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WO2019054237A1 - フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料 - Google Patents

フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料 Download PDF

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WO2019054237A1
WO2019054237A1 PCT/JP2018/032763 JP2018032763W WO2019054237A1 WO 2019054237 A1 WO2019054237 A1 WO 2019054237A1 JP 2018032763 W JP2018032763 W JP 2018032763W WO 2019054237 A1 WO2019054237 A1 WO 2019054237A1
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WO
WIPO (PCT)
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film
support sheet
fired material
fired
metal particles
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/032763
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English (en)
French (fr)
Inventor
市川　功
秀一 中山
明徳 佐藤
Original Assignee
リンテック株式会社
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Publication date
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Priority claimed from JP2018098014A external-priority patent/JP7080725B2/ja
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Priority to KR1020207006856A priority patent/KR102290466B1/ko
Priority to US16/646,546 priority patent/US11267992B2/en
Priority to EP18856172.4A priority patent/EP3667707A4/en
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    • H01L2224/29299—Base material
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    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29366—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29369—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20102—Temperature range 0 C=<T<60 C, 273.15 K =<T< 333.15K
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    • H01L2924/20103—Temperature range 60 C=<T<100 C, 333.15 K =< T< 373.15K

Definitions

  • the present invention relates to a film-like fired material and a film-like fired material with a support sheet.
  • the present application is related to Japanese Patent Application No. 2017-177653, filed on Sep. 15, 2017, Japanese Patent Application No. 2018-94575 filed on May 16, 2018, and May 22, 2018. Priority is claimed on the basis of Japanese Patent Application No. 2018-98014 filed in Japan, the content of which is incorporated herein by reference.
  • Patent Document 1 discloses paste-like metal fine particles in which a specific heat-sinterable metal particle, a specific polymer dispersant, and a specific volatile dispersion medium are mixed. A composition is disclosed. When the composition is sintered, it becomes a solid metal excellent in thermal conductivity.
  • a binder component may be blended with the fired material to form a film.
  • the firing material is used, for example, for sinter bonding between a chip obtained by dicing a semiconductor wafer and a substrate.
  • a support sheet is provided on one side (surface) of the film-like baking material, it can be used as a dicing sheet used when the semiconductor wafer is singulated into chips.
  • a blade or the like to separate it together with the semiconductor wafer, it can be processed as a film-like fired material having the same shape as the chip.
  • the film-like fired material tends to become brittle.
  • the fired material is scraped off by a blade at the time of dicing and scraps are easily generated. The scraps adhere to the surface of the semiconductor wafer and cause contamination of the semiconductor wafer.
  • it is sufficient to soften the film-like fired material, but if the flexibility is too high, the film-like fired material vibrates during dicing and chips are likely to collide with each other. Chipping tends to occur on the surface or side of the chip.
  • the film-like baking material when the adhesion to the semiconductor wafer becomes low, so-called “chip skipping” is likely to occur, in which the chip is scattered due to the friction with the blade at the time of dicing. Furthermore, in the film-like baking material, when the adhesion to the support sheet is low, the baking material is scattered during dicing, and the scattered baking material adheres to the surface of the semiconductor wafer, which causes contamination of the semiconductor wafer. On the other hand, when the adhesion to the support sheet is high, when picking up the chips obtained by dicing the semiconductor wafer, the film-shaped baking material is less likely to peel from the support sheet, and the diced chip with film-shaped baking material is used. It becomes impossible to pick up stably.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a film-like fired material which is excellent in thickness stability and can suppress wafer contamination and chipping during dicing.
  • a film-like fired material containing sinterable metal particles and a binder component The content of the sinterable metal particles is 15 to 98% by mass, and the content of the binder component is 2 to 50% by mass, A film-like fired material having a tensile elastic modulus at 60 ° C. of 4.0 to 10.0 MPa and a breaking elongation at 60 ° C. of 500% or more.
  • a film-like fired material according to [1] having a tensile modulus of elasticity at 23 ° C. of 5.0 to 20.0 MPa and a breaking elongation at 23 ° C. of 300% or more.
  • a film with a support sheet comprising the film-like fired material according to any one of [1] to [3], and a support sheet provided on at least one side of the film-like fired material Firing material.
  • a film-like sintered material with a support sheet comprising: a film-like calcination material containing sinterable metal particles and a binder component; and a support sheet provided on at least one side of the film-like calcination material.
  • the adhesion (a2) of the film-like baked material to the support sheet is smaller than the adhesion (a1) of the film-like baked material to the semiconductor wafer, and the adhesion (a1) is 0.1 N / 25 mm.
  • the content of the sinterable metal particles is 15 to 98 mass%
  • the content of the binder component is 2 to 50 mass%
  • the tensile elastic modulus at 60 ° C. is 4.%.
  • [4] The film-like fired material as set forth in [4], having a breaking elongation of 500% or more at a temperature of 0 to 10.0 MPa.
  • the support sheet is provided with an adhesive layer on a base film, The film-shaped fired material with a support sheet according to any one of [4] to [6], wherein the film-shaped fired material is provided on the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Step (1) a semiconductor wafer of a laminate obtained by sticking the film-like sintered material with the support sheet on a semiconductor wafer, a support sheet, a film-like calcination material, and a semiconductor wafer laminated in this order;
  • a step of dicing the film-like fired material Step (2): a step of peeling the film-like fired material which has been diced and a support sheet to obtain a chip with a film-like fired material
  • Step (3) a step of attaching the chip with the film-like fired material to the surface of a substrate
  • a film-like fired material which has excellent thickness stability and can suppress wafer contamination and chipping during dicing.
  • a film-like baking material with a support sheet comprising the film-like baking material and used for sintering and bonding of chips such as semiconductor elements, and chip scattering during wafer dicing and wafer contamination can be suppressed, and the film-like baking material is stabilized. It is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device using a film-like fired material with a support sheet and a film-like fired material with a support sheet that can pick up the attached chip.
  • the film-like fired material of the present embodiment is a film-like fired material containing sinterable metal particles and a binder component, wherein the content of the sinterable metal particles is 15 to 98 mass%, and the content of the binder component is The amount is 2 to 50% by mass, the tensile elastic modulus at 60 ° C. is 4.0 to 10.0 MPa, and the breaking elongation at 60 ° C. is 500% or more.
  • the content of the sinterable metal particles and the content of the binder component are the contents with respect to the total mass (100% by mass) with respect to all the components other than the solvent in the film-like fired material of the present embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film-like fired material of the present embodiment.
  • the film-like fired material 1 contains sinterable metal particles 10 and a binder component 20.
  • the film-like fired material may be formed of one layer (single layer) or may be formed of two or more layers, for example, two or more and 10 or less layers.
  • the film-like fired material comprises a plurality of layers
  • the plurality of layers may be identical to or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a plurality of layers may be the same as or different from each other” means “all layers may be the same or all layers”.
  • Means that only some of the layers may be the same, and further, “a plurality of layers are different from each other” means “the constituent material of each layer, the composition ratio of the constituent materials, and the thickness Means that at least one of them is different from one another.
  • the thickness before firing of the film-like fired material is not particularly limited, it is preferably 10 to 200 ⁇ m, preferably 20 to 150 ⁇ m, and more preferably 30 to 90 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like fired material means the thickness of the entire film-like fired material, and for example, the thickness of the film-like fired material consisting of a plurality of layers means all of the components of the film-like fired material. Means the total thickness of the layers.
  • thickness can be obtained using a constant-pressure thickness measuring device according to JIS K7130 as a value represented by an average of thicknesses measured at any five places.
  • the film-like fired material can be provided in the state of being laminated on a release film.
  • the release film may be peeled off, and the film-like fired material may be placed on an object to be sintered and joined.
  • the release film also has a function as a protective film for preventing damage and dirt adhesion of the film-like fired material.
  • the release film may be provided on at least one side of the film-like fired material, and may be provided on both sides of the film-like fired material. When provided on both sides, one functions as a support sheet.
  • release film for example, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane Film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluorine resin A transparent film such as a film is used. Moreover, these crosslinked films are also used.
  • these laminated films may be sufficient.
  • a film colored with these, an opaque film, or the like can be used.
  • release agents such as silicone type, fluorine type, olefin type, alkyd type, carbamate containing long chain alkyl group and the like can be mentioned.
  • the thickness of the release film is usually about 10 to 500 ⁇ m, preferably about 15 to 300 ⁇ m, and particularly preferably about 20 to 250 ⁇ m.
  • the sinterable metal particles are metal particles that can be melted and bonded together to form a sintered body by being heat-treated at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal particles as firing of the film-like fired material.
  • the sintered body it is possible to sinter and bond the film-like fired material and the article fired in contact therewith. Specifically, it is possible to sinter and bond the chip and the substrate through the film-like firing material.
  • metal species of the sinterable metal particles include silver, gold, copper, iron, nickel, aluminum, silicon, palladium, platinum, titanium, barium titanate, oxides or alloys thereof, silver and silver oxide Is preferred. Only one type of sinterable metal particles may be blended, or two or more types may be blended.
  • the sinterable metal particles are preferably silver nanoparticles that are silver particles having a particle diameter of 100 nm or less, preferably 50 nm or less, and more preferably 20 nm or less.
  • the particle diameter of the sinterable metal particles contained in the film-like sintered material is not particularly limited as long as the sinterability can be exhibited, but may be 100 nm or less and 50 nm or less. It may well be 30 nm or less. For example, it is preferable that what has a particle diameter of 100 nm or less is 20 mass% or more of the whole.
  • the particle diameter of the sinterable metal particle which a film-form baking material contains let it be a projection area circle equivalent diameter of the particle diameter of the sinterable metal particle observed with the electron microscope. Sinterable metal particles belonging to the range of the particle diameter are preferable because they are excellent in sinterability.
  • the particle diameter of the sinterable metal particles contained in the film-like fired material is the particle diameter of the particle diameter of the sinterable metal particles observed with an electron microscope, which is the particle diameter obtained with respect to particles having a projected area equivalent circle diameter of 100 nm or less
  • the number average may be 0.1 to 95 nm, 0.3 to 50 nm, or 0.5 to 30 nm.
  • the number of sinterable metal particles to be measured is at least 100, for example, 100 randomly selected per film-like fired material.
  • the sinterable metal particles are mixed with the binder component and other additive components to be described later, they are made into a high-boiling point solvent such as isobornyl cyclohexanol or decyl alcohol in order to make the state free of aggregates. It may be dispersed in advance.
  • the boiling point of the high boiling point solvent may be, for example, 200 to 350 ° C.
  • Dispersion methods include kneader, triple roll, bead mill and ultrasonic waves.
  • the film-like fired material of the present embodiment is a non-sinterable metal which is a metal particle having a particle diameter of not more than 100 nm in addition to the metal particles (sinterable metal particles) having a particle diameter of 100 nm or less Particles may be further formulated.
  • the particle diameter of the non-sinterable metal particles is taken as the equivalent circle diameter of the projected area of the particle diameter of the non-sinterable metal particles observed with an electron microscope.
  • the particle size may be, for example, more than 100 nm and 5000 nm, but one having a particle size of 100 to 2500 nm is preferably 5% by mass or more of the whole.
  • the particle size of the non-sinterable metal particle having a particle size of more than 100 nm is the number of the particle size of the particle size of the metal particle observed with an electron microscope determined for the particle having a projected area equivalent circle diameter of more than 100 nm.
  • the average may be more than 150 nm and not more than 50000 nm, may be 150 to 10000 nm, and may be 180 to 5000 nm.
  • Examples of the metal species of non-sinterable metal particles having a particle diameter of more than 100 nm include the same as those exemplified as the metal species of the above-mentioned sinterable metal particles, and silver, copper, and oxides thereof are preferable. .
  • the sinterable metal particles having a particle diameter of 100 nm or less and the non-sinterable metal particles having a particle diameter of more than 100 nm may be the same metal species or may be mutually different metal species.
  • the sinterable metal particles having a particle diameter of 100 nm or less may be silver particles
  • the non-sinterable metal particles having a particle diameter of more than 100 nm may be silver or silver oxide particles.
  • the sinterable metal particles having a particle diameter of 100 nm or less may be silver or silver oxide particles
  • the non-sinterable metal particles having a particle diameter of more than 100 nm may be copper or copper oxide particles.
  • the content of the sinterable metal particles may be 10 to 100% by mass, 20 to 95% by mass, based on the total mass (100% by mass) of all the metal particles. It may be
  • the surface of the sinterable metal particles and / or the non-sinterable metal particles may be coated with an organic matter.
  • the compatibility with the binder component is improved, the aggregation of the particles can be prevented, and the particles can be dispersed uniformly.
  • the mass of the sinterable metal particles and the non-sinterable metal particles is the value including the coating and Do.
  • the fired material can be formed into a film and adhesiveness can be imparted to the film-like fired material before firing.
  • the binder component may be thermally decomposable by being heat-treated as firing of the film-like fired material.
  • a binder component is not specifically limited, Resin is mentioned as a suitable example of a binder component.
  • the resin include acrylic resins, polycarbonate resins, polylactic acids, polymers of cellulose derivatives, and the like, with acrylic resins being preferred.
  • Acrylic resins include homopolymers of (meth) acrylate compounds, copolymers of two or more of (meth) acrylate compounds, and copolymers of (meth) acrylate compounds and other copolymerizable monomers. included.
  • the content of the constituent unit derived from the (meth) acrylate compound is preferably 50 to 100% by mass, based on the total mass (100% by mass) of the constituent unit, and is preferably 80 to 100 More preferably, it is 90% by mass, and more preferably 90 to 100% by mass.
  • "derived from” means that the structural change necessary for the monomer to undergo polymerization has been received.
  • the (meth) acrylate compound examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (Meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (Meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth)
  • Alkyl (meth) acrylates or alkoxyalkyl (meth) acrylates are preferred, and butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, as a particularly preferred (meth) acrylate compound Ethylhexyl (meth) acrylate and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate can be mentioned.
  • (meth) acrylate is a concept including both “acrylate” and “methacrylate”.
  • acrylic resin methacrylate is preferable.
  • the binder component contains a structural unit derived from methacrylate, it can be fired at a relatively low temperature, and conditions for obtaining sufficient adhesive strength after sintering can be easily satisfied.
  • the content of the structural unit derived from methacrylate is preferably 50 to 100% by mass, and is 80 to 100% by mass with respect to the total mass (100% by mass) of the structural unit. Is more preferable, and 90 to 100% by mass is more preferable.
  • the other copolymerizable monomer is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the above (meth) acrylate compound, and examples thereof include (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid and vinylphthalic acid.
  • Unsaturated carboxylic acids; vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinylbenzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, ⁇ -methylstyrene, butadiene, isoprene and the like.
  • the mass average molecular weight (Mw) of the resin constituting the binder component is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 10,000 to 800,000. When the mass average molecular weight of the resin is in the above-mentioned range, it becomes easy to develop sufficient film strength as a film and to impart flexibility.
  • “mass-average molecular weight” is a polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC) unless otherwise specified.
  • the glass transition temperature (Tg) of the resin constituting the binder component can be determined by calculation using the Fox equation shown below, which is preferably ⁇ 60 to 50 ° C., and is ⁇ 30 to 10 ° C. It is more preferable that the temperature is ⁇ 20 ° C. or more and less than 0 ° C.
  • Tg of the resin determined from the Fox equation is less than or equal to the above upper limit, the adhesion between the film-like fired material and the adherend (for example, a chip, a substrate, etc.) before firing is improved. In addition, the flexibility of the film-like fired material is enhanced.
  • Tg (W1 / Tg1) + (W2 / Tg2) +... + (Wm / Tgm)
  • Tg is the glass transition temperature of the resin constituting the binder component
  • Tg1, Tg2,... Tgm are the glass transition temperatures of the homopolymers of the respective monomers as the raw materials of the resin constituting the binder component
  • the glass transition temperature of the homopolymer of each monomer in the Fox equation can be the value described in Polymer Data Handbook or Adhesion Handbook.
  • the binder component may be thermally decomposable by being heat-treated as firing of the film-like fired material.
  • the thermal decomposition of the binder component can be confirmed by the decrease in mass of the binder component by firing.
  • blended as a binder component may be substantially thermally decomposed by baking, the total mass of the component mix
  • the binder component may be one in which the mass after firing is 10% by mass or less, and may be 5% by mass or less based on the total mass (100% by mass) of the binder component before calcination. It may be not more than mass%, and may be 0 mass%.
  • the film-like fired material of the present embodiment is not limited to the sinterable metal particles, the non-sinterable metal particles, and the binder component, as long as the effects of the present invention are not impaired. Sinterable metal particles and other additives not corresponding to the binder component may be contained.
  • additives that may be contained in the film-like fired material of the present embodiment, solvents, dispersants, plasticizers, tackifiers, storage stabilizers, antifoaming agents, thermal decomposition accelerators, and antioxidants Etc.
  • the additives may be contained alone or in combination of two or more. These additives are not particularly limited, and those commonly used in this field can be appropriately selected.
  • the film-like fired material of the present embodiment may be composed of sinterable metal particles, a binder component, and other additives, and the sum of these contents (% by mass) is 100% by mass.
  • the film-like fired material of the present embodiment contains non-sinterable metal particles
  • the film-like fired material comprises sinterable metal particles, non-sinterable metal particles, a binder component, and other additives. The sum of these contents (% by mass) is 100% by mass.
  • the content of the sinterable metal particles is 15 to 98% by mass with respect to the total mass (100% by mass) of all components (hereinafter referred to as "solid content") other than the solvent. 15 to 90% by mass is preferable, and 20 to 80% by mass is more preferable.
  • the content of the sinterable metal particles is equal to or less than the above upper limit, the content of the binder component can be sufficiently ensured, and therefore the film shape can be maintained.
  • the content of the sinterable metal particles is not less than the above lower limit, the sinterable metal particles, or the sinterable metal particles and the non-sinterable metal particles are fused at the time of firing, and firing is performed. It develops high bonding adhesive strength (shear adhesive strength) later.
  • the total content of sinterable metal particles and non-sinterable metal particles relative to the total mass (100% by mass) of solid content in the film-like sintered material Is preferably 50 to 98% by mass, more preferably 70 to 95% by mass, and still more preferably 80 to 90% by mass.
  • the content of the binder component is 2 to 50% by mass, preferably 5 to 30% by mass, and more preferably 5 to 20% by mass, with respect to the total mass (100% by mass) of the solid content in the film-like fired material.
  • the content of the binder component is less than or equal to the above upper limit, the content of the sinterable metal particles can be sufficiently secured, and thus the bonding adhesive strength between the film-like fired material and the adherend is improved.
  • a film shape can be maintained because content of a binder component is more than the said lower limit.
  • the mass ratio of the sinterable metal particles to the binder component is preferably 50: 1 to 1: 5, and more preferably 20: 1 to 1: 2. 10: 1 to 1: 1 are more preferred.
  • the mass ratio of the sinterable metal particles and the nonsinterable metal particles to the binder component ((sinterable metal particles + nonsinterability 50: 1 to 1: 1 is preferable, 20: 1 to 2: 1 is more preferable, and 9: 1 to 4: 1 is further preferable.
  • the film-like fired material may contain the above-mentioned high boiling point solvent used when mixing sinterable metal particles, non-sinterable metal particles, a binder component and other additive components. 20 mass% or less is preferable, as for content of the high boiling point solvent with respect to the gross mass (100 mass%) of a film-form baking material, 15 mass% or less is more preferable, and 10 mass% or less is more preferable.
  • the film-like fired material of the present embodiment has a tensile elastic modulus at 60 ° C. of 4.0 to 10.0 MPa.
  • the tensile modulus at 60 ° C. is preferably 4.5 to 5.5 MPa.
  • the tensile elastic modulus at 23 ° C. of the film-like baked material of the present embodiment is preferably 5.0 to 20.0 MPa, more preferably 6.0 to 18.0 MPa.
  • the film-like fired material is less likely to be brittle, and wafer contamination at the time of dicing can be suppressed.
  • the tensile elastic modulus is at least the above lower limit value, the film-like fired material does not become too soft, and chipping during dicing can be suppressed.
  • the reason for defining the tensile elastic modulus at 60 ° C. and the breaking elongation described later in this embodiment is that the film-like fired material is heated to about 60 ° C. by frictional heat at the time of blade dicing.
  • the temperature of the film-like fired material at the time of actual dicing is not limited to 60.degree.
