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TWI637238B - 阻焊劑組成物及被覆印刷線路板 - Google Patents

阻焊劑組成物及被覆印刷線路板 Download PDF

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TWI637238B
TWI637238B TW104128458A TW104128458A TWI637238B TW I637238 B TWI637238 B TW I637238B TW 104128458 A TW104128458 A TW 104128458A TW 104128458 A TW104128458 A TW 104128458A TW I637238 B TWI637238 B TW I637238B
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TW
Taiwan
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solder resist
meth
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acrylate
compound
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Application number
TW104128458A
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TW201621463A (zh
Inventor
酒井善夫
樋口倫也
Original Assignee
日商互應化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明之阻焊劑組成物，其含有：(A)含羧基樹脂、(B)環氧化合物、(C)氧化鈦、(D)光聚合起始劑及(E)抗氧化劑。其中，(B)成分含有以下列式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物。(D)成分含有(D1)雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑及(D2)α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。

Description

阻焊劑組成物及被覆印刷線路板
本發明是關於一種阻焊劑組成物及被覆印刷線路板，詳細而言，是關於：一種阻焊劑組成物，其具有光硬化性且能以鹼性溶液顯影；及，一種被覆印刷線路板，其具備由此阻焊劑組成物所形成的阻焊劑層。
近年，作為民生用及產業用之印刷線路板中的阻焊劑層之形成方法，為了對應於印刷線路板的高線路密度化，使用解析性及尺寸精度等優異之能夠顯影的阻焊劑組成物之方法，正逐漸取代網版印刷法佔據了大部分的位置。
又，近年，將發光二極體(LED)等光學元件直接安裝於被覆形成有阻焊劑層之印刷線路板上的情況正逐漸增加，該光學元件是用於行動終端、個人電腦、電視機等之液晶顯示器的背光源、照明器具的光源等。並且，也正在進行下述：藉由使安裝有光學元件之印刷線路板中的阻焊劑層含有氧化鈦而使阻焊劑層進行白化，使得從發光元件所發出的光在阻焊劑層有效率地進行反射(參照日本專利申請案公開號2012-78414)。
但是，若使阻焊劑組成物含有氧化鈦，則在使此阻焊劑組成物曝光而硬化時，因為氧化鈦反射或是吸收了光，會有阻焊劑組成物不易硬化的情況。尤其阻焊劑組成物若含有大量的氧化鈦，要使由阻焊劑組成物形成之阻焊劑層從表面一直硬化到深部會變得很困難。阻焊劑層的深部若不充分地硬化，則容易招致下述瑕疵：顯影時的解析性惡化、或因在阻焊劑層受到加熱時由於印刷線路板和阻焊劑層的熱膨脹係數的不同使應力集中在一部分而發生龜裂。
又，含有阻焊劑組成物之阻焊劑層容易變脆，因此，在對阻焊劑層施以機械性加工時等，阻焊劑層容易產生龜裂。
並且，對於阻焊劑層，亦要求耐光性、耐熱性及耐熱變色性要高。
本發明是鑑於上述事由而完成者，其目的在於：提供一種阻焊劑組成物，其在使阻焊劑組成物進行光硬化來製作阻焊劑層時能夠使阻焊劑層充分地從表層一直硬化到深部並且抑制阻焊劑層變脆，並且能夠對阻焊劑層賦予高耐光性、耐熱性及耐熱變色性；及，提供一種被覆印刷線路板，其具備由此阻焊劑組成物所形成之阻焊劑層。
本發明之阻焊劑組成物，其含有：(A)含羧基樹脂、(B)環氧化合物、(C)氧化鈦、(D)光聚 合起始劑及(E)抗氧化劑；其中，前述(B)成分含有以下列式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物；前述(D)成分含有(D1)雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑及(D2)α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。
於式(1)中，R1、R2、R3及R4分別獨立為甲基、氫原子或三級丁基。
本發明之被覆印刷線路板，其具備：印刷線路板、及被覆前述印刷線路板之阻焊劑層；其中，前述阻焊劑層包含前述阻焊劑組成物的硬化物。
根據本發明，在使阻焊劑組成物進行光硬化來製作阻焊劑層時，能夠使阻焊劑層充分地從表層一直硬化到深部並且抑制阻焊劑變脆，並且能夠對阻焊劑層賦予高耐光性、耐熱性及耐熱變色性。
又，根據本發明，可獲得一種印刷線路板，其具備阻焊劑層，該阻焊劑層充分地從表層一直硬化到深部，龜裂受到抑制，並且具有高耐光性、耐熱性及耐熱變色性。
針對用以實施本發明之形態來進行說明。另外，於以下之說明中，所謂的「(甲基)丙烯酸」，是意味著「丙烯酸」和「甲基丙烯酸」之中至少一種。例如，(甲基)丙烯酸酯是意味著丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯之中至少一種。
本實施形態之阻焊劑組成物，其含有：(A)含羧基樹脂、(B)環氧化合物、(C)氧化鈦、(D)光聚合起始劑及(E)抗氧化劑。其中，(B)成分含有以下列式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物。(D)成分含有(D1)雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑及(D2)α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。
於式(1)中，R1、R2、R3及R4分別獨立為甲基、氫原子或三級丁基。
又，本實施形態之被覆印刷線路板，具備由阻焊劑組成物的光硬化物所構成之阻焊劑層。
在本實施形態，阻焊劑組成物中之以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物由於僅具有一個芳香環，含有此對苯二酚型環氧化合物的阻焊劑層即使因為熱或光而分解，共軛鍵也不容易變長變大。又，對苯二酚型環氧化合物不具有氮原子及硫原子。由於此等原因，故阻焊劑 層不易變色。並且，對苯二酚型環氧化合物由於為二官能，具有醚鍵，故降低阻焊劑層的脆度，賦予柔軟性。因此，在對阻焊劑層施以機械性加工時阻焊劑層的龜裂受到抑制，或在阻焊劑層受到加熱時因基材部分和阻劑層之熱膨脹係數的不同而引起的熱龜裂受到抑制。
並且，對苯二酚型環氧化合物由於具有芳香環，故能夠提升阻焊劑層的耐熱性。又，對苯二酚型環氧化合物的熔點高至138~145℃左右。因此藉由將阻焊劑組成物以60~80℃左右的相對低溫來進行加熱而形成乾燥塗膜時，(A)成分(含羧基樹脂)和對苯二酚型環氧化合物不易進行反應。因此，在乾燥塗膜中(A)成分容易未反應就殘留下來，因此藉由將乾燥塗膜曝光後進行顯影來獲得被膜時能夠確保高鹼顯影性。
又，若阻焊劑組成物含有以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物，則由阻焊劑組成物形成之乾燥塗膜的黏性會受到抑制。若阻焊劑組成物不僅只含有對苯二酚型環氧化合物，又更含有高熔點的環氧化合物，則乾燥塗膜的黏性會更加受到抑制。
並且將顯影後的被膜以適當的溫度，例如150℃進行加熱時，由於被膜中的對苯二酚型環氧化合物容易軟化或熔融，故在被膜中對苯二酚型環氧化合物所參與的熱硬化反應易於進行。因此，能獲得耐熱性高的被膜。
又，如同上述，(D)成分含有(D1)成分(雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑)及(D2)成分(α- 羥烷基苯酮系光聚合起始劑)。(D1)成分是對波長比380nm還要長的活性能量線的吸收性高。因此，阻焊劑組成物因為含有(D1)成分，故儘管含有氧化鈦，仍具有高光硬化性。並且，由於若曝光，(D1)成分會因光漂白(photobleaching)效果而脫色，故(D1)成分不易使阻焊劑層著色。因此(D1)成分不易妨礙阻焊劑層的光反射性。
又，在光硬化時阻焊劑層之表層由於容易受到氧抑制作用，故若單獨使用(D1)成分則要使阻焊劑層之表層充分硬化是有困難。但是，在本實施形態由於阻焊劑組成物尚含有(D2)成分及(E)成分，故氧抑制作用受到抑制，阻焊劑層容易充分地從表面一直硬化到深部。阻焊劑層若充分地從表層一直硬化到深部，阻焊劑層的均質性會變高。因此，在焊接步驟、回焊步驟等，阻焊劑層即使因熱而變形產生了應力，在阻焊劑層內變得容易分散應力，因此阻焊劑層中變得不易產生龜裂。又，阻焊劑組成物因含有(E)成分，阻焊劑層即使暴露於高溫或光之下，也不易產生著色，因此能夠防止阻焊劑層之光反射率的低落及黃變。
並且，阻焊劑組成物因含有(E)成分，而獲得了阻焊劑組成物中的交聯反應及分解反應的抑制效果。因此，阻焊劑組成物中若含有(E)成分，則能夠獲得對應於(E)成分濃度的阻焊劑組成物之交聯反應性， 藉此能夠適度地控制阻焊劑層中交聯的程度。藉此，能夠提升阻焊劑層的密合性。
又，阻焊劑組成物若含有以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物並且含有(E)成分，則會對阻焊劑層賦予適度的柔軟性並且與阻焊劑層之印刷線路板的密合性會提升。並且，阻焊劑層之耐鍍覆液性等各種阻劑性能亦變得良好。
因此，在本實施形態，在使阻焊劑組成物進行光硬化來製作阻焊劑層時，能夠使阻焊劑層充分地從表層一直硬化到深部並且抑制阻焊劑變脆，並且能夠對阻焊劑層賦予高耐光性、耐熱性及耐熱變色性。
針對本實施形態之阻焊劑組成物，更加詳細地進行說明。
(A)成分能夠對由阻焊劑組成物所形成之塗膜賦予藉由鹼性溶液所得的顯影性亦即鹼顯影性。
(A)成分能夠含有一種化合物，其具有羧基且不具有光聚合性(以下稱為(A1)成分)。
(A1)成分，例如含有一種乙烯性不飽和單體之聚合物，其包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物。乙烯性不飽和單體中亦可進一步包含不具有羧基之乙烯性不飽和化合物。
