WO2004092440A1

WO2004092440A1 - 多孔質薄膜の形成方法

Info

Publication number: WO2004092440A1
Application number: PCT/JP2004/005378
Authority: WO
Inventors: Yoshinori Iwabuchi; Shinichiro Sugi; Shingo Ono; Hideo Sugiyama; Masato Yoshikawa
Original assignee: Bridgestone Corporation
Priority date: 2003-04-16
Filing date: 2004-04-15
Publication date: 2004-10-28
Also published as: EP1614766A1; JPWO2004092440A1; EP1614766A4; US20060189132A1

Abstract

基板上に、第１の金属成分からなる金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の金属成分を除去すること、又は基板上に、第１の金属成分からなる第１の金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分からなる第２の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の第１又は第２のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法を提供する。

Description

明細書

多孔質薄膜の形成方法技術分野

本発明は、太陽電池の電極や光触媒等に用いられる多孔質金属酸化物薄膜等の多孔質金属化合物薄膜、燃料電池の触媒層等に用いられる多孔質金属薄膜などの多孔質薄膜の形成方法に関する。背景技術

金属酸化物や金属の多孔質薄膜は、その比表面積の大きさから、単位容積当たりに多くの活性点（作用点）が分散されていることが求められる部材に好適である。そのため、限られた容積に多くの活性点（作用点）を必要とする電極や触媒等の部材に適用され、太陽電池の電極や光触媒等の触媒などの分野で用いられている。

太陽電池においては金属酸化物半導体電極用として多孔質金属酸化物薄膜が用いられており、光変換材料としてシリコンを用いず、有機色素で増感された酸化物半導体を用いた太陽電池が知られている（特開平 1一 2 2 0 3 0 8号公報、特開平 5— 5 0 4 0 2 3号公報）。また、特開平 1 0— 9 2 4 7 7号公報には、酸化物半導体微粒子集合体の焼成物からなる酸化物半導体膜を有機色素増感型金属酸化物半導体電極に用いた太陽電池が開示されているが、この場合半導体膜は、酸化物半導体微粉末のスラリーを透明電極上に塗布し、乾燥させて、その後焼成することにより形成している。

この方法では、いわゆるゾルーゲル法により酸化物半導体微粒子集合体の焼成物である多孔質金属酸化物薄膜を形成しているが、光エネルギー変換効率の高い有機色素増感型金属酸化物半導体電極を得るためには、多孔質金属酸化物薄膜自体の比表面積を更に高いものとする必要があり、高い比表面積を有する多孔質金属酸化物半導体薄膜を形成する方法が求められている。

また、 T i〇₂， Z n〇₂, W0₃等の金属酸化物は、紫外線を吸収して超親水性化や酸化といつた作用を与える光触媒機能を有するものとして知られており、水浄化、空気浄化、消臭、油分の分解等に広く使用されているが、その利用に際しては、このような光触媒作用を有する金属酸化物を基板上に薄膜状に成膜して固定化することがしばしば行われている。

この場合、上記のような金属酸化物薄膜の成膜方法としては、例えば、粉末にバインダーとして樹脂やゴムなどを混ぜて、これを基材に塗布して焼結させることにより成膜する方法や、金属アルコキシド溶液を用いてゲルコーティング膜を形成し、これを焼成するいわゆるゾルーゲル法により成膜する方法、スパッタリングにより金属酸化物薄膜を形成する方法 (特開平 1 1 - 9 2 1 7 6号公報) などがある。

この光触媒として用いる金属酸化物薄膜の場合においても、少量で高い触媒活性を与える金属酸化物薄膜とするには、金属酸化物薄膜を多孔質化して、活性点を高分散化することが効果的であるが、上述したような従来の方法では、十分な比表面積を有する多孔質薄膜は得られておらず、太陽電池用の金属酸化物半導体薄膜同様、更に高い比表面積を有する多孔質金属酸化物薄膜を形成する方法が求められている。

また、燃料電池においては、電解質膜と多孔質支持体との間に触媒層が設けられているが、この触媒層は、一般的には活性炭等の担体に白金等の金属を担持させた担持触媒粒子をカーボンシ一ト等の多孔質支持体に塗布する方法がとられているが、燃料電池の発電効率の向上のためには、この触媒の活性点を更に高分散化することが必要である。発明の開示

