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WO2005006548A1 - 圧電デバイスとその製造方法 - Google Patents

圧電デバイスとその製造方法 Download PDF

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WO2005006548A1
WO2005006548A1 PCT/JP2004/009810 JP2004009810W WO2005006548A1 WO 2005006548 A1 WO2005006548 A1 WO 2005006548A1 JP 2004009810 W JP2004009810 W JP 2004009810W WO 2005006548 A1 WO2005006548 A1 WO 2005006548A1
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WO
WIPO (PCT)
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piezoelectric element
package
piezoelectric
plate
longitudinal direction
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/009810
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuo Murata
Original Assignee
Citizen Watch Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co., Ltd. filed Critical Citizen Watch Co., Ltd.
Priority to JP2005511535A priority Critical patent/JPWO2005006548A1/ja
Priority to US10/563,882 priority patent/US20060175939A1/en
Publication of WO2005006548A1 publication Critical patent/WO2005006548A1/ja

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders or supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Definitions

  • the present invention c on the usefulness of a piezoelectric device and a manufacturing method thereof in ultrasonic bonding
  • a piezoelectric device having a structure in which stud bumps are used to support a piezoelectric element plate has been devised (see, for example, JP-A-8-298423).
  • a gap is formed between the piezoelectric element plate and a member to which the piezoelectric element plate is attached by stud bumps.
  • the gap can absorb horizontal distortion caused by a difference in thermal expansion coefficient between the piezoelectric element and the mounting member. Also, there is an effect that the piezoelectric element plate is joined to the package while keeping the horizontal attitude.
  • thermocompression bonding method and an ultrasonic welding method of a piezoelectric element using bumps are already known (see, for example, JP-A-10-284972).
  • the ultrasonic welding method is more efficient because the heating temperature can be lower than the thermocompression bonding method.
  • a flat plate is generally used in order to obtain high-frequency vibrations.
  • the method described in 84972 can be applied. While obtaining relatively low frequency vibration.
  • the vibration energy is lost due to the shape of the AT plate. Therefore, in order to reduce the vibration energy loss, the AT plate is subjected to bevel processing or convex processing.
  • the piezoelectric element when the piezoelectric element is attached to the package by suctioning the nozzle with the nozzle, the piezoelectric element is inclined and comes into contact with the electronic components such as the nanocage or the IC mounted on the package, making mounting difficult. Can also occur. This is because the mounting reference surface of the crystal blank is unstable, for example, it is attracted by horns during mounting.
  • the excitation electrode portion near the center of the piezoelectric element plate has a shape of a flat plate or a shape close to a flat plate, if the vicinity of the center is sucked by a suction nozzle, the piezoelectric element plate is almost stably placed in a horizontal state.
  • the excitation electrode mounted on the upper surface of the piezoelectric element plate may be damaged by adsorbing this portion.
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric element plate is mounted on a package and bonded, which enables stable bonding without damaging an excitation electrode important for device characteristics, and A piezoelectric device.
  • the piezoelectric plate constituting the piezoelectric device has a rectangular shape in a top view, and one surface is formed flat and the other surface is long. Processing is performed so that the thickness of the both ends in the direction becomes gradually smaller according to the directional force on the end face.
  • the package and the piezoelectric element are joined to each other via a bump formed between the upper surface of the package and one end in the longitudinal direction of the non-flat surface of the piezoelectric element.
  • a first aspect of the method for manufacturing a piezoelectric device according to the present invention is a method for manufacturing a piezoelectric device on a package.
  • a piezoelectric element plate having a rectangular shape in a top view, an upper surface formed flat, and a lower surface formed on both ends in the longitudinal direction such that the thickness gradually decreases toward the end surface. Placing the piezoelectric element on a package so that one end of the lower surface in the longitudinal direction is connected to the package via the bump; and applying the piezoelectric element to the package. Bonding the piezoelectric element to the package via the bumps while applying pressure.
  • one end in the longitudinal direction of the piezoelectric element plate is suctioned by a suction nozzle with the flat surface of the upper surface of the piezoelectric element as a reference position, and is placed on the package. And bonding the piezoelectric element to the package by applying ultrasonic waves while pressing the piezoelectric element against the package with the suction nozzle.
  • a second aspect of the method for manufacturing a piezoelectric device according to the present invention is rectangular in a top view, the upper face is formed flat, and the lower face is formed at both ends in the longitudinal direction toward the end face.
  • one end in the longitudinal direction of the upper surface of the piezoelectric plate is provided with an excitation electrode mounted on the upper surface of the piezoelectric plate.
