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TWI359835B - Resin composition and semiconductor device produce - Google Patents

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Publication number
TWI359835B
TWI359835B TW094108033A TW94108033A TWI359835B TW I359835 B TWI359835 B TW I359835B TW 094108033 A TW094108033 A TW 094108033A TW 94108033 A TW94108033 A TW 94108033A TW I359835 B TWI359835 B TW I359835B
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TW
Taiwan
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compound
resin composition
formula
group
general formula
Prior art date
Application number
TW094108033A
Other languages
English (en)
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TW200536884A (en
Inventor
Okubo Hikaru
Tanaka Nobuki
Watanabe Itaru
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co filed Critical Sumitomo Bakelite Co
Publication of TW200536884A publication Critical patent/TW200536884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI359835B publication Critical patent/TWI359835B/zh

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Description

〇
1359835 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於樹脂组成物及使用該樹脂組成物製作 半導體裝置。 【先前技術】 半導體製造步驟中，在以提升半導體元件黏著，即 「黏晶步驟生產性J之目的下，便採取有在同一生產 配置著黏晶機、焊線機等的線内（i η 1 i n e )硬化方式， 後將有越形增加的趨勢。因而相較於習知所採行批次 的晶片黏結塗劑之硬化條件下，硬化所需時間明顯受 例如，習知烤箱硬化方式之情況下，在1 5 0 - 2 0 0 °C中： 6 0 ~ 9 0分鐘的硬化，但是相對的為線内硬化方式的情： 時，則要求在1 5 0 ~ 2 0 0 °C中施行1 5〜9 0秒鐘的短時間竭 (例如參照日本專利特開2 0 0 0 - 6 3 4 5 2號公報） 再者，隨半導體裝置處理速度的高速化，一般係使 械強度較弱的晶片表面層，但為降低對晶片表面的應 便要求將因半導體元件與銅框架間的熱膨脹係數差之 生之半導體元件翹曲量的最小限化，及要求用於防止 架氧化之低溫硬化。 雖均關聯於上述硬化時間縮短與低溫硬化之要求， 另夕卜尚要求散熱管理（Thermal Management)。換句話 隨半導體製品的大容量、高速處理化及細微配線化， 體製品動作中所發生的熱問題將趨於明顯，從半導體 使熱散逸之所謂「散熱管理j便越形重要課題。因此 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 之 所謂 線上 且今 方式 限， 他行 兄 :化。 用機 力， 所產 銅框 但是 說， 半導 製品 6 1359835 j
C
般雖採行在半導體製品上安裝散熱月、散熱座等散熱構件 的方法等，但是仍期待黏著散熱構件之材料本身熱導率能 更高。 另一方面，隨半導體製品的形態，而有：將半導體元件 本身黏著於金屬製散熱片上、將散熱片黏著於已黏著半導 體元件的引線框架晶粒座部上、及使晶粒座部露出至封裝 表面並疊上散熱板的情況，此外尚有將半導體元件黏著於 具有散熱通道（thermal via)等散熱機構的有機基板等的 情況。此情況下，均同樣地對將黏著半導體元件的材料要 求高熱導率。依此對晶片黏結材料或散熱構件黏著用材料 均要求高熱導率，同時亦必須能承受半導體製品搭載於基 板時的迴流處理，且多數情況亦將要求大面積黏著，因而 為了抑制因構成構件間之熱膨脹係數不同所衍生之翹曲等 情況，亦需要兼有低應力性。 但是，在高熱導性黏著劑方面將存在有下述數個問題點 (例如參照曰本專利特開平1 1 - 4 3 5 8 7號公報）。通常，高熱 導性黏著劑係將銀粉、銅粉之類的金屬填料、或氮化鋁、 氮化硼等陶瓷系填料等熱導性微粒子，依高含有率添加於 有機系黏結劑中，但是因為可含有的量將有極限，因而將 有無法獲得高熱導率的情況。此外，含大量溶劑的高熱導 性黏著劑雖硬化物單體的熱導率良好，但是當使用於半導 體製品的狀態時，硬化物中將殘留溶劑、或經溶劑揮發後， 將形成孔洞而有熱導率不穩定的情況。此外，即便在黏著 劑中含有大量的熱導性微粒子，但是因為熱導性微粒子含 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 有率偏高，因而將有低應力性不足的情況。 另一方面，由於因應環保便使用無鉛銲錫作為基板構裝 時的銲錫，故發生需要較使用錫-鉛銲錫時更高迴流溫度的 狀況《隨此種無鉛銲錫的使用，將因為迴流溫度之高溫化 而導致壓力增加，因而於迴流步驟中便容易在半導體製品 中發生剝離甚至龜裂，半導體製品的構成材料.便較習知更 加強烈要求更高的迴流对性（高迴流信賴性）。
再者，時下因應環保，半導體製品正朝廢除鉛的方向發 展，在自半導體製品外裝鍍敷的脱鉛化之目的下，將引線 框架的鐘敷改為N i - P d鐘敷的情況已有增加的趨勢。在此 Ni-Pd鍍敷在提升表面Pd層安定性之目的下，便有更於Pd 層上施行薄薄的鍍金（金閃鍍），但是因為Ni-Pd電鍍本身 的平滑性及表面存在金的關係，相較於通常的鍍銀銅框架 等之下，表面黏著力將降低。因此在提升黏著力之目的下， 雖有採行對N i - P d鍍敷框架表面施行化學性、物理性粗化 方法的情況，但是此種粗化表面經常發生晶片黏結塗劑.樹 脂滲出，形成封裝信賴性降低之嚴重問題的肇因。 在與上述諸項問題之關係中，時下主流的環氧樹脂系晶 片黏結塗劑便有使用例如胺系硬化劑等，藉此雖可在6 0 秒程度内便硬化，但是卻無法應付1 5〜3 0秒的超短時間硬 化。 另一方面，若使用順丁烯二醯亞胺等具醯亞胺鍵結的化 合物，在與金屬間的密接性將特別獲得改善者，係在諸如 下述文獻等之中便有揭示。該等文獻即如：曰本專利特表平 8 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
1359835 1 Ο - 5 Ο 5 5 9 9號公報、特表2 Ο Ο Ο - 5 1 4 4 9 6號公報 2 Ο Ο 1 - 5 Ο 1 2 3 Ο號公報、特開平Π - 1 Ο 6 4 5 5號公 2 Ο Ο 1 - 2 6 1 9 3 9號公報及特開2 Ο Ο 2 - 2 Ο 7 2 1號公聋ί 亞胺化合物的極性較高，當單獨使用的情況時 化物吸水率提高，導致吸濕後的硬化物特性惡 此外，即使合併使用其他成分時，為能均勻的 要添加高極性成分，該等添加成分亦如同上述 後的硬化物特性惡化，特別係就從對N i - P d鍍 黏著性表面的密接性、與可承受因改變為無鉛 溫度上升所衍生應力增加的低應力性及耐濕性 將無法滿足。 再者，雖期盼較習知所使用之晶片黏結塗劑 日本專利特開2 0 0 0 - 2 7 3 3 2 6號公報），對N i - P d 黏著性更優越、對彈性率低之低應力性優越、 樹脂滲出的材料，可是截至目前尚未出現能滿>5 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 本發明係經考慮上述實情之後而完成者，其 於提供一種速硬化優越，且亦可應付習知所採 化之樹脂組成物，及將該樹脂組成物使用作為 片黏結材料時，耐焊接龜裂性等的信賴性均優 裝置。 再者，本發明第2目的在於提供一種具充分 且顯示良好黏著性，尤其是更顯示出優越滲出 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94丨08033 、特表 報、特開 .。但是，酿 ，將存在硬 化等缺點。 混合，仍需 將導致吸濕 敷框架等難 銲錫而迴流 等觀點而言 (例如參照 鍍敷框架的 且不致發.生 L的化合物。 第1目的在 取的烤箱硬 半導體用晶 越之半導體 的低應力性 性的樹脂組 9 1359835 成物，及當將該樹脂組成物使用為半導體用晶片黏結材 料、或散熱構件黏著用材料時，信賴性優越的半導體裝置。 (解決問題之手段） 上述本發明目的係藉由至少含有填充材（A )、下述化合 物（B)及熱自由基起始劑（C)，且實質未含有光聚合起始劑 的樹脂組成物而達成，而藉由使用該樹脂組成物便可獲得 高信賴性的半導體裝置。
化合物（B ): 主鏈骨架含有下述一般式（1)所示構造，且至少具有1 個下述一般式（2)所示之官能基的化合物 —{-X1—R1^— ⑴ (上述式中，X 1係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 1係指碳數 1 - 6碳氫基；m係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示 之部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互
(2) (上述式中，R2係指_ C 2 Η 2 或-C 3 Η 4 - ; R3係指碳數1 ~ 1 1 碳氫基。相同符號所示之部分係當式中含有2個以上時， 該等可為相同亦可為互異。） 上述化合物（Β)中，特別以下述一般式（3 )所示之雙順丁 稀二醞亞胺（m a 1 e i m i d e )化合物（Β ’）為特佳的化合物。 雙順丁烯二醯亞胺化合物（Β ’）： 10 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 1359835
R5—COO—R6—(X2—R6V
OCO
(3)
(上述式中，X2係指-0 -、- C ◦ 0 -或-0 C 0 ◦ - ; R4係指氫原 子或曱基；R5係指碳數1、1 1之碳氫基；R6係指碳數3 ~ 6 之碳氫基；η係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互異。） 上述本發明的樹脂組成物係含有上述填充材（A )、上述 化合物（B )及上述熱自由基起始劑（C )作為必要成分，同時 可更附加其他任意成分。此種必要成分與任意成分的組合 中，特別以第1至第6之組成物系為佳。 (1 )第1組成物系 第1組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)及下述化合物（D)，且實質 未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物（D ): 化合物（D )係指主鏈骨架含有一般式（4 )所示構造，且至 少含有1個具可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合 物。 —(-X3—R7-)— (4) (上述式中，X3係指一0 - ' - C 0 0 -或一0 C 0 0 - ; R7係指石炭數 3〜6之碳氫基。ρ係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異。） 11 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
1359835 (2 )第2組成物系 第2組成物系係至少包含有上述填充材（A ) 物（B)'上述熱自由基起始劑（C)、上述第1知 用的化合物（D)、及下述化合物（L)與下述化告 合，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物（L ): 化合物（L )係主鏈骨架含有一般式（1 1 )所示 至少具有1個縮水甘油基的化合物。 -4-X7—R15}t* (11) (上述式中，X7係指一〇-、 一coo -或一0C00-; 3〜6之碳氫基。U係2以上且50以下的整數。 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相 異 化合物（Μ ): 化合物（Μ )係具有能與上述化合物（L )之縮4 應之官能基的化合物。 (3 )第3組成物系 第3組成物系係至少包含有上述填充材（A ) 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、及下述丙辦 (E )，且實質未含光聚合起始劑的組成物系。 丙烯酸酯化合物（E ): 丙烯酸酯化合物（E )係指下述一般式（5 )所ίί 3】2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94】08033 、上述化合 成物系所使 物（Μ )的組 之構造，且 R 15係指碳數 相同符號所 同亦可為互 l甘油基反 、上述化合 酸酯化合物 :之化合物。 12 1359835 R8 (|)y (CH2=C-C-0-CH2)~C-OH (5)
II I i (r9)z (上述式中，R8係指氫原子或曱基；R9係指碳數1 ~ 3之 碳氫基。X、y ' z 係符合（x + y + z) = 3、l$xS3' 0SyS2' 0 S z S 2。相同符號所示部分係當式中含有2個以上時，該 等可為相同亦可為互異。）
(4 )第4組成物系 第4組成物系係至少包含有上述填充材（A )'上述化合 物（B )、上述熱自由基起始劑（C )、及下述丙烯醯胺化合物 (F )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 丙烯醯胺化合物（F ): 丙烯醯胺化合物（F )係指主鏈骨架含有一般式（6 )所示 之構造，且至少具有1個一般式（7 )所示之官能基的化合 物。 (6) (7) Φ —_(χ4—R1〇)_
ch2=cr11-conh (上述2個式中，X4係指-0-、-C00-或-0C00- ; R10係指 碳數3〜6之碳氫基；R11係指氫原子或曱基。r係1以上且 5 0以下的整數。相同符號所示部分係當式中含有2個以上 時，該等可為相同亦可為互異。） (5 )第5組成物系 第5組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、及下述烯丙醋化合物 13 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94〗08033 1359835 (G )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 烤丙醋化合物（G ) 烯丙酯化合物（G )係指至少具有1個一般式（8 )所示之官 能基的4匕合物。 CH2=CH—CH2—OCO——R12— ⑻ (上述式中，R 12係指碳數2〜8之碳氫基。） (6 )第6組成物系
第6組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、下述化合物（H)、及反應 性稀釋劑（I )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物（Η ): 化合物（Η )係指數平均分子量5 0 0〜5 0 0 0，且1分子内至 少具有1個碳-碳不飽和鍵之碳氫化合物衍生物，並在改質 處含有一般式（10)所示之構造，且至少具有1個可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物。 —(-Χ6—R14}^- (10) (上述式中，X6係指-0-、-C00 -或-0C00-; R"係指碳數 3 - 6之碳氫基。t係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異。） (發明效果） 本發明的樹脂組成物，特別係指屬於上述第1至第6組 成物系者，當使用作為半導體元件的黏著劑時，黏著強度、 速硬化性、耐濕性及低應力性均優越，且亦可因應烤箱硬 14 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 化，特別係銅引線框架與半導體元件的黏著性優越。此外， 所獲得之半導體裝置的耐焊接龜裂性亦優越。結果便可獲 得高信賴性的半導體裝置。
