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TWI444451B - 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 - Google Patents

用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 Download PDF

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TWI444451B
TWI444451B TW099117292A TW99117292A TWI444451B TW I444451 B TWI444451 B TW I444451B TW 099117292 A TW099117292 A TW 099117292A TW 99117292 A TW99117292 A TW 99117292A TW I444451 B TWI444451 B TW I444451B
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TW099117292A
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TW201107443A (en
Inventor
Sadahito Misumi
Naohide Takamoto
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201107443A publication Critical patent/TW201107443A/zh
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Description

用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
本發明係關於一種用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包括一覆晶型半導體背面之薄膜。該覆晶型半導體背面之薄膜用於保護一晶片形工件(例如一半導體晶片)之一背面並增強強度及諸如此類之目的。此外，本發明係關於一種用於使用一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法及一種覆晶安裝式半導體裝置。
近年來，已越來越要求半導體裝置及其封裝之薄化及小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，已廣泛利用一其中一晶片形工件(例如一半導體晶片)藉助覆晶結合安裝(覆晶結合)於一基板上之覆晶類型之半導體裝置。於此覆晶結合中，將一半導體晶片以一其中該半導體晶片之一電路面與一基板之一電極形成面對置之形式固定至該基板。於此一半導體裝置或類似裝置中，可存在半導體晶片(晶片形工件)之背面由保護薄膜保護以阻止半導體晶片損壞或諸如此類之情形(參見，例如，專利文獻1至10)。
專利文獻1：JP-A-2008-166451
專利文獻2：JP-A-2008-006386
專利文獻3：JP-A-2007-261035
專利文獻4：JP-A-2007-250970
專利文獻5：JP-A-2007-158026
專利文獻6：JP-A-2004-221169
專利文獻7：JP-A-2004-214288
專利文獻8：JP-A-2004-142430
專利文獻9：JP-A-2004-072108
專利文獻10：JP-A-2004-063551
然而，將用於保護半導體晶片之背面之背面保護薄膜附著至藉由在一切晶步驟中切晶半導體晶圓所獲得之半導體晶片之背面導致添加一用於附著之步驟，從而使步驟數目增加且成本及諸如此類增加。此外，由於薄化，半導體晶片在某些情形下可於一在該切晶步驟之後對該半導體晶片之拾取步驟中受損。因此，期望在該拾取步驟之前強化該半導體晶圓或半導體晶片。
考慮到上述問題，本發明之目的係提供一種能夠自半導體晶圓切晶步驟至半導體晶片覆晶結合步驟利用之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
此外，本發明之另目的係提供一種能夠在半導體晶片切晶步驟中展現極佳固持力且能夠在半導體晶片覆晶結合步驟之後展現極佳雷射標記性質及極佳外觀性質之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
為了解決上述問題，本發明者進行了廣泛且深入的研究。結果，已發現，當將具有指定多層結構之覆晶型半導體背面之薄膜層壓於包括基礎材料及壓敏黏合劑層之切晶帶之壓敏黏合劑層上從而以一體形式形成切晶帶及覆晶型半導體背面之薄膜時，可自半導體晶圓切晶步驟至半導體晶片覆晶結合步驟利用其中切晶帶及半導體背面之薄膜係以一體形式形成之壓層(用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜)，可在半導體晶圓切晶步驟中展現極佳固持力，且可在半導體晶片覆晶結合步驟之後展現極佳雷射標記性質及極佳外觀性質，從而導致本發明之成就。
亦即，本發明提供一種用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包含：一切晶帶，其包括一基礎材料及一提供於該基礎材料上之壓敏黏合劑層；及一覆晶型半導體背面之薄膜，其提供於該壓敏黏合劑層上，其中該覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括一晶圓黏合層及一雷射標記層之多層結構，其中該晶圓黏合層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合物含有一熱固性樹脂組分及作為一可選組分之一相對於樹脂組分之總量小於30重量%之量之熱塑性樹脂組分，且其中該晶圓黏合層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合物含有一熱固性樹脂組分及作為一可選組分之一相對於樹脂組分之總量小於30重量%之量之熱塑性樹脂組分。
如上述，於本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，該覆晶型半導體背面之薄膜與包括該基礎材料及該壓敏黏合劑層之該切晶帶係以一體方式形成，且該覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括該晶圓黏合層及該雷射標記層之多層結構。因此，在切晶該半導體晶圓(工件)時，可藉由利用該晶圓黏合層藉助極佳緊密黏合將該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜附著至該半導體晶圓來固持並有效地切晶該半導體晶圓。此外，在切晶該半導體晶圓以形成一晶片形工件(例如，一半導體晶片)之後，藉由將該晶片形工件連同該覆晶型半導體背面之薄膜剝離該切晶帶之該壓敏黏合劑層，可容易獲得其背面受到保護之晶片形工件。此外，由於包括該雷射標記層，因此可使該晶片形工件之背面(亦即，該雷射標記層)經受具有極佳雷射標記性質之雷射標記。此外，可有效地增強該外觀性質及類似性質。
於本發明中，該晶圓黏合層係由一含有一熱固性樹脂及作為一可選組分之一相對於樹脂組分之總量小於30重量%之量之熱塑性樹脂組分(在該熱塑性樹脂組分之量為0重量%之情形下，不含有該熱塑性樹脂組分)之樹脂組合物形成，且該雷射標記層係由一含有一相對於樹脂組分之總量為30重量%或以上之量之熱塑性樹脂組分及作為一可選組分之一熱固性樹脂組分(在該熱塑性樹脂組分之量為100重量%之情形下，不含有該熱固性樹脂組分)之樹脂組合物形成。
於一實施例中，該晶圓黏合層相對於一半導體晶圓具有一1 N/10 mm-寬度或以上之黏合力；且當在一其中一輻射強度為1.0 W之條件下用一具有532 nm之波長之釩酸釔雷射輻射時該雷射標記層具有一2 μm或以上之加工深度。
於一實施例中，該晶圓黏合層及該雷射標記層分別含有一添加至其之著色劑。
於一實施例中，該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜係在覆晶結合時使用。
本發明亦提供一種用於使用上述用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法，該方法包含：將一工件附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之該覆晶型半導體背面之薄膜之該晶圓黏合層上，切晶該工件以形成一晶片形工件，將該晶片形工件連同該覆晶型背面薄膜剝離該切晶帶之該壓敏黏合劑層，及藉由覆晶結合將該晶片形工件固定至一黏合體。
本發明進一步提供一種藉由上述方法製造之覆晶安裝式半導體裝置。
根據本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，不僅以一體形式形成該切晶帶及該覆晶型半導體背面之薄膜，而且該覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括該晶圓黏合層及該雷射標記層之多層結構。因此，可自一工件(例如一半導體晶圓)之一切晶步驟至一晶片形工件(例如半一導體晶片)之一覆晶結合步驟利用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。特定而言，本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜可在一工件之切晶步驟中展現一極佳固持力且亦可在一晶片形工件之覆晶結合步驟之後展現一極佳雷射標記性質及一極佳外觀性質。此外，於該覆晶結合步驟及類似步驟中，因於該晶片形工件之背面由該覆晶型半導體背面之薄膜保護，因此可有效地抑制或防止該晶片形工件之破損、剝落、翹曲及諸如此類。當然，本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜可在除自該晶片形工件之切晶步驟至覆晶結合步驟以外的步驟中有效地展現其功能。
用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
參照圖1來闡述本發明之一實施例，但本發明不僅限於此實施例。圖1係一顯示本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之一實施例之剖面示意圖。於圖1中，1係一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜(在下文中有時稱作「切晶帶一體型半導體背面保護薄膜」、「具有切晶帶之半導體背面之薄膜」或「具有切晶帶之半導體背面保護薄膜」)；2係一覆晶型半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜」或「半導體背面保護薄膜」)；21係一雷射標記層；22係一晶圓黏合層；3係一切晶帶；31係一基礎材料；及32係一壓敏黏合劑層。
附帶而言，於本說明書之圖式中，未給出對說明無關緊要之部分，且存在藉由放大、縮小等來顯示以使說明變得容易之部分。
如圖1中所示，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1具有一組態，該組態包括：包括形成於基礎材料31上之壓敏黏合劑層32之切晶帶3、及包括形成於雷射標記層21上之晶圓黏合層22之半導體背面之薄膜。此外，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1係以一其中壓敏黏合劑層32與雷射標記層21彼此接觸之形式構成。半導體背面之薄膜2之表面(欲附著至半導體晶圓(工件)之背面之表面；亦即，晶圓黏合層22之表面)可在該週期期間由一隔離物或類似物保護直至其附著至晶圓之背面為止。
用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1既可具有一其中半導體背面之薄膜2形成於切晶帶3之壓敏黏合劑層32之整個表面上方之組態亦可具有一其中，如圖1中所示，半導體背面之薄膜2僅形成於欲將半導體晶圓附著至其之切晶帶3之壓敏黏合劑層32之一部分上之組態。
覆晶型半導體背面之薄膜
半導體背面之薄膜2具有一薄膜形狀。如先前所述，由於半導體背面之薄膜2具有一包括雷射標記層21及晶圓黏合層22之多層結構，因此在切削一附著至半導體背面之薄膜2上之半導體晶圓(亦即，晶圓黏合層22)之切削加工步驟(切晶步驟)中，半導體背面之薄膜2具有一藉助至該半導體晶圓之緊密黏合來支撐該半導體晶圓之功能且能夠展現黏合性以使得切削件不會散開。此外，於一在該切晶步驟之後的拾取步驟中，可容易將已藉由切晶個體化之半導體晶片(晶片形工件)連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3。此外，在該拾取步驟之後(在將已藉由切晶個體化之半導體晶片連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3之後)，半導體背面之薄膜2具有一保護該半導體晶片之背面之功能。此外，由於雷射標記層21變為該半導體晶片之背面側上的最外層，因此可顯露一展現極佳雷射標記性質之功能。此外，由於晶圓黏合層22藉助極佳緊密黏合附著至該半導體晶片之背面，因此觀察不到因缺陷黏合而引起之鼓起或諸如此類，且該半導體晶片可展現極佳外觀性質。如上述，由於半導體背面之薄膜2具有極佳雷射標記性質，因此可執行雷射標記以藉由利用一經由半導體背面之薄膜2之雷射標記方法使用該半導體晶片來賦予一半導體晶片或一半導體裝置之非電路側上之面(更詳細地，半導體背面之薄膜2之雷射標記層21)各種資訊，諸如文字資訊及圖形資訊。
根據本發明，於半導體背面之薄膜2中，較佳地雷射標記21係有色的，但更佳地晶圓黏合層22及雷射標記層21兩者皆係有色的。如上述，於半導體背面之薄膜2中，當雷射標記層21(較佳地，晶圓黏合層22及雷射標記層21)係有色的時，可更多地展現極佳雷射標記性質。特定而言，藉由控制著色之色彩，可觀察到藉由具有極佳可見度之標記所賦予之資訊(例如，文字資訊及圖形資訊)。
特定而言，由於半導體背面之薄膜2具有至半導體晶圓或半導體晶片之極佳緊密黏合，因此觀察不到鼓起或諸如此類。此外，由於半導體背面之薄膜2可展現極佳外觀性質，因此可獲得一具有極佳增值外觀性質之半導體裝置。舉例而言，作為半導體裝置，可藉由使用不同色彩來分類其產品。
此外，藉由著色雷射標記層21及晶圓黏合層22，可容易把切晶帶3與半導體背面之薄膜2彼此區別開，且可增強可工件性及諸如此類。
如上述，半導體背面之薄膜2不用於將一半導體晶片晶粒結合至一黏合體(例如一基板)但用於保護欲覆晶安裝(或已覆晶安裝)之半導體晶片之背面(非電路面)且具有對於其最佳之功能及構造。就此而言，一晶粒結合薄膜係一用於將該半導體晶片強力附著至該黏合體(例如基板)上之應用之黏合劑層。此外，於使用一晶粒結合薄膜之半導體裝置中，由於其最終由一囊封樹脂囊封，因此該晶粒結合薄膜在功能及構造方面不同於旨在保護半導體晶圓及半導體晶片中之每一者之背面之本發明之半導體背面之薄膜2。因此，使用本發明之半導體背面之薄膜2作為晶粒結合薄膜並非係較佳的。
半導體背面之薄膜2之厚度(總厚度)不受特別限制而是可(例如)在自約5 μm至500 μm之範圍內合適地選擇。此外，半導體背面之薄膜2之厚度較佳自約5 μm至150 μm，更佳自約5 μm至100 μm，進一步較佳自約5 μm至50 μm，更進一步較佳自約10 μm至30 μm，且尤其較佳自約15 μm至25 μm。
