TWI298334B - Polyamic acid resin composition modified with laminate nanometer silica sheet and polyimide prepared therefrom - Google Patents

Description

1298334 九、發明說明： ' 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種包含層狀奈米矽片及/或奈米粉體之聚酸 胺酸樹腊組成物及由此聚驢胺酸樹脂組成物所製得之聚酸亞 胺薄膜。 【先前技術】 隨著電子產業、技術的發達，安裝ic(積體電路）、LS1(大 規模積體電路)等電子零件的印刷電路配線板之需要急遽地增 加’但表近之電子機器例如以行動電話為代表之電子機器期望 小型化、輕量化、高功能化、高信賴度及低價格化。 為了實現電子機器之小型化及輕量化等特性，作為該等電 子零件的安裝方法，使用TAB(捲帶式自動接合)等之電^零件 ^裝用薄膜承載膠帶進行裝置之安裝。該等電子零件安裝^之 ^膜承载膠帶係在聚醯亞胺等之軟性絕緣薄膜上介由樹脂接 ^劑黏貼銅，y之導電性金屬箔，該導重性金屬箔表窗上塗佈 感光性樹脂藉所需配線圖案進行曝光顯影後，以該樹脂之感光 或未感光部分作為遮蔽材對導電性金屬箔進行钱刻， 後所製得者。 x ^

為使聚醯亞胺細具有尺核定性，—般須添加無機填充 達到電子產業所需之尺寸安定性則必須添加大量一填 使所製狀雜·_之_餅低，不利該等 溥膜在後段加工時之對位及打孔處理程序。此 ㈣，米等級之無機填充劑例； 云夺戈為層狀黏土。此寺天然礦物，由於盆内當人古私 使用之ϊίίίί?現有用於電子卫業之軟性印刷電路中所 【發明;】_之缺點進行歧研究，_完成本發明。 ΤΡ050214 5 1298334

〜本發明提供一種包含層狀奈米矽片及/或奈米粉體之聚醯 樹脂組成物及由此聚醯胺酸樹脂組成物所製得之聚醯亞 胺薄^。本發明所製得之薄膜具有改良的尺寸安定性、低吸水 陡、咼透明性以及低熱膨脹係數(CTE)值而應用於軟性印刷電 路板及液晶顯示器之電路板。 詳各之，本發明第一目的係提供一種聚酿胺酸樹脂組成 物，其包括佔組成物總重之〇· 3至15重量%之作為填充劑之層 狀奈米石夕片及/或奈米矽粉體以及佔組成物總重之99. 7至85 重量％之聚醯胺酸樹脂。 本發明中之聚醯胺酸樹脂係由二酸酐以及二胺以不同比 例來合而得者，更好是由芳族二酸酐與芳族二胺聚合反應而得 者0 〜、 匕本發明又有關一種聚醯亞胺薄膜，係由前述之聚醯胺酸樹 脂组成物進行醯亞胺化反應所獲得者。 、 本發明所f得之聚醯亞赛薄膜僅添加少量之填充勢，即可 具有改良的尺寸安定性，且具有低吸水性、高透明性及低埶 膨脹係數(CTE)值等之印刷電路板所t之特性，而可應用於 性印刷電路板及液晶顯示器之電路板。 ^ 、人 本發明之聚釀亞胺薄膜由於具有高透明性，因此在 性電路板後，可解決過去軟性電路板因不透明性而不易^ 問題。 