムイエロー、クロムチタンイエロー、クロムグリーン、ピーコック、ビクトリアグリーン、紺青、バナジウムジルコニウム青、クロム錫ピンク、陶試紅、サーモンピンク、チタンブラック、タングステン化合物、金属ホウ化物等が挙げられる。また、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌ等の金属元素を含む金属酸化物、金属窒素物等の黒色顔料等が挙げられる。上記赤外線吸収顔料は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　上記赤外線吸収染料としては、例えば、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、インモニウム色素、アミノウム色素、キノリウム色素、ピリリウム色素、Ｎｉ錯体色素、ピロロピロール色素、銅錯体、クアテリレン系色素、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジイモニウム系色素、スクアリリウム系色素、ポルフィリン系色素等が挙げられる。上記赤外線吸収染料は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　上記５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する赤外線吸収剤としては、中でも、半導体背面密着層（Ａ）の赤外線遮蔽性が向上し、平均透過率が低下する観点から、赤外線吸収顔料が好ましい。また、上記赤外線吸収顔料の平均粒径は、１０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上である。上記赤外線吸収顔料の平均粒径が１０ｎｍ以上であると、赤外線をより効率的に吸収することができ、半導体背面密着層（Ａ）の赤外線遮蔽性がより向上する。なお、上記平均粒径は、レーザーマーキングを施すための可視光の乱反射を抑制する観点から、１０μｍ以下であることが好ましい。
　半導体背面密着層（Ａ）の厚さは、赤外線を充分に遮蔽する観点から、３μｍ以上が好ましく、より好ましくは５μｍ以上である。上記半導体背面密着層（Ａ）の厚さは、例えば１００μｍ以下である。
　本発明の背面密着フィルムは、ワーク背面への貼着面を有する接着剤層を少なくとも含む。接着剤層は、ワーク背面に貼着された後、熱硬化によりワーク背面に接着して保護することが可能となるように、熱硬化性を有していてもよい。なお、接着剤層が熱硬化性を有しない非熱硬化性である場合、接着剤層は、感圧等による界面での密着性（濡れ性）や化学結合によりワーク背面に接着して保護することが可能である。接着剤層は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
　また、本発明の背面密着フィルムは、上記接着剤層と、レーザーマーキングにより刻印情報を付与することが可能なレーザーマーク層とを含む積層構造を有していてもよい。このような積層構造を有する場合、レーザーマーク層表面には、半導体装置の製造過程においてレーザーマーキングが施されることとなる。また、このような積層構造を有する背面密着フィルムは、１２０℃で２時間の加熱処理によって、上記接着剤層は熱硬化する一方で、上記レーザーマーク層は実質的には熱硬化しないという積層構造をとることができる。なお、本発明の背面密着フィルムにおいて１２０℃で２時間の加熱処理によって実質的には熱硬化しない層には、既に硬化した熱硬化型層が含まれる。
　本発明の背面密着フィルムにおいて、上記接着剤層及び上記レーザーマーク層は、上記半導体背面密着層である。本発明の背面密着フィルムが接着剤層単層からなる場合、当該接着剤層は可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ａ）であることが好ましい。本発明の背面密着フィルムが上記積層構造を有する場合、上記レーザーマーク層は可視光吸収染料を含む半導体背面密着層であることが好ましく、半導体背面密着層（Ａ）は上記接着剤層と上記レーザーマーク層のいずれに含まれていてもよい。特に、レーザーマーク層として可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ａ）を用いる場合、接着剤層は、半導体背面密着層（Ａ）又は（Ｂ）のいずれであってもよい。一方、レーザーマーク層として半導体背面密着層（Ｂ）を用いる場合、接着剤層は、半導体背面密着層（Ａ）を含む。
　上記接着剤層が上記着色剤を含む場合、背面密着フィルムにおけるレーザーマーク層側のレーザーマーキングによる刻印箇所とそれ以外の箇所との間で高いコントラストを確保して当該刻印情報について良好な視認性を実現する観点から、上記着色剤は黒系着色剤であることが好ましい。また、レーザーマーキングによる刻印情報について上述の良好な視認性を実現する観点で、接着剤層における着色剤の含有割合は、０．５質量％以上が好ましく、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。上記含有割合は、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。
　接着剤層の厚さは、例えば２～２００μｍ、好ましくは４～１６０μｍ、より好ましくは６～１００μｍ、さらに好ましくは８～８０μｍである。
　上記レーザーマーク層は、熱硬化性成分が熱硬化された熱硬化型層（熱硬化済み層）であることが好ましい。レーザーマーク層は、レーザーマーク層を形成する樹脂組成物から形成された熱硬化性の樹脂組成物層を硬化させることにより形成される。
　上記レーザーマーク層が上記着色剤を含有する場合、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、レーザーマーキングして、文字情報や図形情報等の各種情報を付与することが可能となる。また、着色剤の色を適宜選択することにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報等）を、優れた視認性とすることが可能になる。さらに、着色剤の選択により、製品別に色分けをすることが可能となる。上記着色剤の含有割合は、レーザーマーキングによってレーザーマーク層に刻印される情報について高い視認性を実現する観点から、レーザーマーク層の総質量に対して、例えば０．５質量％以上、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１．５質量％以上である。上記含有割合は、例えば１０質量％以下、好ましくは８質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。
　本発明の背面密着フィルムが接着剤層とレーザーマーキング層とを有する多層構造である場合、接着剤層の厚さに対するレーザーマーク層の厚さの比は、１以上が好ましく、より好ましくは１．５以上、さらに好ましくは２以上である。上記比は、例えば８以下である。
　レーザーマーク層を有する場合のレーザーマーク層の厚さは、例えば２～１８０μｍ、好ましくは４～１６０μｍである。
　本発明の背面密着フィルムの厚さは、例えば２～２００μｍ、好ましくは４～１６０μｍ、より好ましくは６～１００μｍ、さらに好ましくは１０～８０μｍである。上記厚さが２μｍ以上であると、ワーク背面をより強固に保護できる。上記厚さが２００μｍ以下であると、背面密着後のワークをより薄型とすることができる。
　本発明の背面密着フィルムは、５３２ｎｍにおける吸光度が１．０以上であることが好ましく、より好ましくは１．２以上である。本発明の背面密着フィルムが５３２ｎｍにおいて上記吸光度を有すると、レーザーマーキングを施すための可視光を吸収することができ、レーザーマーキングにより刻印情報をより明確に付与することができる。
　本発明の背面密着フィルムは、可視光吸収染料を含む半導体背面密着層を有することが好ましい。すなわち、本発明の背面密着フィルムにおいて、半導体背面密着層（Ａ）が可視光吸収染料を含むか、又は、可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ｂ）を有することが好ましい。本発明の背面密着フィルムが可視光吸収染料を含む半導体背面密着層を有すると、赤外線吸収性に優れることに加え、レーザーマーキングにより刻印情報を付与することが可能である。なお、上記可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ｂ）を「半導体背面密着層（Ｂ１）」と称する場合がある。また、半導体背面密着層（Ａ）が可視光吸収染料を含む半導体背面密着層であり且つ半導体背面密着層（Ｂ１）を有していてもよい。
　本発明の背面密着フィルムは、フィラー及び／又は顔料を含み、上記フィラー及び／又は上記顔料の平均粒径が１０μｍ以下である半導体背面密着層を有することが好ましい。すなわち、本発明の背面密着フィルムにおいて、半導体背面密着層（Ａ）がフィラー及び／又は顔料を含むか、及び／又は、フィラー及び／又は顔料を含む半導体背面密着層（Ｂ）を有し、上記フィラー及び／又は上記顔料の平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。本発明の背面密着フィルムがこのような構成を有すると、レーザーマーキング時に照射する光線の乱反射を抑制し、赤外線遮蔽性に優れると共に、レーザーマーキングにより刻印情報をより明確に付与することが可能となる。なお、上記フィラー及び／又は顔料を含み、上記フィラー及び／又は上記顔料の平均粒径が１０μｍ以下である半導体背面密着層（Ｂ）を「半導体背面密着層（Ｂ２）」と称する場合がある。本発明の背面密着フィルムは、半導体背面密着層（Ａ）がフィラー及び／又は顔料を含み、上記フィラー及び／又は上記顔料の平均粒径が１０μｍ以下である半導体背面密着層であり、且つ半導体背面密着層（Ｂ２）を有していてもよい。本明細書において、フィラー及び顔料の平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ－９１０」、株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。なお、１の半導体背面密着層（Ｂ）が、半導体背面密着層（Ｂ１）及び半導体背面密着層（Ｂ２）の両方に該当してもよい。上記顔料としては、例えば、上述の着色剤や赤外線吸収顔料等が挙げられる。
　本発明の背面密着フィルムの、１０００～１８００ｎｍの波長域における平均透過率は、２０％以下が好ましく、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記平均透過率が２０％以下であると、１０００～１８００ｎｍの波長を有する赤外線が照射された場合であっても赤外線遮蔽性が高い。上記１０００～１８００ｎｍの波長域における平均透過率は、積分球を用いた全光線透過率である。
　本発明の背面密着フィルムが接着剤層とレーザーマーキング層とを含む積層構造を有する場合の一実施形態を図１に示す。図１に示すように、本発明の背面密着フィルム１０は、セパレータ３０上に配置されている。本発明の背面密着フィルム１０は、接着剤層１１とレーザーマーク層１２を含む多層構造を有し、レーザーマーク層１２がセパレータ３０に剥離可能に密着している。なお、図１に示す接着剤層１１は半導体背面密着層（Ａ）であり、レーザーマーク層１２は半導体背面密着層（Ｂ１）である。なお、図１において、接着剤層１１とレーザーマーク層１２は、逆の位置関係（すなわち、接着剤層１１がセパレータ３０に剥離可能に密着している態様）であってもよい。接着剤層１１とレーザーマーク層１２が図１に示す位置関係である場合、本発明の背面密着フィルム１０をワーク背面に貼着し熱硬化させて使用することができる。一方、接着剤層１１とレーザーマーク層１２の位置関係が図１に示すものとは逆である場合、後述のダイシングテープ一体型背面密着フィルムを作製するために好ましく使用することができる。
［ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム］
　本発明の背面密着フィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している本発明の背面密着フィルムとを備えた形態、すなわち、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム（「ダイシングテープ一体型背面密着フィルム」と称する場合がある）として用いられてもよい。なお、上記ダイシングテープ一体型背面密着フィルムを「本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルム」と称する場合がある。本発明の背面密着フィルムをダイシングテープ一体型背面密着フィルムとして用いた場合、基板に貼付する際にシワをより生じにくくすることができる。
