TWI565685B

TWI565685B - 使用超音速流反應器之甲烷轉換裝置及製法

Info

Publication number: TWI565685B
Application number: TW102130102A
Authority: TW
Inventors: 羅伯特Ｌ畢達德; 克里斯多夫拿海莫; 蓋文Ｐ陶爾; 唐諾Ｌ米坦多夫
Original assignee: 環球油類產品有限公司
Priority date: 2012-08-21
Filing date: 2013-08-22
Publication date: 2017-01-11
Also published as: WO2014031520A1; TW201414699A; US20140056768A1

Description

使用超音速流反應器之甲烷轉換裝置及製法

優先權聲明

本申請案主張於2012年8月21日提出申請之第61/691,296號美國申請案及於2013年8月14日提出申請之第13/967,327號美國申請案之優先權。

本發明揭示用於使用一超音速流反應器將一烴物流中之甲烷轉換成乙炔之裝置及方法。

輕烯烴材料(包含乙烯及丙烯)代表石油化學工業中全球需求中之一大部分。輕烯烴用於經由聚合、寡聚、烷化及其他眾所周知之化學反應來產生眾多化學產物。此等輕烯烴係現代石油化學及化學工業之基本構建區塊。因此，以一經濟方式生產大量輕烯烴材料係石油化學工業中之一重點。當今精煉中之此等材料之主要來源係石油進料之蒸汽裂解。

長期以來已使用藉由加熱一熔爐中之一原料材料達成之烴之裂解來產生有用產物，包含(舉例而言)烯烴產物。舉例而言，可藉由介於輕石蠟(諸如乙烷及丙烷)至較重餾分(諸如石腦油)之範圍內之原料之熱解來產生位列化學工業中較重要產物當中之乙烯。通常，較輕原料產生較高乙烯良率(與石腦油之25%至30%相比，乙烷為50%至 55%)；然而，原料之成本更可能判定使用哪一種。歷史上，石腦油裂解已提供最大乙烯源，其次係乙烷及丙烷熱解、裂解或去氫化。然而，由於對乙烯及其他輕烯烴材料之大需求，此等傳統進料之成本已不斷增加。

能源消耗係影響自各種原料熱解產生化學產物之另一成本因素。在過去數十年中，已存在已減小生產成本之熱解製法之效率之顯著改良。在一典型或習用熱解廠中，一原料通過複數個熱交換器管，在彼處其藉由燃料油或天然氣及空氣之燃燒產物在外部被加熱至一熱解溫度。用以使生產成本最小化所採取之較重要步驟中之一者已係減小一原料在一熱解熔爐之熱交換器管中之滯留時間。滯留時間之減小增加所期望產物之良率同時減小往往污損熱解管壁之較重副產物之產生。然而，在傳統熱解製法中已剩餘很少空間來改良滯留時間或總能源消耗。

用以減少輕烯烴生產成本之較最近嘗試包含利用替代之製法及/或進料物流。在一種方法中，使用烴充氧劑且(更具體而言)甲醇或二甲醚(DME)作為用於產生輕烯烴產物之一替代原料。可自諸如煤、天然氣、回收塑膠、來自工業之各種碳廢物物流及來自農業產業之各種產物及副產物等可用材料來產生充氧劑。自此等類型之原材料製作甲醇及其他充氧劑得以良好建立且通常包含一或多個眾所周知之製法，諸如在一蒸汽重組步驟中使用一鎳或鈷催化劑後續接著使用一基於銅之催化劑之在相對高壓下之一甲醇合成步驟來製造合成氣體。

一旦形成充氧劑，製法即包含在一充氧劑至烯烴(OTO)製法中將充氧劑(諸如乙醇)以催化方式轉換成所期望輕烯烴產物。US 4,387,263中闡述用於轉換充氧劑之技術(諸如乙醇至輕烯烴(MTO))，US 4,387,263揭示一種使用含有一沸石型催化劑之一催化轉換區之製法。US 4,587,373揭示出於製作輕烯烴目的而使用如ZSM-5之一沸石催化劑。另一方面，US 5,095,163、US 5,126,308及US 5,191,141揭示一種使用一非沸石分子篩催化材料(諸如一金屬磷酸鋁(ELAPO)分子篩)之MTO轉換技術。在有用時，OTO及MTO製法利用用於藉由首先將一進料轉換成一充氧劑且隨後將該充氧劑轉換成一所要烴產物來形成該烴產物之一間接製法。此間接生產路徑通常與能量及成本損失相關聯，通常減小藉由使用一較不昂貴之進料材料所獲得之優點。

近來，已嘗試使用熱解來將天然氣轉換成乙烯。US 7,183,451揭示將天然氣加熱至使一餾分轉換成氫氣及一烴產物(諸如乙炔或乙烯)之一溫度。然後將產物物流淬滅以停止進一步反應且隨後在存在一催化劑之情況下起反應以形成待輸送之液體。最終產生之液體包含石腦油、汽油或柴油。儘管此方法對於將天然氣之一部分轉換成乙炔或乙烯係有效的，但估計此方法將提供來自一甲烷進料物流之乙炔之僅一40%良率。儘管已識別出，連同短滯留時間一起之較高溫度可增加良率，但就此而言，技術侷限性阻礙對此製法之進一步改良。

儘管前述傳統熱解系統提供用於將乙烷及丙烷轉換成其他有用烴產物之解決方案，但已證實其對於將甲烷轉換成此等其他產物(諸如例如乙烯)係低效或不經濟的。儘管MTO技術具有前景，但此等製法可由於形成所期望產物之間接方法而係昂貴的。由於用於傳統製法之進料(諸如乙烷及石腦油)之價格之持續增加，以及天然氣及其他可用甲烷源(舉例而言，最近可獲得葉岩氣)之充足供應及對應低成本，因此期望提供使用甲烷作為用於產生乙烯及其他有用烴之一進料之商業可行且成本有效之方式。

5‧‧‧反應器/超音速反應器/超音速流反應器

10‧‧‧反應器容器

11‧‧‧反應器殼/反應器壁/所澆鑄反應器殼/層式反應器殼

15‧‧‧反應器室/反應室/大體中空中心反應器室

20‧‧‧載體流體入口

25‧‧‧燃燒區/燃燒室

30‧‧‧燃料注射器/擴散器區/混合區/反應器區

40‧‧‧原料入口

45‧‧‧注射器

50‧‧‧細腰噴嘴/超音速擴展器噴嘴/噴嘴/擴展器噴嘴/超音速擴展噴嘴

51‧‧‧超音速擴展器

55‧‧‧混合區

60‧‧‧擴散器區/擴展區/超音速擴展區/擴展區段

65‧‧‧反應區/反應室/下游反應區段

70‧‧‧漸擴壁

72‧‧‧淬滅區

75‧‧‧噴桿

80‧‧‧出口

100‧‧‧下游烴轉換區/烴轉換區

105‧‧‧烴轉換反應器

110‧‧‧氫化反應器

115‧‧‧製法物流線

120‧‧‧污染物移除區

205‧‧‧外層

210‧‧‧內層/內部/內殼

215‧‧‧內殼/層/內層/多孔壁內殼

216‧‧‧感測器

217‧‧‧支撐結構

220‧‧‧外殼/層/外層

230‧‧‧外殼/管板

235‧‧‧內殼/內反應器殼

240‧‧‧第二反應器室/反應器室

245‧‧‧通道/壓力區/反應器殼通道

圖1係根據本文中所闡述之各種實施例之一超音速反應器之一側視剖面圖；圖2係根據本文中所闡述之各種實施例之用於將甲烷轉換成乙炔及其他烴產物之一系統之一示意圖；圖3至圖7係展示根據本文中所闡述之各種實施例之圖1之超音速反應器之部分之部分側視剖面圖。

