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TWI817753B - 用於光凝手術的多波長雷射裝置 - Google Patents

用於光凝手術的多波長雷射裝置 Download PDF

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TWI817753B
TWI817753B TW111137597A TW111137597A TWI817753B TW I817753 B TWI817753 B TW I817753B TW 111137597 A TW111137597 A TW 111137597A TW 111137597 A TW111137597 A TW 111137597A TW I817753 B TWI817753 B TW I817753B
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laser light
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laser
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陳永富
梁興弛
鄒家翰
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國立陽明交通大學
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Abstract

一種用於光凝手術的雷射裝置，具有多波長的雷射源，其中該多波長雷射源具有一第一方向以及和該第一方向不相同的一第二方向。該雷射裝置包含：一定位光源，將一定位可見光沿該第一方向入射，其中該定位可見光具有一特定波長，且該特定波長約為635奈米；一第一雷射光源，將具有一第一波長的一第一雷射光沿該第二方向入射；一第一透鏡，位於該定位可見光的一主要光路上，配置以接收該第一雷射光，並將該第一雷射光沿該第一方向反射；一第二雷射光源，將具有一第二波長的一第二雷射光沿該第二方向入射；一第二透鏡。

Description

用於光凝手術的多波長雷射裝置
本發明係關於一種多波長雷射裝置，特別是一種用於光凝手術，提供多波長可見光的雷射裝置。
具有可見光波長(約360-830奈米)的雷射光具有高度的實用價值，目前也陸續出現在工業加工乃至於醫療科技的應用方面，近十年來，雷射光凝(Laser Photocoagulation)手術更是備受重視。雷射光凝療法目前廣泛使用於眼球視網膜或虹膜附近組織的顯微手術，運用能量為瓦級的雷射光為工具，依據眼球不同的位置而選擇特定波長的雷射光來執行手術，目前適用於光凝手術的四種可見光雷射波長分別為約532奈米、577奈米、670奈米、和810奈米左右，習知的裝置是利用光纖來導引雷射光朝向所需要投射的部位。
進行手術時，醫師需要選擇好適當波長的雷射光束，先從同一條光纖利用低功率而波長約635奈米的紅光投射到患部，來確定手術用雷射光束將投射到的部位，之後在開啟所選擇的雷射光進行手術。然而，目前市場上所提供的裝置並沒有任何一種能夠讓執行手術的醫師可以很輕易的在上述的4種波長不同的雷射光之間作切換，同時維持紅色瞄準光的投射，執行手術時，醫師為了針對眼部不同部位，經常需要更換設備，間接的限制了工具的方便性。
因此，需要一種可以讓一條光纖成為同時具備上述各種雷射光凝療法所可能用到的不同波長可見光雷射的投射光源，來解決習知技藝的技術問題。
本發明提出一種具有多波長的雷射源，用於光凝手術的雷射裝置，可以有效克服先前技藝的不足，提供輸出功率達到瓦級的光凝手術所需要的各種波長可見光雷射。
