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WO2015041153A1 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

弾性波装置及びその製造方法 Download PDF

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WO2015041153A1
WO2015041153A1 PCT/JP2014/074132 JP2014074132W WO2015041153A1 WO 2015041153 A1 WO2015041153 A1 WO 2015041153A1 JP 2014074132 W JP2014074132 W JP 2014074132W WO 2015041153 A1 WO2015041153 A1 WO 2015041153A1
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WO
WIPO (PCT)
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wave device
film
hole
electrode
insulating material
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/074132
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅 坪川
拓 菊知
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2015041153A1 publication Critical patent/WO2015041153A1/ja
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    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
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    • H03H9/05—Holders or supports
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    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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    • H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0514—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device such as a surface acoustic wave device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an acoustic wave device having a wiring electrode electrically connected to an IDT electrode and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 a surface acoustic wave device having a hollow portion is miniaturized.
  • an IDT electrode is formed on a piezoelectric substrate.
  • a support layer is provided on the piezoelectric substrate so as to surround a region where the IDT electrode is formed.
  • a cover layer as a lid material is laminated so as to cover the opening of the support layer.
  • miniaturization is achieved.
  • a through hole is formed in the support layer by a laser or the like. The through-hole is filled with an under bump metal layer. This under bump metal layer is connected to the lower electrode.
  • a two-layer structure wiring is provided so as to partially overlap the IDT electrode. Thereby, it is said that cracks generated between the piezoelectric substrate and the IDT electrode can be suppressed.
  • the upper electrode layer is composed of an Al film.
  • a through hole was formed in the support layer by laser light irradiation or the like, and an under bump metal layer was formed in the through hole.
  • the electrode surface exposed below the through hole may be altered.
  • Patent Document 2 when a two-layer wiring structure in which the upper surface side is made of an Al film is used as a wiring electrode connected to the IDT electrode, there is a possibility that the Al film may be altered by laser light irradiation.
  • the Al film has a natural oxide film on the surface. Therefore, when a via conductor such as an under bump metal layer is formed by plating, there is a problem that the plating film is difficult to adhere to the Al film.
  • An object of the present invention is to form a plating film on a wiring portion connected to an IDT electrode, and to form the hole even when the plating film is formed by filling a hole with a conductive material. It is an object of the present invention to provide an elastic wave device and a method for manufacturing the same, in which alteration of the wiring portion is unlikely to occur during the processing.
  • An acoustic wave device is provided so as to be electrically connected to a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and to cover a part of the IDT electrode.
  • the wiring electrode has a laminated structure in which a refractory metal layer having a melting point of 900 ° C. or higher, a diffusion prevention film, and an Al or Al alloy film are laminated in order from the upper surface side.
  • the refractory metal layer is made of Pt. In that case, corrosion of the upper surface of the wiring electrode can be prevented more reliably.
  • the through hole is a through hole formed by laser light irradiation. In this case, even if the through hole is formed by laser light irradiation, the refractory metal layer facing the through hole is unlikely to corrode.
  • the diffusion preventing film is a metal selected from the group consisting of Cu, Au, Ti, Ta, Ni, Cr, W, Ag, Pd, Co, and Mn, or an oxidation thereof.
  • a metal layer made of an alloy, nitride, or alloy mainly composed of the metal. In this case, diffusion of the metal of the refractory metal layer and Al contained in the Al or Al alloy film is effectively prevented.
  • a metal bump provided on the conductive layer is further provided.
  • the acoustic wave device can be surface mounted on the mounting portion from the metal bump side.
  • a lid member fixed to the upper surface of the insulating material is further provided so that the conductive layer penetrates the lid member from the insulating material.
  • the hollow part which faces an IDT electrode can be comprised with a piezoelectric substrate, an insulating material, and a cover material.
  • the metal bumps electrically connected to the IDT electrode are located outside the lid member, the surface acoustic wave device can be easily surface-mounted on the mounting substrate from the lid member side.
  • the method for manufacturing an acoustic wave device according to the present invention includes the following steps.
  • Step of preparing a piezoelectric substrate having an IDT electrode formed on the upper surface Step of preparing a piezoelectric substrate having an IDT electrode formed on the upper surface.
  • the step of forming an insulating material so as to cover a part of the wiring electrode is a step of forming an insulating material so as to cover a part of the wiring electrode.
  • Step of filling the through hole with a conductive layer Step of filling the through hole with a conductive layer.
  • an Al or Al alloy film, a diffusion prevention film, and a refractory metal film made of a refractory metal having a melting point of 900 ° C. or higher are laminated in this order.
  • a Pt film is formed as the refractory metal film. In this case, alteration of the wiring electrode can be prevented more reliably.
  • the through hole is formed by irradiating the insulating material with laser light. Even when the laser beam is irradiated, the upper surface of the wiring electrode facing the through hole is hardly changed.
  • a process of forming metal bumps on the conductive layer is further provided.
  • an acoustic wave device that can be surface-mounted on a mounting portion using metal bumps.
  • the method further includes a step of fixing a lid member having a second through hole connected to the through hole of the insulating material on the insulating material.
  • the conductive layer is filled in the through hole of the insulating material and the second through hole of the lid member.
  • the piezoelectric substrate, the insulating material, and the lid material can form a hollow portion where the IDT electrode faces.
  • the acoustic wave device provided with the hollow portion can be easily surface-mounted from the lid material side using metal bumps.
  • the wiring electrode has a laminated structure in which a refractory metal layer having a melting point of 900 ° C. or higher, a diffusion prevention film, and an Al or Al alloy film are laminated in order from the upper surface Even if the laser beam is irradiated, the refractory metal layer hardly changes in quality. Therefore, the deterioration of the wiring electrode can be reliably suppressed. In addition, since the upper surface side of the wiring electrode is difficult to oxidize, when a conductive layer filled in the through hole in which the wiring electrode is exposed is formed, poor adhesion between the conductive layer and the wiring electrode hardly occurs. Therefore, it is possible to provide an acoustic wave device having excellent electrical connection reliability.
