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TWI668751B - Grinding method of workpiece - Google Patents

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TWI668751B
TWI668751B TW104133535A TW104133535A TWI668751B TW I668751 B TWI668751 B TW I668751B TW 104133535 A TW104133535 A TW 104133535A TW 104133535 A TW104133535 A TW 104133535A TW I668751 B TWI668751 B TW I668751B
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Taiwan
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grinding
workpiece
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wheel
stones
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TW104133535A
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Inventor
不破德人
松井秀樹
山下真司
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明的課題為提供一種被加工物的磨削方法，其可將複數個被加工物之整體恰當地平坦化。解決手段為同時磨削加工複數個被加工物之被加工物的磨削方法，其具備：被加工物貼附步驟，將複數個該被加工物貼附於保持構件；保持步驟，將已貼附於保持構件上之複數個被加工物以工作夾台保持；以及磨削步驟，使磨削輪接觸複數個被加工物來將複數個被加工物同時磨削加工。磨削輪包含圓盤狀的輪基台、複數個於輪基台之第1面上排列成環狀的第1磨削磨石、以及複數個在複數個第1磨削磨石的半徑方向內側與複數個第1磨削磨石排列成同心圓狀之第2磨削磨石，且做成複數個第1磨削磨石與複數個第2磨削磨石之半徑方向的間隔比相鄰之被加工物的最小間隔還要寬之構成。

Description

被加工物的磨削方法 發明領域
本發明是有關於一種將板狀的被加工物磨削加工的磨削方法。
發明背景
IC、LSI等之電子器件一般是使用矽晶圓來製造。相對於此，LED等之光器件大多是使用顯現優異的機械特性、熱特性，且化學上也穩定之藍寶石基板來製造。此外，近年來，也有使用有利於高耐壓化、低損耗化之SiC基板來製造電力控制用的電力器件之情形。
在比矽晶圓高價之藍寶石基板及SiC基板上，是以2吋到4吋左右的直徑為主流。當將這種直徑小之基板1片1片地磨削加工時，會無法維持充分的生產性，所以可以同時磨削加工複數片基板之磨削方法正被探討中(參照例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-247311號公報
發明概要
但是，以上述之磨削方法同時磨削加工複數片基板時，相較於基板的中央部分，外周部分會被磨削得較多，而無法將基板整體平坦化。本發明即是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的在於提供一種被加工物的磨削方法，其可將複數個被加工物整體恰當地平坦化。
根據本發明所提供的被加工物的磨削方法，是使用具備保持板狀的被加工物之工作夾台、以及裝設有將該被加工物磨削加工之磨削輪的磨削手段的磨削裝置，來同時將複數個該被加工物磨削加工的被加工物的磨削方法，其特徵為具備：被加工物貼附步驟，將複數個該被加工物貼附於保持構件；保持步驟，將已貼附於該保持構件上之該複數個被加工物以該工作夾台保持；以及磨削步驟，使該磨削輪接觸該複數個被加工物而將該複數個被加工物同時磨削加工，該磨削輪包含圓盤狀的輪基台、複數個在該輪基台之第1面上排列成環狀的第1磨削磨石、以及複數個在該複數個第1磨削磨石的半徑方向內側與複數個第1磨削磨石排列成同心圓狀的第2磨削磨石，且該複數個第1磨削磨石與該複數個第2磨削磨石之該半徑方向的間隔，比相鄰之該被加 工物的最小間隔還要寬。
