TWM309757U - Side view LED package structure - Google Patents

Description

M309757 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本新型是有關於-種發光二極體封裳結構，且特別是 有關於-種適用於侧光式發光二極體，具有良好散熱功能 之封裝結構。 【先前技術】 近年來，因為發光二極體（light emi麻g diode; led) _ 冑造技術的快速進步’使得發光二極體的發光效率增加。 因此，發光二極體開始在照明領域上應用，❹以發光二 極體製造的手電筒或發光二極體的汽車頭燈。 在目前的發光二極體製造技術中，依基板上led晶片 之出光方向的不同，區分有頂射式(鄉與側光式（以和 view)之設計，而不同類型產品各有其應需求。 然而’當側光式LED發光元件往越高的功率規格發展 時，發光元#的高熱能問題也隨之產±。因為發光二極體 • 的發光亮度與流經的電流為正向關係，而電流越高，電子 元件產生的熱就會越多。 因此，有必要針對高功率側光式發光二極體之潛在散 熱問題提出一解決方法。 【新型内容】 因此本新型的目的就是在提供一種側光式二極體封裝 結構，用以提升高功率側光式led發光元件之散熱效能。 本新型的另一目的是在提供一種側光式二極體封裝結 M309757 構’使LED發光元件之壽命得以延長。 根據本新型之上述目的，提出一種側光式二極體封裝 結構。側光式發光二極體封裝結構包括—封裝座體、一側 光式LED晶片以及一導熱塊。封裝座體具有一出光開口盥 -散熱開口’側光式LED晶片位於封裝座體内部，其中晶 片之-出光方向與一基板之厚度方向約呈垂直，且日曰 光開口。 導熱塊位於封裝座體内部並與側光式LED晶片連接， 其中導熱塊-部份自散熱開口曝露出，以傳導並散去 之熱能。 日日 依照本新型一較佳實施例，側光式led封裝結 括一組電極引腳’分別電性連接於側光式刷晶片之正負 極，提供外部電能輸人LED晶片之—途徑，利用打線製程 將-導線兩端分別連接於LED晶片與—電極引腳達成電性 連接。 側光式LED晶片會持續傳至與晶片相接之導熱體，不 僅部份熱能直接由導熱體本身散逸至外部環境， 能則經導熱體傳邋5 ^ m μ … ㈣。^至基板上，因此提供LED晶片雙重散熱 w =上述可知，應用本新型之封裝結構，側光式LED將 下正常地運作，減少因溫度過高使晶片損壞的 清形，棱尚元件的使用壽命。 實施方式】 之 本創作揭露—種適用於高功率側光式LED發光元件 6 M309757 封裝結構’藉由一導熱塊辅助散熱，且導熱塊更同時將熱 傳至基板，因此LED晶片在以高功率發光的條件下，避免 了因散熱不及導致it件損壞之情形。為了使本創作之欽述 更加詳盡與完備，可參照下列描述並配合圖示之說明。 #參第1A與1B圖，其分別繪示依照本新型之側光 式發光二極體封裝結構—較佳實施例的前視圖及底視圖。 本創作之側光式發光二極體封裝結構主要包括—封裝座體 i〇4、一側光式LED晶片1〇2以及一導熱塊1〇6。 侧光式LED晶片放置於封裝座體1〇4内部，即由封裝 座體104所包覆保護，且封裝座體i 〇4在led晶片工⑽之 出光方向134上有一出光開口 112，以供LED晶片1〇2之 光線直接射出。由於此LED晶片1〇2係為一側光型式，其 出光方向134會約略垂直於二極體結構最後所要貼附的基 板120的厚度方向132。 導熱塊106與LED晶片1〇2相連接，一同與LED晶片 102被封裝座體1 〇4包覆於内，且導熱塊丨〇6 一部份自封裝 座體104之一散熱開口 114露出，以連接於基板12〇，或先 與一額外之散熱片（未繪示於圖中）連接，額外散熱片再 連接於基板120。LED晶片1 〇2上的熱能傳導至此導熱塊 後，導熱塊106本身不僅可提供一散熱途徑，其亦發揮 將部份熱能傳導至基板丨2〇之功效。 於一較佳實施例中，側光式LED封裝結構包括側光式 LED晶片102、連接於LED晶片1〇2之導熱塊106、一組 電極引腳108，分別與LED晶片1〇2之正負極電性相接， 作為外部電能輸入LED晶片1〇2之一途徑，例如在製造過 7 M309757 程中，利用一打線製程將導線110兩端分別連接於㈣曰 片收與電極引腳108達成電性連接、以及_ : 刚’將LED晶片102與導熱塊1〇6包覆住，除脖伴護 功能外更具有將LED晶片102發出之光反 進發光效率。 域射之功能’以增 導熱塊H)6 -部份自封裝座體1〇4之一散熱開口 114 裸路出1本實施例中係將散㈣σ 114開設於與出光開 口 112所在之第一表面购相互垂直之第二表面祕上。 :避免散熱開σ 114造成一光源消耗途徑，導熱塊⑽裸 路。卩伤較佳為佔滿整個散熱開口 1 1 4。 上述之封裝座體可利用如射出成形方式形成包覆LED 晶片之結構’其㈣可選用增進光反射效率之材料，可為 金屬'非金屬或高分子之混合物等。導線可選用如金、銀、 鈒之純金屬材料或合金材料。電極引腳之材料可為銀、銅、 銅合金、銅銀合金U合金或具有金或銀鑛層的 材料。 藉此種侧光4 LED封裝結構，t LED晶片1〇2在發光 過程中產生大量熱能時，熱能會持續傳至與咖晶片⑽ 相接之導熱體1G6 ±，此時導熱體1()6不僅將部份熱能直 接由本身散逸至外部環境，尚有部份熱能會經導熱體1〇6 傳導至基板120上，因此提供LED晶片1〇2雙重散熱途徑， 使LED晶片102以高功率運作時不易產生因過熱而損壞各 部元件如LED晶片之情形。 參考第2圖，其繪示依照本新型之側光式發光二極體 封裝結構另一較佳實施例之結構剖面圖。導熱塊外形係與 M309757 產品規格需求相關。如圖所示，較佳為導熱塊施為一 L 形之良好導熱材料，或者導熱塊扇與—散熱片（未繪示於 圖）共同構成-L形側剖面，而L形結構之底部與基板22〇 相連接。此乃考慮到封裝座體204内部包括與側光式LED 晶片202相關的空間配置’而利用L形的外形輪廓將取得 較佳的結構配合。而其材料選用—導熱係數卿/mK以上 之材料將有較佳效果。 較佳地，導熱塊206更披覆有高尽射性鍍層2〇8如金 或銀，在整個封裝座體2〇4内部提供更完善的反射途徑， 增進光的反射效率，此為LED發光元件之應用上一相當重 要的考量。 由上述本新型較佳實施例可知，應用本新型之侧光式 led封裝結構使側光式LED在高功率之發光條件下避免了 因鬲溫導致的元件損壞，進而增加發光元件壽命，同時也 有助於光反射效率之提升。 雖然本新型已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 、限疋本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精 神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保 4範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本新型之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1A圖係繪示依照本新型之側光式發光二極體封裝 M309757 結構一較佳實施例的前視圖。 第1 b圖係繪示依照本新型之側光式發光二極體封攀 結構一較佳實施例的底視圖。 第2圖係繪示依照本新型之側光式發光二極體封裝結 構另一較佳實施例之結構剖面圖。 【主要元件符號說明】 102 :側光式led晶片 104 ： 封裝座體 104a:第一表面 104b :第二表面 106 :導熱塊 108 ： 電極引腳 110 :導線 112 ： 出光開口 114 :散熱開口 120 ： 基板 132 :厚度方向 134 ： 出光方向 202 : LED 晶片 204 ： 封裝座體 206 :導熱塊 208 ： 高反射性鐘層 220 :基板

