TWI784413B - 電路基板以及電路基板的應變量的測量方法 - Google Patents

Abstract

一種電路基板，包括多個塊狀結構以及多個橋接結構。多個塊狀結構沿著第一方向以及第二方向陣列。第一方向垂直於第二方向。各塊狀結構包括第一軟性基底以及位於第一軟性基底上的主動元件。各橋接結構連接對應的兩個塊狀結構。各橋接結構包括第二軟性基底以及位於第二軟性基底上的訊號線。第二軟性基底以及訊號線位於對應的兩個塊狀結構之間。訊號線電性連接至對應的主動元件。至少部分橋接結構各自更包括第一應變量量測走線。第一應變量量測走線位於第二軟性基底上，且位於對應的兩個塊狀結構之間。

Description

電路基板以及電路基板的應變量的測量方法

本發明是有關於一種電路基板以及電路基板的應變量的測量方法，且特別是有關於一種具有應變量量測走線的電路基板以及電路基板的應變量的測量方法。

隨著顯示技術的高度發展，顯示裝置的技術不斷推陳出新。為使顯示裝置能結合於不平整面(例如球形表面或凹凸起伏的表面)，可拉伸的特性逐漸受到重視。也就是說，為了提升產品外觀的多樣性，需要將顯示裝置貼合於非平整的表面。為了使顯示裝置能因應不同的表面形狀而變形，顯示裝置需要具有可拉伸性。

然而，顯示裝置在被拉伸的狀態下，可能會因為承受應力造成結構上的斷裂，甚至進一步造成內部線路的斷路。因此，如何使可拉伸的顯示裝置具有良好的製造良率(yield)及產品可靠度(reliability)，實為目前亟欲解決的課題。

本發明提供一種電路基板，能檢測電路基板中不同位置的應變量。

本發明提供一種電路基板的應變量的測量方法，能檢測電路基板中不同位置的應變量。

本發明的至少一實施例提供一種電路基板。電路基板包括多個塊狀結構以及多個橋接結構。多個塊狀結構沿著第一方向以及第二方向陣列。第一方向垂直於第二方向。各塊狀結構包括第一軟性基底以及位於第一軟性基底上的主動元件。各橋接結構連接對應的兩個塊狀結構。各橋接結構包括第二軟性基底以及位於第二軟性基底上的訊號線。第二軟性基底以及訊號線位於對應的兩個塊狀結構之間。訊號線電性連接至對應的主動元件。至少部分橋接結構各自更包括第一應變量量測走線。第一應變量量測走線位於第二軟性基底上，且位於對應的兩個塊狀結構之間，其中該些橋接結構的該些第一應變量量測走線包括兩種以上的結構。

本發明的至少一實施例提供一種電路基板的應變量的測量方法，包括：提供電路基板；彎曲電路基板；以及檢測第一應變量量測走線的狀況。電路基板包括多個塊狀結構以及多個橋接結構。多個塊狀結構沿著第一方向以及第二方向陣列，其中第一方向垂直於該第二方向。各塊狀結構包括第一軟性基底以及位於第一軟性基底上的主動元件。各橋接結構連接對應的兩個塊狀結構。各橋接結構包括位於對應的兩個塊狀結構之間的第二軟性基 底以及訊號線。訊號線位於第二軟性基底上。訊號線電性連接至對應的主動元件。至少部分橋接結構各自更包括位於第二軟性基底上的第一應變量量測走線。第一應變量量測走線位於對應的兩個塊狀結構之間。

