TWI844177B

TWI844177B - 同步傳輸高頻信號及低頻信號的電子裝置

Info

Publication number: TWI844177B
Application number: TW111145357A
Authority: TW
Inventors: 許齊慶; 陳楠; 宋洋
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2022-11-28
Filing date: 2022-11-28
Publication date: 2024-06-01
Also published as: TW202423067A

Abstract

一種電子裝置包括一同軸纜線以及一調變電路。調變電路電性耦接同軸纜線，用以接收一低頻信號、一第一電源信號，以及一第二電源信號。調變電路依據第一電源信號將低頻信號的振幅放大產生一第一中間信號，且依據第二電源信號將低頻信號的振幅放大且將低頻信號的相位延遲產生一第二中間信號。調變電路將第一中間信號及第二中間信號相加產生一調變信號，且輸出調變信號至同軸纜線。同軸纜線同時傳輸高頻信號及調變信號。

Description

同步傳輸高頻信號及低頻信號的電子裝置

本揭露是關於電子裝置，特別是關於用於同步傳輸高頻信號及低頻信號的電子裝置。

在現代通信系統中，系統與系統、設備與設備之間的信息交互必不可少。這些信息交互既可以使用無線連接的方式，也可以使用有線連接的方式。在某些局限於有線互聯的場合，在無法增加額外纜線的情況下，如何通過同軸電纜傳輸高頻信號時，同時傳輸低頻信號及電源信號變成一個重要課題。

根據本揭露一實施例之電子裝置，包括一同軸纜線以及一調變電路。調變電路電性耦接同軸纜線，用以接收一低頻信號、一第一電源信號，以及一第二電源信號。調變電路依據第一電源信號將低頻信號的振幅放大產生一第一中間信號，且依據第二電源信號將低頻信號的振幅放大且將低頻信號的相位延遲產生一第二中間信號。調變電路將第一中間信號及第二中間信號相加產生一調變信號，且輸出調變信號至同軸纜線。同軸纜線同時傳輸高頻信號及調變信號。

如上述之電子裝置，其中，高頻信號為頻率600MHz至10GHz的信號，低頻信號為頻率小於等於50MHz的信號，以及第一電源信號與第二電源信號為直流電源信號。

如上述之電子裝置，其中，調變電路包括一放大電路、一反相放大電路，以及一信號混合電路。放大電路依據第一電源信號將低頻信號的振幅放大至一第一電壓，產生第一中間信號。反相放大電路依據第二電源信號將低頻信號的振幅放大至一第二電壓，且將低頻信號的相位延遲180∘，產生第二中間信號。信號混合電路將第一中間信號及第二中間信號相加產生調變信號。

如上述之電子裝置，其中，調變信號的最高電壓與最低電壓的差值相等於第一電壓與第二電壓的差值。

如上述之電子裝置，其中，調變信號通過一電感傳輸至同軸纜線。高頻信號通過一電容傳輸至同軸纜線。

根據本揭露一實施例之電子裝置，包括一同軸纜線以及一解調電路。解調電路電性耦接同軸纜線，且接收基於一低頻信號的一調變信號。解調電路將調變信號轉換為一電源信號，將調變信號進行分壓得到一第一中間信號，且將電源信號進行分壓得到一第二中間信號。解調電路依據第一中間信號與第二中間信號的大小，將調變信號還原為低頻信號。同軸纜線同時傳輸一高頻信號及調變信號。

如上述之電子裝置，其中，解調電路包括一線性穩壓器(Low Dropout：LDO)、一第一分壓電路、一第二分壓電路，以及一比較器。線性穩壓器將基於低頻信號的調變信號轉換為電源信號。第一分壓電路將調變信號進行分壓得到第一中間信號。第二分壓電路將電源信號進行分壓得到一第二中間信號。比較器比較第一中間信號與第二中間信號的大小，且依據第一中間信號與第二中間信號的大小，將調變信號還原為該低頻信號。