依據本發明一實施例，提出一種用於光凝手術的雷射裝置，具有多波長的雷射源，其中該多波長雷射源具有一第一方向以及和該第一方向不相同的一第二方向。該雷射裝置包含：一定位光源，將一定位可見光沿該第一方向入射，其中該定位可見光具有一特定波長，且該特定波長約為635奈米；一第一雷射光源，將具有一第一波長的一第一雷射光沿該第二方向入射；一第一透鏡，位於該定位可見光的一主要光路上，配置以接收該第一雷射光，並將該第一雷射光沿該第一方向反射；一第二雷射光源，將具有一第二波長的一第二雷射光沿該第二方向入射；一第二透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第二雷射光，並將該第二雷射光沿該第一方向反射；一第三雷射光源，將具有一第三波長的一第三雷射光沿該第二方向入射；一第三透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第三雷射光，並將該第三雷射光沿該第一方向反射；一第四雷射光源，將具有一第四波長的一第四雷射光沿該第二方向入射；以及一第四透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第四雷射光，並將該第四雷射光沿該第一方向反射。該第一波長大於該第二波長，該第二波長大於該特定波長，該特定波長大於 該第三波長，該第三波長大於該第四波長，且該第一/第二/第三/第四波長皆位於一可見光波段；該第一透鏡對於波長為一第一波段之光線具一第一高穿透性，其中該第一波段包括小於該第一波長之任何波長；該第二透鏡對於波長為一第二波段之光線具一第二高穿透性，其中該第二波段包括小於該第二波長之任何波長；該第三透鏡對於波長為一第三波段之光線具一第三高穿透性，其中該第三波段包括大於該第三波長之任何波長；該第四透鏡對於波長為一第四波段之光線具一第四高穿透性，其中該第四波段包括大於該第四波長之任何波長；該第一透鏡鄰近於該第二透鏡，且位於該第二透鏡的該主要光路的一下游位置；以及該第三透鏡鄰近於該第四透鏡，且位於該第四透鏡的該主要光路的一上游位置。
依據本發明另一實施例，提出一種多波長雷射裝置，具有一第一方向以及和該第一方向不相同的一第二方向。該雷射裝置包含：一定位光源，將一定位可見光沿該第一方向入射，其中該定位可見光具有一特定波長；一第一雷射光源，將具有一第一波長的一第一雷射光沿該第二方向入射；一第一透鏡，位於該定位可見光的一主要光路上，配置以接收該第一雷射光，並將該第一雷射光沿該第一方向反射；一第二雷射光源，將具有一第二波長的一第二雷射光沿該第二方向入射；一第二透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第二雷射光，並將該第二雷射光沿該第一方向反射；一第三雷射光源，將具有一第三波長的一第三雷射光沿該第二方向入射；一第三透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第三雷射光，並將該第三雷射光沿該第一方向反射；一第四雷射光源，將具有一第四波長的一第四雷射光沿該第二方向入射；以及一第四透鏡，位於該主要光路上， 配置以接收該第四雷射光，並將該第四雷射光沿該第一方向反射。其中：該第一波長大於該第二波長，該第二波長大於該特定波長，該特定波長大於該第三波長，且該第三波長大於該第四波長；該第一透鏡對於波長為一第一波段之光線具一第一高穿透性，其中該第一波段包括小於該第一波長之任何波長；該第二透鏡對於波長為一第二波段之光線具一第二高穿透性，其中該第二波段包括小於該第二波長之任何波長；該第三透鏡對於波長為一第三波段之光線具一第三高穿透性，其中該第三波段包括大於該第三波長之任何波長；該第四透鏡對於波長為一第四波段之光線具一第四高穿透性，其中該第四波段包括大於該第四波長之任何波長；該第一透鏡鄰近於該第二透鏡，且位於該第二透鏡的該主要光路的一下游位置；以及該第三透鏡鄰近於該第四透鏡，且位於該第四透鏡的該主要光路的一上游位置。
。本發明所提出的高功率可見光多波長雷射裝置，適合應用於醫療手術或是工業生產中，具有產業利用性。
100/200/300:多波長雷射裝置
110:定位光源
120:第一雷射光源
122:第一透鏡
122A/132A/142A/152A:第一表面
122B/132B/142B/152B:第二表面
130/230:第二雷射光源
132:第二透鏡
140/240:第三雷射光源
142:第三透鏡
150/250:第四雷射光源
152:第四透鏡
160:聚焦透鏡
170:光纖
231/241/251:入射透鏡
233:功能透鏡
235:增益與拉曼介質
237/255:倍頻晶體
239/249/257:輸出鏡
243/253:增益介質
245:拉曼介質
247:非線性晶體
LA:定位可見光
