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WO2017159589A1 - 有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 Download PDF

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WO2017159589A1
WO2017159589A1 PCT/JP2017/009892 JP2017009892W WO2017159589A1 WO 2017159589 A1 WO2017159589 A1 WO 2017159589A1 JP 2017009892 W JP2017009892 W JP 2017009892W WO 2017159589 A1 WO2017159589 A1 WO 2017159589A1
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WO
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layer
organic
electronic device
sealing
organic electronic
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/009892
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English (en)
French (fr)
Inventor
大道 千葉
小原　禎二
Original Assignee
日本ゼオン株式会社
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Publication date
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Priority to EP17766589.0A priority patent/EP3432690B1/en
Priority to US16/080,750 priority patent/US10553818B2/en
Priority to JP2018505905A priority patent/JPWO2017159589A1/ja
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an organic electronic device sealing body.
  • Organic electroluminescent elements hereinafter, sometimes referred to as “organic EL elements” and organic electronic devices including elements such as organic semiconductor elements may be provided with a sealing member.
  • a sealing member By providing such a sealing member in such a manner as to seal the organic functional element inside the device, it is possible to prevent the organic functional element from being deteriorated by water vapor and oxygen, and thus the performance of the device is lowered. Can be prevented.
  • a sealing member materials such as a flexible sealing material containing a styrene-diene elastomer (Patent Document 1) and an epoxy sealing material having a hydroxyl group (Patent Document 2) are known.
  • a sealing material By using such a sealing material, it is possible to seal the organic functional element, cover the unevenness of the device, and increase the strength of the device.
  • the above-mentioned sealing material has poor adhesion to the base material, so that it does not sufficiently prevent moisture from entering from the interface with the base material, or has a water barrier property due to having a polar group. In other words, there is a problem that the function of preventing the deterioration of the organic functional element due to moisture entering from the outside is insufficient.
  • Patent Document 3 discloses a sealing material for organic functional elements made of a specific block copolymer hydride having an alkoxysilyl group. Since this sealing material has excellent adhesion to the substrate and excellent moisture barrier properties, when used for sealing organic electronic devices, the organic functional elements are well sealed and durable. An organic electronic device encapsulant having excellent performance is provided.
  • JP 2005-129520 A (US2008 / 220245 A1) JP 2006-183002 A WO2014 / 091941 (US2015 / 0307758 A1)
  • An object of the present invention is to industrially manufacture an organic electronic device having an organic functional element such as an organic EL element or an organic semiconductor element by using a sealing material made of a resin having an excellent sealing performance of the organic functional element.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing an organic electronic device sealing body that can be advantageously sealed.
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, a sheet-like sealing material made of a modified hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group and an organic electronic device are stacked and heated and pressurized in an autoclave, thereby following the shape and the sealing material. It has been found that strong adhesion to the substrate of the device can be obtained, and the present invention has been completed.
  • Step [1] A step of obtaining a laminate by stacking the organic electronic device and a sheet-like sealing material
  • Step [2] storing the obtained laminate in a resin bag, degassing the inside of the bag, and then sealing the bag containing the laminate
  • Step [3] A step of bonding and integrating the laminate by placing the sealed bag under a pressure of 0.1 MPa or more,
  • the manufacturing method of the organic electronics device sealing body characterized by having.
  • a modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group is A block copolymer hydride obtained by hydrogenating a block copolymer (i) and a polyolefin, each comprising a polymer block mainly comprising an aromatic vinyl compound and a polymer block mainly comprising a chain conjugated diene compound Resin (ii) (1) or (2) an organic electronics device encapsulated body, which is a modified hydrocarbon soft resin in which an alkoxysilyl group is introduced into at least one hydrocarbon resin selected from Manufacturing method.
  • the block copolymer hydride (i) is At least two polymer blocks (A) mainly comprising a structural unit derived from an aromatic vinyl compound, and at least one polymer block (B) mainly comprising a structural unit derived from a chain conjugated diene compound.
  • a block copolymer (C) comprising the block copolymer of all polymer blocks (B), wherein the weight fraction of the entire polymer block (A) in the entire block copolymer (C) is wA.
  • the ratio of wA to wB wA: wB is 20:80 to 60:40.
  • the manufacturing method of the organic electronics device sealing body which enables industrially advantageous sealing of an organic electronics device provided with organic functional elements, such as an organic EL element and an organic semiconductor element, is provided.
  • organic functional elements such as an organic EL element and an organic semiconductor element.
  • the method for producing an organic electronic device encapsulant of the present invention uses an encapsulant made of a resin having an excellent sealing performance for an organic functional element, and is an industrial organic encapsulant with excellent durability. It is useful as a production method.
  • the organic electronic device sealing body manufactured by the manufacturing method of this invention is excellent in durability.
  • the method for producing an organic electronics device encapsulant of the present invention includes an organic electronics device encapsulant in which a sheet-like encapsulant made of a modified hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group is bonded and integrated with an organic electronics device.
  • the manufacturing method is characterized by having the following steps [1] to [3].
  • Step [1] Step of obtaining a laminate by stacking an organic electronic device and a sheet-shaped sealing material
  • the obtained laminate is accommodated in a resin bag, and the inside of the bag is deaerated.
  • the step [3] of sealing the bag containing the laminate, the step of bonding and integrating the laminate by placing the sealed bag under a pressure of 0.1 MPa or more.
  • Organic Electronics Device used in the present invention has an organic functional element such as an organic EL element or an organic semiconductor element, and a substrate having a sealing ability as an organic functional element that exhibits the function of the device. According to the manufacturing method of the present invention, an organic electronic device having a form in which an organic functional element is sealed with such a substrate and a sealing material is obtained.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an assembly constituting an organic electronic device including components such as an organic EL element used in the manufacturing method of the present invention.
  • an assembly 100 includes a substrate 101, a first electrode layer 102 formed in a number of strips on the upper surface 101U of the substrate 101, an edge cover layer 103 formed around the first electrode layer 102, a first electrode layer 102, The light-emitting layer 104 provided over one electrode layer 102 and the second electrode layer 105 provided over the light-emitting layer 104 are included.
  • the first electrode layer 102, the light emitting layer 104, and the second electrode layer 105 constitute a light emitting element, and the light emitting layer can emit light by energizing the first and second electrode layers.
  • examples of the material of the substrate include a flexible substrate made of a flexible transparent plastic such as polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and alicyclic olefin polymer; glass such as quartz, soda glass, inorganic alkali glass, etc. A substrate; and the like.
  • the light-emitting layer is not particularly limited and can be appropriately selected from known ones. However, in order to suit the use as a light source, light containing a desired peak wavelength can be obtained by using a single layer alone or a combination of a plurality of layers. Can emit light.
  • the material which comprises the 1st and 2nd electrode layer is not specifically limited, The known material used as an electrode of an organic EL element can be selected suitably.
  • One of the first and second electrode layers can be an anode and the other can be a cathode. By using one of the first electrode layer and the second electrode layer as a transparent electrode and the other as a reflective electrode, light emission from the transparent electrode side can be achieved. Further, both the first electrode layer and the second electrode layer can be transparent electrodes. Examples of the material for the transparent electrode include a metal thin film, ITO (indium tin oxide), IZO (indium oxide-zinc oxide), SnO 2 , ZnO—Al, ZnO—Ga, and the like.
  • Examples of the material for the reflective electrode layer include Ag and Al. Between the first electrode layer and the second electrode layer, in addition to the light emitting layer, an arbitrary layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a gas barrier layer may be further included. it can. These layers can also be components of the light emitting element.
  • composition of anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode Composition of anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, Composition of anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode, Composition of anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, Composition of anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / equipotential surface forming layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, Structure of anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / charge generation layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, Etc.
  • the light emitting element in the organic electronic device used in the production method of the present invention may have one or more light emitting layers between the anode and the cathode. Further, the light emitting layer may have a laminate of layers having different emission colors or a mixed layer in which a different dye is doped in a certain dye layer.
  • Examples of the material constituting the light emitting layer include polyparaphenylene vinylene-based, polyfluorene-based, and polyvinyl carbazole-based materials.
  • Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include phthalocyanine-based, arylamine-based, and polythiophene-based materials.
  • Examples of the material for the electron injection layer and the electron transport layer include an aluminum complex and lithium fluoride.
  • Examples of materials for the equipotential surface forming layer and the charge generation layer include transparent electrodes such as ITO, IZO, and SnO 2 and metal thin films such as Ag and Al.
  • Arbitrary layers constituting the first electrode layer, the light emitting layer, the second electrode layer, and the other light emitting elements can be provided by sequentially stacking them on a substrate.
  • the thickness of each of these layers can be 10 to 1000 nm.
  • the assembly 100 may further include an optional component such as a wiring for energizing the electrode layer.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing an example of a resin-sealed organic electronics device sealing body made of the assembly and a sealing material layer manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • the organic electronic device sealing body 10 includes an assembly 100 and a sealing material layer 151 provided on the upper surface 101U side of the assembly 100.
  • the sealing material layer 151 is a sealing material made of a hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group used in the present invention, the moisture barrier property is excellent. As a result, good sealing is achieved and the durability of the device is increased. Furthermore, the unevenness of the assembly 100 is covered by the soft performance of the sealing material, and as a result, the strength of the device can be increased.
  • a method for providing the sealing material layer 151 on the assembly 100 a method is adopted in which a sheet-shaped sealing material is superposed on a substrate on which an organic functional element is mounted, and is pressed and pressure-bonded in an autoclave.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view schematically showing another example of a resin-sealed organic electronic device sealing body manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • the organic electronic device sealing body 20 includes an assembly 100, a temporary sealing layer 152 provided on the upper surface 101 U side of the assembly 100, and a sealing material layer provided on the temporary sealing layer 152. 151.
  • Examples of the material of the temporary sealing layer 152 include materials containing silicon such as silicon nitride (SiN) and silicon oxide (SiO).
  • the temporary sealing layer 152 has a thickness of about 0.2 to 1 ⁇ m.
  • the temporary sealing layer 152 can be formed by a film formation method such as vapor deposition under the same conditions as the light emitting layer 104 and the second electrode layer 105 under a reduced pressure environment. By continuously providing the light emitting layer 104, the second electrode layer 105, and the temporary sealing layer 152 in a reduced pressure environment, deterioration of the light emitting layer can be effectively suppressed.
  • the sealing body which can endure under the use environment of a device can be obtained by taking out these from the pressure-reduced environment, and sealing with the sealing material layer 151.
  • FIG. Thereby, it is possible to obtain a device in which the deterioration of the element at the time of manufacture is small and the state is maintained for a long time even in the use environment.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing still another example of a resin-sealed organic electronics device sealing body manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • the organic electronic device sealing body 30 includes an assembly 100, a temporary sealing layer 152 provided on the upper surface 101U side of the assembly 100, and an adsorbent layer 153 provided on the temporary sealing layer 152. And a sealing material layer 151 provided on the adsorbent layer 153.
  • an organoaluminum complex can be given.
  • the thickness of the adsorbent layer 153 is about 0.1 to 1 ⁇ m.
  • the sealing property can be further strengthened. For example, a gas component that can be slightly released from the sealing material layer 151 can be adsorbed to further prevent deterioration of the light-emitting layer 104 and the like.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing an example of a resin-sealed organic electronics device sealing body made of the assembly, the sealing material layer, and the protective layer, manufactured by the manufacturing method of the present invention. is there.
  • the organic electronic device sealing body 40 includes an assembly 100, a sealing material layer 151 provided on the upper surface 101U side of the assembly 100, and a protective layer 154 on the upper surface thereof.
  • the light-emitting layer 104 is sealed with the substrate 101, the sealing material layer 151, and the protective layer 154.
  • the sealing material layer 151 is a sealing material made of a hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group used in the present invention, the moisture barrier property is excellent. As a result, good sealing is achieved and the durability of the device is increased. Furthermore, the unevenness of the assembly 100 is covered by the soft performance of the sealing material, and as a result, the strength of the device can be increased.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view schematically showing still another example of an organic electronic device sealing body including components such as a resin-sealed organic semiconductor manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • the organic electronic device sealing body 50 includes an assembly 500 and a sealing material layer 507 provided on the upper surface of the assembly 500.
  • the assembly 500 is provided on the top surface of the substrate 501, the gate electrode 502 provided on the top surface of the substrate 501, the gate electrode insulating layer 503 provided on the top surface of the substrate 501 and the gate electrode 502, and the gate electrode insulating layer 503.
  • a semiconductor layer 506, a source electrode 504, and a drain electrode 505 are included.
  • the material of the element which comprises the organic electronics device sealing body 50, thickness, and a manufacturing method it does not specifically limit but a well-known thing is employable.
  • the material of the substrate 501 is not particularly limited, and is a flexible substrate made of a flexible plastic such as polycarbonate, polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and alicyclic olefin polymer; quartz, soda glass, inorganic alkali glass, Glass substrates such as silicon wafers, silicon carbide wafers, sapphire wafers, compound semiconductor wafers, and the like.
  • a flexible plastic such as polycarbonate, polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and alicyclic olefin polymer
  • quartz soda glass
  • inorganic alkali glass Glass substrates such as silicon wafers, silicon carbide wafers, sapphire wafers, compound semiconductor wafers, and the like.