一種尚未獲得太多商業關注之產生烯烴之先前方法之所提出替代方案包含將一烴原料傳遞至一超音速反應器中並將其加速至超音速速度以提供可轉變成熱以使得能夠發生一吸熱熱解反應之動能。在US 4,136,015、US 4,724,272及俄羅斯專利第SU 392723A號中陳述此製法之變化方式。此等製法包含在一富氧環境中燃燒一原料或載體流體以增加進料之溫度並將進料加速至超音速速度。一衝擊波形成於反應器內以啟始進料之熱解或裂解。

最近，US 5,219,530及US 5,300,216已建議利用一衝擊波反應器來提供用於啟始天然氣之熱解以產生乙炔之動能的一類似製法。更特定而言，此製法包含使蒸汽穿過一加熱器區段以變得過熱並加速至一近超音速速度。將經加熱流體運送至起作用以使載體流體擴展至一超音速速度且降低溫度之一噴嘴。使一乙烷原料通過一壓縮機及加熱器並藉由噴嘴注射以與超音速載體流體混合以在2.8馬赫之一速度及427℃之一溫度下以亂流形式混合在一起。混合區段中之溫度保持足夠低以限制過早熱解。衝擊波反應器包含具有一逐漸增加之剖面面積之一熱解區段，其中由於出口處之流動限制由反應器中之背壓形成一駐衝擊波。該衝擊波迅速減小流體之速度，從而藉由將動能轉換成熱而對應迅速地增加混合物之溫度。此立即啟始乙烷原料之熱解以將其轉換成其他產物。一淬滅熱交換器然後接收經熱解混合物以使熱解反應淬滅。

大體上揭示用於使用一超音速反應器來轉換甲烷進料物流中之烴組份之方法及裝置。如本文中所使用，術語「甲烷進料物流」包含包括甲烷之任何進料物流。經提供用於在超音速反應器中處理之甲烷進料物流通常包含甲烷且形成一製法物流之至少一部分。本文中所呈現之裝置及方法將甲烷之至少一部分轉換成一所期望產物烴化合物以產生相對於進料物流具有一較高濃度之產物烴化合物之一產物物流。

如本文中所使用之術語「烴物流」係指一或多個物流，該一或多個物流提供進入如本文中所闡述之超音速反應器之甲烷進料物流之至少一部分或係自超音速反應器由甲烷進料物流產生，而無論是否對此烴物流進行進一步處置或處理。「烴物流」可包含甲烷進料物流、一超音速反應器流出物物流、自一下游烴轉換製法排出之一所期望產物物流或在本文中所闡述之製法期間形成之任何中間或副產物物流。如圖2中所展示，可經由一製法物流線115來攜載烴物流，製法物流線115包含用於攜載上文所闡述之製法物流之部分中之每一者之線。如本文中所使用之術語「製法物流」包含如上文中所闡述之「烴物流」，以及其可包含一載體流體物流、一燃料物流、一氧源物流或用於本文中所闡述之系統及製法之任何物流。可經由一製法物流線125來攜載製法物流，製法物流線125包含用於攜載上文所闡述之製法物流之部分中之每一者之線。

使用超音速流反應器來將輕石蠟或烷烴進料物流(包含乙烷及丙烷進料物流)轉換成其他烴之先前嘗試已展示在自一特定進料物流提供比其他較傳統熱解系統高之所期望產物之良率方面之前景。具體而言，此等類型之製法用以提供極高反應溫度及極短相關聯滯留時間之能力提供對於傳統熱解製法之顯著改良。最近已認識到，此等製法亦可能夠將甲烷轉換成乙炔及其他有用烴，然而較多傳統熱解製法不能夠或不足以達成此等轉換。

然而，關於超音速反應器系統之大多數先前工作係基於理論或研究，且因此尚未解決與以一商業規模實踐該製法相關聯之問題。另外，眾多此等先前揭示內容並不涵蓋使用超音速反應器來實現一甲烷進料物流之熱解，且往往主要聚焦於乙烷及丙烷之熱解。近來已識別出關於採用一超音速流反應器用於輕烷烴熱解，且更具體而言甲烷進料之熱解，以形成乙炔及來自其之其他有用產物之一個問題包含用於甲烷之熱解之嚴峻操作條件對超音速流反應器及其他相關聯之設備可造成之損壞效應。先前工作尚未完全瞭解或解決此等嚴峻操作條件。舉例而言，超音速反應器可能在高達3000℃或更高之溫度以及高壓下操作。此等高溫度及壓力由於熔化、破裂或潛變而構成反應器之反應器壁內之機械故障之一風險。具體而言，在高溫下，已識別出，該等壁上之熱點可指示殼熔化。另外，甚至在該等壁經冷卻處，可發生基於化學之損壞，諸如例如形成不受氣體流影響之非鈍性產物之氧化還原反應，從而導致凹陷。此外，可發生轉化氧化，從而形成不受氣流影響之非黏附性氧化物。

另外，一載體物流及進料物流可以超音速速度行進穿過反應器，該載體流及進料流可快速侵蝕可用以形成反應器殼之諸多材料。此外，可存在於烴物流中之某些物質及污染物可導致反應器之反應器壁或殼及其他設備或組件之腐蝕、氧化及/或還原。導致腐蝕、氧化或還原問題之此等組份可包含(舉例而言)硫化氫、水、甲硫醇、胂、汞蒸汽、經由燃料本身內之反應之碳化或氫脆化。高溫下可存在之另一問題係與諸如自由基(例如，氫氧根)等暫態物種之反應。

根據本文中所揭示之各種實施例，因此，提供用於將烴物流中之甲烷轉換成乙炔及其他產品之裝置及方法。已識別出根據本文之裝置及其使用來改良用於將輕烷烴進料(包含甲烷進料)熱解成乙炔及其他有用產物之總體製法。本文中所闡述之裝置及製法亦改良裝置及其相關聯組件及設備用以耐受由於反應器內之極端操作條件所致之降級及可能故障之能力。

