TWI687739B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包括第一基板以及設置於第一基板上的多個畫素。各畫素包括第一訊號線、電性連接至第一訊號線的薄膜電晶體、電性連接至薄膜電晶體的畫素電極以及第一輔助電極。畫素電極具有多個第一分支部與多個第二分支部。第一分支部定義第一配向區。第二分支部定義第二配向區。第一配向區的配向方向與第二配向區的配向方向不同。第一配向區與第二配向區之間具有第一交界區。第一輔助電極設置於第一交界區上，且部分重疊於第一訊號線。任兩相鄰的多個畫素的多個第一輔助電極彼此分離。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示裝置。

常見的平面顯示器包括液晶顯示器、有機發光二極體顯示器、電漿顯示器等。平面顯示器能應用在各式電子產品(例如：電視、桌上型螢幕、筆記型電腦、手機等)。各式電子產品所需之平面顯示器的尺寸不同。針對各式電子產品的需求分別製作尺寸不同的平面顯示器，開發時間長，不符經濟效益。因此，可將大尺寸的平面顯示器重定尺寸(resize)，以形成各種所需尺寸的平面顯示器。於形成具有所需尺寸之平面顯示器的過程中，先使裁切後的平面顯示器裸露出接墊，再利用導電元件將接墊電性連接至軟性印刷電路板。然而，導電元件與接墊側面的接觸面積小，造成兩者的接觸電阻過高，不利平面顯示器的製造良率及其性能。

本發明提供一種顯示裝置，性能佳。

本發明的顯示裝置，包括第一基板以及設置於第一基板上的多個畫素。各畫素包括第一訊號線、電性連接至第一訊號線的薄膜電晶體、電性連接至薄膜電晶體的畫素電極以及第一輔助電極。畫素電極具有多個第一分支部與多個第二分支部。第一分支部定義第一配向區。第二分支部定義第二配向區。第一配向區的配向方向與第二配向區的配向方向不同。第一配向區與第二配向區之間具有第一交界區。第一輔助電極設置於第一交界區上，且部分重疊於第一訊號線。任兩相鄰的多個畫素的多個第一輔助電極彼此分離。

基於上述，本發明一實施例之顯示裝置經重定尺寸後，第一輔助電極與第一訊號線電性連接，而第一輔助電極可視為對應於第一訊號線的輔助接墊。形成於第一基板之側面的第一導電圖案除了與第一訊號線的側面接觸之外，還與輔助接墊的側面接觸。藉此，第一導電圖案與畫素陣列基板之對應導電元件接觸面積變大，接觸電阻變小，進而能提升經重定尺寸之顯示裝置的信賴性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1、1’、1A、1A’、1C、1C’、1D、1D’:顯示裝置

10、20:切割道

100、100’、100A、100A’、100B、100B’、100C、100C’、100D、100D’、100E、100E’:畫素陣列基板

110:第一基板

112、114:側面

120:畫素電極

121:第一分支部

122:第二分支部

123:第三分支部

124:第四分支部

125:第一主幹部

126:第二主幹部

130、130C:第一輔助電極

130a:側面

140、140D:第二輔助電極

140a:側面

142:主要部

144:連接部

200:第二基板

300:顯示介質

400:密封膠

412、414:側面

510:第一導電圖案

520:第二導電圖案

610:第一軟性電路板

612:電極

620:第二軟性電路板

622:電極

412、414:側面

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’:剖線

B1:第一交界區

B2:第二交界區

CH:半導體圖案

D:汲極

H:接觸窗

G:閘極

g1、g2:間隙

GI、PV1、PV2:絕緣層

CL:共用線

SL1:第一訊號線

SL1a:側面

SL2:第二訊號線

SL2a:側面

S:源極

T:薄膜電晶體

P:畫素

L1、L2:長度

W1、W2:線寬

R1:第一配向區

R2:第二配向區

R3:第三配向區

R4:第四配向區

x、y、z、d1~d4:方向

圖1為本發明第一實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1的剖 面示意圖。

圖2為本發明第一實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1的畫素陣列基板100的上視示意圖。

圖3為本發明第一實施例之經重定尺寸的顯示裝置1’的剖面示意圖。

圖4為本發明第一實施例之經重定尺寸之顯示裝置1’之畫素陣列基板100’的上視示意圖。

圖5為本發明第一實施例之經重定尺寸的顯示裝置1’的一側視示意圖。

圖6為本發明第二實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1A的剖面示意圖。

圖7為本發明第二實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1A的畫素陣列基板100A的上視示意圖。

圖8為本發明第二實施例之經重定尺寸的顯示裝置1A’的剖面示意圖。

圖9為本發明第二實施例之經重定尺寸之顯示裝置1A’之畫素陣列基板100A’的上視示意圖。

圖10為本發明第二實施例之經重定尺寸的顯示裝置1A’的一側視示意圖。

圖11為本發明第三實施例之未經重定尺寸之畫素陣列基板100B的上視示意圖。

圖12為本發明第三實施例之經重定尺寸之畫素陣列基板 100B的上視示意圖。

圖13為本發明第四實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1C的剖面示意圖。

圖14為本發明第四實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1C的畫素陣列基板100C的上視示意圖。

圖15為本發明第四實施例之經重定尺寸的顯示裝置1C’的剖面示意圖。

圖16為本發明第四實施例之經重定尺寸之顯示裝置1C’之畫素陣列基板100C’的上視示意圖。

圖17為本發明第四實施例之經重定尺寸的顯示裝置1C’的一側視示意圖。

圖18為本發明第五實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1D的剖面示意圖。

圖19為本發明第五實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1D的畫素陣列基板100D的上視示意圖。

圖20為本發明第五實施例之經重定尺寸的顯示裝置1D’的剖面示意圖。

圖21為本發明第五實施例之經重定尺寸之顯示裝置1D’之畫素陣列基板100D’的上視示意圖。

圖22為本發明第五實施例之經重定尺寸的顯示裝置1D’的一側視示意圖。

圖23為本發明第六實施例之未經重定尺寸之畫素陣列基板 100E的上視示意圖。

圖24為本發明第六實施例之經重定尺寸之畫素陣列基板100E’的上視示意圖。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

為清楚說明起見，部分圖式示意性地繪有xyz直角座標系，其中方向x、y、z相垂直。需說明的是，在本說明書中，各圖所繪的方向x、y、z僅是用以舉例說明本發明，而非用以限制本發明，本發明並不限制方向x、y、z一定要相垂直。

圖1為本發明第一實施例之未經重定尺寸(resized)之顯示裝置1的剖面示意圖。圖2為本發明第一實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1的畫素陣列基板100的上視示意圖。圖1之畫素陣列基板100的剖面對應圖2的剖線A-A’。

請參照圖1及圖2，顯示裝置1包括畫素陣列基板100、第二基板200及顯示介質300。畫素陣列基板100包括第一基板110。第二基板200設置於第一基板110的對向。顯示介質300設置於第一基板110與第二基板200之間。舉例而言，在本實施例中，第一基板110及/或第二基板200的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適當材料。在本實施例中，顯示介質300 例如是液晶，但本發明不限於此。

畫素陣列基板100包括設置於第一基板110上的多個畫素P。舉例而言，在本實施例中，各畫素P包括第一訊號線SL1、第二訊號線SL2、薄膜電晶體T及畫素電極120。第一訊號線SL1在第一方向y上延伸，第二訊號線SL2在第二方向x上延伸，第一方向y與第二方向x交錯。舉例而言，第一方向y與第二方向x可垂直，但本發明不以此為限。在其它實施例中，第一方向y與第二方向x也可不垂直。薄膜電晶體T與第一訊號線SL1及第二訊號線SL2電性連接。詳言之，薄膜電晶體T包括閘極G、半導體圖案CH以及分別與半導體圖案CH之不同兩區電性連接的源極S與汲極D。舉例而言，第一訊號線SL1與薄膜電晶體T的源極S電性連接，而第二訊號線SL2與薄膜電晶體T的閘極G電性連接。換言之，在本實施例中，第一訊號線SL1為資料線，而第二訊號線SL2為掃描線。但不以此為限，在其他實施例中，第一訊號線SL1為掃描線，而第二訊號線SL2為資料線時，第一訊號線SL1與薄膜電晶體T的閘極G電性連接，而第二訊號線SL2與薄膜電晶體T的源極S電性連接。

在本實施例中，各畫素P還包括設置於第一基板110上的多條共用線CL。共用線CL與部分的畫素電極120重疊，以形成儲存電容。共用線CL具有預定電位。所述預定電位可以是接地電位、固定電位、浮置電位、可調整的電位或其它適當電位。在本實施例中，共用線CL大致上在第二方向x上延伸。也就是說， 共用線CL的延伸方向與第二訊號線SL2的延伸方向大致上一致；然而，本發明不以此為限，舉例而言，在其他實施例中，共用線CL更可在第一方向y上延伸。

舉例而言，在本實施例中，共用線CL、第二訊號線SL2與薄膜電晶體T的閘極G可選擇性地屬於同一第一導電層；第一訊號線SL1、薄膜電晶體T的源極S與薄膜電晶體T的汲極D可選擇性地屬於同一第二導電層，但本發明不以此為限。基於導電性的考量，第一導電層及第二導電層一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，第一導電層及第二導電層也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。

畫素電極120與薄膜電晶體T電性連接。舉例而言，在本實施例中，畫素陣列基板100還包括絕緣層PV1(繪示於圖1)，設置於第一訊號線SL1上；畫素電極120設置於絕緣層PV1上，而畫素電極120可透過絕緣層PV1的接觸窗H(繪示於圖2)與薄膜電晶體T的汲極D電性連接。

畫素電極120具有多個第一分支部121與多個第二分支部122。多個第一分支部121定義第一配向區R1。多個第二分支部122定義第二配向區R2。第一配向區R1的配向方向d1與第二配向區R2的配向方向d2不同，而第一配向區R1與第二配向區R2之間具有第一交界區B1。在本實施例中，畫素電極120更具有 設置於第一交界區B1的第一主幹部125，連接於多個第一分支部121與多個第二分支部122之間。第一主幹部125的延伸方向可選擇性地與第二訊號線SL2的延伸方向一致。第二分支部122與第一分支部121可分別位於第一主幹部125的上下兩側。畫素電極120更具有多個第三分支部123。多個第三分支部121定義第三配向區R3。第一配向區R1的配向方向d1、第二配向區R2的配向方向d2及第三配向區R3的配向方向d3互不相同。第一配向區R1與第三配向區R3之間具有第二交界區B2。畫素電極120更具有設置於第二交界區B2的第二主幹部126。第二主幹部126與第一主幹部125交叉設置。第二主幹部126的延伸方向可選擇性地與第一訊號線SL1的延伸方向一致。第二主幹部126連接於多個第一分支部121與多個第三分支部123之間。舉例而言，第三分支部123與第一分支部121可分別位於第二主幹部126的左右兩側，且第三分支部123與第一分支部121可皆位於第一主幹部125的下側。畫素電極120更具有多個第四分支部124，多個第四分支部124定義第四配向區R4，第一配向區R1的配向方向d1、第二配向區R2的配向方向d2、第三配向區R3的配向方向d3及第四配向區R4的配向方向d4互不相同。第二主幹部126還連接於多個第二分支部122與多個第四分支部124之間。第一主幹部125還連接於多個第三分支部123與多個第四分支部124之間。舉例而言，第四分支部124與第二分支部122可分別位於第二主幹部126的左右兩側，且第四分支部124與第二分支部122可皆位於第 一主幹部125的上側。

在本實施例中，畫素電極120可以是穿透式畫素電極、反射式畫素電極或其組合。舉例而言，穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層；反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料，例如：鋁、銀或其它適當材料。

值得注意的是，各畫素P包括第一輔助電極130，設置於第一交界區B1上且部分重疊於第一訊號線SL1。在本實施例中，第一輔助電極130重疊於第一主幹部125。第一訊號線SL1在第一方向y上延伸，第一輔助電極130在第二方向x上延伸，其中第一方向y與第二方向x交錯。第一訊號線SL1在第二方向x上具有線寬W1，第一輔助電極130在第二方向x上具有長度L1，而第一輔助電極130的長度L1大於第一訊號線SL1的線寬W1。絕緣層GI(繪示於圖1)設置於第一輔助電極130與第一訊號線SL1之間。任兩相鄰的畫素P的多個第一輔助電極130彼此分離。詳言之，任兩相鄰的畫素P的多個第一輔助電極130之間具有間隙g1，間隙g1重疊於其中一個畫素P的畫素電極120。顯示裝置1未經重定尺寸前，第一輔助電極130係浮置。在本實施例中，第一輔助電極130與第二訊號線SL2可選擇性地屬於同一第一導電層，但本發明不以此為限。