々 【實施方式】 本發明中用以製備聚醯胺酸之二酸酐實例可舉例如 限於）芳族二酸酐例如苯均四酸二酐(ΡΜΜ)、4 二 ⑽A)、二苯侧-3,3’，4,4，-讀酸二⑽ 氟亞異丙基二酞酸二酐（6FDA)、卜(三氟曱基2 3 ρ八 =二酐⑽舰)]，4_雙(三氟甲基) —丨四羧： ⑽DA)、卜(3’，4’ _二絲苯基m，3,3_三焱二「軒 二缓酸二酐、卜(3’，4,—二絲苯基)-1，3,3-三甲基節6滿 TP050214 6 1298334 -6, 7-二羧酸二酐、1-(3’，4’ -二羧基苯基)-3-曱基茚滿 -5, 6-二缓酸二酐、1_(3’，4’ -二幾:基苯基）-3-曱基茚滿 ' -6, 7-二羧酸二酐、2, 3, 9,10-二萘嵌苯四羧酸二酐、1，4, 5, 8- : 萘四羧酸二酐、2, 6-二氯萘-1，4, 5, 8-四羧酸二酐、2, 7-二氯 - 萘-1，4, 5, 8-四缓酸二酐、2, 3, 6, 7-四氯蔡-2,4, 5,8-四缓酸二 酐、菲-1，8, 9,10-四羧酸二酐、3, 3’，4,4’ -二苯曱酮四羧酸 二酐、1，2’，3, 3’ -二苯曱酮四羧酸二酐、3, 3’，4, 4’ -聯苯 四羧酸二酐、3, 3’，4,4’ -二苯曱酮四羧酸二酐、 2, 2’，3, 3’ -聯苯四羧酸二酐、4, 4’ -亞異丙基二酞酸二酐、 3, 3’ -亞異丙基二酞酸二酐、4, 4’ -氧基二酞酸二酐、4,4’ -磺醯基二酞酸二酐、3, 3’ -氧基二酞酸二酐、4,4，-亞曱基二 酿酸二酐、4,4’ -硫基二欧酸二酐、4,4’ -亞乙基二欧酸二 酐、2, 3, 6, 7-萘四羧酸二酐、1，2,4, 5-萘四羧酸二酐、1，2, 5, 6- - 萘四缓酸二酐、苯-1，2, 3, 4-四缓酸二酐、11比嗪-2, 3, 5, 6-四缓 一 爹二酐等，其中較好為苯均四赛二酐(PjiDA)、4, 4-二酞酸二酐 (BPDA)、二苯甲酮-3, 3’，4,4’ -四羧酸二酐(BTDA)、4, 4-六 氟亞異丙基二酜酸二酐（6FDA)、1 -(三氟曱基)-2,3,5,6-苯四 羧酸二酐(P3FDA)、1，4-雙(三氟甲基)-2, 3, 5, 6-苯四羧酸二酐 (P6GDA)。 本發明中製備聚醯胺酸之二胺實例可舉例如（但不限於） ^ 芳族雙胺例如對-苯基二胺(PDA)、4, 4’ -氧基二苯胺(ODA)、 5-胺基-1 -(4’ -胺基苯基）-1，3, 3-三曱基茚滿、6-胺基 一 -1 -(4’ -胺基苯基)-1，3, 3-三甲基茚滿、4,4’ -亞曱基雙(鄰- 氯苯胺）、3, 3’ -二氯二苯胺、3, 3’ -磺醯基二苯胺、4,4’ -二胺基二苯曱酮、1，5-二胺基蔡、雙(4-胺基苯基)二乙基梦 烷、雙(4-胺基苯基)二苯基砍烷、雙(4_胺基苯基）乙基膦氧化 物、N-(雙(4-胺基苯基))-N-甲基胺、N-(雙(4_胺基苯基))-N-苯基胺、4,4’ -亞甲基雙(2-甲基苯胺）、4,4’ -亞甲基雙(2-曱氧基苯胺）、5, 5’ -亞甲基雙(2-胺基苯酚）、4,4’ -亞甲基 TP050214 7 1298334 雙(2-甲基苯胺）、4,4’ -氧基雙(2一甲氧基苯胺）、4,4，—氧基 雙氯苯胺),、2, 2’ -雙(4-胺基苯紛）、5, 5，一氧基雙(2-胺 基苯酚）、4,4 -硫基雙(2-甲基苯胺）、4,4，—硫基雙(2一甲氧 基笨胺）、4丨4 -硫基雙(2-氯苯胺）、4,4，-磺醯基雙(2_甲基 