  • the gate electrode 502 can be formed using a conductive material.
  • Conductive materials include platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, tin oxide, Antimony, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped zinc oxide, zinc, carbon, graphite, glassy carbon, silver paste, and carbon paste, lithium, beryllium, magnesium, potassium, calcium, scandium, titanium, manganese, zirconium, Gallium, niobium, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide Arm mixtures, and lithium / aluminum mixture and the like.
  • a known conductive polymer whose conductivity is improved by doping for example, conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene (polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid complex, etc.) can also be used as the conductive material. .
  • conductive polyaniline conductive polypyrrole
  • conductive polythiophene polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid complex, etc.
  • chromium and molybdenum are preferable, and chromium is more preferable.
  • the gate electrode 502 is formed in a predetermined pattern on the substrate 501 by, for example, forming the above-described conductive material on the substrate 501 by a sputtering method or the like and then performing an etching process.
  • the material of the gate electrode insulating layer 503 is preferably one having sealing properties, moisture resistance, insulation properties, and chemical resistance.
  • thermoplastic resins such as polyimide, polyester, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyethylene, polyethylene terephthalate, and polyether sulfone can be exemplified, but the same resin as the sealing material layer 507 can also be used.
  • the semiconductor layer 506 can be formed using an organic semiconductor.
  • organic semiconductors pentacene, naphthacene, thiophene oligomer, perylene, p-sexiphenyl, and derivatives thereof, naphthalene, anthracene, rubrene and derivatives thereof, coronene, and derivatives thereof, metal-containing / non-containing phthalocyanines And low molecular semiconductors such as derivatives thereof; polymer semiconductors such as polyalkylthiophene based on thiophene and fluorene, polyalkylfluorene and derivatives thereof; and the like.
  • the semiconductor layer 506 is formed by, for example, forming the above-described organic semiconductor layer on the gate electrode insulating layer 503 by a coating method, a CVD method, or the like, and then patterning the gate electrode insulating layer 503 into a predetermined pattern shape. Is done.
  • the source electrode 504 and the drain electrode 505 can be formed of a conductive material.
  • the conductive material the same material as the above-described gate electrode 502 can be used.
  • the source electrode 504 and the drain electrode 505 are formed in a predetermined pattern on the semiconductor layer 506 by, for example, forming the above-described conductive material layer on the semiconductor layer 506 by a sputtering method or the like and then performing an etching process. Is done.
  • an organic electronic device sealing body 50 as an organic semiconductor includes a sealing material layer 507 provided on the upper surface 501U side of the assembly 500.
  • the semiconductor layer 506, the source electrode 504, and the drain electrode 505 are sealed with the gate electrode insulating layer 503 and the sealing material layer 507.
  • the sealing material layer 507 is a sealing material layer made of a hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group used in the present invention, the moisture barrier property is excellent. As a result, good sealing is achieved and the durability of the device is increased. Furthermore, the unevenness of the assembly 500 is covered by the soft performance of the sealing material, and as a result, the strength of the device can be increased.
  • the sealant used in the present invention is a sheet-like sealant made of a modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group.
  • the modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group is one in which an alkoxysilyl group is introduced by reacting a hydrocarbon soft resin with an ethylenically unsaturated silane compound in the presence of an organic peroxide. is there.
  • an alkoxysilyl group By introducing an alkoxysilyl group into the hydrocarbon-based soft resin, the hydrocarbon-based soft resin is imparted with strong adhesion to a glass substrate or a plastic substrate.
  • the modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group has a storage elastic modulus G ′ in the dynamic viscoelastic property of 25 ° C., usually 1 ⁇ 10 6 Pa to 1 ⁇ 10 9 Pa, preferably 1 ⁇ 10. It is a soft resin of 7 Pa or more and 5 ⁇ 10 8 Pa or less.
  • the storage elastic modulus G ′ is measured using a known dynamic viscoelasticity measuring device, for example, a viscoelasticity measuring device (ARES, manufactured by T.A.
  • the hydrocarbon-based soft resin used as a raw material for the sealing material used in the present invention includes a polymer block [polymer block (A)] having a structural unit derived from an aromatic vinyl compound as a main component and a chain conjugated diene compound.
  • Block copolymer hydride (i) obtained by hydrogenating a block copolymer [block copolymer (C)] comprising a polymer block [polymer block (B)] having a structural unit derived from the main component
  • the block copolymer hydride (i) is a polymer obtained by hydrogenating the block copolymer (C).
  • the number of polymer blocks (A) in the block copolymer (C) is usually 3 or less, preferably 2 and the number of polymer blocks (B) is usually 2 or less, preferably 1 It is.
  • the form of the block of the block copolymer (C) may be a chain type block or a radial type block, but a chain type block is preferred because of its excellent mechanical strength.
  • the most preferred form of the block copolymer (C) is a triblock copolymer of the (A)-(B)-(A) type in which the polymer block (A) is bonded to both ends of the polymer block (B). It is.
  • the plurality of polymer blocks (A) may be the same as or different from each other.
  • the polymer blocks (B) may be the same as or different from each other.
  • the molecular weight of the block copolymer (C) is a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a solvent, and is usually 30,000 or more. Preferably it is 35,000 or more, More preferably, it is 40,000 or more, Usually 150,000 or less, Preferably it is 100,000 or less, More preferably, it is 70,000 or less. Moreover, it is 30,000 or more and 150,000 or less normally, Preferably it is 35,000 or more and 100,000 or less, More preferably, it is 40,000 or more and 70,000 or less.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the block copolymer (C) is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, and particularly preferably 1.5 or less. When Mw and Mw / Mn are within the above ranges, a sealing material with good sealing properties and mechanical strength can be obtained.
  • the block copolymer (C) has a ratio wA: wB of wA: wB of 20: 80-60: 40, preferably 25: 75-55: 45, more preferably 30: 70-50: 50. is there. If the ratio wA: wB is within this range, a sealing material having good sealing properties and heat resistance can be obtained.
  • the polymer block (A) of the block copolymer (C) is mainly composed of an aromatic vinyl compound, and the content of the structural unit derived from the aromatic vinyl compound in the polymer block (A) is Usually, it is 95% by weight or more, preferably 97% by weight or more, more preferably 99% by weight or more.
  • the polymer block (A) can contain a structural unit derived from a chain conjugated diene and / or a structural unit derived from another vinyl compound as a component other than the structural unit derived from the aromatic vinyl compound.
  • the content is usually 5% by weight or less, preferably 3% by weight or less, more preferably 1% by weight or less.
  • aromatic vinyl compound examples include styrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2,4-diisopropylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 4-t-butylstyrene, Examples thereof include 5-t-butyl-2-methylstyrene, 4-monochlorostyrene, dichlorostyrene, 4-monofluorostyrene, 4-phenylstyrene and the like. Among them, those having no polar group are preferable in terms of low dielectric constant and low hygroscopicity, and styrene is particularly preferable from the viewpoint of industrial availability.
  • chain conjugated diene and other vinyl compounds that can be copolymerized examples include those similar to the chain conjugated diene and other vinyl compounds that form the structural unit of the polymer block (B) described later.
  • the polymer block (B) is mainly composed of a chain conjugated diene compound, and the content of the structural unit derived from the chain conjugated diene compound in the polymer block (B) is usually 95% by weight or more, Preferably it is 97 weight% or more, More preferably, it is 99 weight% or more.
  • Components other than the structural unit derived from the chain conjugated diene compound in the polymer block (B) may include a structural unit derived from an aromatic vinyl compound and / or a structural unit derived from another vinyl compound. Its content is usually 5% by weight or less, preferably 3% by weight or less, more preferably 1% by weight or less.
  • chain conjugated diene compound examples include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene and the like.
  • a chain conjugated diene compound containing no polar group is preferred from the viewpoint of hygroscopicity, and 1,3-butadiene and isoprene are particularly preferred from the viewpoint of industrial availability.
  • vinyl compounds include chain vinyl compounds, cyclic vinyl compounds, unsaturated cyclic acid anhydrides, unsaturated imide compounds, and the like. These compounds may have a substituent such as a nitrile group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxycarbonyl group, or a halogen atom.
  • the block copolymer hydride (i) is a polymer obtained by hydrogenating the block copolymer (C).
  • the hydrogenation rate thereof Is usually 90% or more, preferably 97% or more, more preferably 99% or more. As the hydrogenation rate is higher, a sealing material having better oxidation resistance and light resistance can be obtained.
  • the block copolymer hydride (i) is obtained by hydrogenating the carbon-carbon unsaturated bond of the main chain and the side chain of the block copolymer (C) and the carbon-carbon unsaturated bond of the aromatic ring.
  • the hydrogenation rate of the carbon-carbon unsaturated bonds in the main chain and the side chain is usually 90% or higher, preferably 97% or higher, more preferably 99% or higher.
  • the hydrogenation rate of the carbon unsaturated bond is usually 90% or more, preferably 97% or more, more preferably 99% or more.
  • the hydrogenation rate of all unsaturated bonds (carbon-carbon unsaturated bonds in the main and side chains and carbon-carbon unsaturated bonds in the aromatic ring) of the block copolymer (C) is usually 90% or more, preferably Is 97% or more, more preferably 99% or more. As the hydrogenation rate is higher, a sealing material having better oxidation resistance and light resistance can be obtained.
  • the hydrogenation rate of the block copolymer hydride (i) can be determined by measuring 1 H-NMR of the block copolymer hydride (ia).
  • the block copolymer hydride (i) can be produced according to a known method.
  • Block copolymer hydride obtained by selectively hydrogenating only the non-aromatic carbon-carbon unsaturated bonds in the main chain and side chain of a polymer block mainly composed of a structural unit derived from a chain conjugated diene compound (ip ) Can be produced, for example, according to the methods described in JP-A-59-133203, JP-A-60-079005, JP-A-61-028507, and the like.
  • the aromaticity and non-aromaticity of the main chain and side chain of the polymer block mainly composed of a structural unit derived from an aromatic vinyl compound and the polymer block mainly composed of a structural unit derived from a chain conjugated diene compound
  • the block copolymer hydride (ia) obtained by hydrogenating a carbon-carbon unsaturated bond of a family is, for example, a method described in WO 1996/34896 pamphlet, WO 2003/018656 pamphlet, WO 2012/043708 pamphlet, etc. Can be manufactured according to.
  • the block copolymer hydride (i) is a block copolymer in which both aromatic and non-aromatic carbon-carbon unsaturated bonds in the main chain and side chain are hydrogenated from the viewpoint of light resistance and heat resistance. Polymer hydrides (ia) are preferred.
  • block copolymer hydrides ia
  • at least two polymer blocks (A) mainly comprising a structural unit derived from an aromatic vinyl compound from the viewpoint of sealing properties and heat resistance of the organic electronic device
  • a block copolymer (C) comprising a structural unit derived from a chain conjugated diene compound as a main component and comprising at least one polymer block (B), wherein the entire polymer block (A) is a block copolymer.
  • Block weight Body hydride is more preferable.
  • Block copolymer hydride produced by hydrogenating 90% or more of carbon-carbon unsaturated bonds in the main chain and side chain and carbon-carbon unsaturated bonds in the aromatic ring of block copolymer (C) in this range Since (ia) has flexibility, the obtained sealing material can reduce damage to the organic EL element and the like.
  • the molecular weight of the block copolymer hydride (i) is a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured by GPC using THF as a solvent, and is usually 30,000 or more, preferably 35,000 or more, more preferably. It is 40,000 or more, usually 150,000 or less, preferably 100,000 or less, more preferably 70,000 or less. Moreover, it is 30,000 or more and 150,000 or less normally, Preferably it is 35,000 or more and 100,000 or less, More preferably, it is 40,000 or more and 70,000 or less.
  • Mw polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by GPC using THF as a solvent
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the block copolymer hydride (i) is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, and particularly preferably 1.5 or less. When Mw and Mw / Mn are within the above ranges, a sealing material with good sealing properties and mechanical strength can be obtained.
  • Polyolefin resin (ii) As the polyolefin resin (ii), a (co) polymer having a melting point of 90 ° C. or more and 140 ° C. or less obtained by polymerizing ethylene and / or an ⁇ -olefin having 3 to 10 carbon atoms can be used.
  • the ⁇ -olefin having 3 to 10 carbon atoms include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 4-methyl-1-pentene, vinylcyclohexane, and the like. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the method for synthesizing the polyolefin is not particularly limited, and a general method is employed.
  • the melting point is 90 ° C. or more and 140 ° C. or less, preferably 100 ° C., among commercially available polyolefins produced using one or more olefins selected from the group consisting of ethylene and ⁇ -olefins having 3 to 10 carbon atoms.
  • a material having a temperature not lower than 130 ° C and not higher than 130 ° C can be selected and used.
  • a polyolefin having a melting point of less than 90 ° C. is used, the heat resistance as a sealing material for organic electronics devices is inferior.
  • the sealing method for organic electronics devices of the present invention There is a possibility that the sealing performance is inferior.
  • polyolefins that can be used include low density polyethylene, high density polyethylene, ethylene / vinyl acetate copolymer, polypropylene, ethylene / propylene copolymer, ethylene / octene copolymer, poly-4-methylpentene, and the like. It is done.