10、10a、10b、10c、10d、10e:電路基板

100:塊狀結構

110:第一軟性基底

120、220、320:緩衝層

122、322:第一絕緣層

124、324:第二絕緣層

126、326:第三絕緣層

128、328:第四絕緣層

130、330:閘絕緣層

140、340:層間介電層

142、342:第一層間介電層

144、344:第二層間介電層

150、350:保護層

160、260、360:平坦層

200:橋接結構

210:第二軟性基底

310:第三軟性基底

AL:黏著層

CH:通道層

CL、L1、L2、L3、L4:訊號線

CSB:多曲面基板

D:汲極

DL:資料線

DR1:第一方向

DR2:第二方向

E1:第一電極

G:閘極

LD:顯示元件

ML1、ML1a、ML1b、ML1c、ML1d:第一應變量量測走線

ML2:第二應變量量測走線

ML3:第三應變量量測走線

ML4:第四應變量量測走線

O、O1、O2、O3:凹槽

P1、P2:接墊

S:源極

SE:電極

SP1、SP2、SP3:子書素

SL:掃描線

T:主動元件

W1、W2:寬度

X、X1、X2:長度

圖1A至圖1E是依照本發明的一實施例的一種電路基板的應變量的測量方法的示意圖。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸前的局部上視示意圖。

圖2B是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。

圖2C是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種電路基板的不同位置的第一應變量量測走線的剖面示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。

圖6A是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸前的 局部上視示意圖。

圖6B是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。

圖6C是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。

圖7是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。

圖8是以電腦模擬程序模擬虛擬基板在彎曲後的應變量模擬圖。

圖1A至圖1E是依照本發明的一實施例的一種電路基板的應變量的測量方法的示意圖。

圖1A是以電腦模擬程序模擬虛擬基板在彎曲後的應變量模擬圖。請參考圖1A，以電腦模擬程序模擬虛擬基板在彎曲後在不同區域的應變量。舉例來說，將一平整的軟性基板設置於如圖1A所示的非平面硬質基板(例如玻璃基板、陶瓷基板或金屬基板)上之後，前述軟性基板在不同區域產生不一樣的應變量(拉伸量或收縮量)。

在圖1A的實施例中，軟性基板(例如電路基板)在彎曲後中央區域的應變量較大，而四個角落的應變量相對較小。由此可知，在將軟性基板貼合至圖1A實施例中的非平面硬質基板之後， 軟性基板在中央區域的拉伸量較在四個角落的拉伸量大。換句話說，軟性基板在不同位置處產生不一樣的應變量。

在本實施例中，非平面硬質基板為雙曲面硬質基板，但本發明不以為限。在其他實施例中，非平面硬質基板為單曲面硬質基板、三曲面硬質基板或其他多曲面硬質基板。

圖1B是本發明一實施例的一種電路基板的上視示意圖。圖1C是本發明一實施例的一種電路基板的剖面示意圖，其中圖1C對應了圖1B的線a-a’、線b-b’以及圖1B未繪示的晶片接合區。圖1D是本發明一實施例的一種電路基板的剖面示意圖，其中圖1D對應了圖1B的線c-c’、線d-d’、線e-e’以及線f-f’。

圖1B繪出了塊狀結構100的第一軟性基底110與子畫素SP1、SP2、SP3以及橋接結構200的第二軟性基底210、訊號線CL以及第一應變量量測走線ML1，並省略繪示其他構件。

請參考圖1B，電路基板10包括多個塊狀結構100以及多個橋接結構200。在本實施例中，電路基板10為具有多個通孔的網狀結構，因此，電路基板10可以在外力的影響下伸縮。

多個塊狀結構100沿著第一方向DR1以及第二方向DR2陣列。第一方向DR1垂直於第二方向DR2。在本實施例中，電路基板10適用於顯示裝置，且各塊狀結構100包括由子畫素SP1、SP2、SP3構成的畫素，但本發明不以此為限。在其他實施例中，塊狀結構100適用於其他電子裝置。

請參考圖1B與圖1C，塊狀結構100包括第一軟性基底 110以及位於第一軟性基底110上的主動元件T。在本實施例中，塊狀結構100還包括顯示元件LD，子畫素SP1、SP2、SP3中的每一個包括一個主動元件T以及一個顯示元件LD。

第一軟性基底110位於電路基板10的顯示區DA中，且材料包括聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚碸(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)、其它合適的材料或前述至少二種材料之組合，但本發明不以此為限。

緩衝層120位於第一軟性基底110上。緩衝層120為單層或多層結構。在本實施例中，緩衝層120包括第一絕緣層122、第二絕緣層124、第三絕緣層126以及第四絕緣層128，且第一絕緣層122、第二絕緣層124、第三絕緣層126以及第四絕緣層128依序堆疊於第一軟性基底110上。在一些實施例中，第一絕緣層122與第三絕緣層126的材質包括氮化矽，且第二絕緣層124以及第四絕緣層128的材質包括氧化矽，但本發明不以此為限。在其他實施例中，緩衝層120包括氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、有機絕緣層或其他絕緣材料或前述絕緣材料的組合。

主動元件T位於緩衝層120上。主動元件T包括通道層CH、閘極G、源極S與汲極D。閘極G電性連接至訊號線CL(例如掃描線SL)。閘極G重疊於通道層CH，且閘極G與通道層CH 之間夾有閘絕緣層130。層間介電層140覆蓋閘極G。源極S與汲極D位於層間介電層140上，且分別透過貫穿層間介電層140以及閘絕緣層130的開口而電性連接至通道層CH。層間介電層140為單層或多層結構。在本實施例中，層間介電層140包括第一層間介電層142以及第二層間介電層144，第一層間介電層142以及第二層間介電層144依序堆疊於閘極G上。在一些實施例中，第一層間介電層142的材質包括氮化矽，且第二層間介電層144的材質包括氧化矽，但本發明不以此為限。在其他實施例中，層間介電層140包括氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、有機絕緣層或其他絕緣材料或前述絕緣材料的組合。

在本實施例中，塊狀結構100選擇性地包括電極SE，電極SE重疊於閘極G，並可作為電容的電極，但本發明不以此為限。在一些實施例中，電極SE設置於第一層間介電層142中，第一層間介電層142例如為多層結構。

在本實施例中，主動元件T是以頂部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件T也可以是底部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。

訊號線L1、L2、L3位於層間介電層140上。訊號線L1與訊號線L2分別電性連接閘極G以及電極SE。在本實施例中，訊號線L1、L2、L3、源極S與汲極D屬於相同導電層，且是於同一道圖案化製程所形成。訊號線L3可作為資料線、電源線或陣列上閘極區動電路(Gate on Array)的走線。

保護層150位於訊號線L1、L2、L3、源極S與汲極D上。平坦層160位於保護層150上。第一電極E1位於平坦層160上，且透過貫穿平坦層160以及保護層150的開口而電性連接至主動元件T的汲極D。顯示元件LD位於第一電極E1上。顯示元件LD例如為有機發光二極體或無機發光二極體。平坦層160的材質例如包括有機絕緣材料或其他合適的材料。

請繼續參考圖1B與圖1C，各橋接結構200連接對應的兩個塊狀結構100。橋接結構200的寬度W2小於塊狀結構100的寬度W1。各橋接結構200包括第二軟性基底210以及位於第二軟性基底210上的訊號線CL。第二軟性基底210以及訊號線CL位於對應的兩個塊狀結構100之間。

第二軟性基底210位於電路基板10的顯示區DA中。第二軟性基底210與第一軟性基底110包括相同或不同的材料。在本實施例中，第二軟性基底210連接第一軟性基底110，且第二軟性基底210與第一軟性基底110包括相同的材料。

緩衝層220位於第二軟性基底210上。緩衝層220例如與緩衝層120的第一絕緣層122相連。在本實施例中，緩衝層220為單層結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，緩衝層220為多層結構。在本實施例中，緩衝層220的厚度小於緩衝層120的厚度，因此有助於使橋接結構200易於拉伸。

訊號線CL位於緩衝層220上。在本實施例中，每個橋接結構200中之訊號線CL的數量可以依照需求而進行調整。在本實 施例中，每個橋接結構200中之訊號線CL可以為沿著第一方向DR1延伸的掃描線SL或沿著第二方向DR2延伸的資料線DL。在本實施例中，部分橋接結構200之訊號線CL為掃描線SL，且另一部分橋接結構200之訊號線CL為資料線DL。在本實施例中，訊號線CL延伸至裝置部100，並電性連接對應的主動元件T。在本實施例中，資料線DL電性連接至對應的主動元件T的源極S，且掃描線SL透過訊號線L1而電性連接至對應的主動元件T的閘極G。