本胺）、4,4 -確醯基雙(2-乙氧基苯胺）、4,4，一續醯基雙(2一 氯苯胺）、5,5’ -磺醯基雙胺基苯酚)、3,3，_二甲基 -4, 4 -二严基二苯甲酮、3, 3’〜二甲氧基一4, 4，一二胺基二苯 甲酮、3, 3 -二氯-4,4’ -二胺基二苯曱_、4,4，一二胺基聯 苯、間二苯二胺、對—苯二胺、4,4，—亞甲基二苯胺、4,4，— ，基二苯胺4’ ,_二苯胺、4, 4’ —亞異丙基二苯胺、 3, 3 -二甲基聯笨胺、3, 3’ -二甲氧基聯苯胺、3 3,—二羧基 =苯胺甲苯基二胺、2,5〜甲苯基二胺、2，"苯基二胺、 二胺基+氯甲苯、2,4—二胺基+氯 1 _、4,4,你苯胺_。 ί反應可在非質子極性溶劑中進行，非質 子極性洛狀_絲_限料^^產物库 鱗烧酮⑽)、N，vi3 =賴，)、N-甲基 二魏、氯仿_3)、四技喃⑽）、 爾_w二甲基乙酸 中較好使用1-甲基吡 75。(：j之反應一般在室溫至9〇ΐ，較好30至 。· 5至^?好;= 胺及;族雙軒之比值介於 二胺各可使用一或多種，诉盔± ^ 25之靶圍。該等二酸酐及 之最終用途而定。 Ά別限制，端視所需之聚酿亞胺 層狀物愤_為魅劑之奈米 為層狀或粉末狀，當，其可 例如自數絲錢丨絲之 TP050214 8 1298334 數鮮至數十微米之間。若為粉末狀氧化矽，則 ，、要其平均粒徑在奈米等級即可。所謂之平均粒徑， 播 描式電子顯微鏡觀測時之粒子最長徑尺寸。· ”曰 本發明中使用作為填充劑之奈米層狀氧化矽片及/ 氧化石夕粉上又可擔持有選自鈉、卸、詞、鐵、鎮、錯、絡、f 鋅、錳、鋁等金屬元素之一或多種。 σ v、 ^本發明之聚醯胺酸樹脂組成物中，由二酸酐與二胺聚合所 知之聚醯胺酸與作為填充劑之奈米層狀氧化矽片及/或奈米氧 化矽粉之配合比例，以組成物總重100重量份計，填充&之量 為〇· 3至15重量％，較好為〇· 5至10重量％;聚醯^酸^量為 85至99· 7重量％，更好為90至99. 5重量％。 、本發明之聚醯胺酸樹脂組成物之製備，可使聚酿胺酸與作 ^填充劑之奈米層狀氧化梦片及/或奈米氧化砍粉分別以溶劑 溶解或分散而以個別溶液狀態加以混合，或可直接將聚醯胺& 與作為填充劑之奈座j狀粵化石夕片及/或奈米氧化石夕粉直接先 予混合後’再藉由溶劑分散及/或溶解，隨後藉高速擾拌g充 分混合而獲得。 藉由使用本發明中聚醯胺酸樹脂組成物，其内所添加之作 為填充劑之奈米層狀氧化矽片及/或奈米氧化矽粉僅添加如 〇· 3至15重量%程度之量，即可由該聚醯胺酸組合物獲得具有 良好尺寸安定性、低吸水性、高透明性以及低熱膨脹係數(CTE) 值之聚醯亞胺薄膜，而可適用於軟性印刷電路板及液晶顯示器 之電路板。 ·、 ~ 本發明中有關之聚醯亞胺薄膜係由前述本發明之聚醯胺 酸樹脂組成物，以適當厚度塗佈在支撐體上，經加熱進行酿亞 胺化反應所獲得者。 本發明中所稱之醯亞胺化反應，係使該聚醯胺酸中所含之 - NH-CO-官能基與該羧酸基進行脫水縮合而形成環狀基之過 程，亦可稱為環化反應。此醯亞胺化反應一般藉由加熱進行， TP050214 9 1298334 較好藉梯度加熱進行。此龜亞胺化反應之加熱溫度較好在100 至380°C之範圍，反應時間為數分鐘至數十小時間之範圍。 ^ 本發明方法中所用支撐體可使用例如Kapton、Upliex等 ， 聚醯亞胺薄膜、銅箔、鋁箔、不銹鋼箔、鎳箔等金屬箱，較通 常使用銅fl。 以下將以實施例及比較例進一步說明本發明，惟本發明不 P艮於該等實施例。 [實施例1] (a) 聚醯胺酸之合成 取對-苯基二胺(PDA)O· 864克(0· 008莫耳）、4, 4’ -氧基 二苯胺(0M) 6· 4克(0· 032莫耳）以及60克N-曱基吡咯烷酮 (NMP)置入放有攪拌器及N2導管之四頸反應瓶中予以初步溶解 後，吹入N2，充分攪拌溶解後，將反應溫度維持在25°C。 接著於反應混合物中饋入二苯甲酮-3, 3’，4,4’ -四羧酸 —二酐(BTDA) 5」52克(0.016莫耳及25. 0克NMP丄持續導 入N2下又反應1小時。隨後，持續導入n2下，饋入4,4-二酞 酸二酐(BPDA) 2· 352克(0· 008莫耳)及10· 0克NMP又反應1 小時，最後饋入苯均四酸二酐(PMDA) 3· 488克(0. 016莫耳） 及20· 0克NMP又在25°C及N2下反應4小時，獲得聚醯胺酸樹 / 脂溶液，其固形分為14. 6%，聚醯胺酸之特性黏度值（IV)以

Ubbelhod黏度計測量為〇. 95 dl/g。 (b) 奈米氧化梦片之分散方法 ’ 使用長春石油化學股份有限公司生產銷售之NaSL (為層 狀氧化石夕，厚度約1〇奈米，長寬約1—2微米）2克置入30克 NMP中’利用高速均質機以轉速4000 rpm分散，獲得含2. 5% 層狀氧化石夕之溶液。 - (c)聚蕴胺酸樹脂組成物之製備 將上述(b)所獲得之分散有層狀氧化矽之溶液加入1〇〇克 上述(a)中所獲得之聚醯胺酸溶液並以高速均質機以4000 rpm TP050214 10 1298334 充分混合，獲得聚醯胺酸樹脂組成物。 (d)聚醯亞胺薄膜之製備 25微米之成物以乾燥後膜厚為 35(TC烘箱中加熱丨小時，進大部分溶舰，在於 得聚醯亞胺薄膜。 ^酸之醯亞胺化反應，獲 [實施例2-6] 如實施例1所述之方法，依 胺薄膜。 斤列之系且成製得聚酸亞 [比較例1-2] 如實侧1㈣之麵，依 胺薄膜。此等比較例中未使 ^组成製得聚酸亞 使用滑石或雲母作為填^用本發月之層狀奈米氧化石夕片，而 TP050214 11 1298334 表1 實施 貫施 實施 實施 實施 實施 比較 比較 例1 例2 例3 例4 例5 例6 例1 例2 ODA(莫 0. 03 0. 03 0. 03 0.03 0. 03 0. 03 0. 03 0. 03 耳） 2 2 2 2 2 6 2 2 PDA(莫 0.00 0. 00 0. 00 0. 00 0.00 0. 00 0. 00 0. 00 耳） 8 8 8 8 8 4 8 8 二胺總 0.04 0. 04 0. 04 0. 04 0.04 0. 04 0.04 0.04 莫耳數 BTDA(莫 0.01 0.01 0.01 0.02 0.01 0. 02 0.01 0.01 耳） 6 6 6 0 2 6 6 BPDA(莫 0. 00 0. 00 0. 00 0.00 0. 00 0. 00 0. 00 0. 