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WO2014021629A1 - 반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법 Download PDF

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Publication number
WO2014021629A1
WO2014021629A1 PCT/KR2013/006886 KR2013006886W WO2014021629A1 WO 2014021629 A1 WO2014021629 A1 WO 2014021629A1 KR 2013006886 W KR2013006886 W KR 2013006886W WO 2014021629 A1 WO2014021629 A1 WO 2014021629A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bridge
forming
layer
sensor
material layer
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/006886
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김근호
김현수
방정민
고용남
오유석
이호준
황영윤
최용민
박근서
조진호
류승봉
Original Assignee
(주)인터플렉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020120084023A external-priority patent/KR20140017747A/ko
Priority claimed from KR1020120084022A external-priority patent/KR101521329B1/ko
Priority claimed from KR1020120084025A external-priority patent/KR20140017276A/ko
Priority claimed from KR1020120084024A external-priority patent/KR20140017275A/ko
Application filed by (주)인터플렉스 filed Critical (주)인터플렉스
Priority to JP2015525353A priority Critical patent/JP2015529899A/ja
Publication of WO2014021629A1 publication Critical patent/WO2014021629A1/ko

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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a sensor panel for a touch panel, and more particularly, to a sensor panel including an antireflection layer and a method of manufacturing the same.
  • the touch panel sensor panel is a device for inputting two-dimensional coordinate data by pressing a surface of a display panel provided in an electronic device such as a smart phone, a tablet computer, a game machine, a learning aid device, and a camera with a hand or a pen. .
  • an electronic device such as a smart phone, a tablet computer, a game machine, a learning aid device, and a camera with a hand or a pen.
  • Such a sensor panel for a touch panel is widely used in that it can be easily operated and widely applied to various display devices.
  • a sensor panel for a touch panel includes a plurality of sensor electrodes provided in a matrix form on a substrate having a high transmittance or a glass material, a bridge for connecting the plurality of sensor electrodes, and an insulating layer provided between the bridges. It may include.
  • the bridge and the insulating layer has a structure that is stacked on the substrate, in this case when the components having different physical and optical properties are stacked on the substrate due to the difference in the speed of light passing through each component Refraction occurs, and as a result, the optical characteristics of the sensor panel for a touch panel are degraded.
  • the present invention provides a sensor panel for a touch panel which reduces reflectance due to external light and improves transmittance and visibility.
  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sensor panel for a touch panel, which has a simplified manufacturing process.
  • a substrate a plurality of first sensor electrodes provided along a first direction on the substrate, and a plurality of first electrodes spaced apart from the first sensor electrode on the substrate and disposed along a second direction crossing the first direction;
  • a second bridge connecting a second sensor electrode to a first sensor electrode adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes, a second bridge connecting a second sensor electrode adjacent to each other among the plurality of second sensor electrodes, and the second bridge
  • An insulating layer provided between the first bridge and the second bridge, the insulating layer electrically separating the first bridge and the second bridge, and an anti-reflection layer provided on the second bridge, wherein the insulating layer is the second bridge.
  • the sensor panel has a lower refractive index than the bridge, and the antireflection layer includes a first material layer and a second material layer having a refractive index greater than that of the first material layer.
  • the refractive index of the first material layer may have a value of 1.3 or more and less than 1.6.
  • the first material layer may include at least one selected from the group consisting of MgF 2, NaF, SiO 2, SiNx, and CaF 2.
  • the refractive index of the second material layer may have a value of 1.6 or more and 2.5 or less.
  • the second material layer may include at least one selected from the group consisting of CeF 3, Al 2 O 3, ZrO 2, TiO 2, and Nb 2 O x.
  • the second bridge may include at least one of a group consisting of ITO, IZO, ATO, AZO, and ZnO.
  • the thickness of the second bridge may be formed to be 5 nm or more and 70 nm or less.
  • the second bridge may include at least one of a group consisting of Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn, and Ni.
  • the thickness of the second bridge may be formed to be 5 nm or more and 15 nm or less.
  • the anti-reflection layer may have the same pattern shape as the second bridge.
  • a method of manufacturing a sensor panel comprising: applying a surface, applying an antireflective layer forming material on the second bridge forming material, and simultaneously etching the second bridge forming material and an antireflective layer forming material. do.
  • Applying the entire surface of the antireflective layer forming material may include applying the entire surface of the first material layer and applying the entire surface of the second material layer having a larger refractive index than the first material layer.
  • Full coating of the first material layer and full coating of the second material layer may be performed 2 to 5 times, respectively.