  • the reason for defining the tensile modulus at 23 ° C. and the breaking elongation described later in this embodiment is that the measurement at 23 ° C. is easy, and the film-like fired material at the time of actual dicing It does not mean that the temperature of is 23 ° C.
  • the tensile modulus at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be measured by the following method. From the film-like sintered material, a test piece having a width of 10 mm, a length of 20 mm and a thickness of 200 ⁇ m is cut out, this test piece is heated to 23 ° C. or 60 ° C., and the tensile speed is 50 mm / min. Measure the load and the amount of elongation when pulled with a chuck distance of 10 mm. The tensile modulus of elasticity is determined from the slope of the tensile stress in the region of 0-5% elongation.
  • the tensile elastic modulus at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be controlled by the type of binder component contained in the film-like fired material. Specifically, the tensile elastic modulus tends to be higher as the Tg of the resin constituting the binder component is higher. Further, when the content of the sinterable metal particles is large, the tensile modulus tends to be high.
  • the film-like fired material of the present embodiment has a breaking elongation of 500% or more at 60.degree.
  • the breaking elongation at 60 ° C. is preferably 600% or more. 300% or more is preferable and, as for the breaking elongation at 23 degrees C of the film-form baking material of this embodiment, 400% or more is more preferable.
  • the breaking elongation at 60 ° C. or 23 ° C. is equal to or more than the above lower limit, the film-like fired material is less likely to become brittle, and wafer contamination at the time of dicing can be suppressed.
  • the breaking elongation at 23 degrees C of a film-like baking material has preferable 2500% or less.
  • the breaking elongation at 60 ° C. of the film-like fired material may be 500% or more and 3000% or less, and may be 600% or more and 3000% or less. Further, the breaking elongation at 23 ° C. of the film-like fired material may be 300% or more and 2500 ° C. or less, and may be 400 ° C. or more and 2500% or less.
  • the breaking elongation at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be measured by the following method. From the film-like sintered material, a test piece having a width of 10 mm, a length of 20 mm and a thickness of 200 ⁇ m is cut out, this test piece is heated to 23 ° C. or 60 ° C., and the tensile speed is 50 mm / min. Measure the amount of elongation when pulled with a chuck distance of 10 mm. The elongation at break is determined from the amount of elongation when the test piece breaks.
  • the breaking elongation at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be controlled by the type and content of the binder component contained in the film-like fired material. Specifically, the breaking elongation tends to increase as the content of the binder component increases and as the Tg of the resin constituting the binder component decreases. Further, when the content of the sinterable metal particles is large, the breaking elongation tends to be low.
  • the glass transition temperature of the components excluding the metal particles (sinterable metal particles and non-sinterable metal particles) among the components constituting the film-like fired material before firing is preferably 30 to 70 ° C., and more preferably 40 to 60 ° C.
  • Tg of sintered material other than metal particles is less than or equal to the above upper limit, the film-shaped sintered material does not easily become brittle, and wafer contamination during dicing can be further suppressed.
  • the Tg of the fired material other than the metal particles is at least the above lower limit, the film-like fired material does not become too soft, and chipping during dicing can be further suppressed.
  • the Tg of the fired material other than the metal particles can be determined from the calculation using the fired material other than the metal particles in place of the resin constituting the binder component in the Fox equation, but it is also measured by the following method Can.
  • the storage elastic modulus E ′ and the loss elastic modulus E ′ ′ were measured using a dynamic mechanical analyzer for the metal-like particles separated from the film-like sintered material, and the ratio of these (E ′ ′ / E ′) tan ⁇
  • the temperature is plotted against the temperature, and the temperature showing the maximum of tan ⁇ is taken as the Tg of the fired material.
  • the method of separating the metal particles from the film-like fired material and the components other than the metal particles is as described in the following examples.
  • the Tg of the fired material can be controlled by the type of binder component contained in the film-like fired material.
  • the film-like baking material of the present embodiment since it is in the form of a film, it is excellent in thickness stability. Moreover, since the film-form baking material of this embodiment contains a sinterable metal particle, it is excellent in thermal conductivity. Furthermore, the film-like fired material of the present embodiment contains a specific amount of sinterable metal particles and a binder component, and the tensile elastic modulus at 60 ° C. is 4.0 to 10.0 MPa, and the elongation at break at 60 ° C. Is 500% or more. Therefore, the film-like fired material of the present embodiment has appropriate hardness and toughness, and the chip does not vibrate due to the friction of the blade during dicing, and the chips of the film-like fired material are not easily generated. Chipping and wafer contamination can be suppressed, and dicing suitability is excellent.
  • the film-like fired material can be a film-like fired material with a support sheet in which a support sheet is provided on at least one side (surface).
  • the detail of the film-like baking material with a support sheet is mentioned later.
  • a film-like fired material can be formed using a fired material composition containing the constituent material.
  • a baking material composition containing each component and a solvent for constituting a film-like baked material is coated or printed on a surface to be formed of a film-like baked material, and the solvent is volatilized if necessary.
  • a film-like baking material can be formed at the desired site.
  • the content of each component for constituting the film-like fired material in the fired material composition may be 50 to 99% by mass in total of each component, and the content of the solvent may be 1 to 50% by mass.
  • a formation object surface of a film-form baking material the surface of a peeling film is mentioned.
  • the solvent preferably has a boiling point of less than 200 ° C.
  • n-hexane (boiling point: 68 ° C.), ethyl acetate (boiling point: 77 ° C.), 2-butanone (boiling point: 80) ° C), n-heptane (boiling point: 98 ° C), methylcyclohexane (boiling point: 101 ° C), toluene (boiling point: 111 ° C), acetylacetone (boiling point: 138 ° C), n-xylene (boiling point: 139 ° C) and dimethylformamide (Boiling point: 153 ° C.) and the like. These may be used alone or in combination.
  • the baking material composition may be applied by a known method, for example, an air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, comma coater (registered trademark), roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater And methods using various coaters such as a knife coater, a screen coater, a Mayer bar coater, and a kiss coater.
  • a known method for example, an air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, comma coater (registered trademark), roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater And methods using various coaters such as a knife coater, a screen coater, a Mayer bar coater, and a kiss coater.
  • the solvent may be any solvent that can be volatilized and dried after printing, and the boiling point is preferably 65 to 350 ° C.
  • solvents having a boiling point of less than 200 ° C. solvents having a boiling point of less than 200 ° C. exemplified above, isophorone (boiling point: 215 ° C.), butyl carbitol (boiling point: 230 ° C.), 1-decanol (boiling point: 233 ° C.), butyl carbibi Tall acetate (boiling point: 247 ° C.), isobornyl cyclohexanol (boiling point: 318 ° C.) and the like.
  • the solvent is less likely to be volatilized by volatilization drying after printing, making it difficult to secure a desired shape, or the solvent remains in the film at the time of firing, resulting in bonding adhesion May degrade the If the boiling point is less than 65 ° C., it may volatilize during printing, and the stability of the thickness may be impaired. If a solvent having a boiling point of 200 to 350 ° C. is used, the increase in viscosity due to the evaporation of the solvent during printing can be suppressed, and printability can be obtained.
  • Printing of the fired material composition can be performed by a known printing method, for example, letterpress printing such as flexo printing, intaglio printing such as gravure printing, flat printing such as offset printing, silk screen printing, rotary screen printing, etc. Examples include methods such as screen printing and printing using various printers such as an inkjet printer.
  • the shape of the film-like fired material may be appropriately set according to the shape of the object of the sinter bonding, and is preferably circular or rectangular.
  • the circular shape is a shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer.
  • the rectangle is a shape corresponding to the shape of the chip.
  • the corresponding shape may be the same as or substantially the same as the shape of the target of the sinter bonding.
  • the area of the circle may be 3.5 to 1,600 cm 2 and may be 85 to 1,400 cm 2 .
  • the film-like fired material is rectangular, the rectangular area may be 0.01 to 25 cm 2 and may be 0.25 to 9 cm 2 .
  • the baking material composition is printed, it is easy to form a film-like baking material having a desired shape.
  • the drying conditions of the fired material composition are not particularly limited, but when the fired material composition contains a solvent, it is preferable to heat and dry, in which case, for example, at 70 to 250 ° C., for example 80 to 180 ° C., It is preferable to dry under the conditions of 10 seconds to 10 minutes.
  • the film-like fired material of the present embodiment is a film-like fired material containing sinterable metal particles and a binder component, wherein the content of the sinterable metal particles is 15 to 98 mass%, and the content of the binder component is A film-like sintered material having an amount of 2 to 50% by mass, a tensile elastic modulus at 60 ° C. of 4.0 to 10.0 MPa, and a breaking elongation at 60 ° C. of 500% or more Metal particles include at least one selected from the group consisting of silver, copper, and oxides thereof, and as a binder component, a copolymer of a (meth) acrylate compound and another copolymer A film-like fired material is preferred.
  • the content of the sinterable metal particles is preferably 20 to 80% by mass
  • the content of the binder component is preferably 5 to 20% by mass.
  • the film-like fired material with support sheet of the present embodiment includes the above-mentioned film-like fired material and a support sheet provided on at least one side (surface) of the film-like fired material.
  • the support sheet is preferably provided with a pressure-sensitive adhesive layer on the entire surface or the outer peripheral portion of the base film, and the film-like baking material is preferably provided on the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the film-like fired material may be provided in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer, or may be provided in direct contact with the base film. By taking this form, it can be used as a dicing sheet used when singulating a semiconductor wafer into chips. In addition, by using the blade or the like to separate it together with the semiconductor wafer, it can be processed as a film-like fired material having the same shape as the chip, and a chip with a film-like fired material can be manufactured.
  • FIG. 2 is sectional drawing which shows typically the film-form baking material with a support sheet of this embodiment.
  • the schematic sectional drawing of the film-form baking material with a support sheet of this embodiment is shown in FIG.3 and FIG.4.
  • the film-like fired material 100 with a support sheet is formed by temporarily attaching the film-like fired material 1 to the support sheet 2 so as to be peelable.
  • the film-like sintered material 100a, 100b with a support sheet of the present embodiment allows the film-like material 1 to be peeled off on the inner peripheral part of the support sheet 2 having the adhesive part on the outer peripheral part. It is temporarily attached.
  • the support sheet 2 is a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer 4 on the upper surface of a base film 3 as shown in FIG. 3, and the inner peripheral surface of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is covered with a film-like baking material The adhesive portion is exposed at the outer peripheral portion. Further, as shown in FIG. 4, the support sheet 2 may have a ring-shaped pressure-sensitive adhesive layer 4 at the outer peripheral portion of the base film 3.
  • the film-like fired material 1 is formed on the inner circumferential portion of the support sheet 2 in substantially the same shape as the work (semiconductor wafer or the like) to be attached.
  • An adhesive portion is provided on the outer peripheral portion of the support sheet 2.
  • the film-like fired material 1 having a diameter smaller than that of the support sheet 2 is concentrically stacked on the circular support sheet 2.
  • the adhesive part of the outer peripheral part is used for fixing the ring frame 5 as illustrated.
  • the base film 3 is not particularly limited.
  • low density polyethylene LDPE
  • linear low density polyethylene LLDPE
  • ethylene / propylene copolymer polypropylene
  • polybutene polybutadiene
  • polymethylpentene ethylene / vinyl acetate Copolymer
  • ethylene, (meth) acrylic acid copolymer ethylene, methyl (meth) acrylate copolymer, ethylene, ethyl (meth) acrylate copolymer
  • polyvinyl chloride vinyl chloride
  • vinyl acetate copolymer A film made of coalesced, polyurethane film, ionomer or the like is used.
  • polyester film such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., polyolefin film such as polypropylene, polymethylpentene etc.
  • polyester film such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.
  • polyolefin film such as polypropylene, polymethylpentene etc.
  • the base film may be a laminate of the above films.
  • these films can also be used in lamination of 2 or more types, or in combination. Further, those obtained by coloring these films or those obtained by printing can also be used.
  • the film may be a sheet formed of a thermoplastic resin by extrusion or may be stretched, and a sheet obtained by thinning and curing a curable resin by a predetermined means is used. It may be
  • the thickness of the substrate film is not particularly limited, and is preferably 30 to 300 ⁇ m, more preferably 50 to 200 ⁇ m. By setting the thickness of the substrate film in the above range, breakage of the substrate film is unlikely to occur even if cutting is performed by dicing. Moreover, since sufficient flexibility is given to the film-like baking material with a support sheet, it shows favorable sticking property with respect to a workpiece
  • work for example, semiconductor wafer etc.
  • the base film can also be obtained by applying a release agent to the surface and performing a release treatment.
  • a release agent Alkyd-based, silicone-based, fluorine-based, unsaturated polyester-based, polyolefin-based, wax-based, etc. are used as the release agent used for the release treatment, but particularly the alkyd-based, silicone-based and fluorine-based release agents are heat resistant It is preferable because it has
  • the release agent is directly used without solvent, or diluted with solvent or emulsified, and a gravure coater, a Mayer bar coater, an air knife coater, a roll coater, etc.
  • the base film to which the release agent has been applied is applied at room temperature or under heating, or cured by electron beam, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, etc.
  • the laminate may be formed by
  • the support sheet 2 has an adhesive portion at least at its outer peripheral portion.
  • the adhesive portion preferably has a function of temporarily fixing the ring frame 5 at the outer peripheral portion of the film-like sintered material 100a, 100b with the support sheet, and the ring frame 5 is preferably removable after a required process. Therefore, as the pressure-sensitive adhesive layer 4, one having a weak adhesiveness may be used, or one having an energy ray curing property in which the adhesive force is reduced by the energy ray irradiation may be used.
  • the removable pressure-sensitive adhesive layer may be any of various known pressure-sensitive adhesives (for example, general-purpose pressure-sensitive adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, vinyl ether, etc., pressure-sensitive adhesives with uneven surface, energy ray-curable pressure-sensitive adhesive And a thermal expansion component-containing pressure-sensitive adhesive, etc.).
  • general-purpose pressure-sensitive adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, vinyl ether, etc.
  • pressure-sensitive adhesives with uneven surface energy ray-curable pressure-sensitive adhesive And a thermal expansion component-containing pressure-sensitive adhesive, etc.
  • the support sheet 2 is a pressure-sensitive adhesive sheet of a usual configuration having the pressure-sensitive adhesive layer 4 on the entire upper surface of the base film 3 as shown in FIG. 3, and the inner peripheral surface of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is film-like fired It may be covered with a material and the adhesion part may be exposed to the outer peripheral part.
  • the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is used to fix the ring frame 5 described above, and the film-like baking material is laminated on the inner peripheral portion so as to be peelable.
  • a weak adhesive may be used, or an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be used.
  • the ring-shaped adhesive layer 4 is formed in the outer peripheral part of the base film 3, and it is set as the adhesion part.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 may be a single-layer pressure-sensitive adhesive layer comprising the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, or a double-sided pressure-sensitive adhesive tape comprising the pressure-sensitive adhesive layer comprising the above-mentioned pressure-sensitive adhesive.
  • the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 4 to the SUS plate at 23 ° C. is 30 to 120 mN / 25 mm as determined in accordance with JIS Z0237: 2009. Is more preferably 50 to 100 mN / 25 mm, and more preferably 60 to 90 mN / 25 mm. If this adhesion is too low, the ring frame may come off. When the adhesive strength is too high, it is difficult to separate from the ring frame, making it difficult to reuse the ring frame.
  • the area to which the film-like fired material is laminated is irradiated with energy rays in advance to reduce adhesion. Good.
  • other regions may not be irradiated with energy rays, and for example, the adhesion may be kept high for the purpose of adhesion to the ring frame 5.
  • an energy beam shielding layer is provided in a region corresponding to the other region of the substrate film by printing or the like, and energy beam irradiation is performed from the substrate film side. It is good.
  • sandblast or Irregularization treatment by solvent treatment or the like, or oxidation treatment such as corona discharge treatment, electron beam irradiation, plasma treatment, ozone / ultraviolet radiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, hot air treatment and the like can be applied.
  • primer treatment can be performed.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 2 to 80 ⁇ m, and particularly preferably 3 to 50 ⁇ m.
  • the film-like fired material with support sheet is temporarily attached to the inner periphery of the support sheet having the adhesive part at the outer periphery so as to be peelable.
  • the film-like fired material 1 is laminated on the inner peripheral portion of the support sheet 2 composed of the base film 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 4 so as to be peelable.
  • the adhesive layer 4 is exposed at the outer peripheral portion of the support sheet 2.
  • the film-like fired material 100 a with a support sheet of the above configuration is attached to the ring frame 5 in the pressure-sensitive adhesive layer 4 exposed to the outer peripheral portion of the support sheet 2.
  • an annular double-sided tape or pressure-sensitive adhesive layer may be additionally provided on the adhesive margin (exposed pressure-sensitive adhesive layer at the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive sheet) to the ring frame.
  • the double-sided tape has a constitution of pressure-sensitive adhesive layer / core material / pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer in the double-sided tape is not particularly limited.
  • a pressure-sensitive adhesive such as rubber, acrylic, silicone, polyvinyl ether is used .
  • the pressure-sensitive adhesive layer is attached to a ring frame at an outer peripheral portion when manufacturing a chip-mounted substrate to be described later.
  • a polyester film As a core material of a double-sided tape, a polyester film, a polypropylene film, a polycarbonate film, a polyimide film, a fluorine resin film, a liquid crystal polymer film etc. are used preferably, for example.
  • the ring-shaped adhesive layer 4 is formed in the outer peripheral part of the base film 3, and it is set as the adhesion part.
  • FIG. 5 the perspective view of the film-form baking material 100b with a support sheet shown in FIG. 4 is shown.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 may be a single-layer pressure-sensitive adhesive layer comprising the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, or a double-sided pressure-sensitive adhesive tape comprising the pressure-sensitive adhesive layer comprising the above-mentioned pressure-sensitive adhesive.
  • the film-like baking material 1 is peelably laminated on the inner peripheral portion of the base film 3 surrounded by the adhesive portion. In this configuration example, it is preferable that the film-like fired material 1 having a diameter smaller than that of the support sheet 2 be concentrically and releasably laminated on the base film 3 of the support sheet 2.
  • a release film for the purpose of surface protection to avoid contact with the outside on the surface of one or both of the film-like baked material and the adhesive part until being used for use. May be provided.
  • the surface protective film can be obtained by subjecting the surface of the base film such as polyethylene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate and polypropylene mentioned above to a release treatment as described above using a release agent. It can also be done.
  • the release agent used for the release treatment include the release agents exemplified above in the description of the base film.
  • the thickness of the film-like fired material with a support sheet is preferably 1 to 500 ⁇ m, more preferably 5 to 300 ⁇ m, and still more preferably 10 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like sintered material with support sheet means the thickness of the entire film-like sintered material with support sheet, for example, the thickness of the film-like sintered material with support sheet consisting of a plurality of layers This means the thickness of all layers constituting the film-like fired material with support sheet.
  • the film-like fired material with support sheet of this embodiment comprises a film-like fired material and a support sheet provided on at least one side (surface) of the film-like fired material, and the support of the film-like fired material
  • the adhesion (a2) to the sheet is smaller than the adhesion (a1) to the semiconductor wafer of the film-like baking material, and the adhesion (a1) is 0.1 N / 25 mm or more, and the adhesion (a2) is It is 0.1 N / 25 mm or more and 0.5 N / 25 mm or less.
  • the adhesion (a2) of the film-like fired material to the support sheet is the film-like firing
  • the adhesion of the material to the semiconductor wafer (a1) is smaller, and the adhesion (a1) is 0.1 N / 25 mm or more, and the adhesion (a2) is 0.1 N / 25 mm to 0.5 N / 25 mm is there.
  • the adhesion (a1) of the film-like material to the semiconductor wafer is 0.1 N / 25 mm or more, preferably 0.5 N / 25 mm or more, 1.0 N / 25 mm or more is more preferable.
  • the adhesive force (a1) is equal to or more than the above lower limit value, it is possible to suppress chip skipping during dicing.
  • the chip and the substrate are transported in a state of being temporarily fixed by the film-shaped firing material before firing, it is possible to suppress the displacement of the chip position.
  • the adhesive strength (a2) of the film-like sintered material to the support sheet is 0.1 N / 25 mm or more and 0.5 N / 25 mm or less, 0.2 N / 25 mm or more .5 N / 25 mm or less is preferable, and 0.2 N / 25 mm or more and 0.4 N / 25 mm or less are more preferable.
  • the adhesive force (a2) is at least the lower limit value, scattering of the firing material at the time of dicing can be suppressed, and contamination of the semiconductor wafer can be suppressed.
