TWI714515B

TWI714515B - 用於功率放大器的溫度補償電路

Info

Publication number: TWI714515B
Application number: TW109120297A
Authority: TW
Inventors: 惠慶簡
Original assignee: 立積電子股份有限公司
Priority date: 2020-06-17
Filing date: 2020-06-17
Publication date: 2020-12-21
Also published as: TW202201897A; CN113809991B; US11303256B2; US20210399698A1; CN113809991A

Abstract

本發明揭露一種用於功率放大器的溫度補償電路，其中功率放大器在特定環境溫度下的電路配置資料（其包含輸出端電壓、偏壓電壓、適應性偏壓及匹配阻抗資料）儲存在唯讀記憶體。因此，溫度補償電路可根據溫度感測訊號來讀取電路配置資料，據以調整功率放大器的電路配置，使得功率放大器在輸入功率不變的情況下，當環境溫度在第一區間內變動時，功率放大器的輸出功率的變異率在於第二區間（例如，-10%～+10%）內。因此，本發明的功率放大器可具有穩定的增益。

Description

用於功率放大器的溫度補償電路

本發明係指一種溫度補償電路，尤指一種用於功率放大器的溫度補償電路。

射頻功率放大器係作為各種無線通訊系統發射機中的關鍵部件，因此對射頻功率放大器的線性有一定的要求。然而，功率放大器在不同溫度時的工作特性(如輸出功率)會發生漂移，使得功率放大器的線性（例如，輸入功率對輸出功率的增益）發生變化，從而影響整個射頻系統的效能。

為解決功率放大器的線性受溫度影響的問題，實有必要提供一種用於功率放大器的溫度補償電路，使得功率放大器具有穩定的增益。

因此，本發明的主要目的即在於提供一種用於功率放大器的溫度補償電路，使得功率放大器具有穩定的增益。

本發明揭露一種溫度補償電路，用於一功率放大器，該功率放大器用於一訊號輸入端輸入一交流訊號以及於一訊號輸出端輸出放大後之該交流訊號。該溫度補償電路包含一溫度感應器、一可控輸出端電壓產生器、一可控偏壓電壓產生器、一適應性偏壓控制電路、一可控阻抗匹配電路以及一唯讀記憶體。該溫度感應器用來感測該功率放大器的一環境溫度以產生一溫度感測訊號。該可控輸出端電壓產生器耦接於該功率放大器的該訊號輸出端，用來根據一第一控制訊號，調整提供至該功率放大器的該訊號輸出端的一輸出端電壓。該可控偏壓電壓產生器耦接於該功率放大器的該訊號輸入端，用來根據一第二控制訊號，提供一偏壓電壓至該功率放大器的該訊號輸入端。該適應性偏壓控制電路用來產生隨著該交流訊號的功率而適應性地改變的一適應性偏壓調整該偏壓電壓，該適應性偏壓控制電路耦接於該可控偏壓電壓產生器，更用來根據一第三控制訊號，調整該適應性偏壓隨著該交流訊號的功率而適應性地改變的程度。該可控阻抗匹配電路耦接於該功率放大器該訊號輸入端或該訊號輸出端，用來根據一第四控制訊號，調整提供該功率放大器的一匹配阻抗。該唯讀記憶體，耦接於該溫度感應器、該可控輸出端電壓產生器、該可控偏壓電壓產生器、該適應性偏壓控制電路以及該可控阻抗匹配電路，用來儲存該功率放大器在不同環境溫度下所對應的該輸出端電壓、該偏壓電壓、該適應性偏壓以及該匹配阻抗的資料。其中，該輸出端電壓、該偏壓電壓、該適應性偏壓以及該匹配阻抗的資料用以根據該溫度感測訊號，分別產生該第一控制訊號、該第二控制訊號、該第三控制訊號以及該第四控制訊號，使得在該功率放大器的一輸入功率不變的情況下，當該環境溫度在一第一區間內變動時，該功率放大器的一輸出功率的一變異率在於一第二區間內。

