TWI698750B - Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明係有關於快閃記憶體,尤指一種存取快閃記憶體模組的方法。 The present invention relates to flash memory, in particular to a method of accessing flash memory modules.
當快閃記憶體控制器將來自一主裝置的資料寫入至快閃記憶體模組中的一資料頁時,會同時地在該資料頁的一備用區域(spare area)中寫入對應於該資料的一元資料(metadata),以供後續參考使用。上述的元資料可以由快閃記憶體控制器所產生,或是由主裝置所提供。然而,當該元資料是由主裝置所提供時,由於該元資料在寫入到該資料頁的過程中可能會暫時地儲存在快閃記憶體控制器的靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)以及外部的動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM),故在這些階段有可能會造成該元資料的資料有錯誤產生,進而使得寫入到該資料頁的內容也是錯誤的,影響到後續資料讀取時的困擾。 When the flash memory controller writes data from a master device to a data page in the flash memory module, it will simultaneously write data corresponding to a spare area of the data page The metadata of the data for subsequent reference. The above metadata can be generated by the flash memory controller or provided by the host device. However, when the metadata is provided by the host device, the metadata may be temporarily stored in the static random access memory (Static Random Access Memory) of the flash memory controller during the process of writing to the data page. Access Memory (SRAM) and external dynamic random access memory (Dynamic Random Access Memory, DRAM). Therefore, at these stages, the metadata of the metadata may be generated incorrectly, which will cause the content to be written to the data page. It is also wrong, which affects the trouble of subsequent data reading.
因此,本發明的目的之一在於提供一種存取快閃記憶體模組的方 法,其可以將來自主裝置的元資料進行保護,以避免先前技術中所述之因為靜態隨機存取記憶體或是動態隨機存取記憶體存取所造成之元資料錯誤的問題。 Therefore, one of the objectives of the present invention is to provide a method for accessing flash memory modules In this way, the metadata of the autonomous device can be protected to avoid the problem of metadata errors caused by static random access memory or dynamic random access memory as described in the prior art.
在本發明的一個實施例中,揭露一種存取一快閃記憶體模組的方法,其包含有以下步驟:自一主裝置接收一資料及對應於該資料的一元資料;對該資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼;將該元資料與該循環冗餘校驗碼進行編碼操作以產生一調整後校驗碼;將該資料與該調整後校驗碼一併進行編碼操作以產生一編碼後資料,其中該編碼後資料包含了該資料、該調整後校驗碼以及對應於該資料及該調整後校驗碼的一錯誤更正碼;以及將該編碼後資料以及該元資料寫入至該快閃記憶體模組之一區塊中的一資料頁。 In one embodiment of the present invention, a method for accessing a flash memory module is disclosed, which includes the following steps: receiving a data and a meta data corresponding to the data from a host device; looping the data The redundancy check operation is performed to generate a cyclic redundancy check code; the metadata and the cyclic redundancy check code are encoded to generate an adjusted check code; the data and the adjusted check code are one And perform an encoding operation to generate an encoded data, where the encoded data includes the data, the adjusted check code, and an error correction code corresponding to the data and the adjusted check code; and the encoded data The data and the metadata are written to a data page in a block of the flash memory module.