在本發明中，排列於前述輪基台上之前述第2磨削磨石的數量，宜較排列於前述輪基台上之前述第1磨削磨石的數量少。
又，在本發明中，排列於前述輪基台上之前述第2磨削磨石的抗損耗性，宜較排列於前述輪基台上之前述第1磨削磨石的抗損耗性低。
又，在本發明中，前述被加工物可為例如藍寶石基板或SiC基板。
在本發明之被加工物的磨削方法中，由於使用使排列成同心圓狀之複數個第1磨削磨石與複數個第2磨削磨石之半徑方向的間隔比相鄰的被加工物之最小間隔還寬的磨削輪來同時將複數個被加工物磨削加工，所以可藉第1磨削磨石與第2磨削磨石分散磨削的壓力，特別是可將施加於被加工物的外周部分之磨削的壓力抑制得較低。
藉此，可以防止相較於被加工物的中央部分，外周部分被磨削得較多之情形。亦即，根據本發明之被加工物的磨削方法，可以將複數個被加工物之整體恰當地平坦化。
2‧‧‧磨削裝置
4‧‧‧基台
4a‧‧‧開口
6‧‧‧支撐壁
8‧‧‧X軸移動台
10‧‧‧防塵防滴罩
11‧‧‧被加工物
11a、13a‧‧‧表面
11b、13b‧‧‧背面
12‧‧‧操作面板
13‧‧‧保持構件
14‧‧‧工作夾台
14a‧‧‧保持面
15‧‧‧黏貼膠帶
16‧‧‧Z軸移動機構
17‧‧‧框架
18‧‧‧Z軸導軌
20‧‧‧Z軸移動板
22‧‧‧Z軸滾珠螺桿
24‧‧‧Z軸脈衝馬達
26‧‧‧支撐構造
28‧‧‧磨削單元
30‧‧‧主軸殼體
32‧‧‧主軸
34‧‧‧輪座
36、46‧‧‧磨削輪
38、48‧‧‧輪基台
38a‧‧‧第1面
38b‧‧‧第2面
40‧‧‧第1磨削磨石
42‧‧‧第2磨削磨石
50‧‧‧磨削磨石
D1‧‧‧最小間隔
D2‧‧‧間隔
R1、R2‧‧‧旋轉方向
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1為模式地顯示磨削裝置之構成例的立體圖。
圖2為模式地顯示被加工物貼附步驟的立體圖。
圖3為模式地顯示磨削輪之構成例的立體圖。
圖4為模式地顯示各被加工物與磨削輪的位置關係之例的圖。
圖5為模式地顯示比較例之各被加工物與磨削輪的位置關係之例的圖。
圖6為模式地顯示變形例之被加工物貼附步驟的立體圖。
圖7為模式地顯示變形例之各被加工物與磨削輪的位置關係之例的圖。
圖8為模式地顯示比較例之各被加工物與磨削輪的位置關係之例的圖。
圖9(A)及圖9(B)為模式地顯示已將複數個被加工物貼附於黏貼膠帶之狀態的立體圖。
用以實施發明之形態
參照附加圖式，對本發明之實施形態進行說明。本實施形態之被加工物的磨削方法包含被加工物貼附步驟、保持步驟以及磨削步驟。在被加工物貼附步驟中，是將磨削對象之複數個被加工物貼附於保持構件上。
在保持步驟中，是將已貼附在保持構件上之複數個被加工物以工作夾台加以保持。在磨削步驟中，是使磨削輪接觸複數個被加工物而同時將複數個被加工物磨削加工。以下，詳細說明本實施形態之被加工物的磨削方法。
首先，就本實施形態之被加工物的磨削方法中所使用的磨削裝置來說明。圖1為模式地顯示磨削裝置之構成 例的立體圖。如圖1所示，本實施形態之磨削裝置2具備有搭載各構造之長方體狀的基台4。基台4之後端豎立設置有支撐壁6。
基台4的上表面，形成有於X軸方向(前後方向)上較長的矩形開口4a。此開口4a內配置有X軸移動台8、使X軸移動台8在X軸方向上移動的X軸移動機構(圖未示)、以及覆蓋X軸移動機構之防塵防滴罩10。又，開口4a的前方設置有用於輸入磨削條件等之操作面板12。
X軸移動機構具備有在X軸方向上平行的一對X軸導軌(圖未示)，並設置成使X軸移動台8可在X軸導軌上滑動。在X軸移動台8的下表面側設有螺帽部(圖未示)，在此螺帽部中螺合有與X軸導軌平行的X軸螺桿(圖未示)。
在X軸螺桿的一端部上連結有X軸脈衝馬達(圖未示)。藉由以X軸脈衝馬達使X軸滾珠螺桿旋轉，X軸移動台8即可沿著X軸導軌在X軸方向上移動。
在X軸移動台8上設有吸引保持板狀的被加工物11(參照圖2等)之工作夾台14。工作夾台14會與馬達等旋轉驅動源(圖未示)連結，並繞著與Z軸方向(鉛直方向)平行之旋轉軸旋轉。又，工作夾台14是藉由上述X軸移動機構而與X軸移動台8一起在X軸方向上移動。
工作夾台14之上表面為吸引保持被加工物11之保持面14a。該保持面14a是通過形成於工作夾台14內部之流路(圖未示)與吸引源(圖未示)相連接。被載置於工作夾台14上之被加工物11，會因作用於保持面14a之吸引源的負壓 而被吸引保持在工作夾台14上。
支撐壁6之前面設有Z軸移動機構16。Z軸移動機構16具備有一對平行於Z軸方向的Z軸導軌18，且在Z軸導軌18上設置有可滑動之Z軸移動板20。