  • the adhesive force (a2) is smaller than the adhesive force (a1) and is not more than the above upper limit, and will be described in detail later, but when picking up a chip obtained by dicing a semiconductor wafer, a support sheet Thus, the film-like fired material is easily peeled off, and the diced chip with the film-like fired material can be easily picked up.
  • the adhesive strength (a1) is determined in accordance with JIS Z0237: 2009, and specifically, can be measured by the following method. First, chemical mechanical polishing is performed until the surface of the silicon wafer has an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.02 ⁇ m. After removing the surface protection film such as a peeling film, the film-like fired material with a support sheet is attached to the treated surface of the silicon wafer. When sticking, the film-like baking material with a support sheet may be heated above room temperature. The heating temperature is not particularly limited, but 120 ° C. or less is preferable.
  • the support sheet is removed, and a polyethylene terephthalate (PET) film is bonded to the exposed film-like baked material to firmly bond (back) the film-like baked material backed by the PET film to a width of 25 mm, length Make a cut so that it is 100 mm or more.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the film-like baking material lined with the PET film from the silicon wafer is peeled off together with the PET film at a peeling speed of 300 mm / min.
  • the film-like baking material with a support sheet is peeled in the length direction so that the surfaces of the silicon wafer and the film-like baking material with a support sheet in contact with each other form an angle of 180 °. So-called 180 ° peeling.
  • the load (peeling force) at the time of this 180 degree peeling is measured, and let the measured value be adhesive force (a1) (N / 25 mm).
  • the film-form baking material firmly adhere
  • the adhesive strength (a1) is measured by applying a film-like baking material which is cut to a width of 25 mm and a length of 100 mm or more and firmly adhered to the cut PET film to the treated surface of the silicon wafer. Test pieces can also be produced.
  • the adhesive strength (a2) is determined in accordance with JIS Z0237: 2009, and specifically, can be measured by the following method. After removing the surface protection film such as a peeling film, the film-like fired material with the support sheet is bonded to the film-like fired material to which a polyethylene terephthalate (PET) film has been exposed and strongly adhered (backed). Cut to a length of 100 mm or more. From the film-like baking material with a support sheet backed by the cut PET film, the film-like baking material backed by the PET film is peeled together with the PET film at a peeling speed of 300 mm / min.
  • PET polyethylene terephthalate
  • so-called 180 ° peeling is performed so that the film-like fired material is peeled in the length direction such that the surfaces of the support sheet and the film-like fired material which are in contact with each other make an angle of 180 °.
  • the load (peeling force) at the time of this 180 degree peeling is measured, and let the measured value be adhesive force (a2) (N / 25 mm).
  • the film-form baking material firmly adhere
  • this is cut so that it has a width of 25 mm and a length of 100 mm or more, and a film-like baking material that adheres firmly to the cut PET film is attached to a support sheet, thereby the test piece for measuring the adhesive strength (a2) It can also be made.
  • the film-like fired material 100 with a support sheet of the present embodiment is formed by temporarily attaching the film-like fired material 1 to the support sheet 2 in a peelable manner.
  • the support sheet is preferably provided with a pressure-sensitive adhesive layer on the entire surface or the outer peripheral portion of the base film, and the film-like baking material is preferably provided on the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the film-like fired material may be provided in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer, or may be provided in direct contact with the base film. By taking this form, it can be used as a dicing sheet used when singulating a semiconductor wafer into chips. In addition, by using the blade or the like to separate it together with the semiconductor wafer, it can be processed as a film-like fired material having the same shape as the chip, and a chip with a film-like fired material can be manufactured.
  • the film-like fired material 1 contains sinterable metal particles 10 and a binder component 20, as shown in FIG.
  • the film-like fired material in the film-like fired material with support sheet of this embodiment may be made of sinterable metal particles, a binder component, and the other additives described above, and the content (mass The sum of%) is 100% by mass.
  • the film-like fired material contains non-sinterable metal particles
  • the film-like fired material comprises sinterable metal particles, non-sinterable metal particles, a binder component, and the above-mentioned other additives. The sum of these contents (% by mass) is 100% by mass.
  • the content of the sinterable metal particles is preferably 15 to 98% by mass with respect to the total mass (100% by mass) of all components (hereinafter referred to as "solid content") other than the solvent. 15 to 90% by mass is more preferable, and 20 to 80% by mass is more preferable.
  • the content of the sinterable metal particles is equal to or less than the above upper limit, the content of the binder component can be sufficiently ensured, and therefore, the film shape can be easily maintained.
  • the content of the sinterable metal particles is not less than the above lower limit, the sinterable metal particles, or the sinterable metal particles and the non-sinterable metal particles are fused at the time of firing, and firing is performed. The effect of developing high bonding adhesive strength (shear adhesive strength) later is also obtained.
  • the total content of sinterable metal particles and non-sinterable metal particles relative to the total mass (100% by mass) of solid content in the film-like sintered material Is preferably 50 to 98% by mass, more preferably 70 to 95% by mass, and still more preferably 80 to 95% by mass.
  • the content of the binder component is preferably 2 to 50% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and still more preferably 5 to 20% by mass with respect to the total mass (100% by mass) of the solid content in the film-like fired material.
  • the content of the binder component is less than or equal to the above upper limit, the content of the sinterable metal particles can be sufficiently ensured, and the bonding adhesive strength between the film-like fired material and the adherend is further improved.
  • the content of the binder component is not less than the above lower limit value, maintenance of the film shape is facilitated.
  • the mass ratio of the sinterable metal particles to the binder component is preferably 50: 1 to 1: 5, and more preferably 20: 1 to 1: 2. 10: 1 to 1: 1 are more preferred.
  • the mass ratio of the sinterable metal particles and the nonsinterable metal particles to the binder component ((sinterable metal particles + nonsinterability 50: 1 to 1: 1 is preferable, 20: 1 to 2: 1 is more preferable, and 9: 1 to 4: 1 is further preferable.
  • the film-like fired material may contain a high boiling point solvent used when mixing sinterable metal particles, non-sinterable metal particles, a binder component and other additive components. 20 mass% or less is preferable, as for content of the high boiling point solvent with respect to the gross mass (100 mass%) of a film-form baking material, 15 mass% or less is more preferable, and 10 mass% or less is more preferable.
  • the film-like fired material of the present embodiment preferably has a tensile modulus at 60 ° C. of 4.0 to 10.0 MPa, more preferably 4.5 to 5.5 MPa.
  • the tensile modulus at 23 ° C. of the film-like fired material of the present embodiment is preferably 5.0 to 20.0 MPa, more preferably 6.0 to 18.0 MPa.
  • the film-like fired material is less likely to be brittle, and wafer contamination at the time of dicing can be further suppressed.
  • the tensile elastic modulus is not less than the above lower limit value, the film-like fired material does not become too soft, and the effect of suppressing chipping during dicing can also be obtained.
  • the reason for defining the tensile elastic modulus at 60 ° C. and the breaking elongation described later in this embodiment is that the film-like fired material is heated to about 60 ° C. by frictional heat at the time of blade dicing.
  • the temperature of the film-like fired material at the time of actual dicing is not limited to 60.degree.
  • the reason for defining the tensile modulus at 23 ° C. and the breaking elongation described later in this embodiment is that the measurement at 23 ° C. is easy, and the film-like fired material at the time of actual dicing It does not mean that the temperature of is 23 ° C.
  • the tensile modulus at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be measured by the method described above.
  • the film-like fired material preferably has a breaking elongation of 500% or more at 60 ° C., and more preferably 600% or more. 300% or more is preferable and, as for the breaking elongation at 23 degrees C of the film-form baking material of this embodiment, 400% or more is more preferable.
  • the breaking elongation at 60 ° C. or 23 ° C. is equal to or more than the above lower limit, the film-like fired material is less likely to be brittle, and wafer contamination at the time of dicing can be further suppressed.
  • 3000 degreeC or less is preferable and the breaking elongation at 23 degrees C of a film-like baking material has preferable 2500% or less.
  • the breaking elongation at 23 ° C. or 60 ° C. of the film-like fired material can be measured by the method described above.
  • the adhesion (a1) of the film-like baking material to the semiconductor wafer is 0.1 N / 25 mm or more, chip skipping during dicing can be suppressed, and the chip and the substrate are baked.
  • the adhesion (a2) of the film-like baking material to the support sheet is 0.1 N / 25 mm or more, so that scattering of the baking material can be suppressed at the time of dicing. And contamination of the semiconductor wafer can be suppressed.
  • the adhesion (a2) is smaller than the adhesion (a1), and the adhesion (a2) is 0.5 N / 25 mm or less.
  • the film-like baking material of the above-mentioned this embodiment since it is a film form, it is excellent in thickness stability. Moreover, since the film-form baking material of this embodiment contains a sinterable metal particle, it is excellent in thermal conductivity. Furthermore, the film-like fired material of the present embodiment preferably contains 15 to 98% by mass of sinterable metal particles and 2 to 50% by mass of a binder component, and the tensile elastic modulus at 60 ° C. is 4.0 to 10 The breaking elongation at 60 ° C. is preferably 500% or more.
  • Such a film-like sintered material is further provided with appropriate hardness and toughness, and it is difficult for the chip to vibrate due to the friction of the blade during dicing and for the generation of shavings of the film-like sintered material. And wafer contamination can be suppressed and it is excellent by dicing aptitude.
  • the method of producing the film-like fired material of the second embodiment is the same as the method of producing the film-like fired material of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the film-like fired material with a support sheet can be manufactured by sequentially laminating the above-mentioned layers so as to have a corresponding positional relationship.
  • a pressure-sensitive adhesive composition or a baking material composition containing a component for constituting the pressure-sensitive adhesive film or a solvent is coated on a release film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer or the film-like baking material is formed in advance on the release film by drying or volatilizing the solvent to form a film, if necessary.
  • the exposed surface of the film-like fired material opposite to the side in contact with the release film may be bonded to the surface of the base film.
  • the pressure-sensitive adhesive composition or the baking material composition is preferably applied or printed on the release-treated surface of the release film.
  • the release film may be removed as necessary after the formation of the laminated structure.
  • a film-like fired material with a support sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a substrate film and a film-like fired material is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer (a support sheet is a laminate of a substrate film and a pressure-sensitive adhesive layer)
  • the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the base film by the above-mentioned method, and separately the film-like fired material is formed on the release film.
  • the film-like baking material is formed on the release film by coating or printing the baking material composition containing the components of and the solvent, and if necessary drying and volatilizing the solvent to form a film,
  • the film-like sintered material with a support sheet is formed by laminating the exposed surface of the film-like baked material onto the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer which has been laminated on the substrate, and laminating the film-like baked material onto the pressure-sensitive adhesive layer. Obtained.
  • the baking material composition is preferably coated or printed on the peeling treated surface of the peeling film, and the peeling film is formed as needed after formation of the laminated structure. You can remove it.
  • any layers other than the base material constituting the film-like fired material with support sheet can be previously formed on the peelable film in advance and laminated on the surface of the target layer, so that it is necessary. Accordingly, a layer adopting such a process may be appropriately selected to produce a film-like fired material with a support sheet.
  • a film-like baking material with a support sheet may be stored in the state in which the peeling film was bonded together on the surface of the outermost layer on the opposite side to the support sheet.
  • a method for manufacturing a chip-mounted substrate using a film-like sintered material with a support sheet peels a peeling film of the film-like sintered material with a support sheet and supports the back surface of a semiconductor wafer (work)
  • the sheet-like film-like baking material may be attached, and the following steps (1) to (2) may be performed in the order of (1) and (2), and the following steps (1) to (4) 1), (2), (3), and (4) may be performed in this order.
  • Step (1) dicing the semiconductor wafer (work) and the film-like fired material of the laminate in which the support sheet, the film-like fired material and the semiconductor wafer (work) are stacked in this order;
  • Step (2) a step of peeling the film-like fired material and the support sheet to obtain a chip with a film-like fired material,
  • the semiconductor wafer may be a silicon wafer and a silicon carbide wafer, or may be a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide.
  • a circuit may be formed on the surface of the semiconductor wafer. The formation of the circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as etching method and lift-off method.
  • the opposite surface (rear surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground.
  • the grinding method is not particularly limited, and grinding may be performed by a known means using a grinder or the like. At the time of back grinding, an adhesive sheet called a surface protective sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit on the surface.
  • the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side on which the circuit is not formed is ground by the grinder.
  • the thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 ⁇ m.
  • the fractured layer generated during back grinding is removed. The removal of the fractured layer is performed by chemical etching, plasma etching or the like.
  • steps (1) to (4) are performed in the order of (1), (2), (3), and (4).
  • the laminate of semiconductor wafer / film-like fired material / support sheet is diced for each circuit formed on the wafer surface to obtain a laminate of chip / film-like fired material / support sheet.
  • the dicing is performed to cut the semiconductor wafer and the film-like baking material together.
  • adhesion is exhibited between the film-like material and the support sheet during dicing, so chip chipping and chip fly can be prevented, and dicing suitability Excellent. Dicing is not particularly limited.
  • a known method such as using a rotating round blade such as a dicing blade after fixing the peripheral portion of the support sheet (the outer peripheral portion of the support) with a ring frame
  • the cutting depth to the support sheet by dicing may be completely cut from the film-like fired material, and is preferably 0 to 30 ⁇ m from the interface between the film-like fired material and the support sheet.
  • an individualized chip (chip) of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface is particularly referred to as an element or a semiconductor element.
  • the support sheet may be expanded.
  • the base film of the support sheet is selected to be excellent in extensibility
  • the support sheet has excellent expandability.
  • the film-like fired material and the support sheet are peeled off by picking up the diced chip with a film-like fired material by a general-purpose means such as a collet. As a result, a chip (a chip with a film-like fired material) having a film-like fired material on the back surface is obtained.
  • a chip with a film-like fired material is attached to the surface of the substrate.
  • the substrate also includes lead frames and heat sinks.
  • the film-like fired material is fired to sinter and bond the substrate and the chip.
  • the exposed surface of the film-like fired material of the chip with film-like fired material is attached to the substrate, the chip and the substrate can be sintered and joined via the film-like fired material.
  • the heating temperature for firing the film-like firing material may be appropriately determined in consideration of the type of the film-like firing material and the like, but it is preferably 100 to 600 ° C., more preferably 150 to 550 ° C., and further preferably 250 to 500 ° C. preferable.
  • the heating time may be appropriately determined in consideration of the type of the film-like fired material and the like, but is preferably 5 seconds to 60 minutes, more preferably 5 seconds to 30 minutes, and still more preferably 10 seconds to 10 minutes.
  • the firing of the film-like firing material may be carried out by applying pressure to the film-like firing material to carry out pressure firing.
  • the pressure condition can be, for example, about 1 to 50 MPa.
  • a film-like baked material having a high uniformity of thickness can be easily formed on the back surface of the chip, and cracks after the dicing step and packaging are less likely to occur.
  • the method for manufacturing a chip-mounted substrate of the present embodiment it is possible to obtain a chip with a film-like fired material without individually attaching a film-like fired material to the back surface of the individualized chip. Simplification can be achieved. Then, the chip with a film-like fired material is disposed on a desired substrate and fired to manufacture a chip-attached substrate in which the chip and the substrate are sinter-bonded through the film-like fired material.
  • the film-like fired material of the present invention used in the method for producing a chip-mounted substrate of the present embodiment has appropriate hardness and toughness, so that the chip vibrates due to the friction of the blade during dicing, or the film-like fired material is shaved off. Since chipping is less likely to occur, chipping and wafer contamination can be suppressed.
  • a chip with a film-like fired material comprising a chip and the film-like fired material of the present invention is obtained.
  • the chip with a film-like fired material can be manufactured, for example, by the method for manufacturing a chip-mounted substrate described above.
  • the sintering and bonding of the chip of the film-like sintered material and the substrate thereof are exemplified.
  • the object of the sintering and bonding of the film-like calcination material is not limited to those exemplified above. Sinter bonding is possible for various articles sintered in contact with materials.
  • the blade or the like to separate the semiconductor wafer together with the semiconductor wafer, it can be processed as a film-like fired material having the same shape as the chip, and a chip with a film-like fired material can be manufactured.
  • the chip with a film-like fired material the sizes (areas) of the contact surface of the film-like fired material and the contact surface of the chip are the same, but they may be different.
  • the substrate and the chip may be bonded via the film-like baking material in a state where the contact surface of the film-like baking material is larger than the contact surface of the chip.
  • a film-like fired material having a desired size may be disposed on a substrate, and a chip having a smaller contact surface than the film-like fired material may be attached onto the film-like fired material.
  • the semiconductor device is the same as the chip-attached substrate produced using the film-like fired material of the present embodiment, and is produced using the film-like fired material with the support sheet of the present embodiment.
  • the semiconductor device is the same as the chip-attached substrate produced using the film-like fired material of the present embodiment, and is produced using the film-like fired material with the support sheet of the present embodiment.
  • a method of manufacturing a semiconductor device using a film-like fired material with a support sheet is a method of manufacturing a semiconductor device using a film-like fired material with a support sheet according to the present invention This is a method of sequentially performing steps (1) to (4).
  • Step (1) A laminate obtained by sticking the film-like sintered material with the support sheet on a semiconductor wafer (work), in which a support sheet, a film-like calcination material and a semiconductor wafer (work) are laminated in this order Dicing the semiconductor wafer (workpiece) and the film-like baking material
  • Step (2) a step of peeling the film-like fired material which has been diced and the support sheet to obtain a chip with a film-like fired material
  • Step (3) a step of attaching the chip with the film-like fired material to the surface of a substrate
  • the semiconductor wafer may be a silicon wafer and a silicon carbide wafer, or may be a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide.
  • a circuit may be formed on the surface of the semiconductor wafer. The formation of the circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as etching method and lift-off method.
  • the opposite surface (rear surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground.
  • the grinding method is not particularly limited, and grinding may be performed by a known means using a grinder or the like.
  • an adhesive sheet called a surface protective sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit on the surface.
  • the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side on which the circuit is not formed is ground by the grinder.
  • the thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 ⁇ m.
  • the fractured layer generated during back grinding is removed. The removal of the fractured layer is performed by chemical etching, plasma etching or the like.
  • the film-form baking material of the said film-form baking material with a support sheet is stuck on the back surface of a semiconductor wafer.
  • the laminate of the obtained semiconductor wafer / film-like sintered material / support sheet is diced for each circuit formed on the wafer surface to obtain a laminate of chip / film-like sintered material / support sheet. The dicing is performed to cut the semiconductor wafer and the film-like baking material together.
  • the adhesion (a1) of the film-like calcination to the semiconductor wafer is 0.1 N / 25 mm or more
  • the adhesion (a2) of the film-like calcination to the support sheet Since it is 0.1 N / 25 mm or more and adhesive strength is exhibited between the film-like baked material and the semiconductor wafer, and the film-like baked material and the support sheet during dicing, chipping can be prevented, and dicing Excellent in suitability.
  • Dicing is not particularly limited.
  • a known method such as using a rotating round blade such as a dicing blade after fixing the peripheral portion of the support sheet (the outer peripheral portion of the support) with a ring frame
  • the cutting depth to the support sheet by dicing may be completely cut from the film-like fired material, and is preferably 0 to 30 ⁇ m from the interface between the film-like fired material and the support sheet.
  • the film-like baking material with a support sheet of this embodiment can suppress that a baking material disperses at the time of dicing, and can suppress wafer contamination.
  • an individualized chip (chip) of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface is particularly referred to as an element or a semiconductor element.
  • the support sheet may be expanded.
  • the base film of the support sheet is selected to be excellent in extensibility
  • the support sheet has excellent expandability.
  • the film-like fired material and the support sheet are peeled off by picking up the diced chip with a film-like fired material by a general-purpose means such as a collet. As a result, a chip (a chip with a film-like fired material) having a film-like fired material on the back surface is obtained.
  • the adhesion (a2) of the film-like calcination material to the support sheet is smaller than the adhesion (a1) of the film-like calcination material to the semiconductor wafer and Since the adhesive strength (a1) is 0.5 N / 25 mm or less, the film-like fired material is easily peeled from the support sheet, and the diced chip with a film-like fired material can be easily picked up.
  • a chip with a film-like fired material is attached to the surface of the substrate.
  • the substrate also includes lead frames and heat sinks.