在本發明的另一個實施例中,揭露了一種快閃記憶體控制器,其中該快閃記憶體控制器係用來存取一快閃記憶體模組,且該快閃記憶體控制器包含有一唯讀記憶體、一微處理器以及多個編解碼器,其中該唯讀記憶體用來儲存一程式碼,且該微處理器用來執行該程式碼以控制對該快閃記憶體模組之存取。在快閃記憶體控制器的操作中,當該快閃記憶體控制器自一主裝置接收一資料及對應於該資料的一元資料時,該多個編解碼器對該資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼,將該元資料與該循環冗餘校驗碼進行編碼操作以產生一調整後校驗碼,並將該資料與該調整後校驗碼一併進行編碼操作以產生一編碼後資料,其中該編碼後資料包含了該資料、該調整後校驗碼以及對應於該資料及該調整後校驗碼的一錯誤更正碼;以及該微處理器將該編碼後資料以及該元資料寫入至該快閃記憶體模組之一區塊中的一資料頁。 In another embodiment of the present invention, a flash memory controller is disclosed, wherein the flash memory controller is used to access a flash memory module, and the flash memory controller includes There is a read-only memory, a microprocessor, and multiple codecs, wherein the read-only memory is used to store a program code, and the microprocessor is used to execute the program code to control the flash memory module的Access. In the operation of the flash memory controller, when the flash memory controller receives a piece of data and the unary data corresponding to the piece of data from a host device, the multiple codecs perform cyclic redundancy calibration on the data. Perform a verification operation to generate a cyclic redundancy check code, perform an encoding operation on the metadata and the cyclic redundancy check code to generate an adjusted check code, and perform the data and the adjusted check code together Encoding operation to generate an encoded data, where the encoded data includes the data, the adjusted check code, and an error correction code corresponding to the data and the adjusted check code; and the microprocessor The encoded data and the metadata are written to a data page in a block of the flash memory module.
在本發明的另一個實施例中,揭露了一種電子裝置,其包含有一快 閃記憶體模組以及一快閃記憶體控制器。當該快閃記憶體控制器自一主裝置接收一資料及對應於該資料的一元資料時,該快閃記憶體控制器對該資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼,將該元資料與該循環冗餘校驗碼進行編碼操作以產生一調整後校驗碼,並將該資料與該調整後校驗碼一併進行編碼操作以產生一編碼後資料,其中該編碼後資料包含了該資料、該調整後校驗碼以及對應於該資料及該調整後校驗碼的一錯誤更正碼;以及該快閃記憶體控制器將該編碼後資料以及該元資料寫入至該快閃記憶體模組之一區塊中的一資料頁。 In another embodiment of the present invention, an electronic device is disclosed, which includes a fast Flash memory module and a flash memory controller. When the flash memory controller receives a data and a metadata corresponding to the data from a host device, the flash memory controller performs a cyclic redundancy check operation on the data to generate a cyclic redundancy check Code, the metadata and the cyclic redundancy check code are encoded to generate an adjusted check code, and the data and the adjusted check code are encoded together to generate an encoded data, wherein The encoded data includes the data, the adjusted check code, and an error correction code corresponding to the data and the adjusted check code; and the flash memory controller includes the encoded data and the metadata Write to a data page in a block of the flash memory module.
100:記憶裝置 100: memory device
110:快閃記憶體控制器 110: Flash memory controller
112:微處理器 112: Microprocessor
112C:程式碼 112C: Code
112M:唯讀記憶體 112M: Read only memory
114:控制邏輯 114: Control logic
116:緩衝記憶體 116: buffer memory
118:介面邏輯 118: Interface logic
120:快閃記憶體模組 120: Flash memory module
130:主裝置 130: main device
132:第一編解碼器 132: The first codec
134:第二編解碼器 134: second codec
136:第三編解碼器 136: third codec
200~212、600~614:步驟 200~212, 600~614: steps
D1~D8:第一資料的多個部分 D1~D8: Multiple parts of the first data
M1~M4:元資料的多個部分 M1~M4: Multiple parts of metadata
P1~P8、P11~P41:循環冗餘校驗碼 P1~P8, P11~P41: cyclic redundancy check code
P1’~P8’、P11’~P41’:調整後校驗碼 P1’~P8’, P11’~P41’: Check code after adjustment
ECC1、ECC2:錯誤更正碼 ECC1, ECC2: Error correction code
第1圖為依據本發明一實施例之一種記憶裝置的示意圖。 FIG. 1 is a schematic diagram of a memory device according to an embodiment of the invention.
第2圖為根據本發明一實施例之存取快閃記憶體模組的方法的流程圖。 FIG. 2 is a flowchart of a method for accessing a flash memory module according to an embodiment of the invention.
第3圖為第一筆資料及對應之元資料的示意圖。 Figure 3 is a schematic diagram of the first data and the corresponding metadata.
第4圖為根據本發明一實施例之循環冗餘校驗操作以及互斥或運算的示意圖。 FIG. 4 is a schematic diagram of cyclic redundancy check operation and mutual exclusion OR operation according to an embodiment of the present invention.
