TWI463385B

TWI463385B - 觸控面板與導電片

Info

Publication number: TWI463385B
Application number: TW100114913A
Authority: TW
Inventors: Tadashi Kuriki
Original assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2011-04-28
Publication date: 2014-12-01
Also published as: JP5613448B2; TW201205405A; JP2011237839A

Description

觸控面板與導電片

本發明是有關於一種觸控面板與導電片，例如是有關於一種用作投影型電容方式的觸控面板的較佳的觸控面板以及導電片。

一般而言，電容方式的觸控面板是捕捉人的指尖與導電膜之間的電容的變化來對指尖的位置進行檢測的位置輸入裝置，該電容方式的觸控面板有表面型觸控面板與投影型觸控面板。表面型觸控面板的構造簡單，但無法同時對2個點以上的接觸(多點觸控(multi touch))進行偵測。另一方面，投影型觸控面板例如如液晶顯示裝置的像素構成般，是由多個電極排列為矩陣狀而構成，更具體而言，是串聯地連接有並排於垂直方向的多個電極的多個第1電極群排列於水平方向，串聯地連接有並排於水平方向的多個電極的多個第2電極群排列於垂直方向而構成，該投影型觸控面板利用多個第1電極群以及多個第2電極群來依序對容量變化進行檢測，藉此，可檢測出多點觸控。

作為上述投影型電容方式的觸控面板的先行技術，例如可列舉國際公開第2010/013679號小冊子所揭示的觸控開關(touch switch)。該觸控開關包括：基板；多個第1電極，形成於上述基板的一個面，且以固定間隔並排；以及多個第2電極，形成於上述基板的另一個面，以固定間隔並排，且與上述多個第1電極形成格子狀，上述觸控開關安裝於顯示器(display)的正面，上述第1電極與第2電極分別藉由多條導體線而形成網眼，導體線的方向為與顯示器的黑色矩陣(black matrix)傾斜的方向。而且，上述觸控開關於上述一個面上，包括形成於第1電極彼此之間的第1輔助線，於上述另一個面上，包括形成於第2電極彼此之間的第2輔助線，藉由上述第1電極的導體線、第1輔助線、第2電極的導體線、以及第2輔助線來形成線的間隔均等的一個格子形狀。又，由形成於上述基板的一個面的第1電極的導體線、第1輔助線、或該兩根線、與形成於基板的另一個面的第2電極的導體線、第2輔助線、或該兩根線來形成1條線狀。

然而，當於基板的一個面形成第1電極以及第1輔助線，於基板的另一個面形成第2電極以及第2輔助線時，格子形狀會因製造不均(成膜不均)而變得不均一，若偏移量為第1輔助線或第2輔助線的長度的1/2左右，則第1電極的例如沿著第1方向(或第2方向)的直線部分會與第2電極的沿著第1方向的直線部分重合，或沿著第1方向延伸的第1輔助線會與第2電極的沿著第1方向的直線部分重合。相反地，第2電極的例如沿著第1方向(或第2方向)的直線部分會與第1電極的沿著第1方向的直線部分重合，或沿著第2方向延伸的第2輔助線會與第1電極的沿著第1方向的直線部分重合。如此，直線部分彼此重合的部分的寬度變大(粗線條)，藉此，導致第1電極或第2電極的位置顯眼，從而產生視認性變差的問題。

本發明是考慮了如上所述的問題而成的發明，目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板可實現形成於基體上的導電圖案的低電阻化，並且亦可使視認性提高，例如亦可對應於投影型電容方式的觸控面板的大尺寸化，而且可抑制波紋(moire)的產生。

又，本發明的其他目的在於提供如下的導電片，該導電片可實現形成於基體上的導電圖案的低電阻化，並且亦可使視認性提高，且例如適合用於投影型電容方式的觸控面板。

[1]第1發明的觸控面板是包括導電片的觸控面板，其特徵在於：上述導電片包括：基體；形成於上述基體的一個主面的第1導電部；以及形成於上述基體的另一個主面的第2導電部，上述第1導電部包括2個以上的第1導電圖案，該2個以上的第1導電圖案分別沿著第1方向延伸，且排列於與上述第1方向正交的第2方向，上述第2導電部包括2個以上的第2導電圖案，該2個以上的第2導電圖案分別沿著第2方向延伸，且排列於上述第1方向，當自上表面進行觀察時，上述第1導電圖案與上述第2導電圖案設為交叉地配置的形態，且於與上述第1方向以及上述第2方向不同的方向上錯開。

[2]第2發明的觸控面板是包括導電片的觸控面板，其特徵在於：上述導電片包括：基體；形成於上述基體的一個主面的第1導電部；以及形成於上述基體的另一個主面的第2導電部，上述第1導電部包括：2個以上的第1導電圖案，分別沿著第1方向延伸，且排列於與上述第1方向正交的第2方向；以及包含排列於各第1導電圖案的周邊的多條第1輔助線的第1輔助圖案，上述第2導電部包括：2個以上的第2導電圖案，分別沿著第2方向延伸，且排列於上述第1方向；以及包含排列於各第2導電圖案的周邊的多條第2輔助線的第2輔助圖案，當自上表面進行觀察時，上述第1導電圖案與上述第2導電圖案設為交叉地配置的狀態，於上述第1導電圖案與上述第2導電圖案之間，形成有使上述第1輔助圖案與上述第2輔助圖案相對向而成的組合圖案，上述組合圖案具有不使上述第1輔助線與上述第2輔助線正交地重合的形態。

[3]第2發明的特徵在於：上述組合圖案中，上述第1輔助線的第1軸線與上述第2輔助線的第2軸線大致平行，上述第1軸線與上述第2軸線之間的距離為上述第1輔助線的線寬以及上述第2輔助線的線寬中，任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下。

[4]第2發明的特徵在於：上述組合圖案具有上述第1輔助線與上述第2輔助線部分地重合的形態。

[5]第2發明的特徵在於：上述第1軸線與上述第2軸線之間的距離比上述第1輔助線的線寬的1/2與上述第2輔助線的線寬的1/2的合計寬度更長。

[6]第2發明的特徵在於：當將對上述第1方向與上述第2方向進行二等分的方向設為第3方向，將與該第3 方向正交的方向設為第4方向時，上述第1導電部與上述第2導電部是自基準位置至少朝上述第3方向僅偏移如下的距離而配置，該距離為上述第1輔助線的線寬以及上述第2輔助線的線寬中，任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下。

[7]第2發明的特徵在於：上述基準位置表示如下的位置，即，上述第1輔助線的第1軸線與第2輔助線的第2軸線相一致，上述第1輔助線與上述第2輔助線不重合，且上述第1輔助線的一端與上述第2輔助線的一端相一致。