根據一種方法，使用本文中所揭示之裝置及方法來處理一烴製法物流以將烴製法物流中之甲烷之至少一部分轉換成乙炔。本文中所闡述之烴製法物流包含提供至系統之甲烷進料物流，該甲烷進料流包含甲烷且亦可包含乙烷或丙烷。甲烷進料物流亦可包含處於各種濃度之甲烷、乙烷及丙烷之組合，且亦可包含其他烴化合物以及污染物。在一種方法中，烴進料物流包含天然氣。天然氣可係自多種源提供，包含(但不限於)氣田、油田、煤田、葉岩田之液壓破裂、生物質及掩埋氣體。在另一方法中，甲烷進料物流可包含來自一精煉或處理廠之另一部分之一物流。舉例而言，通常在將原油處理成各種產物期間分離輕烷烴(包含甲烷)且一甲烷進料物流可係自此等源中之一者提供。此等物流可係自相同精煉廠或不同精煉廠或自一精煉廠廢氣提供。甲烷進料物流亦可包含來自不同源之組合之一物流。

根據本文中所闡述之製法及系統，一甲烷進料物流可係自本文中所闡述之系統及方法之一遠端位置或一或若干位置處提供。舉例而言，儘管甲烷進料物流源可位於其中實施該等製法及系統之相同精煉或處理廠處(諸如自來自另一現場烴轉換製法之產品或一本地天然氣田)，但甲烷進料物流亦可係經由管道或其他輸送方法自一遙遠源提供。舉例而言，一進料物流可係自一遙遠烴處理廠或精煉廠或一遙遠天然氣田提供，且提供為至本文中所闡述之系統及製法之一進料。可在遙遠源處發生一甲烷物流之初始處理以自甲烷進料物流移除某些污染物。在發生此初始處理之情況下，可將其視為本文中所闡述之系統及製法之部分或其可發生於本文中所闡述之系統及製法上游。因此，經提供用於本文中所闡述之系統及製法之甲烷進料物流可取決於初始處理是否發生於其上游而具有不同程度之污染物。

在一項實例中，甲烷進料物流具有介於自65mol-%至100mol-%之範圍內之一甲烷含量。在另一實例中，烴進料中之甲烷之濃度介於烴進料之自80mol-%至100mol-%之範圍內。在另一實例中，甲烷之濃度介於烴進料之自90mol-%至100mol-%之範圍內。

在一項實例中，甲烷進料中之乙烷之濃度介於自0mol-%至35mol-%之範圍內且在另一實例中介於自0mol-%至10mol-%之範圍內。在一項實例中，甲烷進料中之丙烷之濃度介於自0mol-%至5mol-%之範圍內且在另一實例中介於0mol-%至1mol-%之範圍內。

甲烷進料物流亦可包含諸如芳族烴、石蠟烴、烯烴及環烷烴等重烴。此等重烴(若存在)將可能以在0mol-%與100mol-%之間的濃度存在。在另一實例中，其可以在0mol-%與10mol-%之間的濃度存在且可以在0mol-%與2mol-%之間存在。

本文中所闡述之用於自甲烷進料物流形成乙炔之裝置及方法利用一超音速流反應器來熱解進料物流中之甲烷以形成乙炔。超音速流反應器可包含能夠形成一載體流體及甲烷進料物流之一超音速流並使載體流體擴展以啟始熱解反應的一或多個反應器。在一種方法中，製法可包含如以全文引用方式併入本文中之US 4,724,272中所大體闡述之一超音速反應器。在另一方法中，製法及系統可包含諸如在以全文引用方式併入本文中之US 5,219,530及US 5,300,216中闡述為一「衝擊波」反應器之一超音速反應器。在另一方法中，闡述為一「衝擊波」反應器之超音速反應器可包含諸如「Supersonic Injection and Mixing in the Shock Wave Reactor」(Robert G.Cerff，University of Washington Graduate School，2010年)中所闡述之一反應器。

儘管在本發明製法中可使用多種超音速反應器，但在圖1中圖解說明一例示性反應器5。參考圖1，超音速反應器5包含通常界定一反應器室15之一反應器容器10。儘管將反應器5圖解說明為一單個反應器，但應理解，其可模組化地或作為單個容器形成。若模組化地或作為單獨組件形成，則反應器之該等模組或單獨組件可永久地或暫時地連結在一起，或可彼此分離，其中藉由諸如例如其間之差動壓力調整之其他手段來圍阻流體提供一燃燒區或室25用於燃燒一燃料以產生具有所期望溫度及流率之一載體流體。反應器5可視情況包含用於將一補充載體流體引入至反應器中之一載體流體入口20。一或多個燃料注射器30經提供用於將一可燃燒燃料(舉例而言，氫氣)注射至燃燒室25中。相同或其他注射器可經提供用於將一氧源注射至燃燒室25中以促進燃料之燃燒。燃料及氧源注射可係沿一軸向方向、切向方向、徑向方向或其他方向，包含方向之一組合。燃料及氧氣燃燒以產生通常具有在一項實例中自1200℃至3500℃，在另一實例中介於2000℃與3500℃之間且在另一實例中介於2500℃與3200℃之間之一溫度的一熱載體流體物流。本文中亦涵蓋藉由其他已知方法(包含非燃燒方法)來產生熱載體流體物流。根據一項實例，載體流體物流具有1atm或更高之一壓力，在另一實例中大於2atm且在另一實例中大於4atm。

使來自燃燒區25之熱載體流體物流通過包含一細腰(converging-diverging)噴嘴50之一超音速擴展器51以使載體流體之速度加速至在一項實例中大於1.0馬赫，在另一實例中介於1.0馬赫與4.0馬赫之間且在另一實例中介於1.5馬赫與3.5馬赫之間。就此而言，流體在超音速流反應器之反應器部分中之滯留時間在一項實例中介於0.5ms至100ms之間，在另一實例中介於1.0ms至50ms之間，且在另一實例中介於1.5ms至20ms之間。藉由一項實例，穿過超音速擴展器之載體流體物流之溫度介於1000℃與3500℃之間，在另一實例中介於1200℃與2500℃之間且在另一實例中介於1200℃與2000℃之間。

提供一原料入口40以用於將甲烷進料物流注射至反應器5中以與載體流體混合。原料入口40可包含一或多個注射器45用於將原料注射至噴嘴50、一混合區55、一擴散器區60或一反應區或室65中。注射器45可包含一歧管，該歧管包含(舉例而言)用於將進料注射至反應器5 之複數個注射口或噴嘴。

在一種方法中，反應器5可包含用於混合載體流體與進料物流之一混合區55。在一種方法中，如圖1中所圖解說明，反應器5可具有在(舉例而言)超音速擴展器51與擴散器區60之間的一單獨混合區，而在另一方法中，混合區整合至擴散器區段中，且混合可發生於反應器5之噴嘴50、擴展區60或反應區65中。一擴展區60包含一漸擴壁70以引起從中流過之氣體之速度之一迅速減小，將流動流體之動能轉換成熱能以進一步加熱該物流以導致進料中之甲烷之熱解，此可發生於反應器之擴展區段60及/或一下游反應區段65中。在一淬滅區72中使流體快速淬滅以防止熱解反應使所期望乙炔產物進一步轉換成其他化合物。可使用噴桿75來將一淬滅流體(舉例而言，水或蒸汽)引入至淬滅區72中。