在本實施例中，訊號線CL的形狀為波浪形、鋸齒形、彈簧形或其他類似的形狀，藉此降低訊號線CL在拉伸後斷裂的機率。

至少部分橋接結構200各自更包括第一應變量量測走線ML1。在本實施例中，每個橋接結構200都包括第一應變量量測走線ML1。在其他實施例中，只有部分的橋接結構200包括第一應變量量測走線ML1。

第一應變量量測走線ML1位於第二軟性基底210上，且位於對應的兩個塊狀結構100之間。在本實施例中，第一應變量量測走線ML1位於緩衝層220上。

在本實施例中，第一應變量量測走線ML1的結構是基於圖1A所示之電腦模擬程序所獲得的模擬結果所決定。舉例來說，由電腦模擬程序可知電路基板10在彎曲後會於不同的區域產生不一樣的應變量(應變)。因此，基於模擬結果，設置不同結構的第一 應變量量測走線ML1，使橋接結構200的第一應變量量測走線ML1包括兩種以上的結構。

請參考圖1B與圖1D，部分第一應變量量測走線ML1分別具有不同尺寸的凹槽O1、O2、O3。另一部分第一應變量量測走線ML1不具有凹槽。在本實施例中，凹槽O3的寬度大於凹槽O2的寬度，且凹槽O2的寬度大於凹槽O1的寬度。在本實施例中，不具有凹槽的第一應變量量測走線ML1較不容易因為應變(拉伸)而斷裂，而凹槽寬度越大的第一應變量量測走線ML1越容易因為應變(拉伸)而斷裂。

在本實施例中，由圖1A的模擬結果可知，電路基板10在彎曲後，中央區域會產生較大的應變量(拉伸量)，因此，於電路基板10的中央區域設置不具有凹槽或凹槽寬度相對較小的第一應變量量測走線ML1。電路基板10在彎曲後，四個角落會產生較小的應變量(拉伸量)，因此，於電路基板10的四個角落設置凹槽寬度相對較大的第一應變量量測走線ML1。

在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1可承受的應變量大於模擬結果獲得之應變量。舉例來說，假設在其中一個區域中，模擬結果顯示該區域的拉伸量為9%，則對應該區域的第一應變量量測走線ML1設計為可以承受10%拉伸量之結構，例如調整凹槽的寬度，使第一應變量量測走線ML1在拉伸量為10%時斷裂。

在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1可以承受的 拉伸量大於模擬結果獲得之拉伸量0.1%至5%。

在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1與訊號線CL屬於相同的導電層，且是於同一道圖案化製程所形成。在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1、訊號線CL、訊號線L1、L2、L3、源極S與汲極D屬於相同的導電層。在其他實施例中，第一應變量量測走線ML1與訊號線CL屬於不同的導電層。

在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1的材料包括金屬(例如鈦、鋁、鉬或前述金屬的堆疊層)、奈米銀線或其他合適的材料。在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1可以作為備用的導線。舉例來說，第一應變量量測走線ML1可以為修復製程中使用的修復訊號線。在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1為浮置(floating)的結構或電性連接至其他元件的結構。

在本實施例中，各橋接結構200還包括平坦層260。平坦層260位於訊號線CL上。平坦層260例如與平坦層160為相同材料，且彼此直接相連。

電路基板10的晶片接合區BA(圖1B未繪示)包括第三軟性基底310、位於第三軟性基底上的緩衝層320、閘絕緣層330、接墊P1、層間介電層340、接墊P2、訊號線L4、保護層350以及平坦層360。