00 耳） 8 8 8 8 8 8 8 8 PMDA(莫 0.01 0.01 0.01 0.01 0. 02 0.01 0. 01 0.01 耳） 6 6 6 ____ 2 0 2 6 6_· 二酸酐 0. 04 0. 04 0. 04 0. 04 0. 04 0. 04 0. 04 0. 04 總莫耳 數 IV(dl/g ) 0.95 1. 06 1.12 0. 93 1.03 0. 93 1.18 1.16 NaSL%氺 2.5 5 10 5 5 5 滑石 10 雲母讲 10 註：* “%”係相對於樹脂組成物總重為100重量%計。 上述實施例及比較例中所獲得之聚醯亞胺薄膜進行如下 之剝離強度、耐熱銲錫、吸水率以及透明度試驗。所得數值如 下表2所示。 1.剝離強度試驗： 依據IPC-TM-65 2. 4. 9所規範之方法實施。首先將聚醯亞 TP050214 12 1298334 胺薄膜切成2 cm x 15 cm大小，取兩片每片貼上防姓刻膠帶 ; 2條，進行钱刻、水洗、烘乾再與含浸膠片貼合，以剝離試驗 機测試剝離強度。以kgf/cm表示。 : 2·尺寸安定性試驗： 依據IPC-TM-650 2· 2· 4所規範之方法實施。首先將擔持 在銅箔上之聚醯亞胺薄膜裁切成27cm X 29 cm之樣品，於各 樣品上之四個邊角以距各邊1· 25cm之距離衝打出四個洞，各 洞直徑0· 889cm，隨後餘刻掉銅f|，再以二次元測量儀測量機 械方向(MD)及橫向方向(TD)之各同侧洞間之距離。接著使樣品 在150t：烘箱中烘烤30分鐘，放置24小時後，再以相同方法 測里MD方向及TD方向各同侧洞間之距離，由供烤前後之MJ) 及TD方向之距離，計算出尺寸變化。 各距離係以各方向之兩相對孔之中心位置間之距離計。烘 烤前MD方向之第一組、第二組洞間之距離分別以顧麵、職 表示二烘烤後距離分別以MD1烘烤後、M^2烘烤色表示，且烘烤 前TD方向之第一組、第二組洞間之距離分別以TD1 _、TD2 烘烤前表示，烘烤後距離分別以TD1烘烤後、TD2烘烤後表示，則尺寸 安定性以下列公式計算： MD尺寸變化%={[〇01烘烤後-顧烘烤前)/MD1烘烤前]+[(MD2烘烤後 —MD2烘烤前)/MD2烘烤前]} + 2 X 100% > TD尺寸變化%={[(TD1赌後—TD1輯前)/TDl辦前]+ [(TD2供烤後 —TD2烘烤前）/TD2烘烤前]} + 2 X 100% " 3.吸水率試驗： 〃依據IPC-TM-650 2· 6· 2所規範之方法實施。將擔持在銅 箱上之聚醯亞胺薄膜之銅箔蝕刻去除，獲得聚醯亞胺薄膜，並 切成10cm見方之樣品片，令其在iiq〇c烘箱中烘烤1小時， 經秤重得wi，在放至去離子水中在室溫浸泡24小時，取出擦 乾並秤重得W2，以下式計算吸水率： 吸水率=(W2-W1)/W1 X 100% ΊΡ050214 13 1298334 4·耐熱銲錫（半田）試驗·· 依據IPC-TM-650 2· 4· 13所規範之方法實施。首先將聚醯 亞胺薄膜切成3对X 7对大小，取此樣品兩片，在其銅支撐 體之銅上塗上助焊劑，在135°C下烘烤1小時，最後在288。〇 之錫爐内試驗10秒，銅面向下，觀察聚醯亞胺薄膜該面是否 有起泡或分層現象。未起泡或分層即表示為，，通過”'二 5.透明度試驗