  • 1A and 1B are a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention and a partially enlarged sectional view showing a laminated structure of wiring electrodes used in the present embodiment.
  • 2 (a) to 2 (d) are front sectional views for explaining a method of manufacturing an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • 3 (a) to 3 (d) are front sectional views for explaining a method of manufacturing an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • 4 (a) to 4 (d) are front sectional views for explaining a method of manufacturing an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a partially cutaway front cross-sectional view for explaining a main part of an elastic wave device according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a partially cutaway front cross-sectional view for explaining a main part of an elastic wave device according to another embodiment.
  • FIG. 1A is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of a LiNbO 3 substrate.
  • the LiNbO 3 substrate may be doped with other elements.
  • a piezoelectric substrate made of another piezoelectric single crystal such as a LiTaO 3 substrate may be used.
  • piezoelectric ceramics may be used instead of the piezoelectric single crystal.
  • An IDT electrode 3 is formed on the piezoelectric substrate 2.
  • the IDT electrode 3 is provided to excite surface acoustic waves.
  • the IDT electrode 3 can be formed using an appropriate thin film forming method such as vapor deposition or sputtering.
  • the IDT electrode 3 can be formed of an appropriate metal. Examples of such a metal include Al, Pt, Cu, Au, Ti, Ni, Cr, W, Ag, Pd, Co, and Mn. Moreover, you may use the alloy of these metals.
  • the IDT electrode 3 may be formed of a laminated metal film formed by laminating a plurality of metal films. In this embodiment, the IDT electrode 3 is made of a laminated metal film in which an Al film is laminated on a Pt film.
  • a dielectric film 4 is formed on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the IDT electrode 3.
  • the dielectric film 4 is made of silicon oxide.
  • the material constituting the dielectric film 4 is not limited to silicon oxide, but is a general dielectric material such as silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, tantalum oxide, titanium oxide, titanium nitride, aluminum oxide, or tellurium oxide. Can be used.
  • a second dielectric film 5 is laminated on the dielectric film 4.
  • the second dielectric film 5 is made of silicon nitride.
  • the second dielectric film 5 can be formed of an appropriate dielectric material as described above.
  • the second dielectric film 5 is provided as a frequency adjusting film and a moisture-resistant protective film. That is, the frequency can be adjusted by adjusting the thickness of the second dielectric film 5. Further, since the second dielectric film 5 is provided, the portion where the IDT electrode 3 and the dielectric film 4 are formed can be protected from moisture.
  • the second dielectric film 5 is desirably made of a dielectric material having a higher sound velocity than the dielectric film 4 in order to increase the frequency adjustment amount.
  • the moisture permeability is made of a dielectric material lower than that of the dielectric film 4. Therefore, in this embodiment, silicon nitride is used which has a higher sound speed than silicon oxide and a low water vapor transmission rate.
  • the IDT electrode 3 has a plurality of electrode fingers 3a and terminal electrodes 3b and 3c.
  • the electrode finger 3a is electrically connected to the terminal electrode 3b or the terminal electrode 3c.
  • Wiring electrodes 6 and 7 are provided so as to cover part of the terminal electrodes 3b and 3c of the IDT electrode 3.
  • the wiring electrodes 6 and 7 are electrically connected to the terminal electrodes 3b and 3c, respectively.
  • the wiring electrodes 6 and 7 should just be provided so that a part of IDT electrode 3 may be covered except the area
  • FIG. 1B is a partial enlarged cross-sectional view specifically showing the structure of the wiring electrode 6.
  • the wiring electrode 6 actually has a structure in which a refractory metal film 11, a diffusion prevention film 12, and an Al alloy film 13 are laminated in this order from the top.
  • the refractory metal film 11 as the refractory metal layer is a metal film having a melting point of 900 ° C. or higher.
  • fusing point is not specifically limited, The maximum temperature of melting
  • the refractory metal is not particularly limited as long as it has a melting point of 900 ° C. or higher.
  • the refractory metal to be used Pt, Au, Ag, Pd, and alloys mainly composed of these can be used.
  • the melting point of Pt is 1768 ° C.
  • the melting point of Au is 1064 ° C.
  • the melting point of Ag is 962 ° C.
  • the melting point of Pd is 1554 ° C.
  • Pt or an alloy mainly composed of Pt and having a melting point of 900 ° C. or higher is used. More preferably, a Pt film is used.
  • the melting point of the refractory metal film 11 is 900 ° C. or higher.
  • the temperature of the through hole forming portion when forming a through hole by laser irradiation described later is about 900 ° C. to 1000 ° C. Therefore, if the melting point is 900 ° C. or higher, the refractory metal film 11 is unlikely to deteriorate during the through hole formation processing by laser irradiation. Preferably, alteration can be more reliably suppressed by using a Pt film as described above.
  • the diffusion prevention film 12 is made of Ti.
  • the diffusion prevention film 12 is provided to prevent diffusion of Al and other metal components in the Al alloy film 13 and the refractory metal in the refractory metal film 11.
  • Such a diffusion preventing film can be formed of an appropriate material as long as the diffusion preventing function is achieved.
  • a material other than the metal constituting the refractory metal film 11, Cu, Au, Ti, Ta, Ni, Cr, W, Ag, Pd, Co, Mn, or these are mainly used. Mention may be made of alloys. Further, an oxide such as Cr oxide or a nitride such as Cr nitride may be used. Further, the diffusion preventing film 12 may have a laminated structure in which a plurality of films made of these materials are laminated.
  • a support material 8 as an insulating material is provided so as to cover the piezoelectric substrate 2.
  • the support member 8 has a frame shape, and the IDT electrode 3 described above is provided in a region surrounded by the frame shape.
  • the support material 8 is made of a synthetic resin in the present embodiment.