L1:第一雷射光
L2:第二雷射光
L3:第三雷射光
L4:第四雷射光
M1:第一面鏡
M2:第二面鏡
M3:第三面鏡
M4:第四面鏡
θ1/θ2/θ3/θ4:透鏡角度
本案得藉由下列圖式之詳細說明，俾得更深入之瞭解：
第1圖本發明的可見光多波長雷射裝置示意圖；
第2圖是本發明的可見光多波長雷射裝置另一實施例的示意圖；
第3圖是本發明的可見光多波長雷射裝置另一實施例的示意圖；
第4-7圖是本發明可見光多波長雷射裝置中配置於主要光路上的各透鏡對於不同波長光線的穿透率的示意圖；
第8圖顯示本發明中產生670奈米雷射光之雷射裝置的一實施例的示 意圖；
第9圖顯示本發明中產生579奈米雷射光之雷射裝置的一實施例的示意圖；以及
第10圖顯示本發明中產生532奈米雷射光之雷射裝置的一實施例的示意圖。
本發明將可由下列實施例說明而得到充分瞭解，使熟習本技藝之人士可以據以完成之，然本發明之實施並非可由下列實施例而被限制其實施型態。
請參閱圖1，其顯示依據本發明可見光多波長雷射裝置一實施例的示意圖。如圖所示，多波長雷射裝置100具有以箭頭表示的第一方向、第二方向和第三方向。第一方向和第二方向不相同，使用者可依據不同的設計來安排兩者之間的角度關係，兩者之間可以是接近垂直的90度，或是其他如45、60、75等任意的角度。
雷射裝置100具有定位光源110，用以將特定波長約為635奈米的定位可見光LA沿第一方向入射，定位可見光LA的投射路徑形成雷射裝置100的一主要光路。該特定波長的選擇是依據目前提供光凝手術的雷射裝置所慣用的635奈米的紅光作為考量，一方面該波長可以和其他用於光凝手術的4種可見光雷射的波長之間構成明顯的區隔，以提供操作時很容易地以顏色分辨，另一方面是因為這種光源的成本優勢。
如圖，雷射裝置100包含第一雷射光源120、第二雷 射光源130、第三雷射光源140、和第四雷射光源150，分別配置以將具有第一波長的第一雷射光L1、具有第二波長的第二雷射光L2、具有第三波長的第三雷射光L3、和具有第四波長的第四雷射光L4，沿第二方向投射。該第一波長大於該第二波長，該第二波長大於該特定波長，該特定波長大於該第三波長，該第三波長大於該第四波長。按照光凝手術的需要，該第一/第二/第三/第四波長皆位於可見光波段(約390-700奈米)，然而本發明也可以應用於波長落在紅外光或紫外光波段的雷射光。
依據一實施例，第二雷射光源130、第三雷射光源140、和第四雷射光源150可以源自於第一雷射光源120，如圖1所示，第一雷射光源120沿第三方向提供第一雷射光L1，雷射裝置100沿第三方向的路徑上配置有第一面鏡M1、第二面鏡M2、第三面鏡M3、和第四面鏡M4，其中前三者可受到使用者的控制而位於不同的位置，如虛線所示，這樣的組合可以選擇性地將第一雷射光L1從第三方向反射到第二方向，進而被投射到所需要行經的光學裝置。例如，第二雷射光源130接收源自於第一雷射光源120的第一雷射光L1，而將第一雷射光L1轉換為第二雷射光L2，再讓第二雷射光L2沿第二方向投射。
依據另外的實施方式，第二雷射光源130、第三雷射光源140、和第四雷射光源150其中的任何一者也可以是單獨的雷射光源，而非源自於第一雷射光源120。
由於第一方向不同於第二方向，所以需要沿著該主 要光路，在適當位置配置光學元件來將各種不同波長的雷射光反射到第一方向，進而讓入射進來的雷射光和定位可見光LA沿相同的路徑前進，使得定位可見光LA可以提供操作者定位之用。這些光學元件包括有第一透鏡122、第二透鏡132、第三透鏡142、和第四透鏡152，按照第一方向和第二方向之間的角度關係，配置以分別接收第一、第二、第三、和第四雷射光L1/L2/L3/L4，並將該些雷射光沿第一方向反射。於本實施例中，定位可見光LA投射路徑的該主要光路上，從上游到下游的配置順序為第二透鏡132、第一透鏡122、第三透鏡142、及第四透鏡152。
在該主要光路較為下游的位置，多波長雷射裝置100具有聚焦透鏡160，配置以將來自該主要光路的雷射光和定位可見光LA沿朝向輸出光纖170入射，以提供使用者應用於光凝手術或其他需要多波長雷射光的作業。
需要強調的是，為了有效的讓所需要被反射的光線充分的反射，而且要讓所需要沿該主要光路行進的光線能夠在損耗極小的狀態下穿透該主要光路上的光學元件，這些透鏡122-152的特性以及在該主要光路上配置的位置都需要特別的限定。一般常見的半透鏡的反射率或穿透率都遠低於80%，所造成的雷射功率損耗過大，並不符合本發明用於光凝手術的雷射裝置的要求。