透明度係以紫外線光譜儀(uv儀)進行測試，以19〇nm至 llOOnm進行全波長掃描，取600nm時之穿透度百分比，即為 透明度。 … 表2

TP050214 1298334 其剝離強度、尺寸安定性、吸水率以及透明度均優於添加習知 填充劑（即滑石及雲母)之比較例1及2且亦具有足夠之耐熱 性。由本發明之聚醯胺酸樹脂組成物所製得之聚醯亞胺薄膜具 有電子工業中作為電路板所需之各種優異性質，而可應用於電 子工業中作為軟性印刷電路板以及應用於液晶顯示器 線0 ^發明已藉上述較佳實施舰—步說 施例僅用以說明本發日月之較佳實施方式 可進行各種佟毺二1 所揭^精神乾圍内，熟知本技藝者 圍。订各机飾及交化，該等修飾及變化均屬於本發明之範 【圖式簡單說明】 【主要元件符號說明】

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Claims (1)

1298334 (97年4月25日) '第094122758號專利申請案_______ 十、申請專利範園： • -樹脂組成物，其包括佔組成物總重之〇 2. 專她圍帛1項之聚醯胺酸樹脂組成物，其中該作a ίΐΛϋ層狀奈米氧化石夕片之量為佔該組成物總重之。 主 i II 直 'W%。 · 3. ^申請專利範圍第丨項之聚軸酸樹脂組成物，其中該聚酿 胺酸，脂係由芳族二酸酐與芳族二胺聚合反應而得。 4·如申請專利範圍第3項之聚醯胺酸樹脂組成物，其中該芳族 一胺，選自對-苯基二胺、4,4’ -氧基二苯胺、5—胺基 j一—胺基苯基)—1，3,3-三甲基茚滿、6-胺基-1 -(4，-^基笨基)-1，3, 3-三曱基茚滿、4, 4’ -亞曱基雙（鄰-氯苯 胺）、3, 3，_二氯二苯胺、3, 3，-磺醯基二苯胺、4, 4，-二 胺基二笨甲酮、1，5-二胺基萘、雙(4-胺基苯基）二乙基矽 烧、雙(4-胺基苯基)二苯基矽烷、雙(4_胺基苯基）乙基膦氧 化物、N-(雙(4-胺基苯基）)-N-甲基胺、N-(雙(4-胺基苯 基))-N-笨基胺、4,4，-亞曱基雙(2-曱基苯胺）、4, 4，-亞 甲基雙(2-曱氧基苯胺）、5, 5，-亞甲基雙(2-胺基苯酚）、 4, 4’ -亞曱基雙(2-曱基苯胺）、4,4’ -氧基雙(2-曱氧基苯 胺）、4, 4’ -氧基雙(2-氯苯胺）、2, 2，-雙(4-胺基苯酚）、 5,5’ -氧基雙(2-胺基苯酚）、4,4’ -硫基雙(2-曱基苯胺）、 4,4’ -硫基雙(2-甲氧基苯胺）、4,4’ -硫基雙(2-氯苯胺）、 4, 4’ -磺醯基雙(2-甲基苯胺）、4, 4’ -磺醯基雙(2-乙氧基 苯胺）、4, 4’ -磺醯基雙(2-氯苯胺）、5, 5’ -磺醯基雙(2-胺基本盼）、3，3 -二甲基-4, 4 -二胺基二苯甲酉同、3, 3 -一甲氧基-4, 4’ -二胺基二苯甲闕、3, 3’ -二氯-4, 4’ -二胺 基二苯甲酮、4, 4，-二胺基聯苯、間-苯二胺、對-苯二胺、 4, 4’ -亞甲基二苯胺、4, 4’ -硫基二苯胺、4, 4’ -磺醯基二 TP050214 16 1298334 ，、第094122758號專利申請案申請專利範圍未劃線修正頁 （97年4月25曰） 苯胺、4，—亞異丙基二苯胺、3, 3，-二曱基聯苯胺、3, 3，-二甲氧基聯苯胺、3, 3’ -二羧基聯苯胺、2, 4-曱苯基二胺' 2, 5-曱苯基二胺、2, 6-甲苯基二胺、間-二甲苯基二胺、2,4-，二胺基-5-氯甲苯、2, 4-二胺基-6-氯甲苯及其混合物所組成 之組群者。 