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TWI455342B - Solar cell with selective emitter structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Solar cell with selective emitter structure and manufacturing method thereof Download PDF

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TWI455342B
TWI455342B TW101101211A TW101101211A TWI455342B TW I455342 B TWI455342 B TW I455342B TW 101101211 A TW101101211 A TW 101101211A TW 101101211 A TW101101211 A TW 101101211A TW I455342 B TWI455342 B TW I455342B
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Description

具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法
本發明係有關於一種具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法，尤指涉及一種矽基板(Silicon Wafer)經過蝕刻以形成複數條溝槽、一次電性摻雜以形成P-N接面(P-N Junction)，以及選擇性蝕刻以形成選擇性射極結構。
目前一般量產之矽晶太陽能電池係使用P型太陽能等級(Solar Grade)矽基板經過磷擴散(Phosphorous Diffusion)程序形成P-N接面而製成，其矽基板阻值(Resistivity)落在約1至3Ocm，接面形成後之表面片電阻(Sheet Resistance)大約在60O/sq.左右。此片電阻值大約係廠商調配出來較佳之值，如果磷擴散後之N型層濃度太高，將導致片電阻很小，雖然代表N型層之電導率很高，以及前電極(Front Contact)與半導體之接觸電阻很低，然而卻會造成表面處之載子復合率提升，致使開路電壓與短路電流皆會下降；反之，如果片電阻很高，則電導率下降，亦會造成前電極與半導體之接觸電阻提高，進而不利於填充因子(Fill Factor)之提升。
選擇性射極(Selective Emitter)技術，係降低前電極與半導體之接觸電阻，且非電極區之橫向電導率係維持一個較佳之情況。這種選擇性地在局部區域(即在前電極金屬之下方區域)摻雜較高濃度，而在其他區域摻雜較低濃度之電池結構，具有較低之電極-半導體接觸電阻，以及較好之短波長光響應。
目前，在矽基板形成高濃度、低濃度摻雜擴散區以製作選擇性射極太陽能電池之製程，主要大致有以下幾種：
第一種係選用含磷之膠材用網印之方式在對應需形成前電極之區域印出具有預定圖像之膠膜，之後，以該膠膜為擴散源輔以高溫製程將其中之磷擴散進入矽基板內，且同時形成氣相，讓基材對應於印有膠膜處形成高濃度摻雜擴散區，其餘區域為低濃度摻雜擴散區。然而，該製程雖然可用一次之高溫擴散同時形成高、低濃度摻雜擴散區，惟其需要精準地掌握高溫擴散之熱溫度條件，才能達到目標之摻雜濃度，所以較不符量產所需。
第二種係在矽基板受光側表面進行全面性之高濃度摻雜形成高濃度摻雜擴散層，再以網印方式形成阻擋層配合回蝕方式(Etching-Back Process)，蝕刻掉部分區域而得到高、低濃度摻雜擴散區。此製程之缺點係要大面積且均勻地回蝕，具有相當高之困難度，同樣地不適合量產；此外回蝕之過程中也有可能傷害已形成之表面粗糙結構。另外，此種電池必須以精準度較高之對準裝置進行在高濃度摻雜擴散區域印刷銀漿。由於初始印刷之銀漿經燒結後其厚度不夠，所以需進行所謂的光致動電鍍程序(Light-Induced Plating)來增加銀電極線之厚度，以減小電極線之電阻，故此程序目前尚無法達到量產化目的。