　本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムの一実施形態について、図２を用いて説明する。図２に示すダイシングテープ一体型背面密着フィルム１は、セパレータ３０上に配置されている。ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１は、半導体チップ背面密着膜形成用のチップ相当サイズのフィルムを伴う半導体チップを得るための過程で使用することのできるものであり、本発明の背面密着フィルム１０とダイシングテープ２０とを含む積層構造を有する。
（基材）
　ダイシングテープにおける基材は、ダイシングテープやダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおいて支持体として機能する要素である。基材としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。
　上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。基材において良好な熱収縮性を確保して、ダイシング後の半導体チップ同士の離隔距離を広げるためのエキスパンド工程においてチップ離間距離をダイシングテープ又は基材の部分的熱収縮を利用して維持しやすい観点から、基材は、エチレン－酢酸ビニル共重合体又はポリ塩化ビニルを主成分として含むことが好ましい。なお、基材の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。上記樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。粘着剤層が後述のように放射線硬化型粘着剤層である場合、基材は放射線透過性を有することが好ましい。
　基材がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向（一軸方向、二軸方向等）に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。基材及びダイシングテープが等方的な熱収縮性を有するためには、基材は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸（一軸延伸、二軸延伸等）することにより得ることができる。基材及びダイシングテープは、加熱温度１００℃及び加熱時間処理６０秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、１～３０％であることが好ましく、より好ましくは２～２５％、さらに好ましくは３～２０％、特に好ましくは５～２０％である。上記熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。
　基材の粘着剤層側表面は、粘着剤層との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材表面に設けてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材における粘着剤層側の表面全体に施されていることが好ましい。
　基材の厚さは、ダイシングテープ及びダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおける支持体として基材が機能するための強度を確保するという観点からは、４０μｍ以上が好ましく、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは５５μｍ以上、特に好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ及びダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材の厚さは、２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。
（粘着剤層）
　ダイシングテープにおける粘着剤層は、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤層（粘着力低減可能型粘着剤層）であってもよいし、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤層（粘着力非低減型粘着剤層）であってもよく、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムを使用して個片化されるワークの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。粘着剤層は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
　粘着剤層が粘着力低減可能型粘着剤層である場合、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの製造過程や使用過程において、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの製造過程でダイシングテープの粘着剤層に背面密着フィルムを貼り合わせる時や、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムがダイシング工程に使用される時には、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層から背面密着フィルムの浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムのダイシングテープから半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。
　このような粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、例えば、放射線硬化性粘着剤、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を使用してもよいし、二種以上の粘着剤を使用してもよい。
　上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好ましく用いることができる。
　上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。
　上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