具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有適當的聚合物及預聚物，能夠含有例如僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言，具有羧基之乙烯性不飽和 化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：丙烯酸、甲基丙烯酸、ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯、巴豆酸、桂皮酸、2-丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧乙基馬來酸、丙烯酸β-羧乙基酯、2-丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸及2-甲基丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸。具有羧基之乙烯性不飽和化合物，亦能夠含有具有複數個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言，例如具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有使二元酸酐與具有羥基之多官能的(甲基)丙烯酸酯進行反應而得的化合物，該具有羥基之多官能的(甲基)丙烯酸酯是選自由季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四醇五甲基丙烯酸酯所組成之群組。此等化合物可單獨一種來使用，或者併用複數種。
不具有羧基之乙烯性不飽和化合物，只要是能與具有羧基之乙烯性不飽和化合物進行共聚合的化合物即可。不具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有在具 有芳香環之化合物和不具有芳香環之化合物之中的任何一種。
具有芳香環之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、對枯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(para-cumylphenoxy ethylene glycol(meth)acrylate)、環氧乙烷(EO)改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(n=2~17)、表氯醇(ECH)改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷(PO)改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO,PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、N-乙烯咔唑、苯乙烯、乙烯萘及4-乙烯聯苯。
不具有芳香環之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：直鏈或 支鏈之脂肪族或者是脂環族(惟，於環中亦可具有一部分不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧烷酯等；及，N-環己基馬來醯亞胺等N-取代馬來醯亞胺類。不具有芳香環之化合物，亦可進一步含有聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等於1分子中具有2個以上乙烯性不飽和基之化合物。此等化合物可單獨一種來使用，或者併用複數種。此等化合物是在容易調節阻焊劑層之硬度及油性等的點上而較佳。
用以獲得(A1)成分所使用之化合物的種類、比例等，可適當選擇使得(A1)成分之酸值達到適當的值。(A1)成分的酸值較佳是在20~180mgKOH/g之範圍內，若是在35~165mgKOH/g之範圍內則更佳。
含羧基樹脂，也能夠含有光聚合性含羧基樹脂，其具有羧基及光聚合性官能基(以下稱為(A2)成分)。光聚合性官能基，例如為乙烯性不飽和基。
(A2)成分，能夠含有例如一種樹脂(以下稱為第一樹脂(a))，該樹脂具有如以下之結構：在一分子中具有二個以上環氧基之環氧化合物(a1)中的前述環氧基之中的至少一個，與具有羧基之乙烯性不飽和化合物(a2)進行反應，且在藉此而生成的二級羥基上加成了選自多元羧酸及其酐之中至少一種的化合物(a3)。
環氧化合物(a1)，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的至少一種的化合物：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚A-酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯及脂環式環氧樹脂。
環氧化合物(a1)，亦可含有乙烯性不飽和化合物(p)之聚合物，該乙烯性不飽和化合物(p)包含具備環氧基之化合物(p1)。提供合成此聚合物之乙烯性不飽和化合物(p)，亦可僅含有具備環氧基之化合物(p1)，亦可含有具備環氧基之化合物(p1)和不具備環氧基之化合物(p2)。
具備環氧基之化合物(p1)，能夠含有選自適當之聚合物及預聚物的化合物。具體而言，具備環氧基之化合物(p1)，能夠含有選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：丙烯酸的環氧環己基衍生物類、甲基丙烯酸的環氧環己基衍生物類、丙烯酸酯的脂環環氧衍生物、甲基丙烯酸酯的脂環環氧衍生物、丙烯酸β-甲基縮水甘油酯及甲基丙烯酸β-甲基縮水甘油酯。尤其，具備環氧基之化合物(p1)較佳為使用廣泛使用且取得容易的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
不具備環氧基之化合物(p2)，只要是能與具備環氧基之化合物(p1)進行共聚合的化合物即可。不具備環氧基之化合物(p2)，能夠含有例如選自由下 述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯2-羥乙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧丙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、對枯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、EO改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(聚合度n=2~17)、ECH改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO,PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、乙烯咔唑、苯乙烯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、3-馬來醯亞胺基苯甲酸N-琥珀醯亞胺酯、直鏈狀或者是具有支鏈之脂肪族或脂環族(惟，於環中亦可具有一部分不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧烷酯及N-取代馬來醯亞胺類(例如N-環己基馬來醯亞胺)。
不具備環氧基之化合物(p2)，亦可進一步含有在一分子中具備二個以上乙烯性不飽和基之化合物。藉由使用此化合物來調整其調配量，可輕易地調整阻焊劑層的硬度及油性。在一分子中具備二個以上乙烯性不飽和基之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯及季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。
乙烯性不飽和化合物(p)，藉由例如溶液聚合法、乳化聚合法等習知的聚合法來進行聚合，而能夠獲得聚合物。作為溶液聚合法的具體例，可舉出：將乙烯性不飽和化合物(p)於適當的有機溶劑中，且在聚合起始劑的存在下，氮氣氛下加熱攪拌的方法；以及共沸聚合法。
乙烯性不飽和化合物(p)進行聚合所使用的有機溶劑，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：甲基乙基酮、環己酮等酮類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽璐蘇乙酸酯、丁賽璐蘇乙酸酯、卡必醇乙酸酯、丁卡必醇乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等乙酸酯類；及，二烷基二醇醚類。
乙烯性不飽和化合物(p)進行聚合所使用的聚合起始劑，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：氫過氧化二異丙苯等氫過氧化物類；過氧化二枯基、2,5-二甲基-2,5-二-(過氧化三 級丁基)-己烷等過氧化二烷基類；過氧化異丁醯基等過氧化二醯基類；過氧化甲基乙基酮等酮過氧化物類；過氧化三甲基乙酸三級丁酯等烷基過氧酯類；過氧化二碳酸二異丙酯等過氧化二碳酸酯類；偶氮二異丁腈等偶氮化合物；以及氧化還原系之起始劑。
乙烯性不飽和化合物(a2)，能夠含有選自由適當之聚合物及預聚物所組成之群組的化合物。乙烯性不飽和化合物(a2)，能夠含有僅具有一個乙烯性不飽和基之化合物。僅具有一個乙烯性不飽和基之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、桂皮酸、2-丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、丙烯酸β-羧乙酯、2-丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧乙基馬來酸、2-丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸及2-甲基丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸。乙烯性不飽和化合物(a2)，能夠進一步含有具備複數個乙烯性不飽和基之化合物。具備複數個乙烯性不飽和基之化合物，能夠含有例如選自由下述多官能丙烯酸酯及多官能甲基丙烯酸酯與二元酸酐進行反應而得的化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三 羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯等具備羥基。
尤其乙烯性不飽和化合物(a2)，較佳為含有丙烯酸及甲基丙烯酸之中至少一種。這種情況，來自於丙烯酸及甲基丙烯酸的乙烯性不飽和基，由於光反應性特別優異，故第一樹脂(a)的光反應性會變高。
乙烯性不飽和化合物(a2)的使用量，相對於環氧化合物(a1)之環氧基1莫耳，較佳為乙烯性不飽和化合物(a2)之羧基達到0.4~1.2莫耳的範圍內的量，特佳為前述羧基達到0.5~1.1莫耳之範圍內的量。
選自由多元羧酸及其酐所組成之群組的化合物(a3)，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：鄰苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、甲基四氫鄰苯二甲酸、甲基納迪克酸(methylnadic acid)、六氫鄰苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、馬來酸、檸康酸、戊二酸、伊康酸等二羧酸；環己烷-1,2,4-三羧酸、苯偏三酸、苯均四酸、二苯甲酮四羧酸、甲基環己烯四羧酸等三元酸以上的多元羧酸；以及此等多元羧酸的酐。
化合物(a3)主要是為了下述目的來使用：藉由對第一樹脂(a)賦予酸值，而對阻焊劑組成物賦予藉由稀鹼性水溶液進行的再分散、再溶解性。化合物(a3)的使用量，是將第一樹脂(a)的酸值較佳是調整成 30mgKOH/g以上，特佳是調整成60mgKOH/g以上。又，化合物(a3)的使用量，是將第一樹脂(a)的酸值較佳是調整成160mgKOH/g以下，特佳是調整成130mgKOH/g以下。