  • an excitation electrode mounted on the upper surface of the piezoelectric plate.
  • the suction nozzle may have a recess at the tip end for sucking the piezoelectric plate while avoiding the lead electrode.
  • the piezoelectric device of the present invention by virtue of bevel processing or convex processing at both ends in the longitudinal direction of one surface of the piezoelectric element plate, vibration energy is transferred to the inside of the piezoelectric element plate. Can be confined.
  • the pressure by flattening the other surface of the piezoelectric element plate, when an arbitrary part of the flat surface is sucked by the suction noise, the pressure must be reduced. Since the element plate is located in a plane perpendicular to the axis of the suction nozzle, the piezoelectric element is mounted on the package while always maintaining a constant attitude with respect to the suction nozzle.
  • the bevel shape ⁇ convex shape is related to the processing. Since the variation is extremely large, there is a risk that the posture of the piezoelectric plate with respect to the suction nozzle may be changed in various ways depending on the suction site. Adsorption also eliminates the risk of damaging the excitation electrodes there.
  • the position where the suction nozzle sucks the piezoelectric element plate can be formed in advance between the cage and the piezoelectric element, and can be a position corresponding to the position of the bump. Therefore, the suction nozzle can suck the piezoelectric element in a fixed posture, press the piezoelectric element against the bumps, and apply ultrasonic waves to the bumps.
  • FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a crystal resonator according to the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view showing a section taken along line XX of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a top view, a bottom view, and a side view for explaining the shape of the crystal unit shown in FIG. 2;
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing a state before a crystal blank is mounted on a package;
  • End 4B is a cross-sectional view showing a state where the crystal piece is being mounted on the package.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a section taken along line YY of FIG. 4B.
  • the crystal unit 1 includes a crystal blank 2 that is a piezoelectric element and is rectangular in a top view, a package 3 made of ceramics, and a lid member 5 that seals the package.
  • the crystal blank 2 has a rectangular shape in a top view in which the direction of vibration displacement is a long side (dimension p) and the side perpendicular to it is a short side (dimension q).
  • One face UF of this crystal blank 2 (hereinafter, referred to as UF The upper surface) is a flat surface, and the other surface LF (hereinafter referred to as the lower surface) is formed into a beveling arc shape in which the thickness decreases at both ends in the longitudinal direction as it moves toward the tip.
  • a plurality of arcs c represent contour lines.
  • the package 3 includes a cavity 3b having a step 3a on which the crystal blank 2 is placed.
  • connection electrodes 31 and 32 are formed of metallized layers at portions corresponding to the extraction electrodes 21a and 22a of the crystal blank 2 placed thereon, respectively.
  • connection electrodes 31, 32 and the terminal electrodes 33, 34 are electrically connected to each other by wiring (not shown) inside the package 3. Further, on the upper end surface of the package 3, a frame-shaped lid member joining portion 35 is formed with a metallized layer so as to surround the cavity 3b.
  • Gold plating is applied to all of the connection electrodes 31, 32, the terminal electrodes 33, 34, and the metallized layer constituting the lid member joint 35.
  • reference numeral 4 denotes a plurality of stud bumps formed of a wire containing Au as a main component, and ultrasonic waves are previously applied to the surfaces of the extraction electrodes 21 a and 22 a or the surfaces of the connection electrodes 31 and 32. And pressed by solid phase diffusion.
  • the extraction electrode 21a and the connection electrode 31, and the extraction electrode 22a and the connection electrode 32 are joined via the stud bumps 4, 4, respectively.
  • the cover member 5 has a flat plate shape, and a portion made of a metal material having a low melting point and a melting temperature such as an Au / Sn alloy is provided at a portion corresponding to the cover member joining portion 35 formed on the upper end surface of the package 3. Material layer 51 are formed in advance. As a result, since the brazing material layer 51 of the cover member 5 is joined to the cover material joining portion 35 of the package 3, the cavity 3b of the package 3 is kept airtight.
  • the lid member 5 can be joined by various methods other than brazing, such as a seam welding method or a laser welding method. In addition to AuZSu, various joining materials such as low-melting glass can be used. It is possible.
  • the surface whose thickness gradually decreases toward both ends in the longitudinal direction of the piezoelectric element is bonded to the package via bumps with the flat plate side of the upper surface as a mounting reference. If the device can be mounted with the top surface parallel to the package, and if a very thin piezoelectric device can be obtained, both ends of the bottom surface will be beveled. Therefore, it is possible to obtain stable vibration.
