TWI870610B - 晶圓之加工方法、保護薄片、以及保護薄片敷設方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種可將晶圓確實地保持於卡盤台並加工晶圓的晶圓之加工方法、保護薄片、以及將保護薄片敷設於晶圓之保護薄片敷設方法。[解決手段]一種晶圓之加工方法，其包含：保護薄片準備步驟，其準備保護薄片，所述保護薄片包含：第一薄片，其藉由加熱而熱壓接於晶圓的面；第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由加熱而具有流動性；以及第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由加熱也維持平坦性；保護薄片敷設步驟，其使第一薄片側面對晶圓的正面，並加熱進行熱壓接，而在晶圓的正面敷設保護薄片；以及研削步驟，其使卡盤台的保持面保持保護薄片側，並研削晶圓的背面。

Description

晶圓之加工方法、保護薄片、以及保護薄片敷設方法

本發明係關於一種晶圓之加工方法、敷設於晶圓的正面之保護薄片、以及將保護薄片敷設於晶圓之保護薄片敷設方法。

於正面形成有由交叉的多條分割預定線所劃分的IC、LSI等多個元件之晶圓，係在藉由研削裝置研削背面而形成預定的厚度後，藉由切割裝置而被分割成一個個元件晶片，經分割的元件晶片被利用於行動電話、個人電腦等電子設備。

研削裝置係至少由以下構件所構成，並可將晶圓加工成所期望的厚度：卡盤台，其具有保持晶圓的保持面；研削單元，其能旋轉地具備研削輪，所述研削輪研削保持於該卡盤台之晶圓的上表面；以及進給機構，其將研削磨石進行研削進給（例如，參照專利文獻1）。

在研削裝置研削晶圓的背面時，為了不因卡盤台的保持面與晶圓的正面之接觸而傷及形成於晶圓的正面之多個元件，會在晶圓的正面黏貼具有由糊劑而成的黏著層之保護薄片。

尤其，若被稱為凸塊（bump）之多個突起狀的電極形成於元件的正面，且晶圓的正面具有凹凸，則即使在晶圓的正面黏貼有保護薄片，在研削晶圓的背面時，與各個凸塊對應之背面的研削量也會受到該凸塊的影響而變得比其他區域更多，而在晶圓的背面會與凸塊對應地產生凹陷（dimple）。於是，考慮藉由敷設於晶圓的正面之保護薄片來吸收凹凸，以抑制凸塊的影響。然而，在已黏貼具有黏著層的保護薄片之情形，在研削結束後，從晶圓的正面剝離該保護薄片時，該黏著層的糊劑的一部分會殘留於晶圓的正面，而產生使元件的品質降低的問題。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-246491號公報

[發明所欲解決的課題] 對於上述的問題，本申請人發現了將不具有藉由膠劑等所形成之黏著層的聚烯烴薄片等熱壓接薄片敷設於晶圓的正面，即使在對晶圓的背面施行研削加工後剝離該熱壓接薄片，膠劑也不會殘留於晶圓的正面之事實，並苦心研究採用該熱壓接薄片作為保護薄片。然而，發現了下述問題：藉由熱壓接而將該熱壓接薄片敷設於晶圓，藉此可某種程度地吸收起因於凸塊等之凹凸，但若將該熱壓接薄片加熱至會發揮黏著力的溫度，則會有在該熱壓接薄片產生皺紋，變得難以將晶圓確實地保持於研削裝置的卡盤台，且起因於熱壓接薄片的皺紋而在晶圓產生變形，無法將晶圓研削成均勻的厚度之情形。

因此，本發明之目的在於提供可將晶圓確實地保持於卡盤台，且藉由應用於被削磨裝置研削之晶圓而可將晶圓研削成均勻的厚度之保護薄片、以及將該保護薄片敷設於晶圓之保護薄片敷設方法。