合成第一樹脂(a)的時候，在使環氧化合物(a1)和乙烯性不飽和化合物(a2)的加成反應、以及源自此加成反應之生成物(加成反應生成物)和化合物(a3)的加成反應進行時，可採用習知的方法。例如環氧化合物(a1)和乙烯性不飽和化合物(a2)的加成反應時，藉由在環氧化合物(a1)的溶劑溶液中添加乙烯性不飽和化合物(a2)，並且視需要添加熱聚合抑制劑及觸媒後進行攪拌混合，可獲得反應性溶液。藉由使此反應性溶液經由慣用方法，較佳為在60~150℃、特佳為在80~120℃的反應溫度下進行反應，可獲得加成反應生成物。作為熱聚合抑制劑可舉出：對苯二酚或是對苯二酚單甲醚等。作為觸媒可舉出：苯甲基二甲胺、三乙胺等三級胺類；氯化三甲基苯甲基銨、氯化甲基三乙基銨等四級銨鹽類；三苯膦、三苯銻(triphenylstibine)等。
在使加成反應生成物和化合物(a3)的加成反應進行時，藉由在加成反應生成物的溶劑溶液中添加化合物(a3)，並且視需要添加熱聚合抑制劑及觸媒後進行攪拌混合，可獲得反應性溶液。藉由使此反應性溶液經由慣用方法進行反應，可獲得第一樹脂(a)。反應條件是與環氧化合物(a1)和乙烯性不飽和化合物(a2)的 加成反應時的相同條件即可。作為熱聚合抑制劑及觸媒，能夠照原樣直接使用在環氧化合物(a1)和具有羧基之乙烯性不飽和化合物(a2)的加成反應時所使用的化合物。
(A2)成分亦可含有含羧基之(甲基)丙烯酸系共聚物樹脂(稱為第二樹脂(b))，該第二樹脂(b)是使包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物的乙烯性不飽和單體之聚合物中一部分的羧基，與具有環氧基之乙烯性不飽和化合物進行反應而獲得。在乙烯性不飽和單體中，視需要亦可包含不具有羧基之乙烯性不飽和化合物。
第二樹脂(b)，亦可含有含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂。亦即，(A)成分亦可含有含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂。這種情況，阻焊劑層的耐熱性特別提升。另外，所謂的含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂，是指在(甲基)丙烯酸系共聚樹脂之中的具有芳香環者。乙烯性不飽和單體在包含含有芳香環的化合物時，可獲得含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂。
用以獲得第二樹脂(b)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有適當的聚合物及預聚物。例如具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言，具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：丙烯酸、甲基丙烯酸、ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯、巴豆酸、桂皮酸、2- 丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸、丙烯酸β-羧乙酯、2-丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧乙基馬來酸、2-丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧乙基四氫鄰苯二甲酸、2-丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸及2-甲基丙烯醯氧乙基六氫鄰苯二甲酸。具有羧基之乙烯性不飽和化合物，亦能夠含有具有複數個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言，例如具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有使二元酸酐與具有羥基之多官能的(甲基)丙烯酸酯進行反應而得之化合物，該具有羥基之多官能的(甲基)丙烯酸酯是選自由季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四醇五甲基丙烯酸酯所組成之群組。此等化合物可單獨一種來使用，或者併用複數種。
用以獲得第二樹脂(b)的不具有羧基之乙烯性不飽和化合物，只要是能與具有羧基之乙烯性不飽和化合物進行共聚合的化合物即可。不具有羧基之乙烯性不飽和化合物，能夠含有在具有芳香環之化合物和不具有芳香環之化合物之中的任何一種。不具有羧基之乙烯性不飽和化合物含有具有芳香環之化合物時，可獲得含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂。
具有芳香環之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、對枯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、EO改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(n=2~17)、ECH改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO,PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、N-乙烯咔唑、苯乙烯、乙烯萘及4-乙烯聯苯。
不具有芳香環之化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：直鏈或支鏈之脂肪族或者是脂環族(惟，於環中亦可具有一部分不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧烷酯等；及N-環己基馬來醯亞胺等 N-取代馬來醯亞胺類。不具有芳香環之化合物，亦可進一步含有聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等於1分子中具有2個以上乙烯性不飽和基之化合物。此等化合物可單獨一種來使用，或者併用複數種。此等化合物是在容易調節阻焊劑層之硬度及油性等的點上而較佳。
作為用以獲得第二樹脂(b)的具有環氧基之乙烯性不飽和化合物，可舉出適當的聚合物或預聚物。作為此具有環氧基之乙烯性不飽和化合物的具體例，可舉出：丙烯酸或甲基丙烯酸之環氧環己基衍生物類；丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之脂環環氧衍生物；丙烯酸β-甲基縮水甘油酯、甲基丙烯酸β-甲基縮水甘油酯等。此等化合物可單獨一種來使用，或者併用複數種。尤其，較佳為使用廣泛使用且取得容易的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
(A2)成分亦可含有一種樹脂(以下稱為第三樹脂(c))，該樹脂是將具有乙烯性不飽和基及異氰酸基之化合物加成在乙烯性不飽和單體之聚合物中的一部分或全部羥基上，該乙烯性不飽和單體之聚合物則包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物和具有羥基之乙烯性不飽和化合物。在乙烯性不飽和單體中，亦可視需要包含不具有羧基及羥基之乙烯性不飽和化合物。
用以獲得第三樹脂(c)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物，是與例如上述之用以獲得第二樹脂(b)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物相同即可。
作為用以獲得第三樹脂(c)的具有羥基之乙烯性不飽和化合物的具體例，可舉出：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯2-羥乙基酯、己內酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羥烷酯；羥丁基乙烯基醚；羥乙基乙烯基醚；及N-羥乙基(甲基)丙烯醯胺。
作為用以獲得第三樹脂(c)的具有乙烯性不飽和基及異氰酸基之化合物的具體例，可舉出：2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz AOI」)、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz MOI」)、甲基丙烯醯氧乙氧基乙基異氰酸酯(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz MOI-EG」)、Karenz MOI的異氰酸酯封閉體(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz MOI-BM」)、Karenz MOI的異氰酸酯封閉體(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz MOI-BP」)及1,1-(雙丙烯醯氧甲基)乙基異氰酸酯)(作為具體例，昭和電工股份有限公司；型號「Karenz BEI」)。
(A2)成分整體的重量平均分子量，較佳為在800~100000的範圍內。於此範圍內，可對阻焊劑組成物賦予特別優異的感光性和解析性。
(A2)成分整體的酸值較佳為在30mgKOH/g以上，這種情況，可對阻焊劑組成物賦予良好的顯影性。此酸值更佳為在60mgKOH/g以上。又，(A2)成分整體的酸值較佳為在180mgKOH/g以下，在這種情況，由阻焊劑組成物所形成之被膜中的羧基殘留量減少，可維持被膜之良好的電特性、耐電蝕性及耐水性等。此酸值若在150mgKOH/g以下更佳。
(B)成分(環氧化合物)，能夠對阻焊劑組成物賦予熱硬化性。
如同上述，(B)成分含有以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物。相對於(B)成分整體，以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物較佳為在3~100質量%的範圍內。在這種情況，能特別抑制阻焊劑層變脆而對阻焊劑層賦予柔軟性，並且能對阻焊劑層賦予特別高的耐光性、耐熱性及耐熱變色性。
(B)成分，除了以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物之外，亦可含有對苯二酚型環氧化合物以外的化合物(以下稱為第二化合物)。
第二化合物，較佳為在1分子中具有至少2個環氧基。環氧化合物，亦可為溶劑難溶性環氧化合物，亦可為廣泛使用的溶劑可溶性環氧化合物。
