TWI501067B - 能帶隙參考電路及能帶隙參考電流源 - Google Patents
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Description
本發明係指一種能帶隙參考(bandgap reference)電路及能帶隙參考電流源，尤指一種具有較小佈局面積的能帶隙參考電路及能帶隙參考電流源。
類比電路應用中常使用不受溫度變化影響的穩定參考電壓源或電流源，來提供一參考電壓或參考電流，以利監督電源或是其他電路之操作正確性，而能帶隙參考電路(Bandgap Reference Circuit)即為此類電路。簡單來說，能帶隙參考電流源係將一正溫度係數(proportional to absolute temperature，PTAT)的電流與一負溫度係數(complementary to absolute temperature，CTAT)的電流以適當比例混合相加，將正溫度係數與負溫度係數相互抵銷後，產生一零溫度係數的電流。
詳細來說，請參考第1圖，第1圖為習知技術中一能帶隙參考電流源10之示意圖。能帶隙參考電流源10包含有一啟動電路100及一能帶隙參考電路102。啟動電路100可於一系統電壓VDD大於P型金氧半電晶體104、106的源閘極電壓差時(即VDD>2VSG)，啟動能帶隙參考電路102之運作。如第1圖所示，在能帶隙參考電路102中，一功率放大器108之正負輸入端輸入電壓VA與VB相等(VA=VB=VEB1)，透過雙載子電晶體Q1及Q2的基射極電壓差VEB1-VEB2及阻值為R之一電阻Rptat，可產生一正溫度係數電流Iptat，如式(1)所示：
其中，K表示雙載子電晶體Q2可視為由K個雙載子電晶體Q1並聯而成。由於臨限電壓VT係正溫度係數，因此由式(1)可知電阻Rptat所載之正溫度係數電流Iptat係正溫度係數。
另一方面，透過雙載子電晶體Q1的基射極電壓差VEB1及阻值為L*R之一電阻Rctat，可產生一負溫度係數電流Ictat，如式(2)所示：
其中，由於VEB1具有負溫度係數，因此電阻Rctat所載之負溫度係數電流Ictat係負溫度係數。如此一來，經過適當調整電阻Rctat之阻值L*R，可透過加總正溫度係數電流Iptat與負溫度係數電流Ictat產生一零溫度係數電流Iref，如式(3)所示：
其中，基射極電壓差VEB1與臨限電壓VT對時間偏微分後，分為負溫度係數-1.6mv/C與正溫度係數0.085mv/C。因此，由式(3)可知，當L=1.6/0.085lnK時，零溫度係數電流Iref係零溫度係數，而電流鏡M1、M2及M3可將此零溫度係數電流Iref複製輸出。
請參考第2A圖及第2B圖，第2A圖及第2B圖分別為第1圖中功率放大器108為P型及N型金氧半電晶體輸入對的功率放大器之示意圖。當功率放大器108為P型金氧半電晶體輸入對的功率放大器時，P型金氧半電晶體輸入對Q3、Q4之輸入電壓VA、VB需小於VDD-VDS5-VSG3，而當功率放大器108為N型金氧半電晶體輸入對的功率放大器時，N型金氧半電晶體輸入對Q6、Q7之輸入電壓VA、VB需大於VDS8+VGS7，因此使用P型金氧半電晶體輸入對時，輸入電壓VA、VB可較使用N型金氧半電晶體輸入對時低，以降低第1圖中雙載子電晶體Q1及Q2的耗電。
然而，如第1圖及第2A圖所示，在使用P型金氧半電晶體輸入對時，輸出電壓Vo等於系統電壓VDD減去電流鏡M1之源閘極電壓差VSGM1，因此系統電壓VDD上升時會造成P型金氧半電晶體輸入對進入線性區(linear-region)而使功率放大器108失效，無法適應操作範圍較廣的系統電壓VDD。相較之下，雖然使用N型金氧半電晶體輸入對可適應操作範圍較廣的系統電壓VDD，卻因無法降低輸入電壓VA、VB，而增加雙載子電晶體Q1及Q2的耗電。
此外，在能帶隙參考電流源10中，啟動電路100的啟動條件需VDD>2VGS，在製程變異與溫度變化底下易啟動不良，而且能帶隙參考電路102另需使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，造成大量佈局面積耗費。有鑑於此，習知技術實有改進之必要。
因此，本發明之主要目的即在於提供一種能帶隙參考電路及能帶隙參考電流源。
本發明揭露一種能帶隙參考電路，具有較小佈局面積。該能帶隙參考電路包含有一第一雙載子電晶體，包含有一第一端及一第二端耦接於一地端；一第一電阻，用來產生一正溫度係數電流；一第二雙載子電晶體，包含有一第一端耦接於該第一電阻，及一第二端與一第三端耦接於一地端；一第二電阻，具有與該第一電阻之阻值呈一特定比例之阻值，用來產生一負溫度係數電流；一第一運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之一第三端，及一第二輸入端耦接於該第一電阻：一第二運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之該第三端，及一第二輸入端耦接於該第二電阻：以及一零溫度係數電流產生器，用來加總該正溫度係數電流及該負溫度係數電流，以產生一零溫度係數電流。
本發明另揭露一種能帶隙參考電流源。該能帶隙參考電流源包含有一能帶隙參考電路，具有較小佈局面積，用來產生一零溫度係數電流；以及一啟動電路，用來啟動該能帶隙參考電路。