再者，本發明樹脂組成物中之第3組成物系，顯示出良 好低應力性 '良好黏著性，同時具優越滲出性，因此藉由 將該樹脂組成物使用作為半導體用晶片黏結材料、散熱構 件黏著用材料、或散熱座構件用黏結材料，便可獲得信賴 性優越的半導體裝置。 【實施方式】 以下，針對本發明進行詳細説明。另外，本發明中，所 謂「（甲基）丙烯基」係指丙烯基及/或曱基丙烯基，所謂「（甲 基）丙烯醯基」係指丙烯醯基及/或曱基丙烯醯基。 依照本發明，將提供非常適用作為半導體元件或散熱構 件用之黏著劑的樹脂組成物，該樹脂組成物的特徵在於至 少包含有填充材（A )、下述化合物（B )、及熱自由基起始劑 (C)，且實質未含有光聚合起始劑。 化合物（B ): 主鏈骨架含有下述一般式（1)所示之構造，且至少具有1 個下述一般式（2 )所示之官能基的化合物 —(-X1—R'^— ⑴ (上述式中，X 1係指-0 _、_ C 0 0 -或_ 0 C 0 0 _ ; R 1係指碳數 1〜6之碳氫基；m係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互
15 312XP/發明說明書(?甫件)/94-07/94丨08033 1359835
CO R〈 —R3—COO——(2)
CO (上述式中，R2係指-C2H2-或- C3H4_; R3係指碳數1~11 之碳氫基。相同符號所示部分係當式中含有2個以上時， 該等可為相同亦可為互異。）
本發明所使用的填充材（A )大多使用銀粉，其含有量通 常在樹脂組成物中佔7 0〜9 5重量％。填充材（A )係除此之 外，尚可使用如金粉 '銅粉、鎳粉、鈀粉、氮化鋁、氮化 硼、碳酸鈣、二氧化矽、氧化鋁等。 當使用銀粉時，通常可使用市售電子材料用之銀粉 (A )。此種銀粉可取得還原粉、噴霧粉等，較佳粒徑為平均 粒徑1 ~ 3 0 v m。其係因為若平均粒徑小於此範圍，樹脂組 成物黏度將過高，反之，若大於此範圍，在配料時將成為 導致喷嘴阻塞之肇因。因為電子材料用以外的銀粉中，將 有離子性不純物量較多的情況，因此在材料的採用方面必 須注意。銀粉最好為銀之含有率在9 0重量％以上。若銀含 有率達90重量％以上，即便與其他金屬的合金仍可使用， 但是若銀含有率低於此數值時，因為熱導率將降低而不 佳。形狀可為薄片狀、球狀等，並無特別限制，但是最好 使用薄片狀，通常在樹脂組成物中含有7 0〜9 5重量％。理由 係當銀粉比率低於此數值時，熱導性將惡化，視情況所需 要之電導性亦將惡化，反之，若高於此數值時樹脂組成物 黏度將過高。 在本發明所使用的主鏈骨架含有一般式（1 )所示構造， 16 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94丨08033 1359835 且至少具有1個一般式（2)所示之官能基的化合物（B)中， 主鏈骨架中的重複單元所含碳氫基R1最好未含芳香族 環。此外，此碳氫基R1的碳數若為1 ~ 6的話便可，最好限 定於3~6範圍内。藉由將碳氫基R1的碳數設定在3以上，
便可阻止硬化物的吸水.特性惡化，且在PCT (高壓蒸煮測試） 等嚴苛的吸水條件下，黏著力等特性不易發生惡化。另一 方面，之所以將此碳數設定在6以下的理由是當大於此數 目時，樹脂的疏水性將過強，造成對銅等容易遭受氧化之 金屬表面等的黏著力惡化。尤以碳數3或4的碳氫基為較 佳。 再者，此重複單元中符號X 1所示部分係含有-0 -、- C 00- 或-0 C 0 0 -，該等係為發揮硬化物的柔軟性而所需要的，且 為提升對原材料的液狀或其他成分的溶解性而所需要的。 符號X1所示部分最好為-〇 -(醚鍵）。 再者，重複次數m係若為1〜5 0的話便可。但是，當此 重複次數m為1的情況時，因為將可能有無法發揮標的硬 化物柔軟性的情_況，因而最好在2以上。反之，若此重複 次數m大於50，黏度將過高而不利於實用。在此，若重複 單位滿足上述條件，亦可使用此種重複單元2種以上、或 使用與其他成分的共聚物。 再者，一般式（2 )所示官能基係屬於特別對鍍銀、鎳/鍍 鈀之類金屬鍍敷表面，發揮良好黏著力而所必要的，最好 1分子内含有2個。 此官能基中所含之碳氫基R2最好為-C2H2-。此外，此官 17 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 能基中所含之碳氫基R3最好未含芳香族環，其碳數為 1〜5，特另'J以-C Η 2 -為佳。 上述化合物（Β)中，特別以下述一般式（3 )所示之雙順丁 烯二醯亞胺化合物（Β ’）為較佳的化合物。 雙順丁烯二醯亞胺化合物（Β ’）：
CH—-CO、 / \
II —-R5一COO——R6—^X2—R6 太-oco——R5—NCT
CR4—CO〆 CO
(3) (上述式中，X2係指-0 - ' - C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R4係指氫原 子或曱基；R5係指碳數1〜1 1之碳氫基；R 6係指碳數3〜6 之碳氫基；η係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互異。） 此雙順丁烯二醯亞胺化合物（Β ’）係即便調配填充材 (A )，其中特別係銀粉，仍可顯示良好流動性，且可獲得良 好黏著性。雙順丁烯二醯亞胺化合物（B ’）中含有作為官能 基之順丁烯二醯亞胺基或其衍生物，此藉由與後述熱自由 基起始劑（C ) 一起使用，在加熱下將可顯示出良好反應性， 且利用醯亞胺環所具有的極性，即便對如鍍銀、N i - P d鍍 敷般之難黏著性金屬表面，仍可顯示出良好的黏著性。 再者，雙順丁烯二醯亞胺化合物（B ’）係在1分子内具有 2個官能基，此係經考量當為1官能的情況時，所期待的 黏著力提升效果將嫌不足，反之，當為3官能以上的情況 時，因為分子量將增加，而提高黏度並導致樹脂組成物高 黏度化的理由後才決定的。 18 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
1359835 習知2官能之順丁烯二醯亞胺化合物已知有 為原料者，但是一般因為芳香族系之順丁烯二 晶性偏高，因而在室溫下頗難獲得液狀。況且 烯二醯亞胺化合物可溶於二甲基曱醖胺、N -曱 之類的高沸點極性溶劑中，當使用此種溶劑的 樹脂組成物加熱硬化之際將發生孔洞，導致熱 因而並無法使用。因為上述雙順丁烯二醯亞胺 在室溫下呈液狀，因而不需要使用溶劑，即便 情況時，仍與一般所使用之液狀乙烯基化合物 和性，因而可利用液狀乙烯基化合物進行稀釋。 基）丙烯醯基的乙烯基化合物，因為可與雙順丁 化合物（B ’）共聚合，因而頗適合使用為稀釋劑 上述雙順丁烯二醯亞胺化合物（B ’）中，一般 若為碳數1〜1 1之碳氫基的話便可，最好為未4 者。此外，最好為碳數1〜5的碳氫基。若碳數 因為結晶性變高，因而將有無法使用的情況。： 數為1或5，特別以碳數1為佳。 一般式（3 )的R 6係碳數3〜6的碳氫基，最好 環。若碳數少於此數值，吸水特性將惡化，在 的吸水條件下將發生黏著力等特性惡化的情況 大於此數值的情況時，樹脂組成物的疏水性將 等較容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力將惡 性變高，因而均無法使用。尤以碳數3或4為 再者，一般式（3)的X2係含有-0-、-C00-或 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 以芳香族胺 醯亞胺的結 ，此種順丁 基吡咯烷酮 情況下，於 導性惡化， 化合物（B ’） 需要稀釋的 呈現良好親 其中，具（曱 烯二醯亞胺 〇 式（3)的R5 卜芳香接環 在6以上， 最好R5的碳 未含芳香族 PCT等嚴苛 ，反之，當 過強，對銅 化，且結晶 佳。 -0C00-基， 19
1359835 此乃為發揮硬化物之柔軟性而所需要的，且作為原 形成液狀、或提升對其他成分的溶解性而所必備的 之中最好X2為-〇-的情況。 再者，一般式（3)中所含之重複單元的重複次數 定在50以下。若此重複次數η多於50，黏度將過， 利於實用。在此，若重複單位滿足上述條件的話， 重複單元亦可使用2種以上、或使用與其他成分的尹 此種化合物可藉由將具有胺基與羧基的化合物， 基與羧基間具有碳數1〜5之碳氫基的化合物（即，乙 丙胺酸、胺基己酸等胺基酸），與順丁烯二酸酐或其 進行反應，而合成順丁烯二醯亞胺化胺基酸，再將 氧化伸烷二醇、聚伸烷酯二醇等進行反應便可獲得 本發明中供上述化合物（Β)與後述其他聚合性成d 反應起始劑，係使用熱自由基起始劑（C )。通常僅要 使用為熱自由基聚合起始劑的便可，其餘並無特別 制，最好為急速加熱試驗（將試料1 g放置於電熱板 依4 °C /分昇溫時的開始分解溫度）的分解溫度為4 0 °C。若分解溫度未滿4 0 °C ，樹脂組成物在常溫中的 將變差劣，反之若超過1 4 0 °C，硬化時間則變為極端 因而不佳。 滿足此種要求之熱自由基聚合起始劑的具體例， 如：過氧化曱乙酮、曱基過氧化環己酮、過氧化乙醯 酯、乙醯基過氧化丙酮、1,1-雙（過氧化第三丁基）-三曱基環己烷、1,1-雙（過氧化第三己基）環己烷、 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 材料而 。該等 π係設 旬將不 則此種 聚物。 且在胺 胺酸、 衍生物 其與聚 〇 >用的 屬於可 的限 上，並 〜1 40 保存性 地長， 可舉例 乙酸曱 3,3,5-1，1 -雙 20 1359835
(過氧化第三己基）3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙（過氧化第 三丁基）環己烷、2, 2-雙（4, 4 -二過氧化第三丁基環己基） 丙烷、1，〗-雙（過氧化第三丁基）環十二烷、4,4-雙（過氧化 第三丁基）戊酸正丁酯、2, 2-雙（過氧化第三丁基）丁烷、 1,1-雙（過氧化第三丁基）-2 -甲基環己烷、第三丁基過氧化 氫、P -甲烷過氧化氫、1,1,3,3 -四曱基丁基過氧化氫、第 三己基過氧化氫、過氧化二異丙苯、2, 5-二曱基-2, 5-雙（過 氧化第三丁基）己烷、α，α’-雙（過氧化第三丁基）二異丙 基苯、第三丁基過氧化異丙苯、二第三丁基過氧化物、2,5-二曱基-2, 5 -雙（過氧化第三丁基）己炔-3、過氧化異丁醯、 3, 5, 5 -三甲基過氧化己醯、過氧化己醯、過氧化月桂醯、 過氧化肉桂酸、過氧化間曱苯醯、過氧化苯曱醯、二碳酸 過氧化二異丙酯、雙（4 -第三丁基環己基）過氧化二碳酸 酯、二碳酸二-3 -曱氧基過氧化丁酯、二碳酸二-2-乙基過 氧化己酯、二碳酸二第二過氧化丁酯、過氧化二碳酸二（3 -曱基-3-曱氧基丁基）酯、二碳酸過氧化二（4 -第三丁基環己 基）酯、α,α’-雙（過氧化新癸醯基）二異丙基苯、新癸酸 過氧化異丙苯酯、新癸酸1 , 1 , 3, 3 -四曱基過氧化丁酯、新 癸酸1 -環己基-1 -甲基過氧化乙酯、新癸酸過氧化第三己 酯、新癸酸過氧化第三丁酯、三甲基乙酸過氧化第三己酯、 三曱基乙酸過氧化第三丁酯、2, 5 -二甲基-2, 5 -雙（2 -乙基 過氧化己醯基）己烷、2 -乙基己酸1,1 ,3. 3 -四甲基過氧化 丁酯、2 -乙基己酸1-環己基-1-甲基過氧化乙酯、2 -乙基 己酸過氧化第三己酯、2 -乙基己酸過氧化第三丁酯、異丁 21 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835
酸過氧化第三丁酯、順丁烯二酸過氧化第三丁酯' 月桂酸 過氧化第三丁酯、3, 5, 5 -三甲基己酸過氧化第三丁酯、異 丙基單碳酸過氧化第三丁酯、2 -乙基己基單碳酸過氧化第 三丁酯、2,5-二甲基-2 ,5-雙（過氧化苯甲醞基）己烷、醋酸 過氧化第三丁酯、苯曱酸過氧化第三己酯、鄰曱苯醯基苯 曱酸過氧化第三丁酯、苯曱酸過氧化第三丁 _ 、間苯二甲 酸雙（過氧化第三丁基）酯、烯丙基單碳酸過氧化第三丁 酯、3, 3’，4, 4’-四（過氧化第三丁基羰基）二苯曱酮等。 該等可單獨使用，或為控制硬化性而混合使用2種以上。 雖無特別的限制，但是最好熱自由基起始劑（C)在樹脂 組成物中含有0 . 0 0 1 ~ 2重量°/〇。 本發明的樹脂組成物因為通常在日光燈等照明下使 用，因而若含光聚合起始劑的話，在使用中將因反應而觀 察到黏度上昇情況，因而實質上不可含有光聚合起始劑。 所謂「實質上」係指在未觀察到黏度上昇之程度下可存在 微量光聚合起始劑，且最好為未含有。 本發明的樹脂組成物係藉由含有上述填充材（A )、上述 化合物（B )及熱自由基起始劑（C )，且含有從下述化合物 (D )、下述丙烯酸酯化合物（E)、下述丙烯醯胺化合物（F )、 下述烯丙酯化合物（G)、下述化合物（H)中至少選擇其中1 種，便可獲得更良好的黏著性能與硬化後物性，例如提升 速硬化性、密接性、迴流财性、低應力性、渗出性、或其 他特性中之1種特性或2種以上特性。 該等化合物（D )〜（Η )係如同上述化合物（B )，利用熱自由 .22 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 基起始劑便可開始進行自由基聚合反應，且屬於能與上述 化合物（B)共聚合的成分。 本發明所使用的化合物（D )係指主鏈骨架含有一般式（4 ) 所示構造，且為至少含有1個具可聚合之碳-碳不飽和鍵結 之官能基的化合物。 (-X3—R7 七- ⑷
(上述式中，X3係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R7係指碳數 3〜6之碳氫基。p係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異。） 上述化合物（D )係主鏈骨架中之重複單元（X3 - R7 )所含碳 氫基R7之碳數為限定於3〜6，理由是當碳數少於此數值 時，硬化物的吸水特性將惡化，在P C T等嚴苛的吸水條件 下將發生黏著力等特性惡化的情況，反之若碳數大於此數 值時，樹脂的疏水性將過強，造成對銅等容易遭受氧化之 金屬表面等的黏著力惡化。 再者，重複單元（X3-R7)中符號X3所示部分係含有-〇-、 -C 0 0 -或-0 C 0 0 -中任一種鍵結，此係為發揮硬化之物柔軟性 及足夠黏著力而所必備的。 再者，若重複次數P大於50，黏度將過高而不符實用。 在此若重複單位滿足上述條件的話，此種重複單元亦可使 用2種以上、或使用與其他成分的共聚物。 具有可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基可舉例如：（曱 基）丙烯醯基或乙烯基等，但是並不僅限於該等，亦可合併 23 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 使用複數種。此外，化合物（D)最好在1分子内具有2個以 上的碳-碳不飽和鍵結。 上述丙烯酸酯化合物（E )係指下述一般式（5 )所示化合 物。 R8 (η)υ (5)
OH ch2=c—-c—ο——ch2)—c— 1! (h
(上述式中，R8係指氫原子或甲基；R 9係指碳數1 ~ 3之 碳氫基（最好為烷基）。X、y、z係符合（x + y + z) = 3、lSxS 3、0SyS2、0SzS2。相同符號所示部分係當式中含有2 個以上時，該等可為相同亦可為互異。） 一般單（曱基）丙烯酸酯、二（曱基）丙烯酸酯等低黏度丙 烯酸酯化合物，係使用作為反應性稀釋劑，但是藉由使用 一般式（5 )所示之丙烯酸酯化合物（E )，便可顯示出良好的 黏著性與優越的滲出性。 所謂「滲出」係指當將樹脂組成物塗布於引線框架等受 黏物時、或在加熱硬化中時，樹脂組成物的樹脂成分拓散 於受黏物表面的現象，而通常滲出將形成接地連續性 (ground bond)(由半導體元件對晶粒座的線焊）不良的肇 因，且亦將使密封材料對晶粒座的黏著力降低而導致剝離 的原因，或者形成龜裂的肇因，因而屬不佳現象。在此所 謂「滲出性優越」係指未發生滲出現象，亦即係指不易引 發如上述問題。特別佳的化合物係指一般式（5 )所示之化合 物（E)中，R8為甲基、R9為甲基、且x = l、y = l、z = l的化 24 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 合物，或者R8為曱基、且x = 2、y=l、z = 0的化合物。 本發明所使用的丙烯醯胺化合物（F )係指主鏈骨架含有 一般式（6 )所示構造，且至少具有1個一般式（7 )所示之官 能基的化合物。 —(χ4—Rio^ (6) CH2 二 CR11—CONH—— （7) (上述2個式中，X4係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 1 °係指
碳數3 ~ 6之碳氫基；R11係指氫原子或甲基。r係1以上且 5 0以下的整數。相同符號所示部分係當式中含有2個以上 時，該等可為相同亦可為互異。） 上述丙烯醯胺化合物（F)係主鏈骨架中之重複單元 (X 4 - R 1 °)所含之碳氫基R 1 °碳數限定於3 ~ 6，最好限定為3 或4，理由是當碳數少於此數值時，硬化物的吸水特性將 惡化，在PCT等嚴苛的吸水條件下將發生黏著力等特性惡 化的情況，反之若碳數大於此數值時，樹脂的疏水性將過 強，造成對銅等容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力惡化。 再者，重複單元（X4 - R M )中符號X4所示部分係含有-0 -、 -C00 -或- OCOO -中任一種鍵結，最好含有-〇-，理由是其為 發揮硬化物的柔軟性而所必要的，且為提升作為原材料的 液狀或其他成分的溶解性而所必要的。 再者，若重複次數r大於5 0，黏度將過高而頗不利於實 用。在此若重複單位滿足上述條件的話，此種重複單元亦 可使用2種以上，或使用與其他成分的共聚物。 再者，一般式（7 )所示官能基係特別為對如鑛銀、鎖/纪 25 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410S033 1359835 鍍敷之類金屬鍍敷表面，發揮良好黏著力而所必要的，最 好1分子内含有2個。 上述丙烯醯胺化合物（F )可舉例如：使二末端具有羥 基、且重複單位為從環氧丙烷、四曱醛、環氧丁烷中至少 選擇1種、分子量為3 0 0 ~ 2 5 0 0的化合物，與琥珀酸酐等二 鹼酸酐進行反應後，再與2 -羥基乙基（甲基）丙烯醯胺等具 羥基·的（曱基）丙烯醯胺進行反應，而所獲得的化合物。