  • the film-like sintered material with a support sheet of the present embodiment it is also expected that the adhesive strength is exhibited between the film-like material and the substrate, so the chip and the substrate are temporarily fixed with the film-like material before calcination. It is possible to suppress the displacement of the tip position when being transported in the closed state.
  • the film-like fired material is fired to sinter and bond the substrate and the chip. At this time, if the exposed surface of the film-like fired material of the chip with film-like fired material is attached to the substrate, the chip and the substrate can be sintered and joined via the film-like fired material.
  • the heating temperature for firing the film-like firing material may be appropriately determined in consideration of the type of the film-like firing material and the like, but it is preferably 100 to 600 ° C., more preferably 150 to 550 ° C., and further preferably 250 to 500 ° C. preferable.
  • the heating time may be appropriately determined in consideration of the type of the film-like fired material and the like, but is preferably 5 seconds to 60 minutes, more preferably 5 seconds to 30 minutes, and still more preferably 10 seconds to 10 minutes.
  • the firing of the film-like firing material may be carried out by applying pressure to the film-like firing material to carry out pressure firing.
  • the pressure condition can be, for example, about 1 to 50 MPa.
  • the method of manufacturing a semiconductor device of the present embodiment it is possible to suppress chip skipping during dicing.
  • the chip and the substrate are transported in a state of being temporarily fixed by the film-shaped firing material before firing, it is possible to suppress the displacement of the chip position.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment when picking up a chip obtained by dicing a semiconductor wafer, the film-shaped baking material is easily peeled off from the support sheet, and the film-shaped baking material is diced. You can easily pick up the attached chip.
  • a chip with a film-like fired material can be obtained without individually attaching a film-like fired material to the back surface of the singulated chip, and the manufacturing process can be simplified.
  • the chip with a film-like fired material is disposed on a desired substrate and fired to manufacture a chip-attached substrate in which the chip and the substrate are sinter-bonded through the film-like fired material.
  • the film-like sintered material with a support sheet of the present invention used in the method of manufacturing a semiconductor device of the present embodiment has the adhesion (a1) of the film-like calcination material to the semiconductor wafer and the adhesion of the film-like calcination material to the support sheet Since (a2) satisfies the specific condition, it is possible to suppress chipping and wafer contamination due to blade friction during dicing, and it is possible to easily pick up the diced chip with a film-like fired material.
  • a chip with a film-like fired material comprising a chip and a film-like fired material is obtained.
  • the chip with a film-like fired material can be manufactured, for example, by the method for manufacturing a semiconductor device described above.
  • the sintering and bonding of the chip of the film-like sintered material and the substrate thereof are exemplified.
  • the object of the sintering and bonding of the film-like calcination material is not limited to those exemplified above. Sinter bonding is possible for various articles sintered in contact with materials.
  • the blade or the like to separate the semiconductor wafer together with the semiconductor wafer, it can be processed as a film-like fired material having the same shape as the chip, and a chip with a film-like fired material can be manufactured.
  • the chip with a film-like fired material the sizes (areas) of the contact surface of the film-like fired material and the contact surface of the chip are the same, but they may be different.
  • the substrate and the chip may be bonded via the film-like baking material in a state where the contact surface of the film-like baking material is larger than the contact surface of the chip.
  • a film-like fired material having a desired size may be disposed on a substrate, and a chip having a smaller contact surface than the film-like fired material may be attached onto the film-like fired material.
  • Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 ⁇ Production of Firing Material Composition>
  • the components used for producing the fired material composition are shown below.
  • metal particles having a particle diameter of 100 nm or less are described as “sinterable metal particles”.
  • Alco nano silver paste ANP-1 organic coated composite silver nano paste, manufactured by Applied Nanoparticles Research Institute, Inc .: alcohol derivative coated silver particles, silver particles having a metal content of 70% by mass or more and an average particle diameter of 100 nm or less (sinterable metal) 60 mass% or more
  • Alco nano silver paste ANP-4 organic coated composite silver nano paste, manufactured by Applied Nanoparticles Research Institute: alcohol derivative coated silver particles, silver particles having a metal content of 80% by mass or more and an average particle diameter of 100 nm or less (sinterable metal) Particle) 25 mass% or more
  • Acrylic polymer 1 (2-ethylhexyl methacrylate polymer, weight average molecular weight 260,000, L-0818, manufactured by Japan Synthetic Chemical Co., MEK diluted product, solid content 58.4% by mass, Tg: -10 ° C)
  • Acrylic polymer 2 (2-ethylhexyl methacrylate / n-butyl acrylate copolymer, copolymerization mass ratio 40/60, mass average molecular weight 280,000, L-0818B, manufactured by Japan Synthetic Chemical Co., MEK diluted product, solid content 60.0 mass%, Tg: -30 ° C)
  • Acrylic polymer 3 (2-ethylhexyl methacrylate / acrylic acid / ter-butyl methacrylate copolymer, copolymer weight ratio 47/15/38, weight average molecular weight 280,000, L-0818C, manufactured by Japan Synthetic Chemical Co., Ltd.
  • MEK Diluted product solid content 60.0% by mass
  • Each component was mixed by the composition shown in the following Table 1, to obtain fired material compositions corresponding to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4.
  • the values of the respective components in Table 1 represent parts by mass. Since the sinterable metal particle-containing paste material is sold with a high boiling point solvent and remains in the material for film-like firing after coating or drying, the components of the sinterable metal particle-containing paste material Has included them.
  • the solvent in the binder component represents the solid part by mass excluding the solvent component in consideration of volatilization during drying.
  • the numerical values in parentheses in Table 1 are the amount (% by mass) of the sinterable metal particles contained in the fired material composition when the total mass of the fired material composition is 100% by mass.
  • Example 3 a dicing sheet (HUSL 1302, manufactured by Achilles Inc.) in which a layer made of polypropylene and a layer made of an ethylene-methacrylic acid copolymer are laminated in this order is used as a support sheet made of a base film.
  • a dicing sheet (HUSL 1302, manufactured by Achilles Inc.) in which a layer made of polypropylene and a layer made of an ethylene-methacrylic acid copolymer are laminated in this order is used as a support sheet made of a base film.
  • the film-shaped baked material cut into a circular shape is attached to the layer surface made of polypropylene of the dicing sheet, and the outer diameter of the double-sided tape (G-01DF, manufactured by Lintec Corporation) having the adhesive layer on both sides is approximately the ring frame outer diameter
  • a ring-shaped material whose inner diameter is larger than the outer diameter of the film-like fired material was attached to the outer peripheral part of the film-like fired material, and a release film was attached thereon as a protective film.
  • a double-sided tape for holding a ring frame is laminated on the outside of the circular film-like baking material and the film-like baking material.
  • a film-like fired material with a support sheet was obtained.
  • a peelable film SP-PET 502150, manufactured by Lintec Corporation
  • a film-like baked material cut into a circular shape is attached to the peelable layer surface of the peelable film.
  • a film-shaped fired material with a support sheet in which a circular film-shaped fired material and a release film are laminated on top of each other is obtained.
  • a plurality of film-like fired materials from which the release film has been peeled off are laminated so as to have a thickness of 200 ⁇ m, and further cut so as to have a width of 10 mm and a length of 20 mm as test specimens for measuring tensile modulus and elongation at break. did.
  • the obtained test piece was fixed to a predetermined position of a universal tensile tester (Instron, model 5581 tester) such that the distance between chucks was 10 mm.
  • the load and the elongation amount when the test piece was pulled at a tensile speed of 50 mm / min at 23 ° C. were measured.
  • load and stretch the specimen by pulling it at a tensile speed of 50 mm / min by heating the specimen to 60 ° C in the attached heating furnace The amount was measured.
  • the tensile elastic modulus [MPa] was determined from the slope of the tensile stress in the region of 0 to 5% in elongation. Further, the elongation at break [%] was determined from the amount of elongation when the test piece broke. The results are shown in Table 1.
  • the components other than the sinterable metal particles and the non-sinterable metal particles were separated from the film-like fired material by the above method.
  • the components excluding metal particles are melted in MEK (methyl ethyl ketone), coated on a PET (polyethylene terephthalate) film subjected to peeling treatment, and dried.
  • MEK methyl ethyl ketone
  • PET polyethylene terephthalate
  • MEK methyl ethyl ketone
  • the laminate of the PET film and the film-like baking material is cut to have a width of 25 mm and a length of 100 mm or more, and the laminate of the film-like baking material and the PET film is attached to a silicon wafer I got
  • the resulting laminate is allowed to stand in an atmosphere of 23 ° C. and relative humidity of 50% for 20 minutes, and then, according to JIS Z0237: 2000, using a universal tensile tester (Instron Co., Ltd., Model 5581 tester).
  • the 180 ° peel test was performed. Specifically, the film-like fired material of each example in which a PET film was backed from a silicon wafer was peeled off together with the PET film at a peeling speed of 300 mm / min.
  • the film-like fired material lined with the PET film was peeled in the longitudinal direction such that the surfaces of the silicon wafer and the film-like fired material which were in contact with each other make an angle of 180 °. .
  • the load (peeling force) at the time of this 180 degrees peeling was measured, and the measured value was made into adhesive force (a1) [N / 25 mm].
  • the results are shown in Table 1.
  • cohesive failure a phenomenon that breakage occurs in the film-like fired material layer
  • the film-like baked material was made to peel with a peeling speed of 300 mm / min from the film-like baking material with a support sheet with which the PET film was lined with the PET film.
  • the film-like baking material lined with the PET film and the PET film are made in the length direction along with the PET film so that the surfaces in contact with each other of the support sheet and the film-like baking material form an angle of 180 °. It was peeled off. And the load (peeling force) at the time of this 180 degrees peeling was measured, and the measured value was made into adhesive force (a2) [N / 25 mm].
  • the results are shown in Table 1.
  • a dicing sheet (Adwill G-011, manufactured by Lintec Corporation) as a support sheet
  • the dicing sheet so that the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing sheet is in contact with the film-like baking material of the film-like baking material with a support sheet.
  • the film-like baking material with a support sheet were bonded.
  • the obtained test piece was mounted on a dicing ring frame (manufactured by Disco), and dicing was performed under the following conditions using a dicing apparatus (DFD-651, manufactured by Disco).
  • the chip after dicing and the silicon wafer were observed with a stereomicroscope. For each chip divided into pieces, the presence or absence of a crack or chip having a size of 10 ⁇ m or more on one side was confirmed. Moreover, the presence or absence of adhesion of the shavings of the film-form baking material on the silicon wafer surface was confirmed. The results are shown in Table 1.
  • -Dicing blade NBC-ZH2050-SE27 HECC, made by DISCO-Blade thickness: 0.03 mm ⁇ The amount of blade extension: 0.76mm -Blade rotation speed: 40,000 rpm Cutting speed: 40 mm / sec Cutting water volume: 1.0 L / min Cutting water temperature: 20 ° C.