本發明之半導體背面之薄膜2之一在23℃下的彈性模數(拉伸儲存彈性模數E')為較佳1 GPa或以上，更佳2 GPa或以上，且尤其較佳3 GPa或以上。當半導體背面之薄膜2之拉伸儲存彈性模數為1 GPa或以上時，則在將半導體元件連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶之壓敏層，並隨後將半導體背面之薄膜2置於支撐件(例如，載體帶)上以執行輸送或諸如此類的時候，可有效地抑制或防止半導體背面之薄膜2附著至支撐件(例如，載體帶中之頂部帶或底部帶)。在半導體背面之薄膜2係由一含有一熱固性樹脂之樹脂組合物形成之情形下，如先前所述，由於該熱固性樹脂通常處於一未固化或部分地固化之狀態下，因此半導體背面之薄膜2在23℃下的拉伸儲存彈性模數通常係一處於一其中該熱固性樹脂未固化或部分地固化之狀態下之值。
半導體背面之薄膜2在23℃下的彈性模數(拉伸儲存彈性模數E')係藉由製備由晶圓黏合層22及雷射標記層21形成之半導體背面之薄膜2而不層壓於該切晶帶上並使用由Rheometrics公司製造之動態黏彈性量測設備「固體分析器RS A2」在一處於一規定溫度(23℃)下之氮氣氛下在10 mm之樣本寬度、22.5 mm之樣本長度、0.2 mm之樣本厚度、1 Hz之頻率及10℃/分鐘之溫度升高速率之條件下量測一處於一拉伸模式下之彈性模數來確定，且視為所獲拉伸儲存彈性模數E'之一值。
此外，處於未一固化狀態下之半導體背面之薄膜2之上述拉伸儲存彈性模數(23℃)可藉由合適地設定樹脂組分(熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂)之種類及含量或填充劑(例如二氧化矽填充劑)之種類及含量來加以控制。
一處於一可見光區(波長：自400 nm至800 nm)內之半導體背面之薄膜2之光透射比(可見光透射比)不受特別限制，而是(例如)較佳在不超過20%(自0%至20%)之範圍內，更佳處於不超過10%(自0%至10%)之範圍內，且尤其較佳在不超過5%(自0%至5%)之範圍內。當處於一可見光區內之半導體背面之薄膜2之光透射比不超過20%時，可見光透射過半導體背面之薄膜2並抵達一半導體晶片，藉此可減少對該半導體晶片之不利影響。
半導體背面之薄膜2之可見光透射比(%)可受控於構成半導體背面之薄膜2之樹脂組分之種類及含量、著色劑(例如，顏料及染料)之種類及含量、填充劑之種類及含量等等。
可(例如)以下述方式來計算可見光透射比(%)。亦即，製備具有一20 μm之厚度(平均厚度)之半導體背面之薄膜2而不層壓於該切晶帶上。接下來，使用「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」(Shimadzu公司之一商品名)用可見光來輻射半導體背面之薄膜2。可見光具有自400 nm至800 nm之波長。可根據下述表示式來計算已藉由此輻射透射過半導體背面之薄膜2之可見光之光強度。
可見光透射比(%)=[(可見光在透射過半導體背面之薄膜2之後的光強度)/(可見光之初始光強度)]×100
光透射比(%)之上述計算方法亦可應用於計算一其厚度並非係20 μm之半導體背面之薄膜之一光透射比(%)。特定而言，根據朗伯-比爾定律(Lambert-Beer law)，可按下述方式來計算一在20 μm之厚度之情形下之吸收率A20 。
A20 =α×L20 ×C　(1)
(於該公式中，L20 係一光路徑長度，α係一吸收率指數，C係一樣本濃度。)
另外，可按下述方式來計算一在X(μm)之厚度之情形下之吸收率AX 。
AX =α×LX ×C　(2)
此外，可按下文方式來計算在20 μm之厚度之情形下之吸收率A20 。
A20 =-log10 T20 　(3)
(於該公式中，T20 係一在20 μm之厚度之情形下之光透射比。)
自以上公式(1)至(3)，吸收率AX 可由下述公式表示。
AX =A20 ×(LX /L20 )=-[log10 (T20 )]×(LX /L20 )
因此，可按下文方式來計算一在X μm之厚度之情形下之光透射比TX (%)：
TX =10-Ax
其中AX =-[log10 (T20 )]×(LX /L20 )
此外，將在對一光透射比(%)之上述計算方法中之半導體背面之薄膜之厚度調節至20 μm之事實並不特別限制本發明之半導體背面之薄膜2之厚度。「20 μm」之值係一為了便於量測而採用之厚度。
此外，半導體背面之薄膜2較佳具有一低水分吸收率。特定而言，該水分吸收率較佳不超過1重量%，且更佳不超過0.8重量%。藉由將水分吸收率調節至不超過1重量%，可增強雷射標記性質。此外，例如，可在一回流步驟中抑制或防止空隙之產生。水分吸收率可(例如)藉由改變有機填充劑之添加量來加以調節。水分吸收率係一根據一當允許薄膜在一處於85℃及85% RH下之氣氛下靜置168小時時之重量變化所計算之值(參見下述表示式)。此外，在半導體背面之薄膜2係由一包含一熱固性樹脂之樹脂組合物形成之情形下，水分吸收率係一根據一當允許薄膜在熱固化之後在一處於85℃及85% RH下之氣氛下靜置168小時時之重量變化所計算之值。
水分吸收率(重量%)=[{(在允許半導體背面有色薄膜靜置之後的重量)-(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重量)}/(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重量)]×100此外，半導體背面之薄膜2較佳具有一揮發物質之一小比率。特定而言，一在一250℃之溫度下加熱1小時之後的重量減少之比率(重量減少比)較佳不超過1重量%，且更佳不超過0.8重量%。藉由將重量減少比調節至不超過1重量%，可增強雷射標記性質。此外，例如，可在該回流步驟中抑制或防止封裝中之裂紋之產生。重量減少比可(例如)藉由添加一能夠在無鉛焊料回流時減輕裂紋之產生之無機材料來加以調節。重量減少比係一根據一當在一處於250℃下之條件下對薄膜加熱1小時時之重量變化所計算之值(參見下述表示式)。此外，在半導體背面之薄膜2係由一含有一熱固性樹脂之樹脂組合物形成之情形下，重量減少比係一根據一當允許薄膜在熱固化之後在處於250℃下之條件下靜置1小時時之重量變化所計算之值。
重量減少比(重量%)=[{(在允許半導體背面有色薄膜靜置之前的重量)-(在允許半導體背面著色薄膜靜置之後的重量)}/(在允許半導體背面著色薄膜靜置之前的重量)]×100半導體背面之薄膜2(特定而言，晶圓黏合層22)較佳受一隔離物(釋放襯墊)(未顯示於圖式中)保護。該隔離物具有一作為一保護材料用於保護半導體背面之薄膜2(特定而言，晶圓黏合層22)直至其投入實際使用為止之功能。此外，在將半導體背面之薄膜2轉移至基礎材料31上之壓敏黏合劑層32時，該隔離物可進一步用作一支撐基礎材料。該隔離物在一半導體晶圓附著至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之半導體背面之薄膜2上時剝離。作為隔離物(聚乙烯或聚丙烯)，亦可使用一其表面塗有釋放劑(例如氟基釋放劑及丙烯酸長鏈烷基酯基釋放劑)之塑膠薄膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)或紙。該隔離物可藉由一通常已知之方法來形成。此外，該隔離物之厚度或諸如此類不受特別限制。
在半導體背面之薄膜2係由一含有一熱固性樹脂組分(例如環氧樹脂)之樹脂組合物(細節稍後將闡述)形成之情形下，於半導體背面之薄膜2中，該熱固性樹脂在其施加至一半導體晶圓之前的一階段處於一未固化或部分地固化之狀態下。在此種情形下，在其施加至半導體晶圓之後(特定而言，通常，在該覆晶結合步驟中固化一囊封材料的時候)，半導體背面之薄膜2中之熱固性樹脂組分完全或幾乎完全固化。
如上述，由於半導體背面之薄膜2處於一其中熱固性樹脂組分未固化或部分地固化之狀態下，甚至當薄膜含有熱固性樹脂組分時，因此半導體背面之薄膜2之凝膠分數不受特別限制但可(例如)在不超過50重量%(自0重量%至50重量%)之範圍內合適地選擇，且其較佳不超過30重量%(自0重量%至30重量%)，且尤其較佳不超過10重量%(自0重量%至10重量%)。
半導體背面之薄膜2之凝膠分數可以下述量測方法來量測。亦即，自半導體背面之薄膜2取約0.1 g之一樣本並對其進行精確稱重(樣本重量)，且在將該樣本包裹於網型薄片中之後，將其在室溫下在約50 mL之甲苯中浸漬1周。此後，自甲苯中取出溶劑不熔性物質(網型薄片中之內容物)且在130℃下乾燥約2小時，在乾燥之後對溶劑不溶性物質進行稱重(浸漬及乾燥後之重量)，且隨後根據下述表示式(a)來計算凝膠分數(重量%)。
凝膠分數(重量%)=[(浸漬及乾燥之後的重量)/(樣本重量)]×100　(a)
半導體背面之薄膜2之凝膠分數可受控於樹脂組分之種類及含量及交聯劑之種類及含量以及加熱溫度、加熱時間等等。
(晶圓黏合層)
晶圓黏合層22係一展現至半導體晶圓之極佳黏合性(緊密黏合)之層且係一與半導體晶圓之背面接觸之層。較佳地，晶圓黏合層22對於半導體晶圓之黏合力為1 N/10 mm-寬度或以上(例如，自1 N/10 mm-寬度至10 N/10 mm-寬度)。晶圓黏合層22對於半導體晶圓之黏合力為更佳2 N/10 mm-寬度或以上(例如，自2 N/10 mm-寬度至10 N/10 mm-寬度)，且進一步更佳4 N/10 mm-寬度或以上(例如，自4 N/10 mm-寬度至10 N/10 mm-寬度)。當晶圓黏合層22對於晶圓之黏合力小於1 N/10 mm-寬度時，可存在無法利用其作為晶圓黏合層22之情形。
半導體背面之薄膜2對於半導體晶圓之黏合力係(例如)一以下述方式量測之值。亦即，將壓敏黏合劑帶(商品名：BT315，由Nitto Denko公司製造)附著至半導體背面之薄膜2之一面，由此加固該背面。此後，藉由下述方式將一具有一0.6 mm之厚度之半導體晶圓附著至具有一150 mm之長度及一10 mm之寬度之半導體背面背面加固薄膜2之表面上，藉由一熱層壓方法使一處於50℃下之2 kg之輥往復運動一次。
此後，允許該壓層在一熱板(50℃)上靜置2分鐘並隨後允許其在常溫(約23℃)下靜置20分鐘。在靜置之後，藉由使用一剝離測試儀(商品名：AUTOGRAPH AGS-J，由Shimadzu公司製造)在一180°之剝離角及一300 mm/min之拉伸速率之條件下在一23℃之溫度下剝離半導體背面之背面加強薄膜2。黏合力係一藉由此時在一半導體背面之薄膜2與該半導體晶圓之間的介面處剝離所量測之值(N/10 mm-寬度)。
通常，晶圓黏合層22較佳受一隔離物保護。在此種情形下，當剝離該隔離物時，晶圓黏合層22用作用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之一側上的一最外層且用於將用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1附著至該半導體晶圓。
晶圓黏合層22可由一樹脂組合物形成。作為用於形成晶圓黏合層22之樹脂組合物(在下文中有時稱作「晶圓黏合層樹脂組合物」)，可合適地使用一含有一作為一可選組分之熱塑性樹脂組分及一熱固性樹脂組分之樹脂組合物。於該晶圓黏合層樹脂組合物中，闡述(或例示)於下述章節(熱塑性樹脂組分)等等中之熱塑性樹脂可用作該熱塑性樹脂組分，而闡述(或例示)於下述章節(熱固性樹脂組分)等等中之熱固性樹脂可用作該熱固性樹脂組分。
於本發明中，如下所述，丙烯酸系樹脂適合作為晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分。另一方面，環氧樹脂及酚系樹脂適合作為晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分。因此，含有環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂之樹脂組合物適合作為晶圓黏合層樹脂組合物。由於此等樹脂組分具有低離子雜質及高耐熱性，因此可確保半導體元件之可靠性。
於該晶圓黏合層樹脂組合物中，從對半導體晶圓之黏合性觀點來看，該熱塑性樹脂組分之比率相對於該樹脂組分之總量較佳小於30重量%(例如，0重量%或以上且小於30重量%)，且更佳不超過28重量%(尤其較佳不超過25重量%)。於該晶圓黏合層樹脂組合物中，當該熱塑性樹脂組分之比率太小時，可能有成膜性降低之情形存在。從成膜性之觀點來看，該熱塑性樹脂組分之比率之下限值相對於該晶圓黏合層樹脂組合物中之該等樹脂組分之總量較佳為5重量%或以上，且更佳10重量%或以上(尤其較佳15重量%或以上)。總之，該晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分之比率可(例如)在5重量%或以上且小於30重量%(較佳10重量%或以上且小於30重量%，且更佳15重量%或以上且小於30重量%)之範圍內選擇。
該晶圓黏合層樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分之比率係藉由自100重量%(其之一值係該等樹脂組分之總量之比率)減去該熱塑性樹脂組分之比率所獲得之剩餘比率。在該熱塑性樹脂組分之比率相對於該等樹脂組分之總量為0重量%之情形下，該晶圓黏合層樹脂組合物係一僅含有該熱固性樹脂組分(不含有該熱塑性樹脂組分)作為樹脂組分之樹脂組合物(熱固性樹脂組合物)。
若期望，則該晶圓黏合層樹脂組合物可除交聯劑及著色劑以外還含有作為除該等樹脂組分以外的組分之添加劑，例如填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑、離子陷獲劑、增量劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。舉例而言，闡述(或例示)於下述章節(交聯劑)等等中之交聯劑可用作該交聯劑。舉例而言，闡述(或例示)於下述章節(著色劑)等等中之著色劑可用作該著色劑。
藉由使用交聯劑，可設法增強加高溫下之黏合特性(緊密黏合特性)並改良耐熱性。於一實施例中，為了藉助一交聯劑來交聯該等樹脂組分之目的，於該等樹脂組分之一聚合物中，將一能夠與該交聯劑反應之官能基引入至一分子鏈末端或諸如此類中。
晶圓黏合層22可藉由利用一其中將一熱固性樹脂組分(例如一環氧樹脂)與一熱塑性樹脂組分(例如丙烯酸系樹脂)混合並視需要進一步將其與一溶劑及其他添加劑混合以製備一樹脂組合物、隨後形成一薄膜形層之慣常方法來形成。特定而言，例如，晶圓黏合層22可藉由下述方法來形成：一將該樹脂組合物塗佈於形成於切晶帶3之壓敏黏合劑層32上之雷射標記層21上之方法；一將該樹脂組合物塗佈於一適當隔離物(例如，一釋放紙)上以形成一樹脂層(或黏合劑層)、隨後轉移(黏合或嵌入)至雷射標記層21上之方法；或類似方法。
晶圓黏合層22之厚度不受特別限制，而是其可(例如)在自1 μm至50 μm(較佳自3 μm至30 μm，且更佳自5 μm至20 μm)之範圍內選擇且尤其較佳自7 μm至15 μm。當晶圓黏合層22之厚度過小時，存在一在雷射標記時曝露該晶圓之可能性，而當其過大時，存在一在熱固化之後該晶圓翹曲之可能性。晶圓黏合層22可呈一單層或一多層之任一形式。
(雷射標記層)
雷射標記層21係一展現極佳雷射標記性質之層且係一用來在該半導體晶片之背面上執行雷射標記之層。亦即，雷射標記層21係一具有較佳雷射加工性之層。對於雷射標記層21之雷射加工性，較佳地，當在一其中一強度為1.0 W之條件下用一YVO4 (釩酸釔)雷射[波長：532 nm；一由Keyence公司製造之雷射發射設備(商品名：MD-S9900)]來輻射雷射標記層21時，一加工深度(深度)為2 μm或以上。
該加工深度之上限不受特別限制而是可與雷射標記層21之厚度為同一值。特定而言，雷射標記層21之雷射加工深度可(例如)在自2 μm至25 μm之範圍內選擇，且其為較佳3 μm或以上(例如，自3 μm至20 μm)，且更佳5 μm或以上(例如，自5 μm至15 μm)。當作為雷射標記層21之雷射加工性之一指標之加工深度[波長：532；一由Keyence公司製造之雷射發射設備(商品名：MD-S9900)]在一其中一強度為1.0 W之條件下小於2 μm時，可存在無法利用生成物作為雷射標記層21之情形。當雷射標記層21之雷射加工深度與雷射標記層21之厚度為同一值時，可存在雷射抵達在用雷射輻射之後與雷射標記層21層壓之晶圓黏合層22，藉此亦加工晶圓黏合層22之情形。此外，當在用雷射輻射之後加工雷射標記層21時，該加工方法之實例包括一其中藉由雷射來燃燒有機組分及類似物，藉此改變組合物之加工方法。