圖3為本發明第一實施例之經重定尺寸的顯示裝置1’的 剖面示意圖。圖4為本發明第一實施例之經重定尺寸之顯示裝置1’之畫素陣列基板100’的上視示意圖。圖3之畫素陣列基板100’的剖面對應圖4的剖線A-A’。圖5為本發明第一實施例之經重定尺寸的顯示裝置1’的一側視示意圖。在本實施例中，利用重定尺寸(resized)方法，顯示裝置1可被製作成顯示裝置1’。舉例而言，重定尺寸方法可包括下列步驟，以下配合圖2至圖5舉例說明之。

請參照圖3至圖4，在本實施例中，首先，電性連接位畫素P的第一輔助電極130與第一訊號線SL1。舉例而言，可利用雷射照射第一訊號線SL1與第一輔助電極130的交叉處，而使第一訊號線SL1與第一輔助電極130互相熔接。接著，可沿預定切割道10(繪示於圖2)切割畫素陣列基板100(繪示於圖2)，進而形成畫素陣列基板100’。但不以此為限，在其他實施例中，可以沿預定切割道10(繪示於圖2)切割畫素陣列基板100(繪示於圖2)，再利用雷射照射以熔接第一訊號線SL1與第一輔助電極130。然後，在第一基板110與第二基板200之間填入密封膠400(繪示於圖3)。部分密封膠400會滲入第一基板110與第二基板200之間，位於第一訊號線SL1及第一輔助電極130上，並與沿著切割道10(繪示於圖2)排列且在切割道10附近的多個畫素P重疊。

然後，至少研磨(polish)畫素陣列基板100及密封膠400，以形成與切割道10對應之第一基板110的側面112(標示於圖5)和密封膠400的側面412(標示於圖5)。在上述研磨製程中， 畫素陣列基板100及密封膠400可同時被研磨，因此沿著切割道10排列且在切割道10附近之畫素P的第一訊號線SL1的側面SL1a(標示於圖5)及第一輔助電極130的側面130a(標示於圖5)大致上可與第一基板110的側面112及密封膠400的側面412切齊。

接著，設置第一導電圖案510於第一基板110的側面112，其中第一導電圖案510與第一訊號線SL1的側面SL1a及第一輔助電極130的側面130a接觸。在本實施例中，第一導電圖案510可使用雷射圖案化金屬層所製作。但本發明不限於此，在其它實施例中，第一導電圖案510也可透過噴墨印刷、柔版印刷(flexo printing)、凹版印刷(gravure printing)或其它適當方式製作。

接著，接合第一軟性電路板610與第一導電圖案510，以使第一軟性電路板610的電極612(標示於圖5)透過第一導電圖案510與第一訊號線SL1的側面SL1a及第一輔助電極130的側面130a電性連接；藉此，可完成經重定尺寸的顯示裝置1’。舉例而言，在本實施例中，上述接合製程可使用熱壓合製程，但本發明不以此為限。

值得一提的是，第一輔助電極130與第一訊號線SL1電性連接之後，第一輔助電極130可視為對應於第一訊號線SL1的輔助接墊。形成於第一基板110之側面112的第一導電圖案510除了與第一訊號線SL1的側面SL1a接觸之外，還與輔助接墊的側面(例如：第一輔助電極130的側面130a)接觸。藉此，第一導電圖案510與畫素陣列基板100’之對應導電元件(即第一訊號線 SL1和第一輔助電極130)的接觸面積變大，接觸電阻變小，進而能提升顯示裝置1’的信賴性。

此外，顯示介質300(例如：液晶)在第一交界區B1上的配向方向不連續，因此，於顯示裝置1、1’顯示畫面時，第一交界區B1係呈暗線(disclination line)。由於第一輔助電極130係設置於第一交界區B1(即對應暗線的區域)，因此第一輔助電極130的設置並不會過度影響顯示裝置1、1’的穿透率。

圖6為本發明第二實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1A的剖面示意圖。圖7為本發明第二實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1A的畫素陣列基板100A的上視示意圖。圖6之畫素陣列基板100A的剖面對應圖7的剖線B-B’。

第二實施例的顯示裝置1A及畫素陣列基板100A與第一實施例的顯示裝置1及畫素陣列基板100類似，兩實施例的差異主要差異在於：第二實施例的顯示裝置1A及畫素陣列基板100A包括第二輔助電極140，而不包括第一輔助電極130。以就兩實施例的差異做說明，兩實施例之相同或相似處請參照前述說明，於此便不再重述。