第1、2圖為本發明實施例一溫度補償電路10以及一功率放大器18的功能方塊圖，於第1、2圖中，相同元件使用相同標號。請同時參照第1、2圖。溫度補償電路10耦接於功率放大器18，包含一溫度感應器11、一可控輸出端電壓產生器12、一可控偏壓電壓產生器13、一適應性偏壓控制電路14、一可控阻抗匹配電路15以及一唯讀記憶體16。功率放大器18用於一訊號輸入端IN輸入一輸入訊號(例如是交流的射頻訊號)RFin以及於一訊號輸出端OUT輸出放大後之該輸入訊號RFout。

溫度感應器11用來感測功率放大器18的一環境溫度以產生一溫度感測訊號T_SIG。可控輸出端電壓產生器12耦接於功率放大器18的該訊號輸出端OUT，用來根據一第一控制訊號CTRL1，調整提供至功率放大器18的該訊號輸出端OUT的一輸出端電壓V_OUT。可控偏壓電壓產生器13耦接於功率放大器18的該訊號輸入端IN，用來根據一第二控制訊號CTRL2，提供一偏壓電壓V_BIAS至功率放大器18的該訊號輸入端IN。偏壓電壓V_BIAS用以產生流經該功率放大器18的一靜態工作電流ICQ。適應性偏壓控制電路14用來產生隨著該交流訊號RFin的功率而適應性地改變的一適應性偏壓△VB以調整該偏壓電壓V_BIAS。該適應性偏壓控制電路耦接於可控偏壓電壓產生器13，用來根據一第三控制訊號CTRL3，透過該可控偏壓電壓產生器13調整該適應性偏壓△VB隨著該交流訊號RFin的功率而適應性地改變的程度。舉例來說，當該偏壓電壓V_BIAS因為交流訊號RFin的功率而被適應性地調整至V_BIAS+△VB，流經該功率放大器18的靜態工作電流ICQ會變為動態工作電流IC。而該第三控制訊號CTRL3可進一步地調整該適應性偏壓△VB受到交流訊號RFin的功率影響的程度，例如使△VB被調整至α×△VB，α為調整參數。可控阻抗匹配電路15耦接於功率放大器18的訊號輸入端IN或訊號輸出端OUT，用來根據一第四控制訊號CTRL4，調整提供功率放大器18的一匹配阻抗。

唯讀記憶體16耦接於溫度感應器11、可控輸出端電壓產生器12、可控偏壓電壓產生器13、適應性偏壓控制電路14以及可控阻抗匹配電路15，用來儲存功率放大器18在不同環境溫度下所對應的輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB以及匹配阻抗的資料。唯讀記憶體16包含一第一記憶庫161、一第二記憶庫162、一第三記憶庫163以及一第四記憶庫164。第一記憶庫161耦接於溫度感應器11與可控輸出端電壓產生器12之間，用來儲存功率放大器18在環境溫度下所對應的輸出端電壓V_OUT的資料，以及根據溫度感測訊號T_SIG來產生第一控制訊號CTRL1到可控輸出端電壓產生器12。第二記憶庫162耦接於溫度感應器11與可控偏壓電壓產生器13之間，用來儲存功率放大器18在環境溫度下所對應的偏壓電壓V_BIAS的資料，以及根據溫度感測訊號T_SIG來產生第二控制訊號CTRL2到可控偏壓電壓產生器13。第三記憶庫163耦接於溫度感應器11與適應性偏壓控制電路14之間，用來儲存功率放大器18在環境溫度下所對應的適應性偏壓△VB的資料，以及根據溫度感測訊號T_SIG來產生第三控制訊號CTRL3到適應性偏壓控制電路14。第四記憶庫164耦接於溫度感應器11與可控阻抗匹配電路15之間，用來儲存功率放大器18在環境溫度下所對應的匹配阻抗的資料，以及根據溫度感測訊號T_SIG來產生第四控制訊號CTRL4到可控阻抗匹配電路15。