　上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、上述の半導体背面密着層が含み得るアクリル樹脂の構成単位として例示されたアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸ラウリルが好ましい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルの割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。
　上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、上述の半導体背面密着層が含み得るアクリル樹脂の構成単位として例示された他のモノマーが挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、上記他のモノマー成分の合計割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。
　上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。
　アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。
　アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。アクリル系ポリマーの質量平均分子量は、１０万以上が好ましく、より好ましくは２０万～３００万である。質量平均分子量が１０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、背面密着フィルムや半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。
　粘着剤層あるいは粘着剤層を形成する粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系ポリマーの質量平均分子量を高めることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１～５質量部である。
　上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００～３００００程度のものが好ましい。粘着剤層を形成する放射線硬化性粘着剤中の上記放射線重合性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５～５００質量部、好ましくは４０～１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。
　上記放射線硬化性粘着剤としては、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤を用いると、形成された粘着剤層内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。
　上記内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素－炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。
　上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。イソシアネート基及び放射性重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物、すなわち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。
　上記放射線硬化性粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α－ケトール系化合物としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１－オン等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２－ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２，４－ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５～２０質量部である。
　上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球等）を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン－３，３’－ジスルホニルヒドラジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ－トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５－モルホリル－１，２，３，４－チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’－ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジニトロソテレフタルアミド等のＮ－ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。
　上記粘着力非低減型粘着剤層としては、例えば、感圧型粘着剤層が挙げられる。なお、感圧型粘着剤層には、粘着力低減可能型粘着剤層に関して上述した放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させつつも一定の粘着力を有する形態の粘着剤層が含まれる。粘着力非低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を使用してもよいし、二種以上の粘着剤を使用してもよい。また、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。例えば、粘着剤層が単層構造を有する場合、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、粘着剤層における特定の部位（例えば、ダイシングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤層であり、他の部位（例えば、半導体ウエハの分割体あるいは半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減可能型粘着剤層であってもよい。また、粘着剤層が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、積層構造中の一部の粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。