  • FIGS. 1 and 2 a method of manufacturing the crystal resonator shown in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 4A, 4B, and 5.
  • a method of mounting the crystal blank 2 in the package 3 which is a feature of the present invention among the manufacturing methods of the crystal resonator will be described.
  • reference numeral 6 denotes a tip portion of a vacuum suction nozzle that can apply ultrasonic waves
  • 7 denotes a hot plate.
  • the package 3 is placed on the hot plate 7 in order to preheat the package 3.
  • stud bumps 4 are formed on the connection electrodes 31 and 32 of the package 3 using Au wires. Note that the formation of the stud bumps can be performed in advance in another process.
  • the end of the upper surface (flat surface) of the crystal blank 2 on which the extraction electrode 21a is located is suction-held by the suction nozzle 6, and the crystal blank 2 is held as shown in FIG. 4A. Place it just above package 3.
  • the surface of the crystal blank 2 is captured by a camera. By processing the image, it can be determined whether or not arc-shaped contour lines appear.
  • the shapes of the excitation electrodes 21 and 22 and the extraction electrodes 21a and 22a can be captured by a camera, and the shape can be determined from the characteristics of the shapes.
  • the portion of the upper surface (flat surface) of the crystal blank 2 where the suction nozzle 6 sucks is the end on the side where the extraction electrode 21a is located. Therefore, as shown in FIG. 5, when the suction surface of the suction nozzle 6 is flat, the force at which a part of the suction surface comes into contact with the extraction electrode 21a, and the remaining part faces the upper surface of the crystal blank 2 at an interval. Will do. However, since the thickness of the extraction electrode 21a is as thin as about 1000 A, it does not hinder the suction by the nozzle 6.
  • the effect of confining vibration energy inside is obtained by forming one surface of the crystal blank 2 into a beveling arc shape or convex shape, and the other surface is Flatten any part of the surface, especially one end side corresponding to the longitudinal bump, so that the attitude of the crystal blank 2 with respect to the suction nozzle 6 when the suction nozzle 6 is sucked is always constant. I have.
  • the suction nozzle 6 when mounting the crystal blank 2 in the package 3, the suction nozzle 6 is used to attach the end of the flat surface of the crystal blank 2 (corresponding to the position where the stud bump is formed).
  • the crystal piece 2 sucked by the suction nozzle 6 is always positioned on a plane perpendicular to the axis of the suction nozzle 6, ie, a posture parallel to the bottom surface of the package 3. To be placed.
  • the present invention by flattening one surface of the crystal blank, even if the end portion of the flat surface avoiding the portion where the excitation electrode exists is sucked by the suction nozzle, water
  • the crystal piece can be held in a horizontal position, and the center excitation electrode is not damaged due to the suction by the nose, and the flat surface of the crystal piece is placed parallel to the package bottom, so that miniaturization is possible as much as possible.
  • the ultrasonic wave is applied to the stud bump from the suction nozzle at that position.
  • the operation of applying the target can be performed efficiently and stably.
  • an oscillator can be formed by combining a crystal blank and an IC.
  • connection electrodes 31 and 32 of the package 3 are not connected to the terminal electrodes 33 and 34 for external connection.
  • the suction surface of the suction nozzle 16 is provided with a concave portion 16a which is a relief portion for preventing the suction nozzle 16 from coming into contact with the extraction electrode 21a extracted from the upper excitation electrode. I have.
  • the suction nozzle 16 holds the crystal piece 2 without damaging the extraction electrode 21a because the tip surface of the suction nozzle 16 contacts the surface of the crystal piece but does not contact the extraction electrode 21a during suction. be able to.
  • the plurality of stud bumps 4 are formed in advance on the surfaces of the connection electrodes 31 and 32, that is, on the package 3 side.
  • the plurality of stud bumps 4 may be formed instead. It may be formed in advance on the surfaces of the extraction electrodes 21a and 22a, that is, on the quartz piece 2 side.
  • the number of stud bumps to be formed may be one or more. For example, two pieces on one connection electrode 31 and two pieces on the other connection electrode 32 may be arranged at a certain interval in the longitudinal direction of the crystal blank 2.
  • the AT plate of a crystal unit as a piezoelectric device has been described.
  • the present invention can be applied to other piezoelectric devices such as a resonator and an oscillator. is there.
  • the beveling shape of the crystal blank 2 is not limited to the arc shape, but may be a slope shape.
