TWI397930B - 螺旋電感元件 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種電感器,特別係關於一種具有多重導線結構的電感元件。
如第1圖所示,在一0.35-μm的矽製程中,一氧化矽層3係設置於矽基底1上的P型井層2之上,三個金屬層M1、M2、M3係嵌於氧化矽層3中,最上層的金屬層M3則暴露於氧化矽層3的上表面,一氮化矽層4則覆蓋氧化矽層3與金屬層M3。在三個金屬層M1、M2、M3中,金屬層M3的厚度最大,因此其導電率高於其他二者,並具有最低的導體損失(conductor loss),而適用於低損失的射頻元件設計。
第2圖係顯示一傳統的三匝式的電感元件5的俯視圖。電感元件5的最內匝導線部分6具有最高的磁通量,因此在最內匝導線部分6所產生的感應渦電流會使此處的電流密度的分佈非常不均勻。亦即,流動的電流會集中於最內匝導線部分6的內側,而明顯地減少了此處供電流流動的有效截面積,而對電感元件5的性能造成不良影響而降低其品質因子(quality factor;Q質)。而且,當電子訊號的頻率增加時,對電感元件5的品質因子的不良影響就更加劇烈。
有鑑於此,業界需要一種技術,可消除或減少電感元件內部的電流密度分佈不均的情形,而藉此提升電感元件的性能,提升電感元件的品質因子。
本發明係提供一種螺旋電感元件,包含:一第一螺旋導線,其為多匝式,其具有一外匝端點部與一內匝端點部;一第二螺旋導線圍繞於上述第一螺旋導線的最外匝導線部分的至少一部分的外側,其具有一第一端點部與一第二端點部;以及一連接裝置,電性連接於上述內匝端點部與上述第一端點部之間。
本發明係又提供一種螺旋電感元件,包含:一絕緣層,設置於一基底上;一第一螺旋導線,其為多匝式,設置於上述絕緣層內,其具有一外匝端點部與一內匝端點部;一第二螺旋導線設置於上述絕緣層內、且圍繞於上述第一螺旋導線的最外匝導線部分的至少一部分的外側,其具有一第一端點部與一第二端點部,上述第一螺旋導線與上述第二螺旋導線是屬於同一導線層;一第一柱狀導體,電性連接於上述內匝端點部且凸出於上述第一螺旋導線;一第二柱狀導體,電性連接於上述第一端點部且凸出於上述第二螺旋導線,且其凸出方向實質上與上述第一柱狀導體的凸出方向相同;以及一連接線,電性連接於上述第一柱狀導體與上述第二柱狀導體之間,上述連接線與上述第一螺旋導線為不同導線層。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:後文所述之『「實質上」均勻』、『「實質上」平行』、『「實質上」等於』、『「實質上」(與)......相同』等的敘述,係指在設計上期望為均勻、平行、等於、(與)......相同,但受限於實際製造上的誤差,而現實上難以達成如數學或幾何學所定義之均勻、平行、等於、(與)......相同,但是其誤差若是落於對應的製造規格所能允許的範圍者,仍視為均勻、平行、等於、(與)......相同。發明所屬技術領域中具有通常知識者應當瞭解,前述製造規格係依據各種條件而有不同的變化,故未一一列出。
請參考第3圖,為一俯視圖,係顯示本發明較佳實施例之螺旋電感元件。第3圖所示的螺旋電感元件包含一螺旋導線10、一螺旋導線20、與一連接裝置30。
螺旋導線10為多匝式的螺旋導線,具有一外匝端點部11與一內匝端點部12,其整體可實質上位於相同平面、亦可以不位於相同平面。外匝端點部11為最外匝導線部分13的起始處,內匝端點部12為最內匝導線部分14的終止處;或是由另一觀點而言,內匝端點部12為最內匝導線部分14的起始處,外匝端點部11為最外匝導線部分13的終止處。在本實施例中,螺旋導線10係由外匝端點部11開始以順時鐘方向迴旋至內匝端點部12為止,而發明所屬技術領域中具有通常知識者亦可視其需求變更為逆時針方向迴旋。第3圖雖顯示螺旋導線10的匝數為2,但是發明所屬技術領域中具有通常知識者亦可視其需求增加其匝數,而且螺旋導線10的匝數可以是整數、亦可以為非整數,可視需求加以變化。另外,螺旋導線10之外型可為圓型、橢圓型、矩型、六邊型、八邊型、或多邊型。在第3圖中,係以矩型作為範例說明。
螺旋導線20圍繞於螺旋導線10的最外匝導線部分13的至少一部分的外側、亦可圍繞於螺旋導線10的最外匝導線部分13的整個外側,其具有一端點部21與一端點部22,其整體可實質上位於相同平面、亦可以不位於相同平面。而在螺旋導線10的整體實質上位於相同平面的情況下,螺旋導線20可實質上與螺旋導線10位於相同平面、亦可以不位於相同平面。另外,螺旋導線20未伸入螺旋導線10所圍繞的領域15中、且未接觸螺旋導線10。再者,由於螺旋導線20是圍繞於螺旋導線10的最外匝導線部分13,其外型係視所選擇的螺旋導線10之外型而變化。
連接裝置30係電性連接於內匝端點部12與端點部21之間,且除了內匝端點部12與端點部21之外,連接裝置30並未接觸螺旋導線10、20的其他部分,例如連接裝置30可設於螺旋導線10、20的上方、下方、或是其他不會接觸螺旋導線10、20的其他部分的形式。在本發明較佳實施例之螺旋電感元件的各種不同的應用例中,連接裝置30可具有不同的細部組成,可詳見後文對第4~7圖所作敘述。
而為因應本發明較佳實施例之螺旋電感元件對外連線的需求,可視情況增設信號輸入/輸出埠41、42。其中信號輸入/輸出埠41是電性連接於外匝端點部11,且朝遠離螺旋導線10的方向延伸;而信號輸入/輸出埠42是電性連接於端點部22,且朝遠離螺旋導線20的方向延伸。信號輸入/輸出埠41與42的延伸方向可以實質上平行或不平行,而第3圖所示的情況則為信號輸入/輸出埠41與42實質上平行。
另外,第3圖所示的螺旋導線20的匝數是不足但接近於一匝而使信號輸入/輸出埠41、42的排列位置相當接近;但在另一實施例中,螺旋導線20的匝數可以視需求而定而為四分之三、二分之一、或是其他小於1的正數,並因而拉開信號輸入/輸出埠41、42的距離。亦即,螺旋導線20圍繞於螺旋導線10的最外匝導線部分13的至少一部分的外側、亦可圍繞於螺旋導線10的最外匝導線部分13的整個外側。
而在實用上,螺旋導線10、20的材質與各項尺寸參數較好為實質上均勻,以方便計算、控制本發明較佳實施例之螺旋電感元件的電感值與其他性能表現。而接下來所說明之螺旋電感元件的較佳尺寸參數亦可應用於本說明書在後文所舉出的應用例、或是發明所屬技術領域中具有通常知識者所能應用的其他應用例中。另外,為了方便說明,會以未知數來表現一些尺寸上的參數,在實際實施方面,這些以未知數所表示的數值是可由本發明所屬技術領域中具有通常知識者根據其需求而作適當調整。
螺旋導線10、20較好為實質上位於相同平面,例如可以對一導線層進行圖形化,而同時形成螺旋導線10、20。螺旋導線10較好為具有實質上均勻的線寬值W1
,其線寬視需求可在某些部位有所變動,例如在內匝端點部12的寬度值可漸變為W2
,其中W2
大於W1
。另外,螺旋導線10的各相鄰匝之間的導線間距(pitch)較好為具有實質上均勻的間距值P。在一實施例中,內匝端點部12的寬度值可與可螺旋導線10、20的線寬值相同,皆為W1
(未繪示)。
螺旋導線20較好為亦具有實質上均勻的線寬,且其線寬值更好為實質上等於螺旋導線10的線寬值W1
。而在選擇增設信號輸入/輸出埠41、42的情況中,二者可實質上位於相同平面、或是位於不同平面。而在較佳的實施例中,信號輸入/輸出埠41、42可與螺旋導線10、20實質上位於相同平面,例如可以在形成螺旋導線10、20時,藉由同一圖形化的步驟,而同時形成螺旋導線10、20與信號輸入/輸出埠41、42。信號輸入/輸出埠41、42較好為均具有實質上均勻的線寬,且線寬值更好為均實質上等於螺旋導線10的線寬值W1
。
而螺旋導線20與螺旋導線10的最外匝導線部分13較好為實質上為平行,螺旋導線20與螺旋導線10的最外匝導線部分13的導線間距更好為實質上等於螺旋導線10的各相鄰匝之間的導線間距值P。在選擇增設信號輸入/輸出埠41、42的情況中,二者的間距可以是等於螺旋導線10的各相鄰匝之間的導線間距值P、亦可以是大於P的其他數值。
接下來說明本發明較佳實施例之螺旋電感元件作為晶片內建電感元件的應用例,其一例示的剖面結構、即是沿著第3圖的AA’線的剖面結構,係繪示於第4圖。
