TWM472384U - 蓋體 - Google Patents

Description

蓋體

本新型創作是有關於一種蓋體，且特別是有關於一種組裝於電子裝置的蓋體。

近年來，隨著科技產業日益發達，手持電子裝置例如智慧型手機(smart phone)或平板電腦(tablet computer)已逐漸廣泛地被應用於日常生活中。這些手持電子裝置的使用越來越普遍，並朝著便利、多功能且美觀的設計方向進行發展。消費者在選購這些手持電子裝置的時候，外觀設計的美感已經逐漸成為軟硬體功能之外一個重要的選購因素。

以手持電子裝置中的智慧型手機為例，傳統黑、白邊框的外觀已不能滿足消費者的需求。因此，如何於智慧型手機邊框的非顯示區域中進行圖案設計，以期提升產品價值，實為目前研發人員關注的重要課題之一。

本新型創作提供一種蓋體，其可於蓋體的外圍進行圖案 設計。

本新型創作的蓋體用以組裝於一電子裝置上，包括一基板、一圖案化透光層以及一遮光層。圖案化透光層位於基板上且圖案化透光層的一部分構成一圖案。遮光層位於基板上並覆蓋圖案，其中遮光層與圖案化透光層的透光率不同。

在本新型創作的一實施例中，上述的蓋體更包括一折射率匹配層，其中該折射率匹配層的一部分位於遮光層與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的折射率匹配層的折射率介於1.8至2.5之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的折射率匹配層的所述部分位於基板與圖案化透光層之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的折射率匹配層的所述部分位於遮光層與圖案化透光層之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的蓋體更包括多個金屬粒子，其中這些金屬粒子分布於遮光層與圖案化透光層之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案化透光層具有一均勻厚度。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案化透光層的厚度具有變化。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案化透光層的材質為光阻材料或油墨。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案化透光層包括 彼此分離的多個區塊，這些區塊的面積越大者的厚度越大。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案為規則圖案。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案為不規則圖案。

在本新型創作的一實施例中，上述的遮光層位於基板的外圍。

在本新型創作的一實施例中，上述的蓋體更包括一觸控元件層，位於基板上，用以提供一觸控訊號。

在本新型創作的一實施例中，上述的蓋體更包括一折射率匹配層，其中折射率匹配層的一部分位於遮光層與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控元件層包括多個第一電極串列以及多個第二電極串列，這些第一電極串列沿一第一方向延伸，而這些第二電極串列沿一第二方向延伸並與這些第一電極串列在空間上相互隔開，且第一方向交錯於第二方向。

在本新型創作的一實施例中，上述的各第一電極串列包含多個第一觸控電極與多個將這些第一觸控電極電性連接的第一橋接電極，各第二電極串列包含多個第二觸控電極與多個將這些第二觸控電極電性連接的第二橋接電極，各第二橋接電極藉由一絕緣圖案與對應的第一橋接電極電性絕緣。

在本新型創作的一實施例中，上述的絕緣圖案與圖案化透光層是於同一道製程中形成。

在本新型創作的一實施例中，上述的圖案化透光層的一部分位於基板與遮光層之間，以構成圖案，且圖案化透光層的另 一部分位於觸控元件層中，以形成絕緣圖案。

在本新型創作的一實施例中，上述的絕緣圖案與折射率匹配層是於同一道製程中形成。

在本新型創作的一實施例中，上述的折射率匹配層的一部份位於遮光層與基板之間，用以提升圖案的明顯度，且折射率匹配層的另一部分位於觸控元件層中，以形成絕緣圖案。

在本新型創作的一實施例中，上述的這些第一觸控電極與這些第二觸控電極全部是由同一道製程所形成。

在本新型創作的一實施例中，上述的蓋體更包括一金屬材料層，位於遮光層上，並與觸控元件層電性連接，以將觸控訊號傳遞至一驅動元件。

基於上述，本新型創作藉由配置與遮光層透光率不同的圖案化透光層，而可使遮光層與圖案化透光層反射外界光線時可分別顯現出不同的顏色，以於蓋體的外圍進行圖案設計。如此，當外界光線被蓋體反射時，使用者將可觀察到由圖案化透光層所構成的圖案，而可增加產品的設計感，以提升產品價值。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、500、600、700、800、900、1100‧‧‧蓋體