[解決課題的技術手段] 根據本發明的一個態樣，係提供一種晶圓之加工方法，其具備：保護薄片準備步驟，其準備保護薄片，該保護薄片包含：第一薄片，其藉由加熱而熱壓接於該晶圓的面；第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由該加熱而具有流動性；以及第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由該加熱也維持平坦性；保護薄片敷設步驟，其使該第一薄片側面對該晶圓的正面，並加熱進行熱壓接，而在該晶圓的正面敷設該保護薄片；以及研削步驟，其使卡盤台的保持面保持該保護薄片側，並研削該晶圓的背面。

根據本發明的另一態樣，係提供一種保護薄片，其敷設於晶圓的面，且具備：第一薄片，其藉由加熱而被熱壓接於該晶圓的面；第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由該加熱而具有流動性；以及第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由該加熱也能維持平坦性。

較佳為，該第一薄片及該第二薄片係由聚烯烴系的樹脂所構成，該第三薄片係由聚酯系的樹脂所構成。或者，該第一薄片係由聚丙烯所構成，該第二薄片係由聚乙烯所構成，該第三薄片係由聚對苯二甲酸乙二酯所構成。

根據本發明又另一態樣，係提供一種保護薄片敷設方法，其藉由熱壓接而將該保護薄片敷設於晶圓，且具備：保護薄片載置步驟，其將該保護薄片載置於該晶圓的上表面；及熱壓接步驟，其推壓載置於該晶圓的上表面之該保護薄片，且將該保護薄片加熱並進行熱壓接，並且，在該熱壓接步驟中將該保護薄片進行熱壓接時的加熱溫度，係第一薄片發揮黏著力、第二薄片具有流動性、第三薄片維持平坦性的溫度。

[發明功效] 根據本發明的晶圓之加工方法，即使在晶圓的正面有由凸塊等所造成的凹凸，藉由敷設保護薄片時的熱壓接而轉印到第一薄片的凹凸也會藉由第二薄片而被吸收，且藉由第三薄片而維持平坦性，而變得容易保持於研削裝置的卡盤台，且可將晶圓研削成均勻的厚度。

根據本發明的保護薄片，即使在晶圓的正面有由凸塊等所造成的凹凸，藉由敷設保護薄片時的熱壓接而轉印到第一薄片的凹凸也會藉由第二薄片而被吸收，且藉由第三薄片而維持平坦性，而變得容易保持於研削裝置的卡盤台，且可將晶圓研削成均勻的厚度。

根據本發明的保護薄片之敷設方法，即使藉由在將保護薄片敷設於晶圓的正面時的熱壓接而在第一薄片產生凹凸，也可藉由第二薄片而吸收凹凸，且藉由第三薄片而維持平坦性，而變得容易保持於研削裝置的卡盤台，且可將晶圓研削成均勻的厚度。

以下，一邊參照隨附圖式，一邊詳細地說明本發明實施方式的晶圓之加工方法、保護薄片、以及將該保護薄片敷設於晶圓之保護薄片敷設方法。

在圖1（a）中，顯示適合保護薄片準備步驟的保護薄片製造機20的概念圖，所述保護薄片準備步驟係準備在實施本實施方式的晶圓之加工方法時敷設於晶圓的面（正面）上之保護薄片100。保護薄片製造機20具備：第一薄片卷22，其供給第一薄片22A；第二薄片卷23，其供給第二薄片23A；第三薄片卷24，其供給第三薄片24A；第一導輥25a，其調整由第一薄片卷22所供給之第一薄片22A的張力並進行進給；第二導輥25b，其調整由第三薄片卷24所供給之第三薄片24A的張力並進行進給；壓接輥26a、26b，其等加熱通過第一導輥25a與第二導輥25b之間的第一薄片22A、第二薄片23A及第三薄片24A，且從上下方向附加壓力而將該三片薄片進行熱壓接；以及保護薄片卷28，其捲取藉由通過壓接輥26a、26b而被熱壓接且成為一體之保護薄片100。在壓接輥26a、26b的兩者或者任一者中，內置有省略圖示之能調節溫度的加熱器，在壓接輥26a、26b的表面塗布有防止各薄片附著用的氟樹脂。並且，在保護薄片卷28可配設省略圖示的驅動馬達，使保護薄片卷28在以箭頭R1所示的方向旋轉。