第5圖為根據本發明一實施例之錯誤更正碼組塊以及區段組塊的示意圖。 Figure 5 is a schematic diagram of an error correction code block and a sector block according to an embodiment of the invention.
第6圖為根據本發明一實施例之讀取快閃記憶體模組的方法的流程圖。 FIG. 6 is a flowchart of a method for reading a flash memory module according to an embodiment of the invention.
第7圖為根據本發明另一實施例之循環冗餘校驗操作以及互斥或運算的示意圖。 FIG. 7 is a schematic diagram of cyclic redundancy check operation and mutual exclusion OR operation according to another embodiment of the present invention.
請參考第1圖,第1圖為依據本發明一實施例之一種記憶裝置100的示意圖。記憶裝置100包含有一快閃記憶體(Flash Memory)模組120以及一快閃記
憶體控制器110,且快閃記憶體控制器110用來存取快閃記憶體模組120。依據本實施例,快閃記憶體控制器110包含一微處理器112、一唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)112M、一控制邏輯114、一緩衝記憶體116、與一介面邏輯118。唯讀記憶體112M係用來儲存一程式碼112C,而微處理器112則用來執行程式碼112C以控制對快閃記憶體模組120之存取(Access)。控制邏輯114包含了一第一編解碼器132、一第二編解碼器134及一第三編解碼器136,在本實施例中,第一編解碼器132係用來進行循環冗餘校驗(Cyclic redundancy check,CRC)操作,第二編解碼器134係用來進行互斥或(exclusive-OR,XOR)運算,而第三編解碼器136係用來進行低密度奇偶檢查碼(Low-density parity-check code,LDPC code)操作,但本發明並不以此為限。
Please refer to FIG. 1. FIG. 1 is a schematic diagram of a
於典型狀況下,快閃記憶體模組120包含了多個快閃記憶體晶片,而每一個快閃記憶體晶片包含複數個區塊(Block),而該控制器(例如:透過微處理器112執行程式碼112C之快閃記憶體控制器110)對快閃記憶體模組120進行抹除等運作係以區塊為單位來進行。另外,一區塊可記錄特定數量的資料頁(Page),其中該控制器(例如:透過微處理器112執行程式碼112C之記憶體控制器110)對快閃記憶體模組120進行寫入資料之運作係以資料頁為單位來進行寫入。在本實施例中,快閃記憶體模組120為一立體NAND型快閃記憶體(3D NAND-type flash)。
In a typical situation, the
實作上,透過微處理器112執行程式碼112C之快閃記憶體控制器110可利用其本身內部之元件來進行諸多控制運作,例如:利用控制邏輯114來控制快閃記憶體模組120之存取運作(尤其是對至少一區塊或至少一資料頁之存取運作)、利用緩衝記憶體116進行所需之緩衝處理、以及利用介面邏輯118來與一主
裝置(Host Device)130溝通。緩衝記憶體116可以是靜態隨機存取記憶體(Static RAM,SRAM),但本發明不限於此。
In practice, the
在一實施例中,記憶裝置100可以是可攜式記憶裝置(例如:符合SD/MMC、CF、MS、XD標準之記憶卡),且主裝置130為一可與記憶裝置連接的電子裝置,例如手機、筆記型電腦、桌上型電腦...等等。而在另一實施例中,記憶裝置100可以是固態硬碟或符合通用快閃記憶體儲存(Universal Flash Storage,UFS)或嵌入式多媒體記憶卡(Embedded Multi Media Card,EMMC)規格之嵌入式儲存裝置,以設置在一電子裝置中,例如設置在手機、筆記型電腦、桌上型電腦之中,而此時主裝置130可以是該電子裝置的一處理器。
In one embodiment, the
第2圖為根據本發明一實施例之存取快閃記憶體模組120的方法的流程圖。在步驟200,流程開始,且快閃記憶體控制器110準備自主裝置130接收資料並儲存至快閃記憶體模組120中。在步驟202中,快閃記憶體控制器110自主裝置130接收第一筆資料及對應於第一筆資料的元資料,其中該元資料可以包含第一筆資料的識別資訊(ID)、雜湊資料(hash data)、服務品質(Quality of Service,QoS)資訊、或是其他的管理資訊,例如邏輯位址(logical address)與資料本身以外的管理資訊...等等。在本實施例中,參考第3圖,第一筆資料的大小為4千位元組(KB),而元資料為8位元組,而在本實施例之以下的操作中,第一筆資料被分為大小為512位元組的八個部分D1~D8,而元資料則被分為大小為2位元組的四個部分M1~M4。