在各Z軸移動板20的後面側(背面側)上設置有螺帽部(圖未示)，且在此螺帽部中螺合有與Z軸導軌18平行之Z軸滾珠螺桿22。在Z軸螺桿22的一端部連結有Z軸脈衝馬達24。藉由以Z軸脈衝馬達24使Z軸滾珠螺桿22旋轉，Z軸移動板20即可沿著Z軸導軌18在Z軸方向上移動。
Z軸移動板20的前面(表面)設有突出於前方之支撐構造26，在此支撐構造26上支撐有磨削加工被加工物11之磨削單元(磨削手段)28。磨削單元28包含被固定在支撐構造26上的主軸殼體30。在主軸殼體30上將成為旋轉軸之主軸32支撐成可旋轉。
於主軸32之下端部(前端部)設有圓盤狀之輪座34。於輪座34的下表面會以螺栓等固定有構成為與輪座34為大致相同直徑的圓盤狀之磨削輪36。關於磨削輪36的詳細內容見後述。
於主軸32之上端側(基端側)連結有馬達等之旋轉驅動源(圖未示)。磨削輪36是藉由從此旋轉驅動源所傳達的旋轉力而繞著與Z軸方向平行的旋轉軸旋轉。在使工作夾台14與磨削輪36相對地旋轉時，使磨削輪36降下，並一邊供給純水等磨削液一邊使其接觸被加工物11，藉此便可磨削加工被加工物11。
其次，說明使用上述之磨削裝置2所實施之被加工物的磨削方法。在本實施形態之被加工物的磨削方法中，首先實施被加工物貼附步驟，將成為磨削對象之複數個被加工物11貼附於保持構件上。圖2為模式地顯示被加工物貼附步驟的立體圖。如圖2所示，在本實施形態之被加工物貼附步驟中，是將3片被加工物11貼附於保持構件13上。
各被加工物11是例如形成650μm之厚度的圓盤狀的藍寶石基板或SiC基板。然而，本發明所磨削之被加工物並不受限於此。只要是板狀的被加工物，均可以用本發明之磨削方法來恰當地磨削加工。在本實施形態中，是磨削加工此被加工物11之表面11a側。
保持構件13為例如可以不重疊地載置複數個被加工物11之大小的板狀物，且是以陶瓷等材料形成。在本實施形態中，如圖2所示，是使用可配置3片被加工物11之大小的圓盤狀的保持構件13。然而，本發明之保持構件並不受限於此。
在被加工物貼附步驟中，是以使保持構件13的表面13a與被加工物11的背面11b相向的形式，將3片被加工物11載置於保持構件13上。3片被加工物11是以不互相重疊的形式被載置。又，在保持構件13與各被加工物11間會使蠟(接著劑)介於其間。藉此，可將被加工物11的背面11b側貼附於保持構件13的表面13a側。
在被加工物貼附步驟之後，實施保持步驟，其為將已貼附於保持構件13之各被加工物11以工作夾台14保持。 在此保持步驟中，是以使保持構件13的背面13b與工作夾台14之保持面14a相向的形式，將保持構件13載置於工作夾台14上，來使吸引源之負壓作用。藉此，被貼附於保持構件13之各被加工物11，會隔著保持構件13而被吸引保持於工作夾台14上。
在保持步驟之後，會實施磨削加工各被加工物11的磨削步驟。圖3為模式地顯示磨削輪36之構成例的立體圖，圖4為模式地顯示磨削步驟中的各被加工物11與磨削輪36的位置關係之例的圖。
如圖3所示，磨削輪36包含中央設有開口之圓盤狀的輪基台38。在輪基台38之第1面38a上，將複數個第1磨削磨石40排列成環狀。
又，在比複數個第1磨削磨石40還內側(複數個第1磨削磨石40之半徑方向內側)的區域中，將複數個第2磨削磨石42排列成環狀。亦即，在輪基台38之第1面38a上，會將複數個第1磨削磨石40與複數個第2磨削磨石42配置成同心圓狀。
又，如圖4所示，複數個第1磨削磨石40與複數個第2磨削磨石42之間隔(半徑方向的間隔)D2是形成為比相鄰之2片被加工物11的最小間隔D1還寬。磨削輪36是以使其與固定有第1磨削磨石40以及第2磨削磨石42之第1面38a為相反的第2面38b相接觸的方式，被裝設在輪座34的下表面。
在磨削步驟中，首先會使工作夾台14以及磨削輪 36各自以預定之旋轉頻率朝預定之旋轉方向R1、R2旋轉。工作夾台14之旋轉頻率是例如300rpm左右，磨削輪36之旋轉頻率是例如800rpm左右。然而，磨削的條件並不受限於此。
其次，使磨削輪36降下，以一邊供給純水等磨削液一邊使第1磨削磨石40以及第2磨削磨石42的下表面接觸被加工物11的表面11a。藉此，可將複數個被加工物11同時磨削加工。當將被加工物11磨削加工到所期望之厚度(例如160μm)時，即結束磨削步驟。
圖5為在比較例之磨削方法中將各被加工物11與磨削輪之位置關係模式地顯示的圖。如圖5所示，比較例之磨削輪46是以圓盤狀的輪基台48與排列成環狀的複數個磨削磨石50所構成。圖5中，僅在2片被加工物11之外周部分施加磨削之壓力。