請參照圖6及圖7，畫素陣列基板100A的各畫素P包括第二輔助電極140，而不包括第一輔助電極130。第二輔助電極140設置於第二交界區B2上且部分重疊於第二訊號線SL2。在本實施例中，第二輔助電極140重疊於第二主幹部126。在第二輔助電極140的延伸方向(例如：第一方向y)上，第二訊號線SL2具有線 寬W2，第二輔助電極140具有長度L2，而第二輔助電極140的長度L2大於第二訊號線SL2的線寬W2。絕緣層GI(繪示於圖6)設置於部分的第二輔助電極140(例如：連接部144)與第二訊號線SL2之間。任兩相鄰的畫素P的多個第二輔助電極140彼此分離。詳言之，任兩相鄰的畫素P的多個第二輔助電極140之間具有間隙g2。間隙g2例如可重疊於其中一畫素P的共用線CL，但本發明不以此為限。顯示裝置1A未經重定尺寸之前，第二輔助電極140係浮置。

在本實施例中，第二輔助電極140包括與畫素電極120之第一主幹部125交錯的主要部142。第二輔助電極140的主要部142可選擇性地與第二訊號線SL2屬於同一第一導電層。第二輔助電極140還包括連接部144，連接部144的兩端分別與對應的一個主要部142及對應的一條第二訊號線SL2重疊。第二輔助電極140的連接部144可選擇性地與第一訊號線SL1屬於同一第二導電層。

圖8為本發明第二實施例之經重定尺寸的顯示裝置1A’的剖面示意圖。圖9為本發明第二實施例之經重定尺寸之顯示裝置1A’之畫素陣列基板100A’的上視示意圖。圖8之畫素陣列基板100A’的剖面對應圖9的剖線B-B’。圖10為本發明第二實施例之經重定尺寸的顯示裝置1A’的一側視示意圖。在本實施例中，利用重定尺寸方法，顯示裝置1A可被製作成顯示裝置1A’。舉例而言，重定尺寸方法可包括下列步驟，以下配合圖8至圖10舉例說明之。

請參照圖8至圖9，在本實施例中，首先，電性連接第二輔助電極140與第二訊號線SL2。舉例而言，在本實施例中，可利用雷射照射第二輔助電極140之連接部144的兩端，以使連接部144的兩端分別與主要部142及第二訊號線SL2熔接。也就是說，第二輔助電極140的主要部142可利用連接部144與第二訊號線SL2電性連接。接著，可沿預定切割道20(繪示於圖7)切割畫素陣列基板100A，進而形成畫素陣列基板100A’。但不以此為限，在其他實施例中，可以先切割畫素陣列基板100A，再利用熔接第二訊號線SL2與第二輔助電極140。然後，在第一基板110與第二基板200之間填入密封膠400(繪示於圖8)。部分密封膠400會滲入第一基板110與第二基板200之間，位於第二訊號線SL2及第二輔助電極140上，並與沿著切割道20排列且在切割道10附近之多個畫素P重疊。

然後，研磨(polish)畫素陣列基板100A及密封膠400，以形成與切割道10對應之第一基板110的側面114(標示於圖10)和密封膠400的側面414(標示於圖10)。在上述研磨製程中，畫素陣列基板100A及密封膠400可同時被研磨，因此沿著切割道20排列且在切割道20附近之畫素P的第二訊號線SL2的側面SL2a(標示於圖10)及第二輔助電極140的側面140a(標示於圖10)大致上可與第一基板110的側面114及密封膠400的側面414切齊。

接著，設置第二導電圖案520於第一基板110的側面 114，其中第二導電圖案520與第二訊號線SL2的側面SL2a及第二輔助電極140的側面140a接觸。在本實施例中，第二導電圖案520例如是使用雷射圖案化金屬層所製作。但本發明不限於此，在其它實施例中，第二導電圖案520也可透過噴墨印刷、柔版印刷、凹版印刷或其它適當方式製作。

接著，接合第二軟性電路板620與第一導電圖案520，以使第二軟性電路板620的電極622透過第一導電圖案520與第二訊號線SL2的側面SL2a及第二輔助電極140的側面140a電性連接；藉此，可完成經重定尺寸的顯示裝置1A’。舉例而言，在本實施例中，上述接合製程可使用熱壓合製程，但本發明不以此為限。