第三種係在矽基板受光側表面進行全面性之低濃度摻雜形成低濃度摻雜擴散層，再採用含磷之銀膠以網版印出前電極，最後共燒(Co-Firing)形成前電極之同時，讓磷擴散進入低濃度摻雜層預定區域而形成高、低濃度摻雜擴散區。此製程最大優勢係只需要更替原製程中形成前電極之銀膠，因此可完全相容於現有之量產技術；然而，共燒時銀之擴散速度高於磷，會造成漏電流惡化，反而讓選擇性射極之優點無法顯現。
第四種係在矽基板受光側表面進行全面性之低濃度摻雜成低濃度摻雜擴散層，再用雷射在預定形成前電極之區域上蝕刻出溝槽，並進行高濃度摻雜成重摻雜(Heavily-Doped)擴散區，隨後以電鍍法(Plating)填充溝槽形成前電極。該溝槽亦可具有一定深度，使形成埋入式電極結構，進而結合選擇性射極與埋入式電極之製作。例如第3圖所示習知之太陽能電池側剖面示意圖，即為一種埋入式電極結構，其製造方式係首先在具有粗紋表面32之P型矽基板30之受光側表面形成較低掺雜濃度之N型層36，以及抗反射層33，然後以雷射雕蝕複數條溝槽，作為佈置前電極之區域，並於溝槽區進行較高濃度摻雜使形成重摻雜層34，亦即N+型層，接著以電鍍法將金屬填充於溝槽形成埋入式電極38。此種太陽能電池亦通常以網版印刷(Screen Printing)方式於背面塗佈鋁漿，於燒結後形成背電極39以及背表面場(Back Surface Field)37。然而，其缺點也在於因為需要額外之雷射蝕刻與摻雜設備，以及電鍍設備，不僅不相容於現有之量產技術，且雷射蝕刻之製造成本高，因而不利於量產。
由上述可知，製造具有選擇性射極結構抑或兼具埋入式電極結構之矽晶太陽能電池，目前大多數使用之技術需要額外之製程設備，或者需要較繁複之製程而降低產出速率。故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。
本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種製造具有選擇性射極結構之矽晶太陽能電池之方法，以及使用該法所製造之矽晶太陽能電池。
為達以上之目的，本發明係一種具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法，係揭露製造一種具有選擇性射極抑或兼具埋入式電極結構之矽晶太陽能電池，且本發明所揭露之技術係使用較為簡易之方法，首先在具電性摻雜之矽基板之受光側表面，亦即前表面，以化學濕式蝕刻方式蝕刻出複數條溝槽。然後使用一種耐化學蝕刻液之阻擋層材料(Barrier)，以網版印刷方式塗佈於矽基板，形成矽基板一部分之表面區域受該阻擋層材料覆蓋，而另一部分表面區域未受該阻擋層材料覆蓋。接著使用化學濕式蝕刻方式，使矽基板表面未受阻擋層材料覆蓋之區域遭受蝕刻而形成溝槽。其中，該溝槽區域係在稍後製程中塗佈前電極之區域。
本發明所揭露之技術，係在前述溝槽形成後，將矽基板做粗紋化(Texture)處理，使在矽基板表面，包括溝槽區與非溝槽區，產生類似金字塔突出之微結構，以作為侷限光線(Light Trapping)用途。本發明所揭露之技術亦包含前述溝槽之形成係在矽基板粗紋化處理之後，亦即矽基板經過粗紋化處理之後，再進行阻擋層材料之印刷與化學濕式蝕刻，使產生複數條溝槽於矽基板之前表面。
本發明所揭露之技術，係在前述粗紋與溝槽完成後，進行摻雜擴散，使矽基板之前表面形成一層與矽基板電性相反之高濃度摻雜層。經過表面清洗除去表面因摻雜擴散之衍生物質後，又選擇性地將非溝槽區之矽基板表面以化學蝕刻液蝕去一部分厚度，使該非溝槽區形成具有較低濃度之摻雜層；而因為矽基板表面之溝槽區於浸泡化學蝕刻液時不受侵蝕，致使溝槽區表面之摻雜濃度仍保留為原始之高濃度。其中，本發明所揭露之技術係以網版印刷方式將一種耐化學蝕刻液之阻擋層材料僅塗佈於前述溝槽區，使溝槽區之矽基板表面不受化學蝕刻液侵蝕；而該矽基板表面之非溝槽區則因未塗佈前述阻擋層材料，致使遭受化學蝕刻液侵蝕而蝕去一部分厚度。