作為雷射標記層21之雷射加工性之一指標之加工深度係一藉由下述方式確定之值：在一其中一強度為1.0 W之條件下用雷射[波長：532 nm；一由Keyence公司製造之雷射發射設備(商品名：MD-S9900)]來輻射雷射標記層21(其可係一與晶圓黏合層22之壓層)並量測一藉由此雷射輻射所加工之加工深度。
於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，雷射標記層21附著至切晶帶3之壓敏黏合劑層32，但在該切晶步驟之後拾取之半導體晶片中，雷射標記層21變為該半導體晶片之背面側上之最外層。
雷射標記層21可由一樹脂組合物形成。作為用於形成雷射標記層21之樹脂組合物(在下文中有時稱作「雷射標記層樹脂組合物」)，可合適地使用一含有一熱塑性樹脂組分及作為一可選組分之一熱固性樹脂組分之樹脂組合物。於該雷射標記層樹脂組合物中，闡述(或例示)於下述章節(熱塑性樹脂組分)等等中之熱塑性樹脂可用作該熱塑性樹脂組分，而闡述(或例示)於下述章節(熱固性樹脂組分)等等中之熱固性樹脂可用作該熱固性樹脂組分。
於本發明中，如上所述，一丙烯酸系樹脂適合作為雷射標記層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分。另一方面，一環氧樹脂及一酚系樹脂適合作為雷射標記樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分。因此，含有環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂之樹脂組合物適合作為雷射標記層樹脂組合物。由於此等樹脂組分具有低離子雜質及高耐熱性，因此可確保半導體元件之可靠性。
於該雷射標記層樹脂組合物中，從雷射標記性質之觀點來看，該熱塑性樹脂組分之比率相對於該樹脂組分之總量較佳為30重量%或以上(例如，30重量%或以上且不超過100重量%)。於該雷射標記層樹脂組合物中，當該熱塑性樹脂組分之比率過大時，降低耐熱性能。因此，從耐熱性之觀點來看，作為熱塑性樹脂組分相對於該雷射標記層樹脂組合物中之該等樹脂組分之總量之比率之一上限值，較佳不超過90重量%，更佳不超過80重量%，且進一步更佳不超過60重量%(尤其較佳不超過50重量%)。因此，該雷射標記層樹脂組合物中之該熱塑性樹脂組分之比率可(例如)在30重量%或以上且不超過90重量%(較佳30重量%或以上且不超過80重量%，更佳30重量%或以上且不超過60重量%，且尤其較佳30重量%或以上且不超過50重量%)之範圍內選擇。
該雷射標記層樹脂組合物中之該熱固性樹脂組分之比率係藉由自100重量%(其之一值係該等樹脂組分之總量之比率)減去該熱塑性樹脂組分之比率所獲得之剩餘比率。在該熱塑性樹脂組分之比率相對於該等樹脂組分之總量為100重量%之情形下，該雷射標記層樹脂組合物係僅含有熱塑性樹脂組分(不含有熱固性樹脂組分)作為樹脂組分之樹脂組合物(熱塑性樹脂組合物)。
若期望，則該雷射標記層樹脂組合物可除交聯劑及著色劑以外還含有作為除該等樹脂組分以外的組分之添加劑，例如填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑、離子陷獲劑、增量劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。舉例而言，闡述(或例示)於下述章節(交聯劑)等等中之交聯劑可用作該交聯劑。舉例而言，闡述(或例示)於下述章節(著色劑)等等中之著色劑可用該作該著色劑。
雷射標記層21可藉由利用一其中將一熱固性樹脂組分(例如一環氧樹脂)與一熱塑性樹脂組分(例如丙烯酸系樹脂)混合並視需要進一步將其與一溶劑及其他添加劑混合以製備一隨後形成於薄膜形層中之樹脂組合物之慣用方法來形成。特定而言，例如，雷射標記層21可藉由下述方法來形成：一將該樹脂組合物塗佈於切晶帶3之壓敏黏合劑層32上之方法；一將該樹脂組合物塗佈於一適當隔離物(例如，一釋放紙)上以形一成隨後轉移(黏合或嵌入)至切晶帶3之壓敏黏合劑層32或晶圓黏合層22上之樹脂層(或一黏合劑層)之方法；或類似方法。
雷射標記層21之厚度不受特別限制，而是其可(例如)在自1 μm至50 μm(較佳自3 μm至30 μm，且更佳自5 μm至20 μm)之範圍內選擇且尤其較佳自7 μm至15 μm。當雷射標記層21之厚度太小時，存在一在雷射標記時曝露該半導體晶圓之可能性，而當其過大時，存在一在熱固化之後，該半導體晶圓翹曲之可能性。雷射標記層21可呈一單層或一多層之任一形式。
(熱塑性樹脂組分)
於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物中，該熱塑性樹脂組分之實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂(例如6-耐綸(6-nylon)及6,6-耐綸)、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂，飽和聚酯樹脂(例如PET及PBT)、聚醯胺-醯亞胺樹脂及氟碳樹脂。該熱塑性樹脂組分可單獨地或以其之兩個或更多個種類之組合形式使用。在此等熱塑性樹脂組分之中，含有少量離子雜質之丙烯酸系樹脂(其具有高耐熱性且能夠確保半導體元件之可靠性)係尤其較佳的。
該等丙烯酸系樹脂不受特別限制，且其實例包括含有一種或兩種或更多種丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯作為組分之聚合物，其中烷基係具有30個或更少個碳原子(尤其4至18個碳原子)之直鏈或具支鏈烷基。烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基已基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基及十八烷基。
此外，用於形成該等丙烯酸系樹脂之其他單體組分(除其中烷基係具有30個或以下碳原子烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸烷基酯以外的單體組分)不受特別限制，且其實例包括：含羧基之單體，例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙基酯、丙烯酸羧戊基酯、衣康酸(itaconic acid)、馬來酸、富馬酸及巴豆酸；酸酐單體，例如馬來酸酐及衣康酸酐；含羥基之單體，例如(甲基)丙烯酸2-羥乙基(甲基)丙烯酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸6-羥己基酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯及丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯；含磺酸之單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸；及含磷酸基團之單體，例如2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。
(熱固性樹脂組分)
於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物中，該熱固性樹脂組分之實例除環氧樹脂及酚系樹脂以外還包括胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂及熱固性聚醯亞胺樹脂。該熱固性樹脂組分可單獨地或以其之兩個或更多個種類之組合形式使用。作為熱固性樹脂組分，一含有少量侵蝕半導體元件之離子雜質之環氧樹脂係合適的。此外，該酚系樹脂可合適地用作該環氧樹脂之固化劑。
該環氧樹脂不受特別限制且，例如可使用雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂(例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂及四羥苯基乙烷烷型環氧樹脂)，或環氧樹脂(例如乙內醯脲型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯型環氧樹脂或縮水甘油基胺型環氧樹脂)。
作為環氧樹脂，在上文所例示之彼等環氧樹脂之中，雙酚A型環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂及四羥苯基乙烷型環氧樹脂係較佳的。此乃因此等環氧樹脂具有與一酚系樹脂(例如一固化劑)具有高反應性且在耐熱性等方面係優異的。
此外，上述酚系樹脂充當該環氧樹脂之固化劑，且其之實例包括：酚醛型酚系樹脂，例如苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂及壬基苯酚酚醛樹脂；甲階型酚系樹脂；及聚羥基苯乙烯(polyoxystyrene)，例如聚-對-羥基苯乙烯。該酚系樹脂可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。在此等酚系樹脂之中，苯酚酚醛樹脂及苯酚芳烷基樹脂係特別較佳的。此乃因可改良半導體裝置之連接可靠性。
該環氧樹脂對該酚系樹脂之混合比較佳使得(例如)該酚系樹脂中之羥基變成0.5至2.0當量/當量該環氧樹脂組分中之環氧基。其更佳為0.8至1.2當量。亦即，當該混合比變為超出該範圍時，一固化反應不充分地進行，且環氧樹脂經固化產品之特性趨於劣化。
一用於該等環氧樹脂及該等酚系樹脂之熱固化加速觸媒不受特別限制且可從已知熱固化加速觸媒中合適地選擇並使用。該熱固化加速觸媒可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。作為熱固化加速觸媒，例如，可使用胺基固化加速觸媒、磷基固化加速觸媒、咪唑基固化加速觸媒、硼基固化加速觸媒或磷-硼基固化加速觸媒。
(交聯劑)
於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物中，可添加上述交聯劑。藉由使用該交聯劑，可設法增強高溫下之黏合特性(緊密黏合特性)並改良耐熱性。於一實施例中，為了藉由使用該交聯劑來交聯該等樹脂組分之目的，於該等樹脂組分之一聚合物中，將一能夠與該交聯劑反應之官能基引入至一分子鏈末端或諸如此類中。
該交聯劑不受特別限制且可任意選擇已知交聯劑。特定而言，作為交聯劑，不僅可提及異氰酸酯基交聯劑、環氧基交聯劑、三聚氰胺基交聯劑、及過氧化物基交聯劑，而且可提及尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑、噁唑啉基交聯劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑、及諸如此類。作為交聯劑，一異氰酸酯基交聯劑或一環氧基交聯劑係合適的。交聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
異氰酸酯基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸酯，例如1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、及1,6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮(isophorone)二異氰酸酯、氫化伸甲苯基二異氰酸酯及氫化伸二甲苯基二異氰酸酯；及芳香族多異氰酸酯，例如2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、及伸二甲苯基二異氰酸酯。此外，亦可使用三羥甲基丙烷/伸甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE L」，由Nippon Polyurethane Industry公司製造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE HL」，由NipponPolyurethane Industry公司製造]、及諸如此類。此外，該等環氧基交聯劑之實例包括N,N,N',N'-四縮水甘油基間伸二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、及雙酚-S-二縮水甘油醚，亦及分子中具有兩個或更多個環氧基團之環氧基樹脂。
該交聯劑之量不受特別限制且可根據該交聯之程度適當地選擇。特定而言，較佳地該交聯劑之量基於100重量份數樹脂組分(聚合物組分)(特定而言，一在分子鏈端處具有官能基之聚合物)為(例如)0.05至7重量份數。當該交聯劑之量基於100重量份數該等樹脂組分超過7重量份數時，降低黏合力，而當其不到0.05重量份數時，降低內聚力。
於本發明中，代替用交聯劑或連同使用交聯劑，亦可藉由用電子束或紫外光輻射來執行交聯處理。
(著色劑)
於本發明中，該半導體背面之薄膜較佳係有色的。特定而言，較佳地，晶圓黏合層22及雷射標記層21中之至少一者係有色的；首先，較佳地，至少雷射標記層21係有色的；且更特定而言，較佳地，晶圓黏合層22及雷射標記層21兩者皆係有色的。如上述，在該半導體背面之薄膜係有色的(半導體背面之薄膜係非無色亦非透明)之情形下，藉由著色顯示之色彩不受特別限制，但(例如)較佳為深色的，例如黑色、藍色或紅色，且黑色尤其較佳。
於本發明中，深色基本上係指一具有60或更小(自0至60)，較佳50或更小(自0至50)，且更佳40或更小(自0至40)之界定於L*a*b*色空間中之L*之深色。
此外，黑色基本上係指一具有35或更小(自0至35)，較佳30或更小(自0至30)，且更佳25或更小(自0至25)之界定於L*a*b*色空間中之L*之基於黑色的色彩。就此而言，於黑色中，界定於L*a*b*色空間中之a*及b*中之每一者皆可根據L*之值合適地選擇。舉例而言，a*及b*兩者皆處於較佳自-10至10，更佳自-5至5，且尤其較佳-3至3(特定而言0或約0)之範圍內。
於本發明中，界定於L*a*b*色空間中之L*、a*及b*可藉由一藉助一色差儀(由美能達公司製造之商品名「CR-200」；色差儀)之量測來確定。L*a*b*色空間係一於1976年由國際照明協會(CIE)所推薦之色空間，且係指一稱作CIE1976(L*a*b*)色空間之色空間。此外，L*a*b*色空間界定於JIS Z8729中之日本工業標準中。
在根據一目標色彩對晶圓黏合層22或雷射標記層21著色時，可使用一染色劑(著色劑)。作為此一染色劑，可合適地使用各種深色染色劑，例如黑色染色劑、藍色染色劑及紅色染色劑且黑色染色劑係尤其合適的。染色劑可係顏料及染料中之任何一者。染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。就此而言，作為染料，可使用任何形式之染料，例如酸性染料、反應性染料、直接染料、分散染料及陽離子染料。此外，亦就顏料而言，其形式不受特別限制且可從已知顏料之中合適地選擇並使用。
黑色染色劑不受特別限制且可(例如)從無機黑色顏料及黑色染料中合適地選擇。此外，黑色染色劑可係一其中將青色染色劑(藍綠色染色劑)、紫色染色劑(紫紅色染色劑)與黃色染色劑(黃色染色劑)混合之染色劑混合物。黑色染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。當然，黑色染色劑可與一具有一不同於黑色之色彩之染色劑結合使用。