  • an oscillator as described above, a crystal blank and an IC are combined. It is one that has, c omitted because the details are known techniques

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Abstract

 圧電素板は上面視長方形であって、その上面は平坦に形成されるが、下面はベベリング円弧の加工が施される。この圧電素板の上面(平坦面)の長手方向一端部を吸着ノズルでもって吸着してパッケージ上に載置する。それからこの吸着ノズルでもって圧電素板をパッケージに対して加圧しながら、前記パッケージと前記圧電素板下面の長手方向一端部との間に位置する前記バンプに対して、吸着ノズルを介して超音波を印加することで、圧電素板をパッケージに接合する。

Description

明 細 書
圧電デバイスとその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、超音波接合に有用な圧電デバイスとその製造方法に関する c
背景技術
[0002] 従来、電子機器の小型化や薄型化の要求に応えて、その電子回路も高密度化さ れ、回路基板に実装される電子部品は、薄型高密度の実装に適するように、他の一 般の電子部品同様に小型チップ化されて、回路基板の片面だけで半田付けできる 表面実装型のもの(Surface Mounting Device ; SMD)が多く出現している。近年、携 帯用通信機器等の普及に伴い、ますます電子部品の更なる小型化、軽量化、そして コストダウンの要求が強まっている。
[0003] 圧電デバイスにおいても、同様の事情により小型の SMD製品が要求されている。
従来の半田や導電性接着剤による圧電素板の支持方法では、小型化により接着面 積が狭くなると接着剤が流れ出てショートする虞があったり、圧電素板の位置が不安 定になりやすいことや接着剤からガスが発生するなどで電気特性を劣化させる問題 がある。そこで、スタッドバンプを活用して圧電素板を支持する構造の圧電デバイス が考案されている(例えば、特開平 8—298423号公報参照)。この圧電デバイスでは 、圧電素板とこれを取り付けた部材との間にスタッドバンプによる隙間が生じる。この 隙間によって、圧電素板と取付部材との熱膨張係数の差によって発生する水平方向 の歪みを吸収することができる。また、圧電素板がパッケージに水平姿勢を保った状 態で接合される効果がある。
[0004] バンプを用いた圧電素板の熱圧着法や超音波溶着法が既に知られている(例えば 、特開平 10-284972号公報参照)。超音波溶着法は、熱圧着法よりも加熱温度を 低くできる等の理由で、効率が良い。
[0005] ところで、圧電素板を AT板とした場合、一般には、高周波振動を得るためには平 板形状のものを使用するので、そのような圧電素板の接合には前記の特開平 10-2 84972号公報に記載の方法を適用できる。し力 ながら、比較的低周波の振動を得 る目的で平板状の AT板を用いると、その AT板の形状の影響により、振動エネルギ 一ロスが生じる。そこで、この振動エネルギーロスを少なくするため、 AT板にベベル 加工又はコンベックス加工を施すことが行われている。
[0006] ところが、ベべルカ卩ェ又はコンベックス加工を施した圧電素板の長手方向の端部を ノズノレで吸着した場合、圧電素板を水平姿勢を保持するのが困難となる。この場合、 ノズノレで吸着される圧電素板の部位は傾斜面であることから、ノズル先端と圧電素板 との係合が安定せず、そのためノズルで吸着したときの圧電素板を水平状態に安定 的に保持できない。その結果、圧電素板をノズルで吸着してパッケージに搭載する に際して、その圧電素板が傾斜して、ノ ノケージまたはパッケージに実装された ICな どの電子部品に接触して実装が困難になることも起こり得る。これは、実装時ノズノレ で吸着する等の水晶片の実装基準面が不安定のためである。
[0007] また、圧電素板をパッケージに実装できたとしても、パッケージ内の圧電素板の上 下の隙問を大きめに設定する必要が生じ、圧電デバイスの薄型化に対して不利であ る。
[0008] 更に、圧電素板の中央近傍にある励振電極部分は平板か平板に近い形状をして いるので、この中央近傍を吸着ノズルで吸着すれば、圧電素板をほぼ安定的に水平 状態に保持できるものの、この部位を吸着することで圧電素板の上面に実装された 励振電極を傷つけてしまう虞が生じる。
