[go: up one dir, main page]

TWI448840B - 微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

微影裝置及器件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI448840B
TWI448840B TW100144705A TW100144705A TWI448840B TW I448840 B TWI448840 B TW I448840B TW 100144705 A TW100144705 A TW 100144705A TW 100144705 A TW100144705 A TW 100144705A TW I448840 B TWI448840 B TW I448840B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
projection system
lens
radiation beam
beam expander
Prior art date
Application number
TW100144705A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201229687A (en
Inventor
Zwet Erwin John Van
Jager Pieter Willem Herman De
Johannes Onvlee
Man Hendrik De
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201229687A publication Critical patent/TW201229687A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI448840B publication Critical patent/TWI448840B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造一器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部件上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)、平板顯示器及具有精細特徵之其他器件或結構的製造中。在習知微影裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化器件可用以產生對應於IC、平板顯示器或其他器件之個別層的電路圖案。此圖案可(例如)經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而轉印於基板(例如，矽晶圓或玻璃板)(之部件)上。
代替電路圖案，圖案化器件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化器件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之個別可控制元件陣列。此「無光罩(maskless)」系統相比於習知以光罩為基礎之系統的優點在於：可更快且成本更少地提供及/或改變圖案。
因此，無光罩系統包括可程式化圖案化器件(例如，空間光調變器、對比器件，等等)。可程式化圖案化器件經程式化(例如，電子地或光學地)以使用個別可控制元件陣列來形成所要經圖案化光束。可程式化圖案化器件之類型包括微鏡面陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列、自發射對比器件陣列，及其類似者。
一種無光罩微影裝置可具備(例如)一光學圓柱，該光學圓柱能夠將一圖案創製於一基板之一目標部分上。該光學圓柱可具備：一自發射對比器件，其經組態以發射一光束；及一投影系統，其經組態以將該光束之至少一部分投影至該目標部分上。該裝置可具備一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該光學圓柱或其一部件。藉此，該基板可相對於該光束而移動。藉由在該移動期間「接通」或「切斷」該自發射對比器件，可創製在該基板上之一圖案。
在一微影程序中，重要的是確保準確地聚焦投影至一基板上之影像。詳言之，在一些無光罩微影配置中，相比於具有相同臨界尺寸的一以光罩為基礎之系統，聚焦範圍可相對小。舉例而言，在一已知無光罩系統中，複數個透鏡各自用以將輻射光點投影至該基板上，從而引起一相對小聚焦範圍。因此，已為吾人所知的是提供一種用以藉由在垂直於該投影系統之光軸之一方向上調整該基板相對於該投影系統之位置來調整聚焦的系統。
然而，在一些應用中，該等基板可能不足夠平坦，此係因為針對曝光場之整個寬度將存在一信號聚焦位階(signal focus level)。因而，在此情形中，沒有可能簡單地藉由在平行於該投影系統之光軸之一方向上調整該基板相對於該投影系統之位置來提供所要聚焦控制。
因此，需要提供一種改良型聚焦系統。
根據本發明之一實施例，提供一種具有至少一光學圓柱之微影裝置，該至少一光學圓柱包含：一可程式化圖案化器件，其經組態以提供複數個輻射光束；及一投影系統，其經組態以將該複數個光束投影至基板上；其中該投影系統包含複數個透鏡；且該光學圓柱包含：一第一致動器系統，其經組態以在垂直於該投影系統之光軸之一方向上移動該等透鏡中至少一者以使該複數個光束遍及該基板之一目標部分進行掃描；一輻射光束擴展器，其經組態以將該可程式化圖案化器件之一影像投影至該至少一透鏡上；及一第二致動器系統，其經組態以在平行於該投影系統之該光軸之一方向上移動該輻射光束擴展器。
根據本發明之一實施例，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：使用至少一光學圓柱將一圖案創製於一基板之一目標部分上，該至少一光學圓柱具有經組態以提供複數個輻射光束之一可程式化圖案化器件，及經組態以將該複數個光束投影至該基板之該目標部分上之一投影系統，該投影系統包含複數個透鏡；在垂直於該投影系統之光軸之一方向上移動該等透鏡中至少一者以使該複數個光束遍及該基板之該目標部分進行掃描；使用一輻射光束擴展器以將該可程式化圖案化器件之一影像投影至該至少一透鏡上；及在平行於該投影系統之該光軸之一方向上控制該輻射光束擴展器之位置，以便調整形成於該基板上之該影像之聚焦。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪微影裝置之部件的示意性橫截面側視圖。在此實施例中，微影裝置具有如下文進一步所論述的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制元件，但其無需為該狀況。微影裝置1包含用以固持基板之基板台2，及用以在高達6個自由度中移動基板台2之定位器件3。基板可為抗蝕劑塗佈基板。在一實施例中，基板為晶圓。在一實施例中，基板為多邊形(例如，矩形)基板。在一實施例中，基板為玻璃板。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例中，基板為箔片。在一實施例中，微影裝置適於卷軸式製造(roll-to-roll manufacturing)。