[8]第2發明的特徵在於：上述第1導電圖案以及上述第2導電圖案分別由多個格子構成。

[9]第2發明的特徵在於：沿著上述第1方向來對2個以上的第1大格子進行串聯連接而構成上述第1導電圖案，沿著上述第2方向來對2個以上的第2大格子進行串聯連接而構成上述第2導電圖案，各上述第1大格子以及各上述第2大格子分別是將2個以上的小格子加以組合而構成，於上述第1大格子的邊的周圍，形成有不與上述第1大格子連接的上述第1輔助圖案，於上述第2大格子的邊的周圍，形成有不與上述第2大格子連接的上述第2輔助圖案。

[10]第2發明的特徵在於：上述組合圖案中，上述第1輔助線的第1軸線與上述第2輔助線的第2軸線大致平行，上述第1軸線與上述第2軸線之間的距離為上述第1輔助線的線寬以及上述第2輔助線的線寬中，任一個較短的線寬的1/2以上且為小格子的排列間距(pitch)的1/2以下。

[11]第2發明的特徵在於：上述第1大格子以及上述第2大格子的一邊的長度為3mm~10mm，上述小格子的一邊的長度為50μm~500μm。

[12]第2發明的特徵在於：上述第1導電圖案與上述第2導電圖案由線寬為3μm~30μm的細線構成。

[13]第3發明的導電片的特徵在於包括：基體；形成於上述基體的一個主面的第1導電部；以及形成於上述基體的另一個主面的第2導電部，上述第1導電部包括：2個以上的第1導電圖案，分別沿著第1方向延伸，且排列於與上述第1方向正交的第2方向；以及包含排列於各第1導電圖案的周邊的多條第1輔助線的第1輔助圖案，上述第2導電部包括：2個以上的第2導電圖案，分別沿著第2方向延伸，且排列於上述第1方向；以及包含排列於各第2導電圖案的周邊的多條第2輔助線的第2輔助圖案，當自上表面進行觀察時，上述第1導電圖案與上述第2導電圖案設為交叉地配置的狀態，於上述第1導電圖案與上述第2導電圖案之間，形成有使上述第1輔助圖案與上述第2輔助圖案相對向而成的組合圖案，上述組合圖案具有不使上述第1輔助線與上述第2輔助線正交地重合的形態。

[14]第4發明的導電片的特徵在於包括：基體；形成於上述基體的一個主面的第1導電部；以及形成於上述基體的另一個主面的第2導電部，上述第1導電部包括2個以上的第1導電圖案，該2個以上的第1導電圖案分別沿著第1方向延伸，且排列於與上述第1方向正交的第2方向，上述第2導電部包括2個以上的第2導電圖案，該2個以上的第2導電圖案分別沿著第2方向延伸，且排列於上述第1方向，當自上表面進行觀察時，上述第1導電圖案與上述第2導電圖案設為交叉地配置的形態，且於與上述第1方向以及上述第2方向不同的方向上錯開。

如以上的說明所述，根據本發明的觸控面板，可實現形成於基體上的導電圖案的低電阻化，並且亦可使視認性提高，例如亦可對應於投影型電容方式的觸控面板的大尺寸化，而且可抑制波紋的產生。

根據本發明的導電片，可實現形成於基體上的導電圖案的低電阻化，並且亦可使視認性提高，例如適合用於投影型電容方式的觸控面板。

根據與隨附圖式協作的如下的較佳實施形態的例子的說明，上述目的、特徵以及優點會變得更明確。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下，參照圖1~圖8來對本發明的導電片以及電容方式觸控面板的實施形態的例子進行說明。再者，於本說明書中，表示數值範圍的「~」是作為包含其前後所記載的數值作為下限值以及上限值的意思而被使用。

如圖1以及圖2A所示，本實施形態的積層的導電片(以下記作積層導電片10)是對第1導電片12A與第2導電片12B進行積層而構成。

如圖1以及圖3所示，第1導電片12A包括形成於第1透明基體14A(參照圖2A)的一個主面上的第1導電部16A。該第1導電部16A包括：2個以上的第1導電圖案18A，分別沿著第1方向(x方向)延伸，且排列於與第1方向正交的第2方向(y方向)，由多個格子構成；以及排列於各第1導電圖案18A的周邊的第1輔助圖案20A。

第1導電圖案18A是沿著第1方向來對2個以上的第1大格子24A進行串聯連接而構成，各第1大格子24A分別是將2個以上的小格子26加以組合而構成。又，於第1大格子24A的邊的周圍，形成有不與第1大格子24A連接的上述第1輔助圖案20A。

於鄰接的第1大格子24A之間，形成有將這些第1大格子24A予以電性連接的第1連接部28A。配置中格子30而構成第1連接部28A，該中格子30為將n個(n為大於1的實數)小格子26排列於第4方向而成的大小。於第1大格子24A的與第4方向正交的邊中的與中格子30鄰接的部分，形成有將小格子26的一邊予以切除而成的第1缺口部32A。此處，小格子26設為最小的正方形狀。於圖3的例子中，中格子30具有將3個小格子26排列於第4方向而成的大小。

又，於鄰接的第1導電圖案18A之間，排列有電性絕緣的第1絕緣部34A。

此處，當將對第1方向與第2方向進行二等分的方向設為第3方向(m方向)，將與第3方向正交的方向設為第4方向(n方向)時，第1輔助圖案20A包括：沿著第1大格子24A的邊中的與第3方向正交的邊排列的多條第1輔助線36A(以第3方向為軸線方向)、沿著第1大格子24A的邊中的與第4方向正交的邊排列的多條第1輔助線36A(以第4方向為軸線方向)、以及彼此相對向地配置有2個第1L字狀圖案38A的圖案，上述2個第1L字狀圖案38A於第1絕緣部34A中，分別由2條第1輔助線36A組合為L字狀而成。

各第1輔助線36A的軸線方向的長度為沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度。又，各第1輔助線36A形成於與第1大格子24A相距預定距離(於該例子中為沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度)的位置。

如圖1所示，以上述方式構成的第1導電片12A存在於各第1導電圖案18A的一個端部側的第1大格子24A的開放端呈不存在第1連接部28A的形狀。存在於各第1導電圖案18A的另一端部側的第1大格子24A的端部經由第1端子40A而電性連接於第1外部配線42A。

另一方面，如圖1以及圖4所示，第2導電片12B包括形成於第2透明基體14B(參照圖2A)的一個主面上的第2導電部16B。該第2導電部16B包括：2個以上的第 2導電圖案18B，分別沿著第2方向(y方向)延伸，且排列於第1方向(x方向)，由多個格子構成；以及排列於各第2導電圖案18B的周邊的第2輔助圖案20B。