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、基板上に形成して用いられる太陽電池電極用の金属酸化物半導体薄膜、光触媒薄膜、燃料電池触媒層などの金属酸化物薄膜又は金属薄膜として好適な高い比表面積を有する多孔質金属化合物薄膜及び多孔質金属薄膜を形成することができる方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、基板上に、第 1 の金属成分からなる金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することにより形成した多孔質薄膜が、高い比表面積を有するものとなること、特に、この方法を太陽電池電極用の金属酸化物半導体薄膜の形成方法として適用すれば、光エネルギー変換効率の高い有機色素増感型金属酸化物半導体電極が得られ、また、光触媒薄膜の形成方法として適用すれば、高い比表面積を有する活性点が高分散化された光触媒薄膜が得られることを見出した。

また、基板上に、第 1の金属成分からなる第 1の金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを除去することにより形成した多孔質薄膜が、高い比表面積を有するものとなること、特に、この方法を燃料電池触媒層の形成方法として適用して、この触媒層として多孔質金属薄膜を形成すれば、触媒の活性点の高分散化が可能であり、この触媒層を用いた燃料電池の発電効率を向上させることができることを見出し、本発明をなすに至った。

即ち、本発明は、以下の多孔質薄膜の形成方法を提供する。

請求項 1 ：基板上に、第 1の金属成分からなる金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法。

請求項 2 ：上記複合薄膜を、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる金属夕一ゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物ターゲットを設け、これら夕一ゲッ卜に電力を同時に印加してスパッ夕リングすることにより形成することを特徴とする請求項 1記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 3 ：上記金属化合物が、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒化物であることを特徴とする請求項 1又は 2記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 4 ：上記第 1の金属成分が Zn， C r， A 1 , Cu, S i, T i, Ag,

Mn, F e, Co, Cd, N i， Z r， Nb， Mo, I n, S n, Sb， H f , Ta， W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 5 ：上記第 1の金属成分が Z n, C r, A 1 , Cu, S i, T i， Ag, Mn, F e, Co, C d, N i , Z r , Nb, Mo, I n, S n, Sb， H f , Ta, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が Z n, T i , Nb, I n, Sn, S b及び Wからなる群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 6 ：上記第 1の金属成分が Zn, C r， A 1 , Cu, S i , Ag, Mn, F e, Co, Cd, N i , Z r , Nb, Mo, I n， Sn, S b， H f , Ta， W及び M gからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が T iであることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。請求項 7 ：上記第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアルカリ水溶液中で複合薄膜中の金属部分のみを溶出させることができる組み合わせであることを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。請求項 8 ：上記金属部分の除去が、酸水溶液又はアルカリ水溶液により金属部分を溶解させるものであることを特徴とする請求項 7記載の多孔質薄膜の形成方法。請求項 9 ：上記金属部分を除去した後、更に焼成することを特徴とする請求項 1 乃至 8のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 10 ：基板上に、第 1の金属成分からなる第 1の金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法。

請求項 1 1 ：上記複合薄膜を、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる第 1の金属夕ーゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属ターゲットを設け、これらターゲットに電力を同時に印加してスパッタリングすることにより形成することを特徴とする請求項 10記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 12 ··上記第 1の金属成分が P t， Ru, I r， R , Zn， C r， A 1 , Cu, S i , T i , Ag, Mn, Fe, Co, C d, N i， Z r , Nb, Mo, I n, Sn, S b, Hf, T a, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 10又は 11記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 13 ：上記第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアルカリ水溶液中で複合薄膜中のいずれかの金属部分のみを溶出させることができる組み合わせであることを特徴とする請求項 10乃至 12のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

請求項 14 ：上記金属部分の除去が、酸水溶液又はアルカリ水溶液により第 1又は第 2のいずれかの金属部分のみを溶解させるものであることを特徴とする請求項 13記載の多孔質薄膜の形成方法。

本発明によれば、基板上に形成して用いられる太陽電池電極用の金属酸化物半導体薄膜、光触媒薄膜、燃料電池触媒層などの金属酸化物薄膜又は金属薄膜として好適な高い比表面積を有する多孔質金属化合物薄膜及び多孔質金属薄膜を形成することができる。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の第 1の態様の一実施例に係る多孔質薄膜の形成方法における、複合薄膜をスパッタリングにより形成するためのスパッタリング装置の概略平面図である。