在第4圖中,一絕緣層110係設置於一基底100上。在晶片內建電感元件之應用例中,基底100包括一矽基底或其他習知的半導體基底。另外,基底100中可包含各種不同的元件,例如電晶體、電阻、及其他習用的半導體元件。再者,基底100亦可包含其他導電層(例如,銅、鋁、或其合金)以及絕緣層(例如,氧化矽層、氮化矽層、或低介電材料層)。此處為了簡化圖式,上述結構僅以一平整基底表示之。
絕緣層110通常是具有多層不同介電材料的多層膜,且其各層是分別對應於嵌入、設置於其內的內連線系統之各導線層122、123。同樣地,為了簡化圖式,上述結構僅以單一且平整的絕緣層表示之。
在第4圖中,螺旋導線10、20是屬於同一最上層的導線層123,由於導線層123的厚度在各導線層中屬最大者,因此其導電率高於其他的導電層,並具有最低的導體損失,而適用於低損失的射頻元件設計。而在其他的實施例中,亦可將螺旋導線10、20設置於其他較低層的導線層例如導線層122中。
在本實施例中,由於螺旋導線10、20是屬於同一最上層的導線層123,電性連接於內匝端點部12與端點部21之間的連接裝置30(請參考第3圖)則是設置於螺旋導線10、20的下方,並具有柱狀導體31、柱狀導體32、與連接線33等結構。
柱狀導體31是電性連接於內匝端點部12、且凸出於螺旋導線10;柱狀導體32是電性連接於端點部21且凸出於螺旋導線20,且其凸出方向實質上與柱狀導體31的凸出方向相同。在本實施例中,柱狀導體31、32是設置於絕緣層110內的插塞結構,且分別位於內匝端點部12、端點部21的下方。而連接線33是電性連接於柱狀導體31、32之間,連接線33與螺旋導線10為不同導線層。在本實施例中,連接線33是位於導線層123下方的導線層122中,即是所謂的「下跨線」(underpass);在另一實施例中,亦可將連接線33設於導線層122的下一層導線層(未繪示)中,此時導線層122的其他繞線必須避開柱狀導體31、32預定通過的區域而避免與其電性接觸,而使柱狀導體31、32直接向下延伸而電性連接位於導線層122的下一層導電層中的連接線33;在又另一實施例中,連接線33亦可設置於導線層122以下數層的其他導電層(未繪示)中,此時螺旋導線10、20與連接線33之間的各導電層的其他繞線均必須避開柱狀導體31、32預定通過的區域而避免與其電性接觸,而使柱狀導體31、32直接向下延伸而電性連接連接線33。
另外,將螺旋導線10、20設置於其他較低層的導線層的情況中,可將連接線33設置於其下層或上層的其他導電層中,藉由類似柱狀導體31、32的插塞結構,完成內匝端點部12與端點部21之間的電性連接。
還有,在選擇增設信號輸入/輸出埠41、42的情況中,雖然第4圖並未繪示,信號輸入/輸出埠41、42亦可以設置於與螺旋導線10、20相同的導線層123中,而直接電性連接外匝端點部11、端點部22(請參考第3圖);在另一實施例中,信號輸入/輸出埠41、42亦可以設置於與螺旋導線10、20不同的導線層中,而藉由類似柱狀導體31、32的結構而電性連接外匝端點部11、端點部22(請參考第3圖)。
第4圖所示的結構為本發明較佳實施例之螺旋電感元件作為晶片內建電感元件的應用例的一例示的剖面結構,然而亦適用於其他具有多層線路結構的裝置例如作為封裝基板或電子裝置母板的印刷電路板、或作為封裝基板的多層線路的導線架。此時,基底100就可以是上述裝置的核心基板,而設於絕緣層110上的保護層130則可作為防銲層。
站在螺旋電感元件的觀點,連接裝置30為一重要的元件,藉由連接裝置30而能夠串接螺旋導線10、20而成為完整的螺旋電感元件。而在其他應用例中,可以僅將螺旋導線10、20形成於一內連線系統中,連接裝置30則不一定需要形成於此一內連線系統中,而藉由使上述內連線系統與一外部裝置的連接,而電性連接螺旋導線10、20,完成本發明較佳實施例之螺旋電感元件。
例如在第4圖所示的晶片內建電感元件、印刷電路板內建電感元件、或導線架內建電感元件中,可使螺旋導線10的內匝端點部12與螺旋導線20的端點部21之間的電性連接不經由其下層導電層,而是藉由連接於螺旋導線10、20上方的外部裝置來達成。如此一來,可使本發明較佳實施例之螺旋電感元件不止可適用於具有多層內連線系統元件的裝置,亦可適用於僅具單層內連線系統的裝置,例如作為封裝基板的單層佈線的印刷電路板或單層的導線架等。上述內連線系統的一例示結構的剖面圖係繪示於第5圖,其俯視圖亦可為第3圖所顯示者;亦即,第5圖亦為沿著第3圖之剖面線AA’之剖面圖。