請參閱圖4-7，其為本發明可見光多波長雷射裝置中配置於主要光路上的各透鏡對於不同波長光線的穿透率的示意圖。依據本發明一實施例，為符合用於光凝手術的需要，該第一 波長約為810奈米左右，而實務上可以利用波長約808奈米的雷射光源來實現；該第二波長約為670奈米，實務上可以利用波長約670奈米的雷射光源來實現；該第三波長約為577奈米，而實務上可以利用波長約579奈米的雷射光源來實現；該第三波長約為532奈米，實務上可以利用波長約532奈米的雷射光源來實現。
圖4顯示第一透鏡122屬於一種短通濾光元件(Short Pass Filter)，對於波長落在小於725奈米附近的第一波段的光線具有穿透率高於80%，較佳者高於85%或更高的穿透性，而對於包含第一波長，也就是波長約808奈米或更高的光線具有高反射性。圖中所示的穿透率對於波長約800-990奈米的光線遠小於10%，較佳者小於5%。如以一來，可以充分的讓波長約808奈米的雷射光從第二方向被反射到第一方向而沿該主要光路投射，而應用於本實施例中波長相對較短的其他光線則可以在低損耗的條件下穿透過去。
圖5顯示第二透鏡132屬於一種短通濾光元件(Short Pass Filter)，對於波長落在小於630奈米附近的第二波段的光線具有穿透率高於80%，較佳者高於85%或更高的穿透性，而對於包含第二波長，也就是波長約670奈米或更高的光線具有高反射性。圖中所示的穿透率對於波長約675-850奈米的光線遠小於10%，較佳者小於5%。如以一來，可以充分的讓波長約670奈米的雷射光從第二方向被反射到第一方向而沿該主要光路投射，而應用於本實施例中波長相對較短的其他光線則可以在低損耗的條件下穿透 過去。
圖6顯示第三透鏡142屬於一種長通濾光元件(Long Pass Filter)，對於波長落在大於625奈米附近的第三波段的光線具有穿透率高於80%，較佳者高於85%或更高的穿透性，而對於包含第三波長，也就是波長約577奈米或更短的光線具有高反射性。圖中所示的穿透率對於波長約460-570奈米的光線遠小於10%，較佳者小於5%。如以一來，可以充分的讓波長約577奈米的雷射光從第二方向被反射到第一方向而沿該主要光路投射，而應用於本實施例中波長相對較長的其他光線則可以在低損耗的條件下穿透過去。
圖7顯示第四透鏡152屬於一種長通濾光元件(Long Pass Filter)，對於波長落在大於550奈米附近的第四波段的光線具有穿透率高於80%，較佳者高於85%或更高的穿透性，而對於包含第四波長，也就是波長約532奈米或更短的光線具有高反射性。圖中所示的穿透率對於波長約450-535奈米的光線遠小於10%，較佳者小於5%。如以一來，可以充分的讓波長約532奈米的雷射光從第二方向被反射到第一方向而沿該主要光路投射，而應用於本實施例中波長相對較長的其他光線則可以在低損耗的條件下穿透過去。
需要特別一提的是，圖4-7所示的透鏡122-152對於入射光波長的濾光性質屬於示範性質的實施例，本領域專業人士可以依據實際應用雷射波長或材料成本的考量而選擇適當的透鏡 濾光規格。本發明所採用的透鏡122-152皆屬於簡單規格的長通或短通濾光元件，通過適當的配置，可以有效降低製作成本而同時能達成所預期的功效。
請參閱圖2，其顯示依據本發明可見光多波長雷射裝置另一實施例的示意圖。如圖所示，多波長雷射裝置200具有以箭頭表示的第一方向、第二方向、和第四方向。本實施例中所示的各光學元件基本上和圖1中的相同，所以不需要重複。除了第一雷射光源120是將第一雷射光L1沿第四方向投射之外，第一透鏡122、第二透鏡132、第三透鏡142、和第四透鏡152位於定位可見光LA投射路徑的該主要光路上，從上游到下游的配置順序為第三透鏡142、第四透鏡152、第二透鏡132、及第一透鏡122。此外，用來分別將第一雷射光源120投射到第二方向的第一面鏡M1、第二面鏡M2、第三面鏡M3、和第四面鏡M4是按照圖2上方的裝置或光路配置而安排在不同於圖1所示實施例的配置順序。