第 2図は、本発明の第 2の態様の一実施例に係る多孔質薄膜の形成方法における、複合薄膜をスパッタリングにより形成するためのスパッタリング装置の概略平面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明につき更に詳述する。

本発明の第 1の態様に係る多孔質薄膜の形成方法は、基板上に、第 1の金属成分からなる金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することにより多孔質薄膜を形成するものである。

この第 1の態様において、対象となる基材の種類は特に制限されず、多孔質薄膜の用途に合わせて適宜選択されるが、太陽電池電極用の金属酸化物半導体薄膜を形成する場合は、例えば、 I T Oやフッ素ド一プ酸化スズを被覆したガラス基板を基板として用いることができる。また、光触媒薄膜を形成する場合は、セラミックス、樹脂等が適用可能である。この場合、セラミックス基材としては、ノンアルカリガラス、石英ガラス等のガラスなど、樹脂基材としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等の炭化水素系樹脂、ポリエチレンテレフ夕レート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ力一ポネート樹脂などが挙げられる。

この第 1の態様においては、複合薄膜は、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる金属ターゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物夕一ゲットを設ける、又は第 1の金属成分からなる金属夕一ゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる金属夕ーゲットを、第 1の金属成分を酸化物、窒化物、酸化窒化物等の化合物を形成しにくいもの、第 2の金属成分を上記化合物を形成しやすいものとして組み合わせて設け、これらターゲットに電力を同時に印加してスパッタリングすることにより形成することができる。

このような方法としては、例えば、図 1に示されるように、チャンバ一 3内に、第 1の金属成分からなる金属夕ーゲット 1及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物夕一ゲット 2を配設し、これら夕ーゲット 1， 2に電力を同時に印加することによって生じるスパッタリング雰囲気 (主に、 '金属夕一ゲット 1及び金属酸化物夕ーゲット 2のスパッタリング面から基材 4側へ向かう空間に形成される）中、複合薄膜を形成する基材 4を、その複合薄膜を形成する面を夕一ゲット 1 , 2のスパッタリング面に向けて回転させながらスパッタリングすることにより形成することができる。なお、図 1中、 5は磁石、 6は夕一ゲット電極、 7はガス導入口、 8はガス排気口（減圧口）、 9は回転台、 10 aは RF電源、 10 bは DC電源を示す。

このような方法により、複合薄膜を形成すれば、複合薄膜は第 1の金属成分からなる微細な金属部分と、第 2の金属成分の化合物からなる微細な金属化合物部分とが互いに高分散した状態で成膜される。また、特にこの場合は、基板を回転させているので、複合薄膜の金属部分と金属酸化物部分の面方向の分散状態を均一とすることができる。更に、この場合、各々のターゲットに印加する電力を変更することにより、金属部分と金属酸化物部分の比率を変更することも可能である。また更に、第 1及び第 2夕一ゲットを矩形夕一ゲットとして一定の角度傾けて配置することにより、フィルム基板のロールツ一ロール（Ro 1 1 t o R o 1 1) や、ガラス基板のインラインコーティングにも適用可能である。

この第 1の態様においては、金属化合物として、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物が好ましく挙げられる。

スパッタリングガスとしては、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。また、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物のターゲットを用いて複合薄膜を形成する場合には、金属酸化物を用いる場合は酸素ガス、金属窒化物を用いる場合は窒素ガス、金属酸化窒化物を用いる場合は酸素ガス、窒素ガス又は酸化窒素ガスを少量であれば併用することも可能である。一方、第 1の金属成分からなる金属ターゲットと上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる金属ターゲットとを組み合わせて用いる場合は、第 2の金属成分の化合物として金属酸化物を形成する場合は酸素ガス、金属窒化物を形成する場合は窒素ガス、金属酸化窒化物を形成する場合は酸素ガス、窒素ガス又は酸化窒素ガスを用いることにより、第 2の金属成分の化合物を形成することができる。ターゲットへの電力の印加方式は特に限定されず、形成する複合薄膜の種類に応じて選定され、 RF、 AC、 DC電源のいずれをも用いることができ、ターゲット毎に異なる電源を用いてもよい。