第2導電圖案18B是沿著第2方向來對2個以上的第2大格子24B進行串聯連接而構成，各第2大格子24B分別是將2個以上的小格子26加以組合而構成。又，於第2大格子24B的邊的周圍，形成有不與第2大格子24B連接的上述第2輔助圖案20B。

於鄰接的第2大格子24B之間，形成有將這些第2大格子24B予以電性連接的第2連接部28B。配置中格子30而構成第2連接部28B，該中格子30為將n個(n為大於1的實數)小格子26排列於第3方向而成的大小。於第2大格子24B的與第3方向正交的邊中的與中格子30鄰接的部分，形成有將小格子26的一邊予以切除而成的第2缺口部32B。

又，於鄰接的第2導電圖案18B之間，排列有電性絕緣的第2絕緣部34B。

第2輔助圖案20B包括：沿著第2大格子24B的邊中的與第4方向正交的邊排列的多條第2輔助線36B(以第4方向為軸線方向)、沿著第2大格子24B的邊中的與第3方向正交的邊排列的多條第2輔助線36B(以第3方向為軸線方向)、以及彼此相對向地配置有2個第2L字狀圖案38B的圖案，上述2個第2L字狀圖案38B於第2絕緣部34B中，分別由2條第2輔助線36B組合為L字狀而成。

各第2輔助線36B的軸線方向的長度為沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度。又，各第2輔助線36B形成於與第2大格子24B相距預定距離(於該例子中為沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度)的位置。

如圖1所示，以上述方式構成的第2導電片12B存在於各第2導電圖案18B的一個端部側的第2大格子24B的開放端呈不存在第2連接部28B的形狀。存在於各第2導電圖案18B的另一個端部側的第2大格子24B的端部經由第2端子40B而電性連接於第2外部配線42B。

第1大格子24A以及第2大格子24B的一邊的長度較佳為3mm~10mm，更佳為4mm~6mm。若一邊的長度不足上述下限值，則檢測時的第1大格子24A以及第2大格子24B的電容會減少，因此，產生檢測不良的可能性升高。另一方面，若上述一邊的長度超過上述上限值，則存在位置檢測精度下降之虞。自同樣的觀點考慮，構成第1大格子24A以及第2大格子24B的小格子26的一邊的長度較佳為50μm以上，更佳為50μm~500μm，進而較佳為150μm~300μm。

又，第1導電圖案18A(第1大格子24A、中格子30)的線寬、以及第2導電圖案18B(第2大格子24B、中格子30)的線寬分別為1μm~30μm。

第1輔助圖案20A(第1輔助線36A)以及第2輔助圖案20B(第2輔助線36B)的線寬分別為1μm~30μm。於該情形時，可與第1導電圖案18A的線寬或第2導電圖案18B的線寬相同，亦可與第1導電圖案18A的線寬或第2導電圖案18B的線寬不同。然而，較佳為使第1導電圖案18A、第2導電圖案18B、第1輔助圖案20A以及第2輔助圖案20B的各線寬相同。

而且，例如當將第1導電片12A積層於第2導電片12B上而形成第1積層導電片10時，如圖5所示，設為交叉地配置第1導電圖案18A與第2導電圖案18B的形態，具體而言為如下的形態，即，第1導電圖案18A的第1連接部28A與第2導電圖案18B的第2連接部28B隔著第1透明基體14A(參照圖2A)而相對向，第1導電部16A的第1絕緣部34A與第2導電部16B的第2絕緣部34B隔著第1透明基體14A而相對向。

當自上表面來對積層的第1導電片12A以及第2導電片12B進行觀察時為如下的形態，即，以將形成於第1導電片12A的第1大格子24A的間隙予以填埋的方式，排列有第2導電片12B的第2大格子24B。亦即，大格子處於被填滿的形態。此時，於第1大格子24A與第2大格子24B之間，形成有使第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B相對向而成的組合圖案44。

組合圖案44具有不使第1輔助線36A與第2輔助線36B正交地重合的形態。

亦即，如圖6A~圖6C所示，組合圖案44中，由沿著第1大格子24A的邊排列的第1輔助線36A與沿著第2大格子24B的邊排列的第2輔助線36B所形成的組合圖案，第1輔助線36A的第1軸線46A與第2輔助線36B的第2軸線46B大致平行，自第1軸線46A與第2軸線46B之間的平面所見的距離ha為第1輔助線36A的線寬Wa以及第2輔助線36B的線寬Wb中的任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下(或為小格子26的排列間距的1/2以下)。

圖6A表示第1軸線46A與第2軸線46B之間的距離ha不足第1輔助線36A的線寬Wa的1/2與第2輔助線36B的線寬Wb的1/2的合計寬度的情形，於該情形時為如下的形態，即，第1輔助線36A與第2輔助線36B部分地重合。圖6B表示第1軸線46A與第2軸線46B之間的距離ha為第1輔助線36A的線寬Wa的1/2與第2輔助線36B的線寬Wb的1/2的合計寬度的情形。圖6C表示第1軸線46A與第2軸線46B之間的距離ha比第1輔助線36A的線寬Wa的1/2與第2輔助線36B的線寬Wb的1/2的合計寬度更長的情形。

組合圖案44中，由第1絕緣部34A的2個第1L字狀圖案38A中的各第1輔助線36A與第2絕緣部34B的2個第2L字狀圖案38B中的各第2輔助線36B所形成的組合圖案具有如下的形態，即，於4個L字狀圖案(38A、38A、38B以及38B)中未形成小格子26。

亦即，如圖7所示，成為如下的狀態，即，2個第1L字狀圖案38A位於靠近一個第2L字狀圖案38B的位置，另一個第2L字狀圖案38B位於遠離上述一個第2L字狀圖案38B以及2個第1L字狀圖案38A的位置。其中，對於一個第2L字狀圖案38B以及2個第1L字狀圖案38A而言，構成一個第2L字狀圖案38B的2條第2輔助線36B中的一條第2輔助線36B的第2軸線46B、與構成一個第1L字狀圖案38A的2條第1輔助線36A中的一條第1輔助線36A的第1軸線46A大致平行，上述第1軸線46A與第2軸線46B之間的距離ha為第1輔助線36A的線寬Wa以及第2輔助線36B的線寬Wb中的任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下(或為小格子26的排列間距的1/2以下)。

同樣地，構成一個第2L字狀圖案38B的2條第2輔助線36B中的另一條第2輔助線36B的第2軸線46B、與構成另一個第1L字狀圖案38A的2條第1輔助線36A中的一條第1輔助線36A的第1軸線46A大致平行，上述第1軸線46A與第2軸線46B之間距離ha為第1輔助線36A的線寬Wa以及第2輔助線36B的線寬Wb中的任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下(或為小格子26的排列間距的1/2以下)。而且，一個第2L字狀圖案38B以及2個第1L字狀圖案38A中的第2輔助線36B以及第1輔助線36A的位置關係與圖6A~圖6C相同。