反應器流出物經由出口80離開反應器且如上文所提及，形成烴物流之一部分。流出物將包含比進料物流大之一濃度之乙炔及相對於進料物流減小之一濃度之甲烷。反應器流出物物流在本文中亦可稱作一乙炔物流，此乃因其包含一增加之濃度之乙炔。該乙炔物流可係用以形成另一烴產物之一製法中之一中間物流或其可經進一步處理或捕獲為一乙炔產物物流。在一項實例中，該反應器流出物物流在淬滅流體之添加之前具有介於自2mol-%至30mol-%之範圍內之一乙炔濃度。在另一實例中，乙炔之濃度介於自5mol-%至25mol-%之範圍內且在另一實例中介於自8mol-%至23mol-%之範圍內。

反應器容器10包含一反應器殼11。應注意，術語「反應器殼」係指界定反應器室15之形成反應器容器之一或若干壁。反應器殼11通常將係界定一大體中空中心反應器室15之一環形結構。反應器殼11可包含一單一材料層、一單一複合結構或具有定位於一或多個其他殼內之一或多個殼的多個殼。反應器殼11亦包含如上所闡述且下文針對超音速反應器5之不同區、組件及/或模組進一步闡述之各種區、組件及/或模組。反應器殼11可形成為界定各種反應器區及組件中之所有者之一單件或其可係模組化的，其中不同模組界定不同反應器區及/或組件。

藉由一種方法，反應器壁或殼11之一或多個部分形成為一鑄件。就此而言，該一或多個部分可不藉由焊接或成型或其他製造方法來形成，但可對該鑄件執行額外處理，如下文所闡述。在不意欲受理論約束之情況下，據信，由於焊接件通常包含殘餘應力，因此藉由焊接形成一或若干反應器壁可產生在高溫及高壓下較易遭受故障或破裂之一反應器。另外，由於其不同微結構及可能組成梯度，焊接件亦可較易遭受腐蝕及裂紋。類似地，據信，使反應器壁成型將導致形成於反應器壁中之不可忽略之殘餘應力，從而導致關於在高溫及高壓下之操作之類似問題。因此，藉由使反應器殼之一部分形成為一鑄件，提供一較各向同性之微結構。反應器殼之澆鑄部分可提供勝於藉由諸如焊接或成型等其他方法形成之類似組件之耐腐蝕性。自一鑄件形成反應器殼亦可在組件中提供較均勻熱通量及較均勻溫度。自一鑄件形成反應器殼之部分亦可提供比藉由其他方法形成之外殼更佳及更均勻之耐高溫潛變及故障性。

藉由一種方法，該鑄件可包含一定向鑄件以提供高反應溫度及壓力下之經改良耐熱衝擊性及耐潛變性。在一種方法中，該鑄件包含一柱狀晶粒結構。在另一方法中，該鑄件包含一單個晶體結構。

該鑄件可係自如下文進一步闡述之一或多種材料形成。可藉由此項技術中之各種方法來進一步處理反應器之澆鑄部分。舉例而言，如本文中所進一步闡述，所澆鑄反應器殼11可經塗佈、熱處理、回火、碳化、氮化或以其他已知方法處理來改良其性質。

可使用一單一鑄件來形成整個反應器殼11，或反應器殼11可包含經組裝以形成反應器殼11之個別澆鑄組件或模組，如本文中所進一步闡述。此外，如本文中所進一步闡述，在反應器殼11包含各種層(包含塗層、內殼及外殼等)之情況下，此等層可單獨地或一起澆鑄，且隨後單獨地保持或連結在一起。

根據各種其他方法，超音速反應器殼之一或多個部分可係藉由除澆鑄以外之已知方法來形成，諸如例如粉末冶金，其可藉由熱均壓、將一粉末熱均壓(hipping)成一基板或雷射燒結，或其他適合燒結方法或自一小坯機械加工來密實化。

藉由一種方法，由具有一高熔化溫度以耐受超音速反應器5之高操作溫度之一材料來構造反應器殼11之至少一部分。在一種方法中，形成反應器殼11之部分之一或多種材料可具有一長低循環疲勞壽命、高屈服強度、耐潛變及應力破裂、耐氧化以及與冷卻劑及燃料之相容性。在一項實例中，由具有介於1200℃與4000℃之間且在另一實例中自1800℃至3500℃的一熔化溫度之一材料來形成反應器殼11之至少一部分。該等材料亦可展現貫穿不同熱及機械處理程序之微結構穩定性、與接合製法之相容性及抗氧化塗層之良好黏附性。用於形成反應器殼之至少一部分之某些較佳材料包含超合金及鎳及γ Ti鋁化物。藉由一種方法，該超合金係一基於鎳之超合金，且藉由另一方法，超合金係一基於鐵之超合金。

在一種方法中，反應器殼11或壁部分由一超合金形成。就此而言，該壁可在發生於反應器內之燃燒及熱解溫度下提供優良機械強度及耐潛變性。以此方式，該裝置亦可限制由於反應器室15中之操作溫度及壓力所致之熔化或故障。

根據另一方法，反應器殼11之部分由選自由以下各項組成之群組中之一材料形成：碳化物、氮化物、二硼化鈦、一賽綸(sialon)陶瓷、氧化鋯、氧化釷、碳-碳複合物、鎢、鉭、鉬、鉻、鎳及其合金。

根據另一方法，反應器殼11之部分形成為一鑄件，其中該鑄件包括選自由以下各項組成之群組中之一組件：雙相不銹鋼、超級雙相不銹鋼及基於鎳之高溫低潛變超合金。

可包含用以提供良好耐腐蝕性之鉻或鎳。

藉由另一方法，反應器殼11可包含複數個層。圖3中所圖解說明之反應器殼11包含界定反應器室15之一內層210及繞內部210形成之一外層205。儘管為便於闡釋，圖3中所圖解說明之反應器殼11具有兩個層，但應理解，反應器殼11可包含在內層210與外層205之間具有一或多個中間層之三個或三個以上層。

在一種方法中，內層210包含形成於外層205或任何介入中間層之一內表面上之一塗層。就此而言，外層205形成其上施加內層210塗層之一基板。另一選擇係，內層210可提供其上施加一外層205塗層之一基板。內層210及外層205中之一者或兩者可形成為如先前所闡述之一鑄件或係以根據此方法之其他已知方式形成。

在一種方法中，內層210之至少一部分包含如上文所闡述之一高熔化溫度材料。根據另一方法，內層210包含選自由以下各項組成之群組中之一材料：碳化物、氮化物、二硼化鈦、一賽綸陶瓷、氧化鋯、氧化釷、碳-碳複合物、鎢、鉭、鉬、鉻、鎳及其合金。藉由另一方法，內層210包含一超合金，且藉由另一方法包含選自由以下各項組成之群組中之一材料：雙相不銹鋼、超級雙相不銹鋼及基於鎳之高溫低潛變超合金。就此而言，內層210可經選擇以提供有益操作特性，尤其當其曝露於反應器室15內之惡劣操作條件(包含其高溫)時。