また、上記第 1及び第 2の金属成分としては、第 1の金属成分が Zn， C r, A 1 , Cu, S i， T i , Ag, Mn, F e, Co, Cd, N i， Z r， Nb, Mo, I n, S n, Sb, Hf, Ta, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種、特に、 Zn, T i, Nb， I n, Sn, S b及び Wからなる群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることが好ましい。

特に、金属化合物がチタン化合物である場合 (第 2の金属成分が T iの場合) は、第 1の金属成分は Z n, C r , A 1 , C u, S i, Ag, Mn, Fe, Co, C d， N i， Z r , Nb, Mo, I n, Sn, Sb， H f , T a, W及び M gからなる群より選ばれる 1種が好適である。

なお、第 1の金属成分及び第 2の金属成分のいずれの組み合わせにおいても、第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアル力リ水溶液中で複合薄膜中の金属部分のみを溶出させることができる組み合わせであることが好ましい。なお、複合薄膜の厚さは多孔質薄膜の用途に応じて適宜選定されるが、 10η m〜20 m、特に 100 nm〜l 0 mであることが好ましい。

本発明の第 1の態様に係る多孔質薄膜の形成方法においては、上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することにより多孔質薄膜を形成する。従って、この場合、多孔質薄膜は、多孔質金属化合物薄膜となる。金属部分を除去する方法としては、第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアル力リ水溶液中で複合薄膜中の金属部分のみを溶出させることができる組み合わせである場合には、酸水溶液又はアル力リ水溶液により金属部分を溶解させる方法が採用し得、上記複合薄膜を酸水溶液又はアルカリ水溶液に浸漬する方法が適用できる。

酸水溶液、アルカリ水溶液は、第 1及び第 2の金属成分の種類及び組み合わせに合わせて適宜選択される。使用される酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢酸、弗酸、クロム酸、過酸化水素、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、クェン酸、シユウ酸、臭化水素等が挙げられ、これらを単体で又はこれらを混合した混酸で水溶液として用いることができる。また、溶解する金属によっては、混酸と塩化第二鉄のような金属塩化物、金属硫化物との混合水溶液を用いることもできる。一方、アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液やアンモニア水などを用いることができる。なお、酸水溶液、アル力リ水溶液の濃度、組成は、溶解する金属の種類に応じて適宜選定することができる。なお、この第 1の態様においては、金属部分を除去した後、更に焼成することが好ましく、焼成することにより強度が高い多孔質薄膜を得ることができる。次に、本発明の第 2の態様に係る多孔質薄膜の形成方法について説明する。本発明の第 2の態様に係る多孔質薄膜の形成方法は、基板上に、第 1の金属成分からなる第 1の金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを除去することにより多孔質薄膜を形成するものである。

この第 2の態様において、対象となる基材の種類は特に制限されず、多孔質薄膜の用途に合わせて適宜選択されるが、燃料電池用の触媒として多孔質薄膜を形成する場合は、燃料電池用に用いられる高分子電解質膜を基板として用いることができる。

この第 2の態様においては、複合薄膜は、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる第 1の金属ターゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属ターゲットを設け、これらターゲットに電力を同時に印加してスパッ夕リングすることにより形成することができる。

このような方法としては、例えば、図 2に示されるように、チャンバ一 3内に、第 1の金属成分からなる第 1の金属夕ーゲット 1 a及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属ターゲット 1 bを配設し、これらターゲット l a , 1 bに電力を同時に印加することによって生じるスパッタリング雰囲気（主に、第 1の金属夕ーゲット 1 a及び第 2の金属夕ーゲット 1 bのスパッ夕リング面から基材 4側へ向かう空間に形成される）中、複合薄膜を形成する基材 4を、その複合薄 J5莫を形成する面をターゲット 1 a， l bのスパッタリング面に向けて回転させながらスパッタリングすることにより形成することができる。なお、図 1中、 5は磁石、 6はターゲット電極、 7はガス導入口、 8はガス排気口（減圧口）、 9は回転台、 1 0 &は？電源、 1 0 bは D C電源を示す。

このような方法により、複合薄膜を形成すれば、複合薄膜は第 1の金属成分からなる微細な第 1の金属部分と、第 2の金属成分からなる微細な第 2の金属部分とが互いに高分散した状態で成膜される。また、特にこの場合は、基板を回転させているので、複合薄膜の第 1の金属部分と第 2の金属部分の面方向の分散状態を均一とすることができる。更に、この場合、各々のターゲットに印加する電力を変更することにより、第 1の金属部分と第 2の金属部分の比率を変更することも可能である。