第二化合物的種類並沒有特別限定，尤其第二化合物較佳為含有選自由下述所組成之群組中的一種以上的成分：苯酚酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON N-775)、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON N-695)、雙酚A型環氧樹脂(作為具體例，三菱化學股份有限公司製造之型號jER1001)、雙酚A-酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON N-865)、雙酚F型環氧樹脂(作為具體例，三菱化學股份有限公司製造之型號jER4004P)、雙酚S型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON EXA-1514)、雙酚AD型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂(作為具體例，三菱化學股份有限公司製造之型號YX4000)、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例，日本化藥股份有限公司製造之型號NC-3000)、氫化雙酚A型環氧樹脂(作為具體例，新日鐵住金化學股份有限公司製造之型號ST-4000D)、萘型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON HP-4032、EPICLON HP-4700、EPICLON HP-4770)、對苯二酚型環氧樹脂、三級丁基兒茶酚型環氧樹脂(作為具體例，DIC 股份有限公司製造之型號EPICLON HP-820)、雙環戊二烯型環氧樹脂(作為具體例，DIC製造之型號EPICLON HP-7200)、金剛烷型環氧樹脂(作為具體例，出光興產股份有限公司製造之型號ADAMANTATE X-E-201)、聯苯醚型環氧樹脂(作為具體例，新日鐵住金化學股份有限公司製造之型號YSLV-80DE)、特殊二官能型環氧樹脂(作為具體例，三菱化學股份有限公司製造之型號YL7175-500及YL7175-1000；DIC股份有限公司製造之型號EPICLON TSR-960、EPICLON TER-601、EPICLON TSR-250-80BX、EPICLON 1650-75MPX、EPICLON EXA-4850、EPICLON EXA-4816、EPICLON EXA-4822及EPICLON EXA-9726；新日鐵住金化學股份有限公司製造之型號YSLV-120TE)及前述以外之雙酚系環氧樹脂。
第二化合物，亦可含有三縮水甘油基異氰尿酸酯。作為三縮水甘油基異氰尿酸酯，尤其以β體為佳，或者是以此β體和α體的混合物為佳，該β體具有3個環氧基相對於s-三氮雜苯環骨架面鍵結在同一方向而成之結構，該α體具有1個環氧基與其他2個環氧基相對於s-三氮雜苯環骨架面鍵結在不同方向而成之結構。
但是，為了特別有效地抑制阻焊劑層的脆度而賦予柔軟性的並且特別有效地抑制變色，第二化合物，較 佳為不含有三縮水甘油基異氰尿酸酯，亦即阻焊劑組成物較佳為不含有三縮水甘油基異氰尿酸酯。
第二化合物亦較佳為含有含磷環氧樹脂。在這種情況，阻焊劑組成物之硬化物的阻燃性會提升。作為含磷環氧樹脂，可舉出：磷酸改質雙酚F型環氧樹脂(作為具體例，DIC股份有限公司製造之型號EPICLON EXA-9726及EPICLON EXA-9710)、新日鐵住金化學股份有限公司製造之型號Epotohto FX-305等。
(C)成分(氧化鈦)，藉由將由阻焊劑組成物所形成之阻焊劑層著色成白色，而能夠對阻焊劑層賦予高光反射性。(C)成分，能夠含有例如金紅石型氧化鈦和銳鈦礦型氧化鈦之中的一方或雙方。尤其，氧化鈦，較佳為含有觸媒活性低並且熱安定性高的金紅石型氧化鈦。金紅石型氧化鈦在工業上是以氯化法或硫酸法來製造。在本實施形態，金紅石型氧化鈦，能夠含有以氯化法來製造而成的金紅石型氧化鈦和以硫酸法來製造而成的金紅石型氧化鈦之中的一方或雙方。
在本實施形態，如同上述，(D)成分(光聚合起始劑)含有(D1)雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑及(D2)α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。
(D1)成分(雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑)，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的成分：雙-(2,6-二氯苯甲醯基)苯基膦氧化物、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基膦氧化 物、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-4-丙基苯基膦氧化物、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-1-萘基膦氧化物、雙-(2,6-二甲氧苯甲醯基)苯基膦氧化物、雙-(2,6-二甲氧苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物、雙-(2,6-二甲氧苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基膦氧化物、雙-(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物及(2,5,6-三甲基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物。尤其(D1)成分較佳為含有雙-(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物，亦較佳為僅含有雙-(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物。在此等情況，阻焊劑層的著色更受到抑制。
(D2)成分(α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑)，含有例如α-羥烷基苯酮和α-羥烷基苯酮之烷基酯之中的至少一方。更具體而言，(D2)成分，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的至少一種的成分：2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-羥環己基苯基酮、1-〔4-(2-羥乙氧基)-苯基〕-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮及2-羥基-1-{4-〔4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基}苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。
(D)成分，較佳為僅含有(D1)成分及(D2)成分。但是，在不脫離本發明之主旨的範圍內，(D)成分，除了含有(D1)成分及(D2)成分以外，亦可含有選自由下述化合物所組成之群組中的至少一種的成分：苯偶姻和其烷基醚類；苯乙酮、苯偶醯二甲基縮酮等苯乙酮類；2-甲基蒽醌等蒽醌類；2,4-二甲基噻噸酮 (thioxanthone)、2,4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、4-異丙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類；二苯甲酮、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯硫醚等二苯甲酮類；2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類；2-甲基-1-〔4-(甲硫基)苯基〕-2-(N-嗎啉基)-1-丙酮等含氮原子化合物；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物(DAROCUR TPO)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-苯基-次膦酸乙酯(SPEEDCURE TPO-L)等單醯基膦氧化物系光聚合起始劑；以及1,2-辛烷二酮,1-〔4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯肟)〕(IRGACURE OXE 01)、乙酮,1-〔9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基〕-1-(O-乙醯肟)(IRGACURE OXE 02)。
但是，(D)成分較佳為不含有2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物等單醯基膦氧化物。(D)成分含有(D1)成分和(D2)成分時，單醯基膦氧化物會妨礙阻焊劑層的深部的硬化性。因此，(D)成分不含有單醯基膦氧化物時，阻焊劑層的深部的硬化性會變得特別高。
相對於(D)成分整體，(D1)成分及(D2)成分的合計較佳為在5~100質量%之範圍內。在這種情況，阻焊劑層的光硬化性特別高。(D1)成分及(D2)成分的合計若在7~100質量%之範圍則更佳，若在9~100質量%之範圍內則再更佳，若在70~100質量%則特佳。
又，相對於(D1)成分及(D2)成分的合計，(D1)成分較佳為在1~99質量%之範圍內。在這種情況，阻焊劑層從表面一直到深部，可獲得均勻性非常高而良好的硬化性。(D1)成分若在5~60質量%之範圍則更佳，若在10~40質量%之範圍內則再更佳。
阻焊劑組成物，亦可進一步含有習知的光聚合促進劑、敏化劑等。例如阻焊劑組成物亦可含有對二甲胺基苯甲酸乙酯、對二甲胺基苯甲酸異戊酯、苯甲酸2-二甲胺基乙酯等。
(E)成分(抗氧化劑)，如同上述，有助於阻焊劑層的耐熱變色性的提升，並且也有助於使阻焊劑層充分地從表面一直硬化到深部，且還有助於密合性的提升。
(E)成分的熔點較佳為在50~150℃之範圍內。若熔點為50℃以上，則在將阻焊劑組成物加熱而乾燥時，及在將由阻焊劑組成物所形成之被膜加熱而硬化時，能夠抑制住來自阻焊劑組成物或被膜的(E)成分之滲出(bleed out)。又若熔點為150℃以下，則能夠抑制(E)成分的結晶在由阻焊劑組成物所形成之塗膜表面上浮出，而能夠抑制阻焊劑層表面的均勻性的惡化。
(E)成分，能夠含有例如下述受阻酚系抗氧化劑之中的至少一種成分：BASF公司製造的IRGANOX 245(熔點76~79℃)、IRGANOX 259(熔點104~108℃)、IRGANOX 1035(熔點63~ 67℃)、IRGANOX 1098(熔點156~161℃)、IRGANOX 1010(熔點110~125℃)、IRGANOX 1076(熔點50~55℃)及IRGANOX 1330(熔點240~245℃)；ADEKA公司製造的ADK STAB AO-20(熔點220~222℃)、ADK STAB AO-30(熔點183~185℃)、ADK STAB AO-40(熔點210~214℃)、ADK STAB AO-50(熔點51~54℃)、ADK STAB AO-60(110~130℃)、ADK STAB AO-80(110~120℃)、ADK STAB AO-330(熔點243~245℃)；SHIPRO KASEI公司製造的SEENOX224M(熔點129~132℃)及SEENOX326M(熔點241~249℃)；以及住友化學公司製造的SUMILIZER GA-80(熔點≧110℃)、SUMILIZER MDP-S(熔點≧128℃)；川口化學工業公司製造的Antage BHT(熔點≧69℃)、Antage W-300(熔點≧205℃)、Antage W-400(熔點≧120℃)及Antage W-500(熔點≧120℃)。尤其，(E)成分較佳為含有IRGANOX 1010(熔點110~125℃)。
阻焊劑組成物，亦可含有(F)光聚合性化合物。(F)成分，是對阻焊劑組成物賦予光硬化性。光聚合性化合物，含有選自由光聚合性單體及光聚合性預聚物所組成之群組中的一種以上的化合物。
光聚合性單體，例如具有乙烯性不飽和基。光聚合性單體，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群 組中的一種以上的化合物：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯等單官能(甲基)丙烯酸酯；以及二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯改質二季戊四醇六丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯。