本發明所使用的烯丙酯化合物（G )係指至少具有1個一 般式（8 )所示官能基的化合物。 CH2=CH—CH2——OCO——R12—— （8) (上述式中，R 12係指碳數2〜8之碳氫基。） 具有此一般式（8 )所示官能基的烯丙醋化合物（G )，係能 與具有上述一般式（2)所示之官能基的化合物（B)共聚合， 且硬化物的黏著性與低應力性的均衡優越。 一般式（8 )所示官能基的數量，就從硬化性觀點而言， 必須1分子内至少有1個，尤以1分子内含有2個以上為 佳。此官能基中所含的符號R12係指碳數2 ~ 8的碳氫基， 可為脂肪鏈、脂環式、芳香族環中任一者，就從黏著性觀 點而言，最好未含芳香族環。 特別係當硬化物要求低應力性的情況時，最好分子骨架 中含有下述一般式（9)所示構造。 —(-X5——Rl3)s- (9) (上述式中，X5係指一0 - 、 一 C 0 0 -或一0 C 0 0 - ; R "係指碳數 3〜6之碳氫基。s係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 26 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互
一般式（9 )所示骨架中所含的符號R 13係碳數3 ~ 6之碳氫 基，若碳數少於此數值，將變為易吸水，反之較多的情況 時，疏水性將過強而導致黏著力惡化，因而不佳。
再者，重複次數s係1以上、5 0以下的整數，若多於 5 0的情況時，分子量將過大將成為黏度上昇的肇因，ϋ作 業性觀點而言為不佳。而以碳數3〜4且重複次數2 ~ 2 0為佳。 本發明所使用的上述化合物（Η )係指數平均分子量5 0 0〜 5 0 0 0，且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化 合物衍生物，並在改質處含有一般式（1 0 )所示構造，且至 少具有1個可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物。 —Η6—R’V- (10) (上述式中，X6係指-0-、-C00 -或-0C00-; R"係指碳數 3〜6之碳氫基。t係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 Φ 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互
異。） 上述化合物（Η )中，最好上述一般式（1 0 )所示構造的X6 為-0-° 再者，由上述化合物（Η)所衍生，且1分子内至少具有1 個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物，最好為丁二烯聚合物。 由上述化合物（Η )所衍生，且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物，最好為異戊二烯聚合物。 上述化合物（Η )之可聚合碳-碳不飽和鍵結，最好為（甲 27 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033
1359835 基）丙烯醯基。 上述化合物（Η )係下述第1成分與第2成分 該第1成分係例如具有羥基、羧基、縮水甘>·Ε 戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合物之單聚物資 物，與苯乙烯等的共聚物等；該第2成分係# 聚合物之經基、叛基、縮水甘油基等產生反屬 及具有可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基，以石 化合物（Β )所含重複單位（X 1 - R 1)相同的重複單 物。其中，第2成分所含之具有可聚合碳-碳不 官能基，可例示如：（曱基）丙烯醯基、乙烯基 所示官能基。因為化合物（Η )的數平均分子量' 將無法發揮所期待的柔軟性因而不佳，反之當 時，黏度將過高而不利於實用。 再者，聚異戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合 或二烯系化合物，與苯乙烯等的共聚物等，係 物之柔軟性而所必備的，若在未使該等化合物 情況下使用時，在與化合物（Β )或稀釋劑等之間 不良，在硬化中將發生相分離。所以，在本發 由使第1成分（係例如具有羥基、羧基、縮水甘 異戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合物之單聚物 合物，與笨乙烯等的共聚物等）、與第2成分| 上述聚合物之羥基、羧基、縮水甘油基等產生 基，且具有可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基， 上述化合物（Β)所含重複單位為相同重複單位 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 的反應物； J基等的聚異 :二烯系化合 7有能與上述 的官能基， .具有與上述 位的化合 :飽和鍵結的 或上述式（2) 卜於5 0 0時， •大於5 0 0 0 •物的單聚物 :為發揮硬化 |產生改質的 的相溶性將 •明中，便藉 油基等的聚 或二烯系化 〔係具有能與 反應的官能 以及具有與 的化合物）， 28 1359835 進行反應而改質，便可提升整體系統的均勻性，且將隨反 應而被取入於硬化物中，不管施行急速反應或利用烤箱等 花費時間施行反應，均可提供具類似形態的硬化物。 具體而言可使用如下述的改質物。該等改質物可單獨使 用亦可合併使用。
(1)使具有羥基的聚丁二烯、與和羥基等莫耳的環己烷 四羧酸二酐進行反應後，再與末端具羥基的聚四亞曱基乙 二醇甲基丙烯酸酯進行半酯化的化合物 (2 )使順丁烯二酸化聚丁二烯、與和順丁烯二酸殘基等 莫耳的六亞甲基二胺進行反應後，再與順丁烯二酸酐進行 反應而脱水環化的化合物 (3 )順丁烯二酸化聚丁二烯、與具有和順丁烯二酸殘基 等莫耳羥基之聚四亞曱基乙二醇曱基丙烯酸酯的半酯化化 合物 (4)末端具有羧基的聚丁二烯、與聚四亞甲基乙二醇曱 基丙稀酸西旨的S旨化化合物 本發明亦可在樹脂組成物中添加反應性稀釋劑（I )。化 合物（B )的稀釋劑可使用液狀之乙烯基化合物。就從與化合 物（B )之一般式（2 )所示官能基的共聚合性觀點而言，液狀 之乙烯基化合物最好為具有（甲基）丙烯醯基的化合物。 此種化合物可從例如：脂環式（甲基）丙烯酸酯、脂肪族 (甲基）丙烯酸酯、芳香族（甲基）丙烯酸酯、脂肪族二羧酸 (曱基）丙烯酸酯、芳香族二羧酸（曱基）丙烯酸酯等之中， 選擇使用1種或複數種，而當樹脂組成物含有上述化合物 29 312XP/發明說明書(補件)/94-〇7/94108033 1359835 (E )的情況時，最好與該等化合物（E)的調配量為相同程度 或較少。
此種一般的反應性稀釋劑可例示如下述的化合物。例 如：（曱基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸 正丁酯、（曱基）丙烯酸異丁酯、（曱基）丙烯酸第三丁酯、（甲 基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸十 三（烷）酯、（甲基）丙烯酸鯨蠟酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯、（甲 基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸異硬脂酯、（曱基）丙烯酸 廿二烷酯、（甲基）丙烯酸2 -乙基己酯、其他的（甲基）丙烯 酸烷酯、（曱基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸第三丁基環 己酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（曱基）丙烯酸苄酯、（甲基） 丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯 酸縮水甘油酯、三羥曱基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、單（甲基） 丙烯酸鋅、二（甲基）丙烯酸鋅、（甲基）丙烯酸二曱胺基乙 酯、（甲基）丙烯酸二乙胺基乙酯、新戊二醇（甲基）丙烯酸 酯、三氟（曱基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸2, 2, 3, 3 -四氟 丙酯、（曱基）丙烯酸2, 2, 3, 3 ,4,4 -六氟丁酯、（甲基）丙烯 酸全氟辛酯 '(曱基）丙烯酸全氟辛基乙酯、乙二醇二·（甲基） 丙烯酸酯、丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,4 -丁二醇二（曱基） 丙烯酸酯、1,6 -己二醇二（曱基）丙烯酸酯、1,9 -壬二醇二 (甲基）丙烯酸酯、1,3 - 丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯、四亞曱基乙二醇單（曱基）丙烯 酸酯、四亞曱基乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸 .曱氧基乙酯、（曱基）丙烯酸丁氧基乙酯 '乙氧基二乙二醇 30 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410S033 1359835
(甲基）丙烯酸酯、曱氧基聚伸烷二醇單（曱基）丙烯酸酯、 辛氧基聚伸烷二醇單（曱基）丙烯酸酯、月桂醯氧基聚伸烷 二醇單（甲基）丙烯酸酯、硬脂醯氧基聚伸烷二醇單（曱基） 丙烯酸酯、烯丙氧基聚伸烷二醇單（曱基）丙烯酸酯、壬基 笨氧基聚伸烷二醇單（曱基）丙烯酸酯、Ν，Ν’ -亞曱基雙（曱 基）丙烯醯胺、Ν，Ν’ -亞乙基雙（甲基）丙烯醞胺、1,2-二（曱 基）丙烯醯胺乙二醇、二（曱基）丙烯醯氧基曱基三環癸烷、 2-(甲基）丙烯醞氧基乙基琥拍酸、2-(甲基）丙烯醯氧基乙 基六氫鄰苯二曱酸' 2-(甲基）丙烯醯氧基乙基、Ν-(曱基） 丙烯醯氧基乙基順丁烯二醯亞胺、Ν-(甲基）丙烯醯氧基乙 基六氫鄰苯二曱醯亞胺、Ν-(曱基）丙烯醯氧基乙基鄰苯二 甲醯亞胺。 本發明在以獲得良好黏著性之目的下，亦可使用矽烷系 偶合劑（J )。其中，具S - S鍵的矽烷偶合劑若與銀粉（A ) — 起使用的話，不僅將提升與受黏物間的黏著力，且因為將 與銀粉進行反應，因而亦將提升樹脂組成物硬化物的凝聚 力，將可獲得特別優越的黏著性，所以屬較佳狀況。 此種具S - S鍵的矽烷偶合劑可舉例如：雙（三曱氧基矽烷 基丙基）四硫醚、雙（三乙氧基矽烷基丙基）四硫醚、雙（三 丁氧基矽烷基丙基）四硫醚、雙（二甲氧基甲基矽烷基丙基） 四硫醚、雙（二乙氧基甲基矽烷基丙基）四硫醚、雙（二丁氧 基曱基矽烷基丙基）四硫醚、雙（三甲氧基矽烷基丙基）二硫 醚、雙（三乙氧基矽烷基丙基）二硫醚、雙（三丁氧基矽烷基 丙基）二硫醚、雙（二曱氧基曱基矽烷基丙基）二硫醚、雙（二 31 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033
1359835 乙氧基曱基矽烷基丙基）二硫醚、雙（二丁氧基曱基矽 丙基）二硫醚等。 再者，最好具s-s鍵的矽烷偶合劑與含縮水甘油基 烷偶合劑一起使用。含縮水甘油基矽烷偶合劑可舉例 如：2 - ( 3，4 -環氧環己基）乙基三曱氧基矽烷、3 -環氧丙 丙基三甲氧基矽烷、3 -環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基 烷、3 -環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等。 本發明亦可除上述含縮水甘油基矽烷偶合劑以外， 含縮水甘油基化合物（K )添加於樹脂組成物中。特別係 銅表面間需要良好黏著力的情況時，含縮水甘油基化 的添加將具效果。含縮水甘油基化合物係可使用對雙 A、雙酚F之類的雙酚類施行縮水甘油醚化者，或對苯 醛、甲酚酚醛之類的苯酚類施行縮水甘油醚化者，或 苯酚的環氧化物。此外，在低黏度化目的下，可使用 脂肪族縮水甘油醚類 '經氫化而形成脂肪族環的縮水 醚類、脂環式環氧化合物等，配合需要亦可添加與咪 等縮水甘油基進行反應的化合物。特別係在兼顧保存 反應性之目的下，最好使用2 -甲基咪唑與2, 4 -二胺J 乙烯基三嗪的加成物、或2 -笨基-4-甲基-5-羥基曱基 。圭 〇 本發明亦可更將下述化合物（L )與下述化合物（Μ )的 合，添加於樹脂組成物中。 化合物（L ): 化合物（L )係指主鏈骨架含有一般式（1 1 )所示構造 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 炫基 之矽 氧基 矽 更將 當與 合物 酚 酚酚 胺基 如： 甘油 °坐基 性與 S· - 6 - 咪 組 ，且 32 1359835 至少具有1個縮水甘油基的化合物。 —(-X7~R15}^- (11) (上述式中，X 7係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 15係指碳數 3〜6之碳氫基。u係2以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異。） 化合物（Μ ):
化合物（Μ )係指具有能與上述化合物（L)的縮水甘油 基，產生反應之官能基的化合物。 含縮水甘油基之上述化合物（L )係主鏈骨架中之重複單 元所含碳氫基R 15之碳數限定於3〜6，理由是當R 15碳數少 於此數值的情況時，硬化物的吸水特性將惡化，在P C Τ等 嚴苛的吸水條件下將發生黏著力等特性惡化的情況，反之 若R 15碳數大於此數值的情況時，樹脂的疏水性將過強， 造成對銅等容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力惡化。 再者，重複單元中符號X7所示部分係含有-O-'-COO-或_ 0 C 0 0 -中任一種鍵結，此乃為發揮硬化物之柔軟性及足 夠黏著力而所必備的。 再者，需要縮水甘油基的理由係特別當考慮對銅黏著的 情況時，縮水甘油基的導入將具有效果，藉由導入縮水甘 油基便可提升對各種受黏物表面的適應性。 再者，重複單元最好與上述化合物（Β)的重複單元（Χ1-!?1) 相同或類似。理由是將提升樹脂組成物的均勻性，特別係 硬化後的均勻性，當重複單元並未類似的情況時，特別係 33 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 在烤箱等長時間施行硬化時，將進行分離，而有無法獲得 足夠硬化物特性的情況。 重複次數U若大於5 0，黏度將過高而頗不利於實用。在 此若重複單位滿足上述條件，亦可使用此種重複單元2種 以上、或與其他成分的共聚物。
具有可與化合物（L)之縮水甘油基進行反應之官能基的 化合物（Μ )，一般可使用已知的環氧樹脂硬化劑。其中一例 有如：笨酚化合物、胺化合物、咪唑類等，惟並不僅限於該 等。 本發明樹脂組成物中，配合需要，亦可使用消泡劑、界 面活性劑、各種聚合終止劑、抗氧化劑等添加劑。 本發明樹脂組成物例如在將各成分預備混合之後，採用 三輥研磨機施行混練，然後再施行真空下脱泡便可製得。 使用本發明樹脂組成物製作半導體裝置的方法，可採取 週知方法。例如使用市售黏晶機，對引線框架之既定部位 均勻塗布樹脂組成物之後，再黏上晶片並施行加熱硬化。 然後，施行焊線，並使用環氧樹脂密封材施行轉移成形便 可製得半導體裝置。 以下就必要成分的填充材（A )、化合物（Β )及熱自由基起 始劑（C )、及其他任意成分所組合的各種組成物系中，例示 特佳之組合的第1至第6組成物系。 (1 )第1組成物系 第1組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B )、上述熱自由基起始劑（C )及上述化合物（D )，且實質 34 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第1組成物系中，最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑（j)的組成物。 (2 )第2組成物系