依據上述本發明所揭露之技術，矽基板之前表面具有複數條溝槽，係預留作為後續塗佈前電極之區域，且溝槽區之矽基板表面形成重摻雜(Heavily-Doped)區域，而非溝槽區之矽基板表面形成輕摻雜(Lightly-Doped)區域。在前電極塗佈於該複數條溝槽之後，因前電極與矽接觸之矽基板表面處為重摻雜區域，以致形成較小之接觸電阻，將有利於填充因子之提升；另一方面，在矽基板非溝槽區之表面，因具有輕摻雜之表面特性，電子與電洞復合率較低，將有助於載子收集率，因而增加開路電壓值與短路電流值。
本發明所揭露之技術，對於將非溝槽區之矽基板表面選擇性地蝕去一部分厚度之作法具有兩種方式：其一為直接將矽基板浸泡於化學蝕刻液中以蝕去矽基板表面之非溝槽區一部分之厚度，因此造成非溝槽區之矽基板表面形成輕摻雜電性層。另外一種方式，則係將矽基板浸泡於一種化學溶液中，致使矽基板表面之非溝槽區產生氧化矽薄層，然後以另一種化學溶液蝕去該氧化矽薄層，達到蝕去非溝槽區矽基板表面一部分厚度之目的。產生前述氧化矽薄層所使用之化學溶液係至少含有硝酸、硫酸、鹽酸、雙氧水、氨水或磷酸之一，而用來蝕去該氧化矽薄層之化學溶液係至少含有氫氟酸成分，抑或係僅含有鹼性溶液(Alkaline Solution)。
在上述第二種選擇性蝕去矽基板表面一部份厚度之方式中，氧化矽生長於矽基板表面內部之厚度僅在數奈米(nm)以內。縱使稍後蝕去之，也僅係最多刮除數奈米之高濃度掺雜表面區域，未必使該區域變成所需要之低濃度掺雜區域。因此，可以將「生長-蝕去」過程循環數次，以確實蝕去矽基板非溝槽區表面適當之厚度，進而達到適當之低濃度掺雜。
在上述輕、重掺雜區形成且清洗矽基板後，進行抗反射鍍膜(ARC Coating)、電極印刷與燒結，便完成一個具有選擇性射極，抑或兼具埋入式電極之太陽能電池元件。其中背電極之塗佈係以習用之網版印刷方式達成，而前電極之塗佈則以對準方式精準地使用網版將前電極金屬材料印刷於矽基板前表面之複數條溝槽中。經過前、背電極之燒結後，前電極與矽基板具有良好電性接觸，而背電極金屬之一部分則形成背表面場區域。
原則上，前述溝槽之深度達一定深度以上，例如30 μm以上時，則具有埋入式電極結構與功能；若其深度較淺，則較不具埋入式電極結構與功能，此時，僅具有選擇性射極之結構與功能。
本發明所揭露之具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法，在一個較佳實施例中，係由單晶或多晶且具有電性摻雜之矽基板(Silicon Wafer)製造而成，其首先在具有電性摻雜之矽基板前表面產生複數條深度介於0.5微米(μm)至100μm之間之溝槽，然後進行粗紋化處理與表面電性摻雜擴散。該表面電性摻雜擴散係在該矽基板之前表面，包括溝槽區與非溝槽區形成與該矽基板電性相反之重摻雜(Heavily-Doped)擴散層。接著，選擇性地蝕去非溝槽區之矽基板表面之一部分厚度以使該表面變成輕摻雜(Lightly-Doped)擴散層，符合選擇性射極之輕、重摻雜擴散濃度之條件，亦即在溝槽區之矽基板表面具重摻雜擴散層，且非溝槽區之矽基板表面具有適當之輕摻雜擴散層。
請參閱『第1圖』所示，係本發明具有選擇性射極結構之太陽能電池於一較佳實施例之製作程序示意圖。如圖所示：本發明之一較佳實施例可由圖中(a)至(f)依序說明。
首先，選擇電性摻雜為P型(P-type)或N型(N-type)之矽基板10，並於其前表面產生有複數條溝槽11，形成如第1圖中(a)所示之矽基板側剖面結構。其中，該複數條溝槽11之產生係使用一種耐化學蝕刻液之阻擋層材料(Barrier)以網版印刷方式塗佈於該矽基板10，形成該矽基板10前表面一部份之區域受該阻擋層材料覆蓋，另一部分前表面區域未受該阻擋層材料覆蓋，而該矽基板10之背表面則全面塗佈該阻擋層材料；之後使用化學濕蝕刻方式，使該矽基板10之前表面受該阻擋層材料覆蓋之區域不受蝕刻，而該矽基板10之前表面未受該阻擋層材料覆蓋之區域遭受蝕刻以形成複數條溝槽11，至於該矽基板10之背表面則因受該阻擋層材料全面保護而大致或完全不受蝕刻。