綜上所述，為了實現讓各種不同波長的光線，包括定位可見光LA與第一、第二、第三、和第四雷射光L1/L2/L3/L4，都能夠經由所預設的路徑最終沿該主要光路進入聚焦透鏡160而朝向輸出光纖170入射，沿著該主要光路，第一透鏡122需配置於鄰近於第二透鏡132，且應相對於第二透鏡132的下游位置；而第三透鏡142需配置於鄰近於第四透鏡152，且應相對於第四透鏡152的上游位置。
以圖1為例，第一透鏡122的短通濾光元件對於波 長落在第一波段的光線具有高穿透性，而對於包含第一波長L1的光線具有高反射性，當第一透鏡122配置於第二透鏡132的下游位置時，可以讓波長較短的定位可見光LA與第二雷射光L2穿透，同時能讓波長較長的第一雷射光L1被反射進入該主要光路。在圖2的實施例中，第一透鏡122配置於該主要光路最下游的位置，可以讓波長較短的定位可見光LA與第二/第三/第四雷射光L2/L3/L4穿透，同時能讓波長較長的第一雷射光L1被反射進入該主要光路。
相同的，第四透鏡152的長通濾光元件對於波長落在第四波段的光線具有高穿透性，而對於包含第四波長L4的光線具有高反射性，當第三透鏡142配置於第四透鏡152的上游位置，換句話說第四透鏡152配置於第三透鏡142的下游位置時，以圖1為例，可以讓波長較長的定位可見光LA與第一/第二/第三雷射光L1/L2/L3穿透，同時能讓波長較短的第四雷射光L4被反射進入該主要光路。
比較圖1和圖2的配置方式，可以了解按照本發明的概念，屬於短通濾光元件的第一透鏡122和第二透鏡132需相鄰配置，而屬於長通濾光元件的第三透鏡142和第四透鏡152也需相鄰配置。如果考慮讓波長較短的第三/第二雷射光L3/L4減少因穿透光學元件而導致的損耗，則可以選擇圖1的配置方式。
請參閱圖3，其顯示依據本發明可見光多波長雷射裝置另一實施例的示意圖。如圖所示，多波長雷射裝置300中各元件和圖1中的元件性質相似，所以不需要贅述。與圖1不同之處 是，圖3的多波長雷射裝置300中的第一/第二/第三/第四雷射光L1/L2/L3/L4不限於以同樣的角度投射到第一/第二/第三/第四透鏡122/132/142/152，而是分別利用第一/第二/第三/第四透鏡122/132/142/152和該主要光路之間所形成的第一/第二/第三/第四透鏡角度θ1/θ2/θ3/θ4，讓第一/第二/第三/第四雷射光L1/L2/L3/L4被投射到該主要光路之上。此外，第一/第二/第三/第四透鏡122/132/142/152各具有面對定位可見光LA入射方向的第一表面122A/132A/142A/152A以及相對的第二表面122B/132B/142B/152B。為實現第一/第二/第三/第四透鏡122/132/142/152所需要的光學性質，可以選擇在各透鏡122/132/142/152其中一表面以鍍膜的方式來製作適用的光學膜。
以上的實施例中，第二雷射光源130、第三雷射光源140、和第四雷射光源150可以是單獨的雷射光源，或是利用第一雷射光L1透過頻率改變而分別產生第二/第三/第四雷射光L2/L3/L4的不同裝置。以下各自列舉一些以固態物理概念製作的雷射腔體實施例，本領域專業人士可以自行採用不同的雷射裝置。
圖8顯示一種將第一雷射光L1轉變成為第二雷射光L2的直線型共振腔230，沿著第一雷射光L1入射的方向配置有入射透鏡231、功能透鏡233、增益與拉曼介質235、倍頻晶體237和輸出鏡239。增益與拉曼介質235包含摻雜釹的釩酸鹽(例如摻雜釹的釩酸釔Nd：YVO4)，可吸收波長約為808奈米的第一雷射光L1，產生波長約為1342奈米的雷射光(未顯示)，倍頻晶體237是 一種三硼酸鋰(LBO)晶體以特別的切割角度來形成，可以將1342奈米的雷射光頻率加倍而產生波長約為671奈米的雷射光(未顯示)，在功能透鏡233和輸出鏡239形成駐波而最終輸出為第二雷射光L2。
圖9顯示一種將第一雷射光L1轉變成為第三雷射光L3的直線型共振腔240，沿著第一雷射光L1入射的方向配置有入射透鏡241、增益介質243、拉曼介質245、非線性晶體247和輸出鏡249。增益介質243包含摻雜釹的釩酸鹽，拉曼介質245包含摻鐿鎢酸釓鉀晶體(KGW)，非線性晶體247是另一種LBO晶體，直線型共振腔240接收第一雷射光L1而最終輸出波長約為579奈米的第三雷射光L3。依據另一實施例，增益介質243可以是一種具有釹摻雜的釔鋁石榴石(Nd：YAG)晶體，而拉曼介質245含摻雜釹的釩酸鹽(例如摻雜釹的釩酸釔Nd：YVO4)。