第一薄片22A係選擇會因被加熱而發揮黏著力且適於後述被熱壓接於晶圓之樹脂的薄片，例如，較佳為採用自聚烯烴系的樹脂的薄片、聚酯系的樹脂的薄片之任一者。並且，第二薄片23A也選自會因被加熱而具有流動性且發揮黏著力之樹脂製的薄片，例如，較佳為採用自聚烯烴系的樹脂的薄片、聚酯系的樹脂的薄片之任一者。再者，第三薄片24A也採用樹脂製的薄片，例如較佳為採用自聚烯烴系的樹脂的薄片、聚酯系的樹脂的薄片之任一者。關於各薄片，在採用自聚烯烴系的樹脂之情形，例如，從聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）中進行選擇。並且，在採用自聚酯系的樹脂之情形，例如，從聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）中進行選擇。

關於本實施方式中的第一薄片22A、第二薄片23A及第三薄片24A，在將該第一薄片22A的熔融溫度設為T1、將該第二薄片23A的熔融溫度設為T2、將該第三薄片24A的熔融溫度設為T3之情形，較佳為滿足以下條件： T1、T2＜T3      …（1） 再者，更佳為選擇滿足以下條件的薄片： T2＜T1＜T3      …（2） 在本實施方式中，作為選擇滿足上述條件式（2）的條件之第一薄片22A、第二薄片23A、第三薄片24A者，針對藉由圖1所示的製造方法所製造之保護薄片100進行說明。

作為圖1（a）所示的第一薄片22A，例如選擇為聚烯烴系的樹脂之聚丙烯（PP）薄片，作為第二薄片23A，例如選擇為聚烯烴系的樹脂之聚乙烯（PE）薄片，作為第三薄片24A，例如選擇為聚酯系的樹脂之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）薄片。第一薄片22A為聚丙烯薄片之情形，熔融溫度T1為160°C～180°C，第二薄片23A為聚乙烯薄片之情形，熔融溫度T2為120°C～140°C，第三薄片24A為聚對苯二甲酸乙二酯之情形，熔融溫度T3為250°C～270°C。

使用圖1（a）所示的保護薄片製造機20製造保護薄片100之情形，使內置於壓接輥26a、26b之加熱器運作，且使保護薄片卷28的該驅動馬達運作，而使保護薄片卷28在以箭頭R1所示的方向旋轉。於此，由該加熱器所導致之加熱溫度至少是第二薄片23A會發揮黏著力的溫度，且被設定成第二薄片23A到達熔融溫度T2的附近（例如120°C）。如圖示，藉由使保護薄片卷28旋轉，而第一薄片卷22、第二薄片卷23、第三薄片卷24會從動而旋轉，拉出第一薄片22A、第二薄片23A及第三薄片24A，且該三個薄片被壓接輥26a、26b所夾住，並被加熱至第二薄片23A的熔融溫度T2附近的溫度。藉此，第二薄片23A成為發揮黏著力的狀態，第二薄片23A被敷設在第一薄片22A上，同時第三薄片24A被敷設在第二薄片23A上並被熱壓接，而成為三層的保護薄片100，且被捲取成保護薄片卷28而完成。藉由以上方式，結束本實施方式的晶圓之加工方法的保護薄片準備步驟。