然後，清洗該矽基板10，除去該阻擋層材料，並對該矽基板10作粗紋化處理，產生如同第1圖中(b)所示之側剖面結構，亦即使該矽基板10之前、背表面各形成粗紋表面(Textured Surface)12、13，其中該粗紋表面12係類似金字塔突出之微結構，具有侷限光線(Light Trapping)之功能，且此時各溝槽11亦形成內部具有粗紋結構之溝槽17。在某些情況下，背表面不形成具有良好侷限光線功能之粗紋表面。又，在另一較佳實施例中，前述矽基板前表面之溝槽，其內部亦不形成具有良好侷限光線功能之粗紋結構。
接著，對該矽基板10進行電性摻雜擴散，使該矽基板10之前表面形成與該矽基板10電性相反之高濃度電性摻雜層，如同第1圖中(c)所示之結構，係在前表面之粗紋表面12之下具有高濃度之重摻雜層14。經過清洗且去除摻雜擴散之衍生物質後，復又以網印對準方式將一種耐化學蝕刻液之阻擋層材料於前表面僅塗佈於溝槽17之區域，形成覆蓋各溝槽17之阻擋層材料15，如第1圖中(d)所示情形。
再接著，將該矽基板10浸泡於化學蝕刻液中，以蝕去該矽基板10表面之非溝槽區一部份之厚度，使該非溝槽區表面原始摻雜之高濃度擴散層厚度變小，亦即蝕去了高濃度摻雜擴散區域，造成該矽基板10之非溝槽區之表面形成輕摻雜電性層16，如第1圖中(e)所示情形；此時，在該矽基板10之溝槽區之表面仍保留有重摻雜層14。由於上述化學濕式蝕刻僅蝕去非溝槽區一小部分之厚度，原始之粗紋表面12仍大致維持其原有形貌；並且，由於浸泡化學蝕刻液緣故，該矽基板10之背表面一小部分之厚度亦遭蝕去，然而原背表面之粗紋表面13仍大致維持其原有形貌。於另一較佳實施例中，該矽基板10之背表面亦可使用阻擋層材料覆蓋保護而不受侵蝕。
最後，將該覆蓋溝槽之阻擋層材料15清洗除去，形成第1圖中(f)所示之結構，乃係在該矽基板10之前表面產生複數條溝槽17，形成在該矽基板10之溝槽17之表面具有重摻雜層14，以及在該矽基板10之非溝槽區之表面具有輕摻雜電性層16。
請參閱『第2圖』所示，係本發明在前表面溝槽中塗佈阻擋層材料經化學濕式蝕刻後之矽基板剖面結構示意圖。如圖所示：係本發明以P型矽基板20為例，說明在塗佈耐化學蝕刻液之阻擋層材料25於前表面溝槽中，並經上述化學濕式蝕刻後之矽基板20之剖面結構。該矽基板20保有形貌大致不變之前表面之粗紋表面22，以及背表面之粗紋表面23，且於前表面之非溝槽區表面具有較低掺雜濃度之N型層，亦即輕摻雜電性層26，以及於前表面之溝槽區表面具有原始較高掺雜濃度之N+ 型(N+ -type)層，亦即重摻雜層24。其輕、重摻雜之結構，如同前述第1圖中(f)所示之結構，並於完成後，進行抗反射層(ARC Coating)鍍膜，或者首先進行鈍化層(Passivating Layer)之成長，然後再進行抗反射層鍍膜，且該抗反射層之材料係至少含有氮化矽、氧化鋅、氧化錫、氧化錫銦或二氧化矽之一。繼之，進行前、背電極之塗佈，其前電極塗佈係以含有金屬之漿料(Paste)填入前述矽基板前表面之溝槽中；而其背電極亦係以含有金屬之漿料塗佈於背表面。接著，進行前、背電極之燒結，使電極之金屬與矽基板具良好電性接觸，且於背電極燒結後，於矽基板背表面形成背表面場(Back Surface Field)。該背表面場之形成，在另一較佳實施例中係以具有電性掺雜之掺雜層鍍膜達成，且該掺雜層至少含有非晶矽、結晶矽、非晶矽鍺化合物或結晶矽鍺化合物之一。又，在另一較佳實施例中，前述矽基板背表面之背表面場亦可使用摻雜元素以高溫擴散方式形成。端視該矽基板之掺雜電性，此摻雜元素係為週期表中IIIA族或VA族元素之一；具體而言，該矽基板若為P型，則此摻雜元素係為含有週期表中IIIA族元素之一；該矽基板若為N型，則此摻雜元素係為含有週期表中VA族元素之一。
上述前、背電極之燒結係可以共燒(Co-Firing)完成，亦可以分開依次進行，於另一較佳實施例中係先進行前電極燒結，然後再塗佈背電極與進行背電極燒結。
本發明亦揭露一種稍不同於前述選擇性射極製作程序之方法，亦即首先在具有粗紋化表面且具有電性摻雜之矽基板前表面產生複數條溝槽。其製作程序係相同於前述溝槽之製作，亦即係使用一種耐化學蝕刻液之阻擋層材料以網版印刷方式塗佈於矽基板前表面以形成具有開口之圖樣(Pattern)，且亦可塗佈於該矽基板背表面之區域。然後，以化學濕式蝕刻方式，在該矽基板之前表面對應於上述開口位置之處形成複數條溝槽。後續有關輕、重摻雜層之形成與前、背電極之製作均相同於前述實施例所揭露者。