200‧‧‧電子裝置

110‧‧‧基板

120‧‧‧圖案化透光層

130‧‧‧遮光層

540‧‧‧金屬粒子

650‧‧‧折射率匹配層

860、960‧‧‧觸控元件層

970‧‧‧金屬材料層

GS‧‧‧基板母片

AA‧‧‧可視區域

PN1、PN2A、PN2B、PN2C、PN2D‧‧‧圖案

EP、EP1、EP2‧‧‧觸控電極

BP1、BP2‧‧‧橋接電極

SE1、SE2‧‧‧電極串列

IP‧‧‧絕緣圖案

CA‧‧‧邊緣區域

SP‧‧‧區塊

d、D‧‧‧厚度

L‧‧‧寬度

S‧‧‧間距

A-A、B-B‧‧‧剖線

D1、D2‧‧‧方向

圖1A是依照本新型創作的一實施例的一種蓋體的結構示意 圖。

圖1B是用以與圖1A的蓋體組裝的電子裝置的透視示意圖。

圖1C是圖1A的圖案的局部區域的示意圖。

圖1D是圖1A的蓋體沿線A-A的剖視示意圖。

圖2A至圖2D是依照本新型創作的不同實施例的圖案的前視示意圖。

圖3A至圖3D是圖1A的蓋體的一種圖案化透光層的不同局部區域的剖視示意圖。

圖4A是圖1A的蓋體的另一種圖案化透光層的正視示意圖。

圖4B是圖4A的圖案化透光層沿線B-B的剖視示意圖。

圖5是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。

圖6是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。

圖7是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。

圖8A是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。

圖8B是圖8A的一種基板母片的正視示意圖。

圖8C是圖8A的觸控元件層的正視示意圖。

圖9A是依照本新型創作的一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。

圖9B是圖9A的觸控元件層的正視示意圖。

圖10A至圖10C是圖9A的觸控元件層的製作流程的剖面示意圖。

圖10D至圖10F是圖9A的觸控元件層的製作流程的正視示意圖。

圖11A至圖11C是依照本新型創作的另一實施例的的觸控元件層的製作流程的剖面示意圖。

圖1A是依照本新型創作的一實施例的一種蓋體的結構示意圖。圖1B是用以與圖1A的蓋體組裝的電子裝置的透視示意圖。圖1C是圖1A的圖案的局部區域的示意圖。圖1D是圖1A的蓋體沿線A-A的剖視示意圖。請參照圖1A與圖1D，在本實施例中，蓋體100包括一基板110、一圖案化透光層120以及一遮光層130，且蓋體100可用以組裝於圖1B所示的一電子裝置200上。在本實施例中，基板110的材質為玻璃。具體而言，在本實施例中，如圖1A及圖1D所示，圖案化透光層120位於基板110上，且圖案化透光層120的一部分構成一圖案PN1(如圖1A及圖1C所示)。另一方面，如圖1D所示，遮光層130亦位於基板110上，並覆蓋圖案化透光層120的一部分所構成的圖案PN1。更詳細而言，在本實施例中，遮光層130及圖案化透光層120的一部分所構成的圖案PN1位於基板110的外圍的一邊緣區域CA上。

進一步而言，在本實施例中，圖案化透光層120的材質為光阻材料或油墨，且其具有透光的性質。另一方面，在本實施例中，遮光層130的材料可以是深色光阻(例如黑色)或具有遮光性的油墨，以使蓋體100與電子裝置200組裝時可遮蓋電子裝置200的非顯示區域中的走線，或/及作為裝飾用途。換言之，在本實施例中，圖案化透光層120與遮光層130的透光率不同，因此遮光層130與圖案化透光層120將可分別顯現出不同的顏色。附帶一提的是，透光率不同的判斷例如可採用量測光學密度(optical density,OD)來實現，亦即，不同透光率的圖案化透光層120與遮光層130具有不同的光學密度，於本實施例中，圖案化透光層120的光學密度小於遮光層130的光學密度，例如透光層120的光學密度為1，遮光層130的光學密度為3，但不限於此，以上僅係舉例說明，故舉凡遮光層130的光學密度大於透光層120的光學密度均可。如此，當外界光線被蓋體100反射時，使用者將可觀察到圖案化透光層120所構成的圖案PN1，而可增加設計感，以提升產品價值。