請參考第3圖，第3圖為本發明實施例中一能帶隙參考(bandgap reference)電流源30之示意圖。能帶隙參考電流源30包含有一啟動電路300及一能帶隙參考電路302。相較於啟動電路100，啟動電路300於系統電壓VDD>VSG時，即可啟動能帶隙參考電路302之運作，而且啟動電路300另包含一P型金氧半電晶體304，可於能帶隙參考電路302穩定輸出一零溫度係數電流Iref’後，逐漸關閉以避免直流耗電。在能帶隙參考電路302中，產生一正溫度係數(proportional to absolute temperature，PTAT)電流Iptat’及一負溫度係數(complementary to absolute temperature，CTAT)電流Ictat’之方法與能帶隙參考電路102大致相似，於此不再贅述；其主要差別在於，相較於能帶隙參考電路102僅利用功率放大器108來產生正溫度係數電流Iptat及負溫度係數電流Ictat，能帶隙參考電路302係分別利用運算放大器306、308產生正溫度係數電流Iptat’及負溫度係數電流Ictat’，因此不需另外使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，可使佈局面積有效減小。
詳細來說，運算放大器306之正負輸入端輸入電壓VA’及VB’與運算放大器308之正負輸入端輸入電壓VC’及VB’相等(VA’=VB’=VC’=VEB1’)，因此透過與習知技術相似之運算，可得正溫度係數電流Iptat’係正溫度係數，於此不再贅述。而負溫度係數電流Ictat’係由電壓-電流轉換器(運算放大器308、電流鏡M4與電阻Rctat’)將負溫度係數的電壓VC’=VEB1’轉換為負溫度係數的電流Ictat’。如此一來，相較於能帶隙參考電路102中電流鏡M1、M2及M3同時複製正溫度係數電流Iptat及負溫度係數電流Ictat，因而需多使用一個電阻Rctat，以平衡負溫度係數電流Ictat。在本發明中，一零溫度係數電流(zero temperature correlated，zero-TC)產生器310可利用電流鏡M1’、M2’、M3’與電流鏡M4’、M5’分別複製正溫度係數電流Iptat’與負溫度係數電流Ictat’，以加總產生零溫度係數電流Iref’，因此不需另外使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，而具有較小佈局面積。
另外，請參考第4圖，第4圖為本發明第3圖中運算放大器306、308之示意圖。如第4圖所示，運算放大器306、308係使用P型金氧半電晶體輸入對配合折疊串接(folded-cascode)之架構，因此不僅可使用較低的輸入電壓VA、VB，以降低第3圖中雙載子電晶體Q1’及Q2’的耗電外，而且於系統電壓VDD上升時，輸出電壓Vo’可正常上升而不會影響P型金氧半電晶體輸入對Q9、Q10，因此可適應大範圍的系統電壓VDD。如此一來，本發明可在低耗電的條件下適應大範圍的系統電壓VDD。
值得注意的是，本發明之主要精神，在於分別利用運算放大器306、308產生正溫度係數電流Iptat’及負溫度係數電流Ictat’，以縮小佈局面積。其中，運算放大器306、308係使用P型金氧半電晶體輸入對配合折疊串接之架構，以在低耗電的條件下適應大範圍的系統電壓VDD。本領域具通常知識者當可依本發明之精神加以修飾或變化，而不限於此。舉例來說，各項變化可合併使用或分開使用，以達到其效果，如能帶隙參考電路302中之運算放大器306、308即使不是P型金氧半電晶體輸入對配合折疊串接之架構，仍可達到縮小佈局面積之效果，而能帶隙參考電路102之功率放大器108若改為P型金氧半電晶體輸入對配合折疊串接之架構，亦可在低耗電的條件下適應大範圍的系統電壓VDD。其它如啟動電路100及零溫度係數電流產生器310之電路，亦不限於本發明之實施例，只要能達到其效果即可。
在習知技術中，由於電流鏡M1、M2及M3同時複製正溫度係數電流Iptat及負溫度係數電流Ictat，因此需多使用一個電阻Rctat，以平衡負溫度係數電流Ictat；而運算放大器108若為P型金氧半電晶體輸入對時，雖可降低雙載子電晶體Q1及Q2的耗電，但無法適應較廣系統電壓VDD操作範圍，而若為N型金氧半電晶體輸入對時，雖可適應較廣系統電壓VDD操作範圍，卻不利低耗電的應用。相較之下，本發明利用電流鏡M1’、M2’、M3’與電流鏡M4’、M5’分別複製正溫度係數電流Iptat’與負溫度係數電流Ictat’，以加總產生零溫度係數電流Iref’，因此不需另外使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，可有效減小佈局面積，而且功率放大器使用P型金氧半電晶體輸入對配合折疊串接之架構，可在低耗電的條件下適應大範圍的系統電壓VDD。
綜上所述，本發明之能帶隙參考電流源可具有較小佈局面積，且在低耗電的條件下可適應大範圍的系統電壓。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、30‧‧‧能帶隙參考電流源
100、300‧‧‧啟動電路
102、302‧‧‧能帶隙參考電路