FIG. 2 is a flowchart of a method of accessing the
在步驟204中,第一編解碼器132對第一筆資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼,且在步驟206中第二編解碼器134將元資料與該循
環冗餘校驗碼進行編碼操作以產生一調整後校驗碼。具體來說,參考第4圖,第一編解碼器132先對第一筆資料的八個部分D1~D8分別進行循環冗餘校驗操作,以產生多個循環冗餘校驗碼P1~P8,其中每一個循環冗餘校驗碼P1~P8的大小為2位元組;之後,第二編解碼器134再將循環冗餘校驗碼P1~P4分別與元資料的四個部分M1~M4進行互斥或運算,以分別產生調整後校驗碼P1’~P4’;以及第二編解碼器134也將循環冗餘校驗碼P5~P8分別與元資料的四個部分M1~M4進行互斥或運算,以分別產生調整後校驗碼P5’~P8’。
In
需注意的是步驟204及步驟206係在快閃記憶體控制器110接收到第一筆資料以及元資料後便立刻進行,而此時第一筆資料及元資料尚未被儲存至緩衝記憶體116及/或外部的動態隨機存取記憶體(未繪示)中。步驟204中對第一筆資料進行循環冗餘校驗操作的目的是為了避免後續在緩衝記憶體116及/或外部的動態隨機存取記憶體的存取過程中發生錯誤(亦即,提供點對點保護(end to end protection)),而步驟206中將循環冗餘校驗碼P1~P4與元資料的四個部分M1~M4進行互斥或運算的目的則是為了讓調整後校驗碼P1’~P4’也能夠包含元資料的資訊內容,亦即調整後校驗碼P1’~P4’除了可以對第一筆資料提供保護之外,也可以同時地對元資料提供保護。
It should be noted that
在步驟208中,第三編解碼器136將第一筆資料與調整後校驗碼一併進行編碼操作以產生一編碼後資料,其中編碼後資料包含了第一筆資料、調整後校驗碼以及對應於第一筆資料及調整後校驗碼的一錯誤更正碼。具體來說,參考第5圖,第三編解碼器136將第一筆資料的四個部分D1~D4以及對應的調整後校驗碼P1’~P4’一併進行編碼(LDPC編碼),以產生一錯誤更正碼ECC1,而第一筆資料的四個部分D1~D4、調整後校驗碼P1’~P4’以及錯誤更正碼ECC1則構成
了一個錯誤更正碼組塊(ECC chunk);且第三編解碼器136也將第一筆資料的另外四個部分D5~D8以及對應的調整後校驗碼P5’~P8’一併進行編碼,以產生一錯誤更正碼ECC2,而第一筆資料的四個部分D5~D8、調整後校驗碼P5’~P8’以及錯誤更正碼ECC2則構成了另一個錯誤更正碼組塊。
In
在步驟210中,第5圖所示的兩個錯誤更正碼組塊構成了一個區段組塊,並暫存至緩衝記憶體116及/或外部的動態隨機存取記憶體中,其中上述的區段組塊係用來儲存至一資料頁的一個區段中。
In
在步驟212中,假設一個資料頁的大小為16千位元組,則快閃記憶體控制器110重複步驟202~210以自主裝置130接收第二、三、四筆資料及對應之元資料並產生對應的區段組塊之後,再將四個區段組塊連同32位元組的元資料寫入至快閃記憶體模組120中一區塊的一個資料頁中,其中元資料係儲存在該資料頁的一備用區域(spare area)中。
In
第6圖為根據本發明一實施例之讀取快閃記憶體模組120的方法的流程圖,其中第6圖的流程係接續著第2~5圖所示的實施例,亦即快閃記憶體控制器110讀取儲存有四個區段組塊SC1~SC4以及32位元組之元資料的資料頁。在步驟600,流程開始。在步驟602中,快閃記憶體控制器110接收到來自主裝置130的一讀取命令,而在本實施例中係假設該讀取命令係要求讀取區段組塊SC1的資料以及對應的元資料。
Fig. 6 is a flowchart of a method for reading a
在步驟604中,第三編解碼器136區段組塊SC1中的第一個錯誤更正碼組塊與第二個錯誤更正碼組塊進行解碼,以產生如第5圖所示之第一筆資料的四
個部分D1~D4與調整後校驗碼P1’~P4’、以及第一筆資料的另四個部分D5~D8與調整後校驗碼P5’~P8’。
In
在步驟606中,第一編解碼器132對解碼所產生的第一筆資料的四個部分D1~D4分別進行循環冗餘校驗操作以產生另一循環冗餘校驗碼,且在步驟608中,第二編解碼器134對該另一循環冗餘校驗碼與自該資料頁中所讀取的元資料進行編碼以產生另一調整後校驗碼。具體來說,參考第7圖,第一編解碼器132先對所解碼出之第一筆資料的四個部分D1~D4分別進行循環冗餘校驗操作,以產生多個循環冗餘校驗碼P11~P41,其中每一個循環冗餘校驗碼P11~P41的大小為2位元組;之後,第二編解碼器134再將循環冗餘校驗碼P11~P41分別與自資料頁中所讀取之元資料的四個部分M1~M4進行互斥或運算,以分別產生調整後校驗碼P11’~P41’。