在實際應用中，可對功率放大器18在溫度變化下的操作行為進行研究，以決定在不同溫度下的電路配置（configuration）。例如，在給定一組輸入功率、輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB以及匹配阻抗的電路配置的前提下，記錄輸出功率對溫度變化的曲線。或者，在給定環境溫度、輸入功率、輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB的前提下，記錄輸出功率對匹配阻抗變化的曲線。關於功率放大器18在溫度變化下的操作的研究方法無所限制，本領域具通常知識者可視實際需求選擇所需的研究方式。

據此，申請人根據實驗結果來決定功率放大器18在特定環境溫度下的電路配置（其包含輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB及匹配阻抗），使得功率放大器18在輸入功率不變的情況下，當環境溫度在一第一區間內變動時，功率放大器18的輸出功率的一變異率在於一第二區間內。換言之，輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB以及匹配阻抗的資料係用以根據溫度感測訊號T_SIG，分別產生第一控制訊號CTRL1、第二控制訊號CTRL2、第三控制訊號CTRL3以及第四控制訊號CTRL4，使得在功率放大器18的輸入功率不變的情況下，當環境溫度在一第一區間內變動時，功率放大器18的輸出功率的一變異率在於一第二區間內。於一實施例中，第一區間為攝氏－45度到攝氏125度，第二區間為－10%～＋10%。於一實施例中，環境溫度所對應的輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB以及匹配阻抗的資料是根據功率放大器18的一誤差向量幅度、一功率增益、一功率附加效率、一輸入回返損耗以及一輸出回返損耗中的至少一者所決定。

於一實施例中，溫度補償電路10更包含一編碼轉換器17，耦接於溫度感應器11與唯讀記憶體16之間，用來將溫度感測訊號T_SIG的編碼方式從一溫度計編碼轉換為一二進制編碼。溫度感測訊號T_SIG的二進制編碼用來表示唯讀記憶體16的一記憶體位址，對應該記憶體位址的記憶空間儲存有對應溫度感測訊號T_SIG的溫度的電路配置。因此，第一記憶庫161根據該記憶體位址來讀取在環境溫度下所對應的輸出端電壓V_OUT的資料，以產生第一控制訊號CTRL1；第二記憶庫162根據該記憶體位址來讀取在環境溫度下所對應的偏壓電壓V_BIAS的資料，以產生第二控制訊號CTRL2；第三記憶庫163根據該記憶體位址來讀取在環境溫度下所對應的適應性偏壓△VB，以產生第三控制訊號CTRL3；以及第四記憶庫164根據該記憶體位址來讀取在環境溫度下所對應的匹配阻抗的資料，以產生第四控制訊號CTRL4。

請參照第2圖，可控輸出端電壓產生器12接收於一第三系統電壓VBT（例如一電池電壓），用來根據第一控制訊號CTRL1，調整提供至功率放大器18的輸出端電壓V_OUT。可控輸出端電壓產生器12可以是一低壓差穩壓器（Low drop regulator，LDO）或一電阻（未繪於第2圖）。

可控偏壓電壓產生器13包含一第一電晶體M1。第一電晶體M1包含一第一端、一控制端以及一第二端。該第一端接收一第一系統電壓VCC，該控制端耦接於適應性偏壓控制電路14，且該第二端耦接於功率放大器18的訊號輸入端IN。於一實施例中，第二電晶體M2以及第三電晶體M3可以是但不限於雙極性接面型電晶體（bipolar junction transistor, BJT），故該第一端為集極（Collector），該第二端為射極（Emitter），且該控制端為基極（Base）。

可控偏壓電壓產生器13更包含一可控電流源CS，耦接於第一電晶體的控制端，用來根據第一系統電壓VCC以及第二控制訊號CTRL2，控制輸入第一電晶體的控制端的電流，以透過一偏壓電阻產生功率放大器18的偏壓電壓V_BIAS。

於一實施例中，可控偏壓電壓產生器13更包含一二極體電路，耦接於第一電晶體的控制端以及系統共同端之間。二極體電路可包含兩個串聯的二極體、或二極體形式連接的電晶體。例如，二極體電路，包含兩個串聯的第二電晶體M2以及第三電晶體M3。於一實施例中，第二電晶體M2以及第三電晶體M3可以是但不限於雙極性接面型電晶體。第二電晶體M2的集極和基極耦接於第一電晶體M1的控制端，第二電晶體M2的射極耦接於第三電晶體M3的集極和基極。第三電晶體M3的集極和基極耦接於第二電晶體M2的射極，第三電晶體M3的射極耦接於系統共同端（例如，接地端）之間。