  • the support material 8 is not limited to a synthetic resin, and may be formed of an insulating material such as an insulating ceramic such as alumina.
  • the thickness of the support material 8 is made thicker than the thickness of the IDT electrode 3.
  • the support member 8 is provided with through holes 8a and 8b.
  • the through holes 8a and 8b are formed by irradiating the support material 8 with laser light.
  • the through holes 8a and 8b are formed, the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 on the lower surfaces of the through holes 8a and 8b are exposed. That is, the upper surface of the refractory metal film 11 is exposed to the through hole 8a and the through hole 8b. Since the refractory metal film 11 is made of the above refractory metal, the refractory metal film 11 is hardly changed by irradiation with laser light.
  • the lid member 14 is fixed to the upper surface of the support member 8 so as to cover the opening surrounded by the support member 8.
  • the lid member 14 can be formed of an appropriate synthetic resin.
  • the lid member 14 may be formed of an insulating ceramic such as alumina.
  • the lid member 14 is provided with through holes 14a and 14b that are continuous with the through holes 8a and 8b. In the present embodiment, the through holes 14a and 14b are also formed by laser light irradiation.
  • An under bump metal layer 9a as a conductive layer is provided so as to fill a portion where the through holes 8a and 14a are provided.
  • An under bump metal layer 9b is provided so as to fill a portion where the through holes 8b and 14b are provided.
  • the under bump metal layers 9a and 9b are made of an appropriate metal. Examples of such metals include Pt, Au, Cu, Ti, Ni, Cr, W, Ag, Pd, Co, and Mn. An alloy mainly composed of these metals may be used.
  • the under bump metal layers 9a and 9b may be made of a single metal, or may have a structure in which a plurality of metal films are laminated. In this embodiment, the under bump metal layers 9a and 9b are provided by laminating an Au plating film on a Ni plating film.
  • the under bump metal layers 9a and 9b are preferably formed by a plating method.
  • the under bump metal layers 9a and 9b can be formed by a relatively simple process.
  • the plating method is not particularly limited, but an electrolytic plating method is preferably used.
  • the plating film is first deposited on the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 exposed in the through holes 8a and 8b.
  • the refractory metal film 11 is located on the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7, and the surface thereof is not altered. Therefore, the under bump metal layers 9a and 9b can be easily and reliably formed by plating. Therefore, the adhesion between the under bump metal layers 9a and 9b and the wiring electrodes 6 and 7 and the reliability of electrical connection are effectively enhanced.
  • metal bumps 10a and 10b are provided as metal bumps on the under bump metal layers 9a and 9b. That is, since the metal bumps 10a and 10b are located outside the lid member 14, the side of the elastic wave device 1 on which the metal bumps 10a and 10b are provided is positioned on the mounting substrate, and the elastic wave device. 1 can be easily surface-mounted.
  • the planar shape of the piezoelectric substrate 2 and the planar shape of the lid member 14 are equal, and they overlap when viewed in plan. Therefore, the planar shape of the acoustic wave device 1 is the same as the planar shape of the piezoelectric substrate 2, and the miniaturization can be promoted.
  • the planar shape of the lid member 14 may be smaller than the planar shape of the piezoelectric substrate 2.
  • the elastic wave device 1 can be configured to have a planar shape equal to or smaller than the size of the piezoelectric substrate 2 necessary for excitation of the elastic wave.
  • the under bump metal layers 9a and 9b are formed in the through holes 8a and 8b and the metal bumps 10a and 10b are provided.
  • the metal bumps 10a and 10b may not be provided.
  • the conductive material filled in the through holes 8a and 8b does not have a function as an under bump metal layer, but functions as another conductive connection member.
  • the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 are composed of the refractory metal film 11, the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 are formed by the high temperature applied in the formation of the through holes 8a and 8b as described above. Is hard to change. Therefore, when the conductive material such as the under bump metal layers 9a and 9b is filled in the through holes in the support material 8 by plating, the wiring electrodes 6 and 7 and the under bump metal formed on the wiring electrodes 6 and 7 are used. Adhesiveness with conductive materials such as the layers 9a and 9b and the reliability of electrical connection can be effectively increased.
  • a piezoelectric substrate 2 is prepared.
  • An IDT electrode 3 is formed on the piezoelectric substrate 2. That is, a metal film for forming the IDT electrode 3 is formed and patterned by photolithography or the like. In this way, the IDT electrode 3 having the plurality of electrode fingers 3a and the terminal electrodes 3b and 3c described above is formed.
  • a dielectric film 4A shown in FIG. 2B is formed.
  • the dielectric film 4A made of a silicon oxide film is formed by bias sputtering.
  • a sacrificial layer 18 is formed on the dielectric film 4A.
  • the material for synthesizing the sacrificial layer 18 preferably has a low viscosity and can be applied flatly.
  • the sacrificial layer 18 is made of a photoresist.
  • the material constituting the sacrificial layer 18 is not particularly limited as long as etchback can be performed, and an appropriate photoresist, SOG, BARC, TARC, or the like can be used. That is, an appropriate material that can be applied by a general coating method and can be etched back can be used.
  • the material constituting the sacrificial layer 18 is applied to form the sacrificial layer 18.
  • the unevenness on the dielectric film 4A is filled.
  • the etching selectivity between the dielectric film 4A and the sacrificial layer 18 is close to 1: 1.
  • etching method may be dry etching or wet etching.
  • etch back is performed by dry etching. That is, as shown in FIG. 2 (d), the sacrificial layer 18 was removed, and the dielectric film 4A located below was removed at least in the portion where the unevenness was present. In this way, the dielectric film 4 is formed with a flat upper surface.
  • a second dielectric film 5 is formed as shown in FIG.
  • the second dielectric film 5 made of a silicon nitride film is formed by sputtering.
  • This removal method may use either a dry process or a wet process.
  • the dielectric films 4 and 5 are partially removed by a dry process, and the upper surfaces of the terminal electrodes 3b and 3c are exposed.