In
在步驟610中,微處理器112判斷調整後校驗碼P11’~P41’是否分別與調整後校驗碼P1’~P4’完全相同,若是,流程進入步驟612;若否,則流程進入步驟614。
In
在步驟612中,由於整後校驗碼P11’~P41’分別與調整後校驗碼P1’~P4’完全相同,因此可以確保第一筆資料的四個部分D1~D4以及元資料的內容均是正確的,則後續微處理器112可以將第一筆資料的四個部分D1~D4及對應的元資料傳送至主裝置130。此外,在一實施例中,由於元資料的內容已經被確認正確了,故第一筆資料的另外四個部分D5~D8可以直接一起被傳送給主裝置130,而不需要再次進行步驟606~610的操作。
In
在步驟614中,由於整後校驗碼P11’~P41’分別與調整後校驗碼P1’~P4’不完全相同,則由於可能是第一筆資料的內容有錯誤或是元資料的內容有誤,故微處理器112回傳一錯誤訊息至主裝置130。
In
簡要歸納本發明,在本發明的實施例中,在快閃記憶體控制器自主裝置接收到一資料及對應的元資料時,會先對該資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼,並再將元資料與循環冗餘校驗碼一併進行編碼以產生具有相同位元數的調整後校驗碼,以使得調整後校驗碼除了可以對該資料進行點對點保護之外,也可以對元資料進行點對點保護。透過本發明的實施例,可以不需要再額外對元資料進行循環冗餘校驗操作,且也不會額外增加資料量,以盡可能地節省快閃記憶體的空間。以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 To briefly summarize the present invention, in the embodiment of the present invention, when the flash memory controller autonomous device receives a data and corresponding metadata, it will first perform a cyclic redundancy check operation on the data to generate a cyclic redundancy. Check code, and then encode the metadata and cyclic redundancy check code together to generate an adjusted check code with the same number of bits, so that the adjusted check code can not only protect the data point-to-point In addition, metadata can also be protected point-to-point. Through the embodiments of the present invention, there is no need to perform additional cyclic redundancy check operations on metadata, and the amount of data is not increased, so as to save the space of the flash memory as much as possible. The foregoing descriptions are only preferred embodiments of the present invention, and all equivalent changes and modifications made in accordance with the scope of the patent application of the present invention shall fall within the scope of the present invention.
200~212:步驟 200~212: steps
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TW108109114A TWI698750B (en) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device |
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