TWI489667B - 相變化記憶體元件 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種相變化記憶體元件，特別係有關於一種相變化記憶體元件之相變化記憶材料。
相變化記憶體具有速度、功率、容量、可靠度、製程整合度和成本等具競爭力的特性，為一適合用來作為較高密度的獨立式或嵌入式的記憶體應用。由於相變化記憶體技術的獨特優勢，使其被認為非常有可能取代目前商業化極具競爭性的靜態記憶體SRAM與動態隨機記憶體DRAM等揮發性記憶體，和快閃記憶體Flash之非揮發性記憶體技術，並可望成為未來極具潛力的新世代半導體記憶體。
硫屬化合物(chalcogenide)係廣泛的使用於相變化記憶體元件，第六族之化學元素(例如硫、硒或碲)是硫屬化合物之主要材料，且其係和第四族或第五族之元素結合，且摻雜一些雜質，以應用於相變化記憶體元件。Ge2
Sb2
Te5
是相變化記憶體元件最常用的材料，理由是其可藉由非晶態(具有相對高的電阻)和結晶態(具有相對低的電阻)間快速且可重複的相變化，提供二元狀態之開關。然而，Ge2
Sb2
Te5
仍然具有以下缺點：例如低結晶溫度、在高熔點溫度時結晶態之低電阻、成分主要包括硒，而硒具有高揮發性和毒性，容易對製程室和環境造成污染。因此，業界需要一新的相變化材料，以提升相變化記憶體元件之效
能，及減輕環境的污染。
根據上述問題，本發明提供一種相變化記憶體元件，包括一基底，一相變化層位於基底上方，一第一電極電性連接相變化層之第一側，一第二電極電性連接相變化層之第二側，其中相變化層主要包括Ga、Sb、Te和一些必須之摻雜物，其組成範圍是：Gax
Tey
Sbz
5<x<40；8<y<48；42<z<80，且x＋y＋z＝100。
本發明另提供一種相變化記憶體元件，包括一基底，一相變化層位於基底上方，一第一電極電性連接相變化層之第一側，一第二電極電性連接相變化層之第二側，其中相變化層具有兩個穩定相之狀態。
以下詳細討論本發明實施例之製造和使用，然而，根據本發明之概念，其可包括或運用於更廣泛之技術範圍。須注意的是，實施例僅用以揭示本發明製造和使用之特定方法，並不用以限定本發明。
傳統以硫屬化合物為基礎之相變化材料Ge2
Sb2
Te5
具有許多優點，例如結晶態和非晶態間之高電阻差、高結晶溫度，然而，其仍有許多缺點需要改進。
本發明一實施例相變化材料之合金組成的設計和研究係界定於以下以第1圖之點I、II、III、IV、V和VI之範圍，其包括兩個系列的組成，A、B、C、D和E係沿著Sb80
Te20
－GaSb斜線(斜線1)，和F、G、H、I和J係沿著Sb2
Te3
－GaSb斜線(斜線2)。上述材料之組成可以下列公式表示：Gax
Tey
Sbz
5<x<40；8<y<48；42<z<80，且x＋y＋z＝100其中本發明特別針對x＝20，y＝30，z＝50；x＝18，y＝12，z＝70；x＝25，y＝8，z＝67三項組成進行研究，而以上三個範例之組成分別為Ga20
Te30
Sb50
，Ga17.6
Te11.8
Sb70.6
和Ga25
Te8
Sb67
。
本發明可使用任何此技藝所熟知的技術，製備所設計的合金和形成設計合金結構層之靶材，此外，本發明可使用任何此技藝所熟知的沉積技術，形成相變化記憶體元件之相變化層，其包括但不限定於真空蒸鍍技術(例如熱蒸鍍或電子束蒸度)；濺鍍技術(例如直流DC濺鍍、射頻RF濺鍍、磁控濺鍍、對稱symmetric濺鍍或非對稱non－symmetric濺鍍)；或真空離子鍍膜技術(vacuum ion plating)。此外，本發明可使用任何此技藝所熟知的化學氣相沉積技術，形成相變化合金。本發明在以下之實施例中係使用磁控濺鍍技術形成薄膜，且同時使用兩個靶材(GaSb和Sb80
Te20
)，形成沿著斜線1組成之範例(組成A至E)，使用靶材(GaSb
和Sb2
Te3
)，形成沿著斜線2組成之範例(組成F至J)。另外，本實施例係針對靶材之濺鍍能量進行調整，形成所需的薄膜組成。
第1表顯示本發明實施例薄膜之計量分析的結果，其中S8
T2
代表Sb80
Te20
，GS代表GaSb，其係供作參考，第1表係顯示A至E之組成。
本發明上述實施例係將傳統相變化材料Ge2
Sb2
Te5
之Ge以Ga取代，其中Ga之原子數僅比Ge小1，因此，Ge之原子半徑和Ga相類似，使上述之取代可得到穩定之晶格排列。另外，如第2圖所示，由於Ga的熔點溫度僅有29.8℃，因此可有效降低Ga20