104、106、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、304、Q9、Q10‧‧‧金氧半電晶體
108、306、308‧‧‧功率放大器
310‧‧‧零溫度係數電流產生器
VDD‧‧‧系統電壓
VA、VB、VA’、VB’、VC’‧‧‧輸入電壓
Vo、Vo’‧‧‧輸出電壓
Iptat、Iptat’‧‧‧正溫度係數電流
Q1、Q2、Q1’、Q2’‧‧‧雙載子電晶體
Rptat、Rptat’、Rctat、Rctat’‧‧‧電阻
Ictat、Ictat‧‧‧負溫度係數電流
Iref、Iref’‧‧‧零溫度係數電流
M1、M2、M3、M1’、M2’、M3’、M4、M5‧‧‧電流鏡
第1圖為習知技術中一能帶隙參考電流源之示意圖。
第2A圖及第2B圖分別為第1圖中功率放大器為P型及N型金氧半電晶體輸入對的功率放大器之示意圖。
第3圖為本發明實施例中一能帶隙參考電流源之示意圖。
第4圖為本發明第3圖中運算放大器之示意圖。
30‧‧‧能帶隙參考電流源
300‧‧‧啟動電路
302‧‧‧能帶隙參考電路
304‧‧‧金氧半電晶體
306、308‧‧‧功率放大器
310‧‧‧零溫度係數電流產生器
VDD‧‧‧系統電壓
VA’、VB’、VC’‧‧‧輸入電壓
Vo’‧‧‧輸出電壓
Iptat’‧‧‧正溫度係數電流
Q1’、Q2’‧‧‧雙載子電晶體
Rptat’、Rctat’‧‧‧電阻
Ictat’‧‧‧負溫度係數電流
Iref’‧‧‧零溫度係數電流
M1’、M2’、M3’、M4、M5‧‧‧電流鏡
Claims (9)
- 一種能帶隙參考(bandgap reference)電路，具有較小佈局面積，包含有：一第一雙載子電晶體，包含有一第一端及一第二端耦接於一地端；一第一電阻，用來產生一正溫度係數(proportional to absolute temperature，PTAT)電流；一第二雙載子電晶體，包含有一第一端耦接於該第一電阻，及一第二端與一第三端耦接於一地端；一第二電阻，具有與該第一電阻之阻值呈一特定比例之阻值，用來產生一負溫度係數(complementary to absolute temperature，CTAT)電流；一第一運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之一第三端，及一第二輸入端耦接於該第一電阻：一第二運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之該第三端，及一第二輸入端耦接於該第二電阻：以及一零溫度係數(zero temperature correlated，zero-TC)電流產生器，用來加總該正溫度係數電流及該負溫度係數電流，以產生一零溫度係數電流；其中，該第一運算放大器及該第二運算放大器為具有P型金氧半(PMOS)輸入對及折疊串接式(folded cascode)架構之 運算放大器，該P型金氧半輸入對接收來自第一運算放大器及第二運算放大器外部之輸入電壓。
- 如請求項1所述之能帶隙參考電路，其中該第一運算放大器的該第一輸入端與該第二輸入端之電壓及該第二運算放大器的該第一輸入端與該第二輸入端之電壓為該第一雙載子電晶體之一集極與一射極間之跨壓。
- 如請求項1所述之能帶隙參考電路，其中該零溫度係數電流產生器包含有：一第一電流鏡，用來複製該負溫度係數電流；一第二電流鏡，用來複製該正溫度係數電流；以及一加總單元，耦接於該第一電流鏡與該第二電流鏡，用來產生該零溫度係數電流。
- 如請求項1所述之能帶隙參考電路，其中該第一雙載子電晶體與該第二雙載子電晶體為PNP型雙載子電晶體。
- 一種能帶隙參考(bandgap reference)電流源，包含有：一能帶隙參考電路，具有較小佈局面積，用來產生一零溫度係數電流；以及一啟動(start-up)電路，用來啟動該能帶隙參考電路；其中，該能帶隙參考電路，包含有： 一第一雙載子電晶體，包含有一第一端及一第二端耦接於一地端；一第一電阻，用來產生一正溫度係數proportional to absolute temperature，PTAT)電流；一第二雙載子電晶體，包含有一第一端耦接於該第一電阻，及一第二端與一第三端耦接於一地端；一第二電阻，具有與該第一電阻之阻值呈一特定比例之阻值，用來產生一負溫度係數(complementary to absolute temperature，CTAT)電流；一第一運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之一第三端，及一第二輸入端耦接於該第一電阻：一第二運算放大器，包含有一第一輸入端耦接於該第一雙載子電晶體之該第三端，及一第二輸入端耦接於該第二電阻：以及一零溫度係數電流產生器，用來加總該正溫度係數電流及該負溫度係數電流，以產生一零溫度係數電流；其中，該第一運算放大器及該第二運算放大器為具有P型金氧半(PMOS)輸入對及折疊串接式(folded cascode)架構之運算放大器，該P型金氧半輸入對接收來自第一運算放大器及第二運算放大器外部之輸入電壓。
- 如請求項5所述之能帶隙參考電流源，其中該第一運算放大器 的該第一輸入端與該第二輸入端之電壓及該第二運算放大器的該第一輸入端與該第二輸入端之電壓為該第一雙載子電晶體之一集極與一射極間之跨壓。