適應性偏壓控制電路14可以是一可控電容，耦接於第一電晶體M1的控制端，用來根據輸入訊號的功率與第三控制訊號CTRL3調整適應性偏壓△VB。可控電容包含複數個電容控制單元，每一電容控制單元可示意如第2圖，包含一開關SW以及一電容C1。開關SW耦接於唯讀記憶體16與一系統共同端（例如，系統接地）之間。電容C1的一端耦接於開關SW，另一端耦接於系統共同端或第一電晶體M1的控制端。開關SW用來根據第三控制訊號CTRL3而連接或斷開，以控制電容控制單元對第一電晶體M1的控制端的一等效電容值。

可控阻抗匹配電路15分別或是同時包含一輸出阻抗匹配電路151以及一輸入阻抗匹配電路152。輸出阻抗匹配電路151耦接於可控輸出端電壓產生器12與功率放大器18的訊號輸出端OUT之間，用來根據第四控制訊號CTRL4來調整功率放大器18的輸出阻抗。輸入阻抗匹配電路152耦接於功率放大器18的訊號輸入端IN與一系統訊號輸入端（PA輸入端）之間，用來根據第四控制訊號CTRL4來調整功率放大器18的輸入阻抗。於一實施例中，輸出阻抗匹配電路151或輸入阻抗匹配電路152可以是一T型可變阻抗匹配網路或π型可變阻抗匹配網路，其可包或一個或複數個可變電阻、可變電容、可變電感或三者的組合。

於一實施例中，由於唯讀記憶體16適合以互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）製程製作，為了簡化製程與降低成本，溫度補償電路10與功率放大器18亦可以互補式金屬氧化物半導體製程製作，且被設置於同一個晶粒（die）上。

於一實施例中，功率放大器18是一金屬氧化物半導體場效電晶體（Metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET），功率放大器18的輸出端是金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極（Drain），功率放大器18的輸入端是金屬氧化物半導體場效電晶體的一柵極（Gate），且金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極（Source）耦接於系統共同端（例如，接地端）。

於一實施例中，功率放大器18是一電晶體，功率放大器18的輸出端是電晶體的一第一端，功率放大器18的輸入端是電晶體的一控制端，電晶體的一第二端耦接於一系統共同端，且電晶體是一鍺化矽NPN接面異質接面雙極性晶體管（GaSi NPN Hetero junction bipolar transistor）。

在第2圖的電路架構下，申請人根據實驗結果來決定功率放大器18在特定環境溫度下的電路配置（其包含輸出端電壓V_OUT、偏壓電壓V_BIAS、適應性偏壓△VB及匹配阻抗），並將電路配置資料儲存在唯讀記憶體16。如此一來，溫度補償電路10可根據溫度感測訊號T_SIG來讀取電路配置資料，據以調整功率放大器18的電路配置，使得功率放大器18在輸入功率不變的情況下，當環境溫度在一第一區間內變動時，功率放大器18的輸出功率的一變異率在於一第二區間（例如，-10%～+10%）內。因此，在第2圖的電路架構下，本發明的功率放大器18具有穩定的增益。

第3圖為本發明實施例溫度感應器11的示意圖。溫度感應器11包含一溫度感測電路31、一參考電壓產生電路32以及一比較電路33。溫度感測電路31耦接於比較電路33，用來感測功率放大器18的環境溫度以產生一溫度感測電壓Vtemp。溫度感測電路31包含一電阻R0以及一二極體D。電阻R0的一端耦接於第一系統電壓VCC，另一端耦接於二極體D的陽極。二極體D的陰極耦接於一第二系統電壓VSS，陽極耦接於電阻R0，其中二極體D的陽極用來輸出溫度感測電壓Vtemp。於一實施例中，溫度感測電路31設置於鄰近功率放大器18，以量測功率放大器18的環境溫度。