微影裝置1進一步包含經組態以發射複數個光束之複數個個別可控制自發射對比器件4。在一實施例中，自發射對比器件4為輻射發射二極體，諸如，發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED)，或雷射二極體(例如，固態雷射二極體)。在一實施例中，個別可控制元件4中每一者為一藍紫色雷射二極體(例如，Sanyo型號DL-3146-151)。此等二極體可由諸如Sanyo、Nichia、Osram及Nitride之公司供應。在一實施例中，二極體發射(例如)具有約365奈米或約405奈米之波長的UV輻射。在一實施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至200毫瓦特之範圍的輸出功率。在一實施例中，雷射二極體(裸晶粒)之大小係選自100微米至800微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自0.5平方微米至5平方微米之範圍的發射面積。在一實施例中，雷射二極體具有選自5度至44度之範圍的發散角。在一實施例中，二極體具有用以提供大於或等於約6.4×108 W/(m2 .sr)之總亮度的組態(例如，發射面積、發散角、輸出功率，等等)。
自發射對比器件4配置於框架5上且可沿著Y方向及/或X方向而延伸。雖然展示一個框架5，但微影裝置可具有複數個框架5，如圖2所示。透鏡12進一步配置於框架5上。框架5在X-Y平面中實質上靜止，且因此，自發射對比器件4及透鏡12在X-Y平面中實質上靜止。框架5、自發射對比器件4及透鏡12可藉由致動器7而在Z方向上移動。或者或另外，透鏡12可藉由與此特定透鏡有關之致動器而在Z方向上移動。視情況，每一透鏡12可具備一致動器。
自發射對比器件4可經組態以發射光束，且投影系統12、14及18可經組態以將光束投影至基板之目標部分上。自發射對比器件4及投影系統形成光學圓柱。微影裝置1可包含致動器(例如，馬達11)以相對於基板移動光學圓柱或其部件。經配置有場透鏡14及成像透鏡18之框架8可用致動器而可旋轉。場透鏡14與成像透鏡18之組合形成可移動光學器件9。在使用中，框架8(例如)在藉由圖2中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線10而旋轉。框架8使用致動器(例如，馬達11)而圍繞軸線10旋轉。另外，框架8可藉由馬達7而在Z方向上移動，使得可移動光學器件9可相對於基板台2而位移。
具有孔隙之孔隙結構13可在透鏡12與自發射對比器件4之間位於透鏡12上方。孔隙結構13可限制透鏡12、關聯自發射對比器件4及/或鄰近透鏡12/自發射對比器件4之繞射效應。
可藉由旋轉框架8且在光學圓柱下方同時地移動基板台2上之基板而使用所描繪裝置。當透鏡12、14及18彼此實質上對準時，自發射對比器件4可發射光束通過該等透鏡。藉由移動透鏡14及18，使基板上光束之影像遍及基板之部分進行掃描。藉由在光學圓柱下方同時地移動基板台2上之基板，經受自發射對比器件4之影像的基板之部分亦正移動。藉由在控制器之控制下以高速度「接通」及「切斷」自發射對比器件4(例如，當自發射對比器件4「切斷」時不具有輸出或具有低於臨限值之輸出，且當自發射對比器件4「接通」時具有高於臨限值之輸出)、控制光學圓柱或其部件之旋轉、控制自發射對比器件4之強度，且控制基板之速度，可在基板上之抗蝕劑層中成像所要圖案。
圖2描繪具有自發射對比器件4的圖1之微影裝置的示意性俯視圖。類似於圖1所示之微影裝置1，微影裝置1包含：基板台2，其用以固持基板17；定位器件3，其用以在高達6個自由度中移動基板台2；對準/位階感測器19，其用以判定在自發射對比器件4與基板17之間的對準，且判定基板17是否位於相對於自發射對比器件4之投影之位階處。如圖所描繪，基板17具有矩形形狀，然而，或者或又，可處理圓形基板。
自發射對比器件4配置於框架15上。自發射對比器件4可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體(例如，藍紫色雷射二極體)。如圖2所示，自發射對比器件4可經配置成在X-Y平面中延伸之陣列21。
陣列21可為狹長線。在一實施例中，陣列21可為自發射對比器件4之單維陣列。在一實施例中，陣列21可為自發射對比器件4之二維陣列。可提供旋轉框架8，旋轉框架8可在藉由箭頭所描繪之方向上旋轉。
可提供旋轉框架8，旋轉框架8可在藉由箭頭所描繪之方向上旋轉。旋轉框架可具備透鏡14、18(圖1所示)以提供自發射對比器件4中每一者之影像。裝置可具備致動器以相對於基板旋轉包含框架8及透鏡14、18之光學圓柱。
圖3描繪旋轉框架8的高度示意性透視圖，旋轉框架8在其周界處具備透鏡14、18。複數個光束(在此實例中為10個光束)入射至該等透鏡中之一者上且投影至藉由基板台2固持之基板17之目標部分上。在一實施例中，複數個光束係以直線而配置。可旋轉框架係藉由致動器(圖中未繪示)而圍繞軸線10可旋轉。由於可旋轉框架8之旋轉，光束將入射於順次透鏡14、18(場透鏡14及成像透鏡18)上，且將在入射於每一順次透鏡上之情況下藉此偏轉，以便沿著基板17之表面之部分而行進，如將參看圖4更詳細地所解釋。在一實施例中，每一光束係藉由一各別源(亦即，自發射對比器件(例如，雷射二極體(圖3中未繪示)))產生。在圖3所描繪之配置中，光束係藉由分段鏡面30偏轉及聚集，以便縮減光束之間的距離，以藉此使較大數目個光束能夠投影通過同一透鏡且達成待在下文論述之解析度要求。