- 如請求項5所述之能帶隙參考電流源，其中該零溫度係數電流產生器包含有：一第一電流鏡，用來複製該負溫度係數電流；一第二電流鏡，用來複製該正溫度係數電流；以及一加總單元，耦接於該第一電流鏡與該第二電流鏡，用來產生該零溫度係數電流。
- 如請求項5所述之能帶隙參考電流源，其中該第一雙載子電晶體與該第二雙載子電晶體為PNP型雙載子電晶體。
- 如請求項5所述之能帶隙參考電流源，其中該啟動電路另包含一開關，用來於該能帶隙參考電路達到一穩定狀態後，逐漸關閉以避免直流耗電。
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| US9612606B2 (en) * | 2012-05-15 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bandgap reference circuit |
| TWI510880B (zh) * | 2014-04-03 | 2015-12-01 | Himax Tech Ltd | 溫度非相關之整合電壓源與電流源 |
| CN103941796B (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-21 | 广州思信电子科技有限公司 | 带隙基准电路 |
| US10191507B1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature sensor using proportional to absolute temperature sensing and complementary to absolute temperature sensing and electronic device including the same |
| CN111610812B (zh) * | 2019-02-26 | 2022-08-30 | 武汉杰开科技有限公司 | 一种带隙基准电源产生电路及集成电路 |
| CN111010182A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-14 | 芯创智（北京）微电子有限公司 | 一种全片内高速参考电压驱动电路 |
| TWI718804B (zh) * | 2019-12-09 | 2021-02-11 | 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 | 帶隙參考電路及具有其之電子電路裝置 |
| JP2021110994A (ja) | 2020-01-07 | 2021-08-02 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 定電流回路 |
| CN113203495B (zh) * | 2020-02-01 | 2025-01-21 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 温度感测电路 |
| TWI800790B (zh) * | 2020-02-21 | 2023-05-01 | 美商半導體組件工業公司 | 用於產生參考電流之方法及能隙參考電路 |
| US11099594B1 (en) * | 2020-02-21 | 2021-08-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Bandgap reference circuit |
| CN112000168A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-11-27 | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 | 电流源 |
| CN113655841B (zh) * | 2021-08-18 | 2023-03-07 | 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 | 一种带隙基准电压电路 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906581B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-06-14 | Realtek Semiconductor Corp. | Fast start-up low-voltage bandgap voltage reference circuit |
| US7323857B2 (en) * | 2006-03-06 | 2008-01-29 | Novatek Microelectronics Corp. | Current source with adjustable temperature coefficient |
| US20080106334A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Kang-Jin Lee | Low-voltage operational amplifier and operational amplifying method |