黑色染色劑之具體實例包括碳黑(例如爐法碳黑、槽法碳黑、乙炔碳黑、熱裂法碳黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，甲亞胺偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、青黑、活性碳、鐵氧體(例如非磁性鐵氧體或磁性鐵氧體)、磁石、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物型黑色顏料及蒽醌型有機黑色顏料。
在使用其中將青色染色劑、品紅色染色劑與黃色染色劑混合作為黑色染色劑之染色劑混合物之情形下，青色染色劑之實例包括青色染料，例如C.I.溶劑藍25、36、60、70、93、95；C.I.酸性藍6及45；青色顏料，例如C.I.顏料藍1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.還原藍4、60；及CI.顏料綠7。
此外，在品紅色染色劑之中，品紅色染料之實例包括C.I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；CI.鹼性紅1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；CI.鹼性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27及28。
在品紅色染色劑之中，品紅色顏料之實例包括CI.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；CI.顏料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；CI.鹼性紅1、2、10、13、15、23、29及35。此外，黃色染色劑之實例包括黃色染料，例如CI.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112及162；黃色顏料，例如CI.顏料橙31、43；CI.顏料黃1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117,120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.鹼性黃1、3及20。
各種染色劑(例如青色染色劑、品紅色染色劑及黃色染色劑)可分別單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。就此而言，在使用各種染色劑(例如青色染色劑、品紅色染色劑及黃色染色劑)中之兩個或更多個種類時，此等染色劑之混合比(或摻合比)不受特別限制且可根據每一染色劑之種類、目標色彩等合適地選擇。
附帶而言，在黑色染色劑係藉由將青色染色劑、品紅色染色劑與黃色染色劑混合所形成之染色劑混合物之情形下，此等染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式使用。混合油墨組合物中之青色染色劑、品紅色染色劑與黃色染色劑之混合比(或摻合比)不受特別限制只要可展現基於黑色之色彩(例如，一具有處於上述範圍內之界定於L*a*b*色空間中之L*、a*及b*之基於黑色之色彩)，且可根據每一染色劑之類型等合適地選擇。混合油墨組合物中之青色染色劑、品紅色染色劑及黃色染色劑之含量可(例如)在一對於染色劑之總量之青色染色劑/品紅色染色劑/黃色染色劑=10重量%至50重量%/10重量%至50重量%/10重量%至50重量%(較佳20重量%至40重量%/20重量%至40重量%/20重量%至40重量%)之範圍內合適地選擇。
作為黑色染色劑，可利用黑色染料，例如C.I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70、C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71、C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154、及C.I.分散黑1、3、10、24；黑色顏料，例如C.I.顏料黑1、7；及諸如此類。
作為此等黑色染色劑，例如，商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(由Orient Chemical Industries公司製造)及類似染色劑可在市場上買到。
(其他添加劑)
於本發明中，如先前所述，於該晶圓黏合層樹脂組合物或該雷射標記層樹脂組合物中，可使用除填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑及離子陷獲劑以外的添加劑，例如增量劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。
該填充劑可係無機填充劑及有機填充劑中之任何一者但無機填充劑係合適的。藉由摻合填充劑(例如無機填充劑)，可達成對半導體背面之薄膜之導電性之賦予、對半導體背面之薄膜之導熱性之改良、對半導體背面之薄膜之彈性模數之控制等等。就此而言，該半導體背面之薄膜可係導電的或不導電的。無機填充劑之實例包括由二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷(例如矽碳化物及矽氮化物)、金屬或合金(例如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀及焊料)、碳等構成之各種無機粉末。填充劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。特定而言，填充劑合適地為二氧化矽且尤其合適地為熔融二氧化矽。無機填充劑之平均粒子直徑較佳在0.1 μm至80 μm之範圍內。無機填充劑之平均粒子直徑可藉由一雷射衍射型粒子大小分佈量測設備來量測。
填充劑(特定而言，無機填充劑)之摻合量較佳不超過基於該等樹脂組分之100重量份之80重量份(例如，自0重量份至80重量份)，且尤其較佳自0重量份至70重量份。
阻燃劑之實例包括三氧化銻、五氧化二銻及溴化環氧樹脂。阻燃劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。矽烷偶聯劑之實例包括β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基三甲氧基矽烷及γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。矽烷偶聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。離子陷獲劑之實例包括水滑石及氫氧化鉍。離子陷獲劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
切晶帶
切晶帶3係由基礎材料31及形成於基礎材料31上之壓敏黏合劑層32構成。因此，切晶帶3足夠具有一層壓基礎材料31與壓敏黏合劑層32之構造。基礎材料31(支撐基礎材料)可用作壓敏黏合劑層32及諸如此類之一支撐材料。作為基礎材料31，例如，可使用(例如)合適薄材料，例如紙基基礎材料，例如紙；纖維基基礎材料，例如織物、無紡纖維、毛氈、及網狀物；金屬基基礎材料，例如金屬箔及金屬板；塑膠基礎材料，例如塑膠薄膜及薄片；橡膠基基礎材料，例如橡膠薄片；發泡體，例如發泡薄片；及其壓層[特定而言，塑膠基材料與其他基礎材料之壓層、塑膠薄膜(或薄片)相互之壓層、等等]。於本發明中，作為基礎材料，可合適地採用塑膠基礎材料，例如塑膠薄膜及塑膠薄片。該等塑膠材料之原材料之實例包括烯烴樹脂，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、及乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分之共聚物，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物；聚酯，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)；丙烯酸系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；醯胺基樹脂，例如聚醯胺(耐綸)及全芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺(aramide))；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚二氯亞乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素基樹脂；聚矽氧樹脂；及氟化樹脂。此外，作為基礎材料之材料，亦可使用一聚合物，例如上述樹脂中之每一者之一交聯體。此等原材料可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
在使用塑膠基礎材料31作為基礎材料之情形下，可藉由拉伸處理或類似處理來控制變形性質，例如伸長度。
基礎材料31之厚度不受特別限制且可根據強度、撓性、既定使用目的及諸如此類適當地選擇。舉例而言，厚度通常為1000 μm或以下(例如1 μm至1000 μm)、較佳1 μm至500 μm、更佳3 μm至300 μm、且尤佳約5 μm至250 μm，但並不限於此。就此而言，基礎材料31可具有一單層形式或一層壓層形式中之任一形式。
可對基礎材料31之表面應用常用表面處理(例如，化學或物理處理，例如鉻酸鹽處理、暴露於臭氧、暴露於火焰、暴露於高壓電擊、及離子化輻射處理、及使用底塗劑之塗佈處理)以改良與相鄰層之緊密黏合性、固持性等。
附帶而言，基礎材料31可含有處於其中不損害本發明之優點及諸如此類之範圍內之各種添加劑(著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。
壓敏黏合劑層32係由一壓敏黏合劑形成且具有壓敏黏合性。此壓敏黏合劑不受特別限制且可從已知壓敏黏合劑之中合適地選擇。特定而言，作為壓敏黏合劑，可從以下已知壓敏黏合劑之中合適地選擇並使用具有上述特徵之壓敏黏合劑：例如丙烯酸壓敏黏合劑、橡膠基壓敏黏合劑、乙烯基烷基醚基壓敏黏合劑、聚矽氧基壓敏黏合劑、聚酯基壓敏黏合劑、聚醯胺基壓敏黏合劑、胺基甲酸酯基壓敏黏合劑、氟基壓敏黏合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物基壓敏黏合劑、及其中將熔點為約200℃或更低之熱可熔化樹脂混合至此等壓敏黏合劑中之蠕變特性改良壓敏黏合劑(參見，例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，其中每一者皆以引用方式併入本文中)。此外，作為壓敏黏合劑，亦可使用輻射可固化壓敏黏合劑(或能量射線可固化壓敏黏合劑)或熱可膨脹壓敏黏合劑。壓敏黏合劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
於本發明中，作為壓敏黏合劑，可合適地使用丙烯酸壓敏黏合劑及橡膠基壓敏黏合劑，且特寫而言，丙烯酸壓敏黏合劑係合適的。作為丙烯酸壓敏黏合劑，可提及其中使用一種或多種(甲基)丙烯酸烷基酯((甲基)丙烯酸烷基酯)作為單體組分之丙烯酸聚合物(均聚物或共聚物)用作基礎聚合物之丙烯酸壓敏黏合劑。
上述丙烯酸系壓敏黏合劑中之(甲基)丙烯酸烷基酯之實例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁基酯、(甲基)丙烯酸第三丁基酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸異辛基酯、(甲基)丙烯酸壬基酯、(甲基)丙烯酸異壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸異癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯及(甲基)丙烯酸二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，具有4至18個碳原子之(甲基)丙烯酸烷基酯係合適的。附帶而言，(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基可為直鏈或具支鏈烷基。
為了改良內聚力、耐熱性、交聯能力、及諸如此類之目的，上述丙烯酸聚合物可含有對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯聚合之其他單體組分(可共聚單體組分)之單元。該等可共聚單體組分之實例包括含羧基單體，例如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙基酯、丙烯酸羧戊基酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、及巴豆酸；含酸酐基團單體，例如馬來酸酐及衣康酸酐；含羥基單體，例如(甲基)丙烯酸羥乙基酯、(甲基)丙烯酸羥丙基酯、(甲基)丙烯酸羥丁基酯、(甲基)丙烯酸羥己基酯、(甲基)丙烯酸羥辛基酯、(甲基)丙烯酸羥癸基酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂基酯、及甲基丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯；含磺酸基團之單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸；含磷酸基團之單體，例如2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯；(N-經取代)醯胺基單體，例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、及N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺；(甲基)丙烯酸胺基烷基酯基單體，例如(甲基)丙烯酸胺基乙基酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙基酯、及(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙基酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯基單體，例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙基酯及(甲基)丙烯酸乙氧基乙基酯；氰基丙烯酸酯單體，例如丙烯腈及甲基丙烯腈；含環氧基團之丙烯酸單體，例如(甲基)丙烯酸縮水甘油基酯；苯乙烯基單體，例如苯乙烯及α-甲基苯乙烯；乙烯酯基單體，例如乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯；烯烴基單體，例如異戊二烯、丁二烯、及異丁烯；乙烯醚基單體，例如乙烯醚；含氮單體，例如N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基六氫吡啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基六氫吡嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸醯胺、及N-乙烯基己內醯胺；馬來醯亞胺基單體，例如N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、及N-苯基馬來醯亞胺；衣康醯亞胺基單體，例如N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、及N-月桂基衣康醯亞胺；琥珀醯亞胺基單體，例如N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、及N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺；二醇基丙烯酸酯單體，例如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、及甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；具有雜環、鹵素原子、矽原子、或諸如此類之丙烯酸酯基單體、例如(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯、氟(甲基)丙烯酸酯、及聚矽氧(甲基)丙烯酸酯；多官能團單體，例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二異戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、及二(甲基)丙烯酸己酯；及諸如此類。此等可共聚單體組分可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