參考電壓產生電路32耦接於比較電路33，用來產生M個不同的參考電壓，例如參考電壓Vref1、Vref2～VrefM。參考電壓產生電路32包含彼此串接的電阻R1、R2～RM、R(M+1)。電阻R1的一端耦接於一系統參考電壓Vref；電阻R1的另一端耦接於電阻R2(圖中未示)的一端，用來輸出參考電壓Vref1到比較電路33。電阻R2的另一端耦接於電阻R3(圖中未示)的一端，用來輸出參考電壓Vref2到比較電路33；關於電阻R2～RM的耦接方式可依此類推。電阻RM的另一端耦接於電阻R(M+1)的一端，用來輸出參考電壓VrefM；電阻R(M+1)的另一端耦接於第二系統電壓VSS。

比較電路33包含M個比較器，用來根據溫度感測電壓與M個不同的參考電壓Vref1～VrefM產生一編碼方式為溫度計編碼的溫度感測訊號T_SIG，其中溫度感測訊號T_SIG包含M個編碼位元T1～TM。於一實施例中，比較電路33的M個比較器為M個遲滯比較器H1、H2～HM。每一遲滯比較器的結構可相同，以第x個遲滯比較器Hx為例，其包含一比較器Comp、一第一電阻Rn1以及一第二電阻Rn2。比較器Comp包含一第一輸入端，用以接收溫度感測電壓Vtemp；一第二輸入端；以及一輸出端，用以輸出一第一個溫度計值。第一電阻Rn1的一端用以接收產生M個不同的參考電壓Vref1、Vref2～VrefM中的一個參考電壓Vrefx，另一端耦接於比較器Comp的第一輸入端。第二電阻Rn2的一端耦接於比較器Comp的第一輸入端，另一端耦接於比較器Comp的輸出端，用來輸出溫度感測訊號T_SIG的第x個編碼位元Tx。進一步地，編碼轉換器17（未繪於第3圖）將溫度感測訊號T_SIG從M個位元的溫度計編碼轉換為Ｎ位元的二進制編碼，其中M=2^N-1。

在第3圖的電路架構下，本發明可防止溫度感應器11產生變動幅度過大或變動頻繁的溫度感測訊號T_SIG，以避免後續可控輸出端電壓產生器12、可控偏壓電壓產生器13、適應性偏壓控制電路14、可控阻抗匹配電路15以及唯讀記憶體16的操作過於頻繁而導致耗電的情況發生。

綜上所述，藉由提供功率放大器在特定環境溫度下的電路配置（其包含輸出端電壓、偏壓電壓、適應性偏壓及匹配阻抗），並將電路配置資料儲存在唯讀記憶體。如此一來，本發明的溫度補償電路可根據溫度感測訊號來讀取電路配置資料，據以調整功率放大器的電路配置，使得功率放大器在輸入功率不變的情況下，當環境溫度在一第一區間內變動時，功率放大器的輸出功率的變異率在於一第二區間（例如，-10%～+10%）內。因此，本發明的功率放大器可具有穩定的增益。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10:溫度補償電路 11:溫度感應器 12:可控輸出端電壓產生器 13:可控偏壓電壓產生器 14:適應性偏壓控制電路 15:可控阻抗匹配電路 151:輸出阻抗匹配電路 152:輸入阻抗匹配電路 16:唯讀記憶體 161:第一記憶庫 162:第二記憶庫 163:第三記憶庫 164:第四記憶庫 17:編碼轉換器 18:功率放大器 T_SIG:溫度感測訊號 CTRL1:第一控制訊號 CTRL2:第二控制訊號 CTRL3:第三控制訊號 CTRL4:第四控制訊號 V_OUT:輸出端電壓 V_BIAS:偏壓電壓 △VB:適應性偏壓 IN:訊號輸入端 OUT:訊號輸出端 RFin:輸入訊號 RFout:放大後之輸入訊號 ICQ:靜態工作電流 IC:動態工作電流 VCC:系統電壓端 CS:可控電流源 M1:第一電晶體 M2:第二電晶體 M3:第三電晶體 C1:電容 SW:開關 Rk、R0、R1、R2～RM、R(M+1):電阻 D:二極體 VBT:第三系統電壓 31:溫度感測電路 32:參考電壓產生電路 33:比較電路 Vref:系統參考電壓 Vref1～VrefM、Vrefｘ:參考電壓 Vtemp:溫度感測電壓 VCC:第一系統電壓 VSS:第二系統電壓 T1～TM、Tx:編碼位元 Rn1:第一電阻 Rn2:第二電阻 Comp:比較器 H1～HM、Hx:遲滯比較器