如上述之電子裝置，其中，低頻信號的振幅相等於電源信號。

如上述之電子裝置，其中，在同軸纜線上的調變信號通過一電感傳輸至解調電路。在同軸纜線上的高頻信號通過一電容傳輸至一天線。

如上述之電子裝置，其中，當第一中間信號小於等於第二中間信號，比較器輸出一接地電壓。當第一中間信號大於第二中間信號，比較器輸出電源信號。

現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域通常知識者應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包含」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在圖式中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

本揭露中所敘述之一結構（或層別、組件、基材）位於另一結構（或層別、元件、基材）之上/上方，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一仲介結構（或仲介層別、仲介組件、仲介基材、仲介間隔），一結構的下側表面相鄰或直接連接於仲介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於仲介結構的下側表面。而仲介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構設置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。

說明書與權利要求書中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。

在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本揭露中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

第1圖為本揭露實施例之傳輸系統100的示意圖。如第1圖所示，傳輸系統100包括一電子裝置102、一電子裝置104、一射頻晶片(RFIC)120，以及一處理器(CPU)122。在一些實施例中，處理器122將欲傳送的數位資料傳送至射頻晶片120。射頻晶片將來自處理器122的數位資料轉換為一高頻信號150，並將高頻信號150傳送至電子裝置102。高頻信號150可例如為頻率600MHz至10GHz的射頻信號，但本揭露不限於此。在一些實施例中，電子裝置102包括一同軸纜線106、一調變電路108、一電感112，以及一電容116。同軸纜線106電性連接於電子裝置102及電子裝置104之間。由於電容116的阻抗對於高頻信號150來說非常的小，因此來自射頻晶片120的高頻信號150可通過電容116且傳送至同軸纜線106。由於電感112的阻抗對於高頻信號150來說非常的大，因此高頻信號150不會通過電感112。

處理器122輸出一低頻信號130至調變電路108。在一些實施例中，低頻信號130為頻率小於等於50MHz的數位信號，但本揭露不限於此。調變電路108接收低頻信號130、一第一電源信號140，以及一第二電源信號142。在一些實施例中，第一電源信號140，以及第二電源信號142為直流電源信號。調變電路108依據第一電源信號140及第二電源信號142將低頻信號130轉換為一調變信號132。簡單來說，調變信號132可同時帶有低頻信號130、第一電源信號140，以及第二電源信號142的資訊。由於調變信號132是基於低頻信號130調變，電感112的阻抗對於調變信號132來說非常的小，因此來自調變電路108的調變信號132可通過電感112且傳送至同軸纜線106。由於電容116的阻抗對於調變信號132來說非常的大，因此調變信號132不會通過電容116。因此，同軸纜線106遂同時傳輸來自射頻晶片120的高頻信號150及來自調變電路108的調變信號132。

電子裝置104包括同軸纜線106、一解調電路110、一電感114、一電容118，以及一天線124。在一些實施例中，同軸纜線106同時傳輸來自射頻晶片120的高頻信號150及來自調變電路108的調變信號132。由於電容118的阻抗對於高頻信號150來說非常的小，因此高頻信號150可通過電容118且傳送至天線124。天線124將高頻信號150輻射傳送出去。另一方面，由於電感114的阻抗對於高頻信號150來說非常的大，因此高頻信號150不會通過電感114。由於電感114的阻抗對於調變信號132來說非常的小，因此調變信號132可通過電感114且傳送至解調電路110。另一方面，由於電容118的阻抗對於調變信號132來說非常的大，因此調變信號132不會通過電容118。在一些實施例中，解調電路110接收來自調變電路108的調變信號132，將調變信號132轉換為一電源信號，且依據電源信號將調變信號132解調並還原為低頻信號130。在一些實施例中，電源信號為直流電源信號。低頻信號130的振幅會相等於電源信號。在一些實施例中，傳輸系統100可例如為一基站或一智慧天線，但本揭露不限於此。