第2組成物系係至少包含有上述填充材.（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、上述化合物（D)、及上述 化合物（L)與上述化合物（M)的組合，且實質未含有光聚合 起始劑的組成物系。 在第2組成物系中，最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑（J )的組成物。 (3 )第3組成物系· 第3組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、及上述丙烯酸醋化合物 (E )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第3組成物系中，最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑（J )的組成物。 (4 )第4組成物系 第4組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 物（B)、上述熱自由基起始劑（C )、及上述丙烯醯胺化合物 (F )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第4組成物系中，最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑（J )的組成物。 (5 )第5組成物系 第5組成物系係至少包含有上述填充材（A )、上述化合 35 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
1359835 物（B)、上述熱自由基起始劑（C)、及上述烯两 (G )，且實質未含有光聚合起始劑的組成物系 第5組成物系中，最好相對於化合物（B)與 物（G)之合計量，烤丙酯化合物（G)之量為20〜 稀丙SI化合物（G )的比率過多，將有硬化性惡 在第5組成物系中，最好為更含有1個以J； 劑（J )的組成物。 (6 )第6組成物系 第6組成物系係至少包含有上述填充材（A ) 物（B )、上述熱自由基起始劑（C )、上述化合物 性稀釋劑（I )，且實質未含有光聚合起始劑的 在第6組成物系中，最好為更含有1個以J： 劑（J )的組成物。 (實施例） 以下例示相關上述第1〜第6組成物系的實. 首先，第1組成物系的實驗例（實驗例系列 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例A 1 - A 4、比較例A 1 ~ A 3 ) 化合物（B)係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺 日本油墨工業（股）製、LUMICUREMIA-200，一 R2 為-CzHz -、R3 為- CH2-，一般式（1)的 X1 為- 0-、 以下稱「化合物1」）。化合物（D)係使用聚丙 丙晞酸S旨（日本油脂（股）製、BLEMMER-PDP-400 合物2」）、聚四亞曱基乙二醇二曱基丙烯酸產 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94丨08033 丨酯化合物 〇 烤丙酯化合 6 0重量％。若 化的情況。 -矽烷系偶合 、上述化合 (Η ) '及反應 組成物系。 _矽烷系偶合 驗例。 A )係表示如 醋酸酯（大 般式（2 )中， R 丨為-C 4 Η 8 - ’ 二醇二甲基 ，以下稱「化 I旨（日本油脂 36 1359835
(股）製、BLEMMER-PDT-800，以下稱「化合物3」）。熱自 由基起始劑（C )係使用過氧化二異丙苯（急速加熱試驗中的 分解濕度：1 2 6 °C ，日本油脂（股）製' P E R C U Μ Y L D，以下稱 「起始劑j )。填充材（A )係使用平均粒徑3 // m、最大粒徑 2 0 v m的薄片狀銀粉（以下稱「銀粉」）。此外，丙烯酸月 桂酯（共榮社化學（股）製、lightesterLA，以下稱「稀釋 劑」）、及含甲基丙烯酸基矽烷偶合劑（信越化學工業（股） 製、KBM-503，以下稱「甲基丙烯酸矽烷」）。 將該等化合物依表1所示組合進行調配，並使用三輥研 磨機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂組成物。 另外，在比較例A1中使用聚乙二醇二甲基丙烯酸酯（曰 本油脂（股）製、B L Ε Μ Μ E R - P D E - 4 0 0，以下稱「化合物4」）； 在比較例A 3中使用由雙酚Α與表氣醇的反應所獲得之二縮 水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為液體，以下稱「雙 A環氧」）、甲苯基縮水甘油醚（環氧當量1 8 5，以下稱 「C G E」）、苯酚酚醛樹脂（羥基當量1 0 4、軟化點8 5 °C，以 下稱「PN」）、2-笨基-4, 5 -二羥基曱基咪唑（四國化成工業 (股）製' 商品名C U R Ε Z 0 L，以下稱「2 Ρ Η Z」）、含縮水甘油 基之矽烷偶合劑（信越化學工業（股）製、Κ Β Μ - 4 0 3 Ε，以下稱 「環氧矽烷」）。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。評估結果 如表 1所示。 37 3! 2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/9410S033 1359835 〇〇
比較例 <35 LO τ—^ cd cd τ—^ 卜 c6 οα c? CO 21.8 CO CO OO V s X cji 1 * Cl? cz> ο oo C<I d 呀 uri (N1 LO 1 csa CNI 〇〇 CO LO V CD LO X τ· Η 〇〇 卜· 卜 1 i 寸 c=> ο § οα C3> oo CO cr> 卜· Τ 1 4 m 寸 (NI oo <=> <N1 V S X 實施例 〇〇 卜· 卜 1 i 寸 CD ο § 03 ο oo 卜· CSl P 1 oo LO 寸 s CO o V 〇 〇〇 卜· 卜 CD CD t Η 寸 <=ϊ § CO ο 寸 cd oo ζό οα r < 寸 CM CO oo 兮 CO CO CD r-M V 〇 卜 σ> 卜 CJ5 ο 80.0 03 o' oo s' 次 CV3 LO 寸 导 03 Ln OO CO CD r H V 〇 < 〇〇 卜· 卜 1 1 i <d> c=? § (Νϊ CD 寸 oo c〇 oo LO 寸 ΙΟ CO S 寸 CO cr> ψ * V 〇 化合物1 1化合物2 1化合物3 1化合物4 I稀釋劑 1起始劑 1銀粉 - 雙Α環氧 ω ο g |2ΡΗΖ 甲基丙烯酸石夕烷 環氧矽烷 初始值(Pa · s) 1 48小時後(Pa · s) 黏度增加率 1硬化後 |pct 後 硬化後 PCT後 剝離面積(％) 綜合評估 30秒硬化 (加熱板） 60分硬化 (烤箱） 黏度 15 1耐焊接龜裂性 εε〇8〇 iz.046/(&3i)雜盔盔睜鎞/dxtNl e 1359835 <實驗例系列A的評估方法〉 (1 )黏度 使用E型黏度計（3 °錐形）測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 °C中放置4 8小時後的2 5 °C、2 . 5 r p m之値。當剛製 作後的黏度在1 5 ~ 2 5 P a · s範圍内，且經4 8小時後的黏度 增加率為未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a · s」， 黏度增加率的單位為「％ j。
(2)黏著強度 使用樹脂組成物’將6 X 6 in m妙晶片黏晶於經鍵銀過的銅 框架上，在2 0 0 °C加熱板上放置3 0秒，以及在1 5 0 °C烤箱 中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及P CT ( 1 2 1 °C、1 0 0 %、7 2 小時）處理後，便採用自動.黏著力測定裝置，測定2 6 0 °C下 的加熱時晶片抗切強度（Die Shear Strength)。當260 °C 加熱時晶片抗切強度在3 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著 強度的單位為「N /晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表1所示之樹脂組成物，對下述引線框架與矽晶 片，依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後，採用S U Μ I Κ Ο N ΕΜΕ-7026(住友BAKELITE(股）製）密封材料，對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中，施行1 9 2小時的吸濕處理後， 再施行I R迴流處理（2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次），對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置（穿透型），測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「％」。 39 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 封裝：QFP(14x20x2.0mm) 引線框架：經銀點鍍過的銅框架 晶片尺寸：6x6mm 樹脂組成物的硬化條件：加熱板上2 0 0 °C ' 6 0秒 其次，第2組成物系的實驗例（實驗例系列B)係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例B 1〜4、比較例B 1〜4 )
化合物（B )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯（大 日本油墨工業（股）製、LUMICUREMIA-200，一般式（2)中， R2 為-C2H2-、R3 為-CH2-，一般式（1)的 X1 為-O-'R1 為-C<H8-， 以下稱「化合物1」）。化合物（D)係使用聚丙二醇二甲基 丙烯酸酯（日本油脂（股）製、B L Ε Μ Μ E R - P D P - 4 0 0，以下稱「化 合物2」）、及聚四亞甲基乙二醇二甲基丙烯酸酯（日本油 脂（股）製、BLEMMER-PDT-800，以下稱「化合物3」）。含 縮水甘油基化合物（L )係使用聚四亞甲基乙二醇二縮水甘 ® 油醚（旭電化工業（股）製' E D - 6 1 2，以下稱「化合物4」）、 及聚丙二醇二縮水甘油醚（旭電化工業（股）製、ED-506，以 下稱「化合物5」）。與縮水甘油基進行反應的化合物（Μ ) 係使用2 -苯基-4 , 5 -二羥基甲基咪唑（四國化成工業（股） 製、商品名CUREZ0L，以下稱「2ΡΗΖ」）。熱自由基起始劑 (C )係使用過氧化二異丙苯（急速加熱試驗中的分解濕 度：1 2 6 °C ，日本油脂（股）製、P E R C U M U D，以下稱「起始 劑」）。填充材（A )係使用平均粒徑3 // m、最大粒徑2 0 " m 的薄片狀銀粉（以下稱「銀粉」）。此外，丙烯酸月桂酯（共 40 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94丨08033 1359835 榮社化學（股）製、1 i g h t e s t e r L A，以下稱「豨釋劑」）、 及含曱基丙烯酸基之矽烷偶合劑（信越化學工業（股）製、 KBM- 5 0 3 >以下稱「甲基丙烯酸矽烷」）、及含縮水甘油基 矽烷偶合劑（信越化學工業（股）製、K B Μ - 4 0 3 E，以下稱「環 氧矽烷」）。 將該等化合物依表2所示組合進行調配，並使用三輥研 磨機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂組成物。 φ 另外，比較例Β 1、Β 2中將使用聚乙二醇二甲基丙烯酸 • 酯（日本油脂（股）製、B L Ε Μ Μ E R - P D Ε - 4 0 0，以下稱「化合物 6」），在比較例Β 4中則使用由雙酚Α與表氯醇進行反應而 所獲得的二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0 '室溫下為液 體，以下稱「雙A環氧」）、甲苯基縮水甘油醚（環氧當量 1 8 5，以下稱「C G E」）、苯酚酚醛樹脂（羥基當量1 0 4、軟 化點8 5 °C ，以下稱「P N」）。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。評估結果 如表2所示。
41 3丨2XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835
比較例 CO 75. 0 cd r~H cn cd r—H r—M 卜 C5 CO οα <〇 CO oa OO T—H 03 〇〇 03 LO CO LO V o LO X CO CO 卜· > i CZ5 CD CD oo ρ··Η cz? 03 CD CO ◦ ο oo LO r < CZ5 CO 〇〇 CD CNI V 〇> LO X (SJ CO 卜 卜· CO > t 寸 cd ο c=> oo 1 < CD (Nl C5 CO <35 <=5 CO oo t—H 18.4 Τ—Η 1 οα OO i H V o UQ X Ξ 〇〇 LO CO r M 1 < 〇· ο <35 OO 1 < CD CSJ C5 0. 06 CZ3 CD OO LO 次 τ—Η 1 s οα oo OO LO LO (>3 V <3> LO X 實施例 CO oo LO CO CT3· 03 » 1 1 σ> r—Η CZ3 C3 o oo ， i czi OO CO cz> 呀 LO T—^ CO LO LO oo 呀 in C> l1 H V 〇 CO CQ oo LO oo LO OO LO c6 C3> CZ5 OO 1 < CD oa c> 0.06 CO 〇-* oo 卜· CO OO 寸 s OO o F—H V 〇 oa CQ OO LO 〇o LO O〇 LO > 1 i 寸 CD O C5 OO 1 t CZ5 cva czi CO CD o oo 18.4 次 (Nl <N1 LO LO 寸 LO o V 〇 S OO LO CO < * 1 ( cn 寸 ◦· cr> CD oo I < CD OJ CD CO o CD CO ai 1 1 * c=> 次 CO s C£5 CO LO CNI o V 〇 |化合物l |化合物2 |化合物3 |化合物4 |化合物5 |化合物6 l稀釋劑 |起始劑 |銀粉 雙A環氧 ω o g |2PHZ 曱基丙烯酸矽烷 環氧矽烷 初始值（Pa · s) 48小時後（Pa · s) 黏皮增加率 硬化後 PCT後 硬化後 PCT後 剝離面積（％) 綜合評估 30秒硬化 (加熱板） 60分硬化 (烤箱） 黏度 辟5 1耐焊接龜裂性 ^ εε080^6/546/(φ®ί)_κ^ι^^ΜΧΖ1ε 1359835 〈實驗例系列B的評估方法〉 (1 )黏度 使用E型黏度計（3 °錐形）測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 °C中放置4 8小時後的2 5 °C、2 . 5 r p m之値。當剛製 作後的黏度在1 5 ~ 2 5 P a · s範圍内，且經4 8小時後的黏度 增加率未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a . s」，黏 度增加率的單位為「％」。
(2 )黏著強度 使用樹脂組成物，將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於經鍵銀過的銅 框架（僅在内部引線部鍍銀）上，在2 0 0 °C加熱板上放置3 0 秒，以及在1 5 0 °C烤箱中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及 P C T ( 1 2 1 °C、1 0 0 %、7 2小時）處理後，便採用自動黏著力測 定裝置.，測定2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加 熱時晶片抗切強度在3 Ο N /晶片以上時便視為合格。黏著強 度的單位為「N /晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表2所示之樹脂組成物，對下述引線框架與矽晶 片，依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後，採用S U Μ I Κ Ο N Ε Μ Ε - 7 0 2 6 (住友B A K E L I Τ Ε (股）製）密封材料，對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中，施行1 9 2小時的吸濕處理後， 再施行I R迴流處理（2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次），對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置（穿透型），測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「％」。 43 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 封裝：QFP(14x20x2. Omm) 引線框架：經環狀電鍍銅框架（只有内引線部施行鍍銀） 晶片尺寸：6x6mm 樹脂組成物的硬化條件：加熱板上、2 0 0 °C、6 〇秒 其次，第3組成物系的實驗例（實驗例系列C )係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例C卜C 4 )