在一種方法中，外層205可由不同於內層210之一材料形成。外層205材料可經選擇以為反應器殼11提供結構支撐及其他期望性質。在一項實例中，外層205或一中間層包含耐腐蝕鋼。用於形成反應器殼11之外層205之其他適合材料包含(但不限於)雙相不銹鋼、超級雙相不銹鋼及基於鎳之高溫低潛變超合金、Nimonic^TM基於鎳之高溫低潛變超合金、Inco^TM 718、Haynes^TM、230或諸如Mar-M-247等其他鎳合金。

在一種方法中，內層210包含一熱障壁塗層。熱障壁塗層可由展現供用於反應器室15中之期望性質(諸如例如，高熔化溫度以耐受反應器室15中之高溫)之一材料形成。舉例而言，熱障壁塗層可包含氧化釔穩定之氧化鋯、鑭及稀土摻雜之六鋁酸鑭、碳化鉿或鎢，此乃因兩種材料皆具有高熔化溫度、在高操作溫度下之良好機械性質及(視情況)低導熱率。

在一種方法中，將一接合塗層提供於內層210與外層205之表面之間，包含藉由一種方法達成之熱障壁塗層。接合塗層可包含藉由電漿噴塗、電子束PVD或此項技術中已知之其他方法施加於金屬表面上之NiCrAlY、NiCoCrAlY合金。

層式反應器殼11可係以此項技術中已知之任何已知方式形成。在一種方法中，可使用形成於一心軸上之一內徑塗層來藉由在一基板材料上提供一塗層而提供一層式反應器殼。藉由另一方法，一塗層可藉由熱均壓形成於一基板上以提供層式反應器殼11。藉由另一方法，可使用包覆來在一基板上提供一塗層。在另一方法中，內層及外層可單獨地形成並連結在一起。此方法之一實例包含單獨地澆鑄內層210及外層205並將其硬銲在一起以形成層式反應器殼11。亦可藉由繞一第一合金澆鑄一第二合金來使用雙澆鑄。

在另一方法中，如圖4中所圖解說明，反應器殼11之至少一部分可包含一單獨內殼215及外殼220。類似於先前所闡述之層式反應器殼11，具有一單獨內殼215及外殼220之一反應器殼可允許內殼215耐受反應器室15之操作條件同時外殼220為反應器殼11提供結構支撐及/或其他期望性質。

在一種方法中，內殼215之至少一部分包含如上文所闡述之高熔化溫度材料。根據另一方法，內殼215之至少一部分包含選自由以下各項組成之群組中之一材料：碳化物、氮化物、二硼化鈦、一賽綸陶瓷、氧化鋯、氧化釷、碳-碳複合物、鎢、鉭、鉬、鉻、鎳及其合金。藉由另一方法，內殼210之至少一部分包含一超合金，且藉由另一方法，包含選自由以下各項組成之群組中之一材料：雙相不銹鋼、超級雙相不銹鋼及基於鎳之高溫低潛變超合金。就此而言，內殼215可經選擇以提供有益操作特性，尤其當其曝露於反應器室15內之惡劣操作條件時。

在一種方法中，外殼220可由不同於內殼215之一材料形成。外殼220可經選擇以為反應器殼11提供結構支撐或其他期望性質。在一項實例中，外殼220包含耐腐蝕鋼。用於形成反應器殼11之外層205之其他適合材料包含(但不限於)雙相不銹鋼、超級雙相不銹鋼及基於鎳之高溫低潛變超合金、Nimonic^TM基於鎳之高溫低潛變超合金、Inco^TM718、Haynes^TM、230或諸如Mar-M-247等其他鎳合金。

藉由一種方法，內殼215及外殼220中之一者或兩者者形成為如先前所闡述之一鑄件。

在一種方法中，外殼220包含如圖5中所圖解說明之一管板230。根據此方法，至少一個額外內殼235定位於界定一第二反應器室240之外殼230內側。以此方式，複數個熱解反應可發生於複數個反應器室240內。藉由此方法，內殼235中之每一者可包含上文關於圖1中所圖解說明之超音速反應器5所闡述之組件中之某些或所有組件，或單獨內殼235中之某些組件可經整合。在一種方法中，某些內反應器殼235可沿相反方向定向。就此而言，將藉由相對面向之內反應器殼235而偏移可由流過內殼之高速物流產生之任何推力。

在一種方法中，內殼215與外殼220間隔開以在其間提供一通道245，如圖4中所圖解說明。在此方法中，通道245可包含一壓力區。壓力區經加壓以將其中之壓力維持為與反應器室15壓力相同之壓力。就此而言，內殼215可經組態以使得其並不必須耐受其內表面250與外表面255之間的一高壓差。然後，內殼215可由具有一相對較低壓力額定及/或具有一相對薄的壁厚度之一材料形成。然後，外殼220可提供結構支撐以及充當一壓力容器以耐受壓力區245與外殼220之外側之間的壓力差。在另一方法(未展示)中，內殼215可鄰接外殼220。

在一種方法中，通道245進一步裝納一或多個感測器216。該等感測器可偵測或量測諸如一或多個參數之一變數或通道245內之材料。感測器之實例包含壓力感測器、溫度感測器、諸如氣體感測器、氫氣感測器、烴感測器、甲烷感測器等化學感測器及其他感測器。該等感測器可電連接至一或多個顯示器，從而監視及/或控制系統。在一種方法中，通道245進一步裝納一或多個支撐結構217以相對於外殼220支撐內殼215。

根據另一方法，如圖6中所圖解說明，一襯裡260可提供於反應器殼11之至少一部分內側以抵抗由於反應器室15內之操作條件所致之反應器殼11部分之劣化。襯裡260可沿著反應器殼11之一內部表面延伸且可鄰接反應器殼11或與其間隔開。

在一種方法中，一襯裡260包含一可棄式襯裡。該可棄式襯裡可包括呈碳/碳複合物、熱解碳、玻璃碳或其他形式之碳的碳或一高溫合金且可在已發生襯裡260之劣化之後被移除及替換。就此而言，可棄式襯裡可保護反應器殼免受反應器室15內之惡劣操作條件影響。

根據另一方法，襯裡260包含一自我再生襯裡，且能夠在超音速反應器5之操作期間及/或在超音速反應器5離線時再生。在一種方法中，自我再生襯裡包含經催化以促進沿著反應器殼11之內部表面之碳或焦炭形成以再生碳襯裡之碳。在另一方法中，自我再生襯裡包含具有一石墨焦炭層之一自我再生襯層。在另一方法中，自我再生襯裡包含具有一奈米結構化之焦炭層之一襯層。在另一方法中，自我再生襯裡包含具有一奈米結構化石墨層之一襯層。在一種方法中，自我再生襯裡包含用以在操作期間自反應室15快速移除熱之定向導熱率。

在一種方法中，襯裡260包含操作以為所使用之金屬合金提供保護並減慢熱轉移之一低導熱率塗層。在另一方法中，襯裡可係由耐高溫、低導熱率材料製成之一浮動捕獲之襯裡。此一襯裡將減小熱轉移及侵蝕。可藉由將一HfC或錸真空電漿噴塗至經機械加工成所需襯裡外徑之淨形尺寸之一適當心軸上來形成一浮動捕獲之襯裡。HfC或錸之噴塗塗層將後續接著能夠在必要溫度下支撐結構之一鎢結構層。鎢層將後續接著鉬及可能的另一鎢及/或一鎳、鈷、鉻、鋁釔結構層。所有層將係使用真空電漿噴塗來施加且將在化學蝕刻心軸之內徑之後獨立。