  • wiring electrodes 6 and 7 are formed.
  • the wiring electrodes 6 and 7 of this embodiment have a three-layer structure of Pt / Ti / AlCu in order from the top. Accordingly, the AlCu film, the Ti film, and the Pt film are formed in this order, and the wiring electrodes 6 and 7 are formed.
  • etching is performed by a dry process to adjust the thickness of the dielectric film 5. In this way, frequency adjustment is performed.
  • a support material 8 is formed.
  • the support material 8 is formed by applying a resin material that forms the support material 8.
  • the aforementioned through holes 8a and 8b are not formed.
  • the support material 8 can be formed by applying and patterning a synthetic resin constituting the support material 8.
  • a lid material 14 is laminated as shown in FIG. That is, the lid member 14 is fixed on the support member 8 so as to close the opening surrounded by the support member 8. In this way, the hollow portion B is formed.
  • the lid member 14 is preferably made of a resin having excellent flux resistance.
  • laser light is irradiated to form through holes 8a and 8b and through holes 14a and 14b as second through holes as shown in FIG. 4C.
  • the temperature of the portion irradiated with the laser light becomes a high temperature of 900 ° C. to 1000 ° C. Since the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 are made of the refractory metal layer described above, the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7 are not easily altered.
  • the under bump metal layers 9a and 9b are formed so as to fill the through holes 8a, 8b, 14a and 14b. That is, in order to form the under bump metal layers 9a and 9b, a Ni plating film and an Au plating film are formed in this order by an electrolytic plating method. Since the refractory metal film 11 is located on the upper surfaces of the wiring electrodes 6 and 7, the Ni plating film is sufficiently adhered to the wiring electrodes 6 and 7, and the Ni plating film can be formed reliably. Therefore, the reliability of the electrical connection is also improved.
  • the metal bumps 10a and 10b shown in FIG. 1A are provided on the under bump metal layers 9a and 9b. More specifically, after a metal mask is disposed, a solder paste such as Sn—Ag—Cu is printed on the under bump metal layers 9a and 9b. Thereafter, the solder paste is heated to a temperature at which it melts, and the solder paste is attached to the under bump metal layers 9a and 9b. Thereafter, the flux is removed with a flux cleaning agent. In this manner, spherical metal bumps 10a and 10b are formed.
  • the collective substrate may be diced to obtain the individual acoustic wave devices 1.
  • FIG. 5 is a partially cutaway front sectional view showing, in an enlarged manner, a portion where the wiring electrode 6 is provided in a modified example of the acoustic wave device 1.
  • the under bump metal layer 9 a is in close contact with the upper surface of the refractory metal film 11 of the wiring electrode 6.
  • the terminal electrode 3b is not located below the under bump metal layer 9a, that is, the portion where the metal bump 10a shown in FIG. 1A is provided. That is, the IDT electrode 3 is not located below the metal bump. Accordingly, it is difficult for a level difference to occur at a portion where the metal bump 10a is joined above the wiring electrode 6. Therefore, the upper surface of the wiring electrode 6 tends to be flat.