本發明亦揭露一種在具有電性摻雜之矽基板前表面完成前述複數條溝槽後進行電性摻雜擴散，使該矽基板之前表面形成與該矽基板電性相同之高濃度電性摻雜層，且其電性摻雜之濃度大於該矽基板之電性摻雜濃度，其使用相同於前述形成輕、重摻雜於該矽基板前表面之方法，亦即於該矽基板前表面之溝槽區塗佈阻擋層材料，然後將該矽基板前表面之非溝槽區表面以化學濕式蝕刻法蝕去淺薄之一部分厚度，以形成輕摻雜電性層，進而形成具有與矽基板電性相同但摻雜濃度大於該矽基板之摻雜電性層。而溝槽區表面因受阻擋層材料保護而維持原摻雜擴散濃度，亦即形成重摻雜層之表面。該矽基板前表面形成該輕、重摻雜區域後，係進行抗反射層之鍍膜，甚至額外增加形成鈍化層，以及前電極之塗佈，並且於矽基板背表面形成背電極與背表面場。
本發明所揭露之矽晶太陽能電池，包括矽基板背表面具有鈍化層者與沒有鈍化層者兩種。就沒有鈍化層之情況而言，該矽晶太陽能電池之製造係依照前述所揭露之技術；背表面具有鈍化層之矽晶太陽能電池之製造係在矽基板前表面輕、重摻雜層形成後，於矽基板背表面形成鈍化層，且該鈍化層材料至少含有二氧化矽(Silicon Dioxide)、氮化矽(Silicon Nitride)、矽氮氧化物(Silicon Oxynitride)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、硝酸鋁(Aluminum Nitride)或非晶矽(Amorphous Silicon)之一。
藉此，本發明係在矽基板之受光側表面形成複數條溝槽，經過一次電性摻雜元素之摻雜後，再進行選擇性之蝕刻，使非溝槽區域形成具有較低摻雜之濃度，而溝槽區域係維持原有之較高摻雜濃度，以致形成選擇性射極之結構，並且，若前述溝槽之深度達一定深度以上，例如30 μm以上時，則兼具有埋入式電極結構與功能。因此，本發明係一無需額外之製程設備，亦無需要較繁複之製程即可量產化生產且能夠產生高製成良率之製程方法，不僅具有製程容易、設備成本低，且更能製作具有較高性能之具有選擇性射極，抑或兼具埋入式電極之太陽能電池元件者。
綜上所述，本發明係一種具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法，可有效改善習用之種種缺點，係在矽基板之受光側表面形成複數條溝槽，經過一次電性摻雜元素之摻雜後，再進行選擇性之蝕刻，使非溝槽區域形成具有較低摻雜之濃度，而溝槽區域係維持原有之較高摻雜濃度，以致形成選擇性射極之結構，且若前述溝槽之深度達一定深度以上時，則能兼具有埋入式電極結構與功能，進而使本發明之產生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
 (本發明部分)
10．．．矽基板
11、17．．．溝槽
12、22．．．粗紋表面(前表面)
13、23．．．粗紋表面(背表面)
14、24．．．重摻雜層
15、25．．．阻擋層材料
16、26．．．輕摻雜電性層
20．．．P型矽基板
(習用部分)
30．．．P型矽基板
32．．．粗紋表面(前表面)
33．．．抗反射層
34．．．重摻雜層
36．．．N型層
37．．．背表面場
38．．．埋入式電極
39．．．背電極
第1圖，係本發明具有選擇性射極結構之太陽能電池於一較佳實施例之製作程序示意圖。
第2圖，係本發明在前表面溝槽中塗佈阻擋層材料並經化學濕式蝕刻後之矽基板剖面結構示意圖。
第3圖，係習知之太陽能電池側剖面結構示意圖。
10．．．矽基板
11、17．．．溝槽
12．．．粗紋表面(前表面)
13．．．粗紋表面(背表面)
14．．．重摻雜層
15．．．阻擋層材料
16．．．輕摻雜電性層

Claims (13)