在一種方法中，反應器殼11之一或多個部分包含有效冷卻以耗散來自反應器室15之熱並限制由於高溫及其他操作條件所致之反應器殼11之熔化或其他劣化。在一種方法中，有效冷卻包含一有效冷卻系統。如圖7中所圖解說明，圖解說明反應器殼11之一部分之一剖面，其展示包含形成於反應器殼11中以使一冷卻劑沿著反應器殼11流動以自其移除熱之複數個冷卻通路300。有效冷卻系統亦可包含用於提供通過冷卻通道300之加壓冷卻劑之一冷卻劑源。如圖7中所圖解說明，冷卻通路可繞反應器殼11大體圓周地延伸，在一種方法中，其包含一大體環形組態。亦可存在歧管以用於將冷卻劑提供至冷卻通路300及自冷卻通路300提供冷卻劑。

在一種方法中，冷卻通路300可包含形成於反應器殼之一表面中之一個或複數個通道。在另一方法中，冷卻通路300可包含形成於反應器殼11中以用於使冷卻流體從中流過之一個或複數個管或大體中空隧道，如呈圖7中所圖解說明之形式。通路可沿著反應器之一或多個表面延伸或其可形成於反應器殼11之壁內。通路300可係以多種定向提供且可按以下方式延伸：沿著反應器殼11軸向延伸、繞反應器殼11圓周延伸、徑向穿過反應器殼延伸、繞環形反應器殼螺旋延伸或此項技術中已知之其他定向延伸。

在另一方法中，冷卻通路300可包含在內層與外層、若干襯層或內殼與外殼之間的一或多個空間，如先前所闡述，以提供一或多個冷卻通道，諸如呈圖4之通道245。另外，一流量操縱器可提供於內層與外層、若干襯層或若干殼之間的空間內以沿著一所期望流動型樣引導冷卻流體。突出部(諸如銷、鰭片或其他突出部)可用於內層與外層之間的空間內以增加冷卻之表面積。此外，冷卻系統可包含如本文中所闡述之不同類型之冷卻通路300之一組合。舉例而言，冷卻通路300可包含在一反應器殼11之層215與層220之間的一冷卻通道以及形成於內層215與外層220中之一者之一表面中之若干通道以使得流過冷卻通道之冷卻劑亦通過反應器殼通道245。

冷卻通路300可係藉由多種方法形成。在一種方法中，冷卻通路300經機械加工至反應器殼中。在另一方法中，部分通路可係沿著一反應器殼11之一或多個層或殼之表面形成，如上文所闡述，且在將層及/或殼連結在一起後，旋即可在層或殼之間形成一完整通路300。類似地，一部分通路可形成於一反應器壁或層之一表面上且一塗層或襯裡可施加於該部分通路上方以在反應器壁或層與塗層或襯裡之間提供一完整通路300。在另一方法中，可將一塗層或襯裡施加於界定一完整或部分通路之一型樣中。如上文所闡述，此等部分或完整通路可係藉由機械加工、澆鑄，或在施加一特定塗層、層或襯裡期間，或藉由其他手段形成。冷卻通路300亦可係藉由此項技術中眾所周知之其他方法形成。銷、鰭片或其他突出部可用於通路中以增加冷卻之表面積。可將一低導熱率塗層施加至一襯裡，該塗層操作以為所使用之金屬合金提供保護，並減慢對有效冷卻之熱轉移及增加效率。藉由實例之方式，該塗層可係一鎳或銅合金，該鎳或銅合金係真空電漿噴塗至內襯層上，首先以允許結構金屬黏附至低導熱率材料之一接合塗層開始。接合塗層可含有鎳、鈷、鋁及/或釔，後續接著鉬及鎢，且最後後續接著HfC或HfO2。

界定冷卻通路之該等壁可藉由充當冷卻鰭片而有助於至循環之冷卻劑中之熱轉移且亦支撐冷卻劑壓力負載。在一種方法中，熱氣體壁(冷卻劑與熱燃燒氣體之間的反應器殼11壁之部分)之厚度經最佳化以使對穿過襯裡之壁及進入至冷卻劑通道300之熱流的阻力最小化同時相對於壓力及熱負載提供結構完整性。在一種方法中，熱氣體壁之厚度介於0.254cm(0.10英寸)與0.9525cm(0.375英寸)之間，且在另一實例中介於0.381cm(0.15英寸)與0.5715cm(0.225英寸)之間。在另一方法中，冷卻通路之間的壁經最佳化為鰭片以提供自熱壁至冷卻劑之低熱阻以及維持結構完整性。

在另一方法中，冷卻劑通路含有流動增強器以增強冷卻劑之流動以增加冷卻劑熱轉移係數及自壁至冷卻劑之熱通量。在一種方法中，流動增強器含有垂直於冷卻劑流動方向或與其成一較小角定向之肋以重新起始冷卻劑邊界層，從而增加冷卻劑熱轉移係數並增加自壁至冷卻劑中之熱通量。由以小於90度之一角定位之肋賦予之渦流將賦予一渦流速度分量，從而使冷卻劑混合且導致自壁至冷卻劑之一較高熱轉移速率。

當組裝反應器殼11時，冷卻劑通道300之歧管及網路協作以形成一歧管以供流動之冷卻劑移除在超音速反應器5之燃燒過程期間所產生之熱達維持一可接受之反應器壁溫度之程度。

在一種方法中，將冷卻劑流體加壓至一相對高之壓力以使得流過反應器殼11之部分之冷卻劑具有介於350psig與3200psig之間且在另一方法中介於1000psig與2000psig之間的一壓力。且在另一方法中，在1500psig與1600psig之間。相對高之壓力藉由避免在使用(舉例而言)水作為冷卻流體時之一相變來減小冷卻劑循環之複雜性。冷卻劑壓力、循環速率及溫度經設定以提供足以(特定而言)在燃料物流之燃燒及超音速擴展期間充分移除反應器室15中所產生之熱之一部分以維持一可接受之反應器壁溫度的冷卻劑流。在一種方法中，冷卻劑具有介於28,000pph與47,000pph之間且在另一實例中介於33,500pph與80,000pph之間的穿過冷卻劑通路之一流率。在一項實例中，冷卻劑具有介於10℃(50℉)至121℃(250℉)之間且在另一實例中介於29℃(85℉)至66℃(150℉)之間的一入口溫度。在一項實例中，冷卻劑具有38℃(100℉)至371℃(700℉)且在另一實例中自121℃(250℉)至315℃(600℉)之一出口溫度。可使用此項技術中已知之多種冷卻劑。在一項實例中，冷卻劑包含水。在另一實例中，冷卻劑包含蒸汽、氫氣或甲烷，且可含有流體之一混合物。