亦即，第1導電部16A與第2導電部16B是自基準位置至少朝第3方向偏移如下的距離而配置，該距離為第1輔助線36A的線寬Wa以及第2輔助線36B的線寬Wb中的任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下(或為小格子26的排列間距的1/2以下)。尤其於本實施形態中，分別朝第3方向以及第4方向偏移如下的距離而配置，該距離為第1輔助線36A的線寬Wa以及第2輔助線36B的線寬Wb中的任一個較短的線寬的1/2以上且為100μm以下(或為小格子26的排列間距的1/2以下)。

此處，如圖8所示，基準位置表示如下的位置，即，第1輔助線36A的第1軸線46A與第2輔助線36B的第2軸線46B相一致，第1輔助線36A與第2輔助線36B不重合，且第1輔助線36A的一端與第2輔助線36B的一端相一致。

如此，本實施形態的積層導電片10亦如圖5所示，於第1大格子24A與第2大格子24B之間，配置有第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B的組合圖案44，因此，空白(寬度相當於小格子26的邊的長度，且長度相當於第1大格子24A或第2大格子24B的邊的長度的空白)不會配置於第1大格子24A與第2大格子24B之間，從而第1大格子24A與第2大格子24B的邊界不顯眼。

而且，於組合圖案44中，具有沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度的第1輔助線36A與第2輔助線36B處於部分地重合的形態，與第1大格子24A或第2大格子24B的各邊的長度相比較，該重合的部分的長度非常短且為1/20以下。因此，第1輔助線36A與第2輔助線36B部分地重合的部分不顯眼，視認性幾乎不會變差。此對於第1L字狀圖案38A與第2L字狀圖案38B的組合而言亦相同，亦如圖7所示，於一個第2L字狀圖案38B以及2個第1L字狀圖案38A中，具有沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度的第1輔助線36A與第2輔助線36B亦處於部分地重合的形態，與第1大格子24A或第2大格子24B的各邊的長度相比較，該重合的部分的長度非常短且為1/20以下。因此，第1輔助線36A與第2輔助線36B部分地重合的部分不顯眼，視認性幾乎不會變差。

又，於第1大格子24A與第2大格子24B的各邊中，第1輔助線36A或第2輔助線36B正交地重合，但由於第1輔助線36A或第2輔助線36B的軸線方向的長度為沿著小格子26的內周的一邊的1/2的長度，因此，幾乎不顯眼。

又，第1連接部28A的中格子30與第2連接部28B的中格子30正交地重合，但於該情形時，由於第1導電部16A以及第2導電部16B於第3方向與第4方向上錯開，因此，於一部分中會產生小格子26的形狀不均一的部分。然而，與存在於第1連接部28A的中格子30與第2連接部28B的中格子30正交地重合的部分的四周的第1大格子24A的小格子26的數量、第2大格子24B的小格子26的數量相比較，小格子26不均一的部分的數量少(5%左右)，因此，小格子26的不均一性幾乎不顯眼。而且，由於鄰接於中格子30而將第1缺口部32A以及第2缺口部32B形成於第1大格子24A以及第2大格子24B，因此，中格子30的直線部分不會與第1大格子24A的直線部分或第2大格子24B的直線部分重合，視認性幾乎不會變差。

此外，於將上述積層導電片10用作觸控面板的情形時，於第1導電片12A上形成保護層，將自第1導電片12A的多個第1導電圖案18A導出的第1外部配線42A、與自第2導電片12B的多個第2導電圖案18B導出的第2外部配線42B連接於例如對掃描進行控制的積體電路(Integrated Circuit，IC)電路。此時，設為如下的形態，即，以使積層導電片10中的偏離液晶顯示裝置的顯示畫面的外周區域(額緣區域)的面積儘量變小的方式，將第1導電圖案18A與第1外部配線42A的各連接部排列為直線狀，較佳為設為將第2導電圖案18B與第2外部配線42B的各連接部排列為直線狀的形態。

藉由使指尖與保護層上發生接觸，對向於指尖的第1導電圖案18A與第2導電圖案18B之間的電容會發生變化。由IC電路來對該變化量進行檢測，基於該變化量來對指尖的位置進行運算。於各個第1導電圖案18A/第2導電圖案18B之間進行上述運算。因此，即便同時使2個以上的指尖與上述保護層發生接觸，亦可對各指尖的位置進行檢測。

如此，對於積層導電片10而言，當將該積層導電片10應用於例如投影型電容方式的觸控面板時，由於該積層導電片的表面電阻小，因此，可加快響應速度，從而可促進觸控面板的大尺寸化。

而且，即便錯開地配置第1導電部16A與第2導電部16B，如上所述，第1導電片12A的第1大格子24A與第 2導電片12B的第2大格子24B的邊界亦不顯眼，無局部地產生粗線條等的不良情形，整體上視認性良好。而且，混合有因第1大格子24A與第2大格子24B相鄰接地配置而形成的多個規則的小格子26的排列、以及因形成於第1大格子24A與第2大格子24B之間的第1輔助線36A與第2輔助線36B錯開地配置而形成的與上述小格子26的排列不同的排列，藉此，成為多個空間頻率相調和的形態，結果，與液晶顯示裝置的像素排列之間的干涉受到抑制，從而可有效果地減少波紋的產生。

於上述積層導電片10中，將小格子26的形狀設為正方形狀，此外亦可設為多角形狀。又，一邊的形狀除了可為直線狀之外，亦可為彎曲形狀，且亦可為圓弧狀。於設為圓弧狀的情形時，例如亦可將相對向的2條邊設為朝外方凸出的圓弧狀，將其他的相對向的2條邊設為朝內方凸出的圓弧狀。又，亦可將各邊的形狀設為由朝外方凸出的圓弧與朝內方凸出的圓弧連續地形成的波線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。

於上述第1導電片12A以及第2導電片12B中，將構成第1連接部28A以及第2連接部28B的中格子30的大小設定為3個小格子26的大小，此外亦可設定為1.5個小格子26的大小、2個小格子26的大小、2.5個小格子26的大小等各種組合。若中格子30過大，則難以配置第1大格子24A或第2大格子24B，不應檢出的交叉部的電容變化變大，因此，較佳為中格子30的大小最大為5個小格子26的大小。

又，小格子26的尺寸(1條邊的長度或對角線的長度等)、或構成第1大格子24A的小格子26的個數、構成第2大格子24B的小格子26的個數亦可根據所應用的觸控面板的尺寸或分解能力(配線數)來適當地設定。