第1圖為本發明實施例一溫度補償電路以及一功率放大器的功能方塊圖。第2圖為本發明實施例第1圖的溫度補償電路以及功率放大器的示意圖。第3圖為本發明實施例第1圖的溫度感應器的示意圖。

10:溫度補償電路

11:溫度感應器

12:可控輸出端電壓產生器

13:可控偏壓電壓產生器

14:適應性偏壓控制電路

15:可控阻抗匹配電路

16:唯讀記憶體

161:第一記憶庫

162:第二記憶庫

163:第三記憶庫

164:第四記憶庫

17:編碼轉換器

18:功率放大器

T_SIG:溫度感測訊號

CTRL1:第一控制訊號

CTRL2:第二控制訊號

CTRL3:第三控制訊號

CTRL4:第四控制訊號

V_OUT:輸出端電壓

V_BIAS:偏壓電壓

△VB:適應性偏壓

Claims

一種溫度補償電路，用於一功率放大器，該功率放大器用於一訊號輸入端輸入一交流訊號以及於一訊號輸出端輸出放大後之該交流訊號，該溫度補償電路包含：一溫度感應器，用來感測該功率放大器的一環境溫度以產生一溫度感測訊號；一可控輸出端電壓產生器，耦接於該功率放大器的該訊號輸出端，用來根據一第一控制訊號，調整提供至該功率放大器的該訊號輸出端的一輸出端電壓；一可控偏壓電壓產生器，耦接於該功率放大器的該訊號輸入端，用來根據一第二控制訊號，提供一偏壓電壓至該功率放大器的該訊號輸入端；一適應性偏壓控制電路，用來產生隨著該交流訊號的功率而適應性地改變的一適應性偏壓以調整該偏壓電壓，該適應性偏壓控制電路耦接於該可控偏壓電壓產生器，更用來根據一第三控制訊號，調整該適應性偏壓隨著該交流訊號的功率而適應性地改變的程度；一可控阻抗匹配電路，耦接於該功率放大器該訊號輸入端或該訊號輸出端，用來根據一第四控制訊號，調整提供該功率放大器的一匹配阻抗；以及一唯讀記憶體，耦接於該溫度感應器、該可控輸出端電壓產生器、該可控偏壓電壓產生器、該適應性偏壓控制電路以及該可控阻抗匹配電路，用來儲存該功率放大器在不同環境溫度下所對應的該輸出端電壓、該偏壓電壓、該適應性偏壓以及該匹配阻抗的資料；其中，該輸出端電壓、該偏壓電壓、該適應性偏壓以及該匹配阻抗的資料用以根據該溫度感測訊號，分別產生該第一控制訊號、該第二控制訊號、該第三控制訊號以及該第四控制訊號，使得在該功率放大器的一輸入功率不變的情況下，當該環境溫度在一第一區間內變動時，該功率放大器的一輸出功率的一變異率在一第二區間內。
如請求項1所述的溫度補償電路，其另包含：一編碼轉換器，耦接於該溫度感應器與該唯讀記憶體之間，用來將該溫度感測訊號的編碼方式從一溫度計編碼轉換為一二進制編碼。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該溫度感應器包含：一溫度感測電路，用來感測該功率放大器的該環境溫度以產生一溫度感測電壓；一參考電壓產生電路，用來產生M個不同的參考電壓；以及一比較電路，包含M個比較器，用來根據該溫度感測電壓與該M個不同的參考電壓，產生一編碼方式為溫度計編碼的該溫度感測訊號。
如請求項3所述的溫度補償電路，其中每一個該比較電路另包含遲滯比較器。
如請求項4所述的溫度補償電路，其中每一遲滯比較器包含：一比較器，包含：一第一輸入端，用以接收該溫度感測電壓；一第二輸入端；以及一輸出端，用以輸出一第x個溫度計值；一第一電阻，其一端用以接收該M個不同的參考電壓中的一第x個參考電壓，另一端耦接於該比較器的該第一輸入端；一第二電阻，其一端耦接於該比較器的該第一輸入端，另一端耦接於該比較器的該輸出端。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該唯讀記憶體包含：一第一記憶庫，耦接於該溫度感應器與該可控輸出端電壓產生器之間，用來儲存該功率放大器在該環境溫度下所對應的該輸出端電壓的資料；一第二記憶庫，耦接於該溫度感應器與該可控偏壓電壓產生器之間，用來儲存該功率放大器在該環境溫度下所對應的該偏壓電壓的資料；一第三記憶庫，耦接於該溫度感應器與該適應性偏壓控制電路之間，用來儲存該功率放大器在該環境溫度下所對應的該適應性偏壓的資料；以及一第四記憶庫，耦接於該溫度感應器與該可控阻抗匹配電路之間，用來儲存該功率放大器在該環境溫度下所對應的該匹配阻抗的資料。