[go: up one dir, main page]

WO2002038490A3 - Verfahren zum herstellen von glas-silizium-glas sandwichstrukturen - Google Patents

Verfahren zum herstellen von glas-silizium-glas sandwichstrukturen Download PDF

Info

Publication number
WO2002038490A3
WO2002038490A3 PCT/DE2001/004141 DE0104141W WO0238490A3 WO 2002038490 A3 WO2002038490 A3 WO 2002038490A3 DE 0104141 W DE0104141 W DE 0104141W WO 0238490 A3 WO0238490 A3 WO 0238490A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
glass
silicon
sandwich structures
substrate
producing
Prior art date
Application number
PCT/DE2001/004141
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2002038490A2 (de
Inventor
Steffen Howitz
Original Assignee
Gesim Ges Fuer Silizium Mikros
Steffen Howitz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gesim Ges Fuer Silizium Mikros, Steffen Howitz filed Critical Gesim Ges Fuer Silizium Mikros
Priority to EP01993578A priority Critical patent/EP1332106A2/de
Publication of WO2002038490A2 publication Critical patent/WO2002038490A2/de
Publication of WO2002038490A3 publication Critical patent/WO2002038490A3/de

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B1/00Devices without movable or flexible elements, e.g. microcapillary devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00357Creating layers of material on a substrate involving bonding one or several substrates on a non-temporary support, e.g. another substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/019Bonding or gluing multiple substrate layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von irreversibel und justiert miteinander verbundenen Glas-Silizium-Glas Sandwichstrukturen, bestehend aus einem unteren und einem oberen Glassubstrat (2, 3), sowie einem dazwischenliegenden Siliziumsubstrat (1), wobei wenigstens eines der Substrate (1; 2; 3) mit einer 3-D-Tiefenstrukturierung versehen ist. Es soll nun ein preiswertes Herstellungsverfahren, besonders mit Blick auf die Massenproduktion von Glas-Silizium-Glas Sandwichstrukturen geschaffen werden. Erreicht wird dies dadurch, dass das Siliziumsubstrat (1) vor oder nach dessen 3-D-Tiefenstrukturierung mit einem der Glassubstrate (2; 3) durch anodisches Bonden irreversibel verbunden wird, der Verbund mittels Schleif-, Ätz- und Polierverfahren von der Glas- und/oder Siliziumseite auf eine vorgegebene Enddicke abgedünnt wird und dass nachfolgend die verbleibende Siliziumoberfläche mit einem zweiten Glassubstrat (3; 2) durch anodisches Bonden verbunden wird.
PCT/DE2001/004141 2000-11-07 2001-11-07 Verfahren zum herstellen von glas-silizium-glas sandwichstrukturen WO2002038490A2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01993578A EP1332106A2 (de) 2000-11-07 2001-11-07 Verfahren zum herstellen von glas-silizium-glas sandwichstrukturen

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10055155 2000-11-07
DE10055155.6 2000-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2002038490A2 WO2002038490A2 (de) 2002-05-16
WO2002038490A3 true WO2002038490A3 (de) 2002-08-15

Family

ID=7662439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2001/004141 WO2002038490A2 (de) 2000-11-07 2001-11-07 Verfahren zum herstellen von glas-silizium-glas sandwichstrukturen

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP1332106A2 (de)
WO (1) WO2002038490A2 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000335A1 (en) * 1986-06-30 1988-01-14 Rosemount Inc. Differential pressure sensor
EP0389071A2 (de) * 1989-01-30 1990-09-26 Dresser Industries Inc. Herstellungsmethode für Halbleitermembranen
DE4409068A1 (de) * 1994-03-14 1996-01-25 Mannesmann Ag Bondverfahren und Bondinterface zur Durchführung des Bondverfahrens
WO1998047712A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-29 Topaz Technologies, Inc. Nozzle plate for an ink jet print head

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4318407A1 (de) 1993-06-03 1994-12-08 Rossendorf Forschzent Mikrokapillare mit integrierten chemischen Mikrosensoren und Verfahren zu ihrer Herstellung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000335A1 (en) * 1986-06-30 1988-01-14 Rosemount Inc. Differential pressure sensor
EP0389071A2 (de) * 1989-01-30 1990-09-26 Dresser Industries Inc. Herstellungsmethode für Halbleitermembranen
DE4409068A1 (de) * 1994-03-14 1996-01-25 Mannesmann Ag Bondverfahren und Bondinterface zur Durchführung des Bondverfahrens
WO1998047712A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-29 Topaz Technologies, Inc. Nozzle plate for an ink jet print head

Also Published As

Publication number Publication date
EP1332106A2 (de) 2003-08-06
WO2002038490A2 (de) 2002-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002084721A3 (fr) Substrat ou structure demontable et procede de realisation
EP1371993A3 (de) Beschleunigungsaufnehmer und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2006123299A3 (en) Methods for fabricating micro-electro-mechanical devices
WO2005037061A3 (en) Interlaced compositions and methods of production
TW200723389A (en) Etching liquid for controlling silicon wafer surface shape and method for manufacturing silicon wafer using the same
CA2433738A1 (en) Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material
WO2002095799A3 (en) Thin films and production methods thereof
ATE447538T1 (de) Soi/glas-verfahren zur herstellung von dünnen mikrobearbeiteten strukturen
EP1860417A3 (de) Drucksensor mit einer Kammer und Herstellungsverfahren dafür
WO2005017975A3 (en) Anchors for microelectromechanical systems having an soi substrate, and method of fabricating same
WO2002005972A3 (de) Verfahren zur herstellung einer permanenten entformungsschicht durch plasmapolymerisation auf der oberfläche eines formteilwerkzeugs
WO2007139695A3 (en) Force input control device and method of fabrication
WO2008051781A3 (en) Vertically integrated mems
CN101580222B (zh) 微机电元件与制作方法
WO2009092799A3 (fr) Objet comportant un element graphique reporte sur un support et procede de realisation d'un tel objet
WO2007003826A3 (fr) Procede de realisation de nanostructures
ZA200309027B (en) Method for the production of a three-dimensional, flexibly deformable surface element.
WO2002081363A3 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements sowie ein nach dem verfahren hergestelltes halbleiterbauelement
WO2007133935A3 (en) Method and materials to control doping profile in integrated circuit substrate material
EP1396883A3 (de) Substrat und Herstellungsverfahren dafür
WO2004113041A3 (de) Verfahren zum herstellen eines keramik-metall-substrates
WO2003094224A8 (en) Process for manufacturing substrates with detachment of a temporary support, and associated substrate
ATE227423T1 (de) Verfahren zum erzeugen einer mikromechanischen struktur für ein mikro-elektromechanisches element
JP2005347302A5 (de)
WO2007024714A3 (en) Process for modifying dielectric materials

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001993578

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001993578

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2001993578

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP