TWI453945B - 發光二極體封裝結構之形成方法 - Google Patents

Description

發光二極體封裝結構之形成方法

本發明涉及一種發光二極體封裝結構之形成方法。

習知之發光二極體封裝結構之切割方法一般採用鐳射切割，但係為了降低切割成本以及簡化制程，目前在發光二極體制程上大多採用裂片(breaking)方式。具體方法為：在用於形成多個封裝結構之封裝基板上預切割多條切割線，在完成封裝制程後，沿著所述切割線將多個發光二極體封裝結構分別剝離下來，得到多個分離之發光二極體封裝結構。但係為了保持封裝基板整體結構，防止在預切割或後續封裝制程時封裝基板出現斷裂，切割線不能切之太深，這就導致了在剝離發光二極體封裝結構之過程中，由於應力無法很好地進行傳遞至切割線處，容易造成剝離後之發光二極體封裝結構邊緣不規則，從而影響到發光二極體封裝結構之良率。

有鑒於此，有必要提供一種剝離後之發光二極體封裝結構邊緣規則，良率較高之發光二極體封裝結構之形成方法。

一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：提供一發光二極體封裝基板，其相對之上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板均勻 分割成多個單片；在所述切割線之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板上表面及下表面之通孔；在所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之上下兩端沿所述切割線分別開設切口；將多個發光二極體晶粒分別設置在所述每個單片上；利用一遮蓋板遮蓋在所述發光二極體封裝基板上，所述遮蓋板對應所述每個單片開設有開孔；藉由所述遮蓋板之開孔在所述每個單片上形成封裝層；沿著所述切割線分別剝離下每個單片，從而形成多個發光二極體封裝結構。

相較於現有技術，本發明之發光二極體封裝結構之形成方法中，發光二極體封裝基板在上下表面分別預切割有切割線，並且在上下表面上沿所述切割線分別開設切口，從而在剝離過程中，有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。

100‧‧‧發光二極體封裝基板

110‧‧‧上表面

120‧‧‧下表面

130‧‧‧切割線

140‧‧‧單片

141‧‧‧凹槽

142‧‧‧上電極

143‧‧‧下電極

150‧‧‧通孔

160‧‧‧切口

200‧‧‧發光二極體晶粒

300‧‧‧遮蓋板

310‧‧‧開孔

400‧‧‧封裝層

500‧‧‧注膠頭

圖1為本發明實施方式中之發光二極體封裝基板之俯視圖。

圖2為本發明實施方式中之發光二極體封裝基板之仰視圖。

圖3為圖1中之發光二極體封裝基板沿III-III之剖面示意圖。

圖4為將圖1中之發光二極體封裝基板設置發光二極體晶粒之俯視 圖。

圖5為利用一遮蓋板遮蓋發光二極體封裝基板並注入封裝膠體之示意圖。

以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。

本發明實施方式提供之發光二極體封裝結構之形成方法包括以下幾個步驟：

步驟一，請參閱圖1至圖3，提供一發光二極體封裝基板100，其包括相對之上表面110以及下表面120，在所述上表面110以及下表面120分別對應預切割形成多條相交之橫向及縱向之切割線130，所述切割線130將所述發光二極體封裝基板100均勻分割成多個單片140。為保持所述發光二極體封裝基板100之整體結構，防止其斷裂，所述切割線130之深度不宜太深，其具體深度應視基板材質而定。在所述發光二極體封裝基板100之上表面110上，所述每個單片140都開設有凹槽141，所述凹槽141中設置有上電極142。在所述發光二極體封裝基板100之下表面120上設置有與所述上電極142相對應之下電極143，所述上電極142與所述下電極143彼此電性連接。在本實施方式中，所述發光二極體封裝基板100為一陶瓷基板。

步驟二，在所述橫向及縱向之切割線130之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板100上表面110以及下表面120之通孔150。

步驟三，在所述通孔150內壁靠近所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面120之上下兩端沿所述切割線130分別開設 一切口160。所述切口160與所述切割線130連通，並且比所述切割線130之深度要深。在本實施方式中，所述切口160在垂直所述發光二極體封裝基板100之方向上呈“V”字型。

步驟四，請參閱圖4，將多個發光二極體晶粒200分別設置在所述每個單片140之凹槽141中，並且電性連接其中之上電極142。

步驟五，請參閱圖5，利用一遮蓋板300遮蓋在所述發光二極體封裝基板100上，所述遮蓋板300對應所述每個單片140之凹槽141開設有開孔310。

步驟六，藉由所述遮蓋板300之開孔310向每個單片140之凹槽141中注入封裝膠體，形成封裝層400，覆蓋所述發光二極體晶粒200。在本實施方式中，利用一注膠頭500藉由所述遮蓋板300之開孔310向每個單片140之凹槽141中注入封裝膠體。所述封裝膠體可以為環氧樹脂、矽樹脂或者係兩者組合材料構成。所述封裝膠體中還可包括有螢光粉，所述螢光粉可以為石榴石結構化合物、矽酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料之組合。

步驟七，沿著所述切割線130分別剝離下每個單片140，從而形成多個發光二極體封裝結構。

在剝離過程中，當對所述發光二極體封裝基板100之上表面110施以下壓力時，上表面110之切口160處就會產生張應力，該應力將會向下延伸尋找所述發光二極體封裝基板100之相對脆弱之區域，從而就會延伸至所述下表面120之相對較深之切口160處，進而將發光二極體封裝結構從所述發光二極體封裝基板100上剝離下來。由於在所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面 分別開設相對於切割線130較深之切口160，從而更有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。另外，由於在對發光二極體進行注膠形成封裝層之過程中，利用遮蓋板300遮蓋住所述切割線130以及切口160，從而液態之封裝材料不會流入到切割線130以及切口160中，因而不會對切割線130以及切口160處之應力傳遞產生影響。

相較於現有技術，本發明之發光二極體封裝結構之形成方法中，發光二極體封裝基板在上下表面分別預切割有切割線，並且在上下表面上沿所述切割線分別開設切口，從而在剝離過程中，有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。

另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。

100‧‧‧發光二極體封裝基板

141‧‧‧凹槽

200‧‧‧發光二極體晶粒

300‧‧‧遮蓋板

310‧‧‧開孔

400‧‧‧封裝層

500‧‧‧注膠頭

Claims (7)

1. 一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：提供一發光二極體封裝基板，其相對之上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板均勻分割成多個單片；在所述切割線之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板上表面及下表面之通孔；在所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之上下兩端沿所述切割線分別開設切口，所述切口與所述切割線連通，並且比所述切割線之深度要深；將多個發光二極體晶粒分別設置在所述每個單片上；利用一遮蓋板遮蓋在所述發光二極體封裝基板上，所述遮蓋板對應所述每個單片開設有開孔；藉由所述遮蓋板之開孔在所述每個單片上形成封裝層；沿著所述切割線分別剝離下每個單片，從而形成多個發光二極體封裝結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述基板為陶瓷基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述每個單片都開設有凹槽，所述遮蓋板之開孔對應所述凹槽。
4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述凹槽中設置有上電極，在所述基板之下表面上設置有與所述上電極相對應之下電極，所述上電極與所述下電極彼此電性連接，所述發光二極 體晶粒設置在所述凹槽中，其與所述上電極電性連接。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述切口與所述切割線連通，並在垂直所述發光二極體封裝基板之方向上呈“V”字型。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述封裝膠體由環氧樹脂、矽樹脂或者係兩者組合材料構成。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述封裝膠體中還包括有螢光粉，所述螢光粉為石榴石結構化合物、矽酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料之組合。