第三軟性基底310例如與第一軟性基底110以及第二軟性基底210包括相同材料。第三軟性基底310例如連接第一軟性基底110及/或第二軟性基底210。

緩衝層320位於第三軟性基底310，緩衝層320例如與緩衝層120或緩衝層220相連。在本實施例中，緩衝層320為多層結構，且包括第一絕緣層322、第二絕緣層324、第三絕緣層326以及第四絕緣層328，且第一絕緣層322、第二絕緣層324、第三絕緣層326以及第四絕緣層328依序堆疊於第三軟性基底310上。在一些實施例中，第一絕緣層322與第三絕緣層326的材質包括氮化矽，且第二絕緣層324以及第四絕緣層328的材質包括氧化矽，但本發明不以此為限。在其他實施例中，緩衝層320包括氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、有機絕緣層或其他絕緣材料或前述絕緣材料的組合。

閘絕緣層330位於緩衝層320上。接墊P1位於閘絕緣層330上。接墊P1與閘極G例如屬於相同導電層，且是於同一道圖案化製程所形成。

層間介電層340位於閘絕緣層330上。層間介電層340為單層或多層結構。在本實施例中，層間介電層340包括第一層間介電層342以及第二層間介電層344，第一層間介電層342以及第二層間介電層344依序堆疊於接墊P1上。在一些實施例中，第一層間介電層342的材質包括氮化矽，且第二層間介電層344的材質包括氧化矽，但本發明不以此為限。在其他實施例中，層間介電層340包括氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、有機絕緣層或其他絕緣材料或前述絕緣材料的組合。

接墊P2以及訊號線L4位於層間介電層340上。接墊P2 以及訊號線L4透過層間介電層340的開口而電性連接至接墊P1。接墊P2適用於連接外接電路，例如晶片、電路板或其他外接裝置。訊號線L4電性連接至訊號線CL以將施加於接墊P2上的訊號傳遞至訊號線CL。

保護層350位於接墊P2以及訊號線L4上。平坦層360位於保護層350上。

請參考圖1E，彎曲電路基板10以獲得彎曲的電路基板10a。在本實施例中，彎曲電路基板10的方法包括將塊狀結構100、橋接結構200以及電路基板10的晶片接合區BA黏貼於多曲面基板CSB。舉例來說，透過黏著層AL將電路基板10黏貼於多曲面基板CSB。需注意的是，圖1E未呈現電路基板10a的彎曲狀態，電路基板10a的巨觀彎曲狀態可以參考圖1A的模擬圖。

多曲面基板CSB例如與圖1A所模擬的非平面硬質基板具有相同的表面結構，因此，電路基板10a中不同區域的應變量應類似於圖1A的模擬結果。在一些實施例中，部分橋接結構200具有不同的應變量。

藉由顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1的狀況。在本實施例中，藉由觀測電路基板10a中不同區域的第一應變量量測走線ML1是否斷裂可以得知電路基板10a中不同區域的應變量(拉伸量)。舉例來說，當可以承受10%拉伸量的第一應變量量測走線ML1斷裂時，即可得知前述斷裂之第一應變量量測走線ML1所在的位置的拉伸量大於10%。

基於上述，藉由第一應變量量測走線ML1的設置，能檢測電路基板10a中不同位置的應變量，藉此判斷電路基板10a在不同位置的應變量是否超出預期的應變量。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸前的局部上視示意圖。圖2B是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。圖2C是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖2A至圖2C的實施例沿用圖1A至圖1E的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖2A與圖2B，第一應變量量測走線ML1在拉伸前之長度為X，在拉伸後之長度為X1。第一應變量量測走線ML1設計為可以承受10%拉伸量的結構，即拉伸後之第一應變量量測走線ML1的拉伸量X1若小於1.1X，則第一應變量量測走線ML1不會斷裂。因此，若以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1時發現第一應變量量測走線ML1沒有斷裂，則可以判斷第一應變量量測走線ML1的拉伸量小於1.1X。

請參考圖2A與圖2C，第一應變量量測走線ML1在拉伸前之長度為X，在拉伸後之長度為X2。第一應變量量測走線ML1設計為可以承受10%拉伸量的結構，即拉伸後之第一應變量量測走線ML1的拉伸量X2若大於1.1X，則第一應變量量測走線ML1 會斷裂。因此，若以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1時發現第一應變量量測走線ML1斷裂，則可以判斷所檢測之位置處之第一應變量量測走線ML1的拉伸量大於1.1X。