相對於此，在本實施形態之磨削輪36中，是將複數個第1磨削磨石40與複數個第2磨削磨石42配置成同心圓狀，又，第1磨削磨石40與第2磨削磨石42之間隔D2是形成為比被加工物11的最小間隔D1還要寬。因此，在圖4中，是在3片被加工物11上施加磨削之壓力。
像這樣，在本實施形態之被加工物的磨削方法中，因為一邊藉第1磨削磨石40與第2磨削磨石42分散磨削之壓力一邊磨削加工被加工物11，所以特別可將施加於被加工物11之外周部分的磨削壓力抑制得較低。藉此，可以防止相較於被加工物11之中央部分，外周部分被磨削得較多之 情形。亦即，只要根據本實施形態之被加工物的磨削方法，就可以將複數個被加工物11整體恰當地平坦化。
再者，在本實施形態之磨削輪36中，因為將第2磨削磨石42配置在比第1磨削磨石40還內側，所以在磨削時，第2磨削磨石42之相對於被加工物11的移動速度，會變得比第1磨削磨石40之相對於被加工物11的移動速度還低。其結果，在第1磨削磨石40之損耗量(磨耗量)與第2磨削磨石42之損耗量上容易產生差距。
針對此問題，只要將例如排列於磨削輪36上之第2磨削磨石42的數量減少到比排列於磨削輪36上之第1磨削磨石40的數量少即可。或是將第2磨削磨石42之抗損耗性做成比第1磨削磨石40之抗損耗性低亦可。藉由這些作法，將第1磨削磨石40之損耗量與第2磨削磨石42之損耗量的差充分縮小，而可以恰當地將複數個被加工物11之整體平坦化。
要將第2磨削磨石42之抗損耗性做成比第1磨削磨石40之抗損耗性低，可例如將第2磨削磨石42中所含有之磨粒的集中度做成比第1磨削磨石40中所含有之磨粒的集中度還低。或者將第2磨削磨石42中所含有之結合材料做成比第1磨削磨石40中所含有之結合材料還軟。第1磨削磨石40以及第2磨削磨石42之抗損耗性可根據例如楊氏模數或抗彎強度等來判定。
再者，本發明並不限定於上述實施形態之記載，並可以進行各種變更而實施。例如，在上述實施形態中， 雖然在保持構件13上貼附3片被加工物11來將3片被加工物11同時磨削，但是貼附於保持構件13上之被加工物11的數量並未特別限定。
圖6為模式地顯示變形例之被加工物貼附步驟的立體圖，圖7為模式地顯示變形例之各被加工物11與磨削輪36之位置關係之例的圖，圖8為模式地顯示比較例之各被加工物11與磨削輪46之位置關係之例的圖。
如圖6所示，在變形例之被加工物的磨削方法中，是將5片被加工物11貼附於保持構件13上。在這個情況下，也是如圖7所示，以使複數個第1磨削磨石40與複數個第2磨削磨石42之間隔(半徑方向的間隔)D2變得比相鄰之被加工物11的最小間隔D1還寬的形式來構成磨削輪36。
其結果，在圖7所示之狀態中，成為可於4片被加工物11上施加磨削之壓力。另一方面，在圖8所示之比較例中，僅在2片被加工物11之外周部分施加磨削之壓力。
像這樣，即使是在變形例之被加工物的磨削方法，也可以藉第1磨削磨石40與第2磨削磨石42來分散磨削之壓力，而特別將施加於被加工物11之外周部分的磨削壓力抑制得較低。藉此，可以防止相較於被加工物11之中央部分，外周部分被磨削得較多之情形。
又，在上述實施形態及變形例中，雖然是將陶瓷等材料所形成之板狀物作為保持構件13來使用，但是將黏貼膠帶等當作保持構件來使用亦可。圖9(A)及圖9(B)為模式地顯示已將複數個被加工物11貼附在黏貼膠帶上之狀態的 立體圖。
如圖9(A)及圖9(B)所示，在將複數個被加工物11貼附於黏貼膠帶(保持構件)15上的情況中，也可用相同之程序來磨削加工被加工物11。再者，此時宜先將環狀框架17固定於黏貼膠帶15之外周部分。
其他，上述實施形態及變形例之構成、方法等，只要不脫離本發明之目的範圍，均可適當變更而實施。

Claims (4)

  1. 一種被加工物的磨削方法，是藉由使用磨削裝置同時磨削複數個板狀的被加工物，該磨削裝置具備：保持該等板狀的被加工物之工作夾台、以及具有將該等板狀的被加工物磨削之磨削輪的磨削組件，前述磨削方法包含：被加工物貼附步驟，將該等板狀的被加工物貼附於保持構件；保持步驟，將已貼附於該保持構件之該等板狀的被加工物保持在該工作夾台上；以及磨削步驟，使該磨削輪接觸該等板狀的被加工物而同時磨削該等板狀的被加工物，該磨削輪具備：圓盤狀的輪基台；在該輪基台之第1面上排列成環狀的複數個第1磨削磨石；以及在該輪基台之第1面且在該等第1磨削磨石的半徑方向內側排列成環狀，並且與該等第1磨削磨石隔有間隔地成同心圓狀的複數個第2磨削磨石，其中該等第1磨削磨石與該等第2磨削磨石之半徑方向的間隔，比相鄰之該等板狀的被加工物之間的最小間隔還要大，其中在該磨削步驟中，該等複數個第1磨削磨石之至少一部分與至少該等板狀的被加工物的第1個接觸，而且該等複數個第2磨削磨石之至少一部分與至少該等板狀的被加工物的第2個接觸。