圖2A至圖2D是依照本新型創作的不同實施例的圖案的前視示意圖。在上述圖1A的實施例中，圖案化透光層120所構成的圖案雖以圖案PN1為例示，但本新型創作並不以此為限。舉例而言，在圖2A至圖2D的實施例中，圖案化透光層120亦可構成如圖2A至圖2D所示的規則圖案PN2A、PN2B、PN2C或PN2D。更進一步而言，在這些實施例中，控制圖案化透光層120的材料 厚度d、寬度L、間距S及排列方式等結構，以進行各種圖案設計。以下將搭配圖3A至圖4B，針對如何利用圖案化透光層120的結構變化來設計所需圖案進行進一步地說明。

圖3A至圖3D是圖1A的蓋體的一種圖案化透光層的不同局部區域的剖視示意圖。請參照圖3A至圖3B，在本實施例中，圖案化透光層120的材料為光阻材料，而可利用黃光製程將圖案化透光層120依實際需求形成於基板110上。如圖3A至圖3B所示，圖案化透光層120包括彼此分離的多個區塊SP，這些區塊SP具有規則性的排列方式或不規則性的排列方式，且亦可具有相同或不同的寬度L以及間距S，以構成所需圖案。

此外，在本實施例中，更可利用圖案化透光層120的厚度d變化，來設計出不同的視覺效果。舉例而言，如圖3A及圖3B所示，圖案化透光層120可具有一均勻厚度d，如此，由此圖案化透光層120所構成的圖案將具有平面的視覺效果。另一方面，如圖3C及圖3D所示，圖案化透光層120的厚度d亦可具有變化，如此，將可使蓋體100的圖案(例如圖2A至圖2D所示的PN2A、PN2B、PN2C或PN2D)於圖案化透光層120的不同厚度d處顯現出顏色的不同深淺程度。如此一來，則可使圖案化透光層120所構成的圖案(例如圖2A至圖2D所示的PN2A、PN2B、PN2C或PN2D)進一步具有立體視覺效果。簡言之，此領域具通常知識者當可視圖案設計及材料的實際需求來決定圖案化透光層120各區域的厚度d、寬度L、間距S及排列方式，在此就不予贅述。

圖4A是圖1A的蓋體的另一種圖案化透光層的正視示意圖。圖4B是圖4A的圖案化透光層.沿線B-B的剖視示意圖。請參照圖4A至圖4B，在本實施例中，圖案化透光層120的材料為油墨，且圖案化透光層120亦包括彼此分離的多個區塊SP。在本實施例中，可利用噴墨法或印刷的方式將圖案化透光層120依實際需求形成於基板110上。類似於圖3A至圖3B所示，這些區塊SP亦可具有相同或不同的寬度L以及間距S，且可以規則性的排列方式或不規則性的排列方式形成於基板110上，以構成所需圖案PN。

此外，進一步而言，如圖4B所示，當圖案化透光層120的材料為油墨時，圖案化透光層120的各區塊SP的中央部分將會具有鼓起的剖面形狀，且這些區塊SP的面積越大者的厚度D越大。因此，在本實施例中，亦可利用此一材料特性，來使蓋體100的圖案(例如圖2A至圖2D所示的PN2A、PN2B、PN2C或PN2D)可於圖案化透光層120的不同厚度D處顯現出顏色的不同深淺程度，而可進一步使圖案(例如圖2A至圖2D所示的PN2A、PN2B、PN2C或PN2D)進一步具有立體視覺效果。

以下將搭配圖5至圖7，針對如何提升蓋體圖案的明顯度進行進一步說明。

圖5是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。本實施例的蓋體500與圖1A至圖1D的實施例的蓋體100類似，而差異如下所述。在本實施例中，蓋體500更包括多個金 屬粒子540，其中這些金屬粒子540分布於遮光層130與圖案化透光層120之間。具體而言，在本實施例形成圖案化透光層120後，可再利用黃光微影製程將金屬粒子540依實際需求形成於基板110上。進一步而言，在金屬粒子540所分佈的區域中，通過圖案化透光層120的光線將可被這些金屬粒子540反射出蓋體500外。如此，圖案化透光層120所可反射光線的比例將可被提高，圖案化透光層120與遮光層130所可反射光線的反射率差值亦可因此提升，進而增加了蓋體500圖案的明顯度。此外，更詳細而言，在本實施例中，這些金屬粒子540的分布範圍可與圖案化透光層120類似，但本新型創作不以此為限。此領域具通常知識者當可視實際視覺效果的需求來決定金屬粒子540的分布範圍，在此就不予贅述。

圖6是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。本實施例的蓋體600與圖1A至圖1D的實施例的蓋體100類似，而差異如下所述。在本實施例中，蓋體600更包括一折射率匹配層650，其中折射率匹配層650的一部分位於遮光層130與基板110之間。更詳細而言，在本實施例中，可先於基板110上形成圖案化透光層120後，將折射率匹配層650覆蓋於圖案化透光層120上，接著再將遮光層130覆蓋於折射率匹配層650與圖案化透光層120之上。換言之，在本實施例中，折射率匹配層650的一部分位於遮光層130與圖案化透光層120之間。

具體而言，在本實施例中，折射率匹配層650的材質可 為五氧化二鈮(Nb₂ O₅ )、氮化矽(SiNx)或其他可增加圖案化透光層120與遮光層130的反射率的適合材質。一般而言，若將圖案化透光層120所反射光線的反射率定義為R_OG ，遮光層130所反射光線的反射率定義為R_BM ，當R_OG 與R_BM 的反射率差異△R越大時，圖案化透光層120與遮光層130所反射的光線亮度差異亦越大。如此，圖案化透光層120與遮光層130的顏色對比度亦可因而提升。因此R_OG 與R_BM 的反射率差異△R的大小將可表示蓋體600圖案被使用者所觀察到的明顯度。更具體而言，在本實施例中，折射率匹配層650的配置將可提高圖案化透光層120與遮光層130的反射率差異△R，進而可用以提升蓋體600圖案的明顯度。詳細而言，在本實施例中，折射率匹配層650的折射率介於1.8至2.5之間。應注意的是，上述的各參數範圍僅作為例示說明，其並非用以限定本新型創作。

圖7是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。本實施例的蓋體700與圖6的實施例的蓋體600類似，而差異如下所述。在本實施例中，可先於基板110上覆蓋折射率匹配層650後，將圖案化透光層120形成於折射率匹配層650的一部分上，接著再將遮光層130覆蓋於圖案化透光層120與折射率匹配層650之上。換言之，在本實施例中，折射率匹配層650的一部分位於基板110與圖案化透光層120之間。

在本實施例中，亦可藉由折射率匹配層650的設置提高圖案化透光層120與遮光層130的反射率R_OG 與R_BM ，因此亦同 時可提升圖案化透光層120與遮光層130的反射率差異△R，進而可提升蓋體700圖案的明顯度。故，蓋體700亦可達到蓋體600所提及的功效及優點，在此亦不再贅述。

此外，前述實施例的蓋體600、700與圖1A的實施例的蓋體100結構相似，因此，蓋體600、700具有蓋體100所提及的功效及優點，在此亦不再贅述。

圖8A是依照本新型創作的又一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。圖8B是圖8A的一種基板母片的正視示意圖。圖8C是圖8A的觸控元件層的正視示意圖。本實施例的蓋體800與圖1A至圖1D的實施例的蓋體100類似，而差異如下所述。在本實施例中，蓋體800更包括一觸控元件層860。觸控元件層860位於基板110上。