  • FMM fine metal mask
  • Evaporation or sputtering of the first material layer and the second material layer may be performed two to five times, respectively.
  • the sensor panel for a touch panel may improve visibility by preventing reflection due to external light.
  • FIG. 1 is a front view of a sensor panel for a touch panel according to an example of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a part of a sensor panel for a touch panel shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line III-IV of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a sensor panel for a touch panel according to another example of the present invention.
  • 6A to 6E are views illustrating a manufacturing method of a sensor panel for a touch panel according to an example of the present invention.
  • FIG. 7A to 7C are views illustrating a manufacturing method of a sensor panel for a touch panel according to another example of the present invention.
  • FIG. 1 is a front view of a sensor panel 100 for a touch panel according to an example of the present invention.
  • the sensor panel 100 includes a substrate 110, a plurality of first sensor electrodes 211 provided along a first direction on the substrate, and the first sensor electrodes 211 on the substrate.
  • a first bridge that is spaced apart from the plurality of second sensor electrodes 221 provided along a second direction crossing the first direction and connecting the first sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes.
  • a second bridge 222 connecting second sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of second sensor electrodes, and provided between the first bridge and the second bridge, wherein the first bridge and the second bridge are provided.
  • the insulating layer 300 electrically separating the two bridges and the anti-reflection layer 400 provided on the second bridge.
  • first sensor electrode 211 and the first bridge 212 may be collectively referred to as a first electrode pattern 210, and the second sensor electrode 221 and the second bridge 222 may be used. ) Is collectively referred to as a second electrode pattern 220.
  • the first direction is determined in a direction from left to right in the drawing
  • the second direction is determined in a direction from top to bottom in the drawing.
  • the direction shown in FIG. 1 is an exemplary direction, and the first direction and the second direction may be determined in a direction different from the example of the present invention shown in FIG. 1.
  • first sensor electrodes 211 are provided side by side in the first direction
  • seven matrixes of the second sensor electrodes 221 are provided side by side in the second direction.
  • the present invention is not limited thereto, and the number and arrangement of the first sensor electrodes 211 and the second sensor electrodes 221 may be determined by the resolution of the sensor panel 100 and the sensor panel 100. This may vary depending on the type and size of the display.
  • the shape of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 in the example of the present invention shown in FIG. 1 is shown in a rhombus shape, but is not necessarily limited thereto, triangular, square, It may be formed in various shapes such as rectangular and circular.
  • wires for connecting to the display driver may be further included at each end of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221.
  • the substrate 110 may be provided with any one of a polymer film, plastic, and glass.
  • the substrate 110 may be provided with a polymer film such as PET.
  • the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be provided on the same layer of the substrate 110.
  • the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of a transparent material having conductivity, such as a transparent conductive oxide (TCO).
  • TCO transparent conductive oxide
  • the transparent conductive oxide (TCO) that can be used in an example of the present invention includes at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), antimony zinc oxide (AZO), and znO. Can be.
  • Each of the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of the same material or may be formed of different materials. In consideration of manufacturing convenience, the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are preferably made of the same material.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a portion A of the sensor panel 100 according to an example of the present invention illustrated in FIG. 1.
  • the insulating layer 300 may be provided on the first bridge 212, and electrically insulates the first bridge 212 and the second bridge 222 to be described later. do.
  • the insulating layer 300 may function to prevent reflection due to a difference in refractive index with the second bridge 222 which will be described later. That is, the insulating layer 300 is made of a low refractive material and the second bridge 222 is made of a high refractive material, thereby preventing the antireflection function from the insulating layer 300 and the second bridge 222 itself. Do it.
  • the insulating layer 300 may be formed of a low refractive material having a refractive index of about 1.3 to less than 1.6.
  • the low refractive index material may include at least one of an oxide-based SiOx and a nitride-based SiNx.
  • the thickness of the insulating layer 300 may be provided to 1 ⁇ m or more to 10 ⁇ m or less.
  • the second bridge 222 may be formed on the insulating layer 300.
  • the second bridge 222 may electrically connect the second sensor electrode 212. Since the second bridge 222 must be electrically separated from the first bridge 212 by the insulating layer 300, the width of the second bridge 222 is equal to that of the insulating layer 300. It should be smaller than the width, and the length of the second bridge 222 should be larger than the length of the insulating layer 300.
  • the second bridge 222 may be formed of a high refractive material having a refractive index of 1.6 or more and 2.5 or less.
  • the second bridge 222 may be provided with any one of a transparent material or a metallic material having conductivity such as a transparent conductive oxide (TCO).