  • Modified hydrocarbon soft resin having alkoxysilyl group The modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group reacts a block copolymer hydride (i) and / or a polyolefin resin (ii) with an ethylenically unsaturated silane compound in the presence of an organic peroxide. Can be manufactured.
  • alkoxysilyl group to be introduced examples include tri (C1-C6 alkoxy) silyl groups such as trimethoxysilyl group and triethoxysilyl group; methyldimethoxysilyl group, methyldiethoxysilyl group, ethyldimethoxysilyl group, ethyl (C1-C20 alkyl) di (C1-C6 alkoxy) silyl group such as diethoxysilyl group, propyldimethoxysilyl group, propyldiethoxysilyl group; phenyldimethoxysilyl group, phenyldiethoxysilyl group, etc.
  • tri (C1-C6 alkoxy) silyl groups such as trimethoxysilyl group and triethoxysilyl group
  • alkoxysilyl group may be bonded to the hydrocarbon-based soft resin via a divalent organic group such as an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or an alkyleneoxycarbonylalkylene group having 2 to 20 carbon atoms. good.
  • the introduction amount of the alkoxysilyl group into the hydrocarbon soft resin is usually 0.1 parts by weight or more, preferably 0.2 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the hydrocarbon soft resin.
  • the amount is usually 10 parts by weight or less, preferably 5 parts by weight or less, more preferably 3 parts by weight or less.
  • it is 0.1 to 10 weight part normally, Preferably it is 0.2 to 5 weight part, More preferably, it is 0.5 to 3 weight part.
  • the resulting modified hydrocarbon-based soft resin undergoes cross-linking between alkoxysilyl groups decomposed with a small amount of moisture during storage, gelling, and fluidity during melt molding Or the adhesiveness as a sealing material may be reduced.
  • substrate of an organic electronics device may fall.
  • the ethylenically unsaturated silane compound to be used is not particularly limited as long as it is graft-polymerized with a hydrocarbon soft resin to introduce an alkoxysilyl group into the hydrocarbon soft resin.
  • vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acrylic Loxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxy Silane and the like are preferably used.
  • ethylenically unsaturated silane compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the ethylenically unsaturated silane compound used is usually 0.1 parts by weight or more, preferably 0.2 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the hydrocarbon soft resin.
  • the amount is usually 10 parts by weight or less, preferably 5 parts by weight or less, more preferably 3 parts by weight or less.
  • it is 0.1 to 10 weight part normally, Preferably it is 0.2 to 5 weight part, More preferably, it is 0.5 to 3 weight part.
  • the peroxide those having a one-minute half-life temperature of 170 ° C. or higher and 190 ° C. or lower are preferably used.
  • t-butyl cumyl peroxide, dicumyl peroxide, di-t-hexyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, di-t-butyl peroxide, Di (2-t-butylperoxyisopropyl) benzene or the like is preferably used.
  • These peroxides may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the peroxide used is usually 0.05 to 2 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight, more preferably 0. 2 parts by weight or more and 0.5 parts by weight or less.
  • the method for reacting the hydrocarbon soft resin and the ethylenically unsaturated silane compound in the presence of a peroxide is not particularly limited.
  • an alkoxysilyl group can be introduced into the hydrocarbon-based soft resin by kneading for a desired time at a desired temperature in a biaxial kneader.
  • the kneading temperature by the biaxial kneader is usually 180 ° C. or higher and 220 ° C. or lower, preferably 185 ° C. or higher and 210 ° C. or lower, more preferably 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.
  • the heating and kneading time is usually about 0.1 to 10 minutes, preferably about 0.2 to 5 minutes, more preferably about 0.3 to 2 minutes. What is necessary is just to knead
  • the form of the produced modified hydrocarbon soft resin having an alkoxysilyl group is not limited, it can be usually made into a pellet shape and used for the subsequent production of the sealing material.
  • the sealing material used in the present invention contains the above-described modified hydrocarbon soft resin as a main component.
  • the content of the modified hydrocarbon soft resin in the sealing material used in the present invention is usually 70% by weight or more, preferably 75% by weight or more, more preferably 80% by weight or more with respect to the sealing material. .
  • additives can be blended in addition to the modified hydrocarbon soft resin as a main component.
  • Additives that can be blended include a softening agent for adjusting the adhesive temperature and adhesion to the device and the substrate, an antioxidant and a light stabilizer for improving durability, and the like.
  • the softener can be blended with the modified hydrocarbon soft resin to adjust the flexibility of the sealing material to a preferable range.
  • the softening agent those that can be uniformly dissolved or dispersed in the modified hydrocarbon soft resin are preferable, and hydrocarbon polymers having a low molecular weight (number average molecular weight of 300 to 5,000) are preferable.
  • hydrocarbon polymer examples include polyisobutylene, polybutene, poly-4-methylpentene, poly-1-octene, low molecular weight compounds such as ethylene / ⁇ -olefin copolymer and hydrides thereof; polyisoprene, Examples thereof include low molecular weight substances (number average molecular weights of 300 to 5,000) such as polyisoprene-butadiene copolymers and hydrides thereof.
  • a softener can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • a low molecular weight polyisobutylene hydride and a low molecular weight polyisoprene hydride are particularly preferable in terms of maintaining transparency and light resistance and being excellent in softening effect.
  • the blending amount of the softening agent is usually 25 parts by weight or less, preferably 20 parts by weight or less, more preferably 15 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the hydrocarbon soft resin.
  • the blending amount of the softening agent is usually 25 parts by weight or less, preferably 20 parts by weight or less, more preferably 15 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the hydrocarbon soft resin.
  • antioxidant and light stabilizer phosphorus antioxidants, phenol antioxidants, sulfur antioxidants, hindered amine light stabilizers and the like can be used. These antioxidants and light stabilizers can be used alone or in combination of two or more.
  • the compounding amount of the additive is usually 3 parts by weight or less, preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less with respect to 100 parts by weight of the modified hydrocarbon soft resin.
  • a known method generally used as a method for producing a resin composition can be applied.
  • the modified hydrocarbon soft resin and additives are mixed evenly using a mixer such as a tumbler mixer, ribbon blender, Henschel type mixer, etc., and then melted by a continuous melt kneader such as a twin screw extruder.
  • a modified hydrocarbon soft resin blended with an additive can be produced by mixing and extruding into a pellet.
  • the sealing material used in the present invention is formed into a sheet prior to use.
  • the thickness of the sheet is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and particularly preferably 30 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the sheet-like sealing material is usually prepared as a long sheet, and the organic electronic device is sealed using this sheet.
  • the method for producing the sheet is not particularly limited, and the sheet is usually formed by a melt extrusion molding method.
  • the “long” means a sheet having a length of at least about 5 times the width direction of the sheet, preferably a length of 10 times or more, for example, in a roll shape. It has a length that can be wound and stored or transported.
  • Process [1] in the manufacturing method of the organic electronics device sealing body of the present invention is a process of stacking an organic electronics device and a sheet-shaped sealing material to produce a laminate.
  • the laminate can be obtained by stacking a sheet-like sealing material on the surface on which the organic functional element of the organic electronic device before resin sealing is disposed so that the organic functional element is completely covered.
  • a transparent glass sheet, a transparent plastic sheet, or the like as a barrier layer can be further stacked.
  • Step [2] in the method for producing an organic electronic device sealed body of the present invention includes the step of storing the laminate produced in Step [1] inside a resin bag and degassing the inside of the resin bag. This is a step of sealing the resin bag containing the laminate.
  • the resin bag used in the sealing method of the present invention may be any bag as long as the opening can be sealed by heat sealing or the like after accommodating the laminate and degassing the inside.
  • Examples of the resin constituting the bag include polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), nylon (NY), and the like.
  • the resin bag may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the layer structure of the multilayer bag include PET layer / adhesive layer / PE layer, PET layer / adhesive layer / PP layer, NY layer / adhesive layer / PE layer, NY layer / adhesive layer / PP layer, PET Layer / adhesive layer / NY layer / adhesive layer / PP layer, and the like.
  • the composition is preferable because it has high heat resistance and can increase the molding temperature of the organic electronic device, and the NY layer / adhesive layer / PP layer is particularly preferable because it has excellent puncture resistance.
  • the thickness of the resin bag is usually 30 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, preferably 40 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, and more preferably 50 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less in both cases of a single layer structure and a multilayer structure.
  • the thickness of each layer in the case of a multilayer structure is not particularly limited and may be appropriately selected.
  • a thin film having a thickness of 100 ⁇ m or less is used.
  • a resin-made bag that can be sealed a commercially available bag for a vacuum pack of food or the like can be used.
  • step [2] (a) First, a laminate in which the organic electronic device produced in the step [1] and a sheet-like sealing material, and if necessary, a glass sheet or a plastic sheet as a barrier layer are stacked, It is accommodated inside the resin bag.
  • a laminate in which the organic electronic device produced in the step [1] and a sheet-like sealing material, and if necessary, a glass sheet or a plastic sheet as a barrier layer are stacked, It is accommodated inside the resin bag.
  • accommodation the laminate inside the bag an aspect of putting the laminate into the bag from the opening of the resin bag, placing the laminate on one resin sheet, After covering another resin sheet thereon, the outer peripheral portion of the two resin sheets is heat-sealed leaving an opening, and as a result, the laminate is accommodated in the bag.
  • a method for degassing the inside of the bag is not particularly limited, and examples thereof include a method using a vacuum pump, a suction pump, or the like.
  • the bag whose inside is deaerated is sealed.
  • the method of sealing is not specifically limited, The method of using a heat sealer, an infrared welder, an ultrasonic welder, etc. is mentioned. Moreover, a commercially available vacuum packer, a vacuum packaging machine, etc. can also be used.
  • Step [3] in the method for producing an organic electronic device encapsulant of the present invention is a method in which a bag containing the laminate prepared in step [2] and sealed is pressurized and heated to bond and integrate the laminate. This is a process for manufacturing an organic electronic device sealed with a stopper.
  • the sealed bag containing the laminate is usually 0.1 MPa or more, preferably 0.1 MPa or more and 2.0 MPa or less, more preferably 0.2 MPa or more and 1.5 MPa or less, and still more preferably. Is placed under pressure of 0.4 MPa or more and 1.0 MPa or less. If it is the pressure of this range, since the autoclave currently sold for the manufacture of a laminated glass etc. can be utilized, it is preferable.
  • the heating temperature is within the range of the temperature that the organic functional element to be sealed can withstand or the temperature of the material of the resin bag.
  • the heating temperature depends on the type of organic functional element to be sealed and the type of resin bag, but is usually 80 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, preferably 90 ° C. or higher and 140 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or higher and 130 ° C. It is as follows.
  • the pressure or the pressure heating time is usually 10 to 100 minutes, preferably 15 to 70 minutes, more preferably 20 to 40 minutes, depending on conditions and the like.
  • an organic electronic device sealed with a sealing material with few defects such as remaining bubbles and poor adhesion and excellent sealing performance can be easily produced.
  • the method of pressurizing or heating under pressure is not particularly limited, a method using an autoclave, a heat-pressure curing apparatus, a steam sterilization apparatus or the like is preferable. When these pressurization apparatuses are used, since a large number of organic electronic devices can be filled in the apparatus at a time for sealing treatment, industrial productivity is excellent.
  • the resin bag can be taken out from the pressure device or the like, and the organic electronic device sealing body sealed with the sealing material can be taken out from the resin bag and can be used.
  • the packaging for protecting the organic electronics device encapsulant sealed with the encapsulant is omitted, and the product is handled while sealed in a resin bag. It is also effective for cost reduction.
  • Evaluation in this example is performed by the following method.
  • Mw Weight average molecular weight
  • Mw / Mn molecular weight distribution
  • the molecular weights of the block copolymer and the hydride of the block copolymer were measured at 38 ° C. as standard polystyrene equivalent values by GPC using THF as an eluent.
  • THF as an eluent.
  • HLC8020GPC manufactured by Tosoh Corporation was used.
  • Hydrogenation rate The hydrogenation rate of the main chain, side chain and aromatic ring of the block copolymer hydride was calculated by measuring a 1 H-NMR spectrum.
  • Assembly (1) including a white organic EL element The structure of the assembly with a temporary sealing layer (1) including the white organic EL element is roughly a structure including the assembly 100 and the temporary sealing layer 152 shown in FIG. However, not only one light emitting layer but also a hole transport layer, a plurality of light emitting layers, an electron transport layer, and a buffer layer were provided between the first electrode and the second electrode.
  • An ITO layer was formed by vapor deposition (under reduced pressure of 10 ⁇ 4 Pa) on a glass substrate 101 having a light transmittance of 110 mm in length, 65 mm in width, and 0.7 mm in thickness.
  • This ITO layer was formed by photolithography to form a strip shape having a thickness of 0.25 ⁇ m, a width of 500 ⁇ m, and a length of 10 mm, and a transparent anode as the first electrode layer 102 was formed.
  • a photoresist (trade name: ZWD6216, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied and photolithography was performed to form an edge cover layer 103 having a thickness of 1.0 ⁇ m around the anode.