  1. 一種具有選擇性射極結構之太陽能電池，係由單晶或多晶且具有電性摻雜之矽基板製造而成，其特徵在於：該矽基板受光側具有複數條溝槽，且各溝槽之深度係在0.5微米(μm)至100μm之間，並且該矽基板受光側表面含有第一表面區域與第二表面區域，其皆含有異於該矽基板電性摻雜之外之電性摻雜，其中該第一表面區域包括該複數條溝槽區之表面，且含有第一摻雜層，而該第二表面區域包括該矽基板受光側之非溝槽區之表面，且含有第二摻雜層；上述該矽基板受光側表面之第一摻雜層與第二摻雜層，係於形成有複數條溝槽之矽基板受光側表面經過一次高濃度之電性摻雜擴散後，經由塗佈一阻擋層(Barrier)於該些溝槽區，並以化學濕式蝕刻蝕去非溝槽區表面之一部分厚度，使該區域形成具有較低摻雜濃度之第二摻雜層，而溝槽區表面則維持原始高濃度之電性摻雜而形成該第一摻雜層。
  2. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板受光側表面之複數條溝槽內係含有一前電極。
  3. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板受光側表面係具有一抗反射層，且該抗反射層之材料係至少含有氮化矽、氧化鋅、氧化錫、氧化錫銦或二氧化矽之一。
  4. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板受光側表面係具有一鈍化層(Passivating Layer)，且該鈍化層之材料係至少含有二氧化矽(Silicon Dioxide)、氮化矽(Silicon Nitride)、矽氮氧化物(Silicon Oxynitride)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、硝酸鋁(Aluminum Nitride)或非晶矽(Amorphous Silicon)之一。
  5. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板受光側第一表面區域與第二表面區域皆具有侷限光線(Light Trapping)之粗紋(Texture)結構。
  6. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板受光側第二表面區域係具有侷限光線之粗紋結構，而其第一表面區域則不具有侷限光線之粗紋結構。
  7. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該第一摻雜層與該第二摻雜層之電性皆與該矽基板電性摻雜相反。
  8. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該第一摻雜層與該第二摻雜層之電性皆與該矽基板電性摻雜相同，且其摻雜濃度皆大於該矽基板之摻雜濃度。
  9. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板背面係具有一背表面場(Back Surface Field)以及一背電極。
  10. 依申請專利範圍第9項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該背表面場係以具有電性掺雜之掺雜層鍍膜於該矽基板背表面形成。
  11. 依申請專利範圍第10項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板背面具有電性掺雜之掺雜層，且該掺雜層係至少含有非晶矽、結晶矽、非晶矽鍺化合物或結晶矽鍺化合物之一。
  12. 依申請專利範圍第9項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該背表面場係使用摻雜元素以高溫擴散方式形成，而該摻雜元素係至少為週期表中IIIA族或VA族元素之一。
  13. 依申請專利範圍第1項所述之具有選擇性射極結構之太陽能電池，其中，該矽基板背面係具有一鈍化層，且該鈍化層之材料係至少含有二氧化矽、氮化矽、矽氮氧化物、氧化鋁、硝酸鋁或非晶矽之一。
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