  • a part of the IDT electrode 3, that is, a part of the terminal electrode 3 b may exist below the part where the under bump metal layer 9 a continuous with the metal bump 10 a is provided.

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　ＩＤＴ電極に接続される配線部分上にメッキ膜を確実に形成でき、かつメッキ膜が導電材を孔に充填することにより形成されている場合であっても、該孔の加工に際しての配線部分の変質が生じ難い、弾性波装置を提供する。　圧電基板２上にＩＤＴ電極３が設けられており、ＩＤＴ電極３に電気的に接続されるように配線電極６，７が設けられており、圧電基板２上に配線電極６，７の少なくとも一部を覆うように支持材８が設けられおり、支持材８に配線電極６，７の上面を露出させる貫通孔８ａ，８ｂが設けられており、貫通孔８ａ，８ｂに導電層９ａ，９ｂが充填されており、配線電極６，７が上面から順に、融点９００℃以上の高融点金属膜１１、拡散防止膜１２及びＡｌもしくはＡｌ合金膜１３を積層してなる積層構造を有する、弾性波装置。

Description

弾性波装置及びその製造方法
　本発明は、弾性表面波装置などの弾性波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている配線電極を有する弾性波装置及びその製造方法に関する。
　従来、電子機器の小型化を図るため、弾性表面波装置においても小型化が強く求められている。弾性表面波装置には、ＩＤＴ電極が臨む中空部を構成する必要がある。このため、下記の特許文献１では中空部を有する弾性表面波装置の小型化が図られている。特許文献１では、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されている。ＩＤＴ電極が形成されている領域を囲むように圧電基板上に支持層が設けられている。この支持層の開口部を覆うように蓋材としてのカバー層が積層されている。それによって小型化が図られている。支持層にはレーザー等により貫通孔が形成されている。貫通孔にアンダーバンプメタル層が充填されている。このアンダーバンプメタル層は下方の電極に接続されている。
　他方、下記の特許文献２に記載の弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極に部分的に重なるように二層構造の配線が設けられている。それによって、圧電基板とＩＤＴ電極間で発生するクラックを抑制することができるとされている。二層構造の配線では、上面側の電極層がＡｌ膜により構成されている。
特開２０１０－２７８９７１号広報 特開２００３－１７４０５６号広報
　特許文献１に記載の弾性表面波装置では、上記支持層にレーザー光の照射等により貫通孔を形成し、該貫通孔にアンダーバンプメタル層が形成されていた。このような構造では、貫通孔の形成に際し、貫通孔の下方に露出する電極表面が変質するおそれがあった。特に、特許文献２に記載のように、ＩＤＴ電極に連なる配線電極として、上面側がＡｌ膜からなる二層配線構造を用いた場合、レーザー光の照射によりＡｌ膜が変質するおそれがあった。また、Ａｌ膜は表面に自然酸化膜を有する。従って、メッキ法によるアンダーバンプメタル層のようなビア導体を形成した場合、メッキ膜がＡｌ膜に付着しがたいという問題もあった。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極に接続される配線部分上にメッキ膜を確実に形成でき、かつ該メッキ膜が導電材を孔に充填することにより形成されている場合であっても、該孔の加工に際して配線部分の変質が生じ難い、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、上記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、上記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるように、かつ上記ＩＤＴ電極の一部を覆うように設けられた配線電極と、上記圧電基板上に設けられており、上記配線電極の少なくとも一部を覆うように設けられており、さらに上記配線電極の上面を露出させる貫通孔が設けられている絶縁材と、上記絶縁材の上記貫通孔に充填されている導電層とを備える。
　本発明では、上記配線電極が、上面側から順に、融点９００℃以上の高融点金属層、拡散防止膜及びＡｌもしくはＡｌ合金膜を積層してなる積層構造を有する。
　好ましくは、高融点金属層はＰｔからなる。その場合には配線電極の上面の腐食をより一層確実に防止することができる。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、上記貫通孔がレーザー光の照射により形成されている貫通孔である。この場合、レーザー光の照射により貫通孔を形成したとしても、該貫通孔に臨む高融点金属層が腐食し難い。
　本発明に係る弾性波装置では、好ましくは上記拡散防止膜が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＭｎからなる群から選択された金属、もしくはその酸化物や窒化物、あるいは該金属を主体とする合金からなる金属層を有する。この場合には高融点金属層の金属と、ＡｌもしくはＡｌ合金膜に含まれているＡｌなどの拡散が効果的に防止される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記導電層上に設けられた金属バンプがさらに備えられている。この場合には、弾性波装置を該金属バンプ側から実装部分に表面実装することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、上記絶縁材の上面に固定された蓋材がさらに備えられており、上記導電層が上記絶縁材から上記蓋材を貫通するように設けられている。この場合には、圧電基板と絶縁材及び蓋材とによりＩＤＴ電極を臨む中空部を構成することができる。また、該ＩＤＴ電極に電気的に接続されている金属バンプが蓋材の外側に位置しているため、該蓋材側から実装基板に弾性波装置を容易に表面実装することができる。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法は、以下の各工程を備える。
　ＩＤＴ電極が上面に形成されている圧電基板を用意する工程。
　上記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるようにかつ、上記ＩＤＴ電極の一部を覆うように配線電極を形成する工程。
　上記配線電極の一部を覆うように絶縁材を形成する工程。
　上記絶縁材に貫通孔を形成し、上記配線電極の上面を上記貫通孔に露出させる工程。
　上記貫通孔に導電層を充填する工程。
　また、本発明では、上記配線電極を形成する工程において、ＡｌもしくはＡｌ合金膜、拡散防止膜及び融点９００℃以上の高融点金属からなる高融点金属膜をこの順序で積層する。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、上記高融点金属膜として、Ｐｔ膜を形成する。この場合には、配線電極の変質をより確実に防止することができる。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、上記貫通孔の形成を上記絶縁材にレーザー光を照射することにより行う。レーザー光を照射したとしても、貫通孔に臨む配線電極上面の変質が生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、上記導電層上に金属バンプを形成する工程がさらに備えられている。この場合には、金属バンプを用いて実装部分に表面実装し得る弾性波装置を提供することができる。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、上記絶縁材上に上記絶縁材の貫通孔につながる第２の貫通孔を有する蓋材を固定する工程がさらに備えられており、上記導電層を、上記絶縁材の貫通孔及び上記蓋材の第２の貫通孔に充填する。この場合には圧電基板と、絶縁材と蓋材とによりＩＤＴ電極が臨む中空部を構成することができる。また、中空部が設けられた弾性波装置を蓋材側から金属バンプを利用して容易に表面実装することができる。