  • -Cutting condition It implemented so that the base film of a support sheet was cut to the depth of 20 micrometers from the surface by the side of a film-like baking material with a silicon wafer.
  • Dicing conditions Each chip was implemented to be 5 mm ⁇ 5 mm.
  • the peeling film is peeled off from the film-like baked material with a support sheet, and the exposed surface of the film-like baked material is treated by chemical mechanical polishing using a tape mounter (Adwill RAD 2500, manufactured by Lintec Corporation). It affixed on the process surface of the silicon
  • silicone to-be-adhered member 150 mm diameter, 500 micrometers in thickness, scientific research institute make) which has a surface of 02 micrometers or less.
  • the silicon wafer to which the obtained film-like fired material sheet with support sheet attached is attached to a ring frame for dicing (manufactured by Disco), and using a dicing apparatus (DFD651, manufactured by Disco) under the following dicing conditions: A dicing step of cutting from the silicon adherend side was performed to divide into chips of 5 mm ⁇ 5 mm in size. After the dicing process, the film-like sintered material with a support sheet is provided on the wafer surface on the singulated wafer surface adhering to the surface on the support sheet side of the film-like sintered material with a support sheet obtained by the dicing step. It asked for the existence of adhesion of the refuse which cracked and peeled from the wafer and the support sheet.
  • the film-like fired materials of Examples 1 to 3 were able to suppress wafer contamination and chipping due to shavings of the fired material as compared with the film-like fired materials of Comparative Examples 1 to 3.
  • the film-like fired material with support sheet of Examples 1 to 3 is compared with the film-like fired material with support sheet of Comparative Examples 2 to 4, and the wafer contamination due to shavings of the fired material. Also, it was possible to suppress wafer contamination and chipping due to scattering of the firing material. In addition, compared with the film-like fired material with support sheet of Comparative Example 1, the film-like fired material with support sheet of Examples 1 to 3 was able to suppress chipping and pick-up failure.

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Abstract

本発明は、焼結性金属粒子１０及びバインダー成分２０を含有するフィルム状焼成材料１であって、焼結性金属粒子１０の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分２０の含有量が２～５０質量％であり、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、フィルム状焼成材料１、及び焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料１と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方に設けられた支持シート２、を備えた支持シート付フィルム状焼成材料であって、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、前記粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、前記支持シート付フィルム状焼成材料を提供する。

Description

フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
　本発明は、フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料に関する。
　本願は、２０１７年９月１５日に、日本に出願された特願２０１７－１７７６５３号、２０１８年５月１６日に、日本に出願された特願２０１８－９４５７５号、及び、２０１８年５月２２日に、日本に出願された特願２０１８－９８０１４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、自動車、エアコン、パソコン等の、高電圧・高電流化に伴い、これらに搭載される電力用半導体素子（パワーデバイス）の需要が高まっている。電力用半導体素子は、高電圧・高電流下で使用されるという特徴から、半導体素子からの熱の発生が問題となりやすい。
　従来、半導体素子から発生した熱の放熱のため、半導体素子の周りにヒートシンクが取り付けられる場合もある。しかし、ヒートシンクと半導体素子との間の接合部での熱伝導性が良好でなければ、効率的な放熱が妨げられてしまう。
　熱伝導性に優れた接合材料として、例えば、特許文献１には、特定の加熱焼結性金属粒子と、特定の高分子分散剤と、特定の揮発性分散媒が混合されたペースト状金属微粒子組成物が開示されている。当該組成物を焼結させると、熱伝導性の優れた固形状金属になるとされる。
特開２０１４－１１１８００号公報
　しかしながら、特許文献１のように焼成材料がペースト状の場合では、塗布されるペーストの厚さを均一化することが難しく、厚さ安定性に乏しい傾向にある。そこで、本発明者らは、厚さ安定性の問題を解決するために、従来のペースト状の組成物として提供されていた焼成材料を、フィルム状として提供することを思い至った。
　焼成材料をフィルム状とするには、焼成材料にバインダー成分を配合して、フィルム状に形成すればよい。フィルム状の焼成材料では、焼成時の昇華性を考慮すると、焼結性金属粒子の含有量が多く、バインダー成分の含有量が少ない方が好ましい。
　ところで、焼成材料は、例えば半導体ウエハをダイシングにより個片化したチップと基板との焼結接合に使用される。また、フィルム状の焼成材料の一方の側（表面）に支持シートを設ければ、半導体ウエハをチップに個片化する際に使用するダイシングシートとして使用することができる。さらに、ブレード等を用いて半導体ウエハと一緒に個片化することでチップと同形のフィルム状焼成材料として加工することができる。
　しかし、フィルム状の焼成材料においてバインダー成分の含有量が少なくなると、フィルム状の焼成材料が脆くなりやすい。フィルム状の焼成材料が脆くなると、ダイシング時にブレードにより焼成材料が削られて削りカスが発生しやすくなる。この削りカスが半導体ウエハの表面に付着し、半導体ウエハの汚染の原因となる。
　フィルム状の焼成材料の脆さを解消するためには、フィルム状の焼成材料を柔らかくすればよいが、柔軟性が高すぎるとダイシング時にフィルム状の焼成材料が振動してチップ同士がぶつかりやすくなり、チップの表面や側面においてチップ欠け（チッピング）が発生しやすくなる。
　このように、ウエハ汚染の防止とチップ欠けの防止はトレードオフの関係にあるため、ウエハ汚染とチップ欠けの両方を抑制することは困難であった。
　また、フィルム状の焼成材料において、半導体ウエハに対する粘着力が低くなると、ダイシング時にブレードとの摩擦によりチップが飛散してしまう、所謂「チップとび」が発生しやすくなる。
　さらに、フィルム状の焼成材料において、支持シートに対する粘着力が低くなると、ダイシング時に焼成材料が飛散し、この飛散した焼成材料が半導体ウエハの表面に付着し、半導体ウエハの汚染の原因となる。逆に、支持シートに対する粘着力が高くなると、半導体ウエハをダイシングにより個片化したチップをピックアップする際に、支持シートからフィルム状焼成材料が剥がれにくくなり、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを安定してピックアップできなくなる。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、厚さ安定性に優れ、ダイシング時のウエハ汚染及びチップ欠けを抑制できるフィルム状焼成材料を提供することを目的とする。また、当該フィルム状焼成材料を備えた支持シート付フィルム状焼成材料、及びダイシング時のチップとびとウエハ汚染を抑制でき、安定してダイシングされたフィルム状焼成材料付チップをピックアップできる、支持シート付フィルム状焼成材料、並びに前記支持シート付フィルム状焼成材料を用いた、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、以下の態様を有する。
［１］　焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料であって、
　焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、
　６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、フィルム状焼成材料。
［２］　２３℃における引張弾性率が５．０～２０．０ＭＰａであり、２３℃における破断伸度が３００％以上である、［１］に記載のフィルム状焼成材料。
［３］　焼成前のフィルム状焼成材料を構成する成分のうち、焼結性金属粒子を除いた成分のガラス転移温度が３０～７０℃である、［１］又は［２］に記載のフィルム状焼成材料。
［４］　［１］～［３］のいずれか一項に記載のフィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付フィルム状焼成材料。
［５］　焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付フィルム状焼成材料であって、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、前記粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、支持シート付フィルム状焼成材料。
［６］　前記フィルム状焼成材料が、焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、［４］に記載の支持シート付フィルム状焼成材料。
［７］　前記支持シートが、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたものであり、
　前記粘着剤層上に、前記フィルム状焼成材料が設けられている、［４］～［６］のいずれか一項に記載の支持シート付フィルム状焼成材料。
［８］　［４］～［７］にいずれか一項に記載の支持シート付フィルム状焼成材料を用いた半導体装置の製造方法であって、以下の工程（１）～（４）を順次行う前記方法。
　工程（１）：前記支持シート付フィルム状焼成材料を、半導体ウエハに貼付して得られた、支持シート、フィルム状焼成材料、及び半導体ウエハがこの順に積層された積層体の、半導体ウエハと、フィルム状焼成材料と、をダイシングする工程、
　工程（２）：前記ダイシングされたフィルム状焼成材料と、支持シートと、を剥離し、フィルム状焼成材料付チップを得る工程、
　工程（３）：基板の表面に、前記フィルム状焼成材料付チップを貼付する工程、
　工程（４）：前記前記フィルム状焼成材料付チップのフィルム状焼成材料を焼成し、前記フィルム状焼成材料付チップと、基板と、を接合する工程。
　本発明によれば、厚さ安定性に優れ、ダイシング時のウエハ汚染及びチップ欠けを抑制できるフィルム状焼成材料を提供できる。また、当該フィルム状焼成材料を備え、半導体素子等のチップの焼結接合に用いられる支持シート付フィルム状焼成材料、及びダイシング時のチップとびとウエハ汚染を抑制でき、安定してフィルム状焼成材料付チップをピックアップすることができる、支持シート付フィルム状焼成材料、並びに前記支持シート付フィルム状焼成材料を用いた、半導体装置の製造方法を提供できる。
本発明の一実施形態に係る、フィルム状焼成材料を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る、支持シート付フィルム状焼成材料を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る、支持シート付フィルム状焼成材料がリングフレームに貼付された状態を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る、支持シート付フィルム状焼成材料がリングフレームに貼付された状態を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る、支持シート付フィルム状焼成材料がリングフレームに貼付された状態を模式的に示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る、支持シート付フィルム状焼成材料が半導体ウエハに積層された状態を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の一実施形態について、適宜図面を参照し説明する。
　なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
≪フィルム状焼成材料≫
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料であって、焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である。ここで、焼結性金属粒子の含有量及びバインダー成分の含有量とは、それぞれ、本実施形態のフィルム状焼成材料において、溶媒以外の全ての成分に対する総質量（１００質量％）に対する含有量をいう。なお、焼結性金属粒子の含有量とバインダー成分の含有量との和は、１００質量％を超えない。
　本発明において、フィルム状焼成材料とは、特に断らない限り、焼成前のものをいう。
　図１は、本実施形態のフィルム状焼成材料を模式的に示す断面図である。フィルム状焼成材料１は、焼結性金属粒子１０及びバインダー成分２０を含有している。
　フィルム状焼成材料は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層、例えば、２層以上１０層以下の層からなるものでもよい。フィルム状焼成材料が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　なお、本明細書においては、フィルム状焼成材料の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料、構成材料の配合比、及び厚さの少なくとも一つが互いに異なる」ことを意味する。
　フィルム状焼成材料の焼成前の厚さは、特に制限されるものではないが、１０～２００μｍが好ましく、２０～１５０μｍが好ましく、３０～９０μｍがより好ましい。
　ここで、「フィルム状焼成材料の厚さ」とは、フィルム状焼成材料全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状焼成材料の厚さとは、フィルム状焼成材料を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　本明細書において、「厚さ」は、任意の５箇所で厚さを測定した平均で表される値として、ＪＩＳ　Ｋ７１３０に準じて、定圧厚さ測定器を用いて取得できる。
（剥離フィルム）
　フィルム状焼成材料は、剥離フィルム上に積層された状態で提供することができる。使用する際には、剥離フィルムを剥がし、フィルム状焼成材料を焼結接合させる対象物上に配置すればよい。剥離フィルムはフィルム状焼成材料の損傷や汚れ付着を防ぐための保護フィルムとしての機能も有する。剥離フィルムは、フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側に設けられていればよく、フィルム状焼成材料の両方の側に設けられてよい。両方に設けられる場合、一方は支持シートとして機能する。
　剥離フィルムとしては、例えばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、オレフィン系、アルキッド系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。
　剥離フィルムの厚さは、通常は１０～５００μｍ、好ましくは１５～３００μｍ、特に好ましくは２０～２５０μｍ程度である。
＜焼結性金属粒子＞
　焼結性金属粒子は、フィルム状焼成材料の焼成として金属粒子の融点以上の温度で加熱処理されることで粒子同士が溶融・結合して焼結体を形成可能な金属粒子である。焼結体を形成することで、フィルム状焼成材料とそれに接して焼成された物品とを焼結接合させることが可能である。具体的には、フィルム状焼成材料を介してチップと基板とを焼結接合させることが可能である。
　焼結性金属粒子の金属種としては、銀、金、銅、鉄、ニッケル、アルミ、シリコン、パラジウム、白金、チタン、チタン酸バリウム、これらの酸化物又は合金等が挙げられ、銀及び酸化銀が好ましい。焼結性金属粒子は、一種類のみが配合されていてもよく、２種類以上の組み合わせで配合されていてもよい。
　焼結性金属粒子は、粒子径が１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以下の銀粒子である銀ナノ粒子であることが好ましい。
　フィルム状焼成材料に含まれる焼結性金属粒子の粒子径は、上記焼結性を発揮可能なものであれば特に制限されるものではないが、１００ｎｍ以下であってよく、５０ｎｍ以下であってよく、３０ｎｍ以下であってよい。例えば、１００ｎｍ以下の粒子径を有するものが全体の２０質量％以上であることが好ましい。なお、フィルム状焼成材料が含む焼結性金属粒子の粒子径とは、電子顕微鏡で観察された焼結性金属粒子の粒子径の、投影面積円相当径とする。上記粒子径の範囲に属する焼結性金属粒子は、焼結性に優れるため好ましい。
　フィルム状焼成材料が含む焼結性金属粒子の粒子径は、電子顕微鏡で観察された焼結性金属粒子の粒子径の、投影面積円相当径が１００ｎｍ以下の粒子に対して求めた粒子径の数平均が、０．１～９５ｎｍであってよく、０．３～５０ｎｍであってよく、０．５～３０ｎｍであってよい。なお、測定対象の焼結性金属粒子は、１つのフィルム状焼成材料あたり無作為に選ばれた１００個以上、例えば、１００個とする。
　焼結性金属粒子はバインダー成分及び後述するその他の添加剤成分に混合する前に、あらかじめ凝集物の無い状態にするため、イソボルニルシクロヘキサノールや、デシルアルコールなどの沸点の高い高沸点溶媒に予め分散させてもよい。高沸点溶媒の沸点としては、例えば２００～３５０℃であってもよい。この時、高沸点溶媒を用いると、これが常温で揮発することがほとんどないために焼結性金属粒子の濃度が高くなることが防止され、作業性が向上される他、焼結性金属粒子の再凝集なども防止され、品質的にも良好となる。分散法としてはニーダ、三本ロール、ビーズミル及び超音波などが挙げられる。
　本実施形態のフィルム状焼成材料には、粒子径１００ｎｍ以下の金属粒子（焼結性金属粒子）の他に、これに該当しない粒子径が１００ｎｍを超える金属粒子である、非焼結性の金属粒子がさらに配合されてもよい。なお、非焼結性の金属粒子の粒子径とは、電子顕微鏡で観察された非焼結性の金属粒子の粒子径の、投影面積円相当径とする。粒子径は、例えば、１００ｎｍ超５０００ｎｍであってよいが、１００～２５００ｎｍの粒子径を有するものが全体の５質量％以上であることが好ましい。粒子径が１００ｎｍを超える非焼結性の金属粒子の粒子径は、電子顕微鏡で観察された金属粒子の粒子径の、投影面積円相当径が１００ｎｍを超える粒子に対して求めた粒子径の数平均が、１５０ｎｍ超５００００ｎｍ以下であってよく、１５０～１００００ｎｍであってよく、１８０～５０００ｎｍであってよい。
　粒子径が１００ｎｍを超える非焼結性の金属粒子の金属種としては、上記焼結性金属粒子の金属種として例示したものと同じものが挙げられ、銀、銅、及びこれらの酸化物が好ましい。
　粒子径１００ｎｍ以下の焼結性金属粒子と、粒子径が１００ｎｍを超える非焼結性の金属粒子とは、互いに同一の金属種であってもよく、互いに異なる金属種であってもよい。例えば、粒子径１００ｎｍ以下の焼結性金属粒子が銀粒子であり、粒子径が１００ｎｍを超える非焼結性の金属粒子が銀又は酸化銀粒子であってもよい。例えば、粒子径１００ｎｍ以下の焼結性金属粒子が銀又は酸化銀粒子であり、粒子径が１００ｎｍを超える非焼結性の金属粒子が銅又は酸化銅粒子であってもよい。
　本実施形態のフィルム状焼成材料において、全ての金属粒子の総質量（１００質量％）に対する、焼結性金属粒子の含有量は、１０～１００質量％であってもよく、２０～９５質量％であってもよい。
　焼結性金属粒子及び／又は非焼結性の金属粒子の表面には、有機物が被覆されていてもよい。有機物の被覆を有することで、バインダー成分との相溶性が向上し、粒子同士の凝集を防止でき、均一に分散することができる。
　焼結性金属粒子及び／又は非焼結性の金属粒子の表面に有機物が被覆されている場合、焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子の質量は、被覆物を含んだ値とする。
＜バインダー成分＞
　バインダー成分が配合されることで、焼成材料をフィルム状に成形でき、焼成前のフィルム状焼成材料に粘着性を付与することができる。バインダー成分は、フィルム状焼成材料の焼成として加熱処理されることで熱分解される熱分解性であってよい。
　バインダー成分は特に限定されるものではないが、バインダー成分の好適な一例として、樹脂が挙げられる。樹脂としては、アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ乳酸、セルロース誘導体の重合物等が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂には、（メタ）アクリレート化合物の単独重合体、（メタ）アクリレート化合物の２種以上の共重合体、（メタ）アクリレート化合物と他の共重合性単量体との共重合体が含まれる。
　バインダー成分を構成する樹脂において、（メタ）アクリレート化合物由来の構成単位の含有量は、構成単位の総質量（１００質量％）に対して、５０～１００質量％であることが好ましく、８０～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましい。
　ここでいう「由来」とは、前記モノマーが重合するのに必要な構造の変化を受けたことを意味する。
　（メタ）アクリレート化合物の具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート；
　ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；
　フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレートなどのフェノキシアルキル（メタ）アクリレート；
　２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、２－エトキシエチル（メタ）アクリレート、２－プロポキシエチル（メタ）アクリレート、２－ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２－メトキシブチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシアルキル（メタ）アクリレート；
　ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどのポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；
　シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４－ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレートなどのシクロアルキル（メタ）アクリレート；
　ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、などを挙げることができる。アルキル（メタ）アクリレート又はアルコキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、特に好ましい（メタ）アクリレート化合物として、ブチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、及び２－エトキシエチル（メタ）アクリレートを挙げることができる。
　本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念である。
　アクリル樹脂としては、メタクリレートが好ましい。バインダー成分がメタクリレート由来の構成単位を含有することで、比較的低温で焼成することができ、焼結後に充分な接着強度を得るための条件を容易に満たすことができる。
　バインダー成分を構成する樹脂において、メタクリレート由来の構成単位の含有量は、構成単位の総質量（１００質量％）に対して、５０～１００質量％であることが好ましく、８０～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましい。
　他の共重合性単量体としては、上記（メタ）アクリレート化合物と共重合可能な化合物であれば特に制限はないが、例えば（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、ビニルフタル酸などの不飽和カルボン酸類；ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、α－メチルスチレン、ブタジエン、イソプレンなどのビニル基含有ラジカル重合性化合物が挙げられる。
　バインダー成分を構成する樹脂の質量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～１，０００，０００であることが好ましく、１０,０００～８００，０００であることがより好ましい。樹脂の質量平均分子量が上記範囲内であることで、フィルムとして充分な膜強度を発現し、且つ柔軟性を付与することが容易となる。
　なお、本明細書において、「質量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
　バインダー成分を構成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、以下に示すＦｏｘの式を用いて計算から求めることができ、これが－６０～５０℃であることが好ましく、－３０～１０℃であることがより好ましく、－２０℃以上０℃未満であることがさらに好ましい。Ｆｏｘの式から求めた樹脂のＴｇが上記上限値以下であることで、フィルム状焼成材料と被着体（例えばチップ、基板等）との焼成前の粘着力が向上する。加えて、フィルム状焼成材料の柔軟性が高まる。一方、Ｆｏｘの式から求めた樹脂のＴｇが上記下限値以上であることで、フィルム形状の維持が可能であり、支持シート等からのフィルム状焼成材料の引き離しがより容易となる。
　１／Ｔｇ＝（Ｗ１／Ｔｇ１）＋（Ｗ２／Ｔｇ２）＋…＋（Ｗｍ／Ｔｇｍ）
（式中、Ｔｇはバインダー成分を構成する樹脂のガラス転移温度であり、Ｔｇ１，Ｔｇ２，…Ｔｇｍはバインダー成分を構成する樹脂の原料となる各単量体のホモポリマーのガラス転移温度であり、Ｗ１，Ｗ２，…Ｗｍは各単量体の質量分率である。ただし、Ｗ１＋Ｗ２＋…＋Ｗｍ＝１である。）
　前記Ｆｏｘの式における各単量体のホモポリマーのガラス転移温度は、高分子データ・ハンドブック又は粘着ハンドブック記載の値を用いることができる。