在使用可固化壓敏黏合劑(或能量射線可固化壓敏黏合劑)作為壓敏黏合劑之情形下，輻射可固化壓敏黏合劑(組合物)之實例包括其中在聚合物側鏈或主鏈中具有自由基反應性碳-碳雙鍵之聚合物用作基礎聚合物之內部輻射可固化壓敏黏合劑、其中UV可固化單體組分或寡聚物組分摻合至壓敏黏合劑中之輻射可固化壓敏黏合劑及類似輻射可固化壓敏黏合劑。此外，在使用熱可膨脹壓敏黏合劑作為壓敏黏合劑之情形下，作為熱可膨脹壓敏黏合劑，可提及含有壓敏黏合劑及發泡劑(特定而言，熱可膨脹微球體)及諸如此類之熱可膨脹壓敏黏合劑。
於本發明中，壓敏黏合劑層可含有處於其中不損害本發明之優點之範圍內之各種添加劑(例如，增黏性樹脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等)。
交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。特定而言，作為交聯劑，不僅可提及異氰酸酯基交聯劑、環氧基交聯劑、三聚氰胺基交聯劑及過氧化物基交聯劑，而且可提及尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑、噁唑啉基交聯劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑及諸如此類，且異氰酸酯基交聯劑及環氧基交聯劑係合適的。交聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。附帶而言，交聯劑之量不受特別限制。
異氰酸酯基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸酯，例如1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、及1,6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化伸甲苯基二異氰酸酯及氫化伸二甲苯基二異氰酸酯；及芳香族多異氰酸酯，例如2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯及伸二甲苯基二異氰酸酯。此外，亦可使用三羥甲基丙烷/伸甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE L」，由Nippon Polyurethane Industry公司製造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE HL」，由Nippon Polyurethane Industry公司製造]、及諸如此類。此外，環氧基交聯劑之實例包括N,N,N',N'-四縮水甘油基間伸二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N，N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、及雙酚-S-二縮水甘油醚，亦及其分子中具有兩個或更多個環氧基團之環氧基樹脂。
於本發明中，代替使用交聯劑或連同使用交聯劑，亦可藉由用電子束或紫外線輻射來執行交聯處理。
壓敏黏合劑層32可(例如)藉由利用一包括將壓敏黏合劑與選用溶劑以及其他添加劑混合並隨後使該混合物成形為一片狀層之常用方法來形成。特定而言，壓敏黏合劑層32可(例如)藉由下述方法來形成：一包括在一基礎材料上施加一含有壓敏黏合劑及選用溶劑以及其他添加劑之混合物之方法、一包括在一適當隔離物(例如一釋放紙)上施加上述混合物以形成一壓敏黏合劑層32並隨後在一基礎材料上轉移(轉錄)該壓敏黏合劑層之方法、或類似方法。
壓敏黏合劑層32之厚度不受特別限制且(例如)為約5至300 μm，較佳5至80 μm，且更佳15至50 μm。當壓敏黏合劑層32之厚度處於上述範圍內時，可有效地展現一適當壓敏黏合力。壓敏黏合劑層32可係一單層或一多層。
根據本發明，可將用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1製成具有一抗靜電功能。由於此構造，可防止電路因在黏合其時及在剝離其時產生靜電能或因靜電能對半導體晶圓充電而引起斷裂。可藉由一適當方式(例如一添加抗靜電劑或導電物質至基礎材料31、壓敏黏合劑層32及該半導體背面之薄膜(晶圓黏合層22及雷射標記層21)中之方法或一提供一由電荷轉移錯合物、金屬薄膜或諸如此類構成之導電層至基礎材料31上之方法)來賦予抗靜電功能。作為此等方法，較佳係一種難以產生擔心改變半導體晶圓之品質之雜質離子之方法。基於賦予導電性、改良導熱性等目的所摻合之導電物質(導電填充劑)之實例包括銀、鋁、金、銅、鎳、導電合金或類似物之球形、針形、薄片形金屬粉末；金屬氧化物，例如氧化鋁；無定形碳黑及石墨。然而，從無漏電之觀點來看，該半導體背面之薄膜較佳係不導電的。
此外，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1可以一如輥般捲繞之形式形成或可以一層壓薄片(薄膜)之形式形成。舉例而言，在該薄膜具有如輥般捲繞之形式之情形下，將該薄膜捲繞成呈根據需要呈半導體背面之薄膜2受一隔離物保護之狀態之輥，藉此可將該薄膜製成一呈如輥般捲繞之狀態或形式之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1。就此而言，呈如輥般捲繞之之狀態或形式之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1可由基礎材料31、形成於基礎材料31之一個表面上之壓敏黏合劑層32、形成於壓敏黏合劑層31上之半導體背面之薄膜2與一形成於基礎材料31之另一個表面上之經可釋放處理層(經後表面處理層)所構成。
用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之厚度(半導體背面之薄膜2之厚度與由基礎材料31及壓敏黏合劑層32構成之切晶帶3之厚度之總厚度)可(例如)在自11 μm至300 μm範圍內選擇，且其較佳自11 μm至200 μm，更佳自15 μm至200 μm，且進一步較佳自15 μm至100 μm(尤其較佳自20 μm至80 μm)。
於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比不受特別限制，而是其可(例如)根據{(半導體背面之薄膜2之厚度)/(切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度)}之比在自150/5至3/100之範圍內合適地選擇。半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比較佳自100/5至3/50，且更佳60/5至3/40。當半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比屬於上述範圍時，可展現一適當壓敏黏合力，且可展現極佳切晶性質及拾取性質。
於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比不受特別限制，而是其可(例如)根據{(半導體背面之薄膜2之厚度)/(切晶帶3之厚度)}之比在自150/50至3/500之範圍內合適地選擇。半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比較佳自100/50至3/300，且更佳自60/50至3/150。藉由將半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比調節至不超過3/500，可抑制拾取性質之降低。另一方面，藉由將半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比調節至150/50或以上，可抑制在切晶時側向殘留物之產生或其量之增加。
如上述，於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，藉由調節半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3中之壓敏黏合劑層32之厚度之比或半導體背面之薄膜2之厚度對切晶帶3之厚度之比，可增強切晶步驟時之切晶性質及拾取步驟時之拾取性質。此外，可自工件(例如半導體晶圓)之切晶步驟至半導體元件(例如半導體晶片)之覆晶連接步驟有效地利用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1。
用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製作方法使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1作為實例來闡述本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製作方法。首先，可藉由一通常已知成膜方法來形成基礎材料31。成膜方法之實例包括一日曆膜形成方法(calendar film-forming method)、一在一有機溶劑中之澆鑄方法、一在一緊密密封系統中之膨脹擠壓方法、一T模具擠出方法、一共擠出方法及一乾式層壓方法。
接下來，藉由施加一壓敏黏合劑組合物至基礎材料31上，並隨後進行乾燥(根據需要藉由在加熱下交聯)來形成壓敏黏合劑層32。施加方法之實例包括輥塗佈、絲網塗佈及凹版塗佈。就此而言，既可直接至基礎材料31上執行壓敏黏合劑組合物之施加以在基礎材料31上形成壓敏黏合劑層32，亦可至一其表面已經受一經可釋放處理之釋放紙或類似物上施加壓敏黏合劑組合物以形成一壓敏黏合劑層32，該壓敏黏合劑組合物隨後被轉移至基礎材料31上以在基礎材料31上形成壓敏黏合劑層32。因此，藉由在基礎材料31上形成壓敏黏合劑層32來製備一切晶帶3。
另一方面，藉由下述方式來形成晶圓黏合層22：塗佈一係一用於在一釋放紙上形成晶圓黏合層22以便在乾燥之後具有一規定厚度之形成材料之樹脂組合物(晶圓黏合層樹脂組合物)並在規定條件下進一步對其乾燥(在需要熱固化之情形或類似情形下，執行一熱處理以達成乾燥，若期望)。隨後，藉由下述方式來形成雷射標記層21：塗佈一係一用於在晶圓黏合層22上形成雷射標記層21以便在乾燥之後具有一規定厚度之形成材料之樹脂組合物(雷射標記層樹脂組合物)並在規定條件下進一步對其乾燥(在需要熱固化之情形或類似情形下，執行一熱處理以達成乾燥，若期望)，從而製備具有雷射標記層21與晶圓黏合層22之層壓結構之半導體背面之薄膜2。將半導體背面之薄膜2以一其中雷射標記層21與壓敏黏合劑層32接觸之形式轉移至壓敏黏合劑層32上，從而在壓敏黏合劑層32上形成半導體背面之薄膜2。就此而言，亦可藉由下述在壓敏黏合劑層32上形成半導體背面之薄膜2：在壓敏黏合劑層32上塗佈雷射標記黏合劑層樹脂組合物以形成雷射標記層21並進一步在雷射標記層21上塗佈晶圓黏合層樹脂組合物以形成晶圓黏合層22。於此方法中，在需要熱固化雷射標記層21或晶圓黏合層22之情形或類似情形下，較佳執行一熱處理以達成乾燥，若期望。因此可獲得根據本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1。在形成半導體背面之薄膜2時執行熱固化之情形下，重要的是，執行熱固化以致此處於一部分固化狀態下。然而，較佳不執行熱固化。
可在製作一半導體裝置(包括一覆晶結合步驟)時合適地使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1。亦即，在製作一覆晶安裝式半導體裝置時使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1且因此呈一其中將半導體背面之薄膜2附著至半導體晶片之背面之狀況或形式製作覆晶安裝式半導體裝置。因此，根據本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1可用於一覆晶安裝式半導體裝置(一呈一其中藉由一覆晶結合方法將該半導體晶片固定至一例如一基板之黏合體之狀態或形式之半導體裝置)。
半導體晶圓
半導體晶圓不受特別限制只要其係一已知或常用半導體晶圓且可從由各種材料製成之半導體晶圓之中適當地選擇並使用。於本發明中，作為半導體晶圓，可合適地使用矽晶圓。
半導體裝置之製作方法
用於製作本發明之半導體裝置之方法不受特別限制只要其係一用於使用上述用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作半導體裝置之方法。舉例而言，可提及一包括以下步驟之製作方法及類似方法。
一將一工件(半導體晶圓)附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之半導體背面之薄膜上(即，至該半導體背面之薄膜之晶圓黏合層22上)之步驟(安裝步驟)；一切晶該工件以形成一晶片形工件(半導體晶片)之步驟(切晶步驟)；一將該晶片形工件連同該半導體背面之薄膜剝離切晶帶之壓敏黏合劑層之步驟(拾取步驟)；及一藉由覆晶結合將該晶片形工件固定至一黏合體之步驟(覆晶結合步驟)。
更特定而言，作為用於製作一半導體裝置之方法，例如，可按下述方式在剝去視需要提供於該半導體背面之薄膜上(即，於該半導體背面之薄膜之晶圓黏合層22上)之隔離物之後使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置。在下文中，參照圖2A至2D，使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1作為實例來闡述該方法。
圖2A至2D係顯示用於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法之一個實施例之截面示意圖。於圖2A至2D中，4係一半導體晶圓(工件)，5係一半導體晶片(晶片形工件)，51係一形成於半導體晶片5之電路面處之凸塊，6係一黏合體，61係一配合黏合至黏合體6之一連接墊之導電材料，且1、2、21、22、3、31及32分別係一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜、一半導體背面之薄膜、一雷射標記層、晶圓黏合層、一切晶帶、一基礎材料及一壓敏黏合劑層，如上所述。
(安裝步驟)
首先，如圖2A中所示，將半導體晶圓4附著(尤其壓結合)至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中之半導體背面之薄膜2之晶圓黏合層22上以藉由黏合(緊密黏合)及固持來固定該半導體晶圓(安裝步驟)。本步驟通常在用一壓製構件(例如一壓製輥)壓製的同時執行。