在本實施方式的保護薄片製造機20中，保護薄片100在熱壓接時被加熱之際的溫度被設定成第二薄片23A的熔融溫度T2（120°C）附近，但本發明並不受限於此，也可為到達第一薄片22A的熔融溫度T1（160°C～180°C）的溫度。但是，若加熱至到達第三薄片24A的熔融溫度T3之溫度，則會導致保護薄片100整體延展，因此，製造保護薄片100時由壓接輥26a、26b所導致之加熱溫度較佳為低於第三薄片24A的熔融溫度T3。

在圖1（b）中，顯示將藉由上述保護薄片準備步驟所準備之保護薄片100捲取而成的保護薄片卷28，利用適當的切割裝置（圖示省略），從已由保護薄片卷28拉出之保護薄片100切出圓形的保護薄片100A。圓形的保護薄片100A形成三層結構：上表面易藉由上述的第三薄片24A所構成，下表面係藉由上述的第一薄片22A所構成，且在第一薄片22A與第三薄片24A之間配設有第二薄片23A。以下針對根據保護薄片敷設方法所執行之保護薄片敷設步驟進行說明，所述保護薄片敷設方法係藉由熱壓接而將上述的保護薄片100A敷設於晶圓。

在圖2（a）中，顯示本實施方式的被加工物亦即晶圓10。晶圓10例如係由矽基板所構成，在晶圓10的正面10a形成有藉由分割預定線14所劃分的多個元件12。若已準備好上述晶圓10，則將其搬送至圖2（a）所示的熱壓接裝置30（僅顯示一部分）的卡盤台31。卡盤台31具備：吸附卡盤31a，其係藉由具有通氣性的多孔所形成；以及框體31b，其圍繞吸附卡盤31a。吸附卡盤31a係透過框體31b而連接於省略圖示的吸引手段，且將吸引負壓供給至吸附卡盤31a的上表面。

已搬送至熱壓接裝置30之晶圓10被載置於吸附卡盤31a的中央。如由圖2（b）可理解，吸附卡盤31a被形成為大於晶圓10的尺寸，吸附卡盤31a環狀地露出於晶圓10的外側。接著，使在保護薄片準備步驟中所準備之保護薄片100A的第一薄片22A側面對晶圓10的上表面（正面10a側）而載置（保護薄片載置步驟）。

本實施方式中的保護薄片100A係以大於已載置晶圓10之吸附卡盤31a的尺寸而形成，且可與晶圓10一起覆蓋整個吸附卡盤31a。此時，保護薄片100A的尺寸較佳為被設定成大於吸附卡盤31a且稍小於框體31b的尺寸（也參照圖3（a））。此外，在本實施方式中，雖從已由保護薄片卷28拉出之保護薄片100切出上述的圓形的保護薄片100A，但本發明未必被限定於切出成圓形，也可切出成矩形狀。

接著，使與吸附卡盤31a連接之未圖示的吸引手段運作，如圖3（a）所示，生成吸引負壓Vm並供給至吸附卡盤31a，吸引保護薄片100A、晶圓10及吸附卡盤31a之間的空氣而成為真空狀態，並將熱壓接輥33定位在晶圓10上。在熱壓接輥33的表面33a塗布氟樹脂，且在其內部具備加熱手段（圖示省略），而可將表面33a加熱至所期望的溫度。

若已將熱壓接輥33定位在晶圓10的上方，則使熱壓接輥33的該加熱手段運作，從保護薄片100A側往晶圓10推壓。再者，使省略圖示的旋轉驅動手段運作，而使熱壓接輥33在以箭頭R2所示的方向旋轉，且使其在以箭頭R3所示的方向移動（熱壓接步驟）。藉由該加熱手段進行加熱時的加熱溫度T0，例如被設定成第一薄片22A會發揮黏著力的溫度、第一薄片22A（聚丙烯（PP））的熔融溫度T1（160°C～180°C）。如圖3（b）所示，藉由此熱壓接時的加熱，第一薄片22A會發揮黏著力而被熱壓接於晶圓10的正面10a，且在第一薄片22A的正面，亦即敷設有第二薄片23A之側，會形成包含受到該凸塊10c的影響的凸部22B之凹凸。