光聚合性單體，含有含磷化合物(含磷光聚合性化合物)亦佳。在這種情況，阻焊劑組成物的硬化物的阻燃性會提升。含磷光聚合性化合物，能夠含有例如選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的化合物：磷酸2-甲基丙烯醯氧乙酯(作為具體例，共榮社化學股份有限公司製造之型號LIGHT ESTER P-1M及LIGHT ESTER P-2M)、磷酸2-丙烯醯氧乙酯(作為具體例，共榮社化學股份有限公司製造之型號LIGHT ACRYLATE P-1A)、磷酸二苯酯2-甲基丙烯醯氧乙酯(作為具體例，大八工業股份有限公司製造之型號MR-260)以及昭和高分子股份有限公司製造之HFA系列(作為具體例，二季戊四醇六丙烯酸酯和HCA的加成反應物也就是型號HFA-6003及HFA-6007、己內酯改質二季戊四醇六丙烯酸酯和HCA的加成反應物也就是型號HFA-3003及HFA-6127等)。
作為光聚合性預聚物，可舉出：在使光聚合性單體進行聚合而得之預聚物上加成乙烯性不飽和基而成 的預聚物；或環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)、醇酸樹脂(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯、螺烷(spirane)樹脂(甲基)丙烯酸酯等寡聚(甲基)丙烯酸酯預聚物類等。
(F)成分，特佳為含有ε-己內酯改質二季戊四醇六丙烯酸酯(作為具體例，日本化藥股份有限公司製造之KAYARAD DPCA-20、DPCA-40、DPCA-60、DPCA-120)、ε-己內酯改質參-(2-丙烯醯氧乙基)異氰尿酸酯(作為具體例，新中村化學工業股份有限公司製造之NK Ester A-9300-1CL)等己內酯改質(甲基)丙烯酸酯單體。在這種情況，能夠特別有效地抑制阻焊劑層變脆。
阻焊劑組成物，亦可含有有機溶劑。有機溶劑，是為了阻焊劑組成物的液狀化或清漆化、黏度調整、塗佈性的調整、造膜性的調整等目的而使用。
有機溶劑，能夠含有例如選自由下述溶劑所組成之群組中的一種以上的化合物：乙醇、丙醇、異丙醇、己醇、乙二醇等直鏈、支鏈、二級或多元的醇類；甲基乙基酮、環己酮等酮類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；Swasol系列(丸善石油化學公司製造)、SOLVESSO系列(ExxonMobil Chemical公司製造)等石油系芳香族系混合溶劑；賽璐蘇、丁賽璐蘇等賽璐蘇類；卡必醇、 丁卡必醇等卡必醇類；丙二醇甲醚等丙二醇烷基醚類；二丙二醇甲醚等聚丙二醇烷基醚類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽璐蘇乙酸酯、卡必醇乙酸酯等乙酸酯類；以及二烷基二醇醚類。
阻焊劑組成物中有機溶劑的比例，較佳為以下述方式調整：在使由阻焊劑組成物所形成之塗膜乾燥時使有機溶劑迅速地揮發，亦即使有機溶劑不殘留在乾燥膜上。尤其，相對於阻焊劑組成物整體，有機溶劑較佳為在0~99.5質量%之範圍內，若在15~60質量%之範圍內則更佳。另外，有機溶劑的適合比例，由於因塗佈方法等而異，故較佳為因應塗佈方法來適當調節比例。
只要在不脫離本發明之主旨的範圍內，阻焊劑組成物，亦可進一步含有上述成分以外的成分。
例如，阻焊劑組成物，亦可含有選自由下述高分子化合物所組成之群組中的一種以上的樹脂：經己內醯胺、肟、丙二酸酯等所封閉的甲苯二異氰酸酯系、嗎啉二異氰酸酯系、異佛酮二異氰酸酯系及六亞甲基二異氰酸酯系之封閉型異氰酸酯；三聚氰胺樹脂、正丁基化三聚氰胺樹脂、異丁基化三聚氰胺樹脂、丁基化尿素樹脂、丁基化三聚氰胺尿素共縮合樹脂、苯胍胺系共縮合樹脂等胺基樹脂；前述以外之各種熱硬化性樹脂；光硬化性環氧(甲基)丙烯酸酯；在雙酚A型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、脂環型等之環氧樹脂上加成(甲基)丙烯酸而獲得之 樹脂；以及鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、苯氧樹脂、胺甲酸酯樹脂、氟樹脂等。
在阻焊劑組成物含有環氧化合物時，阻焊劑組成物亦可進一步含有用以使環氧化合物硬化的硬化劑。硬化劑，例如能夠含有選自由下述化合物所組成之群組中的一種以上的成分：咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑衍生物；雙氰胺、苯甲基二甲胺、4-(二甲胺基)-N,N-二甲基苯甲基胺、4-甲氧基-N,N-二甲基苯甲基胺、4-甲基-N,N-二甲基苯甲基胺等胺化合物；己二酸二醯肼、癸二酸二醯肼等肼化合物；三苯膦等磷化合物；酸酐；酚類；硫醇；路易士酸胺錯合物；及鎓鹽。作為這些成分的市售品之例，可舉出：四國化成股份有限公司製造之2MZ-A、2MZ-OK、2PHZ、2P4BHZ、2P4MHZ(每個都是咪唑系化合物的商品名)；San-Apro股份有限公司製造之U-CAT3503N、U-CAT3502T(每個都是二甲胺之封閉型異氰酸酯化合物的商品名)、DBU、DBN、U-CATSA102、U-CAT5002(每個都是二環式脒化合物及其鹽)。
阻焊劑組成物，亦可含有密合性賦予劑。作為密合性賦予劑，例如可舉出：胍胺、甲基胍胺(acetoguanamine)、苯胍胺、三聚氰胺，以及2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯氧乙基-s-三氮雜苯、2-乙烯基-4,6- 二胺基-s-三氮雜苯、2-乙烯基-4,6-二胺基-s-三氮雜苯之異氰尿酸加成物、2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯氧乙基-s-三氮雜苯之異氰尿酸加成物等s-三氮雜苯衍生物。
阻焊劑組成物，亦可含有選自由下述所組成之群組中的一種以上的成分：硬化促進劑；白色以外之著色劑；聚矽氧、丙烯酸酯等共聚物；勻塗劑；矽烷偶合劑等密合性賦予劑；觸變劑；聚合抑制劑；防光暈劑；阻燃劑；消泡劑；界面活性劑；高分子分散劑；以及硫酸鋇、結晶型二氧化矽、奈米二氧化矽、奈米碳管、滑石、膨潤土、氫氧化鋁、氫氧化鎂等無機填料。
阻焊劑組成物中成分的量，是以使阻焊劑組成物具有光硬化性且能以鹼性溶液顯影之方式適當調整。
(A)成分，相對於阻焊劑組成物的固形份量，若在5~85質量%之範圍內較佳，若在10~75質量%之範圍內則更佳，若在10~40質量%之範圍內則再更佳。
(B)成分，相對於阻焊劑組成物的固形份量，若在1.5~85質量%之範圍內較佳，若在1.5~60質量%之範圍內則更佳，若在2~40質量%之範圍內則再更佳。
(C)成分，相對於阻焊劑組成物中含羧基樹脂100質量份，較佳為在15~500質量份之範圍內。又，氧化鈦，相對於阻焊劑組成物的樹脂份量，較佳為在3~ 220質量%之範圍內，若在10~180質量%之範圍內則更佳。
(D)成分，相對於阻焊劑組成物的固形份量，較佳為在0.1~30質量%之範圍內，若在1~28質量%之範圍內則更佳。
(E)成分，相對於阻焊劑組成物的固形份量，較佳為在0.005~15質量%之範圍內，若在0.05~10質量%之範圍內則更佳。
(F)成分，相對於阻焊劑組成物的固形份量，若在1~45質量%之範圍內較佳，若在2~40質量%之範圍內則更佳，若在5~30質量%之範圍內則再更佳。
另外，所謂的固形份量，是指除去在由阻焊劑組成物形成阻焊劑層的過程中會揮發的溶劑等成分後的全部成分的總量。又所謂的樹脂份量，是指阻焊劑組成物中的含羧基樹脂、光聚合性化合物及熱硬化性成分的總量。
藉由調配如上述之阻焊劑組成物的原料，並以使用例如三輥研磨機、球磨機、混砂機等之習知的混練方法來進行混練，能夠製備出阻焊劑組成物。
考慮到保存安定性等，亦可藉由混合一部分的阻焊劑組成物原料來製備第一劑，藉由混合原料的餘份來製備第二劑。亦即，阻焊劑組成物，亦可具備第一劑和第二劑。例如，亦可藉由預先混合原料之中的熱硬化性成分以及一部分的光聚合性化合物及有機溶劑且予以分散來 製備第一劑，藉由混合原料之中的餘份且予以分散來製備第二劑。在這種情況，能夠混合第一劑和第二劑的適時需要量來製備混合液，由此混合液形成阻焊劑層。
本實施形態之阻焊劑組成物，可應用於例如用以在印刷線路板上形成阻焊劑層。
於以下顯示使用本實施形態之阻焊劑組成物來在印刷線路板上形成阻焊劑層之方法的一例。於本例中，是由兼具光硬化性和熱硬化性的阻焊劑組成物來形成阻焊劑層。
首先，準備印刷線路板，在此印刷線路板上由阻焊劑組成物形成塗膜。例如在印刷線路板的表面上塗佈阻焊劑組成物而形成溼潤狀態的塗膜(溼潤塗膜)。阻焊劑組成物的塗佈方法，是選自習知之方法，例如選自由浸漬法、噴霧法、旋轉式塗佈法、輥塗法、簾幕式塗佈法及網版印刷法所組成之群組。然後，為了視需要來使阻焊劑組成物中的有機溶劑揮發，例如於60~120℃之範圍內的溫度下使溼潤塗膜進行乾燥，而獲得乾燥後的塗膜(乾燥塗膜)。在本實施形態，如同上述，光聚合起始劑含有特定的三種成分，而乾燥塗膜的黏性受到抑制。
另外，亦可在印刷線路板上形成塗膜時，藉由預先在適當的支持體上塗佈阻焊劑組成物後進行乾燥來形成乾燥塗膜，將此乾燥塗膜重疊在印刷線路板上後，藉由對乾燥塗膜和印刷線路板施加壓力，將乾燥塗膜設置在印刷線路板上(乾膜法)。
然後，藉由將負像遮罩直接或間接地緊貼著印刷線路板上的乾燥塗膜後，朝向負像遮罩照射活性能量線，隔著負像遮罩將塗膜進行曝光。負像遮罩，具備使活性能量線穿透的曝光部和遮蔽活性能量線的非曝光部，而曝光部具有與阻焊劑層之圖案形狀一致的形狀。作為負像遮罩，可使用例如遮罩薄膜或乾板等光罩(photo tool；photomask)等。用來曝光的光，是視阻焊劑組成物的組成來選擇，在本實施形態是紫外線。紫外線的光源，是選自由例如化學燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、LED及金屬鹵素燈所組成之群組。
另外，作為曝光方法，亦可採用使用負像遮罩方法以外的方法。例如亦可採用藉由雷射曝光等的直接繪圖法。亦可藉由以網版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等適當的印刷手法來塗佈阻焊劑組成物，形成適當的圖案狀的塗膜後，將此塗膜整體進行曝光。
在本實施形態，若像這樣以紫外線將乾燥塗膜曝光，如同上述，從乾燥塗膜之表層一直到深部都效率良好地進行光硬化反應。
乾燥塗膜的曝光後，將負像遮罩從印刷線路板卸下後，藉由對乾燥塗膜施以顯影處理，來除去乾燥塗膜中未被曝光的部分。如此一來，在印刷線路板的第一表面上及第二表面上，乾燥塗膜受到曝光的部分，會作為阻焊劑層而殘留下來。
在顯影處理中，能夠使用對應於阻焊劑組成物之組成的適當之顯影液。作為顯影液的具體例，可舉出：碳酸鈉水溶液、碳酸鉀水溶液、碳酸銨水溶液、碳酸氫鈉水溶液、碳酸氫鉀水溶液、碳酸氫銨水溶液、氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氫氧化銨水溶液、氫氧化四甲銨水溶液、氫氧化鋰水溶液等鹼性溶液。作為顯影液，亦能夠使用單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等有機胺。這些顯影液之中，可僅使用一種，亦可併用複數種。顯影液為鹼性溶液時，其溶劑可以僅是水，亦可為水和低級醇類等親水性有機溶劑的混合物。
阻焊劑組成物含有熱硬化性成分時，亦可藉由視需要而對阻焊劑層施以加熱處理，使阻焊劑層進行熱硬化。加熱處理的條件，是例如加熱溫度在120~180℃之範圍內，加熱時間在30~90分鐘之範圍內。藉此，阻焊劑層的強度、硬度、耐化學藥品性等性能會提升。
又，亦可視需要而對阻焊劑層施以加熱處理後，再對阻焊劑層照射紫外線。在這種情況，能夠使阻焊劑層的光硬化反應更加進行。藉此，阻焊劑層的遷移耐性會更加提升。