　本発明に係る弾性波装置及びその製造方法では、配線電極が上面から順に融点９００℃以上の高融点金属層、拡散防止膜及びＡｌもしくＡｌ合金膜を積層してなる積層構造を有するため、レーザー光が照射されたとしても、高融点金属層における変質が生じ難い。従って、上記配線電極の変質を確実に抑制することができる。加えて、配線電極の上面側が酸化しがたいため、配線電極が露出している貫通孔に充填されている導電層を形成した場合、該導電層と配線電極との付着不良が生じ難い。したがって、電気的接続の信頼性に優れた弾性波装置を提供するが可能となる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図及び本実施形態で用いられている配線電極の積層構造を示す部分拡大断面図である。 図２（ａ）～図２（ｄ）は、本発明の一実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図３（ａ）～図３（ｄ）は、本発明の一実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図４（ａ）～図４（ｄ）は、本発明の一実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の変形例の弾性波装置の要部を説明するための部分切欠正面断面図である。 図６は、他の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分切欠正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、本実施形態では、ＬｉＮｂＯ３基板からなる。なお、ＬｉＮｂＯ３基板には、他の元素がドープされていてもよい。また、本発明においては、ＬｉＮｂＯ３基板のほか、ＬｉＴａＯ３基板などの他の圧電単結晶からなる圧電基板を用いてもよい。さらに、圧電単結晶に代えて、圧電セラミックスを用いてもよい。
　圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３が形成されている。ＩＤＴ電極３は、弾性表面波を励振するために設けられている。ＩＤＴ電極３は、例えば蒸着やスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法を用いて形成することができる。ＩＤＴ電極３は、適宜の金属により形成することができる。このような金属としては、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、ＣｏまたはＭｎなどを挙げることができる。また、これらの金属の合金を用いてもよい。さらに、ＩＤＴ電極３は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により形成されていてもよい。本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、Ｐｔ膜上にＡｌ膜を積層した積層金属膜からなる。
　ＩＤＴ電極３を覆うように、圧電基板２上に誘電体膜４が形成されている。誘電体膜４は、本実施形態では、酸化ケイ素からなる。それによって、周波数温度特性を改善することができる。なお、誘電体膜４を構成する材料は、酸化ケイ素に限らず、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化チタン、酸化アルミニウムまたは酸化テルルなどの一般的な誘電体材料を用いることができる。
　誘電体膜４上に、第２の誘電体膜５が積層されている。第２の誘電体膜５は、本実施形態では、窒化ケイ素からなる。もっとも、第２の誘電体膜５は、上述したような適宜の誘電体材料により形成することができる。
　第２の誘電体膜５は、本実施形態では、周波数調整用膜及び耐湿保護膜として設けられている。すなわち、第２の誘電体膜５の膜厚を調整することにより、周波数を調整することができる。また、第２の誘電体膜５が設けられていることにより、ＩＤＴ電極３及び誘電体膜４が形成されている部分を湿気から保護することが可能とされている。
　第２の誘電体膜５は、周波数調整量を高めるには、誘電体膜４よりも高音速の誘電体材料を用いることが望ましい。あるいは、耐湿保護性能を高めるためには、水蒸気透過率が誘電体膜４よりも低い誘電体材料からなることが望ましい。従って、本実施形態では、酸化ケイ素よりも高音速であり、かつ水蒸気透過率が低い窒化ケイ素が用いられている。
　ＩＤＴ電極３は、複数の電極指３ａと、端子電極３ｂ，３ｃとを有する。電極指３ａは、端子電極３ｂまたは端子電極３ｃに電気的に接続されている。ＩＤＴ電極３の端子電極３ｂ，３ｃの一部を覆うように配線電極６，７が設けられている。配線電極６，７は、端子電極３ｂ，３ｃにそれぞれ電気的に接続されている。なお、配線電極６，７は、複数本の電極指３ａが設けられている領域以外において、ＩＤＴ電極３の一部を覆うように設けられておればよい。
　図１（ｂ）は、配線電極６の構造を具体的に示す部分拡大断面図である。配線電極６は、実際には、上から順に高融点金属膜１１、拡散防止膜１２及びＡｌ合金膜１３をこの順序で積層した構造を有する。高融点金属層としての高融点金属膜１１は、融点が９００℃以上の金属膜である。なお、融点の上限は特に限定されないが、公知の金属の融点の最高温度が上限となる。融点が９００℃以上の金属からなる限り、上記高融点金属は特に限定されない。用いる高融点金属としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びこれらを主体とする合金であって、融点が９００℃以上の合金を用いることができる。Ｐｔの融点は１７６８℃、Ａｕの融点は１０６４℃、Ａｇの融点は９６２℃、Ｐｄの融点は１５５４℃である。好ましくは、Ｐｔまたは、Ｐｔを主体とする融点が９００℃以上の合金が用いられる。さらに好ましくはＰｔ膜が用いられる。
　高融点金属膜１１の融点が９００℃以上である。他方、後述するレーザー照射による貫通孔の形成に際しての貫通孔形成部分の温度は約９００℃～１０００℃程度である。従って、融点が９００℃以上であれば、高融点金属膜１１はレーザー照射による貫通孔形成加工時に変質し難い。好ましくは、上記のようにＰｔ膜を用いることにより変質を、より確実に抑制することができる。
　本実施形態では、拡散防止膜１２はＴｉからなる。上記拡散防止膜１２は、Ａｌ合金膜１３中のＡｌや他の金属成分及び高融点金属膜１１中の高融点金属の拡散を防止するために設けられている。このような拡散防止膜は、上記拡散防止作用を果たす限り適宜の材料により形成することができる。このような材料としては、高融点金属膜１１を構成している金属以外であって、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、ＣｏまたはＭｎあるいはこれらを主体とする合金を挙げることができる。また、Ｃｒ酸化物等の酸化物やＣｒ窒化物のような窒化物を用いてもよい。さらに、拡散防止膜１２はこれらの材料からなる複数の膜を積層してなる積層構造を有していてもよい。