如上述，在第一薄片22A的上表面敷設有第二薄片23A（聚乙烯（PE）），藉由熱壓接時的加熱溫度T0高於第二薄片23A的熔融溫度T2，而第二薄片23A成為比第一薄片22A更加熔融且具有流動性的狀態，而吸收形成於第一薄片22A的正面之凹凸。另一方面，敷設於第二薄片23A的上表面且構成保護薄片100A的上表面之第三薄片24A的熔融溫度T3高於第一薄片22A的熔融溫度T1、第二薄片23A的熔融溫度T2，並且高於藉由熱壓接輥33進行加熱時的加熱溫度T0，因此不會因熱壓接時的加熱溫度T0而熔融，在第二薄片23A上維持平坦性。此外，藉由熱壓接時的加熱而具有流動性且吸收第一薄片22A的凹凸之第二薄片23A被第一薄片22A與維持平坦性之第三薄片24A所夾住，因此即使熱壓接步驟結束而使保護薄片100A的溫度降低，在保護薄片100A的上表面也不會形成皺紋。

若已根據上述的保護薄片敷設方法藉由保護薄片敷設步驟而將保護薄片100A敷設於晶圓10的上表面，則將圖4所示的切割器34定位在卡盤台31上。切割器34係在旋轉軸34b的前端配設有刀片34a，藉由省略圖示的驅動馬達，可使刀片34a在以箭頭R4所示的方向旋轉。將切割器34定位在卡盤台31上，一邊使刀片34a在以箭頭R4所示的方向旋轉，一邊使其從保護薄片100A的上方下降至晶圓10的外周緣而進行切入進給，並使卡盤台31在箭頭R5的方向旋轉。藉此，如圖所示，保護薄片100A在已被敷設於晶圓10的正面10a之狀態下，被切割成沿著晶圓10的外周緣10d的形狀。

若已沿著晶圓10切割保護薄片100A，則應實施研削晶圓10的背面10b之研削步驟，而將晶圓10搬送至圖5所示的研削裝置40（僅顯示一部分），實施以下所說明的研削步驟。

研削裝置40具備圖5（a）所示的卡盤台41與圖5（b）所示的研削單元43。卡盤台41具備：吸附卡盤41a，其係由吸引晶圓10之多孔所形成且具有通氣性；以及框體41b，其圍繞吸附卡盤41a。吸附卡盤41a係連接於省略圖示的吸引源，藉由該吸引源的作用，而供給吸引負壓至吸附卡盤41a的保持面。卡盤台41具備省略圖示的旋轉手段及移動手段，並被構成為能藉由該旋轉手段的作用而旋轉，且藉由該移動手段的作用而使其在搬入搬出區域與研削加工區域移動，所述搬入搬出區域係在卡盤台41上將晶圓10進行搬入搬出的區域，所述研削加工區域係被研削單元43研削加工的區域。圖5（b）所示的研削單元43具備：旋轉主軸44，其藉由未圖示的電動馬達而旋轉；輪安裝件45，其配設於旋轉主軸44的下端；研削輪46，其裝設於輪安裝件45的下表面；以及多個研削磨石47，其等環狀地配設於研削輪46的下表面。

如圖5（a）所示，搬送至研削裝置40之晶圓10係使背面10b側朝向上方，使保護薄片100A側朝向下方，且載置於定位在該搬入搬出區域之卡盤台41的吸附卡盤41a上，並藉由該吸引源的作用而被吸引保持。接著，卡盤台41藉由該移動手段而移動至圖5（b）所示的研削單元43的正下方，亦即移動至研削加工區域，從上方觀看，吸引保持於卡盤台41之晶圓10的中心被定位於環狀地配設之研削磨石47會通過的位置。