隨著可旋轉框架旋轉，光束入射於順次透鏡上，且每當透鏡被光束輻照時，光束入射於透鏡之表面上的地點會移動。因為光束取決於在透鏡上光束之入射地點而不同地投影於基板上(以(例如)不同偏轉)，所以光束(當到達基板時)將在每次通過一隨後透鏡時進行一掃描移動。參看圖4進一步解釋此原理。圖4描繪可旋轉框架8之部件的高度示意性俯視圖。第一光束集合係藉由B1表示，第二光束集合係藉由B2表示，且第三光束集合係藉由B3表示。每一光束集合被投影通過可旋轉框架8之一各別透鏡集合14、18。隨著可旋轉框架8旋轉，光束B1在掃描移動中投影至基板17上，藉此掃描區域A14。相似地，光束B2掃描區域A24且光束B3掃描區域A34。在藉由對應致動器對可旋轉框架8之旋轉的同時，基板17及基板台在方向D上移動，其可沿著X軸(如圖2所描繪)，藉此實質上垂直於區域A14、A24、A34中光束之掃描方向。由於藉由第二致動器在方向D上之移動(例如，藉由對應基板台馬達對基板台之移動)，在藉由可旋轉框架8之順次透鏡投影時光束之順次掃描經投影以彼此實質上鄰接，從而引起針對光束B1之每一順次掃描的實質上鄰接區域A11、A12、A13、A14(區域A11、A12、A13先前被掃描且A14當前被掃描，如圖4所示)、針對光束B2之區域A21、A22、A23及A24(區域A21、A22、A23先前被掃描且A24當前被掃描，如圖4所示)，以及針對光束B3之區域A31、A32、A33及A34(區域A31、A32、A33先前被掃描且A34當前被掃描，如圖4所示)。藉此，基板表面之區域A1、A2及A3可隨著在旋轉可旋轉框架8時於方向D上基板之移動而被覆蓋。將多個光束投影通過同一透鏡會允許在較短時間範圍內處理整個基板(以可旋轉框架8之相同旋轉速度)，此係因為：對於每次通過一透鏡，複數個光束用每一透鏡來掃描基板，藉此允許針對順次掃描在方向D上之增加位移。以不同觀點，對於給定處理時間，當多個光束經由同一透鏡而投影至基板上時，可旋轉框架之旋轉速度可縮減，藉此可能地縮減歸因於高旋轉速度之效應，諸如，可旋轉框架之變形、磨損、振動、擾動，等等。在一實施例中，複數個光束經配置成與透鏡14、18之旋轉之切線成一角度，如圖4所示。在一實施例中，複數個光束經配置成使得每一光束重疊於或鄰接於一鄰近光束之一掃描路徑。
可在放寬容許度時發現多個光束一次藉由同一透鏡投影之態樣之另外效應。歸因於透鏡之容許度(定位、光學投影，等等)，順次區域A11、A12、A13、A14之位置(及/或區域A21、A22、A23及A24之位置，及/或區域A31、A32、A33及A34之位置)可展示相對於彼此的某一程度之定位不準確性。因此，可能需要在順次區域A11、A12、A13、A14之間的某一程度之重疊。在(例如)一個光束之10%作為重疊的狀況下，處理速度將藉此在單一光束一次通過同一透鏡的狀況下縮減達10%之相同因數。在存在一次投影通過同一透鏡之5個或5個以上光束的情形中，將針對每隔5個或5個以上經投影線而提供10%之相同重疊(相似地參考上文之一個光束實例)，因此將總重疊縮減達大約5或5以上之因數而達到2%或2%以下，藉此具有對總處理速度之顯著較低效應。相似地，以至少10個光束之投影可將總重疊縮減達大約10之因數。因此，容許度對基板之處理時間的效應可藉由多個光束一次藉由同一透鏡投影之特徵而縮減。或者或另外，可允許更多重疊(因此允許較大容許度範圍(tolerance band))，此係因為：其對處理之效應在多個光束一次藉由同一透鏡投影的情況下低。
或者，或除了一次經由同一透鏡而投影多個光束以外，亦可使用交錯技術，然而，其可能需要在透鏡之間的可比較更嚴格之匹配。因此，一次經由透鏡中之同一透鏡而投影至基板上之至少兩個光束具有相互間隔，且微影裝置可經配置以操作第二致動器，以便相對於光學圓柱移動基板以使光束之隨後投影待投影於該間隔中。
為了縮減在方向D上呈群組之順次光束之間的距離(藉此(例如)達成在方向D上之較高解析度)，該等光束可相對於方向D而相對於彼此對角地配置。可藉由在光徑中提供分段鏡面30來進一步縮減間隔，每一片段係用以反射光束之一各別光束，該等片段經配置以相對於如入射於鏡面上之光束之間的間隔而縮減如藉由鏡面反射之光束之間的間隔。亦可藉由複數個光纖來達成此效應，光束中每一者入射於該等光纖中之一各別光纖上，該等光纖經配置以沿著光徑相對於在該等光纖上游之光束之間的間隔而縮減在該等光纖下游之光束之間的間隔。
另外，可使用具有複數個輸入之整合光波導電路來達成此效應，複數個輸入各自係用於接收光束中之一各別光束。整合光波導電路經配置以沿著光徑相對於在整合光波導電路上游之光束之間的間隔而縮減在整合光波導電路下游之光束之間的間隔。
在本發明之一實施例中，提供一種用於控制投影至基板上之影像之聚焦的系統。可提供該配置以調整藉由呈如上文所論述之配置之光學圓柱之部件或全部投影之影像的聚焦。
如圖5所描繪，聚焦調整配置可包括輻射光束擴展器40，輻射光束擴展器40經配置成使得經由輻射光束擴展器40而投影上文所論述的投影至場透鏡14上之可程式化圖案化器件4之影像。上文所論述之場透鏡14及成像透鏡18經配置成使得投影至場透鏡14上之影像投影至被支撐於基板台2上之基板上。因此，藉由在平行於投影系統之光軸46之方向上調整投影至場透鏡14上之影像的位置，可調整形成於基板之位階處的影像之聚焦。如下文將進一步所論述，輻射光束擴展器40用以提供投影至場透鏡14上之影像之位置的此調整。
此情形可為有利的，此係因為其意謂可在不調整基板相對於投影系統之位置的情況下執行聚焦調整。此情形可針對橫越基板上之照明場之完全寬度而定位的不同區域獨立地實現準確聚焦控制。舉例而言，每一光學圓柱或其部件可具有調整正由其投影至基板上之影像之聚焦的獨立能力。
此外，此配置無需在平行於投影系統之光軸46之方向上調整場透鏡14或成像透鏡18之位置。
此控制在如下配置中可為困難的：其中如上文所論述，場透鏡14及成像透鏡18經配置以在垂直於投影系統之光軸46之方向上移動。舉例而言，如圖5所描繪且與上文所論述之配置一致，場透鏡14及成像透鏡18可安裝至受到第一致動器系統11驅動之旋轉框架8。
輻射光束擴展器40可由一對軸向對準式正透鏡41、42形成。透鏡41、42可(例如)藉由剛性支撐框架43而相對於彼此固定地定位。
在一實施例中，輻射光束擴展器40可經組態成使得其既為物件-空間遠心又為影像-空間遠心。應理解，就物件-空間遠心而言，吾人意謂入射光瞳位於無窮遠處，且就影像-空間遠心而言，吾人意謂出射光瞳位於無窮遠處。
可提供及配置第二致動器系統44，以便在平行於投影系統之光軸46之方向上控制輻射光束擴展器40之位置。
詳言之，第二致動器系統44可經組態以作用於支撐框架43上，以便調整第一透鏡41及第二透鏡42相對於場透鏡14之位置，同時維持第一透鏡41與第二透鏡42之相對位置。
可特定地組態第二致動器系統44，以便確保輻射光束擴展器40僅在平行於光軸46之方向上移動，且使得在垂直於投影系統之光軸46之方向上實質上不存在輻射光束擴展器40之移動。在平行於投影系統之光軸46之方向上輻射光束擴展器40之移動係用以調整投影至場透鏡14上的可程式化圖案化器件4之影像的位置。
可提供控制器45，控制器45經調適以控制第二致動器44，以便以適當方式移動輻射光束擴展器40，以便提供投影至基板上之影像的所要聚焦控制。詳言之，沿著投影系統之光軸46的輻射光束擴展器40之移動與基板處之後繼聚焦移位成比例。因而，控制器可儲存用於系統之預定倍數，且使用此預定倍數以將基板處之所要聚焦移位轉換成輻射光束擴展器40之所需移動。隨後，控制器45可控制第二致動器系統44，以便提供所要移動。
結合在待投影有影像之目標部分處基板之上部表面之失真的量測，可(例如)自基板及/或基板台2之位置的量測判定基板之位階處的所需聚焦移位。可在將圖案曝光於基板上之前映射基板之上部表面之失真，及/或可緊接地在將圖案投影至基板之每一部分上之前針對基板之該部分來量測基板之上部表面之失真。
使輻射光束擴展器40之移動與基板處之聚焦移位有關的倍數可藉由以下公式判定：
(1/B2 )/(A2 -1)
其中A為輻射光束擴展器40之放大率，且B為該輻射光束擴展器將可程式化圖案化器件之影像所投影至的透鏡14至基板之光學系統之放大率(即，場透鏡14與成像透鏡18之組合之放大率)。
在一例示性實施例中，場透鏡14與成像透鏡18之組合式系統之放大率可為1/15(亦即，縮小率)，且輻射光束擴展器40之放大率可為2。因而，在使用上文之公式的情況下，將看出，對於在基板之位階處的25微米之聚焦移位，輻射光束擴展器之所需移動為1.875毫米。
如上文所提及，可針對微影裝置內之每一光學圓柱分離地提供本發明之聚焦配置。因而，應瞭解，每一光學圓柱可包括一各別輻射光束擴展器40及關聯致動器系統44，關聯致動器系統44經配置以在平行於投影系統之光軸46之方向上移動各別輻射光束擴展器40。
根據本發明之一實施例，可在光學圓柱之部件之移動(在此實例中，可旋轉框架8及透鏡14、18之旋轉)期間調變自發射對比器件(例如，雷射二極體)中每一者之強度，以便將所要圖案輻照至基板上。應注意，光學圓柱之部件(即，框架8及透鏡14、18)為可旋轉的所描述概念允許在高移動準確性及重現性下的透鏡14、18之高移動速度。
在如所描繪之實施例中，一對透鏡14、18一起形成一投影實體以將至少兩個光束投影至基板上。應理解，此投影實體可包含一或多個透鏡。因此，可以光束中至少兩者藉由來自可旋轉框架之複數個投影實體之投影實體中之同一投影實體投影至基板上的方式理解本發明之一實施例，每一投影實體包含至少一透鏡且經配置以將至少兩個光束投影至基板上。
根據一器件製造方法，可由已經投影有圖案之基板製造器件(諸如，顯示器、積體電路或任何其他項目)。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者，包括折射、繞射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件或其組合。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1．．．微影裝置
2．．．基板台
3．．．定位器件
4．．．個別可控制自發射對比器件/個別可控制元件/可程式化圖案化器件
5．．．框架
7．．．致動器/馬達
8．．．旋轉框架/可旋轉框架
9．．．可移動光學器件
10．．．軸線
11．．．馬達/第一致動器系統
12．．．透鏡/投影系統
13．．．孔隙結構
14．．．投影系統/場透鏡/透鏡集合
15．．．框架
17．．．基板
18．．．投影系統/成像透鏡/透鏡集合
19．．．對準/位階感測器
21．．．陣列
30．．．分段鏡面
40．．．輻射光束擴展器
41．．．正透鏡/第一透鏡
42．．．正透鏡/第二透鏡
43．．．剛性支撐框架
44．．．第二致動器系統/第二致動器
45．．．控制器
46．．．投影系統之光軸
A1．．．基板表面之區域
A2．．．基板表面之區域
A3．．．基板表面之區域
A11．．．區域
A12．．．區域
A13．．．區域
A14．．．區域
A21．．．區域
A22．．．區域
A23．．．區域
A24．．．區域
A31．．．區域
A32．．．區域
A33．．．區域
A34．．．區域
B1．．．第一光束集合/光束
B2．．．第二光束集合/光束
B3．．．第三光束集合/光束
D．．．方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件；
圖2描繪根據本發明之一實施例的圖1之微影裝置之部件的俯視圖；
圖3描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件的高度示意性透視圖；
圖4描繪根據本發明之一實施例的藉由根據圖3之微影裝置至基板上之投影的示意性俯視圖；及
圖5描繪根據本發明之一實施例的用於控制聚焦之系統之配置。
2．．．基板台
4．．．個別可控制自發射對比器件/個別可控制元件/可程式化圖案化器件
8．．．旋轉框架/可旋轉框架
11．．．馬達/第一致動器系統
12．．．透鏡/投影系統
14．．．投影系統/場透鏡/透鏡集合
18．．．投影系統/成像透鏡/透鏡集合
40．．．輻射光束擴展器
41．．．正透鏡/第一透鏡
42．．．正透鏡/第二透鏡
43．．．剛性支撐框架
44．．．第二致動器系統/第二致動器
45．．．控制器
46．．．投影系統之光軸

Claims (9)

  1. 一種具有至少一光學圓柱(column)之微影裝置，該至少一光學圓柱包含：一可程式化圖案化器件，其經組態以提供複數個輻射光束；及一投影系統，其經組態以將該複數個光束投影至基板上；其中該投影系統包含複數個透鏡；且該光學圓柱包含：一第一致動器系統，其經組態以在垂直於該投影系統之光軸之一方向上移動該等透鏡中至少一者以使該複數個光束遍及該基板之一目標部分進行掃描；一輻射光束擴展器，其經組態以將該可程式化圖案化器件之一影像投影至該至少一透鏡上；及一第二致動器系統，其經組態以在平行於該投影系統之該光軸之一方向上移動該輻射光束擴展器，其中該輻射光束擴展器包含以一固定分離度(separation)而配置之一對軸向對準式正透鏡(axially aligned positive lenses)。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該輻射光束擴展器經組態成既為物件-空間遠心又為影像-空間遠心。
  3. 如請求項1之微影裝置，其中該輻射光束擴展器將該可程式化圖案化器件之該影像所投影至的該透鏡為一場透鏡； 該投影系統進一步包含一成像透鏡，該成像透鏡經配置成使得投影至該場透鏡上之該影像投影至該基板上；且該場透鏡及該成像透鏡之位置相對於彼此固定且可藉由該第一致動器系統移動。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該場透鏡及該成像透鏡安裝至一可旋轉框架；其中該可旋轉框架經組態以圍繞平行於該投影系統之該光軸之一軸線而旋轉。
  5. 如請求項1之微影裝置，其中該第二致動器系統經組態以防止在垂直於該投影系統之該光軸之一方向該輻射光束擴展器之移動，同時在平行於該投影系統之該光軸之該方向上移動該輻射光束擴展器。