在一種方法中，衝擊冷卻可用作有效冷卻以耗散來自反應器室15之熱並限制由於高溫及其他操作條件所致之反應器殼11之熔化或其他劣化。衝擊冷卻可採用一氣體或一液體。在一種方法中，衝擊冷卻可採用一系列衝擊噴流來影響高熱轉移。舉例而言，可將一高速噴流引導至待冷卻之一殼上。在冷卻噴流接觸殼之表面時，其沿平行於殼表面之所有方向分流。該等噴流可繞殼諸如隨機或以一型樣配置。衝擊冷卻可包含諸如將蒸汽擴展用於熱壁冷卻之高衝擊系統、液體壁衝擊及氣體溢出冷卻等技術。

在一種方法中，一熱管可充當有效冷卻機構。熱管可傳導高達一固態銅傳導部件之熱能之250倍。

在一種方法中，一膜障壁可沿著反應器殼11之至少一部分之一內表面提供以為反應器室15提供至少一部分障壁。膜障壁可有助於限制劣化，包含由於反應器室15內之高溫、流率及其他惡劣條件所致之反應器殼11之熔化、侵蝕或腐蝕。

在一種方法中，膜障壁包含一冷流體障壁。如本文中所使用，冷流體障壁係指流體障壁相對於反應器室15中之溫度之溫度。因此，冷流體障壁可具有一高溫，但相對於反應器室15係較冷的。在一項實例中，冷流體障壁之溫度介於1649℃(3000℉)與2760℃(5000℉)之間。在另一實例中，冷流體障壁之溫度介於1982℃(3600℉)與2538℃(4600℉)之間。

藉由一項實例，冷流體障壁可包含一冷蒸汽障壁。在另一實例中，冷流體障壁包含一熔化金屬障壁。在另一實例中，冷流體障壁包含水或蒸汽。在另一方法中，冷流體障壁包含空氣或氫氣。在另一實例中，冷流體障壁包含甲烷。冷流體障壁亦可包含此項技術中已知之其他流體或若干流體之一組合。藉由一種方法，冷流體障壁包含包括製法物流之至少一部分之一流體。

膜障壁可以各種方式提供於反應器殼11之部分之內部表面上方。在一種方法中，反應器殼11包含穿過其至少一部分之開口以允許冷流體從中通過並形成一冷流體障壁。此可採取流注核心流之狹槽之形式。在另一方法中，反應器殼11可包含促進冷流體從中洩漏以提供流體障壁之一多孔壁。藉由一種方法，反應器殼可包含類似於上文關於有效冷卻系統所闡述之通路之通路(未展示)且可穿過其提供用於形成冷流體障壁之一冷流體。在此方法中，歧管管路可經提供以透過通路及開口引入冷流體。在另一方法中，如先前所闡述，反應器殼11可包含一內殼215及一外殼220，且內殼215可包含開口或在內殼215之至少一部分上方包括一多孔壁。在此方法中，冷流體可通過界定於外殼 220與內殼215之間的通道或通路以使得洩漏穿過多孔壁內殼215以在內殼215之部分之一內表面上方形成冷流體障壁。同樣地，如上文關於圖6所闡述，在一襯裡260提供於反應器殼11內側之情況下，襯裡可係一多孔或可穿透襯裡以允許冷流體通過襯裡並在其內表面上形成一冷流體障壁。膜障壁亦可係藉由其他方法(包含此項技術中已知之方法)沿著反應器殼11之部分之內表面形成。

在另一方法中，壁可含有過多小孔，該等小孔以一膜方式排放流體，從而形成一全覆蓋膜冷卻表面。

在另一方法中，壁可含有為其供應冷卻劑且藉由沿一下游方向沿著壁排放冷卻劑而形成一冷卻膜之狹槽或百葉窗。膜障壁亦可係藉由其他方法(包含此項技術中已知之方法)沿著反應器殼11之部分之內表面形成。

在另一方法中，衝擊方法可與全覆蓋膜冷卻方法組合，其中衝擊流體在衝擊熱壁之後透過此壁中之膜冷卻孔排放，提供兩種冷卻效應。

以此方式，藉由在反應器殼11之至少一部分之一內表面上方提供一膜障壁，可在超音速反應器5之操作期間限制反應器殼11之劣化。膜障壁可藉由為熱核心流體提供一障壁及以膜冷卻溫度藉助膜對流地冷卻壁來減小在操作期間反應器殼11所曝露於之溫度。

冷卻系統可併入有如上文所闡述之各種機構以提供最高操作效率之最佳組合。

前述說明提供關於一反應器殼11或一反應殼器11之一部分之數種方法。以此方式，應理解，反應器殼11之至少一部分可係指整個反應器殼11或其可係指小於整個反應器殼，如現在將進一步詳細闡述。如此，對於用以改良反應器殼11之至少一部分之構造及/或操作之方式之前述說明可大體適用於反應器殼之任何部分及/或可適用於反應器殼之以下具體闡述之部分。

已識別出，反應器殼11之某些部分或組件可遭遇特別惡劣之操作條件或部分或組件特有之特定問題。因此，根據各種方法，前述說明之某些態樣可僅適用於係已識別出之一特定問題之彼等部分或組件。燃料注射器30及原料注射器45周圍之位置係可受益於局部膜障壁或膜冷卻或衝擊或局部定位之對流冷卻通路之位置之實例。

在其操作期間遭遇特別惡劣操作條件之超音速反應器5之一個區係燃燒區25。在燃燒區25中，燃料物流在存在氧氣之情況下燃燒以形成高溫載體物流。燃燒區25中之溫度可係反應器室15中存在之最高溫度，且可達到在一項實例中介於2000℃與3500℃之間且在另一實例中在2000℃與3200℃之間的溫度。因此，燃燒區25中已識別出之一特定問題係燃燒區25處之反應器殼11之熔化及在存在氧氣之情況下燃燒壁之氧化。在一燃燒區25中之反應器殼之部分可稱作燃燒室26。

遭遇特別惡劣操作條件之超音速反應器5之另一區包含超音速擴展區60，且特定而言位於其中之超音速擴展器噴嘴50。具體而言，由於高溫載體氣體以近超音速或超音速速度行進穿過擴展器噴嘴50，因此超音速擴展區60之擴展器噴嘴50及/或其他部分可特別易遭受侵蝕。

類似地，包含一擴散器區30、一混合區30、反應器區30及淬滅區之超音速反應器之其他部分可在超音速反應器5之操作期間遭遇惡劣操作條件。結合超音速反應器5一起使用之額外設備或組件亦可面對類似問題及惡劣操作條件，包含(但不限於)噴嘴、線、混合器及交換器。

由於獨特問題及超音速反應器之個別部分或組件可曝露於之操作條件，此等個別部分及組件可根據本文中所闡述之各種方法形成、操作或使用，而其他部分或組件根據本文中可或可未闡述之其他方法形成、操作或使用。