值得一提的是，第二輔助電極140與第二訊號線SL2電性連接之後，第二輔助電極140可視為對應於第二訊號線SL2的輔助接墊。形成於第一基板110之側面114的第二導電圖案520除了與第二訊號線SL2的側面SL2a接觸之外，還與輔助接墊的側面(例如：第二輔助電極140的側面140a)接觸。藉此，第二導電圖案520與畫素陣列基板100A’之對應導電元件(即第二訊號線SL2和第二輔助電極140)的接觸面積變大，接觸電阻變小，進而能提升顯示裝置1A’的信賴性。

此外，顯示介質300(例如：液晶)在第二交界區B2上的配向方向不連續，因此，顯示裝置1A、1A’顯示畫面時，第二交界區B2係呈暗線(disclination line)。由於第二輔助電極140係設置於第二交界區B2(即對應暗線的區域)，因此第二輔助電 極140的設置並不會過度影響顯示裝置1A、1A’的穿透率。

圖11為本發明第三實施例之未經重定尺寸之畫素陣列基板100B的上視示意圖。圖12為本發明第三實施例之經重定尺寸之畫素陣列基板100B’的上視示意圖。第三實施例的畫素陣列基板100B、100B’及其構成的顯示裝置(未繪示)與第一實施例的畫素陣列基板100、100’構成的顯示裝置1類似。第三實施例之畫素陣列基板100B、100B’與第一實施例之畫素陣列基板100、100’的差異在於：第三實施例之畫素陣列基板100B、100B’包括第一輔助電極130及第二輔助電極140；第一輔助電極130與第二輔助電極140分離；一個第二輔助電極140隔開相鄰的兩個第一輔助電極130：多個第一輔助電極130與多個第二輔助電極140在第二方向x上交替排列。利用畫素陣列基板100B、100B’構成的顯示裝置與前述之利用畫素陣列基板100、100’、100A、100A’構成的顯示裝置1、1’、1A、1A’具有類似的功效及優點，於此便不再重述。

圖13為本發明第四實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1C的剖面示意圖。圖14為本發明第四實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1C的畫素陣列基板100C的上視示意圖。圖13之畫素陣列基板100C的剖面對應圖14的剖線C-C’。第四實施例之顯示裝置1C及其畫素陣列基板100C與第一實施例之顯示裝置1及其畫素陣列基板100類似，兩實施例的差異在於：顯示裝置1及其畫素陣列基板100的第一輔助電極130係形成於第一導電層，而顯示裝置1C及其畫素陣列基板100C的第一輔助電極130C係形成 於第三導電層，以下配合圖13及圖14說明之。

請參照圖13及圖14，在本實施例中，絕緣層GI設置在第二訊號線SL2上，第一訊號線SL1上設置於絕緣層GI上，絕緣層PV1設置於第一訊號線SL1上，而第一輔助電極130C設置於絕緣層PV1上。畫素陣列基板100C還包括絕緣層PV2，設置於第一輔助電極130C上。畫素電極120設置於絕緣層PV2上。簡言之，在本實施例中，第二訊號線SL2例如是形成於第一導電層，第一訊號線SL1例如是形成於第二導電層，而第一輔助電極130C例如是形成於第三導電層。第三導電層可使用之材質與第一導電層類似，於此便不再重述。

圖15為本發明第四實施例之經重定尺寸的顯示裝置1C’的剖面示意圖。圖16為本發明第四實施例之經重定尺寸之顯示裝置1C’之畫素陣列基板100C’的上視示意圖。圖15之畫素陣列基板100C’的剖面對應圖16的剖線C-C’。圖17為本發明第四實施例之經重定尺寸的顯示裝置1C’的一側視示意圖。類似地，利用前述之重定尺寸方法能製成經重定尺寸的顯示裝置1C’，本領域具有通常知識者根據前述對重定尺寸方法的說明及圖13至圖17應能實現顯示裝置1C’，於此便不再重述。

圖18為本發明第五實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1D的剖面示意圖。圖19為本發明第五實施例之未經重定尺寸之顯示裝置1D的畫素陣列基板100D的上視示意圖。圖18之畫素陣列基板100D的剖面對應圖19的剖線D-D’。第四實施例之顯示 裝置1D及其畫素陣列基板100D與第二實施例之顯示裝置1A及其畫素陣列基板100A類似，兩實施例的差異在於：顯示裝置1A及其畫素陣列基板100A的第二輔助電極140包含形成於第一導電層的主要部142及形成於第二導電層的連接部144，而顯示裝置1D及其畫素陣列基板100D的第二輔助電極140D係形成於第三導電層，以下配合圖18及圖19說明之。