  6. 如請求項1微影裝置，其進一步包含一控制器，該控制器經組態以控制至少該第二致動器系統；其中該控制器經組態以：接收與該基板處之一聚焦位移有關的一信號；基於該基板處之該聚焦位移之一預定倍數而將該信號轉換成該輻射光束擴展器之一所需位移；及將一信號輸出至該第二致動器系統以實現該輻射光束擴展器之該所需移動。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該預定倍數為：(1/B2 )/(A2 -1)其中A為該輻射光束擴展器之放大率，且B為自該輻射光束擴展器將該可程式化圖案化器件之一影像所投影至 的該透鏡至該基板之光學系統之放大率。
  8. 如請求項1之微影裝置，其具有至少一第二光學圓柱，該至少一第二光學圓柱包含：一第二可程式化圖案化器件，其經組態以提供第二複數個輻射光束；及一第二投影系統，其經組態以將該第二複數個光束投影至該基板上；其中該第二投影系統包含第二複數個透鏡；且該第二光學圓柱包含：一第三致動器系統，其經組態以在垂直於該第二投影系統之光軸之一方向上移動該第二投影系統之該等透鏡中至少一者以使該第二複數個光束遍及該基板之一目標部分進行掃描；一第二輻射光束擴展器，其經組態以將該第二可程式化圖案化器件之一影像投影至該第二投影系統之該至少一透鏡上；及一第四致動器系統，其經組態以在平行於該第二投影系統之該光軸之一方向上移動該第二輻射光束擴展器。
  9. 一種器件製造方法，其包含：使用至少一光學圓柱將一圖案創製於一基板之一目標部分上，該至少一光學圓柱具有經組態以提供複數個輻射光束之一可程式化圖案化器件，及經組態以將該複數個光束投影至該基板之該目標部分上之一投影系統，該投影系統包含複數個透鏡； 在垂直於該投影系統之光軸之一方向上移動該等透鏡中至少一者以使該複數個光束遍及該基板之該目標部分進行掃描；使用一輻射光束擴展器以將該可程式化圖案化器件之一影像投影至該至少一透鏡上；及在平行於該投影系統之該光軸之一方向上控制該輻射光束擴展器之位置，以便調整形成於該基板上之該影像之聚焦，其中該輻射光束擴展器包含以一固定分離度而配置之一對軸向對準式正透鏡。
TW100144705A 2010-12-08 2011-12-05 微影裝置及器件製造方法 TWI448840B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42096510P 2010-12-08 2010-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201229687A TW201229687A (en) 2012-07-16
TWI448840B true TWI448840B (zh) 2014-08-11

Family

ID=44947113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100144705A TWI448840B (zh) 2010-12-08 2011-12-05 微影裝置及器件製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9316926B2 (zh)
JP (1) JP5689535B2 (zh)
KR (1) KR101501967B1 (zh)
CN (1) CN103238113B (zh)
NL (1) NL2007789A (zh)
TW (1) TWI448840B (zh)
WO (1) WO2012076300A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10897566B2 (en) 2016-09-28 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Direct focusing with image binning in metrology tools
CN112230425B (zh) * 2020-12-08 2021-03-16 江西联创光电科技股份有限公司 一种半导体激光器扩束镜调整装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
JP2000507749A (ja) * 1996-06-29 2000-06-20 ドイチェス ツェントルム フューア ルフト ウント ラウムファールト エー．ファウ． リソグラフィ露光装置およびリソグラフィ処理
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JP2004502197A (ja) * 2000-06-27 2004-01-22 マイクロニック　レーザー　システムズ　アクチボラゲット マルチビームパターン生成装置
TW201015244A (en) * 2008-09-22 2010-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2631850C2 (de) 1976-07-15 1984-11-22 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren sowie Vorrichtung zum zeilenweisen Belichten punktförmiger Flächenelemente eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsträgers
JPS57152273A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Ricoh Co Ltd Electronic photograph type printer
JPS58145916A (ja) 1982-02-24 1983-08-31 Hitachi Ltd デイスク型レンズ光走査器
US4447126A (en) 1982-07-02 1984-05-08 International Business Machines Corporation Uniformly intense imaging by close-packed lens array
US4520472A (en) 1983-02-07 1985-05-28 Rca Corporation Beam expansion and relay optics for laser diode array
US4525729A (en) 1983-04-04 1985-06-25 Polaroid Corporation Parallel LED exposure control system
US4780730A (en) 1986-04-11 1988-10-25 Itek Graphix Corp. Led-array image printer
KR920002820B1 (ko) 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US4864216A (en) 1989-01-19 1989-09-05 Hewlett-Packard Company Light emitting diode array current power supply
GB8923709D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of images using an array of light emmiting diodes
US4952949A (en) 1989-11-28 1990-08-28 Hewlett-Packard Company LED printhead temperature compensation
ATE123885T1 (de) 1990-05-02 1995-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5216247A (en) 1992-02-07 1993-06-01 Ying Wang Optical scanning method with circular arc scanning traces
US5216534A (en) 1992-04-24 1993-06-01 E-Systems, Inc. Read-write head for an optical tape recorder
JPH06275936A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Oki Electric Ind Co Ltd 回路パターン形成方法
US5457488A (en) 1993-04-12 1995-10-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements
DE4315580A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE4315581A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Laserdioden mit Kühlsystem
DE59403740D1 (de) 1993-05-19 1997-09-18 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5481392A (en) 1993-12-21 1996-01-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Axial mirror scanner system and method
JPH07276706A (ja) 1994-03-04 1995-10-24 Xerox Corp ディジタルプリンタ及びｌｅｄプリントバーにおけるｌｅｄ画素非均一性補正方法
US5589973A (en) 1994-05-16 1996-12-31 Agfa Division, Bayer Corporation Optical enclosure for high speed rotating beam deflector
US5610754A (en) 1994-08-09 1997-03-11 Gheen; Gregory Method and apparatus for photolithography by rotational scanning
US5568320A (en) 1994-11-30 1996-10-22 Xerox Corporation Multiple row lens array alignable with multiple row image bar
IL115864A (en) 1995-11-02 1999-05-09 Orbotech Ltd Method and apparatus for delivering laser energy to an object
JP3318171B2 (ja) 1995-11-10 2002-08-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイおよび光書込装置
US5840451A (en) 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
WO1998033096A1 (en) 1997-01-29 1998-07-30 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
DE19813127A1 (de) 1997-03-27 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Laservorrichtung
ATE213373T1 (de) 1997-05-14 2002-02-15 Luescher Ursula System zum belichten von druckplatten und dessen verwendung
US6137105A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Science Applications International Corporation Multiple parallel source scanning device
US6268613B1 (en) 1999-03-02 2001-07-31 Phormax Corporation Multiple-head phosphor screen scanner
US6204875B1 (en) 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
EP1187186A1 (en) 1998-11-18 2002-03-13 Nikon Corporation Exposure method and device
JP3652537B2 (ja) 1998-12-25 2005-05-25 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法及びその装置
DE10015245C2 (de) 1999-03-31 2002-01-03 Fraunhofer Ges Forschung Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung von zweidimensionalen Arrays von Laserdioden