スパッタリングガスとしては、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。また、夕一ゲットへの電力の印加方式は特に限定されず、形成する複合薄膜の種類に応じて選定され、 RF、 AC、 DC電源のいずれをも用いることができ、夕一ゲット毎に異なる電源を用いてもよい。

また、上記第 1及び第 2の金属成分としては、上記第 1の金属成分が P t， R u, I r, Rh, Zn， C r, A 1 , Cu, S i , T i， Ag, Mn, Fe, C o， Cd, N i , Z r, Nb， Mo, I n, Sn， Sb， H f , Ta, W及び M gからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることが好ましい。

なお、第 1の金属成分及び第 2の金属成分のいずれの組み合わせにおいても、第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアル力リ水溶液中で複合薄膜中のいずれかの金属成分のみを溶出させることができる組み合わせであることが好ましい。

なお、複合薄膜の厚さは多孔質薄膜の用途に応じて適宜選定されるが、 1〜5 00 nm、特に 10〜50 nmであることが好ましい。

本発明の第 2の態様に係る多孔質薄膜の形成方法においては、上記複合薄膜中の上記第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを除去することにより多孔質薄膜を形成する。従って、この場合、多孔質薄膜は、多孔質金属薄膜となる。金属部分を除去する方法としては、第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアル力リ水溶液中で複合薄膜中の第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを溶出させることができる組み合わせである場合には、酸水溶液又はアル力リ水溶液により第 1又は第 2のいずれかの金属部分のみを溶解させる方法が採用し得、上記複合薄膜を酸水溶液又はアル力リ水溶液に浸漬する方法が適用できる。

酸水溶液、アルカリ水溶液は、第 1及び第 2の金属成分の種類及び組み合わせに合わせて適宜選択される。使用される酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢酸、弗酸、クロム酸、過酸化水素、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、クェン酸、シユウ酸、臭化水素等が挙げられ、これらを単体で又はこれらを混合した混酸で水溶液として用いることができる。また、溶解する金属によっては、混酸と塩化第二鉄のような金属塩化物、金属硫化物との混合水溶液を用いることもできる。一方、アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液やアンモニア水などを用いることができる。なお、酸水溶液、. アル力リ水溶液の濃度、組成は、溶解する金属の種類に応じて適宜選定することができる。 .

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。

[実施例 1 ]

多孔質薄膜（太陽電池電極用金属酸化物半導体薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッタ装置にターゲットとして T i〇x (旭硝子セラミツク製 TXO) ターゲット及び Z nターゲットをセットし、真空チャンバ一に基板としてフッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスをセットして、ターボ分子ボンプで 5 X 10— ⁴P aまで排気した後、 Arガスを 99 s c cm、〇₂ガスを I s c cmの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 T i〇xターゲットに 1 kW、 Znターゲットに 100Wの電力を印加してスパッタリングすることにより、フッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスの導電面に約 1500 nmの T i〇 x/Z n複合薄膜を成膜した。

次いで上記複合薄膜を成膜したフッ素ドープ酸化スズを被覆したガラス基板を 1N硫酸水溶液に室温で 30分間浸漬することにより、複合薄膜から Znを溶出させて除去し、更に、大気雰囲気中、 450°Cで 30分焼成して T i〇xの多孔質薄膜を形成した。

分光増感色素の吸着

分光増感色素溶液として、 3 X 10 ⁴mo 1ノ 1のシスージ（チオシアナト） —ビス（2， 2，ービピリジル _ 4ージカルボキシレート— 4， —テトラブチルアンモニゥムカルボキシレート）ルテニウム（I I) 一エタノール溶液を調製し、この溶液に上記 T i Oxの多孔質薄膜を形成したフッ素ドープ酸化スズを被覆したガラス基板を、室温で 18時間浸漬して、分光増感色素を吸着させて金属酸化物半導体電極を得た。この分光増感色素の吸着量は、 T i Oxの多孔質薄膜の表面積 1 cm²あたり 8 X gであった。