第2圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置102的調變電路108的示意圖。如第2圖所示，第1圖的調變電路108包括一放大電路200、一反相放大電路202，以及一信號混合電路204。在一些實施例中，放大電路200依據第一電源信號140將低頻信號130的振幅(例如原本為電壓VDD)放大至一第一電壓VCC，產生一第一中間信號230。反相放大電路202依據第二電源信號142將低頻信號130的振幅(例如原本為電壓VDD)放大至一第二電壓VEE，且將低頻信號130的相位延遲180∘，產生一第二中間信號232。在一些實施例中，第一電壓VCC大於第二電壓VEE，但本揭露不限於此。信號混合電路204將第一中間信號230及第二中間信號232相加產生調變信號132。調變信號132的最高電壓與最低電壓的差值會相等於第一電壓VCC與第二電壓VEE的差值。

第3圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置102的調變電路108的電路圖。如第3圖所示，放大電路200包括一電晶體Q1、一電晶體Q2、一電阻R3、一電阻R4、一電阻R5，以及一電容C2。電晶體Q1的閘極電性連接一電阻R1，用以接收低頻信號130。電晶體Q1的源極電性連接至一接地電壓。一電阻R2及電容C1並聯於電晶體Q1的閘極與接地電壓之間。電晶體Q1的汲極電性連接電阻R3及一電壓VDD。電壓VDD可例如相等於低頻信號130的振幅。在一些實施例中，電晶體Q1為一增強型N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：MOSFET)，但本揭露不限於此。電晶體Q2的射級電性連接信號混合電路204。電晶體Q2的集極電性連接第一電壓VCC。電晶體Q2的基極電性連接電晶體Q1的汲極。電阻R4電性連接於電晶體Q2的基極與電晶體Q2的集極之間。電阻R5與電容C2並聯於電晶體Q2的基極與接地電壓之間。在一些實施例中，電晶體Q2為一PNP型雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistor：BJT)，但本揭露不限於此。

放大電路200透過電晶體Q1的閘極接收低頻信號130，且透過上述電晶體Q2及其周圍元件將低頻信號130的振幅放大。例如，放大電路200可將低頻信號130的振幅從電壓VDD放大至第一電壓VCC，產生第2圖中的第一中間信號230。反相放大電路202包括一電晶體Q3、一電阻R7、一電阻R8，以及一電容C3。一電阻R6電性連接反相放大電路202。電晶體Q3的射極電性連接信號混合電路204。電晶體Q3的集極電性連接第二電壓VEE。電晶體Q3的基極電性連接電阻R6，用以接收低頻信號130。電阻R7電性連接於電晶體Q3的集極與電晶體Q3的基極之間。電阻R8與電容C3並聯於電晶體Q3的基極與接地電壓之間。在一些實施例中，電晶體Q3為一PNP型雙極性接面型電晶體，但本揭露不限於此。

反相放大電路202透過電晶體Q3及其周圍元件將低頻信號130的振幅放大，且將低頻信號130的相位延遲。舉例來說，反相放大電路202將低頻信號130的振幅從電壓VDD放大至第二電壓VEE，且將低頻信號130的相位延遲180∘產生第2圖中的第二中間信號232。之後，信號混合電路204遂將來自電晶體Q2的射極的第一中間信號230與來自電晶體Q3的射極的第二中間信號232進行相加，最終產生調變信號132。在一些實施例中，信號混合電路204可例如一二極體，但本揭露不限於此。

第4A圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的放大電路200的輸入及輸出波形圖。同時參考第2圖及第4A圖，放大電路200接收低頻信號130。低頻信號130的振幅為電壓VDD。放大電路200將低頻信號130放大，產生第一中間信號230。第一中間信號的振幅為第一電壓VCC。第一電壓VCC大於電壓VDD。第4B圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的反相放大電路202的輸入及輸出波形圖。同時參考第2圖及第4B圖，反相放大電路202接收低頻信號130。低頻信號130的振幅為電壓VDD。反相放大電路202將低頻信號130放大，且將低頻信號130的相位延遲180∘，產生第二中間信號232。第二中間信號的振幅為第二電壓VEE。第二電壓VEE大於電壓VDD。在一些實施例中，第一電壓VCC大於第二電壓VEE。