根據以上，可獲得一種被覆印刷線路板，其具備：印刷線路板、及被覆此印刷線路板的一部分的阻焊劑層。在本實施形態，阻焊劑層是充分地從表層一直硬化到深部。
[實施例]
以下，針對本發明的實施例進行說明。但是，本發明並不僅限於下列實施例。
〔含羧基樹脂溶液之準備〕
在安裝有回流冷凝器、溫度計、氮氣取代用玻璃管及攪拌機的四頸燒瓶中，加入了甲基丙烯酸75質量份、甲基丙烯酸甲酯85質量份、苯乙烯20質量份、甲基丙烯酸丁酯20質量份、二丙二醇單甲醚430質量份及偶氮二異丁腈5質量份。藉由將此四頸燒瓶內的液體在氮氣流下於75℃加熱5小時使聚合反應進行，而獲得了濃度32%之共聚物溶液。
藉由在此共聚物溶液中，加入對苯二酚0.1質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯50質量份及二甲基苯甲基胺0.8質量份，於80℃加熱24小時，使加成反應進行。藉此，獲得具有羧基及乙烯性不飽和基之化合物的37%溶液。此溶液的固形份酸值為120mgKOH/g。
〔阻焊劑組成物之製備〕
將調配於後揭示之表所示之成分而獲得之混合物，藉由以三輥研磨機進行混練，獲得了阻焊劑組成物。另外，於表顯示之成分的詳細內容是如同以下所述。
‧光聚合起始劑(IRGACURE 819)：雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物，BASF公司製造，型號IRGACURE 819。
‧光聚合起始劑(IRGACURE 1173)：2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮，BASF公司製造，型號IRGACURE 1173。
‧光聚合起始劑(IRGACURE 184)：1-羥基-環己基-苯基-酮，BASF公司製造，型號IRGACURE 184。
‧光聚合起始劑(IRGACURE TPO)：2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物，BASF公司製造，型號IRGACURE TPO。
‧氧化鈦CR-90：以氯化法製造而成的金紅石型氧化鈦，石原產業股份有限公司製造，型號CR-90。
‧氧化鈦R-79：以硫酸法製造而成的金紅石型氧化鈦，堺化學工業股份有限公司製造，型號R-79。
‧環氧化合物YDC-1312：以式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物(2,5-二-三級丁基對苯二酚二縮水甘油醚)，新日鐵住金化學股份有限公司製造，型號YDC-1312。
‧環氧化合物：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，DIC股份有限公司製造，品名EPICLON N-665。
‧環氧化合物YX-4000：聯苯型環氧樹脂，三菱化學股份有限公司製造，型號YX-4000。
‧環氧化合物TEPIC-H：三縮水甘油基異氰尿酸酯，日產化學工業股份有限公司製造，型號TEPIC-H。
‧抗氧化劑IRGANOX 1010：受阻酚系抗氧化劑，BASF公司製造之品名IRGANOX 1010，熔點115℃。
‧抗氧化劑IRGANOX 1330：受阻酚系抗氧化劑，BASF公司製造之品名IRGANOX 1330，熔點242℃。
‧有機溶劑：二丙二醇單甲基醚(methyl propylene diglycol)，日本乳化劑公司製造，型號MFDG。
‧光聚合性單體DPHA：二季戊四醇六丙烯酸酯，日本化藥股份有限公司製造，品名KAYARAD DPHA。
‧光聚合性單體DPCA-20：己內酯改質(甲基)丙烯酸酯單體，日本化藥股份有限公司製造，品名KAYARAD DPCA-20。
‧消泡劑：Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造，型號KS-66。
‧三聚氰胺：日產化學工業股份有限公司製造，微粉三聚氰胺。
〔評價試驗〕
(1)試片之製作
準備了具備厚度35μm之銅箔的玻璃環氧覆銅積層板。藉由對此玻璃環氧覆銅積層板施以蝕刻而形成導體線路，而獲得印刷線路板。藉由以網版印刷對此印刷線路板的一整面塗佈阻焊劑用樹脂組成物，而形成了塗膜。藉由將此塗膜於80℃加熱20分鐘予以乾燥。乾燥後之塗膜(乾燥塗膜)的厚度為20μm。藉由以將負像遮罩直接緊貼在 此乾燥塗膜的表面上的狀態，使用裝載了金屬鹵素燈的曝光裝置朝向負像遮罩照射紫外線，以曝光量450mJ/cm2的條件將乾燥塗膜選擇性地進行曝光。然後，將負像遮罩從乾燥塗膜卸下後，藉由使用碳酸鈉水溶液對乾燥塗膜施以顯影處理，使乾燥塗膜中之因曝光而硬化的部分，作為阻焊劑層殘留於印刷線路板上。將此阻焊劑層進一步於150℃加熱60分鐘予以熱硬化。藉此獲得了具備阻焊劑層之試片。
對此試片，進行了以下之評價試驗。
(2)黏性評價
於試片的製作時，在將負像遮罩從曝光後的乾燥塗膜卸下時，確認乾燥塗膜和負像遮罩之間剝離抗性的程度、及將負像遮罩卸下後之乾燥塗膜的狀態，將其結果如下來評價。
A：若以手指觸摸曝光前的乾燥塗膜則完全不會感到黏著感，且於曝光後卸下負像遮罩之後的乾燥塗膜上看不到負像遮罩的痕跡。
B：若以手指觸摸曝光前的乾燥塗膜則稍微感到黏著感，且於曝光後卸下負像遮罩之後的乾燥塗膜上看得到負像遮罩的痕跡。
C：若以手指觸摸曝光前的乾燥塗膜則感到顯著的黏著感，且於曝光後要卸下負像遮罩時則乾燥塗膜毀損。
(3)焊料壩殘留評價
準備了印刷線路板，其具備線寬/線間距為0.2mm/0.3mm、厚度為40μm之銅製的導體線路。又，使用了負像遮罩，其具有用以形成寬50μm、75μm、100μm及125μm之焊料壩的遮罩圖案。除了使用這些印刷線路板和負像遮罩以外，以和製作試片時相同的條件，在印刷線路板上形成了厚度40μm之焊料壩。
藉由對此焊料壩進行玻璃紙膠帶剝離試驗，調查出未剝離而殘留於印刷線路板上的焊料壩的最小寬度。此最小寬度越小，能夠評價為焊料壩深部的硬化程度越高。
(4)感光性評價(殘留階段)
將曝光用測試遮罩(日立化成工業公司製造之階段式曝光表(step tablet)PHOTEC21段)直接緊貼在由各實施例及比較例中的液狀阻焊劑組成物所形成之乾燥塗膜上，予以進行減壓密合。然後，使用裝載了金屬鹵素燈之ORC公司製造的減壓密合型雙面曝光機(型號ORC HMW680GW)，隔著曝光用測試遮罩以照射能量密度450mJ/cm2之條件對乾燥塗膜照射紫外線。然後使用顯影液(濃度1質量%之碳酸鈉水溶液)將乾燥塗膜進行顯影。以此時之殘留階段數，來評價乾燥塗膜的感光性。
(5)耐鍍覆性
使用市售品之無電解鍍鎳浴及無電解鍍金浴，進行試片的鍍覆，觀察鍍覆的狀態。又藉由對阻焊劑層進行玻璃紙膠帶剝離試驗，觀察鍍覆後阻焊劑層的密合狀態。將其結果以如下所示來評價。
方法如下。
A：外觀的變化、玻璃紙膠帶剝離試驗時的剝離、鍍覆的滲入之任一種情況都完全沒見到。
B：雖然沒見到外觀變化，在玻璃紙膠帶剝離試驗時也沒發生剝離，但在阻焊劑層的末端部分，儘管僅有極少，可見到鍍覆的滲入。
C：雖然沒見到外觀變化，但在玻璃紙膠帶剝離試驗時可見到一部分剝離。
D：可見到阻焊劑層的浮起，且在玻璃紙膠帶剝離試驗時可見到剝離。
(6)耐龜裂性評價
用刀片切斷試片，然後在切斷面附近對阻焊劑層進行玻璃紙膠帶剝離試驗，試驗後觀察阻焊劑層。將其結果以如下所示來評價。
A：在阻焊劑層無法確認到龜裂，亦無法確認到因玻璃紙膠帶剝離試驗導致的阻焊劑層之剝離。
B：在阻焊劑層確認到些微龜裂，但無法確認到因玻璃紙膠帶剝離試驗導致的阻焊劑層之剝離。
C：在阻焊劑層確認到大的龜裂，但無法確認到因玻璃紙膠帶剝離試驗導致的阻焊劑層之剝離。
D：確認到因玻璃紙膠帶剝離試驗導致的阻焊劑層之剝離。
(7)表面外觀評價
以目視觀察試片中的阻焊劑層的外觀，將其結果以如下來評價。
A：在阻焊劑層表面未見到微小粒子或滲出等瑕疵，表面均勻。
B：在阻焊劑層表面可見到微小粒子或滲出等瑕疵，或是表面的外觀因凹凸、光澤不均等而不均勻。
(8)耐熱龜裂性評價
準備印刷線路板，其具備厚度40μm之銅製的導體線路。在此印刷線路板上，以與上述之試片時相同條件形成阻焊劑層。
使用LONCO3355-11(London Chemical公司製造之水溶性助焊劑)作為助焊劑，首先在印刷線路板上之阻焊劑層上塗佈了助焊劑。然後，將印刷線路板浸漬於280℃之熔融焊料浴10秒後進行水洗的步驟設為1次循環之處理，在進行3次循環後，觀察阻焊劑層的外觀，將其結果以如下所示來評價。
A：在阻焊劑層未見到龜裂(裂紋)。
B：在阻焊劑層上與導體線路的界面附近可見到些微龜裂。
C：在阻焊劑層可清楚見到龜裂。
(9)耐熱變色性評價
使用Konica Minolta Sensing股份有限公司製造之分光光度計(型號CM-600d)來測定剛製作成的試片中的阻焊劑層在L*a*b*色彩系統中的b*值。然後，將試片以250℃、5分鐘的條件進行熱處理後，再次測定阻焊劑層的b*值。算出從熱處理後的阻焊劑層之b*值減去熱處理前的阻焊劑層之b*值而獲得的值(△b*)，將其結果以如下所示來評價。
A：△b*值未達2.0。
B：△b*值為2.0以上且未達2.5。
C：△b*值為2.5以上且未達3.0。
D：△b*值為3.0以上。
(10)耐光變色評價
用Konica Minolta Sensing股份有限公司製之分光光度計(型號CM-600d)測定試片中的阻焊劑層在L*a*b*色彩系統中的b*值。然後，使用裝載了金屬鹵素燈的曝光裝置對試片中的阻焊劑層以50J/cm2之條件照射紫外線後，再次測定阻焊劑層之L*a*b*色彩系統中的b*值。算出從紫外線照射後的阻焊劑層之b*值扣除紫外 線照射前的阻焊劑層之b*值後獲得的值(△b*)，將其結果以如下所示來評價。
A：△b*值未達2.0。
B：△b*值為2.0以上且未達2.5。
C：△b*值為2.5以上且未達3.0。
D：△b*值為3.0以上。
(11)反射率
測定試片中的阻焊劑層在表示視覺反射率之CIE顯色法中的刺激值Y。將此值Y作為反射率之代用特性。分光光度計是使用Konica Minolta Sensing股份有限公司製造之型號CM-600d，對於標準調整是使用分光反射率係數為已知的常用標準白色面。
(12)密合性評價
依照JIS D0202的試驗方法，對試片的阻焊劑層以十字切割切成棋盤格狀，其次以目視觀察因玻璃紙膠帶所致的剝離試驗後的剝離狀態。將其結果以如下所示來評價。
A：100個十字切割部分之中的全部完全沒見到變化。
B：100個十字切割部分之中的僅僅1處產生浮起。
C：100個十字切割部分之中的2~10處產生剝離。
D：100個十字切割部分之中的11~100處產生剝離。
(13)鉛筆硬度
使用三菱Hi-Uni(三菱鉛筆公司製)，遵照JIS K5400來測定試片中的阻焊劑層的鉛筆硬度。

Claims (6)

  1. 一種阻焊劑組成物，其含有：(A)含羧基樹脂、(B)環氧化合物、(C)氧化鈦、(D)光聚合起始劑及(E)抗氧化劑；其中，前述(B)成分含有以下列式(1)表示之對苯二酚型環氧化合物；前述(D)成分含有(D1)雙醯基膦氧化物系光聚合起始劑及(D2)α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑；前述(E)成分的熔點是在50~150℃的範圍內；於式(1)中，R1、R2、R3及R4分別獨立為甲基、氫原子或三級丁基。
  2. 如請求項1所述之阻焊劑組成物，其中，含有(F)光聚合性單體。
  3. 如請求項2所述之阻焊劑組成物，其中，前述(F)成分含有己內酯改質(甲基)丙烯酸酯單體。
  4. 如請求項1所述之阻焊劑組成物，其中，前述(D)成分不含有單醯基膦氧化物系光聚合起始劑。
  5. 如請求項1所述之阻焊劑組成物，其中，前述(A)成分含有含芳香環之(甲基)丙烯酸系共聚樹脂。