太陽電池の作製

上記金属酸化物半導体電極を一方の電極とし、対電極としてフッ素をドープした酸化スズをコートし、更にその上に白金を担持した透明導電性ガラス板を用いた。 2つの電極の間に電解質を入れ、この側面を樹脂で封止した後、リード線を取り付けて、本発明の太陽電池を作製した。なお、電解質としては、ァセトニトリルの溶媒にヨウ化リチウム、 1， 2—ジメチル— 3—プロピルイミダゾリウムアイォダイド、ョゥ素及び t一プチルピリジンを、それぞれの濃度が 0. 1 m o 1/1、 0. 3mo l/l、 0. 05mo lZl、 0. 5mo 1 / 1となるように溶解させたものを用いた。

得られた太陽電池に、ソーラーシユミレー夕一で 10 OWZcm²の強度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧）は 0. 62V、 J s c (回路を短絡したときに流れる電流の密度）は 1. 30mA/cm²、 FF (曲線因子）は 0. 54、？7 (変換効率）は 4. 35%であり、太陽電池として優れていることがわかった。

[比較例 1 ]

薄膜（太陽電池電極用金属酸化物半導体薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッ夕装置に夕ーゲットとして T i Ox (旭硝子セラミツク製 TXO) ターゲットをセットし、真空チャンバ一に基板としてフッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスをセットして、ターボ分子ポンプで 5 X 10— ⁴P aまで排気した後、八]：ガスを985 ( 0111、 0₂ガスを 2 s c cmの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 T i Ox夕一ゲッ卜に 1 kWの電力を印加してスパッタリングすることにより、フッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスの導電面に約 1000 nmの T i〇x薄膜を成膜し、更に、大気雰囲気中、 450°Cで 30分焼成した。

分光増感色素の吸着

実施例 1と同様の方法で分光増感色素を吸着させた。この分光増感色素の吸着量は、 T i Oxの多孔質薄膜の表面積 1 cm²あたり 0. 6 gであった。

太陽電池の作製

実施例 1と同様の方法で太陽電池を作製した。この太陽電池の Vo cは 0. 5 8V、】 ≤ じは0. 52mAZcm²、 FF (曲線因子）は 0. 50、 7] (変換効率）は 1. 51 %であり、実施例 1と比べて性能が劣るものであつた。 [比較例 2]

薄膜（太陽電池電極用金属酸化物半導体薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッ夕装置に夕一ゲットとして T i夕ーゲットをセットし、真空チャンバ一に基板としてフッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスをセットして、夕ーポ分子ポンプで 5 X 10—⁴P aまで排気した後、 A rガスを 80 s c cm、 0₂ガスを 20 s c cmの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 T i夕一ゲットに 1 kWの電力を印加してスパッタリングすることにより、フッ素ドープ酸化スズを被覆したガラスの導電面に約 1 000 nmの T i Ox薄膜を成膜し、更に、大気雰囲気中、 450°Cで 30分焼成した。

分光増感色素の吸着

実施例 1と同様の方法で分光増感色素を吸着させた。この分光増感色素の吸着量は、 T i Oxの多孔質薄膜の表面積 1 cm²あたり 0. 5 であった。

太陽電池の作製

実施例 1と同様の方法で太陽電池を作製した。この太陽電池の Vo cは 0. 5 6 V、】 3 ( は0. 53niA/cm²、 FF (曲線因子）は 0. 47、 η (変換効率）は 1. 39%であり、実施例 1と比べて性能が劣るものであった。 [実施例 2]

多孔質薄膜（光触媒薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッ夕装置にターゲットとして T i Ox (旭硝子セラミツク製 TXO) ターゲット及び Znターゲットをセットし、真空チャンバ一に基板としてノンアルカリガラスをセッ卜して、夕一ポ分子ポンプで 5 X 10-⁴P aまで排気した後、 A rガスを 99 s c cm、 0₂ガスを 1 s c cmの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 T i Ox夕一ゲッ卜に 1 kW、 Z n夕一ゲットに 100 Wの電力を印加してスパッ夕リングすることにより、ノンアル力リガラスの表面に約 600 nmの T i〇x/Zn複合薄膜を成膜した。

次いで上記複合薄膜を成膜したノンァルカリガラス基板を 1 N硫酸水溶液に室温で 30分間浸漬することにより、複合薄膜から Znを溶出させて除去し、更に、大気雰囲気中、 450でで 30分焼成して T i〇xの多孔質薄膜を形成した。