第4C圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的信號混合電路204的輸入及輸出波形圖。同時參考第2圖及第4C圖，信號混合電路204將第一中間信號230與第二中間信號232相加，而產生調變信號132。如第4C圖所示，調變信號132的最高電壓與最低電壓的差值相等於第一電壓VCC與第二電壓VEE的差值。換句話說，調變信號132除了帶有低頻信號130原有相位的資訊外，同時還帶有第一電壓VCC(即第1圖的第一電源信號140)及第二電壓VEE(即第1圖的第二電源信號142)的資訊。因此，電子裝置102可將調變信號132和高頻信號150同時經由同軸纜線106傳送至電子裝置104。

第5圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置104的解調電路110的示意圖。如第5圖所示，解調電路110包括一線性穩壓器(LDO)500、一第一分壓電路502、一第二分壓電路504，以及一比較器506。在一些實施例中，線性穩壓器500將基於低頻信號130的調變信號132轉換為電源信號510。在一些實施例中，電源信號510為直流電源信號，其電壓為電壓VDD。第一分壓電路502將調變信號132進行分壓得到一中間信號512。第二分壓電路504將電源信號510進行分壓得到一中間信號514。比較器506比較中間信號512與中間信號514的大小，且依據中間信號512與中間信號514的大小，將調變信號132還原為低頻信號130。在一些實施例中，低頻信號130的振幅是相等於電源信號510(即電壓VDD)。

第6圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置104的調變電路110的電路圖。如第6圖所示，線性穩壓器500包括一線性穩壓晶片U1、一電容C1，以及一電容C2。一二極體D1電性連接線性穩壓器500，用以接收來自同軸纜線106的調變信號132。線性穩壓器500透過線性穩壓晶片U1及其周圍元件將調變信號132轉換為電源信號510。在一些實施例中，電源信號510的電壓可例如為電壓VDD。第一分壓電路502包括一電阻R1、一電阻R2，以及一電阻R3。電阻R2電性連接於比較器506的一第一輸入端。電阻R1電性連接於電阻R2的一端與接地電壓之間。電阻R3電性連接於電阻R2的另一端與接地電壓之間。第一分壓電路502透過電阻R1、電阻R2，與電阻R3將調變信號132進行分壓，而產生第5圖的中間信號512。

第二分壓電路504包括一電阻R4及一電阻R5。電阻R5電性連接於比較器506的一第二輸入端及接地電壓之間。電阻R4電性連接於比較器506的第二輸入端及電壓VDD之間。第二分壓電路504透過電阻R4與電阻R5將電壓VDD進行分壓，而產生第5圖的中間信號514。在一些實施例中，中間信號514是作為比較器506的一參考電壓。比較器506包括一晶片U2以及一電阻R6。電阻R6電性連接於晶片U2的輸出端與電壓VDD之間。晶片U2比較中間信號512與中間信號514的大小，且依據中間信號512與中間信號514的大小，將調變信號132還原為低頻信號130。詳細來說，當中間信號512小於等於中間信號514，比較器506的晶片U2輸出接地電壓(例如為0V)。當中間信號512大於中間信號514，比較器506的晶片U2輸出電壓VDD。因此，比較器506可將調變信號132還原為振幅為電壓VDD的低頻信號130。

第7A圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的線性穩壓器(Low Dropout：LDO)500的輸入及輸出波形圖。同時參考第5圖及第7A圖。線性穩壓器500接收來自同軸纜線106的調變信號132。如第7A圖所示，調變信號132具有最高電壓為第一電壓VCC，最低電壓為第二電壓VEE。線性穩壓器500將調變信號132轉換為電源信號510。電源信號510為直流電源信號，其電壓為電壓VDD。在一些實施例中，根據線性穩壓器的操作原理，調變信號132的均方根值(即有效值)必須大於電壓VDD的情況下，線性穩壓器500才可正常運作。

第7B圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的第一分壓電路502的輸入及輸出波形圖。同時參考第5圖及第7B圖。第一分壓電路502接收調變信號132。如第7B圖所示，調變信號132具有最高電壓為第一電壓VCC，最低電壓為第二電壓VEE。第一分壓電路502對調變信號132進行分壓，而產生中間信號512。中間信號512具有最高電壓為電壓VAA，最低電壓為電壓VBB。電壓VAA小於第一電壓VCC，且電壓VBB小於第二電壓VEE。在一些實施例中，第二分壓電路504將電源信號514進行分壓，而產生中間信號514。中間信號514為直流電源信號，其電壓介於電壓VAA與電壓VBB之間。