請參照圖18及圖19，在本實施例中，絕緣層GI設置在第二訊號線SL2上，第一訊號線SL1上設置於絕緣層GI上，絕緣層PV1設置於第一訊號線SL1上，而第二輔助電極140D設置於絕緣層PV1上。畫素陣列基板100D還包括絕緣層PV2，設置於第二輔助電極140D上。畫素電極120設置於絕緣層PV2上。簡言之，在本實施例中，第二訊號線SL2例如是形成於第一導電層，第一訊號線SL1例如是形成於第二導電層，而第二輔助電極140D例如是形成於第三導電層。但不以此為限，在其他實施例中，形成於第三導電層的第二輔助電極140D，可以設置於第二訊號線SL2下方，亦即，第二輔助電極140D設置於絕緣層GI與絕緣層PV1之間。

圖20為本發明第五實施例之經重定尺寸的顯示裝置1D’的剖面示意圖。圖21為本發明第五實施例之經重定尺寸之顯示裝置1D’之畫素陣列基板100D’的上視示意圖。圖20之畫素陣列基板100D’的剖面對應圖21的剖線D-D’。圖22為本發明第五實施例之經重定尺寸的顯示裝置1D’的一側視示意圖。類似地，利用前 述之重定尺寸方法能製成經重定尺寸的顯示裝置1D’。形成顯示裝置1A’之過程與形成顯示裝置1D’之過程的差異在於：第二輔助電極140之被熔接的位置(如圖9所示)與第二輔助電極140D之被熔接的位置(如圖21所示)不同。詳言之，在本實施例中，整個第二輔助電極140D係形成於同一第三導電層，第二輔助電極140D的一端與第二訊號線SL2重疊；在形成顯示裝置1D’的過程中，熔接第二輔助電極140D的一端與第二訊號線SL2即可。本領域具有通常知識者根據前述重定尺寸方法的說明及圖18至圖22應能實現顯示裝置1D’，於此便不再重述。

圖23為本發明第六實施例之未經重定尺寸之畫素陣列基板100E的上視示意圖。圖24為本發明第六實施例之經重定尺寸之畫素陣列基板100E’的上視示意圖。第六實施例的畫素陣列基板100E、100E’及其構成的顯示裝置(未繪示)與第四實施例的畫素陣列基板100C、100C’及畫素陣列基板100C、100C’構成的顯示裝置1C、1C’類似。第六實施例之畫素陣列基板100E、100E’與第四實施例之畫素陣列基板100C、100C’的差異在於：第六實施例之畫素陣列基板100E同時包括第一輔助電極130C及第二輔助電極140D；第一輔助電極130C與第二輔助電極140D分離；一個第二輔助電極140D隔開相鄰兩個第一輔助電極130C：多個第一輔助電極130C與多個第二輔助電極140D在第二方向x上交替排列。利用畫素陣列基板100E、100E’構成的顯示裝置與前述之利用畫素陣列基板100C、100C’、100D、100D’構成的顯示裝置1C、1C’、 1D、1D’類似的功效及優點，於此便不再重述。

綜上所述，本發明一實施例之顯示裝置包括第一基板及設置於第一基板上的多個畫素。各畫素包括訊號線、電性連接至訊號線的薄膜電晶體、電性連接至薄膜電晶體的畫素電極及輔助電極。畫素電極具有多個第一分支部、多個第二分支部、多個第三分支部及多個第四分支部。第一、二、三、四分支部分別定義第一、二、三、四配向區。第一、二、三、四配向區的配向方向互不相同。第一配向區與第二配向區之間具有第一交界區。第一配向區與第三配向區之間具有第二交界區。輔助電極設置於第一交界區及/或第二交界區上，且部分重疊於訊號線。任兩相鄰的多個畫素的多個輔助電極彼此分離。

本發明一實施例之顯示裝置經重定尺寸後，輔助電極與訊號線電性連接，而輔助電極可視為對應於訊號線的輔助接墊。形成於第一基板之側面的導電圖案除了與訊號線的側面接觸之外，還與輔助接墊的側面接觸。藉此，導電圖案與畫素陣列基板之對應導電元件接觸面積變大，接觸電阻變小，進而能提升經重定尺寸之顯示裝置的信賴性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:切割道