(切晶步驟)
接下來，如圖2B中所示，切晶半導體晶圓4。因而，將半導體晶圓4切成一規定大小並使其個體化(形成為小件)以製作半導體晶片5。例如，自半導體晶圓4之電路面側根據一正常方法來執行該切晶，舉例而言。此外，本步驟可採用(例如)一形成一抵達用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之狹長切口之稱作全切之切削方法。用於本步驟之切晶設備不受特別限制，且可使用一通常已知的設備。此外，由於半導體晶圓4由用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1黏合(緊密黏合)並固定，因此可抑制晶片裂紋及晶片飛行，而且亦可抑制半導體晶圓4之損壞。就此而言，當半導體背面之薄膜2(雷射標記層21及晶圓黏合層22)係由一具有環氧樹脂之樹脂組合物形成時，在切削表面處抑制或防止自半導體背面之薄膜2之黏合劑擠出之產生，甚至當藉由切晶來切削其時。因此，可抑制或防止重附著(遮住)切削表面本身且因此可進一步更方便地執行下文欲提及之拾取。
在展開用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之情形下，可使用一通常已知的展開設備來執行展開。該展開設備具有一能夠將該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜向外推進穿過一切晶環之環形外環及一具有一小於該外環之直徑且支撐該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之內環。由於該展開步驟，因此可防止毗鄰半導體晶片因在下文欲提及之拾取步驟中彼此接觸而損壞。
(拾取步驟)
如圖2C所示執行對半導體晶片5之拾取以將半導體晶片5連同半導體背面之薄膜2剝離切晶帶3以便收集黏合(緊密黏合)且固定至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之半導體晶片5。該拾取方法不受特別限制，且可採用通常已知的各種方法。舉例而言，可提及一包括用針將每一半導體晶片5自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之基礎材料31側向上推進並用一拾取設備拾取經推進半導體晶片5之方法。就此而言，所拾取半導體晶片5之背面(亦稱作非電路面、非電極形成面等)由包括雷射標記層21及晶圓黏合層22之半導體背面之薄膜2保護。
(覆晶結合步驟)
藉由一覆晶結合方法(覆晶安裝方法)將所拾取半導體晶片5固定至一黏合體，例如一基礎材料。特定而言，根據一通常方式將半導體晶片5以一其中半導體晶片5之電路面(亦稱作正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與黏合體6對置之形式固定至黏合體6。舉例而言，使形成於半導體晶片5之電路面處之凸塊51與附著至黏合體6之一連接墊之一導電材料61(例如焊料)接觸並使其在壓製下熔化，藉此可確保半導體晶片5與黏合體6之間的電連接且可將半導體晶片5固定至黏合體6。就此而言，在將半導體晶片5固定至黏合體6時，重要的是，預先洗滌半導體晶片5與黏合體6之對置面及間隙並隨後將一囊封材料(例如一囊封樹脂)填充至該間隙中。
作為黏合體6，可使用各種基板，例如引線框架及電路板(例如佈線電路板)。基板之材料不受特別限制且可提及陶瓷基板及塑膠基板。塑膠基板之實例包括環氧基板、雙馬來醯亞胺三嗪基板及聚醯亞胺基板。
於覆晶結合中，凸塊及導電材料之材料不受特別限制且其實例包括焊料(合金)，例如錫-鉛基金屬材料、錫-銀基金屬材料、錫-銀-銅基金屬材料、錫-鋅基金屬材料、及錫-鋅-鉍基金屬材料、以及金基金屬材料及銅-基金屬材料。
附帶而言，於本步驟中，熔化導電材料以連接半導體晶片5之電路面處之凸塊與黏合體6之表面上之導電材料。在熔化導電材料時之溫度通常為約260℃(例如，250℃至300℃)。可藉由用環氧樹脂或類似物形成半導體背面之薄膜來將本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製成具有能夠承受覆晶結合步驟中之高溫之耐熱性。
此外，欲在覆晶結合中用於洗滌半導體晶片5與黏合體6之間的對置面(電極形成面)及間隙之洗滌液不受特別限制且該液體既可係一有機洗滌液亦可係一水性洗滌液。本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之半導體背面之薄膜對洗滌液具有耐溶劑性且對此等洗滌液大致無溶解性。因此，如上所述，可採用各種洗滌液作為洗滌液且該洗滌可藉由任一習用方法來達成而無需任何專用洗滌液。
於本發明中，欲用於囊封半導體晶片5與黏合體6之間的間隙之囊封材料不受特別限制只要該材料係一具有一絕緣性之樹脂(一絕緣樹脂)且可從已知囊封材料(例如囊封樹脂)之中合適地選擇並使用。該囊封樹脂較佳係一具有彈性之絕緣樹脂。該囊封樹脂之實例包括含有一環氧樹脂之樹脂組合物。作為環氧樹脂，可提及上文中所例示之環氧樹脂。此外，由含有環氧樹脂之樹脂組合物構成之囊封樹脂可含有不同於環氧樹脂之熱固性樹脂(例如一酚系樹脂)或除環氧樹脂以外的熱塑性樹脂。附帶而言，可利用酚系樹脂作為環氧樹脂之固化劑，且作為酚系樹脂，可提及上文中所例示之酚系樹脂。
於使用囊封樹脂之囊封步驟中，通常藉由加熱來固化囊封樹脂以達成囊封。對囊封樹脂之固化通常在許多情形下在175℃下進行60秒到90秒。然而，於本發明中，對此沒有限制，固化可在一165至185℃之溫度下實施幾分鐘，舉例而言。於半導體背面之薄膜2中，由於雷射標記層21係由一具有一熱塑性樹脂組分及作為一可選組分之一熱固性樹脂組分之樹脂組合物形成，因此在含有一熱固性樹脂組分之情形下，該熱固性樹脂組分可在固化囊封樹脂時完全固化或幾乎完全固化。此外，由於晶圓黏合層22係由一含有作為一可選組分之一熱塑性樹脂組分及一熱固性樹脂組分之樹脂組合物形成，因此該熱固性樹脂組分可在固化此囊封樹脂時完全固化或幾乎完全固化。
半導體晶片5與黏合體6之間的間隙之距離通常為約30 μm至300 μm。
如此形成之半導體裝置可合適地用作電子部分或其材料。
於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製造之半導體裝置(覆晶安裝式半導體裝置)中，呈一其中雷射標記層21為最外層之形式將該半導體背面之薄膜附著至該半導體晶片之背面，且因此雷射標記可施加具有極佳可見度。特定而言，雷射標記可施加具有一極佳反差比，且可觀察到藉由具有較佳可見度之雷射標記所施加之各種資訊(例如，文字資訊及圖形資訊)。在雷射標記時，可利用一已知雷射標記設備。此外，作為雷射，可利用各種雷射，例如氣體雷射、固態雷射及液體雷射。
特定而言，作為氣體雷射，可利用任何已知氣體雷射而無特別限制但二氧化碳雷射(CO2 雷射)及準分子雷射(ArF雷射、KrF雷射、XeCl雷射、XeF雷射等)係合適的。作為固態雷射，可利用任何已知固態雷射而無特別限制但YAG雷射(例如Nd：YAG雷射)及YVO4 雷射係合適的。
由於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製作之半導體裝置係一藉由覆晶安裝方法安裝之半導體裝置，因此該裝置具有一與一藉由一晶粒結合安裝方法安裝之半導體裝置相比薄化及小型化之形狀。因此，合適地採用覆晶安裝式半導體裝置作為各種電子裝置及電子部分或其材料及成分。特定而言，作為其中利用本發明之覆晶安裝式半導體裝置之電子裝置，可提及所謂「行動電話」及「PHS」、小型電腦[所謂「PDA」(手持式終端機)、所謂「筆記本型個人電腦」、所謂「Net Book(商品名)」、及所謂「可穿戴式電腦」等]、呈其中整合「行動電話」與電腦之形式之小型電子裝置、所謂「Digital Camara(商品名)」、所謂「數位攝影機」、小型電視機、小型遊戲機、小型數位聲訊播放器、所謂「電子記事本」、所謂「電子詞典」、所謂「電子書籍」之電子裝置終端機、例如小型數位式手錶之行動電子裝置(可攜式電子裝置)、及類似裝置。不必說，亦可提及除行動電子裝置以外的電子裝置(固定式電子裝置等)，例如，所謂「桌上型個人電腦」、薄型電視機、用於記錄及重現之電子裝置(硬磁碟記錄器、DVD播放器等)、投影機、微機械、及類似裝置。另外，電子部分或電子裝置及電子部分之材料及成分不受特別限制且其實例包括所謂「CPU」之部分及各種記憶體裝置(所謂「記憶體」、硬磁碟等)之成分。
實例
下文將以例示性方式詳細闡述本發明較佳實例。然而，除非另有說明，否則此等實例中所述之材料、混合量及諸如此類並非旨在本發明之範疇僅限於此，且其僅為解釋性實例。此外，除非另有說明，否則每一實例中之份數皆係一重量標準。
(製作實例1)
基於100份含有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組分之丙烯酸酯基聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial公司製造)，將193份之雙酚A型環氧樹脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER公司製造)、207份之苯酚芳烷基樹脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals公司製造)、370份之球形二氧化矽(商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造)、8份之染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries公司製造)及8份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries公司製造)溶於甲基乙基酮中以製備一具有一23.6重量%之固體濃度之樹脂組合物之溶液(在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液A」)。於此樹脂組合物溶液A中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂(亦即，丙烯酸酯基聚合物)之一比率相對於該等樹脂組分之整體為20重量%。
(製作實例2)
基於100份含有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組分之丙烯酸酯基聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial公司製造)，將135份之雙酚A型環氧樹脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER公司製造)、144份之苯酚芳烷基樹脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals公司製造)、280份之球形二氧化矽(商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造)、6份之染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries公司製造)及6份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries公司製造)溶於甲基乙基酮中以製備一具有一23.6重量%之固體濃度之樹脂組合物之溶液(在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液B」)。於此樹脂組合物溶液B中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂(亦即，丙烯酸酯基聚合物)之一比率相對於該等樹脂組分之整體為26.4重量%。
(製作實例3)
基於100份含有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組分之丙烯酸酯基聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial公司製造)，將110份之雙酚A型環氧樹脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER公司製造)、118份之苯酚芳烷基樹脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals公司製造)、246份之球形二氧化矽(商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造)、5份之染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries公司製造)及5份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries公司製造)溶於甲基乙基酮中以製備一具有一23.6重量%之固體濃度之樹脂組合物之溶液(在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液C」)。於此樹脂組合物溶液C中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂(亦即，丙烯酸酯基聚合物)之一比率相對於該等樹脂組分之整體為30.5重量%。
(製作實例4)
基於100份含有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組分之丙烯酸酯基聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial公司製造)，將93份之雙酚A型環氧樹脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER公司製造)、101份之苯酚芳烷基樹脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals公司製造)、280份之球形二氧化矽(商品名：SO-25R，由Admatechs公司製造)、6份之染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries公司製造)及6份之染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries公司製造)溶於甲基乙基酮中以製備一具有一23.6重量%之固體濃度之樹脂組合物之溶液(在下文中有時稱作「樹脂組合物溶液D」)。於此樹脂組合物溶液D中，該等樹脂組分中之熱塑性樹脂(亦即，丙烯酸酯基聚合物)之一比率相對於該等樹脂組分之整體為34重量%。
(晶圓黏合性評估)
對於由在製作實例1至4中所製備之樹脂組合物溶液A至D形成之樹脂層中之每一者，藉由下述黏合力量測方法來量測對晶圓之黏合力，並根據下述黏合性評估標準琿評估樹脂層是否具有足以作為晶圓黏合層之黏合力。評估或量測之結果顯示於表1中。
<黏合力量測方法>
藉由在製作實例1至4中所製備之樹脂溶液A至D將一聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：38 μm；在下文中有時稱作「PET薄膜」)附著至該等樹脂層中之每一者之一面，從而獲得附著有樹脂層之PET薄膜。將一作為一晶圓之矽晶圓(厚度：0.6 mm)置於一熱板上並藉由使一處於50℃下之2 kg之輥往復運動一次呈一其中附著有樹脂層之PET薄膜之樹脂層與晶圓接觸之形式在一規定溫度(50℃)下附著該矽晶圓。此後，允許該壓層在一熱板(50℃)上靜置2分鐘並隨後允許其在常溫(約23 ℃)下靜置20分鐘。在靜置之後，藉由使用一剝離測試儀(商品名：AUTOGRAPH AGS-J，由Shimadzu公司製造)在一180°之剝離角及一300 mm/min之拉伸速率之條件下於一23 ℃之溫度下剝離(在樹脂層與晶圓之間的一介面處剝離)附著有樹脂層之PET薄膜。量測剝離時之負荷之一最大負荷(已自其除去量測開始時之一峰頂之負荷之一最大值)，並確定該樹脂之一黏合力(N/10 mm-寬度)同時將此最大負荷作為樹脂層與晶圓之間的一黏合力(該樹脂層對該晶圓之黏合力)。
<黏合性評估標準>
好：對晶圓之黏合力為1 N/10 mm-寬度或以上。
差：對晶圓之黏合力小於1 N/10 mm-寬度。
於此黏合力量測方法中，儘管用PET薄膜來增強樹脂層，甚至當使用一壓敏黏合劑帶(商品名：BT315，由Nitto Denko公司製造)來代替PET薄膜時，但可獲得相同之黏合力。
如由表1很清楚，由在製作實例1至2中所製備之樹脂組合物溶液A至B製成之樹脂層在對晶圓之黏合力方面係有利的因而其等適合作為晶圓黏合層。因此，可利用此等樹脂層作為晶圓黏合層。
另一方面，由在製作實例3至4中所製備之樹脂組合物溶液C至D製成之樹脂層在對晶圓之黏合力方面係低的，因而其等不適合作為晶圓黏合層。因此，無法利用此等樹脂層作為晶圓黏合層。
<雷射標記性質之評估>
對於由在製作實例1至4中所製備之樹脂組合物溶液A至D製成之樹脂層中之每一者，藉由下述雷射加工性評估或量測方法來評估或量測雷射標記性質，並根據下述雷射加工性評估標準來評估該樹脂層是否具有足以作為雷射標記層之雷射標記性質。評估或量測之結果顯示於表2中。
<雷射加工性評估或量測方法>
用一雷射來輻射由在製作實例1至4中所製備之樹脂組合溶液A至A製成之樹脂層中之每一者，並使用一雷射顯微鏡來測量在此雷射輻射之後加工之加工深度。在一532 nm之波長及一1.0 W之輻射強度之條件下使用一YVO4 (釩酸釔)雷射來執行輻射。此外，使用一由Keyence Corporation公司製造之雷射發射設備(商品名：MD-S9900)。
<雷射加工性評估標準>
好：雷射加工深度為2 μm或以上。
差：雷射加工深度小於2 μm。
如由表2很清楚，由在製作實例3至4中所製備之樹脂組合溶液C至D製成之樹脂層在雷射加工性方面係有利的，因而其等適合作為雷射標記層。因此，可利用此等樹脂層作為雷射標記層。
另一方面，由在製作實例1至2中所製備之樹脂組合物溶液A至B製成之樹脂層在雷射加工性方面係低的，因而其等不適合作為雷射標記層。因此，基本上無法利用此等樹脂層作為雷射標記層。
(實例1)
<覆晶型半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例1中所製備之樹脂組合物溶液A作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液C塗佈於晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之覆晶型半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜A」)。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述半導體背面之薄膜A附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(實例2)
<覆晶型半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例1中所製備之樹脂組合物溶液A作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之覆晶型半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜B」)。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜B附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此實例2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(比較實例1)
<覆晶型半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例1中所製備之樹脂組合物溶液A作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例2中所製備之樹脂組合物溶液B塗佈於該晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之覆晶型半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜C」)
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜C附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此比較實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(比較實例2)
<半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液C作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液C塗佈於晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜D」)
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用一手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜D附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此比較實例2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(比較實例3)
<半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例3中所製備之樹脂組合物溶液C作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜E」)。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜E附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此比較實例3之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(比較實例4)
<半導體背面之薄膜製備>
將在製作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D作為釋放襯墊(隔離物)塗佈於一由一具有一50 μm之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受一聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之晶圓側樹脂層。此後，將在製作實例4中所製備之樹脂組合物溶液D塗佈於該晶圓側樹脂層上並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以形成一具有一10 μm之厚度之外部樹脂層。從而製備一具有一20 μm之厚度(平均厚度)之半導體背面之薄膜(在下文中有時稱作「半導體背面之薄膜F」)。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製備>
藉由使用手動輥呈一其中該外部樹脂層與該切晶帶之壓敏黏合劑層接觸之形式將上述背面薄膜F附著至一切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造，基礎材料之平均厚度：65 μm，壓敏黏合劑層之平均厚度：10 μm)之一壓敏黏合劑層上，從而製備一用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
於根據此比較實例4之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，半導體背面有色薄膜之厚度(平均厚度)為20 μm。此外，於該切晶帶(商品名：V-8-T，由Nitto Denko公司製造)中，基礎材料之平均厚度為65 μm；壓敏黏合劑層之平均厚度為10 μm，且總厚度為75 μm。因此，半導體背面有色薄膜之厚度對壓敏黏合劑層之厚度之比(平均厚度比)為20/10；且半導體背面有色薄膜之厚度對切晶帶之厚度之比(平均厚度比)為20/75。
(半導體背面有色薄膜之物理性質量測)
對於在實例1至2及比較實例1至4中所製備之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之半導體背面有色薄膜中之每一者，分別以下述方式來量測可見光透射比(%)、水分吸收率(重量%)及重量減少比(重量%)。量測之結果顯示於表3中。
<可見光透射比量測方法>
使用「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」(商品名，由Shimadzu公司製造)用可見光來輻射在實例1至2及比較實例1至4中所製備之半導體背面有色薄膜A至F中之每一者(平均厚度：20 μm)。將可見光之波長自400 nm調節至800 nm。根據下述表示式來量測並計算藉由此輻射透射過半導體背面有色薄膜2之可見光之光強度。
可見光透射比(%)=[(可見光在透射過半導體背面有色薄膜之後的光強度)/(可見光之初始光強度)]×100
<水分吸收率量測方法>
允許在實例1至2及比較實例1至4中所製備之半導體背面有色薄膜A至F中之每一者在一處於一85℃之溫度及一85% RH之濕度下之恒溫及恒濕室中靜置168小時。量測在靜置之前及之後的重量，並根據下述表示式來計算水分吸收率(重量%)。
水分吸收率(重量%)=[{(在允許半導體背面有色薄膜靜置之前的重量)-(在允許半導體背面有色薄膜靜置之後的重量)}/(在允許半導體背面有色薄膜靜置之前的重量)]×100
<重量減少比量測方法>
允許在實例1至2及比較實例1至4中所製備之半導體背面有色薄膜A至F中之每一者在一處於一250°之溫度下之乾燥機中靜置1小時。量測在靜置之前及之後的重量，並根據下述表示式來計算重量減少比(重量%)。
重量減少比(重量%)=[{(允許半導體背面有色薄膜靜置之前的重量)-(允許半導體背面有色薄膜靜置之後的重量)}/(允許半導體背面有色薄膜靜置之前的重量)]×100
(評估)
對於在實例1至2及比較實例1至4中所製備之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之每一者，藉由下述評估或量測方法來評估或量測切晶性質、拾取性質、覆晶結合性、晶圓背面之標記性質及晶圓背面之外觀性質。評估或量測之結果顯示於表4中。
<切晶性質及拾取性質之評估方法>
藉由使用在實例1至2及比較實例1至4中所製備之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之每一者，藉由實際切晶半導體晶圓來評估切晶性質，且此後，評估剝離性，從而評估用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之切晶性能及拾取性能。
使一半導體晶圓(直徑：8英吋，厚度：0.6 mm；一矽鏡面晶圓)經受一背面拋光處理，並使用一具有一0.2 mm之厚度之鏡面晶圓作為工件。在將隔離物剝離用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之後，在70℃下藉由輥壓結合將鏡面晶圓(工件)附著至半導體背面之薄膜(亦即，半導體背面之薄膜之晶圓黏合層)，且進一步執行切晶。在本文中，以全切形式執行切晶以便切晶成一10 mm2 之晶片大小。就此而言，半導體晶圓研磨條件、附著條件及切晶條件如下。
(半導體晶圓研磨條件)
研磨設備：由DISCO公司製造之商品名「DFG-8560」，半導體晶圓：8英吋直徑(研磨背面以便為自一0.6 mm之厚度直到一0.2 mm之厚度)。
(附著條件)
附著設備：由Nitto Seiki公司製造之商品名「MA-3000II」
附著速度：10 mm/min
附著壓力：0.15 MPa
附著時之階段溫度：70℃
(切晶條件)
切晶設備：由DISCO公司製造之商品名「DFD-6361」
切晶環：「2-8-1」(由DISCO公司製造)
切晶速度：30 mm/sec
切晶刀片：
Z1；由DISCO公司製造之「203O-SE 27HCDD」
Z2；由DISCO公司製造之「203O-SE 27HCBB」
切晶刀片轉速：
Z1；40,000 r/min
Z2；45,000 r/min
切削方法：階梯切削
晶圓晶片大小：10.0 mm2
在切晶中，確認鏡面晶圓(工件)是否令人滿意地牢牢固持於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜上而無剝離以實施切晶。將很好地執行切晶之情形分等為「好」且將不很好地執行切晶之情形分等為「差」，從而評估切晶能力。
接下來，藉由用針將工件自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之切晶帶側向上推進來將藉由切晶所獲得之晶片形工件連同半導體背面之薄膜剝離切晶帶之壓敏黏合劑層，藉此拾取呈其中背面已由半導體背面之薄膜保護之狀態之晶片形工件。確定這個時候的晶片(總共400件)之拾取比(%)以評估拾取性質。因此，當拾取比接近於100%時，拾取性質較好。
此處，拾取條件如下。
(半導體晶圓拾取條件)
拾取設備：由Shinkawa公司製造之商品名「SPA-300」
拾取針之數目：9個針
針之向上推進速度：20 mm/s
針之向上推進距離：500 μm
拾取時間：1秒
切晶帶展開量：3 mm
<覆晶結合性之評估方法>
在使用根據該等實例及比較實例中之每一者之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜藉由上述<切晶性質/拾取性質之評估方法>所獲得之根據該等實例及比較實例中之每一者之晶片形工件上，呈一其中晶片形工件之表面(電路面)與具有一對應於電路面之佈線之電路板之表面對置之形式使一形成於晶片形工件之電路面處之凸塊與一附著至電路板之一連接墊之導電材料(焊料)接觸，並藉由使溫度升高至260℃在壓力下熔化該導電材料且隨後使其冷卻至室溫，藉此將該晶片形工件固定至該電路板以製造一半導體裝置。根據下述評估標準來評估這個時候的覆晶結合性。
(覆晶結合性之評估標準)
好：可藉由覆晶結合方法來達成安裝而無任何麻煩；
差：不可藉由覆晶結合方法來達成安裝。
<晶圓背面標記性質之評估方法>
藉助使用YAG雷射在藉由上述<覆晶結合性之評估方法>所獲得之半導體裝置中之晶片形工件之背面(即，半導體背面之薄膜之最外層之表面)上施加雷射標記。在藉由雷射標記所獲得之資訊(條碼資訊)上，根據下述評估標準來評估使用根據該等實例及比較實例中之每一者之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜所獲得之半導體裝置之標記性質(雷射標記性質)。
(標記性質之評估標準)
好：評價藉由雷射標記所獲得之資訊令人滿意地可見之人數為隨機選擇的10個成年人之中的8人或以上。
差：評價藉由雷射標記所獲得之資訊令人滿意地可見之人數為隨機選擇的10個成年人之中的7人或以下。
<晶圓背面外觀性質之評估方法>