  • TCO transparent conductive oxide
  • the thickness of the second bridge 222 may be provided to more than 5nm to 70nm.
  • the transmittance of the second bridge 222 may preferably have a value of 100%, but may substantially have a value of 85% or more and 98% or less.
  • the Vista (b *) value of the second bridge 222 may be preferably 0, but may have a value of substantially 0.1 to 5.0 or less.
  • the haze value of the second bridge 222 may be preferably 0, but may substantially have a value of 0.1 or more and 3.0 or less.
  • the transparent conductive oxide (TCO) may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), antimony zinc oxide (AZO), and znO.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ATO antimony tin oxide
  • AZO antimony zinc oxide
  • znO znO
  • the thickness of the second bridge 222 may be provided to be 5 nm or more and 10 nm or less.
  • the metallic material may include at least one of gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 2
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line III-IV in FIG. 2.
  • an anti-reflection layer 400 may be provided on the second bridge 222.
  • the anti-reflection layer 400 may include a first material layer 410 and a second material layer 420 having a refractive index greater than that of the first material layer 410.
  • the anti-reflection layer 400 may include at least one first material layer 410 and a second material layer 420 stacked alternately with each other. That is, the anti-reflection layer 400 may be formed of at least two thin films having different refractive indices. Light reflected from each thin film boundary surface of the anti-reflection layer 400 is canceled by mutual interference.
  • the reflectance of the anti-reflection layer 400 may be lowered.
  • the first material layer 410 and the second material layer 420 may be alternately and repeatedly stacked, and as the number of layers alternately stacked is increased, the reflectance of the anti-reflection layer 400 may be increased. Can be lowered.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a sensor panel for a touch panel according to another example of the present invention.
  • the anti-reflection layer 400 is illustrated as being provided only on the second bridge 222, but the anti-reflection layer 400 is shown in FIG. 5, as shown in FIG. 5.
  • 222 may be provided on the entire surface of the substrate 110.
  • 6A to 6E are views illustrating a manufacturing method of a sensor panel for a touch panel according to an example of the present invention.
  • a sensor panel includes forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate (see FIG. 6A), and forming an insulating layer on the first bridge (FIG. 6B). (See FIG. 6C), and applying the anti-reflective layer forming material on the second bridge forming material on the substrate (FIG. 6D). And simultaneously etching the second bridge forming material and the antireflective layer forming material (see FIG. 6E).
  • the first sensor electrode (not shown) is formed on the substrate 110.
  • a material for forming the first bridge 212 and the second sensor electrode 221 may be formed by patterning.
  • the first sensor electrode (not shown), the first bridge 212 and the second sensor electrode 221 may be formed of a transparent material having conductivity such as transparent conductive oxide (TCO).
  • TCO transparent conductive oxide
  • Transparent conductive oxide (TCO) that may be used in an example of the present invention includes ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), AZO (Antimony Zinc Oxide) and ZnO.
  • the insulating layer 300 is formed on the substrate 110 on which the first sensor electrode (not shown), the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are formed. After application of the substance, it can be formed by patterning.
  • the insulating layer 300 may be formed of a low refractive material having a refractive index of more than 1.3 to less than 1.6.
  • the low refractive index material may include at least one of an oxide-based SiOx and a nitride-based SiNx.
  • the thickness of the insulating layer 300 may be provided to 1 ⁇ m or more to 10 ⁇ m or less.
  • the antireflective layer forming material may be completely coated.
  • the material for forming the second bridge may be formed of any one of a transparent material or a metallic material having conductivity such as transparent conductive oxide (TCO), and the material for forming an antireflection layer may include at least one material for forming a first material layer and It may include a material for forming a second material layer having a larger refractive index than the first material layer.
  • TCO transparent conductive oxide
  • the coating of the material for forming the anti-reflection layer may include applying the entire material for forming the first material layer and applying the material for forming the second material layer, as shown in FIG. 6D.
  • the step of applying the entire material for forming the first material layer and the step of applying the entire material for forming the second material layer may be performed two to five times, respectively.
  • the second bridge forming material and the antireflective layer forming material may be simultaneously etched to form the second bridge 222 and the antireflective layer 400. As described above, by simultaneously etching the second bridge forming material and the antireflective layer forming material together, the manufacturing process can be simplified.
  • FIG. 7A to 7C are views illustrating a manufacturing method of a sensor panel for a touch panel according to another example of the present invention.
  • a description of overlapping contents with a manufacturing method of a sensor panel for a touch panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be omitted.