5·如申請專利範圍第4項之聚醯胺酸樹脂組成物，其中該芳族 二胺係選自對-苯基二胺(PDA)及4, 4，-氧基二苯胺(0DA)所 組成之組群。 6·如申請專利範圍第3項之聚醯胺酸樹脂組成物，其中該芳族 二酸酐係選自苯均四酸二酐、4,4-二酞酸二酐、二苯曱酮 -3,3’，4,4’-四羧酸二酐、4,4-六氟亞異丙基二酞酸二 酐、1-(三氟甲基)-2, 3, 5, 6-苯四鲮酸二酐、丨，4一雙(三氟甲 基）-2, 3, 5, 6-苯四羧酸二酐、1—(3，，4，-二羧基苯 基)-1，3, 3-三甲基節滿-5, 6-二叛酸二酐、1一(3，，4，-二叛 基苯基)-1，3, 3-三甲基節滿-6, 7-二竣酸二酐、i_(3，，4，-二叛基苯基)-3-甲基節滿-5, 6-二竣酸二酐、1 一(3，，4’ -二叛基苯基)-3-甲基茚滿-6, 7-二幾酸二酐、2, 3, 9,10-二萘 嵌苯四叛酸二酐、1,4, 5, 8-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘 -1，4, 5, 8-四羧酸二酐、2, 7-二氯萘〜1，4, 5, 8-四叛酸二酐、 2, 3, 6, 7-四氯萘-2, 4, 5, 8-四叛酸二酐、菲一 1，8, g，一四羧 酸二酐、3, 3’，4, 4’ _二苯甲酮四羧酸二酐q，〗，，3, 3，一 二苯曱_四羧酸二酐、3,3’，4,4,〜聯苯四羧酸二酐、 3, 3 ，4, 4 -^一^本甲酉同四竣酸^一軒、2, 2’ 3 3，-聯苯四叛 酸二酐、4, 4 -亞異丙基二酞酸二酐、3, 3，—亞異丙基二酜 酸二酐、4, 4’ -氧基二酞酸二酐、4, 4，—磺醯基二酞酸二 針、3, 3 -氧基·一酿酸^一針、4, 4〜亞甲美- g大酸-奸、 4,. 2, 3, 6, 7-萘四羧酸二酐、1，2, 4, 萘四羧酸二酐、l 2, 5, 6一 奈四羧酸二酐、苯-1，2, 3, 4-四綾酸二酐、π比嗓—2, 3, 5, 6- ΤΡ050214 17 1298334 ，，第094122758號專利申請案申請專利範圍未劃線修正頁 (97年4月25日 . 四羧酸一酐及其混合物所組成之組群。 7·如申凊專利範圍帛6項之聚醯胺酸樹月旨組成物，其中該芳族 一酸酐係選自苯均四酸二酐、4, 4—二酞酸二酐、二苯甲酮 -3,3’-四羧酸二酐、4,4-六氟亞異丙基二酞酸二 酐、1-(二氟甲基)一2, 3, 5, 6-苯四羧酸二酐、1，4-雙(三氟甲 基)_2, 3, 5, 6-苯四羧酸二酐及其混合物所組成之組群。 8· —種聚醯亞胺薄膜，係由申請專利範圍第1至7項中任一項 之聚醯胺酸樹脂組成物塗佈在支撐體上並經醯亞胺化反應 所得者。 〜 9·如申請專利範圍第8項之聚醯亞胺薄膜，其中該支撐體係選 自其他聚醯亞胺薄膜、銅箔、鋁箔、不銹鋼箔及鎳箔之至少 一種。 TP050214 18