光触媒性能の評価

上記 T i Oxの多孔質薄膜を形成したノンアルカリガラス基板を 22m 1アマランス（赤色顔料）溶液（3m 1/1) 中に浸漬し、 250W超高圧水銀灯を照射（20分）して、その濃度変化を紫外—可視光度計で測定したところ、アマランスの分解率は 87. 2%と高い値であった。 [比較例 3 ]

薄膜（光触媒薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッ夕装置にターゲットとして T i Ox (旭硝子セラミツク製 TXO) ターゲットをセットし、真空チャンバ一に基板としてノンアル力リガラスをセッ卜して、ターボ分子ポンプで 5 X 10一⁴ P aまで排気した後、 Arガスを 98 s c c m、 0₂ガスを 2 s c c mの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 T i Oxターゲットに 1 kWの電力を印加してスパッタリングすることにより、ノンァルカリガラスの表面に約 30 Onmの T i Ox薄膜を成膜し、更に、大気雰囲気中、 450°Cで 30分焼成した。光触媒性能の評価

実施例 2と同様の方法で、光触媒性能を評価した。この薄膜のアマランスの分解率は 43. 4 %であり実施例 2に比べ分解性能が劣るものであった。 [比較例 4]

薄膜（光触媒薄膜）の形成

マグネトロン DCスパッタ装置に夕一ゲッ卜として T i夕ーゲットをセッ卜し、真空チヤンバ一に基板としてノンァルカリガラスをセットして、ターボ分子ボンプで 5 X 10— ⁴P aまで排気した後、八1"ガスを803 （：111、〇₂ガスを 20 s c cmの流量で混合ガスとして導入し、圧力が 0. 5Paとなるように調整した後、 T i夕一ゲッ卜に 1 kWの電力を印加してスパッタリングすることにより、ノンアルカリガラスの表面に約 300 nmの T i〇x薄膜を成膜し、更に、大気雰囲気中、 450°Cで 30分焼成した。

光触媒性能の評価

実施例 2と同様の方法で、光触媒性能を評価した。この薄膜のアマランスの分解率は 39. 7 %であり実施例 2に比べ分解性能が劣るものであった。

[実施例 3 ]

多孔質薄膜（燃料電池反応層）の形成

マグネトロン DCスパッ夕装置にターゲットとして P t夕ーゲット及び Z n夕ーゲットをセッ卜し、真空チャンバ一に基板として電解質膜であるナフイオン 1 12 (デュポン社製）をセットして、ターボ分子ポンプで 5 X 10— ⁴P aまで排気した後、 A rガスを 100 s c cmの流量で導入し、圧力が 0. 5 P aとなるように調整した後、 P tターゲットに l kW、 Z nターゲットに 100Wの電力を印加してスパッタリングすることにより、電解質膜であるナフイオン 112 の表面上に 2 Onmの P t/Zn複合薄膜を成膜した。更に、上記の処理を電解質膜の反対側の面にも施し、電解質膜の両面に各々 20 nmの P t/Z n複合薄膜が成膜された電解質膜を得た。

次いで上記複合薄膜を成膜した電解質膜を 1 N硫酸水溶液に室温で 30分間浸漬することにより、複合薄膜から Z nを溶出させて除去して P tの多孔質薄膜を形成した。

膜電極積層体の形成

得られた P tの多孔質薄膜が両面に形成された電解質膜に、粒径が 5 0 nmのカーボン粒子を電解質膜と同成分のナフイオン 1 1 7 (デュポン社製）溶液中に混練してペースト状とした力一ボンペーストを印刷 (塗布) した。

次いで、カーボンペーストを塗布した電解質膜の両面に、アノード及びカソ一ドとなるカーボンべ一パーを各々の面に重ね合わせ、 1 2 0 °Cの温度、 5 M P a の圧力で 1 0分間ホットプレスすることにより、膜電極積層体を形成した。

燃料電池の作製及び評価

得られた膜電極積層体をグラフアイト製セパレーターに挟み込んで燃料電池を作製し、アノード側から加湿した水素を、力ソード側から加湿した酸素を各々供給して、燃料電池を稼働させ、その電流一電圧特性を測定したところ、開回路電圧が 0 . 8 2 V、限界電流密度が 0 . 3 3 A/ c m²であった。

[比較例 5 ]