  • a sensor panel for a touch panel includes forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate (see FIG. 6A), and forming an insulating layer on the first bridge. Step (see FIG. 6B), forming a second bridge on the insulating layer (see FIG. 7A), and forming an anti-reflection layer on the second bridge.
  • Forming the antireflection layer may include forming a first material layer (see FIG. 7B) and forming a second material layer having a refractive index greater than that of the first material layer (see FIG. 7C). .
  • the forming of the second bridge may include disposing a fine metal mask (FMM) on the substrate on which the insulating layer is formed, and depositing or sputtering a material for forming the second bridge. It may include the step.
  • FMM fine metal mask
  • the substrate 110 on which the insulating layer 300 is formed is flipped and disposed in the vacuum chamber 500, and then the FMM 600 is disposed adjacent to the substrate 110.
  • the material for forming the second bridge may be deposited or sputtered.
  • the deposition method using a fine metal mask (FMM) is a method in which a metal mask of a thin film is disposed on a substrate in the vacuum chamber 500 and then vaporized by heating an evaporation material so that it can be deposited only in a desired area.
  • a fine metal mask (FMM) deposition method may be mainly used for the deposition of low molecular materials, and may have a precision within the range of 20 ⁇ m.
  • the fine metal mask (FMM) 600 may include a mask region 610 and an opening region 620 for forming the second bridge 222 only in a desired region, and the fine metal mask 600 may be formed. ) May have a value of 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. In addition, the distance between the FMM 600 and the substrate 110 may have a value of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the forming of the anti-reflection layer may include disposing a fine metal mask (FMM) on the substrate on which the second bridge is formed, evaporating the material for forming the first material layer, or Sputtering and evaporating or sputtering the material for forming the second material layer.
  • FMM fine metal mask
  • Evaporation or sputtering of the first material layer forming material and the second material layer forming material may be performed two to five times, respectively.
  • the second bridge 222, the first material layer 410, and the second material layer 420 may be formed by replacing only the evaporation material while using the same fine metal mask (FMM) 600. That is, since the same fine metal mask (FMM) 600 is used, the manufacturing process may be simplified.
  • FMM fine metal mask

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Abstract

기판, 상기 기판 상에 제 1 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 1 센서전극, 상기 기판 상에 상기 제 1 센서전극과 이격되어, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 2 센서전극, 상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 서로 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지, 상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 서로 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에 구비되며, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층 및 상기 제 2 브릿지 상에 구비되는 반사방지층을 포함하며, 상기 절연층은 상기 제 2 브릿지보다 낮은 굴절율을 갖고, 상기 반사방지층은 제 1 물질층, 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 포함하는 센서 패널을 제공한다.

Description

반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법
본 발명은 터치 패널용 센서 패널에 관한 것으로서 특히, 반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
터치 패널용 센서 패널은 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 게임기, 학습보조장치 및 카메라 등의 전자 장치에 구비된 표시 패널의 표면을 손이나 펜을 사용하여 누름으로써, 2차원의 좌표 데이터를 입력하는 장치이다. 이러한 터치 패널용 센서 패널은 조작이 용이하고 각종 디스플레이 장치에 폭넓게 응용될 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.
일반적으로 터치 패널용 센서 패널은 높은 투과율을 가진 전도성 필름 또는 글라스 소재의 기판 상에 매트릭스 형태로 구비된 복수개의 센서전극, 상기 복수개의 센서전극을 연결하기 위한 브릿지 및 상기 브릿지 사이에 구비되는 절연층을 포함할 수 있다.
이때, 상기 브릿지와 절연층은 상기 기판 상에 적층되는 구조를 갖게 되는데, 이와 같이 기판 상부에 서로 다른 물리적, 광학적 특성을 가진 구성 요소가 적층되는 경우 각각의 구성 요소를 통과하는 빛의 속력 차로 인한 굴절이 발생하고, 결과적으로 터치 패널용 센서 패널의 광학적 특성을 저하시키게 된다.
특히, 브릿지 전극의 경우 상기 브릿지 전극의 상부 및 하부를 구성하는 물질이 서로 다르기 때문에 이러한 굴절률 차이로 인한 반사율이 급격히 상승하거나 투과율 및 시인성이 저하되는 문제가 있다.
이에 본 발명에서는 외광으로 인한 반사율을 감소시키고 투과율 및 시인성이 개선된 터치 패널용 센서 패널을 제공하고자 한다. 또한, 제조 공정이 간소화된 터치 패널용 센서 패널 제조 방법을 제공하고자 한다.
기판, 상기 기판 상에 제 1 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 1 센서전극, 상기 기판 상에 상기 제 1 센서전극과 이격되어, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 2 센서전극, 상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 서로 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지, 상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 서로 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에 구비되며, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층 및 상기 제 2 브릿지 상에 구비되는 반사방지층을 포함하며, 상기 절연층은 상기 제 2 브릿지보다 낮은 굴절율을 갖고, 상기 반사방지층은 제 1 물질층, 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 포함하는 센서 패널을 제공한다.
상기 제 1 물질층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 가질 수 있다.
상기 제 1 물질층은 MgF2, NaF, SiO2, SiNx 및 CaF2으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 물질층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.5 이하의 값을 가질 수 있다.
상기 제 2 물질층은 CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 Nb2Ox으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 브릿지는 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 브릿지가 상기 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 경우 상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 내지 70nm 이하로 형성될 수 있다.
상기 제 2 브릿지는 Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn 및 Ni으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 브릿지가 상기 Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn 및 Ni으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 경우 상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 내지 15nm 이하로 형성될 수 있다.
상기 반사방지층은 상기 제 2 브릿지와 동일한 패턴 형상을 가질 수 있다.
기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포하는 단계, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하는 단계를 포함하는 센서 패널 제조 방법를 제공한다.
상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 제 1 물질층을 전면 도포하는 단계 및 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층을 전면 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 1 물질층을 전면 도포하는 단계 및 제 2 물질층을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시될 수 있다.
기판상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는 상기 절연층이 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계 및 제 2 브릿지 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계를 포함하며, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는 상기 제 2 브릿지가 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계, 제 1 물질층을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계 및 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 1 물질층 및 제 2 물질층을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널은 외광으로 인한 반사를 방지하여 시인성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 터치 패널용 센서 패널의 일부를 확대한 도이다.
도 3은 도 2에서 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2에서 Ⅲ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 도이다.
이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 일례들을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 범위가 하기 설명하는 일례나 도면들로 한정되는 것은 아니며, 이하에서 설명되는 일례로부터 다양한 균등물과 변형례 등도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 일례를 표현하기 위하여 사용된 용어로서, 이는 사용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
참고로, 상기 도면에서는 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 구성요소의 ‘상’에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제 3 의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널(100)의 정면도이다.
도 1 을 참조하면, 상기 센서 패널(100)은 기판(110), 상기 기판 상에 제 1 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 1 센서전극(211), 상기 기판 상에 상기 제 1 센서전극(211)과 이격되어, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 2 센서전극(221), 상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 서로 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지(212), 상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 서로 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지(222), 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에 구비되며, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층(300) 및 상기 제 2 브릿지 상에 구비되는 반사방지층(400)을 포함한다.
이하에서, 설명의 편의상 상기 제 1 센서전극(211) 및 상기 제 1 브릿지(212)를 통칭하여 제 1 전극패턴(210)이라고 하며, 상기 제 2 센서전극(221) 및 상기 제 2 브릿지(222)를 통칭하여 제 2 전극패턴(220)이라고 한다.
또한, 상기 도 1에 개시된 본 발명의 일례에서 상기 제 1 방향은 도면의 좌측에서 우측으로 향하는 방향으로 정하고, 제 2 방향은 도면의 위에서 아래로 향하는 방향으로 정하였다. 상기 도 1에 도시된 방향은 예시적인 방향이며, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향은 상기 도 1에 도시된 본 발명의 일례에서와 다른 방향으로 결정될 수도 있음은 물론이다.
또한, 상기 도 1에 개시된 본 발명의 일례에서는 상기 제 1 방향으로 6개의 제 1 센서전극(211)이 나란히 구비되고, 상기 제 2 방향으로 7개의 제 2 센서전극(221)이 나란히 구비된 매트릭스 형태로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 센서전극(211) 및 상기 제 2 센서전극(221)의 개수 및 배치는 상기 센서 패널(100)의 해상도 및 상기 센서 패널(100)이 적용되는 디스플레이의 종류와 크기 등에 따라 달라질 수 있다.
또한, 상기 도 1에 개시된 본 발명의 일례에서 상기 제 1 센서전극(211) 및 상기 제 2 센서전극(221)의 모양은 마름모 형태로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 삼각형, 정사각형, 직사각형 및 원형과 같이 다양한 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 도 1에서는 도시되지 않았지만, 상기 제 1 센서전극(211) 및 상기 제 2 센서전극(221)의 각 말단에는 디스플레이 구동부(미도시)와 연결하기 위한 배선이 더 포함될 수 있다.
상기 기판(110)은 고분자 필름, 플라스틱 및 유리 중 어느 하나로 구비될 수 있다. 본 발명의 일례에서 상기 기판(110)은 PET와 같은 고분자 필름으로 구비될 수 있다.
상기 기판(110)의 동일층 상에는 상기 제 1 센서전극(211), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221)이 구비될 수 있다. 상기 제 1 센서전극(211), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221)은 투명 전도성 산화물(TCO)와 같이 도전성을 갖는 투명한 재료로 구비될 수 있다. 본 발명의 일례에서 사용될 수 있는 투명 전도성 산화물(TCO)로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide) 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 센서전극(211), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221) 각각은 동일한 재료로 구비될 수도 있고, 서로 다른 재료로 구비될 수도 있다. 제조상 편의성을 고려할 때, 상기 제 1 센서전극(211), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료로 구비되는 것이 바람직하다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일례에 따른 센서 패널(100)의 일부 영역(A)를 확대한 도이다.
도 2를 참조하면, 상기 절연층(300)은 상기 제 1 브릿지(212) 상에 구비될 수 있으며, 상기 제 1 브릿지(212) 및 후술할 제 2 브릿지(222)를 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.
또한, 본 발명의 일례에 따른 센서 패널(100)에서 상기 절연층(300)은 후술할 제 2 브릿지(222)와의 굴절률 차이에 의한 반사 방지 기능을 할 수 있다. 즉, 상기 절연층(300)을 저굴절 물질으로 구비하고, 상기 제 2 브릿지(222)를 고굴절 물질로 구비함으로써, 상기 절연층(300) 및 상기 제 2 브릿지(222) 자체로 반사 방지 기능을 할 수 있도록 한다.
본 발명의 일례에 따른 센서 패널(100)에서 상기 절연층(300)은 굴절률이 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 갖는 저굴절 물질로 구비될 수 있다. 이러한 저굴절 물질로는 산화물 계열의 SiOx 및 질화물 계열의 SiNx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연층(300)의 두께는 1μm 이상 내지 10μm 이하로 구비될 수 있다.
상기 절연층(300) 상에는 제 2 브릿지(222)가 형성될 수 있다. 상기 제 2 브릿지(222)는 상기 제 2 센서전극(212)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 상기 제 2 브릿지(222)는 상기 절연층(300)에 의해 상기 제 1 브릿지(212)와 전기적으로 분리되어야 하기 때문에 상기 제 2 브릿지(222)의 폭(width)은 상기 절연층(300)의 폭보다 작아야 하며, 상기 제 2 브릿지(222)의 길이(length)는 상기 절연층(300)의 길이보다 커야 한다.
본 발명의 일례에 따른 센서 패널(100)에서 상기 제 2 브릿지(222)는 굴절률이 1.6 이상 내지 2.5 이하의 값을 갖는 고굴절 물질로 구비될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 센서 패널(100)에서 상기 제 2 브릿지(222)는 투명 전도성 산화물(TCO)와 같이 도전성을 갖는 투명한 재료 또는 금속성 재료 중 어느 하나로 구비될 수 있다.
상기 제 2 브릿지(222)가 투명 전도성 산화물(TCO)로 구비되는 경우, 상기 제 2 브릿지(222)의 두께는 5nm 이상 내지 70nm 이하로 구비될 수 있다. 또한, 상기 제 2 브릿지(222)의 투과율(Transmittance)은 바람직하게는 100%값을 가질 수 있으나, 실질적으로는 85% 이상 내지 98% 이하의 값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 브릿지(222)의 비스타(b*) 값은 바람직하게는 0 일 수 있으나, 실질적으로는 0.1 이상 내지 5.0 이하의 값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 브릿지(222)의 헤이즈(Haze) 값은 바람직하게는 0 일 수 있으나, 실질적으로는 0.1 이상 내지 3.0 이하의 값을 가질 수 있다.
상기 투명 전도성 산화물(TCO)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide) 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 브릿지(222)가 금속성 재료로 구비되는 경우, 상기 제 2 브릿지(222)의 두께는 5nm 이상 내지 10nm 이하로 구비될 수 있다. 상기 금속성 재료에는 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2에서 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이며, 도 4는 도 2에서 Ⅲ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제 2 브릿지(222) 상에는 반사방지층(400)이 구비될 수 있다. 상기 반사방지층(400)은 제 1 물질층(410) 및 상기 제 1 물질층(410)보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층(420)을 포함할 수 있다. 상기 반사방지층(400)은 적어도 하나 이상의 제 1 물질층(410) 및 제 2 물질층(420)이 서로 교대로 적층되어 구비될 수 있다. 즉, 상기 반사방지층(400)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 층 이상의 박막으로 구비될 수 있다. 상기 반사방지층(400)의 각 박막 경계면에서 반사되는 빛은 서로 상쇄 간섭되어 소멸된다.
상기 제 1 물질층(410)은 굴절률이 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 가질 수 있으며, 상기 제 1 물질층(410)은 MgF2(n=1.38), NaF(n=1.33), SiO2(n=1.46) 및 CaF2(n=1.44) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 물질층(420)은 굴절률이 1.6 이상 내지 2.5 이하의 값을 가질 수 있으며, 상기 제 2 물질층(420)은 CeF3(n=1.65), Al2O3(n=1.76), ZrO2(n=2.10), TiO2(n=2.50) 및 Nb2Ox(n=2.30) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 물질층(410) 및 상기 제 2 물질층(420) 사이의 굴절률 차이가 클수록 상기 반사방지층(400)의 반사율이 낮아질 수 있다. 또한, 상기 제 1 물질층(410) 및 상기 제 2 물질층(420)은 서로 교대로 반복되어 적층될 수 있으며, 이와 같이 교대로 적층되는 층의 개수가 많을수록 상기 반사방지층(400)의 반사율이 낮아질 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 단면도이다.
상기 도 1 내지 도 4에서 상기 반사방지층(400)은 상기 제 2 브릿지(222) 상에만 구비되는 것으로 도시되어 있으나, 상기 반사방지층(400)은 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 브릿지(222)가 형성된 기판(110) 전면에 구비될 수도 있다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 도이다.
본 발명의 일례에 따른 센서 패널은 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계(도 6a 참조), 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계(도 6b 참조), 상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포하는 단계(도 6c 참조), 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계(도 6d 참조) 및 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하는 단계(도 6e 참조)를 포함할 수 있다.
도 6a를 참조하면, 상기 제 1 센서전극(미도시), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)을 형성하는 단계에서는 상기 기판(110) 상에 상기 제 1 센서전극(미도시), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221) 형성용 물질을 도포한 후, 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 제 1 센서전극(미도시), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221)은 투명 전도성 산화물(TCO)와 같이 도전성을 갖는 투명한 재료로 구비될 수 있다. 본 발명의 일례에서 사용될 수 있는 투명 전도성 산화물(TCO)로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide) 및 ZnO 등이 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 절연층(300)은 상기 제 1 센서전극(미도시), 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 2 센서전극(221)이 형성된 기판(110) 상에 절연층 형성용 물질을 도포한 후, 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 절연층(300)은 굴절률이 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 갖는 저굴절 물질로 구비될 수 있다. 이러한 저굴절 물질로는 산화물 계열의 SiOx 및 질화물 계열의 SiNx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연층(300)의 두께는 1μm 이상 내지 10μm 이하로 구비될 수 있다.
도 6c 및 도 6d를 참조하면, 상기 절연층(300)이 형성된 기판(110) 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포한 후, 상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포할 수 있다.
상기 제 2 브릿지 형성용 물질은 투명 전도성 산화물(TCO)와 같이 도전성을 갖는 투명한 재료 또는 금속성 재료 중 어느 하나로 구비될 수 있으며, 상기 반사방지층 형성용 물질은 적어도 하나 이상의 제 1 물질층 형성용 물질 및 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 형성용 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 물질층 형성용 물질은 굴절률이 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 가질 수 있으며, 이러한 제 1 물질층 형성용 물질에는 MgF2(n=1.38), NaF(n=1.33), SiO2(n=1.46) 및 CaF2(n=1.44) 등이 있다.
상기 제 2 물질층 형성용 물질은 굴절률이 1.6 이상 내지 2.5 이하의 값을 가질 수 있으며, 이러한 제 2 물질층 형성용 물질층에는 CeF3(n=1.65), Al2O3(n=1.76), ZrO2(n=2.10), TiO2(n=2.50) 및 Nb2Ox(n=2.30) 등이 있다.
상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 도 6d에 도시된 바와 같이 제 1 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 제 2 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 상기 제 2 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시될 수 있다.
도 6e를 참조하면, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여, 제 2 브릿지(222) 및 반사방지층(400)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 일괄 식각함으로써, 제조 공정을 간소화 할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 도이다. 이하에서 본 발명의 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법과 중복되는 내용에 대한 설명은 생략하도록 한다.