圖3是依照本發明的一實施例的一種電路基板的不同位置的第一應變量量測走線的剖面示意圖。舉例來說，對應圖1A的線c-c’、線d-d’、線e-e’以及線f-f’的位置。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖3的電路基板10b與圖1A至圖1D的電路基板10的差異在於：圖3的電路基板10b的部分第一應變量量測走線ML1分別具有不同數量的凹槽O。

在本實施例中，藉由調整凹槽O的數量來改變第一應變量量測走線ML1所能承受的應變量。舉例來說，若凹槽O的數量越多且越密集，則第一應變量量測走線ML1越容易因為應變而斷裂。

基於上述，藉由第一應變量量測走線ML1的設置，能檢測電路基板10b中不同位置的應變量，藉此判斷電路基板10b在不同位置的應變量是否超出預期的應變量。

圖4是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖1D的實 施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖4的電路基板10c與圖1A至圖1D的電路基板10的差異在於：電路基板10c的至少部分橋接結構200包括多條應變量量測走線。

請參考圖4，在本實施例中，部分橋接結構200(例如位於四個角落的橋接結構200以及位於中央的橋接結構200)包括第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4。第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4皆位於第二軟性基底210上。

在本實施例中，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2以及第三應變量量測走線ML3分別包括凹槽O1、凹槽O2以及凹槽O3。凹槽O1、凹槽O2以及凹槽O3具有不同的尺寸。第四應變量量測走線ML4不具有凹槽。

在本實施例中，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2以及第三應變量量測走線ML3具有不同尺寸的凹槽，且第四應變量量測走線ML4不具有凹槽，因此，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4在斷裂前可以承受的應變量(拉伸量)不同。

在電路基板10c被彎曲以後，以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4的斷裂狀況來判斷電路基板10c在不同位置處的應變量。舉例來說，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4能承受的伸縮量分別為6%、8%、10%以及12%，若第一應變量量測走線ML1以及第二應變量量測走線ML2斷裂，而第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4沒有斷裂，則可以判斷顯微鏡所檢測之區域的拉伸量介於8%至10%之間。

圖5是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖5，電路基板10d的至少部分橋接結構200各自包括第一應變量量測走線ML1。在本實施例中，每個橋接結構200都包括第一應變量量測走線ML1。在其他實施例中，只有部分的橋接結構200包括第一應變量量測走線ML1。

第一應變量量測走線ML1位於第二軟性基底210上，且位於對應的兩個塊狀結構100之間。在本實施例中，第一應變量量測走線ML1位於緩衝層220上。

在本實施例中，第一應變量量測走線ML1的結構是基於圖1A所示之電腦模擬程序所獲得的模擬結果所決定。舉例來說，由電腦模擬程序可知電路基板10d在彎曲後會於不同的區域產生不一樣的應變量(應變)。因此，基於模擬結果，設置不同結構的第一應變量量測走線ML1，使橋接結構200的第一應變量量測走線ML1包括兩種以上的結構。

在本實施例中，部分第一應變量量測走線ML1分別具有不同的長度，不同長度的第一應變量量測走線ML1在承受不同的拉伸量時會呈現不一樣的狀態。舉例來說，第一應變量量測走線ML1包括長度由短至長的第一應變量量測走線ML1a、第一應變量量測走線ML1b、第一應變量量測走線ML1c、第一應變量量測走線ML1d。在相同的拉伸量時，長度較短的第一應變量量測走線ML1a會被拉直，而長度較長的第一應變量量測走線ML1d不會被拉直。前述的長度指的是第一應變量量測走線ML1a~ML1d的實體部位中由其中一端至另一端的路徑長。

在本實施例中，由圖1A的模擬結果可知，電路基板10d在彎曲後，中央區域會產生較大的應變量(拉伸量)，因此，於電路基板10d的中央區域設置長度相對較長的第一應變量量測走線ML1d。電路基板10d在彎曲後，四個角落會產生較小的應變量(拉伸量)，因此，於電路基板10d的四個角落設置長度相對較小的第一應變量量測走線ML1a。