圖10顯示一種將第一雷射光L1轉變成為第四雷射光L4的直線型共振腔250，沿著第一雷射光L1入射的方向配置有入射透鏡251、增益介質253、倍頻晶體255和輸出鏡257。增益介質253包含摻雜釹的釩酸鹽，倍頻晶體255可以是包含磷酸鈦氧鉀(KTP)的非線性晶體，也可以是一種三硼酸鋰(LBO)晶體以特別的切割角度來形成。在上述組合成的直線型共振腔250，接收波長約808奈米的第一雷射光L1而最終輸出波長約為532奈米的第四雷射光L4。
本案雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本案的範 圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內所作之變動與修飾，皆應屬本案之涵蓋範圍。
100:多波長雷射裝置
110:定位光源
120:第一雷射光源
122:第一透鏡
130:第二雷射光源
132:第二透鏡
140:第三雷射光源
142:第三透鏡
150:第四雷射光源
152:第四透鏡
160:聚焦透鏡
170:光纖
LA:定位可見光
L1:第一雷射光
L2:第二雷射光
L3:第三雷射光
L4:第四雷射光
M1:第一面鏡
M2:第二面鏡
M3:第三面鏡
M4:第四面鏡

Claims (10)

  1. 一種用於光凝手術的雷射裝置，具有多波長的雷射源，其中該多波長雷射源具有一第一方向以及和該第一方向不相同的一第二方向，該雷射裝置包含：
    一定位光源，將一定位可見光沿該第一方向入射，其中該定位可見光具有一特定波長，且該特定波長約為635奈米；
    一第一雷射光源，將具有一第一波長的一第一雷射光沿該第二方向入射；
    一第一透鏡，位於該定位可見光的一主要光路上，配置以接收該第一雷射光，並將該第一雷射光沿該第一方向反射；
    一第二雷射光源，將具有一第二波長的一第二雷射光沿該第二方向入射；
    一第二透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第二雷射光，並將該第二雷射光沿該第一方向反射；
    一第三雷射光源，將具有一第三波長的一第三雷射光沿該第二方向入射；
    一第三透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第三雷射光，並將該第三雷射光沿該第一方向反射；
    一第四雷射光源，將具有一第四波長的一第四雷射光沿該第二方向入射；以及
    一第四透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第四雷射光，並將該第四雷射光沿該第一方向反射，其中：
    該第一波長大於該第二波長，該第二波長大於該特定波長，該特定波長大於該第三波長，該第三波長大於該第四波長，且該第一/第二/第三/第四 波長皆位於一可見光波段；
    該第一透鏡對於波長為一第一波段之光線具一第一高穿透性，其中該第一波段包括小於該第一波長之任何波長；
    該第二透鏡對於波長為一第二波段之光線具一第二高穿透性，其中該第二波段包括小於該第二波長之任何波長；
    該第三透鏡對於波長為一第三波段之光線具一第三高穿透性，其中該第三波段包括大於該第三波長之任何波長；
    該第四透鏡對於波長為一第四波段之光線具一第四高穿透性，其中該第四波段包括大於該第四波長之任何波長；
    該第一透鏡鄰近於該第二透鏡，且位於該第二透鏡的該主要光路的一下游位置；以及
    該第三透鏡鄰近於該第四透鏡，且位於該第四透鏡的該主要光路的一上游位置。
  2. 如請求項1所述的裝置，其中：
    該第一雷射光源包含一泵浦光源和一第一面鏡裝置；
    該泵浦光源提供該第一雷射光；
    該第一面鏡裝置配置以將該第一雷射光沿該第二方向入射；以及
    該裝置還包含：
    一聚焦透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該定位可見光和至少該第一/第二/第三/第四雷射光的其中之一；以及