薄膜（燃料電池反応層）の形成

マグネトロン D Cスパッタ装置に夕一ゲットとして P t夕一ゲットをセットし、真空チャンバ一に基板として電解質膜であるナフイオン 1 1 2 (デュポン社製）をセットして、夕一ボ分子ポンプで 5 X 1 0— ⁴ P aまで排気した後、 A rガスを 1 0 0 s c c mの流量で導入し、圧力が 0 . 5 P aとなるように調整した後、 P tターゲットに 1 k Wの電力を印加してスパッタリングすることにより、電解質膜であるナフイオン 1 1 2の表面上に 2 O n mの P t薄膜を成膜した。更に、上記の処理を電解質膜の反対側の面にも施し、電解質膜の両面に各々 2 0 nmの P t薄膜が成膜された電解質膜を得た。

膜電極積層体の形成

実施例 3と同様の方法で膜電極積層体を形成した。

燃料電池の作製及び評価

実施例 3と同様の方法で燃料電池を作製し、その電流一電圧特性を測定したところ、開回路電圧が 0. 66V、限界電流密度が 0. 17AZcm²であり、実施例 3と比較して燃料電池性能に劣るものであった。

Claims

請求の範囲

1. 基板上に、第 1の金属成分からなる金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法。

2. 上記複合薄膜を、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる金属ターゲット及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分の化合物からなる金属化合物夕 —ゲッ卜を設け、これらターゲットに電力を同時に印加してスパッタリングすることにより形成することを特徴とする請求項 1記載の多孔質薄膜の形成方法。

3. 上記金属化合物が、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒化物であることを特徴とする請求項 1又は 2記載の多孔質薄膜の形成方法。

4. 上記第 1の金属成分が Zn， C r， A 1 , Cu, S i， T i , Ag, Mn, Fe, Co, C d, N i, Z r , Nb， Mo, I n, S n, S b, H f , Ta， W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 1 乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

5. 上記第 1の金属成分が Zn， C r, A 1 , Cu, S i, T i, Ag, Mn, F e, Co, C d, N i, Z r， Nb, Mo, I n, S n, S b, H f , T a, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が Zn, T i , Nb, I n, S n, S b及び Wからなる群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

6. 上記第 1の金属成分が Zn, C r, A 1 , Cu, S i， Ag, Mn, F e, Co, Cd, N i, Z r, Nb, Mo, I n, Sn， S b, Hi, T a, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が T iであることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

7. 上記第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアル力リ水溶液中で複合薄膜中の金属部分のみを溶出させることができる組み合わせであることを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

8. 上記金属部分の除去が、酸水溶液又はアルカリ水溶液により金属部分を溶解させるものであることを特徴とする請求項 7記載の多孔質薄膜の形成方法。

9. 上記金属部分を除去した後、更に焼成することを特徴とする請求項 1乃至 8 のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

10. 基板上に、第 1の金属成分からなる第 1の金属部分と、上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記第 1の金属部分又は第 2の金属部分のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法。

11. 上記複合薄膜を、チャンバ一内に第 1の金属成分からなる第 1の金属夕一ゲッ卜及び上記第 1の金属成分とは異なる第 2の金属成分からなる第 2の金属ターゲットを設け、これら夕ーゲットに電力を同時に印加してスパッタリングすることにより形成することを特徴とする請求項 10記載の多孔質薄膜の形成方法。

12. 上記第 1の金属成分が P t， Ru, I r， R , Zn， C r， A 1 , Cu, S i, T i， Ag, Mn, F e, Co, C d, N i , Z r , Nb, Mo, I n,

Sn， S b, H f , Ta, W及び Mgからなる群より選ばれる 1種であり、上記第 2の金属成分が上記群より選ばれる上記第 1の金属成分とは異なる 1種であることを特徴とする請求項 10又は 11記載の多孔質薄膜の形成方法。

13. 上記第 1の金属成分及び第 2の金属成分が、酸水溶液又はアルカリ水溶液中で複合薄膜中のいずれかの金属部分のみを溶出させることができる組み合わせであることを特徴とする請求項 10乃至 12のいずれか 1項記載の多孔質薄膜の形成方法。

14. 上記金属部分の除去が、酸水溶液又はアルカリ水溶液により第 1又は第 2 のいずれかの金属部分のみを溶解させるものであることを特徴とする請求項 13 記載の多孔質薄膜の形成方法。