Te30
Sb50
的熔點溫度，以降低元件之操作能量，且減少小尺寸元件之熱干擾(thermal cross－talk)的問題。
第3圖顯示本發明一實施例合金之結晶溫度。如圖所示，當Ga濃度增加時，合金之結晶溫度(Tx
)，及結晶溫度和熔點溫度間之比例(Tx
/Tm
)係增加，其代表Ga－Te－Sb合金可提供良好的熱穩定性。
第4圖顯示沉積之非晶合金在進行結晶後之電阻。如圖所示，當Ga之濃度在一定範圍內增加時，結晶合金之阻值(Rc
)和非晶態與結晶態間之阻值比例(Ra
/Rc
)係增加。由於Ga－Te－Sb合金在結晶態有較高的電阻，其可以減少相變化記憶體元件之重置(RESET)電流，並且可因此縮小元件之尺寸和增加單位區域晶胞的數量。
第5圖顯示溫度和電阻之關係圖，對本發明(Ga20
Te30
Sb50
)範例合金和習知技術之合金(Ge2
Sb2
Te5
)進行比較。根據圖中所示，傳統的Ge2
Sb2
Te5
合金約在1700℃時產生第一次相變化，而約在300℃時產生第二次相變化。很明顯的，此習知技術之合金在第一和第二相變化點間，阻值係對溫度的變化相當敏感，而此種現象可能會使得元件操作的餘熱產生電阻的變動，因此影響元件的穩定性。相較之下，本發明之範例相變化材料(Ga20
Te30
Sb50
)具有較穩定的結晶電阻，而當溫度增加時，其結晶電阻不會大幅度變動。
以下配合第6圖詳細描述相較於習知Ge2
Sb2
Te5
相變化材料和本發明一實施例使用Ga－Te－Sb合金作為相變化材料之相變化記憶體元件的製程(晶胞尺寸為200nm×200nm)，
其中習知Ge2
Sb2
Te5
相變化材料係用作比較範例。提供一例如矽之基底502，基底502上可形成一例如氧化矽之緩衝層(未繪示)。沉積一下電極504於基底502上，在本實施例中，下電極504包括厚度約為50nm之TiN層和厚度約為150nm之Ti層。以黃光微影技術圖形化下電極504，以定義一接觸區。形成一例如氧化物之絕緣層506於下電極504上，接著圖形化絕緣層以形成一開口512。沉積一約100nm厚之相變化層508於絕緣層506上，且填入開口512中，其中相變化層508可以是本實施例之Ga2
Te2
Sb5
合金或習知Ge－Te－Sb相變化材料作為之比較範例。之後，於相變化層508上形成例如TaN之上電極510，接著將元件放置在爐管中以對相變化層508進行回火，以使其轉換成結晶態。
第7圖顯示本發明一實施例在加熱Ga20
Te30
Sb50
薄膜範例時，使用差熱分析(differential thermo－analysis，DSC)之溫譜圖。值得注意的是，此相變化材料具有不一致(incongruent)的熔點，且由於此特性，使相變化材料在差熱分析(differential thermal analysis，DTA)或差示掃描量熱量(differential scanning calorimetry，DCS)中具有兩個吸熱峰，如第7圖所示之DTA曲線。因此，如第8圖之程式化電流和電阻之關係圖所示，此相變化材料具有兩個穩定相之狀態(狀態1和狀態2)，而此特徵係由於本實施例之相變化材料具有兩個吸熱峰。當此材料施加電流至特定的溫度，第一不一致(incongruent)之組成係熔化形成一暫液態，
而其之後係經由周圍的環境快速冷卻成非晶態(部份之晶胞體積)。先形成之非晶態係和晶胞中剩餘之結晶態混合，形成一電阻比結晶態高，但比非晶態低之亞穩中間態(metastable intermediate state)。由於此中間電組織狀態，此相變化材料單位晶胞可具有一多餘的記憶位元。換言之，本發明之相變化材料可以紀錄單位晶胞三個位元。舉例來說，使用此相變化材料之記憶體元件可以有三個位元(0、1、2)，且記憶容量可由傳統的2n
增加至3n
。
第2表係顯示傳統之Ge2
Sb2
Te5
和本發明三個實施例範例Ga20
Te30
Sb50
、Ga18
Te12
Sb70
、Ga25
Te8
Sb67
相變化層之比較。如此表中所示，Ga20
Te30
Sb50
範例相較於傳統的Ge2
Sb2
Te5
，在結晶態(Rc
)呈現較高的電阻，因此可減少相變化記憶體元件之重置(Reset)電流。此外，本實施例相變化材料具有較高的結晶溫度和Tx
/Tm
，此特性可減少習知相變化記憶體材料Ge2
Sb2