(1 )順丁烯二醢亞胺化胺基酸之合成 (1 - 1 )順丁烯二醯亞胺醋酸 將順丁烯二酸酐1 2 0 g與曱苯5 0 0 g裝填於四口燒瓶中， 在攪拌下經1小時迴流之後，再利用丁史塔克分離器 (D e a η - S t a r k t r a p )將系統内的水分去除，然後冷卻至室 溫，一邊導入乾燥氮，一邊將使7 5 g乙胺酸（胺基醋酸）溶 解於2 0 0 g乙腈中的溶液，在冰浴中於6 0分鐘内施行滴下， 然後再於室溫中施行攪拌2 3小時。
然後，一邊利用丁史塔克分離器將所產生的水分去除， 一邊在迴流下施行攪拌8小時。將所獲得之溶液相，使用 純水施行約5次的分液洗淨，之後再採用蒸發器與真空乾 燥機施行去溶劑處理，便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色結晶，產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到順丁烯二醯 亞胺環的生成。 (1 - 2 )順丁烯二醯亞胺己酸 將順丁烯二酸酐1 2 0 g與曱苯5 0 0 g裝填於四口燒瓶中， 在攪拌下經1小時迴流之後，再利用丁史塔克分離器將系 44 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410803 3 1359835 統内的水分去除，然後冷卻至室溫，一邊導入乾燥氮，一 邊將使131g的6 -胺基己酸溶解於200g乙腈中的溶液，在 冰浴中於6 0分鐘内施行點滴，然後再於室溫中施行攪拌 23小時。
然後，一邊利用丁史塔克分離器將所產生的水分去除， 一邊在迴流下施行攪拌8小時。將所獲得之溶液相，使用 純水施行約5次的分液洗淨，之後再採用蒸發器與真空乾 燥機施行去溶劑處理，便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色結晶，產量約1 9 5 g。經N M R與I R確認到順丁烯二醯 亞胺環的生成。 (2 )順丁烯二醯亞胺化胺基酸與二醇的反應 (2 - 1 )順丁烯二醯亞胺醋酸與聚亞丙基乙二醇的反應 將（1 - 1 )所合成的順丁烯二醯亞胺醋酸6 2 g、聚亞丙基乙 二醇（日本油脂（股）製、U N I 0 L D - 4 0 0、重複次數約7 ) 9 0 g、 甲苯500g、及對曱苯磺酸3. 4g裝填於四口燒瓶中，並於 迴流下施行攪拌1 6小時。將此時所產生的水分利用丁史塔 克分離器去除至系統外。經反應後，使用7 0 °C蒸餾水施行 3次，並使用室溫蒸餾水施行2次的分液洗淨，將經洗淨 過的溶劑層採用蒸發器及真空乾燥機施行乾燥，便獲得生 成物。所獲得之生成物為褐色液體，產量約1 3 0 g。經N M R 與I R確認到.醋鍵結生成及羧基消失。此屬於一般式（3 )所 示之雙順丁烯二醢亞胺化合物（Β’）中，X2為-0-、R4為-Η、 R5的碳數為1、R6的碳數為3、η為約6 (以下稱「化合物 Β1」 45 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835
(2-2)順丁烯二醯亞胺醋酸與聚亞丁基乙二醇的反應 將上述（1-1)所合成的順丁烯二醯亞胺醋酸62g、與聚亞 丁基乙二醇（日本油脂（股）製、U N I 0 L P B - 5 0 0、重複次數約 7)110g、甲苯500g'及對甲苯磺酸3.4g，裝填於四口燒瓶 中，並如同（2 - 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體，產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及羧 基消失。此屬於一般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (Β，）中，：X2為-0-、R4為-H、R5的碳數為1、R6的碳數為4' η為約6 (以下稱「化合物B 2」）。 (2 - 3 )順丁烯二醯亞胺己酸與聚亞丙基乙二醇的反應 將上述（1 - 2 )所合成的順丁烯二醯亞胺己酸8 4 g、聚亞丙 基乙二醇（日本油脂（股）製、U N I 0 L D - 4 0 0、重複次數約 7)90g >甲笨500g、及對曱苯磺酸3.4g，裝填於四口燒瓶 中，並如同（2 - 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體，產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及羧 基消失。此屬於一般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (Β，）中，：X2為- 0-、R4為-H、R5的碳數為5、R6的碳數為3、 η為約6 (以下稱「化合物B 3」）。 (2-4)順丁烯二醯亞胺己酸與聚亞丁基乙二醇的反應 將上述（1 - 2 )所合成的順丁烯二醯亞胺己酸8 4 g、聚亞丁 基乙二醇（日本油脂（股）製、U N I 0 L P B - 5 0 0、重複次數約 7 ) 1 1 0 g、曱苯5 0 0 g、及對甲笨磺酸.3 . 4 g，裝填於四口燒瓶 中，並如同（2 - 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體，產量約1 6 7 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及羧 46 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 基消失。此屬於一般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (B，）中，乂2為-0-、1^為-}1、1^的碳數為5、1?6的碳數為4、 η為約6 (以下稱「化合物B 4」）。 (3)丙烯酸與聚亞丁基乙二醇的反應
將丙烯酸35g'聚亞丁基乙二醇（日本油脂（股）製'UNIOL PB- 5 0 0 '重複次數約7)104g、曱苯500g'及對甲苯磺酸 3 . 4 g，裝填於四口燒瓶中，並於迴流下施行攪拌1 6小時。 將此時所產生的水分利用丁史塔克分離器取出於系統外。 經反應後，使用7 0 °C蒸餾水施行3次、並使用室溫蒸餾水 施行2次的分液洗淨，將經洗淨過的溶劑層採用蒸發器及 真空乾燥機施行乾燥，便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色液體，產量約1 2 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成 及羧基消失。以下稱「化合物X」。 填充材（A )的銀粉係使用平均粒徑8 m、最大粒徑3 0 # m 的薄片狀銀粉（以下稱「銀粉」）。化合物（B )係使用上述化 合物B 1〜B 4。丙烯酸酯化合物（E )係使用曱基丙烯酸2 -羥基 丙酯（共榮社化學（股）製、light ester HOP，一般式（5) 的R8為甲基、R9為甲基，x = l、y = l、z = l，以下稱「化合 物El」）、丙三醇二甲基丙烯酸酯（共榮社化學（股）製、 light ester G-101P > 一般式（5)的 R8 為曱基，x = 2、y = l、 z = 0，以下稱「化合物E 2」）。熱自由基起始劑（C )係使用 過氧化二異丙笨（日本油脂（股）製、PERCUMILD，急速加熱 試驗中的分解溫度：1 2 6 °C ，以下稱「起始劑」）。 再者，使用化合物X，而石夕烧偶合劑則使用具四硫醚鍵 47 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 結的化合物（日本U n i c a r製、A - 1 2 8 9，以下稱「偶合劑1 j)、 含縮水甘油基的化合物（信越化學工業（股）製、K B Μ - 4 Ο 3 E， 以下稱「偶合劑2」）。 將該等化合物依表3所示組合進行調配，並使用三輥研 磨機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係 重量份。 (實施例C 5 )
液狀乙烯基化合物係使用上述化合物X。 (實施例C 6 ) 含縮水甘油基化合物係使用由雙酚A與表氯醇的反應， 而所獲得之二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為 液體，以下稱「化合物Y 1」），以及2 -曱基咪唑與2 , 4 -二 胺基-6-乙烯基三嗪的反應物（商品名「CUREZOL 2MZ-A」： 四國化成工業（股）製，以下稱「化合物Y 2」）。 (比較例C 1、C 2 ) 將各化合物依表3所示比率進行調配，並如同實施例C 1 般地獲得樹脂組成物。 (比較例C 3 ) 使用1,6 -己二醇二甲基丙烯酸酯（共榮社化學（股）製、 light ester 1、6 Η X >以下稱「化合物Ζ1」）。 (比較例C 4 ) 使用以芳香族二胺為起始原料的2，2 -雙[4 - ( 4 -順丁烯 二醢亞胺笨氧基）苯基]丙坑（Κ· I化成（股）製、BMI-80)。 另外，因為BMI-80屬於固態，因而便與二曱基甲醯胺（DMF) 48 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 依重量比1 :1進行混合成溶液後再使用（以下稱「化合物 Z2」）。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。評估結果 如表3所示。 49 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410803 3 1359835 比較例 S ◦ ο d οο — ! 14.63 ! 2.44 ! 2.44 j 1 j j CS3 C> » 1 i j OO G> d oa CO 寸 CsJ CO 03 〇〇 LO CO 03 03 ! <10 j <10 ! <10 <3> 03 i 50 < 〇 in 1 <10 I 50 < X CO 80.00 寸 LO τ Η 7.69 j 0.38 i 0.29 o o oo LO CO CO C>0 CO ◦ Ο CO j <10 t—····—·····*··' ί <10 I <20 X C0 80.00 ι 卜 卜 co 3.77 1 σ> r· 1 o OO CO r—H r- m o 0.28 i 0.09 s 03 CO 〇〇 C0 oo 〇) ο Ψ- ' ^ <10 I 50 < 50 < X ·Η Ο ο 〇〇 9. 62 OJ c〇 oi oo CO <=> os 03 CZ> o c> C3 (NI LO CO m CO <10 〇 οα s 50 < 50 < <20 50 < X 督施例 胃 80.00 Ο CO oi CO 3. 20 CO CO C3 s CO 1 0.16 呀 CO <=> 0.08 CO $ 寸 CO 寸 写 ! <10 ! <10 ! <10 ! <10 1 <20 <10 〇 S 80. 00 ! <Μ CO ai 1.92 I 1.92 ! 一 j c— r- L〇 0.38 I 丨 0.29 i o c> s 〇〇 CO oo 寸 οα | <10 i <10 1 <10 1 <20 ◦ r—( V C3 V 〇 〇 CO 80.00 ! in r-H LO 00 CO 3. 85 1 3.85 丨 oo CO d (ΝΪ d C3 C3 Cn3 LO CO 寸 LO CO CD ! <10 μ- j <10 I <10 ! <20 80.00 ! 寸 ΙΛ — 3.85 ! oo CO c=> Cs3 C> 2 ci OO 呀 in 却 〇〇 CO 05 CO | <10 οα ! <10 ! <10 ! <20 1 <10 〇 s »—Η 50.00 ! 80.00 ! 廿 LO ί—Η 寸 LO τ-Η — —一 3.85 1 3.85 1 0.38 ! 0.29 ◦ cr> C^> LO s ιΛ 03 ΙΛ CO S (NJ 兮 ! <10 ! <10 1 <i〇 <20 i <ιο 〇 \化合物El 3.85 \化合物砹 3.85 1 0.38 1 U匕合物XI i 0.29 j CD d 寸 CO 寸 cr> 寸 <10 s 〇> CO <10 <10 <20 <10 〇 1 II t Η CO 者 化合物B2 1化合物B3 i化合物M 化合物Z2 合物 合才勿X 恝始劑 化合物Y2 *4C m (N -4c bE w晶片 Ν/晶片 Ν/晶片 Ν/晶片 N/晶片 N/晶片 ε ε ε 白 =i 综合評估 硬化後 1 吸濕處理後 硬化後 吸濕處理後 硬化後 吸濕處理後 鈑點鋰 鈒環狀鍍 Τ3 十 • i— 硬化後 處理後 Μ曲鼍 耐迴流性 1剝離面精 tt; \s 銀點鍍 黏著強度 1銀環狀鍍 黏著強度 Ni-Pd 滲出 1 耐溫度循環性 剝離面積 竣1与 §ooolo46/ffs.5:B^KB^/<IX<Nlro 1359835 <實驗例系列c的評估方法> (1 )黏著強度
使用樹脂組成物，將6x6mm矽晶片黏晶於銅框架上，並 在〗5 0 °C烤箱中施行3 0分鐘硬化。所使用之銅框架係銀點 鍍（晶粒座部有鍍銀）、銀環狀電鍍（晶粒座部為銅）、及 N i - P d / A u電鍍等3種。經硬化後及吸濕處理（8 5 °C 、8 5 %、 7 2小時）後，便採用自動黏著力測定裝置，測定2 6 0 °C下的 加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強度在 3 Ο N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N /晶 片」。 (2)滲出 在施行上述黏著強度測定前，便利用光學顯微鏡觀察硬 化物滲出情況，將各試驗片中滲出長度最長者視為滲出。 將渗出長度在50/zm以下者視為合格。渗出單位為「"m」。 (3 )耐溫度循環性 使用樹脂組成物，將1 5 X 1 5 X 0 . 5 m m矽晶片黏晶於經N i 電鍍過的銅散熱片（25x25x2mm)上，並在150°C烤箱中施行 3 0分鐘硬化。利用超音波探傷裝置（反射型）測定經硬化後 及溫度循環處理（-6 5 °C 〇 1 5 0 °C、1 0 0循環）後的剝離狀態。 將剝離面積在1 0 %以下者視為合格。剝離面積的單位為
(4 )勉曲.量及财迴流性 使用表3所示之樹脂組成物，將下述基板（引線框架）與 矽晶片在1 5 0 °C中施行3 0分鐘的硬化而黏著。利用表面粗 51 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835
縫度計依對角線上1 0 m m長度，測定硬化後 量。起曲量的單位為「//m」，將20"m以 另外，針對同樣施行黏晶的引線框架，使 EME-7026C住友BAKELITE(股）製）密封材步 °C 、相對濕度6 0 %中，施行1 9 2小時的吸 行I R迴流處理（2 6 0 °C、1 0秒、’迴流3次： 封裝利用超音波探傷裝置（穿透型），測定 片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合 單位為「％」。 封裝：QFP(14x20x2. Omm) 引線框架：經鍍銀的銅框架 晶片尺寸：9x9mm 樹脂組成物的硬化條件：烤箱中1 5 0 °C ' 其次，第4組成物系的實驗例（實驗例 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例 D 1、D 2、D 3 ) (1 )化合物（1 )之調整 將聚四亞甲基乙二醇（三菱化學（股）製 測定所求得重複單位數約9 ) 6 7 g、與琥珀 在乙腈/曱苯（重量比1 : 3 )混合溶劑中施行 行攪拌，然後使用離子交換水施行約5次 回收乙腈/曱笨層之後，再利用丁史塔克分 並冷卻至室溫，添加2 -羥基乙基丙烯醯胺 HEAA >以下稱「HEAA」）25g，一邊攪拌一 的晶片表面起曲 下者視為合格。 用 SUM IKON I·進行密封，在8 5 濕處理後，再施 )，對經處理後的 剝離程度。當晶 格。剝離面積的 ‘ 30分 系列D)例示如 PTMG650，經 NMR 西复酐（試劑）2 4 g， 4小時迴流下進 的分液洗淨。經 •離器施行脱水， :(興人（股）製、 邊滴入二環碳化 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 52 1359835 二醯亞胺/二甲胺基吡啶的醋酸乙酯溶液，經滴下後，於室 溫中進行反應1 6小時。