  • a photoresist (trade name: ZWD6216, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied and photolithography was performed to form an edge cover layer 103 having a thickness of 1.0 ⁇ m around the anode.
  • NPB 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • red light emitting material 4- (dicyanomethylene) -2-t-butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljuridyl-9-enyl)- 4H-pyran (DCJTB) was deposited to form a red light emitting layer having a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum Alq3 was vapor-deposited on the red light emitting layer to form a 0.05 ⁇ m thick green light emitting layer and an electron transport layer. Further, LiF was evaporated on the electron transport layer to form a buffer layer having a thickness of 0.5 nm.
  • aluminum was deposited on the buffer layer to form a cathode (reflective electrode) having a thickness of 50 nm as the second electrode layer 105.
  • silicon nitride (SiN) was vapor-deposited so that the formed layer and the whole substrate might be covered, and the temporary sealing layer 152 with a thickness of 0.3 micrometer was formed. Vapor deposition from the hole transport layer to the temporary sealing layer was continued while maintaining the pressure of 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 6 Pa.
  • a sheet (thickness 20 ⁇ m) of the sealing material (1) was extruded under molding conditions of a molten resin temperature of 180 ° C., a T die temperature of 180 ° C., and a cast roll temperature of 40 ° C.
  • the sheet of the sealing material (1) and the PET for releasability are supplied to the sheet surface of the sealing material (1) extruded onto the cast roll while supplying the PET film for release (thickness 50 ⁇ m).
  • the film was piled up and wound up and collected on a roll.
  • Sealing material (2) Modified polyolefin (ii1-s) Vinyl trimethoxysilane (KBM-1003, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) per 100 parts of a commercially available ethylene / octene copolymer (product name “Affinity (registered trademark) PL1880”, melting point 100 ° C., manufactured by Dow Chemical Japan)) 2.0 parts) and 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane (product name [Perhexa (registered trademark) 25B], manufactured by NOF Corporation) are added. did. This mixture was kneaded using a twin screw extruder at a resin temperature of 200 ° C. and a residence time of 80 to 90 seconds to produce 95 parts of pellets of modified polyolefin (ii1-s) having alkoxysilyl groups.
  • a commercially available ethylene / octene copolymer product name “Affinity (registere
  • the FT-IR spectrum of the resulting modified polyolefin (ii1-s) pellet was measured, and a new absorption band derived from Si—OCH 3 group at 1090 cm ⁇ 1 and Si—CH 2 group at 825 and 739 cm ⁇ 1. Were observed at positions different from those 1075, 808, 766 cm ⁇ 1 of vinyltrimethoxysilane. Further, it was estimated from the IR absorbance value that about 1.9 parts of vinyltrimethoxysilane was introduced into 100 parts of the ethylene / octene copolymer.
  • Sheet of sealing material (2) Except for using modified polyolefin (ii1-s) pellets, a ratio of 5 parts hydrogenated polybutene to 100 parts modified polyolefin (ii1-s), molten resin temperature 150 ° C., T-die temperature 150 ° C. In the same manner as in Production Example 2, a sheet of sealing material (2) (thickness 20 ⁇ m) is extruded, and the obtained sheet of sealing material (2) and a PET film for releasability are overlapped and rolled up and collected. did.
  • Sealing material (3) Modified block copolymer hydride (ip2-s)
  • a commercially available block copolymer partially hydride product name “Tuftec (registered trademark) H1051”, styrene / ethylene / butylene ratio: 42/58 (weight ratio), manufactured by Asahi Kasei Chemicals
  • vinyl 2.0 parts of trimethoxysilane and 0.2 part of 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane were added and mixed uniformly.
  • This mixture was kneaded using a twin screw extruder at a resin temperature of 200 ° C. and a residence time of 80 to 90 seconds, and 95 parts of a pellet of partially modified block copolymer partially hydride (ip2-s) having an alkoxysilyl group.
  • Example 1 A sheet of the sealing material (1) having a thickness of 20 ⁇ m produced in Production Example 2 is applied to the surface of the assembly with temporary sealing layer (1) obtained in Production Example 1 on the temporary sealing layer side. Peeled and stacked. A glass sheet having a thickness of 0.7 mm was further stacked thereon as a protective layer to obtain a laminate.
  • This laminate was put in a resin bag having a layer structure of NY / adhesive layer / PP and having a thickness of 75 ⁇ m. Heat seal both sides with a heat sealer leaving 200mm width at the center of the opening of the bag, then heat the opening using a sealed pack device (BH-951, manufactured by Panasonic Corporation) while degassing the inside of the bag The laminate was sealed and sealed.
  • a sealed pack device BH-951, manufactured by Panasonic Corporation
  • an organic EL device sealing body (1) having a structure schematically shown in FIG. 5 and having the assembly 100, the temporary sealing layer 152, the sealing material layer 151, and the protective layer 154 was produced.
  • the manufactured organic EL device sealing body (1) was energized, and it was confirmed that the organic EL element was lit without problems. Then, as a result of storing the organic EL device (1) in a non-lighting state in a high temperature and high humidity environment and evaluating the durability, no dark spots were generated and the durability was good ((). .
  • Example 2 Except for using the sheet of the sealing material (2) produced in Production Example 3, it has the structure schematically shown in FIG. 5 in the same manner as in Example 1, and includes an assembly 100, a temporary sealing layer 152, An organic EL device sealing body (2) having a sealing material layer 151 and a protective layer 154 was produced.
  • Example 1 As in Example 1, the assembly with temporary sealing layer (1) obtained in Production Example 1 and the 20 ⁇ m thick sealing material (1) produced in Production Example 2 on the surface on the temporary sealing layer side A sheet and a 0.7 mm thick glass sheet as a protective layer were stacked to obtain a laminate.
  • This laminate was vacuum degassed for 5 minutes at a temperature of 90 ° C. using a vacuum laminator (PVL0202S, manufactured by Nisshinbo Mechatronics), and further pressed for 20 minutes.
  • PVL0202S vacuum laminator
  • An organic EL device sealing body (3) having a structure schematically shown in FIG.
  • the manufactured organic EL device sealing body (3) was energized, and it was confirmed that the organic EL element was lit without problems. Thereafter, the durability was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, a plurality of dark spots having a diameter of 200 ⁇ m or more were generated near the end of the organic EL device, and the durability was poor (x). Further, in the organic EL device sealing body (3) after durability evaluation, sink marks were observed on the inner side of the end portion of the sealing material layer from the end portion of the glass sheet.
  • Example 2 As in Example 2, the assembly with temporary sealing layer (1) obtained in Production Example 1, and the sealing material (2) having a thickness of 20 ⁇ m produced in Production Example 3 on the surface on the temporary sealing layer side. A sheet and a 0.7 mm thick glass sheet as a protective layer were stacked to obtain a laminate.
  • Example 3 Except for using the sheet of the sealing material (3) prepared in Production Example 4, it has the structure schematically shown in FIG. 5 in the same manner as in Example 1, and includes an assembly 100, a temporary sealing layer 152, An organic EL device sealing body (5) having a sealing material layer 151 and a protective layer 154 was produced.
  • the produced organic EL device sealing body (5) was energized, and it was confirmed that the organic EL element was lit without problems. Thereafter, the durability was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, dark spots with a diameter of 50 ⁇ m or more and less than 200 ⁇ m were generated, but the number was small (less than 10 / cm 2 ), and the durability was acceptable ( ⁇ ). It was evaluated.
  • the organic functional element was sealed more satisfactorily by sealing the sheet of the sealing material made of the modified hydrocarbon-based soft resin having an alkoxysilyl group and the organic electronics device, and heating and pressing in the autoclave.
  • An organic electronic device encapsulant is manufactured.
  • the manufactured organic electronic device sealed body maintains its function even after long-term storage in a high temperature and high humidity environment (Examples 1 to 3).