如圖1以及圖2A所示，對於上述積層導電片10而言，於第1透明基體14A的一個主面形成第1導電部16A，於第2透明基體14B的一個主面形成第2導電部16B，接著進行積層，此外如圖2B所示，亦可於第1透明基體14A的一個主面形成第1導電部16A，於第1透明基體14A的其他主面形成第2導電部16B。又，於第1導電片12A與第2導電片12B之間亦可存在其他的層，只要第1導電圖案18A與第2導電圖案18B為絕緣狀態，則亦可相對向地配置上述第1導電圖案18A與第2導電圖案18B。

接著，對製造第1導電片12A或第2導電片12B的方法進行說明。

於製造第1導電片12A或第2導電片12B的情形時，例如亦可於第1透明基體14A上以及第2透明基體14B上，對包括含有感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光，實施顯影處理，藉此於曝光部以及未曝光部分別形成金屬銀部以及光透射性部，從而形成第1導電部16A以及第2導電部16B。再者，亦可進一步對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理，藉此來使導電性金屬承載於金屬銀部。

或者，亦可對形成於第1透明基體14A以及第2透明基體14B上的銅箔上的光阻膜(photoresist film)進行曝光、顯影處理而形成光阻圖案，對自光阻圖案露出的銅箔進行蝕刻(etching)，藉此來形成第1導電部16A以及第2導電部16B。

或者，亦可將包含金屬微粒子的漿料(paste)印刷至第1透明基體14A以及第2透明基體14B上，對漿料進行金屬鍍敷，藉此來形成第1導電部16A以及第2導電部16B。

亦可藉由網版印刷版或凹版印刷版來於第1透明基體14A以及第2透明基體14B上印刷形成第1導電部16A以及第2導電部16B。

接著，以如下的方法為中心來進行敍述，該方法將作為尤佳的形態的鹵化銀照片感光材料使用於本實施形態的第1導電片12A以及第2導電片12B。

根據感光材料與顯影處理的形態，本實施形態的第1導電片12A以及第2導電片12B的製造方法包含如下所述的3個形態。

(1)形態是對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。

(2)形態是對鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。

(3)形態是將不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片予以疊合來進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。

上述(1)的形態為一體型黑白顯影類型，於感光材料上形成光透射性導電膜等的透光性導電性膜。所獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，且為高比表面的長絲(filament)，因此，於後續的鍍敷或物理顯影過程中，該顯影銀的活性高。

對於上述(2)的形態而言，於曝光部中，物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此，於感光材料上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。此亦為一體型黑白顯影類型。顯影作用為物理顯影核上的析出作用，因此，活性高，但顯影銀為比表面小的球形。

對於上述(3)的形態而言，於未曝光部中，鹵化銀粒子溶解且擴散，接著沈積於顯像片上的顯影核上，藉此，於顯像片上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。上述(3)的形態為所謂的分離類型，且為自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。

對於任一個形態而言，均可選擇負型顯影處理以及反轉顯影處理中的任一種顯影(於擴散轉印方式的情形時，將直接正型感光材料用作感光材料，藉此，可進行負型顯影處理)。

此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及擴散轉印顯影是指如本領域中所通常使用的用語所述的意思，且已於照片化學的一般教科書中有解說，例如已於菊地真一編著的「照片化學」(共立出版社，1955年發行)、C.E.K.Mees編寫的「The Theory of Photographic Processes,4th ed.」(Mcmillan公司，1977年發行)中有解說。本案是與液體處理相關的發明，但其他的應用熱顯影方式作為顯影方式的技術亦可作為參考。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、以及日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書所揭示的技術。

此處，以下詳細地對本實施形態的第1導電片12A以及第2導電片12B的各層的構成進行說明。

[第1透明基體14A、第2透明基體14B]

作為第1透明基體14A以及第2透明基體14B，可列舉塑膠薄膜(plastic film)、塑膠板(plastic plate)、以及玻璃板(glass plate)等。

作為上述塑膠薄膜以及塑膠板的原料，例如可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等的聚酯類；聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚苯乙烯、乙烯醋酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)等的聚烯烴類；以及乙烯系樹脂；此外可使用聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、以及三醋酸纖維素(Triacetyl Cellulose，TAC)等。

作為第1透明基體14A以及第2透明基體14B，PET(熔點：258℃)、PEN(熔點：269℃)、PE(熔點：135℃)、PP(熔點：163℃)、聚苯乙烯(熔點：230℃)，聚氯乙烯(熔點：180℃)，聚偏二氯乙烯(熔點：212℃)或TAC(熔點：290℃)等的熔點約為290℃以下的塑膠薄膜或塑膠板較佳，自光透射性或加工性等的觀點考慮，PET尤佳。如使用於積層導電片10的第1導電片12A以及第2導電片12B般的導電性薄膜需要具有透明性，因此，較佳為第1透明基體14A以及第2透明基體14B的透明度高。

[銀鹽乳劑層]

成為第1導電片12A的第1導電部16A(第1大格子24A、第1連接部28A、及第1輔助圖案20A等)以及第2導電片12B的第2導電部16B(第2大格子24B、第2連接部28B、及第2輔助圖案20B等)的銀鹽乳劑層除了含有銀鹽與黏合劑(binder)之外，亦含有溶劑或染料等的添加劑。

作為本實施形態中所使用的銀鹽，可列舉鹵化銀等的無機銀鹽以及醋酸銀等的有機銀鹽。於本實施形態中，較佳為使用作為光感測器(optical sensor)的特性優異的鹵化銀。

銀鹽乳劑層的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀，較佳為1g/m² ~30g/m² ，更佳為1g/m² ~25g/m² ，進而更佳為5g/m² ~20g/m² 。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，當形成積層導電片10時，可獲得所期望的表面電阻。

作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉：明膠(gelatin)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、澱粉等的多糖類、纖維素及其衍生物、聚乙烯氧化物、聚乙烯胺、聚葡萄胺糖(chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、以及羧基纖維素等。根據官能基的離子性，上述黏合劑具有中性、陰離子性、以及陽離子性的性質。

本實施形態的銀鹽乳劑層中所含的黏合劑的含有量並無特別的限定，可於能夠發揮分散性與密著性的範圍內，適當地決定上述黏合劑的含有量。以銀/黏合劑體積比計，銀鹽乳劑層中的黏合劑的含有量較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，更佳為50/1以下。又，銀/黏合劑體積比進而更佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑體積比設為上述範圍，即便於對塗佈銀量進行調整的情形時，亦可抑制電阻值的不均，從而可獲得具有均一的表面電阻的積層導電片。再者，將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比)，接著將該銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)，藉此，可求出銀/黏合劑體積比。

<溶劑>

用以形成銀鹽乳劑層的溶劑並無特別的限定，例如可列舉水、有機溶劑(例如，甲醇等的醇類、丙酮等的酮類、甲醯胺等的醯胺類、二甲基亞碸等的亞碸類、醋酸乙酯等的酯類、及醚類等)、離子性液體、以及這些溶劑的混合溶劑。

用於本實施形態的銀鹽乳劑層的溶劑的含有量相對於銀鹽乳劑層中所含的銀鹽、黏合劑等的合計的重量，處於30wt%~90wt%的範圍，較佳為處於50wt%~80wt%的範圍。

<其他添加劑>

本實施形態中所使用的各種添加劑並無特別的限制，可較佳地使用眾所周知的添加劑。

[其他的層構成]

亦可於銀鹽乳劑層上設置未圖示的保護層。於本實施形態中，所謂「保護層」，是指包含如明膠或高分子聚合物之類的黏合劑的層，為了表現出防止擦傷或對力學特性進行改良的效果，該保護層形成於具有感光性的銀鹽乳劑層上。上述保護層的厚度較佳為0.5μm以下。保護層的塗佈方法以及形成方法並無特別的限定，可適當地選擇眾所周知的塗佈方法以及形成方法。又，亦可於比銀鹽乳劑層更靠下方處設置例如底塗層。

接著，對第1導電片12A以及第2導電片12B的製作方法的各步驟進行說明。

[曝光]

於本實施形態中，包括藉由印刷方式來形成第1導電部以及第2導電部的情形，但除了印刷方式以外，亦藉由曝光與顯影等來形成第1導電部以及第2導電部。亦即，對包括設置於第1透明基體14A以及第2透明基體14B上的含銀鹽層的感光材料或塗佈有光微影法用光聚合物的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。作為電磁波，例如可列舉可見光線、紫外線等的光、以及X射線等的放射線等。而且，可利用具有波長分布的光源來進行曝光，亦可使用特定的波長的光源來進行曝光。

曝光方法較佳為經由玻璃遮罩(glass mask)來實施的方法或利用雷射(laser)描繪的圖案曝光方式。

[顯影處理]

於本實施形態中，對乳劑層進行曝光之後，接著進行顯影處理。該顯影處理可使用對於銀鹽照相膠片或感光紙(photographic paper)、印刷製版用膠片、光罩(photomask)用乳膠遮罩(emulsion mask)等所使用的通常的顯影處理的技術。顯影液並無特別的限定，亦可使用菲尼酮對苯二酚(Phenidone Quinol，PQ)顯影液、米吐爾對苯二酚(Metol Quinol，MQ)顯影液、以及甲基丙烯酸(Methacrylic Acid，MAA)顯影液等，對於市售品而言，例如可使用作為富士膠片公司處方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、及PAPITOL；作為柯達(KODAK)公司處方的C-41、E-6、RA-4、D-19、及D-72等的顯影液；或上述顯影液的套組(kit)中所含的顯影液。又，亦可使用微影顯影液。

本發明中的顯影處理可包括為了將未曝光部分的銀鹽予以除去而實現穩定化所進行的熔合處理。本發明中的熔合處理可使用對於銀鹽照相膠片或感光紙、印刷製版用膠片、光罩用乳膠遮罩等所使用的熔合處理的技術。

上述熔合步驟中的熔合溫度較佳為約20℃~約50℃，進而較佳為25℃~45℃。又，熔合時間較佳為5秒~1分鐘，進而較佳為7秒~50秒。熔合液的補充量相對於感光材料的處理量而言，較佳為600ml/m² 以下，進而較佳為500ml/m² 以下，尤佳為300ml/m² 以下。

較佳為對經顯影、熔合處理的感光材料實施水洗處理或穩定化處理。於上述水洗處理或穩定化處理中，通常對於每1m² 的感光材料，以20公升(liter)以下的水洗水量來進行水洗，亦可以3公升以下的補充量(亦包含0即蓄積水水洗)來進行水洗。

顯影處理之後的曝光部中所含的金屬銀的重量相對於曝光之前的曝光部中所含的銀的重量的含有率較佳為50wt%以上，進而較佳為80wt%以上。若曝光部中所含的銀的重量相對於曝光之前的曝光部中所含的銀的重量而言為50wt%，則可獲得高導電性，因此較佳。

本實施形態中的顯影處理之後的灰階並無特別的限定，但較佳為超過4.0。若顯影處理之後的灰階超過4.0，則可保持光透射性部的高透光性，且可使導電性金屬部的導電性提高。作為使灰階為4.0以上的方法，例如可列舉上述銠離子、銥離子的摻雜。

經由以上的步驟而獲得導電片，但所獲得的導電片的表面電阻較佳為100歐姆/sq.以下，且較佳為處於0.1歐姆/sq.~100歐姆/sq.的範圍，更佳為處於1歐姆/sq.~10歐姆/sq.的範圍。藉由將表面電阻調整至如上所述的範圍，即便於面積為10cm×10cm以上的大型的觸控面板中，亦可進行位置檢出。又，亦可進一步對顯影處理之後的導電片進行壓光(calender)處理，且可藉由該壓光處理來調整為所期望的表面電阻。

[物理顯影以及鍍敷處理]

於本實施形態中，為了使上述曝光以及顯影處理所形成的金屬銀部的導電性提高，亦可進行用以使導電性金屬粒子承載於上述金屬銀部的物理顯影及/或鍍敷處理。於本發明中，可僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一個處理來使導電性金屬粒子承載於金屬性銀部，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部。再者，將對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而成的部分一併稱為「導電性金屬部」。

本實施形態中的所謂的「物理顯影」，是指藉由還原劑來對銀離子等的金屬離子進行還原，使金屬粒子析出至金屬或金屬化合物的核上。該物理現象利用於即顯B & W膠片、即顯幻燈膠片(instant slide film)或印刷版製造等，於本發明中，可使用該技術。

又，物理顯影可與曝光之後的顯影處理同時進行，亦可於顯影處理之後另外地進行。

於本實施形態中，鍍敷處理可使用無電解鍍敷(化學還原鍍敷或取代鍍敷)、電解鍍敷、或無電解鍍敷與電解鍍敷該兩種鍍敷。本實施形態中的無電解鍍敷可使用眾所周知的無電解鍍敷技術，例如，可使用印刷配線板等中所使用的無電解鍍敷技術，無電解鍍敷較佳為無電解鍍銅。

[氧化處理]

於本實施形態中，較佳為對顯影處理之後的金屬銀部、以及物理顯影及/或鍍敷處理所形成的導電性金屬部實施氧化處理。藉由進行氧化處理，例如，於金屬稍微沈積於光透射性部的情形時，可將該金屬予以除去而使光透射性部的透射性大致為100%。

[導電性金屬部]

本實施形態的導電性金屬部的線寬可選自5μm以上且為200μm(0.2mm)以下的寬度，但當該導電性金屬部用作觸控面板的材料時，線寬較佳為3μm以上且為50μm以下。更佳為3μm以上且為30μm以下，進而較佳為5μm以上且為20μm以下，最佳為5μm以上且為10μm以下。線間隔較佳為30μm以上且為500μm以下，進而較佳為50μm以上且為400μm以下，最佳為100μm以上且為350μm以下。又，為了接地等，導電性金屬部亦可包括線寬比200μm更寬的部分。

對於本實施形態中的導電性金屬部而言，自可見光透射率的方面考慮，開口率較佳為85%以上，進而較佳為90%以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是指第1導電部以及第2導電部的除了導電部分之外的透光性部分於整體中所佔的比例，例如，線寬為15μm且間距為300μm的正方形的格子狀的開口率為90%。

[光透射性部]

本實施形態中的所謂的「光透射性部」，是指第1導電片12A以及第2導電片12B中的除了導電性金屬部以外的具有透光性的部分。對於光透射性部的透射率而言，如上所述，第1透明基體14A以及第2透明基體14B的除了有助於光吸收及光反射的作用之外的380nm~780nm的波長區域中的透射率的最小值所示的透射率為90%以上，較佳為95%以上，進而較佳為97%以上，進而更佳為98%以上，最佳為99%以上。

[第1導電片12A以及第2導電片12B]

本實施形態的第1導電片12A以及第2導電片12B中的第1透明基體14A以及第2透明基體14B的厚度較佳為5μm~350μm，進而較佳為30μm~150μm。若為5μm~350μm的範圍，則可獲得所期望的可見光的透射率，且亦易於處理。

可根據塗佈於第1透明基體14A以及第2透明基體14B上的含銀鹽層用塗料的塗佈厚度，來適當地決定設置於第1透明基體14A以及第2透明基體14B上的金屬銀部的厚度。該金屬銀部的厚度可選自0.001mm~0.2mm，但較佳為30μm以下，更佳為20μm以下，進而較佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。又，金屬銀部較佳為圖案狀。金屬銀部可為1層，亦可2層以上的疊層構成。當金屬銀部為圖案狀且為2層以上的疊層構成時，可產生不同的感色性，使得能夠對於不同的波長感光。藉此，若改變曝光波長來曝光，則可於各層形成不同的圖案。

對於觸控面板的用途而言，導電性金屬部的厚度越薄，則顯示面板的視角越廣，因此，較佳為導電性金屬部的厚度薄，即便於使視認性提高的方面，亦要求實現薄膜化。自此種觀點考慮，包含承載於導電性金屬部的導電性金屬的層的厚度較佳為不足9μm，更佳為0.1μm以上且不足5μm，進而較佳為0.1μm以上且不足3μm。

於本實施形態中，藉由對上述含銀鹽層的塗佈厚度進行控制來形成所期望的厚度的金屬銀部，而且可藉由物理顯影及/或鍍敷處理來自如地對包含導電性金屬粒子的層的厚度進行控制，因此，亦可容易地形成具有不足5μm的厚度，較佳為具有不足3μm的厚度的第1導電片12A以及第2導電片12B。

再者，於本實施形態的第1導電片12A或第2導電片12B的製造方法中，不一定必須進行鍍敷等的步驟。原因在於：於本實施形態的第1導電片12A或第2導電片12B的製造方法中，可藉由對銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比進行調整來獲得所期望的表面電阻。再者，亦可根據需要而進行壓光處理等。

(顯影處理之後的硬膜處理)

較佳為對銀鹽乳劑層進行顯影處理之後，將該銀鹽乳劑層浸漬於硬膜劑來進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等的二醛類以及硼酸等的日本專利特開平2-141279號公報所揭示的硬膜劑。

再者，本發明可適當地與下述表1以及表2所揭示的公開公報以及國際公開小冊子的技術組合地使用。省略「特開」、「號公報」、以及「號小冊子」等的表述。

於上述例子中表示了如下的例子，即，沿著第1方向來對2個以上的第1大格子24A進行串聯連接而構成第1導電圖案18A，沿著第2方向來對2個以上的第2大格子24B進行串聯連接而構成第2導電圖案18B，此外，亦可沿著第1方向來對利用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)膜的例如呈菱形狀的2個以上的透明電極進行串聯連接而構成第1導電圖案18A，沿著第2方向來對利用ITO膜的例如呈菱形狀的2個以上的透明電極進行串聯連接而構成第2導電圖案18B。

於該情形時，亦混合有由ITO膜產生的透明電極相鄰接地配置而形成的多個規則的透明電極的排列、以及因形成於透明電極之間的第1輔助線36A與第2輔助線36B錯開地配置而形成的與上述透明電極的排列不同的排列，藉此，成為多個空間頻率相調和的形態，結果，與液晶顯示裝置的像素排列之間的干涉受到抑制，從而可有效果地減少波紋的產生。

又，亦可於導電片上形成抗反射層或硬塗層等的功能層。

以下，列舉本發明的實例來更具體地對本發明進行說明。再者，只要不脫離本發明的宗旨，可適當地對以下的實例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、以及處理順序等進行變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示的具體例來限定性地解釋。

於該實例中，對與比較例1~比較例3、實例1~實例16的觸控面板相關的波紋以及視認性進行評價。比較例1~比較例3、實例1~實例16的詳細內容以及評價結果表示於後述的表3。

[實例1]

(鹵化銀感光材料)

調製如下的乳劑，該乳劑相對於水媒體中的150g的Ag而包含10.0g的明膠且含有球相當徑(sphere-equivalent diameter)平均值為0.1μm的碘溴化銀粒子(I=0.2mol%，Br=40mol%)。

又，於該乳劑中添加K₃ Rh₂ Br₉ 以及K₂ IrCl₆ ，使得濃度達到10^-7 (莫耳/莫耳銀)，將Rh離子與Ir離子摻雜至臭化銀粒子。於該乳劑中添加Na₂ PdCl₄ ，接著使用氯金酸與硫代硫酸鈉來進行金硫敏化之後，以使銀的塗佈量達到10g/m² 的方式而與明膠硬膜劑一併塗佈至第1透明基體14A以及第2透明基體14B(此處均為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))上。此時，Ag/明膠體積比設為2/1。

對於寬度為30cm的PET支持體進行寬度為25cm且長度為20m的塗佈，以保留24cm的塗佈的中央部的方式來將兩端分別截去3cm，獲得輥狀的鹵化銀感光材料。

(曝光)