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該第一區間為攝氏－45度到攝氏125度，該第二區間為－10%～＋10%。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該環境溫度所對應的該輸出端電壓、該偏壓電壓、該適應性偏壓以及該匹配阻抗的資料是根據該功率放大器的一誤差向量幅度、一功率增益、一功率附加效率、一輸入回返損耗以及一輸出回返損耗中的至少一者所決定。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該可控偏壓電壓產生器包含：一第一電晶體，包含：一第一端，耦接於一第一系統電壓；一控制端，耦接於該適應性偏壓控制電路；以及一第二端，耦接於該功率放大器的該訊號輸入端。
如請求項9所述的溫度補償電路，其中該適應性偏壓控制電路包含一可控電容，耦接於該第一電晶體的該控制端，用來根據該交流訊號的功率與該第三控制訊號調整該適應性偏壓。
如請求項10所述的溫度補償電路，其中該可控電容包含複數個電容控制單元，每一電容控制單元包含：一開關，耦接於該唯讀記憶體與一系統共同端之間；以及一電容，其一端耦接於該開關，另一端耦接於該系統共同端或該第一電晶體的該控制端；其中該開關用來根據該第三控制訊號被連接或斷開，以控制該電容控制單元對該第一電晶體的該控制端的一等效電容值。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該功率放大器是一金屬氧化物半導體場效電晶體，該功率放大器的該輸出端是該金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極，該功率放大器的該輸入端是該金屬氧化物半導體場效電晶體的一柵極，且該金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極耦接於一系統共同端。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該功率放大器是一電晶體，該功率放大器的該輸出端是該電晶體的一第一端，該功率放大器的該輸入端是該電晶體的一控制端，該電晶體的一第二端耦接於一系統共同端，且該電晶體是一鍺化矽NPN接面異質接面雙極性晶體管。
如請求項7所述的溫度補償電路，其中該可控偏壓電壓產生器更包含：一可控電流源，耦接於該第一電晶體的該控制端，用來根據一第一系統電壓以及該第二控制訊號，控制輸入該第一電晶體的該控制端的電流，以透過一偏壓電阻產生該功率放大器的該偏壓電壓。
如請求項14所述的溫度補償電路，其中該可控偏壓電壓產生器更包含：一二極體電路，耦接於該第一電晶體的該控制端以及該系統共同端之間。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該可控輸出端電壓產生器包括一低壓差穩壓器或一電阻。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該可控阻抗匹配電路耦接於該可控輸出端電壓產生器與該功率放大器的該訊號輸出端之間，或耦接於該功率放大器的該訊號輸入端與一系統訊號輸入端之間。
如請求項1所述的溫度補償電路，其中該溫度補償電路與該功率放大器是以互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）製程製作，且被設置於同一個晶粒上。