若已將晶圓10定位於該研削加工區域，則使卡盤台41在圖5（b）中以箭頭R6所示的方向例如以300rpm進行旋轉，與此同時，使研削單元43的旋轉主軸44在圖5（b）中以箭頭R7所示的方向例如以6000rpm進行旋轉。然後，使未圖示的研削進給機構運作，使研削單元43在以箭頭R8所示的方向下降，使其接近卡盤台41，並使其從上方接觸晶圓10的背面10b，例如以1.0μm／秒的研削進給速度進行研削進給。此時，一邊藉由未圖示的測量量規而測量晶圓10的厚度，一邊進行研削，並將背面10b研削至成為所期望的厚度而結束研削步驟。

根據上述的實施方式，在藉由熱壓接而將保護薄片100A敷設於晶圓10之際，即使在第一薄片22A產生起因於凸塊等的凹凸，也可藉由第二薄片23A而吸收該凹凸，再者，可藉由敷設於第二薄片23A上之第三薄片24A而維持保護薄片100A的正面的平坦性，並可藉由研削裝置40的卡盤台41而容易且確實地吸引保持敷設有保護薄片100A的晶圓10，因此，在上述的研削步驟中，可將晶圓10的背面10b研削成均勻的厚度。

若已結束上述的研削步驟，則在因應需要的時機，如圖6所示，從晶圓10的正面10a剝離保護薄片100A。在剝離保護薄片100A之際，較佳為將保護薄片100A加熱至預定的溫度，或者藉由冷卻而成為容易剝離的狀態。

根據本發明，不受限於上述的實施方式，而提供各種變形例。例如，在上述的實施方式中，雖藉由聚丙烯的薄片而構成構成保護薄片100A之第一薄片22A，藉由聚乙烯的薄片而構成第二薄片23A，藉由聚對苯二甲酸乙二酯而構成第三薄片24A，但例如也可由熔融溫度為160°C～180°C的聚萘二甲酸乙二酯（PEN）的薄片構成第一薄片22A，由熔融溫度為120°C～140°C的聚乙烯的薄片構成第二薄片23A，由熔融溫度為220°C～240°C的聚苯乙烯（PS）的薄片構成第三薄片24A，再者，也可由熔融溫度為220°C～240°C的聚苯乙烯的薄片構成第一薄片22A，由熔融溫度為160°C～180°C的聚丙烯的薄片構成第二薄片23A，由熔融溫度為250°C～270°C的聚對苯二甲酸乙二酯構成第三薄片24A。任一情形中，皆能以第一薄片22A發揮黏著力、第二薄片23A具有流動性、第三薄片24A維持平坦性之方式，設定藉由熱壓接而將保護薄片100A敷設於晶圓10之情形的加熱溫度T0。

在上述的實施方式中，雖顯示了將圓形的保護薄片100A敷設於晶圓10的正面10a之例，但本發明的保護薄片並不受限於此，也可因應加工的種類而敷設於晶圓10的背面10b使用。

10:晶圓 10a:正面 10b:背面 10c:凸塊（電極） 12:元件 14:分割預定線 20:保護薄片製造機 22:第一薄片卷 22A:第一薄片 23:第二薄片卷 23A:第二薄片 24:第三薄片卷 24A:第三薄片 25a:第一導輥 25b:第二導輥 26a,26b:壓接輥 28:保護薄片卷 30:熱壓接裝置 31:卡盤台 31a:吸附卡盤 33:熱壓接輥 34:切割器 34a:刀片 40:研削裝置 41:卡盤台 43:研削單元 46:研削輪 47:研削磨石 100:保護薄片 100A:保護薄片