　バインダー成分は、フィルム状焼成材料の焼成として加熱処理されることで熱分解される熱分解性であってよい。バインダー成分が熱分解されたことは、焼成によるバインダー成分の質量減少により確認できる。なお、バインダー成分として配合される成分は焼成によりほぼ熱分解されてよいが、バインダー成分として配合される成分の全質量が、焼成により熱分解されなくともよい。
　バインダー成分は、焼成前のバインダー成分の総質量（１００質量％）に対し、焼成後の質量が１０質量％以下となるものであってよく、５質量％以下となるものであってよく、３質量％以下となるものであってよく、０質量％となるものであってもよい。
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、上記の焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子及びバインダー成分の他に、本発明の効果を損なわない範囲内において、焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子及びバインダー成分に該当しないその他の添加剤を含有していてもよい。
　本実施形態のフィルム状焼成材料に含有されてもよいその他の添加剤としては、溶媒、分散剤、可塑剤、粘着付与剤、保存安定剤、消泡剤、熱分解促進剤、及び酸化防止剤などが挙げられる。添加剤は、１種のみ含有されてもよいし、２種以上含有されてもよい。これらの添加剤は、特に限定されるものではなく、この分野で通常用いられるものを適宜選択することができる。
＜組成＞
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子、バインダー成分、及びその他の添加剤からなるものであってもよく、これらの含有量（質量％）の和は１００質量％となる。
　本実施形態のフィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合には、フィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子、バインダー成分、及びその他の添加剤からなるものであってもよく、これらの含有量（質量％）の和は１００質量％となる。
　フィルム状焼成材料において、溶媒以外の全ての成分（以下「固形分」と表記する。）の総質量（１００質量％）に対する、焼結性金属粒子の含有量は、１５～９８質量％であり、１５～９０質量％が好ましく、２０～８０質量％がより好ましい。焼結性金属粒子の含有量が上記上限値以下であることで、バインダー成分の含有量を充分に確保できるので、フィルム形状を維持できる。一方、焼結性金属粒子の含有量が上記下限値以上であることで、焼成時に焼結性金属粒子同士、又は焼結性金属粒子と非焼結性金属粒子とが融着して、焼成後に高い接合接着強度（せん断接着力）を発現する。
　フィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合、フィルム状焼成材料における固形分の総質量（１００質量％）に対する、焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子の総含有量は、５０～９８質量％が好ましく、７０～９５質量％がより好ましく、８０～９０質量％がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料における固形分の総質量（１００質量％）に対するバインダー成分の含有量は、２～５０質量％であり、５～３０質量％が好ましく、５～２０質量％がより好ましい。バインダー成分の含有量が上記上限値以下であることで、焼結性金属粒子の含有量を充分に確保できるので、フィルム状焼成材料と被着体との接合接着力が向上する。一方、バインダー成分の含有量が上記下限値以上であることで、フィルム形状を維持できる。
　フィルム状焼成材料において、焼結性金属粒子とバインダー成分との質量比率（焼結性金属粒子：バインダー成分）は、５０：１～１：５が好ましく、２０：１～１：２がより好ましく、１０：１～１：１がさらに好ましい。フィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合には、焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子とバインダー成分との質量比率（（焼結性金属粒子＋非焼結性の金属粒子）：バインダー成分）は５０：１～１：１が好ましく、２０：１～２：１がより好ましく、９：１～４：１がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料には、焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子、バインダー成分及びその他の添加剤成分を混合する際に使用する前記した高沸点溶媒が含まれていてもよい。フィルム状焼成材料の総質量（１００質量％）に対する、高沸点溶媒の含有量は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
＜引張弾性率＞
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａのものである。６０℃における引張弾性率は４．５～５．５ＭＰａが好ましい。本実施形態のフィルム状焼成材料の、２３℃における引張弾性率は５．０～２０．０ＭＰａが好ましく、６．０～１８．０ＭＰａがより好ましい。６０℃又は２３℃における引張弾性率が上記範囲内であることで、フィルム状焼成材料の外力による変形量が小さく、且つ靱性を備えたものとなる。特に、引張弾性率が上記上限値以下であることで、フィルム状焼成材料が脆くなりにくく、ダイシング時のウエハ汚染を抑制できる。一方、引張弾性率が上記下限値以上であることで、フィルム状焼成材料が柔らかくなりすぎず、ダイシング時のチップ欠けを抑制できる。
　なお、本実施形態において６０℃における引張弾性率及び後述の破断伸度を規定した理由は、ブレードダイシング時の摩擦熱により、フィルム状焼成材料が６０℃程度までに加熱されることを考慮したものであるが、実際のダイシング時におけるフィルム状焼成材料の温度が６０℃に限定されることはない。また、本実施形態において２３℃における引張弾性率及び後述の破断伸度を規定した理由は、２３℃での測定が容易であることを考慮したものであり、実際のダイシング時におけるフィルム状焼成材料の温度が２３℃であることを意味するものではない。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における引張弾性率は、以下の方法で測定できる。
　フィルム状焼成材料から、幅が１０ｍｍであり、長さが２０ｍｍであり、厚さが２００μｍである試験片を切り出し、この試験片を２３℃、又は６０℃に加温し、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍで引っ張ったときの荷重と伸び量を測定する。伸度が０～５％の領域の引っ張り応力の傾きから引張弾性率を求める。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における引張弾性率は、フィルム状焼成材料に含まれるバインダー成分の種類により制御できる。具体的には、バインダー成分を構成する樹脂のＴｇが高くなるほど、引張弾性率は高くなる傾向にある。また、焼結性金属粒子の含有量が多いと引張弾性率は高くなる傾向にある。
＜破断伸度＞
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、６０℃における破断伸度が５００％以上のものである。６０℃における破断伸度は６００％以上が好ましい。本実施形態のフィルム状焼成材料の、２３℃における破断伸度は３００％以上が好ましく、４００％以上がより好ましい。６０℃又は２３℃における破断伸度が上記下限値以上であることで、フィルム状焼成材料が脆くなりにくく、ダイシング時のウエハ汚染を抑制できる。
　フィルム状焼成材料の６０℃における破断伸度は、３０００％以下が好ましく、２３℃における破断伸度は、２５００％以下が好ましい。
　フィルム状焼成材料の６０℃における破断伸度は、５００％以上３０００％以下であってよく、６００％以上３０００％以下であってよい。また、フィルム状焼成材料の２３℃における破断伸度は、３００％以上２５００℃以下であってよく、４００℃以上２５００％以下であってよい。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における破断伸度は、以下の方法で測定できる。
　フィルム状焼成材料から、幅が１０ｍｍであり、長さが２０ｍｍであり、厚さが２００μｍである試験片を切り出し、この試験片を２３℃、又は６０℃に加温し、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍで引っ張ったときの伸び量を測定する。試験片が破断したときの伸び量から破断伸度を求める。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における破断伸度は、フィルム状焼成材料に含まれるバインダー成分の種類や含有量により制御できる。具体的には、バインダー成分の含有量が多くなるほど、また、バインダー成分を構成する樹脂のＴｇが低くなるほど、破断伸度は高くなる傾向にある。また、焼結性金属粒子の含有量が多いと破断伸度は低くなる傾向にある。
＜ガラス転移温度＞
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、焼成前のフィルム状焼成材料を構成する成分のうち、金属粒子（焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子）を除いた成分のガラス転移温度（以下、「金属粒子以外の焼成材料のＴｇ」ともいう。）が３０～７０℃であることが好ましく、４０～６０℃がより好ましい。金属粒子以外の焼成材料のＴｇが上記上限値以下であることで、フィルム状焼成材料が脆くなりにくく、ダイシング時のウエハ汚染をより抑制できる。一方、金属粒子以外の焼成材料のＴｇが上記下限値以上であることで、フィルム状焼成材料が柔らかくなりすぎず、ダイシング時のチップ欠けをより抑制できる。
　金属粒子以外の焼成材料のＴｇは、前記Ｆｏｘの式において、バインダー成分を構成する樹脂の代わりに、金属粒子以外の焼成材料を用い、計算から求めることができるが、以下の方法でも測定することができる。
　フィルム状焼成材料から金属粒子を分離したものについて、動的機械分析装置を用いて貯蔵弾性率Ｅ’と損失弾性率Ｅ”を測定し、これらの比（Ｅ”／Ｅ’）であるｔａｎδを温度に対してプロットし、ｔａｎδの極大を示す温度を焼成材料のＴｇとする。
　フィルム状焼成材料から金属粒子と、金属粒子を除いた成分との分離する方法は、後述の実施例に記載した通りである。
　焼成材料のＴｇは、フィルム状焼成材料に含まれるバインダー成分の種類により制御できる。
　上記の本実施形態のフィルム状焼成材料によれば、フィルム状であるため、厚さ安定性に優れる。また、本実施形態のフィルム状焼成材料は焼結性金属粒子を含むため、熱伝導性に優れる。さらに、本実施形態のフィルム状焼成材料は、特定量の焼結性金属粒子及びバインダー成分を含み、かつ６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である。よって、本実施形態のフィルム状焼成材料は適度な硬さと靱性を備えたものとなり、ダイシング時にブレードの摩擦によりチップが振動したり、フィルム状焼成材料の削りカスが発生したりしにくいため、チップ欠け及びウエハ汚染を抑制でき、ダイシング適性に優れる。
　フィルム状焼成材料は、少なくとも一方の側（表面）に支持シートが設けられた、支持シート付フィルム状焼成材料とすることができる。
　支持シート付フィルム状焼成材料の詳細は、後述する。
≪フィルム状焼成材料の製造方法≫
　フィルム状焼成材料は、その構成材料を含有する焼成材料組成物を用いて形成できる。例えば、フィルム状焼成材料の形成対象面に、フィルム状焼成材料を構成するための各成分及び溶媒を含む焼成材料組成物を塗工又は印刷し、必要に応じて溶媒を揮発させることで、目的とする部位にフィルム状焼成材料を形成できる。焼成材料組成物における、フィルム状焼成材料を構成するための各成分の含有量は各成分の合計で５０～９９質量％、溶媒の含有量は１～５０質量％であってよい。
　フィルム状焼成材料の形成対象面としては、剥離フィルムの表面が挙げられる。
　焼成材料組成物を塗工する場合、溶媒としては沸点が２００℃未満のものが好ましく、例えばｎ－ヘキサン（沸点：６８℃）、酢酸エチル（沸点：７７℃）、２－ブタノン（沸点：８０℃）、ｎ－ヘプタン（沸点：９８℃）、メチルシクロヘキサン（沸点：１０１℃）、トルエン（沸点：１１１℃）、アセチルアセトン（沸点：１３８℃）、ｎ－キシレン（沸点：１３９℃）及びジメチルホルムアミド（沸点：１５３℃）などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、また組み合わせて使用してもよい。
　焼成材料組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えばエアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、コンマコーター（登録商標）、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
　焼成材料組成物を印刷する場合、溶媒としては印刷後に揮発乾燥することができるものであればよく、沸点が６５～３５０℃であることが好ましい。このような溶媒としては、先に例示した沸点が２００℃未満の溶媒や、イソホロン（沸点：２１５℃）、ブチルカルビトール（沸点：２３０℃）、１‐デカノール（沸点：２３３℃）、ブチルカルビトールアセタート（沸点：２４７℃）、イソボルニルシクロヘキサノール（沸点：３１８℃）などが挙げられる。
　沸点が３５０℃を上回ると、印刷後の揮発乾燥にて溶媒が揮発しにくくなり、所望の形状を確保することが困難となったり、焼成時に溶媒がフィルム内に残存してしまい、接合接着性を劣化させたりする可能性がある。沸点が６５℃を下回ると印刷時に揮発してしまい、厚さの安定性が損なわれてしまう恐れがある。沸点が２００～３５０℃の溶媒を用いれば、印刷時の溶媒の揮発による粘度上昇を抑えることができ、印刷適性を得ることができる。
　焼成材料組成物の印刷は、公知の印刷方法で行うことができ、例えば、フレキソ印刷等の凸版印刷、グラビア印刷等の凹版印刷、オフセット印刷等の平板印刷、シルクスクリーン印刷やロータリースクリーン印刷等のスクリーン印刷、インクジェットプリンタ等の各種プリンタによる印刷などの方法が挙げられる。
　フィルム状焼成材料の形状は、焼結接合の対象の形状に合わせて適宜設定すればよく、円形又は矩形が好ましい。円形は半導体ウエハの形状に対応した形状である。矩形はチップの形状に対応した形状である。対応した形状とは、焼結接合の対象の形状と同形状又は略同形状であってよい。
　フィルム状焼成材料が円形である場合、円の面積は、３．５～１，６００ｃｍ２であってよく、８５～１，４００ｃｍ２であってよい。フィルム状焼成材料が矩形である場合、矩形の面積は、０．０１～２５ｃｍ２であってよく、０．２５～９ｃｍ２であってよい。　特に、焼成材料組成物を印刷すれば、所望の形状のフィルム状焼成材料を形成しやすい。
　焼成材料組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、焼成材料組成物が溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば７０～２５０℃、例えば８０～１８０℃で、１０秒～１０分間の条件で乾燥させることが好ましい。
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料であって、焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、フィルム状焼成材料であるが、焼結性金属粒子としては、銀、銅、及びこれらの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種と、バインダー成分としては、（メタ）アクリレート化合物と他の共重合体との共重合体を含有するフィルム状焼成材料が好ましい。
　また、本実施形態のフィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子の含有量が２０～８０質量％、バインダー成分の含有量が５～２０質量％であるものが好ましい。
≪支持シート付フィルム状焼成材料≫
［第１実施形態］
　本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料は、上述したフィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側（表面）に設けられた支持シートと、を備える。前記支持シートは、基材フィルム上の全面もしくは外周部に粘着剤層が設けられたものであり、前記粘着剤層上に、前記フィルム状焼成材料が設けられていることが好ましい。前記フィルム状焼成材料は、粘着剤層に直接接触して設けられてもよく、基材フィルムに直接接触して設けられてもよい。本形態をとることで、半導体ウエハをチップに個片化する際に使用するダイシングシートとして使用することができる。且つブレード等を用いて半導体ウエハと一緒に個片化することでチップと同形のフィルム状焼成材料として加工することができ、且つフィルム状焼成材料付チップを製造することができる。
　以下、支持シート付フィルム状焼成材料の一実施形態について説明する。図２は本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料を模式的に示す断面図である。図３及び図４に、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料の概略断面図を示す。図２に示すように、支持シート付フィルム状焼成材料１００は、支持シート２に、フィルム状焼成材料１が剥離可能に仮着されてなる。図３、図４に示すように、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料１００ａ，１００ｂは、外周部に粘着部を有する支持シート２の内周部に、フィルム状焼成材料１が剥離可能に仮着されてなる。支持シート２は、図３に示すように、基材フィルム３の上面に粘着剤層４を有する粘着シートであり、該粘着剤層４の内周部表面が、フィルム状焼成材料に覆われて、外周部に粘着部が露出した構成になる。また、図４に示すように、支持シート２は、基材フィルム３の外周部にリング状の粘着剤層４を有する構成であってもよい。
　フィルム状焼成材料１は、支持シート２の内周部に、貼付されるワーク（半導体ウエハ等）と略同形状に形成されてなる。支持シート２の外周部には粘着部を有する。好ましい態様では、支持シート２よりも小径のフィルム状焼成材料１が、円形の支持シート２上に同心円状に積層されている。外周部の粘着部は、図示したように、リングフレーム５の固定に用いられる。
（基材フィルム）
　基材フィルム３としては、特に限定されず、例えば低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ），エチレン・プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンフィルム、アイオノマー等からなるフィルムなどが用いられる。なお、本明細書において「（メタ）アクリル」は、アクリル及びメタクリルの両者を含む意味で用いる。
　また支持シートに対してより高い耐熱性が求められる場合には、基材フィルム３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィンフィルム等が挙げられる。また、これらの架橋フィルムや放射線・放電等による改質フィルムも用いることができる。基材フィルムは上記フィルムの積層体であってもよい。
　また、これらのフィルムは、２種類以上を積層したり、組み合わせて用いたりすることもできる。さらに、これらフィルムを着色したもの、あるいは印刷を施したもの等も使用することができる。また、フィルムは熱可塑性樹脂を押出形成によりシート化したものであってもよく、延伸されたものであってもよく、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化、硬化してシート化したものが使われてもよい。
　基材フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは３０～３００μｍ、より好ましくは５０～２００μｍである。基材フィルムの厚さを上記範囲とすることで、ダイシングによる切り込みが行われても基材フィルムの断裂が起こりにくい。また、支持シート付フィルム状焼成材料に充分な可とう性が付与されるため、ワーク（例えば半導体ウエハ等）に対して良好な貼付性を示す。
　基材フィルムは、表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。
　上記の剥離剤を用いて基材フィルムの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、又は溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアーナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、剥離剤が塗布された基材フィルムを常温下又は加熱下に供するか、又は電子線により硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成したりすればよい。
（粘着剤層）
　支持シート２は、少なくともその外周部に粘着部を有する。粘着部は、支持シート付フィルム状焼成材料１００ａ，１００ｂの外周部において、リングフレーム５を一時的に固定する機能を有し、所要の工程後にはリングフレーム５が剥離可能であることが好ましい。したがって、粘着剤層４には、弱粘着性のものを使用してもよいし、エネルギー線照射により粘着力が低下するエネルギー線硬化性のものを使用してもよい。再剥離性粘着剤層は、公知の種々の粘着剤（例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系などの汎用粘着剤、表面凹凸のある粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、熱膨張成分含有粘着剤等）により形成できる。
　支持シート２は、図３に示すように、基材フィルム３の上側全面に粘着剤層４を有する通常の構成の粘着シートであり、該粘着剤層４の内周部表面が、フィルム状焼成材料に覆われて、外周部に粘着部が露出した構成であってもよい。この場合、粘着剤層４の外周部は、上記したリングフレーム５の固定に使用され、内周部には、フィルム状焼成材料が剥離可能に積層される。粘着剤層４としては、上記と同様に、弱粘着性のものを使用してもよいし、またエネルギー線硬化性粘着剤を使用してもよい。
　また、図４に示した構成では、基材フィルム３の外周部にリング状の粘着剤層４を形成し、粘着部とする。この際、粘着剤層４は、上記粘着剤からなる単層粘着剤層であってもよく、上記粘着剤からなる粘着剤層を含む両面粘着テープを環状に切断したものであってもよい。
　弱粘着剤としては、アクリル系、シリコーン系が好ましく用いられる。また、フィルム状焼成材料の剥離性を考慮して、粘着剤層４の２３℃でのＳＵＳ板への粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠して求められ、３０～１２０ｍＮ／２５ｍｍであることが好ましく、５０～１００ｍＮ／２５ｍｍであることがさらに好ましく、６０～９０ｍＮ／２５ｍｍであることがより好ましい。この粘着力が低すぎると、リングフレームが脱落することがある。また粘着力が高過ぎると、リングフレームからの剥離が困難となり、リングフレームを再利用しにくくなる。
　図３の構成の支持シートにおいて、エネルギー線硬化性の再剥離性粘着剤層を用いる場合、フィルム状焼成材料が積層される領域に予めエネルギー線照射を行い、粘着性を低減させておいてもよい。この際、他の領域はエネルギー線照射を行わず、例えばリングフレーム５への接着を目的として、粘着力を高いまま維持しておいてもよい。他の領域のみにエネルギー線照射を行わないようにするには、例えば基材フィルムの他の領域に対応する領域に印刷等によりエネルギー線遮蔽層を設け、基材フィルム側からエネルギー線照射を行えばよい。また、図３の構成の支持シートでは、基材フィルム３と粘着剤層４との接着を強固にするため、基材フィルム３の粘着剤層４が設けられる面には、所望により、サンドブラストや溶剤処理などによる凹凸化処理、あるいはコロナ放電処理、電子線照射、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理などの酸化処理などを施すことができる。また、プライマー処理を施すこともできる。
　粘着剤層４の厚さは特に限定されないが、好ましくは１～１００μｍ、さらに好ましくは２～８０μｍ、特に好ましくは３～５０μｍである。
（支持シート付フィルム状焼成材料）
　支持シート付フィルム状焼成材料は、外周部に粘着部を有する支持シートの内周部にフィルム状焼成材料が剥離可能に仮着されてなる。図３で示した構成例では、支持シート付フィルム状焼成材料１００ａは、基材フィルム３と粘着剤層４とからなる支持シート２の内周部にフィルム状焼成材料１が剥離可能に積層され、支持シート２の外周部に粘着剤層４が露出している。この構成例では、支持シート２よりも小径のフィルム状焼成材料１が、支持シート２の粘着剤層４上に同心円状に剥離可能に積層されていることが好ましい。
　上記構成の支持シート付フィルム状焼成材料１００ａは、支持シート２の外周部に露出した粘着剤層４において、リングフレーム５に貼付される。
　また、リングフレームに対する糊しろ（粘着シートの外周部における露出した粘着剤層）上に、さらに環状の両面テープ若しくは粘着剤層を別途設けてもよい。両面テープは粘着剤層／芯材／粘着剤層の構成を有し、両面テープにおける粘着剤層は特に限定されず、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。粘着剤層は、後述するチップ付基板を製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付される。両面テープの芯材としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等が好ましく用いられる。
　図４で示した構成例では、基材フィルム３の外周部にリング状の粘着剤層４を形成し、粘着部とする。図５に、図４で示す支持シート付フィルム状焼成材料１００ｂの斜視図を示す。この際、粘着剤層４は、上記粘着剤からなる単層粘着剤層であってもよく、上記粘着剤からなる粘着剤層を含む両面粘着テープを環状に切断したものであってもよい。フィルム状焼成材料１は、粘着部に囲繞された基材フィルム３の内周部に剥離可能に積層される。この構成例では、支持シート２よりも小径のフィルム状焼成材料１が、支持シート２の基材フィルム３上に同心円状に剥離可能に積層されていることが好ましい。
　支持シート付フィルム状焼成材料には、使用に供するまでの間、フィルム状焼成材料及び粘着部のいずれか一方又はその両方の表面に、外部との接触を避けるための表面保護を目的として剥離フィルムを設けてもよい。
　表面保護フィルム（剥離フィルム）としては、先に挙げたポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート及びポリプロピレンなどの基材フィルム表面に、剥離剤を用いて上述した剥離処理を施すことで得ることもできる。剥離処理に用いられる剥離剤としては、基材フィルムの説明において先に例示した剥離剤が挙げられる。
　支持シート付フィルム状焼成材料の厚さは、１～５００μｍが好ましく、５～３００μｍがより好ましく、１０～１５０μｍがさらに好ましい。
　ここで、「支持シート付フィルム状焼成材料の厚さ」とは、支持シート付フィルム状焼成材料全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる支持シート付フィルム状焼成材料の厚さとは、支持シート付フィルム状焼成材料を構成するすべての層の厚さを意味する。
［第２実施形態］
　本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料は、フィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側（表面）に設けられた支持シートと、を備え、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、前記粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。
　例えば、図６に示す、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料と半導体ウエハとが積層された積層体において、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、前記粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。
＜粘着力＞ 
　本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料において、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）は０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であり、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上が好ましく、１．０Ｎ／２５ｍｍ以上がより好ましい。粘着力（ａ１）が上記下限値以上であることで、ダイシング時におけるチップとびを抑制できる。また、チップと基板が焼成前のフィルム状焼成材料で仮固定されている状態で搬送される際に、チップ位置がずれるのを抑制できる。
　本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料において、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）は０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であり、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上０．４Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましい。粘着力（ａ２）が上記下限値以上であることで、ダイシング時に焼成材料が飛散するのを抑制することができ、半導体ウエハの汚染を抑制することができる。
　粘着力（ａ２）は、粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ上記上限値以下であることで、詳しくは後述するが、半導体ウエハをダイシングにより個片化したチップをピックアップする際に、支持シートからフィルム状焼成材料が剥がれやすくなり、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを容易にピックアップできる。
　前記粘着力（ａ１）は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠して求められ、具体的には、以下の方法で測定できる。
　まず、シリコンウエハの表面を算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０２μｍになるまでケミカルメカニカルポリッシュ処理する。
　支持シート付フィルム状焼成材料を、剥離フィルム等の表面保護フィルムを除去した後、上記シリコンウエハの処理面に貼付する。貼付する際、支持シート付フィルム状焼成材料を室温以上に加熱してもよい。加熱温度は特に限定されないが１２０℃以下が好ましい。次に支持シートを除去し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを、暴露したフィルム状焼成材料に貼り合わせて強固に接着（裏打ち）し、ＰＥＴフィルムに裏打ちされたフィルム状焼成材料を幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切込みを入れ切断する。
　次いで、シリコンウエハからＰＥＴフィルムに裏打ちされたフィルム状焼成材料をＰＥＴフィルムごと剥離速度３００ｍｍ／分で剥離させる。このときの剥離は、シリコンウエハと、支持シート付フィルム状焼成材料との互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、支持シート付フィルム状焼成材料をその長さ方向へ剥離させる、いわゆる１８０°剥離とする。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、その測定値を粘着力（ａ１）（Ｎ／２５ｍｍ）とする。
　なお、ＰＥＴフィルムに強固に接着するフィルム状焼成材料については、溶媒を含む焼成材料組成物をＰＥＴフィルム上に塗工し、乾燥させて溶媒を揮発させることにより作製することもできる。さらにこれを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切断し、切断したＰＥＴフィルムに強固に接着するフィルム状焼成材料を上記シリコンウエハの処理面に貼付することで、前記粘着力（ａ１）測定用試験片を作製することもできる。
　前記粘着力（ａ２）は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠して求められ、具体的には、以下の方法で測定できる。
　支持シート付フィルム状焼成材料を、剥離フィルム等の表面保護フィルムを除去した後、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを暴露したフィルム状焼成材料に貼り合わせて強固に接着（裏打ち）し、これを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切断する。切断したＰＥＴフィルムに裏打ちされた支持シート付フィルム状焼成材料から、ＰＥＴフィルムに裏打ちされたフィルム状焼成材料をＰＥＴフィルムごと剥離速度３００ｍｍ／分で剥離させる。このときの剥離は、支持シートと、フィルム状焼成材料との互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、フィルム状焼成材料をその長さ方向へ剥離させる、いわゆる１８０°剥離とする。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、その測定値を粘着力（ａ２）（Ｎ／２５ｍｍ）とする。
　なお、ＰＥＴフィルムに強固に接着するフィルム状焼成材料については、溶媒を含む焼成材料組成物をＰＥＴフィルム上に塗工し、乾燥させて溶媒を揮発させることにより作製することもできる。さらにこれを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切断し、切断したＰＥＴフィルムに強固に接着するフィルム状焼成材料を支持シートに貼付することで、前記粘着力（ａ２）測定用試験片を作製することもできる。
　図２に示したように、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料１００は、支持シート２に、フィルム状焼成材料１が剥離可能に仮着されてなる。前記支持シートは、基材フィルム上の全面もしくは外周部に粘着剤層が設けられたものであり、前記粘着剤層上に、前記フィルム状焼成材料が設けられていることが好ましい。前記フィルム状焼成材料は、粘着剤層に直接接触して設けられてもよく、基材フィルムに直接接触して設けられてもよい。本形態をとることで、半導体ウエハをチップに個片化する際に使用するダイシングシートとして使用することができる。且つブレード等を用いて半導体ウエハと一緒に個片化することでチップと同形のフィルム状焼成材料として加工することができ、且つフィルム状焼成材料付チップを製造することができる。
　以下、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料の一実施形態について説明する。なお、本第２実施態様の支持シート付フィルム状焼成材料において、前記第１実施態様の支持シート付フィルム状焼成材料と同じ部分については説明を省略する。
（フィルム状焼成材料）
＜組成＞
　フィルム状焼成材料１は、図２に示すように、焼結性金属粒子１０及びバインダー成分２０を含有している。本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料における、フィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子、バインダー成分、及び前述のその他の添加剤からなるものであってもよく、これらの含有量（質量％）の和は１００質量％となる。
　フィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合には、フィルム状焼成材料は、焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子、バインダー成分、及び前述のその他の添加剤からなるものであってもよく、これらの含有量（質量％）の和は１００質量％となる。
　フィルム状焼成材料において、溶媒以外の全ての成分（以下「固形分」と表記する。）の総質量（１００質量％）に対する、焼結性金属粒子の含有量は、１５～９８質量％が好ましく、１５～９０質量％がより好ましく、２０～８０質量％がさらに好ましい。焼結性金属粒子の含有量が上記上限値以下であることで、バインダー成分の含有量を充分に確保できるので、フィルム形状の維持が容易になる。一方、焼結性金属粒子の含有量が上記下限値以上であることで、焼成時に焼結性金属粒子同士、又は焼結性金属粒子と非焼結性金属粒子とが融着して、焼成後に高い接合接着強度（せん断接着力）を発現するという効果も得られる。
　フィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合、フィルム状焼成材料における固形分の総質量（１００質量％）に対する、焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子の総含有量は、５０～９８質量％が好ましく、７０～９５質量％がより好ましく、８０～９５質量％がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料における固形分の総質量（１００質量％）に対するバインダー成分の含有量は、２～５０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましく、５～２０質量％がさらに好ましい。バインダー成分の含有量が上記上限値以下であることで、焼結性金属粒子の含有量を充分に確保できるので、フィルム状焼成材料と被着体との接合接着力がより向上する。一方、バインダー成分の含有量が上記下限値以上であることで、フィルム形状の維持が容易になる。
　フィルム状焼成材料において、焼結性金属粒子とバインダー成分との質量比率（焼結性金属粒子：バインダー成分）は、５０：１～１：５が好ましく、２０：１～１：２がより好ましく、１０：１～１：１がさらに好ましい。フィルム状焼成材料が非焼結性の金属粒子を含む場合には、焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子とバインダー成分との質量比率（（焼結性金属粒子＋非焼結性の金属粒子）：バインダー成分）は５０：１～１：１が好ましく、２０：１～２：１がより好ましく、９：１～４：１がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料には、焼結性金属粒子、非焼結性の金属粒子、バインダー成分及びその他の添加剤成分を混合する際に使用する高沸点溶媒が含まれていてもよい。フィルム状焼成材料の総質量（１００質量％）に対する、高沸点溶媒の含有量は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
＜引張弾性率＞
　本実施形態のフィルム状焼成材料は、６０℃における引張弾性率は、４．０～１０．０ＭＰａが好ましく、４．５～５．５ＭＰａがより好ましい。また、本実施形態のフィルム状焼成材料の、２３℃における引張弾性率は５．０～２０．０ＭＰａが好ましく、６．０～１８．０ＭＰａがより好ましい。６０℃又は２３℃における引張弾性率上記範囲内であることで、フィルム状焼成材料の外力による変形量が小さく、且つ靱性を備えるという効果も得られる。特に、引張弾性率が上記上限値以下であることで、フィルム状焼成材料が脆くなりにくく、ダイシング時のウエハ汚染をより抑制することができる。一方、引張弾性率が上記下限値以上であることで、フィルム状焼成材料が柔らかくなりすぎず、ダイシング時のチップ欠けを抑制できるという効果も得られる。
　なお、本実施形態において６０℃における引張弾性率及び後述の破断伸度を規定した理由は、ブレードダイシング時の摩擦熱により、フィルム状焼成材料が６０℃程度までに加熱されることを考慮したものであるが、実際のダイシング時におけるフィルム状焼成材料の温度が６０℃に限定されることはない。また、本実施形態において２３℃における引張弾性率及び後述の破断伸度を規定した理由は、２３℃での測定が容易であることを考慮したものであり、実際のダイシング時におけるフィルム状焼成材料の温度が２３℃であることを意味するものではない。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における引張弾性率は、前記した方法で測定できる。
＜破断伸度＞
　フィルム状焼成材料は、６０℃における破断伸度が５００％以上のものが好ましく、６００％以上がより好ましい。本実施形態のフィルム状焼成材料の、２３℃における破断伸度は３００％以上が好ましく、４００％以上がより好ましい。６０℃又は２３℃における破断伸度が上記下限値以上であることで、フィルム状焼成材料が脆くなりにくく、ダイシング時のウエハ汚染をより抑制することができる。
　フィルム状焼成材料の６０℃における破断伸度は、３０００％以下が好ましく、２３℃における破断伸度は、２５００％以下が好ましい。
　フィルム状焼成材料の２３℃又は６０℃における破断伸度は、前記した方法で測定できる。
　上記のフィルム状焼成材料によれば、フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であるため、ダイシング時におけるチップとびを抑制でき、また、チップと基板が焼成前のフィルム状焼成材料で仮固定されている状態で搬送される際に、チップ位置がずれるのを抑制できる。また、上記のフィルム状焼成材料によれば、フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であるため、ダイシング時に焼成材料が飛散するのを抑制することができ、半導体ウエハの汚染を抑制することができる。
　さらに、上記のフィルム状焼成材料によれば、前記粘着力（ａ２）が、前記粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ２）が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるため、半導体ウエハをダイシングにより個片化したチップをピックアップする際に、支持シートからフィルム状焼成材料が剥がれやすくなり、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを容易にピックアップできる。
　また、上記の本実施形態のフィルム状焼成材料によれば、フィルム状であるため、厚さ安定性に優れる。また、本実施形態のフィルム状焼成材料は焼結性金属粒子を含むため、熱伝導性に優れる。さらに、本実施形態のフィルム状焼成材料は、１５～９８質量％の焼結性金属粒子及び２～５０質量％バインダー成分を含むことが好ましく、かつ６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上であることが好ましい。このようなフィルム状焼成材料は、さらに適度な硬さと靱性を備えたものとなり、ダイシング時にブレードの摩擦によりチップが振動したり、フィルム状焼成材料の削りカスが発生したりしにくいため、チップ欠け及びウエハ汚染を抑制でき、ダイシング適性により優れる。
　上記の第２実施形態のフィルム状焼成材料の製造方法については、前記第１実施形態のフィルム状焼成材料の製造方法と同じであるため、説明は省略する。
≪支持シート付フィルム状焼成材料の製造方法≫
　前記支持シート付フィルム状焼成材料は、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。
　例えば、基材フィルム上に粘着剤層又はフィルム状焼成材料を積層する場合には、剥離フィルム上に、これを構成するための成分及び溶媒を含有する粘着剤組成物又は焼成材料組成物を塗工又は印刷し、必要に応じて乾燥させ溶媒を揮発させてフィルム状とすることで、剥離フィルム上に粘着剤層又はフィルム状焼成材料をあらかじめ形成しておき、この形成済みの粘着剤層又はフィルム状焼成材料の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、基材フィルムの表面と貼り合わせればよい。このとき、粘着剤組成物又は焼成材料組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工又は印刷することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
　例えば、基材フィルム上に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層上にフィルム状焼成材料が積層されてなる支持シート付フィルム状焼成材料（支持シートが基材フィルム及び粘着剤層の積層物である支持シート付フィルム状焼成材料）を製造する場合には、上述の方法で、基材フィルム上に粘着剤層を積層しておき、別途、剥離フィルム上にフィルム状焼成材料を構成するための成分及び溶媒を含有する焼成材料組成物を塗工又は印刷し、必要に応じて乾燥させ溶媒を揮発させてフィルム状とすることで、剥離フィルム上にフィルム状焼成材料を形成しておき、このフィルム状焼成材料の露出面を、基材上に積層済みの粘着剤層の露出面と貼り合わせて、フィルム状焼成材料を粘着剤層上に積層することで、支持シート付フィルム状焼成材料が得られる。剥離フィルム上にフィルム状焼成材料を形成する場合も、焼成材料組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工又は印刷することが好ましく、剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
　このように、支持シート付フィルム状焼成材料を構成する基材以外の層はいずれも、剥離フィルム上にあらかじめ形成しておき、目的とする層の表面に貼り合わせる方法で積層できるため、必要に応じてこのような工程を採用する層を適宜選択して、支持シート付フィルム状焼成材料を製造すればよい。
　なお、支持シート付フィルム状焼成材料は、必要な層をすべて設けた後、その支持シートとは反対側の最表層の表面に、剥離フィルムが貼り合わされた状態で保管されてよい。
≪チップ付基板の製造方法≫
　次に本発明に係る支持シート付フィルム状焼成材料の利用方法について、該焼成材料をチップ付基板の製造に適用した場合を例にとって説明する。
　本発明の一実施形態として、支持シート付フィルム状焼成材料を用いたチップ付基板の製造方法は、支持シート付フィルム状焼成材料の剥離フィルムを剥離し、半導体ウエハ（ワーク）の裏面に、支持シート付フィルム状焼成材料を貼付し、以下の工程（１）～（２）を、（１）、（２）の順で行ってもよく、以下の工程（１）～（４）を、（１）、（２）、（３）、（４）の順で行ってもよい。
　工程（１）：支持シート、フィルム状焼成材料、及び半導体ウエハ（ワーク）がこの順に積層された積層体の、半導体ウエハ（ワーク）とフィルム状焼成材料とをダイシングする工程、
　工程（２）：フィルム状焼成材料と、支持シートとを剥離し、フィルム状焼成材料付チップを得る工程、
　工程（３）：基板の表面に、フィルム状焼成材料付チップを貼付する工程、
　工程（４）：フィルム状焼成材料を焼成し、チップと基板とを接合する工程。
　以下、上記工程（１）～（４）を行う場合について説明する。
　半導体ウエハはシリコンウエハ及びシリコンカーバイドウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハの表面には、回路が形成されていてもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面（裏面）を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚さは特に限定はされないが、通常は２０～５００μｍ程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。
　次いで、半導体ウエハの裏面に、上記支持シート付フィルム状焼成材料のフィルム状焼成材料を貼付する。その後、工程（１）～（４）を（１）、（２）、（３）、（４）の順で行う。
　半導体ウエハ／フィルム状焼成材料／支持シートの積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングし、チップ／フィルム状焼成材料／支持シートの積層体を得る。ダイシングは、半導体ウエハとフィルム状焼成材料をともに切断するように行われる。本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、ダイシング時においてフィルム状焼成材料と支持シートの間で粘着力が発揮されるため、チップ欠けやチップ飛びを防止することができ、ダイシング適性に優れる。ダイシングは特に限定はされず、一例として、半導体ウエハのダイシング時には支持シートの周辺部（支持体の外周部）をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法により半導体ウエハの個片化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる支持シートへの切り込み深さは、フィルム状焼成材料を完全に切断していてよく、フィルム状焼成材料と支持シートとの界面から０～３０μｍとすることが好ましい。支持シートへの切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレードの摩擦による支持シートを構成する粘着剤層や基材フィルムの溶融や、バリ等の発生を抑制することができる。また、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、フィルム状焼成材料の削りカスが発生しにくいため、ウエハ汚染を抑制できる。
　なお、表面に回路が形成された半導体ウエハを個片化したもの（チップ）を特に、素子又は半導体素子ともいう。
　その後、上記支持シートをエキスパンドしてもよい。支持シートの基材フィルムとして、伸張性に優れたものを選択した場合は、支持シートは、優れたエキスパンド性を有する。ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、フィルム状焼成材料と支持シートとを剥離する。この結果、裏面にフィルム状焼成材料を有するチップ（フィルム状焼成材料付チップ）が得られる。
　続いて、基板の表面に、フィルム状焼成材料付チップを貼付する。基板には、リードフレームやヒートシンクなども含まれる。
　次いでフィルム状焼成材料を焼成し、基板とチップとを焼結接合する。このとき、フィルム状焼成材料付チップのフィルム状焼成材料の露出面を、基板に貼付けておけば、フィルム状焼成材料を介してチップと前記基板とを焼結接合できる。
　フィルム状焼成材料を焼成する加熱温度は、フィルム状焼成材料の種類等を考慮して適宜定めればよいが、１００～６００℃が好ましく、１５０～５５０℃がより好ましく、２５０～５００℃がさらに好ましい。加熱時間は、フィルム状焼成材料の種類等を考慮して適宜定めればよいが、５秒～６０分間が好ましく、５秒～３０分間がより好ましく、１０秒～１０分間がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料の焼成は、フィルム状焼成材料に圧をかけて焼成する加圧焼成を行ってもよい。加圧条件は、一例として、１～５０ＭＰａ程度とすることができる。
　本実施形態のチップ付基板の製造方法によれば、厚さの均一性の高いフィルム状焼成材料を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。また、本実施形態のチップ付基板の製造方法によれば、個別化されたチップ裏面に、フィルム状焼成材料を個別に貼り付けることなくフィルム状焼成材料付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。そして、フィルム状焼成材料付チップを、所望の基板上に配置して焼成することでフィルム状焼成材料を介してチップと基板とが焼結接合されたチップ付基板を製造することができる。本実施形態のチップ付基板の製造方法で用いる本発明のフィルム状焼成材料は、適度な硬さと靱性を備えているので、ダイシング時にブレードの摩擦によりチップが振動したり、フィルム状焼成材料の削りカスが発生したりしにくいため、チップ欠け及びウエハ汚染を抑制できる。
　一実施形態として、チップと、本発明のフィルム状焼成材料とを備える、フィルム状焼成材料付チップが得られる。フィルム状焼成材料付チップは、一例として、上記のチップ付基板の製造方法により製造できる。
　なお、上記実施形態では、フィルム状焼成材料のチップとその基板との焼結接合について例示したが、フィルム状焼成材料の焼結接合対象は、上記に例示したものに限定されず、フィルム状焼成材料と接触して焼結させた種々の物品に対し、焼結接合が可能である。
　また、上記実施形態では、ブレード等を用いて半導体ウエハと一緒に個片化することでチップと同形のフィルム状焼成材料として加工することができ、且つフィルム状焼成材料付チップを製造することができる。すなわち、フィルム状焼成材料付チップにおいて、フィルム状焼成材料の接触面とチップの接触面の大きさ（面積）は同じであるが、これらは異なっていてもよい。例えば、フィルム状焼成材料の接触面がチップの接触面よりも大きい状態で、基板とチップとをフィルム状焼成材料を介して貼り合せてもよい。具体的には、基板に所望の大きさのフィルム状焼成材料を配置しておき、該フィルム状焼成材料よりも接触面が小さいチップをフィルム状焼成材料上に貼り付けてもよい。
≪半導体装置の製造方法≫
　次に本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料の利用方法について、該焼成材料を半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。本発明において、半導体装置とは、本実施形態のフィルム状焼成材料を用いて製造される、前記チップ付基板と同義であり、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料を用いて製造することができる。
　本発明の一実施形態として、支持シート付フィルム状焼成材料を用いた半導体装置の製造方法は、本発明に係る支持シート付フィルム状焼成材料を用いた半導体装置の製造方法であって、以下の工程（１）～（４）を、順次行う方法である。
　工程（１）：前記支持シート付フィルム状焼成材料を、半導体ウエハ（ワーク）に貼付して得られた、支持シート、フィルム状焼成材料、及び半導体ウエハ（ワーク）がこの順に積層された積層体の、半導体ウエハ（ワーク）と、フィルム状焼成材料と、をダイシングする工程、
　工程（２）：前記ダイシングされたフィルム状焼成材料と、支持シートとを剥離し、フィルム状焼成材料付チップを得る工程、
　工程（３）：基板の表面に、前記フィルム状焼成材料付チップを貼付する工程、
　工程（４）：前記フィルム状焼成材料付チップのフィルム状焼成材料を焼成し、前記チップと、基板と、を接合する工程。
　以下、上記工程（１）～（４）について説明する。
　半導体ウエハはシリコンウエハ及びシリコンカーバイドウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハの表面には、回路が形成されていてもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面（裏面）を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚さは特に限定はされないが、通常は２０～５００μｍ程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。
　次いで、半導体ウエハの裏面に、上記支持シート付フィルム状焼成材料のフィルム状焼成材料を貼付する。得られた半導体ウエハ／フィルム状焼成材料／支持シートの積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングし、チップ／フィルム状焼成材料／支持シートの積層体を得る。ダイシングは、半導体ウエハとフィルム状焼成材料をともに切断するように行われる。本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であり、ダイシング時において、フィルム状焼成材料と半導体ウエハ、及びフィルム状焼成材料と支持シートの間で粘着力が発揮されるため、チップとびを防止することができ、ダイシング適性に優れる。ダイシングは特に限定はされず、一例として、半導体ウエハのダイシング時には支持シートの周辺部（支持体の外周部）をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法により半導体ウエハの個片化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる支持シートへの切り込み深さは、フィルム状焼成材料を完全に切断していてよく、フィルム状焼成材料と支持シートとの界面から０～３０μｍとすることが好ましい。支持シートへの切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレードの摩擦による支持シートを構成する粘着剤層や基材フィルムの溶融や、バリ等の発生を抑制することができる。また、本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、ダイシング時に焼成材料が飛散するのを抑制することができ、ウエハ汚染を抑制することができる。
　なお、表面に回路が形成された半導体ウエハを個片化したもの（チップ）を特に、素子又は半導体素子ともいう。
　その後、上記支持シートをエキスパンドしてもよい。支持シートの基材フィルムとして、伸張性に優れたものを選択した場合は、支持シートは、優れたエキスパンド性を有する。ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、フィルム状焼成材料と支持シートとを剥離する。この結果、裏面にフィルム状焼成材料を有するチップ（フィルム状焼成材料付チップ）が得られる。本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ前記粘着力（ａ１）が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるため、支持シートからフィルム状焼成材料が剥がれやすくなり、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを容易にピックアップできる。
　続いて、基板の表面に、フィルム状焼成材料付チップを貼付する。基板には、リードフレームやヒートシンクなども含まれる。本実施形態の支持シート付フィルム状焼成材料によれば、フィルム状焼成材料と基板の間でも粘着力が発揮することも期待されるため、チップと基板が焼成前のフィルム状焼成材料で仮固定されている状態で搬送される際に、チップ位置がずれるのを抑制できる。