經反應後，使用離子交換水施行約5次的分液洗淨，然 後過濾有機溶劑層而去除固形份，經利用蒸發器及真室乾 燥機去除溶劑之後，便獲得化合物，並施行下述試驗。以 下將此化合物稱為「化合物（1 )」。產率約8 5 %，經N M R、I R 確認到酯鍵結的生成，依G P C所施行的苯乙晞換算分子量 約1 0 0 0。此化合物（1 )係相當於一般式（6 )中，X4為-0 -、 R1 °的碳數為4、重複次數r約9，且一般式（7 )中的RΜ為 -Η的化合物。 (2 )化合物（2 )之調整 聚四亞丁基乙二醇（日本油脂（股）製' UNIOL ΡΒ-700、 平均分子量7 0 0 ) 7 0 g、與琥珀酸酐（試劑）2 4 g，在乙腈/曱 苯（重量比1 : 3 )混合溶劑中施行4小時迴流下，進行攪拌， 然後使用離子交換水施行約5次的分液洗淨。經回收乙腈/ 甲苯層之後，再利用丁史塔克分離器施行脱水，並冷卻至 室溫，添加2 -羥基乙基丙烯醯胺（興人（股）製、HEAA，以 下稱「HEAA」）25g，一邊搜拌一邊滴入二環碳化二酿亞胺/ 二曱胺基吡啶的醋酸乙酯溶液，經滴下後，於室溫中進行 反應1 6小時。 經反應後，使用離子交換水施行約5次的分液洗淨，然 後過濾有機溶劑層而去除固形份，經利用蒸發器及真室乾 燥機去除溶劑之後，便獲得化合物，並使施行於下述試驗。 以下將此化合物稱為「化合物（2 )」。產率約8 7 %，經N M R、 53 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 I R確認到酯鍵結的生成，依G P C所施行的笨乙烯換算分子 量約1 0 0 0。此化合物（2 )係相當於一般式（6 )中，X4為-0 -、 R 1 °的碳數為4、重複次數r約9，且一般式（7 )中的R11為 -Η的化合物。
丙烯醯胺化合物（F )係使用上述化合物（1 )與化合物 (2 )。化合物（Β)係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯（大 曰本油墨工業（股）製、LUMICUREMIA-200，一般式（2)中， R2 為-C2H2-、R3 為- CH2-、一般式（1)的 X1 為-O-'R1 為-(Mh-， 以下稱「化合物（3 )」）。反應性稀釋劑（I )係使用丙烯酸月 桂酯（共榮社化學（股）製' lightesterLA，以下稱「LA」）。 熱自由基起始劑（C )係使用過氧化二異丙苯（日本油脂（股） 製、P E R C U Μ I L D，急速加熱試驗中的分解溫度：1 2 6 °C ，以 下稱「起始劑」）。矽烷偶合劑係使用具四硫醚鍵結的偶合 劑（日本U n i c a r製、A - 1 2 8 9，以下稱「偶合劑1」），及含 縮水甘油基的偶合劑（信越化學工業（股）製、K Β Μ - 4 0 3 E，以 下稱「偶合劑2」）。填充材（A )係使用平均粒徑5 # m、最 大粒徑3 0 // m的薄片狀銀粉（以下稱「銀粉」）。 將該等化合物依表4所示組合進行調配，並使用三輥研 磨機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係 依「重量份」表示。 (比較例D 1、D 2 ) 將各成分依表4所示比率進行調配，並如同實施例D1 般地獲得樹脂組成物。另外，實施例D 1係使用重複單位為 四曱醛的二丙烯酸酯（新中村化學工業（股）製、N K酯 54 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 A-PTMG65 >以下稱「化合物（4 )」）。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。評估結果 如表4所示。 表4
實施例 tb j 唆例 D1 D2 D3 D1 D2 銀粉 85. 00 85. 00 85. 00 85. 00 85. 00 化合物（1) 5. 74 5. 74 化合物（2) 5. 74 5. 74 化合物（3 ) 4. 31 4. 31 4. 31 化合物（4 ) 5. 74 11. 48 LA 4. 31 4. 31 2. 87 4. 31 2. 87 起始劑 0.29 0. 29 0. 29 0. 29 0. 29 偶合劑1 0. 29 0. 29 0. 29 0. 29 0. 29 偶合劑2 0. 07 0. 07 0. 07 0.07 0. 07 黏著強度 硬化後 N/晶片 64 62 58 48 35 吸濕處理後 N/晶片 56 58 42 35 20 勉曲量 β m <20 <20 <20 <20 <20 耐迴流性 剝離面積 % <10 <10 <10 20 100 綜合評估 〇 〇 〇 X X
〈實驗例系列D的評估方法> (1 )黏著強度 將6 X 6 m m矽晶片黏晶於經鍍銀的銅框架上，於1 5 0 °C烤 箱中施行1 5分鐘硬化。經硬化後及吸濕處理（8 5 °C、8 5 %、 7 2小時）後，便採用自動黏著力測定裝置，測定2 6 0 °C下的 加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強度在 3 Ο N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N /晶 片」。 (2 )翹曲量及财迴流性 使用表4所示之樹脂組成物，將下述基板（引線框架）與 矽晶片在1 5 0 °C中施行1 5分鐘的硬化而黏著。利用表面粗 55 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835
糙度計依對角線上1 0 m m長度，測定硬化後的晶片表面翹曲 量。輕曲量的單位為「//m」，將20#m以下者視為合格。 另外，針對同樣施行黏晶的引線框架，使用SUM I KON Ε Μ E - 7 0 2 6 (住友B A K E L I T E (股）製）密封材料進行密封，在8 5 °C 、相對濕度6 0 %中，施行1 9 2小時的吸濕處理後，再施 行I R迴流處理（2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次），對經處理後的 封裝利用超音波探傷裝置（穿透型），測定剝離程度。當晶 片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面積的 單位為「％」。 封裝：QFP(14x20x2.0mm) 引線框架：經鍍銀的銅框架 晶片尺寸：9x9mm 樹脂組成物的硬化條件：烤箱中1 5 0 °C 、1 5分 其次，第5組成物系的實驗例（實驗例系列E)係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 隹（實施例Ε 1、E 2、E 3 )
化合物（B )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯（大 日本油墨工業（股）製、LUMICUREMIA-200，一般式（2)中， R2 為-C2H2-、R3 為- CH2 -，一般式（1)的 X1 為- O-'R1 為-CMh-， 以下稱「化合物1」）。烯丙酯化合物（G )係使用烯丙酯樹 脂（昭和電工（股）製、烯丙酯樹脂D A 1 0 1，一般式（9 )中， R13為環己烷環的化合物，以下稱「化合物2」）。填充材 (A )係使用平均粒徑5 // m、最大粒徑3 0 m的薄片狀銀粉 (以下稱「銀粉」）。熱自由基起始劑（C )係使用過氧化二異 56 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 丙笨（日本油脂（股）製、P E R C l) Μ I L D，急速加熱試驗中的分 解溫度：1 2 6 °C ，以下稱「起始劑」）。此外，亦使用含甲基 丙烯酸基矽烷偶合劑（信越化學工業（股）製、K B Μ - 5 0 3，以 下稱「曱基丙烯酸矽烷」）。 將該等成分依表5所示組合進行調配，並使用三輥研磨 機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係依 「重量份」表示。
(比較例Ε 1 ) 將各成分依表5所示比率進行調配，並如同實施例Ε1 般地獲得樹脂組成物。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。評估結果 如表5所示。 表5
實施例 比較例 E1 E2 E3 E1 銀粉 80.00 80.00 80.00 80. 00 化合物1 14.56 11.65 8. 74 化合物2 4. 85 7. 77 10.68 19. 42 起始劑 0.39 0. 39 0. 39 0.39 甲基丙烯酸矽烷 0.19 0.19 0. 19 0. 19 黏著強度1 硬化後 N/晶片 55 55 50 20 黏著強度2 硬化後 N /晶片 60 62 60 18 勉曲量 u m <20 <20 <20 <20 时迴流性 剝離面積 % <10 <10 <10 100 綜合評估 〇 〇 〇 X <實驗例系列Ε的評估方法> (1 )黏著強度1 將6 X 6 m m矽晶片黏晶於經鍍銀的銅框架上，並於1 5 0 °C 烤箱中施行30分鐘硬化。採用自動黏著力測定裝置，測定 2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切 57 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410S033
1359835 強度在4 Ο N /晶片以上時便視為合格。黏著 「N /晶片j。 (2)黏著強度2 將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於經黑化處理的銅 於1 5 0 °C烤箱中施行3 0分鐘硬化。採用自 置，測定2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。 晶片抗切強度在4 Ο N /晶片以上時便視為合 早位為「N /晶片」。 (3 )勉曲量及耐迴流性 使用表5所示之樹脂組成物，將下述基 矽晶片在1 5 0 °C中施行1 5分鐘的硬化而黏 糙度計測定硬化後的晶片表面翹曲量。翹 「μπι」，將20μπι以下者視為合格。另外 黏晶的引線框架，使用密封材料（SUM IKON BAKELITE(股）製）實施密封，並在30 °C、相 行1 9 6小時的吸濕處理後，再施行I R迴流 秒、迴流3次）。對經處理後的封裝利用超Ί 透型），測定剝離程度。當晶片黏結部的剝 時便視為合格。剝離面積的單位為「％ j。 封裝：QFP(14x20x2. 0mm) 引線框架：經鍍銀的銅框架 晶片尺寸：9x9mm 樹脂組成物的硬化條件：烤箱中1 5 0 °C 、 最後，第6組成物系的實驗例（實驗例） 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94〗08033 強度的單位為 製散熱片上，並 動黏著力測定裝 當2 6 0 °C加熱時 格。黏著強度的 板（引線框架）與 著。利用表面粗 曲量的單位為 ，針對同樣施行 EME-7026、住友 對濕度6 0 %中施 處理（2 6 0 °C、1 0 -波探傷裝置（穿 離面積未滿1 0 % 30分 列F )例示如 58 1359835 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例F 1 ~ F 4、比較例F卜F 3 )
使用聚丙二醇二曱基丙烯酸酯（曰本油脂（股）製、 BLEMMER-PDP-400 >以下稱「化合物1」）' 聚四亞甲基乙 二醇二曱基丙烯酸酿（日本油脂（股）製、BLEMMER-PDT-8 0 0，以下稱「化合物2」），且化合物（B )係使用聚醚系雙 順丁烯二醯亞胺醋酸酯（大日本油墨工業（股）製、L U Μ I C U R E MIA-200，一般式（2)中，R2 為-C2H2-、R3 為-CH2-，一般式 (1)的X1為-0-、R1為-C4H8-，以下稱「化合物3」）。 化合物（Η )係使用將順丁烯二酸化聚丁二烯（數平均分 子量：約1 0 0 0、日本石油化學（股）製、Μ - 1 0 0 0 - 8 0 )、與聚（丙 二醇-四亞甲基乙二醇）單曱基丙烯酸酯（日本油脂（股） 製、BLEMMER-50PPT-800)，在曱苯中於三乙胺存在下，在 3 0 °C中進行反應4小時，然後再於5 0 °C中施行減壓去溶劑 的化合物（室溫中為黏稠液體，以下稱「化合物4」）。 反應性稀釋劑（I )係使用丙烯酸月桂酯（共榮社化學（股） 製、1 i g h t e s t e r L A，以下稱「反應性稀釋劑」）。熱自由 基起始劑（C )係使用過氧化二異丙笨（急速加熱試驗中的分 解溫度：1 2 6 °C，日本油脂（股）製、P E R C U Μ I L D，以下稱「起 始劑」）。填充材（A )係使用平均粒徑3 # m、最大粒徑2 0 // m 的薄片狀銀粉（以下稱「銀粉」）。此外，亦使用含甲基丙 烯酸基之矽烷偶合劑（信越化學工業（股）製、K B Μ - 5 0 3，以 下稱「甲基丙烯酸矽烷」）。 將該等化合物依表6所示組合進行調配，並使用三輥研 59 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-〇7/94丨08033
1359835 磨機施行混練，經脱泡後便獲得樹脂组成物。 另外，在比較例F1中使用聚乙二醇二曱基丙炎 本油脂（股）製、B L Ε Μ Μ E R - P D E - 4 0 0，以下稱「化合 比較例F 2係使用丙烯酸改質聚丁二烯（順丁烯二 二烯與乙二醇甲基丙烯酸酯的半酯化化合物）（數 量：約1 0 0 0、日本石油化學（股）製、Μ Μ - 1 0 0 0 - 8 0 「化合物6」）；比較例F 3係使用由雙酚Α與表 應所獲得之二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、 液體以下稱「雙A環氧」）、甲苯基縮水甘油醚（ 1 8 5，以下稱「C G E」）、苯酚酚醛樹脂（羥基當量 化點8 5 °C ，以下稱「P N」）、2 -苯基-4，5 -二羥基 (四國化成工業（股）製、商品名CUREZOL，以下稱「 含縮水甘油基之矽烷偶合劑（信越化學工業（股）I KBM- 4 0 3 E -以下稱「環氧矽烷」）。 所獲得之樹脂組成物，依下述方法進行評估。 如表 6所示。 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 ¥酸酯（曰 物5」）； 酸化聚丁 平均分子 ，以下稱 I醇的反 室溫下為 環氧當量 1 04、軟 甲基咪唑 2PHZ j )、 ). 評估結果 60 1359835
9< 比較例 CO 〇 LO cd cn cd > « 卜 03 ο· 〇〇 LO 16.0 ! 21.2 f _·1 CO CN3 CO CO 〇〇 〇〇 LO 〇〇 CS3 οα | <10 1 50 < X X οα Cx« oo 卜· cx> CO CO σΰ CO 寸 <o C3 cr> 〇〇 oo CT5 s: cx> CO 卜 ， i l H CO 寸 cz> d CZD 〇〇 CO CZ3 16.4 | CO cd 〇〇 CN3 CO CO 〇〇 (NI V ◦ LO X 實施例 寸 oo 卜· oo LO oo LO C5 CZ3 CD oo Csl <〇 CO 03 03 〇> csi 03 CO CO CO LO <=> CO 寸 LO ◦ >"< V 〇 CO Cau CO CD CO oo LO oo LO 寸 <3> 80.0 1 03 cr> 寸 CO ◦ CJ5 〇〇 03 〇〇 ο <o 1—^ V 〇 CO oo c—· OT CO CO ① CO 寸 ο CZ) oo oa o’ 17.6 1 17.4 ι· Η 1 〇〇 § c〇 oo CD o t < V 〇 oo 卜· OT CO 05 CO CD CO 寸 CD 〇> ο oo CO ci C0 〇〇 18. 6 次 (Si 〇〇 CO 寸 cr> ◦ V 〇 阳合物1 |化合物2 1化合物3 |化合物4 |化合物5 |化合物6 |反應性稀釋劑 |起始劑 1銀粉 雙A環氧 o 丨 2PHZ 曱基丙烯酸矽烷 環氧矽烷 初始值（Pa · s) 48小時後（Pa · s) 黏度增加率 硬化後 PCT後 硬化後 PCT後 剝離面積（％) 综合評估 30秒硬化 (加熱板） 60分硬化 (烤箱） 黏度 S3 耐焊接龜裂性 19 εεοοοο56/ζ.ο46/ίρ}ϋ)_κ:0^Μ3 餓 ΜΧ3ΓΠ 1359835 〈實驗例系列F的評估方法〉 (1 )黏度 使用E型黏度計（3 °錐形）測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 °C中放置4 8小時後的2 5 °C、2 . 5 r p m値。當剛製作 後的黏度在1 5〜2 5 P a · s範圍内，且經4 8小時後的黏度增 加率未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a . s」，黏度 增加率的單位為「％」。