　放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層（放射線未照射放射線硬化型粘着剤層）を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤層（放射線照射済放射線硬化型粘着剤層）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤層を用いる場合、粘着剤層の面広がり方向において、粘着剤層の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であってもよく、粘着剤層の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であり且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤層であってもよい。なお、本明細書において、「放射線硬化型粘着剤層」とは、放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層をいい、放射線硬化性を有する放射線未照射放射線硬化型粘着剤層及び当該粘着剤層が放射線照射により硬化した後の放射線硬化済放射線硬化型粘着剤層の両方を含む。
　上記感圧型粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層が感圧型の粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化性粘着剤に含まれ得るアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。
　粘着剤層又は粘着剤層を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。
　粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、粘着剤層が放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層である場合に当該粘着剤層の放射線硬化の前後における背面密着フィルムに対する接着力のバランスをとる観点から、１～５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２～３０μｍ、さらに好ましくは５～２５μｍである。
　本発明の背面密着フィルム及び本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムは、背面密着フィルム表面にセパレータを有していてもよい。具体的には、本発明の背面密着フィルムごと、またはダイシングテープ一体型背面密着フィルムごとに、セパレータを有するシート状の形態であってもよいし、セパレータが長尺状であってその上に複数の背面密着フィルムまたは複数のダイシングテープ一体型背面密着フィルムが配され、且つ当該セパレータが巻き回されてロールの形態とされていてもよい。セパレータは、本発明の背面密着フィルムを被覆して保護するための要素であり、本発明の背面密着フィルム又は本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムを使用する際には当該シートから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。
　セパレータの厚さは、例えば１０～２００μｍ、好ましくは１５～１５０μｍ、より好ましくは２０～１００μｍである。上記厚さが１０μｍ以上であると、セパレータの加工時に切り込みにより破断しにくい。上記厚さが２００μｍ以下であると、基板及びフレームへの貼り合わせ時に、セパレータからダイシングテープ一体型背面密着フィルムをより剥離しやすい。
［背面密着フィルムの製造方法］
　本発明の背面密着フィルムの一実施形態である背面密着フィルム１０は、例えば、次の通りにして製造される。
　図１に示す背面密着フィルム１０の作製においては、まず、接着剤層１１とレーザーマーク層１２とを個別に作製する。接着剤層１１は、接着剤層１１形成用の樹脂組成物（接着剤組成物）をセパレータ上に塗布して樹脂組成物層を形成した後、加熱により脱溶媒や硬化を行い、該樹脂組成物層を固化させることによって作製することができる。接着剤層１１の作製において、加熱温度は例えば９０～１５０℃であり、加熱時間は例えば１～２分間である。樹脂組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。一方、レーザーマーク層１２は、レーザーマーク層１２形成用の樹脂組成物をセパレータ上に塗布して樹脂組成物層を形成した後、加熱により脱溶媒や硬化を行い、該樹脂組成物層を固化させることによって作製することができる。レーザーマーク層１２の作製において、加熱温度は例えば９０～１６０℃であり、加熱時間は例えば２～４分間である。以上のようにして、それぞれがセパレータを伴う形態で接着剤層１１及びレーザーマーク層１２を作製することができる。そして、これら接着剤層１１及びレーザーマーク層１２の露出面同士を貼り合わせ、次いで目的とする平面投影形状及び平面投影面積となるように打ち抜き加工を行い、接着剤層１１とレーザーマーク層１２との積層構造を有する背面密着フィルム１０が作製される。
［ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの製造方法］
　本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムの一実施形態であるダイシングテープ一体型背面密着フィルム１は、例えば、次の通りにして製造される。