  6. 一種被覆印刷線路板，其具備：印刷線路板、及被覆前述印刷線路板之阻焊劑層；其中，前述阻焊劑層包含如請求項1至5中任一項所述之阻焊劑組成物的硬化物。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2673878T3 (es) * 2014-12-10 2018-06-26 Goo Chemical Co., Ltd. Composición líquida resistente a soldadura y tarjeta de circuitos impresos revestida
WO2016092598A1 (ja) * 2014-12-10 2016-06-16 互応化学工業株式会社 ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板
CN105517648B (zh) * 2014-12-10 2017-06-20 互应化学工业株式会社 液体阻焊剂组合物和被覆印刷线路板
JP6806488B2 (ja) * 2016-07-29 2021-01-06 株式会社Adeka 硬化性樹脂組成物、及び該組成物を用いた構造材料接合用接着剤
JP6995469B2 (ja) * 2016-09-02 2022-01-14 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物およびプリント配線板
CN110462560B (zh) * 2017-03-28 2023-07-28 株式会社力森诺科 转印型感光性膜
JP2019056867A (ja) * 2017-09-22 2019-04-11 株式会社タムラ製作所 感光性樹脂組成物
US20190177469A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Curable resin composition
CN110121243A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 深圳市五株科技股份有限公司 印刷电路板及其加工方法
JP6759323B2 (ja) * 2018-03-28 2020-09-23 太陽インキ製造株式会社 感光性樹脂組成物、２液型感光性樹脂組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板
JP7202282B2 (ja) * 2019-12-16 2023-01-11 株式会社タムラ製作所 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物を有するドライフィルム
KR102486598B1 (ko) * 2020-04-07 2023-01-09 삼성에스디아이 주식회사 점착제 조성물, 이로부터 형성된 점착층 및 이를 포함하는 광학표시장치
CN112159639B (zh) * 2020-11-09 2022-05-06 珠海市能动科技光学产业有限公司 一种改性高分子粘合剂及含有该粘合剂的干膜光阻剂
CN114641145A (zh) * 2020-12-16 2022-06-17 深南电路股份有限公司 一种线路板及其线路板阻焊层的制作方法
KR102393843B1 (ko) * 2021-09-13 2022-05-03 주식회사 레젠 엘이디 조명용 인쇄회로기판 모듈
CN114927607A (zh) * 2022-03-31 2022-08-19 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及其制备方法
CN115340784B (zh) * 2022-08-15 2023-08-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 具有反射性能的阻焊油墨、电路板与显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266556A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Tamura Seisakusho Co Ltd 感光性樹脂組成物、プリント配線板用のソルダーレジスト組成物およびプリント配線板
TW201109841A (en) * 2009-09-10 2011-03-16 Sekisui Chemical Co Ltd Photosensitive composition and printed wiring board
JP2011227343A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Goo Chemical Co Ltd ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板
JP2012078414A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Goo Chemical Co Ltd ソルダーレジスト用樹脂組成物及びプリント配線板
JP2013210443A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Taiyo Ink Mfg Ltd 光硬化性熱硬化性樹脂組成物、硬化物、プリント配線板、及び光源モジュール
WO2014132928A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 富士フイルム株式会社 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6099123A (en) * 1997-09-04 2000-08-08 Signet Armorlite, Inc. Production of photopolymerized polyester high index ophthalmic lenses
US6238840B1 (en) 1997-11-12 2001-05-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition
JP4081217B2 (ja) * 1999-03-17 2008-04-23 互応化学工業株式会社 紫外線硬化性樹脂組成物、フォトソルダーレジストインク、予備乾燥被膜、基板及びプリント配線板
DE19913353A1 (de) 1999-03-24 2000-09-28 Basf Ag Verwendung von Phenylglyoxalsäureestern als Photoinitiatoren
CN1181949C (zh) * 1999-12-27 2004-12-29 住友电木株式会社 可固化助焊剂及可固化助焊剂增强的半导体封装和半导体器件以及制造半导体封装和半导体器件的方法
WO2002081396A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-17 Borden Chemical, Inc. Optical fiber ribbon with pigmented matrix, and methods for making and using same
DE10118260A1 (de) 2001-04-11 2002-10-24 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Umformen von Gläsern und/oder Glaskeramiken
EP1253155A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-30 Ucb S.A. Photo-initiator compositions
US20030109599A1 (en) * 2001-07-10 2003-06-12 Kamen Melvin E. UV cured UV blocking compositions and methods for making and using the same
US7276543B2 (en) * 2001-10-09 2007-10-02 Dsm Ip Assets B.V. Radiation curable resin composition
CA2483004A1 (en) 2002-04-26 2003-11-06 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Incorporable photoinitiator
US6908644B2 (en) * 2003-02-04 2005-06-21 Ford Global Technologies, Llc Clearcoat insitu rheology control via UV cured oligomeric additive network system
TWI280186B (en) * 2004-03-03 2007-05-01 Chum Power Machinery Corp Method for easily adjusting distance between pre-forms and structure thereof
US7329713B2 (en) * 2004-05-21 2008-02-12 Schorr Ronald A Coating, laminating, and casting compositions and methods of producing and curing same
JP4400926B2 (ja) 2004-08-26 2010-01-20 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物並びにその硬化物
KR100606655B1 (ko) 2004-09-22 2006-08-01 한국전자통신연구원 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터
US20060064531A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Alston Jerald K Method and system for optimizing data transfer in networks
JP2006133378A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性樹脂組成物、およびこれを用いた感光性ドライフィルム
US20060172230A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Dsm Ip Assets B.V. Method and composition for reducing waste in photo-imaging applications
US7709544B2 (en) 2005-10-25 2010-05-04 Massachusetts Institute Of Technology Microstructure synthesis by flow lithography and polymerization
CN101321727B (zh) 2005-12-01 2013-03-27 西巴控股有限公司 肟酯光敏引发剂
TW200722493A (en) 2005-12-08 2007-06-16 Ls Cable Ltd Die-attaching paste composition and method for hardening the same