Te5
的產生之問題，因此可減少元件的尺寸和增加單位區域記憶晶胞的數目。第2表另顯示本發明三個範例之相變化材料具有相當高的Tx
/Tm
，以至於可呈現出相當
好的熱穩定性。另外兩個範例組成(Ga18
Te12
Sb70
和Ga25
Te8
Sb67
)具有和Ge2
Sb2
Te5
相近的Rc
阻值，但其具有較低的熔點溫度，以降低瞬間熔化(重置)記憶晶胞所需的能量。因此，上述範例之相變化材料可用於高密度相變化記憶體。
第9A圖和第9B圖係顯示失效時間(failure time)和1/KT之關係圖，以比較本範例Ga20
Te30
Sb50
和傳統的Ge2
Sb2
Te5
資料保存(data retention)。如第9A圖和第9B圖所示，由於Ga20
Te30
Sb50
有較高的活化能(aetivation energy，其係正比於非晶態和結晶態之能障)，包括此範例材料的元件預計可在溫度120℃的條件下保存資料一百萬年。然而，包括傳統材料Ge2
Sb2
Te5
的元件在相同的條件下僅可保存資料4.2小時。因此，本發明此實施例的相變化材料具有相當良好的資料保存特性。
第3表係顯示本發明範例Ga20
Te30
Sb50
在脈衝寬度(pulse
width)20ns~500ns之間的程式化速度分析。第10A圖係顯示此範例Ga20
Te30
Sb50
程式化電流和阻值之關係圖。在第3表中，此範例係在各種脈衝寬度的條件量測設定阻值(Rset)，且其平均重置阻值(以脈衝寬度20ns~500ns進行重置)係為16468Ω。△R係由平均重置阻值Rreset(16468Ω)減去設定阻值Rset得到。本分析在此係將脈衝寬度500ns之△R(15671)的條件作為基準，以將各種不同脈衝寬度條件之△R和脈衝寬度500ns之△R進行比較。比較之結果係顯示於第3表之最後一欄，且將其繪製於第10B圖。請參照第3表和第10B圖，當本範例相變化材料Ga20
Te30
Sb50
施加20ns脈衝寬度時，其相較於施加500ns脈衝寬度之條件，約可達成重置條件和設定條件間92%之阻抗差異。因此，根據上述可推論本發明之範例具有非常快之程式化速度。
第11圖係顯示本發明範例Ga20
Te30
Sb50
週期數目(number of cycles)和阻抗之關係圖。如第11圖所示，本發明之範例約可達到2×105
之週期數目，且其結果係顯示本發明之範例具有良好的可靠度表現。
本發明使用Ga－Te－Sb材料之相變化記憶體元件的優點可由以上實驗數據獲得證實。首先，其相較於傳統Ge2
Sb2
Te5
合金，具有適當且較高的結晶溫度(Tx
)和較低之熔點溫度，因此本發明之元件具有較少的干擾(cross talk)的問題，和較低的重置能量。第二，本發明所揭示之相變化材料同時具有較高之結晶溫度(Tx
)和活化能(activation
energy)，而使得記憶體元件具有較高的熱穩定性，且可在161℃之溫度下運作10年。第三，本發明一些實施例之組成可達到單位晶胞三個位元，因此在相同的尺寸下可達成較高的記憶容量。第四，本發明實施例之相變化材料具有較少的Te，因此相較於傳統Ge2
Sb2
Te5
合金，其清潔製程和對環境之影響均較低。
以上提供之實施例係用以描述本發明不同之技術特徵，但根據本發明之概念，其可包括或運用於更廣泛之技術範圍。須注意的是，實施例僅用以揭示本發明製程、裝置、組成、製造和使用之特定方法，並不用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍，當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
502‧‧‧基底
504‧‧‧下電極
506‧‧‧絕緣層
508‧‧‧相變化層
510‧‧‧上電極
512‧‧‧開口
第1圖顯示本發明一實施例相變化材料之合金組成的設計和研究。
第2圖顯示本發明一實施例相變化材料Ga20
Te30
Sb50
和傳統相變化材料Ge2
Sb2
Te5
之熔點溫度和結晶溫度之比較。
第3圖顯示本發明一實施例合金之結晶溫度與結晶溫度和熔點溫度間之比例(Tx
/Tm
)。
第4圖顯示本發明一實施例合金結晶後之電阻。
第5圖顯示溫度和電阻之關係圖，比較本發明(Ga20
Te30
Sb50
)範例合金和習知技術之合金(Ge2
Sb2
Te5
)薄膜。
第6圖顯示本發明一實施例使用Ga－Te－Sb合金作為相變化材料之相變化記憶體元件的製程。
第7圖顯示本發明一實施範例在加熱Ga20
Te30
Sb50
薄膜範例時，使用差熱分析(DTA)之溫譜圖。
第8圖顯示本發明一實施範例使用Ga20
Te30
Sb50
作為相變化材料之相變化記憶體元件之程式化電流和電阻的關係圖。
第9A圖和第9B圖係顯示失效時間(failure time)和1/KT之關係圖，比較本發明(Ga20
Te30
Sb50
)範例合金和習知技術之合金(Ge2
Sb2
Te5
)薄膜之資料保存時間。
第10A圖顯示本發明一實施範例Ga20
Te30
Sb50
程式化電
流和電阻的關係圖。
第10B圖顯示本發明一實施範例Ga20
Te30
Sb50
整理過之電阻比例和脈衝寬度的關係圖。
第11圖係顯示本發明範例Ga20
Te30
Sb50
週期數目和阻抗之關係圖。
Claims (5)
- 一種相變化記憶體元件，包括：一基底；一相變化層，位於該基底上方；一第一電極，電性連接該相變化層之第一側；一第二電極，電性連接該相變化層之第二側；其中該相變化層主要包括Ga、Sb、Te和一些必須之摻雜物，其組成範圍是：Gax Tey Sbz ；5<x<40；8<y<48；42<z<80，且x+y+z=100，其中該相變化記憶體元件具有兩個重置狀態，且單位記憶晶胞具有三個位元(0、1、2)。
- 如申請專利範圍第1項所述之相變化記憶體元件，其中該相變化層包括Ga-Te-Sb，且其組成範圍為Ga15~25 Te10~32 Sb50~72 。
- 如申請專利範圍第1項所述之相變化記憶體元件，其中該相變化層之熔點溫度小於600℃。
- 如申請專利範圍第1項所述之相變化記憶體元件，其中該變化層在差熱分析(differential thermal analysis，DTA)或差示掃描量熱量(differential scanning calorimetry，DCS)中具有兩個吸熱峰。
- 如申請專利範圍第1項所述之相變化記憶體元件，更包括一具有一開口之絕緣層，位於該第一電極和該相變化層間，且該相變化層係填入該開口。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US20050136209A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Tsung Shune Chin | Phase-change recording media based on the Ga-Sb-Te system for ultra-high density optical recording |
| TW200612557A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-16 | Ind Tech Res Inst | Multilevel phase-change memory, operating method and manufacture method thereof |
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US20050136209A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Tsung Shune Chin | Phase-change recording media based on the Ga-Sb-Te system for ultra-high density optical recording |
| TW200612557A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-16 | Ind Tech Res Inst | Multilevel phase-change memory, operating method and manufacture method thereof |
| US20070284622A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase-change memory device |
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