第5圖中所示的螺旋導線10與20、內匝端點部12、端點部21、基底100、絕緣層110及其上表面110a、導線層123、與保護層130等元件,係與第4圖所示的同樣元件符號所代表的元件為相同或等效元件,故在此省略其敘述。而在另一實施例中,上述內連線系統可僅具有單層的導線層123;或可在導電層123下增設一或數層的導線層。
在第5圖中,螺旋導線10、20的上表面曝露於絕緣層110的上表面110a中,可在保護層130形成開口131、132,而分別曝露端點部21與內匝端點部12,以便製作銲墊34、35分別電性連接端點部21與內匝端點部12。此時較好為經由適當的佈局,使端點部21與內匝端點部12位於適於形成銲墊34、35的位置。完成銲墊34、35的製作後,可視需求再形成一保護層140於保護層130及銲墊34、35上,再形成開口141、142而分別曝露銲墊34、35。
以下說明在螺旋導線10的內匝端點部12與螺旋導線20的端點部21之間形成電性連接的應用例。
例如在第6圖中,可以使用銲線接合的技術,形成一銲線36而電性連接於銲墊34、35之間,而完成螺旋導線10的內匝端點部12與螺旋導線20的端點部21之間的電性連接。此時,銲墊34、35可作為柱狀導體,而銲線36則作為連接線,而構成第3圖所示的連接裝置30。
在另一例示的應用例中,如第7圖所示,可提供一外部裝置50,其具有連接端點53、54及電性連接於連接端點53與54之間的連接線37。外部裝置50可以是印刷電路板、封裝基板、半導體晶片、被動元件、或其他具內部線路的裝置,視第5圖所示的內連線系統是屬於何種裝置例如半導體晶片、印刷電路板、導線架、或其他裝置而定。
接下來藉由導電凸塊51電性連接於銲墊34與連接端點53之間,並藉由導電凸塊52電性連接於銲墊35與連接端點54之間,而完成螺旋導線10的內匝端點部12與螺旋導線20的端點部21之間的電性連接。此時,銲墊34、35可作為柱狀導體,而導電凸塊51、連接端點53、連接線37、連接端點54、與導電凸塊52的組合則作為連接線,而構成第3圖所示的連接裝置30。
在另一應用例中,可以類似銲線36的銲線結構來取代第7圖所示的導電凸塊51、52,此時外部裝置50就可能不會在螺旋導線10、20的上方,而可能在基底100的下方或旁邊。
本發明較佳實施例之螺旋電感元件的一項特徵,是以螺旋導線20來取代傳統螺旋電感元件的最內匝導線,而可以在總匝數不變的情形下,改善消除或減少電感元件內部的電流密度分佈不均的情形,而藉此提升電感元件的性能,提升電感元件的品質因子(Q值)。
本發明的實施例具有數項優點。其一,本發明較佳實施例之螺旋電感元件的製造,適用於或相容於標準的矽製程。另外,已藉由對照實驗證明,本發明較佳實施例之螺旋電感元件的品質因子(Q值)係高於傳統螺旋電感元件的品質因子(Q值)。另外,本發明較佳實施例之螺旋電感元件的製造,不需要特殊的製造條件。還有,藉由本發明較佳實施例之螺旋電感元件的實施,可以確保射頻裝置系統的品質,並可降低製造成本。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
M1...金屬層
M2...金屬層
M3...金屬層
1...矽基底
2...P型井層
3...氧化矽層
4...氮化矽層
5...電感元件
6...最內匝導線部分
10...螺旋導線
11...外匝端點部
12...內匝端點部
13...最外匝導線部分
14...最內匝導線部分
15...領域
20...螺旋導線
21...端點部
22...端點部
30...連接裝置
31...柱狀導體
32...柱狀導體
33...連接線
34...銲墊
35...銲墊
36...銲線
37...連接線
41...信號輸入/輸出埠
42...信號輸入/輸出埠
50...外部裝置
51...導電凸塊
52...導電凸塊
53...連接端點