発明の開示
[0009] 本発明の目的は、デバイス特性に重要な励振電極を傷つけることなぐしかも安定 した接合を可能とする、圧電素板をパッケージ上に載置し接合してなる圧電デバイス の製造方法と、圧電デバイスとを提供することである。
[0010] 前記目的を達成するため、本発明による圧電デバイスにおいて、それを構成する圧 電素板は、上面視長方形であって、一方の面は平坦に形成され、他方の面はその長 手方向両端部が端面に向力 に従って厚みが徐々に薄くなるように加工が施される。 そして、パッケージと圧電素板とは、パッケージの上面と圧電素板の非平坦側の面に おける長手方向一端部との間に形成したバンプを介して、相互に接合される。
[0011] また、本発明による圧電デバイスの製造方法の第 1の態様は、パッケージ上 t プを形成すること;上面視長方形であって、上面は平坦に形成され、下面はその長手 方向両端部に、端面に向かうに従って厚みが徐々に薄くなるような加工が施された 圧電素板の、その上面を基準とし、下面の長手方向一端部を前記バンプを介して接 合するために、前記圧電素板をパッケージ上に載置すること;及び、前記圧電素板を パッケージに対して加圧しながら前記バンプを介して前記圧電素板をパッケージに 接合すること;を含む。
[0012] なお、前記態様の方法において、さらに、前記圧電素板の長手方向一端部を、該 圧電素板上面の平坦面を基準位置として、吸着ノズルでもって吸着して、パッケージ 上に載置すること;及び、前記吸着ノズノレでもって前記圧電素板をパッケージに対し て加圧しながら超音波を印加することで、圧電素板をパッケージに接合すること、を 含むことができる。
[0013] さらに、本発明による圧電デバイスの製造方法の第 2の態様は、上面視長方形であ つて、上面は平坦に形成され、下面はその長手方向両端部に、端面に向かうに従つ て厚みが徐々に薄くなるような加工が施された圧電素板の、その下面の長手方向一 端部にバンプを形成すること;前記圧電素板の上面の長手方向一端部を吸着ノズル でもって吸着すること;前記吸着ノズノレで吸着した圧電素板をパッケージ上に載置す ること;前記吸着ノズルでもって圧電素板をパッケージに対して加圧しながら、前記パ ッケージと前記圧電素板下面の長手方向一端部との間に位置する前記バンプに対 して、前記吸着ノズノレを介して超音波を印加することで、圧電素板をパッケージに接 合することを含む。
[0014] なお、本発明による圧電デバイスの製造方法の第 1、及び第 2の態様において、圧 電素板の上面の長手方向一端部には、圧電素板の上面に装着された励振電極から 延びる引き出し電極があって、吸着ノズルは、その引き出し電極を避けて圧電素板を 吸着するための凹部を、先端部に形成してもよい。
[0015] 本発明による圧電デバイスによれば、圧電素板の一方の面の長手方向両端部をべ ベル加工又はコンベックス加工を施したものとすることによって、振動エネルギーを圧 電素板の内部に閉じ込めることができる。また、圧電素板の他方の面を平坦にするこ とによって、吸着ノズノレでもってその平坦な面の任意の部位を吸着したとき、必ず圧 電素板が吸着ノズルの軸心と垂直な面内にくるようにしているので、圧電素板は吸着 ノズノレに対して常に一定した姿勢を保持してパッケージ上に搭載される。
[0016] したがって、本発明においては、吸着ノズルで、圧電素板のベベル加工又はコンペ ックス加工を施した面の長手方向一端部を吸着した時、ベベル形状ゃコンベックス形 状はその加工の関係で非常にバラツキが大きいため、吸着部位に応じて吸着ノズル に対する圧電素板の姿勢をいろいろ変えてしまう虞や、また、吸着ノズルに対する圧 電素板の姿勢を安定させるため圧電素板の中央部を吸着することで、そこにある励 振電極を傷つけてしまう虞も無くなる。
[0017] さらに、本発明では、吸着ノズルで圧電素板を吸着する部位は、ノ^ケージと圧電 素板との間に予め形成しておいてバンプの位置に対応した位置とすることができるの で、吸着ノズルは、圧電素板を一定姿勢で吸着すること、圧電素板をバンプに対して 加圧すること、さらに、バンプに対して超音波を印加すること、ができる。
図面の簡単な説明
[0018] [図 1]本発明による水晶振動子の一実施形態を示す平面図である。
[図 2]図 1の X— X線断面を示す断面図である。
[図 3]図 2の水晶振動子の形状を説明するための上面図、下面図及び側面図である 園 4A]パッケージに水晶片を搭載する前の状態を示す断面図であり、