第7C圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的比較器506的輸入及輸出波形圖。同時參考第5圖及第7C圖。比較器506接收中間信號512及中間信號514，且依據中間信號512及中間信號514的大小，將中間信號512還原為低頻信號130。詳細來說，當中間信號512的電壓小於等於中間信號514(例如中間信號512的電壓為電壓VBB時)，比較器506輸出接地電壓(例如為0V)。當中間信號512的電壓大於中間信號514(例如中間信號512的電壓為電壓VAA時)，比較器506輸出電壓VDD。因此，比較器506可將中間信號512(或調變信號132)還原為低頻信號130。

本揭露的傳輸系統100中的電子裝置102及電子裝置104可透過同軸纜線106，在不同系統/設備間傳輸高頻信號150的同時，同時完成電源信號(例如為第一電源信號140及第二電源信號142)和低頻信號130的傳輸。本揭露的傳輸系統100中的電子裝置102及電子裝置104可使得低頻信號130在經過傳輸後其不會偏移且不失真，電源信號在經過傳輸後其輸出電壓穩定，以及高頻信號150的信號質量不受傳輸過程的影響。

雖然本揭露的實施例如上述所描述，我們應該明白上述所呈現的只是範例，而不是限制。根據本實施例上述示範實施例的許多改變是可以在沒有違反揭露精神及範圍下被執行。因此，本揭露的廣度及範圍不該被上述所描述的實施例所限制。更確切地說，本揭露的範圍應該要以以下的申請專利範圍及其相等物來定義。儘管上述揭露已被一或多個相關的執行來圖例說明及描繪，等效的變更及修改將被根據上述規格及附圖且熟悉這領域的其他人所想到。此外，儘管本揭露的一特別特徵已被相關的多個執行之一所示範，上述特徵可能由一或多個其他特徵所結合，以致於可能有需求及有助於任何已知或特別的應用。

本說明書所使用的專業術語只是為了描述特別實施例的目的，並不打算用來作為本揭露的限制。除非上下文有明確指出不同，如本處所使用的單數型，一、該及上述的意思係也包含複數型。再者，用詞「包括」，「包含」，「（具、備）有」，「設有」，或其變化型不是被用來作為詳細敘述，就是作為申請專利範圍。而上述用詞意思是包含，且在某種程度上意思是等同於用詞「包括」。除非有不同的定義，所有本文所使用的用詞(包含技術或科學用詞)是可以被屬於上述揭露的技術中擁有一般技術的人士做一般地了解。我們應該更加了解到上述用詞，如被定義在眾所使用的字典內的用詞，在相關技術的上下文中應該被解釋為相同的意思。除非有明確地在本文中定義，上述用詞並不會被解釋成理想化或過度正式的意思。

100:傳輸系統 102,104:電子裝置 106:同軸纜線 108:調變電路 110:解調電路 112,114:電感 116,118:電容 120,RFIC:射頻晶片 122,CPU:處理器 130:低頻信號 132:調變信號 140:第一電源信號 142:第二電源信號 150:高頻信號 200:放大電路 202:反相放大電路 204:信號混合電路 230:第一中間信號 232:第二中間信號 VDD:電壓 VCC:第一電壓 VEE:第二電壓 Q1,Q2,Q3:電晶體 R1,R2,R3,R4:電阻 R5,R6,R7,R8:電阻 C1,C2,C3:電容 500,LDO:線性穩壓器 502:第一分壓電路 504:第二分壓電路 506:比較器 510:電源信號 512:中間信號 514:中間信號 U1:晶片 U2:晶片 D1:二極體 VAA:電壓 VBB:電壓