54...連接端點
100...基底
110...絕緣層
110a...上表面
122...導線層
123...導線層
130...保護層
131...開口
132...開口
140...保護層
141...開口
142...開口
第1圖為一剖面圖,係顯示習知的矽製程之半導體裝置的結構。
第2圖為一俯視圖,係顯示傳統的三匝式的電感元件。
第3圖為一俯視圖,係顯示本發明較佳實施例之螺旋電感元件。
第4圖為一剖面圖,係顯示本發明較佳實施例之螺旋電感元件的一應用例。
第5圖為一剖面圖,係顯示本發明較佳實施例之螺旋電感元件的另一應用例。
第6圖為一剖面圖,係顯示第5圖所示的應用例的一變化形式。
第7圖為一剖面圖,係顯示第5圖所示的應用例的另一變化形式。
10...螺旋導線
11...外匝端點部
12...內匝端點部
13...最外匝導線部分
14...最內匝導線部分
15...領域
20...螺旋導線
21...端點部
22...端點部
30...連接裝置
41...信號輸入/輸出埠
42...信號輸入/輸出埠
Claims (23)
- 一種螺旋電感元件,包含:一第一螺旋導線,其為多匝式,其具有一外匝端點部與一內匝端點部;一第二螺旋導線圍繞於該第一螺旋導線的最外匝導線部分的至少一部分的外側,其具有一第一端點部與一第二端點部,其中該第二螺旋導線未伸入第一螺旋導線所圍繞的領域中,且該第一螺旋導線及該第二螺旋導線之間未設置其他的螺旋導線;以及一連接裝置,電性連接於該內匝端點部與該第一端點部之間,其中除了該內匝端點部之外,該第一螺旋導線具有實質上均勻的線寬值W1 ,且該內匝端點部的寬度值W2 大於W1 ;一第一信號輸入/輸出埠,電性連接於該外匝端點部,且朝遠離該第一螺旋導線的方向延伸;以及一第二信號輸入/輸出埠,電性連接於該第二端點部,且朝遠離該第二螺旋導線的方向延伸,其中該第一信號輸入/輸出埠及該第二信號輸入/輸出埠位於該內匝端點部及該第一端點部之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該第一信號輸入/輸出埠與該第二信號輸入/輸出埠為實質上平行。
- 如申請專利範圍第2項所述之螺旋電感元件,其中 該第二螺旋導線、該第一信號輸入/輸出埠、與該第二信號輸入/輸出埠均具有實質上均勻的線寬,且三者的線寬值均實質上等於W1 ;該第一螺旋導線的相鄰匝之間具有實質上均勻的間距值P;以及第一信號輸入/輸出埠與該第二信號輸入/輸出埠之間的間距值實質上等於P。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該第二螺旋導線與該第一螺旋導線的最外匝導線部分實質上為平行。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該第二螺旋導線未接觸該第一螺旋導線。
- 一種螺旋電感元件,包含:一絕緣層,設置於一基底上;一第一螺旋導線,其為多匝式,設置於該絕緣層內,其具有一外匝端點部與一內匝端點部;一第二螺旋導線設置於該絕緣層內、且圍繞於該第一螺旋導線的最外匝導線部分的至少一部分的外側,其具有一第一端點部與一第二端點部,該第一螺旋導線與該第二螺旋導線是屬於同一導線層;一第一柱狀導體,電性連接於該內匝端點部且凸出於該第一螺旋導線;一第二柱狀導體,電性連接於該第一端點部且凸出於該第二螺旋導線,且其凸出方向實質上與該第一 柱狀導體的凸出方向相同,其中該第一柱狀導體與該第二柱狀導體為設置於該絕緣層上方的銲墊結構;以及一連接線,電性連接於該第一柱狀導體與該第二柱狀導體之間,該連接線與該第一螺旋導線為不同導線層。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該第一柱狀導體與該第二柱狀導體為設置於該絕緣層內的插塞結構,而該連接線是位於該第一螺旋導線與該第二螺旋導線的下層導線層。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該連接線為銲線接合結構。