進一步而言，在本實施例中，將可視電子裝置200的實際製程需求將遮光層130與圖案化透光層120的形成步驟整合於不同的觸控元件層860製程步驟中。舉例而言，以單片玻璃觸控結構(One Glass Solution,OGS)為例，如圖8B所示，在單片玻璃觸控結構的大片製程(Sheet Type Process)中，可依序在基板母片GS上形成圖案化透光層120以及圖案化的遮光層130，且圖案化的遮光層130可於基板母片GS上定義出多個可視區域AA。之後，再於基板母片GS上形成觸控元件層860，並依據圖案化的遮光層130所定義出的各可視區域AA將基板母片GS切割成多個小片，而形成多個蓋體800。另一方面，在單片玻璃觸控結構的小片製程(Chip Type Process)中，則可先將基板母片GS切割成小片，以形成圖1A所示的基板110。之後，再依序在基板110外圍形成圖案化透光層120以及遮光層130，並於基板110上形成觸控元件層860，以形成蓋體800。

另一方面，在本實施例中，由於蓋體800具有觸控元件層860的配置，因此蓋體800將可更具有觸控面板的功能。舉例而言，如圖8A及圖8C所示，在本實施例中，觸控元件層860可具有多個觸控電極EP。在本實施例中，這些觸控電極EP分布於基板110的同一側上，且材質例如為氧化銦錫(indium tin oxide)。亦即，本實施例的觸控元件層860例如為單層氧化銦錫(single indium tin oxide,SITO)電極結構。當使用者以觸控物接近或觸碰蓋體800的表面時，這些觸控電極EP的電容值會發生對應的變化，而使蓋體800具有觸控功能。換言之，在本實施例中，蓋體800將可做為電容式觸控面板使用。

如此一來，蓋體800將可直接組裝於電子裝置200的顯示模組上，進而可減少電子裝置200的厚度及製造成本。但值得注意的是，本新型創作不以此為限，此領域具通常知識者當可視實際需求來決定觸控元件層860的種類，在此就不予贅述。

此外，由於本實施例的蓋體800與圖1A至圖1D的實施例的蓋體100結構相似，因此蓋體800具有蓋體100所提及的功效及優點，在此不再贅述。另一方面，亦需要說明的是，本實施例的蓋體800亦可搭配金屬粒子540或折射率匹配層650的配置 而構成類似於圖5、圖6或圖7的蓋體500、600或700的結構，而亦可達到蓋體500、600或700所提及的功效及優點，在此亦不再贅述。

圖9A是依照本新型創作的一實施例的一種蓋體的剖視示意圖。圖9B是圖9A的觸控元件層的正視示意圖。請參照圖9A與圖9B，本實施例的蓋體900與圖8A的蓋體800類似，而差異如下所述。在本實施例中，蓋體900更包括一折射率匹配層650以及一金屬材料層970。在本實施例中，觸控元件層960位於基板110上，用以提供一觸控訊號。金屬材料層970位於遮光層130上，並透過金屬走線(未繪示)與觸控元件層960電性連接，以將觸控訊號傳遞至一驅動元件(未繪示)。

舉例而言，如圖9B所示，在本實施例中，觸控元件層960包括多個第一電極串列SE1以及多個第二電極串列SE2，這些第一電極串列SE1沿一第一方向D1延伸，而這些第二電極串列SE2沿一第二方向D2延伸，並與這些第一電極串列SE1在空間上相互隔開，且第一方向D1交錯於第二方向D2。

更詳細而言，在本實施例中，各第一電極串列SE1包含多個第一觸控電極EP1與多個將這些第一觸控電極EP1電性連接的第一橋接電極BP1，各第二電極串列SE2包含多個第二觸控電極EP2與多個將這些第二觸控電極EP2電性連接的第二橋接電極BP2，各第二橋接電極BP2藉由一絕緣圖案IP與對應的第一橋接電極BP1電性絕緣。以下將搭配圖10A至圖11C，針對觸控元件 層960的製程步驟進行進一步的說明。