園 4B]パッケージに水晶片を搭載中の状態を示す断面図である。
[図 5]図 4Bの Y— Y線断面を示す断面図である。
園 6]図 5に示す吸着ノズルの一変形例を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0019] まず、本発明による圧電デバイスの一実施形態としての水晶振動子の構成を図 1乃 至図 3を参照して説明する。水晶振動子 1は、圧電素板である上面視長方形の水晶 片 2と、セラミックスから成るパッケージ 3と、該パッケージを封止する蓋部材 5とを含む
[0020] 水晶片 2は、図 3に示すように、振動変位方向を長辺(寸法 p)としそれと直角な辺を 短辺(寸法 q)とする上面視長方形を呈している。この水晶片 2の一方の面 UF (以下、 上面という)は平坦な面であり、他方の面 LF (以下、下面という)は長手方向の両端部 において先端に向力うに従って厚みが薄くなる形状であるべベリング円弧形状に形 成されている。なお、図 3において、複数の円弧 cは等高線を表している。
[0021] この水晶片 2の上面には励振電極 21が、下面には励振電極 22が、それぞれ装着 されている。そして、下方の励振電極 22から引き出された引出電極 22a (図 5)は水 晶片 2の下面の長手方向一端部 (ベべリング円弧が形成されている部分)上にまで延 びている。一方、上方の励振電極 21から引き出された引出電極 21aは水晶片 2の上 面の長手方向一端部まで延びてからさらに端面を回り込んで下面のベべリング円弧 が形成されている部分上まで延びている。その結果、図 5に示すように、水晶片 2の 下面のベべリング円弧が形成されている部分には、励振電極 21、 22から引き出され た引出電極 21 a、 22aが左右に並ぶことになる。
[0022] パッケージ 3は、図 2に示すように、水晶片 2を載置する段部 3aが形成されたキヤビ ティ 3bを備えている。段部 3aで、そこに載置した水晶片 2の引出電極 21a及び 22aに 対応する部位には、それぞれ接続電極 31及び 32をメタライズ層で形成している。
[0023] パッケージ 3の底面の長手方向両端部には、外部との接続用の一対の端子電極 3 3、 34力 Sメタライズ層でもって形成されている。接続電極 31、 32と端子電極 33、 34と はそれぞれパッケージ 3内部の配線(図示せず)により電気的に接続されている。さら に、パッケージ 3の上端面には、キヤビティ 3bを囲むように枠状の蓋部材接合部 35が メタライズ層でもって形成されている。
[0024] これら接続電極 31、 32、端子電極 33、 34、および蓋部材接合部 35を構成するメタ ライズ層のいずれにも、金メッキが施されている。
[0025] 図 2において、符号 4は Auを主成分とするワイヤから形成された複数のスタッドバン プであり、予め引出電極 21a、 22aの表面にまたは接続電極 31、 32の表面に超音波 をかけて固相拡散により圧接されてレ、る。
[0026] その後、図 5に示すように、引出電極 21aと接続電極 31、及び引出電極 22aと接続 電極 32とは、それぞれスタッドバンプ 4、 4を介して接合される。
[0027] 蓋部材 5は平板状であり、パッケージ 3の上端面に形成された蓋部材接合部 35に 対応する部位に、 Au/Sn合金等の低レ、溶融温度を有する金属材から成るロー材層 51が予め形成されている。その結果、蓋部材 5のロー材層 51がパッケージ 3の蓋部 材接合部 35と接合することによって、パッケージ 3のキヤビティ 3bは気密が保たれる 。尚、蓋部材 5の接合方法としては、ロー付け以外にも、シーム溶接法やレーザ溶接 法など、他にも種々考えられるし、接合材料も AuZSu以外に、低融点ガラスなどい ろいろの材料が考えられるのである。
[0028] 本願はこのように、上面の平板形状側を実装の基準として、圧電素子の長手方向 両端面に向かって厚みが徐々に薄くなる面をバンプを介してパッケージに接合して るので、上面がパッケージに平行な状態で実装が可能であること、また、このため圧 電デバイスとして非常に薄型の物が得られるば力、りでなぐ下面の両端部がベベル形 状をしてレ、るので、安定してレ、る振動を得ること力できる。
[0029] 次に、図 1及び図 2に示した水晶振動子の製造方法について図 4A、図 4B及び図 5 を参照して説明する。ここでは、水晶振動子の製造方法の中でも本発明の特徴であ る水晶片 2をパッケージ 3に搭載する方法について説明する。