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,更包含一電子元件電性連接於該第一柱狀導體與該第二柱狀導體,且該電子元件包含該連接線。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中除了該內匝端點部之外,該第一螺旋導線具有實質上均勻的線寬值W1 ,該內匝端點部的寬度值W2 大於W1 。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,更包含:一第一信號輸入/輸出埠,設置於該絕緣層內、且電性連接於該外匝端點部,並朝遠離該第一螺旋導線的方向延伸;以及 一第二信號輸入/輸出埠,設置於該絕緣層內、且電性連接於該第二端點部,並朝遠離該第二螺旋導線的方向延伸。
- 如申請專利範圍第11項所述之螺旋電感元件,其中該第一信號輸入/輸出埠與該第二信號輸入/輸出埠為實質上平行。
- 如申請專利範圍第12項所述之螺旋電感元件,其中除了該內匝端點部之外,該第一螺旋導線具有實質上均勻的線寬值W1 ,該內匝端點部的寬度值W2 大於W1 ;該第二螺旋導線、該第一信號輸入/輸出埠、與該第二信號輸入/輸出埠均具有實質上均勻的線寬,且三者的線寬值均實質上等於W1 ;該第一螺旋導線的相鄰匝之間具有實質上均勻的間距值P;以及第一信號輸入/輸出埠與該第二信號輸入/輸出埠之間的間距值實質上等於P。
- 如申請專利範圍第12項所述之螺旋電感元件,其中該第一信號輸入/輸出埠、該第二信號輸入/輸出埠、該第一螺旋導線、與該第二螺旋導線是屬於同一導線層。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該第二螺旋導線與該第一螺旋導線的最外匝導線 部分實質上為平行。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該基底係擇自下列所組成之族群:半導體基底、導線架的核心基板、或印刷電路板的核心基板。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該第二螺旋導線未伸入該第一螺旋導線所圍繞的領域中、且未接觸該第一螺旋導線。
- 一種螺旋電感元件,包含:一第一螺旋導線,其具有一外匝端點部與一內匝端點部;一第二螺旋導線,其包含一第一端點部與一第二端點部,並圍繞於該第一螺旋導線的最外匝導線部分的至少一部分的外側,以使該第二螺旋導線未伸入第一螺旋導線所圍繞的領域中;一連接裝置,電性連接於該內匝端點部與該第一端點部之間,其中除了該內匝端點部之外,該第一螺旋導線具有實質上均勻的線寬值W1 ,該內匝端點部具有實質上均勻的線寬值W21 ,且寬度值W2 大於W1 ;一第一信號輸入/輸出埠,電性連接於該外匝端點部,且朝遠離該第一螺旋導線的方向延伸,其中該第一信號輸入/輸出埠與該第二螺線導線未重疊;以及一第二信號輸入/輸出埠,電性連接於該第二端點部,且朝遠離該第二螺旋導線的方向延伸,其中該第一信號輸入/輸出埠及該第二信號輸入/輸出埠位於該 內匝端點部及該第一端點部之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該內匝端點部之線寬值由W1 漸變為W2 。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該第一螺旋導線的匝數至少為2,且該第一螺旋導線及該第二螺旋導線的總匝數至少為3。
- 如申請專利範圍第6項所述之螺旋電感元件,其中該第一螺旋導線的匝數至少為2,且該第一螺旋導線及該第二螺旋導線的總匝數至少為3。
- 如申請專利範圍第18項所述之螺旋電感元件,其中該第一螺旋導線的匝數至少為2,且該第一螺旋導線及該第二螺旋導線的總匝數至少為3。
- 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感元件,其中該連接裝置係置於該第一螺旋導線及該第二螺旋導線下方,且該連接裝置通過該第一螺旋導線及該第二螺旋導線的至少2匝。
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