圖10A至圖10C是圖9A的觸控元件層的製作流程的剖面示意圖。圖10D至圖10F是圖9A的觸控元件層的製作流程的正視示意圖。請參照圖10A及圖10D，首先，提供一基板110，並於其上形成一層島狀電極，以作為第一橋接電極BP1。在本實施例中，形成第一橋接電極BP1的方式例如為鍍上一層氧化銦錫薄膜。此外，在本實施例中，於基板110上形成第一橋接電極BP1之前，基板上可預先鍍上一層矽氧化物層(SiOx)，以作為折射率匹配層650，或是其他功能，例如可提升第一橋接電極BP1的附著性。

接著，請參照圖10B及圖10E，形成圖案化透光層120與絕緣圖案IP。在本實施例中，圖案化透光層120與絕緣圖案IP的材質相同，且於同一道製程中同時形成於基板110上。換言之，在本實施例中，圖案化透光層120的一部分位於基板110與遮光層130之間，以構成位於基板110的外圍的邊緣區域CA的圖案PN1(如圖1A所繪示)，且圖案化透光層120的另一部分位於觸控元件層960中，以形成絕緣圖案IP，以使各第二橋接電極BP2與對應的第一橋接電極BP1電性絕緣(如圖9B所繪示)。當然，絕緣圖案IP並不一定限制要是島狀，也可以採用全部覆蓋整個第一橋接電極BP1的型態，並且透過於該絕緣圖案上設置貫孔(via)以與後續相關電極導通之方式。

接著，請參照圖10C及圖10F，形成遮光層130之後， 再形成第一觸控電極EP1、第二觸控電極EP2以及第二橋接電極BP2。在本實施例中，由於第一觸控電極EP1與第二觸控電極EP2全部是由同一道製程同時形成，因此本實施例的觸控元件層960為單層氧化銦錫電極結構。之後，再配置一金屬材料層970於基板110的遮光層130上，並使其與觸控元件層960電性連接，即可形成圖9A所示的蓋體900。

另一方面，前述蓋體900的製程步驟中，雖以藉由圖案化透光層120的另一部分來形成絕緣圖案IP為例示，但本新型創作不以此為限。以下將搭配圖11A至圖11C，進行進一步的說明。

圖11A至圖11C是依照本新型創作的另一實施例的的觸控元件層的製作流程的剖面示意圖。本實施例的蓋體1100與圖9A的實施例的蓋體900類似，而差異如下所述。請參照圖11A與圖11C，在本實施例中，可先形成第一橋接電極BP1之後(如圖11A所示)，再於基板110上的區域上選擇性地形成折射率匹配層650(如圖11B所示)。更詳細而言，在本實施例中，折射率匹配層650與絕緣圖案IP的材質相同，且於同一道製程中同時形成於基板110上。換言之，在本實施例中，折射率匹配層650的一部分位於基板110與遮光層130之間，用以提升位於基板110的外圍的邊緣區域CA的圖案PN1(如圖1A所繪示)的明顯度，且折射率匹配層650的另一部分位於觸控元件層960中，並形成於第一橋接電極BP1之上，以形成絕緣圖案IP，以使各第二橋接電極BP2與對應的第一橋接電極BP1電性絕緣(如圖11C所繪示)。同樣的， 絕緣圖案IP並不限定島狀，也可採用全部覆蓋第一橋接電極BP1並挖貫孔(via)以與後續電極導通之結構型態。

接著，請再參照圖11C，依序形成圖案化透光層120、遮光層130、第一觸控電極EP1、第二觸控電極EP2以及第二橋接電極BP2。在本實施例中，形成遮光層130、第一觸控電極EP1、第二觸控電極EP2以及第二橋接電極BP2的方式與圖10C中所述的製程步驟相同，相關說明請參照上述段落，在此不再重述。

換言之，在前述實施例中，此領域具通常知識者可視實際需求選擇性地於圖案化透光層120的形成步驟中或是折射率匹配層650的形成步驟中，同時形成絕緣圖案IP，本新型創作不以此為限。此外，在前述實施例中，由於蓋體900、1100具有觸控元件層960的配置，因此蓋體900亦具有觸控面板的功能。