由於超音速反應器5之不同組件或部分可以不同方式形成或操作，因此包含反應器殼11之超音速反應器5可製作為單獨部件且經組裝以形成超音速反應器5或反應器殼11。就此而言，超音速反應器5及/或反應器殼11可包含其中個別模組或組件可組裝在一起之一模組化組態。藉由一種方法，經組裝之超音速反應器或反應器殼11之至少某些部分或組件可不附接，替代地，其中之氣體或流體可由組件之間的壓差調整來圍阻。在其他方法中，模組或組件可(舉例而言)藉由密封於組件之間的界面之冷卻位置處之凸緣而連接在一起。類似地，不同組件、部分或模組可包含上文說明中所提供之不同態樣。舉例而言，某些模組或組件可包含有效冷卻、一膜障壁、內層及外層、內殼及外殼或上文所闡述之其他態樣，而其他部分、模組或組件可包含不同態樣。

根據一種方法，可在超音速反應器5之操作期間或在其停機期間移除及替換一或多個組件或模組。舉例而言，由於超音速擴展噴嘴50可比反應器之其他組件更快速劣化，因此噴嘴50可係可移除的以使得可在其劣化後旋即用一新噴嘴將其替換。在一種方法中，複數個超音速反應器5可與操作中之一或多個超音速反應器及備用中之一或多個超音速反應器並聯或串聯提供，以使得若需要維修或替換操作之超音速反應器之一或多個組件，則製法可切換至備用超音速反應器以繼續操作。

此外，超音速反應器可水平地(如圖1中所圖解說明)或垂直地(未展示)定向。在一種方法中，在反應器垂直地組態之情況下，從中穿過之載體及進料物流之流動可係垂直向上。在另一方法中，載體及進料物流之流動可係垂直向下。在一種方法中，超音速反應器可經定向以使得其自由排流以防止淬滅區72中之液體之累積。在另一方法中，反應器可如上文所指示之垂直地(自水平線90°)或水平地(自水平線0°)定向或可與反應器出口上面之一高度處之反應器入口成介於0°與90°之間的一角定向。在另一實施例中，出口80可包含兩個或兩個以上出口，包含用於主要汽相流之一初級出口及用以排出液體之一次級出口。在一種方法中，將液體注射至淬滅區72且並不完全汽化。此可在操作之暫態或穩態模式期間發生。次級出口可視需要連續或間歇地操作。

在一種方法中，將反應器殼11密封於一端處且在其相對之一端處包含一充氣部。

藉由一種方法，反應器殼11可包含一壓力釋放器件。在一種方法中，壓力釋放器件包含一備裂閥。在另一方法中，壓力釋放器件包含一釋放閥。

在一種方法中，超音速反應器5在其一入口處可包含一隔離閥。超音速反應器亦可包含一控制系統以在發生一噴泄之情況下偵測壓力之一改變。控制系統可經組態以回應於此而隔離入口。在一種方法中，入口係一燃料物流入口。

根據一種方法，超音速反應器5包含磁性圍阻以將反應物圍阻於反應室15內。

根據另一方法，超音速反應器5可包含氫氣產生以自反應器流出物物流產生氫氣。

在一項實例中，反應器流出物物流在於超音速反應器5中之熱解之後具有相對於甲烷進料物流介於自15mol-%至95mol-%之範圍內之一減小之甲烷含量。在另一實例中，甲烷之濃度介於自40mol-%至90mol-%之範圍內，且在另一實例中介於自45mol-%至85mol-%之範圍內。

在一項實例中，自超音速反應器中之進料中之甲烷產生之乙炔之良率介於40%與95%之間。在另一實例中，自進料物流中之甲烷產生之乙炔之良率介於50%與90%之間。有利地，此提供優於自先前較傳統熱解方法達成之估計之40%之良率的一良率。

藉由一種方法，反應器流出物物流起反應以形成另一烴化合物。就此而言，可將烴物流之反應器流出物部分自反應器出口傳遞至一下游烴轉換製法以進行對該物流之進一步處理。儘管應理解，反應器流出物物流可經歷數個中間製法步驟(諸如例如，水移除、吸附及/或吸收)以提供一濃縮乙炔物流，但此等中間步驟將不在本文中加以詳細闡述。

參考圖2，可將具有一較高乙炔濃度之反應器流出物物流傳遞至一下游烴轉換區100，其中乙炔可經轉換以形成另一烴產物。烴轉換區100可包含用於將乙炔轉換成另一烴產物之一烴轉換反應器105。儘管圖2圖解說明用於透過氫化反應器110中之氫化作用將流出物物流中之乙炔之至少一部分轉換成乙烯之一流程圖，但應理解，替代一氫化反應器110或除一氫化反應器110之外，烴轉換區100亦可包含多種其他烴轉換製法，或烴轉換製法之一組合。類似地，圖2中所圖解說明之單元操作可經修改或移除且係出於說明性目的展示，且並非意欲限制本文中所闡述之製法及系統。具體而言，已識別出，除先前方法中所揭示之烴轉換製法外，數個其他烴轉換製法可定位於超音速反應器5之下游，包含用以將乙炔轉換成其他烴之製法，該等其他烴包含(但不限於)：烯烴、烷烴、甲烷、丙烯醛、丙烯酸、丙烯酸酯、丙烯醯胺、醛、聚乙炔、苯、甲苯、苯乙烯、苯胺、環己酮、己內醯胺、丙烯、丁二烯、丁炔二醇、丁二醇、C2-C4烴化合物、乙二醇、柴油燃料、二酸、二醇、吡咯啶及吡咯啶酮。

用於自烴或製法物流移除一或多種污染物之一污染物移除區120可取決於特定污染物對產物或製法之影響及污染物移除之原因而位於沿著烴或製法物流之各種位置處，如下文進一步闡述。舉例而言，已識別出特定污染物干擾超音速流反應器5之操作及/或污損超音速流反應器5中之組件。因此，根據一種方法，將一污染物移除區定位於超音速流反應器之上游以便在將物流引入至超音速反應器中之前將此等污染物自甲烷進料物流移除。已識別出其他污染物干擾一下游處理步驟或烴轉換製法，在此情形中污染移除區可定位於超音速反應器之上游或在超音速反應器與所討論特定下游處理步驟之間。已識別出應移除其他污染物以滿足特定產物規格。在期望將多個污染物自烴或製法物流移除之情況下，可將各種污染物移除區定位於沿著烴或製法物流之不同位置處。在其他方法中，一污染物移除區可與系統內之另一製法重疊或整合在一起，在此情形中污染物可係在製法之另一部分期間被移除，包含(但不限於)超音速反應器5或下游烴轉換區100。此可在藉助或不藉助對此等特定區、反應器或製法之修改之情況下完成。儘管圖2中所圖解說明之污染物移除區120經展示定位於烴轉換反應器105之下游，但應理解，根據本文之污染物移除區120可定位於超音速流反應器5之上游，在超音速流反應器5與烴轉換區100之間，或如圖2中所圖解說明之烴轉換區100之下游或沿著製法物流內之其他物流，諸如例如，一載體流體物流、一燃料物流、一氧源物流或用於本文中所闡述之系統及製法中之任何物流。

儘管已圖解說明並闡述特定實施例及態樣，但應瞭解，熟習此項技術者將想到眾多改變及修改，且在隨附申請專利範圍中意欲涵蓋屬於本發明及隨附申請專利範圍之真實精神及範疇內之所有彼等改變及修改。