針對積層導電片10的第1導電片12A，曝光的圖案為圖1以及圖3所示的圖案，針對第2導電片12B，曝光的圖案為圖1以及圖4所示的圖案，對A4尺寸(210mm×297mm)的第1透明基體14A以及第2透明基體14B進行曝光。對於曝光而言，經由上述圖案的光罩，使用將高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光。

(顯影處理)

‧1L顯影液的處方

‧1L熔合液的配方

使用富士膠片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，於如下的處理條件下，對已使用上述處理劑完成曝光的感光材料進行處理，即，於35℃進行30秒的顯影，於34℃進行23秒的熔合，進行20秒的水洗流水(5L/分鐘)處理。

(觸控面板)

將第1導電片12A積層於第2導電片12B上而獲得積層導電片之後，將積層導電片貼附於液晶顯示裝置的顯示畫面而構成實例1的觸控面板。於該實例1中，亦如後述的表3所示，導電部(第1導電圖案18A、第1輔助圖案 20A、第2導電圖案18B、及第2輔助圖案20B)的線寬為5μm，小格子26的一邊的長度為50μm，大格子(第1大格子24A及第2大格子24B)的一邊的長度為3mm，朝向第3方向以及第4方向的偏移量(以下記作偏移量)為2.5μm。

[實例2~實例4]

除了將偏移量分別設為5μm、10μm、及25μm以外，與上述實例1同樣地製作實例2、實例3以及實例4的觸控面板。

[實例5]

將導電部的線寬設為8μm，將小格子26的一邊的長度設為250μm，將大格子(第1大格子24A及第2大格子24B)的一邊的長度設為5mm，除此以外，與上述實例1同樣地製作實例5的觸控面板。

[實例6~實例10]

除了將偏移量分別設為4μm、10μm、50μm、100μm、以及125μm以外，與上述實例5同樣地製作實例6、實例7、實例8、實例9以及實例10的觸控面板。

[實例11]

將導電部的線寬設為10μm，將小格子26的一邊的長度設為300μm，將大格子(第1大格子24A及第2大格子24B)的一邊的長度設為6mm，除此以外，與上述實例1同樣地製作實例11的觸控面板。

[實例12~實例16]

除了將偏移量分別設為4μm、10μm、50μm、100μm、以及150μm以外，與上述實例11同樣地製作實例12、實例13、實例14、實例15以及實例16的觸控面板。

[比較例1~比較例3]

除了將偏移量設為0μm以外，與上述實例1同樣地製作比較例1的觸控面板。

除了將偏移量設為0μm以外，與上述實例5同樣地製作比較例2的觸控面板。

除了將偏移量設為0μm以外，與上述實例11同樣地製作比較例3的觸控面板。

[評價]

(波紋的評價)

將觸控面板設置於旋轉盤，將液晶顯示裝置予以驅動而顯示白色。於該狀態下，使旋轉盤於-45°~+45°的偏角(bias angle)之間旋轉，對波紋進行目視觀察且進行評價。

以與液晶顯示裝置的顯示畫面相距1.5m的觀察距離來對波紋進行評價，將波紋不明顯的情形設為○，將波紋處於無問題的水準且看到極少的波紋的情形設為△，將波紋明顯的情形設為×。

(視認性的評價)

當於上述波紋的評價之前，將觸控面板設置於旋轉盤，將液晶顯示裝置予以驅動而顯示白色時，以肉眼來確認觸控面板的表面是否存在粗線條或黑斑點。

(評價結果)

於實例10以及實例16中，僅確認了少許的粗線條或黑斑點，整體而言，視認性良好。

關於波紋，比較例1~比較例3中的波紋均明顯。另一方面，實例1~實例16整體而言，評價良好，且對於實例3、實例4、實例7~實例9、實例13~實例15而言，波紋不明顯。實例1、實例5、以及實例11為如下的程度，即，波紋處於無問題的水準且看到極少的波紋。實例2、實例6、實例10、實例12、以及實例16處於「△」與「○」的中間水準。

再者，如圖2B所示，於第1透明基體14A的一個主面形成第1導電部16A，於第1透明基體14A的另一個主面形成第2導電部16B，與比較例1~比較例3以及實例1~實例16同樣地製作觸控面板，即便於該情形時，評價結果亦與上述評價結果相同。

本發明的觸控面板以及導電片並不限於上述實施形態，當然可不脫離本發明的宗旨而採用各種構成。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧積層導電片

12A‧‧‧第1導電片

12B‧‧‧第2導電片

14A‧‧‧第1透明基體

14B‧‧‧第2透明基體

16A‧‧‧第1導電部

16B‧‧‧第2導電部

18A‧‧‧第1導電圖案

18B‧‧‧第2導電圖案

20A‧‧‧第1輔助圖案

20B‧‧‧第2輔助圖案

24A‧‧‧第1大格子

24B‧‧‧第2大格子

26‧‧‧小格子

28A‧‧‧第1連接部

28B‧‧‧第2連接部

30‧‧‧中格子

32A‧‧‧第1缺口部

32B‧‧‧第2缺口部

34A‧‧‧第1絕緣部

34B‧‧‧第2絕緣部

36A‧‧‧第1輔助線

36B‧‧‧第2輔助線

38A‧‧‧第1L字狀圖案

38B‧‧‧第2L字狀圖案

40A‧‧‧第1端子

40B‧‧‧第2端子

42A‧‧‧第1外部配線

42B‧‧‧第2外部配線

44‧‧‧組合圖案

46A‧‧‧第1軸線

46B‧‧‧第2軸線

ha‧‧‧距離

Wa、Wb‧‧‧線寬

x、y、m、n‧‧‧方向

圖1是將一部分予以省略來表示積層導電片的分解立體圖。

圖2A是將一部分予以省略來表示積層導電片的一例的剖面圖。

圖2B是將一部分予以省略來表示積層導電片的其他例子的剖面圖。

圖3是表示形成於積層導電片中的第1導電片的第1導電部的圖案例的平面圖。

圖4是表示形成於積層導電片中的第2導電片的第2導電部的圖案例的平面圖。

圖5是將一部分予以省略來表示將第1導電片與第2導電片加以組合而形成積層導電片的例子的平面圖。

圖6A~圖6C是表示組合圖案中，由沿著第1大格子的邊排列的第1輔助線與沿著第2大格子的邊排列的第2輔助線所形成的組合圖案的例子的說明圖。

圖7是表示組合圖案中，由第1絕緣部的2個第1L字狀圖案中的各第1輔助線與第2絕緣部的2個第2L字狀圖案中的各第2輔助線所形成的組合圖案的例子的說明圖。

圖8是表示藉由第1輔助線與第2輔助線來形成一條線的狀態的說明圖。