CN101426827B (zh) 2006-04-28 2011-01-26 出光兴产株式会社 含有金刚烷基的环氧改性(甲基)丙烯酸酯以及含有该化合物的树脂组合物
JP4340272B2 (ja) * 2006-05-30 2009-10-07 太陽インキ製造株式会社 光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いたプリント配線板
JPWO2008029816A1 (ja) 2006-09-04 2010-01-21 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物、屈折率制御方法、およびそれを用いた光導波路並びに光学部品
JP2010505977A (ja) 2006-10-03 2010-02-25 チバ ホールディング インコーポレーテッド フェニルグリオキシレート型の光開始剤を含む光硬化性組成物
CN101522315B (zh) * 2006-10-11 2013-06-19 禾逊专业化学公司 辐射可固化油墨
TWI357536B (en) 2006-10-24 2012-02-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Photosetting and thermosetting solder resist ink c
JP2008107511A (ja) 2006-10-25 2008-05-08 Kaneka Corp 硬化性組成物
US20090015548A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-15 Keiko Tazaki Image projection system
TW200908839A (en) 2007-08-09 2009-02-16 Nichigo Morton Co Ltd Solder mask, photoresist pattern forming method and the light-emitting device thereof
EP2182410A4 (en) 2007-11-20 2011-04-13 Hitachi Chemical Co Ltd PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED PHOTOSENSITIVE RESIN PRODUCT, PHOTOSENSITIVE RESIN FILM, CURED PHOTOSENSITIVE RESIN FILM PRODUCT, AND OPTICAL WAVEGUIDE PRODUCED BY USING THE SAME
KR101727101B1 (ko) 2008-08-26 2017-04-14 타무라 카켄 코포레이션 감광성 수지 조성물, 프린트 배선판용의 솔더 레지스트 조성물 및 프린트 배선판
US8507726B2 (en) 2008-11-03 2013-08-13 Basf Se Photoinitiator mixtures
US20100209843A1 (en) 2009-02-16 2010-08-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning
JP6054012B2 (ja) * 2009-03-31 2016-12-27 太陽ホールディングス株式会社 硬化性樹脂組成物およびそれを用いたプリント配線板と反射板
CN102597122B (zh) 2009-10-30 2015-09-02 株式会社钟化 固化性组合物
DE102010018855A1 (de) 2010-04-30 2011-11-03 Pelikan Hardcopy Production Ag Strahlungshärtbare InkJet-Tinte auf Acrylatbasis, ein Verfahren und eine Tintenbasis zu deren Herstellung
CN102947359B (zh) * 2010-06-23 2014-12-24 旭硝子株式会社 固化性组合物和固化膜的制造方法
EP2454215A1 (en) 2010-07-09 2012-05-23 DSM IP Assets B.V. Colored radiation curable coatings for concrete floors
JP2012053229A (ja) 2010-08-31 2012-03-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、感光性樹脂ワニス、感光性樹脂フィルム、感光性樹脂硬化物、及び可視光導光路
JP5828842B2 (ja) * 2010-12-02 2015-12-09 株式会社カネカ 光学材料用活性エネルギー線硬化性組成物、硬化物、および製造方法
JP5829035B2 (ja) 2011-03-31 2015-12-09 太陽インキ製造株式会社 光硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物及びプリント配線板
TW201307470A (zh) * 2011-05-27 2013-02-16 Taiyo Ink Mfg Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、乾燥膜及印刷配線板
JP5829177B2 (ja) * 2011-07-12 2015-12-09 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5814691B2 (ja) * 2011-08-11 2015-11-17 互応化学工業株式会社 レジスト用樹脂組成物
AU2012296382B2 (en) * 2011-08-18 2016-12-15 Dic Imaging Products Usa Llc Energy curable bonding resin
WO2013048615A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Henkel Corporation Lenticular print three dimensional image display device and method of fabricing the same
JP6181907B2 (ja) 2011-11-15 2017-08-16 互応化学工業株式会社 カルボキシル基含有樹脂及びソルダーレジスト用樹脂組成物
JP2013137373A (ja) 2011-12-28 2013-07-11 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物とその硬化物、及び感光性樹脂の製造方法
JP2014063158A (ja) 2012-08-31 2014-04-10 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 着色組成物、およびそれを用いたカラーフィルタ
KR20140086724A (ko) 2012-12-28 2014-07-08 제일모직주식회사 표시장치 절연막용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 표시장치 절연막 및 표시장치
JP6299274B2 (ja) 2013-05-07 2018-03-28 株式会社リコー 光重合性組成物、光重合性インクジェットインク、インクカートリッジ、塗工物
JP6178164B2 (ja) 2013-08-23 2017-08-09 富士フイルム株式会社 感光性着色組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌ液晶表示装置
CN105765458B (zh) 2013-10-21 2020-12-29 日产化学工业株式会社 负型感光性树脂组合物
CN103728837B (zh) 2013-12-30 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 感光树脂组合物及用感光树脂组合物制备量子点图案的方法
CN103746131B (zh) 2014-01-17 2016-03-16 三峡大学 一种pem燃料电池复合双极板及其制备方法
CN103881473B (zh) * 2014-04-01 2016-06-01 恒昌涂料（惠阳）有限公司 一种耐黄变感光阻焊油墨及其制备方法
WO2016092598A1 (ja) 2014-12-10 2016-06-16 互応化学工業株式会社 ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板
ES2673878T3 (es) * 2014-12-10 2018-06-26 Goo Chemical Co., Ltd. Composición líquida resistente a soldadura y tarjeta de circuitos impresos revestida
CN105517648B (zh) 2014-12-10 2017-06-20 互应化学工业株式会社 液体阻焊剂组合物和被覆印刷线路板
JP6112691B1 (ja) 2016-03-16 2017-04-12 互応化学工業株式会社 液状ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板
JP5997860B1 (ja) 2016-03-16 2016-09-28 互応化学工業株式会社 液状ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266556A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Tamura Seisakusho Co Ltd 感光性樹脂組成物、プリント配線板用のソルダーレジスト組成物およびプリント配線板
TW201109841A (en) * 2009-09-10 2011-03-16 Sekisui Chemical Co Ltd Photosensitive composition and printed wiring board
JP2011227343A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Goo Chemical Co Ltd ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板
JP2012078414A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Goo Chemical Co Ltd ソルダーレジスト用樹脂組成物及びプリント配線板
JP2013210443A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Taiyo Ink Mfg Ltd 光硬化性熱硬化性樹脂組成物、硬化物、プリント配線板、及び光源モジュール
WO2014132928A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 富士フイルム株式会社 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス

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