(2)黏著強度 使用樹脂組成物，將6x 6mm矽晶片黏晶於經銀點鍍過的 銅框架上，在2 0 0 °C加熱板上放置3 0秒，以及在1 5 0 °C烤 箱中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及P C T ( 1 2 1 °C 、1 0 0 %、 7 2小時）處理後，便採用自動黏著力測定裝置，測定2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強 度在5 Ο N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N / 晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表6所示之樹脂組成物，對下述引線框架與矽晶 片，依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後，採用S U Μ I Κ Ο N Ε Μ Ε - 7 0 2 6 (住友B A K E L I Τ Ε (股）製）密封材料，對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中，施行1 9 2小時的吸濕處理後， 再施行I R迴流處理（2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次），對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置（穿透型），測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「％」。 62 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 1359835 封裝：QFP(14x20x2. Omm) 引線框架：經銀點鍍過的銅框架 晶片尺寸：6x6mm 樹脂組成物的硬化條件：加熱板上、2 0 0 °C、 (產業上之可利用性）
60秒 6組成物系 及低應力性 著性優越， 系的組成物 出優越的滲 半導體元件 本發明的樹脂組成物，特別係上述第1至第 的組成物，因為黏著強度、速硬化性、耐濕性 均優越，特別係銅引線框架與半導體元件的黏 因而頗適用為半導體用晶片黏結塗劑材料。 再者，本發明的樹脂組成物中，第3組成物 因為具良好低應力性、及良好黏著性，且顯示 出性，因而頗適用於同時要求具備該等性能的 或散熱構件之黏著用組成物。 63 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033

Claims (1)

1359835 請專利範菌二
SEP -1 2011 替換本 1. 一種樹脂组成物，係使用作為將半導體元件或散熱構 件黏著用之黏著劑者，其特徵為，至少含有填充材（A )、下 述化合物（B)及熱自由基起始劑（C)，且實質未含有光聚合 起始劑； 化合物（B ): 主鏈骨架含有下述一般式（1)所示之構造，且具有2個 下述一般式（2 )所示之官能基的化合物 —R'V ⑴ (上述式中，X 1係指-0 - ; R1係指碳數3 ~ 6之碳氫基且不 含有芳香環；m係1以上且5 0以下的整數；相同符號所示 部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異）； CO R〈—R3—COO—— ⑵ CO
(上述式中，R2係指-C2H2 -或- C3H4-; R3係指碳數1~5之 碳氫基且不含有芳香環；相同符號所示部分係當式中含有 2個以上時，該等可為相同亦可為互異）。 2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述填 充材（A )係銀粉。 3. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述化 合物（B)中，R1係從- C3H6 -或- C4H8-中至少選擇其中1種。 4. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述化 合物（B)中，R2 係-C2H2-，且 R3 係-CH2-。 64 94108033 1359835 5.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述化 合物（B )係下述一般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (B’）； CH——C0、II,) CR4——C0 Η—R5—COO—R6—(x2——R6-)^- 0C0——R5——N /C。一|CH 'SSvC〇——CR^ (3)
(上述式中，X2係指-0- ; R4係指氫原子或甲基；R5係指 碳數1 ~ 5之碳氫基且不含有芳香環；R6係指碳數3 ~ 6之碳 氫基且不含有芳香環；η係1以上且50以下的整數；相同 符號所示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦 可為互異）。 6.如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中，上述一 般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物（Β ’）中，R5係 -CH2_ 或- CsHi。-。 7 .如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中，上述一 般式（3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物（B ’）中，R6係從 -C3H6 -或- C4H8-中至少選擇其中1種。 8.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含有 下述化合物（D ); 化合物（D ): 主鏈骨架含有一般式（4)所示之構造，且至少含有1個 具可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物 (上述式中，X3係指-0-、-C00 -或_0C00_; R7係指碳數 65 94108033 1359835 3〜6之碳氫基；p係1以上且5 0以下的整數；相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異）。 9.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含有 下述一般式（5)所示之丙稀酸酯化合物（Ε); 丙烯酸酯化合物（Ε): (CH2==C-C 0 CHiV--C-QH ⑸
V II U I (上述式中，R8係指氫原子或曱基；R9係指碳數1 ~ 3之 石炭氫基；X、y ' z 係符合（x + y + z) = 3、1SxS3、0SyS2、 0 S z S 2 ;相同符號所示部分係當式中含有2個以上時，該 等可為相同亦可為互異）。 1 0 .如申請專利範圍第9項之樹脂組成物，其中，上述 一般式（5 ).所示之丙烯酸酯化合物（E)中，R8係曱基。 1 1 .如申請專利範圍第9項之樹脂組成物，其中，上述 一般式（5)所示之丙稀酸8旨化合物（E)中，R9係甲基。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之樹脂組成物，其中，上述 一般式（5 )所示之丙烯酸醋化合物（E)中，R8係甲基，R9係 曱基，且 x = l、y =1 ' z = l。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項之樹脂組成物，其中，上述 一般式（5 )所示之丙稀酸醋化合物（E )中，R8係曱基，且 X = 2 ' y = 1 ' z = 0° 1 4.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 66 94108033 1359835 有下述丙烯醯胺化合物（F ); 丙烯醯胺化合物（F ): 主鏈骨架含有一般式（6)所示之構造，且至少具有1個 (最好1分子内具有2個以上）一般式（7)所示之官能基的化 合物； —(X4—R10}^ (6) CHz=CR1!-CONH—— ⑺
(上述2個式中，X4係指-0-、-C00-或-0C00- ; R10係指 碳數3 ~ 6之碳氫基；R11係指氫原子或甲基；r係1以上且 5 0以下的整數；相同符號所示部分係當式中含有2個以上 時，該等可為相同亦可為互異）。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之樹脂組成物，其中，上述 丙烯醯胺化合物（F )中，上述一般式（6 )所示之構造的R 1 ° 係從- C3H6_或-C4H8··中，至少選擇其中1種。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之樹脂組成物，其中，上述 丙稀醯胺化合物（F)中，上述一般式（6)所示之構造的X4 係-0 -。 1 7 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 有下述烯丙酯化合物（G ); 稀丙S旨化合物（G ): 至少具有1個（最好1分子内具有2個以上）一般式（8 ) 所示之官能基的化合物； CH2=CH——CH2——0C〇——Hu—— （8) (上述式中，R12係指碳數2 ~ 8之碳氫基）。 67 94108033 1359835 18.如申請專利範圍第17項之樹脂組成物，其中，上述 烯丙酯化合物（G)中，上述一般式（8)所示之構造的R12係 未含有芳香族環。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之樹脂組成物，其中，上述 烯丙酯化合物（G)係具有下述一般式（9 )所示之骨架； —f-x5——R,3)S- (9)
(上述式中，X5係指一0- 、 一C00-或一0C00- ; R13係指碳數 3〜6之碳氫基；s係1以上且5 0以下的整數；相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互
2 0 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 有下述化合物（Η); 化合物（Η ):
數平均分子量500~5000，且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物衍生物，並在改質處含有一般 式（1 0 )所示之構造，且至少具有1個可聚合之碳-碳不飽和 鍵結之官能基的化合物； —(-Χ6—R14)p (10) (上述式中，X6係指一0-、 一C00 -或一0C00-; R14係指碳數 3〜6之碳氫基；t係1以上且5 0以下的整數；相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異）。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物，其中，上述 化合物（Η )中，上述一般式（1 0 )所示之構造的X6係-0 -，且 68 94108033 1359835 R14係
2 2.如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物，其中，由上 述化合物（Η)所衍生、且在1分子内至少具有1個碳-碳不 飽和鍵結的碳氫化合物，係丁二烯聚合物。 2 3 .如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物，其中，由上 述化合物（Η)所衍生，且在1分子内至少具有1個碳-碳不 飽和鍵結的碳氫化合物，係異戊二烯聚合物。
2 4.如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物，其中，上述 化合物（Η )之可聚合的碳-碳不飽和鍵結係（甲基）丙烯醯 基。 2 5 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 有反應性稀釋劑（I )。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之樹脂組成物，其中，上述 反應性稀釋劑（I )係非為上述化合物（D ) ~ ( Η )之在室溫中為 液狀的乙烯基化合物。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之樹脂組成物，其中，上述 乙烯基化合物係至少含有1個（曱基）丙烯醯基的化合物。 2 8.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 有矽烷系偶合劑（J )。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之樹脂組成物，其中，上述 偶合劑（J )係具S - S鍵結的矽烷偶合劑。 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之樹脂組成物，其中，上述 偶合劑（J )係更含有具縮水甘油基的矽烷偶合劑。 3 1 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 69 94108033 1359835 有除含縮水甘油基之石夕烧偶合劑以外的含縮水甘油基化合 物（κ)。 3 2,如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，更含 有下述化合物（L)與下述化合物（M); 化合物（L ): 主鏈骨架含有一般式（11)所示之構造，且至少具有1個 縮水甘油基的化合物 —fX7 — R1^- (11)
(上述式中，X7係指一0- 、 一C00-或一0C00- ; R15係指碳數 3 ~ 6之碳氫基；u係2以上且5 0以下的整數；相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時，該等可為相同亦可為互 異）； 化合物（Μ ): 具有能與上述化合物（L )之縮水甘油基產生反應之官能 基的化合物。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之樹脂組成物，其中，上述 化合物（L )的重複單元（X7 - R15)，係如同上述化合物（Β )的 重複單元（Χ1-!?1)。 3 4 . —種半導體裝置，其特徵為，係將申請專利範圍第1 項之樹脂組成物，使用為晶片黏結材料而製成。 3 5. —種半導體裝置，其特徵為，係將申請專利範圍第1 項之樹脂組成物，使用為散熱構件黏著用材料而製成。 70 94108033
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102604592A (zh) * 2004-03-19 2012-07-25 住友电木株式会社 树脂组合物及采用该树脂组合物制作的半导体装置
JP4830387B2 (ja) * 2005-07-27 2011-12-07 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5034218B2 (ja) * 2005-11-09 2012-09-26 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5055764B2 (ja) * 2005-12-21 2012-10-24 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5098175B2 (ja) * 2006-01-06 2012-12-12 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5419318B2 (ja) * 2006-03-06 2014-02-19 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4835229B2 (ja) * 2006-03-29 2011-12-14 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
US7422707B2 (en) * 2007-01-10 2008-09-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Highly conductive composition for wafer coating
CN101601122B (zh) * 2007-01-31 2012-03-21 汉高股份两合公司 涂有填充的、可旋涂的材料的半导体晶片
JP5428134B2 (ja) * 2007-03-12 2014-02-26 住友ベークライト株式会社 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4967761B2 (ja) * 2007-03-30 2012-07-04 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2009164500A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着剤および半導体パッケージ
DE102008026765A1 (de) * 2008-04-16 2009-10-22 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Mikrowellen-Baugruppe
EP2319893A4 (en) * 2008-08-27 2012-01-18 Hitachi Chemical Co Ltd LIGHT-SENSITIVE ADHESIVE, ADHESIVE, LACQUER, SHAFT, SEMICONDUCTOR WITH HAZARD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH LIGHT SENSITIVE COMPOSITION