100:畫素陣列基板

110:第一基板

120:畫素電極

121:第一分支部

122:第二分支部

123:第三分支部

124:第四分支部

125:第一主幹部

126:第二主幹部

130:第一輔助電極

A-A’:剖線

B1:第一交界區

B2:第二交界區

CH:半導體圖案

D:汲極

H:接觸窗

G:閘極

g1:間隙

CL:共用線

SL1:第一訊號線

SL2:第二訊號線

S:源極

T:薄膜電晶體

P:畫素

L1:長度

W1:線寬

R1:第一配向區

R2:第二配向區

R3:第三配向區

R4:第四配向區

x、y、z、d1~d4:方向

Claims (15)

1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板；多個畫素，設置於該第一基板上，各該畫素包括：一第一訊號線；一薄膜電晶體，電性連接至該第一訊號線；一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體，且具有多個第一分支部與多個第二分支部，該些第一分支部定義一第一配向區，該些第二分支部定義一第二配向區，該第一配向區的配向方向與該第二配向區的配向方向不同，而該第一配向區與該第二配向區之間具有一第一交界區；以及一第一輔助電極，設置於該第一交界區上，且部分重疊於該第一訊號線，其中該些畫素的至少一畫素的該第一輔助電極係電性連接於該至少一畫素的該第一訊號線；以及一第一導電圖案，設置於該第一基板的第一側面上，且與該至少一畫素的該第一輔助電極的一側面以及該第一訊號線的一側面接觸；其中任兩相鄰的該些畫素的該些第一輔助電極彼此分離。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該畫素電極更具有設置於該第一交界區的一第一主幹部，該第一主幹部連接於該些第一分支部與該些第二分支部之間，而該第一輔助電極重疊於該第一主幹部。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一訊號線在一第一方向上延伸，該第一輔助電極在一第二方向上延伸，而該第一方向與該第二方向交錯。
4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中該第一訊號線在該第二方向上具有一線寬，該第一輔助電極在該第二方向上具有一長度，而該第一輔助電極的該長度大於該第一訊號線的該線寬。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該畫素更包括：一絕緣層，設置於該第一輔助電極與該第一訊號線之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中任兩相鄰的該些第一輔助電極之間具有一間隙，該間隙至少部分重疊於該畫素電極。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：一第一軟性電路板，具有一電極，其中該電極透過該第一導電圖案電性連接至該至少一畫素的該第一輔助電極以及該第一訊號線。
8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該畫素電極更具有多個第三分支部，該些第三分支部定義一第三配向區，該第一配向區的配向方向、該第二配向區的配向方向及該第三配向區的配向方向互不相同，該第一配向區與該第三配向區之間具有一第二交界區，而各該畫素更包括： 一第二訊號線，與該第一訊號線交錯，且電性連接至該薄膜電晶體；以及一第二輔助電極，設置於該第二交界區上，且部分重疊於該第二訊號線。
9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該畫素電極更具有設置於該第二交界區的一第二主幹部，該第二主幹部連接於該些第一分支部與該些第三分支部之間，而該第二輔助電極重疊於該第二主幹部。
10. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中在該第二輔助電極的延伸方向上，該第二訊號線具有一線寬，該第二輔助電極具有一長度，而該第二輔助電極的該長度大於該第二訊號線的該線寬。
11. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該第一輔助電極與該第二輔助電極分離。
12. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該第二輔助電極係浮置。
13. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該第二輔助電極電性連接於該第二訊號線。
14. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：一第二基板，設置於該第一基板的對向；一密封膠，設置於該第一基板與該第二基板之間，且位於該第一訊號線及該第一輔助電極上；以及 一顯示介質，設置於該第一基板與該第二基板之間。
15. 一種顯示裝置，包括：一第一基板；以及多個畫素，設置於該第一基板上，各該畫素包括：一第一訊號線；一薄膜電晶體，電性連接至該第一訊號線；一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體，且具有多個第一分支部與多個第二分支部，該些第一分支部定義一第一配向區，該些第二分支部定義一第二配向區，該第一配向區的配向方向與該第二配向區的配向方向不同，而該第一配向區與該第二配向區之間具有一第一交界區；以及一第一輔助電極，設置於該第一交界區上，該第一輔助電極部分重疊於該第一訊號線，且該第一輔助電極係浮置；其中任兩相鄰的該些畫素的該些第一輔助電極彼此分離。

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