第1圖為本揭露實施例之傳輸系統100的示意圖。第2圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置102的調變電路108的示意圖。第3圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置102的調變電路108的電路圖。第4A圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的放大電路200的輸入及輸出波形圖。第4B圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的反相放大電路202的輸入及輸出波形圖。第4C圖為本揭露實施例之第1圖調變電路108的信號混合電路204的輸入及輸出波形圖。第5圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置104的解調電路110的示意圖。第6圖為本揭露實施例之第1圖電子裝置104的調變電路110的電路圖。第7A圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的線性穩壓器(Low Dropout：LDO)500的輸入及輸出波形圖。第7B圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的第一分壓電路502的輸入及輸出波形圖。第7C圖為本揭露實施例之第1圖解調電路110的比較器506的輸入及輸出波形圖。

100:傳輸系統 102,104:電子裝置 106:同軸纜線 108:調變電路 110:解調電路 112,114:電感 116,118:電容 120,RFIC:射頻晶片 122,CPU:處理器 130:低頻信號 132:調變信號 150:高頻信號

Claims

一種電子裝置，包括：一同軸纜線；一調變電路，電性耦接該同軸纜線，用以接收一低頻信號、一第一電源信號，以及一第二電源信號；其中，該調變電路依據該第一電源信號將該低頻信號的振幅放大產生一第一中間信號，且依據該第二電源信號將該低頻信號的振幅放大且將該低頻信號的相位延遲產生一第二中間信號；該調變電路將該第一中間信號及該第二中間信號相加產生一調變信號，且輸出該調變信號至該同軸纜線；其中，該同軸纜線同時傳輸一高頻信號及該調變信號至另一電子裝置。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該高頻信號為頻率600MHz至10GHz的信號，該低頻信號為頻率小於等於50MHz的信號，以及該第一電源信號與該第二電源信號為直流電源信號。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該調變電路包括：一放大電路，用以依據該第一電源信號將該低頻信號的振幅放大至一第一電壓，產生該第一中間信號；一反相放大電路，用以依據該第二電源信號將該低頻信號的振幅放大至一第二電壓，且將該低頻信號的相位延遲180°，產生該第二中間信號；以及一信號混合電路，用以將該第一中間信號及該第二中間信號相加產生該調變信號。
如請求項3所述之電子裝置，其中，該調變信號的最高電壓與最低電壓的差值相等於該第一電壓與該第二電壓的差值。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該調變信號通過一電感傳輸至該同軸纜線；該高頻信號通過一電容傳輸至該同軸纜線。
一種電子裝置，包括：一同軸纜線；一解調電路，電性耦接該同軸纜線，用以接收基於一低頻信號的一調變信號；其中，該解調電路將該調變信號轉換為一電源信號，將該調變信號進行分壓得到一第一中間信號，將該電源信號進行分壓得到一第二中間信號，依據該第一中間信號與該第二中間信號的大小，將該調變信號還原為該低頻信號；其中，該同軸纜線同時傳輸一高頻信號及該調變信號。
如請求項6所述之電子裝置，其中，該高頻信號為頻率600MHz至10GHz的信號，該低頻信號為頻率小於等於50MHz的信號，以及該電源信號為直流電源信號。
如請求項6所述之電子裝置，其中，該解調電路包括：一線性穩壓器(Low Dropout：LDO)，將基於該低頻信號的該調變信號轉換為該電源信號；一第一分壓電路，將該調變信號進行分壓得到該第一中間信號；一第二分壓電路，將該電源信號進行分壓得到該第二中間信號；以及一比較器，比較該第一中間信號與該第二中間信號的大小，且依據該第一中間信號與該第二中間信號的大小，將該調變信號還原為該低頻信號。
如請求項6所述之電子裝置，其中，該低頻信號的振幅相等於該電源信號。
如請求項6所述之電子裝置，其中，在該同軸纜線上的該調變信號通過一電感傳輸至該解調電路；在該同軸纜線上的該高頻信號通過一電容傳輸至一天線。
如請求項8所述之電子裝置，其中，當該第一中間信號小於等於該第二中間信號，該比較器輸出一接地電壓；當該第一中間信號大於該第二中間信號，該比較器輸出該電源信號。