Claims (1)

1. M309757 九、申請專利範圍： 1.-種側光式LED料結構，至少包人. 一封裝座體，具有-出光開口與-散：開口· 一側光式LED晶片，位 =， 光式LED日日日片之-出光方以封裝座體内部，其中該側 直，且朝向該*光開基板之-厚度方向約呈垂 μ、查I導熱Ί於該料座體内部並㈣側光式led晶 熱能 導並气去：中該導熱塊—部份自該散熱開口曝露出，以; V並政去該側光式led晶片之一 、 2 ·如申請專利範圍第】 ^ 固乐1項所述之側光式LED封梦妹 構，其中該導熱塊為L形。 ^、、° 3·如申明專利|巳圍第i項所述之側光式led封士 構，其中该導熱塊為一金屬材料。 4·如申凊專利範圍第丨項所述之側光式LED封裝結 構，其中該導熱塊佔滿該散熱開口。 5·如申請專利範圍第1項所述之側光式led封裝結 構，其中該導熱塊披覆有一高反射性鍍層。 6·如申請專利範圍第5項所述之側光式LED封裝結 構，其中該高反射性鍍層為金或銀。 11 M309757 7·如申請專利範圍第1項所述之側光式LED封裝結 構，其中該封裝座體為一高反射性材料。 8 ·種側光式LED封裝結構，至少包含： 一封裝座體，具有一出光開口與一散熱開口； 側光式發光晶片，位於該封裝座體内部，其中該晶 片之一出光方向與一基板之厚度方向約呈垂直； 二電極引腳，分別電性連接於該晶片之一正極與一負 極，用以將一外部電流導入該晶片，其中該封裝座體與該 些引腳一部份連接而固定；以及 一導熱塊，位於該封裝座體内部並與該晶片連接，其 中忒導熱塊一部份自該散熱開口曝露出，以傳導並散去該 晶片之一熱能。 9·如申請專利範圍第8項所述之側光式LED封裝結 構，其中該些引腳係各自透過一導線與該晶片電性連接。 1〇·如申请專利範圍第8項所述之側光式led封裝結 構’其中該導熱塊為L形。 11·如申請專利範圍第8項所述之側光式LED封裝結 構，其中該導熱塊為一金屬材料。 12.如申請專利範圍第8項所述之側光式LED封裝結 12 M309757 構，其中該導熱塊佔滿該散熱開口。 13·如申請專利範圍第8項所述之側光式LED封裝結 構，其中該導熱塊披覆有一高反射性鍍層。 14·如申請專利範圍第丨3項所述之側光式LED封裝 結構，其中該高反射性鍍層為金或銀。 > 15·如申請專利範圍第8項所述之側光式lEd封裝結 構’其中該封裝座體為一高反射性材料。 13