　図１（ａ）に示すように、圧電基板２を覆うように、絶縁材としての支持材８が設けられている。支持材８は、枠状の形状を有し、該枠状の形状で囲まれた領域に上述したＩＤＴ電極３が設けられている。支持材８は、本実施形態では合成樹脂により構成されている。支持材８は、合成樹脂に限らず、アルミナなどの絶縁性セラミックスのような絶縁材料により形成されていてもよい。支持材８の厚みは、ＩＤＴ電極３の厚みよりも厚くされている。
　他方、支持材８には貫通孔８ａ、８ｂが設けられている。貫通孔８ａ，８ｂは、本実施形態では、支持材８にレーザー光を照射することにより形成されている。貫通孔８ａ，８ｂが形成されると、貫通孔８ａ，８ｂの下面の配線電極６，７の上面が露出することとなる。すなわち、高融点金属膜１１の上面が貫通孔８ａ及び貫通孔８ｂに露出する。高融点金属膜１１は、上記高融点金属からなるため、レーザー光の照射により変質し難い。
　他方、支持材８により囲まれた開口部を覆うように蓋材１４が支持材８の上面に固定されている。蓋材１４は適宜の合成樹脂により形成することができる。もっとも、蓋材１４はアルミナなどの絶縁性セラミックスにより形成されてもよい。蓋材１４には、貫通孔１４ａ，１４ｂが貫通孔８ａ，８ｂに連なるように設けられている。本実施形態では、貫通孔１４ａ，１４ｂもレーザー光の照射により形成されている。
　貫通孔８ａ，１４ａが設けられている部分を充填するように導電層としてのアンダーバンプメタル層９ａが設けられている。貫通孔８ｂ，１４ｂが設けられている部分を充填するようにアンダーバンプメタル層９ｂが設けられている。アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂは、適宜の金属からなる。このような金属としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｍｎなどが挙げられる。またこれらの金属を主体とする合金を用いてもよい。さらに、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂは単一の金属により構成されていてもよく、あるいは複数の金属膜が積層されている構造を有していてもよい。本実施形態では、Ｎｉのメッキ膜上にＡｕメッキ膜を積層することによりアンダーバンプメタル層９ａ，９ｂが設けられている。
　アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂは、メッキ法により形成することが好ましい。それによって、比較的簡易なプロセスにより、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを形成することができる。また、メッキ法については、特に限定されないが、電解メッキ法が好適に用いられる。
　メッキ法によりアンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを形成する場合、メッキ膜は、まず貫通孔８ａ，８ｂに露出している配線電極６，７の上面に堆積する。本実施形態では、配線電極６，７の上面には高融点金属膜１１が位置しており、その表面が変質していない。従って、メッキ法によりアンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを容易にかつ確実に形成することができる。よって、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂと配線電極６，７との密着性及び電気的接続の信頼性が効果的に高められる。
　なお、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂ上に金属バンプとして金属バンプ１０ａ，１０ｂが設けられている。すなわち、蓋材１４の外側に金属バンプ１０ａ，１０ｂが位置しているため、弾性波装置１の金属バンプ１０ａ，１０ｂが設けられている側を実装基板上に位置するようにして、弾性波装置１を容易に表面実装することができる。
　弾性波装置１では、圧電基板２の平面形状と蓋材１４の平面形状が等しくされており、両者が平面視した場合重なり合っている。従って、弾性波装置１の平面形状は圧電基板２の平面形状と同一であり、小型化を進めることができる。なお、蓋材１４の平面形状は圧電基板２の平面形状より小さくてもよい。いずれにしても、弾性波装置１は、弾性波の励振に必要な圧電基板２の寸法以下の平面形状を有するように構成することができる。
　なお、本実施形態では、上記アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを貫通孔８ａ、８ｂ内に形成し、さらに金属バンプ１０ａ，１０ｂを設けたが、金属バンプ１０ａ，１０ｂは設けられずともよい。その場合には、貫通孔８ａ，８ｂに充填される導電材は、アンダーバンプメタル層としての機能を有しないが、他の導電性接続部材として機能することになる。
　上記弾性波装置１では、配線電極６，７を上面が高融点金属膜１１で構成されているため上記のように、貫通孔８ａ，８ｂの形成等において加わる高温により配線電極６，７の上面が変質し難い。従って、メッキ法によりアンダーバンプメタル層９ａ，９ｂのような導電材を支持材８内の貫通孔に充填した場合、配線電極６，７と、配線電極６，７上に形成されるアンダーバンプメタル層９ａ，９ｂのような導電材との密着性及び電気的接続の信頼性を効果的に高めることができる。
　次に、上記実施形態の弾性波装置１の製造方法を図２（ａ）～図４（ｄ）を参照して説明する。
　まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。この圧電基板２上にＩＤＴ電極３を形成する。すなわち、ＩＤＴ電極３を形成する金属膜を成膜し、フォトリソグラフィーなどによりパターニングする。このようにして、上述した複数本の電極指３ａ及び端子電極３ｂ，３ｃを有するＩＤＴ電極３を形成する。
　次に、図２（ｂ）に示す誘電体膜４Ａを形成する。本実施形態では、バイアススパッタにより、酸化ケイ素膜からなる誘電体膜４Ａを形成する。
　しかる後、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜４Ａ上に犠牲層１８を形成する。犠牲層１８を合成する材料は、低粘度であり、平坦に塗布し得るもとであることが好ましい。本実施形態では、犠牲層１８はフォトレジストからなる。このような犠牲層１８を構成する材料は、エッチバックを行い得る限り特に限定されず、適宜のフォトレジスト、ＳＯＧ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣなどを用いることができる。すなわち、一般的な塗布方法で付与することができ、エッチバックし得る適宜の材料を用いることができる。このような犠牲層１８を構成する材料を塗布し、犠牲層１８を形成する。それによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜４Ａ上の凹凸が埋められることになる。上記凹凸を緩和するためには、誘電体膜４Ａと、犠牲層１８とのエッチングの選択比は１対１に近いことが望ましい。
　次に犠牲層１８及び誘電体膜４Ａをエッチングする。このエッチング方法はドライエッチングであってもよく、ウェットエッチングでもよい。本実施形態では、ドライエッチングにより、エッチバックを行う。すなわち、図２（ｄ）に示すように、犠牲層１８を除去し、さらに下方に位置している誘電体膜４Ａを少なくとも凹凸が存在している部分を除去した。このようにして、上面が平坦が誘電体膜４を形成する。
　しかる後、図３（ａ）に示すように第２の誘電体膜５を形成する。本実施形態では、上述したようにスパッタリングにより窒化ケイ素膜からなる第２の誘電体膜５を形成する。
　次に、誘電体膜４及び５のうち、端子電極３ｂ，３ｃ上に位置している部分の一部を図３（ｂ）に示すように除去する。この除去方法は、ドライプロセス及びウェットプロセスのいずれを用いてもよい。本実施形態では、ドライプロセスにより誘電体膜４，５の一部を除去し、端子電極３ｂ，３ｃの上面を露出させている。