JP5625431B2 (ja) * 2009-03-31 2014-11-19 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法
EP2432832A1 (en) * 2009-05-19 2012-03-28 Specialized Technology Resources, Inc Encapsulant compositions, methods of manufacture and uses thereof
SG173429A1 (en) * 2009-05-29 2011-09-29 Mitsui Chemicals Inc Composition for sealing semiconductor, semiconductor device, and process for manufacturing semiconductor device
JP2011077459A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製された半導体装置
WO2011065310A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 株式会社オートネットワーク技術研究所 ワイヤーハーネスの製造方法、及びワイヤーハーネス
FR2955654B1 (fr) * 2010-01-25 2012-03-30 Soitec Silicon Insulator Technologies Systeme et procede d'evaluation de deformations inhomogenes dans des plaques multicouches
JP2011199097A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP2615122A4 (en) * 2010-09-07 2015-02-25 Sumitomo Bakelite Co RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR EQUIPMENT PRODUCED BY THE RESIN COMPOSITION
JP2012182184A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Kyocera Chemical Corp 半導体接着用熱硬化性樹脂組成物および半導体装置
TWI540590B (zh) * 2011-05-31 2016-07-01 住友電木股份有限公司 半導體裝置
WO2013035204A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 電子装置用組成物
WO2013035205A1 (ja) 2011-09-09 2013-03-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン アンダーフィル用組成物
JP6303345B2 (ja) * 2013-09-09 2018-04-04 Dic株式会社 熱伝導シート、物品及び電子部材
WO2015115553A1 (ja) 2014-01-29 2015-08-06 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び固体撮像素子
US10358580B2 (en) 2014-01-29 2019-07-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, resin cured product obtained from adhesive composition, method for manufacturing semiconductor device using adhesive composition, and solid-state imaging element
KR102272146B1 (ko) 2014-01-29 2021-07-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 반도체 장치의 제조 방법, 및 고체 촬상 소자
JPWO2015186521A1 (ja) * 2014-06-02 2017-04-20 昭和電工株式会社 半導体ナノ粒子含有硬化性組成物、硬化物、光学材料および電子材料
KR20170023719A (ko) * 2015-08-24 2017-03-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물
JP2017103303A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 日立化成株式会社 半導体用接着剤、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP6609337B2 (ja) * 2017-03-30 2019-11-20 住友化学株式会社 重合体及び組成物
JP2018172565A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 コニシ株式会社 アクリル系硬化性樹脂組成物
US11118089B2 (en) * 2017-06-07 2021-09-14 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Thermally-conductive and electrically-conductive adhesive composition
JP7115445B2 (ja) * 2019-09-03 2022-08-09 信越化学工業株式会社 マレイミド樹脂フィルム及びマレイミド樹脂フィルム用組成物
CN115023771A (zh) * 2020-01-28 2022-09-06 住友电木株式会社 导电性膏和半导体装置
EP4197028A4 (en) * 2020-08-14 2024-10-30 Brewer Science, Inc. MATERIAL FOR PERMANENT BONDING AND STRUCTURING
KR102732553B1 (ko) * 2022-11-21 2024-11-21 주식회사 에이엠텍 전기자동차 배터리용 방열패드 조성물 및 이를 이용한 방열패드

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2031573A1 (de) * 1969-07-01 1971-01-07 General Electric Co., Schenectady, N Y (V.St.A.) Imidosubstituierte Polyester und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4675414A (en) * 1985-03-08 1987-06-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Maleimidomethyl-carbonate polyethers
CN1021054C (zh) * 1989-08-23 1993-06-02 东方绝缘材料厂 双组分环氧无溶剂滴浸树脂组合物
US5006575A (en) * 1989-10-20 1991-04-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Die attach adhesive composition
JPH04159315A (ja) * 1990-10-22 1992-06-02 Showa Denko Kk 耐熱性熱硬化性樹脂組成物
US6034194A (en) * 1994-09-02 2000-03-07 Quantum Materials/Dexter Corporation Bismaleimide-divinyl adhesive compositions and uses therefor
AU3626095A (en) 1994-09-02 1996-03-27 Quantum Materials, Inc. Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds
US5789757A (en) 1996-09-10 1998-08-04 The Dexter Corporation Malemide containing formulations and uses therefor
US5717034A (en) 1996-07-29 1998-02-10 Quantum Materials, Inc. Perfluorinated hydrocarbon polymer-filled adhesive formulations and uses therefor
US6034150A (en) * 1996-08-23 2000-03-07 University Of Southern Mississippi Polymerization processes using aliphatic maleimides
JP3283455B2 (ja) 1996-11-29 2002-05-20 住友ベークライト株式会社 熱伝導性ペースト
FR2757147B1 (fr) * 1996-12-12 1999-01-29 Inst Francais Du Petrole Procede et dispositif d'epuration d'un gaz contenant de l'hydrogene sulfure et du dioxyde de soufre
JPH10168413A (ja) * 1996-12-16 1998-06-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP3599160B2 (ja) * 1997-05-16 2004-12-08 大日本インキ化学工業株式会社 マレイミド誘導体を含有する活性エネルギー線硬化性組成物及び該活性エネルギー線硬化性組成物の硬化方法
JPH11106455A (ja) 1997-10-06 1999-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
US6706777B1 (en) * 1998-03-26 2004-03-16 Sun Chemical Corporation Water compatible energy curable compositions containing maleimide derivatives
US6355750B1 (en) 1998-07-02 2002-03-12 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Dye attach adhesives for use in microelectronic devices
US6265530B1 (en) * 1998-07-02 2001-07-24 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Die attach adhesives for use in microelectronic devices
JP3705529B2 (ja) 1998-08-24 2005-10-12 住友ベークライト株式会社 絶縁性ダイアタッチペースト
JP2000144041A (ja) * 1998-11-13 2000-05-26 Dainippon Ink & Chem Inc マレイミド誘導体を含有する木質材表面被覆用活性エネルギー線硬化性組成物及び該組成物の硬化方法
JP2000273326A (ja) 1999-03-29 2000-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
FR2804121A1 (fr) * 2000-01-24 2001-07-27 Michelin Soc Tech Composition de caoutchouc pour pneumatique comportant une charge blanche renforcante et un systeme de couplage ( charge blanche/elastomere)
JP2001261939A (ja) 2000-03-21 2001-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。
TWI282811B (en) * 2000-04-10 2007-06-21 Sumitomo Bakelite Co Die-attaching paste and semiconductor device
EP1167483A1 (en) * 2000-06-20 2002-01-02 Saehan Industries, Inc. Adhesive tape for electronic parts
JP2003040939A (ja) * 2001-07-26 2003-02-13 Dainippon Ink & Chem Inc 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物
JP2003040093A (ja) 2001-07-31 2003-02-13 Nissin Kogyo Co Ltd ストロークシミュレータ
JP4587631B2 (ja) 2002-01-30 2010-11-24 Ｄｉｃ株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP2003277699A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Dainippon Ink & Chem Inc 半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ
US6803406B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-12 National Starch And Chemical Investmnet Holding Corporation Electron donors, electron acceptors and adhesion promoters containing disulfide
JP4284922B2 (ja) * 2002-05-13 2009-06-24 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP4134606B2 (ja) 2002-06-18 2008-08-20 東亞合成株式会社 活性エネルギー線硬化型粘着剤及び粘着シート
JP4333100B2 (ja) 2002-08-20 2009-09-16 東亞合成株式会社 活性エネルギー線硬化型粘着剤及び粘着シート
US7176044B2 (en) * 2002-11-25 2007-02-13 Henkel Corporation B-stageable die attach adhesives
AU2003292837A1 (en) * 2003-02-25 2004-09-17 Japan As Represented By President Of Shizuoka University Process for producing polymer
DE602004014517D1 (de) * 2003-09-30 2008-07-31 Kansai Paint Co Ltd Lack und markierungsverfahren
CN102604592A (zh) * 2004-03-19 2012-07-25 住友电木株式会社 树脂组合物及采用该树脂组合物制作的半导体装置
US7160946B2 (en) * 2004-04-01 2007-01-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method to improve high temperature cohesive strength with adhesive having multi-phase system
JP4857574B2 (ja) * 2005-03-04 2012-01-18 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

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