　図２に示すダイシングテープ一体型背面密着フィルム１のダイシングテープ２０については、用意した基材２１上に粘着剤層２２を設けることによって作製することができる。例えば樹脂製の基材２１は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。基材２１には、必要に応じて表面処理が施される。粘着剤層２２の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤組成物（粘着剤）を調製した後、まず、当該組成物を基材２１上またはセパレータ上に塗布して粘着剤組成物層を形成する。粘着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。次に、この粘着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて脱溶媒させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば８０～１５０℃であり、加熱時間は例えば０．５～５分間である。粘着剤層２２がセパレータ上に形成される場合には、当該セパレータを伴う粘着剤層２２を基材２１に貼り合わせ、次いで目的とする平面投影形状（例えば、背面密着フィルム１０と相似形状となる形状）及び平面投影面積となるように打ち抜き加工を行い、その後、セパレータが剥離される。これにより、基材２１と粘着剤層２２との積層構造を有するダイシングテープ２０が作製される。
　次に、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２側に、上記で得られた背面密着フィルム１０のレーザーマーク層１２側を貼り合わせる。貼り合わせ温度は例えば３０～５０℃であり、貼り合わせ圧力（線圧）は例えば０．１～２０ｋｇｆ／ｃｍである。粘着剤層２２が上記放射線硬化性粘着剤層である場合、当該貼り合わせの前に粘着剤層２２に対して紫外線等の放射線を照射してもよいし、当該貼り合わせの後に基材２１の側から粘着剤層２２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。或いは、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１の製造過程では、そのような放射線照射を行わなくてもよい（この場合、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１の使用過程で粘着剤層２２を放射線硬化させることが可能である）。粘着剤層２２が紫外線硬化型である場合、粘着剤層２２を硬化させるための紫外線照射量は、例えば５０～５００ｍＪ／ｃｍ2である。ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１において粘着剤層２２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（照射領域Ｒ）は、例えば図２に示すように、粘着剤層２２における背面密着フィルム１９貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
　以上のようにして、例えば図１に示す本発明の背面密着フィルム１０及び図２に示すダイシングテープ一体型背面密着フィルム１を作製することができる。
［半導体装置の製造方法］
　本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおける背面密着フィルム側（特に接着剤層側）にワーク背面を貼り付ける工程（貼付工程）と、少なくともワークを含む対象を切削することにより個片化された半導体チップを得る工程（ダイシング工程）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。なお、図３～６は、図２に示すダイシングテープ一体型背面密着フィルム１を用いた半導体装置の製造方法における工程を表す。
（貼付工程）
　上記貼付工程において本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおける背面密着フィルム側（特に接着剤層側）に貼り付けるワークとしては、半導体ウエハや、複数の半導体チップがそれぞれ背面及び／又は側面が樹脂により封止された封止体等が挙げられる。そして、例えば図３（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ１に保持された半導体ウエハ４０を、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１の本発明の背面密着フィルム１０（特に、接着剤層１１）に対して貼り合わせる。半導体ウエハ４０の表面には、フリップチップ実装するためのバンプ（図示略）が備えられている。この後、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ４０からウエハ加工用テープＴ１を剥がす。
（熱硬化工程）
　本発明の背面密着フィルムが熱硬化性の接着剤層を有する場合、上記貼付工程の後に、背面密着フィルムにおける接着剤層を熱硬化させる工程（熱硬化工程）を有することが好ましい。例えば、上記熱硬化工程では、接着剤層１１を熱硬化させるための加熱処理を行う。加熱温度は、８０～２００℃が好ましく、より好ましくは１００～１５０℃である。加熱時間は、０．５～５時間が好ましく、より好ましくは１～３時間である。加熱処理は、具体的には例えば１２０℃で２時間行う。熱硬化工程では、接着剤層１１の熱硬化により、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１の本発明の背面密着フィルム１０と半導体ウエハ４０との密着力が高まり、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１及び本発明の背面密着フィルム１０の対半導体ウエハ固定保持力が高まる。また、本発明の背面密着フィルムが熱硬化性の接着剤層を有しない場合、例えば５０～１００℃の範囲で数時間ベーキング処理してもよく、これにより、接着剤層界面の濡れ性が向上し、対半導体ウエハ固定保持力が高まる。
（レーザーマーキング工程）
　本発明の背面密着フィルムがレーザーマーク層を有する場合、上記半導体装置の製造方法は、レーザーマーク層に対し、ダイシングテープの基材側からレーザーを照射してレーザーマーキングを行う工程（レーザーマーキング工程）を有することが好ましい。上記熱硬化工程を行う場合、レーザーマーキング工程は、上記熱硬化工程の後に行うことが好ましい。具体的には、レーザーマーキング工程では、例えばレーザーマーク層１２に対し、ダイシングテープ２０の基材２１の側からレーザーを照射してレーザーマーキングを行う。このレーザーマーキング工程によって、半導体チップごとに、文字情報や図形情報等の各種情報を刻印することができる。レーザーマーキング工程では、一のレーザーマーキングプロセスにおいて、複数の半導体チップに対して一括的に効率よくレーザーマーキングを行うことが可能である。レーザーマーキング工程で用いられるレーザーとしては、例えば、気体レーザー、固体レーザーが挙げられる。気体レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー（ＣＯ2レーザー）、エキシマレーザーが挙げられる。固体レーザーとしては、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザーが挙げられる。