此外，由於本實施例的蓋體900、1100具有蓋體700的結構，因此蓋體900、1100具有前述蓋體700所提及的功效及優點，在此不再贅述。另一方面，亦需要說明的是，本實施例的蓋體900、1100亦可搭配金屬粒子540的配置或折射率匹配層650位於遮光層與圖案化透光層之間的結構設計而具有類似於圖5或圖6的蓋體500或600的結構，而亦可達到蓋體500或600所提及的功效及優點，在此亦不再贅述。

綜上所述，本新型創作藉由配置與遮光層透光率不同的圖案化透光層，而可使遮光層與圖案化透光層反射外界光線時可分別顯現出不同的顏色。如此，當外界光線被蓋體反射時，使用 者將可觀察到圖案化透光層所構成的圖案，而可增加產品的設計感，以提升產品價值。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧蓋體

110‧‧‧基板

120‧‧‧圖案化透光層

130‧‧‧遮光層

Claims (22)

1. 一種蓋體，其用以組裝於一電子裝置上，包括：一基板；一圖案化透光層，位於該基板上，且該圖案化透光層的一部分構成一圖案；以及一遮光層，位於該基板上並覆蓋該圖案，其中該遮光層與該圖案化透光層的透光率不同。
2. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，更包括一折射率匹配層，其中該折射率匹配層的一部分位於該遮光層與該基板之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述的蓋體，其中該折射率匹配層的折射率介於1.8至2.5之間。
4. 如申請專利範圍第2項所述的蓋體，其中該折射率匹配層的所述部分位於該基板與該圖案化透光層之間。
5. 如申請專利範圍第2項所述的蓋體，其中該折射率匹配層的所述部分位於該遮光層與該圖案化透光層之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，更包括多個金屬粒子，其中該些金屬粒子分布於該遮光層與該圖案化透光層之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該圖案化透光層具有一均勻厚度。
8. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該圖案化透光層的厚度具有變化。
9. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該圖案化透光層 的材質包括光阻材料或油墨。
10. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該圖案化透光層包括彼此分離的多個區塊，該些區塊的面積越大者的厚度越大。
11. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該遮光層位於該基板的外圍。
12. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，更包括一觸控元件層，位於該基板上，用以提供一觸控訊號。
13. 如申請專利範圍第12項所述的蓋體，其中該觸控元件層包括多個第一電極串列以及多個第二電極串列，該些第一電極串列沿一第一方向延伸，而該些第二電極串列沿一第二方向延伸並與該些第一電極串列在空間上相互隔開，且該第一方向交錯於該第二方向。
14. 如申請專利範圍第13項所述的蓋體，其中各該第一電極串列包含多個第一觸控電極與多個將該些第一觸控電極電性連接的第一橋接電極，各該第二電極串列包含多個第二觸控電極與多個將該些第二觸控電極電性連接的第二橋接電極，各該第二橋接電極藉由一絕緣圖案與對應的第一橋接電極電性絕緣。
15. 如申請專利範圍第14項所述的蓋體，其中該絕緣圖案與該圖案化透光層是於同一道製程中形成。
16. 如申請專利範圍第15項所述的蓋體，其中該圖案化透光層的一部分位於該基板與該遮光層之間，以構成該圖案，且該圖案化透光層的另一部分位於該觸控元件層中，以形成該絕緣圖案。
17. 如申請專利範圍第14項所述的蓋體，更包括一折射率匹配層，其中該折射率匹配層的一部分位於該遮光層與該基板之間。
18. 如申請專利範圍第17項所述的蓋體，其中該絕緣圖案與該折射率匹配層是於同一道製程中形成。
19. 如申請專利範圍第18項所述的蓋體，其中該折射率匹配層的一部份位於該遮光層與該基板之間，且該折射率匹配層的另一部分位於該觸控元件層中，以形成該絕緣圖案。
20. 如申請專利範圍第14項所述的蓋體，其中該些第一觸控電極與該些第二觸控電極是由同一道製程所形成。
21. 如申請專利範圍第12項所述的蓋體，更包括一金屬材料層，位於該遮光層上，並與該觸控元件層電性連接，以將該觸控訊號傳遞至一驅動元件。
22. 如申請專利範圍第1項所述的蓋體，其中該圖案化透光層的光學密度小於該遮光層的光學密度。