US6310710B1 (en) 1999-04-23 2001-10-30 Arie Shahar High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed
US6466352B1 (en) 1999-04-23 2002-10-15 Arie Shahar High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
US20020115021A1 (en) 2001-02-01 2002-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device
US20020126479A1 (en) 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
GB2395799B (en) 2001-07-27 2005-06-15 Tesa Scribos Gmbh Lithograph having a moving cylindrical lens system
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US20030091277A1 (en) 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2003178954A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2003220484A (ja) 2002-01-23 2003-08-05 Fine Device:Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4016179B2 (ja) * 2002-02-28 2007-12-05 ソニー株式会社 露光装置及び収束レンズの制御方法
GB2389457B (en) 2002-06-07 2006-07-26 Microsaic Systems Ltd Microengineered optical scanner
WO2004013692A2 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
US20050042390A1 (en) 2003-01-09 2005-02-24 Siegel Stephen B. Rotary UV curing method and apparatus
US7175712B2 (en) 2003-01-09 2007-02-13 Con-Trol-Cure, Inc. Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives
JP2004327660A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005024584A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp 走査型投影露光装置及び露光方法
US20080298542A1 (en) 2003-07-15 2008-12-04 Natalia Viktorovna Ivanova Image Producing Methods and Image Producing Devices
JP2005114922A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Canon Inc 照明光学系及びそれを用いた露光装置
US6967711B2 (en) 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060108508A1 (en) 2004-03-12 2006-05-25 Najeeb Khalid Method and apparatus for high speed imaging
US7116404B2 (en) 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE112004002893A5 (de) 2004-06-30 2007-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtdiodenmatrix und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenmatrix
WO2006064363A1 (en) 2004-12-14 2006-06-22 Radove Gmbh Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
US8259286B2 (en) 2004-12-21 2012-09-04 Carnegie Mellon University Lithography and associated methods, devices, and systems
US7864293B2 (en) 2005-01-25 2011-01-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and producing method of microdevice
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
KR101407754B1 (ko) 2005-10-26 2014-06-16 마이크로닉 마이데이터 아베 라이팅 장치 및 방법
KR20080068006A (ko) 2005-11-15 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2009528561A (ja) 2006-02-28 2009-08-06 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
US9001028B2 (en) 2006-08-19 2015-04-07 David James Baker Projector pen
DK1892576T3 (da) 2006-08-25 2013-09-16 Luescher Technologies Ag Eksponeringsindretning til at fremstille serigrafiskabeloner
DE102006059818B4 (de) 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