  2. 如請求項1之被加工物的磨削方法，其中，排列於該輪基台上之該等第2磨削磨石的數量，比排列於該輪基台上之該等第1磨削磨石的數量少。
  3. 如請求項1之被加工物的磨削方法，其中，排列於該輪基台上之該等第2磨削磨石的抗損耗性，比排列於該輪基台上之該等第1磨削磨石的抗損耗性低。
  4. 如請求項1或2之被加工物的磨削方法，其中，該等被加工物為藍寶石基板或SiC基板。
TW104133535A 2014-11-17 2015-10-13 Grinding method of workpiece TWI668751B (zh)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP6858539B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-14 株式会社ディスコ 研削装置
US10876517B2 (en) * 2017-12-22 2020-12-29 Wind Solutions, Llc Slew ring repair and damage prevention
JP7118558B2 (ja) * 2019-01-17 2022-08-16 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060063478A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Grinding wheel
US20120088441A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-12 Disco Corporation Processing apparatus having four processing units
US20130023188A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for Wafer Grinding

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139496A (ja) * 1974-09-30 1976-04-02 Sohei Nakano Kensakuban
JPS5760929Y2 (zh) * 1980-07-07 1982-12-25
JPS61226272A (ja) * 1985-03-29 1986-10-08 Toshiba Corp ウエ−ハ研削用砥石
CN1897226A (zh) * 2005-07-11 2007-01-17 上海华虹Nec电子有限公司 一种化学机械抛光机
JP2009166150A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp ウェハの製造方法
JP5295731B2 (ja) * 2008-11-21 2013-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP2010247311A (ja) 2009-04-20 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の研削方法
JP2014004663A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060063478A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Grinding wheel
US20120088441A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-12 Disco Corporation Processing apparatus having four processing units
US20130023188A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for Wafer Grinding

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