在使用根據該等實例及比較實例中之每一者之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜藉由上述<切晶性質/拾取性質之評估方法>所獲得之根據該等實例及比較實例中之每一者之晶片形工件上，根據下述評估標準視覺評估晶片形工件之背面之外觀性質。
(外觀性質之評估標準>
好：在晶片形工件中之晶圓(矽晶圓)之背面與半導體背面之薄膜之間觀察不到剝離(鼓起)；差：在晶片形工件中之晶圓(矽晶圓)之背面與半導體背面之薄膜之間觀察到剝離(鼓起)。
自表4可看到根據實例1至2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜具有一作為切晶帶之功能及作為處於極佳位準上之半導體背面之薄膜之功能(例如，對晶圓之黏合性及一雷射標記性質)。
由於切晶帶與半導體背面之薄膜係以一體形式形成於本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中而且該半導體背面之薄膜具有一包括一晶圓黏合層及一雷射標記層之多層結構，因此可自一半導體晶圓之切晶步驟至一半導體晶圓之覆晶結合步驟利用該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。亦即，可在藉由一覆晶結合方法製作半導體裝置時合適地使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜作為具有一切晶帶及一半導體背面之薄膜之兩種功能之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
雖然本文已參照本發明具體實施例詳細闡述了本發明，但熟習此項技術者應瞭解，可在不背離本發明範疇之前提下對其實施多種改變及修改。
本申請案係基於2009年5月29日提出申請之第2009-130900號日本專利申請案及2010年4月28日提出申請之第2010-103901號日本專利申請案，該兩個日本專利申請案之全部內容以引用方式據此併入。
1．．．用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
2．．．半導體背面之薄膜
3．．．切晶帶
4．．．半導體晶圓(工件)
5．．．半導體晶片(晶片形工件)
6．．．黏合體
21．．．雷射標記層
22．．．晶圓黏合層
31．．．基礎材料
32．．．壓敏黏合劑層
51．．．形成於半導體晶片5之電路面處之凸塊
61．．．配合黏合至黏合體6之連接墊之導電材料
圖1係一顯示本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之一個實施例之截面示意圖。
圖2A至2D係顯示一用於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法之一個實施例之截面示意圖。
用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜半導體背面之薄膜
1．．．用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
2．．．半導體背面之薄膜
3．．．切晶帶
21．．．雷射標記層
22．．．晶圓黏合層
31．．．基礎材料
32．．．壓敏黏合劑層

Claims (10)

  1. 一種用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包含：一切晶帶，其包括一基礎材料及一提供於該基礎材料上之壓敏黏合劑層；及一覆晶型半導體背面之薄膜，其提供於該壓敏黏合劑層上，其中該覆晶型半導體背面之薄膜具有一包括一晶圓黏合層及一雷射標記層之多層結構，其中該晶圓黏合層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合物含有一熱固性樹脂組分及一相對於樹脂組分之總量小於30重量%之量之熱塑性樹脂組分，且其中該雷射標記層係由一樹脂組合物形成，該樹脂組合物含有一相對於樹脂組分之總量為30重量%或以上之量之熱塑性樹脂組分及一熱固性樹脂組分，其中該晶圓黏合層之厚度為1至50μm，該雷射標記層之厚度為1至50μm，該覆晶型半導體背面之薄膜之厚度為5至500μm，其中該覆晶型半導體背面之薄膜對切晶帶之厚度之比為150/50至3/500。
  2. 如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中該晶圓黏合層相對於一半導體晶圓具有一1N/10mm-寬度或以上之黏合力；且其中當在一輻射強度為1.0W之條件下以一具有一532nm之波長之釩酸釔雷射照射該雷射標記層時，該雷射標 記層具有一2μm或以上之加工深度。
  3. 如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中該晶圓黏合層及該雷射標記層分別含有一添加至其之著色劑。
  4. 如請求項2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中該晶圓黏合層及該雷射標記層分別含有一添加至其之著色劑。
  5. 如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其係在覆晶結合時使用。
  6. 如請求項2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其係在覆晶結合時使用。
  7. 如請求項3之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其係在覆晶結合時使用。
  8. 如請求項4之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其係在覆晶結合時使用。
  9. 一種使用如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作一半導體裝置之方法，該方法包含：將一工件附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之該覆晶型半導體背面之薄膜之該晶圓黏合層上，切晶該工件以形成一晶片形工件，自該切晶帶之該壓敏黏合劑層將該晶片形工件連同該覆晶型半導體背面薄膜一起剝離，及藉由覆晶結合將該晶片形工件固定至一黏合體。
  10. 一種覆晶安裝式半導體裝置，其係藉由如請求項9之方法製造。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5681374B2 (ja) * 2010-04-19 2015-03-04 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5528936B2 (ja) * 2010-07-28 2014-06-25 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5641641B2 (ja) 2010-07-29 2014-12-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2014511559A (ja) 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるアンダーフィル膜
JP2014511560A (ja) * 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜
JP5023225B1 (ja) 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体装置用フィルムの製造方法
JP5907717B2 (ja) * 2011-12-16 2016-04-26 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP5921970B2 (ja) * 2012-06-21 2016-05-24 日東電工株式会社 熱伝導性粘着組成物
US9171749B2 (en) * 2013-11-13 2015-10-27 Globalfoundries U.S.2 Llc Handler wafer removal facilitated by the addition of an amorphous carbon layer on the handler wafer
JP5978246B2 (ja) * 2014-05-13 2016-08-24 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR101602782B1 (ko) * 2014-07-03 2016-03-11 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 마킹 방법
JP6812212B2 (ja) 2016-11-14 2021-01-13 日東電工株式会社 シート、テープおよび半導体装置の製造方法
JP6921644B2 (ja) * 2017-06-27 2021-08-18 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型裏面保護フィルム
WO2020153178A1 (ja) 2019-01-23 2020-07-30 日東電工株式会社 薄ガラス樹脂積層体片の製造方法
JP2020123522A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日東電工株式会社 電池パック、無線電力伝送システムおよび補聴器
KR20220085771A (ko) 2019-10-23 2022-06-22 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 필름, 보호막 형성용 복합 시트 및 보호막 부착 소편의 제조 방법
JP2022149802A (ja) 2021-03-25 2022-10-07 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワーク加工物および装置の製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521688B1 (en) * 1994-05-05 2003-02-18 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Laser-markable plastics
US6524881B1 (en) * 2000-08-25 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking a bare semiconductor die
JP2003152317A (ja) 2000-12-25 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2004063551A (ja) 2002-07-25 2004-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット
DE10235482B3 (de) 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
JP4341343B2 (ja) 2002-10-04 2009-10-07 日立化成工業株式会社 表面保護フィルム及びその製造方法
JP4364508B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-18 リンテック株式会社 チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法
JP2004221169A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子保護材、及び半導体装置
US20040145060A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-29 Dominic Christopher J Laser marking passivation film for semiconductor package
TW200428623A (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with heat sink
JP2005327789A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4642436B2 (ja) 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4615368B2 (ja) * 2005-05-17 2011-01-19 株式会社岩田レーベル レーザーマーキング用紙、ラベル及びラベルシート
JP4865312B2 (ja) 2005-12-05 2012-02-01 古河電気工業株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4954569B2 (ja) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007250970A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法
JP4846406B2 (ja) 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4769975B2 (ja) * 2006-03-29 2011-09-07 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
JP2008006386A (ja) 2006-06-29 2008-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ用保護膜形成用シートによる保護膜形成方法。
JP2008063520A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Mitsubishi Pencil Co Ltd 粘着テープ
US8049313B2 (en) * 2006-09-20 2011-11-01 Freescale Semiconductor, Inc. Heat spreader for semiconductor package
JP2008144082A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Nippon Kararingu Kk レーザーマーキング用シート及びその製造方法
JP2008166451A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP5180507B2 (ja) * 2007-03-30 2013-04-10 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シートおよび保護膜付半導体チップ
JP2010031183A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
JP4994429B2 (ja) 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

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