  • the manufacturing method of the organic electronics device sealing body of the present invention is an industrial manufacturing method of an organic electronics device having excellent durability using a sealing material made of a resin having excellent sealing performance of an organic functional element. Useful.
  • the organic electronic device sealing body manufactured by the manufacturing method of the present invention is excellent in durability.
  • Organic electronics device sealing body 20 Organic electronics device sealing body 30: Organic electronics device sealing body 40: Organic electronics device sealing body 50: Organic electronics device sealing body 100: Assembly 101: Substrate 101U: Substrate 102: First electrode layer 103: Edge cover layer 104: Light emitting layer 105: Second electrode layer 151: Sealing material layer 152: Temporary sealing layer 153: Adsorbent layer 154: Protective layer 500: Assembly 501: Substrate 501U: Upper surface of assembly 502: Gate electrode 503: Gate electrode insulation Layer 504: Source electrode 505: Drain electrode 506: Semiconductor layer 507: Layer of sealing resin composition

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Abstract

本発明は、有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、工程［１］：前記有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程、工程［２］：得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記積層物を収容した袋を密封する工程、及び、工程［３］：前記の密封した袋を、０．１ＭＰａ以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程、を有する有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法である。本発明によれば、優れた封止性能を有する樹脂からなる封止材を用いて、有機ＥＬ素子や有機半導体素子等の有機機能素子を備える有機エレクトロニクスデバイスを、工業的に有利に封止することを可能とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法が提供される。

Description

有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法
　本発明は、有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ということがある。）、及び有機半導体素子等の素子を備える有機エレクトロニクスデバイスには、封止用の部材が設けられることがある。かかる封止用の部材を、デバイスの内部の有機機能素子を封止するような態様で設けることにより、有機機能素子が水蒸気及び酸素により劣化することを防ぐことができ、ひいてはデバイスの性能の低下を防ぐことができる。
　かかる封止用の部材としては、スチレン・ジエン系エラストマーを含む柔軟な封止材（特許文献１）、水酸基を有するエポキシ系封止材（特許文献２）等の材料が知られている。かかる封止材を用いることにより、有機機能素子を封止し、且つ、デバイスの凹凸をカバーし、デバイスの強度を高めることができる。
　しかしながら、上記の封止材には、基材との接着性が劣るために基材との界面からの水分の侵入防止が不十分であったり、極性基を有することにより水分バリアー性が不十分であったりして、外部から侵入する水分による有機機能素子の劣化を防止する機能が不十分であるという問題がある。
　従来の封止用の部材の問題を解決する材料として、特許文献３には、アルコキシシリル基を有する特定のブロック共重合体水素化物からなる有機機能素子の封止材が開示されている。この封止材は、基材との接着性に優れ、水分バリアー性にも優れるため、有機エレクトロニクスデバイスの封止用に使用された場合、有機機能素子が良好に封止され、耐久性にも優れた性能を有する有機エレクトロニクスデバイス封止体が提供される。
特開２００５－１２９５２０号公報（ＵＳ２００８／２２０２４５　Ａ１） 特開２００６－１８３００２号公報 ＷＯ２０１４／０９１９４１号（ＵＳ２０１５／０３０７７５８　Ａ１）
　本発明の目的は、有機機能素子の、優れた封止性能を有する樹脂からなる封止材を用いて、有機ＥＬ素子や有機半導体素子等の有機機能素子を備える有機エレクトロニクスデバイスを、工業的に有利に封止することを可能とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法を提供することにある。
　本発明者らは、上述の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材と有機エレクトロニクスデバイスを重ねて、オートクレーブ内で加熱加圧することにより、形状への追従性と、封止材とデバイスの基材との強固な接着性が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
  かくして本発明によれば、下記（１）～（５）の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法が提供される。
（１）有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、
工程［１］：前記有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程、
工程［２］：得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程、及び、
工程［３］：前記の密封した袋を、０．１ＭＰａ以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程、
を有することを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
（２）有機エレクトロニクスデバイスが、有機ＥＬ素子を備える有機エレクトロニクスデバイスであることを特徴とする（１）に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
（３）アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂が、
芳香族ビニル化合物を主成分とする重合体ブロックと、鎖状共役ジエン化合物を主成分とする重合体ブロックとからなる、ブロック共重合体を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉ）及びポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）
から選ばれる少なくとも１種の炭化水素系樹脂に、アルコキシシリル基が導入されてなる変性炭化水素系軟質樹脂であることを特徴とする（１）又は（２）に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
（４）前記ブロック共重合体水素化物（ｉ）が、
　芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも２つの重合体ブロック（Ａ）と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも１つの重合体ブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体（Ｃ）であって、全重合体ブロック（Ａ）のブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＡとし、全重合体ブロック（Ｂ）のブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＢとしたときに、ｗＡとｗＢとの比ｗＡ：ｗＢが２０：８０～６０：４０であるブロック共重合体（Ｃ）の、主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合及び芳香環の炭素－炭素不飽和結合の９０％以上を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉａ）であることを特徴とする（３）に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
（５）前記樹脂製の袋が、ポリプロピレンからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートから構成されたものであることを特徴とする（１）～（４）のいずれかに記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
　本発明によれば、有機ＥＬ素子や有機半導体素子等の有機機能素子を備える有機エレクトロニクスデバイスを、工業的に有利に封止することを可能とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法が提供される。
　本発明の方法によれば、曲面形状をした有機エレクトロニクスデバイスであっても容易に封止することができる。
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法は、有機機能素子の優れた封止性能を有する樹脂からなる封止材を用いた、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイス封止体の工業的な製造方法として有用である。
　また、本発明の製造方法によって製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は耐久性に優れる。
有機ＥＬ素子等の構成要素を含む、有機エレクトロニクスデバイスを構成する組立体を概略的に示す斜視図である。 図１に示す組立体及び封止材層からなる樹脂封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体の例を概略的に示す縦断面図である。 封止材により封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体の別の例を概略的に示す縦断面図である。 封止材により封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。 封止材により封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。 有機半導体等の構成要素を含む、封止材により封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法は、有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、以下の工程［１］～［３］を有することを特徴とする。
工程［１］：有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程
工程［２］：得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程
工程［３］：前記の密封した袋を、０．１ＭＰａ以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程
　以下、本発明を、１．有機エレクトロニクスデバイス、２．封止材、３．工程［１］、４．工程［２］、及び、５．工程［３］に項分けして、詳細に説明する。
１．有機エレクトロニクスデバイス
　本発明で使用する有機エレクトロニクスデバイスは、デバイスの機能を発現する有機機能素子として、有機ＥＬ素子、有機半導体素子等の有機機能素子、及び、封止能を有する基板を有する。
　本発明の製造方法によれば、かかる基板と封止材とで、有機機能素子を封止した形態を有する有機エレクトロニクスデバイスが得られる。
　有機機能素子として有機ＥＬ素子を有する有機エレクトロニクスデバイスを例に挙げて、図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の製造方法で使用する有機ＥＬ素子等の構成要素を含む、有機エレクトロニクスデバイスを構成する組立体を概略的に示す斜視図である。
　図１において、組立体１００は、基板１０１、基板１０１の上面１０１Ｕに細長い帯状に多数形成された第１の電極層１０２、第１の電極層１０２の周辺に形成されたエッジカバー層１０３、第１の電極層１０２上に設けられた発光層１０４、及び発光層１０４上に設けられた第２の電極層１０５を有する。
  第１の電極層１０２、発光層１０４、及び第２の電極層１０５は、発光素子を構成し、第１及び第２の電極層に通電することにより発光層を発光させることができる。
  組立体１００を構成する要素の材料、厚み、及び製造方法については、特に限定されず既知のものを採用することができる。
　例えば、基板の材料の例としては、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、脂環式オレフィンポリマー、等の柔軟性のある透明プラスチックからなるフレキシブル基板；石英、ソーダガラス、無機アルカリガラス、等のガラス基板；等を挙げることができる。
　発光層としては、特に限定されず既知のものを適宜選択することができるが、光源としての用途に適合すべく、一種の層単独又は複数種類の層の組み合わせにより、所望のピーク波長を含む光を発光するものとすることができる。
  第１及び第２の電極層を構成する材料は特に限定されず、有機ＥＬ素子の電極として用いられる既知の材料を適宜選択することができる。第１及び第２の電極層は、どちらか一方を陽極とし、他方を陰極とすることができる。第１の電極層及び第２の電極層の一方を透明電極、他方を反射電極とすることにより、透明電極側からの出光を達成することができる。
　また、第１の電極層及び第２の電極層の両方を透明電極とすることもできる。透明電極の材料の例としては、金属薄膜、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム－酸化亜鉛）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ－Ａｌ、ＺｎＯ－Ｇａ等を挙げることができる。
　反射電極層の材料の例としては、Ａｇ、Ａｌ等を挙げることができる。
  第１の電極層及び第２の電極層の間には、発光層に加えてホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、ガスバリア層、等の任意の層をさらに有することもできる。これらの層も発光素子の構成要素となりうる。
　発光素子の具体的な層構成の例としては、
陽極／正孔輸送層／発光層／陰極の構成、
陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成、
陽極／正孔注入層／発光層／陰極の構成、
陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極の構成、
陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／等電位面形成層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成、
陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／電荷発生層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成、
等が挙げられる。
　本発明の製造方法で使用する有機エレクトロニクスデバイスにおける発光素子は、一層以上の発光層を陽極と陰極との間に有するものとすることができる。また、発光層として、複数の発光色が異なる層の積層体や、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有するものであってもよい。
　発光層を構成する材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、及び、ポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。
　正孔注入層及び正孔輸送層の材料の例としては、フタロシアニン系、アリールアミン系、及びポリチオフェン系の材料を挙げることができる。
　電子注入層及び電子輸送層の材料の例としては、アルミ錯体及びフッ化リチウムを挙げることができる。
　等電位面形成層及び電荷発生層の材料の例としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２等の透明電極や、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜を挙げることができる。
　第１の電極層、発光層、第２の電極層及びそれ以外の発光素子を構成する任意の層は、基板上にこれらを順次積層することにより設けることができる。これら各層の厚さは、１０～１０００ｎｍとすることができる。
　組立体１００はさらに、電極層へ通電するための配線等の任意の構成要素を有しうる。
　図２は、本発明の製造方法によって製造される、当該組立体及び封止材層からなる樹脂封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体の例を概略的に示す縦断面図である。
　図２において、有機エレクトロニクスデバイス封止体１０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた封止材層１５１とを含む。かかる構造を有することにより、発光層１０４が、基板１０１及び封止材層１５１により封止される。さらに、封止材層１５１が前記の本発明で使用するアルコキシシリル基を有する炭化水素系軟質樹脂からなる封止材であるため、水分バリアー性が優れる。その結果、良好な封止が達成され、デバイスの耐久性が高まる。さらに、封止材の軟質性能により、組立体１００の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。
　本発明においては、組立体１００上に封止材層１５１を設ける方法として、有機機能素子を搭載した基板にシート状の封止材を重ね合わせ、オートクレーブ内で加圧して圧着する方法が採用される。
　図３は、本発明の製造方法によって製造される、樹脂封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体の別の例を概略的に示す縦断面図である。
　図３において、有機エレクトロニクスデバイス封止体２０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた仮封止層１５２と、仮封止層１５２上に設けられた封止材層１５１とを含む。
　仮封止層１５２の材料の例としては、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、等の珪素を含む材料を挙げることができる。
　仮封止層１５２の厚みは、０．２～１μｍ程度である。
  仮封止層１５２は、発光層１０４及び第２の電極層１０５と同様の減圧環境下の条件において、蒸着等の成膜方法により形成することができる。
　発光層１０４、第２の電極層１０５、及び仮封止層１５２を減圧環境下において連続的に設けることにより、発光層の劣化を効果的に抑制することができる。また、これらを減圧環境下から取り出した後に封止材層１５１で封止することにより、デバイスの使用環境下に耐えうる封止体を得ることができる。
　これにより、製造時における素子の劣化が少なく、且つその状態が使用環境下においても長期間維持されるデバイスを得ることができる。
　図４は、本発明の製造方法によって製造される、樹脂封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。
　図４において、有機エレクトロニクスデバイス封止体３０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた仮封止層１５２と、仮封止層１５２上に設けられた吸着剤層１５３と、吸着剤層１５３上に設けられた封止材層１５１とを含む。
　吸着剤層１５３の材料の例としては、有機アルミニウム錯体を挙げることができる。吸着剤層１５３の厚みは、０．１～１μｍ程度である。
　吸着剤層１５３を設けることにより、封止性をさらに強固なものとすることができる。例えば、封止材層１５１から僅かに放出されうるガス成分を吸着し、発光層１０４等の層の劣化をさらに防止することができる。
　図５は、本発明の製造方法によって製造される、当該組立体、封止材層、及び保護層からなる樹脂封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体の例を概略的に示す縦断面図である。
　図５において、有機エレクトロニクスデバイス封止体４０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた封止材層１５１、及びさらにその上面の保護層１５４を含む。かかる構造を有することにより、発光層１０４が、基板１０１及び封止材層１５１と保護層１５４により封止される。さらに、封止材層１５１が前記の本発明で使用するアルコキシシリル基を有する炭化水素系軟質樹脂からなる封止材であるため、水分バリアー性が優れる。
　その結果、良好な封止が達成され、デバイスの耐久性が高まる。さらに、封止材の軟質性能により、組立体１００の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。
　有機機能素子として有機半導体を有する有機エレクトロニクスデバイス封止体の具体的な例を、図面を参照して説明する。
　図６は、本発明の製造方法によって製造される、樹脂封止された有機半導体等の構成要素を含む有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を、概略的に示す縦断面図である。
　図６において、有機エレクトロニクスデバイス封止体５０は、組立体５００、及び当該組立体５００の上面に設けられた封止材層５０７を有する。組立体５００は、基板５０１、基板５０１の上面に設けられたゲート電極５０２、基板５０１及びゲート電極５０２の上面に設けられたゲート電極絶縁層５０３、並びにゲート電極絶縁層５０３の上面に設けられた半導体層５０６、ソース電極５０４、及びドレイン電極５０５を有する。
  有機エレクトロニクスデバイス封止体５０を構成する要素の材料、厚み、及び製造方法については、特に限定されず既知のものを採用することができる。
　基板５０１の材料としては、特に限定されず、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、脂環式オレフィンポリマー、等の柔軟性のあるプラスチックからなるフレキシブル基板；石英、ソーダガラス、無機アルカリガラス、等のガラス基板；シリコンウェハー、シリコンカーバイドウェハー、サファイアウェハー、化合物半導体ウェハー、等のウェハー基板；等を挙げることができる。
　ゲート電極５０２は、導電性材料で形成しうる。導電性材料としては、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト、及び、カーボンペースト、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。
　また、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等）を導電材料として用いることもできる。これらの中でも、クロム及びモリブデンが好ましく、クロムがより好ましい。
　ゲート電極５０２は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法等により基板５０１上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、基板５０１上に所定パターンで形成される。
　ゲート電極絶縁層５０３の材料は、密封性、耐湿性、絶縁性及び耐薬品性を有するものが好ましい。具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン等の熱可塑性樹脂が例示できるが、封止材層５０７と同じ樹脂を使用することもできる。
　半導体層５０６は、有機半導体で形成しうる。有機半導体としては、ｐチャネル型として、ペンタセン、ナフタセン、チオフェンオリゴマー、ペリレン、ｐ－セキシフェニル、及びそれらの誘導体、ナフタレン、アントラセン、ルブレン及びそれらの誘導体、コロネン、及びその誘導体、金属含有／非含有フタロシアニン及びその誘導体等の低分子半導体；チオフェンやフルオレンをベースとしたポリアルキルチオフェン、ポリアルキルフルオレンやそれらの誘導体などの高分子半導体；等が挙げられる。
　半導体層５０６は、たとえば、上述した有機半導体の層を、塗布法やＣＶＤ法等により、ゲート電極絶縁層５０３上に形成し、次いで、所定のパターン形状となるようにパターンニングすることにより、形成される。
　ソース電極５０４及びドレイン電極５０５は、導電性材料で形成しうる。導電性材料としては、上述のゲート電極５０２と同様のものを用いることができる。ソース電極５０４及びドレイン電極５０５は、たとえば、上述した導電性材料の層を、スパッタリング法等により半導体層５０６上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、半導体層５０６上に所定パターンで形成される。
　図６において、有機半導体としての有機エレクトロニクスデバイス封止体５０は、組立体５００の上面５０１Ｕ側に設けられた封止材層５０７を含む。かかる構造を有することにより、半導体層５０６、ソース電極５０４、及びドレイン電極５０５が、ゲート電極絶縁層５０３及び封止材層５０７により封止される。さらに、封止材層５０７が前記の本発明で使用するアルコキシシリル基を有する炭化水素系軟質樹脂からなる封止材層であるため、水分バリアー性が優れる。その結果、良好な封止が達成され、デバイスの耐久性が高まる。さらに、封止材の軟質性能により、組立体５００の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。
 ２．封止材
　本発明で使用する封止材は、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材である。
　アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂は、炭化水素系軟質樹脂に、有機過酸化物の存在下で、エチレン性不飽和シラン化合物を反応させることにより、アルコキシシリル基が導入されたものである。炭化水素系軟質樹脂にアルコキシシリル基を導入することにより、炭化水素系軟質樹脂にガラス基板やプラスチック基板に対する強固な接着性が付与される。
　アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂は、動的粘弾性特性における貯蔵弾性率Ｇ’が、温度２５℃で、通常１×１０６Ｐａ以上１×１０９Ｐａ以下、好ましくは１×１０７Ｐａ以上５×１０８Ｐａ以下の軟質樹脂である。貯蔵弾性率Ｇ’は公知の動的粘弾性測定装置、例えば、粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製、ＡＲＥＳ）を使用し、ＪＩＳ　Ｋ７２４４－２法（プラスチック－動的機械特性の試験方法－第２部：ねじり振子法）に準じて、角周波数：１ｒａｄ／ｓの条件で、粘弾性特性を測定し、得られた測定値から、２５℃における貯蔵弾性率の値を求めることができる。
　上記範囲の貯蔵弾性率Ｇ’を有する柔軟な樹脂を封止材として用いることにより、素子の封止を達成し、且つ、デバイスの凹凸をカバーし、デバイスの強度を高めることができる。
（炭化水素系軟質樹脂）
　本発明で使用する封止材の原料となる炭化水素系軟質樹脂は、芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロック〔重合体ブロック（Ａ）〕と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロック〔重合体ブロック（Ｂ）〕とからなる、ブロック共重合体〔ブロック共重合体（C）〕を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉ）、及び、ポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）から選ばれる少なくとも１種の炭化水素系軟質樹脂である。
〔ブロック共重合体水素化物（ｉ）〕
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）は、ブロック共重合体（Ｃ）を水素化して得られる高分子である。
　ブロック共重合体（Ｃ）中の重合体ブロック（Ａ）の数は、通常３個以下、好ましくは２個であり、重合体ブロック（Ｂ）の数は、通常２個以下、好ましくは１個である。
　ブロック共重合体（Ｃ）のブロックの形態は、鎖状型ブロックでもラジアル型ブロックでも良いが、鎖状型ブロックであるものが、機械的強度に優れ、好ましい。ブロック共重合体（Ｃ）の最も好ましい形態は、重合体ブロック（Ｂ）の両端に重合体ブロック（Ａ）が結合した、（Ａ）－（Ｂ）－（Ａ）型のトリブロック共重合体である。
　複数の重合体ブロック（Ａ）同士は、互いに同一であっても、相異なっていても良い。また、重合体ブロック（Ｂ）が複数有る場合には、重合体ブロック（Ｂ）同士は、互いに同一であっても、相異なっていても良い。
　ブロック共重合体（Ｃ）の分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常３０，０００以上、好ましくは３５，０００以上、より好ましくは４０，０００以上で、通常１５０，０００以下、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは７０，０００以下である。また、通常３０，０００以上１５０，０００以下、好ましくは３５，０００以上１００，０００以下、より好ましくは４０，０００以上７０，０００以下である。
　ブロック共重合体（Ｃ）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下である。Ｍｗ及びＭｗ／Ｍｎが上記範囲となるようにすると、封止性と機械的強度の良好な封止材が得られる。
　ブロック共重合体（Ｃ）は、ｗＡとｗＢとの比ｗＡ：ｗＢが２０：８０～６０：４０、好ましくは２５：７５～５５：４５、より好ましくは３０：７０～５０：５０のものである。比ｗＡ：ｗＢがこの範囲にあれば良好な封止性と耐熱性を有する封止材が得られる。
　ブロック共重合体（Ｃ）が有する重合体ブロック（Ａ）は、芳香族ビニル化合物を主成分とするものであり、重合体ブロック（Ａ）中の芳香族ビニル化合物由来の構造単位の含有量は、通常９５重量％以上、好ましくは９７重量％以上、より好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック（Ａ）は、芳香族ビニル化合物由来の構造単位以外の成分として、鎖状共役ジエン由来の構造単位及び／又はその他のビニル化合物由来の構造単位を含むことができる。
　その含有量は通常５重量％以下、好ましくは３重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。
　重合体ブロック（Ａ）中の芳香族ビニル化合物由来の構造単位が少なすぎると、封止材の耐熱性が低下するおそれがある。
　芳香族ビニル化合物としては、具体的には、スチレン、２－メチルスチレン、３－メチルスチレン、４－メチルスチレン、２，４－ジイソプロピルスチレン、２，４－ジメチルスチレン、４－ｔ－ブチルスチレン、５－ｔ－ブチル－２－メチルスチレン、４－モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、４－モノフルオロスチレン、４－フェニルスチレン等が挙げられる。なかでも、低誘電率、低吸湿性の面で極性基を含有しないものが好ましく、工業的な入手の容易さからスチレンが特に好ましい。
　共重合できる鎖状共役ジエン及びその他のビニル化合物としては、後述する重合体ブロック（Ｂ）の構造単位となる鎖状共役ジエン及びその他のビニル化合物と同様のものがあげられる。
　重合体ブロック（Ｂ）は、鎖状共役ジエン化合物を主成分とするものであり、重合体ブロック（Ｂ）中の鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位の含有量は、通常９５重量％以上、好ましくは９７重量％以上、より好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック（Ｂ）中の鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位以外の成分としては、芳香族ビニル化合物由来の構造単位及び／又はその他のビニル化合物由来の構造単位を含むことができる。その含有量は、通常５重量％以下、好ましくは３重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。
　鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位が上記範囲にあると、封止材の接着性が優れる。
　鎖状共役ジエン系化合物としては、具体的には、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン等が挙げられる。なかでも、吸湿性の観点から、極性基を含有しない鎖状共役ジエン系化合物が好ましく、工業的な入手の容易さから、１，３－ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。
　その他のビニル系化合物としては、鎖状ビニル化合物、環状ビニル化合物、不飽和の環状酸無水物、不飽和イミド化合物等が挙げられる。これらの化合物は、ニトリル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシカルボニル基、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。これらの中でも、吸湿性の観点から、エチレン、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－ヘプテン、１－オクテン、１－ノネン、１－デセン、１－ドデセン、１－エイコセン、４－メチル－１－ペンテン、４，６－ジメチル－１－ヘプテン等の炭素数２～２０の鎖状オレフィン；ビニルシクロヘキサン、ノルボルネン等の炭素数５～２０の環状オレフィン；１，３－シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン等の環状ジエン化合物；等の極性基を含有しないものが好ましい。
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）は、ブロック共重合体（Ｃ）を水素化して得られる高分子である。
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）が、上記のブロック共重合体（Ｃ）の主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合のみを水素化して得られる高分子である場合、その水素化率は通常９０％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上である。水素化率が高いほど、耐酸化劣化性や耐光性の良好な封止材が得られる。
　また、ブロック共重合体水素化物（ｉ）が、上記のブロック共重合体（Ｃ）の主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合並びに芳香環の炭素－炭素不飽和結合を水素化して得られる高分子である場合、主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合の水素化率は、通常９０％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上であり、芳香環の炭素－炭素不飽和結合の水素化率は、通常９０％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上である。
　また、ブロック共重合体（Ｃ）の全不飽和結合（主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合及び芳香環の炭素－炭素不飽和結合）の水素化率は、通常９０％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上である。水素化率が高いほど、耐酸化劣化性や耐光性の良好な封止材が得られる。
  ブロック共重合体水素化物（ｉ）の水素化率は、ブロック共重合体水素化物（ｉａ）の１Ｈ－ＮＭＲを測定することにより求めることができる。
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）は、公知の方法に従って製造することができる。鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロックの主鎖及び側鎖の非芳香族性炭素－炭素不飽和結合のみを選択的に水素化したブロック共重合体水素化物（ｉｐ）は、例えば、特開昭５９－１３３２０３号公報、特開昭６０－０７９００５号公報、特開昭６１－０２８５０７号公報、等に記載された方法に従って製造することができる。
　また、芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロックと鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロックの、主鎖及び側鎖の芳香族性及び非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉａ）は、例えば、ＷＯ１９９６／３４８９６号パンフレット、ＷＯ２００３／０１８６５６号パンフレット、ＷＯ２０１２／０４３７０８号パンフレット、等に記載された方法に従って製造することができる。
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）としては、耐光性、耐熱性の観点から、主鎖及び側鎖の芳香族性及び非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の両方を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉａ）が好ましい。
　ブロック共重合体水素化物（ｉａ）の中でも、有機エレクトロニクスデバイスの封止性及び耐熱性の観点から、芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも２つの重合体ブロック（Ａ）と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも１つの重合体ブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体（Ｃ）であって、全重合体ブロック（Ａ）がブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＡとし、全重合体ブロック（Ｂ）がブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＢとしたときに、ｗＡとｗＢとの比ｗＡ：ｗＢが２０：８０～６０：４０であるブロック共重合体（Ｃ）の、主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合及び芳香環の炭素－炭素不飽和結合の９０％以上を水素化したブロック共重合体水素化物がさらに好ましい。
　この範囲のブロック共重合体（Ｃ）の主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合及び芳香環の炭素－炭素不飽和結合の９０％以上を水素化して製造されるブロック共重合体水素化物（ｉａ）は柔軟性を有するため、得られる封止材は有機ＥＬ素子等の損傷を減少させることができる。
　ブロック共重合体水素化物（ｉ）の分子量は、ＴＨＦを溶媒としたＧＰＣにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常３０，０００以上、好ましくは３５，０００以上、より好ましくは４０，０００以上で、通常１５０，０００以下、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは７０，０００以下である。また、通常３０，０００以上１５０，０００以下、好ましくは３５，０００以上１００，０００以下、より好ましくは４０，０００以上７０，０００以下である。
　また、ブロック共重合体水素化物（ｉ）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下にする。Ｍｗ及びＭｗ／Ｍｎが上記範囲となるようにすると、封止性と機械的強度が良好な封止材が得られる。
〔ポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）〕
　ポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）としては、エチレン及び／又は炭素数３～１０のα－オレフィンを重合して得られる、融点が９０℃以上１４０℃以下である（共）重合体を用いることができる。
　炭素数３～１０のα－オレフィンとしては、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－ヘプテン、１－オクテン、４－メチル－１－ペンテン、ビニルシクロヘキサン、等が挙げられる。これらは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記のポリオレフィンの合成法は特に限定されるものではなく、一般的な方法が採用される。
　また、エチレン及び炭素数３～１０のα－オレフィンからなる群より選択される１種類以上のオレフィンを用いて製造された市販のポリオレフィンの中から、融点が９０℃以上１４０℃以下、好ましくは１００℃以上１３０℃以下のものを選んで使用することができる。
　融点が９０℃未満のポリオレフィンを用いる場合には、有機エレクトロニクスデバイスの封止材としての耐熱性が劣るものとなり、１４０℃を超えるポリオレフィンを用いる場合は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスの封止方法では封止性が劣るものとなるおそれがある。
　使用できるポリオレフィンの具体例としては、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・オクテン共重合体、ポリ－４－メチルペンテン等が挙げられる。
（アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂）
  アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂は、ブロック共重合体水素化物（ｉ）及び／又はポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）に、有機過酸化物の存在下で、エチレン性不飽和シラン化合物を反応させることにより製造することができる。
　導入されるアルコキシシリル基としては、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等の、トリ（炭素数１～６アルコキシ）シリル基；メチルジメトキシシリル基、メチルジエトキシシリル基、エチルジメトキシシリル基、エチルジエトキシシリル基、プロピルジメトキシシリル基、プロピルジエトキシシリル基等の、（炭素数１～２０アルキル）ジ（炭素数１～６アルコキシ）シリル基；フェニルジメトキシシリル基、フェニルジエトキシシリル基等の、（アリール）ジ（炭素数１～６アルコキシ）シリル基；等が挙げられる。また、アルコキシシリル基は、炭化水素系軟質樹脂に、炭素数１～２０のアルキレン基や、炭素数２～２０のアルキレンオキシカルボニルアルキレン基等の２価の有機基を介して結合していても良い。
　炭化水素系軟質樹脂へのアルコキシシリル基の導入量は、炭化水素系軟質樹脂１００重量部に対し、通常０．１重量部以上、好ましくは０．２重量部以上、より好ましくは０．５重量以上で、通常１０重量部以下、好ましくは５重量部以下、より好ましくは３重量部以下である。また、通常０．１重量部以上１０重量部以下、好ましくは０．２重量部以上５重量部以下、より好ましくは０．５重量部以上３重量部以下である。
　アルコキシシリル基の導入量が多過ぎると、得られる変性炭化水素系軟質樹脂を保存中に微量の水分等で分解されたアルコキシシリル基同士の架橋が進み、ゲル化したり、溶融成形時の流動性が低下したりして、封止材としての接着性が低下するおそれがある。また、アルコキシシリル基の導入量が少な過ぎると、封止材とした場合に、有機エレクトロニクスデバイスの素子や基板に対する接着性が低下するおそれがある。
　用いるエチレン性不飽和シラン化合物としては、炭化水素系軟質樹脂とグラフト重合し、炭化水素系軟質樹脂にアルコキシシリル基を導入するものであれば、特に限定されない。例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、等が好適に用いられる。これらのエチレン性不飽和シラン化合物は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合せて使用してもよい。
  エチレン性不飽和シラン化合物の使用量は、炭化水素系軟質樹脂１００重量部に対して、通常０．１重量部以上、好ましくは０．２重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上で、通常１０重量部以下、好ましくは５重量部以下、より好ましくは３重量部以下である。また、通常０．１重量部以上１０重量部以下、好ましくは０．２重量部以上５重量部以下、より好ましくは０．５重量部以上３重量部以下である。
　過酸化物としては、１分間半減期温度が１７０℃以上１９０℃以下のものが好ましく使用される。例えば、ｔ－ブチルクミルパーオキシド、ジクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－ヘキシルパーオキシド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ－ｔ－ブチルパーオキシド、ジ（２－ｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン等が好適に用いられる。これらの過酸化物は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合せて使用してもよい。
　過酸化物の使用量は、炭化水素系軟質樹脂１００重量部に対して、通常０．０５重量部以上２重量部以下、好ましくは０．１重量部以上１重量部以下、より好ましくは０．２重量部以上０．５重量部以下である。
　炭化水素系軟質樹脂とエチレン性不飽和シラン化合物とを、過酸化物の存在下で反応させる方法は、特に限定されない。例えば、二軸混練機にて所望の温度で所望の時間混練することにより、炭化水素系軟質樹脂にアルコキシシリル基を導入することができる。
二軸混練機による混練温度は、通常１８０℃以上２２０℃以下、好ましくは１８５℃以上２１０℃以下、より好ましくは１９０℃以上２００℃以下である。
　加熱混練時間は、通常０．１分から１０分、好ましくは０．２分から５分、より好ましくは０．３分から２分程度である。温度、滞留時間が上記範囲になるようにして、連続的に混練、押出しをすればよい。
　製造されたアルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂の形態は限定されるものではないが、通常はペレット形状にして、その後の封止材の製造に供することができる。
（封止材）
　本発明で使用する封止材は、上述した変性炭化水素系軟質樹脂を主要成分とするものである。本発明で使用する封止材中における変性炭化水素系軟質樹脂の含有量は、封止材に対して、通常７０重量％以上、好ましくは７５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。　
　本発明で使用する封止材には、主要成分である変性炭化水素系軟質樹脂に加えて、各種の添加剤を配合することができる。
　配合できる添加剤としては、接着温度の低下及び素子や基材との接着性等を調整するための軟化剤、耐久性を高めるための酸化防止剤や光安定剤等が挙げられる。
　軟化剤は、変性炭化水素系軟質樹脂に配合して、封止材の柔軟性を好ましい範囲に調整することができるものである。軟化剤としては、変性炭化水素系軟質樹脂に均一に溶解ないし分散できるものが好ましく、低分子量（数平均分子量３００以上５，０００以下）の炭化水素系重合体が好ましい。
　炭化水素系重合体の具体例としては、ポリイソブチレン、ポリブテン、ポリ－４－メチルペンテン、ポリ－１－オクテン、エチレン・α－オレフィン共重合体等の低分子量体及びその水素化物；　ポリイソプレン、ポリイソプレン－ブタジエン共重合体等の低分子量体（数平均分子量３００以上５，０００以下のもの）及びその水素化物等が挙げられる。
　軟化剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらの中でも、特に透明性、耐光性を維持し、軟化効果に優れている点で、低分子量のポリイソブチレン水素化物、低分子量のポリイソプレン水素化物が好ましい。
　軟化剤の配合量は、炭化水素系軟質樹脂１００重量部に対して、通常２５重量部以下、好ましくは２０重量部以下、より好ましくは１５重量部以下である。軟化剤の配合量が多すぎる場合、本発明で使用する封止材の耐熱性が低下したり、溶出物が増加し易くなるおそれがある。
　酸化防止剤や光安定剤としては、リン系酸化防止剤、フェノ－ル系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、ヒンダードアミン系光安定剤等が使用できる。
　これらの酸化防止剤や光安定剤は、それぞれ１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　添加剤の配合量は、変性炭化水素系軟質樹脂１００重量部に対して、通常３重量部以下、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。
　変性炭化水素系軟質樹脂に添加剤を配合する方法は、樹脂組成物の製造方法として一般に用いられる公知の方法が適用できる。例えば、変性炭化水素系軟質樹脂及び添加剤を、タンブラーミキサー、リボンブレンダー、ヘンシェルタイプミキサー、等の混合機を使用して均等に混合した後、二軸押出機等の連続式溶融混練機により溶融混合し、押出してペレット状にすることによって添加剤を配合した変性炭化水素系軟質樹脂を製造することができる。
　本発明で使用する封止材は、使用に先立ち、シート状に成形する。シートの厚みは、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以上５０μｍ以下である。　
　シートの厚みを上記の範囲とすることにより、十分な封止機能と、基板上の素子や異物等による凹凸かカバーされ、均等な厚みの有機エレクトロニクスデバイス封止体を得ることができる。
　シート状の封止材は、通常、長尺のシートとして用意され、このシートを用いて、有機エレクトロニクスデバイスの封止が行われる。シートの製造方法は特に制限は無く、通常は溶融押出し成形法によりシートが成形される。
　ここで、「長尺」とは、シートの幅方向に対して、少なくとも５倍程度以上の長さを有するものをいい、好ましくは１０倍もしくはそれ以上の長さを有し、例えばロール状に巻回されて保管又は運搬される程度の長さを有するものをいう。
３．工程［１］
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程［１］は、有機エレクトロニクスデバイスと、シート状の封止材を重ねて積層物を作製する工程である。
積層物は、樹脂封止される前の有機エレクトロニクスデバイスの有機機能素子が配置された面に、有機機能素子が完全に覆われるようにシート状の封止材を重ねることにより得ることができる。封止材の上には、さらにバリアー層としての透明ガラスシートや透明プラスチックシート等を重ねて配置することもできる。
４．工程［２］
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程［２］は、工程［１］で作製した積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の樹脂製の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した樹脂製の袋を密封する工程である。
　本発明の封止方法で使用する樹脂製の袋は、前記の積層物を内部に収容して内部を脱気した後に開口部をヒートシール等により密封することができるものであれば良い。
　袋を構成する樹脂としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン（ＮＹ）等が挙げられる。
　樹脂製の袋は、単層構造でも多層構造でもよい。多層構造の袋の層構成の具体例としては、ＰＥＴ層／接着層／ＰＥ層、ＰＥＴ層／接着層／ＰＰ層、ＮＹ層／接着層／ＰＥ層、ＮＹ層／接着層／ＰＰ層、ＰＥＴ層／接着層／ＮＹ層／接着層／ＰＰ層、等が挙げられる。
　これらの中でも、ＰＰ単層、ＰＥＴ層／接着層／ＰＰ層、ＮＹ層／接着層／ＰＰ層、等の、ヒートシール性に優れるＰＰからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートで構成されたものが、耐熱性が高く、有機エレクトロニクスデバイスの成形温度を高くすることができるため好ましく、ＮＹ層／接着層／ＰＰ層が、耐突き刺し性にも優れるため特に好ましい。
　樹脂製の袋の厚みは、単層構造、多層構造のいずれの場合も、通常３０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは４０μｍ以上１５０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下である。
　多層構造の場合の各層の厚みは特別な制限は無く、適宜選択すれば良い。
　例えば、本発明の方法によれば、有機機能素子を曲面形状のガラス基板や厚みが０．２ｍｍ以下の薄膜ガラス基板等に搭載した有機エレクトロニクスデバイスを成形する場合には、厚みが１００μｍ以下の薄手の樹脂製の袋を使用することにより、ガラス基板の割れを効果的に防止することができる。
　また、密封可能な樹脂製の袋として、食品等の真空パック用袋として市販されているものを使用することもできる。
　工程［２］では、（ａ）まず、工程［１］で作製した有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材、必要に応じて、バリアー層としてのガラスシートやプラスチックシートを重ねた積層物を、前記の樹脂製の袋内部に収容する。
　本発明において、「積層物を袋内部に収容する」態様としては、樹脂製の袋の開口部から、積層物を袋中に入れる態様、１枚の樹脂製シートの上に積層物を置き、その上にもう１枚の樹脂製シートを被せた後、２枚の樹脂製シートの外周部を、開口部を残してヒートシールすることにより、結果として積層物を袋内部に収容した状態とする態様、１枚の樹脂製シートの上に積層物を置き、積層物が内部に収容されるように、前記樹脂シートを折りたたみ、外周部を、開口部を残してヒートシールすることにより、結果として積層物を袋内部に収容した状態とする態様等が挙げられる。
（ｂ）次に、樹脂製の袋内部に積層物を収容した後、袋の開口部から袋内を脱気する。袋内を脱気する方法は、特に限定されず、真空ポンプや吸引ポンプ等を使用する方法が挙げられる。
（ｃ）次いで、内部が脱気された袋を密封する。密封する方法は特に限定されないが、ヒートシーラー、赤外線溶着器、超音波溶着器等を使用する方法が挙げられる。また、市販の真空パック器や真空包装機等を使用することもできる。
５．工程［３］
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程［３］は、工程［２］で作製した積層物を収容して密封した袋を、加圧加熱して積層物を接着一体化し、封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイスを製造する工程である。
　工程［３］では、前記の積層物を収容して密封した袋を、通常０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．１ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下、より好ましくは０．２ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．４ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下の加圧下に置く。
　この範囲の圧力であれば、例えば、合わせガラスの製造用等に販売されているオートクレーブが利用できるため好ましい。
　有機エレクトロニクスデバイスを封止する際には、加圧に加えて加熱することが望ましい。加熱温度は、封止する有機機能素子が耐え得る温度又は樹脂製の袋の材料が耐え得る温度の範囲内である。加熱温度は、封止する有機機能性素子の種類及び樹脂製の袋の種類にもよるが、通常８０℃以上１５０℃以下、好ましくは９０℃以上１４０℃以下、より好ましくは１００℃以上１３０℃以下である。
　また、加圧又は加圧加熱する時間は、条件等にもよるが、通常１０～１００分、好ましくは１５～７０分、より好ましくは２０～４０分である。
　圧力及び温度が上記の範囲であれば、気泡の残りや密着不良等の欠陥が少なく、封止性能に優れる封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイスを簡便に製造することができる。
加圧又は加圧加熱する方法は特に限定されないが、オートクレーブ、加熱加圧硬化装置、蒸気滅菌装置等を使用する方法が好ましい。これらの加圧装置を使用する場合、一度に多数の有機エレクトロニクスデバイスを装置内に充填して封止処理が可能であるため、工業的な生産性にも優れる。
　加圧加熱処理の終了後、加圧装置等から樹脂製の袋を取り出し、樹脂製の袋から封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体を取り出して、使用に供することができる。
　また、製品の移送、流通、販売等の過程では、封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体を保護するための包装を省略して、樹脂製の袋に密封したままで取り扱うこともでき、経費削減にも有効である。
　以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
  以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、特に断らない限り重量基準である。
　本実施例における評価は、以下の方法によって行う。
（１）重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
ブロック共重合体及びブロック共重合体水素化物の分子量は、ＴＨＦを溶離液とするＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値として３８℃において測定した。測定装置として、東ソー社製、ＨＬＣ８０２０ＧＰＣを用いた。
（２）水素化率
　ブロック共重合体水素化物の主鎖、側鎖及び芳香環の水素化率は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定して算出した。
（３）有機エレクトロニクスデバイス封止体の耐久性
　作製した有機ＥＬデバイス封止体を非点灯状態で、温度８５℃、湿度８５％の環境下で、１，０００時間保存した。その後常温常湿（２３℃、湿度５０％）環境に戻して、通電して点灯させ、出光面のダークスポットを観察し、下記の評価基準に従って評価した。
  ダークスポットが無いか、ダークスポットがあってもその径が５０μｍ未満のものしかない場合を、良好（◎）と評価した。
　ダークスポットが少数（１０個／ｃｍ２未満）あるが、径５０μｍ以上２００μｍ未満の場合を、許容（○）と評価した。
  径５０μｍ以上２００μｍ未満であるが、ダークスポットが多数（１０個／ｃｍ２以上）ある場合、及び、径２００μｍ以上のダークスポットがある場合を、不良（×）と評価した。
［製造例１］白色有機ＥＬ素子を備える組立体（１）
  白色有機ＥＬ素子を備える、仮封止層付き組立体（１）の構造は、概略的には、図５に示す、組立体１００と仮封止層１５２からなる構造とした。但し、第１の電極及び第２の電極の間に、発光層１層のみではなく、正孔輸送層、複数の発光層、電子輸送層及びバッファー層を設けた。
　光透過性を有する縦１１０ｍｍ、横６５ｍｍ、厚み０．７ｍｍのガラス製の基板１０１の上に、蒸着（１０－４Ｐａ減圧下）により、ＩＴＯの層を形成した。このＩＴＯの層を、フォトリソグラフィーにより成形し、厚さ０．２５μｍ、幅５００μｍ、長さ１０ｍｍの短冊状の形状とし、第１の電極層１０２としての透明の陽極を形成した。
　次に、フォトレジスト（商品名：ＺＷＤ６２１６、日本ゼオン社製）の塗布及びフォトリソグラフィーを行い、陽極の周囲に、厚み１．０μｍのエッジカバー層１０３を形成した。
  次いで、陽極の上に、４，４'－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を蒸着させて、厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
  さらに、正孔輸送層の上に、青色発光材料である４，４－ビス（ジフェニルビニレン）－ビフェニル（ＡＤＳ０８２）を蒸着させて、厚さ０．０５μｍの青色発光層を形成した。
  次に、青色発光層の上に、赤色発光材料である４－（ジシアノメチレン）－２－ｔ－ブチル－６－（１，１，７，７－テトラメチルジュロリジル－９－エニル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＪＴＢ）を蒸着させて、厚さ０．０５μｍの赤色発光層を形成した。
  次に、赤色発光層の上に、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を蒸着させて、厚さ０．０５μｍの緑色発光層、及び電子輸送層を形成した。
  さらに、電子輸送層の上にＬｉＦを蒸着させて、厚さ０．５ｎｍのバッファー層を形成した。
  次に、バッファー層の上にアルミニウムを蒸着させて、第２の電極層１０５としての、厚さ５０ｎｍの陰極（反射電極）を形成した。
  そして、形成した層及び基板全体を覆うように窒化ケイ素（ＳｉＮ）を蒸着させ、厚さ０．３μｍの仮封止層１５２を形成した。
  正孔輸送層から仮封止層までの蒸着は、圧力１０－４～１０－６Ｐａの条件を維持したまま続けて行った。
  以上の操作により、白色有機ＥＬ素子を備える、仮封止層付き組立体（１）を作製した。
［製造例２］封止材（１）
（変性ブロック共重合体水素化物（ｉａ１－ｓ））  
　特許文献ＷＯ２０１４／０７７２６７号パンフレットに記載された方法を参考にして、スチレン２５部、イソプレン５０部及びスチレン２５部を、この順に重合して製造されたトリブロック共重合体水素化物（ｉａ１）（Ｍｗ＝４８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０４、主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素－炭素不飽和結合の水素化率≒１００％）１００部に、ビニルトリメトキシシラン１．８部が結合した変性ブロック共重合体水素化物（ｉａ１－ｓ）のペレットを製造した。
（封止材（１）のシート）
　サイドフィーダー及び幅４００ｍｍのＴダイを備えた二軸押出し機（製品名「ＴＥＭ－３７Ｂ」、東芝機械社製）、キャストロール及び離形フィルム供給装置を備えたシート引取機を使用し、以下の条件で封止材のシートを作製した。
　変性ブロック共重合体水素化物（ｉａ１－ｓ）１００部に対して水素化ポリブテン（製品名：パールリーム（登録商標）２４、日油社製）１５部の割合となるようにサイドフィーダーから水素化ポリブテンを連続的に供給しながら、溶融樹脂温度１８０℃、Ｔダイ温度１８０℃、キャストロール温度４０℃の成形条件にて、封止材（１）のシート（厚み２０μｍ）を押出した。一方、キャストロール上に押し出した封止材（１）のシート面には離形用のＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ）を供給しながら、封止材（１）のシートと離形性用のＰＥＴフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
［製造例３］封止材（２）
（変性ポリオレフィン（ｉｉ１－ｓ）
　市販のエチレン・オクテン共重合体（製品名「アフィニティー（登録商標）ＰＬ１８８０」、融点１００℃、ダウ・ケミカル日本社製）のペレット１００部に対してビニルトリメトキシシラン（ＫＢＭ－１００３、信越化学工業社製）２．０部及び２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン（製品名［パーヘキサ（登録商標）２５Ｂ」、日油社製）０．２部を添加した。
　この混合物を、二軸押出し機を使用して、樹脂温度２００℃、滞留時間８０～９０秒で混練し、アルコキシシリル基を有する変性ポリオレフィン（ｉｉ１－ｓ）のペレット９５部を製造した。
　得られた変性ポリオレフィン（ｉｉ１－ｓ）のペレットのＦＴ－ＩＲスペクトルを測定したところ、１０９０ｃｍ－１にＳｉ－ＯＣＨ３基及び８２５、７３９ｃｍ－１にＳｉ－ＣＨ２基に由来する新たな吸収帯が、ビニルトリメトキシシランのそれらの１０７５、８０８、７６６ｃｍ－１と異なる位置に観察された。また、ＩＲスペクトルの吸光度の値からエチレン・オクテン共重合体１００部に、ビニルトリメトキシシラン約１．９部が導入されたことが推算された。
（封止材（２）のシート）
　変性ポリオレフィン（ｉｉ１－ｓ）のペレットを使用し、変性ポリオレフィン（ｉｉ１－ｓ）１００部に対して水素化ポリブテン５部の割合とし、溶融樹脂温度１５０℃、Ｔダイ温度１５０℃とする以外は、製造例２と同様にして、封止材（２）のシート（厚み２０μｍ）を押出し、得られた封止材（２）のシートと離形性用のＰＥＴフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
［製造例４］封止材（３）
（変性ブロック共重合体水素化物（ｉｐ２－ｓ））
　市販のブロック共重合体部分水素化物（製品名「タフテック（登録商標）Ｈ１０５１」、スチレン／エチレン・ブチレン比：４２／５８（重量比）、旭化成ケミカルズ社製）のペレット１００部に対して、ビニルトリメトキシシラン２．０部及び２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン０．２部を添加し、均一に混合した。
　この混合物を、二軸押出し機を使用して、樹脂温度２００℃、滞留時間８０～９０秒で混練し、アルコキシシリル基を有する変性ブロック共重合体部分水素化物（ｉｐ２－ｓ）のペレット９５部を製造した。
　得られた変性ブロック共重合体部分水素化物（ｉｐ２－ｓ）のペレットのＦＴ－ＩＲスペクトルを測定したところ、１０９０ｃｍ－１にＳｉ－ＯＣＨ３基及び８２５、７３９ｃｍ－１にＳｉ－ＣＨ２基に由来する新たな吸収帯が、ビニルトリメトキシシランのそれらの１０７５、８０８、７６６ｃｍ－１と異なる位置に観察された。また、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルから、ブロック共重合体部分水素化物１００部に、ビニルトリメトキシシラン約１．９部が導入されたことが推算された。
（封止材（３）のシート）
　変性ブロック共重合体部分水素化物（ｉｐ２－ｓ）のペレットを使用し、変性ブロック共重合体部分水素化物（ｉｐ２－ｓ）１００部に対して水素化ポリブテン５部の割合とし、溶融樹脂温度１７０℃、Ｔダイ温度１７０℃とする以外は、製造例２と同様にして、封止材（３）のシート（厚み２０μｍ）を押出し、得られた封止材（３）のシートと離形性用のＰＥＴフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
[実施例１]
  製造例１で得られた仮封止層付き組立体（１）の仮封止層側の表面に、製造例２で作製した厚さ２０μｍの封止材（１）のシートを、ＰＥＴフィルムを剥がして重ねた。その上にさらに保護層として厚み０．７ｍｍのガラスシートを重ねて積層物を得た。
　この積層物を、ＮＹ／接着層／ＰＰの層構成を有する厚み７５μｍの樹脂製の袋に入れた。袋の開口部の中央部を２００ｍｍ幅残して両側をヒートシーラーでヒートシールした後、密封パック器（ＢＨ－９５１、パナソニック社製）を使用して、袋内を脱気しながら開口部をヒートシールして積層物を密封包装した。
　その後、密封包装した積層物をオートクレーブに入れて、圧力０．８ＭＰａ、温度９０℃で３０分間、加圧加熱し、発光素子を搭載した仮封止層付き組立体（１）を封止した。
これにより、図５に概略的に示す構造を有し、組立体１００、仮封止層１５２、封止材層１５１及び保護層１５４を有する有機ＥＬデバイス封止体（１）を作製した。
　作製した有機ＥＬデバイス封止体（１）に通電し、有機ＥＬ素子が問題なく点灯することを確認した。その後、有機ＥＬデバイス（１）を非点灯状態で、高温高湿環境下に保管して耐久性評価を行った結果、ダークスポットは発生しておらず、耐久性は良好（◎）であった。
［実施例２］
  製造例３で作製した封止材（２）のシートを使用する以外は、実施例１と同様にして、図５に概略的に示す構造を有し、組立体１００、仮封止層１５２、封止材層１５１及び保護層１５４を有する有機ＥＬデバイス封止体（２）を作製した。
　作製した有機ＥＬデバイス封止体（２）に通電し、有機ＥＬ素子が問題なく点灯することを確認した。その後、実施例１と同様に耐久性評価を行った結果、ダークスポットは発生しておらず、耐久性は良好（◎）であった。
［比較例１］
  実施例１と同様に、製造例１で得られた仮封止層付き組立体（１）、仮封止層側の表面に製造例２で作製した厚さ２０μｍの封止材（１）のシート、及び、保護層として厚み０．７ｍｍのガラスシートを重ねて積層物を得た。
　この積層物を、真空ラミネータ（ＰＶＬ０２０２Ｓ、日清紡メカトロニクス社製）を使用して、温度９０℃で、５分間真空脱気し、更に２０分間真空プレスして、これにより、実施例１と同様の図５に概略的に示す構造を有する有機ＥＬデバイス封止体（３）を作製した。
　作製した有機ＥＬデバイス封止体（３）に通電し、有機ＥＬ素子が問題なく点灯することを確認した。その後、実施例１と同様に耐久性評価を行った結果、有機ＥＬデバイスの端部付近に径２００μｍ以上のダークスポットが複数発生し、耐久性は不良（×）であった。また、耐久性評価を行った後の有機ＥＬデバイス封止体（３）は、端部の封止材層がガラスシート端部より内側にひけが観られた。
［比較例２］
  実施例２と同様に、製造例１で得られた仮封止層付き組立体（１）、仮封止層側の表面に製造例３で作製した厚さ２０μｍの封止材（２）のシート、及び、保護層として厚み０．７ｍｍのガラスシートを重ねて積層物を得た。
　この積層物を、比較例１と同様にして真空ラミネータ使用して、図５に概略的に示す構造を有する有機ＥＬデバイス封止体（４）を作製した。
　作製した有機ＥＬデバイス封止体（４）に通電し、有機ＥＬ素子が問題なく点灯することを確認した。その後、実施例１と同様に耐久性評価を行った結果、有機ＥＬデバイスの端部付近に径２００μｍ以上のダークスポットが多数発生し、耐久性は不良（×）であった。また、耐久性評価を行った後の有機ＥＬデバイス封止体（４）は、端部の封止材層がガラスシート端部より内側に引けが観られた。
［実施例３］
  製造例４で作製した封止材（３）のシートを使用する以外は、実施例１と同様にして、図５に概略的に示す構造を有し、組立体１００、仮封止層１５２、封止材層１５１及び保護層１５４を有する有機ＥＬデバイス封止体（５）を作製した。
　作製した有機ＥＬデバイス封止体（５）に通電し、有機ＥＬ素子が問題なく点灯することを確認した。その後、実施例１と同様に耐久性評価を行った結果、径５０μｍ以上２００μｍ未満のダークスポットが発生していたが、少数（１０個／ｃｍ２未満）であり、耐久性は許容（○）と評価した。
　本実施例及び比較例の結果から以下のことがわかる。
　アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなる封止材のシートと有機エレクトロニクスデバイスを重ねて、オートクレーブ内で加熱加圧することにより、有機機能素子が封止材のより良好に封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体が製造される。
　製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は、高温高湿環境に長期保管した後も、機能が維持されている（実施例１～３）。
　同じアルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなる封止材のシートと有機エレクトロニクスデバイスを重ねて封止しても、有機エレクトロニクスデバイスの封止装置として一般的な真空ラミネータを使用した場合、得られる封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体は、高温高湿環境に長期保管すると、有機エレクトロニクスデバイス封止体の端部付近では、ダークスポットが発生し易い（比較例１、２）。
　本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法は、有機機能素子の優れた封止性能を有する樹脂からなる封止材を用いた、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイスの工業的な製造方法として有用である。
　本発明の製造方法によって製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は耐久性に優れる。
  １０：有機エレクトロニクスデバイス封止体
  ２０：有機エレクトロニクスデバイス封止体
  ３０：有機エレクトロニクスデバイス封止体
  ４０：有機エレクトロニクスデバイス封止体
　５０：有機エレクトロニクスデバイス封止体
  １００：組立体
  １０１：基板
  １０１Ｕ：基板の上面
  １０２：第１の電極層
  １０３：エッジカバー層
  １０４：発光層　　
  １０５：第２の電極層
  １５１：封止材層
  １５２：仮封止層
  １５３：吸着剤層
　１５４：保護層
  ５００：組立体
  ５０１：基板
  ５０１Ｕ：組立体の上面
  ５０２：ゲート電極
  ５０３：ゲート電極絶縁層
  ５０４：ソース電極
  ５０５：ドレイン電極
  ５０６：半導体層
  ５０７：封止用樹脂組成物の層

Claims (5)

  1. 　有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、
    工程［１］：前記有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程、
    工程［２］：得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程、及び、
    工程［３］：前記の密封した袋を、０．１ＭＰａ以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程、
    を有することを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
  2. 　前記有機エレクトロニクスデバイスが、有機ＥＬ素子を備える有機エレクトロニクスデバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。　　　　
  3. 　前記アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂が、芳香族ビニル化合物を主成分とする重合体ブロックと、鎖状共役ジエン化合物を主成分とする重合体ブロックとからなるブロック共重合体を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉ）及びポリオレフィン系樹脂（ｉｉ）から選ばれる少なくとも１種の炭化水素系樹脂に、アルコキシシリル基が導入されてなる変性炭化水素系軟質樹脂であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
  4. 　前記ブロック共重合体水素化物（ｉ）が、
    芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも２つの重合体ブロック（Ａ）と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも１つの重合体ブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体（Ｃ）であって、全重合体ブロック（Ａ）のブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＡとし、全重合体ブロック（Ｂ）のブロック共重合体（Ｃ）全体に占める重量分率をｗＢとしたときに、ｗＡとｗＢとの比ｗＡ：ｗＢが２０：８０～６０：４０であるブロック共重合体（Ｃ）の、主鎖及び側鎖の炭素－炭素不飽和結合及び芳香環の炭素－炭素不飽和結合の９０％以上を水素化したブロック共重合体水素化物（ｉａ）であることを特徴とする、請求項３に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
  5. 　前記樹脂製の袋が、ポリプロピレンからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートから構成されたものであることを特徴とする、請求項１～４のいずれかに記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
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