（ダイシング工程）
　上記ダイシング工程では、例えば図４に示すように、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１における粘着剤層２２上にダイシングテープを押さえつけ固定するためのフレーム（ダイシングフレーム）５１を貼り付けてダイシング装置の保持具５２に保持させた後、上記ダイシング装置の備えるダイシングブレードによる切削加工を行う。図４では、切削箇所を模式的に太線で表す。ダイシング工程では、半導体ウエハが半導体チップ４１に個片化され、これとともに、ダイシングテープ一体型背面密着フィルム１の本発明の背面密着フィルム１０が小片のフィルム１０’に切断される。これにより、フィルム１０’を伴う半導体チップ４１、即ちフィルム１０’付き半導体チップ４１が得られる。
（放射線照射工程）
　上記半導体装置の製造方法は、基材側から粘着剤層に対して放射線を照射する工程（放射線照射工程）を有していてもよい。ダイシングテープの粘着剤層が放射線硬化性粘着剤により形成された層である場合には、ダイシングテープ一体型背面密着フィルムの製造過程での上述の放射線照射に代えて、上述のダイシング工程の後に、基材の側から粘着剤層に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０～５００ｍＪ／ｃｍ2である。ダイシングテープ一体型背面密着フィルムにおいて粘着剤層の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図２に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層における背面密着フィルム貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
（ピックアップ工程）
　上記半導体装置の製造方法は、フィルム付き半導体チップをピックアップする工程（ピックアップ工程）を有することが好ましい。上記ピックアップ工程は、例えばフィルム１０’付き半導体チップ４１を伴うダイシングテープ２０における半導体チップ４１側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程や、フィルム１０’付き半導体チップ４１間の離隔距離を広げるためのエキスパンド工程を、必要に応じて経た後に行ってもよい。例えば、図５に示すように、フィルム１０’付き半導体チップ４１をダイシングテープ２０からピックアップする。例えば、ダイシングフレーム５１付きのダイシングテープ２０を装置の保持具５２に保持させた状態で、ピックアップ対象のフィルム１０’付き半導体チップ４１について、ダイシングテープ２０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材５３を上昇させてダイシングテープ２０を介して突き上げた後、吸着治具５４によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材５３の突き上げ速度は例えば１～１００ｍｍ／秒であり、ピン部材５３の突き上げ量は例えば５０～３０００μｍである。
（フリップチップ実装工程）
　上記半導体装置の製造方法は、ピックアップ工程を経た後、フィルム付き半導体チップ４１をフリップチップ実装する工程（フリップチップ工程）を有することが好ましい。例えば、図６に示すようにフィルム１０’付き半導体チップ４１が実装基板６１に対してフリップチップ実装される。実装基板６１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）フィルム、配線基板が挙げられる。フリップチップ実装により、半導体チップ４１は、実装基板６１に対してバンプ６２を介して電気的に接続される。具体的には、半導体チップ４１がその回路形成面側に有する基板（電極パッド）（図示略）と実装基板６１の有する端子部（図示略）とが、バンプ６２を介して電気的に接続される。バンプ６２は、例えばハンダバンプである。また、チップ４１と実装基板６１との間には、熱硬化性のアンダーフィル剤６３が介在している。
　以上のようにして、本発明のダイシングテープ一体型背面密着フィルムを使用して半導体装置を製造することができる。
　以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、各実施例及び比較例の背面密着フィルムを形成するための各樹脂組成物の組成を表１に記載する。表１において、組成を表す各数値の単位は、当該組成内での相対的な“質量部”である。
実施例１
　アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン　ＳＧ－Ｐ３」、ナガセケムテックス株式会社製）９０質量部と、エポキシ樹脂Ｅ1（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成株式会社製）４０質量部と、エポキシ樹脂Ｅ2（商品名「ＪＥＲ　ＹＬ９８０」、三菱ケミカル株式会社製）６０質量部と、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ７８５１－ＳＳ」、明和化成株式会社製）１００質量部と、シリカフィラーＦ1（商品名「ＳＯ－２５Ｒ」、平均粒径：０．５μｍ、株式会社アドマテックス製）２２０質量部と、赤外線吸収顔料Ｐ1（重金属酸化物系着色剤、極大吸収波長：１６００ｎｍ、平均粒径：２０ｎｍ）５０質量部と、可視光吸収黒系染料（商品名「ＯＩＬ　ＢＬＡＣＫ　ＢＳ」、オリエント化学工業株式会社製）５質量部と、熱硬化触媒（商品名「キュアゾール　２ＰＨＺ」、四国化成工業株式会社製）１０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度３６質量％の樹脂組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して当該樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成した。次に、この組成物層について１３０℃で２分間の加熱を行って脱溶媒させ、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１７μｍの半導体背面密着層（熱硬化性の半導体背面密着層）を作製し、背面密着フィルムを得た。