    一光纖，配置以傳遞任何接收自該聚焦透鏡的光線，其中該第一透鏡對波長不小於該第一波長的光線具有一第一高反射性，該第二透鏡對波長不小於該第二波長的光線具有一第二高反射性，該第三透鏡對波長不大於該第三波長的光線具有一第三高反射性，且該第四透鏡對波長不大於 該第四波長的光線具有一第四高反射性。
  3. 如請求項2所述的裝置，其中該第二雷射光源具有一增益與拉曼介質和一第一倍頻晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第二雷射光。
  4. 如請求項2所述的裝置，其中該三雷射光源具有一第一增益介質、一拉曼介質和一非線性晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第三雷射光。
  5. 如請求項2所述的裝置，其中該四雷射光源具有一第二增益介質和一第二倍頻晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第四雷射光。
  6. 一種多波長雷射裝置，具有一第一方向以及和該第一方向不相同的一第二方向，該雷射裝置包含：
    一定位光源，將一定位可見光沿該第一方向入射，其中該定位可見光具有一特定波長；
    一第一雷射光源，將具有一第一波長的一第一雷射光沿該第二方向入射；
    一第一透鏡，位於該定位可見光的一主要光路上，配置以接收該第一雷射光，並將該第一雷射光沿該第一方向反射；
    一第二雷射光源，將具有一第二波長的一第二雷射光沿該第二方向入射；
    一第二透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第二雷射光，並將該第二雷射光沿該第一方向反射；
    一第三雷射光源，將具有一第三波長的一第三雷射光沿該第二方向入射；
    一第三透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第三雷射光，並將該第三雷射光沿該第一方向反射；
    一第四雷射光源，將具有一第四波長的一第四雷射光沿該第二方向入 射；以及
    一第四透鏡，位於該主要光路上，配置以接收該第四雷射光，並將該第四雷射光沿該第一方向反射，其中：
    該第一波長大於該第二波長，該第二波長大於該特定波長，該特定波長大於該第三波長，且該第三波長大於該第四波長；
    該第一透鏡對於波長為一第一波段之光線具一第一高穿透性，其中該第一波段包括小於該第一波長之任何波長；
    該第二透鏡對於波長為一第二波段之光線具一第二高穿透性，其中該第二波段包括小於該第二波長之任何波長；
    該第三透鏡對於波長為一第三波段之光線具一第三高穿透性，其中該第三波段包括大於該第三波長之任何波長；
    該第四透鏡對於波長為一第四波段之光線具一第四高穿透性，其中該第四波段包括大於該第四波長之任何波長；
    該第一透鏡鄰近於該第二透鏡，且位於該第二透鏡的該主要光路的一下游位置；以及
    該第三透鏡鄰近於該第四透鏡，且位於該第四透鏡的該主要光路的一上游位置。
  7. 如請求項6所述的裝置，其中該第一雷射光源包含一泵浦光源和一第一面鏡裝置，該泵浦光源提供該第一雷射光，該第一面鏡裝置配置以將該第一雷射光沿該第二方向入射，該特定波長約為635奈米，該第一、該第二、該第三、和該第四雷射光都是可見光，該第一透鏡對波長不小於該第一波長的光線具有一第一高反射性，該第二透鏡對波長不小於該第二波長的光線具有一第二高反射性，該第三透鏡對波長不大於該第三波長的光線具有一第三高反射性，且該第四透鏡對波長不大於該第四波長的光線具有一第 四高反射性。
  8. 如請求項7所述的裝置，其中該第二雷射光源具有一增益與拉曼介質和一第一倍頻晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第二雷射光。
  9. 如請求項6所述的裝置，其中該第三雷射光源具有一第一增益介質、一拉曼介質和一非線性晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第三雷射光。
  10. 如請求項6所述的裝置，其中該第四雷射光源具有一第二增益介質和一第二倍頻晶體，並配置以接收該第一雷射光來產生該第四雷射光。
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