　次いでフィルム状焼成材料を焼成し、基板とチップとを焼結接合する。このとき、フィルム状焼成材料付チップのフィルム状焼成材料の露出面を、基板に貼付けておけば、フィルム状焼成材料を介してチップと前記基板とを焼結接合できる。
　フィルム状焼成材料を焼成する加熱温度は、フィルム状焼成材料の種類等を考慮して適宜定めればよいが、１００～６００℃が好ましく、１５０～５５０℃がより好ましく、２５０～５００℃がさらに好ましい。加熱時間は、フィルム状焼成材料の種類等を考慮して適宜定めればよいが、５秒～６０分間が好ましく、５秒～３０分間がより好ましく、１０秒～１０分間がさらに好ましい。
　フィルム状焼成材料の焼成は、フィルム状焼成材料に圧をかけて焼成する加圧焼成を行ってもよい。加圧条件は、一例として、１～５０ＭＰａ程度とすることができる。
　本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ダイシング時におけるチップとびを抑制できる。また、チップと基板が焼成前のフィルム状焼成材料で仮固定されている状態で搬送される際に、チップ位置がずれるのを抑制できる。また、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウエハをダイシングにより個片化したチップをピックアップする際に、支持シートからフィルム状焼成材料が剥がれやすくなり、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを容易にピックアップできる。さらに、個片化されたチップ裏面に、フィルム状焼成材料を個別に貼り付けることなくフィルム状焼成材料付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。そして、フィルム状焼成材料付チップを、所望の基板上に配置して焼成することでフィルム状焼成材料を介してチップと基板とが焼結接合されたチップ付基板を製造することができる。本実施形態の半導体装置の製造方法で用いる本発明の支持シート付フィルム状焼成材料は、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）と、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が特定の条件を満たすため、ダイシング時のブレードの摩擦によるチップとびやウエハ汚染が抑制でき、ダイシングされたフィルム状焼成材料付チップを容易にピックアップできる。
　一実施形態として、チップと、フィルム状焼成材料とを備える、フィルム状焼成材料付チップが得られる。フィルム状焼成材料付チップは、一例として、上記の半導体装置の製造方法により製造できる。
　なお、上記実施形態では、フィルム状焼成材料のチップとその基板との焼結接合について例示したが、フィルム状焼成材料の焼結接合対象は、上記に例示したものに限定されず、フィルム状焼成材料と接触して焼結させた種々の物品に対し、焼結接合が可能である。
　また、上記実施形態では、ブレード等を用いて半導体ウエハと一緒に個片化することでチップと同形のフィルム状焼成材料として加工することができ、且つフィルム状焼成材料付チップを製造することができる。すなわち、フィルム状焼成材料付チップにおいて、フィルム状焼成材料の接触面とチップの接触面の大きさ（面積）は同じであるが、これらは異なっていてもよい。例えば、フィルム状焼成材料の接触面がチップの接触面よりも大きい状態で、基板とチップとをフィルム状焼成材料を介して貼り合せてもよい。具体的には、基板に所望の大きさのフィルム状焼成材料を配置しておき、該フィルム状焼成材料よりも接触面が小さいチップをフィルム状焼成材料上に貼り付けてもよい。
　以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
≪実施例１～３、比較例１～４≫
＜焼成材料組成物の製造＞
　焼成材料組成物の製造に用いた成分を以下に示す。ここでは、粒子径１００ｎｍ以下の金属粒子について「焼結性金属粒子」と表記している。
（焼結性金属粒子内包ペースト材料）
・アルコナノ銀ペーストＡＮＰ－１（有機被覆複合銀ナノペースト、応用ナノ粒子研究所社製：アルコール誘導体被覆銀粒子、金属含有量７０質量％以上、平均粒径１００ｎｍ以下の銀粒子（焼結性金属粒子）６０質量％以上）
・アルコナノ銀ペーストＡＮＰ－４（有機被覆複合銀ナノペースト、応用ナノ粒子研究所社製：アルコール誘導体被覆銀粒子、金属含有量８０質量％以上、平均粒径１００ｎｍ以下の銀粒子（焼結性金属粒子）２５質量％以上）
（バインダー成分）
・アクリル重合体１（２－エチルヘキシルメタクリレート重合体、質量平均分子量２６０，０００、Ｌ－０８１８、日本合成化学社製、ＭＥＫ希釈品、固形分５８．４質量％、Ｔｇ：－１０℃）
・アクリル重合体２（２－エチルヘキシルメタクリレート／ｎ－ブチルアクリレート共重合体、共重合質量比率４０／６０、質量平均分子量２８０，０００、Ｌ－０８１８Ｂ、日本合成化学社製、ＭＥＫ希釈品、固形分６０．０質量％、Ｔｇ：－３０℃）
・アクリル重合体３（２－エチルヘキシルメタクリレート／アクリル酸／ｔｅｒ－ブチルメタクリレート共重合体、共重合質量比率４７／１５／３８、質量平均分子量２８０，０００、Ｌ－０８１８Ｃ、日本合成化学社製、ＭＥＫ希釈品、固形分６０．０質量％、Ｔｇ：４１℃）
　なお、アクリル重合体１～３のＴｇは、Ｆｏｘの式を用いた計算値である。
　下記表１に示す配合で、各成分を混合し、実施例１～３及び比較例１～４に対応する焼成材料組成物を得た。表１中の各成分の値は質量部を表す。焼結性金属粒子内包ペースト材料が高沸点溶媒を含んで販売され、且つこれが塗工後もしくは乾燥後のフィルム状焼成用材料中に残存しているため、焼結性金属粒子内包ペースト材料の成分はこれらを含めて記載している。バインダー成分中の溶媒は乾燥時に揮発することを考慮し、溶媒成分を除いた固形分質量部を表す。なお、表１中のカッコ内の数値は、焼成材料組成物の総質量を１００質量％としたときの、焼成材料組成物に含まれる焼結性金属粒子の量（質量％）である。
＜フィルム状焼成材料の製造＞
　剥離フィルム（厚さ３８μｍ、ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１、リンテック社製）の片面に、上記で得られた焼成材料組成物を塗工し、１５０℃１０分間乾燥させることで、表１に示す厚さを有する、フィルム状焼成材料を得た。
＜支持シート付フィルム状焼成材料の製造＞
　上記で得られたフィルム状焼成材料を剥離フィルムと共に直径１５３ｍｍの円形状にカットした。
　実施例１～２及び比較例１～３では、厚さ７０μｍの基材フィルム上に厚さ１０μｍの粘着剤層が積層された支持シートとして、ダイシングシート（Ａｄｗｉｌｌ　Ｇ－０１１、リンテック社製）を用い、該ダイシングシートの粘着剤層面に円形状にカットしたフィルム状焼成材料を貼付し、基材フィルム上に粘着剤層を有するダイシングシート（支持シート）の上に、円形のフィルム状焼成材料と剥離フィルムが積層された支持シート付フィルム状焼成材料を得た。
　実施例３では、基材フィルムからなる支持シートとして、ポリプロピレンからなる層と、エチレン－メタクリル酸共重合物からなる層とがこの順に積層されたダイシングシート（ＨＵＳＬ１３０２、アキレス社製）を用い、該ダイシングシートのポリプロピレンからなる層面に円形状にカットしたフィルム状焼成材料を貼付し、さらに両面に粘着材層を有する両面テープ（Ｇ－０１ＤＦ、リンテック社製）の外径がリングフレーム外径と略同じで、内径がフィルム状焼成材の外径より大きいリング形状にカットされたものを、フィルム状焼成材料の外周部に貼付し、さらにこれの上に保護フィルムとして剥離フィルムを貼付した。これにより基材フィルムからなるダイシングシート（支持シート）の上に、円形のフィルム状焼成材料とフィルム状焼成材料の外側にリングフレーム保持用の両面テープが積層され、さらに全面に剥離フィルムが積層された支持シート付フィルム状焼成材料を得た。
　比較例４では、基材フィルムからなる支持シートとして、剥離フィルム（ＳＰ－ＰＥＴ５０２１５０、リンテック社製）を用い、該剥離フィルムの剥離層面に円形状にカットしたフィルム状焼成材料を貼付し、剥離フィルムの上に、円形のフィルム状焼成材料と剥離フィルムが積層された支持シート付フィルム状焼成材料を得た。
＜フィルム状焼成材料から焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子を除いた成分の分離方法＞
　焼成前のフィルム状焼成材料と、重量で約１０倍量の有機溶媒とを混合したものを、超音波を用いて３０分間以上撹拌し、溶媒可能な成分を充分に溶解させた。その後、これを焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子が沈降するまで、約３０分間、静置した。この上澄み液をシリンジで抜き取り、１２０℃１０分間乾燥した後の残留物を回収することで、フィルム状焼成材料から焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子を除いた成分を分取した。
＜フィルム状焼成材料の測定・評価＞
　上記で得られたフィルム状焼成材料について、下記項目を測定及び評価した。
（厚さの測定）
　ＪＩＳ　Ｋ７１３０に準じて、定圧厚さ測定器（テクロック社製、製品名「ＰＧ－０２」）を用いてフィルム状焼成材料の厚さを測定した。
（引張弾性率及び破断伸度の測定）
　剥離フィルムを剥がしたフィルム状焼成材料を厚さが２００μｍとなるように複数積層し、さらに幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍとなるように切断したものを引張弾性率及び破断伸度測定用の試験片とした。
　得られた試験片をチャック間距離が１０ｍｍとなるように万能型引張試験機（インストロン社製、５５８１型試験機）の所定の箇所に固定した。２３℃での引張弾性率及び破断伸度を測定する場合は、２３℃で、引張速度５０ｍｍ／分で試験片を引っ張ったときの荷重と伸び量を測定した。６０℃での引張弾性率及び破断伸度を測定する場合は、付帯された加熱炉にて試験片を６０℃に加温し、引張速度５０ｍｍ／分で試験片を引っ張ったときの荷重と伸び量を測定した。伸度が０～５％の領域の引っ張り応力の傾きから引張弾性率［ＭＰａ］を求めた。また、試験片が破断したときの伸び量から破断伸度［％］を求めた。結果を表１に示す。
（ガラス転移温度の測定）
　上記の方法でフィルム状焼成材料から焼結性金属粒子及び非焼結性の金属粒子を除いた成分を分離した。
　焼成前のフィルム状焼成材料を構成する成分のうち、金属粒子を除いた成分をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶融し、剥離処理が施されたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、乾燥させてＭＥＫを揮発させることにより、ガラス転移温度測定用のフィルムを作製した。
　得られたガラス転移温度測定用のフィルムについて、動的機械分析装置（ＴＡインスツルメンツ社製、製品名「ＤＭＡ　Ｑ８００」）を用い、昇温速度１０℃／分の条件で１５０℃まで昇温し、貯蔵弾性率Ｅ’と損失弾性率Ｅ”を測定し、これらの比（Ｅ”／Ｅ’）であるｔａｎδを温度に対してプロットした。ｔａｎδの極大を示す温度を、焼成前のフィルム状焼成材料を構成する成分のうち、金属粒子を除いた成分のガラス転移温度とした。結果を表１に示す。
（粘着力（ａ１）の測定） 
　表面を算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０２μｍ以下になるまでケミカルメカニカルポリッシュ処理したシリコンウエハ（科学技術研究所社製、直径：１５０ｍｍ、厚さ：５００μｍ）を粘着対象の被着体として準備した。
　次いで、支持シート付フィルム状焼成材料を、剥離フィルム等の表面保護フィルムを除去した後、シリコンウエハの処理面に５０℃にて貼り合せた。次にフィルム状焼成材料から支持シートを剥離し、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを、暴露したフィルム状焼成材料に貼り合わせて強固に接着（裏打ち）した。このＰＥＴフィルムとフィルム状焼成材料の積層体を幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切込みを入れ切断し、フィルム状焼成材料およびＰＥＴフィルムとからなる積層体がシリコンウエハに貼付されているものを得た。
　得られた積層体を２３℃、相対湿度５０％の雰囲気下に２０分間放置した後、万能型引張試験機（インストロン社製、５５８１型試験機）を用いて、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２０００に準拠して１８０°引き剥がし試験を行った。具体的には、シリコンウエハからＰＥＴフィルムが裏打ちされた各例のフィルム状焼成材料をＰＥＴフィルムごと剥離速度３００ｍｍ／分で剥離させた。このときの剥離は、シリコンウエハ及びフィルム状焼成材料の互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、ＰＥＴフィルムが裏打ちされたフィルム状焼成材料をその長さ方向へ剥離させた。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、その測定値を粘着力（ａ１）［Ｎ／２５ｍｍ］とした。結果を表１に示す。なお、実施例２～３、及び比較例1及び３においては、支持シート付フィルム状焼成材料が、表１に示した値で凝集破壊（フィルム状焼成材料層中で破壊が起こる現象）が生じたため、ａ１の値は、表に示した値よりも大きくなる。
（粘着力（ａ２）の測定）
　各例の支持シート付フィルム状焼成材料を２３℃、相対湿度５０％の雰囲気下に２０分間放置した後、万能型引張試験機（インストロン社製、５５８１型試験機）を用いて、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２０００に準拠して１８０°引き剥がし試験を行った。具体的には、各例の支持シート付フィルム状焼成材料から剥離フィルム等の表面保護フィルムを除去した後、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを、暴露したフィルム状焼成材料に貼り合わせて強固に接着（裏打ち）し、これを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ以上になるように切断した。ＰＥＴフィルムが裏打ちされた支持シート付フィルム状焼成材料からフィルム状焼成材料を、ＰＥＴフィルムごと剥離速度３００ｍｍ／分で剥離させた。このときの剥離は、支持シート及びフィルム状焼成材料の互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、ＰＥＴフィルムに裏打ちされたフィルム状焼成材料をＰＥＴフィルムとともにその長さ方向へ剥離させた。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、その測定値を粘着力（ａ２）［Ｎ／２５ｍｍ］とした。結果を表１に示す。
　なお、支持シートとしてダイシングシート（Ａｄｗｉｌｌ　Ｇ－０１１、リンテック社製）を用いる場合は、該ダイシングシートの粘着剤層と支持シート付フィルム状焼成材料のフィルム状焼成材料とが接するように、ダイシングシートと支持シート付フィルム状焼成材料とを貼り合せた。
（チップ欠け及び焼成材料の削りカスによるウエハ汚染の評価）
　表面を算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０２μｍ以下になるまでケミカルメカニカルポリッシュ処理したシリコンウエハ（科学技術研究所社製、直径：１５０ｍｍ、厚さ：１５０μｍ）を粘着対象の被着体として準備した。
　支持シート付フィルム状焼成材料から剥離フィルムを剥がし、露出したフィルム状焼成材料側の面を、テープマウンター（Ａｄｗｉｌｌ　ＲＡＤ２５００、リンテック社製）を用いて、シリコンウエハの処理面に貼付し、チップ欠け及びウエハ汚染評価用の試験片を得た。
　得られた試験片をダイシング用リングフレーム（ディスコ社製）に装着し、ダイシング装置（ＤＦＤ－６５１、ディスコ社製）を用いて、以下の条件でダイシングを行った。ダイシング後のチップ及びシリコンウエハを実体顕微鏡にて観察した。個片化された各チップについて、１辺が１０μｍ以上の大きさの割れ又は欠けの有無を確認した。また、シリコンウエハ表面へのフィルム状焼成材料の削りカスの付着の有無を確認した。結果を表１に示す。
＜各種条件＞
　・ダイシングブレード：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０－ＳＥ２７ＨＥＣＣ、ディスコ社製
　・ブレード厚さ：０．０３ｍｍ
　・刃出し量：０．７６ｍｍ
　・ブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
　・切断速度：４０ｍｍ／秒
　・切削水量：１．０Ｌ／分
　・切削水温度：２０℃
　・切り込み条件：シリコンウエハとともに、支持シートの基材フィルムがフィルム状焼成材料側の表面より２０μｍの深さまで切り込まれるように実施した。
　・ダイシング条件：各チップが５ｍｍ×５ｍｍとなるように実施した。
（ダイシング適性評価（焼成材料の飛散によるウエハ汚染、チップとび））
　支持シート付フィルム状焼成材料から剥離フィルムを剥がし、露出したフィルム状焼成材料側の面を、テープマウンター（ＡｄｗｉｌｌＲＡＤ２５００、リンテック社製）を用いて、ケミカルメカニカルポリッシュ処理により算術平均粗さＲａが０．０２μｍ以下の表面を持つシリコン被着体部材（１５０ｍｍ径、厚さ５００μｍ、科学技術研究所製）の処理面に貼付した。得られた支持シート付フィルム状焼成材料シートが貼付されたシリコンウエハをダイシング用リングフレーム（ディスコ社製）に装着し、ダイシング装置（ＤＦＤ６５１、ディスコ社製）を用いて、以下のダイシング条件で、シリコン被着体側から切断するダイシング工程を行い、５ｍｍ×５ｍｍの大きさのチップに分割した。ダイシング工程により得られた支持シート付フィルム状焼成材料の支持シート側の面に付着している個片化されたウエハ表面上において、ダイシング工程後に、同ウエハ表面上に支持シート付フィルム状焼成材料が割れてウエハおよび支持シートから剥がれたカスの付着の有無を求めた。さらに目視でダイシング工程中に支持シートから脱落したチップの有無を求めた。
＜ダイシング条件＞
　・ダイシングブレード：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０－ＳＥ２７ＨＥＣＣ、ディスコ社製
　・ブレード厚さ：０．０３ｍｍ
　・刃出し量：０．７６ｍｍ
　・ブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
　・切断速度：４０ｍｍ／秒
　・支持シートの基材への切り込み深さ：２０μｍ
　・切削水量：１．０Ｌ／分
　・切削水温度：２０℃
（ピックアップ工程適性評価）
　上記ダイシング適性評価で得られた、５ｍｍ×５ｍｍの大きさのチップをダイボンダー（ＢＥＳＴＥＭ－Ｄ０２、キャノンマシナリー製）を用いて、以下のピックアップ条件にて、スライダースピード１０ｍｍ／秒で基板にチップを載置した。この際、５０個のチップを載置し、チップが取り上げられずに装置が停止、またはチップが破損してしまうなどのピックアップ不良の発生の有無を確認した。
＜ピックアップ条件＞
　・コレット：ボイドレスタイプ
　・コレットサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ
　・ピックアップ方式：スライダー式（ニードルレスタイプ）
　・スライダー幅：５ｍｍ
　・エキスパンド：３ｍｍ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から明らかなように、実施例１～３のフィルム状焼成材料は、比較例１～３のフィルム状焼成材料と比較し、焼成材料の削りカスによるウエハ汚染及びチップ欠けを抑制できた。
　また、表１から明らかなように、実施例１～３の支持シート付フィルム状焼成材料は、比較例２～４の支持シート付フィルム状焼成材料と比較し、焼成材料の削りカスによるウエハ汚染、焼成材料の飛散によるウエハ汚染及びチップとびを抑制できた。また、実施例１～３の支持シート付フィルム状焼成材料は、比較例１の支持シート付フィルム状焼成材料と比較し、チップ欠け及びピックアップ不良を抑制できた。
　各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。また、本発明は各実施形態によって限定されることはなく、請求項（クレーム）の範囲によってのみ限定される。
　１　フィルム状焼成材料
　２　支持シート
　３　基材フィルム
　４　粘着剤層
　５　リングフレーム
　１０　焼結性金属粒子
　２０　バインダー成分
　１００　支持シート付フィルム状焼成材料
　１００ａ　支持シート付フィルム状焼成材料
　１００ｂ　支持シート付フィルム状焼成材料

Claims (8)

  1. 　焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料であって、
    　焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、
    　６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、フィルム状焼成材料。
  2. 　２３℃における引張弾性率が５．０～２０．０ＭＰａであり、２３℃における破断伸度が３００％以上である、請求項１に記載のフィルム状焼成材料。
  3. 　焼成前のフィルム状焼成材料を構成する成分のうち、金属粒子を除いた成分のガラス転移温度が３０～７０℃である、請求項１又は２に記載のフィルム状焼成材料。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付フィルム状焼成材料。
  5. 　焼結性金属粒子及びバインダー成分を含有するフィルム状焼成材料と、前記フィルム状焼成材料の少なくとも一方の側に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付フィルム状焼成材料であって、前記フィルム状焼成材料の支持シートに対する粘着力（ａ２）が、前記フィルム状焼成材料の半導体ウエハに対する粘着力（ａ１）よりも小さく、かつ、前記粘着力（ａ１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、前記粘着力（ａ２）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、前記支持シート付フィルム状焼成材料。
  6. 　前記フィルム状焼成材料が、焼結性金属粒子の含有量が１５～９８質量％であり、バインダー成分の含有量が２～５０質量％であり、６０℃における引張弾性率が４．０～１０．０ＭＰａであり、６０℃における破断伸度が５００％以上である、請求項４に記載の支持シート付フィルム状焼成材料。
  7. 　前記支持シートが、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたものであり、
    　前記粘着剤層上に、前記フィルム状焼成材料が設けられている、請求項４～６のいずれか一項に記載の支持シート付フィルム状焼成材料。
  8. 　請求項４～７のいずれか一項に記載の支持シート付フィルム状焼成材料を用いた半導体装置の製造方法であって、以下の工程（１）～（４）を順次行う前記方法。
    　工程（１）：前記支持シート付フィルム状焼成材料を、半導体ウエハに貼付して得られた、支持シート、フィルム状焼成材料、及び半導体ウエハがこの順に積層された積層体の、半導体ウエハと、フィルム状焼成材料と、をダイシングする工程、
    　工程（２）：前記ダイシングされたフィルム状焼成材料と、支持シートと、を剥離し、フィルム状焼成材料付チップを得る工程、
    　工程（３）：基板の表面に、前記フィルム状焼成材料付チップを貼付する工程、
    　工程（４）：前記フィルム状焼成材料付チップのフィルム状焼成材料を焼成し、前記フィルム状焼成材料付チップと、基板と、を接合する工程。 
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020241407A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法
TWI878295B (zh) 2019-05-24 2025-04-01 日商琳得科股份有限公司 附支撐片之膜狀燒成材料、輥體、積層體以及半導體裝置之製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7536528B2 (ja) 2020-06-29 2024-08-20 日東電工株式会社 積層体

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014111800A (ja) 2012-12-05 2014-06-19 Nippon Handa Kk ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
JP2015198116A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2015211079A (ja) * 2014-04-24 2015-11-24 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2016121329A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP2017177653A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 東レ株式会社 積層フィルム
JP2018098014A (ja) 2016-12-12 2018-06-21 富士通株式会社 点灯制御システム、点灯制御方法および点灯制御プログラム
JP2018094575A (ja) 2016-12-12 2018-06-21 株式会社向洋技研 溶接機及び溶接システム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4137827B2 (ja) 2004-03-23 2008-08-20 住友ベークライト株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
EP2913372A4 (en) 2012-10-29 2016-06-01 Lintec Corp LIABILITY COMPOSITION AND LIABILITY
KR101551758B1 (ko) * 2012-12-11 2015-09-09 제일모직주식회사 이방 도전성 필름용 조성물 및 이방 도전성 필름
WO2018198570A1 (ja) 2017-04-28 2018-11-01 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
CN111065476B (zh) 2017-09-15 2022-03-01 琳得科株式会社 膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014111800A (ja) 2012-12-05 2014-06-19 Nippon Handa Kk ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
JP2015198116A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2015211079A (ja) * 2014-04-24 2015-11-24 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2016121329A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP2017177653A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 東レ株式会社 積層フィルム
JP2018098014A (ja) 2016-12-12 2018-06-21 富士通株式会社 点灯制御システム、点灯制御方法および点灯制御プログラム
JP2018094575A (ja) 2016-12-12 2018-06-21 株式会社向洋技研 溶接機及び溶接システム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020241407A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法
CN113874984A (zh) * 2019-05-24 2021-12-31 琳得科株式会社 带支撑片的膜状烧成材料、辊体、层叠体及装置的制造方法
KR20220011627A (ko) * 2019-05-24 2022-01-28 린텍 가부시키가이샤 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 롤체, 적층체 및 장치의 제조 방법
JP7571014B2 (ja) 2019-05-24 2024-10-22 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法
KR102769793B1 (ko) * 2019-05-24 2025-02-21 린텍 가부시키가이샤 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 롤체, 적층체 및 장치의 제조 방법
TWI878295B (zh) 2019-05-24 2025-04-01 日商琳得科股份有限公司 附支撐片之膜狀燒成材料、輥體、積層體以及半導體裝置之製造方法

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