在一些實施例中，拉直第一應變量量測走線ML1所需的 應變量約等於模擬結果獲得之應變量。舉例來說，假設在其中一個區域中，模擬結果顯示該區域的拉伸量為10%，則對應該區域的第一應變量量測走線ML1設計為在承受10%拉伸量時會被拉直，例如調整第一應變量量測走線ML1的長度，使第一應變量量測走線ML1在拉伸量為10%時被拉直。

在一些實施例中，第一應變量量測走線ML1包括彈性材料，例如奈米銀線、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、聚氨酯(Polyurethane，PU)或其他有彈性的材料。

圖6A是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸前的局部上視示意圖。圖6B是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。圖6C是依照本發明的一實施例的一種電路基板在拉伸後的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1A至圖1E的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6A與圖6B，第一應變量量測走線ML1在拉伸前之長度(此處指的是兩端的直線距離)為X，在拉伸後之長度(此處指的是兩端的直線距離)為X1。第一應變量量測走線ML1設計為在拉伸10%時被拉直，即拉伸後之第一應變量量測走線ML1的拉伸量X1若大於或等於1.1X，則第一應變量量測走線ML1被拉直。因此，若以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1時發現第一 應變量量測走線ML1被拉直，則可以判斷第一應變量量測走線ML1的拉伸量大於或等於1.1X。

請參考圖6A與圖6C，第一應變量量測走線ML1在拉伸前之長度(此處指的是兩端的直線距離)為X，在拉伸後之長度(此處指的是兩端的直線距離)為X2。第一應變量量測走線ML1設計為在拉伸10%時被拉直，即拉伸後之第一應變量量測走線ML1的拉伸量X2若小於1.1X，則第一應變量量測走線ML1不會被拉直。因此，若以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1時發現第一應變量量測走線ML1沒有被拉直，則可以判斷第一應變量量測走線ML1的拉伸量小於1.1X。

圖7是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖7的電路基板10e與圖5的電路基板10d的差異在於：電路基板10e的至少部分橋接結構200包括多條應變量量測走線。

請參考圖7，在本實施例中，部分橋接結構200(例如位於四個角落的橋接結構200以及位於中央的橋接結構200)包括第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4。第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及 第四應變量量測走線ML4皆位於第二軟性基底210上。

在本實施例中，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4分別具有不同的長度，因此，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4被拉直所需的最小拉伸量彼此不同。

在電路基板10e被彎曲以後，以顯微鏡檢測第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4的拉伸狀況來判斷電路基板10d在不同位置處的應變量。舉例來說，第一應變量量測走線ML1、第二應變量量測走線ML2、第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4被拉直所需的最小拉伸量分別為6%、8%、10%以及12%，若第一應變量量測走線ML1以及第二應變量量測走線ML2被拉直，而第三應變量量測走線ML3以及第四應變量量測走線ML4沒有被拉直，則可以判斷顯微鏡所檢測之區域的拉伸量介於8%至10%之間。

圖8是以電腦模擬程序模擬虛擬基板在彎曲後的應變量模擬圖。請參考圖8，以電腦模擬程序模擬虛擬基板在彎曲後在不同區域的應變量。舉例來說，將一平整的軟性基板設置於如圖8所示的非平面硬質基板(例如玻璃基板、陶瓷基板或金屬基板)上之後，前述軟性基板在不同區域產生不一樣的應變量(拉伸量或收縮量)。

在圖8的實施例中，軟性基板(例如電路基板)在彎曲後中央區域以及左右兩側的應變量較大，而四個角落以及前後兩側的應變量相對較小。

在一些實施例中，基於圖8的模擬結果設置第一應變量量測走線。換句話說，若要將電路基板彎曲成如圖8所示的多曲面時，可以依據圖8的模擬結果決定不同位置的第一應變量量測走線的結構。