実施例２
　赤外線吸収顔料に代えて赤外線吸収染料（フェニレンジアミン系染料、極大吸収波長：９４０ｎｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の背面密着フィルムを作製した。
実施例３
　可視光吸収黒系染料を用いなかったこと以外は実施例２と同様にして、実施例３の背面密着フィルムを作製した。
実施例４
　可視光吸収黒系染料を用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の背面密着フィルムを作製した。
実施例５
　赤外線吸収顔料Ｐ1５０質量部に代えて赤外線吸収顔料Ｐ2（商品名「Ｅ－ＩＴＯ」、酸化インジウム錫、平均粒径は３０ｎｍ、三菱マテリアル電子化成株式会社製）１００質量部を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例５の背面密着フィルムを作製した。
実施例６
　赤外線吸収顔料Ｐ1５０質量部に代えて赤外線吸収顔料Ｐ2（商品名「Ｅ－ＩＴＯ」、酸化インジウム錫、三菱マテリアル電子化成株式会社製）１００質量部を用いたこと、及び、可視光吸収染料を用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、実施例６の背面密着フィルムを作製した。
比較例１
　赤外線吸収顔料を用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の背面密着フィルムを作製した。
比較例２
　シリカフィラーＦ1に代えてシリカフィラーＦ2（商品名「ＦＢ－１０５ＦＤ」、平均粒径：１１μｍ、デンカ株式会社製）を用いたこと以外は比較例１と同様にして、比較例２の背面密着フィルムを作製した。
　＜評価＞
　実施例及び比較例で得られた背面密着フィルムに関し、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
（１）吸収スペクトル
　実施例及び比較例で得られた背面密着フィルムについて、紫外可視近赤外分光光度計（商品名「Ｖ－６７０」、日本分光株式会社製）を用いて、３００～１９００ｎｍの波長域における吸収スペクトルを測定した。そして、得られた吸収スペクトルから、１０００～１８００ｎｍの波長域内の吸光度の最大値、最小値、及びこれらの波長、並びに５３２ｎｍにおける吸光度を読み取った。また、吸光度の最小値と最大値の比［最小値／最大値］を算出した。
　実施例１～４の背面密着フィルムの各吸収スペクトルにおいて、波長１０００～１８００ｎｍの範囲で吸光度が１．０を下回る波長域はなかった。実施例５及び６の背面密着フィルムの各吸収スペクトルにおいて、波長１３００ｎｍで吸光度は１．０であり、波長１３００～１８００ｎｍの範囲で吸光度が１．０を下回る波長域はなかった。実施例５及び６の背面密着フィルムの各吸収スペクトルでは、吸光度は、波長１０００ｎｍで最小値をとり、波長１０００ｎｍから波長１８００ｎｍにかけて増大し、且つ波長１８００ｎｍで最大値をとった。
（２）平均透過率
　実施例及び比較例で得られた背面密着フィルムについて、紫外可視近赤外分光光度計（商品名「Ｖ－６７０」、日本分光株式会社製）を用いて、３００～１９００ｎｍの波長域における透過率スペクトルを１ｎｍ間隔で測定した。そして、得られた透過率の１０００～１８００ｎｍの波長域における平均透過率を算出した。
（３）レーザーマーキング性
　実施例及び比較例で得られた背面密着フィルムについて、マイクロスコープを用いた明視野観察において視認可能が容易（コントラストが明瞭）であること、及び印字された文字の最大深さが１μｍ以上であることの両方の基準を満たす場合を○、少なくともどちらかの基準を満たさない場合を×として評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
１　ダイシングテープ一体型背面密着フィルム
１０　本発明の背面密着フィルム（半導体背面密着フィルム）
１１　接着剤層
１２　レーザーマーク層
２０　ダイシングテープ
２１　基材
２２　粘着剤層
３０　セパレータ
４０　半導体ウエハ
４１　半導体チップ

Claims (7)

  1. 　厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する、半導体背面密着フィルム。
  2. 　厚さ１７μｍの条件で１３００～１８００ｎｍの波長域における吸光度が１．０以上である半導体背面密着層（Ａ）を有する、半導体背面密着フィルム。
  3. 　前記半導体背面密着層（Ａ）が、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する染料を含む、請求項１又は２に記載の半導体背面密着フィルム。
  4. 　前記半導体背面密着層（Ａ）が、５００～２０００ｎｍの波長域において８５０ｎｍ以上に極大吸収波長を有する顔料を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体背面密着フィルム。
  5. 　前記半導体背面密着層（Ａ）が可視光吸収染料を含むか、及び／又は、可視光吸収染料を含む半導体背面密着層（Ｂ１）を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体背面密着フィルム。
  6. 　前記半導体背面密着層（Ａ）の、厚さ１７μｍの条件で１０００～１８００ｎｍの波長域における吸光度の最小値と最大値の比［最小値／最大値］が０．４～１．０である、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体背面密着フィルム。
  7. 　前記半導体背面密着層（Ａ）がフィラー及び／又は顔料を含むか、及び／又は、フィラー及び／又は顔料を含む半導体背面密着層（Ｂ２）を有し、前記フィラー及び／又は前記顔料の平均粒径が１０μｍ以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体背面密着フィルム。
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