WO2008099706A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Sanyo Electric Co., Ltd. 光ピックアップ装置
JP4473297B2 (ja) 2007-09-20 2010-06-02 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直描装置
US8130623B2 (en) 2008-05-23 2012-03-06 Panasonic Corporation Optical information recording and/or reproducing apparatus, optical information recording and/or reproducing method, optical information recording medium, and solid immersion lens
JP2010027755A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Panasonic Corp パターン形成方法
CN102362226B (zh) 2008-12-05 2014-11-05 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 用于在工件上写入或读取图像的旋转臂
US20100265557A1 (en) 2009-04-21 2010-10-21 Jesper Sallander Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same
JP2010278335A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子及びこれを用いた光ピックアップ装置
EP2267534A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system
EP2473881B1 (en) 2009-09-01 2014-04-09 Micronic Mydata AB Pattern generation system
US8506559B2 (en) 2009-11-16 2013-08-13 Alcon Lensx, Inc. Variable stage optical system for ophthalmic surgical laser
JP5603957B2 (ja) * 2010-02-23 2014-10-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2011104171A1 (en) 2010-02-23 2011-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JP2000507749A (ja) * 1996-06-29 2000-06-20 ドイチェス ツェントルム フューア ルフト ウント ラウムファールト エー．ファウ． リソグラフィ露光装置およびリソグラフィ処理
JP2004502197A (ja) * 2000-06-27 2004-01-22 マイクロニック　レーザー　システムズ　アクチボラゲット マルチビームパターン生成装置
TW201015244A (en) * 2008-09-22 2010-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130087041A (ko) 2013-08-05
KR101501967B1 (ko) 2015-03-12
CN103238113A (zh) 2013-08-07
JP5689535B2 (ja) 2015-03-25
WO2012076300A1 (en) 2012-06-14
CN103238113B (zh) 2015-09-09
JP2013546186A (ja) 2013-12-26
US9316926B2 (en) 2016-04-19
TW201229687A (en) 2012-07-16
US20130250267A1 (en) 2013-09-26
NL2007789A (en) 2012-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI427431B (zh) 微影裝置、可程式化圖案化器件及微影方法
TWI426358B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI494708B (zh) 微影裝置、可程式化之圖案化器件及微影方法
TWI414904B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI467347B (zh) 基板處置裝置及微影裝置
TWI408514B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI448830B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI585540B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI427437B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI431435B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI557514B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI533094B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI438580B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI448840B (zh) 微影裝置及器件製造方法
TWI505039B (zh) 微影裝置及元件製造方法
KR20130132986A (ko) 리소그래피에서 방사선 빔 스팟 위치의 측정
TWI505040B (zh) 微影裝置、量測輻射光束光點聚焦的方法及元件製造方法
TWI427436B (zh) 微影裝置及元件製造方法
JP2010067867A (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees