TWI469380B

TWI469380B - 異質接面太陽電池結構

Info

Publication number: TWI469380B
Application number: TW102140641A
Authority: TW
Inventors: Yu Hung Chen; Jun Chin Liu; Yung Tsung Liu; Chen Cheng Lin
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2013-11-08
Filing date: 2013-11-08
Publication date: 2015-01-11
Also published as: DE102014105910A1; JP6066231B2; CN106057916A; CN106057916B; JP2015095648A; US20150129025A1; JP2015159340A; JP5864660B2; TW201519461A; CN104638048B; CN104638048A

Description

異質接面太陽電池結構

本揭露係關於一種太陽電池結構，尤指一種異質接面之太陽電池結構。

如第1圖所示，其繪示習知技術之一種異質接面太陽電池之結構，係具有p型結晶矽基板(p-type crystalline silicon substrate)10，而該p型結晶矽基板10具有受光面102及背光面101。在受光面102及背光面101上分別形成有i型非晶矽薄膜層(intrinsic amorphous silicon layer)12、11。在該i型非晶矽薄膜層12、11上分別形成有n型非晶矽層14及p型非晶矽層13。於該n型非晶矽層14及該p型非晶矽層13上則形成有透明導電層16、15及導電端子18與電極層17。由於此種太陽電池之堆疊結構具有矽異質接面和矽本質層，故又被稱為異質接面太陽電池(HIT,Heterojunction with Intrinsic Thin-layer solar cell)。

然而在此種異質接面太陽電池中，於p型結晶矽基板10之受光面102的非晶矽層，如i型非晶矽薄膜層12或n型非晶矽層14，該非晶矽之材料受光照時，會有高光吸收率透光率不佳之問題，而無法讓光線有效的穿透，使得太陽電池受到光能激發產生的光生載子之數量衰減，另傳統利用PECVD電漿設備製程易於矽基板表面產生電漿損傷(plasma damage)缺陷，因而使元件產生的短路電流較小，使得轉換效率降低。

如第4圖所示，其繪示習知技術之另一種異質接面太陽電池之結構，係具有p型微晶矽層(p-type nanocrystalline silicon layer)40，該p型微晶矽層40具有受光面402及背光面401；於背光面401之方向上，係依序形成有i型微晶矽薄膜層(intrinsic nanocrystalline silicon layer)41a、n型微晶矽層(n-type nanocrystalline silicon layer)41b、第二透明導電層43、及銀質層45。於受光面402之方向上，依序形成有中間反射層(intermediate reflector layer)42、n型非晶矽層44a、i型非晶矽薄膜層44b、p型非晶矽層44c、第一透明導電層46、玻璃基板48。然而，於此種異質接面太陽電池中，該n型微晶矽層41b與中間反射層42也有透光率不佳從而導致光電轉換效率需要提昇之問題。具體言之，為了達到上電池(Top cell，即非晶矽層)與下電池(Bottom cell，即微晶矽層)之電流匹配，於光學考量上會加上中間反射層，以讓光線可以反射俾回饋回上電池；但是，於電性考量上，為了使上、下電池之串接阻值降低，中間反射層卻需要比較厚之厚度，因此，易造成上電池因光反射達成電流滿足，而下電池卻因反射層太厚導製入射光量降低，構成電流不匹配之現象。

再如第6圖所示，其為異質接面太陽電池之又一種結構，係依序形成有基板60、金屬背接觸層(metallic back contact)61、p型吸收層(p-type absorber)62、緩衝層(buffer layer)63、薄膜層64、透明導電層65、及導電端子66。於此種異質接面太陽電池中，同樣存在有透光度不佳使得光電轉換效率不彰之問題。

鑑於上述習知技術之缺失，如何改善異質接面太陽電池透光率不佳所導致之種種缺失，即為目前業界急待解決之問題。

鑒於習知技術之種種缺失，本揭露的主要目的之一，即在於提供一種新穎的異質接面太陽電池結構，以提昇光電轉換效率。

為了達到此種目的或其他目的，本揭露係提供一種異質接面太陽電池結構，包含：具有受光面之p型結晶矽基板；第一i型非晶矽薄膜層，係形成在該p型結晶矽基板之受光面上；形成在該第一i型非晶矽薄膜層上之n型非晶氧化層；以及第一透明導電層，係形成於該n型非晶氧化層上。

再者，本揭露還提供另一種異質接面太陽電池結構，包含：具有受光面之p型結晶矽基板；n型非晶氧化層，係形成在該p型結晶矽基板之受光面上；以及第一透明導電層，係形成於該n型非晶氧化層上。

另外，本揭露還提供一種異質接面太陽電池結構，包含：p型微結晶矽層，係具有受光面及相對於該受光面之背光面；第一奈米銀線層，係形成在該p型微晶矽層之受光面上；第一n型非晶氧化層，係形成在該奈米銀線層上；i型微晶矽薄膜層，係形成在該p型微結晶矽層之背光面上；第二n型非晶氧化層係形成在該i型微晶矽薄膜層上；以及第二奈米銀線層，係形成在該第二n型非晶氧化層上。

其次，本揭露又提供一種異質接面太陽電池結構，包含：n型非晶氧化層，係具有受光面；以及奈米銀線層，係形成在該n型非晶氧化層之受光面上。

相較於先前技術，由於本揭露係採用n型非晶氧化層，而n型非晶氧化層之透光度較佳，所以相對於傳統之異質接面太陽電池而言，本揭露在開路電壓或電流密度方面皆有顯著的提昇，從而使得光電轉換效率更為優異。

10、20、30‧‧‧p型結晶矽基板

102、202、302、402、502、702‧‧‧受光面

101、201、301、401、501、701‧‧‧背光面

12、11‧‧‧i型非晶矽薄膜層

22、31‧‧‧第一i型非晶矽薄膜層

24、34、73‧‧‧n型非晶氧化層

26、36、46‧‧‧第一透明導電層

21‧‧‧第二i型非晶矽薄膜層

25、35、43‧‧‧第二透明導電層

14、44a‧‧‧n型非晶矽層

13、23、33、44c、54c‧‧‧p型非晶矽層

15、16、56、65‧‧‧透明導電層

18、28、38、66、76‧‧‧導電端子

17、27、37‧‧‧電極層

2、3、5、7‧‧‧異質接面太陽電池結構

34a‧‧‧n^- 型非晶氧化層

34b‧‧‧n⁺ 型非晶氧化層

40、50‧‧‧p型微晶矽層

41a、51‧‧‧i型微晶矽薄膜層

41b‧‧‧n型微晶矽層

45‧‧‧銀質層

42‧‧‧中間反射層

44b、54b‧‧‧i型非晶矽薄膜層

48、58‧‧‧玻璃基板

60、70‧‧‧基板

61、71‧‧‧金屬背接觸層

62、72‧‧‧p型吸收層

63‧‧‧緩衝層

64‧‧‧薄膜層

52‧‧‧第一奈米銀線層

54a‧‧‧第一n型非晶氧化層

53‧‧‧第二n型非晶氧化層

55‧‧‧第二奈米銀線層

74‧‧‧奈米銀線層

第1圖係為習知技術之一種異質接面太陽能電池之橫切面示意圖；第2圖係本揭露之異質接面太陽電池第一實施例之橫切面示意圖；第3圖係本揭露之異質接面太陽電池第二實施例，內含兩種實施型態之橫切面示意圖；第4圖係為習知技術之另一種異質接面太陽能電池之橫切面示意圖；第5圖係本揭露之異質接面太陽電池第三實施例之橫切面示意圖；第6圖係為習知技術之又一種異質接面太陽能電池之橫切面示意圖；以及第7圖係本揭露之異質接面太陽電池第四實施例之橫切面示意圖。

為有利於瞭解本揭露之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本揭露之創作配合附圖，並以實施例之表達形式說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意以及輔助說明之用，未必為本揭露實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式比例與配置關係結讀、侷限本揭露於實際實施上的權力範圍，合先敘明。

本揭露所提供之異質接面太陽電池，其具體之實施方式請參酌圖式並分述如下：

第一實施例：

請參閱第2圖，係為本揭露之異質接面太陽電池結構2之一橫切面結構示意圖。異質接面太陽電池結構2係包括p型結晶矽基板20、第一i型非晶矽薄膜層22、n型非晶氧化層24、及第一透明導電層26。

p型結晶矽基板20係具有受光面202，第一i型非晶矽薄膜層22係形成在該p型結晶矽基板20之受光面202上，n型非晶氧化層24係形成在該第一i型非晶矽薄膜層22上，而第一透明導電層26係形成於該n型非晶氧化層24上。

於一範例中，本揭露可形成導電端子28於該第一透明導電層26上，且外露出部份之該第一透明導電層26以構成受光區域，實際運作時，光線係從此受光區域予以射入。

再者，該第一i型非晶矽薄膜層22係可為形成時通入氫氣之結構者，藉此增加半導體表面保護(surface passivation)之特性。而該導電端子28係可選用銀為其製成結構材料。

該n型非晶氧化層24係可為經熱退火處理之結構者，藉以提昇其結構特性。而為了因應不同的技術應用，該n型非晶氧化層24係可為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者，在一種具體應用中，熱退火溫度係能設定在100℃至600℃間。再者，為了因應不同之需求，該n型非晶氧化層24之結構係可包括銦、鎵、鋅或氧，例如n型非晶氧化層24係可為a-IGZO，當然，可依照不同目的改變銦、鎵、鋅或氧之濃度比例配置，例如，假設IGZO之組成為In₁ Ga_X Zn_Y O_Z ，其中之比例得為0≦X≦1、0≦Y≦5、1≦Z≦10。該n型非晶氧化層24的厚度實質上係介可於1奈米至300奈米之間，能隙值可介於3.0eV至4.0eV之間。另外，形成為a-IGZO之n型非晶氧化層24，還可設計為非內建粒子(partical)之立方型鍵結者，以進一步提昇透光度。

該第一透明導電層26係可為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅之結構者。

另外，在本實施例之該異質接面太陽電池結構2中，該p型結晶矽基板20相對於該受光面202之另一側，復可設計為具有背光面201，此時，該異質接面太陽電池結構2 復可包括第二i型非晶矽薄膜層21、p型非晶矽層23、第二透明導電層25以及電極層27。

第二i型非晶矽薄膜層21係形成在基板之背光面201上，p型非晶矽層23係形成在該第二i型矽薄膜層21上，第二透明導電層25係形成於該p型非晶矽層21上，以及電極層27係形成於該第二透明導電層25上。

該第二i型非晶矽薄膜層21與p型非晶矽層23皆可為形成時通入氫氣之結構者，該第二透明導電層25係可為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅所組成之結構者，該電極層27係可為銀質結構者。換言之，本實施例係可設計為單面受光之型態，當然，本實施例亦可調整為雙面受光之型態。

第二實施例：

請參閱第3圖，係為本揭露異質接面太陽電池結構另一實施例之結構示意圖。於此實施例中，異質接面太陽電池結構3，係包含p型結晶矽基板30、n型非晶氧化層34、第一透明導電層36。

p型結晶矽基板30係具有受光面302，n型非晶氧化層34係形成在該p型結晶矽基板30之受光面302上，而n型非晶氧化層34上係形成有第一透明導電層36。

於一範例中，異質接面太陽電池結構3係可包括導電端子38，可形成於該第一透明導電層36上，且外露出部份之該第一透明導電層36以構成受光區域，而光線係從該受光區域予以射入。該導電端子38則可選用銀為其結構材料。

與前述第一實施例相同的是，該n型非晶氧化層34係可為經熱退火處理之結構者，以提昇結構特性，而為了因應不同的技術應用，該n型非晶氧化層34係可為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者，在一種具體應用中，退火溫度係能設定在100℃至600℃間。為了因應不同需求，該n型非晶氧化層34之結構係可包括為銦、鎵、鋅或氧，例如為a-IGZO，且能依照不同目的改變濃度之比例配置，例如，IGZO組成若假設為In₁ Ga_X Zn_Y O_Z ，其中之比例得為0≦X≦1、0≦Y≦5、1≦Z≦10。n型非晶氧化層34的厚度實質上係介可於1奈米至300奈米之間，能隙值可介於3.0eV至4.0eV之間。當然，也可設計為非內建粒子之立方型結構者。該第一透明導電層36係可為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅之結構者。

相較於前述第一實施例，第二實施例之異質接面太陽電池結構3，係省略了第一i型非晶矽薄膜層22之結構。

當然，在該異質接面太陽電池結構3中，復可具有相對於該受光面302之背光面301，形成於該p型結晶矽基板30之另一側，而該異質接面太陽電池結構3復可包括第二i型非晶矽薄膜層31、p型非晶矽層33、第二透明導電層35以及電極層37。亦即，可在基板之背光面301上形成第一i型非晶矽薄膜層31，在該第一i型矽薄膜層31上形成p型非晶矽層33，另形成第二透明導電層35於該p型非晶矽層33上，以及在該第二透明導電層35上形成電極層37。然而，第二實施例之異質接面太陽電池結構3也可設計為雙面受光之型態。

再者，該第一i型非晶矽薄膜層31與p型非晶矽層33皆可為形成時通入氫氣之結構者，並且，該第二透明導電層35係可為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅所組成之結構者，而該電極層37係可為銀質結構者。

於本實施例之另一實施型態中，異質接面太陽電池結構3還可將該n型非晶氧化層34，進一步區分為n^- 型非晶氧化層34a以及n⁺ 型非晶氧化層34b而予以形成，其中，n^- 型非晶氧化層34a係形成於該p型結晶矽基板30之受光面302上，n⁺ 型非晶氧化層34b係形成於該n^- 型非晶氧化層34a上，而第一透明導電層36係形成於該n⁺ 型非晶氧化層34b上。該n^- 型非晶氧化層34a之組成可假設為In₁ Ga_X Zn_Y O_Z ，其中1≦X≦5、0≦Y≦3、1≦Z≦10。該n^- 型非晶氧化層34a的厚度實質上係可介於1奈米至300奈米之間，能隙值係可介於2.0eV至4.0eV之間。另，該n⁺ 型非晶氧化層34b之組成可假設為In₁ Ga_X Zn_Y O_Z ，其中0≦X≦1、0≦Y≦5、1≦Z≦10。該n⁺ 型非晶氧化層34b的厚度實質上係可介於1奈米至300奈米之間，能隙值則可介於3.0eV至4.0eV之間。再者，n^- 型非晶氧化層34a之濃度可小於或等於10¹⁷ cm^-3 ，n⁺ 型非晶氧化層34b之濃度可大於或等於10²⁰ cm^-3 ，例如，n^- 型非晶氧化層34a之濃度係可小於n⁺ 型非晶氧化層34b之濃度。

為了達到不同的使用需求，本實施型態更可將該n^- 型非晶氧化層34a之厚度設定為小於該n⁺ 型非晶氧化層34b之厚度。換言之，於本實施型態中，係藉由n^- 型非晶氧化層34a提供了前述第一實施例之第一i型非晶矽薄膜層22之功能。

第三實施例：

請參閱第5圖，係為本揭露異質接面太陽電池結構另一實施例之結構示意圖。於此實施例中，異質接面太陽電池結構5，係包含p型微結晶矽層50、第一奈米銀線層52、第一n型非晶氧化層54a、i型微晶矽薄膜層51、第二n型非晶氧化層53、第二奈米銀線層55。

p型微結晶矽層50，係具有受光面502及相對於該受光面之背光面501，而第一奈米銀線層52，係形成在該p型微晶矽層50之受光面502上，第一n型非晶氧化層54a，係形成在該奈米銀線層52上；在該p型微晶矽層56之背光面501上係形成有i型微晶矽薄膜層51，而第二n型非晶氧化層53，係形成於該i型微晶矽薄膜層51上；及第二奈米銀線層55，係形成在該第二n型非晶氧化層53上。

另外，在本實施例之該異質接面太陽電池結構5中，本揭露可於該第一n型非晶氧化層54a作為承載，並於其上具備i型非晶矽薄膜層54b；而p型非晶矽層54c，係可形成在該i型非晶矽薄膜層54b上；透明導電層56，係可形成於該p型非晶矽層54c上；以及玻璃基板58，係形成於該透明導電層56上。

再者，為了增加半導體移動率之特性，本實施例所有型態之非晶與微晶矽材質層，係可為形成時通入氫氣之結構者；該第一、第二n型非晶氧化層54a、53，係可為經熱退火處理之結構者，藉以提昇其結構特性。而為了因應不同的技術應用該第一、第二n型非晶氧化層54a、53係可為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者，在一種具體應用中，熱退火溫度係能設定在100℃至600℃間。再者，為了因應不同之需求，該第一、第二n型非晶氧化層54a、53之結構係可包括銦、鎵、鋅或氧，做法可如前述第一實施例一般，不再贅述。本實施例中所用之第一、第二奈米銀線層52、55，其具體技術得參酌台灣第I402992號等相關專利。該透明導電層56係可為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅所組成之結構者。具體言之，該第一、第二n型非晶氧化層54a、53及第一、第二奈米銀線層52、55之透光度與導電度及反射率，係較習知技術為佳，從而可使得本揭露在光電轉換與單位成本得到非常大的競爭優勢。

第四實施例：

請參閱第7圖，係為本揭露異質接面太陽電池結構另一實施例之結構示意圖。於此實施例中，異質接面太陽電池結構7，係包含n型非晶氧化層73、奈米銀線層74。

具體言之，n型非晶氧化層73係具有受光面702，而奈米銀線層74，係形成在該n型非晶氧化層73之受光面702上。

於一範例中，本揭露可於該奈米銀線層74上形成導電端子76，且外露出部份之該奈米銀線層74以構成受光區域，實際運作時，光線係從此受光區域予以射入。

並且，在本實施例之該異質接面太陽電池結構7中，該n型非晶氧化層73更具有相對於該受光面702之背光面701，且該異質接面太陽電池結構7更包括有p型吸收層(p-type absorption layer)72、金屬背接觸層(metallic back contact)71及基板70，其中，p型吸收層(p-type absorption layer)72係形成於該n型非晶氧化層73之背光面701，金屬背接觸層(metallic back contact)71係形成以承載該p型吸收層72；基板70係形成以承載該金屬背接觸層71。

而此實施例中，所述之該n型非晶氧化層73係可為銦、鎵或鋅之氧化物結構者；該導電端子76係可為鎳或鋁之結構者；該p型吸收層72係可為銅、銦、鎵或硒之結構者。本實施例中所用之奈米銀線層74，其具體技術同樣得參酌台灣第I402992號等相關專利。

值得注意者，前述實施例中所提到的n型非晶氧化層24,34,73及第二n型非晶氧化層53係可使用濺鍍設備來予以形成，相較於習知技術用電漿製程設備之製程，本揭露所花費之製程成本較低，因此，以濺鍍設備來施作n型非晶氧化層更能夠達到有效降低成本之功效。此外，本揭露之n型非晶氧化層無須採用習知技術之電漿製程設備來形成，故不會有電漿損傷之問題產生。

在光電轉換效率方面，請參閱下列相關數據表，以瞭解本揭露實際實驗後之成果。由表中數據可知，不論是前述的第一實施例或第二實施例，縱使是厚度較習知技術更薄之n型非晶氧化層，其轉換效率皆因電流或電壓較習知技術為高，而提供了更佳之光電轉換效率。具體言之，在10nm的n型非晶氧化層之實驗中，本揭露之第一、第二實施例之轉換效率較習知技術採用10nm的n型非晶矽層為優異，即便採用厚度更薄之5nm的n型非晶氧化層，亦較習知技術採用10nm的n型非晶矽層為優異。而由表4可知，本揭露之第二實施例之第二型態(亦即採用n^- 型非晶氧化層34a及n⁺ 型非晶氧化層34b之型態)，其短路電流密度雖然較第二實施例之第一型態(亦即未分別形成n^- 型非晶氧化層34a及n⁺ 型非晶氧化層34b之型態)稍微降低，但開路電壓卻更為提昇，從而進一步提供轉換效率。

相較於先前技術，由於本揭露所採用之n型非晶氧化層之透光度較習知技術之n型非晶矽層更佳，相對於傳統之異質接面太陽電池而言，本揭露之異質接面太陽電池在開路電壓或電流密度方面皆具有顯著的提昇，從而使得光電轉換效率更為優異。再者，由於本揭露係能在製程過程中通入氫氣，並選擇性地搭配濺鍍製程與熱退火製程，並無電漿損傷之問題，所以其結構特性亦能進一步提昇。

上述實施例係例示性說明本揭露之原理及其功效，而非用於限制本揭露。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本揭露之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本揭露之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

2‧‧‧異質接面太陽電池結構

20‧‧‧p型結晶矽基板

201‧‧‧背光面

202‧‧‧受光面

21‧‧‧第二i型非晶矽薄膜層

22‧‧‧第一i型非晶矽薄膜層

23‧‧‧p型非晶矽層

24‧‧‧n型非晶氧化層

25‧‧‧第二透明導電層

26‧‧‧第一透明導電層

27‧‧‧電極層

28‧‧‧導電端子

Claims

一種異質接面太陽電池結構，包含：p型結晶矽基板，係具有受光面；第一i型非晶矽薄膜層，係形成在該p型結晶矽基板之受光面上；n型非晶氧化層，係為a-IGZO，且形成在該第一i型非晶矽薄膜層上；以及第一透明導電層，係形成於該n型非晶氧化層上。
如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽電池結構，更包括導電端子，係形成於該第一透明導電層上，且外露出部份之該第一透明導電層以形成受光區域。
如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一i型非晶矽薄膜層係為形成時通入氫氣之結構者，該n型非晶氧化層係為經熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第3項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為銦、鎵、鋅或氧之結構者。
如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一透明導電層係為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅結構者。
如申請專利範圍第2項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該導電端子係為銀質結構者。
如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該p型結晶矽基板更具有相對於該受光面之背光面，該異質接面太陽電池結構更包括：第二i型非晶矽薄膜層，係形成於該基板之背光面上；p型非晶矽層，係形成在該第二i型矽薄膜層上；第二透明導電層，係形成於該p型非晶矽層上；以及電極層，係形成於該第二透明導電層上。
如申請專利範圍第8項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第二i型非晶矽薄膜層係為形成時通入氫氣之結構者，該p型非晶矽層係為形成時通入氫氣之結構者。
如申請專利範圍第8項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第二透明導電層係為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅結構者，該電極層係為銀質結構者。
一種異質接面太陽電池結構，包含：p型結晶矽基板，係具有受光面；n型非晶氧化層，係為a-IGZO，且形成在該p型結晶矽基板之受光面上；以及第一透明導電層，係形成於該n型非晶氧化層上。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，更包括導電端子，係形成於該第一透明導電層上，且外露出部份之該第一透明導電層以構成受光區域。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為經熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第13項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為銦、鎵、鋅或氧之結構者。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一透明導電層係為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅結構者。
如申請專利範圍第12項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該導電端子係為銀質結構者。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係包括：n^- 型非晶氧化層，係形成於該p型結晶矽基板之受光面上；以及n⁺ 型非晶氧化層，係形成於該n^- 型非晶氧化層上，其中，該第一透明導電層係形成於該n⁺ 型非晶氧化層上。
如申請專利範圍第18項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n^- 型非晶氧化層之厚度係小於該n⁺ 型非晶氧化層之厚度，且該n^- 型非晶氧化層之濃度係小於該n⁺ 型非晶氧化層之濃度。
如申請專利範圍第11項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該p型結晶矽基板更具有相對於該受光面之背光面，該異質接面太陽電池結構更包括：第一i型非晶矽薄膜層，係形成於該基板之背光面上；p型非晶矽層，係形成在該第一i型矽薄膜層上；第二透明導電層，係形成於該p型非晶矽層上；以及電極層，係形成於該第二透明導電層上。
如申請專利範圍第20項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一i型非晶矽薄膜層係為形成時通入氫氣之結構者，該p型非晶矽層係為形成時通入氫氣之結構者。
如申請專利範圍第20項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第二透明導電層係為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅結構者，該電極層係為銀質結構者。
一種異質接面太陽電池結構，包含：p型微結晶矽層，係具有受光面及相對於該受光面之背光面；第一奈米銀線層，係形成在該p型微晶矽層之受光面上；第一n型非晶氧化層，係為a-IGZO，且形成在該奈米銀線層上；i型微晶矽薄膜層，係形成在該p型微結晶矽層之背光面上；第二n型非晶氧化層係為a-IGZO，且形成在該i型微晶矽薄膜層上；以及第二奈米銀線層，係形成在該第二n型非晶氧化層上。
如申請專利範圍第23項所述之異質接面太陽電池結構，更包括：i型非晶矽薄膜層，係形成於該第一n型非晶氧化層上；p型非晶矽層，係形成在該i型非晶矽薄膜層上；透明導電層，係形成於該p型非晶矽層上；以及玻璃基板，係形成於該透明導電層上。
如申請專利範圍第23項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該i型微晶矽薄膜層及p型微晶矽層係為形成時通入氫氣之結構者，該第一及第二n型非晶氧化層係為經熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第23項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一及第二n型非晶氧化層係為於100℃至1000℃間進行熱退火處理之結構者。
如申請專利範圍第23項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該第一及第二n型非晶氧化層係為銦、鎵、鋅或氧之結構者。
如申請專利範圍第24項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該透明導電層係為氮化矽、二氧化矽、銦錫氧化物或氧化鋅結構者。
如申請專利範圍第24項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該i型非晶矽薄膜層與p型非晶矽層係為形成時通入氫氣之結構者。
一種異質接面太陽電池結構，包含：n型非晶氧化層，係為a-IGZO，且具有受光面；以及奈米銀線層，係形成在該n型非晶氧化層之受光面上。
如申請專利範圍第30項所述之異質接面太陽電池結構，更包括導電端子，係形成於該奈米銀線層上，且外露出部份之該奈米銀線層以構成受光區域。
如申請專利範圍第30項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層更具有相對於該受光面之背光面，該異質接面太陽電池結構更包括：p型吸收層，係形成於該n型非晶氧化層之背光面；金屬背接觸層，係形成以承載該p型吸收層；以及基板，係形成以承載該金屬背接觸層。
如申請專利範圍第30項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該n型非晶氧化層係為銦、鎵、鋅或氧之結構者。
如申請專利範圍第31項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該導電端子係為鎳或鋁之結構者。
如申請專利範圍第32項所述之異質接面太陽電池結構，其中，該p型吸收層係為銅、銦、鎵或硒之結構者。