TWM446413U - 沉積隔離盤 - Google Patents

Description

沉積隔離盤

本創作關於一種沉積隔離盤，特別是指一種用於化學氣相沉積系統內之沉積隔離盤。

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一種能夠產生高純度固態材料的技術，廣泛運用在半導體產業之中。一般的CVD製程係將基底放置在混合氣體環境中，並以中高溫加熱，使基底表面發生化學反應而產生欲沉積之薄膜。

為防止沉積物進入機台內部而損壞零件，CVD反應器多設置有隔離元件，以區隔機台零件與基材反應區。然而，現行之隔離元件相當脆弱，沉積一定量的沉積物後容易發生暗裂或破裂，甚至在清洗時就有可能破裂，徒然增加成本。

本創作提出一種沉積隔離盤，能提昇強度同時延長其生命週期。

根據本創作之一實施例，提供一種設於化學氣相沉積系統內之沉積隔離盤，此沉積隔離盤包括阻隔盤及張力盤。阻隔盤具有複數個圓弧狀外緣、內壁及相對之阻隔表面與阻隔底面。張力盤具有張力表面及外壁。張力盤之外壁更具有組合結構，使得張力盤之外壁支撐阻隔盤之內 壁。

為了對本創作之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

請參照第1圖，其繪示依據本創作一實施例之沉積隔離盤的立體分解圖。沉積隔離盤100為包括阻隔盤110及張力盤120的兩件式結構。阻隔盤110上形成有組合結構121。張力盤120藉由組合結構121與阻隔盤110結合成沉積隔離盤100。

如第1圖所示，阻隔盤110為一均勻的環形結構，具有外緣110a、內壁110b及相對之阻隔表面110a與阻隔底面110b(第2圖)。

外緣110a呈圓弧狀，每個圓弧可密接一待沉積之晶圓(未繪示)。本實施例中外緣110a係由11個圓弧所組成，然數量並非限制於此。此外，其它實施例中，可依機台設計或製程需要調整阻隔盤外緣110a之形狀。

內壁110b為環形，其圍繞出空間111，以容納張力盤120。

請參照第2圖，其繪示阻隔盤110與張力盤120分離狀態的剖面圖。阻隔盤110自內壁110b到外緣110a的厚度相同，較佳但非限定地約為3.8毫米(mm)，此均勻厚度提供阻隔盤110足夠強度，避免暗裂與破裂的發生，然此數值並非用以限定此實施例。

張力盤120具有外壁120a及相對之張力表面120c與 張力底面120d。

張力盤120之厚度大於阻隔盤110之厚度，較佳但非限定地約為17毫米，然此數值並非用以限定此實施例。張力盤120的厚度提供張力盤120足夠強度，其上之沉積物即使堆疊也較難造成暗裂或破裂。

上述張力盤120與阻隔盤110可選用相同或不同之材質製成，其材質係選自不會與化學氣相沉積系統之反應物反應的材料，例如是石英。

此外，張力盤120之外壁120a上形成有組合結構121。張力盤120之外壁120a可藉由組合結構121支撐阻隔盤110之內壁110b，進而結合成沉積隔離盤100。

組合結構121為環狀內凹部122。環狀內凹部122自張力盤120之外壁120a向張力盤120之內側凹入，而形成內側壁122b及內側平面122c，其中內側壁122b與內側平面122c構成一相似於L型的結構，使張力表面120c之面積小於張力底面120d之面積。

請參照第3圖，其繪示阻隔盤110與張力盤120組合狀態的剖面圖。當阻隔盤110與張力盤120組合時，張力盤120置入阻隔盤110內部之空間111，且部份之阻隔盤110卡合於張力盤120之環狀內凹部122中，使得內側平面122c支撐阻隔盤110之部份阻隔底面110d。

阻隔盤110之厚度可與張力盤120之環狀內凹部的高度相等，以使阻隔盤110之阻隔表面110c與張力盤120之張力表面120c對齊。

張力盤120之尺寸可以略小於阻隔盤110內部之空間 111，使得組合完畢之阻隔盤與張力盤之間產生間隙I，減少熱脹冷縮產生的應力。張力盤120之尺寸亦可與阻隔盤110內部之空間111相等，使阻隔盤110之內壁110b能夠緊貼環狀內凹部122之內側壁122b。

本例中之組合結構121係以第2圖之環狀內凹部122為例，然其非用以限定組合結構之形狀。本創作之組合結構121只要能以張力盤120支撐阻隔盤110即可。

藉由組合結構121的設計，本創作之沉積隔離盤能分為兩件式，提高張力盤之厚度並以張力盤架起阻隔盤。不但便於清潔，更大大提昇了組件強度。

綜上所述，雖然本創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作。本創作所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧沉積隔離盤

110‧‧‧阻隔盤

110a‧‧‧外緣

110b‧‧‧內壁

110c‧‧‧阻隔表面

110d‧‧‧阻隔底面

111‧‧‧空間

120‧‧‧張力盤

120a‧‧‧外壁

120c‧‧‧張力表面

120d‧‧‧張力底面

121‧‧‧組合結構

122‧‧‧環狀內凹部

122b‧‧‧內側壁

122c‧‧‧內側平面

I‧‧‧間隙

第1圖繪示依據本創作一實施例之沉積隔離盤的立體分解圖。

第2圖繪示阻隔盤與張力盤分離狀態的剖面圖。

第3圖繪示阻隔盤與張力盤組合狀態的剖面圖。

100‧‧‧沉積隔離盤

110‧‧‧阻隔盤

110a‧‧‧外緣

110b‧‧‧內壁

110c‧‧‧阻隔表面

111‧‧‧空間

120‧‧‧張力盤

120c‧‧‧張力表面

121‧‧‧組合結構

Claims (8)

1. 一種沉積隔離盤，設於一化學氣相沉積系統之內，該沉積隔離盤包括：一阻隔盤，具有複數個圓弧狀外緣、一內壁、一阻隔表面及一阻隔底面；以及一張力盤，具有一張力表面及一外壁，其中該張力盤之該外壁具有一組合結構，使得該張力盤之該外壁支撐該阻隔盤之該內壁。
2. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該組合結構係為一環狀內凹部，該環狀內凹部具有一內側壁，部份之該阻隔盤卡合於該環狀內凹部中，使得該阻隔盤之該內壁緊貼該環狀內凹部之該內側壁。
3. 如申請專利範圍第2項所述之沉積隔離盤，其中該環狀內凹部更具有一內側平面，使得該內側平面支撐該阻隔盤之部份該阻隔底面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該阻隔盤從該內壁至該外緣的厚度相同。
5. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該張力盤具有相對於該張力表面之一張力底面，該張力表面的面積小於該張力底面的面積。
6. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該張力盤的厚度大於該阻隔盤的厚度。
7. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該阻隔盤的厚度至少3.8毫米。
8. 如申請專利範圍第1項所述之沉積隔離盤，其中該張 力盤的平均厚度至少17毫米。