[0030] 図 4A及び図 4Bにおいて、符号 6は超音波を印加できる真空吸着ノズノレの先端部 であり、 7はホットプレートである。
[0031] まず、パッケージ 3を予備加熱するために該パッケージ 3をホットプレート 7上に載置 する。そして、パッケージ 3の接続電極 31 , 32上に、 Auワイヤによりスタッドバンプ 4 を形成する。尚、スタッドバンプの形成は、別工程で予め行っておくことも可能である
[0032] 次に、水晶片 2の上面(平坦側の面)で引出電極 21aのある側の端部を、吸着ノズ ル 6により吸着保持して、図 4Aに示すように、水晶片 2をパッケージ 3の真上に置く。 水晶片 2の面が、吸着ノズル 6で吸着すべき方の面(平坦側の面)かそれともその反 対の側の面かの判断は、例えば、水晶片 2の面をカメラでとらえてその画像を処理す ることによって円弧状の等高線が現れるかどうかで判断することができる。あるいは、 これに代えて、カメラで励振電極 21、 22及び引き出し電極 21a、 22aの形状をとらえ その形状の特徴から判断することもできる。
[0033] 次に、水晶片 2を吸着ノズル 6で保持したまま、図 4Bの矢印で示すように、パッケ一 ジ 3に向けて下降することで、水晶片 2の下面のベべリング円弧が形成されている部 分に形成された一対の引出電極 21a、 22aでもって、パッケージ 3の接続電極 31 , 3 2上に形成されたスタッドバンプ 4を所定圧力で熱圧着する。さらに、この熱圧着と同 時に吸着ノズル 6から超音波を印加する。
[0034] なお、前述のように、水晶片 2の上面(平坦側の面)で吸着ノズル 6が吸着する部位 は、引出電極 21aがある側の端部である。したがって、図 5に示すように、吸着ノズル 6の吸着面が平坦であると、その吸着面の一部が引出電極 21aと当接する力 残りの 部分は水晶片 2の上面と間隔をおいて対向することになる。しかし、引出電極 21aの 厚さはおよそ 1000 A程度の薄さであるから、ノズル 6による吸着に支障を来たさない
[0035] このように、本実施形態では、水晶片 2の一方の面をべベリング円弧形状ほたはコ ンベックス形状)とすることで内部に振動エネルギーを閉じ込める効果を得るとともに 、他方の面は平坦にしてその面の任意の部位、特に長手方向のバンプに対応する 一端部側、を吸着ノズル 6で吸着したときのその吸着ノズル 6に対する水晶片 2の姿 勢が常に一定になるようにしている。
[0036] したがって、本実施形態では、水晶片 2をパッケージ 3に搭載するに当たって、吸着 ノズル 6でもって、水晶片 2の平坦な側の面の端部(スタッドバンプが形成されている 位置に対応する部位)を吸着したとき、吸着ノズル 6により吸着された水晶片 2は、吸 着ノズル 6の軸心に対して垂直な面上に常に位置する、すなわち、パッケージ 3の底 面と平行な姿勢に置かれる。
[0037] これに対して、従来のように、ベべリング円弧形状またはコンベックス形状とした水 晶片の面の端部を吸着ノズルで吸着したとすると、その吸着した部位に応じて水晶 片の吸着ノズルに対する姿勢 (傾斜度)が変化するので、その結果、水晶片をパッケ ージ 3に搭載する際に、水晶片の一部がパッケージに衝突してしまうことも起こり得る 。一方、このような事態を避けるため、水晶片の中央の平坦な部分を吸着ノズルで吸 着すれば、その中央部分には通常、励振電極が存在するので、励振電極を傷つけ てしまうことになる。
[0038] ところが本発明によると、前述のように、水晶片の一面を平坦にしたことにより、その 平坦な面で励振電極が存在する部分を避けた端部を吸着ノズルで吸着してもその水 晶片を水平姿勢に保持でき、かつノズノレによる吸着により中央の励振電極を傷つけ ることがないのと同時に水晶片の平坦面がパッケージ底面と平行に置かれるので極 力小型化も可能となる。
[0039] 以上のように、本実施形態によれば、水晶片の端部を吸着ノズルで吸着してその水 晶片をパッケージに搭載したあと、その位置にある吸着ノズルから超音波をスタッドバ ンプに向けて印加するという作業を効率よく安定的に実施できる。
[0040] なお、水晶片と ICとを組み合わせることによって、発振器を形成することができる。
ただし、この場合、パッケージ 3の接続電極 31、 32と外部接続用の端子電極 33, 34 とは接続されない。
[0041] 次に、水晶片 2を吸着する吸着ノズノレの一変形例を図 6を用いて説明する。