圖1（a）為保護薄片製造機的概念圖；圖1（b）為已完成的保護薄片卷的立體圖。 圖2（a）為顯示將晶圓載置於熱壓接裝置的卡盤台的態樣的立體圖；圖2（b）為顯示將保護薄片載置於晶圓的上表面的態樣的立體圖。 圖3（a）為顯示保護薄片敷設步驟中的熱壓接步驟的實施態樣的立體圖；圖3（b）為圖3（a）所示的熱壓接步驟時的局部放大剖面圖。 圖4為顯示沿著晶圓的外周緣切出保護薄片的態樣的立體圖。 圖5（a）為顯示在研削裝置的卡盤台載置晶圓的態樣的立體圖；圖5（b）為顯示研削步驟的實施態樣的立體圖。 圖6為顯示從晶圓剝離保護薄片的態樣的立體圖。

10:晶圓

10a:正面

10c:凸塊(電極)

22A:第一薄片

22B:凸部

23A:第二薄片

24A:第三薄片

30:熱壓接裝置

31:卡盤台

31a:吸附卡盤

31b:框體

33:熱壓接輥

33a:表面

100A:保護薄片

R2:箭頭

R3:箭頭

Vm:吸引負壓

Claims (10)

1. 一種晶圓之加工方法，其具備： 保護薄片準備步驟，其準備保護薄片，該保護薄片包含： 第一薄片，其藉由加熱而直接熱壓接於該晶圓的面，其中該第一薄片為聚丙烯薄片； 第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由該加熱而具有流動性；以及 第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由該加熱也維持平坦性； 其中，該第一薄片、該第二薄片及該第三薄片經由熱壓接成為三層之保護薄片； 保護薄片敷設步驟，其使該第一薄片側面對該晶圓的正面，並加熱進行熱壓接，而在該晶圓的正面敷設該保護薄片；以及 研削步驟，其使卡盤台的保持面保持該保護薄片側，並研削該晶圓的背面。
2. 一種保護薄片，其敷設於晶圓的面，且具備： 第一薄片，其藉由加熱而被直接熱壓接於該晶圓的面，其中該第一薄片為聚丙烯薄片； 第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由該加熱而具有流動性；以及 第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由該加熱也能維持平坦性， 其中，該第一薄片、該第二薄片及該第三薄片經由熱壓接成為三層之保護薄片。
3. 如請求項2之保護薄片，其中，該第二薄片係由聚烯烴系的樹脂所構成，該第三薄片係由聚酯系的樹脂所構成。
4. 如請求項3之保護薄片，其中，該第二薄片係由聚乙烯所構成，該第三薄片係由聚對苯二甲酸乙二酯所構成。
5. 一種保護薄片敷設方法，其藉由熱壓接而將保護薄片敷設於晶圓，該保護薄片包含：第一薄片，其藉由加熱而被直接熱壓接於該晶圓的面，其中該第一薄片為聚丙烯薄片；第二薄片，其敷設於該第一薄片，且藉由該加熱而具有流動性；及第三薄片，其敷設於該第二薄片，且即使藉由該加熱也能維持平坦性；其中，該第一薄片、該第二薄片及該第三薄片經由熱壓接成為三層之保護薄片， 該保護薄片敷設方法具備： 保護薄片載置步驟，其將該保護薄片載置於該晶圓的上表面；及 熱壓接步驟，其推壓載置於該晶圓的上表面之該保護薄片，且將該保護薄片加熱並進行熱壓接， 在該熱壓接步驟中將該保護薄片進行熱壓接時的加熱溫度，係該第一薄片發揮黏著力、該第二薄片具有流動性、該第三薄片維持平坦性的溫度。
6. 如請求項2之保護薄片，其中，該第一薄片和該第二薄片的熔點低於該第三薄片。
7. 如請求項6之保護薄片，其中，該第二薄片的熔點低於該第一薄片的熔點。
8. 如請求項2之保護薄片，其中，在該熱壓接的過程中執行加熱的溫度高於該第二薄片的熔點且低於該第三薄片的熔點。
9. 如請求項2之保護薄片，其中，該第二薄片的熔點介於120°C～140°C之間。
10. 如請求項2之保護薄片，其中，該第一薄片的熔點介於160°C～180°C之間。