| TW200827978A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-01 | Mediatek Inc | Bandgap reference circuits and start-up methods thereof |
| US7570107B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-08-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Band-gap reference voltage generator |
| TW200944989A (en) * | 2007-12-21 | 2009-11-01 | Analog Devices Inc | Low voltage current and voltage generator |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6825721B2 (en) * | 2002-07-12 | 2004-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Amplifier gain boost circuitry and method |
| US6958643B2 (en) * | 2003-07-16 | 2005-10-25 | Analog Microelectrics, Inc. | Folded cascode bandgap reference voltage circuit |
| US7737782B1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-06-15 | Seiko Instruments Inc. | Operational amplifier circuit |
| US8289054B2 (en) * | 2009-08-26 | 2012-10-16 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | High voltage differential pair and op amp in low voltage process |
-
2010
- 2010-08-18 TW TW099127556A patent/TWI501067B/zh active
-
2011
- 2011-06-08 US US13/155,392 patent/US9459647B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906581B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-06-14 | Realtek Semiconductor Corp. | Fast start-up low-voltage bandgap voltage reference circuit |
| US7323857B2 (en) * | 2006-03-06 | 2008-01-29 | Novatek Microelectronics Corp. | Current source with adjustable temperature coefficient |
| US7570107B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-08-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Band-gap reference voltage generator |
| US20080106334A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Kang-Jin Lee | Low-voltage operational amplifier and operational amplifying method |
| TW200827978A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-01 | Mediatek Inc | Bandgap reference circuits and start-up methods thereof |
| TW200944989A (en) * | 2007-12-21 | 2009-11-01 | Analog Devices Inc | Low voltage current and voltage generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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