　次に、図３（ｃ）に示すように、配線電極６，７を形成する。本実施形態の配線電極６，７は、前述したように、上から順にＰｔ／Ｔｉ／ＡｌＣｕの３層構造を有している。従って、ＡｌＣｕ膜、Ｔｉ膜及びＰｔ膜をこの順序で成膜し、配線電極６，７を形成する。
　次に、図３（ｄ）に矢印Ａで示すように、ドライプロセスによりエッチングし、誘電体膜５の厚みを調整する。このようにして、周波数調整を行う。
　しかる後、図４（ａ）に示すように、支持材８を形成する。支持材８を形成する樹脂材料を付与することにより、支持材８を形成する。この段階では、前述した貫通孔８ａ，８ｂ（図１（ａ）参照）は形成されていない。支持材８の形成は、支持材８を構成する合成樹脂を塗布し、パターニングすることにより行い得る。
　上記支持材８を形成したのち、図４（ｂ）に示すように、蓋材１４を積層する。すなわち、支持材８で囲まれている開口部を閉設するように蓋材１４を支持材８上に固定する。このようにして、中空部Ｂを形成する。蓋材１４は耐フラックス性にすぐれた樹脂からなることが好ましい。
　次に、レーザー光を照射し、図４（ｃ）に示すように、貫通孔８ａ，８ｂ及び第２の貫通孔としての貫通孔１４ａ，１４ｂを形成する。このレーザー光の照射に際し、レーザー光を照射されている部分の温度は９００℃～１０００℃の高温になる。配線電極６，７の上面が前述した高融点金属層からなるため、配線電極６，７の上面は変質し難い。
　次に、図４（ｄ）に示すように、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを貫通孔８ａ，８ｂ，１４ａ，１４ｂを充填するように形成する。すわなち、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂを形成するために、Ｎｉメッキ膜及びＡｕメッキ膜をこの順序で電解メッキ法により形成する。高融点金属膜１１が配線電極６，７の上面に位置しているため、Ｎｉメッキ膜が配線電極６，７に十分に密着し、Ｎｉメッキ膜を確実に形成することができる。従って、電気的接続の信頼性も高められる。
　次に、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂ上に、図１（ａ）に示した金属バンプ１０ａ，１０ｂを付与する。より具体的にはメタルマスクを配置したのち、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂ上にＳｎ－Ａｇ－Ｃｕなどの半田ペーストを印刷する。しかる後、半田ペーストが溶解する温度に加熱し、アンダーバンプメタル層９ａ，９ｂに半田ペーストを付着される。しかる後、フラックス洗浄剤により、フラックスを除去する。このようにして、球状の金属バンプ１０ａ，１０ｂを形成する。
　なお、図２（ａ）～図４（ｄ）までの工程は、実際には集合基板において行う。従って、図４（ｄ）の工程を得た後に集合基板をダイシングし、個々の弾性波装置１を得ればよい。
　図５は、弾性波装置１の変形例における配線電極６が設けられている部分を拡大して示す部分切欠正面断面図である。本変形例では、配線電極６の高融点金属膜１１の上面にアンダーバンプメタル層９ａが密着している。また、本変形例では、上記アンダーバンプメタル層９ａ、すわなち、図１（ａ）に示した金属バンプ１０ａが設けられている部分の下方には、端子電極３ｂは位置していない。すわなち、金属バンプの下方にＩＤＴ電極３は位置していない。従って、配線電極６の上方に金属バンプ１０ａが接合される部分において、段差が生じ難い。よって、配線電極６の上面が平坦になりやすい。
　もっとも、図６に示すようにＩＤＴ電極３の一部すなわち、端子電極３ｂの一部が金属バンプ１０ａに連なるアンダーバンプメタル層９ａが設けられている部分の下方に存在していてもよい。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ…電極指
３ｂ，３ｃ…端子電極
４，５,４Ａ…誘電体膜
６，７…配線電極
８…支持材
８ａ，８ｂ，１４ａ，１４ｂ…貫通孔
９ａ，９ｂ…アンダーバンプメタル層
１０ａ，１０ｂ…金属バンプ
１１…高融点金属膜
１２…拡散防止膜
１３…Ａｌ合金膜
１４…蓋材
１８…犠牲層

Claims (11)

  1. 　圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
    　前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるように、かつ前記ＩＤＴ電極の一部を覆うように設けられた配線電極と、
    　前記圧電基板上に設けられており、前記配線電極の少なくとも一部を覆うように設けられており、さらに前記配線電極の上面を露出させる貫通孔が設けられている絶縁材と、
    　前記絶縁材の前記貫通孔に充填されている導電層とを備え、
    　前記配線電極が、上面側から順に、融点９００℃以上の高融点金属層、拡散防止膜及びＡｌもしくはＡｌ合金膜を積層してなる積層構造を有する、弾性波装置。
  2. 　前記高融点金属層がＰｔからなる、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記貫通孔がレーザー光の照射により形成されている貫通孔である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記拡散防止膜が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＭｎからなる群から選択された金属、もしくはその酸化物や窒化物、あるいは該金属を主体とする合金からなる金属層を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記導電層上に設けられた金属バンプをさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記絶縁材の上面に固定された蓋材をさらに備え、前記導電層が前記絶縁材から前記蓋材を貫通するように設けられている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　ＩＤＴ電極が上面に形成されている圧電基板を用意する工程と、
    　前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるようにかつ、前記ＩＤＴ電極の一部を覆うように配線電極を形成する工程と、
    　前記配線電極の一部を覆うように絶縁材を形成する工程と、
    　前記絶縁材に貫通孔を形成し、前記配線電極の上面を前記貫通孔に露出させる工程と、
    　前記貫通孔に導電層を充填する工程とを備え、
    　前記配線電極を形成する工程において、ＡｌもしくはＡｌ合金膜、拡散防止膜及び融点９００℃以上の高融点金属からなる高融点金属膜をこの順序で積層する、弾性波装置の製造方法。
  8. 　前記高融点金属膜として、Ｐｔ膜を形成する、請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
  9. 　前記貫通孔の形成を前記絶縁材にレーザー光を照射することにより行う、請求項７または８に記載の弾性波装置の製造方法。
  10. 　前記導電層上に金属バンプを形成する工程をさらに備える、請求項７～９のいずれか一項に記載の弾性波装置の製造方法。
  11. 　前記絶縁材上に前記絶縁材の貫通孔につながる第２の貫通孔を有する蓋材を固定する工程をさらに備え、前記導電層を、前記絶縁材の貫通孔及び前記蓋材の第２の貫通孔に充填する、請求項１０に記載の弾性波装置の製造方法。
     
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