[0042] 水晶の場合、励振電極の傷は絶対に避けなければならなレ、が、引き出し電極の傷 は多少であれば許容することができる。しかしながら、引き出し電極であっても傷を無 くして、より電気的導通を良くすることは必要である。このため、図 6に示すように、吸 着ノズル 16の吸着面には、上方の励振電極から引き出された引出電極 21aに接触し ないようにするための逃げ部である凹部 16aが形成されている。その結果、吸着ノズ ル 16は吸着時にその先端面が水晶片の面とは当接するが引出電極 21aとは当接し ないので、吸着ノズル 16は引出電極 21aを傷つけることなく水晶片 2を保持すること ができる。
[0043] なお、本実施形態では、複数のスタッドバンプ 4を予め接続電極 31, 32の表面に、 すなわち、パッケージ 3側に、形成すると説明したが、これに代えて、複数のスタッド バンプ 4を予め引出電極 21a, 22aの表面に、すなわち、水晶片 2側に、形成すること もできる。また、形成するスタッドバンプの数は 1つまたは複数でもよレ、。例えば、一方 の接続電極 31の上に 2個、他方の接続電極 32の上に 2個、それぞれ水晶片 2の長 手方向にある間隔をおいて配置してもよい。
[0044] 以上、本発明の実施の形態では、圧電デバイスである水晶振動子の AT板につい て説明してきたが、本発明は、他の振動子や発振器などの圧電デバイスについても 適用できるものである。また、水晶片 2のべべリング形状は円弧形状に限らず、斜面 形状であってもよい。なお、発振器の場合、上述のように、水晶片と ICとを組み合わ せたものであって、その詳細は既知の技術であるので省略する c

Claims

請求の範囲
[1] 圧電素板をパッケージ上に載置し接合してなる圧電デバイスであって、
前記圧電素板は、上面視長方形であって、一方の面は平坦に形成され、他方の面 はその長手方向両端部に、端面に向かうに従って厚みが徐々に薄くなるような加工 が施されており、
前記パッケージと前記圧電素板とは、前記パッケージの上面と前記圧電素板の前 記他方の面における長手方向一端部との間に形成したバンプを介して相互に接合さ れている、
前記の圧電デバイス。
[2] 前記圧電素板の前記平坦でない方の面には、その両端部にベべリング円弧形状 を形成した、請求の範囲第 1項記載の圧電デバイス。
[3] パッケージ上にバンプを形成すること、
上面視長方形であって、上面は平坦に形成され、下面はその長手方向両端部に、 端面に向力うに従って厚みが徐々に薄くなるような加工が施された圧電素板の、その 上面を基準とし、下面の長手方向一端部を前記バンプを介して接合するために、前 記圧電素板をパッケージ上に載置すること、及び、
前記圧電素板をパッケージに対して加圧しながら前記バンプを介して前記圧電 素板をパッケージに接合すること
を含む、
圧電デバイスの製造方法。
[4] さらに、
前記圧電素板の長手方向一端部を、該圧電素板上面の平坦面を基準位置として 、吸着ノズルでもって吸着して、パッケージ上に載置すること、及び、
前記吸着ノズノレでもって前記圧電素板をパッケージに対して加圧しながら超音波を 印加することで、圧電素板をパッケージに接合すること、を含む、
請求項 3に記載の圧電デバイスの製造方法。
[5] 上面視長方形であって、上面は平坦に形成され、下面はその長手方向両端部に、 端面に向力うに従って厚みが徐々に薄くなるような加工が施された圧電素板の、その 下面の長手方向一端部にバンプを形成すること、
前記圧電素板の上面の長手方向一端部を吸着ノズルでもって吸着すること、 前記吸着ノズノレで吸着した圧電素板をパッケージ上に載置すること、
前記吸着ノズノレでもって圧電素板をパッケージに対して加圧しながら、前記パッケ ージと前記圧電素板下面の長手方向一端部との間に位置する前記バンプに対して
、前記吸着ノズノレを介して超音波を印加することで、圧電素板をパッケージに接合す ること、を含む、
圧電デバイスの製造方法。
[6] 前記圧電素板の上面の長手方向一端部には、圧電素板の上面に装着された励振 電極から延びる引き出し電極があって、前記吸着ノズルは、その引き出し電極を避け て圧電素板を吸着するための凹部を、先端部に形成している、請求の範囲第 4また は 5項記載の圧電デバイスの製造方法。
[7] 前記圧電素板の前記平坦でない方の面には、その両端部にベべリング円弧形状 を形成している、請求の範囲第 3、 4及び 5項のうちのいずれか 1項記載の圧電 イスの製造方法。
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