綜上所述，藉由第一應變量量測走線的設置，能檢測電路基板中不同位置的應變量，藉此判斷電路基板在不同位置的應變量是否超出預期的應變量。

10:電路基板

100:塊狀結構

200:橋接結構

CL:訊號線

DL:資料線

DR1:第一方向

DR2:第二方向

ML1:第一應變量量測走線

O1、O2、O3:凹槽

SL:掃描線

SP1、SP2、SP3:子畫素

W1、W2:寬度

Claims (14)

1. 一種電路基板，包括：多個塊狀結構，沿著一第一方向以及一第二方向陣列，其中該第一方向垂直於該第二方向，各該塊狀結構包括：一第一軟性基底；以及一主動元件，位於該第一軟性基底上；以及多個橋接結構，各該橋接結構連接對應的兩個塊狀結構，各該橋接結構包括：一第二軟性基底，且位於該對應的兩個塊狀結構之間；一訊號線，位於該第二軟性基底上，且位於該對應的兩個塊狀結構之間，且該訊號線電性連接至對應的該主動元件，其中該些橋接結構中的一第一橋接結構與一第二橋接結構各自更包括：一第一應變量量測走線，位於該第二軟性基底上，且位於該對應的兩個塊狀結構之間，其中：該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同尺寸的凹槽或不同數量的凹槽；或該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同的長度。
2. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同尺寸的凹槽。
3. 如請求項2所述的電路基板，其中該些橋接結構中的該第一橋接結構、該第二橋接結構以及一第三橋接結構各自包括該第一應變量量測走線，且該第三橋接結構的該第一應變量量測走線不具有凹槽。
4. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同數量的凹槽。
5. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同的長度。
6. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線的材料包括金屬或奈米銀線。
7. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構與該第二橋接結構各自更包括：一第二應變量量測走線，位於該第二軟性基底上，其中該第一橋接結構與該第二橋接結構各自的該第一應變量量測走線與該第二應變量量測走線有不同尺寸的凹槽。
8. 如請求項1所述的電路基板，其中該第一橋接結構與該第二橋接結構各自更包括：一第二應變量量測走線，位於該第二軟性基底上，其中該第一橋接結構與該第二橋接結構各自的該第一應變量量測走線與該第二應變量量測走線有不同的長度。
9. 如請求項1所述的電路基板，更包括：一多曲面基板，該些塊狀結構以及該些橋接結構黏貼於該多曲面基板上，其中部分該些橋接結構具有不同的應變量。
10. 一種電路基板的應變量的測量方法，包括：提供一電路基板，該電路基板包括：多個塊狀結構，沿著一第一方向以及一第二方向陣列，其中該第一方向垂直於該第二方向，各該塊狀結構包括：一第一軟性基底；以及一主動元件，位於該軟性基底上；以及多個橋接結構，各該橋接結構連接對應的兩個塊狀結構，各該橋接結構包括：一第二軟性基底，且位於該對應的兩個塊狀結構之間；一訊號線，位於該第二軟性基底上，且位於該對應的兩個塊狀結構之間，且該訊號線電性連接至對應的該主動元件，其中該些橋接結構中的一第一橋接結構與一第二橋接結構各自更包括： 一第一應變量量測走線，位於該第二軟性基底上，且位於該對應的兩個塊狀結構之間，其中：該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同尺寸的凹槽或不同數量的凹槽；或該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同的長度；彎曲該電路基板；以及檢測該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線的狀況。
11. 如請求項10所述的測量方法，更包括：以電腦模擬程序模擬一虛擬基板在彎曲後在不同區域的應變量，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線的結構是基於該電腦模擬程序所獲得的模擬結果所決定。
12. 如請求項10所述的測量方法，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同尺寸的凹槽。
13. 如請求項10所述的測量方法，其中該第一橋接結構的該第一應變量量測走線與該第二橋接結構的該第一應變量量測走線分別具有不同的長度。
14. 如請求項10所述的測量方法，其中彎曲該電路基板的方法包括將該些塊狀結構以及該些橋接結構黏貼於一多曲面基板上。

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