본 발명의 다른 일례에 따른 터치 패널용 센서 패널은 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계(도 6a 참조), 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계(도 6b 참조), 상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계(도 7a 참조) 및 상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 반사방지층을 형성하는 단계는 제 1 물질층을 형성하는 단계(도 7b 참조) 및 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층을 형성하는 단계(도 7c 참조)를 포함할 수 있다.
도 7a를 참조하면, 상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는 상기 절연층이 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계 및 제 2 브릿지 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계를 포함할 수 있다.
즉, 상기 절연층(300)이 형성된 기판(110)을 반전(flipflop)시켜 진공챔버(500) 내에 배치시킨 후, 상기 기판(110)에 인접하게 FMM(Fine Metal Mask)(600)를 배치시킨 상태에서 제 2 브릿지 형성용 물질을 증착하거나 스퍼터링 할 수 있다.
상기 FMM(Fine Metal Mask)를 이용한 증착 방식은 진공 챔버(500) 내에서 박막의 금속 마스크를 기판에 배치한 후 증발 재료를 가열하여 증발시킴으로서 원하는 영역에만 증착할 수 있도록 하는 방식이다. 이러한 FMM(Fine Metal Mask) 증착 방식은 주로 저분자 재료의 증착에 사용될 수 있으며, 20μm 범위 내의 정밀도를 가질 수 있다.
상기 FMM(Fine Metal Mask)(600)는 원하는 영역에만 제 2 브릿지(222)를 형성하기 위한 마스크 영역(610) 및 개구 영역(620)을 포함할 수 있으며, 상기 FMM(Fine Metal Mask)(600)의 두께는 10μm 이상 내지 100μm 이하의 값을 가질 수 있다. 또한, 상기 FMM(Fine Metal Mask)(600)와 상기 기판(110) 사이의 거리는 0.1mm 이상 내지 1.0mm 이하의 값을 가질 수 있다.
도 7b 및 도 7c를 참조하면, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는 상기 제 2 브릿지가 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계, 제 1 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계 및 제 2 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 1 물질층 형성용 물질 및 제 2 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시될 수 있다.
이와 같이 동일한 FMM(Fine Metal Mask)(600)을 사용하면서 증발재료만 교체하여 상기 제 2 브릿지(222), 제 1 물질층(410) 및 제 2 물질층(420)을 형성할 수 있다. 즉, 동일한 FMM(Fine Metal Mask)(600)를 사용하기 때문에 제조 공정이 간소화될 수 있다.
이상에서 설명된 센서 패널의 일례들은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 변형 가능한 변형예 및 균등예를 포함할 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 제 1 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 1 센서전극;
    상기 기판 상에 상기 제 1 센서전극과 이격되어, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 구비되는 복수개의 제 2 센서전극;
    상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 서로 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지;
    상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 서로 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지;
    상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지 사이에 구비되며, 상기 제 1 브릿지와 상기 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층; 및
    상기 제 2 브릿지 상에 구비되는 반사방지층;을 포함하며,
    상기 절연층은 상기 제 2 브릿지보다 낮은 굴절율을 갖고,
    상기 반사방지층은 제 1 물질층, 상기 제 1 물질층보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 포함하는 센서 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 물질층의 굴절률은 1.3 이상 내지 1.6 미만의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 물질층은 MgF2, NaF, SiO2, SiNx 및 CaF2으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 물질층의 굴절률은 1.6 이상 내지 2.5 이하의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 물질층은 CeF3, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 Nb2Ox으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지는 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  7. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 내지 70nm 이하인 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지는 Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn 및 Ni으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 내지 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 센서 패널.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 반사방지층은 상기 제 2 브릿지와 동일한 패턴 형상을 갖는 센서 패널.
  11. 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 전면 도포하는 단계;
    상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계; 및
    상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는,
    제 1 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계; 및
    상기 제 1 물질층 형성용 물질보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 제 2 물질층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시되는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조 방법.
  14. 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 제 2 브릿지를 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 브릿지 상에 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 제 2 브릿지를 형성하는 단계는,
    상기 절연층이 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계; 및
    제 2 브릿지 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계;를 포함하며,
    상기 반사방지층을 형성하는 단계는,
    상기 제 2 브릿지가 형성된 기판 상에 FMM(Fine Metal Mask)를 배치하는 단계;
    제 1 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계; 및
    상기 제 1 물질층 형성용 물질보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 물질층 형성용 물질 및 제 2 물질층 형성용 물질을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시되는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조 방법.
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